TWI438573B - 感放射線性樹脂組成物、層間絕緣膜及微透鏡與彼等之形成方法 - Google Patents
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Description
本發明涉及感放射線性樹脂組成物、層間絕緣膜和微透鏡以及彼等的形成方法。
薄膜電晶體(以下稱為“TFT”)型液晶顯示元件及有機EL顯示元件、磁頭元件、積體電路元件、固態攝影元件等電子部件,通常在層狀配置的配線之間為了絕緣而設置層間絕緣膜。由於作為形成層間絕緣膜的材料,較佳係為了獲得必要圖案形狀所需的步驟少、且具有充份的平坦性者,因而感放射線性樹脂組成物被廣泛地使用(參見專利文獻1和專利文獻2)。
上述電子部件中,例如TFT型液晶顯示元件,由於要經過在上述層間絕緣膜上形成透明電極膜,再在其上形成液晶取向膜的步驟製成,因而層間絕緣膜在透明電極膜形成步驟要經受高溫條件,並且要經受電極圖案形成時所使用的保護層的剝離液,因此,必須對其具有非常好的耐受性。
又,近年來,TFT型液晶顯示元件正處於大螢幕化、高亮度化、高精細化、快速回應化、薄型化等的趨勢下,作為其中所用的層間絕緣膜形成用組合物,要求具有高敏感度,所形成的層間絕緣膜在低介電常數、高透光率等方面與以往的相比也要求有提高的高性能。
作為這種低介電常數、高透光率的層間絕緣膜,已知丙烯酸樹脂與醌二疊氮的組合(專利文獻3)和酚樹脂與醌二疊氮的組合(專利文獻4)。但是,這些材料在形成膜後的加熱步驟中會發生脫氣,出現透明性降低的問題等。
此外,由以前已知的感射線性樹脂組合物形成層間絕緣膜時的顯影步驟中,如果顯影時間哪怕是稍微超過最佳時間,也會出現發生圖案脫落的情況。
從提高液晶顯示元件的製造成品率、提高可靠性的角度出發,要求改善被稱為“燒屏”的液晶顯示元件的顯示不良。“燒屏”,是從液晶顯示元件的內部固化膜等向液晶溶出雜質、未固化物等,在施加電壓時發生液晶回應缺陷,使液晶顯示元件中產生殘像的問題。這種問題是使液晶顯示元件製造力下降、可靠性受損的大問題。
這樣,在由感放射線性樹脂組成物形成層間絕緣膜時,作為組合物,要求有高的敏感度,並且顯示有良好的密合性以使其在形成步驟的顯影步驟中,即使當顯影時間超出規定時間時,也不會發生圖案的脫落,並且要求由其形成的層間絕緣膜具有高耐熱性、高耐溶劑性、低介電常數、高透光率、高電壓保持率等,而滿足這些要求的感放射線性樹脂組成物迄今還是未知的。
一方面,作為傳真機、電子影印機、固態攝影元件等晶載彩色濾光片成像光學系統或者光纖連接器的光學系統材料,使用具有3~100μm左右透鏡直徑的微透鏡,或者將這些微透鏡按規律排列而成的微透鏡陣列。
微透鏡或者微透鏡陣列的形成,已知有:在形成相當於透鏡的透鏡圖案後,通過加熱處理使其進行熔體流動後直接作為透鏡使用的方法,或者將由熔體流動形成的透鏡圖案作為光罩,通過乾式蝕刻向底層轉印透鏡形狀的方法等。在上述透鏡圖案的形成中,廣泛地使用感放射線性樹脂組成物(參見專利文獻5和專利文獻6)。
然而,由如上所述的微透鏡或微透鏡陣列形成的元件,在之後為了作為除去配線形成部分的焊墊上的各種絕緣膜,要塗敷平坦化膜和蝕刻用光阻膜,再用所需光罩進行曝光、顯影,除去焊墊部分的蝕刻光阻,然後,通過蝕刻除去平坦化膜和各種絕緣膜,將焊墊部分供給曝光步驟。因此,微透鏡或者微透鏡陣列在平坦化膜和蝕刻光阻的塗腹形成步驟中以及蝕刻步驟中必須具有耐溶劑性和耐熱性。
形成這種微透鏡用的感放射線性樹脂組成物要求具有高敏感度,並且,要求由其形成的微透鏡具有所需的曲率半徑,並具有高耐熱性、高透光率等。
此外,由以前已知的感放射線性樹脂組成物形成的微透鏡,在其形成時的顯影步驟中,如果顯影時間哪怕是稍微超出最佳時間,在圖案與基板之間很容易發生顯影液滲透而導致脫落,因而必須嚴格控制顯影時間,製品的成品率方面很成問題。
這樣,在由感放射線性樹脂組成物形成微透鏡時,作為組合物,要求有高的敏感度,並且顯示有良好的密合性以使其在形成步驟的顯影步驟中,即使當顯影時間超出規定時間時,也不會發生圖案的脫落;並且作為微透鏡,要求具有良好的熔融形狀即所需曲率半徑的熔融形狀、高耐熱性、高耐溶劑性、高透光率,而滿足這些要求的感放射線性樹脂組成物迄今還是未知的。
另外,作為高耐熱性、高透明性、低介電常數的材料,已知矽氧烷聚合物,將其用於層間絕緣膜也是已知的(參見專利文獻7),但是為了使矽氧烷充分交聯,必須經過250~300℃以上的高溫烘焙,因而存在不能應用於製造顯示元件中的問題。另外,雖然進行了將矽氧烷聚合物應用於微透鏡的嘗試,但是迄今仍未知工業上成功的例子。
【專利文獻1】日本特開2001-354822號公報
【專利文獻2】日本特開2001-343743號公報
【專利文獻3】日本特開2005-320542號公報
【專利文獻4】日本特開2003-255546號公報
【專利文獻5】日本特開平6-18702號公報
【專利文獻6】日本特開平6-136239號公報
【專利文獻7】日本特開2006-178436號公報
本發明是基於以上情況而作出的。因此,本發明的目的是提供一種感放射線性樹脂組成物,當其在不到250℃的烘焙條件下用於形成層間絕緣膜時,能夠形成高耐熱性、高耐溶劑性、高透光率、低介電常數、高電壓保持率的層間絕緣膜,並且當用於形成微透鏡時,能夠形成具有高透光率和良好的熔融形狀的微透鏡。
本發明的另一目的是提供一種感放射線性樹脂組成物,其具有高的射線敏感度,並且具有在顯影步驟中即使超出最佳顯影時間也能形成良好圖案形狀的顯影邊界(development margin),能夠容易地形成密合性優良的圖案狀薄膜。
本發明的又一目的是提供一種用上述感放射線性樹脂組成物形成層間絕緣膜和微透鏡的方法。
本發明的再一目的是提供由本發明的方法形成的層間絕緣膜和微透鏡。
本發明的其他目的和優點可以由以下的說明獲悉。
根據本發明,本發明的上述目的和優點,第一,由一種感放射線性樹脂組成物達成,其特徵在於包括:[A](a1)下述式(1)表示的矽烷化合物與(a2)下述式(2)表示的矽烷化合物的水解縮合物聚矽氧烷,[B]1,2-醌二疊氮化合物,
(式(1)中,X1
表示乙烯基、烯丙基、(甲基)丙烯醯氧基、苯乙烯基或乙烯基苄氧基,Y1
表示單鍵、亞甲基或碳原子數為2~6的伸烷基,R1
表示碳原子數為1~6的烷氧基或碳原子數為2~6的醯氧基,R2
表示碳原子數為1~6的烷基或取代或未取代的碳原子數為6~12的芳基,a和b各自表示1~3的整數,c表示0~2的整數,並且a+b+c=4),SiR5 g
R6 h
(2)
(式(2)中,R5
表示取代或未取代的碳原子數為1~6的烷氧基、取代或未取代的碳原子數為6~18的芳氧基或碳原子數為2~6的醯氧基,R6
表示取代或未取代的碳原子數為1~6的烷基或取代或未取代的碳原子數為6~18的芳基,g表示1~4的整數,h表示0~3的整數,並且g+h=4)。
本發明的上述目的和優點,第二,由一種層間絕緣膜或微透鏡的形成方法達成,其按照下述順序包括以下步驟,
(1)在基板上形成上述感放射線性樹脂組成物的覆膜的步驟,
(2)對該覆膜的至少一部分照射射線的步驟,
(3)將照射射線後的覆膜進行顯影的步驟,和
(4)將顯影後的覆膜進行加熱的步驟。
此外,本發明的上述目的和優點,第三,由採用上述方法形成的層間絕緣膜或者微透鏡達成。
根據本發明的感放射線性樹脂組成物,即使在不到250℃的烘焙條件下,也能夠形成具有足夠的硬度,耐溶劑性和耐熱性優良,並且具有高透光率、低介電常數、高電壓保持率的層間絕緣膜。
並且,本發明的感放射線性樹脂組成物,具有高的射線敏感度,並且具有在顯影步驟中即使超出最佳顯影時間也能形成良好圖案形狀的顯影邊界,能夠容易地形成密合性優良的圖案狀薄膜。
並且,由上述組合物形成的本發明的微透鏡,對基板的密合性良好,耐溶劑性和耐熱性優良,且具有高透光率和良好的熔融形狀,可適合作為固態攝影元件的微透鏡使用。
以下,對本發明的感放射線性樹脂組成物進行詳細說明。
本發明中所用的[A]成分,是具有聚合性不飽和鍵的聚矽氧烷,可以列舉例如具有聚合性不飽和鍵和水解性基團的矽烷化合物(以下也稱為“化合物(a1)”)的水解縮合物(以下也稱為“聚矽氧烷[A]”)。
化合物(a1)較佳為下述式(1)表示的矽烷化合物,
(式(1)中,X1
表示乙烯基、烯丙基、(甲基)丙烯醯氧基、苯乙烯基或乙烯基苄氧基,Y1
表示單鍵、亞甲基或碳原子數為2~6的伸烷基,R1
表示碳原子數為1~6的烷氧基或碳原子數為2~6的醯氧基,R2
表示碳原子數為1~6的烷基或者取代或未取代的碳原子數為6~12的芳基,a和b各自表示1~3的整數,c表示0~2的整數,並且a+b+c=4)。
作為上述式(1)中的Y1
,較佳為亞甲基或者碳原子數為2或3的伸烷基。作為碳原子數為2或3的伸烷基,可以列舉例如亞乙基、1,3-亞丙基等。
另外,作為上述式(1)中的R1
,較佳為碳原子數為1~3的烷氧基或者碳原子數為2~4的醯氧基,可以列舉例如甲氧基、乙氧基、正丙氧基、異丙氧基、乙醯氧基等。
此外,作為上述式(1)中的R2
,較佳為碳原子數為1~4的烷基或者碳原子數為6~8的芳基,可以列舉例如甲基、乙基、苯基等。作為R2
的取代芳基的取代基可以列舉例如鹵素原子、氰基、硝基或碳原子數為1~6的烷基等。
作為這種化合物(a1)的具體例子,可以列舉例如乙烯基三甲氧基矽烷、乙烯基三乙氧基矽烷、乙烯基三正丙氧基矽烷、乙烯基三異丙氧基矽烷、乙烯基三乙醯氧基矽烷、乙烯基甲基二甲氧基矽烷、乙烯基甲基二乙氧基矽烷、乙烯基甲基二正丙氧基矽烷、乙烯基甲基二異丙氧基矽烷、乙烯基甲基二乙醯氧基矽烷、乙烯基乙基二甲氧基矽烷、乙烯基乙基二乙氧基矽烷、乙烯基乙基二正丙氧基矽烷、乙烯基乙基二異丙氧基矽烷、乙烯基乙基二乙醯氧基矽烷、乙烯基苯基二甲氧基矽烷、乙烯基苯基二乙氧基矽烷、乙烯基苯基二正丙氧基矽烷、乙烯基苯基二異丙氧基矽烷、乙烯基苯基二乙醯氧基矽烷、烯丙基三甲氧基矽烷、烯丙基三乙氧基矽烷、烯丙基三正丙氧基矽烷、烯丙基三異丙氧基矽烷、烯丙基三乙醯氧基矽烷、烯丙基甲基二甲氧基矽烷、烯丙基甲基二乙氧基矽烷、烯丙基甲基二正丙氧基矽烷、烯丙基甲基二異丙氧基矽烷、烯丙基甲基二乙醯氧基矽烷、烯丙基乙基二甲氧基矽烷、烯丙基乙基二乙氧基矽烷、烯丙基乙基二正丙氧基矽烷、烯丙基乙基二異丙氧基矽烷、烯丙基乙基二乙醯氧基矽烷、烯丙基苯基二甲氧基矽烷、烯丙基苯基二乙氧基矽烷、烯丙基苯基二正丙氧基矽烷、烯丙基苯基二異丙氧基矽烷、烯丙基苯基二乙醯氧基矽烷、(甲基)丙烯醯氧基甲基三甲氧基矽烷、(甲基)丙烯醯氧基甲基三乙氧基矽烷、(甲基)丙烯醯氧基甲基三正丙氧基矽烷、(甲基)丙烯醯氧基甲基三乙醯氧基矽烷、(甲基)丙烯醯氧基甲基甲基二甲氧基矽烷、(甲基)丙烯醯氧基甲基甲基二乙氧基矽烷、(甲基)丙烯醯氧基甲基甲基二正丙氧基矽烷、(甲基)丙烯醯氧基甲基甲基二乙醯氧基矽烷、(甲基)丙烯醯氧基甲基乙基二甲氧基矽烷、(甲基)丙烯醯氧基甲基乙基二乙氧基矽烷、(甲基)丙烯醯氧基甲基乙基二正丙氧基矽烷、(甲基)丙烯醯氧基甲基乙基二乙醯氧基矽烷、(甲基)丙烯醯氧基甲基苯基二甲氧基矽烷、(甲基)丙烯醯氧基甲基苯基二乙氧基矽烷、(甲基)丙烯醯氧基甲基苯基二正丙氧基矽烷、(甲基)丙烯醯氧基甲基苯基二乙醯氧基矽烷、2-(甲基)丙烯醯氧基乙基三甲氧基矽烷、2-(甲基)丙烯醯氧基乙基三乙氧基矽烷、2-(甲基)丙烯醯氧基乙基三正丙氧基矽烷、2-(甲基)丙烯醯氧基乙基三乙醯氧基矽烷、2-(甲基)丙烯醯氧基乙基甲基二甲氧基矽烷、2-(甲基)丙烯醯氧基乙基甲基二乙氧基矽烷、2-(甲基)丙烯醯氧基乙基甲基二正丙氧基矽烷、2-(甲基)丙烯醯氧基乙基甲基二乙醯氧基矽烷、2-(甲基)丙烯醯氧基乙基乙基二