CN102263160A - 晶片传送装置以及具有其的位置感应系统和可视检查系统 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及了一种晶片传送装置，其用于在检查晶片期间稳定传送晶片，从而改善总厚度变化检测的可靠性，以及一种具有其的位置感应系统和可视检查系统。

Description

晶片传送装置以及具有其的位置感应系统和可视检查系统
本申请要求2010年5月25日提交的韩国专利申请No.10-2010-0048360的权益，在此援引其内容，如本文中全部列出一样。
技术领域
本发明涉及一种晶片传送装置以及具有其的位置感应系统和可视检查系统，更具体地，涉及一种能够在检查晶片期间稳定地传送晶片以改善总厚度变化测量的可靠性的晶片传送装置，以及具有其的位置感应系统和可视检查系统。
背景技术
太阳能电池是一种使用半导体特性将太阳能转换成电能的器件。太阳能电池配置成具有PN结结构，其中结合了正(P)型半导体和负(N)型半导体。当太阳光入射到太阳能电池上时，通过入射的太阳光能在半导体中产生空穴和电子。此时，通过在PN结处产生的电场，空穴(+)被移动到P型半导体侧，而电子(-)被移动到N型半导体侧，结果产生了电势从而产生电功率。
太阳能电池可分类为薄膜型太阳能电池或者晶片型太阳能电池。
薄膜型太阳能电池是通过在诸如玻璃的基板上形成薄膜半导体而制造。晶片型太阳能电池是通过使用诸如硅的半导体材料作为晶片而制造。
薄膜型太阳能电池或者晶片型太阳能电池是通过在玻璃、透明塑料或者硅晶片(以下将‘玻璃、透明塑料或者硅晶片’统一称作“晶片”)上形成用于PN结的半导体层并形成电连接到半导体层的正(+)电极和负(-)电极而制造。
而且，在晶片型太阳能电池中，还执行在其太阳光入射平面上形成抗反射层的工艺，以防止太阳光自PN结层反射，从而能通过PN结层传输太阳光。
使用沉积设备或者溅射设备(以下统一称作工艺设备)形成半导体层、电极层和抗反射层。
在处理晶片的工艺之前或之后，可执行检查晶片上的残留污染物或者晶片缺陷如裂缝的工艺。
特别是，为了降低成本，用于制造太阳能电池的晶片厚度已经越来越小。结果，在制造太阳能电池期间损坏晶片的可能性增加。
尽管在太阳能电池制造期间损坏了晶片，但如果不检查晶片缺陷而对晶片执行一工艺，，在晶片上存在裂缝或者在晶片表面上留有污染物，要在需要更多成本的随后工艺之后处置缺陷晶片。也就是说，对必须要被处置的晶片执行了不必要的工艺。因此，浪费了材料且使得工艺复杂化，结果太阳能电池生产效率降低且浪费成本。
而且，除了检查晶片上残留污染物的工艺或者检查晶片裂缝的工艺之外，可能执行检查晶片总厚度变化(或扭挤)的工艺。
因此，非常重要的是在制造太阳能电池期间检查晶片质量。如果在晶片表面上留有污染物，在晶片处存在裂缝，或者晶片的总厚度变化不均匀，那么即使对晶片执行随后工艺，产品也不会显示出理想性能。因此，优选的是在执行随后工艺之前检查晶片并且只要确定晶片是有缺陷的就处置该晶片。
检查晶片总厚度变化的工艺是在被检查的晶片保持平坦的条件下执行的。
但是，晶片厚度已经越来越薄。在测量晶片厚度期间，由于重力或者由于传送晶片的传送带弯曲而不能确保晶片的平坦状态。
如果不能确保被检查的晶片的平坦状态，则降低了总厚度变化测量的可靠性，这导致太阳能电池生产效率降低以及成本浪费。
而且，晶片检查工艺是在使用自动设备传送晶片期间执行的。
如果由于晶片变得非常薄导致不能稳定地支撑由自动传送装置高速传送的晶片，则会发生晶片滑移，结果可能损坏晶片。而且，在传送晶片期间发生故障会降低检查工艺的效率。
发明内容
本发明涉及一种晶片传送装置以及具有其的位置感应系统和可视检查系统，其基本避免了由于现有技术的限制和缺点导致的一个或多个问题。
本发明的优点、目的和特征将部分在下文的说明书中列出，而部分将在本领域技术人员查阅了下文后显而易见，或者可通过实践本发明而知晓。可通过说明书及其权利要求书以及所附附图中特别指出的结构认识和获知本发明的目的和其他优点。
为了实现这些目的和其他优点以及根据本发明的目的，如本文所体现以及广泛描述的，晶片传送装置包括：传送带，用于在晶片放在传送带上的状态下传送晶片；一对驱动传送带的带轮，和设在传送带内部空间中的抽吸组块(suction block)，用于将吸力施加到传送带的内表面。
传送带可水平设置，并且抽吸组块可将吸力施加到传送带内表面的上部。
而且，传送带可包括第一传送带和第二传送带，以及抽吸组块可包括分别设在第一传送带内部空间中和第二传送带内部空间中的第一抽吸组块和第二抽吸组块。
第一传送带和第二传送带可通过相同驱动电机驱动。
这种情况下，晶片传送装置还可包括驱动轴以同时驱动第一传送带和第二传送带的带轮(belt pulley)。
第一传送带和第二传送带之间的距离可小于在垂直于晶片传送方向的方向上的晶片宽度。
而且，可将抽吸组块配置成长杆形式且可在传送带长度方向上将其设置在传送带内部空间中。
抽吸组块具有大于传送带宽度的上部宽度。
这种情况下，抽吸组块的长度可等于或者大于在晶片传送方向上的晶片宽度的两倍。
