JP2002236180A - 放射線検出装置及びそれを用いた放射線撮像システム - Google Patents
放射線検出装置及びそれを用いた放射線撮像システムInfo
- Publication number
- JP2002236180A JP2002236180A JP2001029723A JP2001029723A JP2002236180A JP 2002236180 A JP2002236180 A JP 2002236180A JP 2001029723 A JP2001029723 A JP 2001029723A JP 2001029723 A JP2001029723 A JP 2001029723A JP 2002236180 A JP2002236180 A JP 2002236180A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photoelectric conversion
- radiation
- wavelength converter
- substrates
- wiring
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Measurement Of Radiation (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Image Input (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Facsimile Heads (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 光電変換基板を６基板以上二次元配列して波
長変換体と組み合わせた放射線検出装置において、中央
部に配置された光電変換基板に、波長変換後の可視光の
透過率を低下させずに配線可能とする放射線検出装置を
提供する。 【解決手段】 Ｘ線検出装置のＸ線撮影有効面１にはＸ
線を可視光に変換する波長変換体５が形成されて、その
波長変換体５は可視光を反射させて光電変換基板に光を
導くための反射層６を備えている。この反射層６に駆動
回路配線と共用するため配線パターンを行い、ＴＦＴへ
の駆動電力を供給する。信号回路配線として用いても同
様である。光電変換基板から波長変換体５の導電性反射
層６に接続するための上下接続部９は、導電性の材料を
光電変換基板に形成し、ガラス基板４による光電変換基
板を平面的に配列するとき、波長変換体５中の上下接続
部９と位置合せを行い、電気的に接続を行う。
長変換体と組み合わせた放射線検出装置において、中央
部に配置された光電変換基板に、波長変換後の可視光の
透過率を低下させずに配線可能とする放射線検出装置を
提供する。 【解決手段】 Ｘ線検出装置のＸ線撮影有効面１にはＸ
線を可視光に変換する波長変換体５が形成されて、その
波長変換体５は可視光を反射させて光電変換基板に光を
導くための反射層６を備えている。この反射層６に駆動
回路配線と共用するため配線パターンを行い、ＴＦＴへ
の駆動電力を供給する。信号回路配線として用いても同
様である。光電変換基板から波長変換体５の導電性反射
層６に接続するための上下接続部９は、導電性の材料を
光電変換基板に形成し、ガラス基板４による光電変換基
板を平面的に配列するとき、波長変換体５中の上下接続
部９と位置合せを行い、電気的に接続を行う。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、放射線を光に変換
し、複数の光電変換基板を用いて画像の等倍読み取りを
行う放射線検出装置に関する。
し、複数の光電変換基板を用いて画像の等倍読み取りを
行う放射線検出装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、ファクシミリや複写機、スキャナ
あるいはＸ線撮像装置等の読み取り装置は、縮小光学系
とＣＣＤ型センサを組み合わせたシステムであった。し
かしながら、近年になり水素化アモルファスシリコン
（以下ａ−Ｓｉと記す）に代表される光電変換半導体材
料の開発により、光電変換素子及び信号処理部を大面積
