CN102596506A - 研磨垫 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种适合于高硬度的半导体材料的研磨的研磨垫(14)。前述研磨垫(14)用于与游离磨粒组合而进行研磨,在前述研磨垫(14)中,在对研磨对象物(16)进行研磨的面(15)上具备由拉伸强度为15cN/dtex以上的高强力有机纤维构成的织物。在此织物中,例如高强力有机纤维的单纤维纤度可为0.3~15dtex左右,高强力有机纤维的总纤度可为3~3,000dtex左右。作为如此的高强力有机纤维,例如包含全芳香族聚酯纤维。

Description

研磨垫
相关申请
本发明主张在日本于2009年10月14日所申请的特愿2009-237120的优先权,通过参照其整体作为形成本申请的一部分而进行了引用。
技术领域
本发明关于一种研磨垫,其特征为,研磨被研磨物的面为由高强力有机纤维构成的织物,特别涉及适合于半导体材料或金属的抛光(lap)及研磨的研磨垫。
背景技术
作为半导体基材,使用单晶硅晶圆成为主流,但在作为LED相关或高效率的功率装置等的下一代半导体基材,硅晶圆变得无法应对。特别地,要求高耐压化(可靠性提高)、低通态(on)电阻化(低损失化),使用以SiC为首的各种化合物半导体、蓝宝石或陶瓷类基板的半导体装置的开发、量产化正在进行。特别地,与Si相比,SiC及GaN的宽带间隙广,不仅可高温动作(Si为175℃,但SiC为200~300℃),绝缘击穿电场强度高到Si的10倍以上,适合于低电阻化,故在不久的将来,可期待代替硅而成为主流。
而且,在单晶及多晶类材料(SiC、蓝宝石等)等的高硬度晶圆基材中,要求高度平坦化及高表面品质。在如此的加工中,一般经由数次的抛光工序及研磨工序(例如:抛光、粗研磨、中间研磨、精整研磨等)来精加工。
目前,抛光平台主要使用锡、铜、铁等的金属。又,研磨垫使用氨基甲酸酯类、无纺布类、仿麂皮类等,而且研磨磨粒使用微细钻石磨粒、胶态硅石磨粒、硫化铈磨粒及氧化铝类磨粒等的游离磨粒。
然而,使用高硬度的晶圆材料时,以往的研磨垫在抛光工序及研磨工序中,使如此的材料成为高平坦化及高品质表面是非常困难的。再者,已知由于晶圆材料硬,在抛光工序、研磨工序中所花费的加工时间也变长。一般地,若工序中的研磨加工时间变长,则难以确保高平坦化及高表面品质,故合格率变差。即,由于以往的研磨垫中无法提高研磨速率而使生产性差,故要求可提高研磨速率的抛光及研磨系统。又,在抛光时,由于在金属平台的平坦性管理上费功夫,故要求可将管理省力化的抛光及研磨系统。
例如,专利文献1(日本特开平9-117855号公报)中揭示有:在研磨垫中具有多个孔,该孔用于保持研磨被研磨物的研磨剂,其特征为,在前述研磨垫的研磨前述被研磨物的面上,具有沟。在此文献中记载有,作为研磨垫的硬质层使用发泡聚氨酯。
在前述研磨垫中,因具有如此的沟,在半导体晶圆的研磨结束后,从研磨垫拆除半导体晶圆变得容易,同时可调整研磨剂的保持能力。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开平9-117855
发明内容
发明所要解决的问题
然而,专利文献1所记载的研磨垫在正抛光时,会发生氨基甲酸酯层本身被钻石等的游离磨粒所劣化的情况。
又,为了使高硬度晶圆基材成为高平坦且高品质的表面,研磨加工为非常复杂,各研磨工序的加工时间也长。为了缩短此加工时间、提高生产性,进行了各种尝试,但特别在高硬度晶圆基材时,由于研磨困难,无法提高研磨速率、生产性低。
本发明的目的为,提供一种研磨垫,其可有效率地研磨高硬度的晶圆或金属等的被研磨物,具有优异的下述特性:可提高生产性的耐切伤性、耐磨耗性及与游离磨粒的适度亲和性。
解决问题的手段
