JPS63143862A - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置Info
- Publication number
- JPS63143862A JPS63143862A JP61290622A JP29062286A JPS63143862A JP S63143862 A JPS63143862 A JP S63143862A JP 61290622 A JP61290622 A JP 61290622A JP 29062286 A JP29062286 A JP 29062286A JP S63143862 A JPS63143862 A JP S63143862A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- area sensor
- photodetector
- amount
- exposure
- light
- Prior art date
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- Pending
Links
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 8
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 11
- 238000001444 catalytic combustion detection Methods 0.000 abstract 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 abstract 1
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- 241000276457 Gadidae Species 0.000 description 1
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/1443—Devices controlled by radiation with at least one potential jump or surface barrier
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は固体撮像装置に関し、特に、被写体の光学像を
光電変換して映像信号を発生させるエリアセンサと平均
露光量を検出する露光晒検出センサとを同一の半導体基
板に形成した固体撮像装置に関する。
光電変換して映像信号を発生させるエリアセンサと平均
露光量を検出する露光晒検出センサとを同一の半導体基
板に形成した固体撮像装置に関する。
（従来技術）
電荷転送デバイス（ＣＯＤ）やＭＯ８型撮像素子等の固
体撮像装とを用いたカメラや画像処理装置が普及してい
る。
体撮像装とを用いたカメラや画像処理装置が普及してい
る。
従来、かかる処理装置で撮影を行う場合、被゛写体より
受ける平均露光量に応じて光学系の絞り量やシャッター
スピードを制御する必要があるため、露光口を検出する
測光装置が上記固体搬像装置とは別個に設けられていた
。
受ける平均露光量に応じて光学系の絞り量やシャッター
スピードを制御する必要があるため、露光口を検出する
測光装置が上記固体搬像装置とは別個に設けられていた
。
即ち、露光量は別個の測光装置で検出し、その検出値に
基づいて光学系の絞りｍやシャッタースピードを制御し
て最適なＩｎ彩条件を設定し、その後、被写体よりの光
学像を固体撮像装置で光電変換して映像信号を発生させ
るようにしている。
基づいて光学系の絞りｍやシャッタースピードを制御し
て最適なＩｎ彩条件を設定し、その後、被写体よりの光
学像を固体撮像装置で光電変換して映像信号を発生させ
るようにしている。
（発明が解決しようとする問題点）
しかしながら、この様なカメラ等の映像処理装置にあっ
ては、露光量検出の為の装置が別個に設けられているた
め人里となり、また、実際にａｍを行う固体撮像装置と
離れた位ｎに配置されるこ本発明はこの様な問題点に鑑
みてなさへたちのであり、撮像を行うとともに露光量を
精度良く検出することができる固体撮像装置を提供する
ことを目的とする。
ては、露光量検出の為の装置が別個に設けられているた
め人里となり、また、実際にａｍを行う固体撮像装置と
離れた位ｎに配置されるこ本発明はこの様な問題点に鑑
みてなさへたちのであり、撮像を行うとともに露光量を
精度良く検出することができる固体撮像装置を提供する
ことを目的とする。
この目的を達成するために本発明は、映像信号を発生さ
せる画素群を備えるエリアセンサの周囲に、露光ｍを検
出するためのフォトダイオード等の受光素子を並設し、
且つこれら受光素子とエリアセンサを同一の半導体基板
に一体に形成したことを技術的要点とする。
せる画素群を備えるエリアセンサの周囲に、露光ｍを検
出するためのフォトダイオード等の受光素子を並設し、
且つこれら受光素子とエリアセンサを同一の半導体基板
に一体に形成したことを技術的要点とする。
（実施例）
以下、本発明による固体撮像装置の一実施例を図面とと
もに説明する。
もに説明する。
まず第１図に基づいて構成を説明すると、半導体基板１
のほぼ中央部分にエリアセンサ２を形成し、その周囲に
環状の受光素子３が形成されている。エリアセンサ２は
ＣＣＤやＭＯ８型躍像素Ｐよりなる多数の画素で構成さ
れ、受光素子３はフォトダイオードやＣＯＤあるいはフ
ォトトランジスタ等で形成されている。
のほぼ中央部分にエリアセンサ２を形成し、その周囲に
環状の受光素子３が形成されている。エリアセンサ２は
ＣＣＤやＭＯ８型躍像素Ｐよりなる多数の画素で構成さ
れ、受光素子３はフォトダイオードやＣＯＤあるいはフ
ォトトランジスタ等で形成されている。
この固体撮像装置は、通常のカメラや工業用カメラ等と
同様に光学系の受光面に配置され、エリアセンサ２の画
素に発生する信号を所謂水平走査により読み出す。
同様に光学系の受光面に配置され、エリアセンサ２の画
素に発生する信号を所謂水平走査により読み出す。
ここで、露光の為の測光は受光素子３にて行い、該測光
結果に基づいて光学系の絞り９やシャッタースピードを
ｆ、ＩＪｔｌｌする事が出来るようになっている。
結果に基づいて光学系の絞り９やシャッタースピードを
ｆ、ＩＪｔｌｌする事が出来るようになっている。
このように、受光素子３が実際に撮影を行うエリアセン
サ２に近接し、しかも同一平面（受光面）上に配貨され
るとともに、エリアセンサ２の周囲の先口を検出するこ
とができることから、精度の良い露光量の検出が可能と
なる。
サ２に近接し、しかも同一平面（受光面）上に配貨され
るとともに、エリアセンサ２の周囲の先口を検出するこ
とができることから、精度の良い露光量の検出が可能と
なる。
更に、同一の半導体基板上に一体に形成されるので、小
型・軽団化を飛躍的に向上させることができる。
型・軽団化を飛躍的に向上させることができる。
次に、第２図に基づいて他の実施例を説明する。
第１図に示す固体銀像装置との相違点を説明すると、エ
リアセンサを複数の小規模の１リアセンサ２ａ、２ｂ、
２ｃ、２ｄに分割形成し、各々（７）エリアセンサ２ａ
、２ｂ、２ｃ、２ｄの周囲に露光用の受光素子３ａ、３
