TWI431715B - 靜電保持裝置以及使用此裝置的真空環境裝置和接合裝置 - Google Patents

靜電保持裝置以及使用此裝置的真空環境裝置和接合裝置 Download PDF

Info

Publication number
TWI431715B
TWI431715B TW096108204A TW96108204A TWI431715B TW I431715 B TWI431715 B TW I431715B TW 096108204 A TW096108204 A TW 096108204A TW 96108204 A TW96108204 A TW 96108204A TW I431715 B TWI431715 B TW I431715B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
high voltage
holding
electrostatic
electrode
substrate
Prior art date
Application number
TW096108204A
Other languages
English (en)
Other versions
TW200740677A (en
Inventor
Fow-Lai Poh
Original Assignee
Tsukuba Seiko Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tsukuba Seiko Ltd filed Critical Tsukuba Seiko Ltd
Publication of TW200740677A publication Critical patent/TW200740677A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI431715B publication Critical patent/TWI431715B/zh

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • HELECTRICITY
    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02NELECTRIC MACHINES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H02N13/00Clutches or holding devices using electrostatic attraction, e.g. using Johnson-Rahbek effect
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B25HAND TOOLS; PORTABLE POWER-DRIVEN TOOLS; MANIPULATORS
    • B25JMANIPULATORS; CHAMBERS PROVIDED WITH MANIPULATION DEVICES
    • B25J15/00Gripping heads and other end effectors
    • B25J15/06Gripping heads and other end effectors with vacuum or magnetic holding means
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/3065Plasma etching; Reactive-ion etching
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6831Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
    • H01L21/6833Details of electrostatic chucks
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T279/00Chucks or sockets
    • Y10T279/23Chucks or sockets with magnetic or electrostatic means

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Robotics (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Battery Mounting, Suspending (AREA)

