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Description

處理裝置

本發明，係有關於處理裝置。

近年來，液晶顯示器之大型化係進行，作為處理基板，例如，係成為使用有第11世代(3000mm×3320mm)尺寸之玻璃基板。在此液晶顯示器之製造中，係使用有進行配線用金屬膜之成膜製程的濺鍍裝置、或是進行加熱處理之加熱處理裝置等的多數之處理裝置。此些之處理裝置，係具備有用以進行特定之製程的真空處理室。

伴隨著處理基板之大型化，處理裝置之處理室本身亦有必要以成為能夠涵蓋此處理基板之全面而將成膜製程等一括性實行的方式而大型化。於此情況，若是從一個的大型之鋁塊來削出並製作大型的真空處理室，則由於係成為需要專用之大型切削加工裝置等，而會使真空處理室本身之製作費用變高。

又，在大型之真空處理室中，係成為需要大型之拖車等的輸送手段，而成為不便，又，依存於其之尺寸或是重量，亦會有受到法令等之限制而無法輸送的情況。

因此，係週知有下述一般之真空處理室，其係具備有2以上之被形成有貫通孔的略直方體之處理室構件，並將相鄰接之處理室構件以貫通孔相通連的狀態來藉由密封構件而抵接所成(例如，參考專利文獻1)。

[先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本特開2008-197374號公報(圖1、3以及申請項1)

上述之真空處理室，係具備有下述之優點：亦即是，能夠將各處理室構件輸送至設置場所處，並在設置場所處作接合而作成真空處理室。然而，伴隨著近年之基板尺寸的更加大型化，在設置場所處，亦被要求有使用有更為緊緻之真空處理室的加熱處理裝置。

因此，本發明之課題，係為了消除上述先前技術之問題點，而以提供一種使用有輸送係為使利且為緊緻的真空處理室之處理裝置為目的。

本發明之處理裝置，其特徵為，具備有：真空處理室，其係具備：處理室本體，係由具備被形成為可將基板作插入之貫通孔的方塊狀之複數的處理室構件所成，並在相鄰接之處理室構件的至少其中一方處，涵蓋與另外一方間之抵接面的前述貫通孔之開口部的周圍，而連續地設置溝，且各處理室構件，係以隔著被裝著於前述溝處之密封構件而分別被密接的狀態而被固定，而具備有以複數之貫通孔所構成之處理空間、和壁面構件，係將前述處理空間之其中一方的開口作密封、和蓋構件，係將前述處理空間之另外一方的開口可開閉地作填塞，在各處理空間中，係具備有：加熱手段，係經由輻射熱而將前述基板作加熱；和一對之基板支持構件，係分別被配置在此加熱手段之上下，並將各基板以對象於前述加熱手段的方式來作支持。

在本發明中，係構成為：於1個的處理空間中，在加熱手段之上下而被設置有一對之基板支持構件，而此基板支持構件係分別將基板作支持。亦即是，在本發明中，係構成為能夠在1個的處理空間中對複數枚之基板作處理。藉由採用此種構成，就算是對相同枚數進行處理之裝置，相較於先前技術之處理裝置，本發明之處理裝置成為更緊緻且製作材料更少者。又，本處理裝置，由於係由複數之處理構件所構成，故係容易輸送。

於此，較理想，前述加熱手段與藉由各基板支持構件所支持之各基板間的距離，係為相等。藉由設為此種構成，在1個的處理空間中之各基板，係分別被加熱至相同溫度。

作為本發明之理想實施形態，係可列舉有：前述加熱手段，係具備有作為加熱源之鞘型加熱器。

又，係以下述一般之構成為理想：在前述加熱手段之表面上，係為了提昇輻射效率，而被形成著包含有將輻射效率提昇之材料的被覆膜，或是被設置有藉由提昇輻射效率之材料所形成的被覆板。

較理想，前述一對之基板支持構件，係分別由棒狀之基底構件、和被立設在此基底構件上的複數之基板支持銷所成，其中一方之基板支持構件，係被固定在前述加熱手段之上面，而另外一方之基板支持構件，係被設置在前述處理空間之底面處。藉由設為此種構成，不會對於在1個的處理空間中之複數枚之基板的加熱作抑制，而能夠將基板簡易地作保持。

