TWI423317B - Wafer processing method - Google Patents

Wafer processing method Download PDF

Info

Publication number
TWI423317B
TWI423317B TW096133043A TW96133043A TWI423317B TW I423317 B TWI423317 B TW I423317B TW 096133043 A TW096133043 A TW 096133043A TW 96133043 A TW96133043 A TW 96133043A TW I423317 B TWI423317 B TW I423317B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
chuck
cutting
wafer
alignment
processing
Prior art date
Application number
TW096133043A
Other languages
English (en)
Other versions
TW200820335A (en
Inventor
Katsuharu Negishi
Original Assignee
Disco Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Disco Corp filed Critical Disco Corp
Publication of TW200820335A publication Critical patent/TW200820335A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI423317B publication Critical patent/TWI423317B/zh

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
    • H01L21/681Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment using optical controlling means
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67092Apparatus for mechanical treatment
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67253Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Dicing (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)

Description

晶圓之加工方法 技術領域
本發明係關於晶圓之加工方法者。
技術背景
IC、LSI等複數裝置依據分割預定線而區劃後形成的晶圓,依據分割裝置等之切削裝置而分割成各個裝置,可利用於行動電話、個人電腦等電子機器。
切削裝置包含有用以保持晶圓的夾盤(chuck table)、裝設有用以對已保持在夾盤之晶圓進行切削之切削刀具的切削機構、可將夾盤朝向X軸方向加工傳送的加工傳送機構、可將前述切削機構朝向與X軸方向正交之Y軸方向分度傳送的分度傳送機構、可載置已收容複數晶圓之匣盒的匣盒盤、可從匣盒搬出晶圓的搬出機構、可暫置已搬出之晶圓的暫置盤、可將已暫置於暫置盤之晶圓搬送至夾盤的搬送機構、及,可攝像已保持於夾盤之晶圓,且可檢測出應切削之領域的對準機構而構成,能以良好效率地將晶圓分割成各個裝置。
專利文獻1:特開昭62-53804號公報
專利文獻2:特許第3765265號公報
發明揭示
如上所述之切削裝置,於切削晶圓後,為了確認切削溝之寬度狀態、缺陷狀態的切削狀態,乃將已保持在夾盤之晶圓定位於對準機構之正下方位置後進行檢查。其結果在至於檢查已切削完了之晶圓結束之時間內,無法使匣盒盤保持新的晶圓,以致於會有流通量降低且生產性不良的問題。
又,依據專利文獻1、2,雖然提出了包含有兩個夾盤,且可一面在一側的夾盤上執行對晶圓的切削動作,而一面對已保持在另一側之夾盤上之切削前的晶圓一並進行對準作業的切削裝置,但是,完全未提及對於已結束切削之晶圓之檢查處理方式,因此該等依據專利文獻並非可解決上述不良問題者。
本發明係鑑於上述問題而完成者,目的在於提供一種即使進行已結束切削之晶圓之切削狀態的檢查,亦不會降低生產性之晶圓之加工方法。
圖式簡單說明
第1圖係將用以實施本發明之實施樣態之晶圓之加工方法而使用之切削裝置的一部分切去後所示的立體圖。