ｂ、３ｃ、３ｄを形成した点にある。
リアセンサを複数の小規模の１リアセンサ２ａ、２ｂ、
２ｃ、２ｄに分割形成し、各々（７）エリアセンサ２ａ
、２ｂ、２ｃ、２ｄの周囲に露光用の受光素子３ａ、３
ｂ、３ｃ、３ｄを形成した点にある。
このように、小規模即ち少数の画素単位毎に露光用の受
光素子を形成すると、被写体の明暗部分に応じて更に高
精度の測光を行うことができる。
光素子を形成すると、被写体の明暗部分に応じて更に高
精度の測光を行うことができる。
尚、エリアセンサの分割数は、用途に応じて適宜に設定
する。
する。
また、これらの実施例ではエリアセンサ及び受光素子を
矩形状に形成したが、エリアセンサ及び受光素子の形状
についても特に限定されるものではない。
矩形状に形成したが、エリアセンサ及び受光素子の形状
についても特に限定されるものではない。
（発明の効果）
以上説明したように、この発明によれば、映像信号を発
生させる画素群を備えるエリアセンサの周囲に、露光量
を検出するための受光素子を並設し、且つこれら受光素
子とエリアセンサを同一の半導体基板に一体に形成した
ので、カメラ等の小型・軽ω化を飛躍的に向上させるこ
とができるとともに、露光量の検出精度を飛躍的に向上
させることができる。
生させる画素群を備えるエリアセンサの周囲に、露光量
を検出するための受光素子を並設し、且つこれら受光素
子とエリアセンサを同一の半導体基板に一体に形成した
ので、カメラ等の小型・軽ω化を飛躍的に向上させるこ
とができるとともに、露光量の検出精度を飛躍的に向上
させることができる。
第１図は本発明による固体ｍ像装置の実施例の構造を示
す平面図、第２図は他の実施例の構造を示す平面図であ
る。 １：半導体基板
す平面図、第２図は他の実施例の構造を示す平面図であ
る。 １：半導体基板
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 被写体よりの光学像を光電変換して映像信号を発生する
画素群からなるエリアセンサを備える固体撮像装置にお
いて、 前記エリアセンサの周囲に、露光量を検出するための受
光素子を並設し、且つこれら受光素子とエリアセンサを
同一の半導体基板に一体に形成したことを特徴とする固
体撮像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61290622A JPS63143862A (ja) | 1986-12-08 | 1986-12-08 | 固体撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61290622A JPS63143862A (ja) | 1986-12-08 | 1986-12-08 | 固体撮像装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63143862A true JPS63143862A (ja) | 1988-06-16 |
Family
ID=17758373
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61290622A Pending JPS63143862A (ja) | 1986-12-08 | 1986-12-08 | 固体撮像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63143862A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002090461A (ja) * | 2000-09-14 | 2002-03-27 | Canon Inc | 放射線撮像装置 |
| US7435940B2 (en) | 2003-03-12 | 2008-10-14 | Flatfrog Laboratories Ab | System and a method of determining the position of a radiation emitting element |
| US7442914B2 (en) | 2003-09-12 | 2008-10-28 | Flatfrog Laboratories Ab | System and method of determining a position of a radiation emitting element |
| US7465914B2 (en) | 2003-09-12 | 2008-12-16 | Flatfrog Laboratories Ab | System and method of determining a position of a radiation scattering/reflecting element |
| JP2010516318A (ja) * | 2007-01-19 | 2010-05-20 | イー２ヴイ テクノロジーズ （ユーケイ） リミテッド | 像形成装置 |
| US7947904B2 (en) | 2005-04-01 | 2011-05-24 | Autonetworks Technologies, Ltd. | Conductor and wire harness |
-
1986
- 1986-12-08 JP JP61290622A patent/JPS63143862A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002090461A (ja) * | 2000-09-14 | 2002-03-27 | Canon Inc | 放射線撮像装置 |
| US7435940B2 (en) | 2003-03-12 | 2008-10-14 | Flatfrog Laboratories Ab | System and a method of determining the position of a radiation emitting element |
| US7442914B2 (en) | 2003-09-12 | 2008-10-28 | Flatfrog Laboratories Ab | System and method of determining a position of a radiation emitting element |
| US7465914B2 (en) | 2003-09-12 | 2008-12-16 | Flatfrog Laboratories Ab | System and method of determining a position of a radiation scattering/reflecting element |
| US7947904B2 (en) | 2005-04-01 | 2011-05-24 | Autonetworks Technologies, Ltd. | Conductor and wire harness |
| JP2010516318A (ja) * | 2007-01-19 | 2010-05-20 | イー２ヴイ テクノロジーズ （ユーケイ） リミテッド | 像形成装置 |
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