CN101174547B - 晶片加工方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种晶片加工方法,使得即使对切削结束了的晶片的切削状态进行检查也不会降低生产率。通过第1、第2吸盘工作台来进行如下处理:由于吸盘工作台有两个,因而在对保持于另一个吸盘工作台上的晶片进行切削的切削工序之中执行对切削结束了的晶片的切割槽的宽度状态和缺陷状态等的切削状态进行检查的检查工序,从而不用牺牲吞吐量就能检查晶片的切削状态,可以提高经过了切削加工的晶片的生产率。

Description

晶片加工方法
技术领域
本发明涉及晶片加工方法。
背景技术
通过分割预定线划分形成有IC(Integrated Circuit:集成电路)、LSI(large scale integration:大规模集成电路)等多个元件的晶片,被切割装置等切削装置分割为一个个元件,用于移动电话、个人计算机等电子设备。
切削装置构成为具有:保持晶片的吸盘工作台;安装有切削刀具的切削部,该切削刀具对保持于吸盘工作台上的晶片进行切削;使吸盘工作台在X轴方向上进行加工进给的加工进给部;使切削部在与X轴方向正交的Y轴方向上进行分度进给的分度进给部;载置有容纳多个晶片的盒的盒台;从盒中取出晶片的取出部;暂时放置所取出的晶片的暂时放置台;将暂时放置在暂时放置台上的晶片输送到吸盘工作台的输送部;以及对保持于吸盘工作台上的晶片进行摄像来检测应切削的区域的对准部,该切削装置可以将晶片高效地分割为一个个元件。
专利文献1:日本特开昭62-53804号公报
专利文献2:日本专利第3765265号公报
在这种切削装置中,在切削了晶片之后,为确认切削槽的宽度的状态、缺陷的状态等的切削状态,将保持在吸盘工作台上的晶片定位在对准部的正下方来进行检查。其结果是,在到对切削完的晶片进行的检查结束为止的期间内,无法在吸盘工作台上保持新的晶片,具有吞吐量低、生产率差的问题。
而且根据专利文献1、2等,提出有如下的切削装置:具有两个吸盘工作台,在一个吸盘工作台上对晶片执行切削动作,并行地对保持于另一个吸盘工作台上的切削前的晶片执行对准作业,但没有提及关于对切削结束了的晶片进行检查处理的方法,并不能解决上述不良情况。
发明内容
本发明是鉴于上述情况而完成的,其目的在于提供一种晶片加工方法,使得即使对结束了切削的晶片的切削状态进行检查也不会降低生产率。
为了解决上述课题,达成目的,本发明的晶片加工方法中使用切削装置,该切削装置具有:保持晶片的吸盘工作台;安装有切削刀具的切削部,该切削刀具对保持于该吸盘工作台上的晶片进行切削;使上述吸盘工作台在X轴方向上进行加工进给的加工进给部;使上述切削部在与X轴方向正交的Y轴方向上进行分度进给的分度进给部;载置有容纳有多个晶片的盒的盒台;从上述盒中取出晶片的取出部;暂时放置所取出的晶片的暂时放置台;将暂时放置在该暂时放置台上的晶片输送到上述吸盘工作台的输送部;以及对保持于上述吸盘工作台上的晶片进行摄像来检测应切削的区域的对准部,上述吸盘工作台由彼此相邻配设的第1吸盘工作台和第2吸盘工作台构成,上述加工进给部由下列部分构成:使上述第1吸盘工作台进行加工进给的第1加工进给部;以及使上述第2吸盘工作台进行加工进给的第2加工进给部,上述对准部由下列部分构成:与上述第一吸盘工作台对应地配置的第1对准部;以及与上述第2吸盘工作台对应地配置的第2对准部,该晶片加工方法的特征在于,其具有如下工序,晶片保持工序:通过上述输送部,将从上述盒取出到上述暂时放置台上的晶片,输送到上述第1吸盘工作台和上述第2吸盘工作台上进行保持;对准工序:将保持在上述第1吸盘工作台和上述第2吸盘工作台上的晶片,定位在上述第1对准部和上述第2对准部的正下方,检测应切削的区域;第1切削工序:使上述切削部的上述