第2圖表示第1圖所示之切削裝置之重要部分的立體圖。
第3圖表示切削機構周圍之構造例的立體圖。
第4圖表示切削機構周圍之構造例的例面圖。
第5圖係時序列地表示對應第1、第2夾盤而執行之步驟的說明圖。
第6圖係模式化表示於切削步驟中執行檢查步驟情形的說明圖。
用以解決課題的機構
為解決上述課題而達成目的,本發明之晶圓之加工方法係使用切削裝置之晶圓之加工方法,而該切削裝置包含有:用以保持晶圓的夾盤;裝設有用以對已保持在夾盤之晶圓進行切削之切削刀具的切削機構;可將夾盤朝向X軸方向加工傳送的加工傳送機構、可將前述切削機構朝向與X軸方向正交之Y軸方向分度傳送的分度傳送機構;可載置已收容複數晶圓之匣盒的匣盒盤;可從匣盒搬出晶圓的搬出機構;可暫置已搬出之晶圓的暫置盤;可將已暫置於暫置盤之晶圓搬送至夾盤的搬送機構;及,可對已保持於夾盤之晶圓進行攝影,且可檢測出應切削之領域的對準機構;而前述夾盤由相互鄰接配設之第1夾盤與第2夾盤構成,並且前述加工傳送機構由可加工傳送前述第1夾盤之第1加工傳送機構與可加工傳送前述第2夾盤之第2加工傳送機構構成,又,前述晶圓之加工方法包含:以前述搬送機構,將已從前述匣盒搬出至前述暫置盤之晶圓搬送至前述第1夾盤及前述第2夾盤後,予以保持的晶圓保持步驟;將保持在前述第1夾盤及前述第2夾盤之晶圓,定位於前述對準機構之正下方位置後檢測出應切削之領域的對準步驟;相對於保持在前述第1夾盤或前述第2夾盤且已執行前述對準步驟之晶圓,定位前述切削機構之前述切削刀具後,切削晶圓 的第1切削步驟;於該第1切削步驟結束後,相對於保持在前述第1夾盤或前述第2夾盤且已執行前述對準步驟之未切削的晶圓,定位前述切削機構之前述切削刀具後,切削晶圓的第2切削步驟;及,於前述第1切削步驟結束後,且於前述第2切削步驟進行時,將在前述第1切削步驟已切削完了且保持在前述第1夾盤或前述第2夾盤之晶圓,定位於前述對準機構之正下方位置後,檢查切削狀態的檢查步驟。
又,本發明之晶圓之加工方法,係於上述發明中,對已結束前述檢查步驟之前述第1夾盤或前述第2夾盤之下一個前述晶圓保持步驟及前述對準步驟,係於前述第2切削步驟進行時執行。
發明效果
依據本發明之晶圓之加工方法,利用兩個夾盤,且將檢查已切削結束之晶圓之切削溝之寬度狀態與缺陷狀態等切削狀態的檢查步驟,於切削已保持在其他夾盤之晶圓進行中執行,因此,在不需犧牲流通量的情形下能檢查晶圓的切削狀態,爰此,可達到能提昇切削加工之晶圓的生產性。
又,依據本發明之晶圓之加工方法,不僅檢查步驟,且檢查步驟結束後之下一個晶圓保持步驟及對準步驟,亦於切削已保持在其他夾盤之晶圓進行中執行,因此可將兩個夾盤作最大限度的利用,可達到能提昇切削加工之晶圓的生產性。
以下參照圖式來說明用以實施本發明之最佳樣態的晶 圓之加工方法。
第1圖係將用以實施本發明之實施樣態之晶圓之加工方法而使用之切削裝置的一部分切去後所示的立體圖,第2圖表示第1圖所示之切削裝置之重要部分的立體圖,第3圖表示切削機構周圍之構造例的立體圖,第4圖表示切削機構周圍之構造例的例面圖。
本實施樣態之切削裝置係沿著分割預定線而切削晶圓W的切削裝置,概略構造如第1圖所示,包含有匣盒盤2、搬出機構3、暫置盤4、搬送機構5,且更包含有螢幕10、夾盤20、切削機構30、加工傳送機構40、分度傳送機構50、切入傳送機構60、對準機構70及對準分度傳送機構80。
匣盒盤2係以保持帶T為中介,可載置已收納與圓環狀之框F呈一體狀態之複數晶圓W的匣盒6,且能於Z軸方向自由昇降的盤,且配設於裝置筐體7的一端。晶圓W係藉著表面形成柵狀之複數分割預定線而形成複數矩形的領域,且係於此等複數矩形領域分別形成裝置者。搬出機構3將已收容在匣盒6之晶圓W搬出至搬送機構5可搬送的暫置盤4,暫置盤4暫置以搬出機構3所搬出之晶圓W。搬出機構5係把持已搬出至暫置盤4之晶圓W的框F部分後,搬送至夾盤20上的機構。本實施樣態如將於後述之夾盤20由在Y軸方向相互鄰接配設之兩個夾盤構成,以搬送機構5之門型支柱構造所形成之搬送滑軌5a部分,設置成從暫置盤4部分涵跨兩個夾盤部分可移動的長度。又,螢幕10係用以對操作者顯示晶圓W之切削狀態的檢查結果、其他各種資訊者。
又,夾盤20保持晶圓W,切削機構30包含有用以切削已保持在夾盤20之晶圓W的切削刀具33,加工傳送機構40將夾盤朝X軸方向加工傳送,分度傳送機構50將切削機構230朝Y軸方向分度傳送,切入傳送機構60將切削機構30朝Z軸方向切入傳送,對準機構70對已保持在夾盤20之晶圓W攝像並檢測出應切削的領域,對準分度傳送機構80將對準機構70朝Y軸方向分度傳送。