の基板に形成し、情報源と等倍の光学系で読み取る密着
型センサの開発が進んでいる。
あるいはＸ線撮像装置等の読み取り装置は、縮小光学系
とＣＣＤ型センサを組み合わせたシステムであった。し
かしながら、近年になり水素化アモルファスシリコン
（以下ａ−Ｓｉと記す）に代表される光電変換半導体材
料の開発により、光電変換素子及び信号処理部を大面積
の基板に形成し、情報源と等倍の光学系で読み取る密着
型センサの開発が進んでいる。
【０００３】特にａ−Ｓｉは光電変換材料としてだけで
なく、薄膜電界効果型トランジスタ（以下ＴＦＴと記
す）の半導体材料としても用いることができるので、ガ
ラス基板上に光電変換半導体層とＴＦＴの半導体層とを
同時に形成することができる利点を有している。さら
に、光電変換半導体層とＴＦＴの半導体層とを同時に形
成した大面積光電変換基板上に、Ｘ線を可視光に波長変
換する波長変換体を組み合わせるＸ線検出装置がある。
なく、薄膜電界効果型トランジスタ（以下ＴＦＴと記
す）の半導体材料としても用いることができるので、ガ
ラス基板上に光電変換半導体層とＴＦＴの半導体層とを
同時に形成することができる利点を有している。さら
に、光電変換半導体層とＴＦＴの半導体層とを同時に形
成した大面積光電変換基板上に、Ｘ線を可視光に波長変
換する波長変換体を組み合わせるＸ線検出装置がある。
【０００４】ところが、こうした大面積光電変換基板を
製作する場合において、１枚のガラス基板が大きくなれ
ばなるほど、基板１枚あたりの歩留まりは低くなり、同
時に基板１枚あたりの不具合による損失額も大きくな
る。そこで、大面積光電変換基板を製作する場合、基板
１枚あたりの不具合による損失を少なくするために、複
数枚の基板を平面的に配列して貼り合わせることにより
大面積な光電変換装置を構成し、さらにＸ線を可視光に
波長変換する波長変換体を組み合わせるＸ線検出装置が
提案されている。
製作する場合において、１枚のガラス基板が大きくなれ
ばなるほど、基板１枚あたりの歩留まりは低くなり、同
時に基板１枚あたりの不具合による損失額も大きくな
る。そこで、大面積光電変換基板を製作する場合、基板
１枚あたりの不具合による損失を少なくするために、複
数枚の基板を平面的に配列して貼り合わせることにより
大面積な光電変換装置を構成し、さらにＸ線を可視光に
波長変換する波長変換体を組み合わせるＸ線検出装置が
提案されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、光電変
換基板を駆動させる電気回路は、ＴＦＴを駆動するため
の駆動回路とその出力を読み出す信号回路の少なくとも
２回路以上の電気回路電極が必要である。高精細になれ
ばなるほどこれらの電気回路電極が多数になる。二次元
的に配列された光電変換基板を駆動させる電気回路は、
各ＴＦＴの駆動回路と各ＴＦＴからの信号回路とを少な
くとも光電変換基板の端辺２辺から外部に配置するの
で、光電変換基板４基板を２列２行に配置した場合は、
駆動回路もしくは信号回路を、光電変換基板の少なくと
も隣り合った２端辺から外部に配置することが出来る。
換基板を駆動させる電気回路は、ＴＦＴを駆動するため
の駆動回路とその出力を読み出す信号回路の少なくとも
２回路以上の電気回路電極が必要である。高精細になれ
ばなるほどこれらの電気回路電極が多数になる。二次元
的に配列された光電変換基板を駆動させる電気回路は、
各ＴＦＴの駆動回路と各ＴＦＴからの信号回路とを少な
くとも光電変換基板の端辺２辺から外部に配置するの
で、光電変換基板４基板を２列２行に配置した場合は、
駆動回路もしくは信号回路を、光電変換基板の少なくと
も隣り合った２端辺から外部に配置することが出来る。
【０００６】１枚のガラス基板からなる光電変換基板の
場合は、図６に示すようにＸ線撮影有効面１の４辺から
駆動回路２、信号回路３それぞれ電気接続線が配線され
るとすると電気接続部は最大４個所に存在する。また、
４枚のガラス基板からなる光電変換基板の場合は、図７
に示すように駆動回路２と信号回路３を光電変換基板の
隣り合った２辺から引き出し、Ｘ線撮影有効面１の前面
４辺から駆動回路２、信号回路３それぞれの電気接続線
が配線される。
場合は、図６に示すようにＸ線撮影有効面１の４辺から
