TWI440120B - 晶圓傳送裝置、位置感測系統與其視覺檢測系統 - Google Patents

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TWI440120B TW100118384A TW100118384A TWI440120B TW I440120 B TWI440120 B TW I440120B TW 100118384 A TW100118384 A TW 100118384A TW 100118384 A TW100118384 A TW 100118384A TW I440120 B TWI440120 B TW I440120B
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Chang Hyun Kim
Jai Young Lim
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Hanmi Semiconductor Co Ltd
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Description

晶圓傳送裝置、位置感測系統與其視覺檢測系統
本發明係關於一種晶圓傳送裝置、位置感測系統與其視覺檢測系統，並且特別地，本發明關於一種晶圓傳送裝置，其能夠在一晶圓之檢測期間穩定地傳送該晶圓，由此提高總厚度變化測量之可靠性，以及一位置感測系統與其視覺檢測系統。
太陽能電池係為一種使用一半導體之性能，將光能轉化為電能之裝置。太陽能電池具有一PN接面結構，該PN接面結構中一陽極(P)型半導體與一陰極(N)型半導體相接合。當太陽光入射於太陽能電池之上時，電洞及電子利用入射之太陽光之能量產生於這些半導體之中。同時，透過在PN接面產生的一電場，電洞(+)移動至P型半導體一側且電子(-)移動至N型半導體一側，並且具有產生電勢用以產生電能之結果。
太陽能電池可分類為一薄膜型太陽能電池或一晶圓型太陽能電池。
薄膜型太陽能電池透過在一基板，例如玻璃上形成一薄膜半導體製造。晶圓型太陽能電池透過使用半導體材料，例如矽，作為一晶圓製造。
薄膜型太陽能電池或晶圓型太陽能電池透過在一玻璃、透明塑料或矽晶圓(下文中，一〞玻璃、透明塑料或矽晶圓〞將共同稱作一〞晶圓〞)之上形成一用做PN接面之半導體層，以及形成與半導體層電連接之一陽(+)極及一陰(-)極製造。
而且，在晶圓型太陽能電池之中，更執行一在其一太陽光入射表面上形成一抗反射層之製程，用以防止太陽光自一PN接面層發射，以使得太陽光能夠通過PN界面層傳送。
半導體層、電極層以及抗反射層使用沉積設備或噴鍍設備(下文中，共同稱作處理設備)形成。
在一晶圓之處理過程之前或之後，可執行一晶圓上的殘留污染物，或晶圓之缺陷，例如裂紋之檢測過程。
特別地，為了節省成本，用以製造一太陽能電池之晶圓之厚度越來越減少。結果，在太陽能電池之製造期間，晶圓損傷之可能性增加。
如果雖然在一太陽能電池製造期間晶圓損傷，但對沒有檢測晶圓缺陷的此晶圓執行一過程，裂紋出現於晶圓或污染物保留於晶圓之表面上，在一隨後製程之後，有缺陷的晶圓需要處理，這需要很多的成本。也就是說，關於此需要處理之晶圓執行一不必要的製程。結果，材料被浪費且製程複雜，產生太陽能電池之製造效率降低且浪費成本之問題。
而且，除了檢測晶圓上的殘留污染物之過程或檢測晶圓的裂紋之過程之外，可執行一檢測晶圓的總厚度變化(或扭轉)之過程。
因此，在一太陽能電池之製造期間，檢測一晶圓之質量非常重要。如果污染物保留於晶圓之表面上，裂紋存在於晶圓，或者晶圓之總厚度變化不均勻，則雖然關於晶圓執行隨後的製程，但一產品可不表現出優良之性能。因此，較佳地，在執行隨後製程之前檢測晶圓且如果確定晶圓具有缺陷處理此晶圓。
在待檢測之晶圓維持平坦的條件下，執行晶圓之總厚度變化之檢測過程。
然而，晶圓之厚度越來越薄。在晶圓之厚度測量期間，由於重力或者由於傳送晶圓的傳送帶之下垂，可不保證晶圓之平坦狀態。
如果待檢測之晶圓之平坦狀態不能夠保證，則總厚度變化測量之可靠性降低，這樣可導致太陽能電池之生產率降低且浪費成本。
而且，在使用自動設備傳送晶圓之期間，執行晶圓之檢測製程。
由於晶圓變得非常薄，如果透過一自動傳送裝置在高速下傳送的晶圓沒有穩定支撐，則出現晶圓之滑動，產生可損傷晶圓之結果。而且，在晶圓之傳送期間出現的故障可降低檢測過程之效率。
因此，鑒於上述問題，本發明之目的在於提供一種晶圓傳送裝置、位置感測系統與其視覺檢測系統，藉以消除由於習知技術之限制及缺陷所產生之一個或多個問題。
本發明其他的優點、目的和特徵將在如下的說明書中部分地加以闡述，並且本發明其他的優點、目的和特徵對於本領域的普通技術人員來說，可以透過本發明如下的說明得以部分地理解或者可以從本發明的實踐中得出。本發明的目的和其他優點可以透過本發明所記載的說明書和申請專利範圍中特別指明的結構並結合圖式部份，得以實現和獲得。
為了獲得本發明的這些目的與其他特徵，現對本發明作具體化和概括性的描述，一種晶圓傳送裝置包含有一傳送帶，其在一晶圓放置於此傳送帶之上的狀態下，用以傳送晶圓，一對帶輪，用以驅動傳送帶，以及一吸附塊，其提供於傳送帶之一內部空間中，用以將吸附力提供於傳送帶之此內部空間。
傳送帶可水平地排列，以及吸附塊可將吸附力提供至傳送帶之內表面之頂部。
而且，傳送帶包含有一第一傳送帶及一第二傳送帶，以及吸附塊包含有一第一吸附塊及一第二吸附塊，第一吸附塊及一第二吸附塊分別提供於第一傳送帶之一內部空間及第二傳送帶之一內部空間之中。
第一傳送帶及第二傳送帶透過同一驅動馬達驅動。
此種情況下，此種晶圓傳送裝置更包含有一驅動軸，用以同時驅動第一傳送帶及第二傳送帶之帶輪。
第一傳送帶與第二傳送帶之間的距離，在與晶圓之一傳送方向相垂直的方向上相比較於晶圓之寬度更小。
而且，吸附塊可為一長桿形且可在傳送帶之一縱向之上排列於傳送帶之內部空間之中。
吸附塊可具有之一頂部寬度相比較於傳送帶之寬度更大。
此種情況下，吸附塊可具有一長度，此長度在晶圓之一傳送方向上相比較於晶圓之一寬度之兩倍相等或更大。