本发明者们为了达成上述目的,进行了深入的研究,结果发现如下情况,进而完成本发明。(1)若对下述研磨垫采用游离磨粒,则可极力抑制这些磨粒对研磨垫的劣化,该研磨垫具有作为研磨面的织物,该织物由具有特定强度的高强力纤维构成,具有特定的覆盖系数,(2)即使研磨高硬度的被研磨物时,若组合使用具备如此织物的研磨垫与游离磨粒,则可提高研磨速率,同时可确保高平坦及高表面品质,再者(3)以如此的研磨垫,可缩短以往的抛光研磨所必要的调校时间。
即,本发明为一种研磨垫,其用于与游离磨粒组合而进行研磨,在该研磨垫的对研磨对象物进行研磨的面上,具备由拉伸强度15cN/dtex以上的高强力有机纤维构成的织物,该织物以下述式1所表示的覆盖系数K为700~4000的范围。
K = N 1 × T 1 + N 2 × T 2 - - - ( 1 )
此处,N1:经纱的密度(条/英寸)
N2:纬纱的密度(条/英寸)
T1:经纱的总纤度(dtex)
T2:纬纱的总纤度(dtex)。
前述高强力有机纤维例如弹性模量可为300cN/dtex以上。又,前述高强力有机纤维的单纤维纤度可为0.3~15dtex左右,总纤度可为3~3,000dtex左右。作为如此的高强力有机纤维,优选使用全芳香族聚酯纤维。
前述研磨垫可在广泛的研磨方式中使用,例如可以被采用于研磨垫、抛光方式、MCP方式或CMP方式。
再者,本发明包含具备前述研磨垫的研磨装置,前述研磨装置具备:
研磨垫;
载件,其用于保持研磨对象物,使研磨对象物与研磨垫接触;
游离磨粒,其供给到研磨垫与研磨对象物之间的研磨面,
前述研磨垫为上述的研磨垫,研磨垫与研磨对象物隔着游离磨粒而相对移动。
又,本发明也包含将研磨对象物进行研磨的研磨垫的使用方法,前述使用方法具备:
使研磨垫接触研磨对象物的工序;
将游离磨粒供给到研磨垫与研磨对象物之间的工序;
前述研磨垫为上述的研磨垫,研磨垫与研磨对象物隔着游离磨粒而相对移动。
发明的效果
根据使用本发明的研磨垫,在高硬度的半导体材料及精密金属加工中,可使研磨速率升高,同时可使被研磨面成为高平坦且具有高表面品质。
又,以本发明的研磨垫,由于研磨效率高,可使用于广泛的研磨工序中,可减低研磨工序的工序次数。
另外,以本发明的研磨垫,不仅可提高研磨垫本身的耐久性,而且可实现抛光时的调校时间的缩短。
再者,通过使用本发明的研磨垫,即使不高度地管理研磨装置中的平台的平坦性,也可进行良好的研磨。
附图说明
通过参照附图的以下适宜实施例的说明,可清晰地理解本发明。然而,实施例及附图仅为图示及说明,不应利用于限制本发明的范围。本发明的范围由权利要求书来确定。
图1为用于说明本发明的研磨装置的一个实施方式的大致剖面图。
具体实施方式
(研磨垫)
本发明的研磨垫与游离磨粒一起使用、进行被研磨面的研磨,在研磨被研磨物的面中,具备由高强力有机纤维构成的织物。从抑制来自游离磨粒所发生的劣化的观点来看,高强力有机纤维的拉伸强度必须为15cN/dtex以上,优选为18cN/dtex以上,更优选为20cN/dtex以上。又,其上限没有特别的限定,但多为100cN/dtex以下。再者,使用强度低于15cN/dtex的有机纤维所得的研磨垫,在研磨工序的使用中纤维会被磨断,而变成无法研磨。
又,从抑制游离磨粒的凝聚的观点来看,前述高强力有机纤维的弹性模量例如可为300cN/dtex以上(例如350~2000cN/dtex左右),优选可为400cN/dtex以上(例如450~1800cN/dtex左右)。
通过利用如此高强力有机纤维所形成的织物作为研磨垫,则(1)不仅可使研磨对象材料的研磨面高平坦化,而且(2)对于各种研磨对象材料,通过变更研磨磨粒,可得到高研磨速率或高品质表面。
作为本发明中的高强力有机纤维,只要拉伸强度在本发明所规定的范围内,则没有特别的限定,例如可举出全芳香族聚酰胺类纤维、全芳香族聚酯类纤维、超高分子量聚乙烯类纤维、聚乙烯醇类纤维及杂环芳香族纤维等。这些纤维可为单种纤维,也可为两种成分以上的复合纤维。又,也可在织物阶段使用由各个纤维所形成的线条而使用。
