KR20090121894A - 플렉서블 표시장치 및 그 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

플렉서블 표시장치 및 그 제조 방법이 개시된다.
본 발명은 마더 기판에서 각 박막트랜지스터 기판으로 절단되기 위한 절단선의 주변 영역에 배리어막만 형성하든지 또는 어떠한 레이어도 형성하지 않도록 함으로써, 프레스의 가압기가 가압되더라도 종래와 같은 레어어의 크랙이나 들뜸이 발생되지 않게 되어, 게이트 패드전극이나 데이터 패드전극의 단선이 발생되지 않게 되고, 레이어들이 이탈되어 박막트랜지스터 기판에 부착되어 발생되는 라인 쇼트가 방지될 수 있다.
플렉서블, 표시장치, 마더 기판, 크랙, 프레스

Description

플렉서블 표시장치 및 그 제조 방법{Flexible display device and manufacturing method thereof}
본 발명은 플렉서블 표시장치에 관한 것으로, 특히 플렉서블 표시장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
최근 전자소자 분야에서의 기술방향은 가볍고, 얇으며, 내충격성이 우수한 플렉서블 기판 위에서의 소자제작의 필요성이 점차 대두되고 있다.
플렉서블 기판을 이용한 표시장치에는 액정표시장치, 유기전계표시장치 및 전기영동 표시장치 등이 있다.
이러한 플렉서블 표시장치는 스마트 카드, 착용컴퓨터, 전자종이 등에 적용될 수 있다.
플렉서블 표시장치는 매트릭스로 배열된 다수의 화소들에 의해 영상을 표시하는 표시 영역과, 구동부와 연결되고 영상이 표시되지 않는 비표시 영역을 갖는 표시패널과 구동부를 포함한다.
구동부는 게이트 드라이버가 실장된 게이트 TCP와 데이터 드라이버가 실장된 데이터 TCP를 포함한다.
비표시 영역에는 게이트 TCP와 연결되는 게이트 패드부와, 데이터 TCP와 연결되는 데이터 패드부가 배치된다.
예를 들어, 전기영동 표시장치는 각 화소를 구동하기 위한 박막트랜지스터가 배치된 박막트랜지스터 기판이 포함된다. 이러한 기판 상에 잉크층을 갖는 잉크 기판이 부착되어 표시패널이 된다.
박막트랜지스터 기판은 프레스 절단(press cutting)에 의해 마더 기판으로부터 형성된다.
도 1에 도시한 바와 같이, 마더 기판(1)에는 표시패널의 사이즈에 대응하는 다수의 박막트랜지스터 기판(3)이 마련된다.
도 2에 도시한 바와 같이, 각 박막트랜지스터 기판(3)은 다수의 화소들을 포함하는 표시 영역(D)과 게이트 패드부(12)와 데이터 패드부(16)가 배치되는 비표시 영역(ND)을 포함한다.
표시 영역(D)에서는 게이트라인들(10)과 데이터라인들(14)이 교차하도록 배치된다. 게이트라인(10)과 데이터라인(14)의 교차에 의해 화소(P)가 정의된다.
박막트랜지스터(18)가 게이트라인(10)과 데이터라인(14)에 연결되어 각 화소(P)에 배치될 수 있다.
비표시 영역(ND)의 게이트 패드부(12)는 표시 영역(D)의 게이트라인(10)과 연결되고, 비표시 영역(ND)의 데이터 패드부(16)는 표시 영역(D)의 데이터라인(14)과 연결된다.
도 3은 도 2의 각 화소의 박막트랜지스터 영역과 비표시 영역의 게이트 패드 영역 및 데이터 영역을 도시한 단면도이다.
도 3에 도시한 바와 같이, 플렉서블이 가능하고 금속 물질로 이루어진 마더 기판(1) 상에 절연 물질로 이루어진 배리어막(23)이 형성된다. 배리어막(23)은 이후에 형성될 게이트라인(10), 게이트전극(25) 및 게이트 패드전극(27)과 마더 기판(1) 간의 전기적인 쇼트를 방지하기 위해 형성된다.
배리어막(23) 상에 게이트라인(10), 게이트전극(25) 및 게이트 패드전극(27)이 형성되고, 그 위에 게이트절연막(29)이 형성된다.
게이트전극(25)에 대응하는 게이트절연막(29) 상에 반도체층(31)이 형성된다.
반도체층(31)을 포함하는 마더 기판(1) 상에 데이터라인(14), 소오스/드레인전극(33, 35) 및 데이터 패드전극(37)이 형성된다.
이어서 보호막(39)이 형성되고, 그 위에 화소전극(41), 게이트 콘택전극(43) 및 데이터 콘택전극(45)이 형성된다. 화소전극(41)은 드레인전극(35)에 연결되고, 게이트 콘택전극(43)은 게이트 패드전극(27)에 연결되며, 데이터 콘택전극(45)은 데이터 패드전극(37)에 연결된다.
이에 따라, 게이트 패드 영역에는 배리어막(23), 게이트 패드전극(27), 게이트절연막(29), 보호막(39) 및 게이트 콘택전극(43)이 형성되고, 데이터 패드 영역에는 배리어막(23), 게이트절연막(29), 데이터 패드전극(37), 보호막(39) 및 데이터 콘택전극(45)이 형성된다.
