TWI438307B - Anodizing treatment of plasma processing vessel - Google Patents
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- TWI438307B TWI438307B TW098103124A TW98103124A TWI438307B TW I438307 B TWI438307 B TW I438307B TW 098103124 A TW098103124 A TW 098103124A TW 98103124 A TW98103124 A TW 98103124A TW I438307 B TWI438307 B TW I438307B
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- 238000007743 anodising Methods 0.000 title claims description 70
- 239000008151 electrolyte solution Substances 0.000 claims description 61
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 53
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 44
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 claims description 22
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 7
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 7
- 239000002002 slurry Substances 0.000 claims description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 34
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 12
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 8
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 5
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 5
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 3
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D11/00—Electrolytic coating by surface reaction, i.e. forming conversion layers
- C25D11/02—Anodisation
- C25D11/04—Anodisation of aluminium or alloys based thereon
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32458—Vessel
- H01J37/32477—Vessel characterised by the means for protecting vessels or internal parts, e.g. coatings
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- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D11/00—Electrolytic coating by surface reaction, i.e. forming conversion layers
- C25D11/005—Apparatus specially adapted for electrolytic conversion coating
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Description
本發明是有關例如對平面顯示器(FPD)用的玻璃基板等的被處理體進行電漿處理時所使用的電漿處理容器進行陽極氧化處理(防蝕鋁處理)之電漿處理容器的陽極氧化處理方法。
在以液晶顯示器(LCD)為代表的FPD的製造過程中，是在真空下對玻璃基板等的被處理體實施蝕刻、成膜等的各種處理。為了利用電漿來進行上述處理，而使用具備可抽真空的處理容器之電漿處理裝置。電漿處理容器的材質，通常為使用鋁。
