JP2008083495A - 基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】基板の表面又はそこに形成された導電膜等のパターンに不良を発生せることなく
その基板の両面にパターン形成を行うことができる基板の製造方法を提供する。
【解決手段】基板の第１面にｐ−ＩＴＯ膜をスパッタによって形成する工程Ｐ４と、ｐ−
ＩＴＯ膜上に第１レジストを形成しｐ−ＩＴＯ膜をパターニングして第１透光性電極を形
成する工程Ｐ５と、第１レジストを除去する工程Ｐ６と、基板の第１面上であって第１透
光性電極を覆う形状に保護膜を形成する工程Ｐ７と、基板の第２面にａ−ＩＴＯ膜をスパ
ッタによって形成する工程Ｐ９と、ａ−ＩＴＯ膜上に第２レジストを形成しａ−ＩＴＯ膜
をパターニングして第２透光性電極を形成する工程Ｐ１０と、基板を分割する分割工程Ｑ
３と、分割工程Ｑ３の後に保護膜及び第２レジストを除去する工程Ｐ１３とを有する基板
の製造方法である。
【選択図】図４

Description

本発明は、１つの基板の両面に導電膜等のパターンを有する基板の製造方法に関する。

現在、携帯電話機、携帯情報端末機等といった各種の電子機器において、例えば、当該
電子機器に関する各種の情報を視覚的に表示するための表示部として、液晶装置やＥＬ（
Electro luminessence）装置等といった電気光学装置が広く用いられている。また、これ
らの電気光学装置にはタッチパネル等といった入力装置が設けられることがある。これら
の電気光学装置や入力装置は、一般に、透明導電膜や金属膜等といった種々の要素が形成
された基板を用いて構成されている。

基板上に導電膜等の要素を形成する作業、いわゆるパターン形成作業の際には、一般に
、スパッタ、露光、現像、エッチング等といった作業を行うのであるが、これらの作業を
行う際には、各作業を行う装置が有するテーブルやマガジンに基板を固定して行われるこ
とがある。

上記のような基板を製造する方法として、従来から、基板の一方の面に種々の要素をパ
ターン形成するものが知られている（例えば、特許文献１参照）。この製造方法は、２つ
の基板を平面的に重ねて構成された液晶装置の製造方法であって、２つの基板のうちの一
方の基板に導電膜等のパターンを形成している。

特開２００２−２６８０４２号公報（第６頁、図１２）

ところで、基板に形成される導電膜等のパターンは、基板の表裏両面に設けられる場合
がある。この場合、基板の一方の面にパターン形成を行い、その後、基板の他方の面にパ
ターン形成を行うことが考えられる。しかしながら、特許文献１に開示された基板の製造
方法は、専ら基板の一方の面のみにパターンを形成するものであり、パターン形成を行う
際、そのパターンを形成する面の反対側の面を保護することに関してなんらの考慮もされ
ていない。そのため、特許文献１に開示された方法を用いて基板の表裏両面にパターンを
形成しようとすると、基板の一方の面にパターン形成を行う際、例えば基板を搬送する工
程のとき等に、基板の他方の面に傷がついたり異物が付着することがあり、傷がついた面
に形成するパターンに不良が発生するおそれがある。

また、基板の他方の面にパターン形成を行う際、スパッタ等の作業を行う装置のテーブ
ル等に直接に接触して、既に一方の面に形成されたパターンに傷がつく等の不良が発生す
るおそれがある。それらのパターン不良が発生することにより、基板を製造する工程にお
ける歩留まりが低下するおそれがある。

本発明は、上記の問題点に鑑みて成されたものであって、基板の表面又は該基板上に形
成された導電膜等のパターンに不良が発生することなく基板の両面にパターン形成を行う
ことができる基板の製造方法を提供することを目的とする。

本発明に係る基板の製造方法は、基板の一方の面に第１の導電膜を形成する第１導電膜
形成工程と、前記第１導電膜上に第１レジスト膜を形成し前記第１導電膜をパターニング
して第１の導電パターンを形成する第１パターニング工程と、前記第１レジスト膜を除去
する第１レジスト膜除去工程と、前記基板の一方の面上であって前記第１導電パターンを
覆う形状に保護膜を形成する保護膜形成工程と、前記基板の他方の面に第２の導電膜を形
成する第２導電膜形成工程と、前記第２導電膜上に第２レジスト膜を形成し、前記第２導
電膜をパターニングして第２の導電パターンを形成する第２パターニング工程と、前記基
板を分割する分割工程と、前記分割工程の後に前記保護膜を除去する保護膜除去工程と、
前記分割工程の後に前記第２レジスト膜を除去する第２レジスト膜除去工程とを有するこ
とを特徴とする。

この基板の製造方法では、第１パターニング工程において用いたレジスト膜を第１レジ
スト膜除去工程で除去した後に、保護膜形成工程において第１導電パターンを覆う形状に
保護膜を形成する。これにより、基板の一方の面に形成された第１導電パターンは保護膜
によって保護されるので、基板の他方の面に第２導電パターンを形成する際に、基板の一
方の面及び第１導電パターンがスパッタ装置等といった製造装置において基板を載置する
部分（例えば、テーブルやマガジン等）に直接に触れることがなくなる。その結果、基板
の一方の面の表面及び第１導電パターンに傷がついたり異物が付着することを防止し、第
１導電パターンに不良が発生することを防止できる。

次に、本発明に係る基板の製造方法においては、前記保護膜除去工程と前記第２レジス
ト膜除去工程とを同時に行うことが望ましい。こうすれば、製造工程を増やすことなく保
護膜を除去できるので、製造コストを低く抑えることができる。

次に、本発明に係る基板の製造方法において、前記分割工程は、前記基板をスクライブ
する工程とそのスクライブした部分で前記基板を分割する工程とを有し、前記保護膜形成
工程では前記分割工程において前記基板をスクライブする部分に形成した前記保護膜を除
去することが望ましい。導電パターン等を有する基板を製造する際には、一般に、複数個
の基板を作ることができる大面積の基板上に複数個分の導電パターンが形成され、その後
、個々の基板に分割される。この分割工程では、大面積の基板の表面であって、個々の基
板に分割する線に沿って傷をつけるスクライブ工程が行われ、その後個々の基板に分割す
るブレイク工程が行われる。

本発明態様によれば、基板をスクライブする工程においてスクライブされる部分に形成
された保護膜を保護膜形成工程において予め除去することにしたので、スクライブ工程の
際に、保護膜が削られることがなくなる。これにより、保護膜が削られることによって塵
が発生することを防止できる。