切削刀具定位在保持于上述第1吸盘工作台或者上述第2吸盘工作台且上述对准工序已执行完的晶片上,对晶片进行切削;第2切削工序:当该第1切削工序结束之后,将上述切削部的上述切削刀具定位在保持于上述第1吸盘工作台或者上述第2吸盘工作台且上述对准工序已执行完但没有被切削的晶片上,对晶片进行切削;以及检查工序:当上述第1切削工序结束之后,在上述第2切削工序进行之中,将在上述第1切削工序中切削完并保持于上述第1吸盘工作台或者上述第2吸盘工作台上的晶片定位在上述第1对准部或者上述第2对准部的正下方来检查切削状态,在上述第1切削工序中,使用上述第1对准部或者上述第2对准部对保持在上述第1吸盘工作台或者上述第2吸盘工作台上的晶片的切口进行检查,在上述第2切削工序中,使用上述第1对准部或者上述第2对准部对保持在上述第1吸盘工作台或者上述第2吸盘工作台上的晶片的切口进行检查。
而且,根据上述发明,本发明的晶片加工方法的特征在于,在上述第2切削工序进行之中,对上述检查工序结束了的上述第1吸盘工作台或者上述第2吸盘工作台执行接下来的上述晶片保持工序和上述对准工序。
根据本发明的晶片加工方法,由于吸盘工作台有两个,因而在对保持于另一个吸盘工作台上的晶片进行切削的过程中,执行对切削结束了的晶片的切割槽的宽度状态和缺陷状态等的切削状态进行检查的检查工序,从而在不用牺牲吞吐量就能检查晶片的切削状态,可以获得提高经过了切削加工的晶片的生产率的效果。
而且根据本发明的晶片加工方法,由于在对保持于另一个吸盘工作台上的晶片进行切削的过程中,不仅可以执行检查工序,还可以执行检查工序结束之后的接下来的晶片保持工序和对准工序,因而可以最大限度利用具有两个吸盘工作台的情况,能获得提高晶片生产率的效果。
附图说明
图1是表示切去了实施本发明的实施方式所述的晶片加工方法所用的切削装置的一部分的立体图。
图2是表示图1所示的切削装置的主要部分的立体图。
图3是表示切削部周围的结构例的立体图。
图4是表示切削部周围的结构例的侧视图。
图5是在时序上表示与第1、第2吸盘工作台对应地执行的工序的说明图。
图6是示意性地表示在切削工序中执行检查工序的情形的说明图。
符号说明
2:盒台;    3:取出部;
4:暂时放置台;
5:输送部;
6:盒;
20:吸盘工作台;
20a:第1吸盘工作台;
20b:第2吸盘工作台;
30:切削部;
33:切削刀具;
40:加工进给部;
40a:第1加工进给部;
40b:第2加工进给部;
50:分度进给部;
70:对准部;
70a:第1对准部;
70b:第2对准部;
W:晶片。
具体实施方式
下面,参照附图说明作为用于实施本发明的最佳方式的晶片加工方法。
图1是表示切去了实施本发明实施方式所述的晶片加工方法所用的切削装置的一部分的立体图,图2是表示图1所示的切削装置的主要部分的立体图,图3是表示切削部周围的结构例的立体图,图4是表示切削部周围的结构例的侧视图。
本实施方式的切削装置1是沿着分割预定线来切削晶片W的装置,如图1所示,作为概要结构具有盒台2、取出部3、暂时放置台4和输送部5,还具有监视器10、吸盘工作台20、切削部30、加工进给部40、分度进给部50、切深进给部60、对准部70和对准分度进给部80。
盒台2是放置有盒6并可以沿Z轴方向自由升降的工作台,该盒台2配设在装置壳体7的一端,其中该盒6容纳有多个晶片W,晶片W处于通过保持带T而与圆环状的框体F成为一体的状态。此处,晶片W是通过在表面形成为格子状的多条分割预定线(分隔道)而形成为多个矩形的区域,在这些多个矩形的区域上分别形成有元件。取出部3将容纳在盒6中的晶片W取出到可以由输送部5输送的暂时放置台4上,暂时放置台4暂时放置通过取出部3取出的晶片W。输送部5用于把持被取出到暂时放置台4上的晶片W的框体F部分,将晶片W输送到吸盘工作台20上。此处,本实施方式中,如后所述,吸盘工作台20由在Y轴方向上彼此相邻地配设的两个吸盘工作台构成,输送部5中的由门型支柱结构形成的输送轨道5a部分被设定为这样的长度:可以从暂时放置台4部分跨两个吸盘工作台部分移动。而且,监视器10用于向操作者显示晶片W的切削状态的检查结果、其他的各种信息。