Description

靜電保持裝置以及使用此裝置的真空環境裝置和接合裝置
本發明是關於一種用於保持對象物的靜電保持裝置,以及使用此裝置的真空環境裝置和使對象物黏合的接合裝置。
在習知技術中,作為保持對象物的保持裝置,一般是使用真空吸盤(chuck),但當對象物為薄板時,存在著薄板的周邊會產生撓曲的問題。對此,如利用靜電吸盤等靜電保持裝置,則可利用電極面全體的靜電力而保持對象物,所以即使進行薄板的處理(handling)(保持),其周邊也不會撓曲(例如,請參照專利文獻1、2)。
在上述靜電吸盤中,於底板上設置有用於保持對象物的保持部,且該保持部由電極要素群和絕緣層構成,其中,電極要素群付與正負一對的電荷,絕緣層是以覆蓋該電極要素群的形態而被固定在底板上。
藉此,在這些電極要素群上藉由開關而施加高電壓,從而使絕緣層的表面作為保持面,利用在對象物和保持面之間所感應的靜電吸引力而使對象物被保持在保持面上。當開關關閉時,這些靜電吸引力消除,對象物可從保持面上脫離。藉此,靜電吸盤可利用靜電吸引力來對導體、半導體或高電阻體等的對象物進行吸引並保持(負載),也可使對象物脫離(卸載)。而且,還開發有一種藉由利用控制電路等來對吸引力進行控制,而將對象物在浮起的狀態下 予以保持的靜電吸盤。
這種靜電吸盤在減壓下可維持對象物的保持力,所以被應用於需要在減壓下組裝之液晶顯示裝置的面板製造工程等中的基板對準裝置或基板接合(粘合)裝置等(參照專利文獻3、4。)。
例如,在專利文獻3所記述的對準裝置中,是在真空槽的內部,將作為光罩等的加工材料的上基板W1,利用基板支持器(靜電吸盤)的靜電吸引力而予以保持,並將與該上基板W1一起進行對準的下基板W2,大致水準地保持在下載臺上。
該靜電吸盤具有平板狀的底板構件,其與電動機等致動器(actuator)連接並可沿x軸方向、y軸方向、z軸方向(垂直方向)、θ方向(在xy平面內的旋轉方向)而移動,且在該底板構件的下麵上,固定有正負一對的電極要素群,其由絕緣材料覆蓋。藉由在這一對電極要素群上分別施加正負的電壓,而使上基板W1被靜電吸附在作為保持面的絕緣材料的下面上。
另一方面,在該靜電吸盤及/或載臺上設置有孔部,其藉由監視照相機來監視各個對準標記(mark)。藉此,使下基板W2被載置在載臺上並被支持固定,且利用搬運裝置而將上基板W1搬運到保持面附近,而且,藉由在一對電極要素群上施加+V1伏特、-V1伏特,而使上基板W1被靜電吸附。
藉由驅動該致動器以使靜電吸盤沿z軸方向下降,且 使上基板W1及下基板W2接近(或接觸),並根據來自照相機的對準標記等資訊,對位置偏離量進行測定,且依據該位置偏離量而驅動該致動器,使上基板W1和下基板W2進行移動,以消除x軸方向、y軸方向、θ方向上的位置偏離量,藉此來進行對準。
〔專利文獻1〕日本專利特開2004-335811號公報(圖11)
〔專利文獻2〕日本專利特開2004-120921號公報(段落0012)
〔專利文獻3〕日本專利特開2004-176124號公報(圖3、圖4)
〔專利文獻4〕日本專利特開2002-357838號公報
但是,如上所述,利用習知的基板的對準裝置或基板的接合裝置而將對象物進行對準或接合的情況下,如電極面因某些原因而破損,則需要對破損的電極面進行修復。這種電極面的破損在對準裝置或接合裝置的啟動時或未滿足生產條件時經常發生。而且,是將靜電保持部在安裝於對準裝置或接合裝置上的狀態下,或者從對準裝置或接合裝置上拆下而進行修復破損的電極面。
近年的液晶顯示裝置主基板,例如第7代為面尺寸1.9m×2.2m的玻璃基板,但液晶顯示裝置主基板正在更加大型化,向大於等於2.5m×2.5m尺寸的第8代發展,且靜電吸盤的保持面也需要依據該基板的大小而增大。但是,在製造液晶顯示裝置(LCD)的主基板等的裝置中,需要 使基板以高精度一面進行位置對合且一面粘合,而且,靜電吸盤的保持面要求使厚度為60μm左右的薄絕緣層的平坦度,維持著數μm左右這樣的高精度。這種靜電保持面價格高,而且在組入狀態下的保持面的修復一般難以進行。
因此,考慮有一種將大面積的保持面分割為多個部分,並只取下具有破損的電極面的模組而進行修復之構成。但是,如使分割的模組的數目增大,則需要多條導線,以確保向各模組所施加的電壓。這些導線在構成上被集束在一起並與真空室的外部所設置的高電壓產生源相連接,但依據模組的數目,需要將束在一起的導線的配線解開或重新纏繞的作業,這要花費很大的工夫。
對此,如將與外部的高電壓產生源的連接,利用在真空槽內所設置的連接器而進行接合,則具有不需要解開導線的配線或不需要重新纏繞之作業的優點,但因使真空槽內高速減壓所產生的空氣流動,及連接器內的電荷從連接器內部向外部迅速流出,於是有可能產生漏電問題。因此,不能將這種作為與高電壓源的接點的連接器設置在真空槽內,結果,如使電極模組的數目增加,則對應於該數目而成為必要之導線的操作煩雜度增大。
因此,本發明的目的是提供一種靜電保持裝置以及使用此裝置的真空環境裝置和接合裝置,其即使在增大電極模組數目的情況下,也可容易地進行電極模組的更換。
為了達成上述目的,根據本發明的一實施例之靜電保 持裝置包括:多個電極模組,其具有保持面,並將保持對象物在前述保持面處進行靜電保持;以及高電壓產生部,其分別設置在多個電極模組上,用於從低電壓向靜電保持時所需要的規定的高電壓進行轉換。在這裏,高電壓產生部被密封。
