JP2002101265A - 光電変換装置及びx線撮像装置 - Google Patents

光電変換装置及びx線撮像装置

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JP2002101265A
JP2002101265A JP2000285578A JP2000285578A JP2002101265A JP 2002101265 A JP2002101265 A JP 2002101265A JP 2000285578 A JP2000285578 A JP 2000285578A JP 2000285578 A JP2000285578 A JP 2000285578A JP 2002101265 A JP2002101265 A JP 2002101265A
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Eiichi Takami
栄一 高見
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 大面積の光電変換基板を固定するためのフレ
ーム部材を軽量化することで、システム全体の軽量化及
び小型化を図ることができる光電変換装置及びX線撮像
装置を提供する。 【解決手段】 複数個の光電変換素子と薄膜トランジス
タが二次元的に等間隔で配列された光電変換基板1を備
えた光電変換装置において、光電変換基板1を、ガラス
エポキシ材の上面及び下面にアルミ板を各々積層したサ
ンドイッチ型構造を有するフレーム部材2に接着固定す
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、光電変換装置及び
X線撮像装置に関し、特に、ファクシミリ、デジタル複
写機、スキャナあるいはX線撮像装置等に搭載され、大
面積プロセスを用いて形成されると共に等倍読み取りを
行う二次元の光電変換基板を用いた光電変換装置及びX
線撮像装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来、ファクシミリ、デジタル複写機、
スキャナあるいはX線撮像装置等に装備される画像読み
取り装置としては、縮小光学系とCCD型センサを組み
合わせた構成であった。しかしながら、近年になり、水
素化アモルファスシリコン(以下a−Siと略称)に代
表される光電変換半導体材料の開発により、光電変換素
子及び信号処理部を大面積の基板に形成し、情報源と等
倍の光学系で画像を読み取る密着型センサの開発が進ん
でいる。
【0003】特に、上記a−Siは、光電変換材料とし
てだけでなく、薄膜電界効果型トランジスタ(以下TF
Tと略称)の半導体材料としても用いることができるの
で、光電変換半導体層とTFTの半導体層とを同時に形
成することができる利点を有している。
【0004】図6は従来例のクラッド材を用いない光電
変換装置の構成を示す断面図である。カバー11の内部
には、光電変換基板1、電気回路基板3、フレーム部材
62が配設されており、光電変換基板1は、接着剤13
によりフレーム部材62の上面に接着されている。ま
た、光電変換基板1と電気回路基板3との間には、電気
配線部材12が接続されている。従来例の光電変換装置
では、ガラス基板からなる光電変換基板1をフレーム部
材62の平面上に接着固定するため、フレーム部材62
の平面性が必要となり、フレーム部材62の剛性を保つ
ためにフレーム部材62は大型化されている。
【0005】また、X線撮像装置は、上記図6に示した
光電変換装置の構成において、ガラス基板からなる光電
変換基板の上面に蛍光板を取り付けると共に、該蛍光板
付き光電変換基板をフレーム部材の平面上に接着固定し
た構造となっている。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来例においては次のような問題点があった。
【0007】上記従来例の光電変換装置では、a−Si
を上記のような大面積の光電変換基板に形成し、情報源
と等倍の光学系で画像を読み取る場合、大面積の光電変
換基板の採用により装置が大型化し、更に、機構部材の
重量比率の大部分をしめると共に大面積の光電変換基板
を固定するためのフレーム部材も大型化するため、シス
テム全体が大重量化するという問題があった。
【0008】また、上記従来例のX線撮像装置において
も、ガラス基板からなる蛍光板付き光電変換基板をフレ
ーム部材の平面上に接着固定した構造であるため、フレ
ーム部材の平面性が必要となり、フレーム部材の剛性を
保つためにフレーム部材は大重量化し、シテスム全体が
大重量化、大型化するという問題があった。
【0009】本発明の目的は、大面積の光電変換基板を
固定するためのフレーム部材を軽量化することで、シス
テム全体の軽量化及び小型化を図った光電変換装置及び