本實施樣態之夾盤20如第2圖所示,由在Y軸方向配設成鄰接之第1夾盤20a與第2夾盤20b構成。對應於此,如第2圖至第4圖所示,切削機構30、加工傳送機構40、分度傳送機構50、切入傳送機構60、對準機構70及對準分度傳送機構80,亦分別由第1、第2切削機構30a、30b、第1、第2加工傳送機構40a、40b、第1、第2分度傳送機構50a、50b、第1、第2切入傳送機構60a、60b、第1、第2對準機構70a、70b及第1、第2對準分度傳送機構80a、80b構成,此等機構配設於已設置在裝置筐體7內的基台8上。以下參照第2至4圖來說明此等機構的構成例。
第1、第2夾盤20a、20b係以多孔質陶瓷等多孔性材料構成者,且連接於未以圖式顯示的吸引機構。因此,藉著吸引機構而將第1、第2夾盤20a、20b選擇性地連通於吸引源,而吸引並保持已載置在載置面上的晶圓W。此等第1、第2夾盤20a、20b分別配設成可旋轉於第1、第2圓筒構件21a、21b上,並連結設於第1、第2圓筒構件21a、21b內之未以圖式顯示之脈衝馬達等驅動源,而建構成可適宜地轉 動。又,圓筒構件21a、21b之上端部配置著矩形之第1、第2蓋構件22a、22b,於第1、第2蓋構件22a、22b上面配設有用以檢測將於後述之第1、第2切削刀具位置之第1、第2刀具檢測機構23a、23b。又,第1、第2蓋構件22a、22b之X軸方向兩端連結可自由伸縮之未以圖式顯示的蛇腹構件,而建構成即使第1、第2夾盤20a、20b因加工傳送而改變位置,也會總是與第1、第2蓋構件22a、22b一同覆蓋第1、第2加工傳送機構40a、40b的上方。
第1、第2加工傳送機構40a、40b係用以使搭載著第1、第2圓筒構件21a、21b之第1、第2支撐基台41a、41b朝X軸方向移動的狀態,以將第1、第2夾盤20a、20b分別對第1、第2切削機構30a、30b朝向X軸方向加工傳送(切削傳送)者。此等第1、第2加工傳送機構40a、40b由配置於X軸方向之滾珠螺桿42a、42b、連結於滾珠螺桿42a、42b之一端的脈衝馬達43a、43b、以及與滾珠螺桿42a、42b平行地設於基台8上之一對導軌44a、44b所構成,設於支撐基台41a、41b下部之未以圖式顯示之螺母螺合於滾珠螺桿42a、42b。滾珠螺桿42a、42b被可正反自由轉動之脈衝馬達43a、43b驅動而轉動,伴隨於此,支撐基台41a、41b為導軌44a、44b所引導而建構成可往返移動於X軸方向。
又,本實施樣態之切削裝置1包含有涵跨導軌44a、44b而與X軸正交地配置於基台8上,且以不妨礙第1、第2夾盤20a、20b之X軸方向移動那般地形成門型形狀的支撐架9,於沿著此支撐架9之Y軸方向而配置之支撐部9a搭載著第 1、第2切削機構30a、30b、第1、第2分度傳送機構50a、50b、第1、第2切入傳送機構60a、60b、第1、第2對準機構70a、70b及第1、第2對準分度傳送機構80a、80b。又,支撐架9之兩側的支柱9b、9c之一部分形成幅寬,於幅寬部分形成有可容許第1、第2切削機構30a、30b朝向Y軸方向之移動的開口9d、9e。
第1、第2對準機構70a、70b係於支撐架9之支撐部9a之X軸方向的單面,分別對應第1、第2夾盤20a、20b而配設者,且由第1、第2移動塊71a、71b與裝設於第1、第2移動塊之第1、第2攝像機構72a、72b所構成。第1、第2攝像機構72a、72b分別為搭載有CCD等攝像元件之電子顯微構造的機構,可從上方將已保持在第1、第2夾盤20a、20b上之晶圓W予以攝像,並將經攝像之影像信號輸出至未以圖式顯示的控制機構。此等第1、第2對準機構70a、70b可共用於對準用、切面檢查用及檢查用。在對準用的情形下,依據以第1、第2攝像機構72a、72b取得之晶圓W的影像資訊而檢測出應切削的領域部分,提供第1、第2切削機構30a、30b進行切削加工動作的定位。在切面檢查用的情形下,以將晶圓W之已切削的切削溝定位於第1、第2攝像機構72a、72b之攝像位置的狀態而攝像該切削溝後產生影像資訊,提供以影像資料而產生切削溝資料(切削溝之寬度狀態,缺口的狀態等)。在檢查用的情形下,將已結束切削之晶圓W定位於第1、第2對準機構70a、70b之正下方後,以第1、第2攝像機構72a、72b進行攝像後產生影像資訊,提供已切削之 切削溝之切削狀態的適當與否的檢查。
第1、第2對準分度傳送機構80a、80b係使搭載著第1、第2攝像機構72a、72b之第1、第2移動塊71a、71b朝向Y軸方向移動的狀態,而將第1、第2對準機構70a、70b分別對第1、第2夾盤20a、20b上的晶圓朝向Y軸方向分度傳送的機構。此等第1、第2對準分度傳送機構80a、80b由位於支撐部9a之單面且配置於Y軸方向之切面檢查81a、81b、連結於切面檢查81a、81b之一端的脈衝馬達82a、82b、以及與切面檢查81a、81b平行地設於支撐部9a之單面之一對共通的導軌83所構成,設於第1、第2移動塊71a、71b內之未以圖式顯示之螺母螺合於切面檢查81a、81b。切面檢查81a、81b被可正反自由轉動之脈衝馬達82a、82b驅動而轉動,伴隨於此,移動塊71a、71b為導軌83所引導而建構成可往返移動於Y軸方向。
