CN102596506A - 研磨垫 - Google Patents

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CN102596506A CN2010800465564A CN201080046556A CN102596506A CN 102596506 A CN102596506 A CN 102596506A CN 2010800465564 A CN2010800465564 A CN 2010800465564A CN 201080046556 A CN201080046556 A CN 201080046556A CN 102596506 A CN102596506 A CN 102596506A
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Abstract

本发明提供一种适合于高硬度的半导体材料的研磨的研磨垫(14)。前述研磨垫(14)用于与游离磨粒组合而进行研磨，在前述研磨垫(14)中，在对研磨对象物(16)进行研磨的面(15)上具备由拉伸强度为15cN/dtex以上的高强力有机纤维构成的织物。在此织物中，例如高强力有机纤维的单纤维纤度可为0.3～15dtex左右，高强力有机纤维的总纤度可为3～3,000dtex左右。作为如此的高强力有机纤维，例如包含全芳香族聚酯纤维。

Description

研磨垫
相关申请
本发明主张在日本于2009年10月14日所申请的特愿2009-237120的优先权，通过参照其整体作为形成本申请的一部分而进行了引用。
技术领域
本发明关于一种研磨垫，其特征为，研磨被研磨物的面为由高强力有机纤维构成的织物，特别涉及适合于半导体材料或金属的抛光(lap)及研磨的研磨垫。
背景技术
作为半导体基材，使用单晶硅晶圆成为主流，但在作为LED相关或高效率的功率装置等的下一代半导体基材，硅晶圆变得无法应对。特别地，要求高耐压化(可靠性提高)、低通态(on)电阻化(低损失化)，使用以SiC为首的各种化合物半导体、蓝宝石或陶瓷类基板的半导体装置的开发、量产化正在进行。特别地，与Si相比，SiC及GaN的宽带间隙广，不仅可高温动作(Si为175℃，但SiC为200～300℃)，绝缘击穿电场强度高到Si的10倍以上，适合于低电阻化，故在不久的将来，可期待代替硅而成为主流。
而且，在单晶及多晶类材料(SiC、蓝宝石等)等的高硬度晶圆基材中，要求高度平坦化及高表面品质。在如此的加工中，一般经由数次的抛光工序及研磨工序(例如：抛光、粗研磨、中间研磨、精整研磨等)来精加工。
目前，抛光平台主要使用锡、铜、铁等的金属。又，研磨垫使用氨基甲酸酯类、无纺布类、仿麂皮类等，而且研磨磨粒使用微细钻石磨粒、胶态硅石磨粒、硫化铈磨粒及氧化铝类磨粒等的游离磨粒。
然而，使用高硬度的晶圆材料时，以往的研磨垫在抛光工序及研磨工序中，使如此的材料成为高平坦化及高品质表面是非常困难的。再者，已知由于晶圆材料硬，在抛光工序、研磨工序中所花费的加工时间也变长。一般地，若工序中的研磨加工时间变长，则难以确保高平坦化及高表面品质，故合格率变差。即，由于以往的研磨垫中无法提高研磨速率而使生产性差，故要求可提高研磨速率的抛光及研磨系统。又，在抛光时，由于在金属平台的平坦性管理上费功夫，故要求可将管理省力化的抛光及研磨系统。