駆動回路２、信号回路３それぞれ電気接続線が配線され
るとすると電気接続部は最大４個所に存在する。また、
４枚のガラス基板からなる光電変換基板の場合は、図７
に示すように駆動回路２と信号回路３を光電変換基板の
隣り合った２辺から引き出し、Ｘ線撮影有効面１の前面
４辺から駆動回路２、信号回路３それぞれの電気接続線
が配線される。
【０００７】しかし、隣り合った２端辺から駆動回路と
信号回路を引き出した光電変換基板を６基板以上の複数
枚二次元配列する場合は、駆動回路と信号回路の引き出
し線を光電変換基板の端辺から外部に配置することが出
来ない光電変換基板が存在することになる。
信号回路を引き出した光電変換基板を６基板以上の複数
枚二次元配列する場合は、駆動回路と信号回路の引き出
し線を光電変換基板の端辺から外部に配置することが出
来ない光電変換基板が存在することになる。
【０００８】６枚以上のガラス基板からなる光電変換基
板の駆動回路と信号回路を隣り合った２辺から引き出し
た場合は、Ｘ線撮影有効面の４辺から駆動回路、信号回
路それぞれの電気接続線が配線されるが、中央部に配置
された２枚以上の光電変換基板へのＴＦＴの駆動回路も
しくはＴＦＴからの信号回路のいずれかの引き出し配線
が困難となる。
板の駆動回路と信号回路を隣り合った２辺から引き出し
た場合は、Ｘ線撮影有効面の４辺から駆動回路、信号回
路それぞれの電気接続線が配線されるが、中央部に配置
された２枚以上の光電変換基板へのＴＦＴの駆動回路も
しくはＴＦＴからの信号回路のいずれかの引き出し配線
が困難となる。
【０００９】外部に配置することが出来ない光電変換基
板に隣接する基板から、駆動回路または信号回路の引き
出し線を接続する新たな配線をする場合、製作工程の複
雑化、コスト高などの問題があり、さらには光電変換基
板上に新たな配線を配置することは、波長変換後の可視
光の透過を妨げる恐れがある。波長変換体の上に配線を
配置すると、配線がＸ線を吸収し画像に配線の影がうつ
るからである。
板に隣接する基板から、駆動回路または信号回路の引き
出し線を接続する新たな配線をする場合、製作工程の複
雑化、コスト高などの問題があり、さらには光電変換基
板上に新たな配線を配置することは、波長変換後の可視
光の透過を妨げる恐れがある。波長変換体の上に配線を
配置すると、配線がＸ線を吸収し画像に配線の影がうつ
るからである。
【００１０】そこで本発明は、光電変換基板を６基板以
上の複数枚二次元配列して波長変換体と組み合わせた放
射線検出装置において、駆動回路と信号回路への引き出
し線を光電変換基板の端辺から外部に配置することが出
来ない光電変換基板に、波長変換後の可視光の透過率を
低下させず、安価に安定した工程で配線して外部回路へ
接続可能とする放射線検出装置を提供することを目的と
する。
上の複数枚二次元配列して波長変換体と組み合わせた放
射線検出装置において、駆動回路と信号回路への引き出
し線を光電変換基板の端辺から外部に配置することが出
来ない光電変換基板に、波長変換後の可視光の透過率を
低下させず、安価に安定した工程で配線して外部回路へ
接続可能とする放射線検出装置を提供することを目的と
する。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上述の課題を解決するた
め、本発明は、光電変換素子と薄膜トランジスタとから
形成される画素を、縦横二次元に等間隔で配列した光電
変換基板を、それらの端部を接続して複数枚配列し、放
射線を光に変換する波長変換体と組み合わせた放射線検
出装置において、前記波長変換体の導電性光反射層に、
前記光電変換基板を駆動又は信号処理する電気回路の電
極及び配線を形成し、前記光電変換基板を６基板以上二
次元配列することを特徴とする。
め、本発明は、光電変換素子と薄膜トランジスタとから
形成される画素を、縦横二次元に等間隔で配列した光電
変換基板を、それらの端部を接続して複数枚配列し、放
射線を光に変換する波長変換体と組み合わせた放射線検
出装置において、前記波長変換体の導電性光反射層に、
前記光電変換基板を駆動又は信号処理する電気回路の電
極及び配線を形成し、前記光電変換基板を６基板以上二
次元配列することを特徴とする。
【００１２】すなわち本発明は、光電変換基板を６基板