第1、第2切削機構30a、30b係配設於支撐架9之支撐部9a之下部的機構,如第3圖及第4圖所示,包含有心軸室31a、31b、為心軸室31a、31b所支撐且可旋轉心軸32a、32b、可自由更換地裝設於旋轉心軸32a、32b之一端的第1、第2切削刀具33a、3b、對第1、第2切削刀具33a、33b供給切削水的切削水供給噴嘴34a、34b、覆蓋第1、第2切削刀具33a、33b的刀具蓋35a、35b及旋轉驅動旋轉心軸32a、32b之未以圖式顯示的伺服馬達。旋轉心軸32a、32b之軸線方向配設成一致於以Y軸方向表示之分度方向,為了同時並行地進行對相同晶圓W之切削的雙加工切割,相同構造所構成之第 1、第2切削刀具33a、33b設定成於Y軸方向對峙。
第1、第2切入傳送機構60a、60b係使搭載著第1、第2切削機構30a、30b之第1、第2切入移動基台61a、61b朝向Z軸方向移動的狀態,而用以將第1、第2切削刀具33a、33b對夾盤20a或20b上之晶圓朝向Z軸方向切入傳送的機構。從Y軸方向觀看,第1、第2切入移動基台61a、61b形成略L字形狀,使第1、第2切削刀具33a、33b位於內側,且心軸室31a、31b安裝於正下方並配設於支撐部9a的X軸方向的另一面。此等第1、第2切入傳送機構60a、60b由配置於Z軸方向之滾珠螺桿62a、62b、連結於滾珠螺桿62a、62b之一端的脈衝馬達63a、63b、以及與滾珠螺桿62a、62b平行地設於第1、第2分度移動基台51a、51b上之一對導軌64a、64b所構成,設於切入移動基台61a、61b內之未以圖式顯示之螺母螺合於滾珠螺桿62a、62b。滾珠螺桿62a、62b被可正反自由轉動之脈衝馬達63a、63b驅動而轉動,伴隨於此,切入移動基台61a、61b為導軌64a、64b所引導而建構成可往返移動於Z軸方向。
第1、第2分度移動機構50a、50b係使包含有可自由移動於Z軸方向之第1、第2切入移動基台61a、61b的第1、第2分度傳送移動基台51a、51b朝向Y軸方向移動的狀態,而用以將第1、第2切削刀具33a、33b對夾盤20a或20b上之晶圓朝向Y軸方向切入傳送的機構。此等第1、第2分度移動機構50a、50b由位於配置於Y軸方向之滾珠螺桿52a、52b、連結於滾珠螺桿52a、52b之一端的脈衝馬達53a、53b、以及與 滾珠螺桿52a、52b平行地設於支撐部9a之X軸方向多面側之一對共通的導軌54所構成,設於分度移動基台51a、51b內之未以圖式顯示之螺母螺合於滾珠螺桿52a、52b。滾珠螺桿52a、52b被可正反自由轉動之脈衝馬達53a、53b驅動而轉動,伴隨於此,分度移動基台51a、51b為導軌54所引導而建構成可往返移動於Y軸方向。此等第1、第2分度移動機構50a、50b所為之第1、第2切削刀具33a、33b之分度傳送量設定為可涵跨夾盤20a、20b之間能移動者。
接著參照第5圖來說明使用上述之切削裝置1之晶圓W的加工方法。第5圖係時序列地表示對應第1、第2夾盤而執行之步驟的說明圖。首先,以搬出機構3從匣盒6將晶圓W搬出至暫置盤4上,並以搬送機構5將已搬出至暫置盤4之晶圓W搬送至第1夾盤20a上。此時,第1夾盤20a定位於第2圖所示之晶圓裝設脫離位置。使圖式未顯示之吸引機構運轉而將晶圓W吸引保持在第1夾盤20a上(晶圓保持步驟)。
接著,藉著第1加工傳送機構40a的運轉而將已吸引晶圓W之第1夾盤20a移動至第1對準機構70a之對準領域。使第1對準分度傳送機構80a運轉後,並移動使保持在第1夾盤20a之晶圓W定位於第1對準機構70a之第1攝像機構72a的正下方。藉著第1攝像機構72a攝像第1夾盤20a上的晶圓W表面,而檢測出形成在晶圓W表面之分割預定線,提供以第1、第2切削刀具33a、33b所進行之切削加工動作的定位(對準步驟)。
以第1對準機構70a對保持在第1夾盤20a上之晶圓進行 對準步驟之際,藉著搬送機構5而將晶圓搬送至已定位於第2圖所示之晶圓安裝脫離位置的第2夾盤20b上。以使圖式未顯示之吸引機構運轉的狀態而將載置於第2夾盤20b上之晶圓吸引保持在第2夾盤20b上(晶圓保持步驟)。
接著,藉著第2加工傳送機構40b的運轉而使吸引保持著晶圓W之第2夾盤20a移動至第2對準機構70b之對準領域。進行使第2對準分度傳送機構80b運轉而移動使保持在第2夾盤20b之晶圓W定位於第2對準機構70b之第2攝像機構72b的正下方,藉著第2攝像機構72b攝像第2夾盤20b上的晶圓W表面,而檢測出形成在晶圓W表面之分割預定線的對準步驟。此對準步驟亦與上述對準步驟同樣地進行。