例如，专利文献1(日本特开平9-117855号公报)中揭示有：在研磨垫中具有多个孔，该孔用于保持研磨被研磨物的研磨剂，其特征为，在前述研磨垫的研磨前述被研磨物的面上，具有沟。在此文献中记载有，作为研磨垫的硬质层使用发泡聚氨酯。
在前述研磨垫中，因具有如此的沟，在半导体晶圆的研磨结束后，从研磨垫拆除半导体晶圆变得容易，同时可调整研磨剂的保持能力。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开平9-117855
发明内容
发明所要解决的问题
然而，专利文献1所记载的研磨垫在正抛光时，会发生氨基甲酸酯层本身被钻石等的游离磨粒所劣化的情况。
又，为了使高硬度晶圆基材成为高平坦且高品质的表面，研磨加工为非常复杂，各研磨工序的加工时间也长。为了缩短此加工时间、提高生产性，进行了各种尝试，但特别在高硬度晶圆基材时，由于研磨困难，无法提高研磨速率、生产性低。
本发明的目的为，提供一种研磨垫，其可有效率地研磨高硬度的晶圆或金属等的被研磨物，具有优异的下述特性：可提高生产性的耐切伤性、耐磨耗性及与游离磨粒的适度亲和性。
解决问题的手段
本发明者们为了达成上述目的，进行了深入的研究，结果发现如下情况，进而完成本发明。(1)若对下述研磨垫采用游离磨粒，则可极力抑制这些磨粒对研磨垫的劣化，该研磨垫具有作为研磨面的织物，该织物由具有特定强度的高强力纤维构成，具有特定的覆盖系数，(2)即使研磨高硬度的被研磨物时，若组合使用具备如此织物的研磨垫与游离磨粒，则可提高研磨速率，同时可确保高平坦及高表面品质，再者(3)以如此的研磨垫，可缩短以往的抛光研磨所必要的调校时间。
即，本发明为一种研磨垫，其用于与游离磨粒组合而进行研磨，在该研磨垫的对研磨对象物进行研磨的面上，具备由拉伸强度15cN/dtex以上的高强力有机纤维构成的织物，该织物以下述式1所表示的覆盖系数K为700～4000的范围。
K = N 1 × T 1 + N 2 × T 2 - - - ( 1 )
此处，N1：经纱的密度(条/英寸)
N2：纬纱的密度(条/英寸)
T1：经纱的总纤度(dtex)
T2：纬纱的总纤度(dtex)。
前述高强力有机纤维例如弹性模量可为300cN/dtex以上。又，前述高强力有机纤维的单纤维纤度可为0.3～15dtex左右，总纤度可为3～3,000dtex左右。作为如此的高强力有机纤维，优选使用全芳香族聚酯纤维。
前述研磨垫可在广泛的研磨方式中使用，例如可以被采用于研磨垫、抛光方式、MCP方式或CMP方式。
再者，本发明包含具备前述研磨垫的研磨装置，前述研磨装置具备：
研磨垫；
载件，其用于保持研磨对象物，使研磨对象物与研磨垫接触；
游离磨粒，其供给到研磨垫与研磨对象物之间的研磨面，
前述研磨垫为上述的研磨垫，研磨垫与研磨对象物隔着游离磨粒而相对移动。
又，本发明也包含将研磨对象物进行研磨的研磨垫的使用方法，前述使用方法具备：
使研磨垫接触研磨对象物的工序；
将游离磨粒供给到研磨垫与研磨对象物之间的工序；
前述研磨垫为上述的研磨垫，研磨垫与研磨对象物隔着游离磨粒而相对移动。
发明的效果
根据使用本发明的研磨垫，在高硬度的半导体材料及精密金属加工中，可使研磨速率升高，同时可使被研磨面成为高平坦且具有高表面品质。
又，以本发明的研磨垫，由于研磨效率高，可使用于广泛的研磨工序中，可减低研磨工序的工序次数。
另外，以本发明的研磨垫，不仅可提高研磨垫本身的耐久性，而且可实现抛光时的调校时间的缩短。
