TWI431649B - Ceramic electronic parts - Google Patents

Description

陶瓷電子零件

本發明係關於陶瓷電子零件，詳細而言係關於在陶瓷素體之內部形成有內部電極之陶瓷電子零件。

近年，伴隨著行動電話或行動音樂播放器等之電子機器之小型化之發展，搭載於電子機器上之電容器等之陶瓷電子零件之小型化正快速發展。例如，在以積層陶瓷電容器為代表之積層陶瓷電子零件中，以一面縮小晶片尺寸一面確保特定之特性為目的，正在嘗試將位於一對內部電極間之陶瓷層進行薄層化。

若將陶瓷層薄層化，則施加於每1層陶瓷層之電場強度增高。又，由於伴隨著陶瓷層之薄層化，每1層陶瓷層之顆粒數亦減少，故絕緣電阻較高之晶界數減少。因此，陶瓷層之絕緣電阻之劣化變得顯著。通常，陶瓷層之絕緣電阻之劣化並非均勻地產生於陶瓷層之整體，而是在陶瓷層中，易產生於局部較薄之部份、或位於內部電極之端部附近之部份等之電場集中的部份。

鑑於如此之問題，例如在下述之專利文獻1中，有人提出有一方法：於介電體層及內部電極層中至少一者，形成包含Mg及Mn元素之異相，作為抑制陶瓷電子零件之絕緣電阻之劣化之方法。

[先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本特開2006-73623號公報

然而，如專利文獻1所記載，於介電體層及內部電極層中至少一者形成包含Mg及Mn元素之異相，以作為抑制陶瓷電子零件之絕緣電阻之劣化之方法的情況，亦存在難以充分抑制陶瓷電子零件之絕緣電阻之劣化的情況。

本發明係鑑於上述之問題而完成者，其目的在於提供一種充分抑制絕緣電阻之劣化之陶瓷電子零件。即，提供一種絕緣電阻高之陶瓷電子零件。

本發明之陶瓷電子零件具備有長方體狀之陶瓷素體、與一對內部電極。陶瓷素體包含第1及第2主面、第1及第2側面、及第1及第2端面。第1及第2主面係沿著長度方向及寬度方向延伸。第1及第2側面係沿著長度方向及高度方向延伸。第1及第2端面係沿著寬度方向及高度方向延伸。一對內部電極分別配置於陶瓷素體之內部。一對內部電極分別於第1端面或第2端面露出。一對內部電極分別與第1及第2主面平行。一對內部電極在高度方向上相互對向。在本發明之第2陶瓷電子零件中，於內部電極之寬度方向之兩端部形成有異相區域，該異相區域係於構成內部電極之金屬氧化物固溶有構成陶瓷素體之陶瓷所含有之金屬氧化物而成者。在形成有異相區域之內部電極之兩端部之沿著長度方向及高度方向的剖面中，異相區域之佔有率為85%以上。

在本發明之陶瓷電子零件之某特定形態中，一對內部電極包含以在第1端面露出的方式形成於陶瓷素體之內部之第1內部電極，與以在第2端面露出的方式形成於陶瓷素體之內部之第2內部電極，且進而具備連接於第1內部電極之第1外部電極，與連接於第2內部電極之第2外部電極，第1及第2外部電極之一部份位於陶瓷素體之第1及第2側面上。