而且，吸附塊可在其一頂表面之一預定區域上提供有以一預定間隔排列的複數個吸附孔。
提供於吸附塊之頂表面的至少一個吸附孔之剖面可為一橢圓或一長孔剖面之形狀。
此種情況下，係為橢圓或一長孔剖面形狀的至少一個吸附孔提供於與傳送帶之一縱向相垂直的方向。
此預定區域具有之一長度相比較於晶圓之一傳送方向上，晶圓之一寬度之兩倍相等或更大。
而且，此種晶圓傳送裝置可更包含有定義於吸附塊之中的至少一個主流通道，至少一個吸附部份，吸附力通過至少一個吸附部份作用至至少一個主流通道，以及複數個支流通道，至少一個主流通道通過這些支流通道與吸附孔相聯繫。
此種情況下，至少一個主流通道可排列於水平方向上，以及支流通道在支流通道與至少一個主流通道相聯繫的狀態下，可在一垂直方向上排列。
支流通道之數目可與吸附孔之數目相同。
至少一個主流通道可包含有複數個主流通道，以及這些主流通道可在吸附塊之一縱向上排列成一行。
此種情況下，吸附塊具有一與每一帶輪之一頂端高度相對應之頂部高度。
在本發明之另一方面中，一種位置感測系統包含有複數個傳送帶，其在一晶圓放置於傳送帶上之狀態下，用以傳送晶圓，一對帶輪，用以驅動傳送帶，一吸附塊，其提供於每一傳送帶之一內部空間之中，用以將吸附力提供至每一傳送帶之內表面；以及一雷射感測器，其提供於這些傳送帶之間或外部提供的至少一個檢測位置之上與/或之下，用以將雷射光線照射至透過傳送帶傳送之晶圓之頂表面或底表面，以及感測自晶圓之頂表面或底表面反射出之雷射光，用以測量晶圓之頂表面或底表面之一相對位置。
此種情況下，傳送帶可包含有一第一傳送帶及一第二傳送帶，以及吸附塊可包含有一第一吸附塊及一第二吸附塊，其分別提供於第一傳送帶之一內部空間及第二傳送帶之一內部空間之中。
而且，至少一個檢測位置可包含有，位於第一傳送帶與第二傳送帶之間，第一傳送帶之外部及第二傳送帶之外部的第一至第三檢測位置，第一至第三檢測位置在其縱向上放置於第一傳送帶與第二傳送帶之一平分線之上。
此雷射感測器可包含有一頂雷射感測器及一底雷射感測器，其分別位於第一至第三檢測位置之上及之下。
此種情況下，第一傳送帶與第二傳送帶透過同一驅動馬達驅動，以及此位置感測系統可更包含有複數個驅動軸，用以同時驅動第一傳送帶之帶輪及第二傳送帶之帶輪，以及一驅動馬達，用以同時驅動這些驅動軸。
而且，吸附塊可配設為一長桿形狀且可在傳送帶之對應一個之一縱向上，排列於傳送帶之對應一個之內部空間之中，以及形成有複數個吸附孔的吸附塊之一預定區域具有一長度，此長度相比較於晶圓之一傳送方向上晶圓之一寬度之兩倍相等或更大。
而且，至少一個檢測位置可放置於第一吸附塊之一預定區域與第二吸附塊之一預定區域之一平分線上。
此種情況下，傳送帶之數目可為N，以及至少一個檢測位置可包含有至少N+1個檢測檢測位置。
而且，此吸附塊在其一頂表面之一預定區域上提供有以預定間隔排列的複數個吸附孔。
在本發明之再一方面中，一種視覺檢測系統包含有：一傳送帶，在一晶圓放置於傳送帶上之狀態下，用以傳送晶圓，一對帶輪，用以驅動傳送帶，一吸附塊，其位於傳送帶之一內部空間之中，用以將吸附力提供至傳送帶之一內表面，一光源，提供於傳送帶之上或之下，用以將光線照射至透過傳送帶傳送之晶圓之一頂表面或一底表面，以及一捕獲裝置，其提供於傳送帶之上或之下，用以捕獲自光源照射出及自晶圓反射出之光線。
可以理解的是，如上所述的本發明之概括說明和隨後所述的本發明之詳細說明均是具有代表性和解釋性的說明，並且是為了進一步揭示本發明之申請專利範圍。
以下，將結合圖式部份對本發明的較佳實施例作詳細說明。以下實施例之詳細說明包含具體細節用以提供對本發明之徹底理解且將本發明之概念充分提供於本領域之技術人員。其中在這些圖式部份中所使用的相同的參考標號代表相同或同類部件。
「第1圖」係為一太陽能電池晶圓檢測製程之概念圖。此太陽能電池晶圓檢測製程可包含有一視覺檢測過程，其透過至少一個視覺檢測單元執行，用以檢測一太陽能電池晶圓之表面上的殘留污染物或晶圓之表面的裂紋。
請參閱「第1圖」，一視覺檢測單元500可包含有三個視覺檢測單元。一第一視覺檢測單元100提供為檢測晶圓之頂表面上的殘留污染物。一第二視覺檢測單元200提供為檢測晶圓之底表面上的殘留污染物。一第三視覺檢測單元300提供為檢測晶圓之表面之裂紋。
各視覺檢測單元可包含有用以傳送一晶圓的傳送帶110、210以及310，第一光源130、第二光源230以及第三光源330，其用以將用於檢測之光線照射於晶圓，以及第一至第三掃描攝影機120、220以及320，其用以捕獲自光源第一至第三光源130、230以及330照射出光線之反射光分量或一透射光分量。
第一至第三掃描攝影機120、220以及320可為線掃描攝影機用以掃描一晶圓之表面形成的預定行線。
第一視覺檢測單元100根據自第一光源130照射出，自晶圓之頂表面反射出且透過第一掃描攝影機120捕獲之光線資訊，可檢測晶圓之頂表面之污染物或缺陷。
同樣地，第二視覺檢測單元200根據自第二光源230照射出，自晶圓之底表面反射出且透過第二掃描攝影機220捕獲之光線資訊，可檢測晶圓之底表面之污染物或缺陷。
第一視覺檢測單元100之第一光源130與第二視覺檢測單元200之第二光源230可使用可見光作為檢測光線。
因此，在第一視覺檢測單元100及第二視覺檢測單元200之中，需要安裝第一及第二光源130及230以及第一及第二掃描攝影機120及220，以使得自第一及第二光源130及230入射於晶圓上的光線之角度大約與自晶圓反射之光線角度相等。第一視覺檢測單元100及第二視覺檢測單元200之排列順序可以改變。
第一視覺檢測單元100及第二視覺檢測單元200可依次排列且可具有獨立之傳送帶。
此外，如「第1圖」所示，第三視覺檢測單元300可提供於第一視覺檢測單元100及第二視覺檢測單元200之後部。
與第一視覺檢測單元100及第二視覺檢測單元200不相同，第三視覺檢測單元300可提供為用以檢測晶圓之裂紋。
因此，組成第三視覺檢測單元300的第三光源330及第三掃描攝影機320在待檢測之晶圓位於第三光源330與第三掃描攝影機320之間的狀態下安裝，以使得自第三光源330照射出之光線穿透晶圓且透過第三掃描攝影機320捕獲，以檢測晶圓之裂紋。