이와 같은 박막트랜지스터(18)나 게이트 패드부(12) 및 데이터 패드부(16)가 형성된 후, 마더 기판(1)은 절단 공정이 진행된다. 마더 기판(1)이 금속 물질로 이루어지기 때문에 통상적으로 프레스 장치에서 절단 공정이 진행된다. 즉, 도 4에 도시한 바와 같이, 마더 기판(1)은 지지대(51)에 안착된 후, 가압기(53)에 의해 가압되어 물리적으로 절단되어 박막트랜지스터 기판이 제조된다. 따라서, 절단되는 부분에는 게이트 패드 영역이나 데이터 패드 영역이 위치하게 된다.
이와 같이 프레스 장치에서 물리적인 가압에 의해 절단되는 경우, 박막트랜지스터 기판의 에지 부분은 우그러지거나(burr) 일그러지게 되고, 이러한 우그러짐이나 일그러짐에 의해 기판 상의 각 레이어가 들뜨거나 크랙이 발생되어 라인 단선이 발생하는 문제가 있다.
또한, 프레스 절단 중에 절단 라인 주변의 기판 상의 레이어들이 이탈되어 박막트랜지스터의 기판에 부착되게 되어 라인 쇼트가 발생되는 문제가 있다.
따라서, 본 발명은 절단 라인 주변에는 레이어들을 제거하여 프레스 절단에 따른 불량을 방지할 수 있는 플렉서블 표시장치 및 그 제조 방법을 제공함에 그 목적이 있다.
본 발명의 제1 실시예에 따르면, 플렉서블 표시장치는, 각 박막트랜지스터 기판으로 절단되기 위한 절단선을 갖는 마더 기판; 마더 기판 상에 형성된 배리어막; 상기 배리어막 상에 형성된 게이트라인; 상기 게이트라인과 교차하여 화소를 정의하는 데이터라인; 상기 게이트라인과 상기 데이터라인에 연결된 박막트랜지스터; 상기 게이트라인에 연결되고 게이트 패드 영역에 형성된 게이트 패드전극; 상기 데이터라인에 연결되고 데이터 패드 영역에 형성된 데이터 패드전극; 상기 박막트랜지스터에 연결된 화소전극; 상기 데이터라인과 상기 데이터 패드전극 하부에 형성된 게이트절연막; 상기 화소전극 상에 형성된 보호막; 상기 보호막을 사이에 두고 상기 게이트 패드전극과 연결되고 상기 게이트 패드 영역에 형성된 게이트 콘택전극; 및 상기 보호막을 사이에 두고 상기 데이터 패드전극과 연결되고 상기 데이터 패드 영역에 형성된 데이터 콘택전극을 포함하고, 상기 절단선 주변 영역의 마더 기판 상에는 상기 배리어막이 형성된다.
본 발명의 제2 실시예에 따르면, 플렉서블 표시장치는, 각 박막트랜지스터 기판으로 절단되기 위한 절단선을 갖는 마더 기판; 마더 기판 상에 형성된 배리어막; 상기 배리어막 상에 형성된 게이트라인; 상기 게이트라인과 교차하여 화소를 정의하는 데이터라인; 상기 게이트라인과 상기 데이터라인에 연결된 박막트랜지스터; 상기 게이트라인에 연결되고 게이트 패드 영역에 형성된 게이트 패드전극; 상기 데이터라인에 연결되고 데이터 패드 영역에 형성된 데이터 패드전극; 상기 박막트랜지스터에 연결된 화소전극; 상기 데이터라인과 상기 데이터 패드전극 하부에 형성된 게이트절연막; 상기 화소전극 상에 형성된 보호막; 상기 보호막을 사이에 두고 상기 게이트 패드전극과 연결되고 상기 게이트 패드 영역에 형성된 게이트 콘택전극; 및 상기 보호막을 사이에 두고 상기 데이터 패드전극과 연결되고 상기 데이터 패드 영역에 형성된 데이터 콘택전극을 포함하고, 상기 절단선 주변 영역의 마더 기판 상에는 상기 배리어막, 상기 게이트절연막, 상기 게이트 패드전극, 상기 데이터 패드전극, 상기 보호막, 상기 게이트패드전극 및 상기 데이터패드전극이 형성되지 않는다.
본 발명의 제3 실시예에 따르면, 플렉서블 표시장치의 제조 방법은, 각 박막트랜지스터 기판으로 절단되기 위한 절단선을 갖는 마더 기판을 마련하는 단계; 상기 마더 기판 상에 배리어막을 형성하고, 상기 절단선 주변 영역의 상기 배리어막을 제거하는 단계; 상기 배리어막 상에 게이트라인, 게이트전극 및 게이트 패드전극을 형성하고, 상기 절단선 주변 영역의 상기 게이트 패드전극을 제거하는 단계; 상기 게이트라인, 상기 게이트전극 및 상기 게이트 패드전극을 포함하는 상기 마더 기판 상에 게이트절연막을 형성하고, 상기 절단선 주변 영역의 상기 게이트절연막을 제거하는 단계; 상기 게이트절연막 상에 데이터라인, 소오스/드레인전극 및 데이터 패드전극을 형성하고, 상기 절단선 주변 영역의 상기 데이터 패드전극을 제거하는 단계; 상기 데이터라인, 상기 소오스/드레인전극 및 상기 데이터 패드전극을 포함하는 상기 마더기판 상에 적어도 하나 이상의 콘택홀을 갖는 보호막을 형성하고, 상기 절단선 주변 영역의 상기 보호막을 제거하는 단계; 상기 보호막 상에 화소전극, 게이트 콘택전극 및 데이터 콘택전극을 형성하고, 상기 절단선 주변 영역의 상기 게이트 콘택전극 및 상기 데이터 콘택전극을 제거하는 단계를 포함한다.