再者，通过使用本发明的研磨垫，即使不高度地管理研磨装置中的平台的平坦性，也可进行良好的研磨。
附图说明
通过参照附图的以下适宜实施例的说明，可清晰地理解本发明。然而，实施例及附图仅为图示及说明，不应利用于限制本发明的范围。本发明的范围由权利要求书来确定。
图1为用于说明本发明的研磨装置的一个实施方式的大致剖面图。
具体实施方式
(研磨垫)
本发明的研磨垫与游离磨粒一起使用、进行被研磨面的研磨，在研磨被研磨物的面中，具备由高强力有机纤维构成的织物。从抑制来自游离磨粒所发生的劣化的观点来看，高强力有机纤维的拉伸强度必须为15cN/dtex以上，优选为18cN/dtex以上，更优选为20cN/dtex以上。又，其上限没有特别的限定，但多为100cN/dtex以下。再者，使用强度低于15cN/dtex的有机纤维所得的研磨垫，在研磨工序的使用中纤维会被磨断，而变成无法研磨。
又，从抑制游离磨粒的凝聚的观点来看，前述高强力有机纤维的弹性模量例如可为300cN/dtex以上(例如350～2000cN/dtex左右)，优选可为400cN/dtex以上(例如450～1800cN/dtex左右)。
通过利用如此高强力有机纤维所形成的织物作为研磨垫，则(1)不仅可使研磨对象材料的研磨面高平坦化，而且(2)对于各种研磨对象材料，通过变更研磨磨粒，可得到高研磨速率或高品质表面。
作为本发明中的高强力有机纤维，只要拉伸强度在本发明所规定的范围内，则没有特别的限定，例如可举出全芳香族聚酰胺类纤维、全芳香族聚酯类纤维、超高分子量聚乙烯类纤维、聚乙烯醇类纤维及杂环芳香族纤维等。这些纤维可为单种纤维，也可为两种成分以上的复合纤维。又，也可在织物阶段使用由各个纤维所形成的线条而使用。
更具体地，作为上述全芳香族聚酰胺类纤维，例如可举出对位(para)类聚酰胺纤维(商品名：Kevlar、Twaron、Technora)；作为全芳香族聚酯类纤维，可举出聚芳酯纤维(商品名：Vectran、Vecry)；作为超高分子量聚乙烯纤维，例如商品名可举出Dyneema、Spectra：作为聚乙烯醇类纤维，例如商品名可举出Vinylon、Kuraron；作为杂环芳香族纤维，可举出聚对亚苯基苯并双噁唑纤维(商品名：Zylon)等。
这些中，优选为全芳香族聚酯类纤维、超高聚合度聚乙烯类纤维，特别是全芳香族聚酯类纤维(尤其是聚芳酯纤维)的耐切伤性、耐磨耗性、耐热性及耐药品性优异，而且于研磨中几乎没有物理性的降低，由此优选。
本发明中的高强力有机纤维的单纤维纤度，例如可为0.3～15dtex左右，更优选为1～10dtex左右，特别优选为3～8dtex左右。单纤维纤度若过小，则即使是高强力纤维，在研磨时纤维也会被磨粒磨断。又，单纤维纤度若过大，则成为研磨布时，织物的凹凸变得过大，不仅游离磨粒无法有效率地接触被研磨物而研磨，而且加工屑也无法有效率地排出，研磨效率会降低。
本发明中的高强力有机纤维的总纤度，例如可为3～3,000dtex左右，优选为5～1,500dtex左右，特别优选为25～1,000dtex左右。总纤度若过小，则制造研磨布时的织造性变困难，不仅成本变得非常高，而且会得不到品质佳的研磨布。又，由于织物的品质大幅影响研磨性，织造时的渣滓或绒毛等的混入为成为缺点，故无法使用。另一方面，总纤度若过大，则在成为研磨布时，织物的凹凸同样地变得过大，由于凹凸的各自范围变得过大，故不仅游离磨粒无法有效率地接触被研磨物进行研磨，而且也无法有效率地排出加工屑，研磨效率会降低。