另一方面,以前述第1攝像機構72a所進行之對準步驟已結束的話,運轉第1切削機構30a之分度傳送機構50a後,將第1切削機構30a之第1切削刀具33a定位於與形成在已保持於第1夾盤20a上之晶圓W之中央分割預定線對應的位置,且運轉第1切入傳送機構60a,並使第1切削刀具33a下降後,定位於預定的切入傳送位置。同樣地,運轉第2切削機構30b之分度傳送機構50b,並將第2切削機構30b之第2切削刀具33b定位於與形成在已保持於第1夾盤20a上之晶圓W之端部分割預定線對應的位置,且運轉第2切入傳送機構60b,並使第2切削刀具33b下降後,定位於預定的切入傳送位置。在一面使第1切削機構30a、30b之第1、第2切削刀具33a、33b旋轉,且一面使第1加工傳送機構40a運轉而將第1夾盤20a向X軸方向加工傳送的狀態下,以高速旋轉之第1、 第2切削刀具33a、33b切削已保持在第1夾盤20a上之晶圓W的預定分割線(切削步驟)。即,第1、第2切削刀具33a、33b如第5圖所示同時並行地進行對相同晶圓W的切削後以雙加工切割方式進行。
一旦沿著已保持在第1夾盤20a上之晶圓W的預定分割線進行切削,則僅將第1切削機構30a、30b之第1、第2分度傳送機構50a、50b向Y軸方向分度傳送分割預定線的間隔份量,而再度進行上述的切削步驟。如此一來,以一面重複分度傳送而一面於此時執行切削步驟,晶圓可被沿著形成在預定方向之所有的分割預定線而切削。若是已沿著形成在預定方向之所有的分割預定線切削晶圓的話,使保持著晶圓W之第1夾盤20a旋轉90度。對已保持在第1夾盤20a之晶圓W,以重複進行伴隨著上述分度傳送的切削步驟的狀態,可沿著晶圓之形成柵狀之所有的分割預定線切削晶圓,而分割成各個裝置晶片。又,即使晶圓W被分割成各個裝置晶片,亦因貼附於裝設在環狀框F之保持膠帶T,故不會造成零零落落而可維持晶圓的形態。
在上述切削步驟中,使用其對應已保持切削中之晶圓W之第1夾盤20a之第1對準機構70a之第1攝像機構72a,以預先設定之預定時序執行用以監視晶圓W之切削狀況的切面檢查。即,以第1攝像機構72a攝像以第1、第2切削刀具33a、33b所切削之切削溝,並進行已攝像之影像資訊的影像處理後分度切面位置之計測值,當與預先設定之基準位置(hairline)偏移的情形下,自動地進行補正(合對基準位置)。 此切面檢查時亦計測切面寬幅與邊緣碎裂的大小,並於螢幕10的畫面上,因應必要而顯示切面位置與基準值的偏移量(錯開量)、切面寬幅、邊緣碎裂大小等資訊。
已結束如此對保持在第1夾盤20a上之晶圓W的切削步驟的話,已執行完保持在第2夾盤20b上之對準步驟後對未切削之晶圓,與上述情形同樣地以雙加工切割方式執行以第1、第2切削刀具33a、33b所進行的切削步驟。在此切削步驟中,使用對應已保持在切削中之晶圓之第2夾盤20b之第2對準機構70b的第2攝像機構72b,以預先設定之預定時序而與上述切面檢查情形同樣地執行用以監視晶圓之切削狀況的切面檢查。
另一方面,對已保持在第1夾盤20a上之晶圓W的切削步驟結束後,而在對已保持在第2夾盤20b上之晶圓W的切削步驟執行中,如第6圖所示,將已結束切削且保持在第1夾盤20a之晶圓W定位於第1對準機構70a之第1攝像機構72a的正下方並檢查切削狀態(檢查步驟)。即,與切削中之切面檢查動作同樣地,以第1攝像機構72a攝像以第1、第2切削刀具33a、33b切削的切削溝,將業經攝像之影像資訊予以影像處理後,進行切削溝之寬幅狀態、缺陷狀態等切削狀態的檢查。如第6圖所示,因應必要而於螢幕10之畫面上顯示例如切削溝K的切削狀態。
一旦檢查步驟結束,保持著已檢查結束之晶圓W的第1夾盤20a,藉第1加工傳送機構40a而從切削領域朝向晶圓裝設拆卸位置移動,在此晶圓裝設拆卸位置解除對晶圓W的 吸引保持。已檢查完了且分割成各個裝置晶片之晶圓W藉搬送機構5而搬送至下一步驟。一旦結束將分割完了之晶圓W搬送至下一步驟,則於對保持在第2夾盤20b之晶圓W之切削步驟進行中,順序執行將下一個晶圓W搬送至第1夾盤20a上並予以保持的晶圓保持步驟、以及對已保持之晶圓W的對準步驟。檢查步驟、晶圓保持步驟及對準步驟以比研削步驟還短的時間結束,因此於另一側之夾盤20b上之切削步驟進行中,充分地能執行對一側之夾盤20a之此等檢查步驟、晶圓保持步驟及對準步驟。
接著,若是對保持在第2夾盤20b上之晶圓W的切削步驟結束,則對保持在第1夾盤20a上且完成對準步驟而未切削的晶圓,與上述情形同樣以雙加工切割方式執行以第1、第2切削刀具33a、33b所進行的切削步驟。此切削步驟之進行中,使用對應已保持切削中之晶圓之第1夾盤20a之第1對準機構70a的第1攝像機構72a,並以預先設定之預定時序且與上述切面檢查情形同樣地執行用以監視晶圓W之切削狀況的切面檢查。
又,對保持在第2夾盤20b上之晶圓W的切削步驟結束後,於進行對保持在第1夾盤20a上之晶圓W的切削步驟中,將已切削完了且保持在第2夾盤20b之晶圓W定位於第2對準機構70b之第2攝像機構72b後檢查切削狀態(檢查步驟)。即,與切削中的切面檢查動作同樣地,以第2攝像機構72b攝像以第1、第2切削刀具33a、33b切削的切削溝,將業經攝像之影像資訊予以影像處理後,進行切削溝之寬幅 狀態、缺陷狀態等切削狀態的檢查。因應必要而於螢幕10之畫面上顯示例如切削溝的切削狀態。