在一實施例中,高電壓產生部包括電壓放大電路。
該高電壓產生部也可採用包括電壓放大電路的構成。
而且,該高電壓產生部也可採用包括電池和升壓電路的構成,且在這種情況下,也可採用一種在該電池和升壓電路之間設置開關並能夠從外部來對該開關進行控制的構成。
也可採用一種設置有向低電壓源的連接用的連接器而且包括控制電壓用的連接器之構成,其中,該向低電壓源的連接用的連接器用於向這些高電壓產生部供給低電壓,控制電壓用的連接器用於控制高電壓產生部。
如利用上述之靜電保持裝置,則即使在靜電保持裝置工作的狀態下高速地進行真空抽吸,也不會產生漏電,所以能夠用於各種真空環境裝置或基板的接合裝置中。
如利用本發明,則可提供一種靜電保持裝置以及使用此裝置的真空環境裝置和對準裝置或接合裝置,該靜電保持裝置在使電極模組的數目增加的情況下,也可容易地進行電極模組的更換。
以下,對用於實施本發明的最佳形態,利用將其具體 化的實施例,並參照圖示詳細地進行說明。
圖1所示為根據本發明的第一實施例的接合裝置1000。該接合裝置1000採用一種使作為應加工的工件的對象物,例如上基板W1和下基板W2,彼此黏合(接合)的構成。在這種情況下,上基板W1是利用根據本發明的靜電保持裝置100而被靜電保持。接合裝置1000及靜電保持裝置100被配置在利用壁體10而密閉的室部11內。該室部11在構成上是連接在減壓裝置(或真空產生裝置)或清除(purge)裝置(未圖示)處,將內部設定為減壓(或真空),且可解除(清除)該減壓而形成大氣壓,其中,減壓裝置用於將室部11的內部設定為減壓(或真空),清除裝置用於解除此減壓。
在該壁體10上設置有可關閉的門12,且通過該門12,進行上基板W1及下基板W2向靜電保持裝置100的搬入及黏合後的製品的搬出。這種工件為例如玻璃基板、濾色基板(CF基板)、TFT基板等,但並不限定於這些。
而且,該壁體10採用一種電纜或導線等可通過凸緣部13等而從室部的外部導入的構成,其中,電纜或導線等用於進行室部11內所配置的各種機器的運轉或控制。在圖1中,只圖示出本發明的目的範圍內用於對電極模組進行控制的導線14,其通過凸緣部13而從外部導入,而其他目的所使用的導線等在圖示中省略。
在本實施例中,靜電保持裝置100由平面視呈正方形的上工作臺101和平面視呈正方形的下工作臺102構成, 其中,上工作臺101為了將上基板W1從上方予以保持而設置,下工作臺102是為了將下基板W2從下方予以支持而設置。
該上工作臺101被固定在作為升降裝置的上載台16上,且上基板W1對下基板W2的相對位置可沿z軸方向進行升降,其中,該升降裝置利用未圖示的驅動裝置(致動器)進行升降。而且,下工作臺102被固定在作為水平移動裝置的下載台17上,且下基板W2對上基板W1的相對位置可沿x軸方向、y軸方向、θ方向(xy平面內的旋轉方向)而移動,其中,該水平移動裝置利用未圖示的驅動裝置(致動器)而大致水準地進行移動。
在上工作臺101上形成有多個貫通孔103(在圖中為2處),且在這些貫通孔103中,分別於一處或多處固定有一個或多個照相機104和一個或多個照射燈105,其中,照射燈105用於照射UV線等光線。為了判斷上基板W1和下基板W2的相互的相對位置對合(對準)是否恰當,該照相機104通過貫通孔103來對上基板W1和下基板W2進行監視。而且,為了將適當對準後的上基板W1及下基板W2利用光線硬化性樹脂等來進行固定或暫時粘接,照射燈105對光線硬化性樹脂照射適當的光。
在上工作臺101的下面,固定有平面視呈矩形的多個電極模組110。這些電極模組110是為了在應被保持的上基板W1的尺寸增大而作為靜電保持面需要確保大面積的情況下,藉由使多個靜電保持面在上工作臺101的下面分 割而配置,而使電極模組110的維持管理容易進行。
在該實施例的靜電保持裝置100的情況下,6個(合計36個)電極模組110相距間隔d,沿著成為基板的面方向之平面方向而分別配置,藉此而確保全體約為2m×2m的靜電保持面,其中,電極模組110具有分別約為30cm×30cm的靜電保持面。
這裏,本發明中,本質上是需要使靜電保持面利用電極模組110來分割,但分割的數目、分割模組的大小、分割形狀等是自由的。因此,靜電保持面及分割模組110並不限定於大致正方形,可依據基板的形狀、大小而自由地進行設計。
在各電極模組110上,如圖2所示,於模組主體(作為支持體的底部構件)111的下面分別固定有一對電極要素群112a、112b,且各個電極要素群112a、112b被埋設於絕緣材料113中。而且,在這些絕緣材料113的下面,形成有製成為高精度平滑面的保持面113a。
在圖2所示的電極模組110中,於底部構件111內埋設有例如將100V或100V以下的低電壓轉換為高電壓的高電壓產生部(放大器)114,因此,該高電壓產生部114被密封。該高電壓產生部114的輸入側連接在連接器15上,且外部的導線14也連接至該連接器15,其中,該連接器15也可配置在室部11內。在本發明中,需要將高電壓產生部114進行密封或封裝,但連接器15可不進行密封或封裝。而且,該高電壓產生部114的輸出側連接在各電 極要素群112a、112b上。