也就是說，通過存在裂紋的晶圓之區域之光線捕獲之影像與通過不存在裂紋的晶圓之區域之光線的捕獲影像不相同。用以檢測裂紋的第三視覺檢測單元300的第三光源330可使用具有足以穿透矽製造之晶圓的長波長之光線作為檢測光線。舉例而言，第三視覺檢測單元300的第三光源330可使用近紅外光波長之光線作為檢測光線。
當完成裂紋之檢測時，根據本發明之位置感測系統1000感測晶圓之頂表面或底表面之相對位置。這裡，晶圓之頂表面或底表面之相對位置表示晶圓之頂表面或底表面之垂直位置而非晶圓之頂表面或底表面之水平位置。也就是說，可感測待檢測之晶圓之頂表面或底表面之相對位置(高度)，用以測量晶圓之總厚度變化(Total Thickness Variation,TTV)。晶圓之頂表面或底表面之高度可透過具有一雷射感測器之位置感測系統感測。
「第2(a)圖」至「第2(c)圖」係為根據本發明之晶圓傳送裝置，以及具有本發明之晶圓傳送裝置之一位置感測系統1000之幾個實施例之平面圖。
根據本發明之位置感測系統1000可包含有複數個傳送帶1100，傳送帶在其上放置有晶圓之狀態下傳送一晶圓，一對帶輪1400，其用以驅動每一傳送帶1100，一吸附塊1500，其提供於每一傳送帶1100之內部空間，用以向每一傳送帶1100之內表面提供吸附力，第一至第三檢測位置1600a、1600b、1600c的至少一個，其提供於傳送帶1100之間或外部，以及一雷射感測器1700a以及1700b(如「第1圖」及「第4圖」所示)，其提供於第一至第三檢測位置1600a、1600b、1600c之上與/或之下，用以將雷射光照射於透過傳送帶1100傳送之晶圓W之頂表面或底表面且感測自晶圓之頂表面或底表面反射出之雷射光，以測量晶圓之頂表面或底表面之相對位置。
這裡，除雷射感測器之外，傳送帶1100、帶輪1400以及吸附塊1500可組成一晶圓傳送裝置，該晶圓傳送裝置能夠在晶圓之頂表面或底表面之一(指定)部份暴露，以在除總厚度變化測量過程之外的其他檢測過程中檢測晶圓之狀態下傳送晶圓。
明顯地，晶圓傳送裝置能夠用以傳送視覺檢測單元中之晶圓用以檢測污染物或裂紋。因此，可以理解的是，以下將要詳細描述的位置感測系統包含有本發明之一晶圓傳送裝置，其中此晶圓傳送裝置包含有複數個傳送帶1100，這些傳送帶1100在彼此相間隔的狀態下平行安裝，用以在晶圓放置於傳送帶1100之狀態下傳送晶圓，一對帶輪1400，用以驅動每一傳送帶1100，以及至少一個吸附塊1500，其提供於每一傳送帶1100之內部空間，用以作為一核心元件，將吸附力作用於每一傳送帶1100之內表面。
而且，此晶圓傳送裝置可應用於「第1圖」所示之視覺檢測單元500以及稍後將描述的「第6圖」所示之一視覺檢測系統。「第6圖」所示之視覺檢測系統將結合「第6圖」在以下詳細描述。
在「第2(a)圖」所示之實施例之中，傳送帶1100包含有一第一傳送帶1100a以及一第二傳送帶1100b。第一傳送帶1100a及第二傳送帶1100b可在傳導帶1100彼此相間隔的狀態下相平行排列。
當然，作為一特殊之視覺檢測，可僅提供一個傳送帶用以檢測在一晶圓之頂表面之污染物。
第一傳送帶1100a及第二傳送帶1100b可提供為相同之高度。而且，第一傳送帶1100a及第二傳送帶1100b可具有相同之長度。第一傳送帶1100a與第二傳送帶1100b之間的距離相比較於在垂直於晶圓之傳送方向之方向上的一晶圓之寬度必須更小。
第一傳送帶1100a及第二傳送帶1100b分別可包含有一對帶輪，驅動輪1400(1)及從動輪1400(2)。驅動輪1400(1)及從動輪1400(2)可包含有一驅動輪1400(1)以及一從動輪1400(2)，驅動輪1400(1)透過一由驅動馬達旋轉之驅動軸驅動，以及從動輪1400(2)在從動輪1400(2)旋轉的狀態下，用以支撐透過驅動輪1400(1)移位的傳送帶1100。
隨著驅動輪及從動輪旋轉，傳送帶移位，以及因此，傳送放置於傳導帶之上的晶圓W。
而且，用以旋轉第一傳送帶1100a及第二傳送帶1100b的第一驅動輪1400a(1)及第二驅動輪1400b(1)可透過同一驅動軸1300a驅動。
如「第2圖」所示，透過驅動馬達1200驅動的驅動軸1300a同時驅動用以驅動第一傳送帶1100a的第一驅動輪1400a(1)以及用以驅動第二傳送帶1100b的第二驅動輪1400b(1)，第一驅動輪1400a(1)與第二驅動輪1400b(1)可在驅動軸1300a之旋轉期間同時旋轉。
由於晶圓W在晶圓W放置於第一傳送帶1100a及第二傳送帶1100b之頂部的狀態下傳送，因此第一傳送帶1100a與第二傳送帶1100b必須具有相同的旋轉速度。因此，第一驅動輪1400a(1)與第二驅動輪1400b(1)之直徑相同。此外，第一驅動輪1400a(1)及第二驅動輪1400b(1)可透過同一驅動軸驅動。
用以支撐第一傳送帶1100a之第一從動輪1400a(2)之直徑與用以支撐第二傳送帶1100b之第二從動輪1400b(2)之直徑也相同。此外，第一從動輪1400a(2)與第二從動輪1400b(2)可透過同一支撐軸1300b可旋轉地支撐。
每一傳送帶1100具有一內部空間S(如「第4圖」所示)，該內部空間透過組成帶輪1400的驅動輪1400(1)及從動輪1400(2)定義。在該內部空間之中可更提供有一吸附塊1500用以將吸附力提供至每一傳送帶1100之內表面。
吸附塊1500可提供於第一及第二傳送帶1100a及1100b之每一個。也就是說，一第一吸附塊1500a可提供於第一傳送帶1100a之內部空間S之中，以及一第二吸附塊1500b可提供於第二傳送帶1100b之內部空間之中。
因此，吸附塊之數目可根據組成本發明之晶圓傳送裝置及具有該晶圓傳送裝置的位置感測系統之傳送帶之數目確定。而且，如「第2圖」所示，吸附塊1500之頂表面之寬度較佳地相比較於每一傳送帶寬度更大，以使得能夠穩定地吸附及支撐傳送帶。
吸附力作用於第一傳送帶1100a及第二傳送帶1100b之內部，特別地，作用於水平安裝的每一傳送帶1100之內表面之頂部，用以最小化透過第一傳送帶1100a及第二傳送帶1100b傳送之晶圓W之一厚度測量誤差。
