TWI443363B - Radiation detector - Google Patents

Description

放射線檢測器

本發明係關於雙能量型之放射線檢測器。

雙能量型之放射線檢測器係檢測穿透被檢查物之低能量範圍之放射線及高能量範圍之放射線之裝置(例如參照專利文獻1)。依據此種放射線檢測器，可同時取得低能量範圍之放射線像及高能量範圍之放射線像，依據該等放射線像，作成被施行特定處理(例如加權減算及疊合等)之處理圖像，而可在輸送帶所輸送之被檢查物之非破壞檢查(即，線上之非破壞檢查)中，以高的精度實現異物之檢測、成分分佈之計測、重量之計測等。

專利文獻1：日本特公平5-68674號公報

且說對雙能量型之放射線檢測器，期待防止同時取得之低能量範圍之放射線像與高能量範圍之放射線像移位等進一步可靠性之提高。

因此，本發明係鑑於此種情況而完成者，其目的在於提供一種高可靠性之放射線檢測器。

為達成上述目的，本發明之放射線檢測器之特徵在於：其係檢測由前側入射之第1能量範圍之放射線及第2能量範圍之放射線，且包含：第1閃爍器層，其係沿著特定方向延伸，且將第1能量範圍之放射線變換成光；第1光檢測器，其係具有沿著特定方向被一維地配置而固定於第1閃爍器層之前側，且將第1閃爍器層所變換之光變換成電氣信號之複數第1光檢測部、及設置有第1光檢測部之第1基板；第2閃爍器層，其係沿著特定方向延伸而接觸於第1閃爍器層之後側，且將第2能量範圍之放射線變換成光；及第2光檢測器，其係具有沿著特定方向被一維地配置而固定於第2閃爍器層之後側，且將第2閃爍器層所變換之光變換成電氣信號之複數第2光檢測部、及設置有第2光檢測部之第2基板；第1閃爍器層之厚度薄於第2閃爍器層之厚度；由前側看時，在與特定方向正交之方向，第1基板之一方緣部位於比第2基板之一方緣部更外側，第2基板之他方緣部位於比第1基板之他方緣部更外側。

在此放射線檢測器中，使將第1能量範圍之放射線變換成光之第1閃爍器層與將第2能量範圍之放射線變換成光之第2閃爍器層接觸，並且配置於前側之第1閃爍器層之厚度薄於配置於後側之第2閃爍器層之厚度。藉由此等，對以相同角度由前側入射之第1能量範圍之放射線及第2能量範圍之放射線之在第1閃爍器層之發光位置與在第2閃爍器層之發光位置之偏移量會變小。因此，可防止同時取得之第1能量範圍之放射線像與第2能量範圍之放射線像移位。而且，在此放射線檢測器中，設置有第1光檢測部之第1基板之一方緣部比設置有第2光檢測部之第2基板之一方緣部位於外側，反之，第2基板之他方緣部比第1基板之他方緣部位於外側。因此，使第1閃爍器層之厚度變薄，即使第1基板與第2基板接近，也可將電路或連接器等配置於在第1基板中不與第2基板重疊之部分及在第2基板中不與第1基板重疊之部分，故可避免放射線照射到電路或連接器等。藉由以上，依據此放射線檢測器，可提高可靠性。

又，所謂第1能量範圍之放射線，係意味著具有特定範圍之能量之放射線，所謂第2能量範圍之放射線，係意味著具有異於該特定範圍之範圍之能量之放射線。

最好本發明之放射線檢測器包含隙縫構造體，其係配置於第1光檢測器之前側，使第1能量範圍之放射線及第2能量範圍之放射線通過；隙縫構造體具有形成有向特定方向延伸之隙縫之第1板狀構件、及由後側支撐第1板狀構件之第2板狀構件；在第2板狀構件，沿著隙縫之一方緣部及他方緣部形成有向後側立設之壁部。此情形，為確實遮蔽放射線，即使在第1板狀構件使用如鉛之較軟之材料，也可藉由第2板狀構件防止形成於第1板狀構件之隙縫之變形，故可使放射線確實入射於沿著特定方向之線上。