在這裏,本發明重要的是使這些高電壓產生部114被密封。亦即,在使室部11內的空氣急速排出的情況下,需要降低或消除來自高電壓產生部114的漏電。在本發明中,為了該目的而將高電壓產生部114進行密封。實質上,如果是不會因空氣的流動而產生電荷流出的程度,則沒有必要將高電壓產生部114在嚴格的意義上進行密封。通常,將這些高電壓產生部114利用絕緣性的材料(例如,絕緣性樹脂等)進行封裝(模壓(mould))即可達成目的,但也可將高電壓產生部封入到密封容器內。另外,主要是還設置用於控制高電壓產生部114的控制裝置(未圖示)。
接著,對利用如以上那樣構成的接合裝置之接合(黏合)工程進行說明。
在門12開放的狀態下,利用未圖示的機器人,將作為LCD的兩基板之CF基板及TFT基板搬入到室部11內。
當通過與未圖示的控制電路相連接的導線14,從連接器15將低電壓供給到電極模組110時,與控制電路所發送的輸入電壓成比例的高電壓,分別作為與輸入電壓的模式(pattern)相對應的輸出電壓而施加至各電極要素群112a、112b。藉此,而對各電極模組110施加高電壓,使作為上基板W1的CF基板(或TFT基板)在成為絕緣材料113的下面之保持面113a上被靜電吸附。
接著,使作為另一方的下基板W2的TFT基板(或 CF基板)載置在下工作臺102上。上基板W1為從上方被牽引的狀態,但由於吸附面(保持面113a)是利用靜電保持裝置來達成面吸附作用,所以即使在利用大面積的薄基板的情況下,也不會產生翹曲。
在該狀態下關閉門12,並對設定為大氣壓的室部11內利用真空抽吸裝置(未圖示)進行真空抽吸,使其減壓至0.1Pa附近的氣壓為止。即使急劇地使室部11內減壓或形成真空,由於高電壓產生部114被密封,所以也不會產生漏電現象。而且,由於在作為接點的連接器15上只施加100V或100V以下程度的低電壓負荷,所以從該作為接點的連接器15部分不會產生漏電。
利用照相機104,對兩個基板W1、基板W2的相對位置,一方面確認對準標記等資訊並測定位置偏離量,且另一方面依據常法,利用上工作臺101的升降操作和下工作臺102向平面方向(x、y、θ)的移動操作而進行對準。
在位置偏離量消除的狀態下,驅動該致動器且沿z軸方向使上工作臺101下降,以使下基板W2和上基板W1抵接,完成對準操作,且在對準後,使從照射燈105所射出的例如紫外線朝著上下基板的接合部照射,而將兩個基板W1、W2予以暫時固定。接著,將該完成了暫時固定的基板通過該門12,從室部11內取出。
在因某些原因而在電極模組的保持面113a上產生了損傷的情況下,可只將產生了損傷的電極模組110包括連接器15的部分在內一起拆下,並將損傷部分在拆除的狀態 下進行修復,然後將該修復了的電極模組再次安裝。
而且,藉由預先準備同一形狀的多個預備電極模組110,也可只將損傷了的電極模組110在其現場立即進行更換。
下面,對接合裝置的第二實施例進行說明。
在該第二實施例的接合裝置中,當向連接器15供給直流電壓而作為從控制電路所供給的輸入電壓時,在電極要素群112a、112b上施加正負一對的高電壓,而且,當施加交變電壓以作為輸入電壓時,在各電極要素群112a、112b上施加與輸入模式成比例之高電壓的交變電壓。藉此,如利用根據本發明的靜電保持裝置,則如圖1所示,也可在保持面113a上接觸式地保持上基板W1。
在該第二實施例中,與上述第一實施例同樣地,即使將室部11內急劇地減壓或形成真空,由於高電壓產生部114是被模壓,所以也不會產生漏電現象。而且,在作為接點的連接器15上,由於只施加100V或100V以下程度的低電壓負荷,所以從該作為接點的連接器15部分不會產生漏電。
在因某些原因而在保持面113a上產生了損傷的情況下,與上述第一實施例同樣地,可只將產生了損傷的電極模組110包括連接器15的部分在內一起拆下,並將損傷部分在拆除的狀態下進行修復,然後再次安裝。
而且,藉由預先準備同一形狀的多個預備之電極模組110,也可只將損傷了的電極模組110在其現場立即進行更 換。
下面,對接合裝置的第三實施例進行說明。
在該第三實施例的接合裝置中,是利用圖3所示的電極模組110來代替圖2所示的電極模組。在該圖3所示的電極模組110中,是於底部構件111中內置有乾電池、蓄電池等100V或100V以下的直流低電壓源115、開關116以及高電壓產生部114,且根據該實施例的高電壓產生部114是由升壓電路及穩定化電路構成。該直流低電壓源(電池)115是經由開關116而與高電壓產生部114(升壓電路及穩定化電路)連接,且它們的輸出側被連接在各電極要素群112a、112b上。
而且,該開關116採用可從外部來控制的構成,且在該第三實施例中,控制該開關的控制線117通過連接器15而連接在與外部連接的導線14上。
藉此,當通過未圖示的導線14而從連接器15向開關116發出控制信號時,依據控制信號而使開關116打開.關閉,且藉由打開開關而在電極要素群112a上施加正的高電壓+HV,在電極要素群112b上施加負的高電壓-HV,利用靜電保持所必需的高電壓(例如1kV),使上基板W1在成為絕緣材料113的下面之保持面113a上被靜電吸附。
在這種情況下,即使將室部11內急劇地減壓或形成真空,由於高電壓產生部114被模壓,所以也不會產生漏電現象。而且,由於作為接點的連接器15為低電壓的控制電壓可通電的程度即可,所以從該連接器15部分不會產生 漏電。