本发明的研磨垫为了提高研磨效率，多以高压使用。因此，编织物或无纺布在研磨时会变形或剥离而无法使用。又，本发明的研磨垫为即使不对纤维本身进行微细加工(例如保持磨粒用的孔的形成等)，也可良好地研磨。
本发明中所使用的织物的织法没有特别的限定。可使用平织、缎纹织、斜纹织或双层织等各种织物。又，也可为如双色织那样的组合有数种不同纤维的织物。
又，本发明所用的织物为以式1所表示的覆盖系数K为700～4000的范围的织物。组织为平织时，覆盖系数K优选为800～3000，更优选为1000～2500。又，组织为缎纹织时，覆盖系数K优选为2500至4000，更优选为3000～3800。
K = N 1 × T 1 + N 2 × T 2 - - - ( 1 )
此处，N1：经纱的密度(条/英寸)
N2：纬纱的密度(条/英寸)
T1：经纱的总纤度(dtex)
T2：纬纱的总纤度(dtex)。
覆盖系数K若低于700，织物会打滑或在研磨时磨粒会进入织物的纤维束的内侧，会无法有效地研磨。又，覆盖系数K若超过4000，则变成过高密度而难以织造，由于变得过硬，作为织物研磨布的特征的缓冲性降低，而会无法得到高平坦且高品质的面。
平织由于经纱与纬纱几乎各半地出现在研磨面，而成为稍硬的研磨垫。因此，游离磨粒的分布容易变均匀，可提高研磨速率，因此适合于中间研磨。缎纹织由于经纱覆盖表面，而可增大经纱的覆盖系数。因此，成为致密且有弹力性的研磨垫，适合于精整研磨。
再者，本发明的研磨布所使用的织物也可在织造后进行精炼处理。又，为了提高与磨粒浆体的亲和性，可进行亲水化，也可附加柔软精整剂。再者，对织物进行压缩加工(例如轧光处理)的目的为：有效地使研磨面平滑、提高研磨效果。
又，本研磨垫可在其非研磨面上也具备各种的层(支持层等)。例如，也可具备固定于平台用的双面胶带样式的薄片、提高操纵性用的由PET薄片或发泡薄片构成的缓冲层等。还有，也可具备固定各种层用的黏着用树脂等。
进行研磨的方式只要与游离磨粒组合而进行研磨，则没有限制，例如可在抛光方式或MCP(Mechano-Chemical Polishing，机械化学研磨)方式的单面研磨或两面研磨、CMP方式(ChemicalMechanical Polishing，化学机械研磨)等中使用。
游离磨粒为可使用微细钻石磨粒、胶态硅石磨粒、氧化铈磨粒及氧化铝为磨粒等的粒子。特别地，多结晶钻石磨粒为在研磨中结晶破碎而成为微细的磨粒，适合于精密研磨。又，磨粒的粒径可按照目的，由平均粒径1nm～100μm左右的广范围中选择，优选可为5nm～80μm，更优选可为10nm～50μm。
又，在抛光工序中或抛光工序后使用本发明的垫时，考虑将磨粒保持在织物的纤维间，选择适当的磨粒，同时以高研磨速率进行研磨，由此可作出符合目的的研磨表面品质。
再者，根据使用本发明的垫，可缩短以下的管理及垫调试作业。即，(i)与以往的抛光平台比较下，本发明的研磨垫中不需要抛光平台的平坦性管理。(ii)与以往的研磨垫(无纺布类、氨基甲酸酯类、仿麂皮类等)相比，若使用本发明的织物垫，则可在短时间内完成垫的初期调试作业(以下称为调校)时间。
与一直使用的研磨垫相比，如此短的调校时间非常有利，与作业的高效率化相关。
(研磨装置及研磨垫的使用方法)
本发明也包含并入有上述研磨垫的研磨装置。再者，在本发明中，所谓的研磨装置，就是意味对于抛光方式或MCP(Mechano-Chemical Polishing，机械化学研磨)方式的单面研磨或两面研磨、CMP(Chemical Mechanical Polishing，化学机械研磨)方式等可适用的装置全体。
例如，以表示本发明的研磨装置的一个实施形式的图1为基础来说明，在图1中，研磨装置10具备：平台12；在此平台12上所配设的研磨垫14；载件18，其保持研磨用的研磨对象物16的同时，使研磨对象物16的被研磨面17对此研磨垫14的研磨面15接触而相对移动；驱动此载件18用的主轴20；含游离磨粒的研磨剂的供给喷嘴24。在研磨垫14的研磨面15上配设有织物。
更详细地，研磨装置10的表面至少被加工为基本平坦，圆盘状的旋转平台12以圆盘的中心为旋转轴而自由转动地被设置，在该平台12上配设研磨垫14。然后，在研磨垫14的上方保持用于研磨的研磨对象物16，同时设置有：载件18，其使研磨对象物16的被研磨面17以指定的压力对此研磨垫14的研磨面15接触(或以指定的压力对研磨垫压接)，以进行转动；用于驱动此载件的主轴20。又，在此研磨装置中，在研磨对象物16与研磨垫之间设置用于供给液状的研磨剂22的供给喷嘴24，此研磨剂22含有游离磨粒。又，供给用喷嘴24连接于储存研磨剂22的罐体(未图示)。
作为研磨垫的使用方法的一个实施形态，例如使用方法包含：对研磨垫14供应游离磨粒22的工序；以指定的压力使研磨对象物16对研磨垫14边压接边转动研磨垫14的工序，在研磨垫14的研磨面15上配设有织物。
更详细地，在研磨时，可由供给喷嘴24对研磨垫供应含游离磨粒的研磨剂22，以指定的压力(例如0.05～0.5kgf/cm2)使研磨对象物16对研磨垫14边压接边转动，而将研磨对象物16研磨。
根据使用本发明的研磨垫(及研磨装置)进行抛光或研磨，可实现高硬度的半导体材料及金属材料的高平坦、高表面品质、高精度端面。例如，作为研磨对象物，可举出(1)SiC、蓝宝石、各种化合物半导体等的单晶及多晶材料、(2)石英或各种陶瓷等的材料、(3)Cu、SUS、Ti等的金属材料等的各种材料，对于这些研磨对象物，可在需要高平坦或高品质表面、高精度端面的全部的精密研磨及抛光工序中使用，同时可提高其研磨效率。
实施例
以下根据实施例来更详细说明本发明，但本发明完全不受本实施例所限制。
[强度及弹性模量]
依照JIS L 1013，在25℃环境下，在试验长度20cm、初期荷载0.1g/d、拉伸速度10cm/min的条件下，求得断裂强度、断裂延伸率及弹性模量(初期抗拉伸度)，采用5点以上的平均值。
(实施例1、比较例1)
使用全芳香族聚酯纤维((株)KURARAY制「Vectran HT」：单纤维纤度5.5dtex、总纤度560dtex、强度25cN/dtex、弹性模量510cN/dtex)，制作经纱密度45条/英寸、纬纱密度45条/英寸的平织组织的织物。此织物的覆盖系数K为2,130。
然后，在此织物的一面上，用丙烯酸类黏结剂贴上PET薄膜(东丽(株)制，「Lumirror」，厚度50μm)，用汤姆森模切刀将其冲切成圆形，成为研磨垫(A)。
在研磨成为GaN晶圆的基板的蓝宝石基板时，使用已知的锡平台与钻石浆体(含数种1μm左右粒径)进行抛光研磨，接着使用丝织物与胶态硅石进行最终研磨，结果最终研磨工序需要30小时(比较例1)。
另一方面，在同样地研磨蓝宝石基板时，在抛光研磨与最终研磨之间导入使用前述研磨垫(A)与钻石浆体的研磨工序，最终研磨工序所需要的时间仅花费20小时(实施例1)。
因此，根据使用本发明的研磨垫(A)，可显著提高研磨速率(3μm/hr)，而且最终研磨工序所需要的时间可由以往的30小时大幅缩短至20小时。