更具体地,作为上述全芳香族聚酰胺类纤维,例如可举出对位(para)类聚酰胺纤维(商品名:Kevlar、Twaron、Technora);作为全芳香族聚酯类纤维,可举出聚芳酯纤维(商品名:Vectran、Vecry);作为超高分子量聚乙烯纤维,例如商品名可举出Dyneema、Spectra:作为聚乙烯醇类纤维,例如商品名可举出Vinylon、Kuraron;作为杂环芳香族纤维,可举出聚对亚苯基苯并双噁唑纤维(商品名:Zylon)等。
这些中,优选为全芳香族聚酯类纤维、超高聚合度聚乙烯类纤维,特别是全芳香族聚酯类纤维(尤其是聚芳酯纤维)的耐切伤性、耐磨耗性、耐热性及耐药品性优异,而且于研磨中几乎没有物理性的降低,由此优选。
本发明中的高强力有机纤维的单纤维纤度,例如可为0.3~15dtex左右,更优选为1~10dtex左右,特别优选为3~8dtex左右。单纤维纤度若过小,则即使是高强力纤维,在研磨时纤维也会被磨粒磨断。又,单纤维纤度若过大,则成为研磨布时,织物的凹凸变得过大,不仅游离磨粒无法有效率地接触被研磨物而研磨,而且加工屑也无法有效率地排出,研磨效率会降低。
本发明中的高强力有机纤维的总纤度,例如可为3~3,000dtex左右,优选为5~1,500dtex左右,特别优选为25~1,000dtex左右。总纤度若过小,则制造研磨布时的织造性变困难,不仅成本变得非常高,而且会得不到品质佳的研磨布。又,由于织物的品质大幅影响研磨性,织造时的渣滓或绒毛等的混入为成为缺点,故无法使用。另一方面,总纤度若过大,则在成为研磨布时,织物的凹凸同样地变得过大,由于凹凸的各自范围变得过大,故不仅游离磨粒无法有效率地接触被研磨物进行研磨,而且也无法有效率地排出加工屑,研磨效率会降低。
本发明的研磨垫为了提高研磨效率,多以高压使用。因此,编织物或无纺布在研磨时会变形或剥离而无法使用。又,本发明的研磨垫为即使不对纤维本身进行微细加工(例如保持磨粒用的孔的形成等),也可良好地研磨。
本发明中所使用的织物的织法没有特别的限定。可使用平织、缎纹织、斜纹织或双层织等各种织物。又,也可为如双色织那样的组合有数种不同纤维的织物。
又,本发明所用的织物为以式1所表示的覆盖系数K为700~4000的范围的织物。组织为平织时,覆盖系数K优选为800~3000,更优选为1000~2500。又,组织为缎纹织时,覆盖系数K优选为2500至4000,更优选为3000~3800。
K = N 1 × T 1 + N 2 × T 2 - - - ( 1 )
此处,N1:经纱的密度(条/英寸)
N2:纬纱的密度(条/英寸)
T1:经纱的总纤度(dtex)
T2:纬纱的总纤度(dtex)。
覆盖系数K若低于700,织物会打滑或在研磨时磨粒会进入织物的纤维束的内侧,会无法有效地研磨。又,覆盖系数K若超过4000,则变成过高密度而难以织造,由于变得过硬,作为织物研磨布的特征的缓冲性降低,而会无法得到高平坦且高品质的面。
平织由于经纱与纬纱几乎各半地出现在研磨面,而成为稍硬的研磨垫。因此,游离磨粒的分布容易变均匀,可提高研磨速率,因此适合于中间研磨。缎纹织由于经纱覆盖表面,而可增大经纱的覆盖系数。因此,成为致密且有弹力性的研磨垫,适合于精整研磨。
再者,本发明的研磨布所使用的织物也可在织造后进行精炼处理。又,为了提高与磨粒浆体的亲和性,可进行亲水化,也可附加柔软精整剂。再者,对织物进行压缩加工(例如轧光处理)的目的为:有效地使研磨面平滑、提高研磨效果。
又,本研磨垫可在其非研磨面上也具备各种的层(支持层等)。例如,也可具备固定于平台用的双面胶带样式的薄片、提高操纵性用的由PET薄片或发泡薄片构成的缓冲层等。还有,也可具备固定各种层用的黏着用树脂等。
进行研磨的方式只要与游离磨粒组合而进行研磨,则没有限制,例如可在抛光方式或MCP(Mechano-Chemical Polishing,机械化学研磨)方式的单面研磨或两面研磨、CMP方式(ChemicalMechanical Polishing,化学机械研磨)等中使用。