在因某些原因而在保持面113a上產生了損傷的情況下,可只將產生了損傷的電極模組110包括連接器15的部分在內一起拆下,並將損傷部分在拆除的狀態下進行修復,然後再次安裝。
而且,藉由預先準備同一形狀的多個預備之電極模組110,也可只將損傷了的電極模組110在其現場立即進行更換。
另外,作為直流低電壓源115,利用充電式的電池也較佳。在這種情況下,可利用適當的常規裝置,使直流低電壓源115成為可充電的構成。這種情況下的充電最好是在將電極模組110安裝在底部構件111上的狀態下進行,且在這種情況下,充電終端也可從模中露出。
另外,也可並用電極電位下降緩和裝置,其在收納有高電壓產生部的底部構件111內,導入使電極要素群112a、112b間短路的短路電路以使釋放(release)操作變得容易,緩和向各電極要素群112a、112b所施加的電位的下降。
下麵,參照圖4對接合裝置的第四實施例進行說明。
圖4所示為作為圖1中的接合裝置1000的變形例之接合裝置2000的主要部的模式圖。另外,為了說明上的方便,對與第一實施例相同或均等的構件,付以相同號碼並省略詳細的說明。
在圖4中,取代圖2或圖3的電極模組,而組入未內 置高電壓產生部或高電壓產生源的電極模組210。
亦即,在根據該圖4的電極模組210中,在與底部構件共通的絕緣材料113中埋設各電極要素群112a、112b。各電極要素群112a、112b分別與導線18連接,且該導線18通過凸緣部13而與外部的高電壓產生源(-HV,+HV)連接。
藉此,即使將室部11內急劇地減壓或形成真空,由於高電壓產生部配置在外部,所以也不會產生漏電現象,但在因某些原因而使保持面113a產生了損傷的情況下,即使只拆下產生了損傷的電極模組210,也需要拆下凸緣部13並解開束在一起的導線18。而且,在安裝電極模組210的情況下,需要再次使導線18成束。
上述第二至第四實施例的其他的作用效果,與第一實施例大致相同。
另外,如為了避免該作業的煩雜,而將連接各導線18的連接器配設在室部11內,則可減輕導線18的解開或集束作業,但當在施加了高電壓的狀態下對室部11內進行真空抽吸時,會在連接器部分產生漏電流。
以上,是利用圖示對本發明的實施例進行了詳細的說明,但本發明並不限定於這些實施例子,即使有未脫離本發明的要旨之範圍內的設計上的變更,也包含在本發明中。
例如,在本發明的實施例中對接觸方式的例子進行了說明,但本發明也可在浮起狀態下進行對準。而且,在這種情況下,既可使上基板或下基板保持浮起並進行對準, 也可在上下利用靜電保持裝置。這種控制的詳細內容例如已說明在本申請人的日本專利特願2004-283118號說明書中。藉由對從控制電路所供給的輸入電壓進行控制,也可使上基板W1在對保持面113a處於非接觸、亦即浮起的狀態下被保持。在這種情況下,也可並用在上基板W1沿z軸方向以規定的間隔浮起的狀態下可以保持或支援上基板W1的保持裝置或支持裝置,藉此而使基板的對準變得容易。
如利用根據本發明的接合裝置或靜電保持裝置,則即使在產生了高電壓的狀態下進行真空抽吸,也不會產生漏電,所以除了用於濾色基板和TFT基板等的黏合等之時的對準裝置或接合裝置以外,也可組入到其他的液晶顯示裝置等的各種電子構件的組裝工程、封裝工程等製造工程中,可期待發展成作為對準裝置、處理裝置、搬運裝置等的廣泛用途。
10‧‧‧壁體
11‧‧‧黏合室(真空室)
12‧‧‧門
13‧‧‧凸緣部
14‧‧‧導線(低電壓或控制信號)
15‧‧‧連接器
16‧‧‧上載台
17‧‧‧下載台
18‧‧‧導線(高電壓)
100‧‧‧接合裝置
101‧‧‧上工作臺
102‧‧‧下工作臺
103‧‧‧貫通孔
104‧‧‧照相機
105‧‧‧照射燈
110‧‧‧電極模組
111‧‧‧底部構件(模組主體)
112a、112b‧‧‧電極要素群
113‧‧‧絕緣材料
113a‧‧‧保持面(靜電保持面)
114‧‧‧高壓產生部(高壓產生電路或高電壓產生源)
115‧‧‧直流低電壓源
116‧‧‧開關
117‧‧‧控制線
200‧‧‧黏合裝置主體(靜電保持裝置)
210‧‧‧電極模組
1000‧‧‧接合裝置
2000‧‧‧接合裝置
W1‧‧‧上基板
W2‧‧‧下基板
d‧‧‧間隔
圖1所示為根據本發明的第一實施例的接合裝置利用對電極面直交的斷面而被切斷時的剖面構成圖。
圖2為根據本發明的一個接合裝置的主要部份之電極模組的斷面構成圖。
圖3為根據本發明的另一個接合裝置的主要部份之電極模組的斷面構成圖。
圖4為根據本發明的第4實施例之接合裝置的構成的說明圖。
10‧‧‧壁體
11‧‧‧黏合室(真空室)
12‧‧‧門
13‧‧‧凸緣部
14‧‧‧導線(低電壓或控制信號)
16‧‧‧上載台
17‧‧‧下載台
100‧‧‧接合裝置
101‧‧‧上工作臺
102‧‧‧下工作臺
103‧‧‧貫通孔
104‧‧‧照相機
105‧‧‧照射燈
110‧‧‧電極模組
111‧‧‧底部構件(模組主體)
112a、112b‧‧‧電極要素群
113‧‧‧絕緣材料
114‧‧‧高壓產生部(高壓產生電路或高電壓產生源)
1000‧‧‧接合裝置
W1‧‧‧上基板
W2‧‧‧下基板
d‧‧‧間隔