在本發明之陶瓷電子零件之其他之特定形態中，內部電極包含Ni、Cu、Ag、Pd及Au中至少一種之金屬。

在本發明之陶瓷電子零件之進而其他之特定形態中，內部電極包含Ni。

在本發明之陶瓷電子零件之進而其他之特定形態中，於異相區域包含有Mg、Mn、Ni、Li、Si、Ti及Ba中至少一者。

在本發明之陶瓷電子零件之再其他之特定形態中，於異相區域包含有Mg。

在本發明之陶瓷電子零件之再其他之特定形態中，內部電極包含Ni作為主成份，且異相區域包含NiO與MgO之固溶體。

在本發明之陶瓷電子零件之進而又其他之特定形態中，異相區域之電阻率高於內部電極之電阻率，且低於陶瓷素體之電阻率。

在本發明之陶瓷電子零件中，由於在內部電極之寬度方向之兩端部，形成有於構成內部電極之金屬氧化物固溶有構成陶瓷素體之陶瓷所含有之金屬氧化物而成的異相區域，且在形成有異相區域之內部電極之兩端部之沿著長度方向及高度方向的剖面中，異相區域之佔有率為85%以上，故可充分抑制絕緣電阻之劣化。

以下，以圖1所示之陶瓷電子零件為例，說明實施本發明之適宜之形態。

圖1係本實施形態之陶瓷電子零件之簡略立體圖。圖2係由圖1之II-II線切出之部份之簡略剖面圖。圖3係由圖1之III-III線切出之部份之簡略剖面圖。圖4係由圖3之IV-IV線切出之部份之簡略剖面圖。圖5係由圖3之V-V線切出之部份之簡略剖面圖。

如圖1~圖3所示，陶瓷電子零件1具備有長方體狀之陶瓷素體10。如圖1及圖2所示，陶瓷素體10具有沿著長度方向L及寬度方向W延伸之第1及第2主面10a、10b。如圖1及圖3所示，陶瓷素體10具有沿著高度方向H及長度方向L延伸之第1及第2側面10c、10d。又，如圖2所示，其具有沿著高度方向H及寬度方向W延伸之第1及第2端面10e、10f。

再者，在本說明書中，「長方體狀」係設為包含角部或稜線部為倒角狀、或R倒角狀之長方體者。即，「長方體狀」之構件是指具有第1及第2主面、第1及第2側面及第1及第2端面之構件整體。又，可於主面、側面、端面之一部份或全部形成有凹凸等。

陶瓷素體10之尺寸並無特別限定，例如陶瓷素體10之高度尺寸、長度尺寸及寬度尺寸可分別設為0.1 mm~10 mm左右。

陶瓷素體10只要為由具有某種程度以上之絕緣性之材料而形成者，則無特別限定。在本實施形態中，陶瓷素體10係由陶瓷形成。具體而言，陶瓷素體10包含有將複數個陶瓷層於高度方向H積層之陶瓷層積層體。

形成陶瓷素體10之陶瓷之種類並無特別限定，可根據期望之陶瓷電子零件1之特性而適當選擇。

例如，陶瓷電子零件1為電容器之情況時，可藉由介電陶瓷形成陶瓷素體10。作為介電陶瓷之具體例，舉例有例如BaTiO₃ 、CaTiO₃ 、SrTiO₃ 、CaZrO₃ 等。

例如，陶瓷電子零件1為壓電零件之情況時，可藉由壓電陶瓷形成陶瓷素體10。作為壓電陶瓷之具體例，舉例有例如PZT(鋯鈦酸鉛)系陶瓷等。

例如，陶瓷電子零件1為熱敏電阻之情況時，可藉由半導體陶瓷形成陶瓷素體10。作為半導體陶瓷之具體例，舉例有例如尖晶石系陶瓷等。

例如，陶瓷電子零件1為電感器之情況時，可藉由磁性體陶瓷形成陶瓷素體10。作為磁性體陶瓷之具體例，舉例有例如鐵氧體陶瓷等。

如圖2及圖3所示，於陶瓷素體10之內部，沿著高度方向等間隔交替地配置有大致矩形狀之複數個第1及第2內部電極11、12。第1及第2內部電極11、12分別與第1及第2主面10a、10b平行。第1及第2內部電極11、12在高度方向H，介隔陶瓷層10g相互對向。再者，陶瓷層10g之厚度並無特別限定，例如可設為0.5~10 μm左右。第1及第2內部電極11、12之各厚度亦無特別限定，例如可設為0.5 μm~2.0 μm左右。又，第1及第2內部電極11、12之各厚度亦可例如小於0.5 μm。

