TWI436701B - Built-in electronic parts of the wiring board and its manufacturing methods - Google Patents

Built-in electronic parts of the wiring board and its manufacturing methods Download PDF

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TWI436701B
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Yukinobu Mikado
Shunsuke Sakai
Mitsuhiro Tomikawa
Toshiki Furutani
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Description

內建電子零件之佈線板及其製造方法
本發明係關於一種內建電子零件之佈線板及其製造方法。
專利文獻1中，揭示有一種具有形成有空腔之樹脂基板(核心基板)、與配置於空腔內且位於樹脂基板之側方之電容器之內建電子零件之佈線板。
又，專利文獻2中，揭示有一種包含在核心基板上形成開口部(空腔)、在開口部中收納電容器、以樹脂填充開口部之核心基板與電容器之空隙、在核心基板之兩側形成絕緣層、及在各絕緣層上形成連接於電容器之電極之通道導體之內建電子零件之佈線板之製造方法及利用該方法製造之內建電子零件之佈線板。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2007-266197號公報
[專利文獻2]日本特開2002-204045號公報
近年來，不斷要求佈線板之薄型化。認為專利文獻1中記載之佈線板，藉由內建電容器，因電容器(尤其陶瓷材料)之熱膨脹係數與核心基板(樹脂基板)之熱膨脹係數之間之差異而容易彎曲。且，在佈線板彎曲之情形下，電容器 之電極與通道導體之連接可靠性易降低，或電容器之電極表面易產生絕緣材料之分層。
又，專利文獻2中記載之內建電子零件之佈線板，核心基板之主表面與相鄰開口部之側面之角成直角(以大致直角相交之2個平面構成之角)。因此，電容器(電子零件)難以撞入其角中，且接觸之衝擊使電容器易損耗。又，為避免發生此狀況，若增大開口部與電容器之間隙，則有在將電容器收納於開口部之後，電容器會活動而使通道導體之對準變得困難之虞。
本發明係鑒於如此之實情而完成者，目的在於提高佈線板之電性連接之可靠性。又，本發明之另一目的在於實現將電子零件容易地裝入開口部中。又，本發明之另一目的在於實現縮小開口部與電子零件之間隙。
本發明之內建電子零件之佈線板，其包含：具第1面、該第1面之相反側之第2面、自該第1面貫通至該第2面之開口部、及通孔之核心基板；及配置於上述開口部之電容器；且上述通孔係以導體填充；該導體係以自上述第1面向上述第2面變細之第1導體部與自上述第2面向上述第1面變細之第2導體部形成，上述第1導體部與上述第2導體部在上述核心基板內連接。
本發明之內建電子零件之佈線板，其包含：具有第1面、該第1面之相反側之第2面、及開口部之基 板；具有第3面與該第3面之相反側之第4面，且以使該第3面與上述基板之第1面相同朝向之方式配置於上述開口部之電子零件者；且上述電子零件在其側面與上述第4面之角中具有曲面；上述基板在上述開口部之內壁與上述第1面之角中，自上述第1面向上述第2面具有錐形面。
本發明之內建電子零件之佈線板之製造方法，其包含：準備具有第1面、及該第1面之相反側之第2面之基板；準備具有第3面、及該第3面之相反側之第4面，且於上述第4面與側面之角具有曲面之電子零件；在上述基板上形成開口部；在上述開口部之內壁與上述第1面之角，自上述第1面向上述第2面形成錐形面；及使上述第3面與上述第1面相同朝向而將上述電子零件配置於上述開口部。
另，上述製造方法之各處理之記載順序，並非規定處理之順序者。例如錐形面之形成，可在與上述開口部之形成同時、上述開口部之形成前、上述開口部之形成後之任一情形下進行。
根據本發明，可提高佈線板之電性連接之可靠性。又，根據本發明，存在除該效果之外或替代該效果，發揮容易將電子零件裝入開口部之效果之情形。又，根據本發明， 存在除該等之效果之外或替代該等之效果，發揮開口部與電子零件之間隙減小之效果之情形。
以下，就本發明之實施形態，一面參照圖面一面詳細說明。另，圖中，箭頭Z1、Z2，分別指相當於佈線板之主表面(正反面)之法線方向之佈線板之積層方向(或佈線板之厚度方向)。另一方面，箭頭X1、X2及Y1、Y2，分別指與積層方向正交之方向(或各層之側方)。佈線板之主表面為X-Y平面。又，佈線板之側面為X-Z平面或Y-Z平面。
將相反之朝向法線方向之2個主表面，稱為第1面或第3面(Z1側之面)、第2面或第4面(Z2側之面)。將在積層方向，靠近核心之側稱為下層(或內層側)，將距離核心較遠之側稱為上層(或外層側)。正上方意味Z方向(Z1側或Z2側)。平面形狀，若無特別指定，則意味X-Y平面之形狀。又，將在X-Y平面上，遠離內建於佈線板之電子零件(電容器等)之側稱為外側，將接近電子零件之側稱為內側。
導體層係由一個至複數個導體圖案構成之層。導體層既有包含構成電性電路之導體圖案，例如佈線(亦包含接地)、焊墊、或焊盤等之情形，亦有包含未構成電性電路之平面狀之導體圖案等之情形。
開口部中，除孔或槽以外，亦包含缺口或縫隙等。孔並不限於貫通孔，亦包含非貫通之孔，稱為孔。孔中包含導通孔及通孔。以下，將形成於導通孔內(壁面或底面)之導體稱為通道導體，將形成於通孔內(壁面)之導體稱為通孔 導體。
電鍍，除電解電鍍等之濕式電鍍之外，亦包含PVD(Physical Vapor Deposition：物理氣相沉積)或CVD(Chemical Vapor Deposition：化學氣相沉積)等之乾式電鍍。
「準備」中，除購入材料或零件自行製造之外，亦包含購入完成品而使用等。
將電子零件(例如電容器)配置於開口部中，除將電子零件之整體完全收納於開口部中之外，亦包含僅將電子零件之一部分配置於開口部。
孔或柱體(突起)之「寬度」，若無特別指定，則在圓之情形下意味直徑，在圓以外之情形下意味2√(剖面積/π)。
不均一之尺寸(有凹凸之部分之厚度或錐形部分之寬度等)是否包含於特定之範圍，作為原則，係根據其尺寸之平均值(僅除去異常值之有效值之平均)是否包含於其範圍來判斷。然而，在寫明使用最大值等平均值以外之值之情形下，不限於此。
又，比較含有量之情形，若無特別指定，則以每個單位體積之重量進行比較。
(實施形態1)
本實施形態之佈線板10，如圖1所示，具有基板100(絕緣基板)、第1堆疊部B1、第2堆疊部B2、電子零件200(本實施形態中為電容器)、及防焊劑11、12。本實施形態之佈線板10為矩形板狀之剛性佈線板。但佈線板10亦可為可 撓性佈線板。以下，將基板100之正反面(2個主表面)之一方稱為第1面F1，將另一方稱為第2面F2。又，將電子零件200之正反面(2個主表面)中朝向與第1面F1相同方向之面稱為第3面F3，將另一方稱為第4面F4。
第1堆疊部B1形成於基板100之第1面F1側，第2堆疊部B2形成於基板100之第2面F2側。第1堆疊部B1包含絕緣層101(層間絕緣層)與導體層110，第2堆疊部B2包含絕緣層102(層間絕緣層)與導體層120。電子零件200內建於佈線板10中。第1堆疊部B1、第2堆疊部B2上分別形成有防焊劑11、12。
基板100具有絕緣性，為佈線板10之核心基板。基板100之第1面F1上形成有導體層301，基板100之第2面F2上形成有導體層302。基板100中形成有空腔R10。空腔R10相當於收納電子零件200之開口部。本實施形態中，空腔R10包含貫通基板100之孔。
電子零件200藉由配置於空腔R10，而位於基板100之側方(X方向或Y方向)。本實施形態中，電子零件200之大致整體被完全收納於空腔R10中。然而並不限於此，亦可僅將電子零件200之一部分配置於空腔R10中。本實施形態中，空腔R10之電子零件200與基板100之空隙R1中，填充有絕緣體101a。本實施形態中，絕緣體101a包含構成上層之絕緣層101(詳細而言為樹脂絕緣層)之絕緣材料(詳細而言為樹脂)(參照圖19A)。絕緣體101a具有較基板100及電子零件200之任一者更大之熱膨脹係數。絕緣體101a完全覆 蓋電子零件200之周圍。藉此，電子零件200受絕緣體101a(樹脂)保護，且固定於特定之位置。
絕緣層101(第1絕緣層)形成於基板100之第1面F1上及電子零件200之第3面F3上，絕緣層102(第2絕緣層)形成於基板100之第2面F2上及電子零件200之第4面F4上。且，空腔R10(孔)之一方(第1面F1側)之開口被絕緣層101封塞，空腔R10(孔)之另一方(第2面F2側)之開口被絕緣層102封塞。本實施形態中，導體層110及120為最外層。然而並不限於此，亦可積層更多之層間絕緣層及導體層(參照後述之圖56)。
導體層110為第1面F1側之最外之導體層，導體層120為第2面F2側之最外之導體層。導體層110、120上分別形成有防焊劑11、12。然而，防焊劑11、12上分別形成有開口部11a、12a。因此，導體層110之特定之部位(位於開口部11a之部位)未被防焊劑11覆蓋而露出，成為焊墊P1。又，導體層120之特定之部位(位於開口部12a之部位)成為焊墊P2。焊墊P1成為例如用以與其他之佈線板電性連接之外部連接端子，焊墊P2成為例如用以安裝電子零件之外部連接端子(參照後述之圖24)。然而並不限於此，焊墊P1、P2之用途為任意。
本實施形態中，焊墊P1、P2於其表面上具有例如包含Ni/Au膜之耐蝕層。耐蝕層可利用電解電鍍或濺鍍等形成。又，亦可藉由進行OSP(Organic Solderability Preservative：有機防焊劑)處理，形成包含有機保護膜之 耐蝕層。另，耐蝕層並非必須之構成，若無必要可放棄。
藉由基板100(核心基板)上形成有通孔300a，通孔300a內填充有導體(例如鍍銅)，而形成通孔導體300b。本實施形態中，通孔導體300b之形狀例如為沙漏狀(鼓狀)。
本實施形態之通孔導體300b，如圖2所示，具有寬度自基板100(核心基板)中之基準面F0向第1面F1變寬之第1導體部R11、與寬度自基準面F0向第2面F2變寬之第2導體部R12。如圖2B所示，第1導體部R11及第2導體部R12之平面形狀，例如為圓。即，本實施形態之第1導體部R11及第2導體部R12之形狀分別為以寬度向基準面F0變窄(變細)之方式呈錐形之錐形圓柱(圓錐台)。通孔導體300b係將第1導體部R11與第2導體部R12在基準面F0上直接連接而形成。通孔導體300b具有為最小寬度之縮頸部300c，縮頸部300c位於基準面F0上。本實施形態中，基準面F0相當於X-Y平面。如圖2B所示，縮頸部300c之平面形狀例如為圓。
本實施形態中，自第1面F1至基準面F0之尺寸T11與自第2面F2至基準面F0之尺寸T12相互大致相同。又，第1導體部R11隨著自第1面F1接近縮頸部300c(基準面F0)逐漸變細，第2導體部R12隨著自第2面F2接近縮頸部300c(基準面F0)逐漸變細。此處，第1導體部R11之錐形角度θ1與第2導體部R12之錐形角度θ2相互大致相同。通孔導體300b具有就基準面F0對稱之形狀。另，錐形角度相當於寬度變窄之比例或寬度變寬之比例。
本實施形態中，通孔300a之壁面為平面。藉此，第1導 體部R11之錐形角度及第2導體部R12之錐形角度分別大致一定。然而並不限於此，通孔300a之壁面亦可為曲面(參照圖46及圖49)。導體層301、302上分別包含有通孔導體300b之焊盤。
此處，顯示通孔導體300b之各尺寸之較好之值之一例。第1面F1側端面之寬度D31為80 μm，縮頸部300c之寬度D32為50 μm，第2面F2側端面之寬度D33為80 μm。
絕緣層101上形成有孔311a及312a(分別為導通孔)，絕緣層102上形成有孔321a及322a(分別為導通孔)。藉由於孔311a、312a、321a、322a內分別填充有導體(例如銅之電鍍)，各孔內之導體分別成為通道導體311b、312b、321b、322b(分別為填充導體)。本實施形態中，孔311a相當於第1導通孔，孔321a相當於第2導通孔。
孔311a及321a分別到達電子零件200之電極210及220，通道導體311b及321b分別自基板100之第1面F1側或第2面F2側電性連接於電子零件200之電極210、220。填充於孔311a(第1導通孔)內之導體(通道導體311b)及填充於孔321a(第2導通孔)內之導體(通道導體321b)，寬度分別朝向電子零件200變窄，並電性連接於電子零件200之電極。如此，本實施形態中，電子零件200係自兩面連接於通道導體311b及321b。以下，將該構造稱為兩面導通構造。本實施形態中，認為根據兩面導通構造，佈線板10之構造接近上下對稱，佈線板10之彎曲受到抑制。
根據上述兩面導通構造，電子零件200之電極210、220 與絕緣層101上之導體層110，經由通道導體311b，相互電性連接，又，電子零件200之電極210、220與絕緣層102上之導體層120，經由通道導體321b，相互電性連接。本實施形態中，電子零件200、通道導體311b、及通道導體321b構成電源線。
又，基板100之第1面F1上之導體層301與絕緣層101上之導體層110，經由通道導體312b而相互電性連接，又，基板100之第2面F2上之導體層302與絕緣層102上之導體層120，經由通道導體322b而相互電性連接。又，基板100之第1面F1上之導體層301與基板100之第2面F2上之導體層302，經由通孔導體300b而相互電性連接。通道導體312b、322b及通孔導體300b，任一者均為填充導體，且藉由將該等堆積於Z方向，形成填充堆積S。本實施形態中，填充堆積S構成信號線。
電子零件200，例如如圖3所示，為晶片型之MLCC(積層陶瓷．電容器)，且具有電容器主體201與U字狀之電極210及220。電容器主體201係令複數個介電層231~239與複數個導體層211~214及221~224交替積層而構成。介電層231~239分別例如包含陶瓷。電極210及220分別形成於電容器主體201之兩端部。電容器主體201自下表面(第4面F4側之面)至側面、且上表面(第3面F3側之面)，被電極210及220覆蓋。以下，將電極210中覆蓋電容器主體201之上表面之部分稱為上部210a，將覆蓋電容器主體201之側面之部分稱為側部210b，將覆蓋電容器主體201之下表面之部 分稱為下部210c。又，將電極220中覆蓋電容器主體201之上表面之部分稱為上部220a，將覆蓋電容器主體201之側面之部分稱為側部220b，將覆蓋電容器主體201之下表面之部分稱為下部220c。本實施形態中，側部210b及220b分別相當於側面電極。上部210a及220a分別電性連接於通道導體311b，下部210c及220c分別電性連接於通道導體321b。本實施形態中，電子零件200之電極210、220之表面未粗化。
位於電極210與電極220之間之電容器主體201之中央部，如圖3所示，由於未被電極210、220覆蓋，從而使介電層231、239(陶瓷)露出，故比較地強度變弱。然而，在有電子零件200安裝(內建)於佈線板10中之狀態下，由於電容器主體201之中央部被絕緣層101、102或絕緣體101a覆蓋，故認為電容器主體201受該等絕緣材料(樹脂等)等保護。
圖4顯示電子零件200收納於基板100(核心基板)之空腔R10中之狀態。
空腔R10貫通基板100。空腔R10之兩端(第1面F1側及第2面F2側)之開口形狀分別呈大致長方形。電子零件200之形狀例如為矩形板狀，電子零件200之主表面之形狀例如為大致長方形。本實施形態中，電子零件200具有對應空腔R10之平面形狀(例如大致相同之大小之相似形)。
此處，顯示圖1~圖3中所示之各尺寸之較好之值之一例。
佈線板10之厚度T1(圖1)，即自防焊劑11至防焊劑12之厚度為290 μm。基板100(核心基板)之厚度T20(圖2A)為106 μm。電子零件200之厚度T3(圖3)，詳細而言包含電極210、220之厚度為150 μm。導體層301、302之厚度T4(圖2A)分別為20 μm。絕緣層101、102之厚度T5(圖1)分別為39 μm。導體層110、120之厚度T6(圖1)分別為18 μm。防焊劑11、12之厚度T7(圖1)分別為15 μm。
關於佈線板10之厚度T1、基板100(核心基板)及其兩面之導體層301、302之厚度之合T2(=T20+T4×2)、及電子零件200之厚度T3，較好為T3/T2在0.6~1.7之範圍內，且，T3/T1在0.2~0.7之範圍內。推測若為如此之尺寸，則易抑制彎曲。
其次，顯示圖4中所示之各尺寸之較好之值之一例。
空腔R10之長度方向之寬度D1為1080 μm，空腔R10之短方向之寬度D2為580 μm。電子零件200之長度方向之寬度D11為1000 μm，電子零件200之短方向之寬度D12為500 μm。電子零件200與空腔R10之空隙之長度方向之寬度D3為40 μm(間隙為2倍之80 μm)，電子零件200與空腔R10之空隙之短方向之寬度D4為40 μm(間隙為2倍之80 μm)。電極210之上部210a或下部210c，或，電極220之上部220a或下部220c之寬度D13為230 μm。
通道導體311b與通道導體321b，例如以包夾電子零件200，相互對向之方式配置。通道導體311b或321b之間距D5為770 μm。
較好的是，電子零件200之正反面(第3面F3及第4面F4)之至少一方，以面積占有率40%~90%地具有電極210、220。即，較好的是，電極210之第3面F3上，上部210a及220a所占之比例(以下，稱為第1面積占有率)在40%~90%之範圍內。又，較好的是，電極220之第4面F4上下部210c及220c所占之比例(以下，稱為第2面積占有率)在40%~90%之範圍內。若第1或第2面積占有率為40%以上，則電極210、220與通道導體311b、321b之電性連接(導通連接)之對準變得容易。又，由於若第1或第2面積占有率為90%以下，則電極210、220之表面上之分層不易產生，故易放棄用以抑制分層之處理，例如電極210、220表面之粗化處理等。另，本實施形態中，第1及第2面積占有率(%)分別相當於100×(寬度D12×寬度D13+寬度D12×寬度D13)/(寬度D11×寬度D12)。
本實施形態中，例如如圖4所示，複數個通孔導體300b(及填充堆積S)配置於電子零件200之周邊。然而並不限於此，通孔導體300b之配置及數量為任意。通孔導體300b之數量既可為1個亦可為複數個。
基板100例如包含使玻璃布(心材)含浸於環氧樹脂者(以下，稱為環氧玻璃)。心材係熱膨脹率較主材料(本實施形態中為環氧樹脂)小之材料。作為心材，認為例如為玻璃纖維(例如玻璃布或玻璃不織布)、芳族聚醯胺纖維(例如芳族聚醯胺不織布)、或氧化矽填充劑等之無機材料為宜。然而，基板100之材料基本上為任意。例如可替代環氧樹 脂，使用聚酯樹脂、雙馬來醯亞胺三嗪樹脂(BT樹脂)、醯亞胺樹脂(聚醯亞胺)、苯酚樹脂、或烯丙基化苯醚樹脂(A-PPE樹脂)等。基板100可包含含異種材料之複數之層。
本實施形態中，絕緣層101、102之各者係將心材含浸於樹脂中而形成。絕緣層101、102例如包含環氧玻璃。然而並不限於此，例如絕緣層101、102亦可包含未含有心材之樹脂。又，絕緣層101、102之材料基本上為任意。例如可替代環氧樹脂，使用聚酯樹脂、雙馬來醯亞胺三嗪樹脂(BT樹脂)、醯亞胺樹脂(聚醯亞胺)、苯酚樹脂、或烯丙基化苯醚樹脂(A-PPE樹脂)等。各絕緣層可包含含異種材料之複數個層。
導體層110包含銅箔111(下層)與鍍銅112(上層)，導體層120包含銅箔121(下層)與鍍銅122(上層)。導體層110、120例如具有構成電性電路(例如包含電子零件200之電性電路)之佈線、焊盤、及用以提高佈線板10之強度之整體圖案等。
電性連接於導體層301之通道導體312b之各者，如圖1所示，寬度朝向基準面F0變窄。又，電性連接於電子零件200之電極210、220(詳細而言，上部210a、220a)之通道導體311b之各者，如圖1所示，寬度朝向基準面F0變窄。本實施形態中，如圖5A所示，通道導體311b及312b之形狀分別為例如以寬度自導體層301或電子零件200之電極210、220向上層變寬之方式呈錐形之錐形圓柱(圓錐台)。通道導體311b、312b之各者例如包含鍍銅。
另一方面，電性連接於導體層302之通道導體322b之各者，如圖1所示，寬度朝向基準面F0變窄。又，電性連接於電子零件200之電極210、220(詳細而言，下部210c、220c)之通道導體321b之各者，如圖1所示，寬度朝向基準面F0變窄。本實施形態中，如圖5B所示，通道導體321b及322b之形狀分別為例如以寬度自導體層302之導體圖案或電子零件200之電極210、220向上層變寬之方式呈錐形之錐形圓柱(圓錐台)。通道導體321b、322b之各者例如包含鍍銅。
基板100之熱膨脹係數(X、Y方向)，例如在3 ppm~11 ppm之範圍內，電子零件200之熱膨脹係數，例如在10 ppm~15 ppm之範圍內。然而，基板100之厚度T20(圖2A)在0.06 mm~1.0 mm之範圍內之情形下，較好為基板100(核心基板)之熱膨脹係數，與電子零件200之熱膨脹係數相同或比其更小。藉此，即使為基板100(核心基板)較薄之情形，仍易抑制彎曲。
各導體層及各通道導體之材料，若為導體則為任意，則金屬、非金屬均可。各導體層及各通道導體亦可包含含異種材料之複數之層。
本實施形態之基板100中，形成有具有寬度自基板100(核心基板)之基準面F0向第1面F1變寬之第1導體部R11、與寬度自基準面F0向第2面F2變寬之第2導體部R12之通孔導體300b(參照圖2A)。因此，例如如圖6所示，電極210之側部210b(側面電極)中電子零件200之厚度方向(Z方向)之 中央部向兩端部更外側凸出之情形，通孔導體300b與電子零件200(詳細而言，側部210b之表面)之距離D0，在電子零件200之厚度方向上易變得大致均一。藉此，由於因通孔導體300b與電子零件200之間之熱應力產生之收縮量在電子零件200之厚度方向上大致均一，故佈線板10中不易產生變形。其結果，佈線板10之彎曲受到抑制。且，藉由佈線板10之彎曲受到抑制，不易產生電子零件200之電極210、220之表面上之分層、各電性連接部位之龜裂、或電子零件200之龜裂等。其結果，佈線板10之電性連接之可靠性得以提高。又，藉由距離D0變得均一，易確保通孔導體300b與電子零件200之間之絕緣可靠性。其結果，可使通孔導體300b與電子零件200相互接近，從而易在電子零件200之附近配置通孔導體300b。通孔導體300b與電子零件200之距離D0較好為在150 μm~500 μm之範圍內。若距離D0在如此之範圍內，則可一面確保通孔導體300b與電子零件200之間之絕緣可靠性，一面容易地謀求佈線板10之小型化。尤其好之一例中，距離D0為200 μm。
另，圖6之例中，側面電極(側部210b)之中央部較其兩端部尺寸D20向外側凸出。
本實施形態中，形成於絕緣層101(第1絕緣層)之全部之通道導體(通道導體311b及312b)寬度朝向基準面F0變窄，且，形成於絕緣層102(第2絕緣層)之全部之通道導體(通道導體321b及322b)寬度朝向基準面F0變窄。藉此，認為應力等易在基板100(核心基板)中之基準面F0上集中，從而 可謀求X-Y平面之應力分佈之均一化。又其結果，認為佈線板10之彎曲受到抑制，從而佈線板10之電性連接之可靠性提高。
佈線板10之通道導體具有就基準面F0對稱之構造。詳細而言，位於基準面F0之第1面F1側之通道導體(通道導體311b及312b)與位於基準面F0之第2面F2側之通道導體(通道導體321b及322b)具有相互對稱之配置及形狀(參照圖1)。藉此，認為基準面F0之兩側中應力易抵消。又，其結果，認為佈線板10之彎曲受到抑制，從而佈線板10之電性連接之可靠性提高。
認為包夾佈線板10之基準面F0之上下(Z1側及Z2側)間存在熱膨脹．熱收縮之不平衡之情形，佈線板10中易產生彎曲。然而，本實施形態中，由於剛性較高之電子零件200(例如MLCC)及通孔導體300b位於基準面F0附近，故如此之情形中佈線板10仍不易產生彎曲。即，在存在電子零件200之區域中，由於電子零件200剛性較高，故彎曲受到抑制。又，在不存在電子零件200之區域中，亦具有較高之剛性且隨著遠離基準面F0寬度變寬之通孔導體300b，熱應力自基準面F0向外側，進而在基板100整體中難以傳播。其結果，佈線板10之彎曲受到抑制。
以下，參照圖7等，就佈線板10之製造方法進行說明。圖7係顯示本實施形態之佈線板10之製造方法之概略之內容及程序之流程圖。
步驟S11中，如圖8所示，作為起始材料準備兩面覆銅積 層板1000。兩面覆銅積層板1000包含：基板100(核心基板)；形成於基板100之第1面F1上之銅箔1001；及形成於基板100之第2面F2上之銅箔1002。本實施形態中，在該階段中，基板100包含完全硬化之狀態(C平台)之環氧玻璃。
接著，圖7之步驟S12中，形成通孔導體300b及導體層301、302。
詳細而言，如圖9所示，例如使用CO2 雷射，藉由自第1面F1側將雷射照射至兩面覆銅積層板1000而形成孔1003，藉由自第2面F2側將雷射照射至兩面覆銅積層板1000而形成孔1004。孔1003之形狀對應第1導體部R11(參照圖2A及圖2B)，孔1004之形狀對應第2導體部R12(參照圖2A及圖2B)。孔1003與孔1004，在X-Y平面上形成於大致相同之位置，且最終連結，成為貫通兩面覆銅積層板1000之通孔300a。通孔300a之形狀，對應通孔導體300b(參照圖2A及圖2B)，為沙漏狀(鼓狀)。孔1003與孔1004之邊界相當於縮頸部300c(參照圖2A及圖2B)。相對於第1面F1之雷射照射與相對於第2面F2之雷射照射可同時進行，亦可單面單面地進行。形成通孔300a之後，較好為對通孔300a進行除污。藉由除污，抑制不需要之導通(短路)。又，為提高雷射光之吸收效率，可在雷射照射前黑化處理銅箔1001、1002之表面。另，通孔300a之形成亦可以鑽孔器或蝕刻等雷射以外之方法進行。然而，若為雷射加工，則易進行微細之加工。尤其，在基板100之熱膨脹係數較小之情形下，由於鑽孔器加工較困難，故雷射加工較有效。
接著，例如利用面板電鍍法，如圖10所示，在銅箔1001、1002上及通孔300a內，例如形成銅之電鍍1005。具體而言，首先進行無電解電鍍，接著使用電鍍液，將該無電解電鍍膜作為屏蔽層進行電解電鍍，藉此形成電鍍1005。藉此，於通孔300a中填充電鍍1005，從而形成通孔導體300b。
接著，例如使用抗蝕劑及蝕刻液，進行形成於基板100之第1面F1及第2面F2之各導體層之圖案化。具體而言，以具有對應導體層301、302之圖案之抗蝕劑覆蓋各導體層，且將各導體層之未被抗蝕劑覆蓋之部分(抗蝕劑之開口部中露出之部分)以蝕刻除去。藉此，如圖11所示，於基板100之第1面F1、第2面F2上分別形成導體層301、302。另，蝕刻並不限於濕式，亦可為乾式。
本實施形態中，如圖12A所示，於基板100上對應空腔R10之區域R100中，未形成導體層301。由於若導體層301具有如此之導體圖案，則空腔R10之位置及形狀會變得明確，故於之後之步驟(圖7之步驟S13)中，用以形成空腔R10之雷射照射之對準變得容易。
然而，導體層301之導體圖案，並不限於圖12A所示之圖案。例如如圖12B所示，亦可在僅基板100上之在之後之步驟中照射雷射之部分(以下，稱為雷射照射路)未形成有導體層301。該情形，在雷射照射路之內側，存在導體層301。即使為如此之導體層301，仍容易進行用以形成空腔R10之雷射照射之對準。
又，本實施形態中，如圖12A所示，導體層301具有對準標記301a。對準標記301a例如為之後之步驟(圖7之步驟S14)中可光學性辨識之圖案，且可藉由例如利用蝕刻等，部分地除去導體而形成。本實施形態中，對準標記301a，配置於區域R100之周圍(例如4角)。然而並不限於此，對準標記301a之配置及形狀為任意。
接著，在圖7之步驟S13中，在基板100(核心基板)上形成空腔R10。本實施形態中，如圖13所示，於基板100上藉由照射雷射而形成空腔R10。具體而言，例如如圖12A所示，藉由以描繪四角形之方式照射雷射，自其周圍之部分截取基板100之對應空腔R10之區域R100。雷射之照射角度，例如相對於基板100之第1面F1成大致垂直之角度。藉此，如圖14所示，形成空腔R10。本實施形態中，由於利用雷射形成空腔R10，故容易得到空腔R10。空腔R10成為電子零件200之收納空間。
接著，圖7之步驟S14中，將電子零件200配置於基板100之空腔R10。
具體而言，如圖15所示，將例如包含PET(聚乙烯對苯二酸酯)之載體1006設置於基板100之單側(例如第2面F2)。藉此，用載體1006封塞空腔R10(孔)之一方之開口。本實施形態中，載體1006包含黏著片(例如膠帶)，在基板100側具有黏著性。載體1006例如係利用層壓而與基板100接著。
接著，如圖16所示，自空腔R10(孔)之經封塞之開口之相反側(Z1側)，將電子零件200裝入空腔R10。電子零件 200係利用例如零件安裝機而裝入空腔R10。例如電子零件200利用真空夾頭等保持，搬運至空腔R10之上方(Z1側)後，自其處沿著鉛直方向下降，進入空腔R10。藉此，如圖17所示，載體1006(黏著片)上配置有電子零件200。另，進行電子零件200之定位時，較好為使用對準標記301a(參照圖12A、圖12B)。藉此，認為可提高電子零件200與空腔R10之位置對準之精度。
本實施形態中，不粗化電子零件200之電極210、220及導體層301、302之表面。然而，可根據需要，利用蝕刻等粗化。
接著，在圖7之步驟S15中，如圖18所示，在半硬化狀態下，在空腔R10(孔)之經封塞之開口之相反側(Z1側)之基板100之第1面F1上及電子零件200之第3面F3上，配置絕緣層101(第1層間絕緣層)。再者，在絕緣層101上，配置銅箔111(第1銅箔)。絕緣層101例如包含環氧樹脂之半固化片。接著，如圖19A所示，藉由在半硬化之狀態下加壓絕緣層101，使樹脂自絕緣層101流出而流入至空腔R10中。藉此，如圖19B所示，空腔R10之基板100與電子零件200之空隙R1中填充有絕緣體101a(構成絕緣層101之樹脂)。此時，若基板100與電子零件200之空隙較窄，則即使電子零件200之固定較弱，以樹脂向空腔R10流入之勢，仍不易產生電子零件200之位置偏移、不良之傾斜。另，絕緣體101a具有較基板100及電子零件200之任一者更大之熱膨脹係數。
於空腔R10中填充絕緣體101a後，進行其填充樹脂(絕緣體101a)與電子零件200之假熔著。具體而言，利用加熱使填充樹脂顯現出可支持電子零件200程度之保持力。藉此，利用填充樹脂支持被載體1006支持之電子零件200。其後，除去載體1006。
另，該階段中，絕緣體101a(填充樹脂)及絕緣層101僅為半硬化，並未完全硬化。然而並不限於此，例如，可在該階段使絕緣體101a及絕緣層101完全硬化。
接著，在圖7之步驟S16中，在基板100之第2面F2側進行堆疊。
具體而言，如圖20所示，在基板100之第2面F2上，配置絕緣層102(第2層間絕緣層)及銅箔121(第2銅箔)。絕緣層102例如包含環氧玻璃之半固化片。接著，例如利用加壓，使絕緣層102在半固化之狀態下接著於基板100及電子零件200後，進行加熱使絕緣層101、102各者硬化。本實施形態中，由於在除去黏著片(載體1006)後，使填充於空腔R10中之樹脂硬化，故可同時進行絕緣層101、102之硬化。且，由於藉由同時進行兩面之絕緣層101、102之硬化可抑制基板100之彎曲，故易薄化基板100。
接著在圖7之步驟S17中，形成通道導體及導體層。
詳細而言，如圖21所示，例如利用雷射，在絕緣層101及銅箔111上形成孔311a及312a(分別為導通孔)，在絕緣層102及銅箔121上形成孔321a及322a(分別為導通孔)。孔311a及312a之各者貫通絕緣層101及銅箔111，孔321a及 322a之各者貫通絕緣層102及銅箔121。且，孔311a及321a之各者到達至電子零件200之電極210或220，孔312a及322a之各者到達至通孔導體300b之正上方。其後，根據需要，進行除污。
接著，如圖22A所示，例如利用化學電鍍法，在銅箔111、121上及孔311a、312a、321a、322a內，形成例如銅之無電解電鍍膜1007、1008。另，在無電解電鍍前，例如可利用沉浸，使包含鈀等之觸媒吸附於絕緣層101、102之表面。
接著，如圖22B所示，利用光微影技術或印刷等，分別在第1面F1側之主表面(無電解電鍍膜1007上)，形成具有開口部1009a之電鍍光阻層1009，又，在第2面F2側之主表面(無電解電鍍膜1008上)，形成具有開口部1010a之電鍍光阻層1010。開口部1009a、1010a分別具有對應導體層110、120(圖1)之圖案。
接著，如圖22C所示，例如利用圖案電鍍法，在電鍍光阻層1009、1010之開口部1009a、1010a上，分別形成例如銅之電解電鍍1011、1012。具體而言，在陽極連接作為電鍍材料之銅，在陰極連接作為被電鍍材料之無電解電鍍膜1007、1008，且沉浸於電鍍液中。且，於兩極間施加直流電壓而使電流流動，從而在無電解電鍍膜1007、1008之表面使銅析出。藉此，於孔311a及312a、孔321a及322a中分別填充有電解電鍍1011、1012，且形成有例如包含銅之電鍍之通道導體311b、312b、321b、322b。
其後，例如利用特定之剝離液，除去電鍍光阻層1009及1010，接著除去不需要之無電解電鍍膜1007、1008及銅箔111、121，藉此，如圖23所示，形成導體層110及120。
另，用於電解電鍍之屏蔽層不限於無電解電鍍膜，可替代無電解電鍍膜1007、1008，將濺射膜等用作屏蔽層。
接著，在圖7之步驟S18中，在絕緣層101、102上分別形成具有開口部11a之防焊劑11、具有開口部12a之防焊劑12(參照圖1)。導體層110、120各者除位於開口部11a、12a之特定之部位(焊墊P1、P2及焊盤等)外，被防焊劑11、12覆蓋。防焊劑11及12例如可利用網版印刷、噴塗、滾塗、或層壓等形成。
接著，利用電解電鍍或濺鍍等，在導體層110、120上，具體而言在未被防焊劑11、12覆蓋之焊墊P1、P2(參照圖1)之表面上，分別形成例如包含Ni/Au膜之耐蝕層。又，亦可藉由進行OSP處理，形成包含有機保護膜之耐蝕層。
如此，在基板100之第1面F1上，形成包含絕緣層101及導體層110之第1堆疊部B1，在基板100之第2面F2上，形成包含絕緣層102及導體層120之第2堆疊部B2。其結果，本實施形態之佈線板10(圖1)完成。其後，若有必要，則進行電子零件200之電性測試(電容值及絕緣性等之校對)。
本實施形態之製造方法應用於佈線板10之製造。若為如此之製造方法，則認為可得到低成本而良好之佈線板10。
本實施形態之佈線板10例如可與電子零件或其他之佈線板電性連接。例如如圖24所示，可利用焊錫等，在佈線板 10之焊墊P2上安裝電子零件400(例如IC晶片)。又，可利用焊墊P1，將佈線板10安裝於另一配線板500(例如母板)上。本實施形態之佈線板10例如可用作移動電話之電路基板。
(實施形態2)
實施形態2之佈線板20為內建電子零件之佈線板，如圖25所示，具有基板100、絕緣層101及102、導體層110及120、及電子零件200。另，本實施形態之佈線板20為剛性佈線板。但佈線板20亦可為可撓性佈線板。
基板100具有絕緣性，為佈線板20之核心基板。以下，將基板100之正反面(2個主表面)之一方稱為第1面F1，將另一面稱為第2面F2。
電子零件200內建於佈線板20。以下，將電子零件200之正反面(2個主表面)之一方稱為第3面F3，將另一面稱為第4面F4。
基板100中形成有空腔R10(開口部)，空腔R10中收納有電子零件200。圖26顯示電子零件200收納於基板100(核心基板)之空腔R10中之狀態。
空腔R10包含部分呈錐形之孔，且貫通基板100。空腔R10之寬度較寬側(Z1側)開口(以下，稱為第1開口)之形狀及寬度較窄側(Z2側)開口(以下，稱為第2開口)之形狀分別呈大致長方形。此處，第2開口之形狀，相當於被相鄰空腔R10之基板100之側面F10(空腔R10之內壁)包圍之區域之形狀。電子零件200為例如具有對應空腔R10之第2開口之 形狀之外形(例如大致相同大小之相似形)之晶片，電子零件200之厚度與空腔R10(孔)之深度大致一致。又，基板100之厚度與電子零件200之厚度亦大致一致。
如圖26所示，X方向與Y方向，電子零件200之寬度，均比空腔R10之第2開口之寬度小，且為將電子零件200收納於空腔R10確保特定之間隙。間隙為自空腔R10之第2開口之寬度減去電子零件200之寬度者。認為X方向及Y方向之間隙分別較好為在約0 μm~約142 μm之範圍內。約142 μm為考慮安裝精度及零件外形精度之值。
電子零件200係使第3面F3與基板100之第1面F1相同朝向而配置於空腔R10。電子零件200，藉由配置於空腔R10，位於基板100之側方(X方向或Y方向)。本實施形態中，電子零件200之大致整體被完全收納於空腔R10中。然而並不限於此，亦可僅將電子零件200之一部分配置於空腔R10中。本實施形態中，空腔R10之電子零件200與基板100之空隙中，填充有絕緣體101a。絕緣體101a僅包含例如構成上層之絕緣層101(樹脂絕緣層)之樹脂(參照圖40A)。然而並不限於此，替代構成絕緣層101之樹脂或除其之外，亦可填充構成基板100或絕緣層102之材料(例如樹脂)，又，亦可填充另外準備之絕緣材料。本實施形態中，絕緣體101a完全覆蓋電子零件200之周圍。藉此，電子零件200受絕緣體101a(樹脂)保護，且固定於特定之位置。
絕緣層101形成於基板100之第1面F1上及電子零件200之第3面F3上。絕緣層102形成於基板100之第2面F2上及電子 零件200之第4面F4上。空腔R10包含貫通基板100之孔，絕緣層101封塞空腔R10(孔)之一方之開口，絕緣層102封塞空腔R10(孔)之另一方之開口。導體層110形成於絕緣層101上，導體層120形成於絕緣層102上。本實施形態中，導體層110及120為最外層。然而並不限於此，可積層更多之層間絕緣層及導體層。
絕緣層102上形成有孔321a(導通孔)。藉由於孔321a內填充有導體(例如銅之電鍍)，其孔321a內之導體成為通道導體321b(填充導體)。孔321a到達電子零件200之電極210、220，孔321a內之通道導體321b與電極210、220電性連接。且，電子零件200之電極210、220與絕緣層102上之導體層120，經由通道導體321b而相互電性連接。
基板100、絕緣層101、102、及電子零件200之形狀，例如為矩形板狀。電子零件200之主表面之形狀，例如為大致長方形。然而並不限於此，該等之形狀為任意。
基板100例如包含使玻璃布(心材)含浸於環氧樹脂者(以下，稱為環氧玻璃)。心材係熱膨脹率較主材料(本實施形態中為環氧樹脂)小之材料。作為心材，認為例如為玻璃纖維(例如玻璃布或玻璃不織布)、芳族聚醯胺纖維(例如芳族聚醯胺不織布)、或氧化矽填充劑等之無機材料為宜。然而，基板100之形狀、或厚度、材料等基本上為任意。例如可替代環氧樹脂，使用聚酯樹脂、雙馬來醯亞胺三嗪樹脂(BT樹脂)、醯亞胺樹脂(聚醯亞胺)、苯酚樹脂、或烯丙基化苯醚樹脂(A-PPE樹脂)等。基板100可包含含異種材 料之複數之層。
絕緣層101、102例如包含環氧玻璃。本實施形態中，基板100包含含心材之樹脂，絕緣層101、102包含不含心材之樹脂。然而並不限於此，絕緣層101、102之形狀、或厚度、材料等基本上為任意。例如可替代環氧樹脂，使用聚酯樹脂、雙馬來醯亞胺三嗪樹脂(BT樹脂)、醯亞胺樹脂(聚醯亞胺)、苯酚樹脂、或烯丙基化苯醚樹脂(A-PPE樹脂)等。各絕緣層可包含含異種材料之複數個層。
通道導體321b例如包含鍍銅。通道導體321b之形狀，例如為以自基板100(核心基板)向上層直徑擴大之方式呈錐形之錐形圓柱(圓錐台)，通道導體之橫截面(X-Y平面)之形狀例如為大致圓。然而並不限定於此，通道導體之形狀為任意。
導體層110包含銅箔111(下層)與鍍銅112(上層)，導體層120包含銅箔121(下層)與鍍銅122(上層)。導體層110、120例如具有構成電性電路(例如包含電子零件200之電性電路)之佈線、及用以提高佈線板20之強度之整體圖案等。
然而並不限定於此，導體層及通道導體之材料為任意。各導體層及各通道導體可包含含異種材料之複數個層。
電子零件200，例如為晶片電容器。電子零件200，具有例如厚度在約50 μm~約300 μm之範圍內，各邊之長度在約0.5 mm~約2 mm之範圍內之矩形板狀之外形。電子零件200之主表面(第3面F3及第4面F4)之形狀，例如為大致長方形。然而並不限定於此，電子零件200之種類、形狀、 及尺寸等為任意。
電子零件200，如圖27所示，具有電容器主體201與U字狀之電極210及220。電容器主體201係令複數個介電層231~239與複數個導體層211~214及221~224交替積層而構成。介電層231~239分別例如包含陶瓷。電極210及220分別形成於電容器主體201之兩端部。如此，電容器主體201之兩端部，具體而言，自第4面F4側之面(下表面)至側面、且第3面F3側之面(上表面)，被電極210及220覆蓋。
此處，位於電極210與電極220之間之電容器主體201之中央部，如圖26所示，由於未被電極210、220覆蓋，從而介電層231、239(陶瓷)露出，故比較地強度變弱。然而，在有電子零件200安裝(內建)於佈線板20中之狀態下，由於電容器主體201之中央部被絕緣體101a(樹脂)覆蓋。其結果，認為電容器主體201受絕緣體101a保護。
本實施形態之佈線板20中，基板100，在相鄰空腔R10之基板100之側面F10(空腔R10之內壁)與第1面F1之角中，具有自第1面F1向第2面F2使空腔R10寬度縮小之錐形面C11。
基板100，如圖28所示，包含材質不同之第1層100a及第2層100b。第1層100a及第2層100b，係自第1面F1向第2面F2依序配置。即，第2層100b，形成於第1層100a上。本實施形態中，第1層100a與第2層100b分別包含相同之樹脂(例如環氧樹脂)，第2層100b包含無機材料(例如玻璃布)，而第1層100a不包含無機材料。
此處，相鄰空腔R10之基板100之側面F10相當於第2層100b之側面，基板100之第1面F1相當於第1層100a之主表面，位於側面F10與第1面F1之角中之錐形面C11相當於第1層100a之側面。
本實施形態中，圖28中，相鄰空腔R10之基板100之側面F10與第2面F2之角度θ1約為90°。即，側面F10(空腔R10之內壁)包含相對於第2面F2大致垂直之面。
錐形面C11，如圖28所示，為相對基板100之第1面F1傾斜之平面(斜面)。基板100之第1面F1與錐形面C11之角度(以下，稱為錐形角度θ2)為至少比90°大之角度，且認為較好為在約120°~約150°之範圍內，尤其好為約135°。另，錐形角度θ2越大空腔R10之寬度縮小率越大。
錐形面C11，例如如圖26所示，形成於空腔R10之全周緣部(4邊)。然而並不限定於此，錐形面C11亦可部分形成於空腔R10之周緣部(參照後述之圖53)。本實施形態中，錐形面C11之寬度D11、D12大致均一。即，X方向之寬度D11與Y方向之寬度D12，例如大致相同。然而並不限定於此，X方向之寬度D11與Y方向之寬度D12可為不同之大小。
錐形面C11之尺寸或形狀等，並不限於上述者，為任意。錐形面C11為自第1面F1向第2面F2縮短空腔R10之寬度者即可。例如如圖29A所示，錐形面C11，可為越自第1面F1向第2面F2接近寬度縮小率越小之曲面。又，例如如圖29B所示，錐形面C11，可為越自第1面F1向第2面F2接 近寬度縮小率越大之曲面。
圖26中，寬度D3，表示基板100與電子零件200之X方向之空隙之最大值(X1側之空隙及X2側之空隙中較大者)，寬度D4，表示基板100與電子零件200之Y方向之空隙之最大值(Y1側之空隙及Y2側之空隙中較大者)。認為寬度D3或D4(更好為雙方)較好為在約0 μm~約100 μm之範圍內，其中，尤其好為在約0 μm~約5 μm之範圍內。由於寬度D3或D4為約100 μm以下(尤其為約5 μm)時，空腔R10中電子零件200可活動之空隙變少，故電子零件200之位置精度變高。其結果，電子零件200與通道導體321b之位置對準之精度亦變高。又，易確保用以在基板100上形成佈線(後述之圖42中所示之導體層301、302等)之區域。又，易提高形成於基板100上之絕緣層(絕緣層101、102)之平坦度。
認為相鄰空腔R10之基板100之側面F10(空腔R10之內壁)較好為包含利用雷射之切斷面。若為利用雷射之切斷面，則易為平滑之面。又，藉由以雷射截取基板100之特定之部位(相當於空腔R10之部位)，易與空腔R10一起形成錐形面C11。
電子零件200，如圖27及圖30A所示，其側面F20與第4面F4之角中具有曲面C21。電容器主體201之角之各者包含直角相交之2個平面，而不具有曲面，根據覆蓋電容器主體201之表面之電極210或220，電子零件200之側面F20與第4面F4之角中，形成有曲面C21。
曲面C21，包含電子零件200之電極210或220之表面。認 為若曲面C21具有電極材料般之強度，則使電子零件200進入空腔R10時，即使曲面C21撞擊錐形面C11之情形，仍不易產生電子零件200之性能低下。
認為電子零件200之電極210及220至少表面分別包含電鍍膜為宜。認為若調整電鍍之條件，則電容器主體201之角不具有曲面之情形，亦可容易地在電容器主體201之表面得到所期望之曲面C21。又，易形成平滑之曲面C21。若得到平滑之曲面C21，則在其上電子零件200易滑動。認為曲面C21之曲率半徑較好為在約20 μm~約40 μm之範圍內，其中尤其好為約30 μm。另，本實施形態中，雖電容器主體201之角之各者包含直角相交之平面，但不限於此，電容器主體201之角可具有曲面。
本實施形態中，如圖26所示，在電子零件200之4個側面F20與第4面F4之角中設置有電極210及220之部分中，形成有曲面C21。然而並不限於此，曲面C21之形成態樣為任意。本實施形態中，曲面C21之寬度D21、D22為大致均一。即，X方向之寬度D21與Y方向之寬度D22例如大致相同。認為寬度D21及D22分別較好為在約0 μm~約71 μm之範圍內。約71 μm為考慮安裝精度及零件外形精度之值。然而並不限於此，X方向之寬度D11與Y方向之寬度D12可為不同之大小。
如圖30A所示，本實施形態中，曲面C21與電子零件200之側面F20之邊界P21位於較電容器主體201之下表面F21更內側。又，曲面C21與電子零件200之第4面F4(下表面)之 邊界P22位於較電容器主體201之側面F22更外側。然而並不限於此，如圖30B所示，可行的是，邊界P21位於較下表面F21更外側，且，邊界P22位於較側面F22更外側。又，如圖30C所示，可行的是，邊界P21位於較下表面F21更外側，且，邊界P22位於較側面F22更內側。
本實施形態之電子零件200，如圖27所示，其側面F20與第3面F3之角中，具有曲面C22。曲面C22，具有例如與曲面C21相同之形狀。然而並不限於此，例如側面F20與第3面F3之角中，側面F20與第3面F3(平面彼此)可不經由曲面而正交。
認為圖30A中，電極210、220之側面F20側之厚度D23較好為在約5 μm~約30 μm之範圍內。又，認為電極210、220之第4面F4側之厚度D24較好為在約5 μm~約30 μm之範圍內。
如上所述，本實施形態之佈線板20具有形成有空腔R10之基板100與使第3面F3與基板100之第1面F1相同朝向而配置於空腔R10之電子零件200。且，電子零件200在其側面F20與第4面F4之角中具有曲面C21。又，基板100，在鄰接空腔R10之側面F10(空腔R10之內壁)與第1面F1之角中，具有自第1面F1向第2面F2縮短空腔R10之寬度之錐形面C11。根據如此之構造，可將電子零件200容易地裝入空腔R10中。又，可容易地實現電子零件200與通道導體321b之位置對準。又，可實現抑制電子零件200之開裂。
以下，參照圖31等，就佈線板20之製造方法進行說明。 圖31係顯示本實施形態之佈線板20之製造方法之概略之內容及程序之流程圖。
步驟S21中，如圖32所示般，準備基板100(起始材料)。基板100包含例如完全硬化之環氧玻璃。
接著，在圖31之步驟S22中，在基板100上形成空腔R10(圖25、圖26)。
具體而言，例如如圖33所示，藉由以描畫四角形之方式照射雷射，自其周圍部分截取基板100之對應空腔R10之區域R100。此時，雷射，如圖34所示，係以貫通第1層100a到達第2層100b之方式，照射至基板100之第1面F1。雷射之照射角度，例如為相對於基板100之第1面F1大致垂直之角度。本實施形態中，由於第2層100b包含無機材料，第1層100a不包含無機材料，故利用雷射之照射，在第1層100a中，向X方向及Y方向之溶解更進一步進行而得到錐形面C11，在第2層100b中，向X方向及Y方向之溶解幾乎不進一步進行，得到大致沿著Z方向之側面F10(空腔R10之內壁)。因此，相鄰空腔R10之基板100之側面F10與第1面F1之角中可容易地形成錐形面C11。
根據上述雷射加工，如圖35A所示，基板100上形成有空腔R10。空腔R10包含貫通基板100之孔。錐形面C11，位於相鄰空腔R10之基板100之側面F10(空腔R10之內壁)與第1面F1之角中，且自第1面F1向第2面F2縮短空腔R10之寬度。本實施形態中，由於利用雷射形成空腔R10，故容易得到具有上述構造(參照圖28)之空腔R10。空腔R10為電子 零件200之收納空間。
接著，圖31之步驟S23中，將具有曲面角(具有曲面C21之角)之電子零件200配置於基板100之空腔R10。
具體而言，如圖35B所示，將例如包含PET(聚乙烯對苯二酸酯)之載體2001設置於基板100之單側(例如第2面F2)。藉此，空腔R10(孔)之一方之開口被載體2001封塞。本實施形態中，載體2001包含黏著片(例如膠帶)，在基板100側具有黏著性。載體2001例如係利用層壓而與基板100接著。
接著，如圖35C所示，準備在第4面F4與側面F20之角中具有曲面C21之電子零件200。曲面C21包含電子零件200之電極210、220之表面。電子零件200之電極210、220分別包含電鍍膜。
接著，藉由自與空腔R10(孔)之經封塞之開口相反側(Z1側)，使電子零件200進入空腔R10，在載體2001(黏著片)上配置電子零件200。
電子零件200係利用例如零件安裝機而裝入空腔R10。例如電子零件200利用真空夾頭等保持，如圖36A所示，搬運至空腔R10之上方(Z1側)後，自其處沿著鉛直方向下降，進入空腔R10。在將電子零件200裝入空腔R10時，電子零件200之曲面角(曲面C21)朝向基板100。由於零件安裝精度之不均一等，若電子零件200與空腔R10之位置對準稍微偏移，則如圖36B所示，基板100之錐形面C11與電子零件200之曲面C21會接觸。且，錐形面C11與曲面C21保持接 觸之狀態，電子零件200會一面在錐形面C11上滑動一面導向空腔R10，如圖36C所示，收納於基板100之空腔R10且穩定。另，圖36A~圖36C中，Z方向相當於鉛直方向。裝入電子零件200之作業，既可由人進行，亦可由裝置進行。又，可藉由利用重力使電子零件200朝向空腔R10落下，使電子零件200進入空腔R10中。
本實施形態中，由於電子零件200與基板100碰撞時，錐形面C11與直角角落(包含以大致直角相交之2個平面之角)不會撞擊，而錐形面C11與曲面C21撞擊，故認為向電子零件200之衝擊受到抑制，不易產生電子零件200之開裂等。
本實施形態中，一面使電子零件200之曲面C21與基板100之錐形面C11接觸，一面將電子零件200配置於空腔R10。因此，即使電子零件200在錐形面C11上滑動而導向空腔R10，從而使電子零件200與空腔R10之位置對準稍微偏移，仍可將電子零件200配置於基板100之空腔R10中。又，較小之按壓下仍可一面滑動一面被收納。
又，由於電子零件200與空腔R10之位置對準變得容易，故可容易地縮小空腔R10與電子零件200之間隙，進而縮小基板100與電子零件200之空隙(寬度D3、D4)。關於該點，格外提高一事已得到發明者確認。
又，藉由縮小基板100與電子零件200之空隙(寬度D3、D4)，電子零件200之位置精度提高。其結果，電子零件200與通道導體321b之位置對準之精度亦提高。
又，由於曲面C21包含電極210及220(電鍍膜)之表面， 故電子零件200易在曲面C21上滑動。藉此，認為對電子零件200之衝擊受到抑制，電子零件200中不易產生開裂等。
以下，參照圖37A~圖37C，就基於錐形角度θ2之差異之錐形面C11之作用之不同進行說明。另，錐形角度θ2，在圖37C所示之基板100中最大，其次在圖37A所示之基板100中較大，在圖37B所示之基板100中最小。
如圖37A~圖37C所示，錐形角度θ2越小，將電子零件200導向空腔R10之力越強。又，由於錐形角度θ2越大，越容易增大錐形面C11之寬度D11或D12，故電子零件200落於錐形面C11上之可能性增高。
鑒於如此之點，認為錐形角度θ2較好為在約120°~約150°之範圍內，尤其好為約135°。若為如此之錐形角度θ2，則為將電子零件200導向空腔R10可得到充足之力，且為了電子零件200與空腔R10位置對準可得到充足之錐形面C11之寬度D11或D12。
電子零件200，如圖38所示，係使第3面F3與基板100之第1面F1相同朝向(任一者均為Z1之朝向)而配置於空腔R10。電子零件200載置於載體2001上，且利用載體2001之黏著性固定(假固定)。藉由將電子零件200載置於載體2001上，易使電子零件200之傾斜成水平。
接著，在圖31之步驟S24中，如圖39A所示，在半硬化之狀態下，在空腔R10(孔)之經封塞之開口之相反側(Z1側)之基板100上及電子零件200上形成絕緣層101。再者，在絕緣層101上，形成銅箔2003。絕緣層101例如包含具有熱 硬化性之環氧樹脂之半固化片。接著，如圖39B所示，藉由在半硬化之狀態下加壓絕緣層101，如圖40A所示，使樹脂自絕緣層101流出而流入至空腔R10中。藉此，如圖40B所示，於空腔R10之基板100與電子零件200之間填充有絕緣體101a(構成絕緣層101之樹脂)。此時，若基板100與電子零件200之空隙(寬度D3、D4)變窄，則即使電子零件200之固定較弱，仍可憑藉樹脂流向空腔R10之勢，不易產生電子零件200之位置偏移、或不良之傾斜。且，於空腔R10中填充絕緣體101a後，進行其填充樹脂(絕緣體101a)與電子零件200之假熔著。具體而言，利用加熱使填充樹脂顯現出可支持電子零件200程度之保持力。藉此，利用填充樹脂支持被載體2001支持之電子零件200。其後，除去載體2001。
另，該階段中，絕緣體101a(填充樹脂)及絕緣層101僅為半硬化，並未完全硬化。然而並不限於此，例如，可在該階段使絕緣體101a及絕緣層101完全硬化。
接著，在圖31之步驟S25中，相對於各主表面分別進行堆疊。
具體而言，如圖41A所示，在基板100之第2面F2上，形成絕緣層102及銅箔2004。電子零件200之電極210及220分別被絕緣層102覆蓋。例如利用加壓，使絕緣層102在半固化之狀態下接著於基板100後，進行加熱使絕緣層101、102各者硬化。本實施形態中，由於在除去黏著片(載體2001)後，使填充於空腔R10中之樹脂硬化，故可同時進行 絕緣層101、102之硬化。且，由於藉由同時進行兩面之絕緣層101、102之硬化可抑制基板100之彎曲，故易薄化基板100。
接著在圖31之步驟S26中，如圖41B所示，例如利用雷射，在絕緣層102及銅箔2004上形成孔321a(導通孔)。孔321a貫通絕緣層102及銅箔2004，到達至電子零件200之電極210或220。其後，根據需要，進行除污。
接著，如圖41C所示，例如利用面板電鍍法，在銅箔2003上，形成例如銅之電解電鍍2005，且在銅箔2004上及孔321a內分別形成例如銅之電解電鍍2006。孔321a內之導體，為通道導體321b。另，藉由在該電解電鍍前進行無電解電鍍，可在銅箔2003與電解電鍍2005之間，或在銅箔2004與電解電鍍2006之間，形成無電解電鍍膜。
其後，在圖31之步驟S27中，例如利用蝕刻，分別將電解電鍍2005、2006圖案化，從而成為導通層110、120，藉此，完成本實施形態之佈線板20(圖25)。其後，若有需要，進行電子零件200之電性測試(電容值及絕緣性等之檢查)。
本實施形態之製造方法包含：準備基板100(圖32)；準備在第4面F4與側面F20之角中具有曲面C21之電子零件200(圖35C)；在基板100上形成空腔R10(圖33、圖34)；在相鄰空腔R10之基板100之側面F10(空腔R10之內壁)與第1面F1之角中，形成自第1面F1向第2面F2縮短空腔R10之寬度之錐形面C11(圖33、圖34)；及使第3面F3與第1面F1相 同朝向而將電子零件200配置於空腔R10(圖36A~圖36C)。根據如此之製造方法，易將電子零件200裝入空腔R10中。又，可縮小空腔R10與電子零件200之間隙。又，可容易地實現電子零件200與通道導體321b之位置對準。又，可抑制電子零件200之開裂。
另，上述實施形態2中，雖利用雷射加工形成錐形面C11，但亦可以乾蝕刻等其他之方法得到錐形面C11。然而，認為根據雷射加工，可得到尤其良好之錐形面C11。且，根據材質不同之第1層100a及第2層100b，可不使用傾斜方向之雷射照射等特別之技術，而得到良好之錐形面C11。
(實施形態3)
就本發明之實施形態3，以與上述實施形態2不同之點為中心進行說明。另，此處，對與上述圖25等所示之要件相同之要件分別附加相同之符號，關於已經說明之共通之部分，即說明重複之部分，為方便起見，省略或簡略化其說明。
本實施形態之佈線板30中，如圖42所示，基板100(核心基板)上形成有通孔300a，通孔300a內填充有導體(例如鍍銅)，藉此形成通孔導體300b。通孔導體300b之形狀，例如為鼓狀。然而並不限於此，通孔導體300b之形狀為任意，例如可為大致圓柱。
基板100之第1面F1上形成有導體層301，基板100之第2面F2上形成有導體層302。導體層301、302上分別包含有 通孔導體300b之焊盤。
絕緣層101上形成有孔311a及312a(導通孔)，絕緣層102上形成有孔321a及322a(導通孔)。藉由於孔311a、312a、321a、322a內分別填充導體(例如銅之電鍍)，使該孔311a、312a、321a、322a內之導體分別成為通道導體311b、312b、321b、322b(填充導體)。通道導體311b及321b分別自基板100之第1面F1側或第2面F2側，電性連接於電子零件200之電極210、220。如此，本實施形態中，電子零件200自兩面連接於通道導體311b及321b。以下，將該構造稱為兩面導通構造。
基板100之第1面F1上之導體層301與基板100之第2面F2上之導體層302，係經由通孔導體300b而相互電性連接。通道導體312b、322b及通孔導體300b，任一者均為填充導體，且該等在Z方向堆積。
基板100之第1面F1上之導體層301與絕緣層101上之導體層110，經由通道導體312b而相互電性連接。又，基板100之第2面F2上之導體層302與絕緣層102上之導體層120，經由通道導體322b而相互電性連接。
本實施形態之佈線板30亦與實施形態2相同，以例如圖31所示之程序製造。
在圖31之步驟S21中，如圖43所示，準備佈線板3000(起始材料)。本實施形態中，佈線板3000包含：基板100；形成於基板100之第1面F1上之導體層3001；形成於基板100之第2面F2上之導體層3002；及通孔導體300b。基板100包 含例如完全硬化之環氧玻璃。導體層3001及3002分別包含例如銅箔(下層)及電解鍍銅(上層)之2層構造。
鼓狀之通孔300a，可藉由例如自兩面形成有銅箔之基板100(兩面覆銅積層板)之兩側照射雷射而形成。且，在分別在基板100上形成有銅箔，或在基板100內形成有通孔300a之狀態下，可藉由例如進行銅之電解電鍍，形成導體層3001、3002、及通孔導體300b。
認為上述雷射照射之後，較好為對通孔300a進行除污。藉由除污，抑制不需要之導通(短路)。又，認為較好為根據需要，利用蝕刻等，粗化導體層3001及3002之表面。
本實施形態中，如圖44A所示，基板100上，對應空腔R10之區域R100中，未形成導體層3001。由於若導體層3001具有如此之導體圖案，則空腔R10之位置及形狀變得明確，故在之後之步驟(圖31之步驟S22)中，用以形成空腔R10之雷射照射之對準變得容易。
然而，導體層3001之導體圖案，並不限於圖44A所示之圖案。例如如圖44B所示，亦可在基板100上，僅在之後之步驟(圖31之步驟S22)中照射雷射之部分(以下，稱為照射路)形成導體層3001。該情形，雷射照射路之內側存在導體層3001。即使為如此之導體層3001，用以形成空腔R10之雷射照射之對準仍較容易。
又，本實施形態中，如圖44A所示，導體層3001具有對準標記301a。對準標記301a為在例如之後之步驟(圖31之步驟S23)中可光學辨識之圖案，且可藉由利用例如蝕刻 等，部分地除去導體而形成。本實施形態中，對準標記301a，配置於區域R100之周圍(例如4角)。然而並不限於此，對準標記301a之配置及形狀等為任意。
又，本實施形態中，導體層3001之側面F30，如圖45所示，呈錐形。認為側面F30之錐形角度θ3較好為與錐形面C11之錐形角度θ2大致一致。
接著，在圖31之步驟S22中，在基板100上形成空腔R10。具體而言，例如如圖44A所示，藉由以描繪四角形之方式照射雷射，自其周圍之部分截取基板100之對應空腔R10之區域R100。此時，雷射，如圖45所示，係以貫通第1層100a而到達第2層100b之方式，照射至基板100之第1面F1。雷射之照射角度，例如相對於基板100之第1面F1成大致垂直之角度。若導體層3001之側面F30呈錐形，則雷射會在側面F30反射而傾斜前進，從而易形成錐形面C11。
其後，可藉由經過圖31之步驟S23~S27，製造本實施形態之佈線板30(圖42)。
然而，本實施形態中，在圖31之步驟S23中，使用對準標記301a，進行電子零件200之定位。藉此，可提高電子零件200與空腔R10之位置對準之精度。
又，在圖31之步驟S26中，與孔321a相同地形成孔311a、312a及322a(參照圖41B)，接著，與通道導體321b相同地形成通道導體311b、312b及322b(參照圖41C)。
本實施形態之製造方法，適用於佈線板30之製造。若為如此之製造方法，可得到低成本、良好之佈線板30。
關於與實施形態2相同之構成及處理，本實施形態亦可得到與上述實施形態2之效果相同之效果。例如實施形態3之佈線板30之各尺寸之較好之範圍與實施形態2之佈線板20相同。另，雖在低成本化或製造容易化等之方面，認為具有精簡之構造之實施形態2之佈線板20比實施形態3之佈線板30更佳，但在高功能化或高性能化等之方面，認為具有兩面導通構造之實施形態3之佈線板30比實施形態2之佈線板20更佳。
(其他之實施形態)
上述實施形態中，通孔導體300b雖具有就基準面F0對稱之形狀，但通孔導體300b之形狀並不限定於此。如圖46所示，亦可為具有就基準面F0非對稱之形狀之通孔導體300b。圖46之例中，自第2面F2至基準面F0之尺寸T12較自第1面F1至基準面F0之尺寸T11大。又，關於通孔導體300b之尺寸，第1面F1側端面之寬度D31、縮頸部300c之寬度D32及第2面F2側端面之寬度D33自較大一方開始，為寬度D31、寬度D33、寬度D32之順序。第1導體部R11之側面為曲面，第2導體部R12之側面為平面。第1導體部R11之錐形角度θ1較第2導體部R12之錐形角度θ2大。
以下，參照圖47A~圖48B，就圖46所示之通孔導體300b之製造方法之一例進行說明。
首先，如圖47A所示，與實施形態相同，準備兩面覆銅積層板1000(參照圖7之步驟S11)。
接著，如圖47B所示，例如使用CO2 雷射，藉由自第1面 F1側將雷射照射至兩面覆銅積層板1000而形成孔1003。孔1003為有底孔，孔1003之形狀例如為以寬度隨著變深而變窄之方式呈錐形之半球狀。孔1003之形狀對應第1導體部R11(參照圖46)。即，孔1003之壁面為曲面。
接著，如圖47C所示，例如將兩面覆銅積層板1000自反，藉由自第2面F2側將雷射照射至兩面覆銅積層板1000，形成與孔1003連接之孔1004。孔1004之形狀對應第2導體部R12(參照圖46)。藉由孔1003與孔1004連接，形成貫通兩面覆銅積層板1000之通孔300a。其後，根據需要，對通孔300a進行除污。通孔300a之形狀對應通孔導體300b(參照圖46)，為沙漏狀(鼓狀)。孔1003與孔1004之邊界相當於縮頸部300c(參照圖46)。另，可同時進行相對於第1面F1之雷射照射與相對於第2面F2之雷射照射。
接著，如圖48A所示，進行無電解電鍍，在銅箔1001、1002上及通孔300a內，形成例如銅之無電解電鍍膜1005a。
接著，如圖48B所示，藉由使用電鍍液，將無電解電鍍膜1005a作為屏蔽層進行電解電鍍，形成電解電鍍1005b。藉此，包含無電解電鍍膜1005a及電解電鍍1005b之電鍍1005填充於通孔300a，形成通孔導體300b。
接著，例如使用抗蝕劑及蝕刻液，進行形成於基板100之第1面F1及第2面F2之各導體層之圖案化。藉此，於基板100之第1面F1、第2面F2上分別形成導體層301、302(參照圖46)。另，蝕刻並不限於濕式，亦可為乾式。
上述實施形態中，通孔導體300b之第1導體部R11及第2導體部R12之錐形角度雖分別大致一定，但並不限定於此。例如如圖49所示，第1導體部R11可包含錐形角度θ11之導體部R21與具有較錐形角度θ11小之錐形角度θ12(即，寬度變窄之比例或寬度變寬之比例較小)之導體部R22。圖49之例中，藉由自第1面F1向導體部R21與導體部R22之邊界面F100寬度變窄之導體部R21、自邊界面F100向基準面F0寬度變窄之導體部R22、及自基準面F0向第2面F2寬度變寬之第2導體部R12相互連接，形成通孔導體300b。導體部R21與導體部R22與第2導體部R12連續(一體地)形成。導體部R21之側面及第2導體部R12之側面分別為曲面，導體部R22之側面為平面。導體部R21之錐形角度θ11與第2導體部R12之錐形角度θ2相互大致相同。
又，自第2面F2至基準面F0之尺寸T12較自第1面F1至基準面F0之尺寸T11小。關於通孔導體300b之尺寸，第1面F1側端面之寬度D31、縮頸部300c之寬度D32、第2面F2側端面之寬度D33、及導體部R21與導體部R22之邊界部之寬度D34，自較大一方開始，成寬度D31(=寬度D33)、寬度D34、寬度D32之順序。
以下，參照圖50A~圖51B，就圖49所示之通孔導體300b之製造方法之一例進行說明。
首先，如圖50A所示，與實施形態相同，準備兩面覆銅積層板1000(參照圖7之步驟S11)。
接著，如圖50B所示，例如使用CO2 雷射，藉由自第1面 F1側將雷射照射至兩面覆銅積層板1000而形成孔1003a，藉由自第2面F2側將雷射照射至兩面覆銅積層板1000而形成孔1004。孔1003a與孔1004分別為有底孔，且在X-Y平面上在大致相同之位置上，於Z方向偏移形成。藉此，孔1003a與孔1004，係以包夾基板100而相互對向之方式配置。孔1003a之形狀對應導體部R21(參照圖49)，孔1004之形狀對應第2導體部R12(參照圖49)。孔1003a及孔1004之形狀分別例如為寬度以隨著變深而變窄之方式呈錐形之半球狀。孔1003a及孔1004之壁面分別例如為曲面。相對於第1面F1之雷射照射與相對於第2面F2之雷射照射，既可單面單面地進行，亦可同時進行。
接著，如圖50C所示，例如使用CO2 雷射，藉由自第1面F1側將雷射照射至兩面覆銅積層板1000(詳細而言為孔1003a內)，形成使孔1003a與孔1004連通之孔1003b。孔1003b之形狀對應導體部R22(參照圖49)。藉由孔1003a與孔1003b與孔1004連接，形成貫通兩面覆銅積層板1000之通孔300a。其後，根據需要，對通孔300a進行除污。通孔300a之形狀對應通孔導體300b(參照圖49)，成沙漏狀(鼓狀)。孔1003b與孔1004之邊界相當於縮頸部300c(參照圖49)。
接著，如圖51A所示，進行無電解電鍍，在銅箔1001、1002上及通孔300a內，形成例如銅之無電解電鍍膜1005a。
接著，如圖51B所示，藉由使用電鍍液，將無電解電鍍 膜1005a作為屏蔽層進行電解電鍍，形成電解電鍍1005b。藉此，包含無電解電鍍膜1005a及電解電鍍1005b之電鍍1005填充於通孔300a，形成通孔導體300b。
接著，例如使用抗蝕劑及蝕刻液，進行形成於基板100之第1面F1及第2面F2之各導體層之圖案化。藉此，於基板100之第1面F1、第2面F2上分別形成導體層301、302(參照圖49)。另，蝕刻並不限於濕式，亦可為乾式。
如圖52所示，通孔導體300b之第1導體部R11與第2導體部R12，可朝X方向或Y方向偏移而連結。又，第1導體部R11與第2導體部R12之邊界面，既可相對於佈線板之主表面傾斜，亦可為曲面。
電子零件200及空腔R10之形狀為任意。例如如圖53所示，空腔R10之開口形狀可為大致橢圓。電子零件200之主表面之形狀、及空腔R10之開口形狀可為大致圓(大致正圓)，又，可為大致正方形、大致正六角形、大致正八形等大致長方形以外之大致多角形。另，多角形之角之形狀為任意，例如可為大致直角、鈍角、銳角、圓。
通孔導體300b或通道導體311b等之填充導體之平面形狀並不限於圓，而為任意。佈線板之填充導體之平面形狀，例如如圖54A所示，可為正方形等之四角形，例如如圖54B或圖54C所示，可為十字形或正多角星形得自中心以放射狀劃直線之形(以放射狀配置複數個翼之形)，其他，亦可為橢圓或三角形等。又，第1導體部R11、第2導體部R12、及縮頸部300c之平面形狀，可為相互不同之形狀。 例如第1導體部R11及第2導體部R12之平面形狀可分別為圓，縮頸部300c之平面形狀可為四角形。
上述實施形態中，關於電子零件200雖具有兩面導通構造，但並不限定於此。例如如圖55所示，可為僅在單側具有電性連接於電子零件200之電極210、220之通道導體311b之佈線板。
上述實施形態1中，雖顯示了在核心基板之兩側具有導體層之兩面佈線板(佈線板10)，但並不限於此。例如如圖55所示，可為僅在核心基板(基板100)之單側具有第1堆疊部B1(包含導通層110)之單面佈線板。
又，例如如圖55所示，空腔R10(電子零件200之收納空間)可為未貫通基板100之孔(凹部)。該情形亦認為電子零件200之厚度與空腔R10(孔)之深度宜為大致一致。
上述實施形態中，雖顯示了基板100之厚度與電子零件200之厚度大致一致之例，但並不限於此。例如如圖55所示，亦可使基板100之厚度較電子零件200之厚度大。
可為於基板100(核心基板)之單側具有2層以上之堆疊層之佈線板。例如如圖56所示，可在基板100之第1面F1側，使2層之絕緣層101、103與2層之導體層110、130交替積層；在基板100之第2面F2側，使2層之絕緣層102、104與2層之導體層120、140交替積層。圖56之例中，絕緣層101上之導體層110與絕緣層103上之導體層130，係經由形成於絕緣層103之孔332a(導通孔)內之通道導體332b，而相互電性連接。又，絕緣層102上之導體層120與絕緣層104上 之導體層140，係經由形成於絕緣層104之孔342a(導通孔)內之通道導體342b，而相互電性連接。通孔導體300b及通道導體312b、322b、332b、342b任一者均為填充導體，藉由該等在Z方向堆積，形成填充堆積S。
圖56之例中，形成於基板100(核心基板)之第1面F1側之第1堆疊部B1所包含之全部之通道導體(通道導體311b及312b及332b)其寬度分別朝向基準面F0變窄，且形成於基板100(核心基板)之第2面F2側之第2堆疊部B2所包含之全部之通道導體(通道導體321b及322b及342b)其寬度分別朝向基準面F0變窄。藉此，認為應力等易集中在基板100(核心基板)中之基準面F0，從而可謀求X-Y平面之應力分佈之均一化。又，其結果，認為佈線板之彎曲受到抑制，佈線板之電性連接之可靠性提高。且，認為尤其形成於絕緣層101(第1絕緣層)之全部之通道導體(通道導體311b及312b)寬度朝向基準面F0變窄，且，形成於絕緣層102(第2絕緣層)之全部之通道導體(通道導體321b及322b)寬度朝向基準面F0變窄之構成，有助於抑制上述佈線板之彎曲之效果。
又，基板100之第1面F1側與基板100之第2面F2側中，堆疊層之數量可不相同。然而，為緩和應力，認為較好為在基板100之第1面F1側與基板100之第2面F2側中，使堆疊層之數量相同，並提高正反之對稱性。
如圖57所示，基板100(核心基板)可內建金屬板100d(例如銅箔)。如此之基板100中，利用金屬板100d散熱性提高。圖57之例中，到達至金屬板100d之通道導體100e形成 於基板100，金屬板100d與接地線(包含於導體層301、302之導體圖案)係經由通道導體100e而相互電性連接。金屬板100d，如圖57所示，較好為配置於基準面F0附近。金屬板100d之平面形狀為任意，既可例如如圖58A所示為四角形，亦可例如如圖58B所示為圓。
金屬板100d，例如如圖59所示，可以包圍空腔R10(開口部)之方式形成。圖59之例中，於空腔R10之四方，配置有通孔導體300b。基板100(核心基板)上，形成有通孔導體300b之焊盤301b、與連接於焊盤301b之佈線301c。導體層301包含焊盤301b及佈線301c。
圖59之例中，除去基板100(核心基板)之貫通部(空腔R10或通孔300a等)附近之大致全面中，設置有金屬板100d。金屬板100d避開貫通部附近(例如自貫通部距離為D40之範圍)而形成。距離D40例如為120 μm。又，基板100(核心基板)上之導體層301形成於較金屬板100d距離空腔R10(開口部)較遠之位置。即，導體層301及金屬板100d分別避開空腔R10附近而形成。再者，金屬板100d之一部分，配置於通孔導體300b(或通孔300a)與空腔R10之間。
顯示圖59中之尺寸之較好之一例。電子零件200與金屬板100d之距離D41例如為160 μm。電子零件200與基板100之空隙R1(寬度D3及D4之各者)例如為40 μm。
金屬板100d未形成於例如自空腔R10距離120 μm(距離D41-寬度D3)之範圍內。又，基板100(核心基板)上之導體層301形成於較金屬板100d距離空腔R10(開口部)較遠之 位置。即，導體層301及金屬板100d分別避開空腔R10附近而形成。
基板100(核心基板)上之導體層301，例如如圖60A~圖60C所示，可形成於較金屬板100d靠近空腔R10(開口部)之位置。
圖60A之例中，通孔導體300b之焊盤301b，形成於較金屬板100d更靠近空腔R10(開口部)之位置。即，電子零件200與焊盤301b之距離D42較電子零件200與金屬板100d之距離D41小。
圖60B之例中，導體層301所包含之增強圖案301d形成於較金屬板100d更靠近空腔R10(開口部)之位置。即，電子零件200與增強圖案301d之距離D43較電子零件200與金屬板100d之距離D41小。圖60B之例中，有具有環狀之外形之增強圖案301d，以包圍空腔R10(開口部)之方式形成。
圖60C之例中，導體層301所包含之佈線圖案301e形成於較金屬板100d更靠近空腔R10(開口部)之位置。即，電子零件200與佈線圖案301e之距離D44較電子零件200與金屬板100d之距離D41小。
以下，參照圖61A及圖61B，就圖57所示之基板100(核心基板)之製造方法之一例進行說明。
首先，如圖61A所示，以包夾例如包含銅箔之金屬板100d之方式配置絕緣層4001、4002，再者在絕緣層4001上配置銅箔4001a，在絕緣層4002上配置銅箔4001b。藉此，絕緣層4001(第1絕緣樹脂層)、具有特定之圖案之金屬板 100d、及絕緣層4002(第2絕緣樹脂層)，依序積層。絕緣層4001、4002分別包含例如環氧玻璃之半固化片。金屬板100d具有例如圖59所示之圖案(X-Y平面)。金屬板100d之厚度D22例如為35 μm。
接著，加壓銅箔4001a、絕緣層4001、金屬板100d、絕緣層4002、及銅箔4001b之積層體，向金屬板100d施加壓力。藉由在半硬化之狀態下加壓絕緣層4001、4002，如圖61B所示，使樹脂分別自絕緣層4001、4002流出。藉此，於金屬板100d之側方(無金屬板100d之圖案之金屬板100d之部分)填充構成絕緣層4001或4002之樹脂，形成絕緣層4003。其後，予以加熱使絕緣層4001、4002、4003各者硬化。藉此，內置金屬板100d之基板100(核心基板)完成。
利用如此之方法製造之佈線板，如圖62所示，空腔R10(開口部)之電子零件200與基板100(核心基板)之空隙R1中填充有絕緣體101a(第1絕緣體)，基板100在金屬板100d與空腔R10之間，具有絕緣層4003(第2絕緣體)。絕緣層4003包含與絕緣體101a不同之材料。具體而言，絕緣體101a包含構成跨越空腔R10之電子零件200與基板100之空隙R1而形成於基板100上及電子零件200上之絕緣層101或102之樹脂(參照圖19A)。另一方面，絕緣層4003包含構成絕緣層4001、4002之樹脂(參照圖61B)。此處，構成絕緣層101、102之樹脂之各者較構成絕緣層4001、4002之樹脂，熱膨脹率(CTE)低。因此，絕緣體101a之熱膨脹率較絕緣層4003低。藉此，電容器與樹脂之CTE不匹配得到緩 和，從而電容器與樹脂之間之密著性提高。絕緣層101、102之各者包含例如混入無機填充材料之環氧系樹脂薄膜(無機填充材料含有率40%以上)，絕緣層4001、4002包含例如半固化片(混入玻璃基材之環氧系樹脂片)。
作為內建電子零件之佈線板之較好之一例，亦考慮圖63A所示之佈線板。以下，就圖63A所示之佈線板，以與上述實施形態不同之點為中心進行說明。
圖63A之例中，在基板100之第1面F1側，有4層之絕緣層101、103、105、107(分別為層間絕緣層)與4層之導體層110、130、150、170相互交替積層，該等構成第1堆疊部B1。又，在基板100之第2面F2側，有4層之絕緣層102、104、106、108(分別為層間絕緣層)與4層之導體層120、140、160、180相互交替積層，該等構成第2堆疊部B2。基板100之第1面F1上之導體層301、及較其上層之導體層110、130、150、170，係利用形成於各層間絕緣層之通道導體312b、332b、352b、372b，而相互電性連接。又，基板100之第2面F2上之導體層302、及較其上層之導體層120、140、160、180，係利用形成於各層間絕緣層之通道導體322b、342b、362b、382b，而相互電性連接。
圖63A之例亦與上述實施形態相同，電子連接200配置於形成於基板100之空腔R10(貫通孔)，且位於基板100之側方(X方向或Y方向)。然而，電子零件200之電極210、220僅自單面(第1面F1側)連接於通道導體311b。電子零件200之電極210、220分別經由形成於絕緣層101之通道導體 311b，電性連接於導體層110。電子零件200利用單面導通構造，內建(安裝)於佈線板。
較好之一例中，基板100包含環氧玻璃，絕緣層101、102分別包含附加樹脂(半固化片)之銅箔，絕緣層103、104、105、106、107、108分別包含ABF(Ajinomoto Build-up Fi1m(味之素積累片)：味之素精細技術株式會社製)。ABF為以2片保護片包夾絕緣材料之薄膜。
導通層110、120分別包含例如銅箔(下層)及鍍銅(上層)，且利用例如去除法形成。又，導體層130、140、150、160、170、180分別包含例如鍍銅，且利用例如半加(SAP)法形成。通道導體311b、312b、322b分別為包含例如鍍銅之保形導體，通道導體332b、342b、352b、362b、372b、382b分別為包含例如鍍銅之填充導體。
較好之一例中，基板100之厚度為600 μm，電子零件200之厚度(包含電極210、220)為550 μm，導體層301、302之厚度分別為35 μm，導體層110、120、130、140、150、160、170、180之厚度分別為60 μm。
基板100(核心基板)中形成有通孔300a，通孔300a之壁面上形成有導體膜(例如鍍銅)，藉此，形成通孔導體300d。基板100上之第1面F1上之導體層301與基板100上之第2面F2上之導體層302，係相互經由通孔導體300d而電性連接。通孔300a之形狀例如為圓柱。
通孔300a之通孔導體300d之內側(詳細而言，被通孔導體300d、焊盤300f、300g包圍之空隙)中，填充有絕緣體 300e。包含於導體層301、302之焊盤300f、300g分別如圖63B所示，為利用例如銅之電鍍形成於絕緣體300e上之面狀之導體(蓋材電鍍)，且電性連接於通孔導體300d。絕緣體300e例如包含樹脂。
導體層170為第1面F1側之最外之導體層，導體層180為第2面F2側之最外之導體層。導體層170、180上分別形成有防焊劑11、12。然而，防焊劑11、12上分別形成有開口部11a、12a。因此，導體層170之特定之部位(位於開口部11a之部位)未被防焊劑11覆蓋而露出，成為焊墊P1。又，導體層180之特定之部位(位於開口部12a之部位)成為焊墊P2。焊墊P1、P2分別於其表面上具有例如包含Ni/Au膜之耐蝕層170a、180a。耐蝕層170a、180a分別可利用例如電解電鍍或濺鍍形成。又，亦可藉由進行OSP(Organic Solderability Preservative：有機防焊劑)處理，形成包含有機保護膜之耐蝕層170a、180a。
上述圖63A所示之佈線板中，可替代通孔導體300d(保形導體)，應用上述實施形態(參照圖1等)之沙漏狀(鼓狀)之通孔導體300b(填充導體)。該情形亦與上述實施形態相同，可提高佈線板之電性連接之可靠性。
電子零件200之主表面之形狀、及空腔R10之第1開口之形狀及第2開口之形狀，並不限於大致長方形而為任意。例如如圖64A所示，空腔R10之第1開口之形狀及第2開口之形狀可為大致橢圓。又，如圖64B所示，空腔R10之第1開口之形狀及第2開口之形狀可為不相似之關係。另，圖 64B之例中，空腔R10之第1開口之形狀為大致橢圓，空腔R10之第2開口之形狀為大致長方形。
又，電子零件200之主表面之形狀、及空腔R10之第1開口之形狀及第2開口之形狀，可為大致圓(大致正圓)。又，可為大致正方形、大致正六角形、大致正八角形等大致長方形以外之大致多角形。另，多角形之角之形狀為任意，例如可為大致直角、鈍角、銳角、圓。
上述實施形態2、3之佈線板20、30，雖於第2面F2側(與錐形面C11相反側)具有電性連接於電子零件200之電極210、220之通道導體321b，但並不限定於此。例如如圖65所示，可為在基板100之第1面F1側(具有錐形面C11之側)具有電性連接於電子零件200之電極210、220之通道導體311b(形成於絕緣層101之孔311a內之導體)之佈線板。
可為於核心基板之單側具有2層以上之堆疊層之內建電子零件之佈線板。例如如圖66所示，可在基板100之第1面F1側，使2層之絕緣層101、103與2層之導體層110、130交替積層；在基板100之第2面F2側，使2層之絕緣層102、104與2層之導體層120、140交替積層。圖66之例中，絕緣層103中形成有孔331a(導體孔)，孔331a內填充有導體(例如銅之電鍍)，藉此，其孔331a內之導體成為通道導體331b(填充導體)。絕緣層101上之導體層110與絕緣層103上之導體層130係經由通道導體331b而相互電性連接。又，絕緣層104中形成有孔341a(導體孔)，孔341a內填充有導體(例如銅之電鍍)，藉此，其孔341a內之導體成為通道導體 341b(填充導體)。絕緣層102上之導體層120與絕緣層104上之導體層140係經由通道導體341b而相互電性連接。
基板100之第1面F1側與基板100之第2面F2側中，堆疊層之數量可不同。然而，認為為緩和應力，較好為在基板100之第1面F1側與基板100之第2面F2側中，使堆疊層之數量相同，並提高正反之對稱性。
上述實施形態2中，雖顯示了在核心基板之兩側具有導體層之兩面佈線板(佈線板20)，但並不限於此。例如如圖67所示，可為僅在核心基板(基板100)之單側具有導體層之單面佈線板。又，圖67中，雖顯示了僅在第1面F1側(具有錐形面C11之側)具有導體層110之單面佈線板，但並不限定於此。例如如圖68所示，可為僅在第2面F2側(與錐形面C11相反之側)具有導體層120、140之單面佈線板。
又，例如如圖67所示，空腔R10(電子零件200之收納空間)可為不貫通基板100之孔(凹部)。該情形亦認為電子零件200之厚度與空腔R10(孔)之深度大致一致較好。
上述各實施形態中，雖顯示了基板100之厚度與電子零件200之厚度大致一致之例，但並不限於此。例如如圖67所示，基板100之厚度可較電子零件200之厚度大。
如圖69所示，可為在表面具有空腔R10之佈線板。圖69之例中，空腔R10之電子零件200與基板100之空隙中，雖填充有絕緣體101a，但並不限定於此。例如可以黏著劑等，將電子零件200部分地固定於基板100。
可為在核心基板之兩側具有錐形面之佈線板。如圖70所 示，基板100之側面F10(空腔R10之內壁)與第1面F1之角中可形成有錐形面C11，基板100之側面F10(空腔R10之內壁)與第2面F2之角中可形成有錐形面C12。若在基板100之兩側形成錐形面C11、C12，則可在製造時可省略配合基板100之朝向(正/反)之步驟等。
上述各實施形態中，錐形面C11形成於空腔R10之全周緣部。然而並不限於此，例如如圖71所示，錐形面C11可部分地形成於空腔R10之周緣部。圖71之例中，用以將電子零件200收納於空腔R10之間隙，在X方向與Y方向上相互不同，空腔R10之全周緣部(4邊)之中，可僅在間隙較小之部分(例如對向之2邊)中，形成有錐形面C11。
上述各實施形態中，雖第1層100a不包含無機材料，但並不限定於此。例如如圖72所示，認為第1層100a較第2層100b包含較少之無機材料之情形亦容易形成錐形面C11。
又，基板100，例如如圖73所示，可自第1面F1向第2面F2，依序具有材質不同之第1層100a、第2層100b、及第3層100c。圖73之例中，第1層100a不包含無機材料，第2層100b包含無機材料，第3層100c較第2層100b包含更多無機材料。且，相鄰空腔R10之基板100之側面F10包含第2層100b之側面F12及第3層100c之側面F11。該例中，圖73中，側面F12之錐形角度θ22較錐形面C11之錐形角度θ21小。
又，基板100，例如如圖74所示，可自第1面F1向第2面F2，依序具有材質不同之第1層100a、第2層100b。圖74之 例中，第1層100a不包含無機材料，第2層100b包含無機材料。
可為在基板100之內層具有無機材料最多之層之佈線板。例如如圖75所示，基板100，可自第1面F1向第2面F2，具有不包含無機材料之第1層100a、包含無機材料之第2層100b、及不包含無機材料之第3層100c。若為如此之構造，側易在基板100之兩側形成錐形面C11、C12。認為第1層100a及第3層100c(錐形面C11及C12)較好為分別較電子零件200薄。
第1層100a之材質與第2層100b之材質，可在無機材料之含有量以外之點上不同。例如第1層100a與第2層100b可包含不同之樹脂。該情形亦認為若第1層100a較第2層100b，相對於基板100之加工(例如雷射加工)更強，則易形成錐形面C11。
上述各實施形態中，雖以雷射加工形成錐形面C11，但並不限定於此，認為以乾式蝕刻等形成錐形面C11之情形亦可利用材質不同之第1層100a及第2層100b容易地形成錐形面C11。然而，認為根據雷射加工，可得到尤其良好之錐形面C11。
如圖76所示，基板100(核心基板)可內建金屬板100d(例如銅箔)。如此之基板100中，利用金屬板100d散熱性提高。圖76之例中，到達至金屬板100d之通道導體100e形成於基板100，金屬板100d與接地線(包含於導體層301、302之導體圖案)係經由通道導體100e而相互電性連接。
內建金屬板之基板，與未內建金屬板之基板相比較，易變厚。因此，內建金屬板之基板，易較配置於基板之開口部之電子零件厚。又，內建於基板之金屬板之厚度越大，基板之厚度越易變大。且，基板之厚度越大，基板之厚度與電子零件之厚度之差越易變大。
若基板之厚度與電子零件之厚度之差變大，則將電子零件裝入形成於基板之開口部之步驟中，安裝機易撞擊基板。然而，圖76所示之佈線板中，藉由基板100中形成有錐形面C11，可抑制如此之安裝機與基板100之干擾。以下，參照圖77A~圖78，就該點進一步進行說明。
圖77A中，顯示包含未形成有錐形面C11之基板100(核心基板)之佈線板。如此之佈線板之製造製程中，在使電子零件200進入形成於基板100之空腔R10之情形下，例如利用真空夾頭使安裝機3000a保持電子零件200。且，在使其安裝機3000a移動至空腔R10之上方(Z1側)之後，為使電子零件200進入空腔R10，自其處徐徐地使安裝機3000a接近基板100。此時，電子零件200由於較空腔R10較小，故可通過空腔R10，而安裝機3000a由於未必較空腔R10小，故根據安裝機3000a之大小，如圖77B所示，安裝機3000a會撞擊基板100(尤其是其角)。
該點，圖76所示之佈線板中，基板100，在相鄰空腔R10之基板100之側面F10(空腔R10之內壁)與第1面F1之角中，具有自第1面F1向第2面F2縮短空腔R10之寬度之錐形面C11。藉由基板100上形成有錐形面C11，將基板100之側面 F10與第1面F1之角倒角，在安裝機3000a易干擾之基板100之第1面F1側使空腔R10之寬度變寬。其結果，如圖78所示，安裝機3000a與基板100變得不易干擾(接觸)。
如此之安裝機3000a與基板100之干擾，在圖78中，基板100之厚度D51與電子零件200之厚度D53之差(D51-D53)約為20 μm以上之情形下尤其容易產生。該點，由於根據基板100上形成有錐形面C11之佈線板，可如上所述般抑制安裝機3000a與基板100之干擾，故可使製造基板100之厚度D51與電子零件200之厚度D53之差(D51-D53)約為20 μm以上之佈線板之情形之良率提高。
又，為確保散熱性或強度，金屬板100d之厚度D52較好為約30 μm以上。然而，由於金屬板100d越厚基板100越厚，故在使電子零件200進入空腔R10之步驟中，安裝機3000a與基板100之干擾易產生。該點，由於根據基板100上形成有錐形面C11之佈線板，可如上所述般抑制安裝機3000a與基板100之干擾，故可使製造內建金屬板100d之佈線板之情形之良率提高。
如圖78所示，錐形面C11較好為形成於自第1面F1較電子零件200之第3面F3深之位置。即，錐形面C11之深度D54較好為較基板100之厚度D51與電子零件200之厚度D53之差大(D54>D51-D53)。藉此，在安裝機3000a較錐形面C11更深前，電子零件200之配置(收納)易結束。其結果，安裝機3000a與基板100(尤其其角)變得不易干擾。
較好之一例中，基板100之厚度D51約為180 μm，電子 零件200之厚度D53約為140 μm，錐形面C11之深度D54約為40 μm，金屬板100d之厚度D52約為35 μm。基板100之厚度D51與電子零件200之厚度D53之差(D51-D53)約為40 μm。
金屬板100d之平面形狀為任意，既可例如如圖79A所示般為四角形，亦可例如如圖79B所示般為圓。
金屬板100d，例如如圖80所示，可以包圍空腔R10之方式形成。圖80之例中，空腔R10之四方中，配置有通孔導體300b。基板100(核心基板)上，形成有通孔導體300b之焊盤301b與連接於焊盤301b之佈線301c。導體層301上包含焊盤301b及佈線301c。
圖80之例中，在除去基板100(核心基板)之貫通部(空腔R10或通孔300a等)附近之大致全面中，設置有金屬板100d。金屬板100d係避開貫通部附近(例如自貫通部距離D40之範圍)而形成。又，基板100(核心基板)上之導體層301，形成於較金屬板100d距離空腔R10更遠之位置。即，導體層301及金屬板100d分別係避開空腔R10附近而形成。再者，金屬板100d之一部分係配置於通孔導體300b(或通孔300a)與空腔R10之間。
基板100(核心基板)上之導體層301，例如如圖81A~圖81C所示，可形成於較金屬板100d更靠近空腔R10之位置。
圖81A之例中，通孔導體300b之焊盤301b，形成於較金屬板100d更靠近空腔R10之位置。即，電子零件200與焊盤 301b之距離D42較電子零件200與金屬板100d之距離D41小。
圖8lB之例中，包含於導體層301之增強圖案301d形成於較金屬板100d更靠近空腔R10之位置。即，電子零件200與增強圖案301d之距離D43較電子零件200與金屬板100d之距離D41小。圖81B之例中，具有環狀之外形之增強圖案301d，以包圍空腔R10之方式形成。
圖81C之例中，包含於導體層301之佈線圖案301e形成於較金屬板100d更靠近空腔R10之位置。即，電子零件200與佈線圖案301e之距離D44較電子零件200與金屬板100d之距離D41小。
以下，參照圖82A及圖82B，就圖76所示之基板100(核心基板)之製造方法之一例進行說明。
首先，如圖82A所示，以包夾例如包含銅箔之金屬板100d之方式配置絕緣層4001、4002，再者在絕緣層4001上配置銅箔4001a，在絕緣層4002上配置銅箔4001b。藉此，絕緣層4001(第1絕緣樹脂層)、具有特定之圖案之金屬板100d、及絕緣層4002(第2絕緣樹脂層)，以該順序積層。絕緣層4001、4002分別包含例如環氧玻璃之半固化片。金屬板100d具有例如圖80所示之圖案(X-Y平面)。
接著，加壓銅箔4001a、絕緣層4001、金屬板100d、絕緣層4002、及銅箔4001b之積層體，向金屬板100d施加壓力。藉由在半硬化之狀態下加壓絕緣層4001、4002，如圖82B所示，使樹脂分別自絕緣層4001、4002流出。藉此， 於金屬板100d之側方(無金屬板100d之圖案之金屬板100d之部分)填充構成絕緣層4001或4002之樹脂，形成絕緣層4003。其後，加熱使絕緣層4001、4002、4003各者硬化。藉此，內置金屬板100d之基板100(核心基板)完成。
利用如此之方法製造之佈線板，如圖83所示，空腔R10之電子零件200與基板100(核心基板)之空隙R1中填充有絕緣體101a(第1絕緣體)，基板100，在金屬板100d與空腔R10之間，具有絕緣層4003(第2絕緣體)。絕緣層4003包含與絕緣體101a不同之材料。具體而言，絕緣體101a包含構成跨越空腔R10之電子零件200與基板100之空隙R1而形成於基板100上及電子零件200上之絕緣層101或102之樹脂。另一方面，絕緣層4003包含構成絕緣層4001、4002之樹脂(參照圖82B)。此處，構成絕緣層101、102之樹脂之各者較構成絕緣層4001、4002之樹脂，熱膨脹率(CTE)低。因此，絕緣體101a之熱膨脹率較絕緣層4003更低。藉此，電容器與樹脂之CTE不匹配得以緩和，從而使電容器與樹脂之間之密著性提高。絕緣層101、102之各者包含例如混入無機填充材料之環氧系樹脂薄膜(無機填充材料含有率40%以上)，絕緣層4001、4002包含例如半固化片(混入玻璃基材之環氧系樹脂片)。
上述各實施形態中，雖顯示了空腔R10(電子零件200之收納空間)中僅具有1個電子零件200之佈線板，但並不限於此。例如可為空腔R10中具有複數個電子零件200之佈線板。複數個電子零件200，既可排列配置於積層方向(Z方 向)，亦可排列配置於X方向或Y方向。又，可形成複數個空腔R10。
關於其他之點，上述佈線板10、20、30(內建電子零件之佈線板)之構成，尤其，構成要件之種類、性能、尺寸、材質、形狀、層數、或配置等，亦可在不脫離本發明之宗旨之範圍內任意更改。
電子零件200之電極210及220之形狀，並不限定於U字形狀，例如可為以平板狀之電極對包夾電容器主體201者。
電子零件200之種類，並不限於MLCC而為任意。例如除電容器、電阻、線圈等之被動零件之外，可採用IC電路等之主動零件等任意之電子零件。然而，由於晶片電容器易開裂，故抑制配置於空腔R10時之開裂一事之重要性尤其高。
電子零件200之電極210及220之形狀，並不限定於U字形狀，例如可為以平板狀之電極對包夾電容器主體201者。
例如通道導體311b等，並不限於填充導體，例如可為保形導體。
亦可不以通道連接(通道導體311b、321b)安裝電子零件200，而以引線接合連接等其他之方法進行安裝。
內建電子零件之佈線板之製造方法並非限定於上述圖7或圖31所示之順序或內容者，可在不脫離本發明之宗旨之範圍內任意變更順序或內容。又，根據用途等，可放棄不必要之步驟。
例如錐形面C11之形成，可與空腔R10之形成同時進 行，可在空腔R10之形成前進行，亦可在空腔R10之形成後進行。
例如各導體層之形成方法為任意。例如可以面板電鍍法、圖案電鍍法、全加成法、半加成(SAP)法、相減法、轉印法、及蓋孔法之任一者、或任意組合該等之2個以上之方法而形成導體層。
又，可替代雷射，以濕式或乾式之蝕刻進行加工。在以蝕刻進行加工之情形下，認為較好的是預先以抗蝕劑等保護不欲除去之部分。
上述實施形態或變化例等可任意組合。認為較好的是根據用途等選擇適切之組合。可將例如圖46或圖49所示之構造應用於圖52~圖63B之任一者所示之構造。又，可將例如圖64A、圖64B之任一者所示之構造應用於圖65~圖83之任一者所示之構造。又，可將例如圖66或圖70等所示之構造應用於兩面導通構造(參照實施形態3)。
以上，雖就本發明之實施形態進行了說明，但根據設計上之情況或其他之主要原因所必要之各種各樣之修改或組合，應理解為包含於對應「請求項」中記載之發明或「實施方式」中記載之具體例之發明之範圍。
[產業上之可利用性]
本發明之內建電子零件之佈線板應用於實現移動電話等之電路基板。又，本發明之內建電子零件之佈線板之製造方法應用於移動電話等之電路基板之製造。
10‧‧‧佈線板
11‧‧‧防焊劑
11a‧‧‧開口部
12‧‧‧防焊劑
12a‧‧‧開口部
20‧‧‧佈線板
30‧‧‧佈線板
100‧‧‧基板
100a‧‧‧第1層
100b‧‧‧第2層
100c‧‧‧第3層
100d‧‧‧金屬板
100e‧‧‧通道導體
101‧‧‧絕緣層
101a‧‧‧絕緣體
102‧‧‧絕緣層
103‧‧‧絕緣層
104‧‧‧絕緣層
105‧‧‧絕緣層
106‧‧‧絕緣層
107‧‧‧絕緣層
108‧‧‧絕緣層
110‧‧‧導體層
111‧‧‧銅箔
112‧‧‧鍍銅
120‧‧‧導體層
121‧‧‧銅箔
122‧‧‧鍍銅
130‧‧‧導體層
140‧‧‧導體層
150‧‧‧導體層
160‧‧‧導體層
170‧‧‧導體層
170a‧‧‧耐蝕層
180‧‧‧導體層
180a‧‧‧耐蝕層
200‧‧‧電子零件
201‧‧‧電容器主體
210‧‧‧電極
210a‧‧‧上部
210b‧‧‧側部
210c‧‧‧下部
211‧‧‧導體層
212‧‧‧導體層
213‧‧‧導體層
214‧‧‧導體層
220‧‧‧電極
220a‧‧‧上部
220b‧‧‧側部
220c‧‧‧下部
221‧‧‧導體層
222‧‧‧導體層
223‧‧‧導體層
224‧‧‧導體層
231‧‧‧介電層
232‧‧‧介電層
233‧‧‧介電層
234‧‧‧介電層
235‧‧‧介電層
236‧‧‧介電層
237‧‧‧介電層
238‧‧‧介電層
239‧‧‧介電層
300a‧‧‧通孔
300b‧‧‧通孔導體
300c‧‧‧縮頸部
300d‧‧‧通孔導體
300e‧‧‧絕緣體
300f‧‧‧焊盤
300g‧‧‧焊盤
301‧‧‧導體層
301a‧‧‧對置標記
301b‧‧‧焊盤
301c‧‧‧佈線
301d‧‧‧增強圖案
301e‧‧‧佈線圖案
302‧‧‧導體層
311a‧‧‧孔
311b‧‧‧通道導體
312a‧‧‧孔
312b‧‧‧通道導體
321a‧‧‧孔
321b‧‧‧通道導體
322a‧‧‧孔
322b‧‧‧通道導體
331a‧‧‧孔
331b‧‧‧通道導體
332a‧‧‧孔
332b‧‧‧通道導體
341a‧‧‧孔
341b‧‧‧通道導體
342a‧‧‧孔
342b‧‧‧通道導體
352b‧‧‧通道導體
362b‧‧‧通道導體
372b‧‧‧通道導體
382b‧‧‧通道導體
400‧‧‧電子零件
500‧‧‧佈線板
1000‧‧‧兩面覆銅積層板
1001‧‧‧銅箔
1002‧‧‧銅箔
1003‧‧‧孔
1003a‧‧‧孔
1003b‧‧‧孔
1004‧‧‧孔
1005‧‧‧電鍍
1005a‧‧‧無電解電鍍膜
1005b‧‧‧電解電鍍
1006‧‧‧載體
1007‧‧‧無電解電鍍膜
1008‧‧‧無電解電鍍膜
1009‧‧‧抗蝕劑
1009a‧‧‧開口部
1010‧‧‧抗蝕劑
1010a‧‧‧開口部
2001‧‧‧載體
2003‧‧‧銅箔
2004‧‧‧銅箔
3000‧‧‧佈線板
3000a‧‧‧安裝機
3001‧‧‧導體層
3002‧‧‧導體層
4001‧‧‧絕緣層
4001a‧‧‧銅箔
4001b‧‧‧銅箔
4002‧‧‧絕緣層
4003‧‧‧絕緣層
B1‧‧‧第1堆疊部
B2‧‧‧第2堆疊部
C11‧‧‧錐形面
C12‧‧‧錐形面
C21‧‧‧曲面
C22‧‧‧曲面
F0‧‧‧基準面
F1‧‧‧第1面
F2‧‧‧第2面
F3‧‧‧第3面
F4‧‧‧第4面
F10‧‧‧側面
F11‧‧‧側面
F12‧‧‧側面
F20‧‧‧側面
F21‧‧‧下表面
F22‧‧‧側面
F30‧‧‧側面
F100‧‧‧邊界面
P1‧‧‧焊墊
P2‧‧‧焊墊
R1‧‧‧空隙
R10‧‧‧空腔
R11‧‧‧第1導體部
R12‧‧‧第2導體部
R21‧‧‧導體部
R22‧‧‧導體部
R100‧‧‧區域
S‧‧‧填充堆積
圖1係本發明之實施形態1之佈線板之剖面圖。
圖2A係形成於圖1中之核心基板之通孔導體之放大圖。
圖2B係圖2A所示之通孔導體之俯視圖。
圖3係本發明之實施形態1之內建於佈線板之電容器之剖面圖。
圖4係顯示在本發明之實施形態1之佈線板上，收納於空腔之電容器之配置及形態之俯視圖。
圖5A係形成於核心基板之第1面側之第1堆疊部所包含之通道導體之放大圖。
圖5B係形成於核心基板之第2面側之第2堆疊部所包含之通道導體之放大圖。
圖6係顯示具有厚度方向之中央部向兩端部更外側凸出之側面電極之電容器之圖。
圖7係顯示本發明之實施形態1之佈線板之製造方法之流程圖。
圖8係用以說明在圖7所示之製造方法中準備基板(核心基板)之步驟之圖。
圖9係用以說明在圖7所示之製造方法中在基板中形成通孔導體及導體層之第1步驟之圖。
圖10係用以說明圖9之步驟之後之第2步驟之圖。
圖11係用以說明圖10之步驟之後之第3步驟之圖。
圖12A係顯示利用圖9~圖11所示之步驟形成之導體層之形狀之第1例之圖。
圖12B係顯示利用圖9~圖11所示之步驟形成之導體層之 形狀之第2例之圖。
圖13係用以說明在圖7所示之製造方法中，形成空腔之步驟之圖。
圖14係顯示圖7所示之製造方法中，空腔形成後之基板之圖。
圖15係用以說明圖7所示之製造方法中，將形成有空腔之基板安裝於載體之步驟之圖。
圖16係用以說明圖7所示之製造方法中，在空腔內配置電容器之步驟之圖。
圖17係顯示圖7所示之製造方法中，空腔內配置有電容器之狀態之圖。
圖18係用以說明圖7所示之製造方法中，在絕緣基板上及電容器上，形成第1層間絕緣層及第1銅箔之步驟之圖。
圖19A係用以說明圖7所示之製造方法中加壓步驟之圖。
圖19B係顯示圖19A之加壓後之狀態之圖。
圖20係用以說明圖7所示之製造方法中，載體除去後，在絕緣基板上及電容器上，形成第2層間絕緣層及第2銅箔之步驟之圖。
圖21係用以說明圖7所示之製造方法中，在第1、第2層間絕緣層上形成導體層，將各導體層之導體圖案與電容器之電極相互電性連接之第1步驟之圖。
圖22A係用以說明圖21之步驟之後之第2步驟之圖。
圖22B係用以說明圖22A之步驟之後之第3步驟之圖。
圖22C係用以說明圖22B之步驟之後之第4步驟之圖。
圖23係用以說明圖22C之步驟之後之第5步驟之圖。
圖24係顯示本發明之實施形態1之佈線板之表面上安裝有電子零件之狀態之圖。
圖25係顯示本發明之實施形態2之內建電子零件之佈線板之剖面圖。
圖26係顯示本發明之實施形態2之內建電子零件之佈線板上，有電子零件收納於核心基板之開口部之狀態之俯視圖。
圖27係內建於佈線板之電子零件之剖面圖。
圖28係顯示實施形態2之錐形面之形態之剖面圖。
圖29A係顯示實施形態2之錐形面之形態之第1變化例之剖面圖。
圖29B係顯示實施形態2之錐形面之形態之第2變化例之剖面圖。
圖30A係顯示實施形態2之電子零件之曲面之形態之剖面圖。
圖30B係顯示實施形態2之電子零件之曲面之形態之第1變化例之剖面圖。
圖30C係顯示實施形態2之電子零件之曲面之形態之第2變化例之剖面圖。
圖31係顯示本發明之實施形態2之內建電子零件之佈線板之製造方法之流程圖。
圖32係用以說明實施形態2之製造方法中，準備基板之步驟之剖面圖。
圖33係用以說明圖32之步驟之後，雷射加工基板之步驟之俯視圖。
圖34係用以說明實施形態2之雷射加工之剖面圖。
圖35A係顯示實施形態2之利用雷射加工形成有開口部之基板之剖面圖。
圖35B係用以說明實施形態2之製造方法中，於基板之單側設置載體之步驟之剖面圖。
圖35C係用以說明實施形態2之製造方法中，準備具有曲面之電子零件之步驟之剖面圖。
圖36A係顯示實施形態2之製造方法中，將電子零件裝入開口部之步驟之第1狀態之剖面圖。
圖36B係顯示圖36A所示之第1狀態之後之第2狀態之剖面圖。
圖36C係顯示圖36B所示之第2狀態之後之第3狀態之剖面圖。
圖37A係用以說明基於第1錐形角度之作用之剖面圖。
圖37B係用以說明基於第2錐形角度之作用之剖面圖。
圖37C係用以說明基於第3錐形角度之作用之剖面圖。
圖38係顯示實施形態2之製造方法中，基板之開口部中配置有電子零件之狀態之剖面圖。
圖39A係用以說明實施形態2之製造方法中，在基板上及開口部上形成絕緣層之步驟之圖。
圖39B係用以說明圖39A之步驟之後之加壓步驟之圖。
圖40A係顯示利用圖39B之加壓步驟於基板之開口部中 填充有絕緣體之樣子之圖。
圖40B係顯示圖39B之加壓後之狀態之圖。
圖41A係用以說明實施形態2之製造方法中，堆疊之第1步驟之圖。
圖41B係用以說明圖41A之步驟之後之第2步驟之圖。
圖41C係用以說明圖41B之步驟之後之第3步驟之圖。
圖42係本發明之實施形態3之內建電子零件之佈線板之剖面圖。
圖43係用以說明實施形態3之製造方法中，準備成為起始材料之佈線板之步驟之剖面圖。
圖44A係用以說明圖43之步驟之後，雷射加工基板之步驟之俯視圖。
圖44B係用以說明實施形態3之雷射加工之變化例之俯視圖。
圖45係用以說明實施形態3之雷射加工之剖面圖。
圖46係顯示本發明之另一實施形態中，形成於核心基板之通孔導體之第1其他例之圖。
圖47A係用以就圖46所示之通孔導體之製造方法之一例，說明第1步驟之圖。
圖47B係用以說明圖47A之步驟之後之第2步驟之圖。
圖47C係用以說明圖47B之步驟之後之第3步驟之圖。
圖48A係用以說明圖47C之步驟之後之第4步驟之圖。
圖48B係用以說明圖48A之步驟之後之第5步驟之圖。
圖49係顯示本發明之另一實施形態中，形成於核心基板 之通孔導體之第2其他例之圖。
圖50A係用以就圖49所示之通孔導體之製造方法之一例，說明第1步驟之圖。
圖50B係用以說明圖50A之步驟之後之第2步驟之圖。
圖50C係用以說明圖50B之步驟之後之第3步驟之圖。
圖51A係用以說明圖50C之步驟之後之第4步驟之圖。
圖51B係用以說明圖51A之步驟之後之第5步驟之圖。
圖52係顯示本發明之另一實施形態中，形成於核心基板之通孔導體之第3其他例之圖。
圖53係顯示本發明之另一實施形態之佈線板上，空腔之形狀之圖。
圖54A係顯示作為填充導體之平面形狀之其他例之正四角形之圖。
圖54B係顯示作為填充導體之平面形狀之其他例之十字形之圖。
圖54C係顯示作為填充導體之平面形狀之其他例之正多角星形之圖。
圖55係顯示本發明之另一實施形態中單面佈線板之圖。
圖56係顯示本發明之另一實施形態中，具有更多層之構造之佈線板之圖。
圖57係顯示本發明之另一實施形態中，具有內建金屬板之核心基板之佈線板之圖。
圖58A係顯示圖57所示之佈線板所使用之金屬板之第1形態之圖。
圖58B係顯示圖57所示之佈線板所使用之金屬板之第2形態之圖。
圖59係顯示圖57所示之佈線板中，內建於佈線板之金屬板與核心基板上之導體層之第1形態之圖。
圖60A係顯示圖57所示之佈線板中，內建於佈線板之金屬板與核心基板上之導體層之第2形態之圖。
圖60B係顯示圖57所示之佈線板中，內建於佈線板之金屬板與核心基板上之導體層之第3形態之圖。
圖60C係顯示圖57所示之佈線板中，內建於佈線板之金屬板與核心基板上之導體層之第4形態之圖。
圖61A係用以說明製造圖57所示之佈線板所使用之核心基板之第1步驟之圖。
圖61B係用以說明圖61A之步驟之後之第2步驟之圖。
圖62係顯示圖57所示之佈線板中，配置於形成於核心基板之開口部之電容器與核心基板之邊界部周邊之圖。
圖63A係顯示內建電子零件之佈線板之較好之一例之剖面圖。
圖63B係圖63A所示之通孔導體之俯視圖。
圖64A係顯示開口部之形狀之第1變化例之俯視圖。
圖64B係顯示開口部之形狀之第2變化例之俯視圖。
圖65係顯示就另一實施形態，在具有核心基板之錐形面側具有電性連接於電子零件之通道導體之內建電子零件之佈線板之剖面圖。
圖66係顯示就另一實施形態，在核心基板之單側具有2 層以上之堆疊層之內建電子零件之佈線板之剖面圖。
圖67係顯示就另一實施形態，僅在核心基板之單側具有導體層之內建電子零件之佈線板之第1例之剖面圖。
圖68係顯示就另一實施形態，僅在核心基板之單側具有導體層之內建電子零件之佈線板之第2例之剖面圖。
圖69係顯示表面上具有開口部之內建電子零件之佈線板之剖面圖。
圖70係顯示核心基板之兩側具有錐形面之內建電子零件之佈線板之剖面圖。
圖71係顯示開口部之周緣部中局部地形成有錐形面之內建電子零件之佈線板之剖面圖。
圖72係顯示材質不同之第1層及第2層之第1例之剖面圖。
圖73係顯示材質不同之第1層及第2層之第2例之剖面圖。
圖74係顯示材質不同之第1層及第2層之第3例之剖面圖。
圖75係顯示材質不同之第1層及第2層之第4例之剖面圖。
圖76係顯示本發明之另一實施形態中，具有內建金屬板之核心基板之內建電子零件之佈線板之剖面圖。
圖77A係用以說明包含開口部之內壁之角中未形成有錐形面之核心基板之佈線板之製造製程中，將電子零件裝入形成於核心基板之開口部之步驟之圖。
圖77B係顯示圖77A所示之步驟中，安裝機與核心基板干涉之樣子之圖。
圖78係用以說明圖76所示之佈線板之製造製程中，將電子零件裝入形成於核心基板之開口部之步驟之圖。
圖79A係顯示圖76所示之佈線板所使用之金屬板之第1形態之圖。
圖79B係顯示圖76所示之佈線板所使用之金屬板之第2形態之圖。
圖80係顯示圖76所示之佈線板中，內建於佈線板之金屬板與核心基板上之導體層之第1形態之圖。
圖81A係顯示圖76所示之佈線板中，內建於佈線板之金屬板與核心基板上之導體層之第2形態之圖。
圖81B係顯示圖76所示之佈線板中，內建於佈線板之金屬板與核心基板上之導體層之第3形態之圖。
圖81C係顯示圖76所示之佈線板中，內建於佈線板之金屬板與核心基板上之導體層之第4形態之圖。
圖82A係用以說明製造圖76所示之佈線板所使用之核心基板之第1步驟之圖。
圖82B係用以說明圖82A之步驟之後之第2步驟之圖。
圖83係顯示圖76所示之佈線板中，配置於形成於核心基板之開口部之電子零件與核心基板之邊界部周邊之圖。
10‧‧‧佈線板
11‧‧‧防焊劑
11a‧‧‧開口部
12‧‧‧防焊劑
12a‧‧‧開口部
100‧‧‧基板
101‧‧‧絕緣層
101a‧‧‧絕緣體
102‧‧‧絕緣層
110‧‧‧導體層
111‧‧‧銅箔
112‧‧‧鍍銅
120‧‧‧導體層
121‧‧‧銅箔
122‧‧‧鍍銅
200‧‧‧電子零件
210‧‧‧電極
220‧‧‧電極
300a‧‧‧通孔
300b‧‧‧通孔導體
300c‧‧‧縮頸部
301‧‧‧導體層
302‧‧‧導體層
311a‧‧‧孔
311b‧‧‧通道導體
312a‧‧‧孔
312b‧‧‧通道導體
321a‧‧‧孔
321b‧‧‧通道導體
322a‧‧‧孔
322b‧‧‧通道導體
B1‧‧‧第1堆疊部
B2‧‧‧第2堆疊部
F0‧‧‧基準面
F1‧‧‧第1面
F2‧‧‧第2面
F3‧‧‧第3面
F4‧‧‧第4面
P1‧‧‧焊墊
P2‧‧‧焊墊
R1‧‧‧空隙
R10‧‧‧空腔
S‧‧‧填充堆積

Claims (30)

  1. 一種內建電子零件之佈線板，其包含：具有第1面、該第1面之相反側之第2面、及開口部之基板；及具有第3面及該第3面之相反側之第4面，且將該第3面以與上述基板之第1面為相同朝向之方式配置於上述開口部之電子零件，其特徵為：上述電子零件在其側面與上述第4面之角具有曲面；上述基板在上述開口部之內壁與上述第1面之角，自上述第1面向上述第2面具有錐形(taper)面；上述基板自上述第1面向上述第2面依序具有材質不同之第1層及第2層。
  2. 如請求項1之內建電子零件之佈線板，其中於上述開口部之上述基板與上述電子零件之間，填充有絕緣體。
  3. 如請求項2之內建電子零件之佈線板，其中於上述基板上及上述開口部上，具有包含樹脂之絕緣層；上述絕緣體包含構成上述絕緣層之樹脂。
  4. 如請求項1至3中任一項之內建電子零件之佈線板，其中上述電子零件為被動零件。
  5. 如請求項4之內建電子零件之佈線板，其中上述電子零件為晶片電容器。
  6. 如請求項1至3中任一項之內建電子零件之佈線板，其中上述開口部之內壁包含利用雷射之切斷面。
  7. 如請求項1之內建電子零件之佈線板，其中上述第1層與上述第2層分別包含樹脂；上述第2層包含無機材料；上述第1層包含較上述第2層少之無機材料，或不包含無機材料。
  8. 如請求項1至3中任一項之內建電子零件之佈線板，其中上述曲面包含上述電子零件之電極之表面。
  9. 如請求項8之內建電子零件之佈線板，其中上述電子零件之電極之至少上述表面包含電鍍(plating)膜。
  10. 如請求項1至3中任一項之內建電子零件之佈線板，其中於上述基板上及上述電子零件上具有絕緣層；於上述絕緣層，形成有與上述電子零件之電極電性連接之通道導體。
  11. 如請求項1至3中任一項之內建電子零件之佈線板，其中上述開口部之內壁包含相對於上述第2面大致垂直之面。
  12. 如請求項1至3中任一項之內建電子零件之佈線板，其中上述開口部包含貫通上述基板之孔；於上述基板之上述第2面上具有絕緣層；上述絕緣層封塞上述孔之一方之開口。
  13. 如請求項1至3中任一項之內建電子零件之佈線板，其中上述基板與上述電子零件之空隙之最大值在約0μm~約100μm之範圍內。
  14. 如請求項1至3中任一項之內建電子零件之佈線板，其中上述曲面之曲率半徑在約20μm~約40μm之範圍內。
  15. 如請求項1至3中任一項之內建電子零件之佈線板，其中上述基板較上述電子零件厚；上述錐形面係自上述第1面形成至較上述電子零件之上述第3面更深之位置。
  16. 如請求項1至3中任一項之內建電子零件之佈線板，其中上述基板較上述電子零件厚；上述基板之厚度與上述電子零件之厚度之差為約20μm以上。
  17. 一種內建電子零件之佈線板之製造方法，其特徵為包含：準備具有第1面、及該第1面之相反側之第2面之基板；準備具有第3面、及該第3面之相反側之第4面，且於上述第4面與側面之角具有曲面之電子零件；在上述基板形成開口部；在上述開口部之內壁與上述第1面之角，自上述第1面向上述第2面形成錐形面；及使上述第3面與上述第1面為相同朝向而將上述電子零件配置於上述開口部；上述基板自上述第1面朝向上述第2面依序具有材質不同之第1層及第2層。
  18. 如請求項17之內建電子零件之佈線板之製造方法，其中 上述開口部係利用雷射形成。
  19. 如請求項18之內建電子零件之佈線板之製造方法，其中上述雷射係以至少貫通上述第1層而到達上述第2層之方式，照射於上述基板之上述第1面。
  20. 如請求項19之內建電子零件之佈線板之製造方法，其中上述第1層與上述第2層分別包含樹脂；上述第2層包含無機材料；上述第1層包含較上述第2層少之無機材料，或不包含無機材料。
  21. 如請求項17至20中任一項之內建電子零件之佈線板之製造方法，其中一面使上述電子零件之上述曲面與上述錐形面接觸，一面將上述電子零件配置於上述開口部。
  22. 如請求項17至20中任一項之內建電子零件之佈線板之製造方法，其中包含：在上述基板上及上述開口部上，形成包含樹脂之絕緣層；在上述開口部之上述基板與上述電子零件之間，填充構成上述絕緣層之樹脂；及使上述填充之樹脂硬化。
  23. 如請求項22之內建電子零件之佈線板之製造方法，其中上述絕緣層係在半硬化之狀態下形成於上述基板上及上述開口部上；上述樹脂之填充係藉由在半硬化之狀態下加壓上述絕 緣層，使上述樹脂自上述絕緣層流出而流入上述開口部。
  24. 如請求項17至20中任一項之內建電子零件之佈線板之製造方法，其中上述開口部包含貫通上述基板之孔；且包含：在將上述電子零件配置於上述開口部之前，以黏著片封塞上述孔之一方之開口。
  25. 如請求項24之內建電子零件之佈線板之製造方法，其中上述電子零件之配置，係自上述經封塞之開口之相反側將上述電子零件裝入上述開口部，藉此在上述黏著片上配置上述電子零件；且包含：在上述經封塞之開口之相反側之上述基板上及上述開口部上，形成包含樹脂之絕緣層；在上述開口部之上述基板與上述電子零件之間，填充構成上述絕緣層之樹脂；除去上述黏著片；及在除去上述黏著片之後，使上述所填充之樹脂硬化。
  26. 如請求項17至20中任一項之內建電子零件之佈線板之製造方法，其中包含：在將上述電子零件配置於上述開口部之前，在上述基板上形成具有對準標記之導體層；且上述電子零件之配置係使用上述對準標記進行上述電子零件之定位。
  27. 如請求項17至20中任一項之內建電子零件之佈線板之製 造方法，其中上述曲面包含上述電子零件之電極之表面。
  28. 如請求項27之內建電子零件之佈線板之製造方法，其中上述電子零件之電極之至少上述表面包含電鍍膜。
  29. 一種內建電子零件之佈線板之製造方法，其特徵為包含：準備具有第1面、及該第1面之相反側之第2面之基板；準備具有第3面、及該第3面之相反側之第4面，且於上述第4面與側面之角具有曲面之電子零件；在上述基板形成開口部；在上述開口部之內壁與上述第1面之角，自上述第1面向上述第2面形成錐形面；及使上述第3面與上述第1面為相同朝向而將上述電子零件配置於上述開口部；且一面使上述電子零件之上述曲面與上述錐形面接觸，一面將上述電子零件配置於上述開口部。
  30. 一種內建電子零件之佈線板之製造方法，其特徵為包含：準備具有第1面、及該第1面之相反側之第2面之基板；準備具有第3面、及該第3面之相反側之第4面，且於上述第4面與側面之角具有曲面之電子零件；在上述基板形成開口部； 在上述開口部之內壁與上述第1面之角，自上述第1面向上述第2面形成錐形面；及使上述第3面與上述第1面為相同朝向而將上述電子零件配置於上述開口部；且上述開口部包含貫通上述基板之孔；且包含：在將上述電子零件配置於上述開口部之前，以黏著片封塞上述孔之一方之開口。
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