在本發明之放射線檢測器中，最好由前側看時，在與特定方向正交之方向，第1閃爍器層之寬度寬於隙縫之寬度。此情形，即使使第1閃爍器層之厚度變薄，也可抑制第1閃爍器層之強度降低，且可利用第1閃爍器層確實將第1能量範圍之放射線變換成光。

在本發明之放射線檢測器中，最好第1光檢測部係在一面保持第1間隙，一面沿著特定方向被一維配置之複數第1光檢測元件之各個至少形成2個，藉此沿著特定方向被一維配置；第1閃爍器層係配置於第1光檢測元件及第1間隙之後側；第2光檢測部係在一面保持第2間隙，一面沿著特定方向被一維配置之複數第2光檢測元件之各個至少形成2個，藉此沿著特定方向被一維配置；第2閃爍器層係配置於第2光檢測元件之前側。此情形，可避免相鄰之光檢測元件彼此接觸而該等破損。又，在第1光檢測部中，第1閃爍器層不僅光檢測元件之後側，也配置於第1間隙之後側。最好第1閃爍器層係一體地被形成於特定方向，此情形，閃爍器層不僅光檢測元件上，也被配置於相鄰之光檢測元件間之間隙上，故可在沿著特定方向之線上，防止死角產生。

在本發明之放射線檢測器中，最好第2閃爍器層係具有沿著特定方向被一維配置之複數閃爍器部、及除固定第2光檢測部之部分以外還覆蓋閃爍器部之反射層；閃爍器部係吸收第2能量範圍之放射線而發光；反射層係使第2能量範圍之放射線通過，並反射第1閃爍器層所發出之光及閃爍器部所發出之光，且由前側看時，在與特定方向正交之方向，形成為對向部分之厚度厚於其他部分之厚度。此情形，可防止相鄰之第2光檢測部間之串訊發生。另外，為了一面維持高解像度，一面將高能量範圍之放射線變換成光，即使將第2閃爍器層之閃爍器部形成柱狀，也將反射層形成為在與特定方向正交之方向，對向部分之厚度厚於其他部分之厚度，故可確實支撐閃爍器部。

依據本發明，可提高放射線檢測器之可靠性。

以下，參照圖式詳細說明有關本發明之較佳實施型態。又，在各圖中，在同一或相當部分附上同一符號，省略重複之說明。

圖1係適用本發明之放射線檢測器之一實施型態之X射線線型感測器之非破壞檢查系統之構成圖。如圖1所示，非破壞檢查系統50係包含搬送被檢查物S之輸送帶51、向輸送帶51所搬送之被檢查物S出射X射線之X射線源52、檢測穿透被檢查物S之低能量範圍之X射線(第1能量範圍之放射線)及高能量範圍之X射線(第2能量範圍之放射線)之雙能量型之X射線線型感測器(一維感測器)1、覆蓋被檢查物S、X射線源52及X射線線型感測器1之X射線遮蔽箱53、及與X射線線型感測器1電性連接之電腦54。電腦54係依據同時取得之低能量範圍之X射線穿透像及高能量範圍之X射線穿透像，作成被施行特定處理(例如加權減算及疊合等)之處理圖像。

以下，作為一維感測器，雖例示線型感測器，但不限定於此，作為可適用於本發明之放射線檢測器之其他之一維感測器，例如，可列舉TDI感測器等。

依據如此所構成之非破壞檢查系統50，可對食品及電子零件等被檢查物S，以異物之檢測為首，利用高的精度實現成分分佈之計測、重量之計測等。

圖2係圖1之X射線線型感測器之剖面圖，圖3係圖2之X射線線型感測器之要部放大圖，圖4係沿著圖3之X射線線型感測器之IV-IV線之剖面圖。如圖2~4所示，X射線線型感測器1係包含鋁所構成之直方體狀之機構體2。機構體2具有構成前側(X射線源52側)之前段部3及構成後側之後段部4，在前段部3設有開口5。

在機構體2之前側，安裝有使由X射線源52出射之X射線通過之隙縫構造體6。隙縫構造體6具有形成向特定方向(由前側看之情形，為與被檢查物S之搬送方向正交之方向)延伸之隙縫7a之第1板狀構件7、及由後側支撐第1板狀構件7之第2板狀構件8。第1板狀構件7係由遮蔽X射線之金屬(例如鉛)所構成，第2板狀構件8係由硬度比使用於第1板狀構件7之金屬高之金屬(例如不銹鋼)所構成。

在第2板狀構件8，在隙縫7a形成有沿著向其長側方向延伸之一方緣部及他方緣部而向後側立設之壁部8a。壁部8a配置於設在機構體2之前段部3之開口5內。

在機構體2之前段部3之內面，安裝有第1光檢測器11。第1光檢測器11係具有固定於機構體2之前段部3之矩形板狀之第1基板12、一面隔著些微之第1間隙13，一面沿著特定方向而被一維地配置於第1基板12上之複數(例如8~14個)之第1光檢測元件14、及配置於第1基板12上而藉由金屬線接合被電性連接於各光檢測元件14之放大器電路15等。在第1光檢測元件14，在X射線之入射方向(與被檢查物S之搬送方向及特定方向正交之方向)，以與隙縫7a對向之方式沿著特定方向而一維地形成複數(例如128個)之作為光電變換元件之第1光檢測部16。

在機構體2之後段部4之內面，安裝有第2光檢測器17。第2光檢測器17係具有固定於機構體2之後段部4之矩形板狀之第2基板18、一面隔著些微之第2間隙19，一面沿著特定方向而被一維地配置於第2基板18上之複數(例如8~14個)之第2光檢測元件21、及配置於第2基板18上而藉由金屬線接合被電性連接於各光檢測元件21之放大器電路22等。在第2光檢測元件21，在X射線之入射方向，以與第1光檢測部16分別對向之方式沿著特定方向而一維地形成複數(例如128個)之作為光電變換元件之第2光檢測部23。

又，第1光檢測器11之構成與第2光檢測器17之構成大致相同，作為光檢測元件14、21，例如使用CCD及CMOS等之線型感測器。而，由前側看之情形，在與特定方向正交之方向，第1基板12之一方緣部12a位於第2基板18之一方緣部18a之外側，第2基板18之他方緣部18b位於第1基板12之他方緣部12b之外側。

在第1光檢測元件14及第1間隙13之後側，配置有沿著特定方向延伸，吸收低能量範圍之X射線而發光之第1閃爍器層24。第1光檢測元件14之第1光檢測部16係被第1接著劑25固定於第1閃爍器層24之前側，將第1閃爍器層24所發出之光變換成電氣信號。第1接著劑25不僅第1閃爍器層24與第1光檢測元件14之間，既可填充，也可不填充於第1間隙13。

第1閃爍器層24例如係被釓在隙縫7a之長側方向一體地形成厚度0.1mm程度之帶狀。第1閃爍器層24之寬度由前側看之情形，係在與特定方向正交之方向，寬於隙縫7a之寬度。

在第2光檢測元件21及第2間隙19之前側，配置有沿著特定方向延伸，吸收高能量範圍之X射線而發光之第2閃爍器層26。第2光檢測元件21之第2光檢測部23係被第2接著劑27固定於第2閃爍器層26之後側，將第2閃爍器層26所發出之光變換成電氣信號。第2接著劑27不僅第2閃爍器層26與第2光檢測元件21之間，既可填充，也可不填充於第2間隙19。