在電漿處理時，有可能因為電漿或腐蝕性氣體的作用，在電漿處理容器的主要内面受損。因此，在鋁製的電漿處理容器的表面實施陽極氧化處理來使耐蝕性提升。陽極氧化處理通常是藉由將接受處理的構件浸漬於含硫酸或草酸的電解液來進行。
近年來，對FPD用的基板之大型化的要求日益增強，對應於此，電漿處理容器也有大型化的傾向。而且，為了對大型的電漿處理容器實施陽極氧化處理，必須準備更大型的電解液槽。最近甚至以一邊超過2m的巨大基板作為處理對象的電漿處理容器也被製造，以往的浸漬方式之陽極氧化處理正達到極限。
對大型的處理對象進行陽極氧化處理的技術，例如在專利文獻1有沿著應陽極氧化處理的筒狀體(插入内燃機的缸體之套筒)的内面來插入棒狀的電極，以筒狀體作為陽極，以棒狀的電極作為陰極，在筒狀體的内部流動電解液而進行陽極氧化處理的方法被提案。
[專利文獻1]特開2000-26999號(圖2等)
上述專利文獻1的技術是使電解液循環於陽極氧化處理的處理對象的筒狀體的内部，所以不需要將筒狀體的全體浸漬於電解液。因此，可不使用大型的電解液槽，在大型的筒狀體的内面進行陽極氧化處理。
但，專利文獻1的處理對象是被安裝於缸體之縱長的筒狀體的内面，由該形狀是比較容易使電解液充滿於内部來循環的構造。另一方面，對FPD用基板來進行電漿處理的電漿處理容器是形成上部被開放的箱形，在側壁或底壁是形成有基板的搬入出口、觀察用的窗、排氣或給電用的開口部。由於電解液是含硫酸等的有害成分，因此為了以電漿處理容器本身作為電解液槽來進行陽極氧化處理，必須不使電解液漏出至外部，使電解液循環於電漿處理容器内部來實施陽極氧化處理。因應於此，必須確實地密封上述開口部。
可是，電漿處理通常是使電漿處理容器内部形成真空狀態來進行。因此，在電漿處理容器的外壁面的上述開口部的周圍配備有O型環等的密封構件來維持處理容器内的氣密性。電漿處理中，電漿或腐蝕性氣體有時會經由上述開口部來到達外壁面的該密封構件的配設位置。因此在電漿處理容器實施陽極氧化處理時，不止於該容器的内壁面，必須在上述開口部的周圍至外側(外壁面)形成氧化被膜。
如先前所述，為了安全地進行陽極氧化處理，必須確實地密封開口部，但為了連開口部的周圍的外壁面也形成氧化被膜，必須至該部位浸漬於電解液。由於難以兼顧該等的二個必要性，因此以電漿處理容器本身作為電解液槽來進行陽極氧化處理的事未被進行。
本發明是有鑑於上述實情而研發者，其第1目的是在於對大型且具有開口部的電漿處理容器，安全且確實地進行陽極氧化處理，其第2目的是在於對電漿處理容器的貫通開口部的周圍的外壁面也與電漿處理容器的内壁面同様進行陽極氧化處理。
本發明的電漿處理容器的陽極氧化處理方法，係對形成上部開口的箱形且在壁面具有貫通開口部的電漿處理容器的表面進行陽極氧化處理之電漿處理容器的陽極氧化處理方法，其特徵為：
在上述電漿處理容器的上述貫通開口部安裝蓋構件的狀態下，於上述電漿處理容器内充填電解液，在上述電漿處理容器的内部配備作為陰極的電極，且以上述電漿處理容器作為陽極來進行陽極氧化處理。
在本發明的電漿處理容器的陽極氧化處理方法中，可在上述貫通開口部的周圍的壁面設有為了將上述電漿處理容器的内部維持於真空狀態而配設的第1密封構件的配設預定部位，在將該配設預定部位浸泡於上述電解液的狀態下進行陽極氧化處理。
此情況，以能夠至少包圍一個的上述貫通開口部之方式，使防止上述電解液的漏洩之第2密封構件抵接於上述電漿處理容器的外壁面，經由該第2密封構件來將上述蓋構件安裝於上述電漿處理容器的外側。
又，上述第1密封構件的配設預定部位係設於上述貫通開口部的周圍的外壁面，以可用上述第2密封構件來包圍上述第1密封構件的配設預定部位的周圍之方式安裝上述蓋構件。
又，本發明的電漿處理容器的陽極氧化處理方法中，以能夠至少包圍一個的上述貫通開口部之方式，使防止上述電解液的漏洩之第2密封構件抵接於上述電漿處理容器的内壁面，經由該第2密封構件來將上述蓋構件安裝於上述電漿處理容器的内部。
此情況，使上述第2密封構件抵接於上述貫通開口部與上述第1密封構件的配設預定部位之間。
又，本發明的電漿處理容器的陽極氧化處理方法，可
本發明的電漿處理容器的陽極氧化處理方法是在電漿處理容器的貫通開口部安裝蓋構件的狀態下，於電漿處理容器内充填電解液來進行陽極氧化處理的構成。因此，除了不需要使用電解液槽以外，還可一邊確實地防止來自貫通開口部的電解液漏出，一邊實施陽極氧化處理。因此，可達到對於大型的電漿處理容器也可安全且容易地進行陽極氧化處理之效果。並且，與使用電解液槽的情況時相較之下，可大幅度地節省所使用之電解液的量或有關電解液槽的設備費用。
又，本發明的電漿處理容器的陽極氧化處理方法可在將上述貫通開口部的周圍的外壁面浸泡於電解液的狀態下進行陽極氧化處理，因此在進行電漿處理時，可達到連電漿或腐蝕性氣體容易經由各貫通開口部來到達的外壁部份也可實施陽極氧化處理之效果。
以下，參照圖面來詳細說明有關本發明的實施形態。
首先，一邊參照圖1一邊說明有關具備本發明的陽極氧化處理方法的處理對象的電漿處理容器之電漿蝕刻裝置的概略構成。如圖1所示，電漿蝕刻裝置200是例如對FPD用的玻璃基板(以下簡稱為「基板」)S進行蝕刻的電容耦合型的平行平板電漿蝕刻裝置。另外，FPD例如為液在至少一個的上述貫通開口部，由外側來安裝上述蓋構件，藉由該蓋構件在上述電漿處理容器的外部形成與内部連通的電解液流入部，使上述電解液流入該電解液流入部，藉此在將上述電漿處理容器的上述貫通開口部的周圍的外壁面浸泡於上述電解液的狀態下進行陽極氧化處理。