以上の複数枚配列する構成の放射線検出装置の場合、駆
動回路または信号回路への配線を光電変換基板の端辺か
ら外部に配置することが出来ない回路配線を、光電変換
基板上部の波長変換体の光反射層である導電性金属膜を
用い、これらの回路への配線として共用することによっ
て、これらの電気回路への配線及び電極を形成し、光電
変換基板を二次元配列してその駆動回路または信号回路
に接続する。
以上の複数枚配列する構成の放射線検出装置の場合、駆
動回路または信号回路への配線を光電変換基板の端辺か
ら外部に配置することが出来ない回路配線を、光電変換
基板上部の波長変換体の光反射層である導電性金属膜を
用い、これらの回路への配線として共用することによっ
て、これらの電気回路への配線及び電極を形成し、光電
変換基板を二次元配列してその駆動回路または信号回路
に接続する。
【００１３】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。
て図面を参照して説明する。
【００１４】（実施の形態１）図１は、本発明に係る第
１の実施の形態であるＸ線検出装置の平面図である。本
実施の形態のＸ線検出装置は、６枚の光電変換基板を二
次元に配列して構成され、１はＸ線撮影有効面、２は駆
動回路、３は信号回路、４はガラス基板である。
１の実施の形態であるＸ線検出装置の平面図である。本
実施の形態のＸ線検出装置は、６枚の光電変換基板を二
次元に配列して構成され、１はＸ線撮影有効面、２は駆
動回路、３は信号回路、４はガラス基板である。
【００１５】Ｘ線撮影有効面１はガラス基板４上に薄膜
半導体プロセスによって作製された光電変換素子である
センサ部と光電変換後の電気信号を転送するＴＦＴ部と
からなり、そのＴＦＴを駆動回路２で駆動し、またＴＦ
Ｔからの信号を信号回路３で処理して、光電変換基板か
ら電気信号を外部に出力する。このため各光電変換基板
は、ＴＦＴを駆動するための駆動回路２と、その出力を
読み出す信号回路３の少なくとも２回路以上の電気回路
電極が必要である。
半導体プロセスによって作製された光電変換素子である
センサ部と光電変換後の電気信号を転送するＴＦＴ部と
からなり、そのＴＦＴを駆動回路２で駆動し、またＴＦ
Ｔからの信号を信号回路３で処理して、光電変換基板か
ら電気信号を外部に出力する。このため各光電変換基板
は、ＴＦＴを駆動するための駆動回路２と、その出力を
読み出す信号回路３の少なくとも２回路以上の電気回路
電極が必要である。
【００１６】図２は、図１に示すＸ線検出装置のＡ−
Ａ′断面図である。４はガラス基板、５は波長変換体、
６は波長変換体導電性反射層、７はセンサ部、８はＴＦ
Ｔ部、９は上下接続部、１０は駆動回路配線、１１は信
号回路配線、１２は絶縁層、１３は信号回路電極、１５
は波長変換体の基台である。
Ａ′断面図である。４はガラス基板、５は波長変換体、
６は波長変換体導電性反射層、７はセンサ部、８はＴＦ
Ｔ部、９は上下接続部、１０は駆動回路配線、１１は信
号回路配線、１２は絶縁層、１３は信号回路電極、１５
は波長変換体の基台である。
【００１７】Ｘ線検出装置のＸ線撮影有効面１にはＸ線
を可視光に変換する波長変換体５が形成されて、その波
長変換体５は可視光を反射させ効率良く光電変換基板に
光を導くための反射層６を備えている。この反射層６に
たとえば駆動回路配線と共用するため配線パターンを行
い、ＴＦＴへの駆動電力を供給する。このことは信号回
路配線として用いても同様である。
を可視光に変換する波長変換体５が形成されて、その波
長変換体５は可視光を反射させ効率良く光電変換基板に
光を導くための反射層６を備えている。この反射層６に
たとえば駆動回路配線と共用するため配線パターンを行
い、ＴＦＴへの駆動電力を供給する。このことは信号回
路配線として用いても同様である。
【００１８】この導電性反射層６は波長変換後の波長で
高い反射率の得られる材料で、たとえばアルミ、クロ
ム、銀等の金属材料を用い、さらに波長変換体５へのＸ
線の透過を妨げないため、５０μｍ以下が望ましい。
高い反射率の得られる材料で、たとえばアルミ、クロ
ム、銀等の金属材料を用い、さらに波長変換体５へのＸ
線の透過を妨げないため、５０μｍ以下が望ましい。