於此情況，較理想，前述基底構件，係在其之長度方向的複數場所處，具備有可彎曲之轉樞部。藉由設為此種構成，而能夠將對應於大型基板之大型的支持構件作彎折，而例如在維修時，藉由將支持構件作彎折，而能夠容易地從處理空間來取出，在處理上係為容易。

若藉由本發明之處理裝置，則在輸送上係為便利，且由於係設為能夠對在1個的處理空間中之複數枚之基板作處理的構成，因此，能夠得到可將裝置全體更為緊緻地構成之優良的效果。

圖1，係為實施形態1的處理裝置之剖面圖。圖2，係為展示處理室本體之構成的模式性立體圖，圖3，係為展示構成真空處理室之處理室構件之構成的模式圖，圖4，係為處理空間內之模式性上面圖。

在本實施形態中之處理裝置(加熱處理裝置)10，係為在1個的處理空間A中對2枚之基板S進行加熱處理者。如圖1所示一般，加熱處理裝置10，係具備有：具備用以對2枚之基板S作加熱處理之處理空間A的真空處理室20、和在處理空間A內將各基板S作支持之支持構件30、和將基板S同時作加熱之加熱手段40。另外，此加熱處理裝置10，例如，係在藉由對基板S作加熱處理而進行脫氣處理時而被使用。

真空處理室20，係藉由被形成有處理空間A之處理室本體21、和將處理空間A之開口作堵塞之壁面構件22以及蓋構件23所構成。

處理室本體21，係由具備有被形成為可插入基板S之貫通孔24的方塊狀(略直方體狀)之複數的處理室構件25所構成。貫通孔24，係在處理室本體21之相對向的一對之壁面上分別開口。此些之處理室構件25，係以將開口有貫通孔24之壁面彼此作密接的狀態而被固定。而後，被形成於各處理室構件25處之貫通孔24，係分別被相互通連，並藉由此些之複數的貫通孔24而區劃出處理空間A。

在各處理構件25之各個處，複數(在本實施形態中係為5個)之貫通孔24，係沿著處理室構件25之高度方向(圖中之上下方向)來以特定間隔而被設置有複數。亦即是，處理室本體21，係具備有多段之處理空間A。

在圖2所示之例中，係藉由將被形成有貫通孔24之處理室構件25於橫方向而各並排6個並分別作固定，而被形成有5段之藉由6個的貫通孔24所構成的處理空間A。而後，將如此這般地被形成有5段之處理空間A的各處理室構件25，在縱方向上堆疊2個，藉由此，而形成具備有10段之處理空間A的處理室本體21。亦即是，本實施形態之處理室本體21，係由總計12個的處理室構件25所成。另外，被作了堆疊的各處理室構件25彼此，係並不一定需要作固定，但是，為了防止偏移，係以藉由螺桿等來作固定為理想。

另外，處理室構件25之製造方法，雖並未特別限定，但是，處理室構件25，例如係藉由對鋁或不鏽鋼等之金屬塊作切削而被製造。

壁面構件22，係被固定在處理室本體21之處理空間A所開口的其中一方之壁面21a處，而蓋構件23，係可開閉地被固定在處理室本體21之處理空間A所開口的另外一方之壁面21b處。在本實施形態中，此些之壁面構件22以及蓋構件23，係對應於各處理空間A而分別被設置。

進而，在此些之各壁面構件22以及蓋構件23與處理室本體21(處理室構件25)之間，還有在各處理室構件25之間，係被設置有O型環等之密封構件26。具體而言，如圖3中所示一般，在各處理室構件25之貫通孔24所開口之至少一方的壁面處，係被設置有涵蓋貫通孔24之周圍而連續之溝部27，在此溝部27處，係被裝著有密封構件26。藉由此，壁面構件22以及蓋構件23與處理室本體21(處理室構件25)之間，還有各處理室構件25之間，係確實地被密封。

如上述一般而構成真空處理室20之處理室本體21、壁面構件22以及蓋構件23，係以可將處理空間A作密封的方式而分別被作固定。亦即是，區劃出處理空間A的各構件，係並非藉由熔接而被固定，而是挾持密封構件26並經由螺絲等之鎖合構件而被固定，藉由此，處理空間A係被構成為可密封。藉由此，就算是使處理空間A內在大氣狀態與真空狀態之間反覆作變化，亦能夠對於在區劃出處理空間A之各構件間的漏洩之發生作抑制。