而且，抽吸组块可在其上表面的预定区域设有多个以预定间隔设置的抽吸孔。
设在抽吸组块上表面的抽吸孔中的至少一个可配置成截面为椭圆或者长孔形式。
这种情况下，配置成截面为椭圆或长孔形式的至少一个抽吸孔设在垂直于传送带长度方向的方向上。
该预定区域的长度可等于或大于在晶片传送方向上晶片宽度的两倍。
而且，晶片传送装置还可包括限定在抽吸组块中的至少一个主要流道，至少一个抽吸口和多个支路流道，通过该抽吸口将吸力施加到该至少一个主要流道的，和通过该支路流道使至少一个主要流道与抽吸孔连通。
这种情况下，至少一个主要流道可设置在水平方向上，和在支路流道与至少一个主要流道连通的状态下，支路流道可设置在垂直方向上。
支路流道的数目可等于抽吸孔的数目。
至少一个主要流道可包括多个主要流道，和主要流道可在抽吸组块的长度方向上排列成行。
这种情况下，抽吸组块可具有与每个带轮的上部端高度相应的上部高度。
在本发明的另一方面中，位置感应系统包括：传送带，用于在晶片放在传送带上的状态下传送晶片；一对驱动每条传送带的带轮；抽吸组块，设在每条传送带的内部空间中以将吸力施加到每条传送带内表面；和激光传感器，设在位于传送带之间或内部的至少一个检查点上方和/或下方，用于照射激光至由传送带传送的晶片上表面和下表面并感应自晶片上表面或下表面反射的激光，以测量晶片上表面或下表面的相对位置。
这种情况下，传送带可包括第一传送带和第二传送带，而抽吸组块可包括分别设在第一传送带内部空间中和第二传送带内部空间中的第一抽吸组块和第二抽吸组块。
而且，至少一个检查点可包括设在第一传送带和第二传送带之间、第一传送带外部和第二传送带外部的第一至第三检查点，第一至第三检查点设置在第一传送带和第二传送带长度方向的等分线上。
激光传感器可包括分别设在第一至第三检查点上方和下方的上部激光传感器和下部激光传感器。
这种情况下，第一传送带和第二传送带可通过相同的驱动电机驱动，而位置感应系统可进一步包括用于同时驱动第一传送带的带轮和第二传送带的带轮的驱动轴和用于同时驱动该驱动轴的驱动电机。
而且，抽吸组块配置成长杆形式且可在相应的传送带的长度方向上设置该相应的传送带的内部空间中，并且形成抽吸孔的抽吸组块的预定区域的长度可等于或大于晶片传送方向上晶片宽度的两倍。
而且，至少一个检查点可设置在第一抽吸组块的预定区域和第二抽吸组块的预定区域的等分线上。
这种情况下，传送带的数目可为N并且至少一个检查点可包括至少N+1个检查点。
而且，抽吸组块在其上部表面的预定区域设有以预定间隔设置的多个抽吸孔。
在本发明的另一方面中，可视检查系统包括：传送带，用于在晶片放在传送带上的状态下传送晶片；一对驱动传送带的带轮；抽吸组块，设在传送带的内部空间中以将吸力施加到传送带的内表面；光源，设在传送带的上方或下方以将光照射到由传送带传送的晶片的上表面或下表面；和捕获装置，设在传送带的上方或下方，以捕获从光源照射的以及自晶片反射的光。
可以理解，前面的一般描述和以下本发明的详细说明都是示意性和说明性的，且旨在提供对要求保护的本发明的进一步解释。
附图说明
包括附图以提供本发明的进一步理解，并将其结合到本申请中且其构成本申请的一部分，附图示出了本发明的实施例且与说明书一起用于解释本发明的原理。图中：
图1是晶片检查工艺的总视图；
图2(a)至2(c)是示出根据本发明的位置感应系统的几个实施例的平面图；
图3是示出将被检查的晶片传送至根据本发明的位置感应系统中检查点的前面和后面的工艺的平面图；
图4(a)和4(b)是根据本发明的位置感应系统的侧视图；
图5(a)至5(c)是示出根据本发明的位置感应系统实施例的侧视图；和
图6(a)和6(b)是示出根据本发明的可视检查系统实例的侧视图。
具体实施方式
现在将详细参考本发明的优选实施例，附图中示出了其实例。以下对实施例的详细描述包括具体细节，以提供对本发明的全面理解，和向本领域技术人员充分提供本发明的观点。尽可能地，贯穿附图使用相同附图标记表示相同或相似部件。
图1是太阳能电池晶片检查工艺的总视图。该太阳能电池晶片检查工艺可包括通过至少一个可视检查单元执行的可视检查工艺，用于检查太阳能电池晶片表面上的残留污染物或者晶片表面处的裂缝。
参考图1，可视检查单元500可包括三个可视检查单元。提供第一可视检查单元100以检查晶片上表面上的残留污染物。提供第二可视检查单元200以检查晶片下表面上的残留污染物。提供第三可视检查单元300以检查晶片表面处的裂缝。
各可视检查单元可包括：传送晶片的传送带110、210和310；光源130、230和330，照射用来检查晶片的光；和扫描照相机120、220和320，用于捕获自光源130、230和330照射的光的被反射的光分量或者被传输的光分量。
扫描照相机120、220和320可以是线扫描照相机，用于扫描晶片表面处形成的预定线。
第一可视检查单元100可基于自第一光源130照射的、自晶片上表面反射的并且通过第一扫描照相机120捕获的光的信息，检查被检查晶片上表面处的污染物或缺陷。