【００１９】また、光電変換基板のセンサ部７に反射光
をより多く供給するため、波長変換体５の導電性反射層
６の配線幅は、光電変換基板のセンサ部７の面積の長辺
より大きい必要がある。中央部に配置された光電変換基
板を駆動回路２又は信号回路３に接続する配線を、光電
変換基板から波長変換体５の導電性反射層６に接続する
ための上下接続部９については、導電性の材料、たとえ
ば、金、銀、銅、はんだ等を光電変換基板に印刷、蒸着
等で形成し、ガラス基板４による光電変換基板を平面的
に配列するとき、波長変換体５中の上下接続部９と位置
合せを行い、その後に熱、圧力等を加え電気的に接続を
行う。
をより多く供給するため、波長変換体５の導電性反射層
６の配線幅は、光電変換基板のセンサ部７の面積の長辺
より大きい必要がある。中央部に配置された光電変換基
板を駆動回路２又は信号回路３に接続する配線を、光電
変換基板から波長変換体５の導電性反射層６に接続する
ための上下接続部９については、導電性の材料、たとえ
ば、金、銀、銅、はんだ等を光電変換基板に印刷、蒸着
等で形成し、ガラス基板４による光電変換基板を平面的
に配列するとき、波長変換体５中の上下接続部９と位置
合せを行い、その後に熱、圧力等を加え電気的に接続を
行う。
【００２０】図３は、ガラス基板による光電変換基板を
平面的に複数配列するときの上下接続部の配置図であ
る。４はガラス基板、７はセンサ部、８はＴＦＴ部、９
は上下接続部、１０は駆動回路配線、１１は信号回路配
線、１３は信号回路電極、１４は駆動回路電極である。
平面的に複数配列するときの上下接続部の配置図であ
る。４はガラス基板、７はセンサ部、８はＴＦＴ部、９
は上下接続部、１０は駆動回路配線、１１は信号回路配
線、１３は信号回路電極、１４は駆動回路電極である。
【００２１】センサが高解像度になればなるほど、上下
接続部９を配置するのが困難となる。上下接続部９の面
積が０．１ｍｍ□以上は必要なことより、解像度が２０
０ｄｐｉ以上の場合は上下接続部９を配置するために、
縦横各１ラインあたりセンサ１画素を削除し、その有効
画素欠落部に上下接続部９を有効画素の１画素以下の面
積で配置する。この場合、上下接続部９が配置された位
置にはセンサが存在しないため、出力画像に欠陥が存在
するが、図３に示すように規則正しい配列にすることに
より、出力画像はその後の画像処理で、たとえば上下左
右の画素信号からの平均値を代用することにより補正で
きる。
接続部９を配置するのが困難となる。上下接続部９の面
積が０．１ｍｍ□以上は必要なことより、解像度が２０
０ｄｐｉ以上の場合は上下接続部９を配置するために、
縦横各１ラインあたりセンサ１画素を削除し、その有効
画素欠落部に上下接続部９を有効画素の１画素以下の面
積で配置する。この場合、上下接続部９が配置された位
置にはセンサが存在しないため、出力画像に欠陥が存在
するが、図３に示すように規則正しい配列にすることに
より、出力画像はその後の画像処理で、たとえば上下左
右の画素信号からの平均値を代用することにより補正で
きる。
【００２２】（実施の形態２）図４は、本発明に係る第
２の実施の形態であるＸ線検出装置の断面図である。４
はガラス基板、５は波長変換体、６は波長変換体反射
層、７はセンサ部、８はＴＦＴ部、９は上下接続部、１
０は駆動回路配線、１１は信号回路配線、１２は絶縁
層、１３は信号回路電極、１５は波長変換体の基台であ
る。
２の実施の形態であるＸ線検出装置の断面図である。４
はガラス基板、５は波長変換体、６は波長変換体反射
層、７はセンサ部、８はＴＦＴ部、９は上下接続部、１
０は駆動回路配線、１１は信号回路配線、１２は絶縁
層、１３は信号回路電極、１５は波長変換体の基台であ
る。
【００２３】波長変換体５が波長変換体反射層６より薄
膜である場合、光電変換基板を駆動させる電気回路の電
極を波長変換体反射層６と同一材料で形成し、二次元的
に配列された光電変換基板を６基板以上の複数枚配列す
ることが出来る。
膜である場合、光電変換基板を駆動させる電気回路の電
極を波長変換体反射層６と同一材料で形成し、二次元的
に配列された光電変換基板を６基板以上の複数枚配列す
ることが出来る。
【００２４】この場合も第１の実施の形態と同様に、波
長変換体反射層６はＸ線の透過を妨げないため、５０μ