第1及第2內部電極11、12分別僅於第1端面10e及第2端面10f中之一者露出。詳細而言，如圖2所示，第1內部電極11於第1端面10e露出。如圖2及圖3所示，第1內部電極11未於第2端面10f、第1及第2主面10a、10b及第1及第2側面10c、10d露出。如圖2所示，第2內部電極12於第2端面10f露出。如圖2及圖3所示，第2內部電極12未於第1端面10e、第1及第2主面10a、10b及第1及第2側面10c、10d露出。因此，如圖3所示，於陶瓷素體10之寬度方向W之兩端部，形成有未配置第1及第2內部電極11、12之間隙10h。再者，間隙10h之沿著寬度方向W之尺寸並無特別限定，可設為例如0.02 mm~0.5 mm左右。

第1及第2內部電極11、12含有適宜之導電材料。第1及第2內部電極11、12較佳為包含有例如Ni、Cu、Ag、Pd及Au中一種以上之金屬。第1及第2內部電極11、12亦可藉由例如Ag-Pd等之合金而形成。

如圖1所示，陶瓷電子零件1具備有第1及第2外部電極13、14。如圖2及圖4所示，第1外部電極13連接於第1內部電極11。另一方面，如圖2及圖5所示，第2外部電極14連接於第2內部電極12。

如圖1、圖2、圖4及圖5所示，第1及第2外部電極13、14分別從兩端面10e、10f形成至第1及第2主面10a、10b及第1及第2側面10c、10d。換而言之，第1及第2外部電極13、14之一部份，分別位於第1及第2主面10a、10b、及第1及第2側面10c、10d上。

詳細而言，第1外部電極13包含形成於第1端面10e上之第1部份13a、形成於第1主面10a上之第2部份13b、形成於第2主面10b上之第3部份13c、形成於第1側面10c上之第4部份13d、及形成於第2側面10d上之第5部份13e。第2外部電極14包含形成於第2端面10f上之第1部份14a、形成於第1主面10a上之第2部份14b、形成於第2主面10b上之第3部份14c、形成於第1側面10c上之第4部份14d、及形成於第2側面10d上之第5部份14e。

第1及第2外部電極13、14係由包含適宜之導電材料之導電膜、或包含導電膜之積層膜而形成。具體而言，在本實施形態中，第1及第2外部電極13、14分別包含形成於第1、第2端面10e、10f上之1個或複數個基底層、與形成於基底層上之1個或複數個鍍敷層。

基底層係例如由燒結金屬層形成，但亦可由鍍敷層、或包含於熱固性樹脂或光固性樹脂中添加導電性填料之導電性樹脂的導電性樹脂層構成基底層。燒結金屬層可為利用與第1及第2內部電極11、12同時焙燒之共燒法者，亦可為利用塗布導電性漿料後進行燒結之後燒法者。

基底層所含有之導電材料並無特別限定，作為基底層所含有之導電材料之具體例，舉例有例如Cu、Ni、Ag、Pd、Au等之金屬、與包含Ag-Pd等之上述金屬1種以上之合金等。

基底層之最大厚度可設為例如20 μm~100 μm。

鍍敷層可由例如Cu、Ni、Sn、Ag、Pd、Au等之金屬、與包含Ag-Pd等之上述金屬1種以上之合金等而形成。

鍍敷層每1層之最大厚度可設為例如1 μm~10 μm。

再者，亦可於基底層與鍍敷層之間，配置應力緩和用之樹脂層。

(異相區域)