此情況，上述蓋構件可形成剖面的字形。
又，本發明的電漿處理容器的陽極氧化處理方法中，以能夠包圍上述電漿處理容器的上部的上述開口之方式在上述電漿處理容器的上端部配設輔助壁，充填上述電解液至上述電解液的水位到達該輔助壁為止，而進行陽極氧化處理。
此情況，可在上述電漿處理容器的上端部設有為了將上述電漿處理容器的内部維持於真空狀態而配設的第3密封構件的配設預定部位，上述輔助壁係以能夠包圍上述第3密封構件的配設預定部位之方式配設於外側。
又，本發明的電漿處理容器的陽極氧化處理方法中，上述電極係藉由複數的平板狀的電極所形成，使該平板狀的電極對於上述電漿處理容器的側壁及底壁的内面分別平行配置。
此情況，更配備一從上述電漿處理容器的貫通開口部插入上述電解液流入部的輔助電極作為陰極，而進行陽極氧化處理。又，上述輔助電極可具有與上述電漿處理容器的外壁面平行形成的對向部。晶顯示器(LCD)、電激發光(Electro Luminescence;EL)顯示器、電漿顯示器面板(PDP)等。
此電漿蝕刻裝置200是具有表面被防蝕鋁處理(陽極氧化處理)的鋁所構成的角筒形狀的處理容器101。處理容器101的本體(容器本體)是藉由底壁101a、4個的側壁101b(僅圖示2個的側壁101b1
，101b2
)所構成。並且，在處理容器101的本體上部接合有蓋體101c。
在處理容器101的側壁101b或蓋體101c的外壁，可裝卸地安裝有例如不鏽鋼(SUS)等材質的薄板102。薄板102是在於保護處理容器101，防止來自外部的衝擊或損傷。當此薄板102受損時，只要替換薄板102即可，因此可使處理容器101的壽命長期化。
蓋體101c是構成可藉由未圖示的開閉機構來開閉。在關閉蓋體101c的狀態下，蓋體101c與各側壁101b的接合部份是藉由作為第3密封構件的O型環103來密封，保持處理容器101内的氣密性。
在處理容器101内的底部配置有框形狀的絕緣構件104。在絕緣構件104上設有可載置基板S的載置台之基座105。亦為下部電極的基座105是具備基材107。基材107是例如以鋁或不鏽鋼(SUS)等的導電性材料所形成。基材107是配置於絕緣構件104上，在兩構件的接合部份配備有O型環等的密封構件113，維持氣密性。在絶緣構件104與處理容器101的底壁101a之間也藉由O型環等的密封構件114來維持氣密性。基材107的側部外周是藉由絕緣構件117來包圍。藉此，確保基座105的側面的絶緣性，防止電漿處理時的異常放電。
在基座105的上方設有與該基座105平行且對向而具有作為上部電極的機能之淋浴頭131。淋浴頭131是被處理容器101上部的蓋體101c所支持。淋浴頭131是形成中空狀，在其内部設有氣體擴散空間133。並且，在淋浴頭131的下面(與基座105對向的面)形成有吐出處理氣體的複數個氣體吐出孔135。此淋浴頭131是被接地，與基座105一起構成一對的平行平板電極。
在淋浴頭131的上部中央附近設有氣體導入口137。在此氣體導入口137連接處理氣體供給管139。在此處理氣體供給管139經由2個的閥141，141及質量流控制器143來連接供給蝕刻用的處理氣體之氣體供給源145。處理氣體，例如除了鹵素系氣體或O2
氣體以外，還可使用Ar氣體等的稀有氣體等。
在接近上述處理容器101内的4個角落的位置，於底壁101a形成有4處作為貫通開口部的排氣用開口151。在各排氣用開口151連接排氣管153。排氣管153是其端部具有凸緣部153a，使O型環(圖示省略)介於此凸緣部153a與底壁101a之間的狀態下固定。排氣管153是連接至排氣裝置155。排氣裝置155是例如具備渦輪分子泵等的真空泵，藉此構成可將處理容器101内抽真空至所定的減壓環境。
並且，在處理容器101的側壁101b1
設有作為貫通開口部的基板搬送用開口161。此基板搬送用開口161是藉由閘閥162來開閉，可使基板S在與隣接的搬送室(圖示省略)之間搬送。閘閥162是在與側壁101b1
之間介有第1密封構件的O型環163的狀態下，利用螺絲等的固定手段來固定於側壁101b1
。
並且，在處理容器101的側壁101b2
設有作為貫通開口部的窗用開口164。在窗用開口164安裝有被嵌入窗框165的透明石英板166。窗框165是在與側壁101b2
之間介有第1密封構件的O型環167的狀態下，利用螺絲等的固定手段來固定於側壁101b2
。
在基座105的基材107連接給電線171。在此給電線171是經由匹配箱(M.B.)173來連接高頻電源175。藉此，由高頻電源175來供給例如13.56MHz的高頻電力至作為下部電極的基座105。另外，給電線171是經由形成於底壁101a之作為貫通開口部的給電用開口177來導入至處理容器101内。
其次，說明有關以上那樣構成的電漿蝕刻裝置200的處理動作。
首先，在閘閥162被開放的狀態下，被處理體的基板S會藉由未圖示的搬送裝置的叉子來經由基板搬送用開口161而搬入至處理容器101内，交接至基座105。然後，閘閥162會被關閉，藉由排氣裝置155來將處理容器101内抽真空至所定的真空度。
