TWI435380B - 研磨裝置及研磨方法 - Google Patents

研磨裝置及研磨方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI435380B
TWI435380B TW096133805A TW96133805A TWI435380B TW I435380 B TWI435380 B TW I435380B TW 096133805 A TW096133805 A TW 096133805A TW 96133805 A TW96133805 A TW 96133805A TW I435380 B TWI435380 B TW I435380B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
polishing
region
signal
film thickness
substrate
Prior art date
Application number
TW096133805A
Other languages
English (en)
Other versions
TW200822204A (en
Inventor
Yoichi Kobayashi
Yasumasa Hiroo
Tsuyoshi Ohashi
Original Assignee
Ebara Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ebara Corp filed Critical Ebara Corp
Publication of TW200822204A publication Critical patent/TW200822204A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI435380B publication Critical patent/TWI435380B/zh

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/005—Control means for lapping machines or devices
    • B24B37/013—Devices or means for detecting lapping completion

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Constituent Portions Of Griding Lathes, Driving, Sensing And Control (AREA)

Description

研磨裝置及研磨方法
本發明係關於研磨方法及研磨裝置，尤其關於對半導體晶圓等的基板進行研磨而予以平坦化之研磨裝置及研磨方法。
關於對半導體晶圓等的基板進行研磨而予以平坦化之研磨裝置，為人所知者有可獨立調整頂環內的多數個室(chamber)的壓力之研磨裝置。於此研磨裝置中，例如，感測器係測定與基板上的膜厚相關聯之物理量，並根據此物理量而生成監測訊號。於基板的研磨前，預先準備表示出監測訊號與時間之間的關係之基準訊號，並於研磨中，以使基板上之各個測量點的監測訊號收斂於基準訊號之方式，調節頂環的按壓力。藉此可於基板面內實現均一的殘餘膜厚(例如參照WO 2005/123335)。
然而，於以往的研磨裝置中，於基板的某區域中所取得之感測器訊號值，可能與其他區域具有顯著差異，而具有感測器無法正確評估膜厚之問題。作為此原因之一者，為起因於感測器的有效測量範圍之訊號的減少。感測器的有效測量範圍乃必然具有某種程度的大小。因此，若欲測量晶圓的周緣部附近，則感測器之有效測量範圍的一部分會脫離晶圓的被研磨面，使感測器無法取得正確的訊號。此時，雖然可將無法取得正確訊號之部分的測量點予以排除而進行控制，但尤其於晶圓的周緣部之膜厚均一性極為重要時，即無法採用此方法。
此外，作為其他原因者，為頂環內的金屬或磁性材料之影響。亦即，若使用SUS等導電性金屬構件或具有磁性之材料作為頂環，則因其影響而會使感測器的訊號值產生局部性變化。
本發明係鑑於上述以往技術之問題點而創作出之發明，目的在於提供一種，能夠高精密地控制基板於研磨後的膜厚分布之研磨裝置及研磨方法。
為了達成上述目的，本發明的一項型態為一種研磨裝置，為對表面形成有膜之基板進行研磨之研磨裝置，其特徵為：係具備：研磨平台，具有研磨面；頂環，藉由獨立地對基板上的多數個第1區域施加按壓力，而將基板往上述研磨平台按壓；感測器，檢測多數個測量點之上述膜的狀態；監測裝置，從上述感測器的輸出訊號，針對基板上之多數個第2區域之各者生成監測訊號；記憶部，儲存有表示出上述監測訊號的基準值與研磨時間之間的關係之多數個基準訊號；及控制部，操作對上述多數個第1區域之按壓力，俾使對應於上述多數個第2區域之各者的上述監測訊號收斂於上述多數個基準訊號中的任一個。
本發明之較佳型態的特徵為：上述多數個第2區域的其中1個區域為包含基板的周緣部之區域；上述多數個基準訊號的其中1個訊號為關於上述包含基板的周緣部之區域之基準訊號。
本發明之較佳型態的特徵為：上述多數個基準訊號係各自對應於上述多數個第2區域而設置。
本發明之較佳型態的特徵為：係將上述監測訊號的訊號值及上述基準訊號的訊號值根據上述基準訊號而轉換為與研磨時間相關之值，以生成新的監測訊號與新的基準訊號。
本發明之較佳型態的特徵為：於研磨製程的任意時刻，求取將上述多數個第2區域的上述新的監測訊號予以平均化後之值，且對於該時刻之後的上述新的基準訊號進行與時間軸相關之平行移動俾使該時刻之上述新的基準訊號與上述平均化後之值呈一致。
本發明之較佳型態的特徵為：上述多數個基準訊號係於同一時點中對應於同一膜厚。
本發明之較佳型態的特徵為：上述多數個基準訊號係於同一時點中對應於反映出在上述多數個第2區域之間所設定的預定膜厚差之膜厚。
本發明之較佳型態的特徵為：上述控制部的控制週期為1秒以上10秒以下。
本發明之較佳型態的特徵為：上述感測器為渦電流感測器。
本發明之較佳型態的特徵為：上述控制部係根據由上述監測裝置所生成之監測訊號而檢測研磨終點。
本發明的其他型態為一種研磨方法，為藉由對於基板上的多數個第1區域施加獨立的按壓力，而將基板往研磨平台按壓並進行研磨之研磨方法，其特徵為：定義出與基板上的膜厚相關聯之監測訊號的基準值與研磨時間之間的關係之多數個基準訊號；使用感測器檢測多數個測量點之上述膜的狀態；從上述感測器的輸出訊號，針對基板上之多數個第2區域之各者生成監測訊號；操作對上述多數個第1區域之按壓力，俾使對應於上述多數個第2區域之各者的上述監測訊號收斂於上述多數個基準訊號中的任一個。
本發明之較佳型態的特徵為：係準備與成為研磨對象的基板為同種類之基準基板；測定上述基準基板的膜厚；研磨上述基準基板，並藉由上述感測器檢測多數個測量點之上述基準基板上的膜的狀態；從上述感測器的輸出訊號中，生成從上述多數個第2區域中所選擇之第1區域及第2區域的監測訊號；於完全去除上述第1區域及第2區域的被研磨膜之時點，乃停止研磨；求取上述第1區域及上述第2區域的平均研磨速度；沿著時間軸將上述第2區域的監測訊號予以延伸或縮小俾使上述第2區域的平均研磨速度與上述第1區域的平均研磨速度呈一致；求取使上述第2區域的初期膜厚與上述第1區域的初期膜厚呈一致之所需的研磨時間；將上述延伸或縮小後之第2區域的監測訊號，沿著時間軸平行移動達上述所求取的研磨時間；藉由將上述平行移動後的監測訊號設定為上述第2區域的基準訊號，而定義出上述多數個基準訊號。
根據本發明，係對基板上的多數區域設置有多數個基準訊號，因此可於基板的全體區域中獲得均一的膜厚。此外，由於縮小感測器的有效測定範圍，因而不需使感測器接近於基板的被研磨面，因此可使用於不具有貫通孔或內面凹入等之一般的研磨墊。
以下係參照第1圖至第24圖，詳細說明本發明的實施型態。