吸附塊1500為一長桿形狀。吸附塊1500可在每一傳送帶1100之縱向上排列於每一傳送帶1100之內部空間S之中。
在複數個吸附孔1510a及1510b彼此相間隔的狀態下，這些吸附孔1510a及1510b提供於吸附塊1500之頂表面之一預定區域，用以將吸附力提供於旋轉的每一傳送帶1100之底部。
如「第2(a)圖」所示，複數個吸附孔1510a及1510b可提供於吸附塊1500之頂表面之一預定區域。每一吸附孔1510a及1510b可為圓形。或者，每一吸附孔1510a及1510b可為長孔、一橢圓或一狹縫形。
也就是說，提供於吸附塊1500之頂表面的至少一個吸附孔1510a及1510b之剖面可為一橢圓或一長孔形。
如「第2(b)圖」所示之吸附孔1510a’及1510b’提供為在垂直於每一傳送帶1100之縱向上的方向上，長方向延伸的長孔形。由於吸附孔1510a’及1510b’為在垂直於每一傳送帶1100之縱向上的方向上長方向延伸之長孔形，因此甚至每一傳送帶1100之寬度增加時，可能穩定地吸附每一傳送帶1100，由此提高測量晶圓總厚度變化之可靠性。
形成於吸附塊1500頂表面之每一吸附孔1510a、1510b之長度可與每一吸附孔1510a、1510b之面積成比例。隨著每一吸附孔1510a、1510b之面積之增加，作用於每一傳送帶之單元面積的吸附力可減少。因此，吸附孔之尺寸、形狀以及數目與吸附孔之間的間隔可根據系統之類型易變地提供。
而且，如「第2(c)圖」所示，提供於吸附塊1500之頂表面的吸附孔1510a、1510b及1510a’、1510b’可為交替排列的長孔及圓形。
根據本發明之晶圓傳送裝置及具有其的位置感測系統可將待檢測之晶圓通過複數個平行之傳送帶傳送。
提供傳送帶1100之原因在於需要排列一雷射感測器，該雷射感測器提供於各傳送帶1100之間或傳送帶1100之外部，用以將雷射光照射於透過傳送帶1100傳送的晶圓W之頂表面或底表面，以及在不干涉傳送帶時，感測晶圓之頂表面或底表面之相對位置。
在本發明之晶圓傳送裝置及具有其的位置感測系統之中，至少一個檢測位置可提供於傳送帶1100之間或傳送帶1100之外部，以及一雷射感測器1700a及1700b(如「第4圖」所示)可提供於第一至第三檢測位置1600a、1600b、1600c之上與/或之下，用以將雷射光照射至透過傳送帶1100傳送之晶圓W之頂表面或底表面，以及感測自晶圓之頂表面或底表面反射出之雷射光，用以測量晶圓之頂表面或底表面之相對位置。
雷射感測器將雷射光照射至待檢測之晶圓W之頂表面及底表面且接受自晶圓W之頂表面或底表面反射出之雷射光，用以測量晶圓之頂表面之位置(高度)及底表面之位置(高度)，以及根據該偏差(高度偏差)測量待檢測的晶圓W之總厚度變化或厚度。
可提供第一至第三檢測位置1600a、1600b、1600c用以測量一晶圓W之頂表面及底表面之相對位置(高度等)。
也就是說，將雷射光照射至晶圓W之頂表面及底表面的雷射感測器提供於第一至第三檢測位置1600a、1600b、1600c之上及之下，用以在傳送晶圓W時，測量晶圓W之厚度及晶圓W之頂表面或底表面之相對位置。
因此，可能根據第一至第三檢測位置1600a、1600b、1600c之數目，關於晶圓W之總面積，精確測量晶圓W之厚度或頂表面及底表面之相對位置。
如「第2(a)圖」所示，第一至第三檢測位置1600a、1600b、1600c可包含有提供於第一傳送帶1100a及第二傳送帶1100b之外部的第一位置(1600a及1600c)，以及一提供於第一傳送帶1100a與第二傳送帶1100b之間的一第一位置(1600b)。而且，一對雷射感測器可提供於每一個第一至第三檢測位置1600a、1600b、1600c。這裡，一對雷射感測器可包含有一提供於晶圓之頂表面上及晶圓之底表面下的雷射感測器。
因此，總數目為6個的雷射感測器可提供於三個檢測位置(第一至第三檢測位置1600a、1600b以及1600c)之上或之下。
由於以下將要描述的雷射感測器(圖未示)，提供於每一個第一至第三檢測位置1600a、1600b以及1600c之上或之下，因此，如「第2(a)圖」所示，第一至第三檢測位置1600a、1600b以及1600c可不與第一及第二傳送帶1100a及1100b相干涉。
因此，如「第2(a)圖」至「第2(c)圖」之平面圖所示，第一至第三檢測位置1600a、1600b以及1600c可提供於各傳送帶之外部與傳送帶之間。
位於第一傳送帶1100a與第二傳送帶1100b之間，第一傳送帶1100a之外部以及第二傳送帶1100b之外部的第一至第三檢測位置1600a、1600b以及1600c可在其一縱向上放置於第一傳送帶1100a及第二傳送帶1100b之一平分線1之上。吸附塊之中心也可在其縱向上放置於第一傳送帶1100a及第二傳送帶1100b之一平分線之上，以使得當晶圓W通過鄰近的檢測位置時，能夠可靠地獲得其上放置有晶圓W的傳送帶之吸附。
這是因為，由於帶輪產生的振動或帶輪之間的高度偏差，傳送帶之間的高度偏差可在每一傳送帶的除去每一傳送帶之中間的區域出現，結果總厚度變化測量之可靠性可降低。
為此，吸附塊在其縱向上，可提供於透過第一傳送帶1100a及第二傳送帶1100b之一平分線1能夠劃分為兩個的一區域。
而且，當第一及第二傳送帶1100a及1100b按照「第2(a)圖」至「第2(c)圖」所示提供時，可提供三個檢測位置。當提供三個傳送帶時，可總共提供四個檢測位置。也就是說，晶圓之總厚度變化及厚度可在待檢測之一晶圓之寬度方向上變化，以及因此，檢測位置之數目增加用以提高總厚度變化測量之可靠性。當傳送帶之數目增加時，至少一個雷射感測器可提供於各傳送帶之間定義的一空間之中。
也就是說，可能根據晶圓之尺寸可靈活地確定雷射感測器之數目，且可能劃分執行總厚度變化測量的晶圓之位置。
較佳地，當傳送帶之數目為N時，至少可提供N+1個總厚度變化測量位置，用以提高在垂直於晶圓之傳送方向的橫向上的總厚度變化測量之可靠性。
「第3圖」係為在本發明之晶圓傳送裝置及具有其的位置感測系統中，將一待檢測之晶圓傳送至檢測位置之前部及後部之過程之平面圖。將省去與結合「第2圖」之描述相重複之描述。