次に、本発明に係る基板の製造方法において、前記基板は透光性を有し、前記第１導電
膜形成工程及び前記第２導電膜形成工程では透光性を有する導電材料を用いて前記第１導
電膜及び前記第２導電膜を形成することが望ましい。液晶装置等といった電気光学装置で
は、光を用いて表示を行うために透光性の基板が用いられることが多い。本構成の基板に
よれば、基板を透光性とし、さらにその基板の両面に形成される導電膜を透光性の材料を
用いて形成することにより、液晶装置等といった電気光学装置に好適に用いることができ
る。

次に、本発明に係る基板の製造方法において、前記第１導電膜形成工程で用いる前記導
電材料はｐ（ポリ）−ＩＴＯ（Indium Tin Oxide：インジウム錫酸化物）であることが望
ましい。ｐ−ＩＴＯは、いわゆる結晶質ＩＴＯ又は多結晶ＩＴＯである。このｐ−ＩＴＯ
は、一般に、透明度が高く且つ抵抗値が低い導電材料である。従って、ｐ−ＩＴＯを用い
て第１導電膜を形成すれば、透明度が高く且つ抵抗値が低い導電膜を基板の表面に設ける
ことができる。

次に、本発明に係る基板の製造方法において、前記第２レジスト膜除去工程の後に前記
基板を焼成する焼成工程をさらに有し、前記第２導電膜形成工程では、前記第２導電膜を
ａ（アモルファス）−ＩＴＯを用いて形成し、前記第２導電膜を前記焼成工程においてポ
リ化することが望ましい。ａ−ＩＴＯは、いわゆる非晶質ＩＴＯである。このａ−ＩＴＯ
はｐ−ＩＴＯに比べて耐エッチング性が弱いＩＴＯである。すなわち、ａ−ＩＴＯは弱い
エッチング液でエッチングすることができる。

基板の一方の面に形成された第１導電パターンは保護膜によって保護されているのであ
るが、この保護膜が何等かの理由で傷つくことが考えられる。この状態で第２パターニン
グ工程を行うと、第２導電膜をエッチングするためのエッチング液が保護膜の傷の部分か
ら進入して第１導電パターンを腐蝕するおそれがある。本発明態様では、第２導電膜をａ
−ＩＴＯを用いて形成するので、仮にエッチング液が保護膜から進入して第１導電パター
ンに達したとしても、ｐ−ＩＴＯで形成した第１導電パターンが腐蝕することがなくなる
。

また、本発明態様では、基板を焼成する焼成工程において、第２導電膜に用いたａ−Ｉ
ＴＯをポリ化（すなわち、結晶化又は多結晶化）することができる。ａ−ＩＴＯは、透明
度が低く抵抗値が高い導電材料であるが、ポリ化することにより透明度を向上させ、且つ
抵抗値を低くでき、第１導電膜と同等の機能を有することができる。また、ａ−ＩＴＯは
、ｐ−ＩＴＯに比べて低い温度で成膜することができる。そのため、第２導電膜形成工程
において第２導電膜を形成する際に、反対側の面に形成された保護膜が、熱で硬化するこ
とを防止できる。

次に、本発明に係る基板の製造方法において、前記保護膜形成工程では前記基板の一方
の面に感光性樹脂を塗布することにより前記保護膜を形成できる。また、前記保護膜形成
工程では前記基板の一方の面に前記保護膜としての感光性樹脂膜を貼り付ける（すなわち
、ラミネートする）こともできる。保護膜を感光性樹脂で形成すれば、保護膜のパターニ
ングを容易に行うことができる。なお、保護膜を感光性樹脂を塗布することによって設け
る場合には、第１パターニング工程及び第２パターニング工程で形成するレジスト膜と同
じ材料及び装置を用いることができるので、保護膜を容易に形成できる。また、保護膜を
感光性樹脂の膜を貼り付ける（すなわち、ラミネートする）ことによって設ける場合には
、基板の一方の面に感光性樹脂膜を貼り付けるという簡単な作業で保護膜を設けることが
できる。

次に、本発明に係る基板の製造方法において、前記第１導電パターンに導電接続される
金属膜を形成する金属膜形成工程を前記第１導電膜形成工程の前に有することが望ましい
。金属膜は低抵抗の導電膜であり、基板表面に低抵抗の電極や配線を形成することができ
る。また、第１導電膜形成工程の前に金属膜を形成することにより、金属膜の上にＩＴＯ
等といった導電膜を積層することができる。こうすれば、金属膜を導電膜によって保護で
きるので金属膜に電蝕が発生することを防止できる。

次に、本発明に係る基板の製造方法において、前記金属膜形成工程では、クロム、アル
ミニウム系合金、銀系合金、又は銅系合金のうちの１つを用いた単層の前記金属膜を形成
することができる。また、前記金属膜形成工程では、クロムとアルミニウム系合金を積層
し、又はアルミニウム系合金とモリブデン系合金を積層して前記金属膜を形成することも
できる。これらの金属を用いて金属膜を形成すれば、低抵抗の金属膜を容易に形成できる
。

次に、本発明に係る基板の製造方法において、前記第１レジスト膜除去工程と前記保護
膜形成工程の間に、前記第１導電パターン及び金属膜を覆う樹脂膜を形成する樹脂膜形成
工程を有することが望ましい。本発明に係る基板の製造方法において、金属膜は保護膜に
よって覆われている。しかしながら、保護膜は第２レジスト膜除去工程において除去され
るので、完成した基板には金属膜が覆われていない部分が在る。本発明態様では、保護膜
形成工程の前に金属膜を覆う樹脂膜を形成することにより、保護膜が除去された完成した
基板においても金属膜を当該樹脂膜によって保護することができる。その結果、金属膜に
電蝕が発生することを防止できる。

（基板の製造方法の第１実施形態）
以下、本発明の一実施形態である両面に導電パターンを有する基板を製造する方法を説
明する。なお、この基板は本発明方法を説明するために例示したものであり、特定の用途
に用いられることを念頭に置いているものではない。また、これ以降に説明する実施形態
は本発明の一例であって、本発明を限定するものではない。また、これからの説明では必
要に応じて図面を参照するが、この図面では、複数の構成要素から成る構造のうち重要な
構成要素をわかり易く示すため、各要素を実際とは異なった相対的な寸法で示している。

まず、本実施形態の基板の製造方法で製造される基板について説明する。図１は、本発
明に係る製造方法によって製造される基板の側面図である。図２は、図１の矢印Ｚ２方向
から見た基板の平面図であり、図２において、第２面Ｓ２上の導電パターンは実線で示さ
れており、第１面Ｓ１（すなわち、矢印Ｚ１方向から見た平面）上の導電パターンは破線
で示されている。なお、図１は、図２の矢印Ｚ３方向から見た側面図である。

図１において、基板１は、透光性の基板２と、その透光性基板２の両面に形成された複
数の導電パターンから構成されている。透光性基板２は、例えば透光性のガラス、透光性
のプラスチック等を用いて形成することができる。複数の導電パターンは、透光性基板２
の一方の面である第１面Ｓ１と、他方の面である第２面Ｓ２とにそれぞれ形成されている
。

