TWI573902B - 基板處理裝置 - Google Patents

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TWI573902B
TWI573902B TW102114423A TW102114423A TWI573902B TW I573902 B TWI573902 B TW I573902B TW 102114423 A TW102114423 A TW 102114423A TW 102114423 A TW102114423 A TW 102114423A TW I573902 B TWI573902 B TW I573902B
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Description

基板處理裝置 發明領域
本發明是有關於一種可均一處理基板之基板處理裝置。
發明背景
基板處理裝置是用於製造平板顯示器時，大致分成蒸鍍(Vapor Deposition)裝置與退火(Annealing)裝置。
蒸鍍裝置是一種形成作為平板顯示器的核心構造之透明導電層、絕緣層、金屬層或矽膠層之裝置，具有如LPCVD(Low Pressure Chemical Vapor Deposition)或PECVD(Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition)等之化學氣相蒸鍍裝置，以及如濺鍍(Sputtering)等物理氣相蒸鍍裝置。
而且，退火裝置是將膜蒸鍍於基板之後，使經蒸鍍之膜的特性提昇的裝置，且是用以使經蒸鍍之膜結晶化或相變化之熱處理裝置。
基板處理裝置具有處理一片基板之單片式(Single Substrate Type)與處理多片基板之批次式(Batch Type)。單片式基板處理裝置具有構造簡單之優點，但具有生產性低之缺點，大量生產時多使用批式基板處理裝置。
一般而言，基板處理裝置是包含形成腔室之本體，該腔室為基板被載入處理之空間。在前述本體前面形成供基板出入之出入口，且設置用以開關前述出入口之門。
而且，前述腔室是設置用以加熱基板之棒狀之複數加熱器。此時，前述加熱器是於前述本體之前後方向上具有間隔，並與前述本體之左右方向平行設置，且同時與前述本體之前後方向平行地設置於前述出入口外側之前述腔室。而且，分別與前述本體之左右方向及前後方向平行的前述加熱器，是各自上下具有間隔而設置。
如前述習知之基板處理裝置，其構造上難以於設有前述門之前述腔室的部位設置前述加熱器。因此，在基板處理時，恐有前述門側之前述腔室的部位與除此之外之前述腔室的部位之溫度不均，而基板處理不均一的情況。
有關基板處理裝置之先行技術已揭示於韓國公開專利公報第10-2010-0008722號等。
發明概要
本發明是為解決如上述習知技術之問題而作成者，本發明之目的在於提供一種構成為腔室所有部位之溫度均一，且可均一處理基板之基板處理裝置。
包含有：本體，是內部形成有處理基板之空間之腔室，前面與前述腔室連通，且形成有供基板出入之出入口；門，是設置於前述本體前面，用以開關前述出入口；複數之第1加熱器，是設置於前述腔室；及複數之第2加熱器，是設置於前述門。
有關本發明之基板處理裝置是於用以開關出入口之門之內側門設置複數之第2加熱器。因此，以門關閉出入口來處理基板時，因為腔室所有部位之溫度達到均一，而具有均一處理基板之效果。
50‧‧‧基板
110‧‧‧本體
112‧‧‧腔室
114‧‧‧出入口
116‧‧‧封閉構件
120‧‧‧門
121‧‧‧外側門
122‧‧‧第1支持區塊
123‧‧‧載置溝
125、225‧‧‧內側門
126‧‧‧第2支持區塊
127‧‧‧滾軸
131‧‧‧汽缸
133‧‧‧拖架
135‧‧‧導引軌道
141‧‧‧短軸加熱器
145‧‧‧長軸加熱器
151、155‧‧‧第2加熱器
153(153a、153b)‧‧‧第2加熱器
160‧‧‧框架
圖1是有關於本發明之一種實施型態之基板處理裝置的立體圖。
圖2圖1所顯示之門之分解立體圖。
圖3是圖2所顯示之內側門之後面立體圖。
圖4是有關於本發明之其他實施型態之內側門之後面立體圖。
較佳實施例之詳細說明
後述之關於本發明之詳細說明，是參照以本發明可實施之特定實施型態為例所示之添附圖式。充分詳細說明該等實施型態以求熟習此技藝者可實施本發明。本發明之多樣的實施型態雖彼此不同，但必須瞭解的是不必互斥。例如，在此所記載之特定形狀、特定構造及特性是與 一實施型態相關，在不脫離本發明之精神及範圍的範圍內，可以其他實施型態實現。又，各個所揭示之實施型態中的個別構成要素之位置或配置，可在不脫離本發明之精神及範圍的範圍內變更。因此，後述之詳細說明並非是限定的意思，而是要適當的說明本發明時，僅以與該請求項所主張者均等的所有範圍，以及同時添附之請求項予以限定。圖示之實施型態中的長度、面積、厚度及形態亦可便宜行事、誇張表現。
