JP2002090461A - 放射線撮像装置 - Google Patents
放射線撮像装置Info
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- JP2002090461A JP2002090461A JP2000280279A JP2000280279A JP2002090461A JP 2002090461 A JP2002090461 A JP 2002090461A JP 2000280279 A JP2000280279 A JP 2000280279A JP 2000280279 A JP2000280279 A JP 2000280279A JP 2002090461 A JP2002090461 A JP 2002090461A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 フォトタイマーを撮影有効面の周辺や撮影面
の裏面に配置しているので、装置が大型化、部品点数が
増加する。 【解決手段】 光電変換基板の光電変換素子が配置され
ない隅部に放射線量を測定する放射線量測定素子を配置
する。
の裏面に配置しているので、装置が大型化、部品点数が
増加する。 【解決手段】 光電変換基板の光電変換素子が配置され
ない隅部に放射線量を測定する放射線量測定素子を配置
する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、Ｘ線等の放射線の
読み取りを行う二次元の光電変換基板を用いた放射線撮
像装置に関するものである。
読み取りを行う二次元の光電変換基板を用いた放射線撮
像装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、ファクシミリや複写機、スキャナ
あるいはＸ線撮像装置等の読み取り装置としては、縮小
光学系とＣＣＤ型センサを組み合わせたシステムで構成
されている。しかしながら、近年になり水素化アモルフ
ァスシリコン（以下ａ−Ｓｉと記す）に代表される光電
変換半導体材料の開発により、光電変換素子及び信号処
理部を大面積の基板に形成し、情報源と等倍の光学系で
読み取る密着型センサの開発が進んでいる。
あるいはＸ線撮像装置等の読み取り装置としては、縮小
光学系とＣＣＤ型センサを組み合わせたシステムで構成
されている。しかしながら、近年になり水素化アモルフ
ァスシリコン（以下ａ−Ｓｉと記す）に代表される光電
変換半導体材料の開発により、光電変換素子及び信号処
理部を大面積の基板に形成し、情報源と等倍の光学系で
読み取る密着型センサの開発が進んでいる。
【０００３】特に、ａ−Ｓｉは光電変換材料としてだけ
でなく、薄膜電界効果型トランジスタ（以下、ＴＦＴと
記す）の半導体材料としても用いることができるので、
光電変換半導体層とＴＦＴの半導体層を同時に形成でき
る利点を有している。
でなく、薄膜電界効果型トランジスタ（以下、ＴＦＴと
記す）の半導体材料としても用いることができるので、
光電変換半導体層とＴＦＴの半導体層を同時に形成でき
る利点を有している。
【０００４】一方、光電変換半導体層とＴＦＴの半導体
層を同時に形成した大面積光電変換基板上にＸ線を可視
光に波長変換する材料を組み合わせてＸ線による撮像を
行うＸ線撮像装置が知られている。このようなＸ線撮像
装置においては、多種の被写体の差によるＸ線量の強弱
と大面積撮影部の光電変換後の電気出力とのマッチング
をとる必要があるため、光電変換基板の周辺にＸ線量を
計測するユニットが配置されている。
層を同時に形成した大面積光電変換基板上にＸ線を可視
光に波長変換する材料を組み合わせてＸ線による撮像を
行うＸ線撮像装置が知られている。このようなＸ線撮像
装置においては、多種の被写体の差によるＸ線量の強弱
と大面積撮影部の光電変換後の電気出力とのマッチング
をとる必要があるため、光電変換基板の周辺にＸ線量を
計測するユニットが配置されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
銀塩系フィルムによるＸ線撮影装置において多種の被写
体の差によるＸ線量の強弱を測定する線量ユニット（フ