X線撮像装置を提供するものである。
【0010】
【課題を解決するための手段】本発明は、複数個の光電
変換素子と薄膜トランジスタが二次元的に等間隔で配列
された光電変換基板を備えた光電変換装置において、前
記光電変換基板を、少なくともガラスエポキシ材を含む
複数の材料を積層したサンドイッチ型構造を有するフレ
ーム部材に搭載してなることを特徴とする。
【0011】また、本発明は、複数個の光電変換素子と
薄膜トランジスタが二次元的に等間隔で配列された光電
変換基板に蛍光板を貼り合わせた構造を有するX線撮像
装置において、前記光電変換基板を、少なくともガラス
エポキシ材を含む複数の材料を積層したサンドイッチ型
構造を有するフレーム部材に搭載してなることを特徴と
する。
【0012】また、本発明の光電変換装置は、図1及び
図2を参照しつつ説明すれば、複数個の光電変換素子と
薄膜トランジスタが二次元的に等間隔で配列された光電
変換基板(1)を備えた光電変換装置において、前記光
電変換基板を、少なくともガラスエポキシ材を含む複数
の材料(21、22、23)を積層したサンドイッチ型
構造を有するフレーム部材(2)に搭載してなるもので
ある。
【0013】また、本発明のX線撮像装置は、図5を参
照しつつ説明すれば、複数個の光電変換素子と薄膜トラ
ンジスタが二次元的に等間隔で配列された光電変換基板
(1)に蛍光板(4)を貼り合わせた構造を有するX線
撮像装置において、前記光電変換基板を、少なくともガ
ラスエポキシ材を含む複数の材料を積層したサンドイッ
チ型構造を有するフレーム部材(50)に搭載してなる
ものである。
【0014】[作用]本発明の光電変換装置は、光電変
換基板をフレーム部材に平面上に接着固定するために、
フレーム部材として、アルミ板とガラスエポキシ材とア
ルミ板とを積層したサンドイッチ型構造、或いは鉄板と
ガラスエポキシ材と鉄板とを積層したサンドイッチ型構
造、或いは鉛板とガラスエポキシ材と鉛板とを積層した
サンドイッチ型構造のいわゆるクラッド材のフレーム部
材を用いた構造としている。そのため、フレーム部材の
平面性を維持させ、フレーム自体を軽薄化し、システム
全体の軽量化及び小型化を図ることができる。
【0015】
【発明の実施の形態】[第1実施形態]次に、本発明の
第1実施形態について図面を参照して詳細に説明する。
【0016】(1)構成の説明 図1は本発明の第1実施形態の光電変換装置の構成を示
す断面図である。図1において、1は光電変換基板、2
は本発明の特徴を有するフレーム部材、3は電気回路基
板、11は光電変換装置のカバー、12は電気配線部
材、13は接着剤である。尚、上記図6と同一構成には
同一符号を付し、説明を省略する。光電変換基板1は、
ガラス基板上に薄膜半導体プロセスによって、複数個の
光電変換素子と薄膜トランジスタが二次元的に等間隔で
配列されたものである。
【0017】図2は図1のフレーム部材2のA部を拡大
した断面図である。本発明の第1実施形態のフレーム部
材2は、アルミ板21とガラスエポキシ材22とアルミ
板23とを積層したサンドイッチ型のフレーム部材とし
て構成されている。
【0018】(2)動作の説明 次に、本発明の第1実施形態の動作について図1〜図2
を参照して詳細に説明する。
【0019】ガラス基板上に薄膜半導体プロセスによっ
て作製された光電変換基板1に光線が入射すると、光電
変換基板1で入射光が光電変換されることにより、電気
信号となる。電気信号は電気配線部材12を経由し、電
気回路基板3に入力される。
【0020】ところで、上述したように、従来例の光電
変換装置では、ガラス基板からなる光電変換基板をフレ
ーム部材の平面上に接着固定するため、フレーム部材の
平面性が必要となり、フレーム部材の剛性を保ためにフ
レーム部材は大重量化し、システム全体が大重量化、大
型化になっていた。
【0021】そこで、本発明の第1実施形態では、ガラ
ス基板からなる光電変換基板1をフレーム部材2の平面
上に接着固定するために、図2に示すように、フレーム
部材2として、アルミ板21とガラスエポキシ材22と
アルミ板23とを積層したサンドイッチ型のいわゆるク
ラッド材のフレーム部材を用いることにより、フレーム
部材2の平面性を維持させる構造となっている。これに
より、フレーム部材2自体を軽薄化することができ、シ
ステム全体を軽量化、小型化することができる。
【0022】[第2実施形態]次に、本発明の第2実施
形態について図面を参照して詳細に説明する。
【0023】(1)構成の説明 図3は本発明の第2実施形態の光電変換装置の要部の構
成を示す図であり、図1のA部に相当する。本発明の第
2実施形態のクラッド材のフレーム部材30は、鉄板3
1とガラスエポキシ材32と鉄板33とを積層したサン
ドイッチ型のフレーム部材として構成されている。