Claims (3)

  1. 一種靜電保持裝置,包括:多個電極模組,其具有保持面,並將保持對象物在前述保持面處進行靜電保持;高電壓產生部,其分別設置在該多個電極模組上,用於從低電壓向靜電保持所需要的規定的高電壓進行轉換;其特徵在於:前述高電壓產生部被密封;其中,前述高電壓產生部包括電壓放大電路;在前述電極模組中還設置有電池,其與前述電壓放大電路相連接,其中,在前述電池和前述電壓放大電路之間設置有開關,且該開關可從外部進行控制。
  2. 一種靜電保持裝置,包括:多個電極模組,其具有保持面,並將保持對象物在前述保持面處進行靜電保持;高電壓產生部,其分別設置在該多個電極模組上,用於從低電壓向靜電保持所需要的規定的高電壓進行轉換;其特徵在於:前述高電壓產生部被密封;前述高電壓產生部包括電壓放大電路;其中,具有與低電壓源連接用的連接器,其中,該低電壓源用於向前述高電壓產生部供給低電壓。
  3. 一種真空環境裝置,具有一內部,該真空環境裝置在該內部設置有申請專利範圍第1項所述的靜電保持裝置。
TW096108204A 2006-03-09 2007-03-09 靜電保持裝置以及使用此裝置的真空環境裝置和接合裝置 TWI431715B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006064020A JP4802018B2 (ja) 2006-03-09 2006-03-09 静電保持装置及びそれを用いた真空環境装置並びにアライメント装置又は貼り合わせ装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW200740677A TW200740677A (en) 2007-11-01
TWI431715B true TWI431715B (zh) 2014-03-21