본 발명의 제4 실시예에 따르면, 플렉서블 표시장치의 제조 방법은, 각 박막트랜지스터 기판으로 절단되기 위한 절단선을 갖는 마더 기판을 마련하는 단계; 상기 마더 기판 상에 배리어막을 형성하는 단계; 상기 배리어막 상에 게이트라인, 게 이트전극 및 게이트 패드전극을 형성하고, 상기 절단선 주변 영역의 상기 게이트 패드전극을 제거하는 단계; 상기 게이트라인, 상기 게이트전극 및 상기 게이트 패드전극을 포함하는 상기 마더 기판 상에 게이트절연막을 형성하고, 상기 절단선 주변 영역의 상기 게이트절연막을 제거하는 단계; 상기 게이트절연막 상에 데이터라인, 소오스/드레인전극 및 데이터 패드전극을 형성하고, 상기 절단선 주변 영역의 상기 데이터 패드전극을 제거하는 단계; 상기 데이터라인, 상기 소오스/드레인전극 및 상기 데이터 패드전극을 포함하는 상기 마더기판 상에 적어도 하나 이상의 콘택홀을 갖는 보호막을 형성하고, 상기 절단선 주변 영역의 상기 보호막을 제거하는 단계; 상기 보호막 상에 화소전극, 게이트 콘택전극 및 데이터 콘택전극을 형성하고, 상기 절단선 주변 영역의 상기 게이트 콘택전극 및 상기 데이터 콘택전극을 제거하는 단계를 포함한다.
본 발명은 마더 기판에서 각 박막트랜지스터 기판으로 절단되기 위한 절단선의 주변 영역에 배리어막만 형성하든지 또는 어떠한 레이어도 형성하지 않도록 함으로써, 프레스의 가압기가 가압되더라도 종래와 같은 레어어의 크랙이나 들뜸이 발생되지 않게 되어, 게이트 패드전극이나 데이터 패드전극의 단선이 발생되지 않게 되고, 레이어들이 이탈되어 박막트랜지스터 기판에 부착되어 발생되는 라인 쇼트가 방지될 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명한다.
도 5는 본 발명에 따른 플렉서블 표시장치를 도시한 평면도이다.
도 5를 참조하면, 마더 기판(101)에 다수의 박막트랜지스터 기판이 구비된다. 박막트랜지스터 기판 상에 소정의 공정을 통해 박막트랜지스터, 게이트 패드부와 데이터 패드부를 형성한 다음, 프레스 공정을 이용하여 절단선(150)을 따라 절단함으로써, 박막트랜지스터 기판이 제조될 수 있다.
도 6은 도 5의 I-I' 라인과 II-II' 라인을 따라 절단한 단면도이다.
도 5 및 도 6을 참조하면, 마더 기판(101) 상에 절연 물질을 이용하여 배리어막(103)을 형성한다. 마더 기판(101)은 금속 물질로 이루어질 수 있다. 금속 물질은 스테인레스 스틸(stainless steel) 재질일 수 있다. 스테인레스 스틸 재질은 가격이 저렴하고 가벼우며 고강도를 가지므로, 플렉서블 기판으로 적합하다.
배리어막(103)은 후에 형성될 게이트라인, 게이트전극 및 게이트 패드전극(105)과 마더 기판(101) 사이의 전기적인 쇼트를 방지하기 위해 형성될 수 있다.
배리어막(103)은 비교적 두껍게 형성되어야 하므로, 두께 형성이 용이한 절연성을 갖는 유기 물질로 이루어질 수 있다.
배리어막(103) 상에 게이트라인, 게이트전극 및 게이트 패드전극(105)이 형성된다. 게이트라인, 게이트전극 및 게이트 패드전극(105)은 일체로 형성될 수 있다.
게이트 패드전극(105)은 비표시 영역의 게이트 패드 영역에 형성되고, 게이트라인과 게이트전극은 표시 영역에 형성될 수 있다.
게이트라인, 게이트전극 및 게이트 패드전극(105) 상에 게이트절연막(107)이 형성된다.
게이트전극에 대응하는 게이트절연막(107) 상에 반도체층과 소오스전극/드레인전극이 형성된다. 따라서, 게이트전극, 반도체층 및 소오스전극/드레인전극에 의해 박막트랜지스터가 형성될 수 있다.
소오스전극/드레인전극과 동일층에 데이터라인과 데이터 패드전극(109)이 형성될 수 있다. 소오스/드레인전극, 데이터라인 및 데이터 패드전극(109)은 일체로 형성될 수 있다. 따라서, 박막트랜지스터는 게이트라인과 데이터라인에 연결될 수 있다.