以相同方式，第二可视检查单元200可基于自第二光源230照射的、自晶片下表面反射的并且通过第二扫瞄照像机220捕获的光的信息，检查被检查晶片下表面处的污染物或缺陷。
第一可视检查单元100的光源130和第二可视检查单元200的光源230可使用可见光作为检查光。
因此，在第一可视检查单元100和第二可视检查单元200中，需要将光源130和230以及扫描照相机120和220装配成使得自光源130和230入射到晶片上的光的入射角近似等于自晶片反射的光的反射角。可改变第一可视检查单元100和第二可视检查单元200的排列顺序。
第一可视检查单元100和第二可视检查单元200可连续排列且可具有独立的传送带。
此外，如图1中所示，可在第一可视检查单元100和第二可视检查单元200的后面提供第三可视检查单元300。
与第一可视检查单元100和第二可视检查单元200不同，第三可视检查单元300可提供用来检查晶片处的裂缝。
因此，在将被检查的晶片设置在第三光源330和第三扫描照相机320之间的状态下，组装构成第三可视检查单元300的第三光源330和第三扫描照相机320，以使自第三光源330照射的光穿透晶片且被第三扫描照相机320捕获以检查晶片处的裂缝。
也就是说，光通过存在裂缝的晶片区域所捕获的图像不同于光通过不存在裂缝的晶片区域所捕获的图像。用于检查裂缝的第三可视检查单元300的光源330可使用具有足以穿透由硅制成的晶片的长波光作为检查光。例如，第三可视检查单元300的光源330可使用具有近红外光波长的光作为检查光。
当完成裂缝检查时，根据本发明的位置感应系统1000感应晶片上表面或下表面的相对位置。此处，晶片上表面或下表面的相对位置指晶片上表面或下表面的垂直位置而非晶片上表面或下表面的水平位置。也就是说，可感应被检查的晶片上表面或下表面的相对位置(高度)以测量晶片的总厚度变化(TTV)。可通过包括激光传感器的位置感应系统感应晶片上表面或下表面的高度。
图2(a)至2(c)是示出根据本发明的晶片传送装置以及具有根据本发明的晶片传送装置的位置感应系统1000的几个实施例的平面图。
根据本发明的位置感应系统1000可包括：传送带1100，用于在将晶片放在传送带1100上的状态下传送晶片；一对驱动各传送带1100的带轮1400；抽吸组块1500，设在每条传送带1100的内部空间中以将吸力施加到每条传送带1100的内表面；设在传送带1100之间或外部的至少一个检查点1600；和设在检查点1600上方和/或下方的激光传感器1700(见图1和4)，用于照射激光至由传送带1100传送的晶片W的上表面或下表面，并感应自晶片上表面或下表面反射的激光，以测量晶片上表面或下表面的相对位置。
此处，传送带1100、带轮1400和抽吸组块1500，不包括激光传感器，可构成一晶片传送装置，其能够在暴露晶片上表面或下表面的(指定的)部分的状态下传送晶片以除了总厚度变化检测工艺以外还在其他检查工艺中检查晶片。
很明显，晶片传送装置可用于在可视检查单元中传送晶片以检查污染物或裂缝。因此，应当理解，下文将详细描述的位置感应系统包括：根据本发明的晶片传送装置，其包括在传送带1100彼此间隔开的状态下并行装配的多个传送带1100，用于在将晶片放在传送带1100上的状态下传送晶片；一对驱动每条传送带1100的带轮1400；和至少一个抽吸组块1500，设在每条传送带1100的内部空间中以作为核心部件将吸力施加到每条传送带1100的内表面。
而且，晶片传送装置可应用到图1中所示的可视检查单元500和图6中所示的可视检查系统，下文将描述。下文将参考图6详细描述图6中示出的可视检查系统。
在图2(a)中示出的实施例中，传送带1100包括第一传送带1100a和第二传送带1100b。可在传送带1100彼此间隔开的状态下并行设置该第一传送带1100a和第二传送带1100b。
当然，对于特定可视检查，可仅提供一个传送带以检查晶片上表面处的污染物。
第一传送带1100a和第二传送带1100b可设置在相同高度。而且，第一传送带1100a和第二传送带1100b可具有相同长度。第一传送带1100a和第二传送带1100b之间的距离必须小于与晶片传送方向垂直的方向上的晶片宽度。
第一传送带1100a和第二传送带1100b可各包括一对带轮1400(1)和1400(2)。带轮1400(1)和1400(2)可包括驱动滑轮1400(1)和从动滑轮1400(2)，驱动滑轮1400(1)配置成被通过使用驱动电机所转动的驱动轴驱动，而从动滑轮1400(2)配置成在从动滑轮1400(2)转动的状态下支撑由驱动滑轮1400(1)移动的传送带1100。
当驱动滑轮和从动滑轮转动时，传送带被移动，从而传送放在传送带上的晶片W。
而且，可通过相同驱动轴1300a驱动该驱动滑轮1400a(1)和1400b(1)来转动第一传送带1100a和第二传送带1100b。
如图2中所示，由驱动电机1200驱动的驱动轴1300a同时驱动用于驱动第一传送带1100a的第一驱动滑轮1400a(1)和用于驱动第二传送带1100b的第二驱动滑轮1400b(1)，在驱动轴1300a转动期间可使该第一驱动滑轮1400a(1)和第二驱动滑轮1400b(1)同时转动。