并且,吸盘工作台20保持晶片W,切削部30具有对保持于吸盘工作台20上的晶片W进行切削的切削刀具33,加工进给部40使吸盘工作台20在X轴方向上进行加工进给,分度进给部50使切削部30在Y轴方向上进行分度进给,切深进给部60使切削部30在Z轴方向上进行切深进给,对准部70对保持于吸盘工作台20上的晶片W进行摄像来检测应切削的区域,对准分度进给部80在Y轴方向上对对准部70进行分度进给。
此处,在本实施方式中,如图2所示,吸盘工作台20由配设成在Y轴方向上相邻的第1吸盘工作台20a和第2吸盘工作台20b构成。与此对应,如图2~图4等所示,切削部30由第1、第2切削部30a、30b构成,加工进给部40由第1、第2加工进给部40a、40b构成,分度进给部50由第1、第2分度进给部50a、50b构成,切深进给部60由第1、第2切深进给部60a、60b构成,对准部70由第1、第2对准部70a、70b构成,以及对准分度进给部80由第1、第2对准分度进给部80a、80b构成,这些部件配设在设于装置壳体7内的基台8上。下面参照图2~图4说明这些结构例。
第1、第2吸盘工作台20a、20b是由多孔质陶瓷等多孔性材料构成的,它们与未图示的抽吸部连接。因此,通过利用抽吸部选择性地将第1、第2吸盘工作台20a、20b与抽吸源连通,从而对放置在放置面上的晶片W进行抽吸保持。这些第1、第2吸盘工作台20a、20b分别构成为:可旋转地配设在第1、第2圆筒部件21a、21b上,并与设置在第1、第2圆筒部件21a、21b内的未图示的脉冲电动机等驱动源连接,进行适当转动。而且,在圆筒部件21a、21b的上端部配设有矩形的第1、第2罩部件22a、22b,在第1、第2罩部件22a、22b的上表面配设有用于检测后述的第1、第2切削刀具的位置的第1、第2刀具检测部23a、23b。并且在第1、第2罩部件22a、22b的X轴方向两端上,连接有可自由伸缩的未图示的波纹部件,这种结构下,即使第1、第2吸盘工作台20a、20b经由加工进给而产生移位,该波纹部件也能与第1、第2罩部件22a、22b一起始终覆盖第1、第2加工进给部40a、40b的上方。
第1、第2加工进给部40a、40b用于:通过使安装有第1、第2圆筒部件21a、21b的第1、第2支撑基台41a、41b在X轴方向上移动,从而使第1、第2吸盘工作台20a、20b分别相对于第1、第2切削部30a、30b在X轴方向上进行加工进给(切削进给)。这些第1、第2加工进给部40a、40b由下列部分构成:配设在X轴方向上的滚珠丝杠42a、42b,连结在滚珠丝杠42a、42b一端的脉冲电动机43a、43b,与滚珠丝杠42a、42b平行地配设在基台8上的一对导轨44a、44b;在滚珠丝杠42a、42b上旋合有在支撑基台41a、41b下部设置的未图示的螺母。从而构成为这样的结构:滚珠丝杠42a、42b通过正反旋转自如的脉冲电动机43a、43b驱动而旋转,伴随于此,支撑基台41a、41b由导轨44a、44b引导着在X轴方向上进行往复移动。
并且,本实施方式的切削装置1具有支撑框体9,该支撑框体9以跨导轨44a、44b并与X轴方向正交地配设在基台8上,并且形成为门型形状以不会妨碍第1、第2吸盘工作台20a、20b在X轴方向上的移动,在该支撑框体9的沿着Y轴方向配设的支撑部9a上安装有第1、第2切削部30a、30b,第1、第2分度进给部50a、50b,第1、第2切深进给部60a、60b,第1、第2对准部70a、70b,以及第1、第2对准分度进给部80a、80b。并且,支撑框体9两侧的支柱9b、9c的一部分形成得较宽,在较宽的部分上形成有开口9d、9e,该开口9d、9e允许第1、第2切削部30a、30b在Y轴方向上的移动。
第1、第2对准部70a、70b分别与第1、第2吸盘工作台20a、20b对应地配设在支撑框体9的支撑部9a沿X轴方向的一个面上,并由第1、第2移动块71a、71b以及安装在第1、第2移动块71a、71b上的第1、第2摄像部72a、72b构成。第1、第2摄像部72a、72b是分别安装了CCD等摄像元件的电子显微镜结构,从而可以从上方对保持于第1、第2吸盘工作台20a、20b上的晶片W进行摄像,并将摄像到的图像信号输出给未图示的控制部。这些第1、第2对准部70a、70b可共用于对准用、切口检查用和检查用。如果用于对准,则以第1、第2摄像部72a、72b获得的晶片W的图像信息为基础来检测应切削的区域部分,以供第1、第2切削部30a、30b的切削加工动作的定位。如果用于切口检查,则通过将晶片W上被切削出来的切削槽(切口)定位在第1、第2摄像部72a、72b的摄像位置上来摄像该切削槽并生成图像信息,以供图像处理中生成切削槽数据(切削槽的宽度状态、缺陷的状态等)。如果用于检查,则将切削结束了的晶片W定位在第1、第2对准部70a、70b的正下方,用第1、第2摄像部72a、72b进行摄像并生成图像信息,以供检查被切削出来的切削槽的切削状态是否合适。
第1、第2对准分度进给部80a、80b用于:通过使安装有第1、第2摄像部72a、72b的第1、第2移动块71a、71b在Y轴方向上移动,从而使第1、第2对准部70a、70b分别相对于第1、第2吸盘工作台20a、20b上的晶片W在Y轴方向上进行分度进给。这些第1、第2对准分度进给部80a、80b由下列部分构成:沿Y轴方向配设在支撑部9a的一个面上的滚珠丝杠81a、81b,与滚珠丝杠81a、81b一端连接的脉冲电动机82a、82b,以及与滚珠丝杠81a、81b平行地配设在支撑部9a的一个面上的一对共用导轨83;在滚珠丝杠81a、81b上旋合有在第1、第2移动块71a、71b内设置的未图示的螺母。从而构成为这样的结构:滚珠丝杠81a、81b通过正反旋转自如的脉冲电动机82a、82b驱动而旋转,伴随于此,移动块71a、71b由导轨83引导着在Y轴方向上进行往复移动。
第1、第2切削部30a、30b配设于支撑框体9的支撑部9a的下部,并如图3和图4所示具有:主轴箱31a、31b,可旋转地支撑在主轴箱31a、31b上的旋转主轴32a、32b,可更换地安装在旋转主轴32a、32b一端上的第1、第2切削刀具33a、33b,向第1、第2切削刀具33a、33b提供切削液的切削液供给喷嘴34a、34b,覆盖第1、第2切削刀具33a、33b的刀具罩35a、35b,以及驱动旋转主轴32a、32b使其旋转的未图示的伺服电动机。此处,旋转主轴32a、32b的轴线方向配设成与Y轴方向所示的分度方向一致,为了同时并行地对同一晶片W进行切削这样的双重切割(dual cut),相同结构的第1、第2切削刀具33a、33b被设定为在Y轴方向对置。
第1、第2切深进给部60a、60b用于:通过使安装有第1、第2切削部30a、30b的第1、第2切深移动基台61a、61b在Z轴方向上移动,从而使第1、第2切削刀具33a、33b在Z轴方向上相对于吸盘工作台20a或者20b上的晶片W进行切深进给。此处,第1、第2切深移动基台61a、61b形成为在Y轴方向上观察为大致L字形状,第1、第2切削刀具33a、33b位于内侧,使主轴箱31a、31b安装在正下方,同时第1、第2切深移动基台61a、61b配设在支撑部9a的X轴方向的另一个面上。这些第1、第2切深进给部60a、60b由下列部分构成:沿Z轴方向配设的滚珠丝杠62a、62b,与滚珠丝杠62a、62b一端连接的脉冲电动机63a、63b,以及与滚珠丝杠62a、62b平行地配设在第1、第2分度移动基台51a、51b上的一对导轨64a、64b;在滚珠丝杠62a、62b上旋合有在切深移动基台61a、61b内设置的未图示的螺母。从而构成为这样的结构:滚珠丝杠62a、62b被正反旋转自如的脉冲电动机63a、63b驱动而旋转,伴随于此,切深移动基台61a、61b由导轨64a、64b引导着在Z轴方向上进行往复移动。
第1、第2分度进给部50a、50b用于:通过使具有在Z轴方向上移动自如的第1、第2切深移动基台61a、61b的第1、第2分度进给移动基台51a、51b在Y轴方向上移动,从而使第1、第2切削刀具33a、33b分别相对于吸盘工作台20a或者20b上的晶片W在Y轴方向上进行分度进给。这些第1、第2分度进给部50a、50b由下列部分构成:沿Y轴方向配设的滚珠丝杠52a、52b,与滚珠丝杠52a、52b一端连接的脉冲电动机53a、53b,以及与滚珠丝杠52a、52b平行地配设在支撑部9a的X轴方向的多面侧上的一对共用导轨54;在滚珠丝杠52a、52b上旋合有在分度移动基台51a、51b内设置的未图示的螺母。从而构成为这样的结构:滚珠丝杠52a、52b被正反旋转自如的脉冲电动机53a、53b驱动而旋转,伴随于此,分度移动基台51a、51b由导轨54引导着在Y轴方向上进行往复移动。此处,这些第1、第2分度进给部50a、50b驱动的第1、第2切削刀具33a、33b的分度进给量,被设定为可以跨吸盘工作台20a、20b间移动的量。
接着,参照图5说明使用这种切削装置1的晶片W的加工方法。图5是在时序上表示与第1、第2吸盘工作台20a、20b对应地执行的工序的说明图。首先,用取出部3从盒6中将晶片W取出到暂时放置台4上,通过输送部5将取出到暂时放置台4上的晶片W输送到第1吸盘工作台20a上。此时,第1吸盘工作台20a定位在图2所示的晶片装卸位置。然后通过使未图示的抽吸部工作,从而将晶片W抽吸保持在第1吸盘工作台20a上(晶片保持工序)。
接着,通过第1加工进给部40a的工作,使抽吸保持着晶片W的第1吸盘工作台20a移动到第1对准部70a的对准区域。然后使第1对准分度进给部80a工作,使第1对准单元70a移动成使得保持在第1吸盘工作台20a上的晶片W定位在第1对准部70a的第1摄像部72a的正下方。于是,通过第1摄像部72a摄像第1吸盘工作台20a上的晶片W的表面,检测在晶片W的表面形成的分割预定线,以供第1、第2切削刀具33a、33b进行的切削加工动作的定位(对准工序)。
当这样第1对准部70a对保持在第1吸盘工作台20a上的晶片W执行对准工序的期间内,通过输送部5将晶片W输送到定位在图2所示的晶片装卸位置上的第2吸盘工作台20b上。然后,通过使未图示的抽吸部工作,从而将载置在第2吸盘工作台20b上的晶片W抽吸保持在第2吸盘工作台20b上(晶片保持工序)。
接下来,通过第2加工进给部40b的动作将抽吸保持着晶片W的第2吸盘工作台20b移动到第2对准部70b的对准区域。接着,执行如下所述的对准工序:使第2对准分度进给部80b动作,使第2对准部70b移动成使保持在第2吸盘工作台20b上的晶片W定位在第2对准部70b的第2摄像部72b的正下方,通过第2摄像部72b摄像第2吸盘工作台20b上的晶片W的表面,检测在晶片W的表面形成的分割预定线。该对准工序与上述对准工序同样地执行。
另一方面,当上述第1摄像部72a进行的对准工序结束后,使第1切削部30a的分度进给部50a动作,将第1切削部30a的第1切削刀具33a定位在与形成于在第1吸盘工作台20a上被保持的晶片W中央的分割预定线相对应的位置上,然后使第1切深进给部60a动作,使第1切削刀具33a下降并定位在预定的切深进给位置上。同样地,使第2切削部30b的分度进给部50b动作,将第2切削部30b的第2切削刀具33b定位于与形成于在第1吸盘工作台20a上被保持的晶片W端部的分割预定线相对应的位置,然后,使第2切深进给部60b动作,使第2切削刀具33b下降并定位在预定切深进给位置上。然后,在旋转第1、第2切削部30a、30b的第1、第2切削刀具33a、33b的同时,使第1加工进给部40a动作,使第1吸盘工作台20a在X轴方向上进行加工进给,从而通过高速旋转的第1、第2切削刀具33a、33b对保持在第1吸盘工作台20a上的晶片W的预定分割预定线进行切削(切削工序)。即,如图5所示,第1、第2切削刀具33a、33b通过同时并行地对同一晶片W进行切削这样的双重切割方式来执行切削。
如果沿保持在第1吸盘工作台20a上的晶片W的预定分割预定线进行切削,则在Y轴方向上使第1、第2切削部30a、30b的第1、第2分度进给部50a、50b分度进给相当于分割预定线的间隔的量,再次执行上述的切削工序。通过这样地反复分度进给的同时每次都执行切削工序,从而沿着形成在预定方向上的所有分割预定线对晶片W进行切削。当沿着形成在预定方向上的所有分割预定线对晶片W进行了切削之后,将保持着晶片W的第1吸盘工作台20a旋转90度。然后对保持在第1吸盘工作台20a上的晶片W反复执行伴随有上述的分度进给的切削工序,从而沿着形成为格子状的所有分割预定线对晶片W进行切削,将其分割为一个个元件芯片。而且由于即使将晶片W分割为一个个元件芯片,其也贴在安装于环状的框体F的保持带T上,因而可以维持晶片的形态而不会散乱。
在这种切削工序之中,使用与保持着切削中的晶片W的第1吸盘工作台20a对应的第1对准部70a的第1摄像部72a,在预先设定的预定定时执行用于监视晶片W的切削状况的切口检查。即,用第1摄像部72a摄像由第1、第2切削刀具33a、33b切削的切削槽(切口),对摄像到的图像信息进行图像处理而分度出切口位置的测量值,如果从预先设定的基准位置(发纹)错开,则自动进行校正(发纹对准)。在该切口检查时也测量切口宽度和缺陷的大小,根据需要在监视器10的画面上显示切口位置和基准值之间的偏差量(偏心量)、切口宽度、缺陷大小等信息。
当这种对于保持在第1吸盘工作台20a上的晶片W的切削工序结束了之后,对于保持在第2吸盘工作台20b上并执行完毕了对准工序但没有进行切削的晶片W,与上述情况同样地以双重切割方式由第1、第2切削刀具33a、33b执行切削工序。在该切削工序之中,使用与保持着切削中的晶片W的第2吸盘工作台20b对应的第2对准部70b的第2摄像部72b,与上述切口检查的情况相同地,在预先设定的预定定时执行用于监视晶片W的切削状况的切口检查。
另一方面,当对于保持在第1吸盘工作台20a上的晶片W的切削工序结束了之后,在对保持在第2吸盘工作台20b上的晶片W进行切削工序之中,如图6所示,将切削完毕并保持在第1吸盘工作台20a上的晶片W定位在第1对准部70a的第1摄像部72a的正下方来检查切削状态(检查工序)。即,与切削中的切口检查工作同样地,用第1摄像部72a摄像由第1、第2切削刀具33a、33b所切削的切削槽,对所摄像到的图像信息进行图像处理,进行切削槽的宽度的状态、缺陷的状态等切削状态的检查。如图6举例表示的那样,根据需要在监视器10的画面上例如显示切削槽K的切削状态。
检查工序结束之后,通过第1加工进给部40a将保持着检查结束了的晶片W的第1吸盘工作台20a从切削区域向晶片装卸位置移动,在该晶片装卸位置解除对于晶片W的抽吸保持。然后通过输送部5将检查完毕并被分割为一个个元件芯片的晶片W输送到下一工序中。一旦对分割完毕的晶片W向下一工序的输送结束了,则在对保持于第2吸盘工作台20b上的晶片W进行的切削工序之中依次执行把下一个晶片W输送到第1吸盘工作台20a上进行保持的晶片保持工序以及对于所保持的晶片W进行对准的对准工序。由于检查工序、晶片保持工序和对准工序相比研磨工序而在短时间内结束,所以能够在另一个吸盘工作台20b上进行的切削工序之中,对一个吸盘工作台20a执行这些检查工序、晶片保持工序和对准工序。