데이터 패드전극(109)은 비표시 영역의 데이터 패드 영역에 형성되고, 데이터라인과 소오스/드레인전극은 표시 영역에 형성될 수 있다.
게이트라인과 데이터라인은 서로 교차하여 형성된다. 따라서, 게이트라인과 데이터라인의 교차에 의해 화소가 정의된다. 표시 영역에는 이와 같은 다수의 화소가 매트릭스로 배열될 수 있다.
드레인전극이 노출된 드레인 콘택홀과, 게이트 패드전극(105)이 노출된 게이트 콘택홀(131)과, 데이터 패드전극(109)이 노출된 데이터 콘택홀(133)을 갖는 보호막(111)이 기판 상에 형성된다.
보호막(111) 상에 화소전극, 게이트 콘택전극(113) 및 데이터 콘택전극(115)이 형성된다. 화소전극, 게이트 콘택전극(113) 및 데이터 콘택전극(115)은 투명한 금속 물질, 예컨대, ITO나 IZO로 이루어질 수 있다.
화소전극은 드레인 콘택홀을 통해 드레인전극과 전기적으로 연결되고, 게이 트 콘택전극(113)은 게이트 콘택홀(131)을 통해 게이트 패드전극(105)과 전기적으로 연결되며, 데이터 콘택전극(115)은 데이터 콘택홀(133)을 통해 데이터 패드전극(109)과 전기적으로 연결될 수 있다.
따라서, 게이트 패드전극(105)과 게이트 콘택전극(113)에 의해 게이트 패드부가 형성되고, 데이터 패드전극(109)과 데이터 콘택전극(115)에 의해 데이터 패드부가 형성될 수 있다.
이상으로부터, 게이트라인부터 화소전극까지의 각 레이어는 통상적인 제조 공정에 의해 형성될 수 있다.
본 발명에서는 절단선(150)의 주변 영역의 배리어막(103) 상의 각 레이어가 제거되는 것을 특징으로 한다.
절단선(150)의 주변 영역은 절단선(150)의 내부 영역과 외부 영역을 포함한다. 내부 영역은 절단선(150)과 게이트 패드부 또는 데이터 패드부 사이의 영역을 의미하고, 외부 영역은 인접하는 박막트랜지스터 기판의 절단선(150) 사이의 영역을 의미한다.
각 레이어는 게이트 패드전극(105), 게이트절연막(107), 데이터 패드전극(109), 보호막(111), 게이트 콘택전극(113) 및 데이터 콘택전극(115)일 수 있다.
이와 같이, 절단선(150)의 주변 영역의 배리어막(103) 상의 각 레이어를 제거함에 따라, 절단선(150)의 주변 영역의 마더 기판(101) 상에는 배리어막(103)만 존재하게 된다.
이러한 경우, 절단선(150)을 따라 마더 기판(101)을 절단하여 박막트랜지스 터 기판을 제조하는 경우, 절단선(150)의 주변 영역에 배리어막(103)만 존재하므로, 절단선(150)으로 프레스의 가압기가 가압되더라도 배리어막(103) 상에 어떠한 레이어도 존재하지 않으므로 해서, 배리어막(103) 상의 레어어의 크랙이나 들뜸이 발생되지 않게 되어, 게이트 패드전극(105)이나 데이터 패드전극(109)의 단선이 발생되지 않게 된다.
또한, 절단선(150)의 주변 영역의 배리어막(103) 상에 어떠한 레이어도 존재하지 않게 되어, 프레스 가압에 의해 절단선(150)의 주변 영역의 배리어막(103) 상의 레이어들이 이탈되어 박막트랜지스터 기판에 부착되어 발생되는 라인 쇼트가 방지될 수 있다.
도 7a 내지 도 7f는 플렉서블 표시장치의 제조 공정을 도시한 도면이다.
도 7a에 도시한 바와 같이, 마더 기판(101) 상에 절연성의 유기 물질로 배리어막(103)을 형성한다. 배리어막(103)은 절단선(150)의 주변 영역을 포함한 마더 기판(101)의 전면에 형성될 수 있다.
마더 기판(101)은 금속 물질로 이루어질 수 있다. 금속 물질은 스테인레스 스틸(stainless steel) 재질일 수 있다.
도 7b에 도시한 바와 같이, 배리어막(103) 상에 게이트라인, 게이트전극 및 게이트 패드전극(105)을 형성하고, 절단선(150)의 주변 영역의 게이트 패드전극(105)은 제거한다. 게이트 패드전극(105)은 절단선(150)에 인접한 게이트 패드 영역에 형성된다.
여기서, 절단선(150)의 주변 영역은 절단선(150)의 내부 영역과 외부 영역을 포함한다. 내부 영역은 절단선(150)과 게이트 패드부 또는 데이터 패드부 사이의 영역을 의미하고, 외부 영역은 인접하는 박막트랜지스터 기판의 절단선(150) 사이의 영역을 의미한다.
도 7c에 도시한 바와 같이, 게이트라인, 게이트전극 및 게이트 패드전극(105)을 포함하는 마더 기판(101) 상에 게이트절연막(107)을 형성하고, 절단선(150)의 주변 영역의 게이트 패드전극(105)은 제거한다.
도 7d에 도시한 바와 같이, 게이트절연막(107) 상에 데이터라인, 소오스/드레인전극 및 데이터 패드전극(109)을 형성하고, 절단선(150)의 주변 영역의 데이터 패드전극(109)은 제거한다.
도 7e에 도시한 바와 같이, 데이터라인, 소오스/드레인전극 및 데이터 패드전극(109)을 포함하는 마더 기판(101) 상에 보호막(111)을 형성하고, 절단선(150)의 주변 영역의 보호막(111)은 제거한다. 보호막(111)에는 드레인전극이 노출된 드레인 콘택홀, 게이트 패드전극(105)이 노출된 게이트 콘택홀(131) 및 데이터 패드전극(109)이 노출된 데이터 콘택홀(133)이 형성될 수 있다.
드레인 콘택홀, 게이트 콘택홀(131) 및 데이터 콘택홀(133)을 형성할 때, 절단선(150)의 주변 영역의 보호막(111)이 동시에 제거될 수 있다.
도 7f에 도시한 바와 같이, 보호막(111) 상에 화소전극, 게이트 콘택전극(113) 및 데이터 콘택전극(115)을 형성하고, 절단선(150)의 주변 영역의 게이트 콘택전극(113)과 데이터 콘택전극(115)을 제거한다.
화소전극은 드레인 콘택홀을 통해 드레인전극과 전기적으로 연결되고, 게이 트 콘택전극(113)은 게이트 콘택홀(131)을 통해 게이트 패드전극(105)에 연결되며, 데이터 콘택전극(115)은 데이터 콘택홀(133)을 통해 데이터 패드전극(109)에 연결될 수 있다.
이후, 프레스의 감압기를 이용하여 마더 기판(101)의 절단선(150)을 따라 절단함으로써, 마더 기판(101)으로부터 다수의 박막트랜지스터 기판이 제조될 수 있다.
도 8은 도 5의 I-I' 라인과 II-II' 라인을 따라 절단한 단면도이다.
도 8은 도 6과 유사하고, 다만 도 8에서는 도 6과 달리 절단선(150)의 주변 영역에 배리어막(103)이 제거되어, 마더 기판(101) 상에 어떠한 레이어들도 형성되지 않고 있다.
도 6에서와 같이, 절단선(150)의 주변 영역에 배리어막(103)이 제거하지 않음에 따라, 배리어막(103)의 제거를 위한 마스크 공정이 줄어들게 되어 비용이 절감되는 효과가 있다.
이에 반해, 도 8에서와 같이, 절단선(150)의 주변 영역에 배리어막(103)을 제거하는 경우에는 배리어막(103)의 제거를 위한 마스크 공정이 필요하게 되어 비용은 증가되지만, 절단선(150)의 주변 영역의 마더 기판(101) 상에 어떠한 레이어들도 존재하지 않게 됨에 따라, 프레스에 의한 절단시 크랙이나 들뜸이 도 6에 비해 줄어드는 효과가 있다.
도 9a 내지 도 9f는 플렉서블 표시장치의 제조 공정을 도시한 도면이다.
도 9a에 내지 도 9f의 제조 공정 또한 도 7a 내지 도 7f의 제조 공정과 유사 하고, 다만 도 9에 도시한 바와 같이, 마더 기판(101) 상에 배리어막(103)을 형성한 후, 절단선(150)의 주변 영역의 배리어막(103)을 그대로 두지 않고 마스크 공정을 이용하여 절단선(150)의 주변 영역의 배리어막(103)을 제거하여 마더 기판(101)이 노출되도록 한다.
그 이외의 도 9b 내지 도 9f의 제조 공정은 도 7b 내지 도 7f의 제조 공정과 동일하므로, 더 이상의 설명은 생략한다.
도 1은 종래의 플렉서블 표시장치를 도시한 평면도이다.
도 2는 도 1의 박막트랜지스터 기판을 도시한 도면이다.
도 3은 도 2의 각 화소의 박막트랜지스터 영역과 비표시 영역의 게이트 패드 영역 및 데이터 영역을 도시한 단면도이다.
도 4는 마더 기판을 절단하기 위한 프레스 장치를 도시한 도면이다.
도 5는 본 발명에 따른 플렉서블 표시장치를 도시한 평면도이다.
도 6은 도 5의 I-I' 라인과 II-II' 라인을 따라 절단한 단면도이다.
도 7a 내지 도 7f는 플렉서블 표시장치의 제조 공정을 도시한 도면이다.
도 8은 도 5의 I-I' 라인과 II-II' 라인을 따라 절단한 단면도이다.
도 9a 내지 도 9f는 플렉서블 표시장치의 제조 공정을 도시한 도면이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
101: 마더 기판 103: 배리어막
105: 게이트 패드전극 107: 게이트절연막
109: 데이터 패드전극 111: 보호막
113: 게이트 콘택전극 115: 데이터 콘택전극
131: 게이트 콘택홀 133: 데이터 콘택홀
150: 절단선

Claims (17)

  1. 각 박막트랜지스터 기판으로 절단되기 위한 절단선을 갖는 마더 기판;
    마더 기판 상에 형성된 배리어막;
    상기 배리어막 상에 형성된 게이트라인;
    상기 게이트라인과 교차하여 화소를 정의하는 데이터라인;
    상기 게이트라인과 상기 데이터라인에 연결된 박막트랜지스터;
    상기 게이트라인에 연결되고 게이트 패드 영역에 형성된 게이트 패드전극;
    상기 데이터라인에 연결되고 데이터 패드 영역에 형성된 데이터 패드전극;
    상기 박막트랜지스터에 연결된 화소전극;
    상기 데이터라인과 상기 데이터 패드전극 하부에 형성된 게이트절연막;
    상기 화소전극 상에 형성된 보호막;
    상기 보호막을 사이에 두고 상기 게이트 패드전극과 연결되고 상기 게이트 패드 영역에 형성된 게이트 콘택전극; 및
    상기 보호막을 사이에 두고 상기 데이터 패드전극과 연결되고 상기 데이터 패드 영역에 형성된 데이터 콘택전극을 포함하고,
    상기 절단선 주변 영역의 마더 기판 상에는 상기 배리어막이 형성되는 것을 특징으로 하는 플렉서블 표시장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 절단선 주변 영역의 마더 기판 상에는 상기 게이트절 연막, 상기 게이트 패드전극, 상기 데이터 패드전극, 상기 보호막, 상기 게이트패드전극 및 상기 데이터패드전극이 형성되지 않는 것을 특징으로 하는 플렉서블 표시장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 마더 기판은 플렉서블이 가능한 스테인레스 스틸인 것을 특징으로 하는 플렉서블 표시장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 절단선의 주변 영역은 절단선의 내부 영역과 외부 영역을 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 표시장치.
  5. 제4항에 있어서, 상기 내부 영역은 상기 절단선과 게이트 패드부 또는 데이터 패드부 사이의 영역이고,
    상기 게이트 패드부는 상기 게이트 패드전극과 상기 게이트 콘택전극에 의해 형성되고, 상기 데이터 패드부는 상기 데이터 패드전극과 상기 데이터 콘택전극에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 플렉서블 표시장치.
  6. 제4항에 있어서, 상기 외부 영역은 인접하는 박막트랜지스터 기판의 절단선 사이의 영역인 것을 특징으로 하는 플렉서블 표시장치.
  7. 각 박막트랜지스터 기판으로 절단되기 위한 절단선을 갖는 마더 기판;
    마더 기판 상에 형성된 배리어막;
    상기 배리어막 상에 형성된 게이트라인;
    상기 게이트라인과 교차하여 화소를 정의하는 데이터라인;
    상기 게이트라인과 상기 데이터라인에 연결된 박막트랜지스터;
    상기 게이트라인에 연결되고 게이트 패드 영역에 형성된 게이트 패드전극;
    상기 데이터라인에 연결되고 데이터 패드 영역에 형성된 데이터 패드전극;
    상기 박막트랜지스터에 연결된 화소전극;
    상기 데이터라인과 상기 데이터 패드전극 하부에 형성된 게이트절연막;
    상기 화소전극 상에 형성된 보호막;
    상기 보호막을 사이에 두고 상기 게이트 패드전극과 연결되고 상기 게이트 패드 영역에 형성된 게이트 콘택전극; 및
    상기 보호막을 사이에 두고 상기 데이터 패드전극과 연결되고 상기 데이터 패드 영역에 형성된 데이터 콘택전극을 포함하고,
    상기 절단선 주변 영역의 마더 기판 상에는 상기 배리어막, 상기 게이트절연막, 상기 게이트 패드전극, 상기 데이터 패드전극, 상기 보호막, 상기 게이트패드전극 및 상기 데이터패드전극이 형성되지 않는 것을 특징으로 하는 플렉서블 표시장치.
  8. 제7항에 있어서, 상기 마더 기판은 플렉서블이 가능한 스테인레스 스틸인 것을 특징으로 하는 플렉서블 표시장치.
  9. 제7항에 있어서, 상기 절단선의 주변 영역은 절단선의 내부 영역과 외부 영역을 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 표시장치.
  10. 제9항에 있어서, 상기 내부 영역은 상기 절단선과 게이트 패드부 또는 데이터 패드부 사이의 영역이고,
    상기 게이트 패드부는 상기 게이트 패드전극과 상기 게이트 콘택전극에 의해 형성되고, 상기 데이터 패드부는 상기 데이터 패드전극과 상기 데이터 콘택전극에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 플렉서블 표시장치.
  11. 제9항에 있어서, 상기 외부 영역은 인접하는 박막트랜지스터 기판의 절단선 사이의 영역인 것을 특징으로 하는 플렉서블 표시장치.