游离磨粒为可使用微细钻石磨粒、胶态硅石磨粒、氧化铈磨粒及氧化铝为磨粒等的粒子。特别地,多结晶钻石磨粒为在研磨中结晶破碎而成为微细的磨粒,适合于精密研磨。又,磨粒的粒径可按照目的,由平均粒径1nm~100μm左右的广范围中选择,优选可为5nm~80μm,更优选可为10nm~50μm。
又,在抛光工序中或抛光工序后使用本发明的垫时,考虑将磨粒保持在织物的纤维间,选择适当的磨粒,同时以高研磨速率进行研磨,由此可作出符合目的的研磨表面品质。
再者,根据使用本发明的垫,可缩短以下的管理及垫调试作业。即,(i)与以往的抛光平台比较下,本发明的研磨垫中不需要抛光平台的平坦性管理。(ii)与以往的研磨垫(无纺布类、氨基甲酸酯类、仿麂皮类等)相比,若使用本发明的织物垫,则可在短时间内完成垫的初期调试作业(以下称为调校)时间。
与一直使用的研磨垫相比,如此短的调校时间非常有利,与作业的高效率化相关。
(研磨装置及研磨垫的使用方法)
本发明也包含并入有上述研磨垫的研磨装置。再者,在本发明中,所谓的研磨装置,就是意味对于抛光方式或MCP(Mechano-Chemical Polishing,机械化学研磨)方式的单面研磨或两面研磨、CMP(Chemical Mechanical Polishing,化学机械研磨)方式等可适用的装置全体。
例如,以表示本发明的研磨装置的一个实施形式的图1为基础来说明,在图1中,研磨装置10具备:平台12;在此平台12上所配设的研磨垫14;载件18,其保持研磨用的研磨对象物16的同时,使研磨对象物16的被研磨面17对此研磨垫14的研磨面15接触而相对移动;驱动此载件18用的主轴20;含游离磨粒的研磨剂的供给喷嘴24。在研磨垫14的研磨面15上配设有织物。
更详细地,研磨装置10的表面至少被加工为基本平坦,圆盘状的旋转平台12以圆盘的中心为旋转轴而自由转动地被设置,在该平台12上配设研磨垫14。然后,在研磨垫14的上方保持用于研磨的研磨对象物16,同时设置有:载件18,其使研磨对象物16的被研磨面17以指定的压力对此研磨垫14的研磨面15接触(或以指定的压力对研磨垫压接),以进行转动;用于驱动此载件的主轴20。又,在此研磨装置中,在研磨对象物16与研磨垫之间设置用于供给液状的研磨剂22的供给喷嘴24,此研磨剂22含有游离磨粒。又,供给用喷嘴24连接于储存研磨剂22的罐体(未图示)。
作为研磨垫的使用方法的一个实施形态,例如使用方法包含:对研磨垫14供应游离磨粒22的工序;以指定的压力使研磨对象物16对研磨垫14边压接边转动研磨垫14的工序,在研磨垫14的研磨面15上配设有织物。
更详细地,在研磨时,可由供给喷嘴24对研磨垫供应含游离磨粒的研磨剂22,以指定的压力(例如0.05~0.5kgf/cm2)使研磨对象物16对研磨垫14边压接边转动,而将研磨对象物16研磨。
根据使用本发明的研磨垫(及研磨装置)进行抛光或研磨,可实现高硬度的半导体材料及金属材料的高平坦、高表面品质、高精度端面。例如,作为研磨对象物,可举出(1)SiC、蓝宝石、各种化合物半导体等的单晶及多晶材料、(2)石英或各种陶瓷等的材料、(3)Cu、SUS、Ti等的金属材料等的各种材料,对于这些研磨对象物,可在需要高平坦或高品质表面、高精度端面的全部的精密研磨及抛光工序中使用,同时可提高其研磨效率。
实施例
以下根据实施例来更详细说明本发明,但本发明完全不受本实施例所限制。
[强度及弹性模量]
依照JIS L 1013,在25℃环境下,在试验长度20cm、初期荷载0.1g/d、拉伸速度10cm/min的条件下,求得断裂强度、断裂延伸率及弹性模量(初期抗拉伸度),采用5点以上的平均值。
(实施例1、比较例1)