第2閃爍器層26係具有在X射線之入射方向以與第2光檢測部23分別對向方式，沿著特定方向而被一維地配置之複數閃爍器部28、及覆蓋排除固定在X射線之入射方向對向之第2光檢測部23之面以外之閃爍器部28之反射層29。閃爍器部28係吸收高能量範圍之X射線而發光，為了一面維持高解像度，一面確實吸收高能量範圍之X射線，例如藉由鎢酸釓將底面形成0.4mm×0.4mm、高度2mm程度之四角柱狀。反射層29例如係藉由將蒸鍍鋁等金屬之遮光板接著於閃爍器部28而形成，可使X射線通過，且反射第1閃爍器層24所發之光及閃爍器部28所發之光。此情形，最好：利用反射板覆蓋排除固定閃爍器部28與第2光檢測部23之面以外之閃爍器部28之其他面而形成反射層29。在反射層29中，由前側看之情形，在與特定方向正交之方向，使對向之部分29a之厚度厚於其他部分之厚度。反射層29也可為使鋁蒸鍍於閃爍器部28而形成之反射膜。

又，在使用於第1閃爍器層24與第1光檢測器11之固定之第1接著劑25之硬度、和使用於第2閃爍器層26與第2光檢測器17之固定之第2接著劑27之硬度中，在第1閃爍器層24與第1光檢測器11之間之第1溫度變形量之差、及第2閃爍器層26與第2光檢測器17之間之第2溫度變形量之差中，使用於溫度變形量之差較大之一方之接著劑之硬度低於使用於溫度變形量之差較小之一方之接著劑之硬度。在本實施型態中，由於第1閃爍器材料與第2閃爍器材料相異，故溫度變形量相異。在此，作為接著劑之硬度，例如可適用肖氏硬度(JIS Z2246)。又，第1閃爍器層24與(設置反射層29)之第2閃爍器層26係以滑動方式接觸。既可分別以接著劑固定第1閃爍器層24及反射層29之界面、和第2閃爍器層26及反射層29之界面之兩面，或也可僅接著固定其中一方之界面。前者之情形，與上述同樣地，在第1閃爍器層24與第1光檢測器11之間之第1溫度變形量之差、及第2閃爍器層26與第2光檢測器17之間之第2溫度變形量之差中，使用於溫度變形量之差較大之一方之接著劑之硬度低於使用於溫度變形量之差較小之一方之接著劑之硬度。可依照溫度變形量之差異，使用硬度相異之接著劑，防止在反射層29與閃爍器之界面之剝離、及檢測器與閃爍器之界面之剝離。又，在後者，可介著反射層29使第1閃爍器層24與第2閃爍器層26滑動接觸，故可防止溫度變形量之差引起之在各界面之剝離。而，與第2閃爍器層26之厚度相比，可藉由使第1閃爍器層24之厚度變得極薄等，而使第1閃爍器層24之構成與第2閃爍器層26之構成相異。

在第1光檢測器11之第1基板12上，連接電氣信號輸出用之連接器31。由第1光檢測器11輸出之電氣信號經由連接器31及A/D變換‧掃描變換電路基板33等傳送至電腦54。同樣地，在第2光檢測器17之第2基板18上，連接電氣信號輸出用之連接器32。由第2光檢測器17輸出之電氣信號經由連接器32及A/D變換‧掃描變換電路基板34等傳送至電腦54。

說明有關適用如以上所構成之X射線線型感測器1之非破壞檢查系統50之動作。

由X射線源52出射而穿透被檢查物S之X射線通過隙縫7a及壁部8a、8a間，穿透第1光檢測器11而入射於第1閃爍器層24。入射於第1閃爍器層24之X射線中，低能量範圍之X射線被第1閃爍器層24吸收，此時，第1閃爍器層24所發出之光被第1光檢測器11之第1光檢測部16變換成電氣信號。此電氣信號經由第1光檢測器11之放大器電路15、連接器31及A/D變換‧掃描變換電路基板33等傳送至電腦54。由電腦54取得低能量範圍之X射線穿透像。