由于在将晶片W放在第一传送带1100a和第二传送带1100b上面的状态下传送晶片W，因此第一传送带1100a和第二传送带1100b必须具有相同转动速度。因此，第一驱动滑轮1400a(1)和第二驱动滑轮1400b(1)的直径相同。此外，可由相同驱动轴来驱动第一驱动滑轮1400a(1)和第二驱动滑轮1400b(1)。
用于支撑第一传送带1100a的第一从动滑轮1400a(2)和用于支撑第二传送带1100b的第二从动滑轮1400b(2)的直径也是相同的。此外，可通过相同支撑轴1300b可转动地支撑第一从动滑轮1400a(2)和第二从动滑轮1400b(2)。
每条传送带1100都具有由构成带轮1400的驱动滑轮1400(1)和从动滑轮1400(2)所限定的内部空间S(见图4)。在该内部空间中，可进一步提供抽吸组块1500，将吸力施加到每条传送带1100的内表面。
可在第一和第二传送带1100a和1100b中每一个处提供将抽吸组块1500。也就是说，可在第一传送带1100a的内部空间S中提供第一抽吸组块1500a，而可在第二传送带1100b的内部空间中提供第二抽吸组块1500b。
因此，可基于构成根据本发明的晶片传送装置的传送带以及具有其的位置感应系统的数目确定抽吸组块的数目。而且，如图2中所示，抽吸组块1500上表面的宽度优选大于每条传送带的宽度，从而可稳定地抽吸和支撑传送带。
将吸力施加到第一传送带1100a和第二传送带1100b的内部，特别是施加到水平装配的每条传送带1100的内表面的上部，以使由第一传送带1100a和第二传送带1100b传送的晶片W的厚度测量误差最小。
将抽吸组块1500配置成长杆形式。可在每条传送带1100的长度方向上将抽吸组块1500设置在每条传送带1100的内部空间S中。
将多个抽吸孔1510以抽吸孔1510彼此间隔开的状态设在抽吸组块1500上表面的预定区域中，以将吸力施加到被转动的每条传送带1100的底部。
如图2(a)中所示，可在抽吸组块1500上表面的预定区域提供多个抽吸孔1510。每个抽吸孔1510都可为圆形。替代地，每个抽吸孔1510都可配置成长孔、椭圆或者狭缝形式。
也就是说，设在抽吸组块1500上表面的至少一个抽吸孔1510可配置成截面为椭圆或长孔形式。
图2(b)中示出的抽吸孔1510a’和1510b’配置成在垂直于每条传送带1100长度方向的方向上长长地延伸的长孔形式。由于抽吸孔1510a’和1510b’配置成在垂直于每条传送带1100长度方向的方向上长长地延伸的长孔形式，因此即使每条传送带1100的宽度增加，也可以稳定地抽吸每条传送带1100，从而改善在测量晶片总厚度变化时的可靠性。
在抽吸组块1500上表面形成的每个抽吸孔1510的长度可与每个抽吸孔1510的面积成比例。随着每个抽吸孔1510的面积增加，施加到每条传送带的单位面积的吸力会减少。因此，根据系统类型变化地采用抽吸孔的尺寸、形状和数量以及抽吸孔之间的间隔。
而且，如图2(c)中所示，可通过交替排列长孔和圆形来配置设在抽吸组块1500上表面的抽吸孔1510和1510’。
根据本发明的晶片传送装置和具有其的位置感应系统可经由多个并行的传送带传送将被检查的晶片。
提供传送带1100的原因在于，必须设置提供在各传送带1100之间或者传送带1100外部的激光传感器，以将激光照射到经由传送带1100传送的晶片W的上表面或下表面，并感应晶片上表面或下表面的相对位置而不影响传送带。
在根据本发明的晶片传送装置和具有其的位置感应系统中，可在传送带1100之间或者传送带1100外部提供至少一个检查点，并且可在检查点1600上方和/或下方提供激光传感器1700(见图4)，用于将激光照射到经由传送带1100传送的晶片W的上表面或下表面，并感应自晶片上表面或下表面反射的激光以测量晶片上表面或下表面的相对位置。
激光传感器将激光照射到被检查的晶片W的上表面和下表面并接收自晶片W的上表面和下表面反射的激光，以测量晶片上表面的位置(高度)和下表面的位置(高度)，以及基于偏差(高度偏差)测量被检查晶片W的总厚度变化或厚度。
可提供多个检查点1600以测量晶片W的上表面或下表面的相对位置(高度等)。
也就是说，在检查点1600的上方和下方提供将激光照射到晶片W的上表面和下表面的激光传感器，以便当传送晶片W时测量晶片W的厚度和晶片W的上表面或下表面的相位位置。
因此，可以基于检查点1600的数目，关于晶片W的整体面积精确测量晶片W的厚度或者上表面或下表面的相位位置。
如图2(a)中所示，检查点1600可包括设在第一传送带1100a和第二传送带1100b外部的第一点1600a和1600c以及设在第一传送带1100a和第二传送带1100b之间的第一点1600b。而且，可在每个检查点1600处提供一对激光传感器。此处，一对激光传感器可包括设在晶片上表面上方和晶片下表面下方的激光传感器。
因此，可将总计6个激光传感器设置在三个检查点1600a、1600b和1600c的上方和下方。
由于以下将描述的激光传感器(未示出)设在第一至第三检查点1600a、1600b和1600c中每一个的上方和下方，如图2(c)中所示，因此第一至第三检查点1600a、1600b和1600c不会干扰传送带1100a和1100b。
因此，在图2(a)至2(c)的平面图中，可在各传送带外部和传送带之间提供第一至第三检查点1600a、1600b和1600c。
设在第一传送带1100a和第二传送带1100b之间、第一传送带1100a外部和第二传送带1100b外部的第一至第三检查点1600a、1600b和1600c可设置在第一传送带1100a和第二传送带1100b长度方向的等分线1上。抽吸组块的中心也可设置在第一传送带1100a和第二传送带1100b长度方向上等分线1上，从而当晶片W通过检查点附近时能够可靠地实现其上放有晶片W的传送带的抽吸。
这是因为，由于通过带轮或者带轮之间的高度偏差引起的振动，在除了每条传送带中间之外的每条传送带的区域中可能在传送带之间发生高度偏差，结果，降低了总厚度变化测量的可靠性。
为此，也可将抽吸组块设置在能够被第一传送带1100a和第二传送带1100b长度方向的等分线1分成两部分的区域中。
而且，当如图2(a)至2(c)中所示提供两个传送带1100a和1100b时，可提供三个检查点。当提供三条传送带时，可提供总共四个检查点。也就是说，晶片的总厚度变化和厚度可在将被检查的晶片宽度方向上变化，且因此，可增加检查点的数目以改善总厚度变化测量的可靠性。当传送带数目增加时，在被限定在各传送带之间的空间中提供至少一个激光传感器。
也就是说，可以基于晶片尺寸灵活决定激光传感器的数目，和在执行总厚度变化测量的位置划分晶片点。
优选地，当传送带数目是N时，可提供至少N+1个总厚度变化测量点以改善在垂直于晶片传送方向的宽度方向上的总厚度变化测量的可靠性。
图3是示出将被检查的晶片传送至根据本发明的晶片传送装置和具有其的位置感应系统中的检查点的前面和后面的工艺的平面图。将省略与图2重复的描述。
位于彼此间隔开的多个传送带上部的被检查的晶片通过检查点。也就是说，<A1>部分是传送进入到检查点的晶片W的部分，和<A2>部分是传送通过检查点的晶片W的部分。
因此，当通过<A1>部分的晶片W右侧进入到检查点以便测量晶片W的总厚度变化或厚度时，优选在整个部分上方，即<A>部分上方保持通过抽吸组块1500实现的传送带1100的抽吸状态。
也就是说，在进入到检查点之后，优选各传送带保持由位于整个<A>部分上方的抽吸组块抽吸，直到晶片完全通过检查点。换句话说，如果在晶片右侧通过检查点之后传送带1100开始通过各抽吸组块抽吸，或者如果在晶片左侧通过检查点之前释放通过各抽吸组块实现的传送带1100的抽吸，则用于整体厚度变化测量的实验条件变化，结果降低了检查的可靠性。
因此，在被检查的晶片通过检查点同时，需要保持抽吸组块和传送带1100之间的抽吸。也就是说，优选在被检查的晶片右侧进入检查点之前，实现通过抽吸组块1500的传送带1100的抽吸，并且直到被检查的晶片左侧通过检查点才释放传送带1100的被抽吸状态。
因此，需要在被检查的晶片通过检查点同时，保持抽吸组块1500和传送带1100之间的被抽吸状态。优选地，每个抽吸组块1500都具有等于在传送方向上晶片宽度d(W)两倍上的长度d(B)(＞2*d(W))，从而在被检查晶片右侧进入检查点之前就开始通过抽吸组块1500抽吸传送带1100，并且直到被检查晶片的左侧通过检查点才释放传送带1100的被抽吸状态。
提供上述需求，从而在测量被检查晶片的总厚度变化之前，通过设置在传送带下方的抽吸组块抽吸其上设有被检查晶片的整个传送带。
更具体地，由于在每个抽吸组块1500上表面的预定区域形成了多个抽吸孔1510，因此优选在每个抽吸组块1500上表面上形成抽吸孔的预定部分<A>(＝<A1>+<A2>)的长度d(＝d1+d2)大于传送方向上被检查晶片的宽度d(W)的两倍。这是由于即使当每个抽吸组块1500都具有等于在传送方向上的晶片宽度d(W)两倍上的长度d(B)(＞2*d(W))，抽吸孔也并非遍布每个抽吸组块1500上表面形成。吸力通过形成在每个抽吸组块上的抽吸孔同时施加。
图4(a)和4(b)是根据本发明的晶片传送装置和具有其的位置感应系统的侧视图。具体地，图4(a)示出了被检查晶片W进入检查点的状态，和图4(b)示出了就在被检查晶片W刚脱离检查点之前的状态。
如前所述，可在由各传送带1500和带轮1400限定的内部空间S中提供抽吸组块1500，以便保证传送晶片W的每条传送带1500的平坦状态，测量晶片W的上表面或下表面的相位位置。每个抽吸组块1500都配置成长杆形式。每个抽吸组块1500都设置在每条传送带1100长度方向上的每条传送带1100的内部空间S中。每个抽吸组块1500都将吸力施加到水平排列的每条传送带1100的上部。
施加到每条传送带1100的吸力改善了总厚度变化测量的精度并防止在传送晶片W期间可能发生的晶片滑移。
每个抽吸组块1500可具有限定在其中的至少一个主要流道1530。而且，每个抽吸组块1500可具有至少一个抽吸口1540，通过该抽吸口将吸力施加到主要流道1530。此外，每个抽吸组块1500可具有多个支路流道1520，以允许主要流道和抽吸孔1510(见图3)彼此连通。
可通过形成在每个抽吸组块1500上的抽吸孔独立施加吸力。但是，在根据本发明的晶体传送装置以及具有其的位置感应系统中，在每个抽吸组块1500中提供用于将吸力施加到抽吸孔的至少一个主要流道1530，并且抽吸孔通过支路流道1520与主要流道连通。
在图4(a)和4(b)中示出的实施例中，每个抽吸组块1500都具有限定于其中的主要流道1500和两个抽吸口1540a和1540b，通过该抽吸口1540a和1540b将吸力(真空压力或负压)施加到主要流道1500。
可根据主要流道1530的长度决定抽吸口的数目。
每个抽吸口1540a和1540b可连接到真空泵，以将吸力施加到主要流道1530。如图4(a)和4(b)中所示，在支路流道1520与主要流道1530连通的状态下，可在水平方向上提供主要流道，以及在垂直方向上提供支路流道1520。
由于每条传送带1100都水平设置，且抽吸孔形成在每个抽吸组块1500中，以使抽吸孔在每条传送带1100的长度方向上彼此间隔，因此也可在与每条传送带1100的装配方向相同的方向上、即水平地形成主要流道1530。
支路流道1520的数目可等于抽吸孔的数目。也就是说，支路流道1520可与抽吸孔一一对应，以便通过抽吸孔均匀地保持每条传送带1100的吸力。而且，每个抽吸组块1500上表面的高度h1优选对应于每个带轮1400顶部的高度h2。
也就是说，如果每个抽吸组块1500上表面的高度h1高于每个带轮1400顶部的高度h2，则在抽吸组块和传送带之间的摩擦力可能增加。另一方面，如果每个抽吸组块1500上表面的高度h1低于每个带轮1400顶部的高度h2，则传送带弯曲增加。
而且，根据本发明的位置感应系统可包括设在检查点上方和/或下方的激光传感器1700，用于将激光照射至由传送带1100传送的晶片上表面或下表面并感应自晶片上表面或下表面反射的激光，以测量晶片上表面或下表面的相对位置。
由于激光传感器1700将激光照射到一目标并感应自该目标上表面和下表面反射的激光以测量反射点的高度、基于该目标上表面和下表面之间的高度偏差测量该目标厚度并测量该目标上表面和下表面的高度，因此除了该目标高度之外还可以测量该目标反射点的方向转变或者该目标的上表面或下表面的相对位置。
因此，在能够正确证实该目标上表面或下表面的高度的情况下，将激光传感器设在该目标的下表面下方或者该目标的上表面上方，以测量该目标厚度，从而测量该目标下表面或上表面的高度。因此，可不在该目标的上表面上方和该目标下表面下方提供激光传感器以测量该目标厚度或者该目标上表面或下表面的相对位置。
于图4(a)和4(b)中示出的根据本发明的位置感应系统1000可包括设在检查点(见图3)上方和下方的上部激光传感器1700a和下部激光传感器1700b，以测量通过传送带1100传送的晶片W的上表面和下表面的高度，并由此测量晶片W的总厚度变化或者厚度。
上部激光传感器1700a和下部激光传感器1700b可将激光照射到通过检查点的晶片W的上表面和下表面，并感应自晶片W的上表面和下表面反射的激光以测量通过检查点的晶片的上表面和下表面的高度。每个激光传感器1700都可包括；将激光照射至晶片的上表面或下表面的激光二极管；感应反射的激光的光学元件(CMOS元件)；和将所反射的光会聚到光学元件的聚光透镜。而且，可将用于感应具有固定反射角的激光的传感器和用于感应具有变化反射角的激光的传感器用作各激光传感器。以下，将描述采用了用于感应具有变化反射角的激光的传感器的实施例。
因此，可以根据晶片厚度变化、基于其上聚焦了反射激光的光学元件的像素位置来测量表面高度。
如图4(a)中所示，通过设在晶片W的上表面上方和晶片W的下表面下方的上部激光传感器1700a和下部激光传感器1700b检测进入到检查点的晶片W的总厚度变化或者厚度。
上部激光传感器1700a和下部激光传感器1700b可感应通过传送带1100传送的晶片在晶片传送方向上的厚度变化。
而且，如前文参考图2和3描述的，可提供多个检查点。这种情况下，可以证实晶片的总厚度分布或者整个晶片上表面或下表面的相对位置。
当从上部激光传感器1700a照射的光以角度θ1(图4(a))自晶片上表面在晶片右侧附近反射同时自上部激光传感器1700a照射的光以角度θ1’(图4(b))自晶片上表面在晶片左侧附近反射、和自下部激光传感器1700b照射的光以角度θ2(图4(a))自晶片下表面在晶片右侧附近反射同时自下部激光传感器1700b的光以角度θ2’(图4(b))自晶片下表面在晶片左侧附近反射时，可看出晶片的厚度分布在晶片传送方向是变化的。
如果这种厚度变化超出容许误差，则可识别并挑选出该晶片，从而防止对该晶片不必要的后处理。
图5(a)至5(c)是根据本发明的晶片传送装置以及具有其的位置感应系统的实施例的侧视图。将省略与图1至4重复的描述。
在图5(a)中示出的实施例中，主要流道被限定在每个抽吸组块1530中。但是，与上文描述不同，仅提供一个抽吸口1540，通过其向主要流道1530施加吸力。也就是说，当主要流道长度较小时，可减少抽吸口1540的数目。
在图5(b)中示出的实施例与图5(a)中示出的实施例相同点在于提供了主要流道和抽吸口。但是，图5(b)中示出的实施例与图5(a)中示出的实施例不同点在于将主要流道分成第一主要流道1530(1)和第二主要流道1530(2)。
也就是说，当根据晶片的位置和尺寸，不必将吸力施加到不必要的区域时，可以根据传送晶片的位置通过分开的主要流道1530(1)和1530(2)选择性地施加吸力。
而且，当真空泵负载量较小结果难以遍及长的主要流道施加真空压力时，可将主要流道分成多个流道，通过其选择性地施加吸力。
图5(c)中示出的实施例与图5(b)中示出的实施例的相同点在于将主要流道分成了第一主要流道1530(1)和第二主要流道1530(2)。但是，图5(c)中示出的实施例与图5(b)中示出的实施例的不同点在于提供了两个抽吸口以将吸力施加到每个主要流道1530(1)和1530(2)。
可在每个抽吸组块的长度方向上将主要流道1530(1)和1530(2)排列成行。
当主要流道1530(1)和1530(2)中的一个较长或者当真空泵的功率不足时，分隔主要流道1530(1)和1530(2)，可在各自的主要流道1530(1)和1530(2)中形成多个抽吸口1540a(1)、1540b(1)、1540a(2)和1540b(2)，并且可将独立的真空泵连接到各自的抽吸口以施加吸力。
因此，在如上所述的根据本发明的晶片传送装置和具有其的位置感应系统中，可以在检查晶片期间稳定地传送晶片，从而改善晶片总厚度变化的可靠性，降低半导体缺陷率并实现成本降低。
图6(a)和6(b)是示出根据本发明可视检查系统实例的侧视图。更具体地，图6(a)是示出检查晶片上表面的可视检查系统的侧视图，和图6(b)是示出检查晶片底部的可视检察系统的侧视图。将省略与图1至5重复的描述。
图6(a)和6(b)中所示的可视检查系统可包括：传送带2100，用于在将晶片W放在传送带2100上的状态下传送晶片W；一对驱动传送带2100的带轮1400；设在传送带2100的内部空间S中的抽吸组块2500，用于将吸力施加到传送带2100的内表面；设在传送带2100的上方或下方的光源2800，照射由传送带2100传送的晶片W的上表面或下表面；和捕获装置2700，用于捕获自光源2800照射以及自晶片反射的光。
提供之前参考图1描述的第一至第三可视检查单元100、200和300，以通过线扫描主要检查污染物和裂缝。但是，图6中示出的可视检查系统2000可通过捕获晶片的预定区域的区域扫描而非线扫描来检查晶片表面。
而且，在图6中示出的可视检查系统2000中，用于捕获自光源2800照射的光的捕获装置2700设置在晶片W的上表面上方或者晶片W的下表面下方，以根据晶片被检查表面是晶片的上表面还是下表面来捕获晶片W的上表面或者晶片W的下表面。
因此，在图6(a)中示出的实施例中，在将晶片W放在传送带2100上的状态下，在经由传送带2100传送的晶片W上表面上方提供上部捕获装置2700a。另一方面，在图6(b)中示出的实施例中，在将晶片W放在传送带2100上的状态下，可在通过传送带2100传送的晶片W的下表面下方提供下部捕获装置2700b。
而且，可在上部捕获装置2700a和下部捕获装置2700b附近提供至少一个光源。如图6(a)和6(b)中所示，将一对光源2800a提供在上部捕获装置2700a的前面和后面，和将一对光源2800b提供在下部捕获装置2700b的前面和后面。光源2800a和2800b排列成“V”形以使所捕获图像的亮度偏差最小。
可装配上部捕获装置2700a和下部捕获装置2700b以在垂直方向上捕获晶片上表面和下表面。
在图6(b)中示出的实施例中，必须暴露出晶片下表面以捕获晶片的下表面。因此，可提供多个传送带使得传送带彼此间隔，以暴露出晶片的下表面。换句话说，对于可视检查系统，不必仅检查晶片的上表面而包括多个传送带。
在图6(a)和6(b)中示出的可视检查系统2000中，捕获自各个光源照射和自晶片反射的光以检查晶片表面上特定区域的缺陷。
而且，图6(a)和6(b)中示出的可视检查系统2000包括构成根据本发明的晶片传送装置的传送带2100、带轮2400和抽吸组块2500，用于稳定地传送被检查的晶片。
如前所述，除了图6(a)和6(b)中示出的可视检查系统之外，包括抽吸组块以在传送晶片期间抽吸传送带的晶片传送装置也可用于图1中示出的各可视检查单元。
在根据本发明的晶片传送装置和具有其的位置感应系统中，可以在检查晶片期间稳定地传送晶片。
而且，在根据本发明的晶片传送装置和具有其的位置感应系统中，可以改善总厚度变化检测的可靠性。
而且，在根据本发明的晶片传送装置和具有其的位置感应系统中，可以改善总厚度变化检测的可靠性，从而降低半导体的缺陷率并实现成本降低。
对本领域技术人员很明显的是，在不脱离本发明的精神和范围的情况下可对本发明作出各种改进和变化。由此，只要落在所附的权利要求以及其等价物的范围内，本发明意在覆盖本发明的这种修改和变化。