一旦檢查步驟結束,保持著已檢查結束之晶圓W的第2夾盤20b,藉第2加工傳送機構40b而從切削領域朝向晶圓裝設拆卸位置移動,在此晶圓裝設拆卸位置解除對晶圓W的吸引保持。已檢查完了且分割成各個裝置晶片之晶圓W藉搬送機構5而搬送至下一步驟。一旦結束將分割完了之晶圓W搬送至下一步驟,則於對保持在第1夾盤20a之晶圓W之切削步驟進行中,順序執行將下一個晶圓W搬送至第2夾盤20b上並予以保持的晶圓保持步驟、以及對已保持之晶圓W的對準步驟。
以下,以並行且利用第1、第2夾盤20a、20b的狀態,而同樣地重複晶圓保持步驟、對準步驟、切削步驟及檢查步驟。如上所述利用第1、第2夾盤20a、20b並相互前後交互地執行之兩個切削步驟中,先進行之切削步驟乃意味著本發明的第1切削步驟,後續的切削步驟乃意味著本發明的第2切削步驟。
依據上述本發明之實施樣態之晶圓之加工方法,夾盤20a、20b係利用兩個,而於切削已保持在其他夾盤20a或20b之晶圓進行中,執行檢查已切削完了之晶圓W的切削溝的寬幅與缺陷狀態等切削狀態的檢查步驟,因此不需犧牲加工的流通量就能檢查晶圓W的切削狀態,爰此,能提昇要切削加工之晶圓W的生產性。
又,依據本實施樣態之晶圓的加工方法,不僅檢查步 驟,且檢查步驟結束後之下一個晶圓保持步驟及對準步驟,亦於切削已保持在其他夾盤20a、20b之晶圓W進行中執行,因此可將兩個夾盤20a、20b作最大限度的利用,可提昇晶圓W的生產性。
又,依據本實施樣態之晶圓的加工方法,對應兩個夾盤20a、20b,對準機構70a、70b亦使用兩個,而於進行晶圓W之切削步驟中,使用對應的對準機構70a或70b執行用以監視晶圓之切削狀況的切面檢查,因此不受於另一側的夾盤20a或20b之檢查步驟與對準步驟所造成的約束,可適切地進行對切削中之晶圓的切面檢查且能自動進行基準位置合對等修正,爰此,能提昇切削性能且能提昇晶圓的生產性。
又,本實施樣態說明了具備有使相同構造之第1、第2切削刀具33a、33b相對峙,且同時並行地進行對相同晶圓W切削之雙加工切割方式之切削機構30的例子,惟,具有對晶圓W之切削深度不同之第1、第2切削刀具的第1、第2切削機構,而以第1、第2切削刀具以兩階段順序地切削相同分割預定線的階段切割方式的情形亦可運用,而且,使用僅有一個切削刀具的切削機構來切削晶圓的情形亦可運用。又,本實施樣態建構成從第1夾盤20a側進行切削步驟等,惟,亦可建構成從第2夾盤20b側進行切削步驟等。
2‧‧‧匣盒盤
3‧‧‧搬出機構
4‧‧‧暫置盤
5‧‧‧搬送機構
5a‧‧‧搬送滑軌
6‧‧‧匣盒
7‧‧‧筐體
8‧‧‧基台
9‧‧‧支撐架
9a‧‧‧支撐部
9b、9c‧‧‧支柱
9d、9e‧‧‧開口
10‧‧‧螢幕
20‧‧‧夾盤
20a‧‧‧第1夾盤
20b‧‧‧第2夾盤
21a‧‧‧第1圓筒構件
21b‧‧‧第2圓筒構件
22a‧‧‧第1蓋構件
22b‧‧‧第2蓋構件
23a‧‧‧第1刀具檢測機構
23b‧‧‧第2刀具檢測機構
30‧‧‧切削機構
30a‧‧‧第1切削機構
30b‧‧‧第2切削機構
31a、31b‧‧‧心軸室
33‧‧‧切削刀具
33a‧‧‧第1切削刀具
33b‧‧‧第2切削刀具
34a、34b‧‧‧切削水供給噴嘴
35a、35b‧‧‧刀具蓋
40‧‧‧加工傳送機構
40a‧‧‧第1加工傳送機構
40b‧‧‧第2加工傳送機構
41a、41b‧‧‧支撐基台
42a、42b‧‧‧滾珠螺桿
44a、44b‧‧‧導軌
50‧‧‧分度傳送機構
50a‧‧‧第1分度傳送機構
50b‧‧‧第2分度傳送機構
51a‧‧‧第1分度移動基台
51b‧‧‧第2分度移動基台
60‧‧‧切入傳送機構
60a‧‧‧第1切入傳送機構
60b‧‧‧第2切入傳送機構
61a‧‧‧第1切入移動基台
61b‧‧‧第2切入移動基台
64a、64b‧‧‧導軌
70‧‧‧對準機構
70a‧‧‧第1對準機構
70b‧‧‧第1對準機構
71a‧‧‧第1移動塊
72b‧‧‧第2移動塊
72a‧‧‧第1攝像機構
72b‧‧‧第2攝像機構
80‧‧‧對準分度傳送機構
80a‧‧‧第1對準分度傳送機構
80b‧‧‧第2對準分度傳送機構
82a、82b‧‧‧脈衝馬達
83‧‧‧導軌
第1圖係將用以實施本發明之實施樣態之晶圓之加工方法而使用之切削裝置的一部分切去後所示的立體圖。
第2圖表示第1圖所示之切削裝置之重要部分的立體圖。
第3圖表示切削機構周圍之構造例的立體圖。
第4圖表示切削機構周圍之構造例的例面圖。
第5圖係時序列地表示對應第1、第2夾盤而執行之步驟的說明圖。
第6圖係模式化表示於切削步驟中執行檢查步驟情形的說明圖。