ｍ以下が望ましい。この反射層６にはアルミ、クロム、
銀等の金属材料を用い、この金属材料と同材料で突起形
状等を形成し、導電性反射層６と同一構造で上下接続部
９として配置する。ガラス基板４による光電変換基板を
平面的に配列するとき、波長変換体５中の上下接続部９
と位置合せを行い、その後に熱、圧力等を加え電気的に
接続を行う。
長変換体反射層６はＸ線の透過を妨げないため、５０μ
ｍ以下が望ましい。この反射層６にはアルミ、クロム、
銀等の金属材料を用い、この金属材料と同材料で突起形
状等を形成し、導電性反射層６と同一構造で上下接続部
９として配置する。ガラス基板４による光電変換基板を
平面的に配列するとき、波長変換体５中の上下接続部９
と位置合せを行い、その後に熱、圧力等を加え電気的に
接続を行う。
【００２５】以上、波長変換体の光反射層に、光電変換
基板を駆動させる電気回路の電極を形成し、二次元的に
配列された光電変換基板を６基板以上の複数枚配列して
Ｘ線検出装置とする。
基板を駆動させる電気回路の電極を形成し、二次元的に
配列された光電変換基板を６基板以上の複数枚配列して
Ｘ線検出装置とする。
【００２６】図５は、本発明による放射線検出装置のＸ
線診断システムへの適用例を示したものである。
線診断システムへの適用例を示したものである。
【００２７】Ｘ線チューブ６０５０で発生したＸ線６０
６０は患者あるいは被験者６０６１の胸部６０６２を透
過し、放射線検出装置（イメージセンサ）６０４０に入
射する。この入射したＸ線には被験者６０６１の体内部
の情報が含まれている。Ｘ線の入射に対応して蛍光体
（波長変換体）によって可視光に変換し、これを光電変
換して、電気信号を得る。この電気信号はデジタル変換
されイメージプロセッサ６０７０により画像処理され制
御室のディスプレイ６０８０で観察できる。
６０は患者あるいは被験者６０６１の胸部６０６２を透
過し、放射線検出装置（イメージセンサ）６０４０に入
射する。この入射したＸ線には被験者６０６１の体内部
の情報が含まれている。Ｘ線の入射に対応して蛍光体
（波長変換体）によって可視光に変換し、これを光電変
換して、電気信号を得る。この電気信号はデジタル変換
されイメージプロセッサ６０７０により画像処理され制
御室のディスプレイ６０８０で観察できる。
【００２８】また、この画像情報は電話回線６０９０等
の伝送手段により遠隔地へ転送でき、別の場所のドクタ
ールームなどディスプレイ６０８１に表示もしくは光デ
ィスク等の保存手段に保存することができ、遠隔地の医
師が診断することも可能である。またフィルムプロセッ
サ６１００によりフィルム６１１０に記録することもで
きる。
の伝送手段により遠隔地へ転送でき、別の場所のドクタ
ールームなどディスプレイ６０８１に表示もしくは光デ
ィスク等の保存手段に保存することができ、遠隔地の医
師が診断することも可能である。またフィルムプロセッ
サ６１００によりフィルム６１１０に記録することもで
きる。
【００２９】以上の実施形態では、Ｘ線撮像システムを
例に説明したが、放射線を光に変換し、この光を光電変
換する装置構成としても、同様である。なお、放射線と
はＸ線以外のα，β，γ線等を含む。
例に説明したが、放射線を光に変換し、この光を光電変
換する装置構成としても、同様である。なお、放射線と
はＸ線以外のα，β，γ線等を含む。
【００３０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は、光電変
換基板を６基板以上の複数枚二次元配列して波長変換体
と組み合わせた放射線検出装置において、駆動回路と信
号回路への引き出し線を光電変換基板の端辺から外部に
配置することが出来ない光電変換基板に、波長変換後の
可視光の透過率を低下させず、安価に安定した工程で配
線して外部回路へ接続可能とする。
換基板を６基板以上の複数枚二次元配列して波長変換体
と組み合わせた放射線検出装置において、駆動回路と信
号回路への引き出し線を光電変換基板の端辺から外部に
配置することが出来ない光電変換基板に、波長変換後の
可視光の透過率を低下させず、安価に安定した工程で配
線して外部回路へ接続可能とする。
【図１】本発明に係る第１の実施の形態であるＸ線検出
装置の平面図である。