又，處理室構件25，係為了在將處理空間A之內部設為了所期望之壓力(例如1Pa)的情況時來對周圍之壁部的變形作抑制，而有必要將各壁部之厚度設定為特定之厚度以上。另外，若是各處理空間A之壓力係為略一定，則在各貫通孔24間之隔壁部28處，係幾乎不會產生有彎折。故而，隔壁部28之厚度，係能夠設為較最上部之貫通孔24的頂壁以及最下部之貫通孔24的底壁之厚度為更薄。因此，在高度方向上，係成為更加緊緻之構成。

以下，針對在藉由此種真空處理本體21所形成之處理空間A內所設置之支持構件30及加熱手段40作詳細說明。

加熱手段40，例如，係具備有作為加熱源之鞘型加熱器，並經由輻射熱而將基板加熱至例如120～150℃左右者。在本實施形態中，加熱手段40，係在處理空間A之基板的搬送方向上被並排設置有6個。加熱手段40，係藉由將其之端部載置在被設置於處理空間A之側壁處的加熱手段支持構件42上，而在處理空間A內被作支持。

在加熱手段40之兩表面處，作為表面處理，係被形成有包含將輻射效率提昇之材料的被覆膜41。藉由此，由於加熱手段40之輻射效率係被提升，因此，係能夠經由加熱手段40之輻射熱而將基板S有效率地作加熱。被覆膜41，例如，係經由在加熱手段40之表面上將材料作熔射而被形成。作為被覆膜41，係使用金屬材料，例如，係適合使用鋁、鈦或是鉻，或者是包含有此些之合金或此些之氧化物等。不用說，在被覆膜41中所使用之材料，只要是能夠提昇輻射效率者，則並不被特別限定。但是，從真空加熱處理室的觀點來看，係以使用放出之氣體為少的材料為理想。

另外，在由被形成有由上述之材料所成的被覆膜41之鋁無垢板所成的試料處，設置熱電偶，並在相離開了20mm之位置處，藉由輻射溫度計來對於加熱器之溫度作測定，並與熱電偶之溫度作比較，而對於輻射效率作了調查，其結果，熔射有氧化鈦的情況時之輻射效率，係為0.89，而當形成了氧化鉻膜的情況時之輻射效率，係為0.9。另外，由於以相同之方法而作了測定的鋁無垢板之輻射效率係為0.3，因此，可以得知，藉由進行了此些之作為表面處理的被覆膜41的形成，輻射效率係提昇。

又，在本實施形態中，雖係在加熱手段40之表面上形成被覆膜41以提昇輻射效率，但是，例如，代替被覆膜41，亦可將與加熱手段40成為相異構件之被覆板，以與加熱手段40之表面相接觸的狀態來作設置。作為形成被覆板之材料，係只要與被覆膜41相同的而在材料中使用將輻射效率提昇之材料即可。就算是採用此種構成，亦能夠提昇加熱手段40之輻射效率。

支持構件30，係由沿著處理空間之長度方向而被設置的複數之棒狀的基底構件31(於圖4中，例如係為8根)，和於基底構件31上而以特定之間隔而被立設的複數之基板支持銷32所成。在此基板支持銷32上，基板S係被載置並被支持。

又，支持構件30，係分別被設置在各處理空間A之加熱手段40的上部以及下部處，並在加熱手段40之上下而分別支持基板。亦即是，第1支持構件30，其之基底構件31係分別在加熱手段40之上面處，藉由未圖示之固定構件而被固定。又，第2支持構件30，其之基底構件31係分別在處理空間A之底面處，藉由未圖示之固定構件而被固定。如此這般，在本實施形態中，在加熱手段40之上下係分別被載置有基板S，存在於加熱手段40之上部的基板S係從背面而被加熱，而存在於加熱手段40之下部的基板S係從表面而被加熱。此加熱手段40之上面(上端)與被設置在加熱手段40之上部處的基板S之背面間的距離，係被構成為和加熱手段40之下面(下端)與被設置在加熱手段40之下部處的基板S間的距離為相等。藉由採用此種構成，被插入至各處理空間A中之2枚的基板，係能夠分別被加熱至相同之溫度。