其次，開放閥141，而使處理氣體從氣體供給源145經由處理氣體供給管139、氣體導入口137來導入至淋浴頭131的氣體擴散空間133。此時，藉由質量流控制器143來進行處理氣體的流量控制。被導入至氣體擴散空間133的處理氣體是更經由複數的吐出孔135來對載置於基座105上的基板S均一地吐出，處理容器101内的壓力會被維持於所定的值。
在此狀態下從高頻電源175使高頻電力經由匹配箱173來施加至基座105。藉此，在作為下部電極的基座105與作為上部電極的淋浴頭131之間產生高頻電場，處理氣體會解離而電漿化。藉由此電漿來對基板S實施蝕刻處理。
在實施蝕刻處理後，停止來自高頻電源175的高頻電力的施加，停止氣體導入後，將處理容器101内減壓至所定的壓力。其次，開放閘閥162，從基座105交接基板S至未圖示的搬送裝置的叉子，從處理容器101的基板搬送用開口161搬出基板S。藉由以上的操作，完成對基板S的蝕刻處理。
在電漿蝕刻裝置200内所進行的電漿蝕刻處理，必須由產生於處理容器101内的電漿、或由氣體供給源145供給的鹵素系的腐蝕性氣體，來保護處理容器101的内面。因此，對組裝電漿蝕刻裝置200前的處理容器101實施陽極氧化處理，在處理容器101的内面形成氧化被膜。處理容器101是用以處理大型的FPD用的基板S之大型容器，為了將其全體浸漬於電解液來進行陽極氧化處理，而會有需要使用更大型的電解液槽的問題。
上述問題可藉由在處理容器101内注入電解液，利用處理容器101本身作為電解液槽來解決。但，由於處理容器101是如上述般具有複數的貫通開口部(排氣用開口151、基板搬送用開口161、窗用開口164、給電用開口177)，因此必須密封該等的貫通開口部來進行陽極氧化處理，而令使用於陽極氧化處理的電解液不會漏出至外部。因此，本實施形態是使用以下說明的方法來進行陽極氧化處理。
圖2是說明在藉由底壁101a及4方的側壁101b(僅圖示側壁101b1
及101b2
的二個)所構成的處理容器101内，直接放入電解液E來進行陽極氧化處理的狀態模式圖面。如上述般，在底壁101a的中央形成有給電用開口177，更在其周圍形成有4個的排氣用開口151(僅圖示2個)。並且，在一方的側壁101b1
形成有基板搬送用開口161。在對向於側壁101b1
來設置的另一方的側壁101b2
形成有用以觀察處理容器101内的窗用開口164。而且，在各貫通開口部分別安裝有蓋構件來予以密封。亦即，在給電用開口177安裝有蓋構件211。在4個的排氣用開口151分別安裝有蓋構件221。並且，在基板搬送用開口161安裝有蓋構件231。更在窗用開口164安裝有蓋構件241。而且，在側壁101b的上端設有輔助壁251。
在處理容器101内，以能夠和4個側壁101b的内壁面大致平行的方式，配備有陰極板401(僅圖示3個)。並且，在處理容器101的底壁101a附近，以能夠和該底壁101a的内壁面平行的方式，配備有陰極板403。在各陰極板401，403分別連接給電線405。給電線405的另一端側是經由電源407來連接至作為陽極的處理容器101的本體。
並且，在處理容器101配備有液循環機構507，該液循環機構507是具有：吸入電解液E的吸入部501、及噴出電解液E的噴出部503、泵505。藉由使該液循環機構507的泵505作動，可使電解液E循環攪拌於處理容器101内。
陽極氧化處理是在配置陰極板401，403的處理容器101内放入電解液E，一邊以液循環機構507來使電解液E循環，一邊藉由直流電源407來使電流以所定的電流密度流動於陰極板401，403與作為陽極的處理容器101之間，藉此得以進行。另外，陽極氧化處理的電解液E的種類、處理溫度、電流密度等的條件是可適當設定。
其次，舉安裝於側壁101b2
的蓋構件241為例來詳細說明有關蓋構件的構成及作用。圖3是表示窗用開口164與蓋構件241的接合部份的擴大圖。側壁101b2
的窗用開口164是從處理容器101的外側藉由蓋構件241來密封。蓋構件241是例如以鋁、鈦等的材質所構成，以未圖示的螺絲等的固定手段來固定於側壁101b2
。
蓋構件241是形成具備本體241a、及對該本體241a垂直設置的框狀壁241b的淺箱形，其剖面是形成字形。蓋構件241的框狀壁241b的端部是配合窗用開口164的形狀來形成矩形，且形成比窗用開口164更大。蓋構件241是藉由本體241a及框狀壁241b來具有凹部，該凹部是持有比窗用開口164的面積大的開口面積。此凹部是經由窗用開口164來與處理容器101的内部連通，在將蓋構件241安裝於側壁101b2
的狀態下形成使電解液E流入的電解液流入部243。
蓋構件241的框狀壁241b是經由作為第2密封構件的O型環203來抵接於側壁101b2
。因此，蓋構件241與側壁101b2
的抵接部位是被密封成即使電解液E充滿於電解液流入部243的狀態下也不會發生電解液E漏出。另外，第2密封構件並非限於O型環，例如亦可使用密封帶等(其他的蓋構件211，221，231也是同様)。
在側壁101b2