一放置於彼此相間隔的複數個傳送帶之頂部的，待檢測之晶圓通過這些檢測位置。也就是說，<A1>部份表示傳送進入檢測位置的晶圓W之部份，以及<A2>部份表示傳送通過檢測位置的晶圓W之部份。
因此，當通過<A1>部份的晶圓W之右側進入檢測位置，以使得測量晶圓W之總厚度變化或厚度時，傳送帶1100透過吸附塊1500之吸附狀態較佳在全部部份之上，即<A>部份之上維持。
也就是說，較佳地，在進入檢測位置之後，直至晶圓完全通過檢測位置，各傳送帶在全部<A>部份之上透過各吸附塊保持吸附。換句話而言，如果在晶圓之右側進入檢測位置之後傳導帶1100開始透過各吸附塊吸附，或者如果在晶圓通過檢測位置之前傳送帶1100之吸附透過各吸附塊釋放，則總厚度變化測量之實驗條件變化，產生降低檢測可靠性之結果。
因此，在待檢測之晶圓通過檢測位置時，需要在吸附塊與這些傳送待1100之間維持吸附。也就是說，較佳地，在待檢測之晶圓之右側進入檢測位置之前透過吸附塊1500獲得傳送帶1100之吸附，並且直至待檢測之晶圓之左側通過檢測位置，不釋放傳送帶1100之吸附狀態。
因此，當待檢測之晶圓通過檢測位置時，需要在吸附塊1500與傳送帶1100之間維持吸附狀態。較佳地，每一吸附塊1500具有一長度d(B)(>2*d(W))，該長度大於傳送方向上晶圓之寬度d(W)之兩倍，以使得在待檢測之晶圓之右側進入檢測位置之前，吸附塊1500的傳送帶1100之吸附開始，並且直止待檢測的晶圓之左側通過檢測位置，不釋放傳送帶1100之吸附狀態。
提供上述需求，以使得在測量待檢測之晶圓之總厚度變化之前，其上放置有待檢測之傳送帶之全部傳送帶透過位於傳送帶之下的吸附塊吸附。
更特別地，由於複數個吸附孔1510a及1510b形成於每一吸附塊1500之頂表面之預定區域，較佳地，在每一吸附塊1500之頂表面形成的吸附孔之中的預定部份<A>(=<A1>+<A2>)之長度d(=d1+d2)相比較於傳送方向上待檢測之晶圓之寬度d(W)之兩倍更大。這是因為，甚至當每一吸附塊1500具有相當於傳送方向上晶圓之寬度d(W)之兩倍更大時，吸附孔可不遍及每一吸附塊1500之頂表面形成，吸附力同時通過形成於每一吸附塊的吸附孔作用。
「第4(a)圖」及「第4(b)圖」係為根據本發明之晶圓傳送裝置及具有其的位置感測系統之側視圖。特別地，「第4(a)圖」表示一待檢測之晶圓W進入一檢測位置之狀態，以及「第4(b)圖」表示一待檢測之晶圓W恰好在脫離一檢測位置之前之狀態。
如上所述，吸附塊1500可提供於透過各傳送帶及帶輪1400定義之內部空間S之中，以便保證傳送晶圓W的每一傳送帶1500之平坦狀態，測量其頂表面或底表面之相對位置。每一吸附塊1500配設為一長桿形。每一吸附塊1500在每一傳送帶1100之縱向上，排列於每一傳送帶1100之內部空間S之中。每一吸附塊1500將吸附力作用至水平排列的每一傳送帶1100之頂部。
作用至每一傳送帶1100的吸附力提高總厚度變化測量之精確度，並且防止在晶圓W之傳送期間可產生的晶圓之滑動。
每一吸附塊1500可具有至少一個定義於其中的主流通道1530。而且，每一吸附塊1500可具有至少一個吸附部份1540，吸附力通過吸附部份作用至主流通道1530。此外，每一吸附塊1500可具有複數個支流通道1520，用以允許主流通道與吸附孔1510a及1510b(如「第3圖」所示)彼此相聯繫。
吸附力可通過形成於每一吸附塊1500之吸附孔單獨作用。然而，在根據本發明之晶圓傳送裝置及具有其的位置感測系統之中，用以將吸附力提供至吸附孔的至少一個主流通道1530提供於每一吸附塊1500之中，以及這些吸附孔通過支流通道1520與主流通道相聯繫。
在「第4(a)圖」及「第4(b)圖」所示之實施例中，每一吸附塊1500具有一定義於其中的主流通道1530以及兩個吸附部份1540a及1540b，吸附力通過吸附部份1540a及1540b提供至主流通道1530。
吸附部份之數目可考慮主流通道1530之長度確定。
每一吸附部份1540a及1540b可與一真空泵相連接用以將吸附力提供至主流通道1530。如「第4(a)圖」及「第4(b)圖」所示，主流通道可提供於水平方向上，以及支流通道1520在支流通道1520與主流通道1530相聯繫之狀態下，提供於垂直方向。
由於每一傳送帶1100水平地排列且吸附孔形成於每一吸附塊1500，以使得這些吸附孔在每一傳送帶1100之縱向上彼此相間隔，主流通道1530還可在與每一傳送帶1100之安裝方向相同的方向上，即，水平方向形成。
支流通道1520之數目可與吸附孔之數目相等。也就是說，支流通道1520可與吸附孔一對一相對應，以便通過吸附孔均勻地維持每一傳送帶1100之吸附力。而且，較佳地，每一吸附塊1500之頂表面之高度h1對應於每一帶輪1400之頂部之高度h2。
也就是說，如果每一吸附塊1500之頂表面之高度h1相比較於每一帶輪1400之頂部之高度h2更高，則吸附塊與傳送帶之間的磨擦力可增大。另一方面，如果每一吸附塊1500之頂表面之高度h1相比較於每一帶輪1400之頂部之高度h2更低，可增加傳送帶之下垂。
而且，根據本發明之位置感測系統可包含有一提供於檢測位置之上與/或之下的雷射感測器1700a及1700b，用以將雷射光照射至透過傳送帶1100傳送之晶圓的頂表面或底表面且感測自晶圓之頂表面或底表面反射出之雷射光，用以測量晶圓之頂表面或底表面之相對位置。
由於雷射感測器1700a及1700b將雷射束照射至一對象且感測自該對象之頂表面及底表面反射出之雷射光，用以測量反射位置之高度，根據對象之頂表面與底表面之間的高度偏差測量對象之厚度且測量對象之頂表面及底表面之高度，因此除了對象之高度之外，可能測量對象之反射位置之彎曲或對象之頂表面或底表面之相對位置。
因此，在對象之頂表面或底表面之高度能夠準確確認之情況下，一雷射感測器提供於對象之底表面之下或對象之頂表面之上用以測量對象之厚度，以使得測量對象之底表面或頂表面之高度。因此，雷射感測器可不同時提供至對象之頂表面之上及底表面之下，用以測量對象之厚度或對象之頂表面或底表面之相對位置。