於此，各基板S，例如，係經由機器臂而在處理空間A內被作搬送。此時，基板S係經由機器臂而被從蓋構件23側而插入至處理空間A內，並被載置在基板支持銷32上。而後，機器臂係在此基板S與加熱手段40間之空隙間移動，並從蓋構件23側而被拔出至外部。

在本發明之加熱處理裝置10中，若是如此這般地經由機器臂而將各基板S載置在各支持構件30之基板支持銷32上，則能夠在該狀態下而經由加熱手段40之輻射熱來對各基板S作加熱處理。例如，在作為加熱手段而採用有熱平板等之先前技術的加熱處理裝置中，係在將基板載置於基板支持銷上後，為了使基板與加熱手段相接觸，而需要進而將基板作移動，但是，在本發明之加熱處理裝置10中，係不需要進行此種基板之移動，而產率係提昇。

又，為了移動基板而使其與加熱手段相接觸，例如，係有必要設置使基板支持銷成為可升降的機構等，但是，在本發明之加熱處理裝置中，由於係並不需要此種機構，因此，亦能夠以較低價來製造加熱處理裝置。

如以上所述一般，在本實施形態中，係在各處理空間A中插入2枚之基板S，而能夠對此些同時進行處理。進而，由於係構成為在1個的處理空間中插入2枚之基板S，因此，能夠將處理室本體21更為緊緻的形成。亦即是，在如同先前技術一般而於各處理空間中插入1枚之基板的情況時，例如，為了一次對10枚的基板進行處理，係有必要將具備有5段之處理空間的處理室構件堆積2個，而設為具備有10段之處理空間的處理室本體。但是，在本實施形態中，係能夠藉由具備有5段之處理空間A的處理室構件25，來對10枚之基板S同時進行處理，因此，只要具備有10段之處理空間，則能夠對20枚之基板S同時進行處理。

具體而言，列舉基板尺寸為220×250(單位為cm)的情況為例來作說明。在為了對基板10枚作處理而具備有10段之處理空間的先前技術之裝置中，處理室本體之大小，係為橫×縱深(基板之搬送方向)×高度為286×283×376(單位為cm)，處理空間之大小係為橫×縱深×高度為266×283×16(單位為cm)，而重量係為49.65噸。相對於此，在能夠以5段之處理空間而對基板10枚作處理的本實施形態中，處理室本體21之大小，係為橫×縱深×高度為286×283×286(單位為cm)，處理空間之大小係為橫×縱深×高度為266×283×32(單位為cm)，而重量係為29.98噸。如此這般，在本實施形態中，相較於先前技術之基板處理裝置，係為更加緊緻，並進而能夠對多數枚之基板同時進行處理，因此，生產率係為優良。

進而，能夠將對應於大型基板之處理室本體21，藉由將小的塊狀之處理室構件25以密封構件26來作密封固定而製作出1個的處理室本體21，並將此處理室本體21作 堆積，而能夠製作出具備有多段之處理空間A的處理室本體21。如此這般，由於能夠將各處理室構件21輸送至處理裝置之設置場所處，並在該處作組裝，因此，係不需要大型且特殊之輸送手段。並且，由於係藉由密封構件26而作密封，因此，就算是將從大氣狀態而降低至特定之壓力的工程反覆地進行，亦難以產生漏洩，故而，特別是在進行前處理工程或是後處理工程等時，係為適合。

使用圖5，針對在本實施形態之處理空間A內所使用的支持構件之其他形態作說明。在上述之實施形態中，雖係例示有在1根之棒狀的基底構件31上而立設有基板支持銷32之支持構件30，但是，在本實施形態中，支持構件30，係如圖5(a)中所示一般，支持構件30，係藉由複數之分割基底構件33、和將各分割基底構件33作連接的轉樞部34、和在各分割基底構件33上空出特定之間隔而被立設的基板支持銷32所構成。轉樞部34，係被構成為能夠以軸35為中心而彎曲。又，相鄰接之轉樞部34，係如圖5(b)所示一般，以能夠分別在相反方向上作彎曲之方式來作配置為理想。藉由此，由於能夠將各轉樞部34之軸35為中心，而將支持構件30作折疊，因此，在處理上係成為容易。例如，當對裝置進行維修時，在將支持構件30從處理空間A而卸下的情況時，由於係能夠一面將長的支持構件30折疊並縮短而一面取出，因此，在處理上係成為容易。