的窗用開口164的周圍，以在窗用開口164安裝窗框165(參照圖1)時維持氣密性的目的，形成有用以配設O型環167的O型環配設用溝301。蓋構件241的框狀壁241b是以能夠從外側包圍該O型環配設用溝301的方式來抵接於其外周側。
圖4是表示側壁101b2
的窗用開口164、O型環配設用溝301、及蓋構件241的框狀壁241b經由O型環203來抵接於側壁101b2
的抵接部位203a之位置關係。圖4中，網狀的領域R雖是處理容器101的外壁面，但也是暴露於經由窗用開口164來到外壁面側的電漿或腐蝕性氣體的領域。
如圖4所示，本實施形態是將蓋構件241的框狀壁241b的抵接部位203a形成於比第1密封構件的配設預定位置的O型環配設用溝301更外側。藉此，在側壁101b2
的外壁，可使電解液E到達比O型環配設用溝301的位置更外側。因此，顯示網狀的領域R可確實地浸泡於電解液E。所以，包含顯示網狀的領域R，可至O型環配設用溝301的位置確實地進行陽極氧化處理。另外，圖2～圖4是舉在側壁101b2
形成有O型環配設用溝301時為例，但亦可在窗框165(參照圖1)側形成O型環配設用的溝。此情況，也是只要框狀壁241b配置於O型環167的抵接預定位置的外側即可。
又，圖2～圖4是舉安裝於側壁101b2
的蓋構件241為例來說明，但有關分別密封底壁101a的給電用開口177、排氣用開口151、側壁101b1
的基板搬送用開口161之蓋構件211，221，231的安裝構造及其作用也是與上述同様。
亦即，如圖2所示，密封給電用開口177的蓋構件211是經由作為第2密封構件的O型環205來安裝於底壁101a，防止電解液E漏出。另外，在給電用開口177的周圍是藉由作為第1密封構件的密封構件114(O型環)在絶緣構件104與處理容器101的底壁101a的内壁面之間形成可確保氣密性的構造(參照圖1)，因為在給電用開口177的周圍的外壁面沒有電漿或腐蝕性氣體到達，因此未設置用以配備第1密封構件(O型環)的溝。
又，密封排氣用開口151的蓋構件221是經由作為第2密封構件的O型環207來安裝於底壁101a，防止電解液E漏出。此情況，O型環207是配備於比配設介於排氣管153的凸緣部153a與底壁101a之間的第1密封構件的O型環(圖示省略)的預定位置的O型環配設用溝303更外側。因此，可使電解液E到達O型環配設用溝303的位置而確實地實施陽極氧化處理。
又，密封基板搬送用開口161的蓋構件231是經由作為第2密封構件的O型環209來安裝於側壁101b1
，防止電解液E漏出。此情況，O型環209是配備於比配設介於閘閥162與側壁101b1
之間的第1密封構件的O型環(圖示省略)的預定位置的O型環配設用溝305更外側。因此，可使電解液E到達O型環配設用溝305的位置而確實地實施陽極氧化處理。
其次，一邊再參照圖2及圖3一邊說明有關配設於4個側壁101b的上端的輔助壁251的構成及作用。輔助壁251是形成剖面L字形的框體。輔助壁251是例如藉由鋁、鈦等的材質所構成，在側壁101b的上端以未圖示的螺絲等的固定手段來固定。輔助壁251是經由O型環253來固定於側壁101b的上端。因此，輔助壁251與側壁101b的抵接部位是被密封成不會發生電解液E漏出。
輔助壁251是在超過處理容器101的側壁101b的上端來儲存電解液E時，形成具有電解液E不會流出程度的充分高度H。藉由設置輔助壁251，可在處理容器101内注入電解液E至電解液E的液面超過側壁101b的上端的高度位置。藉由注入電解液E至液面到達輔助壁251的高度來進行陽極氧化處理，可連側壁101b的頂部也形成氧化被膜。
在側壁101b的上端是形成有用以配設作為第3密封構件的O型環103的O型環配設用溝307。O型環103是如上述般在關閉蓋體101c的狀態下維持蓋體101c與各側壁101b的接合部份的氣密性者(參照圖1)。因為在蓋體101c與側壁101b的接合境界形成有些微的間隙，因此有時在該間隙電漿或腐蝕性氣體會進入至O型環103的配設位置，而使得側壁101b的上端面劣化。在本實施形態中，輔助壁251是以能夠包圍該O型環配設用溝307的方式來設於其外周側。亦即，將輔助壁251配置於比O型環103的配設預定位置的O型環配設用溝307更外側。藉由該配置，可確實地以電解液E來浸泡至O型環配設用溝307的位置，進而可至O型環配設用溝307的位置，確實地實施陽極氧化處理。如此一來，可使蓋體101c與側壁101b的接合境界的電漿腐蝕耐性及耐蝕性提升。
另外，圖2及圖3是舉在側壁101b的上端形成有O型環配設用溝307時為例，但亦可在蓋體101c的側形成O型環配設用的溝。此情況，也是只要將輔助壁251配置於O型環103的抵接預定位置的外側即可。
本實施形態的陽極氧化處理方法是從貫通開口部的外側來安裝密封處理容器101的貫通開口部(給電用開口177、排氣用開口151、基板搬送用開口161、窗用開口164)的蓋構件211，221，231，241之狀態下，在處理容器101内充填電解液E來進行陽極氧化處理的構成。因此，除了不必使用電解液槽以外，還可一邊確實地防止來自貫通開口部的電解液漏出，一邊實施陽極氧化處理。因此，對於大型的處理容器101也可安全且容易地進行陽極氧化處理。並且，與使用電解液槽的情況時相較之下，可大幅度地節省所使用之電解液的量或有關電解液槽的設備費用。