ォトタイマー）を撮影有効面の周辺や撮影面の裏面に配
置するのと同様に、光電変換基板を用いたＸ線撮像装置
においてもＸ線量の強弱を測定する線量ユニット（フォ
トタイマー）を撮影有効面の周辺や撮影面の裏面に配置
しているので、装置の大型化や部品点数が増加する等の
問題があった。
銀塩系フィルムによるＸ線撮影装置において多種の被写
体の差によるＸ線量の強弱を測定する線量ユニット（フ
ォトタイマー）を撮影有効面の周辺や撮影面の裏面に配
置するのと同様に、光電変換基板を用いたＸ線撮像装置
においてもＸ線量の強弱を測定する線量ユニット（フォ
トタイマー）を撮影有効面の周辺や撮影面の裏面に配置
しているので、装置の大型化や部品点数が増加する等の
問題があった。
【０００６】本発明は、上記従来の問題点に鑑みなされ
たもので、その目的は、放射線量測定素子を光電変換基
板の隅部に配置することにより、小型化、軽量化が可能
な放射線撮像装置を提供することにある。
たもので、その目的は、放射線量測定素子を光電変換基
板の隅部に配置することにより、小型化、軽量化が可能
な放射線撮像装置を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の目的は、光電変
換素子及びＴＦＴ部が二次元に配列された光電変換基板
を有する放射線撮像装置において、前記光電変換基板の
光電変換素子が配置されない隅部に放射線量を測定する
放射線量測定素子を配置したことを特徴とする放射線撮
像装置によって達成される。
換素子及びＴＦＴ部が二次元に配列された光電変換基板
を有する放射線撮像装置において、前記光電変換基板の
光電変換素子が配置されない隅部に放射線量を測定する
放射線量測定素子を配置したことを特徴とする放射線撮
像装置によって達成される。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して詳細に説明する。
て図面を参照して詳細に説明する。
【０００９】（第１の実施形態）図１は本発明の放射線
撮像装置における第１の実施形態の構成を示す平面図で
ある。図１において、１はＸ線量測定ユニット、２は電
気接続部、３はＸ線撮影有効面、４はガラス基板であ
る。Ｘ線撮影有効面３はガラス基板４上に薄膜半導体プ
ロセスによって作製された光電変換素子であるセンサ部
と光電変換後の電気信号を転送するＴＦＴ部とからな
り、その転送信号は電気接続部２を経由し光電変換基板
から外部に出力される。
撮像装置における第１の実施形態の構成を示す平面図で
ある。図１において、１はＸ線量測定ユニット、２は電
気接続部、３はＸ線撮影有効面、４はガラス基板であ
る。Ｘ線撮影有効面３はガラス基板４上に薄膜半導体プ
ロセスによって作製された光電変換素子であるセンサ部
と光電変換後の電気信号を転送するＴＦＴ部とからな
り、その転送信号は電気接続部２を経由し光電変換基板
から外部に出力される。
【００１０】光電変換素子はＸ線撮影有効面３内に配置
され、その周辺に電気接続部２が配置されている。Ｘ線
撮影有効面３の最大４辺から電気接続線が配線されると
すると、電気接続部２は最大４個所に存在するが、光電
変換素子のＸ線撮影有効面３はガラス基板４内に配置さ
れ、その外周の周辺は電気接続部２が配置されているの
で、ガラス基板４の４隅のコーナー部は光電変換素子も
電気接続部２も配置されない空きスペースとなる。この
ガラス基板４の４隅のコーナー部の光電変換素子も電気
接続部２も配置されない空きスペースにＸ線量測定ユニ
ット１が配置されている。
され、その周辺に電気接続部２が配置されている。Ｘ線
撮影有効面３の最大４辺から電気接続線が配線されると
すると、電気接続部２は最大４個所に存在するが、光電
変換素子のＸ線撮影有効面３はガラス基板４内に配置さ
れ、その外周の周辺は電気接続部２が配置されているの
で、ガラス基板４の４隅のコーナー部は光電変換素子も
電気接続部２も配置されない空きスペースとなる。この
ガラス基板４の４隅のコーナー部の光電変換素子も電気
接続部２も配置されない空きスペースにＸ線量測定ユニ
ット１が配置されている。
【００１１】従来の銀塩系フィルムによるＸ線撮像装置