  12. 각 박막트랜지스터 기판으로 절단되기 위한 절단선을 갖는 마더 기판을 마련하는 단계;
    상기 마더 기판 상에 배리어막을 형성하고, 상기 절단선 주변 영역의 상기 배리어막을 제거하는 단계;
    상기 배리어막 상에 게이트라인, 게이트전극 및 게이트 패드전극을 형성하고, 상기 절단선 주변 영역의 상기 게이트 패드전극을 제거하는 단계;
    상기 게이트라인, 상기 게이트전극 및 상기 게이트 패드전극을 포함하는 상 기 마더 기판 상에 게이트절연막을 형성하고, 상기 절단선 주변 영역의 상기 게이트절연막을 제거하는 단계;
    상기 게이트절연막 상에 데이터라인, 소오스/드레인전극 및 데이터 패드전극을 형성하고, 상기 절단선 주변 영역의 상기 데이터 패드전극을 제거하는 단계;
    상기 데이터라인, 상기 소오스/드레인전극 및 상기 데이터 패드전극을 포함하는 상기 마더기판 상에 적어도 하나 이상의 콘택홀을 갖는 보호막을 형성하고, 상기 절단선 주변 영역의 상기 보호막을 제거하는 단계;
    상기 보호막 상에 화소전극, 게이트 콘택전극 및 데이터 콘택전극을 형성하고, 상기 절단선 주변 영역의 상기 게이트 콘택전극 및 상기 데이터 콘택전극을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 표시장치의 제조 방법.
  13. 제12항에 있어서, 상기 적어도 하나 이상의 콘택홀을 형성할 때, 상기 절단선의 주변 영역의 상기 보호막이 제거되는 것을 특징으로 하는 플렉서블 표시장치의 제조 방법.
  14. 제12항에 있어서, 상기 마더 기판은 플렉서블이 가능한 스테인레스 스틸인 것을 특징으로 하는 플렉서블 표시장치의 제조 방법.
  15. 각 박막트랜지스터 기판으로 절단되기 위한 절단선을 갖는 마더 기판을 마련하는 단계;
    상기 마더 기판 상에 배리어막을 형성하는 단계;
    상기 배리어막 상에 게이트라인, 게이트전극 및 게이트 패드전극을 형성하고, 상기 절단선 주변 영역의 상기 게이트 패드전극을 제거하는 단계;
    상기 게이트라인, 상기 게이트전극 및 상기 게이트 패드전극을 포함하는 상기 마더 기판 상에 게이트절연막을 형성하고, 상기 절단선 주변 영역의 상기 게이트절연막을 제거하는 단계;
    상기 게이트절연막 상에 데이터라인, 소오스/드레인전극 및 데이터 패드전극을 형성하고, 상기 절단선 주변 영역의 상기 데이터 패드전극을 제거하는 단계;
    상기 데이터라인, 상기 소오스/드레인전극 및 상기 데이터 패드전극을 포함하는 상기 마더기판 상에 적어도 하나 이상의 콘택홀을 갖는 보호막을 형성하고, 상기 절단선 주변 영역의 상기 보호막을 제거하는 단계;
    상기 보호막 상에 화소전극, 게이트 콘택전극 및 데이터 콘택전극을 형성하고, 상기 절단선 주변 영역의 상기 게이트 콘택전극 및 상기 데이터 콘택전극을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 표시장치의 제조 방법.
  16. 제15항에 있어서, 상기 절단선의 주변 영역의 상기 마더 기판 상에는 배리어막이 형성되는 것을 특징으로 하는 플렉서블 표시장치의 제조 방법.
  17. 제15항에 있어서, 상기 마더 기판은 플렉서블이 가능한 스테인레스 스틸인 것을 특징으로 하는 플렉서블 표시장치의 제조 방법.
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CN200810182344.3A CN101587900B (zh) 2008-05-23 2008-11-21 柔性显示装置及其制造方法

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Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101341424B1 (ko) * 2012-02-29 2013-12-13 주식회사 에스에프에이 가요성 기판 절단장치
US8841150B2 (en) 2012-10-09 2014-09-23 Samsung Display Co., Ltd. Array substrate for flexible display device and method of manufacturing the array substrate
US8987733B2 (en) 2012-10-09 2015-03-24 Samsung Display Co., Ltd. Array substrate for flexible display device
US9178178B2 (en) 2013-05-16 2015-11-03 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting diode display having improved adhesion and damage resistance characteristics, an electronic device including the same, and method of manufacturing the organic light-emitting diode display
US9287335B2 (en) 2012-11-22 2016-03-15 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting diode (OLED) display and method of manufacturing the same
US9323291B2 (en) 2013-04-03 2016-04-26 Samsung Display Co., Ltd. Flexible display device
US9448757B2 (en) 2012-10-09 2016-09-20 Samsung Display Co., Ltd. Array substrate for flexible display device
US9472507B2 (en) 2013-06-17 2016-10-18 Samsung Display Co., Ltd. Array substrate and organic light-emitting display including the same
US9472779B2 (en) 2013-08-13 2016-10-18 Samsung Display Co., Ltd. Flexible display having a crack suppressing layer
US9666814B2 (en) 2014-03-07 2017-05-30 Samsung Display Co., Ltd. Display device and method of manufacturing the same
US10333102B2 (en) 2015-03-23 2019-06-25 Samsung Display Co., Ltd. Display device
KR20190139358A (ko) * 2018-06-07 2019-12-18 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI692108B (zh) * 2013-04-10 2020-04-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
WO2015100245A1 (en) * 2013-12-23 2015-07-02 University Of Houston System Flexible single-crystalline semiconductor device and fabrication methods thereof
CN104914629B (zh) * 2014-03-14 2019-03-01 群创光电股份有限公司 显示装置
US9660004B2 (en) 2014-03-21 2017-05-23 Apple Inc. Flexible displays with strengthened pad area
CN204167321U (zh) * 2014-03-21 2015-02-18 苹果公司 显示器电路
KR101685020B1 (ko) 2014-07-10 2016-12-12 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법
CN104362129B (zh) * 2014-11-12 2017-04-26 广州新视界光电科技有限公司 用于柔性薄膜电子器件的水氧阻隔膜及其封装工艺