又，本實施形態的陽極氧化處理方法是以電解液E能夠浸泡至各貫通開口部周圍的外壁面為止的方式來安裝蓋構件211，221，231，241。因此，在以電漿蝕刻裝置200來進行電漿蝕刻處理時，連電漿或腐蝕性氣體容易經由各貫通開口部來到達的外壁部份也可實施陽極氧化處理。又，藉由調節蓋構件221，231，241的大小，可至第1密封構件的配設預定部位(O型環配設用溝303，305，301)的位置，確實地進行陽極氧化處理。
又，本實施形態的陽極氧化處理方法是在處理容器101的側壁101b的上端配備輔助壁251，至該輔助壁251的高度位置注入電解液E來進行陽極氧化處理。藉此，可超過側壁101b上端的高度位置來注入電解液E，可至側壁101b的上端面確實地進行陽極氧化處理。並且，輔助壁251是以包圍側壁101b的上端面的O型環配設用溝307之方式來配備於其外側。因此，可至有可能暴露於電漿或腐蝕性氣體的側壁101b的上端面的O型環配設用溝307的位置，確實地實施陽極氧化處理。
另外，有關接合於處理容器101上部的蓋體101c也是可與以上說明的方法同様實施陽極氧化處理。
其次，一邊參照圖5一邊說明有關本發明的第2實施形態。圖5是表示窗用開口164附近的陰極的配設例的圖面。本實施形態是除了作為陰極的陰極板401，403以外，還配設插入窗用開口164的内部之小型的輔助電極409。陰極的輔助電極409是貫通窗用開口164來插入至電解液流入部243。圖5是顯示上下1對的輔助電極409，但在左右(圖5的紙面的前側及內側)也可同樣配置輔助電極409。
輔助電極409的形狀是例如可為板狀、棒狀等適當的形狀，但本實施形態是如圖5所示形成剖面L字形的板狀，其係具有長部份409a、及大致折彎成直角而對側壁101b2
的外壁面平行的壁面對向部份409b。
如此，在藉由安裝於側壁101b的蓋構件241所形成的電解液流入部243中插入‧配置作為陰極的輔助電極409之下，包含窗用開口164的内周部份164a，可在窗用開口164的周圍形成氧化皮膜。特別是在使用具有對外壁面平行的壁面對向部份409b的輔助電極409之下，連對於窗用開口164周圍的外壁面也可確實地實施陽極氧化處理。
另外，雖圖示及說明省略，但輔助電極409不僅窗用開口164，在處理容器101的其他貫通開口部(排氣用開口151、基板搬送用開口161、給電用開口177)也可配設，該情況也可取得與上述同様的效果。
本實施形態的其他構成、作用及效果是與第1實施形態同様。
以上為本發明的實施形態，但本發明並非限於上述實施形態，亦可為各種的變形。例如，本發明的陽極氧化處理方法並非限於以FPD用基板作為處理對象的處理容器，例如亦可適用於以半導體晶圓作為處理對象的處理容器。又，並非限於電漿蝕刻裝置的處理容器，例如亦可適用於進行電漿灰化處理、電漿CVD處理等其他的電漿處理之處理容器。
又，上述實施形態是在所有的貫通開口部由外側來安裝密封處理容器101的貫通開口部之蓋構件211，221，231，241。但，亦可由貫通開口部的内側來安裝蓋構件。例如圖6所示，亦可將蓋構件211a安裝於處理容器101的内側，作為用以密封給電用開口177的蓋構件。另外，此情況的蓋構件211a如圖示亦可為平板狀。在給電用開口177的周圍是形成可藉由作為第1密封構件的密封構件114(O型環)在絶緣構件104與處理容器101的底壁101a的内壁面之間確保氣密性的構造(參照圖1)。因此，在用以配備密封構件114的O型環配設用溝309的内側(亦即給電用開口177與O型環配設用溝309之間)經由作為第2密封構件的O型環210來配備蓋構件211a，藉此可對O型環配設用溝309確實地實施陽極氧化處理。
101．．．處理容器
101a．．．底壁
101b(101b1
，101b2
)．．．側壁
101c．．．蓋體
105．．．基座
151．．．排氣用開口
161．．．基板搬送用開口
164．．．窗用開口
177．．．給電用開口
203，205，207，209，210．．．O型環
211，211a，221，231，241．．．蓋構件
251．．．輔助壁
301，303，305，307，309．．．O型環配設用溝
401，403．．．陰極板
501．．．吸入部
503．．．噴出部
505．．．泵
507．．．液循環機構
圖1是表示電漿蝕刻裝置的概略構成的剖面圖。
圖2是說明有關本發明的第1實施形態的陽極氧化處理方法的圖面。
圖3是表示側壁的蓋構件及輔助壁的安裝例的要部剖面圖。
圖4是擴大顯示窗用開口的周圍的圖面。
圖5是說明本發明的第2實施形態的陽極氧化處理方法之輔助電極的配置例的圖面。
圖6是用以說明第1實施形態的陽極氧化處理方法的變形例的圖面。
101b2
．．．側壁
164．．．窗用開口
203．．．O型環
241．．．蓋構件
241a．．．框狀壁
241b．．．本體
243．．．電解液流入部
251．．．輔助壁
253．．．O型環
301，307．．．O型環配設用溝
Claims (12)