入射於第1閃爍器層24之X射線中，高能量範圍之X射線穿透第1閃爍器層24及反射層29而被第2閃爍器層26之閃爍器部28吸收，此時，閃爍器部28所發出之光被第2光檢測器17之第2光檢測部23變換成電氣信號。此電氣信號經由第2光檢測器17之放大器電路22、連接器32及A/D變換‧掃描變換電路基板34等傳送至電腦54。由電腦54取得高能量範圍之X射線穿透像。

而，同時被取得之低能量範圍之X射線穿透像及高能量範圍之X射線穿透像被電腦54施行特定處理(例如加權減算及疊合等)而被作成被檢查物S之處理圖像。藉此，可在輸送帶51所輸送之被檢查物S，以高的精度實現異物之檢測、成分分佈之計測、重量之計測等。

如以上所說明，在X射線線型感測器1中，如圖4所示，吸收低能量範圍之X射線而發光之第1閃爍器層24與吸收高能量範圍之X射線而發光之第2閃爍器層26相接觸，另外，使配置於前側之第1閃爍器層24之厚度薄於配置於後側之第2閃爍器層26之厚度(小於相鄰之第1光檢測部16之中心間距離)。藉此，對以相同角度由前側入射之低能量範圍之X射線及高能量範圍之X射線之在第1閃爍器層24之發光位置P1與在第2閃爍器層26之發光位置P2之偏移量會變小，故此時，第1閃爍器層24所發出之光及第2閃爍器層26所發出之光可被在X射線之入射方向中對向之第1光檢測部16及第2光檢測部23所檢測。因此，可防止同時取得之低能量範圍之X射線穿透像與高能量範圍之X射線穿透像移位。

又，在X射線線型感測器1中，如圖2所示，設置第1光檢測部16之第1基板12之一方緣部12a位於設置第2光檢測部23之第2基板18之一方緣部18a之外側，反之，第2基板18之他方緣部18b位於第1基板12之他方緣部12b之外側。因此，薄化第1閃爍器層24之厚度時，即使第1基板12與第2基板18相接近，也可將放大器電路15及連接器31等配置於在第1基板12中不與第2基板18重疊之部分，且在第2基板18中不與第1基板12重疊之部分配置放大器電路22及連接器32等，故可避免X射線照射到放大器電路15、22及連接器31、32等。

又，在X射線線型感測器1中，通過X射線之隙縫構造體6具有形成有向特定方向延伸之隙縫7a之第1板狀構件7、及由後側支撐第1板狀構件7之第2板狀構件8；在第2板狀構件8，沿著隙縫7a之一方緣部及他方緣部形成有向後側立設之壁部8a。藉此，為確實遮蔽X射線，即使在第1板狀構件7使用如鉛之較軟之材料，也可藉由第2板狀構件8防止形成於第1板狀構件7之隙縫7a之變形，故可使X射線確實入射於沿著特定方向之線上。又，壁部8a不僅執行作為對X射線之隙縫之功能，也可執行作為提高第2板狀構件8之彎曲強度之功能。

又，在X射線線型感測器1中，由前側看之情形，在與特定方向正交之方向，第1閃爍器層24之寬度寬於隙縫7a之寬度。藉此，即使薄化第1閃爍器層24之厚度，也可抑制第1閃爍器層24之強度之降低，且使第1閃爍器層24確實吸收低能量範圍之X射線。

又，在X射線線型感測器1中，如圖4所示，第1光檢測部16係在一面隔著第1間隙13，一面沿著特定方向被一維配置之複數之第1光檢測元件14分別至少形成2個，而沿著特定方向被一維配置；第1閃爍器層24係配置於第1光檢測元件14及第1間隙13之後側。藉此，可避免相鄰之光檢測元件14、14彼此接觸而導致該等之破損，且因不僅在光檢測元件14上，閃爍器層24也可配置於相鄰之光檢測元件14、14間之間隙13上，故在第1光檢測器11，可在沿著特定方向之線上，防止不感帶之產生。