又，在此研磨垫中，由于磨粒容易穿刺纤维与纤维之间，故调校时间可由以往的3小时缩短至2.5小时。
(实施例2)
使用实施例1所得的研磨垫与钻石浆体(粒径15μm)，研磨具备有导电层(Au、Cu)、焊料层、绝缘层(SiO2)及树脂层的SiC基板的截面。
研磨条件
旋转数：150rpm
研磨荷重：2.5kg/个
使用时间：4小时
此研磨垫由于研磨效率高，故可将使用以往的各种研磨垫进行研磨的含9个工序的研磨工序减少至4个工序。又，若以光学显微镜观察所得的SiC基板的截面，可确认为在研磨面中没有倒边而为非常锐利的研磨面，同时可明确地观察SiC基板、特别是SiO2绝缘层、Au电极等，装置的截面观察成为可能。
(实施例3)
使用芳香族聚酯纤维((株)KURARAY制「Vectran HT」：单纤维纤度5.5dtex、总纤度220dtex、强度26cN/dtex、弹性模量520cN/dtex)，制作经纱密度55条/英寸、纬纱密度55条/英寸的平织组织的织物。此织物的覆盖系数K为1,632。根据与实施例1同样的方法，由此织物来制作研磨垫。
又，除了使用粒径9μm的钻石浆体以外，与实施例1同样地用研磨垫来研磨SiC底座。
结果由于所使用的纤维的总纤度小、织物的密度高，以粒径小的9μm的钻石浆体可高效率地研磨，SiC基板截面也可与实施例2同等以上清晰地观察。
(实施例4)
使用实施例1所得的织物，对于SUS、铜、Ti的金属材料，各自使用抛光装置(具有以该织物构成的研磨垫)进行研磨。首先，从抛光装置中拆卸现有利用的抛光装置的抛光平台，接着于抛光平台附着的位置，以双面胶带固定实施例1所得的研磨垫，使抛光装置运转而进行研磨。再者，浆体为使用粒径3μm的钻石浆体。
结果，对于SUS材料及铜材使用上述研磨垫时，与用抛光平台所进行的现行的抛光平台加工比较下，为可在更短时间内精加工同等的研磨面。
又，在同样的条件下，用本发明的研磨垫将Ti金属研磨加工，结果损伤少于以现行的抛光平台加工所得的研磨面，可制作高平坦度的研磨面。再者，根据使用本发明的研磨垫，将现行的加工时间缩短至一半左右。
本发明的研磨垫由于可简单地安装于现行的抛光装置中，故即使不进行特别的装置改造，也可利用本发明的垫。
(实施例5～9及比较例2、3)
使用总纤度各自为110dtex、220dtex、560dtex不同的全芳香族聚酯纤维(「Vectran HT、单纤维纤度皆为5.5dtex)，如表1中所示，制作覆盖系数K不同的平织物，根据与实施例1同样的方法制作研磨垫(再者，实施例5为供应实施例1所作成的研磨垫A，而且实施例7为供应实施例3所作成的研磨垫)。
使用这些研磨垫，在下述条件下进行SiC研磨试验而评价。
表1中显示结果。
[研磨试验条件]
被研磨材：2英寸SiC晶圆，Tannke Blue公司制，抛光精整品，微管50个/cm2以下，厚度400μm
研磨装置：MAT公司制BC-15(桌上小型研磨试验装置)
磨粒：
·钻石浆体，单晶0.1μmφ，KOMET公司制1/10-W2-MA-STD
·钻石浆体，多晶1μmφ，KOMET公司制1-W2-PC-STD
浆体供给流量：1cc/分钟
头荷重：0.15kg/cm2
平台旋转数：40rpm
研磨头旋转数：39rpm
研磨时间：15分钟
[评价方法]
研磨速度：以测微计来测定基板的厚度(μm/15分钟)研磨损伤(刮痕)：根据数字显微镜进行目视判定