- 一種電漿處理容器的陽極氧化處理方法，係對形成上部開口的箱形且在壁面具有貫通開口部的電漿處理容器的表面進行陽極氧化處理之電漿處理容器的陽極氧化處理方法，其特徵為：在上述貫通開口部的周圍的壁面設有為了將上述電漿處理容器的內部維持於真空狀態而配設的第1密封構件的配設預定部位，在上述電漿處理容器的上述貫通開口部安裝蓋構件的狀態下，於上述電漿處理容器內充填電解液，在將該配設預定部位浸泡於上述電解液的狀態下，在上述電漿處理容器的內部配備作為陰極的電極，且以上述電漿處理容器作為陽極來進行陽極氧化處理。
- 如申請專利範圍第1項之電漿處理容器的陽極氧化處理方法，其中，以能夠至少包圍一個的上述貫通開口部之方式，使防止上述電解液的漏洩之第2密封構件抵接於上述電漿處理容器的外壁面，經由該第2密封構件來將上述蓋構件安裝於上述電漿處理容器的外側。
- 如申請專利範圍第2項之電漿處理容器的陽極氧化處理方法，其中，上述第1密封構件的配設預定部位係設於上述貫通開口部的周圍的外壁面，以可用上述第2密封構件來包圍上述第1密封構件的配設預定部位的周圍之方式安裝上述蓋構件。
- 如申請專利範圍第1~3項中的任一項所記載之電 漿處理容器的陽極氧化處理方法，其中，以能夠至少包圍一個的上述貫通開口部之方式，使防止上述電解液的漏洩之第2密封構件抵接於上述電漿處理容器的內壁面，經由該第2密封構件來將上述蓋構件安裝於上述電漿處理容器的內部。
- 如申請專利範圍第4項之電漿處理容器的陽極氧化處理方法，其中，使上述第2密封構件抵接於上述貫通開口部與上述第1密封構件的配設預定部位之間。
- 一種電漿處理容器的陽極氧化處理方法，係對形成上部開口的箱形且在壁面具有貫通開口部的電漿處理容器的表面進行陽極氧化處理之電漿處理容器的陽極氧化處理方法，其特徵為：在上述電漿處理容器的上述貫通開口部安裝蓋構件的狀態下，於上述電漿處理容器內充填電解液，在上述電漿處理容器的內部配備作為陰極的電極，且以上述電漿處理容器作為陽極，在至少一個的上述貫通開口部，由外側來安裝上述蓋構件，藉由該蓋構件在上述電漿處理容器的外部形成與內部連通的電解液流入部，使上述電解液流入該電解液流入部，藉此在將上述電漿處理容器的上述貫通開口部的周圍的外壁面浸泡於上述電解液的狀態下進行陽極氧化處理。
- 如申請專利範圍第6項之電漿處理容器的陽極氧化處理方法，其中，上述蓋構件是形成剖面的字形。
- 如申請專利範圍第6或7項所記載之電漿處理容器 的陽極氧化處理方法，其中，以能夠包圍上述電漿處理容器的上部的上述開口之方式在上述電漿處理容器的上端部配設輔助壁，充填上述電解液至上述電解液的水位到達該輔助壁為止，而進行陽極氧化處理。
- 如申請專利範圍第8項之電漿處理容器的陽極氧化處理方法，其中，在上述電漿處理容器的上端部設有為了將上述電漿處理容器的內部維持於真空狀態而配設的第3密封構件的配設預定部位，上述輔助壁係以能夠包圍上述第3密封構件的配設預定部位之方式配設於外側。
- 如申請專利範圍第6或7項所記載之電漿處理容器的陽極氧化處理方法，其中，上述電極係藉由複數的平板狀的電極所形成，使該平板狀的電極對於上述電漿處理容器的側壁及底壁的內面分別平行配置。
- 如申請專利範圍第6項之電漿處理容器的陽極氧化處理方法，其中，更配備一從上述電漿處理容器的貫通開口部插入上述電解液流入部的輔助電極作為陰極，而進行陽極氧化處理。
- 如申請專利範圍第11項之電漿處理容器的陽極氧化處理方法，其中，上述輔助電極係具有與上述電漿處理容器的外壁面平行形成的對向部。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2008013563A JP5285283B2 (ja) | 2008-01-24 | 2008-01-24 | プラズマ処理容器の陽極酸化処理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW200942645A TW200942645A (en) | 2009-10-16 |
| TWI438307B true TWI438307B (zh) | 2014-05-21 |
Family
ID=40945283
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW098103124A TWI438307B (zh) | 2008-01-24 | 2009-01-23 | Anodizing treatment of plasma processing vessel |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP5285283B2 (zh) |
| KR (2) | KR101114654B1 (zh) |
| CN (1) | CN101498016B (zh) |
| TW (1) | TWI438307B (zh) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104480504A (zh) * | 2014-11-20 | 2015-04-01 | 浙江西田机械有限公司 | 一种涡旋壁氧化装置 |