に使用されているＸ線量測定ユニットは、多種の被写体
の差によるＸ線量の強弱であるＸ線源の管電圧、管電流
やＸ線源から撮影装置までの距離、撮影装置の感度等に
よるＸ線量の測定をする線量ユニット（フォトタイマ
ー）から成っていて、撮影有効面の周辺や撮影面の裏面
に配置されている。また、同様に従来の光電変換基板を
用いたＸ線撮像装置においても、Ｘ線量の強弱を測定す
る線量ユニットは撮影有効面の周辺や撮影面の裏面に配
置されているが、撮影有効面の周辺配置の場合は装置全
体が大面積化し、撮影面の裏面に配置すると装置が厚型
化や大型化し、部品点数が増加する等の課題があった。
に使用されているＸ線量測定ユニットは、多種の被写体
の差によるＸ線量の強弱であるＸ線源の管電圧、管電流
やＸ線源から撮影装置までの距離、撮影装置の感度等に
よるＸ線量の測定をする線量ユニット（フォトタイマ
ー）から成っていて、撮影有効面の周辺や撮影面の裏面
に配置されている。また、同様に従来の光電変換基板を
用いたＸ線撮像装置においても、Ｘ線量の強弱を測定す
る線量ユニットは撮影有効面の周辺や撮影面の裏面に配
置されているが、撮影有効面の周辺配置の場合は装置全
体が大面積化し、撮影面の裏面に配置すると装置が厚型
化や大型化し、部品点数が増加する等の課題があった。
【００１２】そこで、本実施形態では、図１に示すよう
にガラス基板４のＸ線撮影有効面３の周辺に電気接続部
２を配置し、ガラス基板４の４隅のコーナー部の光電変
換素子も電気接続部２も配置されないスペースにＸ線量
測定ユニット１を配置することによって装置の大面積
化、厚型化、大型化を防いでいる。
にガラス基板４のＸ線撮影有効面３の周辺に電気接続部
２を配置し、ガラス基板４の４隅のコーナー部の光電変
換素子も電気接続部２も配置されないスペースにＸ線量
測定ユニット１を配置することによって装置の大面積
化、厚型化、大型化を防いでいる。
【００１３】（第２の実施形態）図２は本発明の第２の
実施形態を示す平面図である。図２において、４はガラ
ス基板、５は配線（信号線）、６は配線（駆動線）、７
は光電変換素子であるセンサ部、８は光電変換後の電気
信号を転送するＴＦＴ部、９はＸ線量測定用のセンサ
部、１０はＸ線量測定用のセンサ電気信号を転送するＴ
ＦＴ部、１１はＸ線量測定用の配線（信号線）、１２は
Ｘ線量測定用の配線（駆動線）、１３は５の配線（信号
線）と６の配線（駆動線）のクロス部である。
実施形態を示す平面図である。図２において、４はガラ
ス基板、５は配線（信号線）、６は配線（駆動線）、７
は光電変換素子であるセンサ部、８は光電変換後の電気
信号を転送するＴＦＴ部、９はＸ線量測定用のセンサ
部、１０はＸ線量測定用のセンサ電気信号を転送するＴ
ＦＴ部、１１はＸ線量測定用の配線（信号線）、１２は
Ｘ線量測定用の配線（駆動線）、１３は５の配線（信号
線）と６の配線（駆動線）のクロス部である。
【００１４】本実施形態では、ガラス基板４の４隅のコ
ーナー部の光電変換素子が配置されないスペースに、Ｘ
線量測定センサ部９とＸ線量測定ＴＦＴ部１０をＸ線撮
影有効面内の光電変換素子であるセンサ部７と光電変換
後電気信号を転送するＴＦＴ部８と同一材料でＸ線量測
定ユニットとして配置している。同一材料とは、例え
ば、従来技術で説明したようなａ−Ｓｉであり、このａ
−Ｓｉを用いることによって双方を同時に形成してい
る。
ーナー部の光電変換素子が配置されないスペースに、Ｘ
線量測定センサ部９とＸ線量測定ＴＦＴ部１０をＸ線撮
影有効面内の光電変換素子であるセンサ部７と光電変換
後電気信号を転送するＴＦＴ部８と同一材料でＸ線量測
定ユニットとして配置している。同一材料とは、例え
ば、従来技術で説明したようなａ−Ｓｉであり、このａ
−Ｓｉを用いることによって双方を同時に形成してい
る。
【００１５】従来、前述のようにＸ線量を測定するた
め、多種の被写体の差によるＸ線量の強弱であるＸ線源
の管電圧、管電流やＸ線源から撮影装置までの距離、撮
影装置の感度等によるＸ線量の測定する線量ユニット
（フォトタイマー）を撮影有効面の周辺や撮影面の裏面
に配置しているが、撮影有効面の周辺に配置すると装置
全体が大面積化し、撮影面の裏面に配置すると装置が厚
型化、大型化し、部品点数が増加する問題があった。
め、多種の被写体の差によるＸ線量の強弱であるＸ線源
の管電圧、管電流やＸ線源から撮影装置までの距離、撮
影装置の感度等によるＸ線量の測定する線量ユニット
（フォトタイマー）を撮影有効面の周辺や撮影面の裏面
に配置しているが、撮影有効面の周辺に配置すると装置
全体が大面積化し、撮影面の裏面に配置すると装置が厚
型化、大型化し、部品点数が増加する問題があった。
【００１６】第２の実施形態では、ガラス基板の４隅の
コーナー部の光電変換素子も電気接続部も配置されない
スペースに、Ｘ線量測定センサ部９とＸ線測定ＴＦＴ部
１０をＸ線撮影有効面内の光電変換素子であるセンサ部
７と光電変換後電気信号を転送するＴＦＴ部８と同一材
料でＸ線量測定ユニットとして配置しているので、装置
の大面積化、厚型化、大型化を防ぐことができると共
に、製造を容易に行うことができる。
コーナー部の光電変換素子も電気接続部も配置されない
スペースに、Ｘ線量測定センサ部９とＸ線測定ＴＦＴ部
１０をＸ線撮影有効面内の光電変換素子であるセンサ部
７と光電変換後電気信号を転送するＴＦＴ部８と同一材
料でＸ線量測定ユニットとして配置しているので、装置
の大面積化、厚型化、大型化を防ぐことができると共
に、製造を容易に行うことができる。
【００１７】また、多種の被写体の差によるＸ線量の強
弱であるＸ線源の管電圧、管電流やＸ線源から撮影装置
までの距離、撮影装置の感度等によるＸ線量を測定する
線量ユニット（フォトタイマー）は撮影有効面の光電変
換素子とは独立駆動である。この時、光蓄積時間が撮影
有効面内の光電変換素子の光蓄積時間より長時間必要な
場合、Ｘ線量測定センサ部９とＸ線測定ＴＦＴ部１０が
撮影有効面の光電変換素子であるセンサ部７及び光電変
換後電気信号を転送するＴＦＴ部８と同一構造である
と、Ｘ線量測定センサ部９及びＸ線量測定ＴＦＴ部９の
面積（サイズ）は撮影有効面の光電変換素子であるセン
サ部７及び光電変換後電気信号を転送するＴＦＴ部８よ
り大面積になる。
弱であるＸ線源の管電圧、管電流やＸ線源から撮影装置
までの距離、撮影装置の感度等によるＸ線量を測定する
線量ユニット（フォトタイマー）は撮影有効面の光電変
換素子とは独立駆動である。この時、光蓄積時間が撮影
有効面内の光電変換素子の光蓄積時間より長時間必要な
場合、Ｘ線量測定センサ部９とＸ線測定ＴＦＴ部１０が
撮影有効面の光電変換素子であるセンサ部７及び光電変
換後電気信号を転送するＴＦＴ部８と同一構造である
と、Ｘ線量測定センサ部９及びＸ線量測定ＴＦＴ部９の
面積（サイズ）は撮影有効面の光電変換素子であるセン
サ部７及び光電変換後電気信号を転送するＴＦＴ部８よ
り大面積になる。
【００１８】図２は撮影有効面内の光電変換素子である
センサ部７、及び光電変換後電気信号を転送するＴＦＴ
部８より大面積になるＸ線量測定センサ部９及びＸ線量
測定用のセンサ電気信号を転送するＴＦＴ部１０を１素
子で構成した場合の例を示している。
センサ部７、及び光電変換後電気信号を転送するＴＦＴ
部８より大面積になるＸ線量測定センサ部９及びＸ線量
測定用のセンサ電気信号を転送するＴＦＴ部１０を１素
子で構成した場合の例を示している。
【００１９】図３はＸ線量測定用センサ部１４及びＸ線
量測定用のセンサ電気信号を転送するＴＦＴ部１５を２
素子以上の多素子で構成した場合の図である。図２と同
一部分は同一符号を付している。Ｘ線量測定用のセンサ
電気信号を転送するＴＦＴ部１４から撮影有効面の光電
変換素子であるセンサ部７及び光電変換後電気信号を転
送するＴＦＴ部８とは独立して外部に配線されている。
量測定用のセンサ電気信号を転送するＴＦＴ部１５を２
素子以上の多素子で構成した場合の図である。図２と同
一部分は同一符号を付している。Ｘ線量測定用のセンサ
電気信号を転送するＴＦＴ部１４から撮影有効面の光電
変換素子であるセンサ部７及び光電変換後電気信号を転
送するＴＦＴ部８とは独立して外部に配線されている。
【００２０】また、図２と同様にガラス基板４の４隅の
コーナー部の光電変換素子が配置されないスペースに、
Ｘ線量測定センサ部１４、Ｘ線量測定ＴＦＴ部１５をＸ
線撮影有効面内の光電変換素子であるセンサ部７と光電
変換後電気信号を転送するＴＦＴ部８と同一材料で、Ｘ
線量測定ユニットとして配置している。従って、図３に
おいてもシステム全体を軽量化、小型化できると共に、
光電変換基板を容易に作製することができる。
コーナー部の光電変換素子が配置されないスペースに、
Ｘ線量測定センサ部１４、Ｘ線量測定ＴＦＴ部１５をＸ
線撮影有効面内の光電変換素子であるセンサ部７と光電
変換後電気信号を転送するＴＦＴ部８と同一材料で、Ｘ
線量測定ユニットとして配置している。従って、図３に
おいてもシステム全体を軽量化、小型化できると共に、
光電変換基板を容易に作製することができる。
【００２１】（第３の実施形態）図４は本発明の第３の
実施形態を示す断面図である。図４において、１６はＸ
線を光に変換する波長変換材料（蛍光板）、４はガラス
基板、７は光電変換素子であるセンサ部、８は光電変換
後電気信号を転送するＴＦＴ部、９はＸ線量測定用セン
サ部、１０はＸ線量測定用のセンサ電気信号を転送する
ＴＦＴ部である。本実施形態では、ガラス基板４の４隅
のコーナー部の光電変換素子が配置されないスペースに
Ｘ線量測定用センサ部９とＴＦＴ部１０を、Ｘ線撮影有
効面内の光電変換素子であるセンサ部７と光電変換後電
気信号を転送するＴＦＴ部８と同一材料で、更に、波長
変換材料１６と同一の材料で構成し、Ｘ線量測定ユニッ
トとして配置している。
実施形態を示す断面図である。図４において、１６はＸ
線を光に変換する波長変換材料（蛍光板）、４はガラス
基板、７は光電変換素子であるセンサ部、８は光電変換
後電気信号を転送するＴＦＴ部、９はＸ線量測定用セン
サ部、１０はＸ線量測定用のセンサ電気信号を転送する
ＴＦＴ部である。本実施形態では、ガラス基板４の４隅
のコーナー部の光電変換素子が配置されないスペースに
Ｘ線量測定用センサ部９とＴＦＴ部１０を、Ｘ線撮影有
効面内の光電変換素子であるセンサ部７と光電変換後電
気信号を転送するＴＦＴ部８と同一材料で、更に、波長
変換材料１６と同一の材料で構成し、Ｘ線量測定ユニッ
トとして配置している。
【００２２】このように本実施形態においては、ガラス
基板の４隅のコーナー部の光電変換素子が配置されない
スペースに、Ｘ線量測定用センサ部９、Ｘ線量測定ＴＦ
Ｔ部１０を、Ｘ線撮影有効面内の光電変換素子であるセ
ンサ部７と光電変換後電気信号を転送するＴＦＴ部８と
同一材料で、更に、Ｘ線を可視光に変換する波長変換材
料１６と同一材料で構成されたＸ線量測定ユニットとし
て配置しているので、装置を軽量化、小型化でき、更
に、製造が容易で部品点数を削減することが可能であ
る。
基板の４隅のコーナー部の光電変換素子が配置されない
スペースに、Ｘ線量測定用センサ部９、Ｘ線量測定ＴＦ
Ｔ部１０を、Ｘ線撮影有効面内の光電変換素子であるセ
ンサ部７と光電変換後電気信号を転送するＴＦＴ部８と
同一材料で、更に、Ｘ線を可視光に変換する波長変換材
料１６と同一材料で構成されたＸ線量測定ユニットとし
て配置しているので、装置を軽量化、小型化でき、更
に、製造が容易で部品点数を削減することが可能であ
る。
【００２３】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、光
電変換基板の隅部に放射線量測定素子を配置することに
より、光電変換基板の大型化、厚型化等を防ぎ、システ
ム全体を小型化、軽量化できるという効果がある。
電変換基板の隅部に放射線量測定素子を配置することに
より、光電変換基板の大型化、厚型化等を防ぎ、システ
ム全体を小型化、軽量化できるという効果がある。
【図１】本発明の放射線撮像装置の第１の実施形態を示
す平面図である。
す平面図である。
【図２】本発明の第２の実施形態を示す平面図である。
【図３】図２のＸ線量測定センサ部とＸ線量測定ＴＦＴ
部を多素子で構成した平面図である。
部を多素子で構成した平面図である。
【図４】本発明の第３の実施形態を示す断面図である。
１ Ｘ線量測定ユニット ２ 電気接続部 ３ Ｘ線撮影有効面 ４ ガラス基板 ５ 配線（信号線） ６ 配線（駆動線） ７ 光電変換素子であるセンサ部 ８ 光電変換後電気信号を転送するＴＦＴ部 ９ Ｘ線量測定用センサ部 １０ Ｘ線量測定用のセンサ電気信号を転送するＴＦ