まず、透光性基板２の第１面Ｓ１上に形成される導電パターンの構成について説明する
。第１面Ｓ１上には、金属膜としての配線３と、第１導電パターンとしての第１透光性電
極４ａと、同じく第１導電パターンとしての端子部５ａとが設けられている。第１透光性
電極４ａは、図２において破線で示すように、左右方向Ｘに延びる帯状に形成されている
。そしてそれら帯状の第１透光性電極４ａの複数が、上下方向Ｙに間隔を空けて設けられ
ている。

本実施形態において、第１透光性電極４ａは、透光性の導電材料であるｐ−ＩＴＯを用
いて形成されている。ｐ−ＩＴＯは、いわゆる結晶質ＩＴＯ又は多結晶ＩＴＯである。こ
のｐ−ＩＴＯは、一般に、透明度が高く且つ抵抗値が低い導電材料である。従って、ｐ−
ＩＴＯを用いて第１導電膜を形成すれば、透明度が高く且つ抵抗値が低い導電膜を基板の
表面に設けることができる。

端子部５ａは、基板２の表面に形成された第１層６と、当該第１層６を覆う第２層７か
ら形成されている。この端子部５ａは、複数個が透光性基板２の端辺２ａの近傍に左右方
向Ｘに間隔を空けて並んで設けられている。個々の端子部５ａは、平面的に見て正方形状
、長方形状又は円形状等のドット状に形成されている。本実施形態において、端子部５ａ
の第１層６は、金属、本実施形態ではＣｒ（クロム）を用いて形成されている。一方、端
子部５ａの第２層７は、透光性の導電材料であるｐ−ＩＴＯを用いて形成されている。

配線３は複数本設けられている。これらの配線３は、透光性基板２の端面２ｂ及び２ｃ
の近傍に上下方向Ｙに沿って延在する部分と、左右方向Ｘへ延在する部分とによって形成
されている。個々の配線３同士は互いに間隔を空けて設けられている。配線３は、本実施
形態ではＣｒを用いた単層の膜に形成されている。配線３は、既述の端子部５ａのところ
まで延びて該端子部５ａの第１層６となっている。

個々の配線３の一方の端部３ａには、図１に示すように、第１透光性電極４ａが積層さ
れている。これにより、配線３と第１透光性電極４ａとが導電接続されている。他方、配
線３の他方の端部３ｂは、端子部５ａの第１層６となっているので、配線３と端子部５ａ
とは互いに導電接続されている。すなわち、配線３を介して第１透光性電極４ａと端子部
５ａとが導電接続されている。また、配線３は、Ｃｒを覆うｐ−ＩＴＯの積層膜の構成と
することも可能で、この場合は、端子部５ａまで同一構造となる。なお、第１透光性電極
４ａは、ＩＴＯ以外の透光性の導電材料を用いて形成することもできる。

次に、透光性基板２の第２面Ｓ２上に形成される導電パターンの構成について説明する
。透光性基板２の第２面Ｓ２上には、第２導電パターンとしての第２透光性電極４ｂと、
同じく第２導電パターンとしての端子部５ｂとが設けられている。第２透光性電極４ｂは
、図２において実線で示すように、上下方向Ｙに延びる帯状に形成されている。そしてそ
れら帯状の第２透光性電極４ｂの複数が、左右方向Ｘに間隔を空けて設けられている。従
って、帯状に形成された第２透光性電極４ｂは、透光性基板２の反対側の面である第１面
Ｓ１上に設けられた第１透光性電極４ａと平面的に見て直交する方向に延びて形成されて
いる。本実施形態において、第２透光性電極４ｂは、透光性の導電材料であるｐ−ＩＴＯ
（すなわち、結晶質ＩＴＯ又は多結晶ＩＴＯ）を用いて形成されている。なお、第２透光
性電極４ｂは、ＩＴＯ以外の透光性の導電材料を用いて形成することもできる。

端子部５ｂは、複数個が、透光性基板２の端辺２ａの近傍に左右方向Ｘに間隔を空けて
並んで設けられている。個々の端子部５ｂは、平面的に見て正方形状、長方形状又は円形
状等のドット状に形成されている。本図面では、これらの端子部５ｂは、透光性基板２の
反対側の面である第１面Ｓ１上に設けられた端子部５ａと平面的に重なる位置に設けられ
ているが、必ずしも重ねる位置に配置する必要は無い。本実施形態において、端子部５ｂ
は、透光性の導電材料であるｐ−ＩＴＯを用いて形成されている。なお、端子部５ｂは、
ＩＴＯ以外の透光性の導電材料を用いて形成することもできる。

以上に説明したように、基板１は、透光性基板２の両面に導電パターンを有する基板で
ある。以下、この基板１を製造する方法について説明する。
本実施形態では、基板を１つずつ作製するのではなく、面積の大きな透光性基板を用い
て複数の基板を同時に作製する、いわゆる多数個取りの手法に基づいて基板を作製するも
のとする。このような多数個取りの製造方法においては、図２に示す基板１を１つずつ形
成するのではなく、図３に示すように、複数の基板１を形成できる大きさの面積を有する
マザー透光性基板２’の上に、基板１の複数個分の要素、すなわち、第１透光性電極４ａ
や第２透光性電極４ｂ等から成る導電パターンを同時に形成する。こうして、基板１を縦
及び横に複数列含む大きさの大面積のパネル構造体１’を作製する。そして、その大面積
のパネル構造体１’に対して、縦方向及び横方向にスクライブ及びブレイクを行い、個々
の基板１に分割される。

図４は、図１の基板１を製造する方法の一実施形態を示している。また、図５〜図１４
は、図４の各工程において形成される基板の構造を工程順に示す構造変遷図である。図５
〜図９は、図３のＺ５−Ｚ５線に従った断面、すなわち端子部５ａ及び５ｂの断面を示し
ている。また、図１０〜図１４は、図３において矢印Ｚ６で示す基板１の隅の部分を拡大
して示す平面図である。これらの図５〜図９の断面図と図１０〜図１４の平面図は互いに
対応した状態を示している。以下、図５〜図１４を参照しながら図４の製造方法を説明す
る。

図４において、工程Ｐ１〜工程Ｐ７は図３の基板２’の第１面Ｓ１に導電パターン等を
形成する第１面形成工程Ｑ１である。図４の工程Ｐ８〜工程Ｐ１０は図３の第２面Ｓ２に
導電パターンを形成する第２面形成工程Ｑ２である。図４の工程Ｐ１１及びＰ１２は図３
の基板２’を分割する工程Ｑ３である。