同樣地，第2光檢測部23係在一面隔著第2間隙19，一面沿著特定方向被一維配置之複數之第2光檢測元件21分別至少形成2個，而沿著特定方向被一維配置；第2閃爍器層26係配置於第2光檢測元件21之前側。藉此，可避免相鄰之光檢測元件21、21彼此接觸而導致該等之破損。

又，在X射線線型感測器1中，第2閃爍器層26係具有沿著特定方向被一維配置之複數之閃爍器部28、及排除固定在X射線之入射方向對向之第2光檢測部23之面以外覆蓋閃爍器部28之反射層29。而，閃爍器部28係吸收高能量範圍之X射線而發光；反射層29係使X射線通過，並反射第1閃爍器層24所發出之光及閃爍器部28所發出之光，且如圖3、4所示，由前側看之情形，在與特定方向正交之方向，形成對向之部分29a之厚度厚於其他部分之厚度。藉此，可防止相鄰之第2光檢測元件23、23間之串訊之發生。另外，為了一面維持高解像度，一面吸收高能量範圍之X射線，即使將第2閃爍器層26之閃爍器部28形成柱狀，也由於將反射層29形成為在與特定方向正交之方向，使對向之部分29a之厚度厚於其他部分之厚度，故可確實支撐閃爍器部28。又，由於第1閃爍器層24之厚度薄於第2閃爍器層26之厚度，故即使不將劃分於各第1光檢測部16之遮蔽層設置於第1閃爍器層24，也幾乎無相鄰之第1光檢測部16、16間之影響。

本發明並不限定於上述之實施型態。例如在上述實施型態中，從製造成本之低廉化之觀點，使第1光檢測器11之構成與第2光檢測器17之構成大致相同，但第1光檢測器11之構成與第2光檢測器17之構成也可相異。

產業上之可利用性

依據本發明，可提高放射線檢測器之可靠性。

1．．．X射線線型感測器

6．．．隙縫構造體

7．．．第1板狀構件

7a．．．隙縫

8．．．第2板狀構件

8a．．．壁部

11．．．第1光檢測器

12．．．第1基板

12a．．．第1基板之一方緣部

12b．．．第1基板之他方緣部

13．．．第1間隙

14．．．第1光檢測元件

16．．．第1光檢測部

17．．．第2光檢測器

18．．．第2基板

18a．．．第2基板之一方緣部

18b．．．第2基板之他方緣部

19．．．第2間隙

21．．．第2光檢測元件

23．．．第2光檢測部

24．．．第1閃爍器層

26．．．第2閃爍器層

28．．．閃爍器部

29．．．反射層

圖1係適用本發明之放射線檢測器之一實施型態之X射線線型感測器之非破壞檢查系統之構成圖。

圖2係圖1之X射線線型感測器之剖面圖。

圖3係圖2之X射線線型感測器之要部放大圖。

圖4係沿著圖3之X射線線型感測器之IV-IV線之剖面圖。

1．．．X射線線型感測器

50．．．非破壞檢查系統

51．．．輸送帶

52．．．X射線源

53．．．X射線遮蔽箱

54．．．電腦

S．．．被檢查物

Claims (9)