【0024】(2)動作の説明 次に、本発明の第2実施形態の動作について図3を参照
して詳細に説明する。
【0025】本発明の第2実施形態では、ガラス基板か
らなる光電変換基板をフレーム部材30の平面上に接着
固定するために、図3に示すように、クラッド材のフレ
ーム部材30として、鉄板31とガラスエポキシ材32
と鉄板33とを積層したサンドイッチ型のフレーム部材
を用いることにより、フレーム部材30の平面性を維持
させる構造となっている。これにより、フレーム自体を
軽薄化し、システム全体を軽量化、小型化することがで
きる。
【0026】[第3実施形態]次に、本発明の第3実施
形態について図面を参照して詳細に説明する。
【0027】(1)構成の説明 図4は本発明の第3実施形態の光電変換装置の要部の構
成を示す図であり、図1のA部に相当する。本発明の第
3実施形態のクラッド材のフレーム部材40は、鉛板4
1とガラスエポキシ材42と鉛板43とを積層したサン
ドイッチ型のフレーム部材として構成されている。
【0028】(2)動作の説明 次に、本発明の第3実施形態の動作について図4を参照
して詳細に説明する。
【0029】本発明の第3実施形態では、ガラス基板か
らなる光電変換基板をフレーム部材40の平面上に接着
固定するために、図4に示すように、クラッド材のフレ
ーム部材40として、鉛板41とガラスエポキシ材42
と鉛板43とを積層したサンドイッチ型のフレーム部材
を用いることにより、フレーム部材の平面性を維持させ
る構造となっている。これにより、フレーム自体を軽薄
化し、システム全体を軽量化、小型化することができ
る。
【0030】[第4実施形態]次に、本発明の第4実施
形態について図面を参照して詳細に説明する。
【0031】(1)構成の説明 図5は本発明の第4実施形態のX線撮像装置の構成を示
す断面図である。図5において、1は光電変換基板、5
0は本発明の特徴を有するフレーム部材、3は電気回路
基板、4は光電変換基板1上に貼り合わせられた蛍光
板、11はX線撮像装置のカバー、12は電気配線部
材、13は接着剤である。尚、上記図1と同一構成には
同一符号を付し、説明を省略する。
【0032】本発明の第4実施形態のフレーム部材50
は、第1〜第3実施形態と同様に、アルミ板とガラスエ
ポキシ材とアルミ板とを積層したサンドイッチ型(図2
参照)、鉄板とガラスエポキシ材と鉄板とを積層したサ
ンドイッチ型(図3参照)又は鉛板とガラスエポキシ材
と鉛板とを積層したサンドイッチ型(図4参照)のいわ
ゆるクラッド材のフレーム部材の機構部品で構成されて
いる。
【0033】(2)動作の説明 次に、本発明の第4実施形態の動作について図5を参照
して詳細に説明する。
【0034】X線が蛍光板4に入射すると、蛍光板4で
X線が可視光に変換され、ガラス基板上に薄膜半導体プ
ロセスによって作製された光電変換基板1に入射され
る。光電変換基板1で入射光が光電変換されることによ
り、電気信号となる。電気信号は電気配線部材12を経
由し、電気回路基板3に入力される。
【0035】ところで、上述したように、従来例のX線
撮像装置では、ガラス基板からなる蛍光板付き光電変換
基板をフレーム部材の平面上に接着固定するため、フレ
ーム部材の平面性が必要となり、フレーム部材の剛性を
保つためにフレーム部材は大重量化し、シテスム全体が
大重量化、大型化していた。
【0036】そこで、本発明の第4実施形態では、フレ
ーム部材50として、アルミ板とガラスエポキシ材とア
ルミ板とを積層したサンドイッチ型(図2参照)、鉄板
とガラスエポキシ材と鉄板とを積層したサンドイッチ型
(図3参照)又は鉛板とガラスエポキシ材と鉛板とを積
層したサンドイッチ型(図4参照)のいわゆるクラッド
材のフレーム部材を用いることにより、ガラス基板から
なる蛍光板付き光電変換基板1をフレーム部材に平面上
に接着固定するためのフレーム部材の平面性を維持させ
る構造となっている。これにより、フレーム自体を軽薄
化し、システム全体を軽量化、小型化することができ
る。
【0037】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、光
電変換基板をフレーム部材に平面上に接着固定するため
に、フレーム部材として、アルミ板とガラスエポキシ材
とアルミ板とを積層したサンドイッチ型構造、鉄板とガ
ラスエポキシ材と鉄板とを積層したサンドイッチ型構造
又は鉛板とガラスエポキシ材と鉛板とを積層したサンド
イッチ型構造のいわゆるクラッド材のフレーム部材を用
いることにより、フレーム部材の平面性を維持させ、フ
レーム自体を軽薄化し、システム全体の軽量化及び小型
化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1実施形態の光電変換装置の構成を
示す断面図である。
【図2】図1のA部を拡大した図であり、フレーム部材