以上，雖係針對本實施形態之處理裝置而作了說明， 但是，本發明係並不被限定於本實施形態。例如，亦可採用在處理空間內部更進而設置加熱手段40並成為能夠對2枚以上之基板作加熱。又，在本實施形態中，係將加熱手段配合於處理室構件25來對於1個的處理空間A而設置有6個，但是，亦可設置配合於處理空間A之大小的大型之加熱手段40，進而，亦可在加熱手段40處設置基板支持銷32。

10‧‧‧加熱處理裝置

20‧‧‧真空處理室

21‧‧‧處理室本體

21a‧‧‧壁面

21b‧‧‧壁面

22‧‧‧壁面構件

23‧‧‧蓋構件

24‧‧‧貫通孔

25‧‧‧處理室構件

26‧‧‧密封構件

27‧‧‧溝部

28‧‧‧隔壁部

30‧‧‧支持構件

31‧‧‧基底構件

32‧‧‧基板支持銷

33‧‧‧分割基底構件

34‧‧‧轉樞部

35‧‧‧軸

40‧‧‧加熱手段

41‧‧‧被覆膜

42‧‧‧加熱手段支持構件

A‧‧‧處理空間

S‧‧‧基板

[圖1]實施形態1的處理裝置之剖面圖。

[圖2]展示處理室本體之構成的模式立體圖。

[圖3]展示構成真空處理室之處理室本體之構成的模式圖。

[圖4]展示處理空間內部之模式圖。

[圖5]展示另外的支持構件之模式圖。

10．．．加熱處理裝置

20．．．真空處理室

21．．．處理室本體

21a．．．壁面

21b．．．壁面

22．．．壁面構件

23．．．蓋構件

25．．．處理室構件

26．．．密封構件

30．．．支持構件

31．．．基底構件

32．．．基板支持銷

40．．．加熱手段

41．．．被覆膜

42．．．加熱手段支持構件

A．．．處理空間

S．．．基板

Claims (7)

1. 一種處理裝置，其特徵為，具備有：真空處理室，其係具備：處理室本體，係由具備被形成為可將基板作插入之貫通孔的方塊狀之複數的處理室構件所成，並在相鄰接之處理室構件的至少其中一方處，涵蓋與另外一方間之抵接面的前述貫通孔之開口部的周圍，而連續地設置溝，且各處理室構件，係以隔著被裝著於前述溝處之密封構件而分別被密接的狀態而被固定，而具備有以複數之貫通孔所構成之處理空間、和壁面構件，係將前述處理空間之其中一方的開口作密封、和蓋構件，係將前述處理空間之另外一方的開口可開閉地作填塞，在各處理空間中，係具備有：加熱手段，係經由輻射熱而將前述基板作加熱；和一對之基板支持構件，係分別被配置在此加熱手段之上下，並將各基板以對向於前述加熱手段的方式來作支持。
2. 如申請專利範圍第1項所記載之處理裝置，其中，前述加熱手段與藉由各基板支持構件所支持之各基板間的距離，係為相等。
3. 如申請專利範圍第1項所記載之處理裝置，其中，前述加熱手段，係具備有作為加熱源之鞘型加熱器(Sheath Heater)。
4. 如申請專利範圍第1項所記載之處理裝置，其中，在前述加熱手段之表面上，係被形成著包含有將輻射效率提昇之材料的被覆膜。
5. 如申請專利範圍第1項所記載之處理裝置，其中，在前述加熱手段之表面上，係被設置有藉由將輻射效率提昇之材料所形成的被覆板。
6. 如申請專利範圍第1～5項中之任一項所記載之處理裝置，其中，前述一對之基板支持構件，係分別由棒狀之基底構件、和被立設在此基底構件上的複數之基板支持銷所成，其中一方之基板支持構件，係被固定在前述加熱手段之上面，而另外一方之基板支持構件，係被設置在前述處理空間之底面處。
7. 如申請專利範圍第6項所記載之處理裝置，其中，前述基底構件，係在其之長度方向的複數場所處，具備有可彎曲之轉樞部。