1. 一種放射線檢測器，其特徵在於：其係檢測第1能量範圍之放射線及第2能量範圍之放射線，且包含：第1光檢測器，其係用於檢測前述第1能量範圍之放射線，且具有沿著第1方向延伸之第1閃爍器層、沿著前述第1方向延伸之第1光檢測元件、及設置有前述第1光檢測元件之第1基板；及第2光檢測器，其係用於檢測前述第2能量範圍之放射線，且具有沿著前述第1方向延伸之第2閃爍器層、沿著前述第1方向延伸之第2光檢測元件、及設置有前述第2光檢測元件之第2基板；前述第1基板延伸之方向與前述第2基板延伸之方向互相一致；於前述第1基板延伸之方向，前述第1基板之一方之端部位於比前述第2基板之一方之端部更外側；於前述第2基板延伸之方向，前述第2基板之另一方之端部位於比前述第1基板之另一方之端部更外側。
2. 如請求項1之放射線檢測器，其中更包含：機構體，其具有設置有開口之前段部、及後段部；前述第1光檢測器之前述第1基板固定於前述機構體之前述前段部；前述第2光檢測器之前述第2基板固定於前述機構體之前述後段部。
3. 如請求項2之放射線檢測器，其中 前述第1光檢測器及前述第2光檢測器挾於前述機構體之前述前段部與前述後段部之間。
4. 一種放射線檢測器，其特徵在於：其係檢測第1能量範圍之放射線及第2能量範圍之放射線，且包含：第1光檢測器，其係用於檢測前述第1能量範圍之放射線，且具有沿著第1方向延伸之第1閃爍器層、及沿著前述第1方向延伸之第1光檢測元件；及第2光檢測器，其係用於檢測前述第2能量範圍之放射線，且具有沿著前述第1方向延伸之第2閃爍器層、及沿著前述第1方向延伸且具有複數第2光檢測部之第2光檢測元件；前述第2閃爍器層具有與前述第2光檢測部之各個對向地配置之複數閃爍器部、及與前述閃爍器部彼此隔開地設置之反射層；與前述第1方向正交之方向的前述第1閃爍器層之長度長於與前述第1方向正交之方向的前述閃爍器部之長度。
5. 如請求項4之放射線檢測器，其中前述第1閃爍器層與前述第2閃爍器層介著反射層而可滑動地互相接觸。
6. 一種放射線檢測器，其特徵在於：其係檢測放射線，且包含：光檢測器，其係用於檢測放射線，且具有沿著第1方向延伸之閃爍器層、及沿著第1方向延伸之光檢測元 件；機構體，其具有用於使放射線朝向前述光檢測器之開口；及隙縫構造體，其具有沿著前述第1方向延伸之隙縫部，藉由前述機構體支持；前述隙縫構造體具有板狀構件，其具有朝與前述第1方向正交之第2方向突出之壁部；前述壁部配置於前述機構體之前述開口之內部。
7. 如請求項6之放射線檢測器，其中於與前述第1方向正交之方向，前述閃爍器層之寬度寬於前述隙縫部之寬度。
8. 如請求項6之放射線檢測器，其中前述光檢測器包含用於檢測第1能量範圍之放射線之第1光檢測器，及用於檢測第2能量範圍之放射線之第2光檢測器；前述閃爍器層包含沿著前述第1光檢測器之前述第1方向延伸之第1閃爍器層，及沿著前述第2光檢測器之前述第1方向延伸之第2閃爍器層；前述光檢測元件包含沿著前述第1光檢測器之前述第1方向延伸之第1光檢測元件，及沿著前述第2光檢測器之前述第1方向延伸之第2光檢測元件。
9. 一種放射線檢測器，其特徵在於：其係檢測第1能量範圍之放射線及第2能量範圍之放射線，且包含：第1光檢測器，其係用於檢測前述第1能量範圍之放射 線，且具有沿著第1方向延伸之第1閃爍器層、沿著前述第1方向延伸之第1光檢測元件、及設置有前述第1光檢測元件之第1基板；第2光檢測器，其係用於檢測前述第2能量範圍之放射線，且具有沿著前述第1方向延伸之第2閃爍器層、沿著前述第1方向延伸之第2光檢測元件、及設置有前述第2光檢測元件之第2基板；及機構體，其具有設置有開口之前段部、及後段部；前述第1光檢測器之前述第1基板固定於前述機構體之前述前段部；前述第2光檢測器之前述第2基板固定於前述機構體之前述後段部；前述第1光檢測器及前述第2光檢測器挾於前述機構體之前述前段部與前述後段部之間。