第1圖係顯示本發明的實施型態之研磨裝置的全體構成之示意圖。如第1圖所示般，研磨裝置係具備：研磨平台12，於上表面貼設有研磨墊10；及頂環14，保持作為研磨對象物的晶圓且往研磨墊10的上面按壓。研磨墊10的上表面係構成與屬於研磨對象物的晶圓滑動接觸之研磨面。
研磨平台12係連結於其下方所配置之馬達(圖中未顯示)，且如箭頭所示般，可繞著該軸心旋轉。此外，於研磨平台12的上方設置有圖中未顯示的研磨液供應噴嘴，且從該研磨液供應噴嘴中供應研磨液至研磨墊10上。
頂環14係連結於頂環轉軸18，且經介於此頂環轉軸18而連結於馬達及升降壓缸(圖中未顯示)。藉此，頂環14可進行升降且沿著頂環轉軸18周圍旋轉。於此頂環14的下表面，係以真空等方式將研磨對象物的晶圓予以吸附並保持。
於上述構成中，保持於頂環14的下表面之晶圓係被按壓於旋轉之研磨平台12的上表面之研磨墊10。此時，係從研磨液供應噴嘴中供應研磨液至研磨墊10上，並於晶圓的被研磨面(下表面)與研磨墊10之間存在有研磨液之狀態，對晶圓進行研磨。
第2圖係示意性地顯示第1圖所示之頂環的剖面之圖。如第2圖所示般，頂環14係具備：大致呈圓盤狀的頂環主體31，經介於自由接合部30連結於頂環轉軸18的下端；及定位環32，配置於頂環主體31的下部。頂環主體31係由金屬或陶瓷等之強度及剛性較高之材料所形成。此外，定位環32係由剛性較高的樹脂材或陶瓷等所形成。此外，亦可將定位環(retainer ring)32與頂環主體31一體地形成。
於頂環主體31及定位環32的內側所形成之空間內係收納有抵接於晶圓W之彈性墊33、由彈性膜所形成之環狀的加壓薄片34、及用以保持彈性墊33之大致呈圓盤狀的吸附平板35。彈性墊33的上周端部係保持於吸附平板35，於彈性墊33與吸附平板35之間，設置有4個壓力室(氣囊)P1、P2、P3、P4。於這些壓力室P1、P2、P3、P4中，分別經介於流體路徑37、38、39、40供應有加壓空氣等的加壓流體，或是予以真空吸引。中央的壓力室P1為圓形，其他壓力室P2、P3、P4為環狀。這些壓力室P1、P2、P3、P4係配列於同心上。
壓力室P1、P2、P3、P4的內部壓力可藉由圖中未顯示的壓力調整部而獨立地變化，藉此可大致獨立地調整對晶圓W的4個獨立區域，亦即對中央部C1、內側中間部C2、外側中間部C3、及周緣部C4之按壓力(當然，正確來說亦多少受到壓力室對於鄰接區域等之其他區域的影響)。此外，藉由使頂環14全體升降，能夠以預定的按壓力將定位環32按壓至研磨墊10。於吸附平板35與頂環主體31之間，形成有壓力室P5，於壓力室P5中分別經介於流體路徑41而供應有加壓流體或是予以真空吸引。藉此，吸附平板35及彈性墊33全體可於上下方向移動。於晶圓W的周圍設置有定位環32，以防止於研磨中晶圓W從頂環14中飛出。
如第1圖所示般，於研磨平台12的內部係埋設有監視(檢測)晶圓W之膜的狀態之感測器50。此感測器50係連接於監測裝置53，此監測裝置53係連接於CMP控制器54。上述感測器50可採用渦電流感測器。感測器50的輸出訊號係被傳送至監測裝置53，並於此監測裝置53中，對感測器50的輸出訊號(感測訊號)施以必要的轉換/處理(運算處理)而生成監測訊號。
監測裝置53亦具有根據監測訊號而操作各壓力室P1、P2、P3、P4的內部壓力之控制部的功能。亦即，於監測裝置53中，係根據監測訊號而決定頂環14按壓晶圓W之按壓力，此按壓力被傳送至CMP控制器54。CMP控制器54係將指令輸出至圖中未顯示的壓力調整部俾變更頂環14對晶圓W之按壓力。此外，監測裝置53與控制部可為各自不同的裝置，亦可將監測裝置53與CMP控制器54予以一體化而構成1個控制裝置。
第3圖係顯示研磨平台12與晶圓W之間的關係之俯視圖。如第3圖所示般，感測器50係設置於通過頂環14所保持之研磨中的晶圓W的中心CW 之位置。符號CT 為研磨平台12的旋轉中心。例如，感測器50於通過晶圓W之下方的期間內，於通過軌跡(掃描線)上可連續性地檢測晶圓W之Cu層等導電膜的膜厚或因應膜厚之變化而增加或減少的量。
第4圖係顯示感測器50於晶圓W上掃描之軌跡之圖式。亦即，感測器50係依研磨平台12之每次旋轉而檢測晶圓W的表面(被研磨面)，當研磨平台12旋轉時，感測器50係大致描繪出通過晶圓W的中心CW (頂環轉軸18的中心)之軌跡而於晶圓W的被研磨面上進行掃描。由於頂環14的旋轉速度與研磨平台12的旋轉速度一般為不同，因此，如第4圖所示般，晶圓W表面之感測器50的軌跡係隨著研磨平台112的旋轉而如掃描線SL1 、SL2 、SL3 …變化。此時亦如上述般，感測器50係配置於通過晶圓W的中心CW 之位置，因此，感測器50所描繪的軌跡係於每次通過晶圓W的中心CW 。於本實施型態中，係調整感測器50的測量時機，且設成感測器50每次都一定會測量到基板W的中心CW 。
此外，為人所知者，晶圓W之研磨後的膜厚分布係相對於通過晶圓W的中心CW 而垂直於表面的軸大致呈軸對稱。因此，如第4圖所示般，於以MPm－n 表示第m條掃描線SLm 上的第n個測量點時，可藉由追蹤對各掃描線之第n個測量點MP1－n 、MP2－n 、…、MPm－n 之監測訊號，而監測在第n個測量點的半徑位置之晶圓W的膜厚遷移。
於第4圖中，為了簡化，係將1次掃描之測量點的數目設定為15。然而，測量點的數目並不限於此，可因應測量週期及研磨平台12的旋轉速度而設定為各種值。於使用渦電流感測器做為感測器50時，一般於1條掃描線上具有100個以上的測量點。若增加測量點，則測量點之任一個會大致與晶圓W的中心CW 一致，因此亦可不進行對上述晶圓W的中心CW 之測量時機的調整。
第5圖係顯示於第4圖所示之晶圓W上的測量點中，選出由監測裝置53進行監測的測量點之一例之俯視圖。於第5圖所示的例子中，係進行按壓力被獨立操作之各區域C1、C2、C3、C4的中心附近、及對應於邊界線之位置的測量點MPm－1 、MPm－2 、MPm－3 、MPm－4 、MPm－5 、MPm－6 、MPm－8 、MPm－10 、MPm－11 、MPm－11 、MPm－13 、MPm－14 、MPm－15 之監測。在此，與第4圖所示的例子不同，於測量點MPm－i 與MPm－(i＋1) 之間可具有其他測量點。此外，監測之測量點的選擇，並不限定於第5圖所示的例子，亦可於晶圓W的被研磨面上，選擇控制上須重視的點作為應予監測的測量點，或也可選擇掃描線上的所有測量點。
監測裝置53係對所選擇的測量點之感測器50的輸出訊號(感測訊號)進行預定的運算處理，而生成監測訊號。此外，監測裝置53係根據所生成的監測訊號及之後所述的基準訊號，分別算出與晶圓W的各區域C1、C2、C3、C4相對應之頂環14內的壓力室P1、P2、P3、P4的壓力。亦即，監測裝置53係將上述針對所選擇的測量點而取得之監測訊號，與預先於每個測量點中所設定之基準訊號比較，以算出用以使各監測訊號分別收斂於各基準訊號所需之壓力室P1、P2、P3、P4的最適壓力值。之後，所算出的壓力值係從監測裝置53被傳送至CMP控制器54，CMP控制器54係變更壓力室P1、P2、P3、P4的壓力。如此，可調整對晶圓W的各區域C1、C2、C3、C4之按壓力。
在此，為了排除雜訊的影響以將資料予以平滑化，亦可使用對附近的測量點之監測訊號予以平均化後之資料。或者是因應距離該中心CW 的半徑而將晶圓W的表面分割為同心圓狀的多數個區域，且求取相對於各區域內的測量點之監測訊號的平均值或代表值，並使用此平均值或代表值作為控制用之新監測訊號。在此，若設定為於研磨中的各時點中，求取從各測量點的CW 之距離以判斷屬於哪個區域，則亦可有效對應於多數個感測器於研磨平台12的半徑方向並列配置之情況，以及於研磨中頂環14以頂環轉軸18為中心而搖動之情況。由於各測量點實際上乃具有對應於感測器的有效直徑測量範圍之面積者，因此可視為在以上所有的情況中，監測訊號皆可表示出基板上之多數個區域的狀態。