如「第4(a)圖」及「第4(b)圖」所示，根據本發明之位置感測系統1000可包含有提供於檢測位置(如「第3圖」所示)之上或之下的一頂部雷射感測器1700a及1700b及一底部雷射感測器1700a及1700b，用以測量透過傳送帶1100傳送之晶圓W之頂表面及底表面之高度且因此測量晶圓W之總高度變化或厚度。
頂部雷射感測器1700a及1700b以及底部雷射感測器1700a及1700b可向通過檢測位置的晶圓W之頂表面及底表面照射雷射光，以及感測自晶圓W之頂表面及底表面反射出之雷射光，用以測量通過檢測位置的晶圓之頂表面及底表面之高度。每一雷射感測器1700a及1700b可包含有一雷射二極體，用以將雷射光照射至晶圓之頂表面及底表面，一光學元件(一CMOS元件)，用以感測反射之雷射光，以及一聚光鏡，用以將反射之光線聚集至光學元件。而且，一用以感測具有反射之固定角度的雷射光之感測器，以及一用以感測具有反射之變化角度的雷射光之感測器可用做每一雷射感測器。下文中，將描述應用一感測具有反射之變化角度的雷射光的感測器之實施例。
因此，可能基於其上聚集有反射雷射光的光學元件之畫素位置，根據晶圓之厚度變化，用以測量表面之高度。
如「第4(a)圖」所示，進入檢測位置的晶圓W之總厚度變化或厚度透過提供於晶圓W之頂表面上及晶圓W之底表面下的頂部雷射感測器1700a及1700b以及底部雷射感測器1700a及1700b測量。
頂部雷射感測器1700a及1700b以及底部雷射感測器1700a及1700b可在晶圓之傳送方向上感測透過傳送帶1100傳送的晶圓之厚度變化。
而且，如以上結合「第2圖」及「第3圖」所述，可提供複數個檢測位置。此種情況下，可能確認晶圓之總厚度分佈或全部晶圓之頂表面或底表面之相對位置。
當自頂部雷射感測器1700a及1700b照射出之光線在鄰近晶圓之右側以角度θ1(如「第4(a)圖」所示)自晶圓之頂表面反射出時，自頂部雷射感測器1700a及1700b照射出之光線在鄰近晶圓之左側以角度θ1’(如「第4(b)圖」所示)自晶圓之頂表面反射出，以及自底部雷射感測器1700a及1700b照射出之光線在鄰近晶圓之右側以角度θ2(如「第4(a)圖」所示)自晶圓之底表面反射出，而自底部雷射感測器1700a及1700b照射出之光線在鄰近晶圓之左側以角度θ2’(如「第4(b)圖」所示)自晶圓之頂表面反射出，能夠看出晶圓之厚度分佈在晶圓之傳送方向上變化。
如果如此之厚度變化超出一可允許之誤差，則晶圓可被識別且分類，由此防止晶圓之不必要的後處理。
「第5(a)圖」至「第5(c)圖」係為根據本發明之晶圓傳送裝置及具有其的位置感測系統之實施例之側視圖。將省去與結合「第1圖」至「第4圖」所重複之描述。
在「第5(a)圖」所示之實施例中，一主流通道定義於每一吸附塊1530之中。然而，與以前之描述不相同，僅提供一個吸附部份1540，吸附力通過吸附部份1540提供至主流通道1530。也就是說，當主流通道之長度較小時，吸附部份1540之數目可減少。
「第5(b)圖」所示之實施例與「第5(a)圖」所示之實施例相同之處在於提供有一主流通道及一吸附部份。然而，「第5(b)圖」所示之實施例與「第5(a)圖」所示之實施例不同之處在於主流通道劃分為一第一主流通道1530(1)以及一第二主流通道1530(2)。
也就是說，當根據晶圓之位置及尺寸不需要對一不必要區域作用吸附力時，可能根據晶圓傳送之位置，選擇性地通過分離的第一及第二主流通道1530(1)及1530(2)提供吸附力。
而且，當真空泵之能力較小時，結果難以通過長主流通道提供真空壓力，主流通道可劃分為複數個流動通道，吸附力通過流動通道可選擇性地提供。
「第5(c)圖」所示之實施例與「第5(b)圖」所示之實施例相同之處在於，主流通道劃分為一第一主流通道1530(1)以及一第二主流通道1530(2)。然而，「第5(c)圖」所示之實施例與「第5(b)圖」所示之實施例不相同之處在於，提供兩個吸附部份1540(1)及1540(2)用以分別向第一主流通道1530(1)以及第二主流通道1530(2)提供吸附力。
第一主流通道1530(1)及第二主流通道1530(2)可在每一吸附塊之縱向上排列成一行。
當第一主流通道1530(1)及第二主流通道1530(2)之一個較長或當真空泵之動力不充分時，第一主流通道1530(1)及第二主流通道1530(2)可分割，複數個吸附部份1540a(1)、1540b(1)、1540a(2)以及1540b(2)可形成於第一主流通道1530(1)及第二主流通道1530(2)之每一個，以及獨立的真空泵可與各吸附部份相連接用以提供吸附力。
因此，在上述之根據本發明之晶圓傳送裝置及具有其的位置感測系統之中，可能在晶圓之檢測期間穩定傳送一晶圓，由此提高晶圓之總厚度變化測量之穩定性，減少半導體之缺陷率且獲得成本之降低。
「第6(a)圖」至「第6(c)圖」係為根據本發明之一視覺檢測系統之一實例之側視圖。更特別地，「第6(a)圖」係為用以檢測一晶圓之頂表面之一視覺檢測系統之側視圖，以及「第6(b)圖」係為用以檢測一晶圓之底部之一視覺檢測系統之側視圖。將省去與結合「第1圖」至「第5圖」相重複之描述。
「第6(a)圖」及「第6(b)圖」所示之視覺檢測系統可包含有一傳送帶2100，用以在晶圓W放置於傳送帶2100之上的狀態下傳送一晶圓W，一對帶輪1400，用以驅動傳送帶2100，一吸附塊2500，其提供於傳送帶2100內部之一空間S，用以將吸附力提供至傳送帶2100之內表面，光源2800a(1)、2800a(2)、2800b(1)以及2800b(2)，其提供於傳送帶2100之上或之下，將光線照射至透過傳送帶2100傳送的晶圓W之頂表面或底表面，以及頂或底捕獲裝置2700a或2700b，用以捕獲自光源2800a(1)、2800a(2)、2800b(1)以及2800b(2)照射出或自晶圓反射出之光線。
以上結合「第1圖」描述之第一至第三視覺檢測單元100、200以及300提供為通過行掃描主要檢測污染物或裂紋。然而，「第6圖」中所示之視覺檢測系統2000可通過面掃描，而非行掃描，檢測晶圓之表面用以捕獲晶圓之預定區域。