装置の平面図である。
【図２】図１に示すＸ線検出装置のＡ−Ａ′断面図であ
る。
る。
【図３】光電変換基板を平面的に複数配列するときの上
下接続部の配置図である。
下接続部の配置図である。
【図４】本発明に係る第２の実施の形態であるＸ線検出
装置の断面図である。
装置の断面図である。
【図５】本発明による放射線検出装置のＸ線診断システ
ムへの適用例を示す図である。
ムへの適用例を示す図である。
【図６】１枚のガラス基板からなる光電変換基板の駆動
回路及び信号回路の配置図である。
回路及び信号回路の配置図である。
【図７】４枚のガラス基板からなる光電変換基板の駆動
回路及び信号回路の配置図である。
回路及び信号回路の配置図である。
１ Ｘ線撮影有効面 ２ 駆動回路 ３ 信号回路 ４ ガラス基板 ５ 波長変換体 ６ 波長変換体反射層及び回路配線 ７ センサ部 ８ ＴＦＴ部 ９ 上下接続部 １０ 駆動回路配線 １１ 信号回路配線 １２ 絶縁層 １３ 信号回路電極 １４ 駆動回路電極 １５ 波長変換体の基台
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 27/14 Ｈ０４Ｎ 1/028 Ｚ ５Ｃ０５１ Ｈ０４Ｎ 1/028 5/32 5/32 Ｈ０１Ｌ 27/14 Ｋ Ｆターム(参考） 2G001 AA01 BA11 CA01 DA01 DA09 DA10 HA12 JA16 2G088 EE01 FF02 GG20 JJ05 JJ09 JJ33 4M118 AA01 AA10 AB01 BA04 BA05 CA11 CB11 FB03 FB09 FB13 FB19 GA08 HA21 HA26 HA31 5B047 AA17 BB04 BC01 BC14 BC23 CA23 5C024 AX11 BX00 CY04 5C051 AA01 BA02 DA06 DB01 DB04 DB06 DB08 DC02 DC03 DC07 FA00
Claims (4)
- 【請求項１】 光電変換素子と薄膜トランジスタとから
形成される画素を、縦横二次元に等間隔で配列した光電
変換基板を、それらの端部を接続して複数枚配列し、放
射線を光に変換する波長変換体と組み合わせた放射線検
出装置において、 前記波長変換体の導電性光反射層に、前記光電変換基板
を駆動又は信号処理する電気回路の電極及び配線を形成
し、前記光電変換基板を６基板以上二次元配列すること
を特徴とする放射線検出装置。 - 【請求項２】 前記光電変換基板を駆動又は信号処理す
る電気回路に接続する配線を、前記光電変換基板から前
記波長変換体の導電性反射層に接続するための上下接続
部を、光電変換基板内の有効画素の一部を欠落させて設
け、上下接続回路とすることを特徴とする請求項１記載
の放射線検出装置。 - 【請求項３】 前記光電変換基板から前記波長変換体の
導電性反射層に接続するための上下接続部を、光電変換
基板内の有効画素の１画素以下の面積を欠落させて規則
的に配置し、上下接続回路とすることを特徴とする請求
項２記載の放射線検出装置。 - 【請求項４】 被験者または被験物に放射線を照射する
ための放射線源と、 この放射線を検出する請求項１ないし３のいずれかに記
載の放射線検出装置と、 この検出された信号をデジタル変換して画像処理する画
像処理手段と、 この処理された画像を表示する表示手段とを備えること
を特徴とする放射線撮像システム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001029723A JP2002236180A (ja) | 2001-02-06 | 2001-02-06 | 放射線検出装置及びそれを用いた放射線撮像システム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001029723A JP2002236180A (ja) | 2001-02-06 | 2001-02-06 | 放射線検出装置及びそれを用いた放射線撮像システム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002236180A true JP2002236180A (ja) | 2002-08-23 |