Claims (2)

  1. 一種晶圓之加工方法,係使用切削裝置之晶圓之加工方法,該切削裝置包含有:夾盤(chuck table),係用以保持晶圓者;切削機構,係裝設有用以對已保持在該夾盤之晶圓進行切削的切削刀具者;加工傳送機構,係可將前述夾盤朝向X軸方向加工傳送者;分度傳送機構,係可將前述切削機構朝向與X軸方向正交之Y軸方向分度傳送者;匣盒盤,係可載置已收容複數晶圓之匣盒者;搬出機構,係可從前述匣盒搬出晶圓者;暫置盤,係可暫置已搬出之晶圓者;搬送機構,係可將已暫置於該暫置盤之晶圓搬送至前述夾盤者;及對準機構,係可對已保持於前述夾盤之晶圓進行攝影,且可檢測出應切削之領域者,且前述夾盤由相互鄰接配設之第1夾盤與第2夾盤構成,並且前述加工傳送機構由可加工傳送前述第1夾盤之第1加工傳送機構與可加工傳送前述第2夾盤之第2加工傳送機構構成,前述對準機構由對應前述第1夾台配設的第1對準機構與對應前述第2夾台配設的第2對準機構構成,又,前述晶圓之加工方法包含以下步驟: 晶圓保持步驟,係以前述搬送機構,將已從前述匣盒搬出至前述暫置盤之晶圓搬送至前述第1夾盤及前述第2夾盤後,予以保持;對準步驟,係將保持在前述第1夾盤及前述第2夾盤之晶圓,定位於前述第1對準機構及前述第2對準機構之正下方位置後檢測出應切削的領域;第1切削步驟,係相對於保持在前述第1夾盤或前述第2夾盤且已執行前述對準步驟之晶圓,定位前述切削機構之前述切削刀具後,切削晶圓;第2切削步驟,係於該第1切削步驟結束後,相對於保持在前述第1夾盤或前述第2夾盤且已執行前述對準步驟之未切削的晶圓,定位前述切削機構之前述切削刀具後,切削晶圓;及檢查步驟,係於前述第1切削步驟結束後,且於前述第2切削步驟進行時,將在前述第1切削步驟已切削完了且保持在前述第1夾盤或前述第2夾盤之晶圓,定位於前述第1對準機構及前述第2對準機構之正下方位置後,檢查切削狀態,於前述第1切削步驟中使用前述第1對準機構或前述第2對準機構檢查前述第1夾盤或第2夾盤所保持之晶圓的切面,於前述第2切削步驟中使用前述第1對準機構或前述第2對準機構檢查前述第1夾盤或第2夾盤所保持之晶圓的切面。
  2. 如申請專利範圍第1項之晶圓之加工方法,其中對已結束前述檢查步驟之前述第1夾盤或前述第2夾盤之下一個前述晶圓保持步驟及前述對準步驟,係於前述第2切削步驟進行時執行。
TW096133043A 2006-10-31 2007-09-05 Wafer processing method TWI423317B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006295293A JP2008112884A (ja) 2006-10-31 2006-10-31 ウエーハの加工方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW200820335A TW200820335A (en) 2008-05-01
TWI423317B true TWI423317B (zh) 2014-01-11