如圖3~圖5所示，在本實施形態中，於第1及第2內部電極11、12之寬度方向W之兩端部11b、11c、12b、12c，形成有於構成內部電極11、12之金屬氧化物中固溶構成陶瓷素體10之陶瓷所含有之金屬氧化物而成的異相區域。如圖4及圖5模式性所示，異相區域從第1及第2內部電極11、12之長度方向L之一側之端部連續分佈至另一側之端部。在第1及第2內部電極11、12之寬度方向W之兩端部11b、11c、12b、12c之沿著長度方向L及高度方向H之剖面中，第1及第2內部電極11、12之異相區域之佔有率為85%以上。詳細而言，在兩端部11b、11c、12b、12c之沿著長度方向L及高度方向H之剖面中，第1及第2內部電極11、12之異相區域之佔有率分別為85%以上。

圖17係形成有異相區域之陶瓷電子零件之一部份之沿著高度方向H及寬度方向W的剖面之電子顯微鏡照片。圖18係未形成有異相區域之陶瓷電子零件之一部份之沿著高度方向H及寬度方向W的剖面之電子顯微鏡照片。圖19係陶瓷電子零件之一部份之沿著長度方向L及寬度方向W的剖面之電子顯微鏡照片。

相對於在圖18中，未於內部電極觀察到色調不同之部份，而在圖17中，於內部電極之寬度方向W之端部，觀察到色調不同之部份。又，如圖19所示，內部電極之寬度方向W之端部沿著長度方向L連續之色調不同。如此，於內部電極形成有異相區域之情況，會產生與內部電極之其他部份不同之色調之部份。因此，可以電子顯微鏡之觀察，確認有無異相區域。

可推測在異相區域中，於構成內部電極之金屬氧化物以納入之形態固溶有陶瓷所含有之金屬氧化物(主要為陶瓷之副成份)。以此為根據，發明者以TEM(Transmission Electron Microscope，穿透式電子顯微鏡)進行解析，其結果，例如獲得異相區域之晶格型與構成內部電極之金屬氧化物相同(例如，若NiO則為NaCl型)，且與陶瓷之晶格型(例如，若陶瓷為BaTiO₃ 則為鈣鈦礦型)不同之結果。異相區域可係於陶瓷素體10之焙燒步驟或退火步驟中，構成陶瓷素體10之陶瓷與構成第1及第2內部電極11、12之金屬反應而形成。

又，異相區域之電阻率高於第1及第2內部電極11、12之電阻率，且低於陶瓷素體10之電阻率。通常，於鄰接之第1及第2內部電極11、12之端部彼此之間，有電場容易集中之趨勢，但如本實施形態所示，可推測在內部電極之端部形成電阻率較內部電極相對較高之異相區域，藉此電流於異相區域呈相對不易流動之狀態，從而緩和電場之集中。因此，推測不易產生內部電極間之絕緣破壞，從而可抑制絕緣電阻之劣化。

作為由陶瓷素體固溶於異相區域之金屬氧化物之具體例，舉例有例如Mg、Mn、Ni、Li、Si、Ti及Ba等之氧化物。亦可將該等之2種以上固溶於異相區域。

例如，第1及第2內部電極11、12包含Ni，且於陶瓷素體10摻雜有Mg之情況，焙燒時在第1及第2內部電極11、12中Ni氧化，進而由陶瓷素體10持續固溶Mg，從而形成包含NiO與MgO之固溶體之異相區域。

如上所述，在本實施形態中，異相區域係從第1及第2內部電極11、12之寬度方向W之兩端部11b、11c、12b、12c之長度方向L之一側端部連續分佈至另一側端部上。換而言之，在第1及第2內部電極11、12之寬度方向W之兩端部1b、11c、12b、12c之沿著長度方向L及高度方向H之剖面中，第1及第2內部電極11、12之異相區域之佔有率為85%以上。因此，如下述實施例中亦可證實，可抑制絕緣電阻之劣化，從而可獲得具有高絕緣電阻之陶瓷電子零件1。