KR102362819B1 (ko) 2015-03-23 2022-02-14 삼성디스플레이 주식회사 가요성 표시 장치
CN107015438B (zh) * 2017-04-06 2023-03-10 信利半导体有限公司 一种apr版及其应用
CN108333819B (zh) * 2018-01-31 2021-03-23 武汉华星光电技术有限公司 显示面板及其制造方法
KR102700939B1 (ko) * 2019-02-18 2024-09-02 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 패널 및 그 제조방법

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US1614483A (en) * 1924-02-07 1927-01-18 Major John Lewis Distillation or evaporation of liquids
FR2605442B1 (fr) 1986-10-17 1988-12-09 Thomson Csf Ecran de visualisation electrooptique a transistors de commande et procede de realisation
JP3205373B2 (ja) * 1992-03-12 2001-09-04 株式会社日立製作所 液晶表示装置
US5731216A (en) 1996-03-27 1998-03-24 Image Quest Technologies, Inc. Method of making an active matrix display incorporating an improved TFT
JP4050503B2 (ja) * 2001-11-29 2008-02-20 株式会社日立製作所 表示装置
EP1329946A3 (en) * 2001-12-11 2005-04-06 Sel Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device including a laser crystallization step
US20050026397A1 (en) 2003-07-28 2005-02-03 International Business Machines Corporation Crack stop for low k dielectrics
KR100575233B1 (ko) 2003-11-04 2006-05-02 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시장치 제조 방법
KR20070002373A (ko) * 2005-06-30 2007-01-05 삼성전자주식회사 액정 표시 장치
KR100972512B1 (ko) * 2005-12-29 2010-07-26 엘지디스플레이 주식회사 액정표시패널의 절단방법 및 이를 이용한 액정표시패널의제조방법

Cited By (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101341424B1 (ko) * 2012-02-29 2013-12-13 주식회사 에스에프에이 가요성 기판 절단장치
US9448757B2 (en) 2012-10-09 2016-09-20 Samsung Display Co., Ltd. Array substrate for flexible display device
US8841150B2 (en) 2012-10-09 2014-09-23 Samsung Display Co., Ltd. Array substrate for flexible display device and method of manufacturing the array substrate
US8987733B2 (en) 2012-10-09 2015-03-24 Samsung Display Co., Ltd. Array substrate for flexible display device
US9287335B2 (en) 2012-11-22 2016-03-15 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting diode (OLED) display and method of manufacturing the same
US9323291B2 (en) 2013-04-03 2016-04-26 Samsung Display Co., Ltd. Flexible display device
US9178178B2 (en) 2013-05-16 2015-11-03 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting diode display having improved adhesion and damage resistance characteristics, an electronic device including the same, and method of manufacturing the organic light-emitting diode display
US9472507B2 (en) 2013-06-17 2016-10-18 Samsung Display Co., Ltd. Array substrate and organic light-emitting display including the same
US11916087B2 (en) 2013-06-17 2024-02-27 Samsung Display Co., Ltd. Array substrate and organic light-emitting display including the same
US11264408B2 (en) 2013-06-17 2022-03-01 Samsung Display Co., Ltd. Array substrate and organic light-emitting display including the same
US10553619B2 (en) 2013-06-17 2020-02-04 Samsung Display Co., Ltd. Array substrate and organic light-emitting display including the same
US9472779B2 (en) 2013-08-13 2016-10-18 Samsung Display Co., Ltd. Flexible display having a crack suppressing layer
USRE49770E1 (en) 2013-08-13 2023-12-26 Samsung Display Co., Ltd. Flexible display having a crack suppressing layer
USRE48540E1 (en) 2013-08-13 2021-04-27 Samsung Display Co., Ltd Flexible display having a crack suppressing layer
US11024804B2 (en) 2014-03-07 2021-06-01 Samsung Display Co., Ltd. Display device and method of manufacturing the same
US10454030B2 (en) 2014-03-07 2019-10-22 Samsung Display Co., Ltd. Display device and method of manufacturing the same
US9666814B2 (en) 2014-03-07 2017-05-30 Samsung Display Co., Ltd. Display device and method of manufacturing the same
US11024829B2 (en) 2015-03-23 2021-06-01 Samsung Display Co., Ltd. Display device
US11751424B2 (en) 2015-03-23 2023-09-05 Samsung Display Co., Ltd. Display device
US10333102B2 (en) 2015-03-23 2019-06-25 Samsung Display Co., Ltd. Display device
KR20190139358A (ko) * 2018-06-07 2019-12-18 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법

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