甲氧基矽烷、2-(甲基)丙烯醯氧基乙基乙基二乙氧基矽烷、2-(甲基)丙烯醯氧基乙基乙基二正丙氧基矽烷、2-(甲基)丙烯醯氧基乙基乙基二乙醯氧基矽烷、2-(甲基)丙烯醯氧基乙基苯基二甲氧基矽烷、2-(甲基)丙烯醯氧基乙基苯基二乙氧基矽烷、2-(甲基)丙烯醯氧基乙基苯基二正丙氧基矽烷、2-(甲基)丙烯醯氧基乙基苯基二乙醯氧基矽烷、3-(甲基)丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷、3-(甲基)丙烯醯氧基丙基三乙氧基矽烷、3-(甲基)丙烯醯氧基丙基三正丙氧基矽烷、3-(甲基)丙烯醯氧基丙基三乙醯氧基矽烷、3-(甲基)丙烯醯氧基丙基甲基二甲氧基矽烷、3-(甲基)丙烯醯氧基丙基甲基二乙氧基矽烷、3-(甲基)丙烯醯氧基丙基甲基二正丙氧基矽烷、3-(甲基)丙烯醯氧基丙基甲基二乙醯氧基矽烷、3-(甲基)丙烯醯氧基丙基乙基二甲氧基矽烷、3-(甲基)丙烯醯氧基丙基乙基二乙氧基矽烷、3-(甲基)丙烯醯氧基丙基乙基二正丙氧基矽烷、3-(甲基)丙烯醯氧基丙基乙基二乙醯氧基矽烷、3-(甲基)丙烯醯氧基丙基苯基二甲氧基矽烷、3-(甲基)丙烯醯氧基丙基苯基二乙氧基矽烷、3-(甲基)丙烯醯氧基丙基苯基二正丙氧基矽烷、3-(甲基)丙烯醯氧基丙基苯基二乙醯氧基矽烷、對苯乙烯基三甲氧基矽烷、對苯乙烯基三乙氧基矽烷、對苯乙烯基三正丙氧基矽烷、對苯乙烯基三乙醯氧基矽烷、對苯乙烯基甲基二甲氧基矽烷、對苯乙烯基甲基二乙氧基矽烷、對苯乙烯基甲基二正丙氧基矽烷、對苯乙烯基甲基二乙醯氧基矽烷、對苯乙烯基乙基二甲氧基矽烷、對苯乙烯基乙基二乙氧基矽烷、對苯乙烯基乙基二正丙氧基矽烷、對苯乙烯基乙基二乙醯氧基矽烷、對苯乙烯基苯基二甲氧基矽烷、對苯乙烯基苯基二乙氧基矽烷、對苯乙烯基苯基二正丙氧基矽烷、對苯乙烯基苯基二乙醯氧基矽烷、間苯乙烯基三甲氧基矽烷、間苯乙烯基三乙氧基矽烷、間苯乙烯基三正丙氧基矽烷、間苯乙烯基三乙醯氧基矽烷、間苯乙烯基甲基二甲氧基矽烷、間苯乙烯基甲基二乙氧基矽烷、間苯乙烯基甲基二正丙氧基矽烷、間苯乙烯基甲基二乙醯氧基矽烷、間苯乙烯基乙基二甲氧基矽烷、間苯乙烯基乙基二乙氧基矽烷、間苯乙烯基乙基二正丙氧基矽烷、間苯乙烯基乙基二乙醯氧基矽烷、間苯乙烯基苯基二甲氧基矽烷、間苯乙烯基苯基二乙氧基矽烷、間苯乙烯基苯基二正丙氧基矽烷、間苯乙烯基苯基二乙醯氧基矽烷等;對乙烯基苄氧基三甲氧基矽烷、對乙烯基苄氧基三乙氧基矽烷、對乙烯基苄氧基三正丙氧基矽烷、對乙烯基苄氧基三乙醯氧基矽烷、對乙烯基苄氧基甲基二甲氧基矽烷、對乙烯基苄氧基甲基二乙氧基矽烷、對乙烯基苄氧基甲基二正丙氧基矽烷、對乙烯基苄氧基甲基二乙醯氧基矽烷、對乙烯基苄氧基乙基二甲氧基矽烷、對乙烯基苄氧基乙基二乙氧基矽烷、對乙烯基苄氧基乙基二正丙氧基矽烷、對乙烯基苄氧基乙基二乙醯氧基矽烷、對乙烯基苄氧基苯基二甲氧基矽烷、對乙烯基苄氧基苯基二乙氧基矽烷、對乙烯基苄氧基苯基二正丙氧基矽烷、對乙烯基苄氧基苯基二乙醯氧基矽烷、間乙烯基苄氧基三甲氧基矽烷、間乙烯基苄氧基三乙氧基矽烷、間乙烯基苄氧基三正丙氧基矽烷、間乙烯基苄氧基三乙醯氧基矽烷、間乙烯基苄氧基甲基二甲氧基矽烷、間乙烯基苄氧基甲基二乙氧基矽烷、間乙烯基苄氧基甲基二正丙氧基矽烷、間乙烯基苄氧基甲基二乙醯氧基矽烷、間乙烯基苄氧基乙基二甲氧基矽烷、間乙烯基苄氧基乙基二乙氧基矽烷、間乙烯基苄氧基乙基二正丙氧基矽烷、間乙烯基苄氧基乙基二乙醯氧基矽烷、間乙烯基苄氧基苯基二甲氧基矽烷、間乙烯基苄氧基苯基二乙氧基矽烷、間乙烯基苄氧基苯基二正丙氧基矽烷、間乙烯基苄氧基苯基二乙醯氧基矽烷等;其中,從提高感放射線性樹脂組成物的敏感度、增大顯影邊界、提高耐熱性的角度考慮,較佳使用乙烯基三甲氧基矽烷、乙烯基三乙氧基矽烷、烯丙基三甲氧基矽烷、烯丙基三乙氧基矽烷、3-甲基丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷、3-甲基丙烯醯氧基丙基三乙氧基矽烷、對苯乙烯基三甲氧基矽烷、對苯乙烯基三乙氧基矽烷。這些化合物(a1)可以單獨或兩種以上組合使用。
本發明中的聚矽氧烷[A],較佳為上述化合物(a1)與下述式(2)表示的化合物(以下也稱為“化合物(a2)”)的水解縮合物。
SiR5 g
R6 h
(2)
(式(2)中,R5
表示取代或未取代的碳原子數為1~6的烷氧基、取代或未取代的碳原子數為6~18的芳氧基或碳原子數為2~6的醯氧基,R6
表示取代或未取代的碳原子數為1~6的烷基或取代或未取代的碳原子數為6~18的芳基,g表示1~4的整數,h表示0~3的整數,並且g+h=4)。
作為上述式(2)中的R5
,較佳為碳原子數為1~4的烷氧基、碳原子數為6~12的芳氧基或者碳原子數為2~4的醯氧基,可以列舉例如甲氧基、乙氧基、正丙氧基、異丙氧基、苯氧基、萘氧基、乙醯氧基等。作為R5
中碳原子數為1~6的烷氧基的取代基,可以列舉例如甲氧基、乙氧基等。作為R5
中碳原子數為8~18的芳氧基的取代基,可以列舉例如鹵素原子、氰基、硝基或碳原子數為1~6的烷基等。可以列舉4-氯苯氧基、4-氰基苯氧基、4-硝基苯氧基、4-甲苯甲醯氧基等。
此外,作為上述式(2)中的R6
,較佳係碳原子數為1~5的烷基或碳原子數為6~8的芳基,可以列舉例如甲基、乙基、正丙基、異丙基、戊基、苯基等。作為取代的碳原子數為1~6的烷基的取代基,可以列舉例如環氧乙基、縮水甘油基、縮水甘油醚基、3,4-環氧環己基、3-氧雜環丁烷基、羥基、羥基苯基醯氧基、巰基、下述式(2-1)表示的基團等,
HO-Y2
-S- (2-1)
(式(2-1)中,Y2
表示亞甲基、碳原子數為2~6的伸烷基或碳原子數為6~12的亞芳基)。上述3-氧雜環丁烷基的3位碳原子上任選可被甲基、乙基、正丙基等碳原子數為1~6的烷基取代。作為取代的碳原子數為6~18的芳基的取代基,可以列舉例如鹵素原子、羥基、氰基、硝基、巰基或碳原子數為1~6的烷基等。
作為化合物(a2)的具體例子,可以列舉例如四甲氧基矽烷、四乙氧基矽烷、四正丙氧基矽烷、四異丙氧基矽烷、四正丁氧基矽烷之類的四烷氧基矽烷;甲基三甲氧基矽烷、甲基三乙氧基矽烷、甲基三正丙氧基矽烷、乙基三甲氧基矽烷、乙基三乙氧基矽烷、正丙基三甲氧基矽烷、正丙基三乙氧基矽烷、環己基三乙氧基矽烷之類的單烷基三烷氧基矽烷;苯基三甲氧基矽烷、苯基三乙氧基矽烷、苯基三丙氧基矽烷、萘基三乙氧基矽烷、4-氯苯基三乙氧基矽烷、4-氰基苯基三乙氧基矽烷、4-硝基苯基三乙氧基矽烷、4-甲基苯基三乙氧基矽烷之類的單芳基三烷氧基矽烷,苯氧基三乙氧基矽烷、萘氧基三乙氧基矽烷、4-氯苯氧基三乙氧基矽烷、4-氰基苯氧基三乙氧基矽烷、4-硝基苯氧基三乙氧基矽烷、4-甲基苯氧基三乙氧基矽烷之類的單芳氧基三烷氧基矽烷;二甲基二甲氧基矽烷、二甲基二乙氧基矽烷、二甲基二正丙氧基矽烷、甲基(乙基)二乙氧基矽烷、甲基(環己基)二乙氧基矽烷之類的二烷基二烷氧基矽烷;甲基(苯基)二乙氧基矽烷之類的單烷基單芳基二烷氧基矽烷;二苯基二乙氧基矽烷之類的二芳基二烷氧基矽烷;二苯氧基二乙氧基矽烷之類的二芳氧基二烷氧基矽烷;甲基(苯氧基)二乙氧基矽烷之類的單烷基單芳氧基二烷氧基矽烷;苯基(苯氧基)二乙氧基矽烷之類的單芳基單芳氧基二烷氧基矽烷;三甲基甲氧基矽烷、三甲基乙氧基矽烷、三甲基正丙氧基矽烷、二甲基(乙基)乙氧基矽烷、二甲基(環己基)乙氧基矽烷之類的三烷基單烷氧基矽烷;二甲基(苯基)乙氧基矽烷之類的二烷基單芳基單烷氧基矽烷;甲基(二苯基)乙氧基矽烷之類的單烷基二芳基單烷氧基矽烷;三苯氧基乙氧基矽烷之類的三芳氧基單烷氧基矽烷;甲基(二苯氧基)乙氧基矽烷之類的單烷基二芳氧基單烷氧基矽烷;苯基(二苯氧基)乙氧基矽烷之類的單芳基二芳氧基單烷氧基矽烷;二甲基(苯氧基)乙氧基矽烷之類的二烷基單芳氧基單烷氧基矽烷;二苯基(苯氧基)乙氧基矽烷之類的二芳基單芳氧基單烷氧基矽烷;甲基(苯基)(苯氧基)乙氧基矽烷之類的單烷基單芳基單芳氧基單烷氧基矽烷;環氧丙氧基甲基三甲氧基矽烷、環氧丙氧基甲基三乙氧基矽烷、環氧丙氧基甲基三正丙氧基矽烷、環氧丙氧基甲基三異丙氧基矽烷、環氧丙氧基甲基三乙醯氧基矽烷、環氧丙氧基甲基甲基二甲氧基矽烷、環氧丙氧基甲基甲基二乙氧基矽烷、環氧丙氧基甲基甲基二正丙氧基矽烷、環氧丙氧基甲基甲基二異丙氧基矽烷、環氧丙氧基甲基甲基二乙醯氧基矽烷、環氧丙氧基甲基乙基二甲氧基矽烷、環氧丙氧基甲基乙基二乙氧基矽烷、環氧丙氧基甲基乙基二正丙氧基矽烷、環氧丙氧基甲基乙基二異丙氧基矽烷、環氧丙氧基甲基乙基二乙醯氧基矽烷、環氧丙氧基甲基苯基二甲氧基矽烷、環氧丙氧基甲基苯基二乙氧基矽烷、環氧丙氧基甲基苯基二正丙氧基矽烷、環氧丙氧基甲基苯基二異丙氧基矽烷、環氧丙氧基甲基苯基二乙醯氧基矽烷、2-環氧丙氧基乙基三甲氧基矽烷、2-環氧丙氧基乙基三乙氧基矽烷、2-環氧丙氧基乙基三正丙氧基矽烷、2-環氧丙氧基乙基三異丙氧基矽烷、2-環氧丙氧基乙基三乙醯氧基矽烷、2-環氧丙氧基乙基甲基二甲氧基矽烷、2-環氧丙氧基乙基甲基二乙氧基矽烷、2-環氧丙氧基乙基甲基二正丙氧基矽烷、2-環氧丙氧基乙基甲基二異丙氧基矽烷、2-環氧丙氧基乙基甲基二乙醯氧基矽烷、2-環氧丙氧基乙基乙基二甲氧基矽烷、2-環氧丙氧基乙基乙基二乙氧基矽烷、2-環氧丙氧基乙基乙基二正丙氧基矽烷、2-環氧丙氧基乙基乙基二異丙氧基矽烷、2-環氧丙氧基乙基乙基二乙醯氧基矽烷、2-環氧丙氧基乙基苯基二甲氧基矽烷、2-環氧丙氧基乙基苯基二乙氧基矽烷、2-環氧丙氧基乙基苯基二正丙氧基矽烷、2-環氧丙氧基乙基苯基二異丙氧基矽烷、2-環氧丙氧基乙基苯基二乙醯氧基矽烷、3-環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷、3-環氧丙氧基丙基三乙氧基矽烷、3-環氧丙氧基丙基三正丙氧基矽烷、3-環氧丙氧基丙基三異丙氧基矽烷、3-環氧丙氧基丙基三乙醯氧基矽烷、3-環氧丙氧基丙基甲基二甲氧基矽烷、3-環氧丙氧基丙基甲基二乙氧基矽烷、3-環氧丙氧基丙基甲基二正丙氧基矽烷、3-環氧丙氧基丙基甲基二異丙氧基矽烷、3-環氧丙氧基丙基甲基二乙醯氧基矽烷、3-環氧丙氧基丙基乙基二甲氧基矽烷、3-環氧丙氧基丙基乙基二乙氧基矽烷、3-環氧丙氧基丙基乙基二正丙氧基矽烷、3-環氧丙氧基丙基乙基二異丙氧基矽烷、3-環氧丙氧基丙基乙基二乙醯氧基矽烷、3-環氧丙氧基丙基苯基二甲氧基矽烷、3-環氧丙氧基丙基苯基二乙氧基矽烷、3-環氧丙氧基丙基苯基二正丙氧基矽烷、3-環氧丙氧基丙基苯基二異丙氧基矽烷、3-環氧丙氧基丙基苯基二乙醯氧基矽烷等;(3,4-環氧基環己基)甲基三甲氧基矽烷、(3,4-環氧基環己基)甲基三乙氧基矽烷、(3,4-環氧基環己基)甲基三正丙氧基矽烷、(3,4-環氧基環己基)甲基三乙醯氧基矽烷、(3,4-環氧基環己基)甲基甲基二甲氧基矽烷、(3,4-環氧基環己基)甲基甲基二乙氧基矽烷、(3,4-環氧基環己基)甲基甲基二正丙氧基矽烷、(3,4-環氧基環己基)甲基甲基二乙醯氧基矽烷、(3,4-環氧基環己基)甲基乙基二甲氧基矽烷、(3,4-環氧基環己基)甲基乙基二乙氧基矽烷、(3,4-環氧基環己基)甲基乙基二正丙氧基矽烷、(3,4-環氧基環己基)甲基乙基二乙醯氧基矽烷、(3,4-環氧基環己基)甲基苯基二甲氧基矽烷、(3,4-環氧基環己基)甲基苯基二乙氧基矽烷、(3,4-環氧基環己基)甲基苯基二正丙氧基矽烷、(3,4-環氧基環己基)甲基苯基二乙醯氧基矽烷、2-(3’,4’-環氧基環己基)乙基三甲氧基矽烷、2-(3’,4’-環氧基環己基)乙基三乙氧基矽烷、2-(3’,4’-環氧基環己基)乙基三正丙氧基矽烷、2-(3’,4’-環氧基環己基)乙基三乙醯氧基矽烷、2-(3’,4’-環氧基環己基)乙基