Family

ID=38475017

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW096108204A TWI431715B (zh) 2006-03-09 2007-03-09 靜電保持裝置以及使用此裝置的真空環境裝置和接合裝置

Country Status (6)

Country Link
US (1) US8125756B2 (zh)
JP (1) JP4802018B2 (zh)
KR (1) KR101358578B1 (zh)
CN (1) CN101401292B (zh)
TW (1) TWI431715B (zh)
WO (1) WO2007102598A1 (zh)

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007305938A (ja) * 2006-05-15 2007-11-22 Tomoegawa Paper Co Ltd 静電吸着装置
WO2010065070A2 (en) * 2008-11-25 2010-06-10 M Cubed Technologies, Inc. Electrostatic chuck
KR101287000B1 (ko) * 2009-01-11 2013-07-23 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 로봇 및 로봇의 전기 엔드 이펙터로 전기 연결을 하기 위한 시스템, 장치 및 방법
US8486726B2 (en) 2009-12-02 2013-07-16 Veeco Instruments Inc. Method for improving performance of a substrate carrier
GB2483287B (en) 2010-09-03 2013-02-06 Tdk Lambda Uk Ltd Load sharing apparatus
CN102479656B (zh) * 2010-11-27 2014-07-16 中国科学院近代物理研究所 真空管道式束流调节器
WO2012165250A1 (ja) * 2011-05-30 2012-12-06 株式会社クリエイティブ テクノロジー 静電吸着体及びこれを用いた静電吸着装置
JP6425184B2 (ja) * 2012-11-22 2018-11-21 株式会社クリエイティブテクノロジー 給電システム
WO2015013143A1 (en) 2013-07-22 2015-01-29 Applied Materials, Inc. An end effector for transferring a substrate
WO2015013142A1 (en) 2013-07-22 2015-01-29 Applied Materials, Inc. An electrostatic chuck for high temperature process applications
CN110085546B (zh) 2013-08-05 2023-05-16 应用材料公司 用于薄基板搬运的静电载体
CN105359265B (zh) 2013-08-05 2018-12-14 应用材料公司 原位可移除式静电夹盘
WO2015042309A1 (en) 2013-09-20 2015-03-26 Applied Materials, Inc. Substrate carrier with integrated electrostatic chuck
US9460950B2 (en) 2013-12-06 2016-10-04 Applied Materials, Inc. Wafer carrier for smaller wafers and wafer pieces
WO2015171207A1 (en) 2014-05-09 2015-11-12 Applied Materials, Inc. Substrate carrier system and method for using the same
US9959961B2 (en) 2014-06-02 2018-05-01 Applied Materials, Inc. Permanent magnetic chuck for OLED mask chucking
CN105082717A (zh) * 2015-09-11 2015-11-25 武汉华星光电技术有限公司 真空贴合设备与基板贴合方法
CN108656699A (zh) * 2017-03-29 2018-10-16 阳程科技股份有限公司 可吸附曲面物件的装置及应用该装置的贴合设备