第6圖係顯示各測量點之感測器的有效測量範圍之圖式。於使用渦電流感測器做為感測器50時，係因應感測器50內之線圈的大小、有效範圍擴散角、及從感測器50至晶圓W為止的距離，而決定晶圓W上的有效測量範圍。之後，感測器5係取得於各測量點中之以第6圖的虛線所示之範圍內的資訊。然而，若欲測量晶圓W之周緣部的狀態，則感測器50之有效測量範圍的一部分，係從晶圓的被研磨面中突出(參照第6圖的測量點MPm－1 、MPm－N )。此時，如第7圖所示般，對應於晶圓W的周緣部之測量點MPm－1 、MPm－N 之監測訊號，係與其他區域之監測訊號具有極大不同，而無法適當的評估膜厚。關於渦電流感測器以外的方式之感測器，亦視條件而可能引起類似的情況。於第7圖中，於研磨時間後段各個監測訊號減少而轉為固定之點，係表示出研磨終點(金屬膜完全去除之時點)。
因此，於本實施型態中，作為如上所述的因晶圓W上的區域之不同而導致即使為同一膜厚但監測訊號值卻不同之問題的對應方法，係對晶圓W的各區域C1至C4分別設定基準訊號。此基準訊號係表示出，為了實現期望的膜厚分布(例如研磨後的膜厚為均一之分布)，於研磨中的各時點(研磨時點)中成為監測訊號的指標之值(基準值)者，並能以研磨時點與於該研磨時點之較佳的監測訊號值之間的關係之曲線圖來表示。於本實施型態中，係事先對與研磨對象的晶圓為同種類的晶圓(以下稱為基準晶圓)進行研磨，並根據此時的監測訊號，製作出於晶圓W的徑向分布之各區域C1至C4的基準訊號。
在此，若以使晶圓的徑向膜厚呈均一者為目標而操作對各區域之按壓力，則於每個區域中所設定之基準訊號，必須於同一時點中對應於同一膜厚。亦即，若依每一區域準備出能夠於同一時點中對應於同一膜厚之基準訊號，且操作按壓力俾使於每一區域中所取得的監測訊號收斂於這些基準訊號，則能夠以使各區域的膜厚呈均一之方式研磨晶圓W。
第8圖係顯示根據於研磨基準晶圓時的監測訊號，而製作各區域的基準訊號之流程的流程圖。首先準備與研磨對象的晶圓為同種類的晶圓，亦即基準晶圓。之後，如第8圖所示般，測定研磨前之基準晶圓的徑向膜厚分布，而取得各區域C1至C4之研磨前的代表膜厚(步驟1)。在此，所謂同種類的晶圓，是指於研磨中的各時點之研磨速度(Removal Rate)大致與研磨對象晶圓相等，且晶圓周緣部的成膜範圍實質上與研磨對象晶圓相等之晶圓。例如在使用渦電流感測器的情形中，基準晶圓的被研磨膜(金屬膜)的材料，基本上必須與研磨對象晶圓的被研磨膜為同種類。此外，當研磨對象晶圓本身的電阻為與金屬膜的電阻相比無法忽視之較小電阻而會對研磨中的監測訊號造成影響時，基準晶圓的電阻必需大致與研磨對象晶圓的電阻相等。惟基準晶圓嚴格來說並不須與研磨對象的晶圓為相同規格的晶圓。例如，於基準晶圓的研磨速度與成為研磨對象之晶圓的研磨速度具有極大不同時，可藉由沿著時間軸對在研磨基準晶圓時的監測訊號進行尺度轉換(延伸或縮小)以調整表面上的研磨速度，而用於研磨對象晶圓的控制。此外，就取得充分的控制時間而言，較理想為使基準晶圓的初期膜厚與研磨對象晶圓的初期膜厚相等，或是較研磨對象晶圓的初期膜厚還大，但即使基準晶圓的初期膜厚較研磨對象晶圓的初期膜厚還小，亦僅須縮短之後所述之控制時間即可進行研磨控制。
於取得基準晶圓的膜厚分布後，研磨此基準晶圓而取得各區域C1至C4之監測訊號(步驟2)。於研磨基準晶圓之期間，係將相對於各區域C1至C4之壓力室P1、P2、P3、P4的壓力設定為一定(不變)。惟各壓力室P1、P2、P3、P4的壓力不一定須互為相等。再者，於研磨基準晶圓之期間，研磨墊10、研磨平台12的旋轉速度、頂環14的旋轉速度等之其他的研磨條件原則上係設定為一定。較理想為：基準晶圓的研磨時之研磨條件係設定為與研磨對象晶圓的研磨時為同一或類似條件。
於經過預定時間後，結束基準晶圓的研磨。之後測定研磨後之基準晶圓的被研磨膜的膜厚，而取得各區域C1至C4之研磨後的代表膜厚(步驟3)。於被研磨膜為金屬膜時，係於去除金屬膜之前停止研磨。此目的係為了保證感測器50可對研磨後的膜厚進行測定，以及若金屬膜被去除，則研磨速度產生極大變化，而無法獲得高精密度的基準訊號。惟亦可從監測訊號中獲得晶圓W的各區域的金屬膜被去除之時點，並以此時點之膜厚為0而製作基準訊號，但此時係進行基準晶圓的研磨至金屬膜完全被去除為止。
如之後所述般，於本實施型態中，係對於所取得之基準晶圓的各區域的監測訊號，進行尺度轉換及平行移動等處理，而製作出各時點之各區域的膜厚呈均一之基準訊號，但於基準晶圓的研磨中，膜厚並不需一定呈均一。然而，由於感測器對急遽的膜厚分布之掌握上乃具有問題，因此於研磨前及研磨後之基準晶圓的徑向膜厚愈呈均一，則愈能夠期待獲得高精密度的基準訊號。
一般而言，於晶圓的膜厚分布中具有局部性凹凸時，若此凹凸較感測器的有效測量範圍還小，則感測器無法輸出可正確反映此凹凸之形狀的訊號。例如，如第9圖A所示般，於晶圓的a點中係存有急遽的凸部。由於感測器的有效測量範圍具有某種程度的大小，因此，感測器並非輸出對應於此凸部的峰值膜厚之值，而是輸出對應於在有效測量範圍內予以平均化後的膜厚之訊號值。因此，於基準晶圓的研磨前後之膜厚測定中，較理想為將在相當於感測器的有效測量範圍之區域中所取得之測量值予以平均化，並設定為此區域之中心點的膜厚值。第9圖B係顯示如此所取得之膜厚分布。於第9圖A及第9圖B中，圖式中的黑點為感測器50的測量點。
接著，於步驟4、5(參照第8圖)中，係以各基準訊號於同一時點中對應於同一膜厚之方式，對基準訊號進行校正。
第10圖係顯示於研磨基準晶圓時的監測訊號之一例。一般而言，監測訊號(及感測訊號)之值並非顯示膜厚本身，但監測訊號之值與膜厚係具有某種關係。然而，如上所述地存有即使為同一膜厚，晶圓W的周緣部之監測訊號仍較其他區域之監測訊號還小，以及因導電性材料等的影響而使所取得之監測訊號無法表示出應獲得之值的情形。因此，藉由將於步驟1、3中所測定之研磨前後的膜厚分配至監測訊號，可使監測訊號與膜厚具有關聯性。具體而言，如第10圖所示般，將基準區域C0的研磨前後之膜厚dC0 S、dC0 E分別分配至基準區域C0之監測訊號的起點及終點。同樣的，將基準區域以外的區域Ci之研磨前後的膜厚dCi S、dCi E分別分配至區域Ci之監測訊號的起點及終點。此外，例如可選擇包含晶圓的中心部之區域C1作為基準區域C0。
第11圖係顯示用以說明監測訊號之關於時間軸的尺度轉換之圖式。於步驟4中，係以使各區域C1至C4的平均研磨速度成為同一之方式，沿著時間軸對監測訊號進行尺度轉換。在此所謂的尺度轉換，係意味著沿著時間軸將監測訊號予以延伸或縮小。
於此，係設定事先對基準晶圓進行研磨時之研磨時間為TE。此時，基準區域C0的平均研磨速度R係以下列第(1)式所表示。
R＝(dC0 S－dC0 E)/TE………(1)
因此，係以區域Ci的平均研磨速度等於基準區域C0的平均研磨速度之方式，將針對區域Ci之校正研磨時間設定為下列第(2)式。
Ti E＝(dCi S－dCi E)/R………(2)
此外，以原先的研磨開始時間設定為0，並以下列第(3)式之方式，對於與區域Ci之監測訊號的各訊號值相對應之時刻ti進行校正。
ti ← ti ×Ti E/TE………(3)
於上述第(3)式中，記號「←」係表示置換。
於第11圖中，係顯示dCi S－dCi E>dC0 S－dC0 E之情況的例子。
第12圖係顯示用以說明對沿著時間軸進行尺度轉換後的監測訊號，再沿著時間軸進行平行移動之方法之圖式，且為用以說明第8圖的步驟5之圖式。於步驟5中，係進行將各區域的初期膜厚予以設成一致之操作。
於此，於基準晶圓的研磨中之各時點中，假定於各區域C1至C4中，研磨速度為接近於一定。此時，研磨至基準區域C0的初期膜厚dC0 S與區域Ci的初期膜厚dCi S成為一致為止之所需的研磨時間△ti，可從下列第(4)式中求取。
△ti ＝(dC0 S－dCi S)/R………(4)
因此，係將經上述第(3)式所校正之區域Ci的研磨時刻ti，更使用下列第(5)式進行校正。
ti ← ti ＋△ti ………(5)
於第12圖所示的例子中，若沿著時間軸將區域Ci之監測訊號的各訊號值平行移動達△ti，則可將成為區域Ci的監測訊號起點之時刻TiS中之區域C0的膜厚與區域Ci的膜厚視為互為相等。此外，由於在區域C0與區域Ci之間平均研磨速度為相等，因此，時刻TE之膜厚亦可視為互為相等。因此，時刻TX(TiS≦TX≦TE)之膜厚dC0 X及dCi X亦可視為互為相等。