而且，在「第6圖」中所示之視覺檢測系統2000之中，用以捕獲自光源2800a(1)、2800a(2)、2800b(1)以及2800b(2)照射出之光線的頂或底捕獲裝置2700a或2700b提供於晶圓W之頂表面之上或晶圓W之底表面之下，用以根據待檢測之晶圓表面是否為晶圓之頂表面或底表面，捕獲晶圓W之頂表面或晶圓W之底表面。
因此，在「第6(a)圖」所示之實施例中，一頂捕獲裝置2700a可在晶圓W放置於傳送帶2100之上的狀態下，提供於透過傳送帶2100傳送的晶圓W之頂表面之上。另一方面，在「第6(b)圖」所示之實施例中，一底捕獲裝置2700b可在晶圓W放置於傳送帶2100之上的狀態下，提供於透過傳送帶2100傳送的晶圓W之底表面之下。
而且，至少一個光源可提供於頂捕獲裝置2700a及底捕獲裝置2700b之附近。如「第6(a)圖」及「第6(b)圖」所示，一對光源2800a(1)及2800a(2)提供於頂捕獲裝置2700a之前或之後，以及一對光源2800b(1)及2800b(2)提供於底捕獲裝置2700b之前或之後。光源2800a(1)及2800a(2)與2800b(1)及2800b(2)排列為〞V〞形以最小化一捕獲影像之亮度偏差。
頂捕獲裝置2700a及底捕獲裝置2700b可安裝為在垂直方向上捕獲晶圓之頂表面及底表面。
在「第6(b)圖」所示之實施例中，晶圓之底表面暴露以捕獲晶圓之底表面。因此，可提供複數個傳送帶，以使得傳送帶彼此相間隔用以暴露晶圓之底表面。換句話而言，不需要視覺檢測系統包含有複數個傳送帶僅檢測晶圓之頂表面。
在「第6(a)圖」及「第6(b)圖」所示之視覺檢測系統2000之中，捕獲自各光源照射出及自晶圓反射出之光線用以檢測晶圓之表面上的一特定區域之缺陷。
而且，「第6(a)圖」及「第6(b)圖」所示之視覺檢測系統2000a及2000b包含有組成根據本發明之晶圓傳送裝置的傳送帶2100、帶輪2400(1)及2400(2)以及吸附塊2500用以穩定傳送待檢測之一晶圓。
而且，每一吸附塊2500可具有吸附部份2540a及2540b，吸附力通過吸附部份2540a及2540b提供至主流通道2530。此外，每一吸附塊2500可具有允許主流通道2530的複數個支流通道2520。
如上所述，除了「第6(a)圖」及「第6(b)圖」所示之視覺檢測系統之外，包含有在晶圓之傳送期間吸附傳送帶的吸附塊之晶圓傳送裝置可提供至「第1圖」所示之各視覺檢測單元。
在根據本發明之晶圓傳送裝置及具有其的位置感測系統之中，可能在晶圓檢測期間穩定地傳送一晶圓。
而且，在根據本發明之晶圓傳送裝置及具有其的位置感測系統之中，可能提高總厚度變化測量之可靠性。
而且，在根據本發明之晶圓傳送裝置及具有其的位置感測系統之中，可能提高總厚度變化測量之可靠性，由此減少半導體之缺陷率且減少成本。
本領域之技術人員應當意識到在不脫離本發明所附之申請專利範圍所揭示之本發明之精神和範圍的情況下，所作之更動與潤飾，均屬本發明之專利保護範圍之內。關於本發明所界定之保護範圍請參照所附之申請專利範圍。
1．．．平分線
100．．．第一視覺檢測單元
110、210．．．傳送帶
120．．．第一掃描攝影機
130．．．第一光源
200．．．第二視覺檢測單元
220．．．第二掃描攝影機
230．．．第二光源
300．．．第三視覺檢測單元
320．．．第三掃描攝影機
330．．．第三光源
500．．．視覺檢測單元
1000．．．位置感測系統
1100．．．傳送帶
1100a．．．第一傳送帶
1100b．．．第二傳送帶
1200．．．驅動馬達
1300a．．．驅動軸
1300b．．．支撐軸
1400．．．帶輪
1400(1)．．．驅動輪
1400(2)．．．從動輪
1400a(1)．．．第一驅動輪
1400a(2)．．．第一從動輪
1400b(1)．．．第二驅動輪
1400b(2)．．．第二從動輪
1500．．．吸附塊
1500a．．．第一吸附塊
1500b．．．第二吸附塊
1510a、1510b．．．吸附孔
1510a’、1510b’．．．吸附孔
1520．．．支流通道
1530．．．主流通道
1530(1)．．．第一主流通道
1530(2)．．．第二主流通道
1540、1540a、1540b．．．吸附部份
1540(1)、1540(2)．．．吸附部份
1540a(1)、1540b(1)．．．吸附部份
1540a(2)、1540b(2)．．．吸附部份
1600a．．．第一檢測位置
1600b．．．第二檢測位置
1600c．．．第三檢測位置
1700a、1700b．．．雷射感測器
2000．．．視覺檢測系統
2100．．．傳送帶
2400(1)、2400(2)．．．帶輪
2500．．．吸附塊
2520．．．支流通道
2530．．．主流通道
2540a、2540b．．．吸附部份
2700a．．．頂捕獲裝置
2700b．．．底捕獲裝置
2800a、2800b．．．光源
2800a(1)、2800a(2)、2800b(1)、2800b(2)．．．光源
W．．．晶圓
θ1、θ1’、θ2、θ2’．．．角度
h1、h2．．．高度
S．．．內部空間
d(W)．．．寬度
<A>．．．預定部份
d(B)．．．長度
<A1>、<A2>．．．部份
第1圖係為一晶圓檢測製程之概念圖；
第2(a)圖至第2(c)圖係為根據本發明之位置感測系統之幾個實施例之平面圖；
第3圖係為在本發明之位置感測系統中，將一待檢測之晶圓傳送至檢測位置之前部及後部之過程之平面圖；
第4(a)圖及第4(b)圖係為根據本發明之位置感測系統之側視圖；
第5(a)圖至第5(c)圖係為根據本發明之位置感測系統之實施例之側視圖；以及
第6(a)圖至第6(b)圖係為根據本發明之一視覺檢測系統之一實例之側視圖。
100．．．第一視覺檢測單元
110、210．．．傳送帶
120．．．第一掃描攝影機
130．．．第一光源
200．．．第二視覺檢測單元
220．．．第二掃描攝影機
230．．．第二光源
300．．．第三視覺檢測單元
320．．．第三掃描攝影機
330．．．第三光源
500．．．視覺檢測單元
1000．．．位置感測系統
1100．．．傳送帶
1400．．．驅動輪
1700a、1700b．．．雷射感測器
W．．．晶圓

Claims (28)