まず、図３に示す基板２’の第１面Ｓ１形成工程Ｑ１について説明する。基板製造工程
が始まると、まず、図４の工程Ｐ１において、図３の透光性基板２’を所定の洗浄液によ
って洗浄する。次に、図４の工程Ｐ２において、図５（ａ）及び図１０（ａ）に示すよう
に、透光性基板２’の第１面Ｓ１上に材料層３’を、例えばＣｒを材料としてスパッタリ
ングによって約２０００Åの膜厚に成膜する。材料層３’は、図１の端子部５ａの第１層
６及び配線３の材料層である。

次に、図４の工程Ｐ３において、図５（ａ）及び図１０（ａ）の材料層３’に対してフ
ォトエッチング処理が行われ、材料層３’がパターニングされる。このパターニング工程
Ｐ３の、具体的な工程は以下の通りである。まず、図５（ｂ）及び図１０（ｂ）に示すよ
うに、材料層３’上にポジ型の感光性樹脂であるレジスト２１ａを、例えばスピンコート
によって一様な厚さに塗布する。次に、プレベークを行ってレジスト２１ａ内の溶媒を除
去する。

次に、図５（ｃ）及び図１０（ｃ）において、塗布されたレジスト２１ａに対して露光
処理を実行する。具体的には、基板２’を露光装置、例えば一括露光装置の所定位置に設
置し、さらに、図５（ｃ）に示す露光マスク２２Ａを基板２’に対向する所定位置に設置
する。露光マスク２２Ａは、ガラス基板２３によって形成された完全光透過領域Ａ０と遮
光パターン２４Ａによって形成された完全遮光領域Ａ１の２つの領域を有する２階調の露
光マスクである。この露光マスク２２Ａは、完全光透過領域Ａ０がレジスト２１ａを除去
する部分に対向し、完全遮光領域Ａ１がレジスト２１ａを残す部分に対向するように、基
板２’に対向する位置に設置される。この状態で露光マスク２２Ａを通してレジスト２１
ａへ一定光量の露光光Ｌ１を照射すると、鎖線で示す露光像が形成されて露光された部分
Ｂ１が可溶化する。

次に、現像処理を行う。具体的には、図５（ｃ）及び図１０（ｃ）の基板２’を現像液
に所定時間、浸漬する。すると、図５（ｃ）において可溶化した部分Ｂ１のレジスト２１
ａが除去されて、レジスト２１ａが図５（ｄ）及び図１０（ｄ）に示す形状にパターニン
グされる。次に、ポストベークを行い、後のエッチング処理に用いるエッチング液に対す
るレジスト２１の耐性を調整する。その後、材料層３’に対してレジスト２１ａをマスク
としてエッチング処理を行うことにより、図５（ｅ）及び図１０（ｅ）に示すように材料
層３’をパターニングする。そしてさらに、マスクとして使用したレジスト２１ａを、例
えば硫酸等によって剥離することにより、図６（ｆ）及び図１１（ｆ）に示すように金属
膜としての配線３及び端子部５ａの第１層６が形成される。

次に、第１導電膜形成工程としての図４の工程Ｐ４において、図６（ｇ）及び図１１（
ｇ）の配線３及び第１層６上に、図１の第１透光性電極４ａの材料である第１導電膜とし
てのｐ−（ポリ）ＩＴＯ膜４ａ’を、スパッタリングによって約５００Åの膜厚に成膜す
る。

次に、第１パターニング工程としての図４の工程Ｐ５において、図６（ｈ）及び図１１
（ｈ）のｐ−ＩＴＯ膜４ａ’に対してフォトエッチング処理が行われ、ｐ−ＩＴＯ膜４ａ
’がパターニングされる。このパターニング工程Ｐ５の、具体的な工程は以下の通りであ
る。まず、図６（ｈ）及び図１１（ｈ）に示すように、ｐ−ＩＴＯ膜４ａ’上にポジ型の
感光性樹脂である第１レジスト膜としてのレジスト２１ｂを、例えばスピンコートによっ
て一様な厚さに塗布する。次に、プレベークを行ってレジスト２１ｂ内の溶媒を除去する
。

次に、図６（ｉ）及び図１１（ｉ）において、塗布されたレジスト２１ｂに対して露光
処理を実行する。具体的には、基板２’を露光装置、例えば一括露光装置の所定位置に設
置し、さらに、露光マスク２２Ｂを基板２’に対向する所定位置に設置する。露光マスク
２２Ｂは、ガラス基板２３によって形成された完全光透過領域Ａ０と遮光パターン２４Ｂ
によって形成された完全遮光領域Ａ１の２つの領域を有する２階調の露光マスクである。
この露光マスク２２Ｂは、完全光透過領域Ａ０がレジスト２１ｂを除去する部分に対向し
、完全遮光領域Ａ１がレジスト２１ｂを残す部分に対向するように、基板２’に対向する
位置に設置される。この状態で露光マスク２２Ｂを通してレジスト２１ｂへ一定光量の露
光光Ｌ２を照射すると、破線で示す露光像が形成されて露光された部分Ｂ２が可溶化する
。

次に、現像処理を行う。具体的には、図６（ｉ）及び図１１（ｉ）の基板２’を現像液
に所定時間、浸漬する。すると、図６（ｉ）において可溶化した部分Ｂ２のレジスト２１
ｂが除去されて、図７（ｊ）及び図１２（ｊ）に示す形状にパターニングされる。次に、
ポストベークを行い、後のエッチング処理に用いるエッチング液に対するレジスト２１ｂ
の耐性を調整する。その後、ｐ−ＩＴＯ膜４ａ’に対してレジスト２１ｂをマスクとして
エッチング処理を行うことにより、図７（ｋ）及び図１２（ｋ）に示すようにｐ−ＩＴＯ
膜４ａ’をパターニングする。その後、第１レジスト膜除去工程としての図４の工程Ｐ６
において、マスクとして使用したレジスト２１ｂを、例えば有機溶剤等によって剥離する
ことにより、図７（ｌ）及び図１２（ｌ）に示すように第１透光性電極４ａ及び端子部５
ａの第２層７が形成される。

次に、図４の工程Ｐ７において、図３の基板２’上に保護膜２５を形成する。具体的に
は、図７（ｍ）及び図１２（ｍ）において、基板２’上の第１透光性電極４ａ及び端子部
５ａを覆う形状に保護膜であるポジ型の感光性樹脂２５を、例えばスピンコートによって
１μｍ〜２μｍの厚さに塗布して成膜する。その後、基板２’の第１面Ｓ１のうち、図３
において斜線で示す周辺及び境界の領域Ｔの保護膜２５をパターニングにより除去する。

この領域Ｔのうちの鎖線Ｘ０に沿った境界の領域は、パネル構造体１’を個々の基板１
に分割する際にスクライブする領域を含む領域である。このようにスクライブする領域の
保護膜２５を除去しておけば、基板２’をスクライブする際に保護膜２５が削られること
によって塵が発生することがなくなる。また、領域Ｔのうちの基板２’の外周に沿った領
域は、後の工程において基板２’にマガジン等が接触（例えば、把持）する領域である。
このように基板２’の外周に沿った部分の保護膜２５を除去しておけば、後の工程におけ
る作業性が向上する。以上により、基板２’の第１面Ｓ１形成工程が終了する。