說明本實施型態時，必須以如下概念來理解，即所謂處理基板是包含：將基板加熱及冷卻之工程、用以蒸鍍預定之膜於基板之所有工程、用以將蒸鍍於基板之預定膜降溫、結晶化或相變化之所有熱處理工程。
以下，參照添附圖式，詳細說明有關本發明之一實施型態之基板處理裝置。
圖1是有關於本發明之一實施型態之基板處理裝置的立體圖，圖2是圖1所示之門之分解立體圖。
如圖所示，有關本實施型態之基板處理裝置包含本體110。本體110是形成略長方體形狀，內部形成處理基板50之空間之腔室112。
本體110不僅為長方體形狀，可因應基板50之形狀而形成多樣的形狀，腔室112是設置作為密閉之空間。而且，基板50之材質無特定限制，可由如玻璃、塑膠、聚合物、矽晶圓或不銹鋼等材質形成。
在本體110前面形成供基板50出入之出入口
在本體110前面形成供基板50出入之出入口114，且設置用以開關出入口114之門120。即，以機器人(未圖示)支持基板50，將基板50載入腔室112或從腔室112卸載時，藉由門120開放出入口114。接著，將基板50載入腔室112而處理基板50時，藉由門120關閉出入口114。而當然地，在出入口114開關時，腔室112就會隨之開關。
門120具有外側門121與內側門125，並設置成可於本體110之上下方向昇降，同時可於本體110之前後方向滑動，用以開關出入口114。
詳而言之，外側門121是設置成可於本體110前面上下滑動，內側門125是設置成受支持於外側門121，且藉由外側門121上下滑動的同時，可相對於外側門121朝前後滑動。
外側門121是藉由如分別設置於本體110前面之兩側面之汽缸或馬達等驅動部(未圖示)使其上下滑動，內側門125是藉由設置於外側門121之複數汽缸131而可相對於外側門121前後滑動。
如此一來，藉由前述驅動部將外側門121上升而與出入口114對向時，藉由汽缸131使內側門125於本體110之前面側滑動。內側門125藉由複數之汽缸131於本體110之前面側滑動時，一面壓接以包圍出入口114之型態設置於本體110前面之密封構件116，並與密封構件116接觸，藉此可使腔室112密封。
出入口114之左右方向的長度是可形成較上下方向的高度長，且內側門125對應出入口114而形成。
導引軌道135與上下方向平行地結合於前述驅動部所位於之本體110前面側，並且支持成外側門121可穩定升降。導引軌道135是感測外側門之預定部位，且可設置用以感測外側門121已升降之距離的感測器(未圖示)。
而且，為了內側門125可穩定而滑動，複數之第1支持區塊122結合於外側門121，下面接觸支持於第1支持區塊122上面之第2支持區塊126結合於內側門125。為了使內側門125可更穩定而滑動，可於第2支持區塊126設置滾軸127，並且可於第1支持區塊122形成接觸支持滾軸127下側部位之載置溝123。
於腔室112設置有用以加熱基板50之第1加熱器。
前述第1加熱器，是可包含有：棒狀之複數短軸加熱器141，是於本體110之前後方向上具有間隔，同時於本體110之上下方向上具有間隔，且與本體110之左右方向平行地設置於腔室112；及棒狀之複數長軸加熱器145，是於本體110之上下方向上具有間隔，且與本體110之前後方向平行地設置於出入口114外側之腔室112的部位。
本體110之前後方向的長度是形成較左右方向的寬幅長。因此，與本體110之左右方向平行設置的前述第1加熱器是短軸加熱器141，與本體110之前後方向平行設置於腔室112之前述第1加熱器是長軸加熱器145。
短軸加熱器141之左端部側及右端部側是分別由本體110的左側面及右側面所支持，且長軸加熱器145之前端部側及後端部側是分別由本體110的前面及後面所支持。
腔室112可設置：載置而支持基板50之支持單元(未圖示)；用以供給基板50處理時必要的環境氣體之氣體供給管(未圖示)；及用以冷卻基板50之冷卻管(未圖示)等等。
圖1之尚未說明的標號160是用以支持本體110之框架，圖2之尚未說明的標號133是與外側門121結合，用以支持汽缸131之托架。
出入口114所鄰接之腔室112的部位未設置前述第1加熱器。因此，出入口114所鄰接之腔室112的部位與除此之外的部位相比是溫度相對較低。這樣一來，將基板投入腔室112處理時，因腔室112之溫度不均一，而有基板50處理不均的情況。
為防止此情形，有關本實施型態之基板處理裝置是於用以開閉出入口114之內側門125設置第2加熱器151。關於第2加熱器151，參照圖2及圖3來說明。圖3是圖2所示之內側門之後面立體圖。
如圖所示，第2加熱器151是於上下有間隔，且與本體110之左右方向呈平行，相對於本體110水平地設置複數個。此時，第2加熱器151之左端部側及右端部側分別由內側門125的左側面及右側面所支持。
第2加熱器151之長度若比預定以上還長，第2加熱器151之中央部側可能會因自身重量或因熱而變形。