[表1]
Figure BPA00001545146400141
如表1所示，实施例5至9的研磨垫均能以良好或实质上没有问题的程度来研磨晶圆。在这些中，实施例7及8为良好的表面状态，实施例7为特别良好。再者，在实施例9中，即使磨粒的粒径小，也可实现高的研磨速率，但看到若干研磨损伤的发生。
在这些研磨垫中，覆盖系数K愈大，则研磨速度有愈高的倾向。
比较例2中，在研磨后的织物中看到织眼的打滑，而且由于在织眼的空隙部有磨粒聚集的部分，由此认为这些为研磨损伤的原因。又，比较例3因为覆盖系数过大而无法制作平织物。
(实施例10)
使用经纱为单纤维纤度5.5dtex、总纤度220dtex、纬纱为单纤维纤度5.5dtex、总纤度440dtex的全芳香族聚酯纤维(「VectranHT」)，制作纵密度150条/英寸、横密度50条/英寸的5张缎纹织物。此织物的覆盖系数K为3274。使此织物的经纱覆盖面成为研磨面，根据与实施例1同样的方法来制作成研磨垫。
使用此研磨垫代替由比较例1所用的丝织物构成的垫，与胶态硅石进行最终研磨。与由丝织物构成的垫相比，确认研磨时间为缩短三成且为良好的表面状态。
产业上的利用可能性
本发明的研磨垫为可使用于(1)半导体元件领域(硅二极管、整流元件、晶体管、闸流晶体管、热敏电阻、变阻器、光电转换元件等)、(2)集成电路领域(半导体集成电路(线性电路、计算电路等)、混合集成电路(SiP、CoC等))、(3)需要高平坦及高品质表面的金属加工产业领域，可提高研磨效率。
如以上，说明本发明的适宜的实施形态，但在不脱离本发明的宗旨的范围内，可进行各种的追加、变更或删除，其也包含于本发明的范围内。

Claims (8)

1.一种研磨垫，其用于与游离磨粒组合而进行研磨，在该研磨垫的对研磨对象物进行研磨的面上，具备由拉伸强度15cN/dtex以上的高强力有机纤维构成的织物，该织物以下述式1所表示的覆盖系数K为700～4000的范围，
K = N 1 × T 1 + N 2 × T 2 - - - ( 1 )
此处，N1：经纱的密度(条/英寸)
N2：纬纱的密度(条/英寸)
T1：经纱的总纤度(dtex)
T2：纬纱的总纤度(dtex)。
2.如权利要求1所述的研磨垫，其为高强力有机纤维构成的织物，该高强力有机纤维的单纤维纤度为0.3～15dtex。
3.如权利要求1或2所述的研磨垫，其为高强力有机纤维线构成的织物，该高强力有机纤维线的总纤度为3～3,000dtex。
4.如权利要求1至3中任一项所述的研磨垫，其中，高强力有机纤维的弹性模量为300cN/dtex以上。
5.如权利要求1至4中任一项所述的研磨垫，其中，高强力有机纤维为全芳香族聚酯纤维。
6.如权利要求1至5中任一项所述的研磨垫，其以抛光方式、MCP方式或CMP方式使用。
7.一种研磨装置，其具备：
研磨垫；
载件，其用于保持研磨对象物，使研磨对象物与研磨垫接触；
游离磨粒，其供给到研磨垫与研磨对象物之间的研磨面，
该研磨垫为权利要求1至6中任一项所记载的研磨垫，研磨垫与研磨对象物隔着游离磨粒而相对移动。
8.一种研磨垫的使用方法，其将研磨对象物进行研磨，具备：
使研磨垫接触研磨对象物的工序；
将游离磨粒供给到研磨垫与研磨对象物之间的工序，
该研磨垫为权利要求1至6中任一项所记载的研磨垫，研磨垫与研磨对象物隔着游离磨粒而相对移动。
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