次に、基板２’の第２面Ｓ２形成工程Ｑ２について説明する。まず、図４の工程Ｐ８に
おいて、図３の第２面Ｓ２が処理できるように基板の表裏を反転して透光性基板２’を置
き、その第２面Ｓ２を所定の洗浄液によって洗浄する。次に、第２導電膜形成工程として
の図４の工程Ｐ９において、図８（ａ）及び図１３（ａ）に示すように、透光性基板２’
の第２面Ｓ２上に図２の第２透光性電極４ｂの材料であるａ（アモルファス）−ＩＴＯ膜
４ｂ’を、スパッタリングによって約５００Åの膜厚に成膜する。

次に、第２パターニング工程としての図４の工程Ｐ１０において、図８（ａ）及び図１
３（ａ）のａ−ＩＴＯ膜４ｂ’に対してフォトエッチング処理が行われ、ａ−ＩＴＯ膜４
ｂ’がパターニングされる。このパターニング工程Ｐ１０の、具体的な工程は以下の通り
である。まず、図８（ｂ）及び図１３（ｂ）に示すように、ａ−ＩＴＯ膜４ｂ’上にポジ
型の感光性樹脂である第２レジスト膜としてのレジスト２１ｃを、例えばスピンコートに
よって一様な厚さに塗布する。

次に、図８（ｃ）及び図１３（ｃ）において、塗布されたレジスト２１ｃに対して露光
処理を実行する。具体的には、基板２’を露光装置、例えば一括露光装置の所定位置に設
置し、さらに、露光マスク２２Ｃを基板２’に対向する所定位置に設置する。このとき、
第１面Ｓ１上のパターンと露光マスク２２Ｃとは、透光性基板２’を通してアライメント
が行われる。露光マスク２２Ｃは、ガラス基板２３によって形成された完全光透過領域Ａ
０と遮光パターン２４Ｃによって形成された完全遮光領域Ａ１の２つの領域を有する２階
調の露光マスクである。この露光マスク２２Ｃは、完全光透過領域Ａ０がレジスト２１ｃ
を除去する部分に対向し、完全遮光領域Ａ１がレジスト２１ｃを残す部分に対向するよう
に、基板２’に対向する位置に設置される。この状態で露光マスク２２Ｃを通してレジス
ト２１ｃへ一定光量の露光光Ｌ３を照射すると、破線で示す露光像が形成されて露光され
た部分Ｂ３が可溶化する。

次に、現像処理を行う。具体的には、図８（ｃ）及び図１３（ｃ）の基板２’を現像液
に所定時間、浸漬する。すると、図８（ｃ）において可溶化した部分Ｂ３のレジスト２１
ｃが除去されて、図９（ｄ）及び図１４（ｄ）に示す形状にパターニングされる。次に、
ポストベークを行い、後のエッチング処理に用いるエッチング液に対するレジスト２１ｃ
の耐性を調整する。その後、ａ−ＩＴＯ膜４ｂ’に対してレジスト２１ｃをマスクとして
エッチング処理を行うことにより、図９（ｅ）及び図１４（ｅ）に示すようにａ−ＩＴＯ
膜４ｂ’をパターニングする。以上により、基板２’の第２面Ｓ２形成工程が終了し、マ
ザー透光性基板２’の両面に導電パターンが形成された図３のパネル構造体１’が完成す
る。但し、第１面Ｓ１上には保護膜２５が残され、第２面Ｓ２上にはレジスト２１ｃが残
された状態である。

次に、パネル構造体１’を分割する工程Ｑ３を説明する。まず、図４の工程Ｐ１１のス
クライブ工程を行う。具体的には、図３のパネル構造体１’の鎖線Ｘ０に沿って、例えば
ガラススクライバによってスクライブ（すなわち、罫書き）を第１面Ｓ１に行う。このと
き、基板２’の第１面Ｓ１上に形成された保護膜２５は、工程Ｐ７においてパターニング
によって除去されていて鎖線Ｘ０に沿った部分には設けられていないので、ガラススクラ
イバは基板２’の表面を直接にスクライブできる。また、第２面Ｓ２にスクライブを行っ
ても、レジスト２１ｃは、鎖線Ｘ０に沿った部分には設けられていないので基板２’の表
面を直接にスクライブできる。次に、図４の工程Ｐ１２において、例えばブレイクマシン
等を用いて、図３のパネル構造体１’を図２に示す個々の基板１に分割する。

次に、第２レジスト膜除去工程及び保護膜除去工程としての図４の工程Ｐ１３において
、基板１の第１透光性電極４ａ、配線３及び端子部５ａを覆う保護膜２５と、第２透光性
電極４ｂ及び端子部５ｂを覆う第２レジスト２１ｃとを剥離する。このとき、個々の基板
１は、例えば治具等によって立掛けられた状態で、基板１を剥離液に所定時間、浸漬する
。このようにして基板１から保護膜２５と第２レジスト２１ｃとが除去され、図９（ｆ）
及び図１４（ｆ）に示す状態となる。

次に、図４の焼成工程Ｐ１４において、個々の基板１を所定の温度で焼成する。この焼
成工程Ｐ１４により、ａ−ＩＴＯで形成された第２透光性電極４ｂがポリ化（すなわち、
結晶化又は多結晶化）する。これにより、第２透光性電極４ｂの透光性を向上させ、且つ
抵抗値を低くすることができる。以上の工程により、基板１が完成する。

本実施形態の基板の製造方法では、図４の第１レジスト剥離工程Ｐ６において、図７（
ｋ）及び図１２（ｋ）のレジスト２１ｂを除去した後に、図４の保護膜形成工程Ｐ７にお
いて、図７（ｍ）及び図１２（ｍ）に示すように、第１透光性電極４ａ、端子部５ａ及び
配線３を覆う形状に保護膜２５を形成した。図７（ｍ）では第１透光性電極４ａと配線３
の図示を省略している。これにより、基板１の一方の面に形成された第１透光性電極４ａ
、端子部５ａ及び配線３は保護膜２５によって保護されるので、基板１の第２面Ｓ２に第
２透光性電極４ｂ及び端子部５ｂを形成する際に、透光性基板２の第１面Ｓ１、第１透光
性電極４ａ及び端子部５ａがスパッタ装置等といった製造装置のテーブルやマガジンに直
接に触れることがなくなる。その結果、透光性基板２の第１面Ｓ１の表面、第１透光性電
極４ａ及び端子部５ａに傷がついたり異物が付着することを防止し、第１透光性電極４ａ
、端子部５ａ及び配線３に不良が発生することを防止できる。