為防止此情形，第2加熱器153區劃出中央部側，可形成位於假想之同一直線上之一對。即，第2加熱器153是形成位於假想之同一直線上而相互對向之一對，且於上 下有間隔，與本體110之左右方向呈平行而設置複數個。此時，一對第2加熱器153之中，任何一個第2加熱器153a之左端部側是支持於內側門125的左側面，且另一個第2加熱器153b之右端部側是支持於內側門125的右側面。如此一來，任何一個第2加熱器153a之右端部側與另一個第2加熱器153b之左端部側呈相互對向。則，由於可縮短第2加熱器153之長度，因此可防止第2加熱器153變形。
圖3是內側門125之後面立體圖，第2加熱器153a、153b所對應的圖式標號是以從正面觀看內側門125時為基準來表示。即，從正面觀看內側門125時，第2加熱器153a之左端部側是支持於內側門125的左側面，且第2加熱器153b之右端部側是支持於內側門125的右側面。
為使從第2加熱器151、153所產生之熱能容易傳遞至腔室112，宜開放與出入口114對向之內側門125之面。
有關本實施型態之基板處理裝置是於用以開關出入口114之門120的內側門125設置複數之第2加熱器151、153。因此，處理基板50時，因腔室112之所有部位的溫度達均一，而可均一處理基板50。
圖4是有關於本發明之另一種實施型態之內側門之後面立體圖，僅說明與圖3相異之處。
如圖所示，出入口114(參照圖1)之左右方向的長度是較上下方向的高度長，內側門225是對應出入口114而形成。其次，第2加熱器155是左右具有間隔，且與本體110(參照圖1)之上下方向呈平行，而且相對於本體110而垂 直地設置。此時，第2加熱器155之上端部側及下端部側是分別由內側門225的上面及下面所支持。
第2加熱器155是設置於相對長度較短之內側門225的上下方向，因此第2加熱器155之長度相對而言較短。因此，可防止第2加熱器155變形。
上述之針對本發明之實施型態的圖式是省略詳細的輪廓線，且概略顯示俾使屬於本發明之技術思想的部分簡明易懂。又，上記之實施型態不可成為限定本發明之技術思想的基準，僅為用以理解本發明之請求範圍所包含之技術事項之參照事項。
50‧‧‧基板
110‧‧‧本體
112‧‧‧腔室
114‧‧‧出入口
116‧‧‧封閉構件
120‧‧‧門
121‧‧‧外側門
125‧‧‧內側門
135‧‧‧導引軌道
141‧‧‧短軸加熱器
145‧‧‧長軸加熱器
160‧‧‧框架

Claims (7)

  1. 一種基板處理裝置，其特徵在於包含有：本體，是內部形成有處理基板之空間之腔室，前面與前述腔室連通，且形成有供基板出入之出入口；門，是設置於前述本體前面，用以開關前述出入口；複數之第1加熱器，是設置於前述腔室；及複數之第2加熱器，是設置於前述門，其中前述門具有：外側門，是設置成可於前述本體前面上下昇降；及內側門，是受支持於前述外側門，且設置成與前述外側門一同昇降的同時可相對於前述外側門前後滑動，並且用以開關前述出入口，且前述第2加熱器是設置於前述內側門。
  2. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中前述本體之前後方向的長度是較左右方向的寬幅長，而前述第1加熱器包含有：棒狀之複數短軸加熱器，是於前述本體之前後方向上具有間隔，同時於前述本體之上下方向上具有間隔，且設置於腔室而平行於前述本體之左右方向；及棒狀之複數長軸加熱器，是於前述本體之上下方向上具有間隔，且設置於前述出入口外側之前述腔室的部位，而平行於前述本體之前後方向。
  3. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中前述第2加 熱器是形成棒狀。
  4. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中與前述出入口對向之前述內側門之面是呈開放。
  5. 如申請專利範圍第4項之基板處理裝置，其中前述出入口之左右方向的長度是較上下方向的高度長，前述內側門是對應前述出入口而形成，前述第2加熱器是上下有間隔，且與前述本體之左右方向呈平行，且前述第2加熱器之左端部側及右端部側是分別由前述內側門的左側面及右側面所支持。
  6. 如申請專利範圍第4項之基板處理裝置，其中前述出入口之左右方向的長度是較上下方向的高度長，前述內側門是對應前述出入口而形成，前述第2加熱器是上下有間隔，且與前述本體之左右方向呈平行，並且設置成位於假想之同一直線上而相互面對之一對，而一對的第2加熱器之中，任何一個前述第2加熱器之左端部側是受支持於前述內側門的左側面，且另一個前述第2加熱器之右端部側是支持於前述內側門的右側面。
  7. 如申請專利範圍第4項之基板處理裝置，其中前述出入口之左右方向的長度是較上下方向的高度長，前述內側門是對應前述出入口而形成，前述第2加熱器是左右有間隔，且與前述本體之上下方向呈平行，並且前述第2加熱器之上端部側及下端部側是分別由前述內側門的上面及下面所支持。
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