再者，在本實施形態中，異相區域至少形成於第1及第2內部電極11、12之寬度方向W之兩端部11b、11c、12b、12c即可，但亦可於例如除第1及第2內部電極11、12之兩端部11b、11c、12b、12c以外之部份之端部或表面，亦形成異相區域。

如圖15所示，例如在高度方向上之最外側之內部電極11、12(即，最靠近於第1及第2主面10a、10b之內部電極11、12)中，不僅於內部電極11、12之寬度方向之兩端部，亦可於內部電極11、12之主面側表層整體形成異相區域。

又，例如如圖16所示，存在於內部電極11、12之長度方向L之端部亦形成異相區域之情況。再者，在圖3、4、5、13、15及16中，內部電極11、12中賦與與其他部份不同之陰影線之部份為異相區域。

(陶瓷電子零件1之製造方法)

陶瓷電子零件1之製造方法並無特別限定，例如可藉由周知之製造方法製造陶瓷電子零件1。但，從於兩端部11b、11c、12b、12c有效率地形成異相之觀點，較佳為焙燒時使兩端部11b、11c、12b、12c與陶瓷素體10密著。因此，作為本實施形態之陶瓷電子零件1之適宜之製造方法，舉例有下述之製造方法。

首先，準備陶瓷生胚片材、內部電極形成用導電性漿料、及外部電極形成用導電性漿料。於陶瓷生胚片材或各導電性漿料包含黏合劑或溶劑。作為黏合劑或溶劑，可使用周知之黏合劑或溶劑。外部電極形成用導電性漿料可包含有玻璃成份。

其次，藉由網版印刷法等周知之印刷法，於陶瓷生胚片材上塗布內部電極形成用導電性漿料，形成內部電極形成用圖案。

其次，積層複數個未形成內部電極形成用圖案之陶瓷生胚片材，並於其上，積層複數個形成有內部電極形成用圖案之陶瓷生胚片材，再於其上，積層複數個未形成內部電極形成用圖案之陶瓷生胚片材，藉此形成未加工之母積層體。視需要，可藉由均壓加壓等，於積層方向加壓母積層體，從而使積層之陶瓷生胚片材壓著。

其次，將未加工之母積層體切割成特定之尺寸，形成未加工之陶瓷積層體。圖6係該未加工之陶瓷積層體之立體圖。圖7係由圖6之VII-VII線切出之部份之剖面圖，圖8係由圖6之VIII-VIII線切出之部份之剖面圖。如圖6~圖8所示，未加工之陶瓷積層體20具備有於內部形成有第1及第2內部電極11、12之積層體本體21。第1及第2內部電極11、12於積層體本體21之兩側面21c、21d露出。即，未加工之陶瓷積層體20不存在間隙。如此，藉由切出使第1及第2內部電極11、12之端部露出之情況，內部電極11、12之端面呈峭立之狀態(相對於內部電極面近乎垂直之狀態)。另一方面，藉由切出未使第1及第2內部電極11、12之端部露出之情況，內部電極11、12之端面呈傾斜之狀態。即，印刷時之導電性漿料之形狀就此殘留。

其次，於未加工之陶瓷積層體20形成間隙。具體而言，如圖9所示，以使第1側面21c朝上的方式，將矩陣狀排列有未加工之陶瓷積層體20之集合體22嵌入至框體23內。此時，使集合體22之表面位於從框體23之表面降低間隙厚度程度之位置。然後，使用刮漿板25塗布間隙形成用漿料24，並使之乾燥，藉此於第1側面21c上形成間隙。間隙形成用漿料24較佳為不會從第1側面21c滴落之高黏度者。再者，間隙形成用漿料24之組成可為與未加工之陶瓷積層體20之組成相同，亦可為不同。較佳為至少於間隙形成用漿料24包含有固溶於異相區域之成份。更佳為於間隙形成用漿料24、與未加工之陶瓷積層體20兩者，包含有固溶於異相區域之成份。該情況，使得於間隙10h、與內部電極11、12在高度方向H對向之除間隙10h以外之部份兩者，包含例如Mg等之固溶於異相區域之成份。再者，較佳為在間隙形成用漿料24、與未加工之陶瓷積層體20中，於異相區域固溶之成份之含量相等。

其次，同樣地，於第2側面21d上亦形成間隙。

如此，藉由分別形成間隙，可使未加工之陶瓷積層體20及間隙、與第1及第2內部電極11、12密接。因此，可在後述之焙燒步驟中，適宜地形成異相區域。

其次，將形成有間隙之集合體22分斷成各晶片。分斷之方法並無特別限定，例如如圖10所示，可使用分斷滾筒26利用滾筒式解塊方式將集合體22分斷成各晶片。

其次，將各晶片進行焙燒。藉此，形成於內部形成有第1及第2內部電極11、12之陶瓷素體10，且於第1及第2內部電極11、12形成異相區域。焙燒溫度可根據第1及第2內部電極11、12之材料或使用之陶瓷之種類適宜地設定。焙燒溫度可設為例如900℃~1300℃左右。焙燒時之氛圍可為大氣氛圍，亦可為氮氣氛圍、包含水蒸氣之氮氣氛圍等。焙燒時之氛圍尤其較佳為氮氣氛圍等之惰性氣體氛圍、或還原性氛圍。在焙燒時之氛圍中，氧分壓較佳在1.05×10^-9 MPa~1.83×10^-9 MPa之範圍內。

其次，於陶瓷素體10之兩端面10e、10f塗布外部電極形成用導電性漿料，並進行焙燒。焙燒之溫度較佳為例如700~900℃左右。焙燒時之氛圍可為大氣氛圍，亦可為氮氣氛圍、包含水蒸氣之氮氣氛圍等。

再者，視需要形成鍍敷層，藉此形成第1及第2外部電極13、14。

再者，間隙之形成步驟可不形成集合體22，而例如圖11所示之、將未加工之陶瓷積層體20固定於形成有與未加工之陶瓷積層體20實質上相同形狀尺寸之開口、或凹部的治具30。

(實驗例)

在下述之條件中，基於上述製造方法製作陶瓷電子零件之樣品1~6。

陶瓷電子零件尺寸：長度1.6 mm×寬度0.8 mm×高度0.5 mm，陶瓷生胚片材及陶瓷漿料所含有之陶瓷材料：將BaTiO³ 設為主成份之陶瓷。但，在樣品2~6中，以下述表1所示之比例添加有Mg。

陶瓷層之厚度：2.0 μm

內部電極之材料：Ni

內部電極之厚度：1.0 μm

內部電極之總數：140片

外部電極之材料：Cu

外部電極之厚度：40 μm

焙燒溫度：1200℃(最高溫度)

焙燒時間：24小時

焙燒氛圍：還原性氛圍(1200℃之氧分壓為1.05×10^-9 MPa)

外部電極之焙燒溫度：800℃(最高溫度)

外部電極之焙燒時間：1小時

外部電極之焙燒氛圍：還原性氛圍

其次，觀察異相區域之前，分別從所獲得之樣品1~6將間隙削落，以顯微鏡觀察剖面。且，基於顯微鏡之觀察結果，以以下之要領，算出內部電極之兩端部之沿著長度方向L及高度方向H之剖面的異相區域之佔有率(異相率)。

首先，就觀察異相之部位，觀察第1主面至第10層之內部電極、第2主面至第10層之內部電極、位於較第2主面靠近陶瓷素體之高度尺寸之1/4左右之第1主面側之部份的內部電極、位於較第2主面靠近陶瓷素體之高度尺寸之1/2左右之第1主面側之部份的內部電極、位於較第2主面靠近陶瓷素體之高度尺寸之3/4左右之第1主面側之部份的內部電極合計5個部位。

又，如圖14所示，起因於焙燒時產生之收縮等，在實際所獲得之樣品中，存在內部電極之寬度方向W之端部之位置不固定的情況。因此，首先，在內部電極11、12露出之前，削除陶瓷電子零件1之樣品之端面，藉由電子顯微鏡觀察該樣品，確認內部電極11、12中之產生有異相之端部11c、12c之位置。其次，基於其確認結果，以使成為上述觀察對象之5個部位之產生有異相之部份露出的方式，削除樣品之側面。具體而言，在圖14所示之樣品中，至一點鏈線C為止削除樣品之側面，藉此使內部電極之產生有異相之部份露出。再者，無法因一次切削而同時觀察成為上述觀察對象之5個部位之情況，進行階段性切削，每次就露出有產生異相之部份之部位，進行利用上述之電子顯微鏡之觀察。

其後，攝影上述成為觀察對象之5個部位之電子顯微鏡照片，並將該圖像二值化。圖12顯示所攝影之電子顯微鏡照片之一例，圖13顯示經二值化之電子顯微鏡照片。在圖13中，白色之部份為金屬Ni，黑色之部份為異相區域。且，根據經二值化之電子顯微鏡照片，算出異相區域之佔有率。將結果顯示於下述之表1。再者，異相率為5個部位之平均值。但，在各樣品中，所觀察之5個部位之異相率實質上無差異。

又，使用直流電源，以50 V/s進行升壓，並測定破壞電壓，藉此就樣品1~6測定絕緣破壞電壓(BDV：BreakDown Voltage)，並在150℃、施加電壓：12.6 V之條件下，進行高溫負載試驗(HALT：High Accelerated Life Test)，且利用韋伯圖(Weibull plot)算出平均故障壽命(MTTF：Mean Time To Failure)。將結果顯示於下述之表1。

如表1所示，可知內部電極之兩端部之異相率小於85%之情況，絕緣破壞電壓低，平均故障壽命短，相對於此，內部電極之兩端部之異相率係85%以上之情況，絕緣破壞電壓高，平均故障壽命長。根據該結果，可知將內部電極之兩端部之異相率設為85%以上，即，於長度方向連續生成異相區域，藉此可提高絕緣電阻，因此，可有效地抑制絕緣破壞之產生。又，可知將內部電極之兩端部之異相率設為93%以上，藉此可進一步提高絕緣電阻。

1．．．陶瓷電子零件

10．．．陶瓷素體

10a．．．陶瓷素體之第1主面

10b．．．陶瓷素體之第2主面

10c．．．陶瓷素體之第1側面

10d．．．陶瓷素體之第2側面

10e．．．陶瓷素體之第1端面

10f．．．陶瓷素體之第2端面

10g．．．陶瓷層

10h．．．間隙

11．．．第1內部電極

11b、11c．．．第1內部電極之端部

12．．．第2內部電極

12b、12c．．．第2內部電極之端部

13．．．第1外部電極

13a．．．第1外部電極之第1部份

13b．．．第1外部電極之第2部份

13c．．．第1外部電極之第3部份

13d．．．第1外部電極之第4部份

13e．．．第1外部電極之第5部份

14．．．第2外部電極

14a．．．第2外部電極之第1部份

14b．．．第2外部電極之第2部份

14c．．．第2外部電極之第3部份

14d．．．第2外部電極之第4部份

14e．．．第2外部電極之第5部份

20．．．陶瓷積層體

21．．．積層體本體

21c．．．積層體本體之第1側面

21d．．．積層體本體之第2側面

22．．．集合體

23．．．框體

24．．．間隙形成用漿料

25．．．刮漿板

26．．．分斷滾筒

30．．．治具

圖1係陶瓷電子零件之簡略立體圖。

圖2係由圖1之II-II線切出之部份之簡略剖面圖。

圖3係由圖1之III-III線切出之部份之簡略剖面圖。

圖4係由圖3之IV-IV線切出之部份之簡略剖面圖。

圖5係由圖3之V-V線切出之部份之簡略剖面圖。

圖6係未加工之陶瓷積層體之立體圖。

圖7係由圖6之VII-VII線切出之部份之剖面圖。

圖8係由圖6之VIII-VIII線切出之部份之剖面圖。

圖9係用於說明形成間隙之步驟之模式性立體圖。

圖10係用於說明將集合體分斷成各晶片之步驟之模式性立體圖。

圖11係用於將未加工之陶瓷積層體進行固定之治具之簡略立體圖。

圖12係內部電極之剖面之電子顯微鏡照片。

圖13係將內部電極之剖面之電子顯微鏡照片二值化者。

圖14係用於說明測定異相率之步驟之簡略剖面圖。

圖15係位於高度方向上之最外側之內部電極的簡略剖面圖。

圖16係沿著內部電極之寬度方向及長度方向之簡略剖面圖。

圖17係形成有異相區域之陶瓷電子零件之一部份之沿著高度方向H及寬度方向W的剖面之電子顯微鏡照片。

圖18係未形成有異相區域之陶瓷電子零件之一部份之沿著高度方向H及寬度方向W的剖面之電子顯微鏡照片。

圖19係陶瓷電子零件之一部份之沿著長度方向L及寬度方向W的剖面之電子顯微鏡照片。

1．．．陶瓷電子零件

10．．．陶瓷素體

10a．．．陶瓷素體之第1主面

10b．．．陶瓷素體之第2主面

10c．．．陶瓷素體之第1側面

10d．．．陶瓷素體之第2側面

10g．．．陶瓷層

10h．．．間隙

11．．．第1內部電極

11b、11c．．．第1內部電極之端部

12．．．第2內部電極

12b、12c．．．第2內部電極之端部

Claims (8)

1. 一種陶瓷電子零件，其具備：長方體狀之陶瓷素體，其包含沿著長度方向及寬度方向延伸之第1及第2主面、沿著長度方向及高度方向延伸之第1及第2側面、及沿著寬度方向及高度方向延伸之第1及第2端面；及一對內部電極，其分別以在上述第1端面或上述第2端面露出的方式，與上述第1及第2主面平行地配置於上述陶瓷素體之內部，且在高度方向上相互對向；在上述內部電極之寬度方向之兩端部，形成有於構成上述內部電極之金屬氧化物固溶有構成上述陶瓷素體之陶瓷所含有之金屬氧化物而成的異相區域；在形成有上述異相區域之上述內部電極之兩端部之沿著長度方向及高度方向的剖面中，上述異相區域之佔有率為85%以上，上述異相區域未在上述第1及第2側面露出。
2. 如請求項1之陶瓷電子零件，其中於上述一對內部電極包含以在上述第1端面露出的方式形成於上述陶瓷素體之內部之第1內部電極、與以在上述第2端面露出的方式形成於上述陶瓷素體之內部之第2內部電極；且進而具備連接於上述第1內部電極之第1外部電極、與連接於上述第2內部電極之第2外部電極；上述第1及第2外部電極之一部份位於上述陶瓷素體之第1及第2側面上。
3. 如請求項1或2之陶瓷電子零件，其中上述內部電極包含Ni、Cu、Ag、Pd及Au中至少一種金屬。
4. 如請求項3之陶瓷電子零件，其中上述內部電極包含Ni。
5. 如請求項1之陶瓷電子零件，其中於上述異相區域包含有Mg、Mn、Ni、Li、Si、Ti及Ba中至少一者。
6. 如請求項5之陶瓷電子零件，其中於上述異相區域包含有Mg。
7. 如請求項1之陶瓷電子零件，其中上述內部電極包含Ni，且上述異相區域包含NiO與MgO之固溶體。
8. 如請求項1之陶瓷電子零件，其中上述異相區域之電阻率係高於上述內部電極之電阻率，且低於上述陶瓷素體之電阻率。