使用全芳香族聚酯纤维((株)KURARAY制「Vectran HT」:单纤维纤度5.5dtex、总纤度560dtex、强度25cN/dtex、弹性模量510cN/dtex),制作经纱密度45条/英寸、纬纱密度45条/英寸的平织组织的织物。此织物的覆盖系数K为2,130。
然后,在此织物的一面上,用丙烯酸类黏结剂贴上PET薄膜(东丽(株)制,「Lumirror」,厚度50μm),用汤姆森模切刀将其冲切成圆形,成为研磨垫(A)。
在研磨成为GaN晶圆的基板的蓝宝石基板时,使用已知的锡平台与钻石浆体(含数种1μm左右粒径)进行抛光研磨,接着使用丝织物与胶态硅石进行最终研磨,结果最终研磨工序需要30小时(比较例1)。
另一方面,在同样地研磨蓝宝石基板时,在抛光研磨与最终研磨之间导入使用前述研磨垫(A)与钻石浆体的研磨工序,最终研磨工序所需要的时间仅花费20小时(实施例1)。
因此,根据使用本发明的研磨垫(A),可显著提高研磨速率(3μm/hr),而且最终研磨工序所需要的时间可由以往的30小时大幅缩短至20小时。
又,在此研磨垫中,由于磨粒容易穿刺纤维与纤维之间,故调校时间可由以往的3小时缩短至2.5小时。
(实施例2)
使用实施例1所得的研磨垫与钻石浆体(粒径15μm),研磨具备有导电层(Au、Cu)、焊料层、绝缘层(SiO2)及树脂层的SiC基板的截面。
研磨条件
旋转数:150rpm
研磨荷重:2.5kg/个
使用时间:4小时
此研磨垫由于研磨效率高,故可将使用以往的各种研磨垫进行研磨的含9个工序的研磨工序减少至4个工序。又,若以光学显微镜观察所得的SiC基板的截面,可确认为在研磨面中没有倒边而为非常锐利的研磨面,同时可明确地观察SiC基板、特别是SiO2绝缘层、Au电极等,装置的截面观察成为可能。
(实施例3)
使用芳香族聚酯纤维((株)KURARAY制「Vectran HT」:单纤维纤度5.5dtex、总纤度220dtex、强度26cN/dtex、弹性模量520cN/dtex),制作经纱密度55条/英寸、纬纱密度55条/英寸的平织组织的织物。此织物的覆盖系数K为1,632。根据与实施例1同样的方法,由此织物来制作研磨垫。
又,除了使用粒径9μm的钻石浆体以外,与实施例1同样地用研磨垫来研磨SiC底座。
结果由于所使用的纤维的总纤度小、织物的密度高,以粒径小的9μm的钻石浆体可高效率地研磨,SiC基板截面也可与实施例2同等以上清晰地观察。
(实施例4)
使用实施例1所得的织物,对于SUS、铜、Ti的金属材料,各自使用抛光装置(具有以该织物构成的研磨垫)进行研磨。首先,从抛光装置中拆卸现有利用的抛光装置的抛光平台,接着于抛光平台附着的位置,以双面胶带固定实施例1所得的研磨垫,使抛光装置运转而进行研磨。再者,浆体为使用粒径3μm的钻石浆体。
结果,对于SUS材料及铜材使用上述研磨垫时,与用抛光平台所进行的现行的抛光平台加工比较下,为可在更短时间内精加工同等的研磨面。
又,在同样的条件下,用本发明的研磨垫将Ti金属研磨加工,结果损伤少于以现行的抛光平台加工所得的研磨面,可制作高平坦度的研磨面。再者,根据使用本发明的研磨垫,将现行的加工时间缩短至一半左右。
本发明的研磨垫由于可简单地安装于现行的抛光装置中,故即使不进行特别的装置改造,也可利用本发明的垫。
(实施例5~9及比较例2、3)
使用总纤度各自为110dtex、220dtex、560dtex不同的全芳香族聚酯纤维(「Vectran HT、单纤维纤度皆为5.5dtex),如表1中所示,制作覆盖系数K不同的平织物,根据与实施例1同样的方法制作研磨垫(再者,实施例5为供应实施例1所作成的研磨垫A,而且实施例7为供应实施例3所作成的研磨垫)。
使用这些研磨垫,在下述条件下进行SiC研磨试验而评价。
表1中显示结果。
[研磨试验条件]
被研磨材:2英寸SiC晶圆,Tannke Blue公司制,抛光精整品,微管50个/cm2以下,厚度400μm
研磨装置:MAT公司制BC-15(桌上小型研磨试验装置)
磨粒:
·钻石浆体,单晶0.1μmφ,KOMET公司制1/10-W2-MA-STD
·钻石浆体,多晶1μmφ,KOMET公司制1-W2-PC-STD
浆体供给流量:1cc/分钟
头荷重:0.15kg/cm2
平台旋转数:40rpm
研磨头旋转数:39rpm
研磨时间:15分钟
[评价方法]
研磨速度:以测微计来测定基板的厚度(μm/15分钟)研磨损伤(刮痕):根据数字显微镜进行目视判定
[表1]
Figure BPA00001545146400141
如表1所示,实施例5至9的研磨垫均能以良好或实质上没有问题的程度来研磨晶圆。在这些中,实施例7及8为良好的表面状态,实施例7为特别良好。再者,在实施例9中,即使磨粒的粒径小,也可实现高的研磨速率,但看到若干研磨损伤的发生。
在这些研磨垫中,覆盖系数K愈大,则研磨速度有愈高的倾向。
比较例2中,在研磨后的织物中看到织眼的打滑,而且由于在织眼的空隙部有磨粒聚集的部分,由此认为这些为研磨损伤的原因。又,比较例3因为覆盖系数过大而无法制作平织物。
(实施例10)
使用经纱为单纤维纤度5.5dtex、总纤度220dtex、纬纱为单纤维纤度5.5dtex、总纤度440dtex的全芳香族聚酯纤维(「VectranHT」),制作纵密度150条/英寸、横密度50条/英寸的5张缎纹织物。此织物的覆盖系数K为3274。使此织物的经纱覆盖面成为研磨面,根据与实施例1同样的方法来制作成研磨垫。
使用此研磨垫代替由比较例1所用的丝织物构成的垫,与胶态硅石进行最终研磨。与由丝织物构成的垫相比,确认研磨时间为缩短三成且为良好的表面状态。
产业上的利用可能性
本发明的研磨垫为可使用于(1)半导体元件领域(硅二极管、整流元件、晶体管、闸流晶体管、热敏电阻、变阻器、光电转换元件等)、(2)集成电路领域(半导体集成电路(线性电路、计算电路等)、混合集成电路(SiP、CoC等))、(3)需要高平坦及高品质表面的金属加工产业领域,可提高研磨效率。
如以上,说明本发明的适宜的实施形态,但在不脱离本发明的宗旨的范围内,可进行各种的追加、变更或删除,其也包含于本发明的范围内。

Claims (8)

1.一种研磨垫,其用于与游离磨粒组合而进行研磨,在该研磨垫的对研磨对象物进行研磨的面上,具备由拉伸强度15cN/dtex以上的高强力有机纤维构成的织物,该织物以下述式1所表示的覆盖系数K为700~4000的范围,
K = N 1 × T 1 + N 2 × T 2 - - - ( 1 )
此处,N1:经纱的密度(条/英寸)
N2:纬纱的密度(条/英寸)
T1:经纱的总纤度(dtex)
T2:纬纱的总纤度(dtex)。
2.如权利要求1所述的研磨垫,其为高强力有机纤维构成的织物,该高强力有机纤维的单纤维纤度为0.3~15dtex。
3.如权利要求1或2所述的研磨垫,其为高强力有机纤维线构成的织物,该高强力有机纤维线的总纤度为3~3,000dtex。
4.如权利要求1至3中任一项所述的研磨垫,其中,高强力有机纤维的弹性模量为300cN/dtex以上。
5.如权利要求1至4中任一项所述的研磨垫,其中,高强力有机纤维为全芳香族聚酯纤维。
6.如权利要求1至5中任一项所述的研磨垫,其以抛光方式、MCP方式或CMP方式使用。
7.一种研磨装置,其具备:
研磨垫;
载件,其用于保持研磨对象物,使研磨对象物与研磨垫接触;
游离磨粒,其供给到研磨垫与研磨对象物之间的研磨面,
该研磨垫为权利要求1至6中任一项所记载的研磨垫,研磨垫与研磨对象物隔着游离磨粒而相对移动。
8.一种研磨垫的使用方法,其将研磨对象物进行研磨,具备:
使研磨垫接触研磨对象物的工序;
将游离磨粒供给到研磨垫与研磨对象物之间的工序,
该研磨垫为权利要求1至6中任一项所记载的研磨垫,研磨垫与研磨对象物隔着游离磨粒而相对移动。
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