  1. 一種晶圓傳送裝置，係包含有：一傳送帶，係在一晶圓放置於該傳送帶之上的狀態下，用以傳送該晶圓；一對帶輪，係用以驅動該傳送帶；以及一吸附塊，係提供於該傳送帶之一內部空間中，該吸附塊僅向該傳送帶之該內部空間提供吸附力，藉以穩定地吸附該傳送帶。
  2. 如請求項第1項所述之晶圓傳送裝置，其中該傳送帶水平地排列，以及該吸附塊將吸附力提供至該傳送帶之該內表面之一頂部。
  3. 如請求項第1項所述之晶圓傳送裝置，其中該傳送帶包含有一第一傳送帶及一第二傳送帶，以及該吸附塊包含有一第一吸附塊及一第二吸附塊，係分別提供於該第一傳送帶之一內部空間及該第二傳送帶之一內部空間之中。
  4. 如請求項第3項所述之晶圓傳送裝置，其中該第一傳送帶及該第二傳送帶透過同一驅動馬達驅動。
  5. 如請求項第4項所述之晶圓傳送裝置，更包含有一驅動軸，用以同時驅動該第一傳送帶及該第二傳送帶之帶輪。
  6. 如請求項第3項所述之晶圓傳送裝置，其中該第一傳送帶與該第二傳送帶之間的一距離，在與該晶圓之一傳送方向相垂直的 方向上相比較於該晶圓之寬度更小。
  7. 如請求項第1項所述之晶圓傳送裝置，其中該吸附塊配設為一長桿形且在該傳送帶之一縱向之上排列於該傳送帶之該內部空間之中。
  8. 如請求項第7項所述之晶圓傳送裝置，其中該吸附塊具有之一頂部寬度相比較於該傳送帶之一寬度更大。
  9. 如請求項第1項所述之晶圓傳送裝置，其中該吸附塊具有一長度，該長度在該晶圓之一傳送方向上相比較於該晶圓之一寬度之兩倍相等或更大。
  10. 如請求項第1項所述之晶圓傳送裝置，其中該吸附塊在其一頂表面之一預定區域上提供有以一預定間隔排列的複數個吸附孔。
  11. 如請求項第10項所述之晶圓傳送裝置，其中提供於該吸附塊之該頂表面的至少一個該等吸附孔之剖面可為一橢圓或一長孔剖面之形狀。
  12. 如請求項第11項所述之晶圓傳送裝置，其中配設為橢圓或一長孔剖面形狀的該至少一個吸附孔提供於與該傳送帶之一縱向相垂直的一方向。
  13. 如請求項第10項所述之晶圓傳送裝置，其中該預定區域具有之一長度相比較於該晶圓之一傳送方向上，該晶圓之一寬度之兩倍相等或更大。
  14. 如請求項第10項所述之晶圓傳送裝置，更包含有定義於該吸附塊之中的至少一個主流通道，至少一個吸附部份，吸附力通過該至少一個吸附部份作用至該至少一個主流通道，以及複數個支流通道，該至少一個主流通道通過該等支流通道與該等吸附孔相聯繫。
  15. 如請求項第14項所述之晶圓傳送裝置，其中該至少一個主流通道排列於水平方向上，以及該等支流通道在該等支流通道與該至少一個主流通道相聯繫的狀態下，在一垂直方向上排列。
  16. 如請求項第14項所述之晶圓傳送裝置，其中該等支流通道之數目與該等吸附孔之數目相同。
  17. 如請求項第14項所述之晶圓傳送裝置，其中該至少一個主流通道包含有複數個主流通道，以及該等主流通道在該吸附塊之一縱向上排列成一行。
  18. 如請求項第1項所述之晶圓傳送裝置，其中該吸附塊具有一與每一該等帶輪之一頂端高度相對應之頂部高度。
  19. 一種位置感測系統，係包含有：一傳送帶，係在一晶圓放置於該傳送帶上之狀態下，用以傳送該晶圓；一對帶輪，係用以驅動該傳送帶；一吸附塊，係提供於該傳送帶之一內部空間之中，該吸附塊僅向該傳送帶之該內部空間提供吸附力，藉以穩定地吸附該 傳送帶；以及一雷射感測器，係提供於該傳送帶之外部提供的至少一個檢測位置之上與/或之下，用以將雷射光線照射至透過該傳送帶傳送之該晶圓之一頂表面與/或一底表面，以及感測自該晶圓之該頂表面與/或該底表面反射出之雷射光，用以測量該晶圓之該頂表面與/或該底表面之一相對位置。
  20. 如請求項第19項所述之位置感測系統，其中該傳送帶包含有一第一傳送帶及一第二傳送帶，以及該吸附塊包含有一第一吸附塊及一第二吸附塊，係分別提供於該第一傳送帶之一內部空間及該第二傳送帶之一內部空間之中。
  21. 如請求項第20項所述之位置感測系統，其中該至少一個檢測位置包含有，提供於該第一傳送帶與該第二傳送帶之間，該第一傳送帶之外部及該第二傳送帶之外部的第一檢測位置至第三檢測位置，該第一檢測位置至該第三檢測位置在其縱向上放置於該第一傳送帶與該第二傳送帶之一平分線之上。
  22. 如請求項第21項所述之位置感測系統，其中該雷射感測器包含有一頂雷射感測器及一底雷射感測器，係分別提供於該第一檢測位置至該第三檢測位置之上及之下。
  23. 如請求項第20項所述之位置感測系統，其中該第一傳送帶與該第二傳送帶透過同一驅動馬達驅動，以及該位置感測系統更包含有複數個驅動軸，用以同時驅動該第一傳送帶之該等帶輪 及該第二傳送帶之該等帶輪，以及一驅動馬達，用以同時驅動該等驅動軸。
  24. 如請求項第19項所述之位置感測系統，其中該吸附塊配設為一長桿形狀且在該等傳送帶之該對應一個之一縱向上，排列於該等傳送帶之對應一個之該內部空間，以及形成有複數個吸附孔的該吸附塊之一預定區域具有一長度，該長度相比較於該晶圓之一傳送方向上該晶圓之一寬度之兩倍相等或更大。
  25. 如請求項第20項所述之位置感測系統，其中該至少一個檢測位置放置於該第一吸附塊之一預定區域與該第二吸附塊之一預定區域之一平分線上。
  26. 如請求項第19項所述之位置感測系統，其中該等傳送帶之數目係為N，以及該至少一個檢測位置包含有至少N+1個檢測檢測位置。
  27. 如請求項第19項所述之位置感測系統，其中該吸附塊在其一頂表面之一預定區域上提供有以預定間隔排列的複數個吸附孔。
  28. 一種視覺檢測系統，係包含有：一傳送帶，係在一晶圓放置於該傳送帶上之狀態下，用以傳送該晶圓；一對帶輪，係用以驅動該傳送帶；一吸附塊，係提供於該傳送帶之一內部空間之中，該吸附 塊僅向該傳送帶之該內部空間提供吸附力，藉以穩定地吸附該傳送帶；一光源，係提供於該傳送帶之上或之下，用以將光線照射至透過該傳送帶傳送之該晶圓之一頂表面或一底表面；以及一捕獲裝置，係提供於該傳送帶之上或之下，用以捕獲自該光源照射出及自該晶圓反射出之光線。
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