Ｔ部 １１ Ｘ線量測定用の配線（信号線） １２ Ｘ線量測定用の配線（駆動線） １３ ５の配線（信号線）と６の配線（駆動線）のク
ロス部 １４ Ｘ線量測定センサ部 １５ Ｘ線量測定ＴＦＴ部 １６ 波長変換材料（蛍光板）
Ｔ部 １１ Ｘ線量測定用の配線（信号線） １２ Ｘ線量測定用の配線（駆動線） １３ ５の配線（信号線）と６の配線（駆動線）のク
ロス部 １４ Ｘ線量測定センサ部 １５ Ｘ線量測定ＴＦＴ部 １６ 波長変換材料（蛍光板）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 31/09 Ｈ０１Ｌ 27/14 Ｋ Ｈ０４Ｎ 5/32 Ｚ 31/00 Ａ Ｆターム(参考） 2G088 BB05 FF02 GG19 GG20 GG21 JJ05 KK32 4M118 AA10 AB01 BA05 CA11 CA14 CA40 FB03 FB09 FB13 FB24 FB25 FB30 5C024 AX11 AX16 CY47 EX11 HX40 5F088 AB05 BA15 BA16 BB03 EA04 EA08 HA20 KA03 LA08
Claims (4)
- 【請求項１】 光電変換素子及びＴＦＴ部が二次元に配
列された光電変換基板を有する放射線撮像装置におい
て、前記光電変換基板の光電変換素子が配置されない隅
部に放射線量を測定する放射線量測定素子を配置したこ
とを特徴とする放射線撮像装置。 - 【請求項２】 前記放射線量測定素子は、光電変換基板
の４隅に配置されていることを特徴とする請求項１に記
載の放射線撮像装置。 - 【請求項３】 前記放射線量測定素子は、前記光電変換
素子及びＴＦＴ部と同一材料で構成されていることを特
徴とする請求項１又は２に記載の放射線撮像装置。 - 【請求項４】 更に、放射線を光に変換する波長変換材
料を含み、前記放射線量測定素子は前記波長変換材料と
同一材料で構成されていることを特徴とする請求項１〜
３のいずれかに記載の放射線撮像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000280279A JP4508390B2 (ja) | 2000-09-14 | 2000-09-14 | 放射線撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000280279A JP4508390B2 (ja) | 2000-09-14 | 2000-09-14 | 放射線撮像装置 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002090461A true JP2002090461A (ja) | 2002-03-27 |
| JP2002090461A5 JP2002090461A5 (ja) | 2007-10-25 |
| JP4508390B2 JP4508390B2 (ja) | 2010-07-21 |
Family
ID=18765151
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000280279A Expired - Fee Related JP4508390B2 (ja) | 2000-09-14 | 2000-09-14 | 放射線撮像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4508390B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005087281A (ja) * | 2003-09-12 | 2005-04-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Ｘ線撮影装置 |
| JP2010091586A (ja) * | 2010-01-28 | 2010-04-22 | Shimadzu Corp | 放射線検出装置 |
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