甲基二甲氧基矽烷、2-(3’,4’-環氧基環己基)乙基甲基二乙氧基矽烷、2-(3’,4’-環氧基環己基)乙基甲基二正丙氧基矽烷、2-(3’,4’-環氧基環己基)乙基甲基二乙醯氧基矽烷、2-(3’,4’-環氧基環己基)乙基乙基二甲氧基矽烷、2-(3’,4’-環氧基環己基)乙基乙基二乙氧基矽烷、2-(3’,4’-環氧基環己基)乙基乙基二正丙氧基矽烷、2-(3’,4’-環氧基環己基)乙基乙基二乙醯氧基矽烷、2-(3’,4’-環氧基環己基)乙基苯基二甲氧基矽烷、2-(3’,4’-環氧基環己基)乙基苯基二乙氧基矽烷、2-(3’,4’-環氧基環己基)乙基苯基二正丙氧基矽烷、2-(3’,4’-環氧基環己基)乙基苯基二乙醯氧基矽烷、3-(3’,4’-環氧基環己基)丙基三甲氧基矽烷、3-(3’,4’-環氧基環己基)丙基三乙氧基矽烷、3-(3’,4’-環氧基環己基)丙基三正丙氧基矽烷、3-(3’,4’-環氧基環己基)丙基三乙醯氧基矽烷、3-(3,4-環氧基環己基)丙基甲基二甲氧基矽烷、3-(3’,4’-環氧基環己基)丙基甲基二乙氧基矽烷、3-(3’,4’-環氧基環己基)丙基甲基二正丙氧基矽烷、3-(3’,4’-環氧基環己基)丙基甲基二乙醯氧基矽烷、3-(3’,4’-環氧基環己基)丙基乙基二甲氧基矽烷、3-(3’,4’-環氧基環己基)丙基乙基二乙氧基矽烷、3-(3’,4’-環氧基環己基)丙基乙基二正丙氧基矽烷、3-(3’,4’-環氧基環己基)丙基乙基二乙醯氧基矽烷、3-(3’,4’-環氧基環己基)丙基苯基二甲氧基矽烷、3-(3’,4’-環氧基環己基)丙基苯基二乙氧基矽烷、3-(3’,4’-環氧基環己基)丙基苯基二正丙氧基矽烷、3-(3’,4’-環氧基環己基)丙基苯基二乙醯氧基矽烷等;(氧雜環丁烷-3-基)甲基三甲氧基矽烷、(氧雜環丁烷-3-基)甲基三乙氧基矽烷、(氧雜環丁烷-3-基)甲基三正丙氧基矽烷、(氧雜環丁烷-3-基)甲基三異丙氧基矽烷、(氧雜環丁烷-3-基)甲基三乙醯氧基矽烷、(氧雜環丁烷-3-基)甲基甲基二甲氧基矽烷、(氧雜環丁烷-3-基)甲基甲基二乙氧基矽烷、(氧雜環丁烷-3-基)甲基甲基二正丙氧基矽烷、(氧雜環丁烷-3-基)甲基甲基二異丙氧基矽烷、(氧雜環丁烷-3-基)甲基甲基二乙醯氧基矽烷、(氧雜環丁烷-3-基)甲基乙基二甲氧基矽烷、(氧雜環丁烷-3-基)甲基乙基二乙氧基矽烷、(氧雜環丁烷-3-基)甲基乙基二正丙氧基矽烷、(氧雜環丁烷-3-基)甲基乙基二異丙氧基矽烷、(氧雜環丁烷-3-基)甲基乙基二乙醯氧基矽烷、(氧雜環丁烷-3-基)甲基苯基二甲氧基矽烷、(氧雜環丁烷-3-基)甲基苯基二乙氧基矽烷、(氧雜環丁烷-3-基)甲基苯基二正丙氧基矽烷、(氧雜環丁烷-3-基)甲基苯基二異丙氧基矽烷、(氧雜環丁烷-3-基)甲基苯基二乙醯氧基矽烷、2-(氧雜環丁烷-3’-基)乙基三甲氧基矽烷、2-(氧雜環丁烷-3’-基)乙基三乙氧基矽烷、(氧雜環丁烷-3-基)乙基三正丙氧基矽烷、2-(氧雜環丁烷-3’-基)乙基三異丙氧基矽烷、2-(氧雜環丁烷-3’-基)乙基三乙醯氧基矽烷、2-(氧雜環丁烷-3’-基)乙基甲基二甲氧基矽烷、2-(氧雜環丁烷-3’-基)乙基甲基二乙氧基矽烷、2-(氧雜環丁烷-3’-基)乙基甲基二正丙氧基矽烷、2-(氧雜環丁烷-3’-基)乙基甲基二異丙氧基矽烷、2-(氧雜環丁烷-3’-基)乙基甲基二乙醯氧基矽烷、2-(氧雜環丁烷-3’-基)乙基乙基二甲氧基矽烷、2-(氧雜環丁烷-3’-基)乙基乙基二乙氧基矽烷、2-(氧雜環丁烷-3’-基)乙基乙基二正丙氧基矽烷、2-(氧雜環丁烷-3’-基)乙基乙基二異丙氧基矽烷、2-(氧雜環丁烷-3’-基)乙基乙基二乙醯氧基矽烷、2-(氧雜環丁烷-3’-基)乙基苯基二甲氧基矽烷、2-(氧雜環丁烷-3’-基)乙基苯基二乙氧基矽烷、2-(氧雜環丁烷-3’-基)乙基苯基二正丙氧基矽烷、2-(氧雜環丁烷-3’-基)乙基苯基二異丙氧基矽烷、2-(氧雜環丁烷-3’-基)乙基苯基二乙醯氧基矽烷、3-(氧雜環丁烷-3’-基)丙基三甲氧基矽烷、3-(氧雜環丁烷-3’-基)丙基三乙氧基矽烷、3-(氧雜環丁烷-3’-基)丙基三正丙氧基矽烷、3-(氧雜環丁烷-3’-基)丙基三異丙氧基矽烷、3-(氧雜環丁烷-3’-基)丙基三乙醯氧基矽烷、3-(氧雜環丁烷-3’-基)丙基甲基二甲氧基矽烷、3-(氧雜環丁烷-3’-基)丙基甲基二乙氧基矽烷、3-(氧雜環丁烷-3’-基)丙基甲基二正丙氧基矽烷、3-(氧雜環丁烷-3’-基)丙基甲基二異丙氧基矽烷、3-(氧雜環丁烷-3’-基)丙基甲基二乙醯氧基矽烷、3-(氧雜環丁烷-3’-基)丙基乙基二甲氧基矽烷、3-(氧雜環丁烷-3’-基)丙基乙基二乙氧基矽烷、3-(氧雜環丁烷-3’-基)丙基乙基二正丙氧基矽烷、3-(氧雜環丁烷-3’-基)丙基乙基二異丙氧基矽烷、3-(氧雜環丁烷-3’-基)丙基乙基二乙醯氧基矽烷、3-(氧雜環丁烷-3’-基)丙基苯基二甲氧基矽烷、3-(氧雜環丁烷-3’-基)丙基苯基二乙氧基矽烷、3-(氧雜環丁烷-3’-基)丙基苯基二正丙氧基矽烷、3-(氧雜環丁烷-3’-基)丙基苯基二異丙氧基矽烷、3-(氧雜環丁烷-3’-基)丙基苯基二乙醯氧基矽烷、(3-甲基氧雜環丁烷-3-基)甲基三甲氧基矽烷、(3-甲基氧雜環丁烷-3-基)甲基三乙氧基矽烷、(3-甲基氧雜環丁烷-3-基)甲基三正丙氧基矽烷、(3-甲基氧雜環丁烷-3-基)甲基三異丙氧基矽烷、(3-甲基氧雜環丁烷-3-基)甲基三乙醯氧基矽烷、(3-甲基氧雜環丁烷-3-基)甲基甲基二甲氧基矽烷、(3-甲基氧雜環丁烷-3-基)甲基甲基二乙氧基矽烷、(3-甲基氧雜環丁烷-3-基)甲基甲基二正丙氧基矽烷、(3-甲基氧雜環丁烷-3-基)甲基甲基二異丙氧基矽烷、(3-甲基氧雜環丁烷-3-基)甲基甲基二乙醯氧基矽烷、(3-甲基氧雜環丁烷-3-基)甲基乙基二甲氧基矽烷、(3-甲基氧雜環丁烷-3-基)甲基乙基二乙氧基矽烷、(3-甲基氧雜環丁烷-3-基)甲基乙基二正丙氧基矽烷、(3-甲基氧雜環丁烷-3-基)甲基乙基二異丙氧基矽烷、(3-甲基氧雜環丁烷-3-基)甲基乙基二乙醯氧基矽烷、(3-甲基氧雜環丁烷-3-基)甲基苯基二甲氧基矽烷、(3-甲基氧雜環丁烷-3-基)甲基苯基二乙氧基矽烷、(3-甲基氧雜環丁烷-3-基)甲基苯基二正丙氧基矽烷、(3-甲基氧雜環丁烷-3-基)甲基苯基二異丙氧基矽烷、(3-甲基氧雜環丁烷-3-基)甲基苯基二乙醯氧基矽烷、2-(3’-甲基氧雜環丁烷-3’-基)乙基三甲氧基矽烷、2-(3’-甲基氧雜環丁烷-3’-基)乙基三乙氧基矽烷、2-(3’-甲基氧雜環丁烷-3’-基)乙基三正丙氧基矽烷、2-(3’-甲基氧雜環丁烷-3’-基)乙基三異丙氧基矽烷、2-(3’-甲基氧雜環丁烷-3’-基)乙基三乙醯氧基矽烷、2-(3’-甲基氧雜環丁烷-3’-基)乙基甲基二甲氧基矽烷、2-(3’-甲基氧雜環丁烷-3’-基)乙基甲基二乙氧基矽烷、2-(3’-甲基氧雜環丁烷-3’-基)乙基甲基二正丙氧基矽烷、2-(3’-甲基氧雜環丁烷-3’-基)乙基甲基二異丙氧基矽烷、2-(3’-甲基氧雜環丁烷-3’-基)乙基甲基二乙醯氧基矽烷、2-(3’-甲基氧雜環丁烷-3’-基)乙基乙基二甲氧基矽烷、2-(3’-甲基氧雜環丁烷-3’-基)乙基乙基二乙氧基矽烷、2-(3’-甲基氧雜環丁烷-3’-基)乙基乙基二正丙氧基矽烷、2-(3’-甲基氧雜環丁烷-3’-基)乙基乙基二異丙氧基矽烷、2-(3’-甲基氧雜環丁烷-3’-基)乙基乙基二乙醯氧基矽烷、2-(3’-甲基氧雜環丁烷-3’-基)乙基苯基二甲氧基矽烷、2-(3’-甲基氧雜環丁烷-3’-基)乙基苯基二乙氧基矽烷、2-(3’-甲基氧雜環丁烷-3’-基)乙基苯基二正丙氧基矽烷、2-(3’-甲基氧雜環丁烷-3’-基)乙基苯基二異丙氧基矽烷、2-(3’-甲基氧雜環丁烷-3’-基)乙基苯基二乙醯氧基矽烷、3-(3’-甲基氧雜環丁烷-3’-基)丙基三甲氧基矽烷、3-(3’-甲基氧雜環丁烷-3’-基)丙基三乙氧基矽烷、3-(3’-甲基氧雜環丁烷-3’-基)丙基三正丙氧基矽烷、3-(3’-甲基氧雜環丁烷-3’-基)丙基三異丙氧基矽烷、3-(3’-甲基氧雜環丁烷-3’-基)丙基三乙醯氧基矽烷、3-(3’-甲基氧雜環丁烷-3’-基)丙基甲基二甲氧基矽烷、3-(3’-甲基氧雜環丁烷-3’-基)丙基甲基二乙氧基矽烷、3-(3’-甲基氧雜環丁烷-3’-基)丙基甲基二正丙氧基矽烷、3-(3’-甲基氧雜環丁烷-3’-基)丙基甲基二異丙氧基矽烷、3-(3’-甲基氧雜環丁烷-3’-基)丙基甲基二乙醯氧基矽烷、3-(3’-甲基氧雜環丁烷-3’-基)丙基乙基二甲氧基矽烷、3-(3’-甲基氧雜環丁烷-3’-基)丙基乙基二乙氧基矽烷、3-(3’-甲基氧雜環丁烷-3’-基)丙基乙基二正丙氧基矽烷、3-(3’-甲基氧雜環丁烷-3’-基)丙基乙基二異丙氧基矽烷、3-(3’-甲基氧雜環丁烷-3’-基)丙基乙基二乙醯氧基矽烷、3-(3’-甲基氧雜環丁烷-3’-基)丙基苯基二甲氧基矽烷、3-(3’-甲基氧雜環丁烷-3’-基)丙基苯基二乙氧基矽烷、3-(3’-甲基氧雜環丁烷-3’-基)丙基苯基二正丙氧基矽烷、3-(3’-甲基氧雜環丁烷-3’-基)丙基苯基二異丙氧基矽烷、3-(3’-甲基氧雜環丁烷-3’-基)丙基苯基二乙醯氧基矽烷、(3’-乙基氧雜環丁烷-3’-基)甲基三甲氧基矽烷、(3-乙基氧雜環丁烷-3-基)甲基三乙氧基矽烷、(3-乙基氧雜環丁烷-3-基)甲基三正丙氧基矽烷、(3-乙基氧雜環丁烷-3-基)甲基三異丙氧基矽烷、(3-乙基氧雜環丁烷-3-基)甲基三乙醯氧基矽烷、(3-乙基氧雜環丁烷-3-基)甲基甲基二甲氧基矽烷、(3-乙基氧雜環丁烷-3-基)甲基甲基二乙氧基矽烷、(3-乙基氧雜環丁烷-3-基)甲基甲基二正丙氧基矽烷、(3-乙基氧雜環丁烷-3-基)甲基甲基二異丙氧基矽烷、(3-乙基氧雜環丁烷-3-基)甲基甲基二乙醯氧基矽烷、(3-乙基氧雜環丁烷-3-基)甲基乙基二甲氧基矽烷、(3-乙基氧雜環丁烷-3-基)甲基乙基二乙氧基矽烷、(3-乙基氧雜環丁烷-3-基)甲基乙基二正丙氧基矽烷、(3-乙基氧雜環丁烷-3-基)甲基乙基二異丙氧基矽烷、(3-乙基氧雜環丁烷-3-基)甲基乙基二乙醯氧基矽烷、(3-乙基氧雜環丁烷-3-基)甲基苯基二甲氧基矽烷、(3-乙基氧雜環丁烷-3-基)甲基苯基二乙氧基矽烷、(3-乙基氧雜環丁烷-3-基)甲基苯基二正丙氧基矽烷、(3-乙基氧雜環丁烷-3-基)甲基苯基二異丙氧基矽烷、(3-乙基氧雜環丁烷-3-基)甲基苯基二乙醯氧基矽烷、2-(3’-乙基氧雜環丁烷-3’-基)乙基三甲氧基矽烷、2-(3’-乙基氧雜環丁烷-3’-基)乙基三乙氧基矽烷、2-(3’-乙基氧雜環丁烷-3’-基)乙基三正丙氧基矽烷、2-(3’-乙基氧雜環丁烷-3’-基)乙基三異丙氧基矽烷、2-(3’-乙基氧雜環丁烷-3’-基)乙基三乙醯氧基矽烷、2-(3’-乙基氧雜環丁烷-3’-基)乙基甲基二甲氧基矽烷、2-(3’-乙基氧雜環丁烷-3’-基)乙基甲基二乙氧基矽烷、2-(3’-乙基氧雜環丁烷-3’-基)乙基甲基二正丙氧基矽烷、2-(3’-乙基氧雜環丁烷-3’-基)乙基甲基二異丙氧基矽烷、2-(3’-乙基氧雜環丁烷-3’-基)乙基甲基二乙醯氧基矽烷、2-(3’-乙基氧雜環丁烷-3’-基)乙基乙基二甲氧基矽烷、2-(3’-乙基氧雜環丁烷-3’-基)乙基乙基二乙氧基矽烷、2-(3’-乙基氧雜環丁烷-3’-基)乙基乙基二正丙氧基矽烷、2-(3’-乙基氧雜環丁烷-3’-基)乙基乙基二異丙氧基矽烷、2-(3’-乙基氧雜環丁烷-3’-基)乙基乙基二乙醯氧基矽烷、2-(3’-乙基氧雜環丁烷-3’-基)乙基苯基二甲氧基矽烷、2-(3’-乙基氧雜環丁烷-3’-基)乙基苯基二乙氧基矽烷、2-(3’-乙基氧雜環丁烷-3’-基)乙基苯基二正丙氧基矽烷、2-(3’-乙基氧雜環丁烷-3’-基)乙基苯基二異丙氧基矽烷、2-(3’-乙基氧雜環丁烷-3’-基)乙基苯基二乙醯氧基矽烷、3-(3’-乙基氧雜環丁烷-3’-基)丙基三甲氧基矽烷、3-(3’-乙基氧雜環丁烷-3’-基)丙基三乙氧基矽烷、3-(3’-乙基氧雜環丁烷-3’-基)丙基三正丙氧基矽烷、3-(3’-乙基氧雜環丁烷-3’-基)丙基三異丙氧基矽烷、3-(3’-乙基氧雜環丁烷-3’-基)丙基三乙醯氧基矽烷、3-(3’-乙基氧雜環丁烷-3’-基)丙基甲基二甲氧基矽烷、3-(3’-乙基氧雜環丁烷-3’-基)丙基甲基二乙氧基矽烷、3-(3’-乙基氧雜環丁烷-3’-基)丙基甲基二正丙氧基矽烷、3-(3’-乙基氧雜環丁烷-3’-基)丙基甲基二異丙氧基矽烷、3-(3’-乙基氧雜環丁烷-3’-基)丙基甲基二乙醯氧基矽烷、3-(3’-乙基氧雜環丁烷-3’-基)丙基乙基二甲氧基矽烷、3-(3’-乙基氧雜環丁烷-3’-基)丙基乙基二乙氧基矽烷、3-(3’-乙基氧雜環丁烷-3’-基)丙基乙基二正丙氧基矽烷、3-(3’-乙基氧雜環丁烷-3’-基)丙基乙基二異丙氧基矽烷、3-(3’-乙基氧雜環丁烷-3’-基)丙基乙基二乙醯氧基矽烷、3-(3’-乙基氧雜環丁烷-3’-基)丙基苯基二甲氧基矽烷、3-(3’-乙基氧雜環丁烷-3’-基)丙基苯基二乙氧基矽烷、3-(3’-乙基氧雜環丁烷-3’-基)丙基苯基二正丙氧基矽烷、3-(3’-乙基氧雜環丁烷-3’-基)丙基苯基二異丙氧基矽烷、3-(3’-乙基氧雜環丁烷-3’-基)丙基苯基二乙醯氧基矽烷等;羥甲基三甲氧基矽烷、羥甲基三乙氧基矽烷、羥甲基三正丙氧基矽烷、羥甲基三異丙氧基矽烷、羥甲基三乙醯氧基矽烷、羥甲基三(甲氧基乙氧基)矽烷、羥甲基甲基二甲氧基矽烷、羥甲基甲基二乙氧基矽烷、羥甲基甲基二正丙氧基矽烷、羥甲基甲基二異丙氧基矽烷、羥甲基甲基二乙醯氧基矽烷、羥甲基乙基二甲氧基矽烷、羥甲基乙基二乙氧基矽烷、羥甲基乙基二正丙氧基矽烷、羥甲基乙基二異丙氧基矽烷、羥甲基乙基二乙醯氧基矽烷、羥甲基乙基二(甲氧基乙氧基)矽烷、羥甲基苯基二甲氧基矽烷、羥甲基苯基二乙氧基矽烷、羥甲基苯基二正丙氧基矽烷、羥甲基苯基二異丙氧基矽烷、羥甲基苯基二乙醯氧基矽烷、羥甲基苯基二(甲氧基乙氧基)矽烷、2-羥基乙基三甲氧基矽烷、2-羥基乙基三乙氧基矽烷、2-羥基乙基三正丙氧基矽烷、2-羥基乙基三異丙氧基矽烷、2-羥基乙基三乙醯氧基矽烷、2-羥基乙基三(甲氧基乙氧基)矽烷、2-羥基乙基甲基二甲氧基矽烷、2-羥基乙基甲基二乙氧基矽烷、2-羥基乙基甲基二正丙氧基矽烷、2-羥基乙基甲基二異丙氧基矽烷、2-羥基乙基甲基二乙醯氧基矽烷、2-羥基乙基乙基二甲氧基矽烷、2-羥基乙基乙基二乙氧基矽烷、2-羥基乙基乙基二正丙氧基矽烷、2-羥基乙基乙基二異丙氧基矽烷、2-羥基乙基乙基二乙醯氧基矽烷、2-羥基乙基乙基二(甲氧基乙氧基)矽烷、2-羥基乙基苯基二甲氧基矽烷、2-羥基乙基苯基二乙氧基矽烷、2-羥基乙基苯基二正丙氧基矽烷、2-羥基乙基苯基二異丙氧基矽烷、2-羥基乙基苯基二乙醯氧基矽烷、2-羥基乙基苯基二(甲氧基乙氧基)矽烷、3-羥基丙基三甲氧基矽烷、3-羥基丙基三乙氧基矽烷、3-羥基丙基三正丙氧基矽烷、3-羥基丙基三異丙氧基矽烷、3-羥基丙基三乙醯氧基矽烷、3-羥基丙基三(甲氧基乙氧基)矽烷、3-羥基丙基甲基二甲氧基矽烷、3-羥基丙基甲基二乙氧基矽烷、3-羥基丙基甲基二正丙氧基矽烷、3-羥基丙基甲基二異丙氧基矽烷、3-羥基丙基甲基二乙醯氧基矽烷、3-羥基丙基乙基二甲氧基矽烷、3-羥基丙基乙基二乙氧基矽烷、3-羥基丙基乙基二正丙氧基矽烷、3-羥基丙基乙基二異丙氧基矽烷、3-羥基丙基乙基二乙醯氧基矽烷、3-羥基丙基乙基二(甲氧基乙氧基)矽烷、3-羥基丙基苯基二甲氧基矽烷、3-羥基丙基苯基二乙氧基矽烷、3-羥基丙基苯基二正丙氧基矽烷、3-羥基丙基苯基二異丙氧基矽烷、3-羥基丙基苯基二乙醯氧基矽烷、3-羥基丙基苯基二(甲氧基乙氧基)矽烷、4-羥基苯基三甲氧基矽烷、4-羥基苯基三乙氧基矽烷、4-羥基苯基三正丙氧基矽烷、4-羥基苯基三異丙氧基矽烷、4-羥基苯基三乙醯氧基矽烷、4-羥基苯基三(甲氧基乙氧基)矽烷、4-羥基苯基甲基二甲氧基矽烷、4-羥基苯基甲基二乙氧基矽烷、4-羥基苯基甲基二正丙氧基矽烷、4-羥基苯基甲基二異丙氧基矽烷、4-羥基苯基甲基二乙醯氧基矽烷、4-羥基苯基乙基二甲氧基矽烷、4-羥基苯基乙基二乙氧基矽烷、4-羥基苯基乙基二正丙氧基矽烷、4-羥基苯基乙基二異丙氧基矽烷、4-羥基苯基乙基二乙醯氧基矽烷、4-羥基苯基乙基二(甲氧基乙氧基)矽烷、4-羥基苯基苯基二甲氧基矽烷、4-羥基苯基苯基二乙氧基矽烷、4-羥基苯基苯基二正丙氧基矽烷、4-羥基苯基苯基二異丙氧基矽烷、4-羥基苯基苯基二乙醯氧基矽烷、4-羥基苯基苯基二(甲氧基乙氧基)矽烷、4-羥基-5-(對羥基苯甲醯氧基)戊基三甲氧基矽烷、4-羥基-5-(對羥基苯甲醯氧基)戊基三乙氧基矽烷、4-羥基-5-(對羥基苯甲醯氧基)戊基三正丙氧基矽烷、4-羥基-5-(對羥基苯甲醯氧基)戊基三異丙氧基矽烷、4-羥基-5-(對羥基苯甲醯氧基)戊基三乙醯氧基矽烷、4-羥基-5-(對羥基苯甲醯氧基)戊基三(甲氧基乙氧基)矽烷、4-羥基-5-(對羥基苯甲醯氧基)戊基甲基二甲氧基矽烷、4-羥基-5-(對羥基苯甲醯氧基)戊基甲基二乙氧基矽烷、4-羥基-5-(對羥基苯甲醯氧基)戊基甲基二正丙氧基矽烷、4-羥基-5-(對羥基苯甲醯氧基)戊基甲基二異丙氧基矽烷、4-羥基-5-(對羥基苯甲醯氧基)戊基甲基二乙醯氧基矽烷、4-羥基-5-(對羥基苯甲醯氧基)戊基乙基二甲氧基矽烷、4-羥基-5-(對羥基苯甲醯氧基)戊基乙基二乙氧基矽烷、4-羥基-5-(對羥基苯甲醯氧基)戊基乙基二正丙氧基矽烷、4-羥基-5-(對羥基苯甲醯氧基)戊基乙基二異丙氧基矽烷、4-羥基-5-(對羥基苯甲醯氧基)戊基乙基二乙醯氧基矽烷、4-羥基-5-(對羥基苯甲醯氧基)戊基乙基二(甲氧基乙氧基)矽烷、4-羥基-5-(對羥基苯甲醯氧基)戊基苯基二甲氧基矽烷、4-羥基-5-(對羥基苯甲醯氧基)戊基苯基二乙氧基矽烷、4-羥基-5-(對羥基苯甲醯氧基)戊基苯基二正丙氧基矽烷、4-羥基-5-(對羥基苯甲醯氧基)戊基苯基二異丙氧基矽烷、4-羥基-5-(對羥基苯甲醯氧基)戊基苯基二乙醯氧基矽烷、4-羥基-5-(對羥基苯甲醯氧基)戊基苯基二(甲氧基乙氧基)矽烷、下述式(2-2)表示的化合物等,HO-Y2
-S-Y3
-Si(OR)3
(2-2)
(式(2-2)中,Y2
的含義與上述式(2-1)中的相同,Y3
表示亞甲基或碳原子數為2~6的伸烷基,R相互獨立地表示碳原子數為1~6的烷基或碳原子數為2~6的醯基)。
作為含巰基的矽烷化合物,可以列舉例如巰基甲基三甲氧基矽烷、巰基甲基三乙氧基矽烷、巰基甲基三正丙氧基矽烷、巰基甲基三異丙氧基矽烷、巰基甲基三乙醯氧基矽烷、巰基甲基三(甲氧基乙氧基)矽烷、巰基甲基甲基二甲氧基矽烷、巰基甲基甲基二乙氧基矽烷、巰基甲基甲基二正丙氧基矽烷、巰基甲基甲基二異丙氧基矽烷、巰基甲基甲基二乙醯氧基矽烷、巰基甲基乙基二甲氧基矽烷、巰基甲基乙基二乙氧基矽烷、巰基甲基乙基二正丙氧基矽烷、巰基甲基乙基二異丙氧基矽烷、巰基甲基乙基二乙醯氧基矽烷、巰基甲基乙基二(甲氧基乙氧基)矽烷、巰基甲基苯基二甲氧基矽烷、巰基甲基苯基二乙氧基矽烷、巰基甲基苯基二正丙氧基矽烷、巰基甲基苯基二異丙氧基矽烷、巰基甲基苯基二乙醯氧基矽烷、巰基甲基苯基二(甲氧基乙氧基)矽烷、2-巰基乙基三甲氧基矽烷、2-巰基乙基三乙氧基矽烷、2-巰基乙基三正丙氧基矽烷、2-巰基乙基三異丙氧基矽烷、2-巰基乙基三乙醯氧基矽烷、2-巰基乙基三(甲氧基乙氧基)矽烷、2-巰基乙基甲基二甲氧基矽烷、2-巰基乙基甲基二乙氧基矽烷、2-巰基乙基甲基二正丙氧基矽烷、2-巰基乙基甲基二異丙氧基矽烷、2-巰基乙基甲基二乙醯氧基矽烷、2-巰基乙基乙基二甲氧基矽烷、2-巰基乙基乙基二乙氧基矽烷、2-巰基乙基乙基二正丙氧基矽烷、2-巰基乙基乙基二異丙氧基矽烷、2-巰基乙基乙基二乙醯氧基矽烷、2-巰基乙基乙基二(甲氧基乙氧基)矽烷、2-巰基乙基苯基二甲氧基矽烷、2-巰基乙基苯基二乙氧基矽烷、2-巰基乙基苯基二正丙氧基矽烷、2-巰基乙基苯基二異丙氧基矽烷、2-巰基乙基苯基二乙醯氧基矽烷、2-巰基乙基苯基二(甲氧基乙氧基)矽烷、3-巰基丙基三甲氧基矽烷、3-巰基丙基三乙氧基矽烷、3-巰基丙基三正丙氧基矽烷、3-巰基丙基三異丙氧基矽烷、3-巰基丙基三乙醯氧基矽烷、3-巰基丙基三(甲氧基乙氧基)矽烷、3-巰基丙基甲基二甲氧基矽烷、3-巰基丙基甲基二乙氧基矽烷、3-巰基丙基甲基二正丙氧基矽烷、3-巰基丙基甲基二異丙氧基矽烷、3-巰基丙基甲基二乙醯氧基矽烷、3-巰基丙基乙基二甲氧基矽烷、3-巰基丙基乙基二乙氧基矽烷、3-巰基丙基乙基二正丙氧基矽烷、3-巰基丙基乙基二異丙氧基矽烷、3-巰基丙基乙基二乙醯氧基矽烷、3-巰基丙基乙基二(甲氧基乙氧基)矽烷、3-巰基丙基苯基二甲氧基矽烷、3-巰基丙基苯基二乙氧基矽烷、3-巰基丙基苯基二正丙氧基矽烷、3-巰基丙基苯基二異丙氧基矽烷、3-巰基丙基苯基二乙醯氧基矽烷、3-巰基丙基苯基二(甲氧基乙氧基)矽烷等;這些化合物(a2)中,從反應性以及所得層間絕緣膜或微透鏡的耐熱性、透明性、耐剝離液性方面考慮,可以較佳使用四甲氧基矽烷、四乙氧基矽烷、甲基三甲氧基矽烷、甲基三乙氧基矽烷、苯基三甲氧基矽烷、苯基三乙氧基矽烷、二甲基二甲氧基矽烷、二甲基二乙氧基矽烷、二苯基二甲氧基矽烷、二苯基二乙氧基矽烷、3-巰基丙基三甲氧基矽烷。
作為本發明中較佳使用的聚矽氧烷[A]的具體例子,可以列舉例如乙烯基三甲氧基矽烷/苯基三甲氧基矽烷共縮聚物、乙烯基三甲氧基矽烷/甲基三甲氧基矽烷/苯基三甲氧基矽烷共縮聚物、乙烯基三甲氧基矽烷/苯基三甲氧基矽烷/3-巰基丙基三甲氧基矽烷共縮聚物、烯丙基三甲氧基矽烷/苯基三甲氧基矽烷共縮聚物、3-甲基丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷/苯基三甲氧基矽烷共縮聚物、3-甲基丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷/3-巰基丙基三甲氧基矽烷/苯基三甲氧基矽烷共縮聚物以及對苯乙烯基三甲氧基矽烷/苯基三甲氧基矽烷共縮聚物。
在本發明中,由化合物(a1)衍生的構成單元的含量比率,基於由(a1)和(a2)衍生的重複單元的合計量,較佳為5~70重量%,特佳為10~60重量%。若由化合物(a1)衍生的構成單元的含量比率不足5重量%,則存在在不到250℃的烘焙條件下製得的層間絕緣膜或微透鏡的耐熱性、表面硬度和耐剝離液性下降的傾向,另一方面,若超過70重量%,則存在聚矽氧烷[A]的保存穩定性變差的傾向。
另外,由化合物(a2)衍生的構成單元的含量比率,基於由(a1)和(a2)衍生的重複單元的合計量,較佳為30~95重量%,特佳為40~90重量%。若由化合物(a2)衍生的構成單元不足30重量%,則存在所得感放射線性樹脂組成物的保存穩定性下降的傾向。另一方面,若超過95重量%,則存在所得層間絕緣膜或微透鏡的耐熱性、表面硬度和耐剝離液性不夠好的可能。
本發明中較佳使用的聚矽氧烷[A],可以通過將如上所述的化合物(a1)、(a2)較佳在溶劑中,較佳在催化劑的存在下進行水解和縮合而合成。
作為聚矽氧烷[A]的合成中可以使用的溶劑,可以列舉例如醇、醚、乙二醇醚、乙二醇單烷基醚乙酸酯、二甘醇、二甘醇單烷基醚乙酸酯、丙二醇單烷基醚、丙二醇烷基醚乙酸酯、丙二醇烷基醚丙酸酯、芳香族烴、酮、酯等。
作為它們的具體例,醇可以列舉例如甲醇、乙醇、苄基醇、2-苯基乙醇、3-苯基-1-丙醇等;作為醚,可以列舉四氫呋喃等;作為乙二醇醚,可以列舉例如乙二醇單甲醚、乙二醇單乙醚等;作為乙二醇單烷基醚乙酸酯,可以列舉例如甲基溶纖劑乙酸酯、乙基溶纖劑乙酸酯、乙二醇單丁醚乙酸酯、乙二醇單乙醚乙酸酯等;作為二甘醇,可以列舉例如二甘醇單甲基醚、二甘醇單乙基醚、二甘醇二甲基醚、二甘醇二乙基醚、二甘醇乙基甲基醚等;作為二甘醇單烷基醚乙酸酯,可以列舉例如二甘醇單乙醚乙酸酯等;作為丙二醇單烷基醚,可以列舉例如丙二醇單甲醚、丙二醇單乙醚、丙二醇單丙醚、丙二醇單丁醚等;作為丙二醇單烷基醚丙酸酯,可以列舉例如丙二醇單甲基醚丙酸酯、丙二醇單乙基醚丙酸酯、丙二醇單丙基醚丙酸酯、丙二醇單丁基醚丙酸酯等;作為丙二醇單烷基醚乙酸酯,可以列舉例如丙二醇單甲基醚乙酸酯、丙二醇單乙基醚乙酸酯、丙二醇單丙基醚乙酸酯、丙二醇單丁基醚乙酸酯等;作為芳香族烴,可以列舉例如甲苯、二甲苯等;作為酮,可以列舉例如甲基乙基酮、甲基異丁基酮、環己酮、4-羥基-4-甲基-2-戊酮等;作為酯,可以列舉例如乙酸甲酯、乙酸乙酯、乙酸丙酯、乙酸丁酯、2-羥基丙酸乙酯、2-羥基-2-甲基丙酸甲酯、2-羥基-2-甲基丙酸乙酯、羥基乙酸甲酯、羥基乙酸乙酯、羥基乙酸丁酯、乳酸甲酯、乳酸乙酯、乳酸丙酯、乳酸丁酯、3-羥基丙酸甲酯、3-羥基丙酸乙酯、3-羥基丙酸丙酯、3-羥基丙酸丁酯、2-羥基-3-甲基丁酸甲酯、甲氧基乙酸甲酯、甲氧基乙酸乙酯、甲氧基乙酸丙酯、甲氧基乙酸丁酯、乙氧基乙酸甲酯、乙氧基乙酸乙酯、乙氧基乙酸丙酯、乙氧基乙酸丁酯、丙氧基乙酸甲酯、丙氧基乙酸乙酯、丙氧基乙酸丙酯、丙氧基乙酸丁酯、丁氧基乙酸甲酯、丁氧基乙酸乙酯、丁氧基乙酸丙酯、丁氧基乙酸丁酯、2-甲氧基丙酸甲酯、2-甲氧基丙酸乙酯、2-甲氧基丙酸丙酯、2-甲氧基丙酸丁酯、2-乙氧基丙酸甲酯、2-乙氧基丙酸乙酯、2-乙氧基丙酸丙酯、2-乙氧基丙酸丁酯、2-丁氧基丙酸甲酯、2-丁氧基丙酸乙酯、2-丁氧基丙酸丙酯、2-丁氧基丙酸丁酯、3-甲氧基丙酸甲酯、3-甲氧基丙酸乙酯、3-甲氧基丙酸丙酯、3-甲氧基丙酸丁酯、3-乙氧基丙酸甲酯、3-乙氧基丙酸乙酯、3-乙氧基丙酸丙酯、3-乙氧基丙酸丁酯、3-丙氧基丙酸甲酯、3-丙氧基丙酸乙酯、3-丙氧基丙酸丙酯、3-丙氧基丙酸丁酯、3-丁氧基丙酸甲酯、3-丁氧基丙酸乙酯、3-丁氧基丙酸丙酯、3-丁氧基丙酸丁酯等。
這些溶劑中,較佳為乙二醇烷基醚乙酸酯、二甘醇、丙二醇單烷基醚或丙二醇烷基醚乙酸酯,特佳二甘醇二甲基醚、二甘醇乙基甲基醚、丙二醇甲基醚、丙二醇乙基醚、丙二醇甲基醚乙酸酯或3-甲氧基丙酸甲酯。溶劑的使用量,較佳係使反應溶液中的化合物(a1)、(a2)的合計量為10~300重量%的量,更佳係使其為100~200重量%的量。
合成聚矽氧烷[A]的水解和縮合反應,較佳在酸催化劑(例如鹽酸、硫酸、硝酸、甲酸、草酸、醋酸、三氟乙酸、三氟甲磺酸、磷酸、酸性離子交換樹脂、各種路易士酸等)或鹼催化劑(例如氨、一級胺類、二級胺類、三級胺類、吡啶等含氮芳香族化合物、鹼性離子交換樹脂、氫氧化鈉等氫氧化物、碳酸鉀等碳酸鹽、醋酸鈉等羧酸鹽、各種路易士鹼等)。催化劑的用量,相對於1莫耳單體,較佳為0.2莫耳以下,更佳為0.00001~0.1莫耳。
水的用量、反應溫度和反應時間可以適當地設定。例如可以採用下述條件。
水的用量,相對於化合物(a1)中的R1
與化合物(a2)中的R5
的合計量1莫耳,較佳為0.1~3莫耳,更佳為0.3~2莫耳,進一步較佳為0.5~1.5莫耳的量。
反應溫度較佳為40~200℃,更佳為50~150℃。
反應時間較佳為30分鐘~24小時,更佳為1~12小時。
可以一次性加入化合物(a1)、(a2)、水及催化劑以在同一階段進行水解與縮合反應,或者也可以將化合物(a1)、(a2)、水及催化劑各自分階段加入,在多個階段進行水解和縮合反應。
本發明中所用的[A]成分的聚苯乙烯換算的重量平均分子量(以下稱為“Mw”)較佳為5×102
~5×104
,更佳為1×103
~3×104
。如果Mw不足5×102
,則會出現顯影邊界不夠的情況,使所得覆膜的殘膜率等下降,並且使所得層間絕緣膜或者微透鏡的圖案形狀、耐熱性等變差。另一方面,若超過5×104
,則會出現敏感度下降、圖案形狀變差的情況。含有如上所述的[A]成分的感放射線性樹脂組成物,在顯影時不會產生顯影殘留,能夠容易地形成預定的圖案形狀。
本發明中所用的[B]成分是經照射射線能夠產生羧酸的1,2-醌二疊氮化合物,其可以使用酚性化合物或者醇性化合物(以下稱為“具有羥基的母核”)或者具有胺基的母核與1,2-萘醌二疊氮磺醯鹵的縮合物。
作為上述具有羥基的母核,可以列舉三羥基二苯酮、四羥基二苯酮、五羥基二苯酮、六羥基二苯酮、(多羥基苯基)烷烴以及其他具有羥基的母核。
作為其具體例子,三羥基二苯酮可以列舉例如2,3,4-三羥基二苯酮、2,4,6-三羥基二苯酮等;四羥基二苯酮可以列舉例如2,2’,4,4’-四羥基二苯酮、2,3,4,3’-四羥基二苯酮、2,3,4,4’-四羥基二苯酮、2,3,4,2’-四羥基-4’-甲基二苯酮、2,3,4,4’-四羥基-3’-甲氧基二苯酮等;五羥基二苯酮可以列舉例如2,3,4,2’,6’-五羥基二苯酮等;六羥基二苯酮可以列舉例如2,4,6,3’,4’,5’-六羥基二苯酮、3,4,5,3’,4’,5’-六羥基二苯酮等;(多羥基苯基)烷烴可以列舉例如雙(2,4-二羥基苯基)甲烷、雙(對羥基苯基)甲烷、參(對羥基苯基)甲烷、1,1,1-參(對羥基苯基)乙烷、雙(2,3,4-三羥基苯基)甲烷、2,2-雙(2,3,4-三羥基苯基)丙烷、1,1,3-參(2,5-二甲基-4-羥基苯基)-3-苯基丙烷、4,4’-[1-[4-[1-[4-羥基苯基]-1-甲基乙基]苯基]亞乙基]雙酚、雙(2,5-二甲基-4-羥基苯基)-2-羥基苯基甲烷、3,3,3’,3’-四甲基-1,1’-螺雙茚-5,6,7,5’,6’,7’-六醇、2,2,4-三甲基-7,2’,4’-三羥基黃烷等;其他具有羥基的母核可以列舉例如2-甲基-2-(2,4-二羥基苯基)-4-(4-羥基苯基)-7-羥基色滿、2-[雙{(5-異丙基-4-羥基-2-甲基)苯基)甲基]、1-[1-(3-{1-(4-羥基苯基)-1-甲基乙基}-4,6-二羥基苯基)-1-甲基乙基]-3-(1-(3-{1-(4-羥基苯基)-1-甲基乙基}-4,6-二羥基苯基)-1-甲基乙基)苯、4,6-雙(1-(4-羥基苯基)-1-甲基乙基}-1,3-二羥基苯等。
作為上述具有胺基的母核,可以列舉將上述具有羥基的母核的羥基替換為胺基的化合物等。
這些母核當中,較佳為2,3,4,4’-四羥基二苯酮、4,4’-[1-[4-[1-[4-羥基苯基]-1-甲基乙基]苯基]亞乙基]雙酚。
作為上述1,2-萘醌二疊氮磺醯鹵,較佳為1,2-萘醌二疊氮磺醯氯,作為其具體的例子,可以列舉1,2-萘醌二疊氮-4-磺醯氯和1,2-萘醌二疊氮-5-磺醯氯,其中,較佳使用1,2-萘醌二疊氮-5-磺醯氯。
在縮合反應中,相對於酚性化合物或醇性化合物中的OH數或者具有胺基的母核的胺基數,較佳可以使用相當於30~85莫耳%的1,2-萘醌二疊氮磺醯鹵,更佳為相當於50~70莫耳%。
縮合反應可以採用已知的方法進行。
這些[B]成分可以單獨或者兩種以上組合使用。
[B]成分的使用比例,相對於100重量份[A]成分,較佳為1~25重量份,更佳為5~20重量份。
當該比例不足1重量份時,則照射射線的部分與未照射射線的部分對於作為顯影液的鹼水溶液的溶解度之差較小,將出現難以形成圖案的情況,並且會出現所得層間絕緣膜或微透鏡的耐熱性和耐溶劑性不夠好的情況。另一方面,當該比例超過25重量份時,則照射射線的部分在上述鹼水溶液中的溶解度不夠大,將出現難以顯影的情況。
本發明的感放射線性樹脂組成物含有上述[A]成分和[B]成分作為必需成分,但是還可以根據需要含有與聚矽氧烷中所含的不飽和鍵具有反應性的[C]分子中含有兩個以上從具有聚合性不飽和鍵的基團、氫矽烷基和巰基構成的群組中選出的至少一種官能基團的化合物(但是,[A]成分除外)、[D]熱敏性自由基發生劑、[E]界面活性劑、[F]黏合助劑等。
作為上述[C]分子中含有兩個以上從具有聚合性不飽和鍵的基團、氫矽烷基(hydrosilyl)和巰基構成的群組中的至少一種官能基團的化合物(但是,[A]成分除外。以下也稱為“[C]交聯性化合物”),是與聚矽氧烷[A]所具有的聚合性不飽和鍵具有反應性的化合物,可用於使聚矽氧烷[A]交聯,從而提高所得層間絕緣膜或微透鏡的耐熱性和硬度。
[C]交聯性化合物中,作為分子中具有兩個以上聚合性不飽和鍵的化合物,可以列舉例如二乙烯基苯、1,2,4-三乙烯基環己烷、己二酸二乙烯基酯、1,3-二乙烯基四甲基二矽氧烷、二乙烯基二甲基矽烷等分子中具有兩個以上乙烯基的化合物;二烯丙基苯、1,5-己二烯、1,7-辛二烯、己二酸二烯丙基酯、1,3-二烯丙基四甲基二矽氧烷、二烯丙基胺、三烯丙基胺、三烯丙基膦、二烯丙基二甲基矽烷、四烯丙基矽烷、鄰苯二甲酸二烯丙基酯、馬來酸二烯丙基酯等分子中具有兩個以上烯丙基的化合物;(甲基)丙烯酸乙二醇酯、1,6-己二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,9-壬二醇二(甲基)丙烯酸酯、聚丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、四甘醇二(甲基)丙烯酸酯、雙(苯氧基乙醇)芴二丙烯酸酯等分子中具有兩個以上(甲基)丙烯醯氧基的化合物;三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、三((甲基)丙烯醯氧基乙基)膦酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇五(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯等分子中具有3個以上(甲基)丙烯醯氧基的化合物;(甲基)丙烯酸乙烯基酯等分子中具有乙烯基和(甲基)丙烯醯氧基的化合物;(甲基)丙烯酸烯丙基酯等分子中具有烯丙基和(甲基)丙烯醯氧基的化合物等。
另外,上述[C]交聯性化合物中,作為分子中具有兩個以上巰基的化合物,可以列舉例如巰基乙酸、3-巰基丙酸、3-巰基丁酸、3-巰基戊酸等巰基羧酸與乙二醇、四甘醇、丁二醇、三羥甲基丙烷、季戊四醇、二季戊四醇、三季戊四醇、1,3,5-參(2-羥基乙基)氰尿酸酯、山梨糖醇等多元醇的酯化物等。
另外,[C]交聯性化合物中,作為分子中具有兩個以上氫矽烷基的化合物,可以列舉二苯基矽烷、1,1,3,3-四甲基二矽氧烷、1,1,3,3-四苯基二矽氧烷、以下Gelest,Inc.的化合物中的DMS-H03、DMS-H11、DMS-H21、DMS-H25、DMS-H31、DMS-H41等氫化物末端的聚二甲基矽氧烷、DMS-H031、DMS-H071、DMS-H082、DMS-H151、DMS-H301、DMS-H501、DMS-H271等聚甲基氫矽氧烷、HMS-991、HMS-992、HMS-993等聚甲基氫矽氧烷、HES-992等聚乙基氫矽氧烷、HDP-111等聚苯基二甲基氫矽氧基矽烷、HPM-502等甲基氫矽氧烷/苯基甲基矽氧烷共聚物、HAM-301、HAM-3012等甲基氫矽烷/辛基甲基矽氧烷共聚物、HQM-105、HQM-107等。
這些[C]交聯性化合物中,較佳為分子中具有3個以上(甲基)丙烯醯氧基的化合物以及分子中具有兩個以上巰基的化合物,作為分子中具有3個以上(甲基)丙烯醯氧基的化合物,特佳為三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯,作為分子中具有兩個以上巰基的化合物,特佳為三羥甲基丙烷參(3-巰基丙酸酯)、季戊四醇肆(3-巰基丙酸酯)、四甘醇雙(3-巰基丙酸酯)、二季戊四醇陸(3-巰基丙酸酯)、季戊四醇肆(巰基乙酸酯)、1,4-雙(3-巰基丁醯氧基)丁烷、季戊四醇肆(3-巰基丁酸酯)、1,3,5-參(3-巰基丁氧基乙基)-1,3,5-三-2,4,6(1H,3H,5H)-三酮。
作為分子中具有3個以上(甲基)丙烯醯氧基的化合物的市售品,可以列舉例如ARONIX M-309、ARONIX M-400、ARONIX M-405、ARONIX M-450、ARONIX M-7100、ARONIX M-8030、ARONIX M-8060、ARONIX M-8100(以上由東亞合成(股)製造);KAYARAD TMPTA、KAYARAD DPHA、KAYARAD DPCA-20、KAYARAD DPCA-30、KAYARAD DPCA-60、KAYARAD DPCA-120(以上由日本化藥(股)製造);Viscoat 295、Viscoat 300、Viscoat 360、Viscoat GPT、Viscoat 3PA、Viscoat 400(以上由大阪有機化學工業(股)製造)等。
上述[C]交聯性化合物可以單獨或兩種以上混合使用。
[C]交聯性化合物的使用比率,相對於100重量份[A]成分,較佳為50重量份以下,更佳為30重量份以下。
通過以這種比率含有[C]成分,可以提高由本發明感放射線性樹脂組成物製得的層間絕緣膜或微透鏡的耐熱性和表面硬度等。如果該使用量超過了50重量份,則會出現在基板上形成感放射線性樹脂組成物覆膜的步驟中產生膜皺裂的情況。
在本發明的感放射線性樹脂組成物中,為了進一步提高聚矽氧烷[A]的交聯性,還可以使用上述[D]熱敏性自由基發生劑。作為[D]熱敏性自由基發生劑,可以使用已知通常作為自由基聚合引發劑的物質。作為這種熱敏性自由基發生劑,可以列舉例如2,2’-偶氮雙(4-甲氧基-2,4-二甲基戊腈)、2,2’-偶氮雙(2,4-二甲基戊腈)、2,2’-偶氮雙(2-甲基丙腈)、2,2’-偶氮雙(2-甲基丁腈)、1,1’-偶氮雙(環己烷-1-腈)、1-[(1-氰基-1-甲基乙基)偶氮]甲醯胺等偶氮化合物;過氧化苯甲醯、過氧化月桂醯、三級丁基過氧化特戊酸酯、1,1’-雙(三級丁基過氧化)環己烷等有機過氧化物;以及過氧化氫等。當使用過氧化物作為熱敏性自由基發生劑時,還可以將過氧化物與還原劑同時使用作為氧化還原型引發劑。
上述[D]熱敏性自由基發生劑,較佳在60℃的分解半衰期為100分鐘以上,且在200℃的分解半衰期為30分鐘以下。此時,若在60℃下的分解半衰期為100分鐘以下,則存在由於在預烘焙時自由基發生劑引發進行交聯反應而使敏感度和解析度下降的可能性。另外,若在200℃的分解半衰期為30分鐘以上,則存在由於在顯影後的加熱步驟中由於自由基發生不夠而不能進行交聯反應,從而不能獲得足夠的耐溶劑性和硬度的可能性。作為較佳的[D]熱敏性自由基發生劑的具體例子,可以列舉例如2,2’-偶氮雙(2-甲基丙腈)、2,2’-偶氮雙(2-甲基丁腈)、1,1’-偶氮雙(環己烷-1-腈)、1-[(1-氰基-1-甲基乙基)偶氮]甲醯胺等。
在本發明中,[D]熱敏性自由基發生劑的使用比率,相對於100重量份[A]成分,較佳為10重量份以下,更佳為1~5重量份。
通過使其以這種比率含有[D]成分,可以提高由本發明感放射線性樹脂組成物製得的層間絕緣膜或微透鏡的耐化學試劑性、耐熱性和表面硬度。
在本發明的感放射線性樹脂組成物中,為了進一步提高塗敷性,還可以使用[E]界面活性劑。作為這裏可以使用的[E]界面活性劑,可適當地使用氟類界面活性劑、矽氧烷類界面活性劑和非離子類界面活性劑。
作為氟類界面活性劑的具體例子,可以列舉1,1,2,2-四氟辛基(1,1,2,2-四氟丙基)醚、1,1,2,2-四氟辛基己基醚、八乙二醇雙(1,1,2,2-四氟丁基)醚、六乙二醇(1,1,2,2,3,3-六氟戊基)醚、八丙二醇雙(1,1,2,2-四氟丁基)醚、六丙二醇雙(1,1,2,2,3,3-六氟戊基)醚、全氟十二烷基磺酸鈉、1,1,2,2,3,3,9,9,10,10-十氟十二烷、1,1,2,2,3,3-六氟癸烷等,除此之外,還可以列舉氟代烷基苯磺酸鈉類;氟代烷基氧乙烯醚類;碘化氟代烷基銨類;氟代烷基聚氧乙烯醚類;全氟烷基聚氧乙醇類;全氟代烷基烷氧化物類;氟類烷基酯等。
作為它們的市售品,可以列舉BM-1000、BM-1100(以上,由BM Chemie公司製造)、MEGAFACE F142D、MEGAFACE F172、MEGAFACE F173、MEGAFACE F183、MEGAFACE F178、MEGAFACE F191、MEGAFACE F471(以上,由大日本油墨化學工業(股)製造)、Fluorad FC-170C、FC-171、FC-430、FC-431(以上,由Sumitomo 3M Limited製造)、Surflon S-112、Surflon S-113、Surflon S-131、Surflon S-141、Surflon S-145、Surflon S-382、Surflon SC-101、Surflon SC-102、Surflon SC-103、Surflon SC-104、Surflon SC-105、Surflon SC-106(旭硝子(股)製造)、EFTOP EF 301、EFTOP EF 303、EFTOP EF 352(新秋田化成(股)製造)等。
作為上述矽氧烷類界面活性劑,可以列舉例如以DC3PA、DC7PA、FS-1265、SF-8428、SH11PA、SH21PA、SH28PA、SH29PA、SH30PA、SH-190、SH-193、SZ-6032(以上,由Dow Corning Toray Co.,Ltd.製造)、TSF-4440、TSF-4300、TSF-4445、TSF-4446、TSF-4460、TSF-4452(以上由GE Toshiba Silicone Co.,Ltd.製造)等商品名銷售的矽氧烷類界面活性劑。
作為上述非離子類界面活性劑,可以使用例如聚氧乙烯十二烷基醚、聚氧乙烯十八烷基醚、聚氧乙烯油基醚等聚氧乙烯烷基醚類;聚氧乙烯辛基苯基醚、聚氧乙烯壬基苯基醚等聚氧乙烯芳基醚類;聚氧乙烯二月桂酸酯、聚氧乙烯二硬脂酸酯等聚氧乙烯二烷基酯類等;(甲基)丙烯酸類共聚物FLOW No.57、95(共榮社化學(股)製造)等。
這些界面活性劑可以單獨或者兩種以上組合使用。
這些[E]界面活性劑,相對於100重量份[A]成分,較佳使用5重量份以下,更佳為2重量份以下。如果[E]界面活性劑的用量超過5重量份,則在基板上形成塗膜時,會出現塗膜容易產生膜皺裂的情況。
本發明的感放射線性樹脂組成物中,為了提高與基體的黏合性,還可以使用[F]黏合助劑。
作為這種[F]黏合助劑,較佳使用官能性矽烷偶合劑,可以列舉例如具有羧酸基、甲基丙烯醯基、異氰酸酯基、環氧基等反應性取代基的矽烷偶合劑。具體地,可以列舉三甲氧基矽烷基安息香酸、γ-甲基丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷、乙烯基三乙醯氧基矽烷、乙烯基三甲氧基矽烷、γ-異氰酸酯丙基三乙氧基矽烷、γ-環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷、β-(3,4-環氧環己基)乙基三甲氧基矽烷等。這種[F]黏合助劑,相對於100重量份[A]成分,較佳使用20重量份以下,更佳為10重量份以下的量。當黏合助劑的量超過20重量份時,則會出現在顯影步驟中容易產生顯影殘留的情況。
本發明的感放射線性樹脂組成物可以通過將上述[A]成分和[B]成分以及如上所述任選添加的其他成分均勻混合而調製。本發明的感放射線性樹脂組成物較佳以溶於適當溶劑中的溶液狀態使用。例如可以通過將[A]成分和[B]成分以及任選添加的其他成分以規定的比例混合而調製成溶液狀態的感放射線性樹脂組成物。
作為調製本發明感放射線性樹脂組成物所用的溶劑,使用能均勻溶解[A]成分和[B]成分以及任選混合的其他成分中的各成分,且不與各成分反應的溶劑。
作為這樣的溶劑,可以列舉與作為可以用於合成較佳的[A]成分聚矽氧烷[A]的溶劑而在上述中例示的溶劑相同的溶劑。
在這種溶劑中,從各成分的溶解性、與各成分的反應性、形成塗膜的容易性等角度出發,較佳使用醇、乙二醇醚、乙二醇烷基醚乙酸酯、酯和二甘醇。其中,可特佳使用苄醇、2-苯乙醇、3-苯基-1-丙醇、乙二醇單丁基醚乙酸酯、二甘醇單乙基醚乙酸酯、二甘醇二乙醚、二甘醇乙基甲基醚、二甘醇二甲醚、丙二醇單甲基醚、丙二醇單甲基醚乙酸酯、3-甲氧基丙酸甲酯、2-乙氧基丙酸乙酯。
為提高膜厚的面內均勻性,還可以進一步與上述溶劑一起併用高沸點溶劑。作為可以併用的高沸點溶劑,可以列舉例如N-甲基甲醯胺、N,N-二甲基甲醯胺、N-甲基甲醯苯胺、N-甲基乙醯胺、N,N-二甲基乙醯胺、N-甲基吡咯烷酮、二甲基亞碸、苄基乙基醚、二己基醚、丙酮基丙酮、異佛爾酮、己酸、辛酸、1-辛醇、1-壬醇、乙酸苄酯、苯甲酸乙酯、草酸二乙酯、馬來酸二乙酯、γ-丁內酯、碳酸乙二酯、碳酸丙二酯、苯基溶纖劑乙酸酯等。其中,較佳為N-甲基吡咯烷酮、γ-丁內酯、N,N-二甲基乙醯胺。
作為本發明感放射線性樹脂組成物的溶劑,當併用高沸點溶劑時,其用量相對於全部溶劑的量較佳為50重量%以下,更佳為40重量%以下,進一步較佳為30重量%以下。當高沸點溶劑的用量超過該用量時,則會出現塗膜厚度均勻性、敏感度和殘膜率下降的情況。
當將本發明的感放射線性樹脂組成物調製成溶液狀態時,溶液中除溶劑以外的成分(即[A]成分和[B]成分以及任選添加的其他成分的合計量)的佔有比例(固體含量濃度),可以根據使用目的和所需膜厚度值等任意地設定,較佳為5~50重量%,更佳為10~40重量%,進一步較佳為15~35重量%。
如此調製的組合物溶液還可以採用孔徑為0.2μm左右的微孔濾器等過濾後再供給使用。
接著,對於用本發明感放射線性樹脂組成物形成本發明的層間絕緣膜或微透鏡的方法進行說明。本發明的層間絕緣膜或微透鏡的形成方法按照下述順序包括以下步驟。
(1)在基板上形成本發明感放射線性樹脂組成物覆膜的步驟,
(2)對該覆膜的至少一部分照射射線的步驟,
(3)將照射射線後的覆膜進行顯影的步驟,和
(4)將顯影後的覆膜進行加熱的步驟。
以下,對本發明層間絕緣膜或微透鏡的形成方法的各步驟進行詳細說明。
在步驟(1)中,將本發明的組合物溶液塗敷於基板表面上,較佳通過進行預烘焙除去溶劑,形成感放射線性樹脂組成物的覆膜。
作為可以使用的基板的種類,可以列舉例如玻璃基板、矽基板以及在它們表面上形成各種金屬的基板。
作為組合物溶液的塗敷方法,對其沒有特別的限制,可以採用例如噴塗法、輥塗法、旋轉塗布法(旋塗法)、縫模塗敷法、棒塗法、噴墨塗敷法等適當的方法,特佳使用旋塗法或縫模塗敷法。作為預烘焙的條件,根據各成分的種類和使用比率等而不同。例如,可以在60~110℃下進行30秒鐘~15分鐘左右。
所形成的覆膜的厚度,作為預烘焙後的值,當形成層間絕緣膜時,較佳為例如3~6μm,當形成微透鏡時,較佳為例如0.5~3μm。
在步驟(2)中,對如上形成的覆膜的至少一部分照射射線。對覆膜一部分照射射線,可以採用例如通過具有所規定圖案的光罩照射射線的方法。
然後,通過用顯影液進行顯影處理除去照射了射線的部分以形成圖案。作為此時使用的射線,可以列舉例如紫外線、遠紫外線、X射線、帶電粒子束等。
作為上述紫外線,可以列舉例如含g線(波長436nm)、i線(波長365nm)等的射線。作為遠紫外線,可以列舉例如KrF準分子雷射等。作為X射線,可以列舉例如同步加速射線等。作為帶電粒子束,可以列舉例如電子束等。
其中,較佳為紫外線,尤其是特佳為含g線和/或i線的射線。
作為射線的照射量(曝光量),當形成層間絕緣膜時,較佳為50~1500J/m2
,當形成微透鏡時,較佳為50~2000J/m2
。
作為步驟(3)的顯影處理中所用的顯影液,可以使用例如氫氧化鈉、氫氧化鉀、碳酸鈉、矽酸鈉、偏矽酸鈉、氨、乙胺、正丙胺、二乙胺、二乙胺基乙醇、二正丙胺、三乙胺、甲基二乙基胺、二甲基乙醇胺、三乙醇胺、氫氧化四甲基銨、氫氧化四乙基銨、吡咯、哌啶、1,8-二氮雜二環[5.4.0]-7-十一碳烯、1,5-二氮雜二環[4.3.0]-5-壬烷等鹼(鹼性化合物)的水溶液。此外,還可以將在上述鹼水溶液中添加適量的甲醇、乙醇等水溶性有機溶劑或界面活性劑的水溶液,或者溶解本發明組合物的各種有機溶劑作為顯影液使用。
作為顯影方法,可以採用例如盛液法、浸漬法、震盪浸漬法、沖洗法等適當的方法。此時的顯影時間,根據組合物的組成而不同,可以為例如30~120秒。
另外,對於以往已知的感放射線性樹脂組成物,如果顯影時間比最佳值超過20~25秒的程度,則由於形成的圖案會發生脫落而必須嚴格控制顯影時間,而對於本發明的感放射線性樹脂組成物的情況,即使比最佳顯影時間超出的時間達到30秒以上,也可以形成良好的圖案,在製品成品率方面存在優勢。
如上進行了步驟(3)的顯影步驟之後,對形成圖案的薄膜較佳進行例如流水沖洗的沖洗處理,並且,較佳採用高壓汞燈等進行全面照射射線(後曝光),對該薄膜中殘存的1,2-醌二疊氮化合物進行分解處理,然後,通過將該薄膜用加熱板、烘箱等加熱裝置進行加熱處理(後烘焙處理),對該薄膜進行固化處理。在上述後曝光步驟中的曝光量,較佳為2000~5000J/m2
左右。並且,該固化處理中的烘焙溫度為例如120以上且不到250℃。加熱時間根據加熱機器的種類而不同,例如,當用加熱板進行加熱處理時,可以為5~30分鐘,當在烘箱中進行加熱處理時,可以為30~90分鐘。這時,還可以採用進行兩次以上加熱步驟的分步烘焙法等。另外,由以前已知作為高耐熱材料的聚矽氧烷組成的感光性材料在基板上形成覆膜時,必須進行250℃以上的高溫處理,而對於本發明的感射線性樹脂組合物的情況,由於該處理溫度可以為不足250℃,而且可以為240℃以下,並且還可以為230℃以下,因此具有也可適用於形成顯示元件的步驟中的優點。
這樣,即可在基板表面上形成相應於目標層間絕緣膜或者微透鏡的圖案狀薄膜。
由下述的實施例可知,如上形成的本發明層間絕緣膜,對基板的密合性良好,耐溶劑性和耐熱性優良,具有高的透光率,介電常數低,可以適用於作為電子部件的層間絕緣膜。
由下述的實施例可知,如上形成的本發明微透鏡,對基板的密合性良好,耐溶劑性和耐熱性優良,且具有高透光率和良好的熔融形狀,適合用作為固態攝影元件的微透鏡。
本發明微透鏡的形狀,如第1(a)圖所示,為半凸透鏡形狀,具有良好的聚光性能。
以下通過例示合成例、實施例對本發明進行更具體的說明,但是本發明並不局限於以下的實施例。
合成例1[A-1]
取19.3g乙烯基三甲氧基矽烷、53.1g甲基三甲氧基矽烷和154.7g苯基三甲氧基矽烷置於500ml的三頸燒瓶中,向其中加入113.5g二甘醇甲基乙基醚使其溶解,一邊用磁力攪拌器攪拌所得溶液,一邊經30分鐘升溫至60℃。向其中經30分鐘連續加入含5.9g草酸的70.3g離子交換水後,在60℃下進行3小時反應。減壓餾出反應液中的甲醇和水,再加入二甘醇甲基乙基醚,使其固體含量濃度為35重量%,得到含聚矽氧烷[A-1]的溶液。聚矽氧烷[A-1]的聚苯乙烯換算重量平均分子量Mw為2600。
合成例2[A-2]
取71.1g乙烯基三甲氧基矽烷和142.8g苯基三甲氧基矽烷置於500ml的三頸燒瓶中,向其中加入107.0g二甘醇甲基乙基醚使其溶解,一邊用磁力攪拌器攪拌所得溶液,一邊經30分鐘升溫至60℃。向其中經30分鐘連續加入含5.4g草酸的64.9g離子交換水後,在60℃下進行3小時反應。減壓餾出反應液中的甲醇和水,再加入二甘醇甲基乙基醚,使其固體含量濃度為35重量%,得到含聚矽氧烷[A-2]的溶液。聚矽氧烷[A-2]的聚苯乙烯換算重量平均分子量Mw為2200。
合成例3[A-3]
取39.3g 3-巰基丙基三甲氧基矽烷、32.0g 3-甲基丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷和119.0g苯基三甲氧基矽烷置於500ml的三頸燒瓶中,向其中加入93.9g二甘醇甲基乙基醚使其溶解,一邊用磁力攪拌器攪拌所得溶液,一邊經30分鐘升溫至60℃。向其中經30分鐘連續加入含4.5g草酸的54.1g離子交換水後,在60℃下進行3小時反應。減壓餾出反應液中的甲醇和水,再加入二甘醇甲基乙基醚,使其固體含量濃度為35重量%,得到含聚矽氧烷[A-3]的溶液。聚矽氧烷[A-3]的聚苯乙烯換算重量平均分子量Mw為2500。
合成例4[A-4]
取16.2g烯丙基三甲氧基矽烷、40.9g甲基三甲氧基矽烷和119.0g苯基三甲氧基矽烷置於500ml的三頸燒瓶中,向其中加入88.0g二甘醇甲基乙基醚使其溶解,一邊用磁力攪拌器攪拌所得溶液,一邊升溫至60℃。向其中經1小時連續加入溶解了4.5g草酸的54.1g離子交換水,然後,在60℃下進行3小時反應後,將所得反應液冷卻至40℃,然後,減壓餾出醇,再加入二甘醇甲基乙基醚,使其固體含量濃度為35重量%,得到含聚矽氧烷[A-4]的溶液。聚矽氧烷[A-4]的聚苯乙烯換算重量平均分子量Mw為2400。
合成例5[A-5]
取32.0g 3-甲基丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷、53.1g甲基三甲氧基矽烷和154.7g苯基三甲氧基矽烷置於500ml的三頸燒瓶中,向其中加入119.9g二甘醇甲基乙基醚使其溶解,一邊用磁力攪拌器攪拌所得溶液,一邊升溫至60℃。向其中經1小時連續加入溶解了5.0g草酸的59.5g離子交換水,然後,在60℃下進行3小時反應後,將所得反應液冷卻至40℃。在40℃下經1分鐘減壓至10Torr,餾出副產物甲醇,向其中經30分鐘連續添加39.6g離子交換水和39.6g二甘醇甲基乙基醚,在40℃下攪拌2小時,然後,減壓餾出醇和水,再加入二甘醇甲基乙基醚,使其固體含量濃度為35重量%,得到含聚矽氧烷[A-5]的溶液。聚矽氧烷[A-5]的聚苯乙烯換算重量平均分子量Mw為2700。
比較合成例1[a-1]
取49.0g甲基三甲氧基矽烷和166.6g苯基三甲氧基矽烷置於500ml的三頸燒瓶中,向其中加入107.8g二甘醇甲基乙基醚使其溶解,一邊用磁力攪拌器攪拌所得溶液,一邊升溫至60℃。向其中經1小時連續加入溶解了5.4g草酸的64.9g離子交換水,然後,在60℃下進行3小時反應後,將所得反應液冷卻至40℃,然後,減壓餾出醇和水,再加入二甘醇甲基乙基醚,使其固體含量濃度為35重量%,得到含聚矽氧烷[a-1]的溶液。聚矽氧烷[a-1]的聚苯乙烯換算重量平均分子量Mw為2800。
比較合成例2[a-2]
向裝有冷卻管和攪拌器的燒瓶中,加入8重量份2,2’-偶氮雙(2,4-二甲基戊腈)和220重量份二甘醇乙基甲基醚。接著加入20重量份苯乙烯、20重量份甲基丙烯酸、40重量份甲基丙烯酸縮水甘油基酯和20重量份甲基丙烯酸三環[5.2.1.02,6
]癸烷-8-基酯,用氮氣置換後,開始緩慢攪拌。使溶液的溫度上升至70℃,保持該溫度5小時,得到含共聚物[a-2]的聚合物溶液。
共聚物[a-2]的聚苯乙烯換算重量平均分子量Mw為7500,分子量分佈(Mw/Mn)為2.5。並且,這裏所得聚合物溶液的固體含量濃度為31.6重量%。
實施例1
將上述合成例1中合成的含聚矽氧烷[A-1]的溶液,以相當於100重量份聚矽氧烷[A-1](固體成分)的量,與10重量份作為成分[B]的4,4’-[1-[4-[1-[4-羥基苯基]-1-甲基乙基]苯基]亞乙基]雙酚(1.0莫耳)同1,2-萘醌二疊氮-5-磺醯氯(2.0莫耳)的縮合物(B-1)進行混合,加入二甘醇乙基甲基醚使其固體含量濃度為33重量%,溶解均勻後,用孔徑為0.2μm的濾膜過濾,調製得到感放射線性樹脂組成物的溶液(S-1)。
實施例2~11,比較例1~2
在實施例1中,除了[A]成分和[B]成分使用如表1中所列的種類、用量以外,與實施例1同樣地操作,調製感放射線性樹脂組成物的溶液(S-2)~(S-11)和(s-1)~(s-2)。
另外,在實施例3、4、8、10、11中,添加了[C]成分。在實施例2~11中,還添加了[D]成分。
實施例12
在實施例10中,除了溶解於二甘醇乙基甲基醚/丙二醇單甲醚乙酸酯=6/4(重量比),使其固體成分濃度為20重量%,並且添加作為[E]成分的界面活性劑SH-28 PA(由Dow corning Toray Co.,Ltd.製造)以外,與實施例10同樣地操作,調製感放射線性樹脂組成物的溶液(S-12)。
在表1中,各成分的簡稱分別表示以下含義。
[B-1]:4,4’-[1-[4-[1-[4-羥基苯基]-1-甲基乙基]苯基]亞乙基]雙酚(1.0莫耳)與1,2-萘醌二疊氮-5-磺醯氯(3.0莫耳)的縮合物
[C-1]:二季戊四醇六丙烯酸酯(商品名KAYARAD DPHA,由日本化藥(股)製造)
[C-2]:二季戊四醇六(3-巰基丙酸酯)
[D-1]:1,1’-偶氮二(環己烷-1-腈)
[E-1]:矽氧烷類界面活性劑(商品名SH-28PA,DowCorning Toray Co.,Ltd.製造)。
實施例13~24、比較例3~4
使用如上調製的感放射線性樹脂組成物,對其作為層間絕緣膜的各種特性如下進行評價。
對於實施例13~23和比較例3~4,採用旋塗器分別將表2中所列的組合物塗敷於矽基板上後,在加熱板上於100℃下預烘焙2分鐘,形成膜厚度為4.0μm的塗膜。對於實施例24,採用縫模塗敷器進行塗敷,在室溫下經15秒鐘減壓至0.5Torr,除去溶劑後,在加熱板上於100℃下預烘焙2分鐘,形成膜厚度為4.0μm的塗膜。
通過具有3.0μm線條和間隔(10對1)圖案的光罩,採用Canon(股)製造的PLA 501F曝光機(超高壓汞燈),以不同的曝光時間分別對所得塗膜進行曝光後,在2.38重量%的氫氧化四甲基銨水溶液中,通過盛液法於25℃下進行顯影80秒。然後用超純水進行流水沖洗1分鐘,經乾燥後,在矽基板上形成圖案。此時,調查產生0.3μm間隙線寬所必需的最小曝光量。以該最小曝光量作為敏感度列於表2。
對於實施例13~23和比較例3~4,採用旋塗器分別將表2中所列的組合物塗敷於矽基板上後,在加熱板上於100℃下預烘焙2分鐘,形成膜厚度為4.0μm的塗膜。對於實施例24,採用縫模塗敷器進行塗敷,在室溫下經15秒鐘減壓至0.5Torr,除去溶劑後,在加熱板上於100℃下預烘焙2分鐘,形成膜厚度為4.0μm的塗膜。
通過具有3.0μm線條和間隔(10對1)圖案的光罩,採用Canon(股)製造的PLA 501F曝光機(超高壓汞燈),以相當於上述“[敏感度評價]”中調查的敏感度值的曝光量分別對所得塗膜進行曝光後,在2.38重量%的氫氧化四甲基銨水溶液中,採用盛液法於25℃下以不同的顯影時間進行顯影。接著用超純水進行流水沖洗1分鐘後乾燥,在矽基板上形成圖案。這時,以使線條的線寬為3μm所必需的顯影時間作為最佳顯影時間列於表2。並且,在自最佳顯影時間起進一步繼續顯影時,測定直到3.0μm線條圖案脫落時的時間,以其作為顯影邊界列於表2。
對於實施例13~23和比較例3~4,採用旋塗器分別將表2中所列的組合物塗敷於矽基板上後,在加熱板上於100℃下預烘焙2分鐘,形成塗膜。對於實施例24,採用縫模塗敷器進行塗敷,在室溫下經15秒鐘減壓至0.5Torr,除去溶劑後,在加熱板上於100℃下預烘焙2分鐘,形成塗膜。
採用Canon(股)製造的PLA 501F曝光機(超高壓汞燈)以累積照射量為3000J/m2
分別對所得塗膜進行曝光後,在潔淨烘箱內於220℃下加熱1小時,得到膜厚度約為3.0μm的固化膜。測定所得固化膜的膜厚(T1)。然後,將該形成了固化膜的矽基板在溫度控制在70℃的二甲亞碸中浸漬20分鐘後,測定該固化膜的浸漬後膜厚(t1),算出由浸漬產生的膜厚變化率{|t1-T1|/T1}×100[%]。結果列於表2。
另外,在耐溶劑性評價中,由於不需要形成圖案,故省略了顯影步驟,僅提供對塗膜形成步驟、照射射線步驟和加熱步驟進行的評價。
與上述“[耐溶劑性的評價]”同樣地在矽基板上形成固化膜,測定所得固化膜的膜厚(T2)。然後,將帶有該固化膜的基板在潔淨烘箱中於240℃下追加烘焙1小時後,測定該固化膜的追加烘焙後的厚度(t2),計算由追加烘焙引起的膜厚變化率{|t2-T2|/T2}×100[%]。結果列於表2。
在上述“[耐溶劑性的評價]”中,除了採用玻璃基板“Corning 7059”(由Corning公司製造)代替矽基板以外,同樣地進行操作,在玻璃基板上形成固化膜。用分光光度計“150-20型雙光束”((股)日立製作所製造)在400~800nm波長範圍測定該具有固化膜的玻璃基板的透光率。此時的最低透光率值列於表2。
對於實施例13~23和比較例3~4,採用旋塗器分別將表2中所列的組合物塗敷於研磨後的SUS 304製基板上後,在加熱板上於100℃下預烘焙2分鐘,形成膜厚度為3.0μm的塗膜。對於實施例24,採用縫模塗敷器進行塗敷,在室溫下經15秒鐘減壓至0.5Torr,除去溶劑後,在加熱板上於100℃下預烘焙2分鐘,形成膜厚度為3.0μm的塗膜。
採用Canon(股)製造的PLA 501 F曝光機(超高壓汞燈),以累積照射量為3000J/m2
分別對所得塗膜進行曝光後,在潔淨烘箱內於220℃下加熱1小時,在基板上形成固化膜。採用蒸鍍法在該基板上形成Pt/Pd電極圖案,製造出測定介電常數用的樣品。採用Hewlett-Packard Japan,Ltd.製造的HP 16451 B電極和HP 4284 A精密LCR儀錶,通過CV法在10kHz頻率下測定所得樣品的比介電常數。結果列於表2。
另外,在介電常數評價中,由於不需要形成圖案,故省略了顯影步驟,僅提供對塗膜形成步驟、照射射線步驟和加熱步驟進行的評價。
與上述“[耐溶劑性的評價]”同樣地在矽基板上形成固化膜,按照JIS K-5400-1990之8.4.1鉛筆劃痕硬度試驗測定所得固化膜的鉛筆硬度。結果列於表2。當鉛筆硬度為H或更硬時,表面硬度評為良好。
在表面上形成了防止鈉離子溶出的SiO2
膜、並且以規定形狀蒸鍍了ITO(銦-氧化錫合金)電極的鈉鈣玻璃基板上,採用旋塗法塗敷上述調製的感放射線性樹脂組成物,在100℃的加熱板上預烘焙2分鐘,形成膜厚為2.0μm的塗膜。在2.38重量%的氫氧化四甲基銨水溶液中,採用浸漬法於25℃下進行顯影80秒。然後,採用高壓汞燈,不使用光罩,採用含365nm、405nm和436nm各波長的射線以3000J/m2
的曝光量對塗膜進行曝光。再在220℃下進行1小時的後烘焙,形成固化膜。
然後,在帶有該固化膜的基板上散佈直徑為5.5μm的玻璃珠分隔物後,將其與表面上僅以規定形狀蒸鍍了ITO電極的鈉鈣玻璃基板相對向放置,留出液晶注入口,用混合了0.8mm的玻璃珠的密封劑將四邊貼合,注入MERCK公司製造的液晶MLC 6608(商品名)後,封閉注入口,製成液晶胞。
將該液晶胞置入60℃的恒溫層中,採用TOYO Corporation製造的液晶電壓保持率測定系統“VHR-1A型”(商品名),施加的電壓為5.5V的方形波,測定頻率為60Hz,測定液晶胞的電壓保持率,其電壓保持率為97%。結果列於表1.
另外,這裏電壓保持率是由下式求得的值。
電壓保持率(%)=(16.7毫秒後液晶胞電位差)/(0毫秒時施加的電壓)×100
液晶胞的電壓保持率值越小,則在形成液晶面板時發生所謂的“燒屏”的麻煩的可能性就越高。電壓保持率越高,則意味著液晶面板的可靠性越高。
實施例25~36、比較例5~6
使用如上調製的感放射線性樹脂組成物,對其作為微透鏡的各種性能如下進行評價。另外,耐溶劑性的評價、耐熱性的評價、透明性的評價參照上述作為層間絕緣膜的性能評價中的結果。
採用旋塗器分別將表3中所列的組合物塗敷於矽基板上後,在加熱板上於100℃下預烘焙2分鐘,形成膜厚度為2.0μm的塗膜。通過具有規定圖案的圖案光罩,採用Nikon(股)製造的NSR 1755i7A縮小投影曝光機(NA=0.50,λ=365nm),以不同的曝光時間對所得塗膜進行曝光後,再在2.38重量%的氫氧化四甲基銨水溶液中,採用盛液法於25℃下顯影1分鐘。然後用超純水沖洗,經乾燥後,在矽基板上形成圖案。調查使0.8μm線條和間隙(1對1)的間隙線寬為0.8μm所必需的最小曝光量。以該最小曝光量作為敏感度列於表3。
採用旋塗器分別將表3中所列的組合物塗敷於矽基板上後,在加熱板上於100℃下預烘焙2分鐘,形成膜厚度為2.0μm的塗膜。通過具有規定圖案的圖案光罩,採用Nikon(股)製造的NSR 1755i7A縮小投影曝光機(NA=0.50,λ=365nm),以相當於上述“[敏感度的評價]”中調查的敏感度值的曝光量對所得塗膜進行曝光後,在表3所示濃度的氫氧化四甲基銨水溶液中,採用盛液法於25℃下顯影1分鐘。經用水沖洗、乾燥,在矽基板上形成圖案。以使0.8μm線條和間隙圖案(1對1)的間隙線寬為0.8μm所必需的顯影時間作為最佳顯影時間列於表3。並且,在自最佳顯影時間起進一步繼續顯影時,測定直到0.8μm寬度的圖案脫落時的時間(顯影邊界),以其作為顯影邊界列於表3。
採用旋塗器分別將表3中所列的組合物塗敷於矽基板上後,在加熱板上於100℃下預烘焙2分鐘,形成膜厚度為2.0μm的塗膜。通過具有4.0μm點‧2.0μm間隙圖案的圖案光罩,採用Nikon(股)製造的NSR 1755i7A縮小投影曝光機(NA=0.50,λ=365nm),以相當於上述“[敏感度的評價]”中調查的敏感度值的曝光量對所得塗膜進行曝光後,在2.38重量%的氫氧化四甲基銨水溶液中,採用盛液法於25℃下顯影1分鐘。然後用超純水沖洗,乾燥後,在矽基板上形成圖案。然後,採用Conon(股)製造的PLA 501F曝光機(超高壓汞燈),以累積照射量為3000J/m2
進一步進行曝光。然後,在加熱板上於160℃下加熱10分鐘後,進一步在230℃下加熱10分鐘,使圖案熔融流動,形成微透鏡。
所形成的微透鏡的底部(與基板接合的面)的尺寸(直徑)和斷面形狀如表3所示。當微透鏡底部的尺寸超過4.0μm且不足5.0μm時,則可稱之為良好。如果該尺寸為5.0μm以上,則處於與相鄰透鏡之間接觸的狀態,是不較佳的。此外,斷面形狀在第1圖所示的示意圖中,當如第1(a)圖那樣的半凸透鏡形狀時為良好,而如第1(b)圖那樣的近似梯形時為不良。
第1(a)圖和第1(b)圖為微透鏡的斷面形狀示意圖。
Claims (5)
- 一種感放射線性樹脂組成物,其特徵在於包括:[A](a1)下述式(1)表示的矽烷化合物與(a2)下述式(2)表示的矽烷化合物的水解縮合物聚矽氧烷,[B]1,2-醌二疊氮化合物,
- 如申請專利範圍第1項的感放射線性樹脂組成物,其進一步包括[C]分子中具有兩個以上從聚合性不飽和鍵、氫 矽烷基(hydrosilyl)和巰基構成的群組中選出的至少一種官能基團的化合物,但是,[A]成分除外。
- 如申請專利範圍第1項的感放射線性樹脂組成物,其用於形成層間絕緣膜或微透鏡。
- 一種層間絕緣膜或微透鏡的形成方法,其特徵在於按照下述順序包括以下步驟,(1)在基板上形成如申請專利範圍第3項的感放射線性樹脂組成物的覆膜的步驟,(2)對該覆膜的至少一部分照射射線的步驟,(3)將照射射線後的覆膜進行顯影的步驟,和(4)將顯影後的覆膜進行加熱的步驟。
- 一種層間絕緣膜或一種微透鏡由如申請專利範圍第4項的方法所形成。
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Families Citing this family (12)
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KR102059489B1 (ko) * | 2013-04-10 | 2019-12-26 | 주식회사 동진쎄미켐 | 네가티브형 감광성 유-무기 하이브리드 절연막 조성물 |
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JP3930591B2 (ja) * | 1995-12-22 | 2007-06-13 | 東陶機器株式会社 | 光触媒性親水性コーティング組成物、親水性被膜の形成方法および被覆物品 |
US6984476B2 (en) * | 2002-04-15 | 2006-01-10 | Sharp Kabushiki Kaisha | Radiation-sensitive resin composition, forming process for forming patterned insulation film, active matrix board and flat-panel display device equipped with the same, and process for producing flat-panel display device |
JP4168443B2 (ja) * | 2003-07-30 | 2008-10-22 | Jsr株式会社 | 感放射線性樹脂組成物、層間絶縁膜およびマイクロレンズ、ならびにそれらの製造方法 |
JP4127150B2 (ja) * | 2003-07-31 | 2008-07-30 | Jsr株式会社 | 感放射線性樹脂組成物、層間絶縁膜およびマイクロレンズ、ならびにそれらの製造方法 |
KR100675632B1 (ko) * | 2003-09-08 | 2007-02-01 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 패턴형성방법 및 이를 이용한 액정표시장치의 제조방법 |
US20050279995A1 (en) * | 2004-06-21 | 2005-12-22 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Composition for preparing organic insulating film and organic insulating film prepared from the same |
JP5003081B2 (ja) * | 2005-09-28 | 2012-08-15 | 東レ株式会社 | 感光性シロキサン組成物、それから形成された硬化膜、および硬化膜を有する素子 |
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