また、本実施形態の基板の製造方法では、図４の分割工程Ｑ３において、透光性基板２
をスクライブする工程Ｐ１１においてスクライブされる部分を含む領域である図３の領域
Ｔ内の保護膜２５を、図４の保護膜形成工程Ｐ７において除去することにしたので、スク
ライブ工程Ｐ１１の際に、保護膜２５が削られることがなくなる。これにより、保護膜２
５が削られることによって塵が発生することを防止できる。

また、本実施形態の基板の製造方法において、図２の第１面Ｓ１上の第１透光性電極４
ａと端子部５ａの第２層７は、図４の第１面形成工程Ｑ１においてｐ−ＩＴＯを用いて形
成した。一方、図２の第２面Ｓ２上の第２透光性電極４ｂと端子部５ｂは、図４の第２面
形成工程Ｑ２においてａ−ＩＴＯを用いて形成し、焼成工程Ｐ１４において焼成すること
によりａ−ＩＴＯをポリ化することにした。本実施形態では、第２面洗浄工程Ｐ８又はａ
−ＩＴＯスパッタ工程Ｐ９において保護膜２５に傷がつくかもしれない。すると、ａ−Ｉ
ＴＯパターニング工程Ｐ１０においてエッチング液が保護膜２５についた傷から進入する
おそれがある。しかし、ａ−ＩＴＯはｐ−ＩＴＯに比べて弱いエッチング液でエッチング
することができるので、ａ−ＩＴＯパターニング工程Ｐ１０において、保護膜２５につい
た傷等から仮にエッチング液が進入して、第１透光性電極４ａ又は端子部５ａに達したと
しても、ｐ−ＩＴＯで形成した第１透光性電極４ａと端子部５ａの第２層７とが腐蝕する
ことがなくなる。

また、図４の焼成工程Ｐ１４において、第２透光性電極４ｂに用いたａ−ＩＴＯをポリ
化する。これにより、第２透光性電極４ｂの透明度を向上させ、且つ抵抗値を低くできる
。その結果、第２透光性電極４ｂはｐ−ＩＴＯを用いて形成した第１透光性電極４ａと同
等の機能を有することができる。また、ａ−ＩＴＯは、ｐ−ＩＴＯに比べて低い温度で成
膜することができる。そのため、図４のａ−ＩＴＯスパッタ工程Ｐ９においてａ−ＩＴＯ
膜４ｂ’を形成する際に、反対側の面に形成された保護膜２５が、熱で硬化することを防
止できる。

（基板の製造方法の第２実施形態）
次に、本発明に係る基板の製造方法の他の実施形態を説明する。本実施形態の製造方法
の全体的な工程は、図４に示した第１実施形態に係る製造方法と同じである。図４に示し
た先の実施形態では、工程Ｐ７において、図３の透光性基板２’の第１面Ｓ１上に形成さ
れた配線３、第１透光性電極４ａ、及び端子部５ａ上に直接に保護膜２５を形成する場合
を例示した。これに対し本実施形態では、保護膜２５を直接に形成するのではなく、第１
透光性電極４ａ等の上に樹脂膜を形成した上で、その上に保護膜２５を形成することにし
ている。なお、この樹脂膜を形成する工程以外の工程は先の実施形態と同じである。また
、以下の説明では、本実施形態を先の実施形態と異なる点を中心として説明するものとし
、共通する工程については説明を省略する。

図１５は、本実施形態の製造方法で製造される基板３１の側面図である。図１６は、本
実施形態に係る基板の製造方法の工程のうちの第１面形成工程Ｑ１を示す工程図である。
図１７は、図１６の第１レジスト剥離工程Ｐ２６から保護膜形成工程Ｐ２８に対応する膜
構成の変遷を示す断面図である。本実施形態において、図１６のＰ２１〜Ｐ２６に示す工
程は、図４のＰ１〜Ｐ６に示す工程と同じであるので、これらの工程の詳細な説明は省略
する。

第１レジスト膜除去工程としての図１６の工程Ｐ２６において第１レジストを剥離した
状態が図１７（ａ）に示す状態である。図１７（ａ）において、第１透光性電極４ａ及び
端子部５ａの第２層７の上から第１レジストが剥離されている。この後、図１６の工程Ｐ
２７において、図１５に示す樹脂膜３２を形成する。具体的には、図１７（ｂ）において
、基板２’上の第１透光性電極４ａ及び端子部５ａを覆う形状にネガ型の感光性樹脂膜３
２’（例えばアクリル樹脂）を、例えばスピンコートによって塗布する。その後、樹脂膜
３２’に対して露光、現像処理を含むパターニングを行い、基板２’の第１面Ｓ１のうち
、図３において斜線で示す周辺及び境界の領域（スクライブする部分を含む領域）Ｔ内の
樹脂膜３２’を除去する。こうして、個々の基板３１に対応した樹脂膜３２が形成される
。

その後、図１６の工程Ｐ２８において、図１７（ｃ）に示すように、樹脂膜３２上に保
護膜であるポジ型の感光性樹脂２５を、例えばスピンコートによって１μｍ〜２μｍの厚
さに塗布して成膜する。その後、基板２’の第１面Ｓ１のうち、図３において斜線で示す
スクライブ領域Ｔの保護膜２５をパターニングにより除去する。以上により、基板２’の
第１面Ｓ１形成工程が終了する。

この後、先の第１実施形態と同様に図４に示す第２面形成工程Ｑ２及び分割工程Ｑ３が
実行され、続いて工程Ｐ１３において第２レジスト２１ｃ及び保護膜２５（図９（ｅ）参
照）を除去し、工程Ｐ１４において焼成して図１５の基板３１が完成する。

ところで、仮に基板２の第１面Ｓ１に樹脂膜３２を設けないものとした場合、配線３は
、基板を製造している途中においては保護膜２５によって覆われているのであるが、完成
した状態の基板３１は保護膜２５が除去された状態（図１の基板１に相当）にあり配線３
が露出する部分が在る。そのため、配線３が露出した部分に汚れや水分等が付着すると配
線３に電蝕が発生するおそれがある。本実施形態では、図１６の保護膜形成工程Ｐ２８の
前に樹脂膜形成工程Ｐ２７を設けたことにより、金属膜である図１５の配線３を覆う樹脂
膜３２を形成できるので、保護膜２５が除去された後の完成した基板３１においても配線
３を樹脂膜３２によって保護することができる。その結果、配線３に電蝕が発生すること
を防止できる。このような樹脂膜と同様な電蝕防止特性を有する材料として、ポリミド樹
脂膜や、窒化珪素膜を使用する事も可能である。

（基板の製造方法の第３実施形態）
次に、本発明に係る基板の製造方法のさらに他の実施形態を説明する。本実施形態の製
造方法の全体的な工程は、図４に示した第１実施形態に係る製造方法と同じである。図４
に示した先の実施形態では、工程Ｐ２及び工程Ｐ３において、図２の透光性基板２の第１
面Ｓ１上に金属膜である配線３を、Ｃｒを用いた単層に形成する場合を例示した。これに
対し本実施形態では、配線３をＡｌとＭｏ（モリブデン）との積層構造としている。なお
、配線を形成する工程以外の工程は先の実施形態と同じである。また、以下の説明では、
本実施形態を先の実施形態と異なる点を中心として説明するものとし、共通する工程につ
いては説明を省略する。

図１８は、本実施形態に係る基板の製造方法の工程のうちの第１面形成工程Ｑ１を示す
工程図である。図１９〜図２１は、金属膜形成工程としての図１８のＡｌスパッタ工程Ｐ
３２からＭｏパターニング工程Ｐ３５に対応する膜構成の変遷を示す断面図である。なお
、これら図１９〜図２１は、図２における左辺部のＺ７−Ｚ７線に従った断面を示してい
る。本実施形態において、図１８の工程Ｐ３１は図４の工程Ｐ１と同じであり、図１８の
工程Ｐ３６〜Ｐ３９は図４の工程Ｐ４〜Ｐ７と同じであるので、これらの工程の詳細な説
明は省略する。

図１８の工程Ｐ３１において、図１９（ａ）の基板２’の第１面Ｓ１を所定の洗浄液に
よって洗浄した後、図１８の工程Ｐ３２において、図１９（ｂ）の材料層３４’を成膜す
る。この材料層３４’は図２の配線３３の第１層３４の材料層であり、Ａｌを材料として
スパッタリングによって約２０００Åの厚さに成膜される。

次に、図１８の工程Ｐ３３において、図１９（ｂ）の配線の材料層３４’に対してフォ
トエッチング処理が行われ、材料層３４’がパターニングされる。このパターニング工程
Ｐ３３の具体的な工程を説明すれば、まず、図１９（ｂ）において配線の材料層３４’上
にポジ型の感光性樹脂であるレジスト２１ｄを一様な厚さに塗布し、プレベークを行って
レジスト２１ｄ内の溶媒を除去する。その後、図１９（ｃ）において、レジスト２１ｄに
対して露光マスク２２Ｄを用いて露光処理が実施される。このマスク２２Ｄを用いて露光
することにより、図１９（ｃ）の露光された部分Ｂ４が可溶化する。

次に、基板２’を現像液に所定時間浸漬して、可溶化した部分Ｂ４のレジスト２１ｄを
除去する（図１９（ｄ））。その後ポストベークを行い、さらに材料層３４’に対してレ
ジスト２１ｄをマスクとしてエッチング処理を行うことにより、図１９（ｅ）に示すよう
に材料層３４’をパターニングする。そしてさらに、マスクとして使用したレジスト２１
ｄを剥離することにより、図２０（ｆ）に示す第１層３４が形成される。この第１層３４
は鎖線で示す配線３３の第１層になる層である。

次に、図１８の工程Ｐ３４において、図２０（ｇ）に示すように、第１層３４上に材料
層３５’を成膜する。この材料層３５’は、Ｍｏを材料としてスパッタリングによって約
５００Åの厚さに成膜される。次に、図１８の工程Ｐ３５において、図２０（ｇ）の材料
層３５’に対してフォトエッチング処理が行われ、材料層３５’がパターニングされる。
具体的には、図２０（ｈ）において配線の材料層３５’上にポジ型の感光性樹脂であるレ
ジスト２１ｅを一様な厚さに塗布し、プレベークを行ってレジスト２１ｅ内の溶媒を除去
する。その後、図２０（ｉ）において、レジスト２１ｅに対して露光マスク２２Ｅを用い
て露光処理を実施する。これにより、図２０（ｉ）の露光された部分Ｂ５が可溶化する。

次に、図２０（ｉ）の基板２’を現像液に所定時間浸漬して、可溶化した部分Ｂ５のレ
ジスト２１ｅを除去する（図２１（ｊ））。その後ポストベークを行い、材料層３５’に
対してレジスト２１ｅをマスクとしてエッチング処理を行うことにより、図２１（ｋ）に
示すように材料層３５’をパターニングする。そしてさらに、マスクとして使用したレジ
スト２１ｅを剥離することにより、図２１（ｌ）に示す配線３３の第２層３５が形成され
る。以上により、Ａｌから成る第１層３４とＭｏから成る第２層３５とを積層して成る配
線３３が形成される。

この後、先の第１実施形態と同様に図４に示す第２面形成工程Ｑ２及び分割工程Ｑ３が
実行され、続いて工程Ｐ１３において第２レジスト２１ｃ及び保護膜２５（図９（ｅ）参
照）を除去し、工程Ｐ１４において焼成して図１の基板１が完成する。本実施形態では、
図２１（ｌ）に示すように、金属膜である配線３３を積層構造とし、その配線３３の第１
層３４をＡｌを用いて形成し、第２層３５をＭｏを用いて形成した。これにより、低抵抗
の配線を容易に形成できる。

（その他の実施形態）
以上、好ましい実施形態を挙げて本発明を説明したが、本発明はその実施形態に限定さ
れるものでなく、請求の範囲に記載した発明の範囲内で種々に改変できる。
例えば、第１実施形態では、図１において、配線３は、Ｃｒを用いて単層の膜として形
成している。しかしながら、配線３は、Ｃｒ以外の材料、例えばＡｌ（アルミニウム）系
合金、Ａｇ（銀）系合金又はＣｕ（銅）系合金を用いて、単層の膜として形成することも
できる。例えば、Ｃｕ系合金の添加材としてはＭｏ、Ａｇ系合金の添加材としては、Ｐｄ
、Ｃｕ、Ｇｅ等を用いることができる。Ａｌ系合金、Ａｇ系合金、銅系合金では、共に、
２０００Åの膜厚に形成することで配線のシート抵抗値を０．３Ω程度にできる。

また、図２１（ｌ）の第３実施形態において、配線３３は、ＡｌとＭｏとを積層して形
成している。しかしながら、配線３３は、ＡｌとＭｏ以外の材料、例えば、ＡｌとＣｒを
積層することもできる。また、配線３３は、金属材料を２層より多く積層して形成するこ
ともできる。図１８の積層配線構造は、金属成膜を２回、フォトエッチング２回から形成
されているが、連続成膜を１回行って、１回のフォトエッチング処理でパターン形成する
こともできる。例えば、ＡｌとＭｏを夫々２０００Åと２００Å連続で成膜し、燐硝酢酸
のエッチング液で同時にエッチングすれば、１回分フォトエッチング工程を削除でき、配
線幅も小さくすることが可能である。

また、図３において、保護膜２５はポジ型の感光性樹脂をスピンコート等によって塗布
することによって成膜している。しかしながら、保護膜２５は、感光性樹脂のシートを貼
り付ける、いわゆるラミネートによって設けることもできる。

本発明に係る基板の製造方法の一実施形態を用いて製造する基板を示す側面図である。 図１の矢印Ｚ２方向から基板を示す平面図である。 図２の基板の要素を複数含んだパネル構造体を示す平面図である。 本発明に係る基板の製造方法の一実施形態を示す工程図である。 図４の工程図に対応して基板の第１面上の膜構成の変遷を示す断面図である。 図５に続いて基板の第１面上の膜構成の変遷を示す断面図である。 図６に続いて基板の第１面上の膜構成の変遷を示す断面図である。 図４の工程図に対応して基板の第２面上の膜構成の変遷を示す断面図である。 図８に続いて基板の第２面上の膜構成の変遷を示す断面図である。 図５に対応した基板の第１面上の膜構成の変遷を示す平面図である。 図６に対応した基板の第１面上の膜構成の変遷を示す平面図である。 図７に対応した基板の第１面上の膜構成の変遷を示す平面図である。 図８に対応した基板の第２面上の膜構成の変遷を示す平面図である。 図９に対応した基板の第２面上の膜構成の変遷を示す平面図である。 本発明に係る基板の製造方法の他の実施形態を用いて製造する基板を示す側面図である。 本発明に係る基板の製造方法の他の実施形態を示す工程図である。 図１６の工程図に対応して基板の第１面上の膜構成の変遷を示す断面図である。 本発明に係る基板の製造方法のさらに他の実施形態を示す工程図である。 図１８の工程図に対応して基板の第１面上の膜構成の変遷を示す断面図である。 図１９に続いて基板の第１面上の膜構成の変遷を示す断面図である。 図２０に続いて基板の第１面上の膜構成の変遷を示す平面図である。

符号の説明

１，３１．基板、 １’．パネル構造体、 ２．透光性基板、 ２’マザー透光性基板、
３，３３．配線（金属膜）、 ４ａ．第１透光性電極（第１導電パターン）、
４ｂ．第２透光性電極（第２導電パターン）、
５ａ．第１端子部（第１導電パターン）、 ５ｂ．第２端子部（第２導電パターン）、
６．端子部第１層、 ７．端子部第２層、
２１ａ，２１ｄ，２１ｅ．レジスト、 ２１ｂ．レジスト（第１レジスト膜）、
２１ｃ．レジスト（第２レジスト膜）、
２２Ａ，２２Ｂ，２２Ｃ，２２Ｄ，２２Ｅ．露光マスク、 ２３．ガラス基板、
２４Ａ，２４Ｂ，２４Ｃ．遮光パターン、 ２５．保護膜、 ３２．樹脂膜、
Ｓ１．第１面（一方の面）、 Ｓ２．第２面（他方の面）

Claims (12)

1. 基板の一方の面に第１の導電膜を形成する第１導電膜形成工程と、
   前記第１導電膜上に第１レジスト膜を形成し、前記第１導電膜をパターニングして第１
   の導電パターンを形成する第１パターニング工程と、
   前記第１レジスト膜を除去する第１レジスト膜除去工程と、
   前記基板の一方の面上であって前記第１導電パターンを覆う形状に保護膜を形成する保
   護膜形成工程と、
   前記基板の他方の面に第２の導電膜を形成する第２導電膜形成工程と、
   前記第２導電膜上に第２レジスト膜を形成し、前記第２導電膜をパターニングして第２
   の導電パターンを形成する第２パターニング工程と、
   前記基板を分割する分割工程と、
   前記分割工程の後に前記保護膜を除去する保護膜除去工程と、
   前記分割工程の後に前記第２レジスト膜を除去する第２レジスト膜除去工程と
   を有することを特徴とする基板の製造方法。
2. 請求項１記載の基板の製造方法において、前記保護膜除去工程と前記第２レジスト膜除
   去工程とを同時に行うことを特徴とする基板の製造方法。
3. 請求項１又は請求項２記載の基板の製造方法において、前記分割工程は、前記基板をス
   クライブする工程と前記基板をスクライブした部分で分割する工程とを有し、前記保護膜
   形成工程では前記分割工程において前記基板をスクライブする部分に形成した前記保護膜
   を除去することを特徴とする基板の製造方法。
4. 請求項１から請求項３のいずれか１つに記載の基板の製造方法において、前記基板は透
   光性を有し、前記第１導電膜形成工程及び前記第２導電膜形成工程では透光性を有する導
   電材料を用いて前記第１導電膜及び前記第２導電膜を形成することを特徴とする基板の製
   造方法。
5. 請求項４記載の基板の製造方法において、前記第１導電膜形成工程で用いる前記導電材
   料はポリＩＴＯであることを特徴とする基板の製造方法。
6. 請求項１から請求項５のいずれか１つに記載の基板の製造方法において、前記第２レジ
   スト膜除去工程の後に前記基板を焼成する焼成工程をさらに有し、前記第２導電膜形成工
   程では、前記第２導電膜をアモルファスＩＴＯを用いて形成し、前記第２導電膜をパター
   ニングして形成した第２導電パターンを前記焼成工程においてポリ化することを特徴とす
   る基板の製造方法。
7. 請求項１から請求項６のいずれか１つに記載の基板の製造方法において、前記保護膜形
   成工程では前記基板の一方の面に感光性樹脂を塗布することにより前記保護膜を形成する
   ことを特徴とする基板の製造方法。
8. 請求項１から請求項６のいずれか１つに記載の基板の製造方法において、前記保護膜形
   成工程では前記基板の一方の面に前記保護膜としての感光性樹脂膜を貼り付けることを特
   徴とする基板の製造方法。
9. 請求項１から請求項８のいずれか１つに記載の基板の製造方法において、前記第１導電
   パターンに導電接続される金属膜を形成する金属膜形成工程を前記第１導電膜形成工程の
   前に有することを特徴とする基板の製造方法。
10. 請求項９記載の基板の製造方法において、前記金属膜形成工程では、クロム、アルミニ
    ウム系合金、銀系合金、又は銅系合金のうちの１つを用いた単層の前記金属膜を形成する
    ことを特徴とする基板の製造方法。
11. 請求項９記載の基板の製造方法において、前記金属膜形成工程では、クロムとアルミニ
    ウム系合金を積層し、又はアルミニウム系合金とモリブデン系合金を積層して前記金属膜
    を形成することを特徴とする基板の製造方法。
12. 請求項１から請求項１１のいずれか１つに記載の基板の製造方法において、前記第１レジ
    スト膜除去工程と前記保護膜形成工程の間に、前記第１導電パターン及び前記金属膜を覆
    う樹脂膜を形成する樹脂膜形成工程を有することを特徴とする基板の製造方法。

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