Family
ID=18894032
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001029723A Pending JP2002236180A (ja) | 2001-02-06 | 2001-02-06 | 放射線検出装置及びそれを用いた放射線撮像システム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002236180A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010216893A (ja) * | 2009-03-13 | 2010-09-30 | Toshiba Corp | Ｘ線検出器 |
-
2001
- 2001-02-06 JP JP2001029723A patent/JP2002236180A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010216893A (ja) * | 2009-03-13 | 2010-09-30 | Toshiba Corp | Ｘ線検出器 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7564037B2 (en) | Image sensor, image-sensing apparatus using the image sensor, and image-sensing system | |
| US6800836B2 (en) | Image pickup device, radiation image pickup device and image processing system | |
| JP3595759B2 (ja) | 撮像装置および撮像システム | |
| TWI447924B (zh) | Radiation photography device | |
| JP5235350B2 (ja) | 撮像装置及び放射線撮像システム | |
| JP2007049123A (ja) | 変換装置、放射線検出装置、及び放射線検出システム | |
| JP2007049124A (ja) | 変換装置、放射線検出装置、及び放射線検出システム | |
| JP3618945B2 (ja) | 基板の切断方法及び基板切断装置 | |
| WO2017145578A1 (ja) | 撮像装置、撮像表示システムおよび表示装置 | |
| JP3347708B2 (ja) | ２次元画像入力装置及びそれを用いた画像処理システム | |
| JP4067055B2 (ja) | 撮像装置及びその製造方法、放射線撮像装置、放射線撮像システム | |
| JPH1093061A (ja) | 画像検出装置、アレイ基板および画像検出装置の製造方法 | |
| JP2011071862A (ja) | 撮像装置および放射線撮像システム | |
| JP2007184407A (ja) | 電磁波検出装置及び放射線撮像システム | |
| JP2002236180A (ja) | 放射線検出装置及びそれを用いた放射線撮像システム | |
| JP2003014855A (ja) | 放射線検出装置及びシステム | |
| JP4508390B2 (ja) | 放射線撮像装置 | |
| JP2002236179A (ja) | 放射線検出装置及びそれを用いた放射線撮像システム | |
| JP2002289824A (ja) | 光検出装置、放射線検出装置および放射線撮像システム | |
| JP2004119955A (ja) | 高機能撮像素子 | |
| JP2002164523A (ja) | 放射線撮像装置及びその製造方法 | |
| US6873361B1 (en) | Image sensor having a plurality of chips | |
| JP2002506213A (ja) | 半導体撮像装置 | |
| JP2023151282A (ja) | 放射線検出モジュールおよび放射線検出モジュールの製造方法 | |
| JP2004296655A (ja) | 放射線撮像装置 |