Claims (28)

1.一种晶片传送装置，包括：
传送带，用于在晶片放在传送带上的状态下传送晶片；
一对驱动传送带的带轮；和
抽吸组块，设在传送带内部空间中，用于将吸力施加到传送带内表面。
2.如权利要求1所述的晶片传送装置，其中传送带水平设置，且抽吸组块将吸力施加到传送带内表面的上部。
3.如权利要求1所述的晶片传送装置，其中传送带包括第一传送带和第二传送带，且抽吸组块包括分别设在第一传送带内部空间中和第二传送带内部空间中的第一抽吸组块和第二抽吸组块。
4.如权利要求3所述的晶片传送装置，其中第一传送带和第二传送带通过相同驱动电机驱动。
5.如权利要求4所述的晶片传送装置，还包括驱动轴，用于同时驱动第一传送带和第二传送带的带轮。
6.如权利要求3所述的晶片传送装置，其中第一传送带和第二传送带之间的距离小于在垂直于晶片传送方向的方向上的晶片宽度。
7.如权利要求1所述的晶片传送装置，其中抽吸组块配置成长杆形式且在传送带的长度方向上设置在传送带的内部空间中。
8.如权利要求7所述的晶片传送装置，其中抽吸组块具有大于传送带宽度的上部宽度。
9.如权利要求1所述的晶片传送装置，其中抽吸组块具有等于或者大于在晶片传送方向上的晶片宽度两倍的长度。
10.如权利要求1所述的晶片传送装置，其中抽吸组块在其上表面的预定区域设有多个以预定间隔设置的抽吸孔。
11.如权利要求10所述的晶片传送装置，其中设在抽吸组块上表面的至少一个抽吸孔配置成截面为椭圆或者长孔形式。
12.如权利要求11所述的晶片传送装置，其中配置成截面为椭圆或者长孔形式的至少一个抽吸孔设在垂直于传送带长度方向的方向上。
13.如权利要求10所述的晶片传送装置，其中预定区域具有等于或者大于在晶片传送方向上的晶片宽度两倍的长度。
14.如权利要求10所述的晶片传送装置，还包括限定在抽吸组块中的至少一个主要流道、至少一个抽吸口以及多个支路流道，通过至少一个抽吸口将吸力施加到至少一个主要流道，以及通过多个支路流道使至少一个主要流道与抽吸孔连通。
15.如权利要求14所述的晶片传送装置，其中，在支路流道与至少一个主要流道连通的状态下，该至少一个主要流道设置在水平方向上，而该支路流道设置在垂直方向上。
16.根据权利要求14的晶片传送装置，其中支路流道的数目等于抽吸孔的数目。
17.如权利要求14的晶片传送装置，其中至少一个主要流道包括多个主要流道，并且该主要流道在抽吸组块的长度方向上排列成行。
18.如权利要求1所述的晶片传送装置，其中抽吸组块具有对应于每个带轮的上部端高度的上部高度。
19.一种位置感应系统，包括：
传送带，用于在晶片放在传送带上的状态下传送晶片；
一对驱动传送带的带轮；
抽吸组块，设在传送带内部空间中，用于将吸力施加到传送带的内表面；和
激光传感器，设在位于传送带外部的至少一个检查点上方和/或下方，用于将激光照射到由传送带传送的晶片的上表面和/或下表面，并感应自晶片上表面和/或下表面反射的激光，以测量晶片上表面和/或下表面的相对位置。
20.如权利要求19所述的位置感应系统，其中传送带包括第一传送带和第二传送带，并且抽吸组块包括分别设在第一传送带内部空间中和第二传送带内部空间中的第一抽吸组块和第二抽吸组块。
21.如权利要求20所述的位置感应系统，其中至少一个检查点包括第一至第三检查点，其设在第一传送带和第二传送带之间，在第一传送带外部和第二传送带外部，该第一至第三检查点位于第一传送带和第二传送带长度方向上的等分线上。
22.如权利要求21所述的位置感应系统，其中激光传感器包括分别设在第一至第三检查点上方和下方的上部激光传感器和下部激光传感器。
23.如权利要求20所述的位置感应系统，其中第一传送带和第二传送带通过相同驱动电机驱动，并且位置感应系统还包括用于同时驱动第一传送带的带轮和第二传送带的带轮的驱动轴，和用于同时驱动该驱动轴的驱动电机。
24.如权利要求19所述的位置感应系统，其中抽吸组块配置成长杆形式且在相应的传送带的长度方向上设置在该相应的传送带的内部空间中，以及形成有抽吸孔的抽吸组块的预定区域的长度等于或大于晶片传送方向上的晶片宽度的两倍。
25.如权利要求20所述的位置感应系统，其中至少一个检查点位于第一抽吸组块的预定区域和第二抽吸组块的预定区域的等分线上。
26.如权利要求19所述的位置感应系统，其中传送带的数目是N，并且至少一个检查点包括至少N+1个检查点。
27.如权利要求19所述的位置感应系统，其中抽吸组块在其上表面的预定区域设有多个以预定间隔设置的抽吸孔。
28.一种可视检查系统，其包括：
传送带，用于在晶片设在传送带上的状态下传送晶片；
一对驱动传送带的带轮；
抽吸组块，设在传送带的内部空间中，用于将吸力施加到传送带内表面；
设在传送带的上方或下方的光源，用于照射光至通过传送带传送的晶片的上表面或下表面；和
捕获装置，设在传送带的上方和下方，用于捕获自光源照射和自晶片反射的光。
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