Family

ID=39265167

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW096133043A TWI423317B (zh) 2006-10-31 2007-09-05 Wafer processing method

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20080102542A1 (zh)
JP (1) JP2008112884A (zh)
CN (1) CN101174547B (zh)
DE (1) DE102007052011A1 (zh)
TW (1) TWI423317B (zh)

Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5420226B2 (ja) * 2008-11-07 2014-02-19 アピックヤマダ株式会社 切断装置
JP5495832B2 (ja) * 2009-04-24 2014-05-21 株式会社東京精密 ダイシング装置、ダイシング装置ユニット及びダイシング方法
KR101567908B1 (ko) * 2009-04-24 2015-11-10 가부시키가이샤 토쿄 세이미쯔 다이싱 장치, 다이싱 장치 유닛 및 다이싱 방법
JP2011228331A (ja) * 2010-04-15 2011-11-10 Disco Abrasive Syst Ltd 切削加工装置
JP5686545B2 (ja) * 2010-07-26 2015-03-18 株式会社ディスコ 切削方法
JP6214901B2 (ja) * 2013-04-04 2017-10-18 株式会社ディスコ 切削装置
JP6218511B2 (ja) * 2013-09-02 2017-10-25 Towa株式会社 切断装置及び切断方法
JP6184855B2 (ja) * 2013-12-16 2017-08-23 株式会社ディスコ パッケージ基板の分割方法
JP6459524B2 (ja) * 2015-01-08 2019-01-30 株式会社ジェイテクト 複合研削盤および研削方法
JP6562670B2 (ja) * 2015-03-23 2019-08-21 株式会社ディスコ 被加工物の切削方法
JP6521687B2 (ja) * 2015-03-23 2019-05-29 株式会社ディスコ 切削ブレードの検査方法
CN106078461A (zh) * 2016-07-29 2016-11-09 天津市环欧半导体材料技术有限公司 一种新型半导体硅片割圆技术设备
JP2018129372A (ja) * 2017-02-07 2018-08-16 株式会社ディスコ ダイシング装置及びダイシング方法
JP6910217B2 (ja) * 2017-06-23 2021-07-28 東京エレクトロン株式会社 ダイシング装置およびダイシング方法
US20190033832A1 (en) * 2017-07-25 2019-01-31 Inovatech Engineering Corp. Usability enhancements for cnc tools
JP6979296B2 (ja) * 2017-07-28 2021-12-08 株式会社ディスコ 切削方法
JP7122822B2 (ja) * 2017-12-19 2022-08-22 東京エレクトロン株式会社 レーザー加工装置
JP7218494B2 (ja) * 2018-02-27 2023-02-07 株式会社東京精密 レーザダイシング装置
JP7184620B2 (ja) * 2018-12-11 2022-12-06 株式会社ディスコ 切削装置
US11173631B2 (en) * 2019-06-17 2021-11-16 Disco Corporation Cutting apparatus
KR102148100B1 (ko) * 2019-08-26 2020-08-25 (주)네온테크 하이브리드 다이싱 장치 및 이를 사용한 커팅 방법
KR102148117B1 (ko) * 2020-03-26 2020-08-26 (주)네온테크 멀티 라우터 스핀들을 구비한 장치 및 이를 사용한 가공 방법

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4746256A (en) * 1986-03-13 1988-05-24 Roboptek, Inc. Apparatus for handling sensitive material such as semiconductor wafers
US4880348A (en) * 1987-05-15 1989-11-14 Roboptek, Inc. Wafer centration device
US4895486A (en) * 1987-05-15 1990-01-23 Roboptek, Inc. Wafer monitoring device

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6253804A (ja) * 1984-12-27 1987-03-09 株式会社 デイスコ 半導体ウエ−ハダイシング装置
TWI272673B (en) * 2001-11-21 2007-02-01 Disco Corp Cutting machine
JP3765265B2 (ja) * 2001-11-28 2006-04-12 株式会社東京精密 ダイシング装置
JP4571851B2 (ja) * 2004-11-30 2010-10-27 株式会社ディスコ 切削装置
JP2006278869A (ja) * 2005-03-30 2006-10-12 Disco Abrasive Syst Ltd ウェーハの切削方法及び切削装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4746256A (en) * 1986-03-13 1988-05-24 Roboptek, Inc. Apparatus for handling sensitive material such as semiconductor wafers
US4880348A (en) * 1987-05-15 1989-11-14 Roboptek, Inc. Wafer centration device
US4895486A (en) * 1987-05-15 1990-01-23 Roboptek, Inc. Wafer monitoring device

Also Published As

Publication number Publication date
CN101174547B (zh) 2010-08-18
US20080102542A1 (en) 2008-05-01
DE102007052011A1 (de) 2008-05-08
JP2008112884A (ja) 2008-05-15
TW200820335A (en) 2008-05-01
CN101174547A (zh) 2008-05-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI423317B (zh) Wafer processing method
KR101266373B1 (ko) 절삭장치
TWI428603B (zh) Probe devices, detection methods and memory media
JP4916215B2 (ja) ウエーハ切削装置
JP4343546B2 (ja) ウェーハ裏面検査装置及び検査方法
KR20200121727A (ko) 검사 장치, 및 가공 장치
JP2009255214A (ja) 加工装置
KR20160135659A (ko) 가공 장치
TWI606501B (zh) Processing device
JP2004154660A (ja) 搬送装置
JP4861061B2 (ja) ウエーハの外周部に形成される環状補強部の確認方法および確認装置
JP2008288423A (ja) ウェーハの検査方法及び検査装置
KR20210015637A (ko) 레이저 가공 장치
JP4869864B2 (ja) ウエーハの加工方法
JP2011023540A (ja) 切削溝検出装置および切削加工機
JP6004761B2 (ja) ダイシング方法
KR102631713B1 (ko) 가공 방법
TWI498255B (zh) A tape drive device and its positioning method
JP2005203540A (ja) ウエーハの切削方法
JP5372429B2 (ja) 板状物の分割方法
TWI824103B (zh) 關鍵圖案檢測方法及裝置
JP2023028108A (ja) 検査装置、及び加工システム
JP2014022575A (ja) 加工装置
JP2023006188A (ja) 情報交換システム
JP2011165847A (ja) 分割加工装置