如上述般，由於區域Ci的監測訊號係沿著時間軸被進行尺度轉換且被平行移動，因此，區域C0的監測訊號與區域Ci之校正後的監測訊號，一般係僅於從Max(0，TiS)至Min(TE，TiE＋△ti)為止的區間中共同存在。在此，Max為括弧內較大的值，Min為括弧內較小的值。第12圖係顯示dC0 S>dCi S之情況的例子，但當然亦有dC0 S<dCi S之情況，此時，該區域Ci的研磨開始時刻TiS成為負值。
接下來，將如此獲得之各區域之基準訊號的波形，因應必要予以平滑化並降低雜訊成分(步驟6)。作為平滑化之方法可適用移動平均或一般的數位濾波、多項式迴歸。之後重複進行上述步驟4至6的製程，而定義出所有區域C1至C4之基準訊號。於此階段中，相對於基準訊號的各訊號值之時刻，係分別於每個區域中被校正而採用與一般不同之值，因此亦可對各區域的基準訊號進行插補，並重新定義於一定的時間間隔中對同一時刻之基準訊號。
從第12圖及第(4)式中可得知，初期膜厚dCi S愈小，則監測訊號的起點TiS愈往第12圖的右方向移動。此外，最終膜厚dCi E愈大，則基準訊號的終點TiE＋△ti愈往第12圖的左方向移動。初期膜厚及最終膜厚一般係因區域的不同而不可，因此於每個區域中求取基準訊號時，各基準訊號的起點及終點一般均不會一致。因此，係以下列方式設定基準訊號。首先互相比較各區域的初期膜厚，以求取初期膜厚的最小值Min(dCi S)。同樣的，互相比較各區域的最終膜厚，以求取最終膜厚的最大值Max(dCi E)。之後，僅將從對應於Min(dCi S)之時刻開始至對應於Max(dCi E)之時刻為止之區間的監測訊號予以設定為基準訊號。或者是，以採取較長的控制時間之方式，對各區域的監測訊號進行外插，而定義出更寬廣區間的基準訊號。
如此獲得之各區域的基準訊號，係被收納於監測裝置53的記憶部(例如硬碟)。之後，於研磨晶圓W時，以使各區域C1至C4的監測訊號分別收斂於上述基準訊號之方式，操作壓力室P1、P2、P3、P4對晶圓W的按壓力。此外，於以上中，係說明針對與壓力室P1至P4對應之區域C1至C4進行基準訊號的設定之例子，但如上述般，監測訊號並不限定於此，而能夠對於種種區域生成，因此，基準訊號亦不限定於區域C1至C4，而能夠對於晶圓W表面上的種種區域予以定義。
根據上述本實施型態，由於可獲得於同一時刻表示出同一膜厚之基準訊號，因此，若以使各區域中所取得的監測訊號分別收斂於各個基準訊號之方式，操作壓力室P1、P2、P3、P4的壓力，則能夠以達成均一膜厚為目標而進行研磨。因此，如第7圖所示般，即使於晶圓W之周緣部的監測訊號較其他區域極端地小，亦可獲得均一的最終膜厚。此外，由於基準訊號係於各區域中被定義，因此更可沿著時間軸，適當地對上述製作出之各個基準訊號進行平行移動，而亦能夠實現非均一之期望的殘餘膜厚分布。
例如，於欲實現區域Ci的殘餘膜厚較區域C0大了△dCi 之膜厚分布時，於以上述第(5)式對區域Ci的研磨時刻ti進行校正後，再使用下列第(5)’式對研磨時刻ti進行校正。
ti ← ti ＋△dCi /R………(5)’
換言之，係使用下列第(4)’式取代第(4)式而對研磨時刻ti進行校正。
△ti ＝(dC0 S－dCi S＋△dCi )/R………(4)’
在此，若△dCi <0，則區域Ci的殘餘膜厚較區域C0還小了－△dCi 。
如此，於第12圖中，屬於區域Ci的監測訊號之起點的時刻TiS中之區域Ci的膜厚可視為較區域C0的膜厚大了△dCi 。此外，由於在區域C0與區域Ci之間平均研磨速度為相等，因此於任意時刻TX(惟於第12圖的例子中，TiS≦TX≦TE)之區域Ci的膜厚，可視為較區域C0的膜厚大了△dCi 。因此，若以如上所述地製作出之各區域的監測訊號作為基準訊號，且於研磨時以使每個區域中所取得之監測訊號收斂於這些基準訊號之方式操作按壓力，則可期待能夠實現所謂於研磨後區域Ci的膜厚較區域C0的膜厚大了△dCi 之期望的分布。
如此，即使為最上層為金屬膜且其下方為絕緣層且更於其下方具有配線時，可藉由得知絕緣層的厚度分布且定義出金屬膜之殘餘膜厚的目標分布，而能夠以令從配線算起之高度呈均一之方式進行研磨。於以下中，係以使被研磨膜的殘餘膜厚分布呈均一的情形為中心而進行詳細說明。
第13圖係顯示將晶圓上的某區域之監測訊號MS1 根據對此監測訊號MS1 所設定之基準訊號RS0 與直線B轉換為新的監測訊號MS2 之方法之圖式。在此，直線B為通過基準訊號RS0 的研磨終點之斜率為－1的直線。例如，如第13圖所示，在被賦予時刻t1 之監測訊號MS1 的值v1 時，係求取於基準訊號RS0 上具有同一值之點P。之後，求取從該點P的時刻至基準訊號RS0 的研磨終點為止之殘餘時間T。從第13圖中可知，此殘餘時間T可藉由參照上述直線B而求得。並根據所求取之時間T，設定新的監測訊號MS2 的時刻t1 之訊號值v2 。例如，以使v2 ＝T之方式設定訊號值v2 。或是以基準訊號從研磨開始至研磨終點為止之時間T0 ，將訊號值v2 予以正規化而設定為v2 ＝T/T0 ，此時，直線B於時刻0中取1之值，而成為斜率－1/T0 之直線。
關於基準訊號RS0 若適用相同的思考方式，則上述直線B可視為關於轉換後的監測訊號之新的基準訊號。由於此新的基準訊號(直線B)係表示出從基準訊號RS0 上的各點至研磨終點為止之殘餘時間，因此係成為對時間呈線性之單調遞減函數，而容易進行控制運算。
於以使研磨後的膜厚呈均一的分布者為目標而進行控制時，若對晶圓W上之各區域的監測訊號使用分別設定的基準訊號而進行同樣的轉換，則轉換後的監測訊號係作為所對應之基準訊號至研磨終點為止的殘餘時間、或是將此時間予以正規化後之值而被顯示。由於各基準訊號可視為於同一時刻對應於相等的膜厚，因此所有區域的監測訊號，可作為表示出膜厚之指數，而單純地進行相互比較。此時，轉換後的基準訊號均與直線B一致而達到單一直線化。
此外，若進行如此方式，則較多的情況為，轉換後之新的監測訊號MS2 係大致與晶圓之被研磨面的膜厚呈比例而產生直線變化。因此，即使因研磨液或晶圓之被研磨面上的配線圖案、或底層之影響等而無法測量被研磨面的膜厚值時，亦可藉由線性運算而獲得良好的控制性能。於第13圖所示的例子中，係以基準訊號RS0 的研磨終點為基準時刻的情形來進行說明，但基準訊號RS0 的基準時刻並不限定於研磨終點。例如，基準訊號RS0 可為採取預定值之時刻等而任意決定基準時刻。尤其如上述般，於以使殘餘膜厚呈非均一的分布之方式控制研磨時，由於在基準訊號中所有區域不會同時達到研磨終點，因此對於依循第(4)’式進行平行移動所製作之各區域的基準訊號，係以時間軸上的一點作為共通的基準時刻而決定。此時之轉換後的基準訊號，亦與呈均一的分布時相同，均與直線B一致而達到單一直線化。此外，於原先即不存在有對應於監測訊號值之基準訊號值的區間、或監測訊號值不與研磨時間一同產生變化之區間中，轉換後之新的監測訊號值並非為一定。此時只需暫時停止控制，並將頂環的按壓力等之設定值維持於以往值即可。此外，於第13圖中，基準訊號於到達研磨終點為止均存在。此係由於當研磨基準晶圓至超過研磨終點時，係根據監測訊號而檢測研磨終點，並將此時的膜厚設定為0而定義基準訊號之故。
第14圖係顯示經上述方式進行轉換後之基準訊號的適用方法的例子之圖式。於第14圖中，於研磨開始時點或控制開始時點，係以使至研磨終點為止的研磨時間成為期望值之方式，沿著時間軸將基準訊號RS1 予以平行移動而設定新的基準訊號RS2 。於研磨開始時點或控制開始時點，若基準訊號RS1 至研磨終點為止的研磨時間成為期望值，則僅需將基準訊號RS1 的平行移動量設定為0即可。
之後，針對時間軸將基準訊號RS2 予以固定，並以使監測訊號MSA 、監測訊號MSB 、監測訊號MSC 及圖中未顯示之其他監測訊號收斂於基準訊號RS2 之方式進行控制。如此，即使某區域之轉換前的監測訊號值於同一膜厚時與其他區域不同，亦不會受到初期膜厚分布的影響而能夠提升面內均一性，並且，即使於晶圓間的初期膜厚存有變動、或是研磨墊等之裝置的狀態產生變化，亦能夠期待至研磨終點為止的時間成為期望值。如此，若可使研磨時間成為一定，則能夠於研磨裝置內，於可預想的一定週期內將晶圓予以搬運。因此不會受到研磨時間較長的晶圓所影響而導致的搬運延遲，從而能夠提升處理量。
第15圖係顯示基準訊號的適用方法的其他例子之圖式。於第15圖中，於研磨開始時點或控制開始時點，係以使將各區域的監測訊號值予以平均化後之值av與基準訊號呈一致之方式，沿著時間軸將基準訊號RS3 予以平行移動而設定新的基準訊號RS4 。在此，監測訊號值之平均化的方法，只要為可獲得代表晶圓研磨的進行狀況之值者，則可為任意方法，例如有算出算術平均或加權平均之方法、或是取中央值之方法。
之後，針對時間軸將基準訊號RS4 予以固定，並以使監測訊號MSA 、監測訊號MSB 、監測訊號MSC 及圖中未顯示之其他監測訊號收斂於基準訊號RS4 之方式進行控制。如此，即使某區域之監測訊號值於同一膜厚時與其他區域不同，相較於第14圖所示的例子，亦不須極端地改變對晶圓W的各區域C1至C4之按壓力等的操作量，而能夠期待進行安定的研磨。此外，可期待研磨開始後或控制開始後的研磨時間於取得基準訊號時、與從同一膜厚開始研磨時的研磨時間為相等，不僅不會受到初期膜厚分布的影響而能夠提升面內均一性，並且不會受到研磨墊等之裝置的狀態的影響而能夠實現平均的研磨速率。
第16圖係顯示基準訊號的適用方法之另外的例子之圖式。於第16圖中，於預定的周期中，係以使將各區域的監測訊號值予以平均化後之值與基準訊號RS5 呈一致之方式，沿著時間軸將基準訊號RS5 予以平行移動。例如，以使監測訊號予以平均化後之值aV1 、aV2 、aV3 呈一致之方式，沿著時間軸分別將基準訊號RS3 予以平行移動而各自設定新的基準訊號RS6 、RS7 、RS8 。之後，係以使各區域的監測訊號收斂於各時刻進行平行移動所設定的基準訊號之方式，操作對晶圓W的各區域C1至C4之按壓力等。如此，即使某區域之監測訊號值於同一膜厚時與其他區域不同，但在初期之晶圓的各區域C1至C4之按壓力位於大致妥當的範圍時，若於某時點中某區域的按壓力處於增加方向，則其他區域的按壓力處於減少方向。因此，於本實施型態中，雖然不具備調整研磨時間或研磨速率之功能，但可縮小操作量的變化而進行安定的研磨。再者，亦不會受到初期膜厚分布的影響而能夠達成優良的面內均一性。
此外，此時即使使用以空白晶圓(blanket wafter)為基準晶圓所製作之基準訊號以控制圖案晶圓的研磨，亦可獲得良好的結果。在此，所謂的空白晶圓，為於晶圓上以1種以上的材料成膜為均一厚度之晶圓，且未形成所謂的圖案之晶圓。一般而言，於圖案晶圓的研磨中，研磨速率係與空白晶圓不同，且於消除被研磨面的凹凸之前與後係有所不同。此外，若被研磨膜為金屬膜且感測器為渦電流感測器，則於消除表面的凹凸前後，監測訊號相對於膜厚之變化速度亦不同。然而，以上述方法進行控制者，由於係調節膜厚分布而非調節研磨速率，因此不會受到研磨速率或監測訊號的變化速度之不同的影響，而能夠期待良好的控制性能。
於圖案晶圓中，若膜厚較小，則不易測定膜厚。此外，於每次研磨對象之製品晶圓的種類改變時，於事前進行研磨以製作基準訊號之動作，不僅極為繁瑣，並且浪費心力。因此，可適用依據空白晶圓所製作之基準訊號而控制圖案晶圓的研磨者，就實用上乃具有極大的意義。
於第15圖及第16圖中，係說明於研磨開始時或預定週期中，以使基準訊號與將監測訊號予以平均化後之值呈一致之方式予以平行移動之例子，但亦能夠以將監測訊號予以平均化後所得之值以外的值作為基準而將基準訊號予以平行移動。例如，亦能夠以晶圓之預定區域的監測訊號為基準，將基準訊號予以平行移動。亦即，於研磨開始時，以使基準訊號與研磨開始時之預定區域的監測訊號呈一致之方式將基準訊號予以平行移動；或是於研磨製程中，以使基準訊號與該時刻之預定區域的監測訊號呈一致之方式將基準訊號予以平行移動。
如以上所示，若針對研磨對象晶圓適當的決定基準晶圓以定義基準訊號，並據此而操作按壓力，則不須於研磨時的各時刻當中各別決定晶圓的各部位的監測訊號與膜厚之間的關係之繁瑣的操作，而容易進行膜厚分布的控制。
第17圖係顯示，以使研磨後的膜厚分布呈均一者為目標，以本實施型態的方法製作基準訊號並進行研磨時之研磨前後的徑向膜厚分布之圖式。於控制研磨(本實施型態的研磨方法)中，係以使每個區域的監測訊號收斂於各基準訊號之方式操作按壓力。另一方面，於非控制研磨中，係將與控制研磨時的初期按壓力相等之按壓力維持為一定，並賦予至晶圓。從第17圖中可得知，包含晶圓的周緣部在內皆能夠獲得良好的殘餘膜厚均一性。
第18圖係顯示非控制研磨之監測訊號的遷移之圖式，第19圖係顯示控制研磨之監測訊號的遷移之圖式。如第18圖所示般，於非控制研磨中，於晶圓面上的3個區域(中心部、內側中間部、外側中間部)上之監測訊號值皆有所不同。相對於此，如第19圖所示般，於控制研磨中，可得知監測訊號大致收斂於某一值。就晶圓的周緣部而言，由於上述原因使監測訊號值與其他區域產生較大偏離，因此從圖式中乃無法以視覺方式辨認出該收斂性。然而，實際上於晶圓的周緣部中，由於亦沿著校正後的基準訊號進行研磨控制，因此如第17圖所示，於包含周緣部之所有區域中皆可獲得均一的膜厚。
第20圖係顯示用以說明本發明之控制運算方法的一例之圖式。於第20圖中，係使用參照第13圖所說明之監測訊號的轉換方法。研磨開始後的時刻t之新的基準訊號ys(t)，係以下列第(6)式所表示。
ys(t)＝T0 －t………(6)
於上述第(6)式中，T0 為基準訊號從研磨開始至研磨終點為止之時間。
在此，係將T0 設定為：對應於藉由以上述3種方法中之前2種的任一種方法沿著時間軸將基準訊號予以平行移動後之基準訊號者(參照第14圖、第15圖)。於第16圖所示的例子時，右邊為將該時點之各區域的監測訊號予以平均化後之值。此時，將t0 設定為預定時間，從時刻t經過t0 後之晶圓之各區域的監測訊號的預測值yp (t，t0 )，係以下列第(7)式所表示。
yp (t,to )＝y(t)＋to ．{y(t)－y(t－△tm )}/△tm ………(7)
於上述第(7)式中，y(t)為時刻t的監測訊號，△tm 為用以算出監測訊號相對於時間變化之斜率的已決定之時間。
此時，從時刻t經過t0 後之監測訊號的預測值對基準訊號之不一致度D(t，t0 )，係定義為下列第(8)式。
D(t,to )＝－{yp (t,to )－ys (t＋to )}/to ………(8)
若以第(8)式所表示之不一致度D為正，則意味著監測訊號對基準訊號呈前進，若為負則意味著呈延遲。
如第20圖所示，於基準訊號為直線時，於周期△t的各時點中，若監測訊號的預測值經常與基準訊號一致，則可期待監測訊號漸近收斂於基準訊號。在此，考量如第20圖所示，例如將於內面施加有按壓力u3之晶圓的區域C3之不一致度設定為D3，將與區域C3鄰接之區域C2、C4的不一致度分別設定為D2、D4，而進一步決定按壓力u3的變化量△u3。第22圖係顯示用以決定此按壓力u3的變化量△u3之模糊規則(Fuzzy Rule)的一例。此外，第23圖係顯示，於第22圖的模糊規則中，更考量到與晶圓滑動接觸不久後之研磨墊的部分之溫度Tp後之模糊規則的一例。於第22圖及第23圖中，”S”為「小」，”B”為「大」，”PB”為「大幅增加」，”PS”為「稍微增加」，”ZR”為「不變」，”NS”為「稍微減少」，”NB”為「大幅減少」。
如第22圖的模糊規則所示，按壓的變化量△u3，於所對應之區域C3的不一致度D3或按壓力u3本身愈小時，乃增加較大，此外，即使於鄰接於區域C3之區域C2、C4的不一致度D2、D4較小時，亦往增加的方向調整。關於互為獨立之其他區域的按壓力、對應於此之區域的不一致度、按壓力的變化量，若分別以同樣的思考方式決定模糊規則，則不需將按壓力改變為極端較大值或較小值，而能夠以使所有的不一致度收斂於零之方式進行控制。
此外，於第23圖的例子中，較多的情況為研磨墊的溫度愈高則研磨速率愈上升，因此溫度更容易上升，考量到此，若研磨墊的溫度Tp越低，則將按壓力u3的變化量△u3設為越大，溫度Tp越高，則將變化量△u3設定為越低。
此外，所適用的模糊規則並不限定於第22圖及第23圖，可因應系統的特性而任意定義。此外，亦可適當的選擇對投入變數、輸出變數之歸屬函數或邏輯積法、蘊含法、整合法、非模糊法等之推論方法。例如，若適當的設定輸出變數之歸屬函數，則可調節按壓力的變化量△u3，且亦可對如此所求得之按壓力u3或變化量△u3，更定以上下限的限制。再者，定義監測訊號或不一致度之區域亦不限定於上述區域C1至C4，例如於該邊界部上，可分別追加1至2個區域而進行更為精細的控制。
此外，於上述例子中，若原先的基準訊號或監測訊號相對於時間為接近於某種程度的線形關係，則不須進行上述使用第13圖所說明之監測訊號往相關於研磨時間的值之轉換亦可。於以圖式表示監測訊號的時間變化時之其曲率較小的情形中，與第20圖相同，若以第(7)式所求取之時間t0 後之監測訊號的預測值恆常地與基準訊號ys(t)為一致，則監測訊號逐漸接近於基準訊號，而能夠期待進行良好的控制。於不將監測訊號轉換為與時間相關之值時，於使用第15圖及第16圖所說明之基準訊號的平行移動中，只需將包含了晶圓的周緣部之區域、或因SUS零件等的影響而使監測訊號產生極大不同之區域予以除外，而求取成為平行移動的基準之平均化後的值即可。
於上述例子中，係利用求取不一致度的預測值以進行推論之預測型的模糊控制。於感測器讀取晶圓之被研磨面的資訊時開始，至實際上按壓力置換為全新的值而使研磨狀態改變，且使感測器的輸出值完全改變為止，乃須進行從感測器往監測裝置之輸出訊號的傳送、朝監測訊號的變換與平滑化、壓力之運算、朝控制部的傳送、往壓力調整部之指令、按壓機構(壓力室)的動作等之諸多步驟。因此，至操作量的變化完全反映至訊號波形為止，一般需要1、2秒至10秒之時間。為了抑制此響應延遲的影響以有效進行控制，預測型的控制較為有效。
關於預測型的控制方法，不僅上述模糊控制，例如亦可定義適當的數學模型以進行模型預測控制。若包含上述響應延遲而予以模型化，則能夠期待控制性能更進一步的提升。於如上所述的系統中，即使縮短控制週期，亦會因於操作量的變化充分反映至監測訊號之前即進行下一次操作而變得毫無意義，更可能引起不需要之操作量的變化或因此所產生之訊號值的變動。另一方面，由於研磨時間一般為數十秒至數百秒，因此若控制週期過長，則在達到面內均一性之前會到達研磨終點。因此，控制週期較理想為1秒以上10秒以下。
於一邊操作按壓力一邊研磨對象晶圓時，同時可從監測訊號中，檢測金屬膜被去除之時點或是到達預定臨限值之時點，藉此可檢測研磨終點(包含切換研磨條件之點)。
此外，亦可僅對區域C1(晶圓的中心部)及區域C4(晶圓的周緣部)定義上述基準訊號。此時，於區域C1與區域C2、C3(內側中間部及外側中間部)的控制時，係使用區域C1的基準訊號。較理想為如上述般，對晶圓面的所有區域分別定義基準訊號，並於研磨時使用分別對應於各區域之基準訊號。如此，不僅可將晶圓周緣部上之監測訊號變化的影響予以排除，並且，即使在SUS凸緣等之具有導電性或磁性之構件對於以位在頂環之渦電流感測器所感測之監測訊號產生影響時，亦可將該影響予以排除而獲得良好的控制性能。
於定義基準訊號之過程中，係假定於基準晶圓的研磨中，各區域的研磨速度為一定而進行監測訊號的尺度轉換或平行移動，但於研磨時間充分長、且初期膜厚或研磨速度於區域間並未產生極端差距時，則尺度轉換或平行移動的量較小，因此，就依據監測訊號之膜厚分布的掌握上，並不會損及該實用性。
於上述實施型態中，係顯示隨著研磨的進行，監測訊號呈單調遞減之情況，但本發明亦可適用於監測訊號呈單調遞增之情況。例如，於使用阻抗型的渦電流感測器作為感測器50時，亦可適用日本特開2005－121616號公報所揭示之下列方法。
如第1圖所示般，存在於晶圓W的表面之導電性膜，係從埋入於研磨平台12之感測器(渦電流感測器)50，經介於研磨墊10而被測定。此時，感測器50與該導電性膜之間的間隙，係因應中介存在於此之間之研磨墊10的厚度而產生變化。結果，如第24圖所示，因應所使用之研磨墊10的厚度(t1至t4)的量之間隙(空隙)G，訊號成分X及訊號成分Y的圓弧軌跡會產生變動。從此情況中可得知，為了從該訊號成分X或訊號成分Y的圓弧軌跡以高精密度測定半導體晶圓W之導電性膜的膜厚，乃必須對於每個所使用之研磨墊10的厚度(亦可於每次使用研磨墊10之前)準備有在已知的膜厚之訊號成分X及訊號成分Y的測定資訊後，再將測定對象之導電性膜的膜厚予以測定。
然而，如第24圖所示般，從依據渦電流感測器之訊號成分X及訊號成分Y的測定結果中，不論感測器線圈端部與導電性膜之間的間隙G為何，若以直線(r1至r3)將X成分及Y成分之導電性膜的每個膜厚之輸出值予以連結，則可取得該直線所交叉之交點(中心點)P。此預備測定直線rn(n：1、2、3、…)，係以因應導電性膜的膜厚之仰角θ相對於通過該交點P之訊號成分Y為一定的基準線(第24圖之水平線)L傾斜。
從此情況中可得知，即使於對半導體晶圓W的導電性膜進行研磨之研磨墊的厚度為未知時，若求取將進行研磨之導電性膜的訊號成分X及訊號成分Y的測定結果(輸出值)與中心點P予以連結之測定直線rn對基準線L之仰角θ，則可預先根據因應預備測定完成的導電性膜的膜厚之仰角θ的變化傾向等之相關關係，而導出該測定對象之導電性膜的膜厚。為了控制殘餘膜厚均一性，並不一定須知道膜厚絕對值，只需相對性地獲取晶圓W的徑向膜厚即可。因此，僅須將仰角θ設定為監測訊號即可。此外，基準線L亦可為將電抗(Reactance)成分X設定為一定之第24圖中的垂直線。
(產業利用可能性)
本發明可適用於對半導體晶圓等的基板進行研磨而予以平坦化之研磨裝置及研磨方法。
10．．．研磨墊
12．．．研磨平台
14．．．頂環
18．．．頂環轉軸
30．．．自由接合部
31．．．頂環主體
32．．．定位環
33．．．彈性墊
34．．．加壓薄片
35．．．吸附平板
37、38、39、40、41．．．流體路徑
50．．．感測器
53．．．監測裝置
54．．．CMP控制器
C1．．．中央部
C2．．．內側中間部
C3．．．外側中間部
C4．．．周緣部
CT ．．．研磨平台12的旋轉中心
CW ．．．晶圓W的中心
MPm－1 至MPm－N ．．．測量點
P1、P2、P3、P4、P5．．．壓力室
SL1 、SL2 、SL3 ．．．掃描線
W．．．晶圓
第1圖係示意性地顯示本發明的實施型態之研磨裝置的全體構成之圖。
第2圖係示意性地顯示第1圖所示之頂環的剖面之圖。
第3圖係顯示研磨平台與晶圓之間的關係之俯視圖。
第4圖係顯示感測器於基板上掃描之軌跡之圖式。
第5圖係顯示於第4圖所示之基板上的測量點中，選出由監測裝置進行監測的測量點之一例之俯視圖。
第6圖係顯示各測量點之感測器的有效測量範圍之圖式。
第7圖係顯示晶圓上之各區域的訊號值之圖式。
第8圖係顯示根據於研磨基準晶圓時的監測訊號而針對各區域製作基準訊號之流程的流程圖。
第9圖A及第9圖B係示意性地顯示膜厚分布的例子之圖。
第10圖係顯示於研磨基準晶圓時的監測訊號之一例。
第11圖係顯示用以說明監測訊號之關於時間軸的尺度轉換之圖式。
第12圖係顯示用以說明對沿著時間軸進行尺度轉換後的監測訊號，更沿著時間軸進行平行移動之方法之圖式。
第13圖係顯示用以說明基準訊號及監測訊號之轉換方法的一例之圖式。
第14圖係顯示用以說明基準訊號之適用方法的一例之圖式。
第15圖係顯示用以說明基準訊號之適用方法的其他例子之圖式。
第16圖係顯示用以說明基準訊號之適用方法的其他例子之圖式。
第17圖係顯示於製作基準訊號並進行研磨時之研磨前後的徑向膜厚分布之圖式。
第18圖係顯示非控制研磨之監測訊號的遷移之圖式。
第19圖係顯示控制研磨之監測訊號的遷移之圖式。
第20圖係顯示用以說明預測型的模糊控制(Fuzzy Control)之圖式。
第21圖係顯示用以說明預測型控制之示意圖。
第22圖係顯示預測型控制用的模糊規則的一例之圖表。
第23圖係顯示預測型控制用的模糊規則的其他例子之圖表。
第24圖係顯示於改變導電性膜與感測線圈之間的間隙(墊厚度)時之阻抗座標面的圓形軌跡的變化之圖式。
10．．．研磨墊
12．．．研磨平台
14．．．頂環
18．．．頂環轉軸
50．．．感測器
53．．．監測裝置
54．．．CMP控制器

Claims (16)

  1. 一種研磨裝置，為對表面形成有膜之基板進行研磨之研磨裝置，係具備：研磨平台，具有研磨面；頂環，藉由獨立地對基板上的多數個第1區域施加按壓力，而將基板往上述研磨平台按壓；感測器，檢測多數個測量點之上述膜的狀態；監測裝置，從上述感測器的輸出訊號，針對基板上之多數個第2區域之各者生成監測訊號；記憶部，儲存有表示出上述監測訊號的基準值與研磨時間之間的關係之多數個基準訊號，前述多數個基準信號係分別對應於前述多數個第2區域；及控制部，以令分別對應於上述多數個第2區域之上述監測訊號分別收斂於所對應之上述基準訊號之方式，控制對上述多數個第1區域施加之按壓力。
  2. 如申請專利範圍第1項之研磨裝置，其中，上述多數個第2區域的其中1個區域為包含基板的周緣部之區域；上述多數個基準訊號的其中1個訊號為關於上述包含基板的周緣部之區域之基準訊號。
  3. 如申請專利範圍第1項之研磨裝置，其中，係將上述監測訊號的訊號值及上述基準訊號的訊號值根據上述基準訊號而轉換為與研磨時間相關之值，以生成新的監測訊號與新的基準訊號。
  4. 如申請專利範圍第3項之研磨裝置，其中，於研磨製程的任意時刻，求取將上述多數個第2區域的上述新的監測訊號予以平均化後之值，且以使該時刻之上述新的基準訊號與上述平均化後之值呈一致之方式對該時刻之後的上述新的基準訊號進行與時間軸相關之平行移動。
  5. 如申請專利範圍第1項之研磨裝置，其中，上述多數個基準訊號係於同一時點中對應於同一膜厚。
  6. 如申請專利範圍第1項之研磨裝置，其中，上述多數個基準訊號係於同一時點中對應於反映有在上述多數個第2區域之間所設定的預定膜厚差之膜厚。
  7. 如申請專利範圍第1項之研磨裝置，其中，上述控制部的控制週期為1秒以上10秒以下。
  8. 如申請專利範圍第1項之研磨裝置，其中，上述感測器為渦電流感測器。
  9. 如申請專利範圍第1項之研磨裝置，其中，上述控制部係根據由上述監測裝置所生成之監測訊號而檢測研磨終點。
  10. 一種研磨方法，為藉由針對表面形成有膜之基板上的多數個第1區域施加獨立的按壓力，而將基板往研磨平台按壓並進行研磨之研磨方法，其特徵為：使用感測器檢測多數個測量點之基板上之膜的狀態；從上述感測器的輸出訊號，針對基板上之多數個 第2區域之各者生成監測訊號；定義出分別顯示各監測訊號的基準值與研磨時間之間的關係之多數個基準訊號，前述多數個基準訊號係分別對應於前述多數個第2區域；將前述多數個基準訊號儲存於記憶裝置；以及以令分別對應於上述多數個第2區域之上述監測訊號分別收斂於所對應之上述基準訊號之方式，控制對上述多數個第1區域施加之按壓力。
  11. 如申請專利範圍第10項之研磨方法，其中，上述多數個第2區域的其中1個區域為包含基板的周緣部之區域；上述多數個基準訊號的其中1個訊號為關於上述包含基板的周緣部之區域之基準訊號。
  12. 如申請專利範圍第10項之研磨方法，其中，上述多數個基準訊號係對空白晶圓進行研磨所獲得者。
  13. 如申請專利範圍第10項之研磨方法，其中，上述多數個基準訊號係於同一時點中對應於同一膜厚。
  14. 如申請專利範圍第13項之研磨方法，其中，係準備與成為研磨對象的基板為同種類之基準基板；測定上述基準基板的膜厚；研磨上述基準基板，並藉由上述感測器檢測多數個測量點之上述基準基板上的膜的狀態；從上述感測器的輸出訊號，生成從上述多數個第2區域中所選擇之第1區域及第2區域的監測訊號； 於完全去除上述第1區域及第2區域的被研磨膜之時點停止研磨；求取上述第1區域及上述第2區域的平均研磨速度；沿著時間軸將上述第2區域的監測訊號予以延伸或縮小，俾使上述第2區域的平均研磨速度與上述第1區域的平均研磨速度呈一致；求取使上述第2區域的初期膜厚與上述第1區域的初期膜厚呈一致之所需的研磨時間；將上述延伸或縮小後之第2區域的監測訊號沿著時間軸平行移動達上述所求取的研磨時間；藉由將上述平行移動後的監測訊號設定為上述第2區域的基準訊號，而定義出上述多數個基準訊號。
  15. 如申請專利範圍第10項之研磨方法，其中，上述多數個基準訊號係於同一時點中，對應於反映有在上述多數個第2區域之間所設定的預定膜厚差之膜厚。
  16. 如申請專利範圍第15項之研磨方法，其中，係準備與成為研磨對象的基板為同種類之基準基板；測定上述基準基板的膜厚；研磨上述基準基板，並藉由上述感測器檢測多數個測量點之上述基準基板上的膜的狀態；從上述感測器的輸出訊號，生成從上述多數個第2區域中所選擇之第1區域及第2區域的監測訊號；測定研磨後之上述基準基板的膜厚； 求取上述第1區域及上述第2區域的平均研磨速度；沿著時間軸將上述第2區域的監測訊號予以延伸或縮小，俾使上述第2區域的平均研磨速度與上述第1區域的平均研磨速度呈一致；求取使上述第2區域的初期膜厚與上述第1區域的初期膜厚呈一致所需的第1研磨時間；求取使上述第2區域的初期膜厚與上述第1區域的初期膜厚之間具有預定的膜厚差所需的第2研磨時間；將上述延伸或縮小後之第2區域的監測訊號，沿著時間軸平行移動達上述第1研磨時間與第2研磨時間之和的時間；藉由將上述平行移動後的監測訊號設定為上述第2區域的基準訊號，而定義出上述多數個基準訊號。
TW096133805A 2006-09-12 2007-09-11 研磨裝置及研磨方法 TWI435380B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006246836 2006-09-12

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW200822204A TW200822204A (en) 2008-05-16
TWI435380B true TWI435380B (zh) 2014-04-21

Family

ID=39183809

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW096133805A TWI435380B (zh) 2006-09-12 2007-09-11 研磨裝置及研磨方法
TW103110623A TWI588883B (zh) 2006-09-12 2007-09-11 硏磨方法

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW103110623A TWI588883B (zh) 2006-09-12 2007-09-11 硏磨方法

Country Status (7)

Country Link
US (1) US8246417B2 (zh)
EP (1) EP2075089B1 (zh)
JP (1) JP5283506B2 (zh)
KR (1) KR101278236B1 (zh)
CN (1) CN101511539B (zh)
TW (2) TWI435380B (zh)
WO (1) WO2008032753A1 (zh)

Families Citing this family (51)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101357290B1 (ko) * 2006-10-06 2014-01-28 가부시끼가이샤 도시바 가공 종점 검지방법, 연마방법 및 연마장치
US8715457B2 (en) 2008-11-12 2014-05-06 Esec Ag Method for detaching and removing a semiconductor chip from a foil
CN101927453B (zh) * 2009-06-20 2015-05-06 无锡华润上华半导体有限公司 浅沟槽隔离结构的研磨装置
JP5467937B2 (ja) * 2010-05-31 2014-04-09 株式会社東京精密 エッジ研磨形状コントロール可能エアフロート研磨ヘッド
CN101905438A (zh) * 2010-07-13 2010-12-08 厦门大学 大口径元件抛光压力检测装置
US8571699B2 (en) * 2010-09-10 2013-10-29 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. System and method to reduce pre-back-grinding process defects
JP5980476B2 (ja) 2010-12-27 2016-08-31 株式会社荏原製作所 ポリッシング装置およびポリッシング方法
US20120276817A1 (en) * 2011-04-27 2012-11-01 Iravani Hassan G Eddy current monitoring of metal residue or metal pillars
US8774958B2 (en) * 2011-04-29 2014-07-08 Applied Materials, Inc. Selection of polishing parameters to generate removal profile
JP5699795B2 (ja) * 2011-05-12 2015-04-15 富士通セミコンダクター株式会社 半導体装置の製造方法及半導体製造装置
US20130017762A1 (en) * 2011-07-15 2013-01-17 Infineon Technologies Ag Method and Apparatus for Determining a Measure of a Thickness of a Polishing Pad of a Polishing Machine
JP5705093B2 (ja) * 2011-11-21 2015-04-22 株式会社荏原製作所 研磨終点検出方法および研磨装置
JP2013222856A (ja) * 2012-04-17 2013-10-28 Ebara Corp 研磨装置および研磨方法
CN103624673B (zh) * 2012-08-21 2016-04-20 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 化学机械抛光装置及化学机械抛光的方法
US20140067321A1 (en) * 2012-09-06 2014-03-06 Schmitt Industries, Inc. Systems and methods for monitoring machining of a workpiece
KR101689428B1 (ko) * 2012-10-31 2016-12-23 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 연마 장치 및 연마 방법
US10090207B2 (en) * 2012-11-28 2018-10-02 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Multi-point chemical mechanical polishing end point detection system and method of using
KR101699197B1 (ko) * 2013-03-15 2017-01-23 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 인-시튜 프로파일 제어(ｉｓｐｃ)를 이용한 동적 잔류물 클리어링 제어
CN103252707B (zh) * 2013-05-07 2015-08-26 上海华力微电子有限公司 承载装置及利用该装置进行晶片转移的方法
JP6293519B2 (ja) * 2014-03-05 2018-03-14 株式会社荏原製作所 研磨装置および研磨方法
CN105014519A (zh) * 2014-04-22 2015-11-04 沛鑫科技有限公司 半自动金相研磨机
WO2015163164A1 (ja) 2014-04-22 2015-10-29 株式会社 荏原製作所 研磨方法および研磨装置
TWI614799B (zh) * 2014-05-16 2018-02-11 Acm Res Shanghai Inc 晶圓拋光方法
CN104044055A (zh) * 2014-05-30 2014-09-17 京东方科技集团股份有限公司 基板研磨方法及装置
JP6399873B2 (ja) * 2014-09-17 2018-10-03 株式会社荏原製作所 膜厚信号処理装置、研磨装置、膜厚信号処理方法、及び、研磨方法
TW201710029A (zh) * 2015-09-01 2017-03-16 Ebara Corp 渦電流檢測器
JP6585445B2 (ja) 2015-09-28 2019-10-02 株式会社荏原製作所 研磨方法
JP6775354B2 (ja) * 2015-10-16 2020-10-28 株式会社荏原製作所 研磨装置、及び、研磨方法
KR102412776B1 (ko) * 2015-10-27 2022-06-24 주식회사 케이씨텍 웨이퍼 가장자리에서의 연마층 두께 검출 정확성이 향상된 화학 기계적 연마 장치
KR101870701B1 (ko) * 2016-08-01 2018-06-25 에스케이실트론 주식회사 폴리싱 측정 장치 및 그의 연마 시간 제어 방법, 및 그를 포함한 폴리싱 제어 시스템
US10427272B2 (en) * 2016-09-21 2019-10-01 Applied Materials, Inc. Endpoint detection with compensation for filtering
JP6357260B2 (ja) * 2016-09-30 2018-07-11 株式会社荏原製作所 研磨装置、及び研磨方法
CN107336126B (zh) * 2017-08-31 2019-05-28 清华大学 抛光设备的抛光压力控制方法、装置和抛光设备
JP6847811B2 (ja) * 2017-10-24 2021-03-24 株式会社荏原製作所 研磨方法および研磨装置
TWI845444B (zh) 2018-04-03 2024-06-11 美商應用材料股份有限公司 針對墊子厚度使用機器學習及補償的拋光裝置、拋光系統、方法及電腦儲存媒體
JP7031491B2 (ja) * 2018-05-22 2022-03-08 株式会社Sumco ワークの両面研磨装置および両面研磨方法
US11951587B2 (en) * 2018-09-26 2024-04-09 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Zone-based CMP target control
US11989492B2 (en) 2018-12-26 2024-05-21 Applied Materials, Inc. Preston matrix generator
CN109648461B (zh) * 2019-01-14 2020-04-28 北京半导体专用设备研究所（中国电子科技集团公司第四十五研究所） 研磨头扫描方法及装置
CN110170904B (zh) * 2019-05-30 2021-04-20 佛山市科莱机器人有限公司 一种对壳体通孔厚度的加工方法
CN110549240B (zh) * 2019-09-18 2020-12-29 清华大学 一种终点检测方法和化学机械抛光装置
CN111037456B (zh) * 2020-01-08 2021-05-14 洛阳聚享新科智能科技有限公司 一种双端面研磨机多变量智能模糊控制系统
TWI810069B (zh) * 2020-06-08 2023-07-21 美商應用材料股份有限公司 用於在拋光相鄰導電層的堆疊期間的輪廓控制的系統、方法及電腦程式產品
CN111761420B (zh) * 2020-06-16 2021-10-15 上海中欣晶圆半导体科技有限公司 一种提高硅片倒角宽幅精度的方法
CN115038549B (zh) 2020-06-24 2024-03-12 应用材料公司 使用研磨垫磨损补偿的基板层厚度确定
CN115943016A (zh) * 2020-07-14 2023-04-07 应用材料公司 在化学机械抛光期间检测不合格衬底处理事件的方法
JP2022108789A (ja) 2021-01-14 2022-07-27 株式会社荏原製作所 研磨装置、研磨方法、および基板の膜厚分布の可視化情報を出力する方法
WO2022187105A1 (en) 2021-03-05 2022-09-09 Applied Materials, Inc. Control of processing parameters for substrate polishing with substrate precession
US11919121B2 (en) 2021-03-05 2024-03-05 Applied Materials, Inc. Control of processing parameters during substrate polishing using constrained cost function
US20240165768A1 (en) * 2022-11-18 2024-05-23 Applied Materials, Inc. Underlayer topography metal residue detection and overpolishing strategy
CN117862986B (zh) * 2024-03-06 2024-05-10 长沙韶光芯材科技有限公司 一种玻璃基片研磨装置及研磨方法

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5838447A (en) * 1995-07-20 1998-11-17 Ebara Corporation Polishing apparatus including thickness or flatness detector
US5838448A (en) * 1997-03-11 1998-11-17 Nikon Corporation CMP variable angle in situ sensor
JP4484370B2 (ja) * 1998-11-02 2010-06-16 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 基板上のメタル層の化学機械研磨に関して終点を決定するための方法及び基板のメタル層を研磨するための装置
US6280289B1 (en) * 1998-11-02 2001-08-28 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for detecting an end-point in chemical mechanical polishing of metal layers
US6776692B1 (en) * 1999-07-09 2004-08-17 Applied Materials Inc. Closed-loop control of wafer polishing in a chemical mechanical polishing system
US6706541B1 (en) * 1999-10-20 2004-03-16 Advanced Micro Devices, Inc. Method and apparatus for controlling wafer uniformity using spatially resolved sensors
US6602724B2 (en) * 2000-07-27 2003-08-05 Applied Materials, Inc. Chemical mechanical polishing of a metal layer with polishing rate monitoring
WO2002010729A1 (en) 2000-07-31 2002-02-07 Asml Us, Inc. In-situ method and apparatus for end point detection in chemical mechanical polishing
US6966816B2 (en) * 2001-05-02 2005-11-22 Applied Materials, Inc. Integrated endpoint detection system with optical and eddy current monitoring
US6722946B2 (en) * 2002-01-17 2004-04-20 Nutool, Inc. Advanced chemical mechanical polishing system with smart endpoint detection
US7008295B2 (en) * 2003-02-04 2006-03-07 Applied Materials Inc. Substrate monitoring during chemical mechanical polishing
US6945845B2 (en) * 2003-03-04 2005-09-20 Applied Materials, Inc. Chemical mechanical polishing apparatus with non-conductive elements
US7025658B2 (en) * 2003-08-18 2006-04-11 Applied Materials, Inc. Platen and head rotation rates for monitoring chemical mechanical polishing
JP4451111B2 (ja) 2003-10-20 2010-04-14 株式会社荏原製作所 渦電流センサ
KR101078007B1 (ko) * 2004-06-21 2011-10-28 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 폴리싱장치 및 폴리싱방법

Also Published As

Publication number Publication date
CN101511539B (zh) 2012-08-22
EP2075089A1 (en) 2009-07-01
KR101278236B1 (ko) 2013-06-24
EP2075089A4 (en) 2012-12-05
CN101511539A (zh) 2009-08-19
JP5283506B2 (ja) 2013-09-04
EP2075089B1 (en) 2015-04-15
KR20090057306A (ko) 2009-06-04
TWI588883B (zh) 2017-06-21
US8246417B2 (en) 2012-08-21
JPWO2008032753A1 (ja) 2010-01-28
US20100029177A1 (en) 2010-02-04
TW201426843A (zh) 2014-07-01
TW200822204A (en) 2008-05-16
WO2008032753A1 (en) 2008-03-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI435380B (zh) 研磨裝置及研磨方法
TWI449595B (zh) 研磨方法及研磨裝置
JP6009436B2 (ja) 化学機械研磨における研磨速度補正のためのフィードバック
JP6196858B2 (ja) 研磨方法および研磨装置
JP2022137014A (ja) 機械学習とパッドの厚さの補正を使用した研磨装置
KR101884049B1 (ko) 연마 장치 및 연마 방법
US20170216991A1 (en) Polishing-amount simulation method for buffing, and buffing apparatus
KR20190055132A (ko) 화학적 기계적 연마를 위한 실시간 프로파일 제어
CN109848855B (zh) 调节研磨垫的方法
KR102276869B1 (ko) 화학적 기계적 연마 자동화된 레시피 생성
KR102144854B1 (ko) 기판 처리 장치
TW202230503A (zh) 研磨裝置、研磨方法、及基板膜厚分布之可視化資訊之輸出方法
JP5236561B2 (ja) 研磨装置及び研磨方法
JP2022170119A (ja) 研磨方法
US20240326196A1 (en) Method of detecting polishing endpoint, and program for detecting polishing endpoint
CN109719617B (zh) 基板处理装置
JPH1086061A (ja) パイプの研磨方法およびその装置
US20240027190A1 (en) Surface property judging method and surface property judging system
KR101619043B1 (ko) 화학 기계적 연마 장치 및 방법
WO2024142757A1 (ja) 研磨方法、研磨装置、および記録媒体
JP3931579B2 (ja) 平坦化処理方法及びｃｍｐ装置
JP2023064493A (ja) 研磨装置、および研磨方法
JP2022143015A (ja) 膜厚測定方法、ノッチ部の検出方法、および研磨装置