としてアルミ板とエポキシ材とアルミ板とを積層したサ
ンドイッチ型のフレーム部材を用いた断面図である。
【図3】本発明の第2実施形態の光電変換装置の要部の
構成を示す図であり、フレーム部材として鉄板とエポキ
シ材と鉄板とを積層したサンドイッチ型のフレーム部材
を用いた断面図である。
【図4】本発明の第3実施形態の光電変換装置の要部の
構成を示す図であり、フレーム部材として鉛板とエポキ
シ材と鉛板とを積層したサンドイッチ型のフレーム部材
を用いた断面図である。
【図5】本発明の第4実施形態のX線撮像装置の構成を
示す断面図である。
【図6】従来例のクラッド材を用いない光電変換装置の
構成を示す断面図である。
【符号の説明】
1 光電変換基板 2、30、40、50 フレーム部材 3 電気回路基板 4 蛍光板 21 アルミ板 22 エポキシ材 23 アルミ板 31 鉄板 32 エポキシ材 33 鉄板 41 鉛板 42 エポキシ材 43 鉛板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 2G088 EE01 EE27 FF02 FF14 GG19 GG20 JJ05 JJ09 JJ23 JJ29 JJ30 JJ37 4M118 AA10 AB10 BA05 CB06 CB11 GA10 HA20 HA22 HA25 5B047 AA01 AA17 BA02 BB04 BC01 5C072 AA01 BA01 EA04 FA08 VA01 XA01

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 複数個の光電変換素子と薄膜トランジス
    タが二次元的に等間隔で配列された光電変換基板を備え
    た光電変換装置において、 前記光電変換基板を、少なくともガラスエポキシ材を含
    む複数の材料を積層したサンドイッチ型構造を有するフ
    レーム部材に搭載してなることを特徴とする光電変換装
    置。
  2. 【請求項2】 前記光電変換基板を、前記ガラスエポキ
    シ材の上面及び下面にアルミ板を各々積層したサンドイ
    ッチ型構造を有するフレーム部材に搭載してなることを
    特徴とする請求項1に記載の光電変換装置。
  3. 【請求項3】 前記光電変換基板を、前記ガラスエポキ
    シ材の上面及び下面に鉄板を各々積層したサンドイッチ
    型構造を有するフレーム部材に搭載してなることを特徴
    とする請求項1に記載の光電変換装置。
  4. 【請求項4】 前記光電変換基板を、前記ガラスエポキ
    シ材の上面及び下面に鉛板を各々積層したサンドイッチ
    型構造を有するフレーム部材に搭載してなることを特徴
    とする請求項1に記載の光電変換装置。
  5. 【請求項5】 複数個の光電変換素子と薄膜トランジス
    タが二次元的に等間隔で配列された光電変換基板に蛍光
    板を貼り合わせた構造を有するX線撮像装置において、 前記光電変換基板を、少なくともガラスエポキシ材を含
    む複数の材料を積層したサンドイッチ型構造を有するフ
    レーム部材に搭載してなることを特徴とするX線撮像装
    置。
  6. 【請求項6】 前記光電変換基板を、前記ガラスエポキ
    シ材の上面及び下面にアルミ板を各々積層したサンドイ
    ッチ型構造を有するフレーム部材に搭載してなることを
    特徴とする請求項5に記載のX線撮像装置。
  7. 【請求項7】 前記光電変換基板を、前記ガラスエポキ
    シ材の上面及び下面に鉄板を各々積層したサンドイッチ
    型構造を有するフレーム部材に搭載してなることを特徴
    とする請求項5に記載のX線撮像装置。
  8. 【請求項8】 前記光電変換基板を、前記ガラスエポキ
    シ材の上面及び下面に鉛板を各々積層したサンドイッチ
    型構造を有するフレーム部材に搭載してなることを特徴
    とする請求項5に記載のX線撮像装置。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008510130A (ja) * 2004-08-13 2008-04-03 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ ソリッドステート検出器パッケージングの技術
JP2009020099A (ja) * 2007-07-10 2009-01-29 General Electric Co <Ge> ディジタルx線検出器
WO2009044657A1 (ja) * 2007-10-01 2009-04-09 Hamamatsu Photonics K.K. 放射線検出器

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