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1988009054A1 (en) * 1987-05-06 1988-11-17 Labtam Limited Electrostatic chuck using ac field excitation
JPH0316297U (zh) * 1989-06-27 1991-02-19
US6095084A (en) * 1996-02-02 2000-08-01 Applied Materials, Inc. High density plasma process chamber
US5933314A (en) * 1997-06-27 1999-08-03 Lam Research Corp. Method and an apparatus for offsetting plasma bias voltage in bi-polar electro-static chucks
JP3824407B2 (ja) * 1997-09-29 2006-09-20 東京エレクトロン株式会社 プロセスの終点検出方法,終点検出装置及び記録媒体、並びに化学的機械研磨装置
US6228278B1 (en) * 1998-09-30 2001-05-08 Lam Research Corporation Methods and apparatus for determining an etch endpoint in a plasma processing system
US6923979B2 (en) * 1999-04-27 2005-08-02 Microdose Technologies, Inc. Method for depositing particles onto a substrate using an alternating electric field
JP3492325B2 (ja) * 2000-03-06 2004-02-03 キヤノン株式会社 画像表示装置の製造方法
US6416822B1 (en) * 2000-12-06 2002-07-09 Angstrom Systems, Inc. Continuous method for depositing a film by modulated ion-induced atomic layer deposition (MII-ALD)
JP2002357838A (ja) 2001-05-31 2002-12-13 Hitachi Industries Co Ltd 基板貼り合わせ方法及びその装置
US6490145B1 (en) * 2001-07-18 2002-12-03 Applied Materials, Inc. Substrate support pedestal
JP2003037159A (ja) * 2001-07-25 2003-02-07 Toto Ltd 静電チャックユニット
JP3913617B2 (ja) * 2002-06-18 2007-05-09 京楽産業.株式会社 パチンコ遊技機
JP4526759B2 (ja) 2002-09-27 2010-08-18 筑波精工株式会社 静電保持装置及びそれを用いた搬送装置又はステージ
JP4463496B2 (ja) 2003-05-09 2010-05-19 筑波精工株式会社 静電保持装置及びそれを用いた静電ピンセット
JP4184771B2 (ja) 2002-11-27 2008-11-19 株式会社アルバック アライメント装置、成膜装置
US20070211232A1 (en) * 2003-11-10 2007-09-13 Phillips Alton H Thermophoretic Techniques for Protecting Reticles from Contaminants
JP2006097065A (ja) 2004-09-29 2006-04-13 Tsukuba Seiko Co Ltd アライメント装置及びそれを用いたアライメント方法
KR101265367B1 (ko) * 2005-05-20 2013-05-20 쓰쿠바 세이코 가부시키가이샤 정전 유지 장치 및 그것을 이용한 정전 핀셋

Also Published As

Publication number Publication date
CN101401292A (zh) 2009-04-01
KR20090006076A (ko) 2009-01-14
CN101401292B (zh) 2012-07-04
KR101358578B1 (ko) 2014-02-04
JP2007242931A (ja) 2007-09-20
TW200740677A (en) 2007-11-01
JP4802018B2 (ja) 2011-10-26
US20090021885A1 (en) 2009-01-22
US8125756B2 (en) 2012-02-28
WO2007102598A1 (ja) 2007-09-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI431715B (zh) 靜電保持裝置以及使用此裝置的真空環境裝置和接合裝置
JP3707990B2 (ja) 基板組立装置
KR101770009B1 (ko) 기판 분리 방법, 반도체 장치의 제조 방법, 기판 분리 장치, 로드 락 장치 및 기판 접합 장치
JP2006330214A (ja) 基板組立装置
KR20100083813A (ko) 유리 패키지의 밀봉을 위한 방법 및 장치
JP5523646B1 (ja) 貼合デバイスの製造装置
WO2010016530A1 (ja) モジュール組立装置およびモジュール組立方法
KR101719373B1 (ko) 시일링 방법 및 그 장치
JP6596371B2 (ja) 基板保持装置および基板処理装置
JP4372757B2 (ja) 基板貼合せ装置
JP2008185748A (ja) 基板重ね合わせ装置及び表示装置の製造方法
JP2009282411A (ja) 液晶表示パネルの製造方法および製造装置
CN1445588A (zh) 粘合机中的工作台结构及其控制方法
JP4583905B2 (ja) アライメント装置及びそれを用いたアライメント方法
JP2007256444A (ja) 貼合せ基板製造装置
JP6788322B2 (ja) 基板組立装置とそのテーブル構造
TW574575B (en) Substrate assembling method and assembling apparatus
EP4031485A1 (en) A process and apparatus for the preparation of a bonded substrate
TW201409556A (zh) 片材黏貼裝置及裝置之大型化防止方法
JP2021072320A (ja) 基板保持装置、基板処理装置、基板保持方法、成膜方法、及び電子デバイスの製造方法
JP2012063514A (ja) プロキシミティ露光装置、及びプロキシミティ露光装置のマスク搬送方法
JP2018082128A (ja) インプリント装置および物品製造方法
KR102612030B1 (ko) 백라이트 진공흡착 모듈용 부품 자동검사장치과 이의 자동검사방법
JP2010267821A (ja) ホルダユニット、基板貼り合わせ装置および静電装置
JP2006097065A (ja) アライメント装置及びそれを用いたアライメント方法