| MY193027A (en) * | 2017-01-04 | 2022-09-23 | Sakura Color Prod Corp | Plasma indicator for treated with dye-containing alumite |
| US20180195196A1 (en) * | 2017-01-06 | 2018-07-12 | Mks Instruments, Inc. | Protective oxide coating with reduced metal concentrations |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3772163A (en) * | 1971-08-20 | 1973-11-13 | J Jumer | Electrochemical processing of inner surfaces of large vessels |
| JPS58167777A (ja) * | 1982-03-29 | 1983-10-04 | Kawasaki Heavy Ind Ltd | 表面処理方法及び装置 |
| CN1062009A (zh) * | 1991-08-01 | 1992-06-17 | 铁道部戚墅堰机车车辆工艺研究所 | 深孔管内壁电解镀镀覆方法及装置 |
| JPH0598494A (ja) * | 1991-10-09 | 1993-04-20 | Masao Moriyama | 分割構成される箱形容器の内面をメツキする方法 |
| CN2175239Y (zh) * | 1993-09-01 | 1994-08-24 | 大庆石油学院 | 深井泵筒的电解镀铁装置 |
| JP3155199B2 (ja) * | 1996-04-12 | 2001-04-09 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
| JPH10237653A (ja) * | 1997-02-26 | 1998-09-08 | Ulvac Japan Ltd | 真空処理装置 |
| JPH11117092A (ja) * | 1997-10-09 | 1999-04-27 | Honda Motor Co Ltd | 陽極酸化皮膜装置 |
| JP2000026999A (ja) * | 1998-07-13 | 2000-01-25 | Yamaha Motor Co Ltd | 筒状内面を有する物品のアルマイト処理方法及び装置 |
| JP2001023908A (ja) * | 1999-07-07 | 2001-01-26 | Texas Instr Japan Ltd | 真空処理装置 |
| KR100662791B1 (ko) * | 2004-12-16 | 2006-12-28 | 주식회사 에이스테크놀로지 | 무선통신용 제품의 부분도금 장치 및 그를 이용한부분도금 방법 |
-
2008
- 2008-01-24 JP JP2008013563A patent/JP5285283B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2009
- 2009-01-22 KR KR1020090005448A patent/KR101114654B1/ko active IP Right Grant
- 2009-01-23 CN CN2009100085140A patent/CN101498016B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2009-01-23 TW TW098103124A patent/TWI438307B/zh not_active IP Right Cessation
-
2011
- 2011-05-09 KR KR1020110043520A patent/KR20110058764A/ko not_active Application Discontinuation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20090082132A (ko) | 2009-07-29 |
| TW200942645A (en) | 2009-10-16 |
| KR20110058764A (ko) | 2011-06-01 |
| JP2009173997A (ja) | 2009-08-06 |
| JP5285283B2 (ja) | 2013-09-11 |
| CN101498016A (zh) | 2009-08-05 |
| KR101114654B1 (ko) | 2012-03-13 |
| CN101498016B (zh) | 2012-12-12 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees |