TWI425407B - 防銹性優異的窄框緣觸控輸入薄片及其製造方法 - Google Patents

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Description

防銹性優異的窄框緣觸控輸入薄片及其製造方法
本發明係有關一種適合於窄框緣且透明導電膜圖案是二層的靜電電容式接觸感測器之窄框緣觸控輸入薄片及其製造方法者，特別是具有防銹性優異之特徵者。
以往，在發明文獻方面有專利文獻1，其揭示在透明電極的引出端子的各端子上形成金屬膜後，將輸入面板領域的透明電極圖案和引出端子列的金屬膜及透明電極同時地蝕刻以形成觸控輸入裝置。
上述專利文獻1的發明，如圖9所示，於聚酯膜30上形成由ITO膜31構成的透明電極，於其上形成光阻膜32的圖案，接著以遮罩33覆蓋在光阻膜32之上後，形成由In膜構成的金屬膜34，卸下遮罩33，再以光阻剝離液除去光阻膜32而形成金屬膜34的圖案者，之後，在既圖案化的金屬膜34上形成第二光阻膜35的圖案(參照圖9(e))，以氯化鐵水溶液等將金屬膜35和ITO膜31同時地蝕刻除去，最後再以光阻剝離液除去光阻膜35的方法之發明。
[專利文獻]
[專利文獻1]特開平5-108264號公報
然而，專利文獻1的方法在將第二光阻膜35的圖案形成於圖9(e)既圖案化的金屬膜34上之際，會有當遮罩33的位置稍有偏差時，導致一方的金屬膜34變細，另一方的金屬膜34變粗而無法成為所期望的電阻之問題。因此，具有無法適用在金屬膜34是細線且需收在既定的電阻範圍內之窄框緣的觸控輸入薄片的問題。
又，以靜電電容式的觸控輸入薄板而言，通常必須將形成於X方向的透明導電膜圖案與形成於Y方向的透明導電膜之圖案包夾絶緣層而形成積層，由於以專利文獻1的方法無法將金屬膜及透明電極在兩面上對準位置地形成，所以具有需經過將所製作的二片觸控輸入薄板對準位置並貼合等之步驟以進行製作的問題。其結果，亦有生產降低，透明窗部的透射率變低或厚度變厚而笨重等之問題。
因此，本發明之目的在於解決前述課題，且提供一種適於窄框緣且透明導電膜圖案是二層的靜電電容式的接觸感測器、並且防銹性優異的窄框緣觸控輸入薄片及其製造方法。
於是，本發明者們為解決前述課題而完成以下那樣的發明。亦即，依據本發明的第1態樣，係提供一種防銹性優異的窄框緣觸控輸入薄片，其特徵為：係在透明基體片兩面的中央窗部分別形成有透明導電膜的電極圖案，在前述基體片兩面的外框部分別形成有前述電極圖案用的細線迂迴的電路圖案，且該兩面的電極圖案及細線迂迴的電路圖案不同，該窄框緣觸控輸入薄片之特徵為：在單面或兩面中的至少細線迂迴的電路圖案上，除了端子部以外被覆形成透光性的防銹層。
又，依據本發明的第2態樣，係提供如第1態樣的防銹性優異的窄框緣觸控輸入薄片，其中前述細線迂迴的電路圖案係依序積層透明導電膜及遮光性導電膜。
又，依據本發明的第3態樣，係提供如第1態樣或第2態樣的防銹性優異的窄框緣觸控輸入薄片，其中前述電極圖案上亦被覆形成前述透光性的防銹層。
又，依據本發明的第4態樣，係提供如第1～3態樣中任一防銹性優異的窄框緣觸控輸入薄片，其中前述透光性的防銹層是由熱硬化性樹脂或光硬化性樹脂構成。
又，依據本發明的第5態樣，係提供如第1～4態樣中任一防銹性優異的窄框緣觸控輸入薄片，其中前述基體片是由二層構造構成。
又，依據本發明的第6態樣，係提供如第1～5態樣中任一防銹性優異的窄框緣觸控輸入薄片，其中進一步具備搭載有被連接在前述細線迂迴的電路圖案的端子部之IC晶片的外部電路，藉以當作靜電電容式接觸感測器作動。
又，依據本發明的第7態樣，係提供一種防銹性優異的窄框緣觸控輸入薄片的製造方法，其特徵為具備：於透明基體片的兩面分別依序形成透明導電膜、遮光性導電膜及第一抗蝕層的步驟；於兩面同時將前述第一抗蝕層局部曝光、顯影，藉以各別圖案化的步驟；將未積層有既圖案化的該第一抗蝕層之部分的前述透明導電膜及前述遮光性導電膜同時地蝕刻除去，藉以分別在基體片兩面的中央窗部形成透明導電膜及遮光性導電膜不偏位所積層的電極圖案，並分別在基體片兩面的外框部形成透明導電膜及遮光性導電膜不偏位所積層的細線迂迴的電路圖案之步驟；在剝離第一抗蝕層後，在露出的遮光性導電膜上積層形成既圖案化的第二抗蝕層之步驟；僅蝕刻除去未積層有該既圖案化的第二抗蝕層的部分之前述遮光性導電膜，藉以在基體片兩面的前述中央窗部及端子部分別使前述透明導電膜露出之步驟；在剝離第二抗蝕層後，在單面或兩面中的至少細線迂迴的電路圖案上，除了端子部以外，被覆形成透光性的防銹層之步驟。
又，依據本發明的第8態樣，係提供一種防銹性優異的窄框緣觸控輸入薄片的製造方法，其特徵為具備：於透明基體片的兩面分別依序將透明導電膜、遮光性導電膜及第一抗蝕層積層形成的步驟；藉由兩面同時地將前述第一抗蝕層局部曝光、顯影而分別圖案化的步驟；將未積層有既圖案化的該第一抗蝕層之部分的前述透明導電膜及前述遮光性導電膜1同時蝕刻除去，藉以在基體片兩面的中央窗部分別形成透明導電膜及遮光性導電膜無偏位地積層的電極圖案，並於基體片兩面的外框部分別形成透明導電膜及遮光性導電膜無偏位地積層的細線迂迴的電路圖案之步驟；前述第一抗蝕層剝離後，在露出的遮光性導電膜上積層形成被添加防銹劑且既圖案化的第二抗蝕層之步驟；僅蝕刻除去未積層有既圖案化的該第二抗蝕層之部分的前述遮光性導電膜，藉以在基體片兩面的前述中央窗部及端子部分別使前述透明導電膜露出，在其狀態下未剝離第二抗蝕層而殘留作為防銹層之步驟。
又，依據本發明的第9態樣，係提供一種防銹性優異的窄框緣觸控輸入薄片的製造方法，其特徵為具備：於透明基體片的兩面分別依序將透明導電膜、遮光性導電膜及第一抗蝕層積層形成的步驟；藉由兩面同時地將前述第一抗蝕層局部曝光、顯影而分別圖案化的步驟；將未積層有既圖案化的該第一抗蝕層之部分的前述透明導電膜及前述遮光性導電膜1同時蝕刻除去，藉以在基體片兩面的中央窗部分別形成透明導電膜及遮光性導電膜無偏位地積層的電極圖案，並於基體片兩面的外框部分別形成透明導電膜及遮光性導電膜無偏位地積層的細線迂迴的電路圖案之步驟；前述第一抗蝕層剝離後，在露出的遮光性導電膜上積層形成被添加防銹劑且既圖案化的第二抗蝕層之步驟；僅蝕刻除去未積層有既圖案化的該第二抗蝕層之部分的前述遮光性導電膜，藉以在基體片兩面的前述中央窗部及端子部分別使前述透明導電膜露出，接著在與前述中央窗部及前述端子部之交界，藉由對前述遮光性導電膜所露出的端面進行側蝕刻而將前述第二抗蝕層作成屋簷構造之步驟；以熱處理軟化前述屋簷構造的第二抗蝕層，藉以被覆前述殘留的遮光性導電膜所露出的端面，在其狀態下未剝離第二抗蝕層而殘留作為防銹層之步驟。
又，依據本發明的第10態樣，係提供如第7～9態樣中任一防銹性優異的窄框緣觸控輸入薄片的製造方法，其中前述透明基體片是由複數片樹脂片之積層體所構成者，在當中的最表面及最背面的樹脂片，於該樹脂片積層前預先形成前述透明導電膜及前述遮光性導電膜，且在前述樹脂片積層後形成前述第一抗蝕層。
又，依據本發明的第11態樣，係提供如第7～9態樣中任一防銹性優異的窄框緣觸控輸入薄片的製造方法，其中前述透明基體片係由複數片樹脂片的積層體所構成者，在當中的最表面及最背面的樹脂片上，於該樹脂片積層前預先形成前述透明導電膜，且在前述樹脂片積層後形成前述遮光性導電膜及前述第一抗蝕層。
又，依據本發明的第12態樣，係提供如第7～11態樣中任一防銹性優異的窄框緣觸控輸入薄片的製造方法，其中添加於前述第二抗蝕層的防銹劑係咪唑、三唑、苯并三唑、苯并咪唑、苯并噻唑、吡唑當中任一者。
又，依據本發明的第13態樣，係提供一種防銹性優異的窄框緣觸控輸入薄片的製造方法，其特徵為具備：獲得在透明基體片的兩面分別將透明導電膜、遮光性導電膜及第一光阻層依序積層形成整面的導電性膜之步驟；藉由兩面同時地將前述第一光阻層局部曝光、顯影而分別圖案化的步驟；將未積層有既圖案化的該第一光阻層之部分的前述透明導電膜及前述遮光性導電膜同時蝕刻除去，藉以在基體片兩面的中央窗部分別形成透明導電膜及遮光性導電膜無偏位地積層的電極圖案，並於基體片兩面的外框部分別形成透明導電膜及遮光性導電膜無偏位地積層的細線迂迴的電路圖案之步驟；前述第一光阻層剝離後，在形成有電極圖案及細線迂迴的電路圖案之面上整面地積層形成第二光阻層之步驟；藉由兩面同時地將前述第二光阻層局部曝光、顯影而分別圖案化的步驟；僅蝕刻除去未積層有既圖案化的該第二光阻層之部分的前述遮光性導電膜，藉以在基體片兩面的前述中央窗部及端子部分別使前述透明導電膜露出之步驟；前述第二光阻層剝離後，以防銹功能膜被覆露出的遮光性導電膜之步驟。
又，依據本發明的第14態樣，係提供如第13態樣之防銹性優異的窄框緣觸控輸入薄片的製造方法，其中前述防銹功能膜係利用印刷法形成者。
又，依據本發明的第15態樣，係提供如第13態樣之防銹性優異的窄框緣觸控輸入薄片的製造方法，其中前述防銹功能膜是利用光學處理形成者。
又，依據本發明的第16態樣，係提供如第13～15態樣中任一防銹性優異的窄框緣觸控輸入薄片的製造方法，其中前述透明導電膜係ITO膜，前述遮光性導電膜係銅箔。
本發明的窄框緣觸控輸入薄片，係提供一種在如上述之透明基體片兩面的中央窗部分別形成有透明導電膜的電極圖案，在前述基體片兩面的外框部分別形成有前述電極圖案用的細線迂迴的電路圖案，且該兩面的電極圖案及細線迂迴的電路圖案不同的窄框緣觸控輸入薄片，其中在細線迂迴的電路圖案上，除了端子部以外，被覆形成透光性的防銹層。因此窄框緣觸控輸入薄片具有防銹性非常優異的效果。
更詳言之，例如，只有未添加防銹劑的第二抗蝕層在細線迂迴的電路圖案上沒被剝離地殘留著，由於此第二抗蝕層的防銹性差，所以在製品完成後，會有來自於外部的腐蝕性液體，例如汗液或鹽水等侵入或在高溫高濕度等之環境試驗下使迂迴的電路的腐蝕加劇，而有電氣特性劣化的問題產生。相對於此，如同本發明，當防銹層存在於細線迂迴的電路圖案上時，即使在製品完成後有來自外部的腐蝕性液體侵入或在高溫高濕度等之環境試驗下，亦可在不讓迂迴的電路的腐蝕加劇之下維持電氣特性。因此，在如同適用於靜電電容式接觸感測器等之窄框緣觸控輸入薄片般迂迴的電路是細線且必需經長時間維持低電阻的用途上也可充份地適用。
又，窄框緣觸控輸入薄片的製造方法中，於第二抗蝕層添加防銹劑且在未剝離該第二抗蝕層而使之殘留作為防銹層的情況，由於第二抗蝕層兼作為防銹層，所以無需除了第二抗蝕層以外之用以形成防銹層的步驟，且利用較少的構件就可解決故成本便宜。再者，由於不形成除了第二抗蝕層以外之防銹層，所以相對於防銹區域的細線迂迴的電路圖案而提升位置精度。
又，細線迂迴的電路圖案係建構成除端子部以外，透明導電膜和遮光性導電膜的二層構造被防銹功能膜所被覆，藉以長期地維持低電阻，而且，透過在端子部除去遮光性導電膜以維持與FPC之電性連接。
 [本發明最佳實施形態]
以下，針對本發明的最佳實施形態，茲一邊參照圖面一邊作說明。
＜第一實施形態＞
圖1所示的防銹性優異的窄框緣觸控輸入薄片5，係在透明樹脂片7所構成的基體片的兩面，於中央窗部24形成透明導電膜3的電極圖案9，於外框緣部22形成依序積層有透明導電膜3及遮光性導電膜1之細線迂迴的電路圖案10，且該兩面的電極圖案9及細線迂迴的電路圖案10不同的窄框緣觸控輸入薄片，在兩面中，於電極圖案9及細線迂迴的電路圖案10上除了端子部以外，被覆形成透光性的防銹層30。
在此，所謂兩面的電極圖案9及細線迂迴的電路圖案10不同，是因為靜電電容式接觸感測器的電極圖案之形狀及配置呈以下所述的緣故。亦即，在一面上設置X電極x1，x2，x3，...、而在另一面上設置Y電極y1，y2，y3，...和前述電極圖案9。X電極x1，x2，x3，...係呈平行配設，且於其長邊方向配設有對向的2個角是呈並排的多數個方形之構成。又，Y電極y1，y2，y3，...亦係同樣地平行配設，且於其長邊方向配設有對向的2個角是呈並排的多數個方形之構成。藉此，在中央窗部24，方形被以殘留些許間隙以填埋輸入面的方式配置。
將這樣的透明導電膜3的電路圖案及細線迂迴的電路圖案10形成於兩面上的窄框緣觸控輸入薄片5之製造方法為，首先在由一片樹脂片7構成的基體片之表背兩面上將透明導電膜3、遮光性導電膜1、第一抗蝕層16依序全面形成後，於表背面分別載放所期望的圖案之遮罩12，進行曝光‧顯影以形成第一抗蝕層16的圖案(參照圖2(a))。或亦可使用厚度薄的二片樹脂片7，在各自的單面依序全面形成透明導電膜3、遮光性導電膜1、第一抗蝕層16之後，以此等二片樹脂片7呈對向的方式積層而作為基體片，於該基體片表背面分別載放所期望的遮罩12，使之曝光‧顯影而作成形成有第一抗蝕層16的圖案之窄框緣觸控輸入薄片5(參照圖2(b))。此時，由於遮光性導電膜1遮斷相反側的面之曝光光線14，所以就算以兩面不同的遮罩圖案進行曝光亦不影響相反側的第一抗蝕層16之圖案。此外，在樹脂片7的積層手段方面，可舉出熱層壓或透過接著劑層的乾式層壓等等。
接著，以氯化鐵等之蝕刻液同時蝕刻透明導電膜3及遮光性導電膜1，形成細線圖案(參照圖2(c))。接著，以光阻剝離液剝離第一抗蝕層16，使遮光性導電膜1露出之後，僅在露出之遮光性導電膜1當中之外框緣部22的部分形成第二抗蝕層18(參照圖2(d))。接著，當利用酸化的過氧化氫等之特殊蝕刻液進行蝕刻時，形成有第二抗蝕層18的外框緣部22維持原樣地殘留著，而未形成有第二抗蝕層18且遮光性導電膜1維持露出狀態的中央窗部24之遮光性導電膜1則被蝕刻除去，位在其下方的透明導電膜3露出而成為電極圖案9(參照圖2(e))。中央窗部24成為兩面形成有透明導電膜的顯示部，形成在外框緣部22的遮光性導電膜1及在以同一圖案形成於其下方的透明導電膜3係成為細線迂迴的電路圖案10。
其中，在此狀態，於中央窗部露出透明導電膜3的電極圖案9，第二抗蝕層18亦有因特殊蝕刻液而稍微劣化、膨潤，有長時間對透明導電膜3及遮光性導電膜1保護不夠充分的情況。而且，細線迂迴的電路圖案10的端子部亦被第二抗蝕層18所覆蓋。於是，本發明中，在剝離第二抗蝕層後，除端子部外，以透光性的防銹層30被覆電極圖案9及細線迂迴的電路圖案10，圖謀更加保護透明導電膜3及遮光性導電膜1(參照圖2(f))。
接著，若將藉以上方法所獲得之在防銹性優異的窄框緣觸控輸入薄片5的兩面形成的細線迂迴的電路圖案10的端子部透過FPC(Flexible Printed Circuits)等而連接於搭載有IC晶片的外部電路28，則可製造夾著基體片且兩面形成有透明導電膜3的靜電電容式接觸感測器(參照圖2(g))。
其次，針對形成上述窄框緣觸控輸入薄片5的各層作詳細說明。首先，基體片是由厚度30～2000μm左右的透明片構成，在材質方面，可例舉出聚酯系樹脂、聚苯乙烯系樹脂、烯烴系樹脂、聚丁烯對苯二甲酸系樹脂、聚碳酸酯系樹脂、及丙烯酸系樹脂等之樹脂片7以外，還有各種玻璃等。
在遮光性導電膜層1方面，可舉出由導電率高且遮光性佳之單一的金屬膜或其等之合金或化合物等所構成的層，可利用真空蒸鍍法、濺鍍法、離子鍍膜法、鍍金法等來形成。此外，雖透明導電膜不被蝕刻，但亦有必要存在所謂蝕刻自身的蝕刻劑。有關較佳的金屬的例子方面，可例舉鋁、鎳、銅、銀等等。特別是由銅箔所構成之厚度30~1000nm的金屬膜，其導電性、遮光性優越，除了能在透明導電膜不被蝕刻的酸性環境氣體下利用過氧化氫水容易地進行蝕刻之外，由於還兼具容易和外部電路連接的特性故非常理想。
有關透明導電膜3，可舉出由銦錫氧化物、鋅氧化物等之金屬氧化物等構成的層，可利用真空蒸鍍法、濺鍍法、離子鍍膜法、鍍金法等來形成。厚度形成數十至數百nm左右，必須是容易和遮光性導電膜1一起被氯化鐵等之溶液所蝕刻，但不容易被在酸性環境氣體下的過氧化氫水等之遮光性導電膜層1的蝕刻液所蝕刻。此外，亦可達成80%以上的光線透射率、數mΩ至數百Ω的表面電阻值者較佳。
在防銹層30方面，可例舉出環氧系、氨基甲酸乙酯系、丙烯酸系等之熱硬化性樹脂或氨基甲酸乙酯丙烯酸酯系、氰基丙烯酸酯系等之紫外線硬化型樹脂。防銹層30的形成方法除了凹版、網版、平版等泛用之印刷法以外，也可利用各種塗布的方法、塗裝、浸泡塗佈等之方法來形成。又，本發明中，被覆形成電極圖案9及細線迂迴的電路圖案10係意味著不僅是電極圖案9及細線迂迴的電路圖案10的上面，亦被覆側面。
此外，在圖1所示的實施態樣中，雖在電極圖案9及細線迂迴的電路圖案10上設置防銹層30，但亦可形成僅細線迂迴的電路圖案10被前述防銹層30所被覆(參照圖3)。此情況亦能將細線迂迴的電路圖案10長時間收在規定的電阻範圍內。但是圖1所示的實施態樣較能將透明電極長時間收在規定的電阻範圍內故更佳。在形成僅細線迂迴的電路圖案10是被前述防銹層30所被覆時，可在以前面段落的方法直接形成一部分後使之硬化，亦可在全面地形成後局部地照射紫外線使之硬化，再除去非硬化部分。
又，在圖1所示的實施態樣中雖於窄框緣觸控輸入薄片5的兩面形成透光性的防銹層30，但亦可僅於窄框緣觸控輸入薄片5的單面形成透光性的防銹層30。原因在於：例如，在將窄框緣觸控輸入薄片5貼附於玻璃板或樹脂板的情況，由於窄框緣觸控輸入薄片5的貼附側之面被玻璃板或樹脂板所保護，所以僅與貼附側的面為相反面被防銹層30保護即可解決之緣故。
在第一抗蝕層16方面，以可藉由雷射光線或金屬鹵素燈等曝光且能利用鹼性溶液等顯影之酚醛清漆系樹脂或氫氧化四甲銨等的光阻材料來構成者較佳。其原因在於：利用光阻材料進行的曝光‧顯影，可確實良好地形成線寬較細的細線迂迴的電路圖案10。且在本發明中，由於形成如前述般遮光性導電膜層1，所以當第一抗蝕層16以光阻材料構成時，能在表背面同時進行曝光‧顯影，故能生產性非常好地製造窄框緣觸控輸入薄片5。第一抗蝕層16的形成方法除了凹版、網版、平版等泛用之印刷法以外，還可藉由利用各種塗佈器的方法、塗裝，浸泡塗佈等之方法來形成。
第二抗蝕層18只要是對在酸性環境氣體下之過氧化氫水等之遮光性導電膜1的蝕刻液具有耐受性的材料則無特別限定。形成方法或厚度與第一抗蝕層18同樣亦無妨。
此外，在光阻材料有已感光的部分會溶解的「正型」和已感光的部分會殘留的「負型」。圖案的微細化以正型者較為有利，但本發明中只要能獲得所期望的圖案之抗蝕劑則不限為正型。
此外，在圖1所示的實施態樣中雖將細線迂迴的電路圖案10建構成依序積層透明導電膜3及遮光性導電膜30，但亦可僅以透明導電膜3形成細線迂迴的電路圖案10。但以積層銅箔等之遮光性導電膜30者可補足透明導電膜3的導電性故更佳。
＜第二實施形態＞
以下，一邊參照圖面一邊詳細說明本發明的第二實施形態。圖4係針對有關本發明之窄框緣觸控輸入薄片的一實施例之電極圖案及細線迂迴的電路圖案之說明圖。圖5係顯示電極圖案及細線迂迴的電路圖案被形成在由一片樹脂片構成的透明基體片的兩面之窄框緣觸控輸入薄片的例子之示意剖面圖(在圖4所示的AA線之位置切斷，細線迂迴的電路圖案係減量描繪)，圖6(a)～(f)係顯示其製造步驟之示意剖面圖。圖中，1是遮光性導電膜層，3是透明導電膜，5是窄框緣觸控輸入薄片，7是樹脂片，9是電極圖案，10是細線迂迴的電路圖案，12是遮罩，14是曝光光線，16是第一抗蝕層，18是第二抗蝕層(兼為防銹層)，20是靜電電容式接觸感測器，22是窄框緣觸控輸入薄片5的外框部，24是窄框緣觸控輸入薄片5的中央窗部，28是外部電路。
利用本發明可獲得之窄框緣觸控輸入薄片5為，在基體片兩面的中央窗部24形成有僅由透明導電膜3構成之電極圖案9，且在外框部22形成有透明導電膜3及遮光性導電膜1依序積層的細線迂迴的電路圖案10之窄框緣觸控輸入薄片(參照圖4)，其特徵為：該細線迂迴的電路圖案10的透明導電膜3及遮光性導電膜1係藉相同圖案無偏位地積層形成。此外，形成電極圖案9及細線迂迴的電路圖案10的透明基體片係可由一片樹脂片7構成(參照圖5)。
將這樣的透明導電膜3的電路圖案及細線迂迴的電路圖案10形成於兩面之窄框緣觸控輸入薄片5的製造方法為，首先在由一片樹脂片7構成的透明積體片的表背兩面分別將透明導電膜3、遮光性導電膜1及第一抗蝕層16依序形成整面而獲得導電性薄片(參照圖6(a))後，於表背面分別載置所期望的圖案之遮罩12，進行曝光(參照圖6(b))、顯影而將第一抗蝕層16圖案化。在那樣情況下，遮光性導電膜1會遮斷相反側之面的曝光光線14，所以就算同時利用不同的遮罩圖案作曝光也不致於影響相反側的第一抗蝕層16的圖案。因此能兩面同時曝光，故容易進行第一抗蝕層16表背面的位置對準且能以一次的步驟完成兩面的圖案化，生產性亦會提升。此外，圖6(b)所示的遮罩12之位置係顯示第一抗蝕層16是負型(一被曝光時，相對於顯影液的溶解性降低，而在顯影後會殘留曝光部分)的情況。而在正型(一被曝光時，相對於顯影液的溶解性增大，而曝光部被除去)的情況，以遮罩遮光的部分成為相反。
此外，表面遮罩及背面遮罩的對準可使用兩面曝光裝置的公知之遮罩對準方法。例如，分別在表面遮罩及背面遮罩形成遮罩用對準標記，相機等之以光學方式讀取的感測器係藉由讀取一對遮罩用對準標記彼此的重疊狀態而取得表面遮罩及背面遮罩之相對的位置資訊。然後，依據所獲得之位置資訊，遮罩位置調整機構係以一對遮罩用對準標記彼此對準中心地重合的方式讓表面遮罩及背面遮罩相對地移動，藉此進行表面遮罩及背面遮罩的對準之方法等。
接著，以氯化鐵等之蝕刻液同時蝕刻透明導電膜3及遮光性導電膜1，將未積層有既圖案化的第一抗蝕層16之部分的透明導電膜3及遮光性導電膜1除去，藉以在基體片兩面的中央窗部分別形成透明導電膜3及遮光性導電膜1無偏位地積層的電極圖案9，並於基體片兩面的外框部分別形成透明導電膜3及遮光性導電膜1無偏位地積層的細線迂迴的電路圖案10(參照圖6(c))。
接著，在藉由光阻剝離液剝離第一抗蝕層16使遮光性導電膜1露出後，在露出的遮光性導電膜1上全面形成添加有防銹劑的第二抗蝕層18(參照圖6(d))後，載置遮罩12，進行曝光(參照圖6(e))、顯影而將第二抗蝕層18圖案化(參照圖6(f))。此外，圖6(e)所示的遮罩12之位置係顯示第一抗蝕層16是負型(一被曝光時，相對於顯影液的溶解性降低，而在顯影後會殘留曝光部分)的情況。
接著，以酸化的過氧化氫等之特殊蝕刻液蝕刻，僅除去未積層有既圖案化的第二抗蝕層18之部分的遮光性導電膜1，藉以在基體片兩面的中央窗部24及外框部22內的端子部25分別使透明導電膜3露出，未剝離第二抗蝕層18而殘留作為防銹層(參照圖5)。由於第二抗蝕層18作為防銹層發揮功能，所以即使在製品完成後有來自外部的腐蝕性液體侵入或在高溫高濕度等之環境試驗下，亦可在不讓迂迴的電路的腐蝕加劇之下維持電氣特性。此外，圖4中形成在基體片(樹脂片7)的表面之細線迂迴的電路圖案10為，遮光性導電膜1的積層部分以黑色，而透明導電膜3的露出部分以白色描繪，黑色部分的兩端係與和中央窗部24之交界24a及和端子部25之交界25a一致。
此外，若透明導電膜3為非晶質的材料，則宜在該蝕刻之前利用熱處理等之方法事先使之結晶化。那是因為結晶化會提升耐蝕刻性，可更容易選擇性地僅蝕刻遮光性金屬膜1的緣故。
若將藉以上方法所獲得之在窄框緣觸控輸入薄片5的兩面形成的細線迂迴的電路圖案10的端部和搭載著IC晶片的外部電路28的各個端子部25連接於，則可製造夾著基體片且兩面形成有透明導電膜3的靜電電容式接觸感測器20。
在此針對形成於靜電電容式接觸感測器20的中央窗部24之電極圖案9作補充說明。
該電極圖案9表背面的圖案不同。例如圖10所示，在基體片(樹脂片7)的背面具備俯視視圖中具有菱形形狀的菱形電極46及沿圖中的縱向(Y方向)貫通複數個該菱形電極46之連接配線469。複數個菱形電極46和連接配線469相互電性連接。又，如此，以連接配線469及被連接配線469貫通的複數個菱形電極46為一組，該一組重複排列在圖中橫向(X方向)。另一方面，與此相同地，基體片(樹脂片7)的表面具備複數個菱形電極47和貫通其等之連接配線479。但是，在此情況，連接配線479的延伸方向和連接配線469的延伸方向不同，是圖中的橫向(X方向)。又，伴隨地，由連接配線479及貫通連接配線479的複數個菱形電極47構成的一組所重複排列的方向是圖中的縱向(Y方向)。接著，由圖10可明白，菱形電極46係配置成填埋複數個連接配線479間的間隙，另一方面，菱形電極47係配置成填埋複數個連接配線469間的間隙。並且，進一步在圖10中，菱形電極46和菱形電極47的配置關係是互補的。亦即，以填埋在將菱形電極46排列成矩陣狀的情況所產生之菱形形狀的間隙之方式排列複數個菱形電極47。如前述，由於本案發明是遮光性導電膜1遮斷相反側的面之曝光光線14，所以就算是同時曝光也可在不影響相反側的第一抗蝕層16之圖案的情況下，在此種表背面形成圖案不同的電路圖案。
這樣一來，由於X方向電極及Y方向電極被配置成在俯視視圖中形成格子狀，所以若使用者的手指等觸及此格子上的任一位置(例如，虛線圓形記號FR的位置)，則在該手指等與手指所接觸的X方向電極之間形成電容，且在該手指等與手指所接觸的Y方向電極之間形成電容。透過此電容的形成，增大其X方向電極及Y方向電極的靜電電容。外部電路的位置檢測部係檢測在此種情況產生的靜電電容之變化量，或再檢測具有最大的靜電電容的X方向電極及Y方向電極，可取得碰觸到中央窗部24內的何處之屬特定值的X座標值及Y座標值的組合。
其次，針對形成上述第三實施形態的窄框緣觸控輸入薄片5的各層作詳細說明。
首先，基體片是由厚度30～2000μm左右的透明片構成，在材質方面，可例舉出聚酯系樹脂，聚苯乙烯系樹脂，烯烴系樹脂，聚丁烯對苯二甲酸系樹脂，聚碳酸酯系樹脂，丙烯酸系樹脂等之樹脂片7等。此外，本發明中使用玻璃材料作為基體片亦無妨。
然而，在導電性薄片的基體片是樹脂片的情況，會有膜延伸的問題。因此導電性薄片兩面之第一抗蝕層16的圖案化適合於採用兩面同時曝光。其原因在於：在以單面逐次曝光的方式進行第一抗蝕層16的圖案化的情況，當單面的圖案化結束，將導電性薄片的表背面調換並再安裝於曝光裝置之際發生基體片延伸時，表面的電路圖案和背面的電路圖案會引起偏位。在圖10所示的例子之情況，菱形電極46和菱形電極47的配置關係是互補的，因而當表面的電路圖案和背面的電路圖案引發偏位時，靜電電容式接觸感測器20變得無法正確地發揮功能。
在遮光性導電膜層1方面，可舉出由導電率高且遮光性佳之單一的金屬膜或其等之合金或化合物等所構成的層，可利用真空蒸鍍法、濺鍍法、離子鍍膜法、鍍金法等來形成。此外，亦有必要存在所謂透明導電膜不被蝕刻但遮光性導電膜1自身會被蝕刻的蝕刻劑。有關較佳的金屬的例子方面，可例舉鋁、鎳、銅、銀、錫等等。特別是由銅箔所構成之厚度20~1000nm的金屬膜，其導電性、遮光性優越，除了能在透明導電膜不被蝕刻的酸性環境氣體下利用過氧化氫水容易地進行蝕刻之外，由於還兼具容易和外部電路連接的特性故非常理想。較佳為，厚度是30nm以上。更佳為作成100~500nm。設定成100nm以上的厚度可獲得高導電性的遮光性金屬膜層1，作成500nm以下可獲得容易處理、加工性優越之遮光性金屬膜層1。
有關透明導電膜3，可舉出由銦錫氧化物、鋅氧化物等之金屬氧化物等所構成的層，可利用真空蒸鍍法、濺鍍法、離子鍍膜法、鍍金法等來形成。厚度形成數十至數百nm左右，必須是容易和遮光性導電膜1一起被氯化鐵等之溶液所蝕刻，但不容易被在酸性環境氣體下的過氧化氫水等之遮光性導電膜層1的蝕刻劑所蝕刻。且以可達成80%以上的光線透射率、數mΩ至數百Ω的表面電阻值者較佳。又，透明導電膜3亦可使用噻吩等之導電性聚合膜、含有金屬奈米線或奈米碳管等之導電纖維膜，在其情況下，可利用各種印刷法或塗裝等來形成。
在第一抗蝕層16方面，以可藉由高壓水銀燈、超高壓水銀燈、雷射光線或金屬鹵素燈等曝光且能利用鹼性溶液等顯影之厚度10～20μm的丙烯酸系光阻材料等來構成。其原因在於：利用光阻材料進行的曝光‧顯影，可確實地形成線寬較細的細線迂迴的電路圖案10，能製造更窄框緣的窄框緣觸控輸入薄片5。第一抗蝕層16的形成方法除了凹版、網版、平版等泛用之印刷法以外，還可藉由利用各種塗佈器的方法、塗裝，浸泡塗佈等之方法及乾膜光阻劑法等之各種方法予以全面形成後再加以曝光‧顯影而圖案化，當中以乾膜光阻劑法更佳。
乾膜光阻劑法使用的乾膜光阻劑(DFR)中之作為第一抗蝕層16的感光層係被基底膜和覆蓋膜所包夾的膜。上述的印刷法、塗佈法、塗裝法等，係具有僅能單面披覆而效率不佳等之問題，相對地，由於乾膜光阻劑法係在剝離覆蓋膜後利用加熱滾筒接著感光層的方法，故生產性高，可因應多樣的要求而成為主流。此外，曝光通常是從基底膜之上配置遮罩而進行(未圖示)，並在將基底膜剝離之後進行顯影。在乾膜光阻劑的基底膜方面，可使用聚對苯二甲酸乙二酯等所構成者。又，在乾膜光阻劑的覆蓋膜方面，可使用聚乙烯等所構成者。
在第二抗蝕層18方面，以在前述的光阻材料添加有防銹劑者構成較佳。在該防銹劑方面，係使用已公認作為防銹劑使用的材料，在具體例方面，例如使用咪唑、三唑、苯并三唑、苯并咪唑、苯并噻唑、吡唑等即可。又，可舉出此等的鹵素、烷基、苯基(phenyl)置換體等之單環或多環式的唑(azole)類、苯胺等之芳香族胺類、烷基胺等之脂肪族胺、此等的鹽等，又，無需特別限制是本案所記載的材料。第二抗蝕層18的形成方法除了凹版、網版、平版等泛用之印刷法以外，還可藉由利用各種塗佈器的方法、塗裝，浸泡塗佈等之方法及乾膜光阻劑法等之各種方法予以全面形成後再加以曝光‧顯影而圖案化，當中以乾膜光阻劑法更佳。又，由於並非形成精密的圖案，所以亦可不藉由光學處理而是利用印刷法一下子就形成圖案。
又，在此第二抗蝕層18之上亦可設置用以隱藏細線迂迴的電路圖案10以提升外觀式樣的圖案層。圖案層可採用含有以聚乙烯系、聚醯胺系、聚丙烯酸酯系、聚氨基甲酸乙酯系、醇酸系等之樹脂作為黏結劑且以含有適當色彩的顏料或染料作為著色劑的著色油墨。又，在著色劑方面，亦能使用將氧化鈦塗佈於鋁、鈦、青銅等的金屬粒子或雲母所成的珍珠顏料等。在圖案層的形成方法方面，有凹版、網版、平版等泛用之印刷法或各種塗佈法、塗裝等之方法。
以上，雖針對電路圖案及細線迂迴的電路圖案形成於1片樹脂片7的表面及背面的窄框緣觸控輸入薄片的製造方法之第二實施形態作說明，但本發明未受此所限定。
例如，透明導電膜3的電路圖案及細線迂迴的電路圖案10形成於第二實施形態之由一片樹脂片7構成的基體片，可改為形成在積層有複數片樹脂片7、7的透明基體片之最表面及最背面(第三實施形態：參照圖7)。
要獲得如同第三實施形態那樣的窄框緣觸控輸入薄片時，首先，使用厚度薄的二片樹脂片7、7，在各自的單面上預先依序積層形成透明導電膜3及遮光性導電膜1，將此等以使樹脂片7、7呈對向的方式積層(參照圖8(a))後，於兩面形成第一抗蝕層16(參照圖8(b))。或在樹脂片7、7積層前預先僅形成透明導電膜3，將此等以使樹脂片7、7呈對向的方式積層後，於兩面上依序積層形成遮光性導電膜1及第一抗蝕層16。又，亦可為：在將樹脂片7、7積層後，於兩面上依序積層形成透明導電膜3、遮光性導電膜1及第一抗蝕層16。此外，在樹脂片7的積層手段方面，可舉出熱層壓或透過接著劑層的乾式層壓等等。在以接著劑層積層樹脂片7的情況，在接著劑層方面亦可使用具有芯材者來進行積層體整體的厚度調整。又，藉由使別的樹脂片介設在最表面及最背面的樹脂片7、7之間亦可進行積層體整體的厚度調整。
以下的步驟同第二實施形態。亦即，於由積層體構成的透明基體片之最表面及最背面載置所期望的圖案之遮罩12，進行曝光(參照圖8(c))‧顯影而將第一抗蝕層16圖案化。
接著，以氯化鐵等之蝕刻液同時蝕刻透明導電膜3及遮光性導電膜1，將未積層有既圖案化的第一抗蝕層16之部分的透明導電膜3及遮光性導電膜1除去，藉以在基體片兩面的中央窗部分別形成透明導電膜3及遮光性導電膜1無偏位地積層的電極圖案9，並於基體片兩面的外框部分別形成透明導電膜3及遮光性導電膜1無偏位地積層的細線迂迴的電路圖案10(參照圖8(d))。
接著，在藉由光阻剝離液剝離第一抗蝕層16使遮光性導電膜1露出後，在露出的遮光性導電膜1上全面地形成添加有防銹劑的第二抗蝕層18(參照圖8(e))後，載置遮罩12，進行曝光(參照圖8(f))‧顯影而將第二抗蝕層18圖案化(參照圖8(g))。
接著，以酸化的過氧化氫等之特殊蝕刻液蝕刻，僅除去未積層有既圖案化的第二抗蝕層18之部分的遮光性導電膜1，藉以在基體片兩面的中央窗部24及外框部22內的端子部25分別使透明導電膜3露出，未剝離第二抗蝕層18而殘留作為防銹層，藉此可獲得將如圖7所示的二片樹脂片的積層體作為基體片的窄框緣觸控輸入薄片。
＜第四實施形態＞
以下，一邊參照圖面一邊詳細說明本發明的第四實施形態。圖11係針對有關本發明之窄框緣觸控輸入薄片的一實施例之電極圖案及細線迂迴的電路圖案之說明圖。圖12係顯示電極圖案及細線迂迴的電路圖案被形成在由一片樹脂片構成之透明基體片的兩面之窄框緣觸控輸入薄片的例子之示意剖面圖。(在圖11所示的AA線之位置切斷，細線迂迴的電路圖案係減量描繪)，圖13(a)～(g)係顯示其製造步驟之示意剖面圖。圖中，1是遮光性導電膜層，3是透明導電膜，5是窄框緣觸控輸入薄片，7是樹脂片，9是電極圖案，10是細線迂迴的電路圖案，12是遮罩，14是曝光光線，16是第一抗蝕層，18是第二抗蝕層(兼為防銹層)，20是靜電電容式接觸感測器，22是窄框緣觸控輸入薄片5的外框部，24是窄框緣觸控輸入薄片5的中央窗部，28是外部電路，S是側蝕刻量。
利用本發明可獲得之窄框緣觸控輸入薄片5為，在基體片兩面的中央窗部24形成有僅由透明導電膜3構成之電極圖案9，且在外框部22形成有透明導電膜3及遮光性導電膜1依序積層的細線迂迴的電路圖案10之窄框緣觸控輸入薄片(參照圖11)，其特徵為：除了與中央窗部及端子部的交界以外，該細線迂迴的電路圖案10的透明導電膜3及遮光性導電膜1係藉相同圖案無偏位地積層形成。此外，形成電極圖案9及細線迂迴的電路圖案10透明基體片可由一片樹脂片7構成(參照圖12)。
將這樣的透明導電膜3的電路圖案及細線迂迴的電路圖案10形成於兩面之窄框緣觸控輸入薄片5的製造方法為，首先在由一片樹脂片7構成的透明基體片之表背兩面分別將透明導電膜3、遮光性導電膜1及第一抗蝕層16依序形成整面而獲得導電性薄片(參照圖13(a))後，於表背面分別載置所期望的圖案之遮罩12，進行曝光(參照圖13(b))、顯影而將第一抗蝕層16圖案化。在那樣情況下，遮光性導電膜1會遮斷相反側之面的曝光光線14，所以就算同時利用不同的遮罩圖案作曝光也不致於影響相反側的第一抗蝕層16的圖案。因此能兩面同時曝光，故容易進行第一抗蝕層16表背面的位置對準且能以一次的步驟完成兩面的圖案化，生產性亦會提升。此外，圖13(b)所示的遮罩12之位置係顯示第一抗蝕層16是負型(一被曝光時，相對於顯影液的溶解性降低，而在顯影後會殘留曝光部分)的情況。而在正型(一被曝光時，相對於顯影液的溶解性增大，而曝光部被除去)的情況，以遮罩遮光的部分成為相反。
此外，表面遮罩及背面遮罩的對準可使用兩面曝光裝置的公知之遮罩對準方法。例如，分別在表面遮罩及背面遮罩形成遮罩用對準標記，相機等之以光學方式讀取的感測器係藉由讀取一對遮罩用對準標記彼此的重疊狀態而取得表面遮罩及背面遮罩之相對的位置資訊。然後，依據所獲得之位置資訊，遮罩位置調整機構係以一對遮罩用對準標記彼此對準中心地重合的方式讓表面遮罩及背面遮罩相對地移動，藉此進行表面遮罩及背面遮罩的對準之方法等。
以氯化鐵等之蝕刻液同時蝕刻透明導電膜3及遮光性導電膜1，將未積層有既圖案化的第一抗蝕層16之部分的透明導電膜3及遮光性導電膜1除去，藉以在基體片兩面的中央窗部分別形成透明導電膜3及遮光性導電膜1無偏位地積層的電極圖案9，並於基體片兩面的外框部分別形成透明導電膜3及遮光性導電膜1無偏位地積層的細線迂迴的電路圖案10(參照圖13(c))。
接著，在藉由光阻剝離液剝離第一抗蝕層16使遮光性導電膜1露出後，在露出的遮光性導電膜1上全面形成添加有防銹劑的第二抗蝕層18(參照圖13(d))後，載置遮罩12，進行曝光(參照圖13(e))‧顯影而將第二抗蝕層18圖案化(參照圖13(f))。此外，圖13(e)所示的遮罩12之位置係顯示第一抗蝕層16是負型(一被曝光時，相對於顯影液的溶解性降低，而在顯影後會殘留曝光部分)的情況。
接著，以酸化的過氧化氫等之特殊蝕刻液蝕刻，僅除去未積層有既圖案化的第二抗蝕層18之部分的遮光性導電膜1，藉以在基體片兩面的中央窗部24及外框部22內的端子部25分別使透明導電膜3露出，接著在與前述中央窗部24及前述端子部25之交界24a、25a，藉由僅對遮光性導電膜1露出的端面側蝕刻(圖中的S)而將第二抗蝕層18作成屋簷構造(參照圖13(g))。側蝕刻量例如是2μm左右即可。
最後，以熱處理軟化屋簷構造的第二抗蝕層18，藉以被覆殘留的遮光性導電膜1所露出的端面，在其狀態下未剝離第二抗蝕層18而殘留作為防銹層。(參照圖12)。第二抗蝕層18作為防銹層發揮功能，且即使在與中央窗部及端子部之交界，遮光性導電膜的端面亦未露出，所以在製品完成後，即使來自外部的腐蝕性液體侵入或者在高溫高濕度等之環境試驗下，迂迴的電路的防腐蝕性極高，能維持電氣特性。此外，圖11中形成於基體片(樹脂片7)的表面之細線迂迴的電路圖案10為，遮光性導電膜1的積層部分以黑色，而透明導電膜3的露出部分以白色描繪，黑色部分的兩端係從與中央窗部24之交界24a及與端子部25之交界25a後退了S的程度。
此外，若透明導電膜3為非晶質的材料，則宜在該蝕刻之前利用熱處理等之方法事先使之結晶化。那是因為結晶化會提升耐蝕刻性，可更容易選擇性地僅蝕刻遮光性金屬膜1的緣故。
若將藉以上方法所獲得之在窄框緣觸控輸入薄片5的兩面形成的細線迂迴的電路圖案10的端部連接於搭載著IC晶片的外部電路28的各個端子部25，可製造夾著基體片且兩面形成有透明導電膜3的靜電電容式接觸感測器20。
其次，針對形成上述窄框緣觸控輸入薄片5的各層作詳細說明。
首先，基體片通常是由厚度30～2000μm左右的透明片構成，在材質方面，可例舉出聚酯系樹脂、聚苯乙烯系樹脂、烯烴系樹脂、聚丁烯對苯二甲酸系樹脂、聚碳酸酯系樹脂、丙烯酸系樹脂等之樹脂片7等。此外，本發明中使用玻璃材料作為基體片亦無妨。
然而，在導電性薄片的基體片是樹脂片的情況，會有膜延伸的問題。因此導電性薄片兩面之第一抗蝕層16的圖案化適合於採用兩面同時曝光。其原因在於：在以單面逐次曝光的方式進行第一抗蝕層16的圖案化的情況，當單面的圖案化結束，將導電性薄片的表背面調換並再安裝於曝光裝置之際發生基體片延伸時，表面的電路圖案和背面的電路圖案會引起偏位。在圖7所示的例子的情況，菱形電極46和菱形電極47的配置關係是互補的，因而當表面的電路圖案和背面的電路圖案引發偏位時，靜電電容式接觸感測器20變得無法正確地發揮功能。
在遮光性導電膜層1方面，可舉出由導電率高且遮光性佳之單一的金屬膜或其等之合金或化合物等所構成的層，可利用真空蒸鍍法、濺鍍法、離子鍍膜法、鍍金法等來形成。此外，亦有必要存在所謂透明導電膜不被蝕刻但遮光性導電膜1自身會被蝕刻的蝕刻劑。有關較佳的金屬的例子方面，可例舉鋁、鎳、銅、銀、錫等等。特別是由銅箔所構成之厚度20~1000nm的金屬膜，其導電性、遮光性優越，除了能在透明導電膜不被蝕刻的酸性環境氣體下利用過氧化氫水容易地進行蝕刻之外，由於還兼具容易和外部電路連接的特性故非常理想。較佳為，厚度是30nm以上。更佳為作成100~500nm。設定成100nm以上的厚度可獲得高導電性的遮光性金屬膜層1，作成500nm以下可獲得容易處理、加工性優越之遮光性金屬膜層1。
有關透明導電膜3，可舉出由銦錫氧化物、鋅氧化物等之金屬氧化物等所構成的層，可利用真空蒸鍍法、濺鍍法、離子鍍膜法、鍍金法等來形成。厚度形成數十至數百nm左右，必須是容易和遮光性導電膜1一起被氯化鐵等之溶液所蝕刻，但不容易被在酸性環境氣體下的過氧化氫水等之遮光性導電膜層1的蝕刻液所蝕刻。且以可達成80%以上的光線透射率、數mΩ至數百Ω的表面電阻值者較佳。又，透明導電膜3亦可使用噻吩等之導電性聚合膜、含有金屬奈米線或奈米碳管等之導電纖維膜，在其情況下，可利用各種印刷法或塗裝等來形成。
在第一抗蝕層16方面，以可藉由高壓水銀燈、超高壓水銀燈、雷射光線或金屬鹵素燈等曝光且能利用鹼性溶液等顯影之厚度10～20μm的丙烯酸系光阻材料等來構成。其原因在於：利用光阻材料進行的曝光‧顯影，可確實地形成線寬較細的細線迂迴的電路圖案10，可製造更窄框緣的窄框緣觸控輸入薄片5之緣故。第一抗蝕層16的形成方法除了凹版、網版、平版等泛用之印刷法以外，還可藉由利用各種塗佈器的方法、塗裝，浸泡塗佈等之方法及乾膜光阻劑法等之各種方法予以全面形成後再加以曝光‧顯影而圖案化，當中以乾膜光阻劑法更佳乾膜光阻劑法使用的乾膜光阻劑(DFR)中，成為第一抗蝕層16的感光層係被基底膜和覆蓋膜所包夾的膜。上述的印刷法、塗佈法及塗裝法等係具有僅能單面披覆而效率不佳等之問題，相對地，由於乾膜光阻劑法係在剝離覆蓋膜後利用加熱滾筒接著感光層的方法，故生產性高，可因應多樣的要求而成為主流。此外，曝光通常是從基底膜之上配置遮罩而進行(未圖示)，並在將基底膜剝離之後進行顯影。在乾膜光阻劑的基底膜方面，可使用聚對苯二甲酸乙二酯等所構成者。又，在乾膜光阻劑的覆蓋膜方面，可使用聚乙烯等所構成者。
在第二抗蝕層18方面，係以和第一抗蝕層16同樣的材料且厚度2.5～10μm，其中以2.5～5μm的光阻材料添加有防銹劑者的構成更佳。在該防銹劑方面，係使用已公認作為防銹劑使用的材料，而在具體例方面，例如使用咪唑、三唑、苯并三唑、苯并咪唑、苯并噻唑、吡唑等即可。又，可舉出此等的鹵素、烷基、苯基置換體等之單環或多環式的唑類、苯胺等之芳香族胺類、烷基胺等之脂肪族胺、此等的鹽等，又，並沒有必要特別受限於本發明所記載的材料。第二抗蝕層18的形成方法除了凹版、網版、平版等泛用之印刷法以外，亦可藉由利用各種塗佈器的方法、塗裝，浸泡塗佈等之方法及乾膜光阻劑法等之各種方法予以全面形成後再加以曝光‧顯影而圖案化，當中以乾膜光阻劑法更佳。又，由於並非形成精密的圖案，所以亦可不藉由光學處理而是利用印刷法一下子就形成圖案。
又，在此第二抗蝕層18之上亦可設置用以隱藏細線迂迴的電路圖案10以提升外觀式樣的圖案層。圖案層可採用含有以聚乙烯系、聚醯胺系、聚丙烯系、聚氨基甲酸乙酯系、醇酸系等之樹脂作為黏結劑且以含有適當色彩的顏料或染料作為著色劑的著色油墨。又，在著色劑方面，亦能使用將氧化鈦塗佈於鋁、鈦、青銅等的金屬粒子或雲母所成的珍珠顏料等。在圖案層的形成方法方面，有凹版、網版、平版等泛用之印刷法或各種塗佈法、塗裝等之方法。
以上，已針對電路圖案及細線迂迴的電路圖案被形成在一片樹脂片7所構成之透明基體片的表面及背面之窄框緣觸控輸入薄片的製造方法的第四實施形態作了說明，但本發明未受限於此。
例如，透明導電膜3的電路圖案及細線迂迴的電路圖案10形成在第四實施形態的一片樹脂片7所構成的基體片，可改為形成在積層有複數片樹脂片7、7的透明基體片之最表面及最背面(第五實施形態：參照圖14)。
要獲得如同第五實施形態那樣的窄框緣觸控輸入薄片時，首先，使用厚度薄的二片的樹脂片7、7，在各自的單面上預先依序積層形成透明導電膜3及遮光性導電膜1，在將此等以樹脂片7、7呈對向的方式積層(參照圖15(a))後，於兩面上形成第一抗蝕層16(參照圖15(b))。或者在樹脂片7、7積層前預先僅形成透明導電膜3，而在將此等以樹脂片7、7呈對向的方式積層後，於兩面上依序積層形成遮光性導電膜1及第一抗蝕層16。又，亦可在將樹脂片7、7積層後，於兩面上依序積層形成透明導電膜3、遮光性導電膜1及第一抗蝕層16。此外，在樹脂片7的積層手段方面，可舉出熱層壓或透過接著劑層的乾式層壓等等。在以接著劑層積層樹脂片7的情況，在接著劑層方面亦可使用具有芯材者來進行積層體整體的厚度調整。又，藉由使別的樹脂片介設在最表面及最背面的樹脂片7、7之間亦可進行積層體整體的厚度調整。
以下的步驟同第四實施形態。亦即，於積層體所構成的透明基體片之最表面及最背面載置所期望的圖案之遮罩12，進行曝光(參照圖15(c))、顯影而將第一抗蝕層16圖案化。
以氯化鐵等之蝕刻液同時蝕刻透明導電膜3及遮光性導電膜1，將未積層有既圖案化的第一抗蝕層16之部分的透明導電膜3及遮光性導電膜1除去，藉以在基體片兩面的中央窗部分別形成透明導電膜3及遮光性導電膜1無偏位地積層的電極圖案9，並於基體片兩面的外框部分別形成透明導電膜3及遮光性導電膜1無偏位地積層的細線迂迴的電路圖案10(參照圖15(d))。
接著，在藉由光阻剝離液剝離第一抗蝕層16使遮光性導電膜1露出後，在露出的遮光性導電膜1上全面形成添加有防銹劑的第二抗蝕層18(參照圖15(e))後，載置遮罩12，進行曝光(參照圖15(f))‧顯影而將第二抗蝕層18圖案化(參照圖15(g))。
接著，以酸化的過氧化氫等之特殊蝕刻液蝕刻，僅除去未積層有既圖案化的第二抗蝕層18之部分的遮光性導電膜1，藉以在基體片兩面的中央窗部24及外框部22內的端子部25分別使透明導電膜3露出，接著在與前述中央窗部24及前述端子部25之交界24a、25a，藉由對遮光性導電膜1露出的端面側蝕刻(圖中的S)而將第二抗蝕層18作成屋簷構造(參照圖15(h))。
最後，以熱處理軟化屋簷構造的第二抗蝕層18，藉以被覆殘留的遮光性導電膜1所露出的端面，在其狀態下未剝離第二抗蝕層18而殘留作為防銹層，藉此可獲得以圖14所示那樣的二片樹脂片的積層體作為基體片的窄框緣觸控輸入薄片。
＜第六實施形態＞
以下，一邊參照圖面一邊詳細說明本發明。圖16係針對有關本發明之窄框緣觸控輸入薄片的一實施例之電極圖案及細線迂迴的電路圖案之說明圖。圖17係顯示電極圖案及細線迂迴的電路圖案被形成在由一片樹脂片構成之透明基體片的兩面之觸控輸入薄片的例子之示意剖面圖，圖18係顯示圖17的觸控輸入薄片的端子部附近A之部分放大剖面圖。圖19(a)～(k)係顯示製造圖17的觸控輸入薄片之步驟的剖面圖。圖中，501是觸控輸入薄片，506是樹脂片，507是中央窗部，508是外框部，509是透明導電膜，510是電極圖案，511是細線迂迴的電路圖案，512是遮光性導電膜，513是端子部，514是防銹功能膜，516是第一光阻層，517是遮罩，518是第二光阻層，519是遮罩，528是第三光阻層，529是遮罩，532是曝光光線。
圖16及圖17所示的觸控輸入薄片501，係在基體片兩面的中央窗部507形成僅由透明導電膜509構成的電極圖案510，且在外框部508形成有透明導電膜509及遮光性導電膜512依序積層的細線迂迴的電路圖案511之觸控輸入薄片，該細線迂迴的電路圖案511的透明導電膜09及遮光性導電膜512在相同寬度圖案無偏位地積層形成。
將這樣的透明導電膜509的電路圖案510及細線迂迴的電路圖案511形成於兩面之窄框緣觸控輸入薄片501的製造方法為，首先獲得在一片樹脂片506所構成的透明基體片的兩面分別全面地依序積層有透明導電膜509、遮光性導電膜512、及第一光阻層516的導電性膜(參照圖19(a))，之後，於表背面分別載置所期望的圖案之遮罩517，進行曝光(參照圖19(b))‧顯影而將第一光阻層516圖案化。在那樣情況下，遮光性導電膜1會遮斷相反側之面的曝光光線532，所以就算同時利用不同的遮罩圖案進行曝光也不致於影響相反側的第一光阻層516的圖案。因此能兩面同時曝光，故容易進行第一光阻層516表背面的位置對準且能以一次的步驟完成兩面的圖案化，生產性亦會提升。此外，圖19(b)所示的遮罩517的位置係顯示第一光阻層516是負型(一被曝光時，相對於顯影液的溶解性降低，而在顯影後會殘留曝光部分)的情況。而在正型(一被曝光時，相對於顯影液的溶解性增大，而曝光部被除去)的情況，以遮罩遮光的部分成為相反。
接著，以氯化鐵等之蝕刻液同時蝕刻透明導電膜509及遮光性導電膜512，將未積層有既圖案化的第一光阻層516之部分的透明導電膜509及遮光性導電膜512除去，藉以在樹脂片506兩面的中央窗部507分別形成透明導電膜509及遮光性導電膜512無偏位地積層的電極圖案510，並在基體片兩面的外框部508分別形成透明導電膜509及遮光性導電膜512無偏位地積層的細線迂迴的電路圖案511(參照圖19(c))。
然而，樹脂片506會有延伸的問題。因此導電性膜6兩面之第一抗蝕層516的圖案化適合於採用兩面同時曝光。其原因在於：在以單面逐次曝光的方式進行第一光阻層516的圖案化的情況，當單面的圖案化結束，將導電性薄片的表背面調換並再安裝於曝光裝置之際發生基體片延伸時，表面的電路圖案和背面的電路圖案會引起偏位。圖19及圖5所示的例子之情況，由於菱形電極46與菱形電極47之配置關係是互補的，因而當表面的電路圖案和背面的電路圖案引發偏位時，靜電電容式接觸感測器變得無法正確地發揮功能。
本發明中，在曝光之際，遮光性導電膜512會遮斷相反側之面的曝光光線532，所以就算同時利用不同的遮罩圖案作曝光也不致於影響相反側的第一光阻層516的圖案。因此能兩面同時曝光，故容易進行第一光阻層516表背面的位置對準且能以一次的步驟完成兩面的圖案化，生產性亦會提升。
此外，表面遮罩及背面遮罩的對準可使用兩面曝光裝置的公知之遮罩對準方法。例如，分別在表面遮罩及背面遮罩形成遮罩用對準標記，相機等之以光學方式讀取的感測器係藉由讀取一對遮罩用對準標記彼此的重疊狀態而取得表面遮罩及背面遮罩之相對的位置資訊。然後，依據所獲得之位置資訊，遮罩位置調整機構係以一對遮罩用對準標記彼此對準中心地重合的方式讓表面遮罩及背面遮罩相對地移動，藉此進行表面遮罩及背面遮罩的對準之方法等。
在前述的蝕刻之後，藉由光阻剝離液剝離第一光阻層516，在形成有電極圖案510及細線迂迴的電路圖案511的面上全面形成第二光阻層518(參照圖19(d))後，載置遮罩519，進行曝光(參照圖19(e))‧顯影而將第二光阻層518圖案化(參照圖19(f))。此外，圖19(e)所示的遮罩519的位置係顯示第二光阻層518是負型(一被曝光時，相對於顯影液的溶解性降低，而在顯影後會殘留曝光部分)的情況。
接著，接著，以酸化的過氧化氫等之特殊蝕刻液蝕刻，僅除去未積層有既圖案化的第二光阻層518之部分的遮光性導電膜9，藉以在基體片兩面的中央窗部507及外框部508內的端子部513分別使透明導電膜39露出(參照圖19(g))。
此外，若透明導電膜509為非晶質的材料，則宜在該蝕刻之前利用熱處理等之方法事先使之結晶化。那是因為結晶化會提升耐蝕刻性，可更容易選擇性地僅蝕刻遮光性金屬膜12的緣故。
接著，藉由光阻剝離液剝離第二光阻層518使遮光性導電膜9露出(參照圖19(h))後，以覆蓋所露出的遮光性導電膜9之方式形成了防銹功能膜514(參照圖19(k))。又，細線迂迴的電路圖案511係建構成除端子部513以外，透明導電膜509和遮光性導電膜512的二層構造被防銹功能膜514所被覆，藉以長期地維持低電阻，而且，透過在端子部513除去遮光性導電膜512以維持與FPC540之電性連接。
茲就上述防銹作詳細地說明，若未以防銹功能膜514被覆，在製品完成後，會有來自於外部的腐蝕性液體，例如汗液或鹽水等侵入或在高溫高濕度等之環境試驗下，使細線迂迴的電路的電路圖案511的遮光性導電膜512腐蝕加劇，而有電氣特性劣化的問題產生。對此，當如本發明以防銹功能膜514被覆時，即使在製品完成後有來自外部的腐蝕性液體侵入或在高溫高濕度等之環境試驗下，亦可在不讓迂迴的電路的腐蝕加劇之下維持電氣特性。因此，在如同適用於靜電電容式接觸感測器等之觸控輸入薄片般迂迴的電路是細線且必需經長時間維持低電阻的用途上也可充份地適用。又，就端子部513而言，當以防銹功能膜514被覆時，則無法與FPC540取得導通，因而在無法被防銹功能膜514覆蓋之下，照這樣會造成端子部513的遮光性導電膜被腐蝕(參照圖20)。因此在和FPC540連接後需要塗層保護膜(CONFORMAL COATING)560(參照圖21)，光這樣就需耗費工時或材料故製造成本高昂。但在本發明的情況，由於利用將電極圖案的遮光性導電膜512除去的步驟之蝕刻亦將端子部513的遮光性導電膜512除去，露出耐腐蝕性強的透明導電膜509，所以可在不耗費製造成本之下謀求端子部513的防銹效果。
此外，在防銹功能膜514的形成方法方面，可採用利用光學處理形成的方法。亦即，藉由光阻剝離液剝離第二光阻層518，在形成有電極圖案510及細線迂迴的電路圖案511之面上全面地形成整面的第三光阻層528(參照圖19(i))後，載置遮罩529，進行曝光(參照圖19(j))‧顯影而將第三光阻層528以覆蓋遮光性導電膜9的方式圖案化，將此作為防銹功能膜514(參照圖19(k))。此外，圖19(j)所示的遮罩529的位置係顯示第三光阻層528是負型(一被曝光時，相對於顯影液的溶解性降低，而在顯影後會殘留曝光部分)的情況。
又，在防銹功能膜514的形成方法方面，亦可藉由印刷法形成。亦即，在藉由光阻剝離液剝離第二光阻層518使遮光性導電膜9露出(參照圖19(h))後，以覆蓋所露出的遮光性導電膜9的方式印刷防銹功能膜514(參照圖19(k))。
若將藉以上方法所獲得之在窄框緣觸控輸入薄片501的兩面形成的細線迂迴的電路圖案511的端部，於FPC540分別在端子部513連接，則可製造夾著樹脂片506且兩面形成有由透明導電膜509構成的電極圖案510的靜電電容式接觸感測器。
其次，針對形成上述觸控輸入薄片501的各層作詳細說明。
首先，基體片是由厚度30～2000μm左右的透明片構成，在材質方面，可例舉出聚酯系樹脂、聚苯乙烯系樹脂、烯烴系樹脂、聚丁烯對苯二甲酸系樹脂、聚碳酸酯系樹脂、丙烯酸系樹脂等之樹脂片506等。
有關透明導電膜509，可舉出由銦錫氧化物、鋅氧化物等之金屬氧化物等所構成的層，可利用真空蒸鍍法、濺鍍法、離子鍍膜法、鍍金法等來形成。厚度形成數十至數百nm左右，必須是容易和遮光性導電膜512一起被氯化鐵等之溶液所蝕刻，但不容易被在酸性環境氣體下的過氧化氫水等之遮光性導電膜層512的蝕刻液所蝕刻。且以可達成80%以上的光線透射率、數mΩ至數百Ω的表面電阻值者較佳。又，透明導電膜509亦可使用噻吩等之導電性聚合膜、含有金屬奈米線或奈米碳管等之導電纖維膜，在其情況下，可利用各種印刷法或塗裝等來形成。
在遮光性導電膜層512方面，可舉出由導電率高且遮光性佳之單一的金屬膜或其等之合金或化合物等所構成的層，可利用真空蒸鍍法、濺鍍法、離子鍍膜法、鍍金法等來形成。此外，亦有必要存在所謂透明導電膜509不被蝕刻但遮光性導電膜512自身會被蝕刻的蝕刻劑。作為較佳的金屬的例子，可例舉鋁、鎳、銅、銀、錫等等。特別是由銅箔所構成之厚度20~1000nm的金屬膜，其導電性、遮光性優越，除了能在透明導電膜509不被蝕刻的酸性環境氣體下利用過氧化氫水容易地進行蝕刻之外，由於還兼具容易和FPC540連接的特性故非常理想。較佳為，厚度是30nm以上。更佳為作成100~500nm。設定成100nm以上的厚度可獲得高導電性的遮光性金屬膜層512，作成500nm以下可獲得容易處理、加工性優越之遮光性金屬膜層512。
在第一光阻層516方面，以可藉由高壓水銀燈、超高壓水銀燈、雷射光線或金屬鹵素燈等進行曝光且能利用鹼性溶液等顯影之厚度10～20μm的丙烯酸系光阻材料等來構成。其原因在於：利用光阻材料進行的曝光‧顯影，可確實良好地形成線寬較細的細線迂迴的電路圖案511，可製造更窄框緣的觸控輸入薄片501之緣故。第一光阻層516的形成方法除了凹版、網版、平版等泛用之印刷法以外，亦可在藉由各種塗佈器的方法、塗裝、浸泡塗佈等之方法、乾膜光阻劑法等之各種方法形成全面後進行曝光‧顯影而圖案化，當中以乾膜光阻劑法更佳。
乾膜光阻劑法使用的乾膜光阻劑(DFR)中成為第一光阻層516的感光層係被基底膜和覆蓋膜所包夾的膜。上述的印刷法、塗佈法及塗裝法等，係具有僅能單面披覆而效率不佳等之問題，相對地，由於乾膜光阻劑法係在剝離覆蓋膜後利用加熱滾筒接著感光層的方法，故生產性高，可因應多樣的要求而成為主流。此外，曝光通常是從基底膜之上配置遮罩而進行(未圖示)，並在將基底膜剝離之後進行顯影。在乾膜光阻劑的基底膜方面，可使用聚對苯二甲酸乙二酯等所構成者。又，在乾膜光阻劑的覆蓋膜方面，可使用聚乙烯等所構成者。
第二光阻層518的材料及形成方法可設為和第一光阻層516同樣的材料及形成方法。
在防銹功能膜514是利用光學處理的情況，可將在和第一光阻層516同樣的光阻材料中添加有防銹劑者作為第三光阻層528使用，或者是將前述的光阻材料且防銹性優異者作為第三光阻層528使用。又，第三光阻層528的形成方法可以是與第一光阻層516同樣的形成方法。又，在防銹功能膜514是利用印刷法形成的情況，可使用含有防銹劑的油墨形成。在防銹劑方面，係使用已公認作為防銹劑使用的材料，而在具體例方面，例如使用咪唑、三唑、苯并三唑、苯并咪唑、苯并噻唑、吡唑等即可。又，可舉出此等的鹵素、烷基、苯基置換體等之單環或多環式的唑類、苯胺等之芳香族胺類、烷基胺等之脂肪族胺、此等的鹽等，又，並沒有必要特別受限於本發明所記載的材料。
以上，已針對觸控輸入薄片的一實施例作了說明，但本發明未受限於此。例如，基體片不限為以圖示那種樹脂片506單層所構成者，亦可將樹脂片506重疊複數片而將積層體作為基體片。在此情況，在樹脂片506的積層手段方面，可舉出熱層壓或透過接著劑層的乾式層壓等等。在以接著劑層積層樹脂片506的情況，在接著劑層方面亦可使用具有芯材者來進行積層體整體的厚度調整。又，樹脂片506的積層亦可以在朝樹脂片506上形成透明導電膜509後、遮光性導電膜512積層後、抑或在第一光阻層516積層後的任一時序進行。
《實施例1》
基體片方面，是使用厚度100μm的無色透明聚酯膜，在其表背兩面以濺鍍法形成厚度200nm的由銦錫氧化物構成的透明導電膜，在其上以濺鍍法形成厚度300nm的銅膜作為遮光性導電膜，在其上以凹版印刷塗佈方式形成酚醛清漆樹脂作為第一抗蝕層，於表側載置由X方向的電極圖案構成的遮罩，於背面側載置由Y方向的電極圖案構成的遮罩，藉金屬鹵素燈將表背兩面同時曝光，浸泡於鹼性溶液進行顯影。
接著，以氯化鐵的蝕刻液將銦錫氧化物膜及銅膜同時地蝕刻後，於中央窗部表面露出形成X方向的電極圖案，在其背面側露出形成Y方向的電極圖案，在包圍其中央窗部的外框緣部，平均線寬20μm的細線迂迴的圖案露出地形成於表背兩面。接著，以覆蓋此等的細線迂迴的圖案的方式採網版印刷形成厚度10μm的熱硬化丙烯酸樹脂層作為第二抗蝕層。接著，當浸泡在酸性環境氣體下的過氧化氫水時，露出的中央窗部所露出的銅膜被蝕刻除去，僅殘留形成在其下方的銦錫氧化物膜。
接著，以覆蓋被形成於兩面的中央窗部的透明電極圖案及外框緣部的熱硬化丙烯酸樹脂層的方式利用藉網版印刷形成厚度10μm的熱硬化丙烯酸樹脂層以作為防銹層。透過以上的方法，在中央窗部於基體片的兩面分別僅形成X方向的電極圖案、Y方向的電極圖案之銦錫氧化物膜，在各個外框緣部，於銦錫氧化物膜之上形成具有相同圖案的銅膜之細線迂迴的電路，以覆蓋細線迂迴的電路的方式被覆熱硬化丙烯酸樹脂層，且以覆蓋各個透明電極圖案及熱硬化丙烯酸樹脂層的方式獲得被覆有透光性的防銹層的窄框緣觸控輸入薄片。
將形成在所獲得之該窄框緣觸控輸入薄片的細線迂迴的電路圖案的端部連接於搭載著IC晶片的外部電路，作為靜電電容式接觸感測器作動，經長時間評估後，獲得能維持穩定的電氣特性之結果。
《實施例2》
有關基體片，是使用二片厚度100μm的無色透明聚酯膜，在各基體片上分別依序形成透明導電膜、遮光性導電膜、第一抗蝕層，在藉由將未形成有該基體片之前述各層的面彼此對向積層所積層的基體片的兩面上分別依序形成透明導電膜、遮光性導電膜、第一抗蝕層，除此之外是採用和實施例1同樣的方法而獲得窄框緣觸控輸入薄片。將形成在該窄框觸控輸入薄片的細線迂迴的電路圖案的端部連接於搭載著IC晶片的外部電路，作為靜電電容式接觸感測器作動，經長時間評估後，獲得能維持穩定的電氣特性之結果。
《實施例3》
以僅覆蓋外框緣部的熱硬化丙烯酸樹脂層之方式形成防銹層，除此之外是採用和實施例1同樣的方法而獲得窄框緣觸控輸入薄片。將形成在該窄框緣觸控輸入薄片的細線迂迴的電路圖案的端部，連接於搭載著IC晶片的外部電路，作為靜電電容式接觸感測器作動，經長時間評估後，獲得比實施例1稍差但能維持穩定的電氣特性之結果。
《實施例4》
基體片方面，是使用一片厚度400μm的無色聚酯膜，在其表背兩面以濺鍍法形成厚度200nm的由銦錫氧化物構成的透明導電膜，在其上以濺鍍法形成厚度500nm的銅膜作為遮光性導電膜，在其上，使用備有可利用氫氧化鈉1%液體顯影之負型的丙烯酸系感光層的乾膜光阻劑，全面形成厚度10nm的第一抗蝕層，於表面側載置具有X方向的電極圖案之遮罩，於背面側載置具有Y方向的電極圖案之遮罩，藉金屬鹵素燈將表背兩面同時曝光，浸泡於氫氧化鈉1%液體進行顯影。
接著，以氯化鐵的蝕刻液將未積層有既圖案化的該第一抗蝕層之部分的銦錫氧化物膜及銅膜同時蝕刻除去後，於基體片的中央窗部表面露出形成X方向的電極圖案，在其背面側露出形成Y方向的電極圖案，在包圍其中央窗部的外框緣部，平均線寬20μm的細線迂迴的圖案露出形成於表背兩面。
其次，第一抗蝕層剝離後，使用備有可利用氫氧化鈉1%液體顯影且添加作為防銹劑的苯并咪唑而成的負型丙烯酸系感光層之乾膜光阻劑，全面形成厚度10nm的第二抗蝕層，將遮罩載置於不包含表面側及背面側的端子部在內的外框部，藉金屬鹵素燈將表背兩面同時曝光，浸泡於氫氧化鈉1%液體進行顯影。
接著，當浸泡在酸性環境氣體下的過氧化氫水時，露出的中央窗部之露出的銅膜被蝕刻除去，僅殘留形成在其下方的銦錫氧化物膜。之後，第二抗蝕層未剝離而殘留作為防銹層。
《實施例5》
基體片方面，是使用積層二片厚度200μm的無色聚酯膜之積層體，在各聚酯膜積層前預先在單面僅形成透明導電膜，且在聚酯膜積層後，於兩面上分別形成遮光性導電膜及第一抗蝕層，除此之外是採用和實施例4同樣的方法而獲得窄框緣觸控輸入薄片。
《實施例6》
基體片方面，是使用積層二片厚度200μm的無色聚酯膜之積層體，在各聚酯膜積層前預先在單面僅形成透明導電膜，且在聚酯膜積層後，於兩面分別形成遮光性導電膜及第一抗蝕層，除此之外是採用和實施例4同樣的方法而獲得窄框緣觸控輸入薄片。
《實施例7》
添加於第二抗蝕層的防銹劑是用苯并三唑來替換實施例4的苯并咪唑，除此之外是採用和實施例4同樣的方法而獲得窄框緣觸控輸入薄片。
依據實施例4～7的方法獲得一窄框緣觸控輸入薄片，該窄框緣觸控輸入薄片為：在中央窗部，於基體片的兩面分別僅形成X方向的電極圖案、Y方向的電極圖案之銦錫氧化物膜，在各自的外框部，除端子部以外，在銦錫氧化物膜之上有形成著銅膜的細線迂迴的電路，除了端子部外，將該細線迂迴的電路以含有防銹劑的第二抗蝕層覆蓋。將形成在該窄框緣觸控輸入薄片的細線迂迴的電路圖案的端部連接於搭載著IC晶片的外部電路，作為靜電電容式接觸感測器作動，經評估後，實施例1～4任一情況亦獲得良好的結果，且即使在製品完成後有來自外部的腐蝕性液體侵入或在高溫高濕度等之環境試驗下，亦可在不使迂迴的電路的腐蝕加劇之下維持電氣特性。
《實施例8》
基體片方面，是使用一片厚度400μm的無色聚酯膜，在其表背兩面以濺鍍法形成厚度200nm的由銦錫氧化物構成的透明導電膜，在其上以濺鍍法形成厚度500nm的銅膜作為遮光性導電膜，在其上，使用備有可利用氫氧化鈉1%液體顯影之負型的丙烯酸系感光層的乾膜光阻劑，全面形成厚度10nm的第一抗蝕層，於表面側載置具有X方向的電極圖案之遮罩，於背面側載置具有Y方向的電極圖案之遮罩，藉金屬鹵素燈將表背兩面同時曝光，浸泡於氫氧化鈉1%液體進行顯影。
接著，以氯化鐵的蝕刻液將未積層有既圖案化的該第一抗蝕層之部分的銦錫氧化物膜及銅膜同時蝕刻除去後，於基體片的中央窗部表面露出形成X方向的電極圖案，在其背面側露出形成Y方向的電極圖案，在包圍其中央窗部的外框部，平均線寬20μm的細線迂迴的圖案露出形成於表背兩面。
其次，第一抗蝕層剝離後，使用備有可利用氫氧化鈉1%液體顯影且添加作為防銹劑的苯并咪唑而成的負型丙烯酸系感光層之乾膜光阻劑，全面形成厚度10nm的第二抗蝕層，將遮罩載置於不包含表面側及背面側的端子部在內的外框部，藉金屬鹵素燈將表背兩面同時曝光，浸泡於氫氧化鈉1%液體進行顯影。
接著，當浸泡在酸性環境氣體下的過氧化氫水時，露出的中央窗部之露出的銅膜被蝕刻除去，僅殘留形成在其下方的銦錫氧化物膜。再繼續蝕刻時，在與中央窗部及端子部之交界，遮光性導電膜所露出的端面被側蝕刻，使第二抗蝕層成為屋簷構造。
最後，以熱處理軟化屋簷構造的第二抗蝕層，藉以被覆殘留的遮光性導電膜所露出的端面，在其狀態下未剝離第二抗蝕層而殘留作為防銹層。
《實施例9》
基體片方面，是使用積層二片厚度200μm的無色聚酯膜之積層體，在各聚酯膜積層前預先在單面透明導電膜、遮光性導電膜，且在聚酯膜積層後，於兩面分別形成第一抗蝕層，除此之外是採用和實施例8同樣的方法而獲得窄框緣觸控輸入薄片。
《實施例10》
基體片方面，是使用積層二片厚度200μm的無色聚酯膜之積層體，在各聚酯膜積層前預先在單面僅形成透明導電膜，且在聚酯膜積層後，於兩面上分別形成遮光性導電膜及第一抗蝕層，除此之外是採用和實施例8同樣的方法而獲得窄框緣觸控輸入薄片。
《實施例11》
添加於第二抗蝕層的防銹劑是用苯并三唑來替換實施例8的苯并咪唑，除此之外是採用和實施例8同樣的方法而獲得窄框緣觸控輸入薄片。
依據實施例8～11的方法獲得一窄框緣觸控輸入薄片，該窄框緣觸控輸入薄片為：在中央窗部，於基體片的兩面分別僅形成X方向的電極圖案、Y方向的電極圖案之銦錫氧化物膜，在各自的外框部，除端子部及側蝕刻量以外，在銦錫氧化物膜之上有形成著銅膜的細線迂迴的電路，除了端子部外，將該細線迂迴的電路以含有防銹劑的第二抗蝕層覆蓋。將形成在此觸控輸入薄片的細線迂迴的電路圖案的端部連接於搭載有IC晶片的外部電路，作為靜電電容式接觸感測器作動，經評估後，實施例1～4任一情況亦獲得良好的結果，且即使在製品完成後有來自外部的腐蝕性液體侵入或在高溫高濕度等之環境試驗下，亦可在不讓迂迴的電路的腐蝕加劇之下維持電氣特性。
《實施例12》
將滾筒所捲出的厚度200μm的無色聚酯膜作為基體片，於其單面上以濺鍍法形成厚度200nm的由銦錫氧化物構成的透明導電膜，在其上以濺鍍法形成厚度500nm的銅膜作為遮光性導電膜而製備一導電性膜。接著，將一組的導電性膜使用透明黏著劑層壓，於兩面上各自積層透明導電膜及遮光性導電膜而獲得積層體後，使用備有可利用氫氧化鈉1%液體顯影之負型的丙烯酸系感光層的乾膜光阻劑，於前述積層體的兩面上分別整面地形成厚度10nm的第一光阻層，於表面側載置具有X方向的電極圖案之遮罩，於背面側載置具有Y方向的電極圖案之遮罩，藉金屬鹵素燈將表背兩面同時曝光，浸泡於氫氧化鈉1%液體進行顯影。
接著，以氯化鐵的蝕刻液將未積層有既圖案化之第一光阻層的部份之銦錫氧化物膜及銅膜同時地蝕刻除去後，在基體片的中央窗部表面露出形成X方向的電極圖案，在其背面側露出形成Y方向的電極圖案，在包圍其中央窗部的外框部，平均線寬20μm的細線迂迴的圖案露出形成於表背兩面。
其次，第一光阻層剝離後，使用備有可利用氫氧化鈉1%液體顯影之負型的丙烯酸系感光層的乾膜光阻劑，在兩面上分別全面形成厚度10nm的第二光阻層，在其上，將遮罩載置於不包含表面側及背面側的端子部在內的外框部，藉金屬鹵素燈將表背兩面同時曝光，浸泡於氫氧化鈉1%液體進行顯影。
接著，當浸泡在酸性環境氣體下的過氧化氫水時，露出的中央窗部之露出的銅膜被蝕刻除去，僅殘留形成在其下方的銦錫氧化物膜。
其次，第二光阻層剝離後，使用備有可利用氫氧化鈉1%液體顯影且添加作為防銹劑的苯并咪唑而成的負型丙烯酸系感光層之乾膜光阻劑，在兩面上分別全面形成厚度10nm的第三光阻層，且在其上將遮罩載置於不含端子部的外框部，藉金屬鹵素燈將表背兩面同時曝光，浸泡於氫氧化鈉1%液體進行顯影，將殘留的第三光阻層設為防銹功能層。
《實施例13》
防銹功能層不是藉由光學處理，而是藉由採用防銹油墨的網版印刷直接圖案化形成，除此之外是採用和實施例12同樣的方法而獲得觸控輸入薄片。
依據實施例12或實施例13的方法獲得一觸控輸入薄片，該觸控輸入薄片為：在中央窗部，於基體片的兩面分別僅形成X方向的電極圖案、Y方向的電極圖案之銦錫氧化物膜，在各自的外框部，除端子部以外，在銦錫氧化物膜之上有形成著銅膜的細線迂迴的電路，除了端子部外，將該細線迂迴的電路以防銹功能膜覆蓋。將形成在觸控輸入薄片的細線迂迴的電路圖案的端部連接於FPC，作為靜電電容式接觸感測器作動，經評估後，實施例1、實施例2其中之一的情況亦獲得良好的結果，且即使在製品完成後有來自外部的腐蝕性液體侵入或在高溫高濕度等之環境試驗下，亦可在不讓迂迴的電路的腐蝕加劇之下維持電氣特性。
本發明係參照附圖且與較佳實施形態賦予關連地充分記載，但對熟知本技術者而言，顯然可作各種變形或修正。應理解那樣的變形或修正只要不偏離附加的申請專利範圍，則亦被本發明所涵蓋。
[產業上可利用性]
本案發明係窄框緣觸控輸入薄片的製造方法，其可適用於設有像液晶面板等之影像畫面之類的行動電話或PDA、小型PC等之輸入裝置。
1．．．遮光性導電膜
3．．．透明導電膜
5．．．窄框緣觸控輸入薄片
7．．．樹脂片
9．．．電極圖案
10．．．細線迂迴的電路圖案
12．．．遮罩
14．．．曝光光線
16．．．第一抗蝕層
18．．．第二抗蝕層
20．．．靜電電容式接觸感測器
22．．．窄框緣觸控輸入薄片5的外框部
24．．．窄框緣觸控輸入薄片5的中央窗部
25．．．窄框緣觸控輸入薄片5的端子部
28．．．外部電路
30．．．防銹層
46、47．．．菱形電極
469、479．．．連接配線
S．．．側蝕刻量
501．．．觸控輸入薄片
506．．．樹脂片
507．．．中央窗部
508．．．外框部
509．．．透明導電膜
510．．．電極圖案
511．．．細線迂迴的電路圖案
512．．．遮光性導電膜
513．．．端子部
514．．．防銹功能膜
516．．．第一光阻層
517．．．遮罩
518．．．第二光阻層
519．．．遮罩
528．．．第三光阻層
529．．．遮罩
532．．．曝光光線
540．．．FPC
560．．．塗層保護膜
圖1係顯示有關本發明之窄框緣觸控輸入薄片的一實施例之示意剖面圖。
圖2(a)係顯示製造圖1的窄框緣觸控輸入薄片之步驟的示意圖。
圖2(b)係顯示製造圖1的窄框緣觸控輸入薄片之步驟的示意圖。
圖2(c)係顯示製造圖1的窄框緣觸控輸入薄片之步驟的示意圖。
圖2(d)係顯示製造圖1的窄框緣觸控輸入薄片之步驟的示意圖。
圖2(e)係顯示製造圖1的窄框緣觸控輸入薄片之步驟的示意圖。
圖2(f)係顯示製造圖1的窄框緣觸控輸入薄片之步驟的示意圖。
圖2(g)係顯示製造圖1的窄框緣觸控輸入薄片之步驟的示意圖。
圖3係顯示有關本發明之窄框緣觸控輸入薄片的另一實施例之示意剖面圖。
圖4係針對有關本發明之窄框緣觸控輸入薄片的一實施例之電極圖案及細線迂迴的電路圖案之說明圖。
圖5係顯示電極圖案及細線迂迴的電路圖案被形成在由一片樹脂片構成的透明基體片的兩面之窄框緣觸控輸入薄片的例子之示意剖面圖。
圖6(a)係顯示製造圖5的窄框緣觸控輸入薄片之步驟的示意剖面圖。
圖6(b)係顯示製造圖5的窄框緣觸控輸入薄片之步驟的示意剖面圖。
圖6(c)係顯示製造圖5的窄框緣觸控輸入薄片之步驟的示意剖面圖。
圖6(d)係顯示製造圖5的窄框緣觸控輸入薄片之步驟的示意剖面圖。
圖6(e)係顯示製造圖5的窄框緣觸控輸入薄片之步驟的示意剖面圖。
圖6(f)係顯示製造圖5的窄框緣觸控輸入薄片之步驟的示意剖面圖。
圖7係顯示電極圖案及細線迂迴的電路圖案被形成在二片樹脂片的積層體所構成之透明基體片的最表面及最背面之窄框緣觸控輸入薄片的例子之示意剖面圖。
圖8(a)係顯示製造圖7的窄框緣觸控輸入薄片之步驟的示意剖面圖。
圖8(b)係顯示製造圖7的窄框緣觸控輸入薄片之步驟的示意剖面圖。
圖8(c)係顯示製造圖7的窄框緣觸控輸入薄片之步驟的示意剖面圖。
圖8(d)係顯示製造圖7的窄框緣觸控輸入薄片之步驟的示意剖面圖。
圖8(e)係顯示製造圖7的窄框緣觸控輸入薄片之步驟的示意剖面圖。
圖8(f)係顯示製造圖7的窄框緣觸控輸入薄片之步驟的示意剖面圖。
圖8(g)係顯示製造圖7的窄框緣觸控輸入薄片之步驟的示意剖面圖。
圖9係用以說明專利文獻1所記載的觸控輸入裝置之電極形成步驟的圖。
圖10係說明形成在窄框緣觸控輸入薄片的中央窗部之電極圖案的形狀及配置態樣的一例之俯視圖。
圖11係針對有關本發明之窄框緣觸控輸入薄片的一實施例之電極圖案及細線迂迴的電路圖案之說明圖。
圖12係顯示電極圖案及細線迂迴的電路圖案被形成在一片樹脂片的積層體所構成之透明基體片的兩面之窄框緣觸控輸入薄片的例子之示意剖面圖。
圖13(a)係顯示製造圖12的窄框緣觸控輸入薄片之步驟的示意剖面圖。
圖13(b)係顯示製造圖12的窄框緣觸控輸入薄片之步驟的示意剖面圖。
圖13(c)係顯示製造圖12的窄框緣觸控輸入薄片之步驟的示意剖面圖。
圖13(d)係顯示製造圖12的窄框緣觸控輸入薄片之步驟的示意剖面圖。
圖13(e)係顯示製造圖12的窄框緣觸控輸入薄片之步驟的示意剖面圖。
圖13(f)係顯示製造圖12的窄框緣觸控輸入薄片之步驟的示意剖面圖。
圖13(g)係顯示製造圖12的窄框緣觸控輸入薄片之步驟的示意剖面圖。
圖14係顯示電極圖案及細線迂迴的電路圖案被形成在二片樹脂片的積層體所構成之透明基體片的最表面及最背面之窄框緣觸控輸入薄片的例子之示意剖面圖。
圖15(a)係顯示製造圖14的窄框緣觸控輸入薄片之步驟的示意剖面圖。
圖15(b)係顯示製造圖14的窄框緣觸控輸入薄片之步驟的示意剖面圖。
圖15(c)係顯示製造圖14的窄框緣觸控輸入薄片之步驟的示意剖面圖。
圖15(d)係顯示製造圖14的窄框緣觸控輸入薄片之步驟的示意剖面圖。
圖15(e)係顯示製造圖14的窄框緣觸控輸入薄片之步驟的示意剖面圖。
圖15(f)係顯示製造圖14的窄框緣觸控輸入薄片之步驟的示意剖面圖。
圖15(g)係顯示製造圖14的窄框緣觸控輸入薄片之步驟的示意剖面圖。
圖15(h)係顯示製造圖14的窄框緣觸控輸入薄片之步驟的示意剖面圖。
圖16係針對有關本發明之窄框緣觸控輸入薄片的一實施例之電極圖案及細線迂迴的電路圖案之說明圖。
圖17係顯示電極圖案及細線迂迴的電路圖案被形成在一片樹脂片的積層體所構成之透明基體片的兩面之觸控輸入薄片的例子之示意剖面圖。
圖18係顯示圖17的觸控輸入薄片的端子部附近A之部分放大剖面圖。
圖19(a)係顯示製造圖17的觸控輸入薄片之步驟的剖面圖。
圖19(b)係顯示製造圖17的觸控輸入薄片之步驟的剖面圖。
圖19(c)係顯示製造圖17的觸控輸入薄片之步驟的剖面圖。
圖19(d)係顯示製造圖17的觸控輸入薄片之步驟的剖面圖。
圖19(e)係顯示製造圖17的觸控輸入薄片之步驟的剖面圖。
圖19(f)係顯示製造圖17的觸控輸入薄片之步驟的剖面圖。
圖19(g)係顯示製造圖17的觸控輸入薄片之步驟的剖面圖。
圖19(h)係顯示製造圖17的觸控輸入薄片之步驟的剖面圖。
圖19(i)係顯示製造圖17的觸控輸入薄片之步驟的剖面圖。
圖19(j)係顯示製造圖17的觸控輸入薄片之步驟的剖面圖。
圖19(k)係顯示製造圖17的觸控輸入薄片之步驟的剖面圖。
圖20係顯示在端子部露出遮光性導電膜的例子之部分放大剖面圖。
圖21係顯示在和FPC連接之後設置塗層保護膜(CONFORMAL COATING)的例子之的部分放大剖面圖。
1．．．遮光性導電膜
3．．．透明導電膜
5．．．窄框緣觸控輸入薄片
7．．．樹脂片
18．．．第二抗蝕層
22．．．外框部
24．．．中央窗部
S．．．側蝕刻量

Claims (18)

  1. 一種防銹性優異的窄框緣觸控輸入薄片，係在透明基體片兩面的中央窗部分別形成有透明導電膜的電極圖案，在前述基體片兩面的外框部分別形成有前述電極圖案用的細線迂迴的電路圖案，且該兩面的電極圖案及細線迂迴的電路圖案不同，該窄框緣觸控輸入薄片之特徵為：在單面或兩面中的至少細線迂迴的電路圖案上，在除了端子部以外的部分被覆形成透光性的防銹層。
  2. 如申請專利範圍第1項之防銹性優異的窄框緣觸控輸入薄片，其中前述細線迂迴的電路圖案係依序積層透明導電膜及遮光性導電膜。
  3. 如申請專利範圍第1項之防銹性優異的窄框緣觸控輸入薄片，其中於前述電極圖案上亦被覆形成前述透光性的防銹層。
  4. 如申請專利範圍第1項之防銹性優異的窄框緣觸控輸入薄片，其中前述透光性的防銹層是由熱硬化性樹脂或光硬化性樹脂構成。
  5. 如申請專利範圍第1項之防銹性優異的窄框緣觸控輸入薄片，其中前述基體片是由二層構造構成。
  6. 如申請專利範圍第1至5項中任一項之防銹性優異的窄框緣觸控輸入薄片，其中進一步具備搭載有被連接 在前述細線迂迴的電路圖案的端子部之IC晶片的外部電路，藉以作為靜電電容式接觸感測器而作動。
  7. 一種防銹性優異的窄框緣觸控輸入薄片的製造方法，其特徵為具備：於透明基體片的兩面分別依序形成透明導電膜、遮光性導電膜及第一抗蝕層的步驟；於兩面同時將前述第一抗蝕層局部曝光、顯影，藉以各別圖案化的步驟；將未積層有既圖案化的該第一抗蝕層之部分的前述透明導電膜及前述遮光性導電膜同時蝕刻除去，藉以在基體片兩面的中央窗部各自形成在透明導電膜及遮光性導電膜不偏位下所積層的電極圖案，並分別在基體片兩面的外框部形成在透明導電膜及遮光性導電膜不偏位下所積層的細線迂迴的電路圖案之步驟；在剝離第一抗蝕層後，在露出的遮光性導電膜上積層形成既圖案化的第二抗蝕層之步驟；僅蝕刻除去未積層有該既圖案化的第二抗蝕層的部分之前述遮光性導電膜，藉以在基體片兩面的前述中央窗部及端子部中分別露出前述透明導電膜之步驟；在剝離第二抗蝕層後，在單面或兩面中的至少細線迂迴的電路圖案上，在除了端子部以外的部分，被覆形成透光性的防銹層之步驟。
  8. 一種防銹性優異的窄框緣觸控輸入薄片的製造方法，其特徵為具備： 於透明基體片的兩面分別將透明導電膜、遮光性導電膜及第一抗蝕層依序積層形成的步驟；藉由兩面同時地將前述第一抗蝕層局部地曝光、顯影而分別圖案化的步驟；將未積層有既圖案化的該第一抗蝕層之部分的前述透明導電膜及前述遮光性導電膜同時蝕刻除去，藉以在基體片兩面的中央窗部分別形成透明導電膜及遮光性導電膜無偏位地積層的電極圖案，並於基體片兩面的外框部分別形成在透明導電膜及遮光性導電膜無偏位下所積層的細線迂迴的電路圖案之步驟；前述第一抗蝕層剝離後，在露出的遮光性導電膜上積層形成被添加防銹劑且既圖案化的第二抗蝕層之步驟；僅蝕刻除去未積層有既圖案化的該第二抗蝕層之部分的前述遮光性導電膜，藉以在基體片兩面的前述中央窗部及端子部分別使前述透明導電膜露出，在其狀態下未剝離第二抗蝕層而殘留作為防銹層之步驟。
  9. 一種防銹性優異的窄框緣觸控輸入薄片的製造方法，其特徵為具備：於透明基體片的兩面分別將透明導電膜、遮光性導電膜及第一抗蝕層依序積層形成的步驟；藉由兩面同時地將前述第一抗蝕層局部曝光、顯影而分別圖案化的步驟；將未積層有既圖案化的該第一抗蝕層之部分的前述透明導電膜及前述遮光性導電膜同時蝕刻除去，藉 以在基體片兩面的中央窗部分別形成在透明導電膜及遮光性導電膜無偏位下所積層的電極圖案，並於基體片兩面的外框部分別形成在透明導電膜及遮光性導電膜無偏位下所積層的細線迂迴的電路圖案之步驟；前述第一抗蝕層剝離後，在露出的遮光性導電膜上積層形成被添加防銹劑且既圖案化的第二抗蝕層之步驟；僅蝕刻除去未積層有既圖案化的該第二抗蝕層之部分的前述遮光性導電膜，藉以在基體片兩面的前述中央窗部及端子部分別使前述透明導電膜露出，接著在與前述中央窗部及前述端子部之交界，藉由對前述遮光性導電膜所露出的端面進行側蝕刻而將前述第二抗蝕層作成屋簷構造之步驟；以熱處理軟化前述屋簷構造的第二抗蝕層，藉以被覆前述殘留的遮光性導電膜所露出的端面，在其狀態下未剝離第二抗蝕層而殘留作為防銹層之步驟。
  10. 如申請專利範圍第7至9項中任一項之防銹性優異的窄框緣觸控輸入薄片的製造方法，其中前述透明基體片是由複數片樹脂片之積層體構成者，在當中的最表面及最背面的樹脂片，於該樹脂片積層前預先形成前述透明導電膜及前述遮光性導電膜，且在前述樹脂片積層後形成前述第一抗蝕層。
  11. 如申請專利範圍第7至9項中任一項之防銹性優異的窄框緣觸控輸入薄片的製造方法，其中前述透明基體片係由複數片樹脂片的積層體構成者，在當中的最表 面及最背面的樹脂片，於該樹脂片積層前預先形成前述透明導電膜，且在前述樹脂片積層後形成前述遮光性導電膜及前述第一抗蝕層。
  12. 如申請專利範圍第7至9項中任一項之防銹性優異的窄框緣觸控輸入薄片的製造方法，其中添加於前述第二抗蝕層的防銹劑係咪唑、三唑、苯并三唑、苯并咪唑、苯并噻唑、吡唑當中任一者。
  13. 如申請專利範圍第10項之防銹性優異的窄框緣觸控輸入薄片的製造方法，其中添加於前述第二抗蝕層的防銹劑係咪唑、三唑、苯并三唑、苯并咪唑、苯并噻唑、吡唑當中任一者。
  14. 如申請專利範圍第11項之防銹性優異的窄框緣觸控輸入薄片的製造方法，其中添加於前述第二抗蝕層的防銹劑係咪唑、三唑、苯并三唑、苯并咪唑、苯并噻唑、吡唑當中任一者。
  15. 一種防銹性優異的窄框緣觸控輸入薄片的製造方法，其特徵為具備：獲得在透明基體片的兩面分別整面地依序積層形成透明導電膜、遮光性導電膜及第一光阻層而成的導電性膜之步驟；藉由兩面同時地將前述第一光阻層局部曝光、顯影而分別圖案化的步驟；將未積層有既圖案化的該第一光阻層之部分的前述透明導電膜及前述遮光性導電膜同時蝕刻除去，藉以在基體片兩面的中央窗部分別形成在透明導電膜及 遮光性導電膜無偏位下所積層的電極圖案，並於基體片兩面的外框部分別形成在透明導電膜及遮光性導電膜無偏位下所積層的細線迂迴的電路圖案之步驟；前述第一光阻層剝離後，在形成有電極圖案及細線迂迴的電路圖案之面上整面地積層形成第二光阻層之步驟；藉由兩面同時地將前述第二光阻層局部曝光、顯影而分別圖案化的步驟；僅蝕刻除去未積層有既圖案化的該第二光阻層之部分的前述遮光性導電膜，藉以在基體片兩面的前述中央窗部及端子部分別使前述透明導電膜露出之步驟；前述第二光阻層剝離後，以防銹功能膜被覆露出的遮光性導電膜之步驟。
  16. 如申請專利範圍第15項之防銹性優異的窄框緣觸控輸入薄片的製造方法，其中前述防銹功能膜係利用印刷法形成者。
  17. 如申請專利範圍第15項之防銹性優異的窄框緣觸控輸入薄片的製造方法，其中前述防銹功能膜係利用光學處理形成者。
  18. 如申請專利範圍第15至17項中任一項之防銹性優異的窄框緣觸控輸入薄片的製造方法，其中前述透明導電膜係ITO膜，前述遮光性導電膜係銅箔。
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