TWI444350B - Yttrium oxide material, a member for manufacturing a semiconductor device, and a method for producing a yttrium oxide material - Google Patents

Yttrium oxide material, a member for manufacturing a semiconductor device, and a method for producing a yttrium oxide material Download PDF

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Description

氧化釔材料、半導體製造裝置用構件及氧化釔材料之製造方法
本發明係有關一種氧化釔材料、半導體製造裝置用構件及氧化釔材料的製造方法。
以往，作為氧化釔材料推出的方案是通過在氧化釔中添加0.03～5μm的碳化矽2～30重量%來提高導電性，提高對鹵素系電漿氣體的耐腐蝕性和耐久性，來作為半導體製造裝置用的陶瓷構件(例如，參照專利文獻1)。
專利文獻1：日本特開2006-69843號公報
如此，在該專利文獻1中記載的氧化釔材料中，為了提高半導體製造時的耐腐蝕性和耐久性，為了賦予導電性而添加特定範圍內的碳化矽，但即便這樣也並不充分，仍期望進一步提高特性，例如提高機械性強度。另外，該專利文獻1所述的氧化釔材料雖然提高了導電性，但在釔材料上，仍期望導電性低即體積電阻率高的特性。
本發明是鑒於這樣的問題而產生的，其目的之一是提供一種能夠進一步提高機械性強度的氧化釔材料、半導體製造裝置用構件及氧化釔材料的製造方法。另外，其另一個目的是提供一種能夠進一步提高體積電阻率的氧化釔材料、半導體製造裝置用構件及氧化釔材料的製造方法。
為了實現上述目的，本發明者們在潛心進行研究時，發現了除SiC以外如果含有特定的成分，能夠進一步提高機械性強度，由此完成了本發明。
即：本發明的氧化釔材料包含Y2 O3 、SiC，以及含有RE(稀土類元素)、Si、O和N的化合物。
另外，本發明的氧化釔材料的製造方法包括將Y2 O3 、SiC以及作為含有RE(稀土類元素)、Si、O和N的化合物的無機粒子進行混合並在1500℃以上、1850℃以下的範圍進行燒成的步驟。
該氧化釔材料、使用其氧化釔材料的半導體製造裝置用構件及氧化釔材料的製造方法能夠進一步提高機械性強度。另外，還能夠提高體積電阻率。雖然可得到這樣的效果的原因並不明確，但推測為如下：例如，被添加的SiC可提高材料自身的強度，但另一方面，由於燒結性低下，且易產生缺陷部分，由此使作為燒成體的強度難以提高，而由RE和Si、N等的成分產生包含RE(稀土類元素)、Si、O和N的化合物，由於該化合物的存在而使燒結性提高，彌補由於SiC的添加而產生的缺陷部分，提高強度。另外，作為提高體積電阻率的理由，例如，雖然可認為是在添加了SiC的氧化釔材料中，添加的SiC粒子的連結導致了導電性的顯現以及通過在還原性氛圍氣下的燒成而使氧化釔相中發生氧缺損而導致了導電性的顯現，但可以認為是因為通過由RE和Si、N等的成分產生含RE(稀土類元素)、Si、O和N的化合物，由釘紮效應pinning effect來抑制燒成中氧化釔的粒子生長，使氧化釔的粒子邊界中存在的SiC粒子彼此接觸的機會減少，抑制了添加的SiC的連結，以及可認為由於存在比氧化釔更易還原的含RE(稀土類元素)、Si、O和N的化合物，從而抑制了氧化釔的還原。
下面，通過附圖說明用於實施本發明的最佳方式。圖1是顯示作為本發明一實施方式的靜電卡盤20的構成的概略的構成圖，圖1(a)是俯視圖，圖1(b)是圖1(a)的A-A剖視圖。本實施方式的靜電卡盤20是作為載放並吸附、保持著矽晶圓的半導體製造裝置用構件而構成的，如圖1所示，其包括：形成上段的外周比下段小的圓板狀的基體22、形成於基體22內部的產生靜電吸附力的靜電電極24以及通過從基體22中心向下方貫通的孔部26與靜電電極24連接的端子28。
該靜電卡盤20的基體22是由氧化釔材料構成，該氧化釔材料至少包含氧化釔(Y2 O3 )、碳化矽(SiC)、以及含有RE(稀土類元素，以下同)、Si、O和N的化合物(也稱稀土類化合物)。在此，基體22的氧化釔材料的稀土類化合物可以是RE8 Si4 N4 O14 ，更優選例如以La、Y等作為RE。在此，氧化釔材料含有以RE為Y的Y8 Si4 N4 O14 。該Y8 Si4 N4 O14 是在燒結過程中由作為原料的主要成分的Y2 O3 和作為原料添加的Si3 N4 、或SiC、或者在Si3 N4 或SiC粉末的表面產生的SiO2 等所產生的化合物。另外，該氧化釔材料也可以作為稀土類化合物含有RE2 Si3 O3 N4 。該RE2 Si3 O3 N4 優選Y2 Si3 O3 N4 或La2 Si3 O3 N4 等。
氧化釔材料包含的SiC的平均粒徑優選為4μm以下，更優選為2μm以下。如果為4μm以下，例如在SiC被半導體的製造上使用的腐蝕性氣體等腐蝕時，能夠抑制載放矽晶圓的表面平滑性的下降，因而優選。該SiC的平均粒徑優選為0.5μm以上。這樣，能夠進一步提高氧化釔材料的機械性強度。該平均粒徑是通過用掃描電子顯微鏡(SEM)在能測定SiC粒徑的倍率(例如2000～10000倍)下觀察，測定觀察到的範圍的SiC粒子的短徑，平均其測定值而求得。
氧化釔材料還可以含有氟(F)，並不特別限定F的含有形態，可例舉對REF3 、REOF、MgF2 、CaF2 、AlF3 、氧化釔粒子內的固溶等，具體為YF3 或YOF、MgF2 、CaF2 、AlF3 、氧化釔粒子內的固溶等。如果含有F，則可進一步提高燒結性，使機械性強度更合適，因此優選。另外，如果含有F，在暴露於NF3 等的鹵素系腐蝕性氣體中時，能夠減少氧化釔發生反應之產生如YF3 的反應物時的體積變化，發揮抑制反應性生物成為微粒的作用，因而優選。
氧化釔材料優選4點抗彎強度為250MPa以上，更優選為270MPa以上，進一步優選為300MPa以上。如果4點抗彎強度為250MPa以上，則適宜作為半導體製造裝置上使用的構件。另外，氧化釔材料優選斷裂韌性為1.5MPa‧m1/2 以上，更優選為1.7MPa‧m1/2 以上，進一步優選為1.9MPa‧m1/2 以上。如果斷裂韌性為1.5MPa‧m1/2 以上，則適宜作為半導體製造裝置上使用的構件。4點抗彎強度是按照JIS-R1601求得的。另外，斷裂韌性是按照JIS-R1607，根據IF法(加重9.8N)求得的。
氧化釔材料的20℃下的體積電阻率優選為1×1015 Ωcm以上，更優選為1×1016 Ωcm以上。如果為1×1015 Ωcm以上，則適宜作為半導體製造裝置上使用的構件。
氧化釔材料的密度雖然因含有的元素而異，但優選為4.7g/cm3 以上、5.0g/cm3 以下，更優選為4.8g/cm3 以上。另外，該氧化釔材料優選開氣孔率為5%以下，更優選為0.5%以下。如果開氣孔率為5%以下，則能夠進一步提高機械性強度。該密度和開氣孔率是按照JIS-R1634，在介質中使用純水，根據阿基米德法求得的。
下面，說明該靜電卡盤20的製造方法的一例。靜電卡盤20的製造方法也可以包括(1)原料調製步驟和(2)成形燒成步驟。
(1)原料調製步驟
在原料調製步驟中，將Y2 O3 、SiC和作為稀土類化合物的無機粒子進行混合，加入溶劑中，調製原料粉體。作為稀土類化合物的無機粒子可例舉RE2 O3 、Si3 N4 、SiO2 等，Y或La等適宜作為RE。能夠利用Si3 N4 或SiC粉末的表面存在的SiO2 。作為製作氧化釔材料的原料粉體的配合比，優選Y2 O3 為80體積%以上。另外，在原料粉體的配合比上，優選含有1.0體積%以上、10體積%以下的Si3 N4 ，更優選含有3.0體積%以上、7.5體積%以下的Si3 N4 。另外，在原料的配合比上，優選含有1.0體積%以上、20體積%以下的SiC，更優選含有5.0體積%以上、13體積%以下的SiC，特別優選含有10體積%。如果為上述範圍，機械性強度和斷裂韌性等的特性更合適，因而優選。另外，在製作氧化釔材料的原料粉體中，優選含有F。這樣，能夠使燒成溫度降低，由此能夠使燒成體的構成粒子的大小微細化，提高機械性強度，並能減少因燒成而消費的能源。而且，由於能夠通過抑制氧化釔粒子之粒子的生長來抑制SiC粒子的連結，並抑制氧化釔的還原，所以，能夠提高體積電阻率。作為F，優選例如按REF3 、MgF2 、CaF2 、AlF3 等的形態添加在原料中，作為REF3 更優選YF3 或LaF3 等。原料粉體的配合比中，優選以0體積%以上、5體積%以下，更優選為0.5體積%以上、3體積%以下，添加REF3 、MgF2 、CaF2 、AlF3 中至少一種。如果該配合比為0.5體積%以上、3體積%以下，則能夠使機械性強度更合適。也可以將Y2 O3 、SiC和作為稀土類化合物的無機粒子與溶劑進行混合，例如用球磨機等進行混合亦可。屆時，也可以添加合適的溶劑混合成漿料狀。作為溶劑，優選有機溶劑，能夠使用例如異丙醇等的醇類。用漿料混合後，也可以在惰性氛圍氣下進行乾燥。將乾燥後的粉體在合適的篩等上過篩，得到原料粉體。
(2)成形燒成步驟
該步驟是將原料粉體成形為規定的形狀並進行燒成的步驟。在成形燒成步驟中，能夠通過使用成形模具的模具成型法或CIP法、灌漿成型法等成形為成形體並通過常壓燒結法在常壓下進行燒成，也可以進行在施加衝壓的同時進行燒成的熱衝壓燒成，使其成為規定形狀，更優選後者。在熱衝壓燒成中，優選在惰性氛圍氣中進行燒成。作為惰性氛圍氣，優選例如氮氣或氬氣等。熱衝壓燒成優選根據成型的成形體的尺寸設定適宜的衝壓壓力，例如，可以在50kg/cm2 以上200kg/cm2 的範圍進行。燒成溫度優選為1300℃以上、1900℃以下，更優選為1500℃以上、1850℃以下，進一步優選為1600℃以上、1800℃以下。在1500℃以上，能夠進一步提高密度，在1850℃以下，能夠使燒成體的構成粒子的大小微細化，提高機械性強度，並能進一步減少燒成所消費的能源。進而，由於能夠通過抑制氧化釔粒子之粒子的生長來抑制SiC粒子的連結，並抑制氧化釔的還原，所以，能夠提高體積電阻率。在將靜電卡盤20進行成形燒成的場合，也可將基體22和靜電電極24作為一體成形、燒成，也可以將基體22和靜電電極24分體成型、燒成。也可以例如將圖1所示的具有孔部26的基體22的下段部分成形，接著，形成靜電電極24，將基體22的上段部分成形進行燒成。預先另外製作包含作為電極的成分的糊劑(例如Pt或Au等)，用其糊劑來形成靜電電極24。該靜電電極24的糊劑優選調和陶瓷粉，使其與基體22的熱膨脹率同等。另外，也可以僅將沒有靜電電極24的氧化釔材料的成形體進行成形。通過該成形步驟，作為原料粉體包含的Y2 O3 、Si3 N4 、SiC或SiC、SiC粉末表面的SiO2 等進行反應，在氧化釔材料中產生作為稀土類化合物的Y8 Si4 N4 O14 和Y2 Si3 O3 N4 等。這樣，能夠製作由氧化釔材料構成的靜電卡盤20。
根據上述的本實施方式的靜電卡盤20，由於由至少含有作為主要成分的Y2 O3 、SiC、及Y8 Si4 N4 O14 和Y2 Si3 O3 N4 等的稀土類化合物的氧化釔材料構成，所以能夠進一步提高機械性強度和斷裂韌性、體積電阻率等。另外，燒成後的SiC的平均粒徑為4μm以下，即便被腐蝕性氣體侵蝕，也能夠抑制表面的平滑度的降低。
另外，本發明並不受限於上述實施方式，只要在本發明的技術性範圍內，就能夠按各種方式進行實施。
例如，在上述的實施方式中，對將使用了氧化釔材料的構件作為靜電卡盤進行了說明，但也可以作為半導體製造用的其他的構件，例如：容納該靜電卡盤的拱形的容器構件、裝備有加熱器的基座、配置在靜電卡盤外周的裝配用聚焦環、固定矽晶圓的壓緊環、加熱矽片的加熱器等，也可以不限於半導體製造用，用在利用了氧化釔的耐腐蝕性等的構件等任何領域中。
在上述的實施方式中，為由Y2 O3 或/及Si3 N4 產生的Y8 Si4 N4 O14 等作為稀土類化合物，但稀土類化合物例如也可以包含La者，也可以是例如Yb等的La以外的稀土類元素。
實驗例
以下以具體製造了氧化釔材料的例作為實驗例進行說明。
實驗例1
作為原料粉末，將氧化釔(Y2 O3 ，信越化學工業(株)製，UUHP級)、碳化矽(SiC,揖斐(ibiden)(株)製)、氮化矽(Si3 N4 ，宇部興產(株)製，E10)及氟化釔(YF3 ，(株)高純度化學研究所製)分別按89體積%、10體積%、1體積%、0體積%(89：10：1：0)的比率進行調合後，將調合的粉體放入IPA(異丙醇)溶劑中，用使用了ZrO2 玉石的球磨機進行24小時濕式混合，調製了漿料。接著，在將漿料過篩後，在110℃的氮氛圍氣下使其乾燥16小時，由此得到了原料粉體。接著，將粉體過篩後，通過200kg/cm2 的衝壓，將80g的粉體成形為直徑50mm的圓盤狀。將該成形體在1700℃的氬氛圍氣下用200kg/cm2 的衝壓壓力進行2小時熱壓燒成，由此得到實驗例1的氧化釔材料。
實驗例2～11
實驗例2製作的氧化釔材料除了在1800℃下將與實驗例1同樣的配合組成進行2小時熱衝壓燒成以外，其餘與實驗例1同樣。另外，Y2 O3 、SiC、Si3 N4 的配合比率在實驗例3、4中為(87：10：3)，在實驗例5、6、7中為(85：10：5)，在實驗例8、9中為(82.5：10：7.5)，在實驗例10中為(87.5：7.5：5)，在實驗例11中為(90：5：5)。而且，除了實驗例3、5、8是在1700℃下進行2小時熱衝壓燒成、實驗例4、6、9、10、11是在1800℃下進行2小時熱衝壓燒成、實驗例7是在1850℃下進行2小時熱衝壓燒成以外，其餘經過與實驗例同樣的步驟，得到了實驗例3～11的氧化釔材料。
實驗例12～20
Y2 O3 、SiC、Si3 N4 、YF3 的配合比在實驗例12中為(88：10：3：1)，在實驗例13～16中為(86：10：3：1)，在實驗例17中為(84：10：5：1)，在實驗例18中為(81.5：10：7.5：1)，在實驗例19中為(86.5：7.5：5：1)，在實驗例20中為(89：5：5：1)。而且，除了實驗例13是在1600℃下進行2小時熱衝壓燒成、實驗例14是在1700℃下進行2小時熱衝壓燒成、實驗例12、15、17～20是在1800℃下進行2小時熱衝壓燒成、實驗例16是在1850℃下進行2小時熱衝壓燒成以外，其餘經過與實驗例1同樣的步驟，得到了實驗例12～20的氧化釔材料。
實驗例21
除了Y2 O3 、SiC、Si3 N4 、YF3 的配合比為(84：10：3：3)且在1550℃下進行2小時熱衝壓燒成以外，其餘經過與實驗例1同樣的步驟，得到了實驗例21的氧化釔材料。
實驗例22～31
Y2 O3 、SiC、Si3 N4 、YF3 的配合比在實驗例22～24中為(100：0：0：0)，在實驗例25～27中為(90：10：0：0)，在實驗例28～30中為(89：10：0：1)，在實驗例31中為(91.5：0：7.5：1)。而且，除了實驗例22、25、28是在1600℃下進行2小時熱衝壓燒成、實驗例23、26、29是在1700℃下進行2小時熱衝壓燒成、實驗例24、27、30、31是在1800℃下進行2小時熱衝壓燒成以外，其餘經過與實驗例1同樣的步驟，得到了實驗例22～31的氧化釔材料。
實驗例32～37
Y2 O3 、SiC、Si3 N4 、CaF2 的配合比為(86：10：3：1)，在1650℃下進行2小時熱衝壓燒成以外，其餘經過與實驗例1同樣的步驟，得到了實驗例32的氧化釔材料。另外，Y2 O3 、SiC、Si3 N4 、CaF2 的配合比為(81.8：13：3.9：1.3)，在1650℃下進行2小時熱衝壓燒成以外，其餘經過與實驗例1同樣的步驟，得到了實驗例33的氧化釔材料。另外，Y2 O3 、SiC、Si3 N4 、CaF2 的配合比為(81.8：13：3.9：1.3)，在1700℃下進行2小時熱衝壓燒成以外，其餘經過與實驗例1同樣的步驟，得到了實驗例34的氧化釔材料。另外，Y2 O3 、SiC、Si3 N4 、MgF2 的配合比為(86：10：3：1)，在1650℃下進行2小時熱衝壓燒成以外，其餘經過與實驗例1同樣的步驟，得到了實驗例35的氧化釔材料。另外，Y2 O3 、SiC、Si3 N4 、MgF2 的配合比為(86：10：3：1)，在1700℃下進行2小時熱衝壓燒成以外，其餘經過與實驗例1同樣的步驟，得到了實驗例36的氧化釔材料。另外，Y2 O3 、SiC、Si3 N4 、AlF3 的配合比為(86：10：3：1)，在1650℃下進行2小時熱衝壓燒成以外，其餘經過與實驗例1同樣的步驟，得到了實驗例37的氧化釔材料。
構成相的評價
用X線繞射裝置(旋轉陽極型X線繞射裝置(理學電機製R1NT)，CuKα線源，50kV，300mA,2θ=10～70°)測定實驗例1～37的X線繞射圖譜，從得到的X線繞射圖譜中認定結晶相。
SiC粒徑測定
用SEM(Philips公司製XL30)觀察實驗例1～37，測定了各氧化釔材料中的SiC的平均粒徑。但是由於不能夠明確計量粒徑不到0.5μm的SiC粒子，所以只測定0.5μm以上粒徑的短徑尺寸，求出平均值，以此作為平均粒徑。
強度測定
在實驗例1～37中進行了強度測定。強度是按照JIS-R1601，用強度試驗器(島津製作所製S500C)，評價了4點抗彎強度。
斷裂韌性測定
在實驗例1～37中進行了斷裂韌性測定。斷裂韌性測定是按照JIS-R1607，用强度試驗器(Akashi公司製AVK)，根據IF法(加重9.8N)進行了評價。
密度測定、開氣孔率測定
對實驗例1～37進行密度測定和開氣孔率的測定。密度及開氣孔率是按照JIS-R1634，以純水為介質，根據阿基米德法進行了評價。另外，密度是作為體積密度求得的。
體積電阻率測定
在實驗例1～37中進行了體積電阻率測定。體積電阻率是根據基於JIS-C2141的方法，在室溫大氣中進行了測定。試驗片形狀為ψ50mm×1mm，用銀糊劑形成各電極，主電極直徑為20mm、保護電極內徑為30mm、保護電極外徑為40mm、外加電極直徑為40mm。外加電壓為0.1～500V/mm，讀取施加電壓後1分鐘時的電流，計算出體積電阻率。
化學分析
在實驗例12～20、28～37中進行了氟含量的檢測。氧化釔材料中含有的氟含量是按照JIS-R1675的氟定量方法，根據離子色譜分析法測定了熱加水解分離的溶液。其結果確認了在所有的實驗例中，添加的氟量殘存在燒成體內。
測定結果
實驗例1～31的測定結果顯示在表1中，實驗例32～37的測定結果顯示在表2中。另外，圖2是實驗例1～9、13～16的對應於燒成溫度的強度的圖，圖3是對應於1700℃下燒成的實驗例的Si3 N4 的添加比例的強度的圖，圖4是對應於1800℃下燒成的實驗例的Si3 N4 的添加比例的強度的圖，圖5是對應於實驗例5～7、13～16、21～30的燒成溫度的強度的圖。另外，圖2～4是研究了Si3 N4 的添加比例及燒成溫度的實驗例的資料，圖5顯示研究了SiC、Si3 N4 、YF3 的添加效果和燒成溫度的實驗例的資料。另外，在圖4中，一併顯示研究了對應於SiC的添加比例的強度的實驗例，將該符號施加了黑襯網處理進行顯示。另外，在圖2～5中，為了便於理解，在共通組成的實驗例中使用了同樣形狀的符號，在各符號的中央附加了實驗例的序號。如圖2、5所示，同樣組成的情況下，顯示了強度隨著燒成溫度的上升而降低的傾向。另外，如圖3、圖4所示，得知如果添加比例為7.5體積%的範圍內，強度隨著Si3 N4 添加比例的增加而增加。同樣，關於SiC，得知如果添加比例為10體積%的範圍內，強度隨著SiC添加比例的增加而增加。另外，如圖5(b)所示，明確看到如果在單一成份Y2 O3 (△)上添加SiC，則強度會有所上升，如果添加SiC和Si3 N4 ，則強度的增加大於添加了SiC和YF3 。另外，顯然如果在SiC和Si3 N4 上進一步添加YF3 ，則強度進一步提高。尤其是燒成溫度在1600℃～1800℃下，特別是在1600℃～1700℃下，強度值是合適的。另外，在添加了3體積%YF3 的實驗例21中，燒成溫度雖為1550℃，但顯示了高強度。另外，斷裂韌性顯示與強度同樣的傾向(參照表1)。另外，除了實驗例23、24以外，體積電阻率都顯示1016 以上的高值。明確了包含SiC及Y8 Si4 N4 O14 的實驗例1～21、32～37顯示合適的強度、斷裂韌性、體積電阻率值。此外，作為含氟化合物含有CaF2 、MgF2 、AlF3 的實驗例，都發現可以在較低的燒成溫度(1650℃～1700℃)顯示合適的強度、斷裂韌性、體積電阻率值。另外，還研究了用La作為RE的實驗例，確認與作為RE的Y同樣，得到了合適的強度、斷裂韌性、體積電阻率值。
 產業上的利用可能性
本發明能利用於陶瓷製造領域。
20．．．靜電卡盤
22．．．基體
24．．．靜電電極
26．．．孔部
28．．．端子
圖1是顯示靜電卡盤20的構成的概略的構成圖，圖1(a)是俯視圖，圖1(b)是圖1(a)的A-A剖視圖；
圖2是對應於實驗例1～9、13～16的燒成溫度的強度的圖；
圖3是對應於1700℃下燒成的實驗例的Si3 N4 添加比例的強度的圖；
圖4是對應於1800℃下燒成的實驗例的Si3 N4 添加比例的強度的圖；以及
圖5(a)、(b)是對應於實驗例5～7、13～16、21～30的燒成溫度的強度的圖。
20．．．靜電卡盤
22．．．基體
24．．．靜電電極
26．．．孔部
28．．．端子

Claims (11)

  1. 一種氧化釔材料，係為含有Y2 O3 、SiC以及含有Y、Si、O和N的化合物，該Y、Si、O和N的化合物係為由Y2 O3 及Si3 N4 產生的Y8 Si4 N4 O14 ，其特徵在於：Y2 O3 在該氧化釔材料中的含量大於80體積%且小於等於90體積%，SiC在該氧化釔材料中的含量大於5.0體積%且小於13體積%，Si3 N4 在該氧化釔材料中的含量大於1.0體積%且小於10體積%，並在1500℃以上，1850℃以下的範圍，且在氬氣氛圍下燒成的氧化釔材料。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的氧化釔材料，其中，還含有F。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的氧化釔材料，其中，所述SiC的平均粒徑為4μm以下。
  4. 如申請專利範圍第1項所述的氧化釔材料，其中，4點抗彎強度為250MPa以上。
  5. 如申請專利範圍第1項所述的氧化釔材料，其中，斷裂韌性為1.5MPa．m1/2 以上。
  6. 如申請專利範圍第1項所述的氧化釔材料，其中，20℃時的體積電阻率為1×1015 Ωcm以上。
  7. 一種由申請專利範圍第1至6項任一項所述的氧化釔材料所構成的半導體製造裝置用構件。
  8. 一種氧化釔材料之製造方法，其特徵在於，包括將Y2 O3 、SiC以及作為含有Y、Si、O和N的化合物的無機粒子進行混合，並在1500℃以上、1850℃以下的範圍，且在氬氣氛圍下進行燒成的步驟，其中該Y、Si、O和N的化合物係為由Y2 O3 及Si3 N4 混合並燒成的Y8 Si4 N4 O14 ，以及其中Y2 O3 在該氧化釔材料中的含量大於80體積%且小於等於90體積%，SiC在該氧化釔材料中的含量大於5.0體積%且小於13體積%，Si3 N4 在該氧化釔材料中的含量大於1.0體積%且小於10體積%。
  9. 如申請專利範圍第8項所述的氧化釔材料之製造方法，其中， 在所述燒成步驟中，作為所述無機粒子是將Si3 N4 和Y2 O3 混合並燒成。
  10. 如申請專利範圍第8或9項所述的氧化釔材料之製造方法，其中，在所述燒成步驟中，進一步混合YF3 、CaF2 、MgF2 、AlF3 中的至少一種以上並燒成。
  11. 如申請專利範圍第8或9項所述的氧化釔材料之製造方法，其中，在所述燒成步驟中，是在1600℃以上、1700℃以下的範圍進行燒成。
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