接着,当对于保持在第2吸盘工作台20b上的晶片W进行的切削工序结束了之后,对于保持在第1吸盘工作台20a上且对准工序执行完毕但尚未  切削的晶片W,与上述情况同样地以双重切割方式由第1、第2切削刀具33a、33b执行切削工序。在该切削工序之中,使用与保持了切削中的晶片W的第1吸盘工作台20a对应的第1对准部70a的第1摄像部72a,与上述切口检查的情况同样地,在预先设定的预定定时执行用于监视晶片W的切削状况的切口检查。
并且,当对于保持在第2吸盘工作台20b上的晶片W的切削工序结束了之后,在对保持在第1吸盘工作台20a上的晶片W进行切削工序之中,将切削完毕并保持在第2吸盘工作台20b上的晶片W定位在第2对准部70b的第2摄像部72b的正下方来检查切削状态(检查工序)。即,与切削中的切口检查工作同样地,用第2摄像部72b摄像由第1、第2切削刀具33a、33b所切削的切削槽,对所摄像的图像信息进行图像处理,进行切削槽的宽度的状态、缺陷的状态等切削状态的检查。根据需要在监视器10的画面上例如显示切削槽的切削状态。
检查工序结束之后,通过第2加工进给部40b将保持着检查结束了的晶片W的第2吸盘工作台20b从切削区域向晶片装卸位置移动,在该晶片装卸位置解除对于晶片W的抽吸保持。然后通过输送部5将检查完毕并被分割为一个个元件芯片的晶片W输送到下一工序中。一旦对分割完毕的晶片W向下一工序的输送结束了,则在对保持于第1吸盘工作台20a上的晶片W进行的切削工序之中依次执行把下一个晶片W输送到第2吸盘工作台20b上进行保持的晶片保持工序以及对于所保持的晶片W进行对准的对准工序。
下面通过并行使用第1、第2吸盘工作台20a、20b,从而相同地重复晶片保持工序、对准工序、切削工序和检查工序。此处,在这种使用第1、第2吸盘工作台20a、20b前后相交替执行的两个切削工序中,在先进行的切削工序表示本发明的第1切削工序,后续的切削工序表示本发明的第2切削工序。
根据这种本实施方式的晶片加工方法,由于吸盘工作台20a、20b为两个,因而在对保持于另一个吸盘工作台20a或20b上的晶片W进行切削之中执行对切削结束了的晶片W的切割槽的宽度状态和缺陷状态等的切削状态进行检查的检查工序,从而不用牺牲吞吐量就能检查晶片W的切削状态,因此可以提高经过了切削加工的晶片W的生产率。
而且根据本实施方式的晶片加工方法,由于在对保持于另一个吸盘工作台20a或20b上的晶片W正进行切削时,不仅可以执行检查工序,还可以执行检查工序结束之后的接下来的晶片保持工序和对准工序,因而可以最大限度利用有两个吸盘工作台20a、20b的情况,能提高晶片W的生产率。
并且,根据本实施方式的晶片加工方法,对应于两个吸盘工作台20a、20b而使用两个对准部70a、70b,在晶片W的切削工序之中使用对应的对准部70a或70b执行用于监视晶片W的切削状况的切口检查,所以不会受到另一个吸盘工作台20a或20b上的检查工序和对准工序带来的制约,能适当对切削中的晶片W进行切口检查而自动进行发纹对准等校正,因而可以提高切削性能,提升晶片的生产率。
而且,在本实施方式中,以对置的方式具有相同结构的第1、第2切削刀具33a、33b,同时并行地进行对同一晶片W切削的双重切割方式的切削部30为例进行了说明,但也可以应用于具有对于晶片W的切削深度不同的第1、第2切削刀具的第1、第2切削部,用第1、第2切削刀具分2次依次切割相同的分割预定线的步骤切割方式下,还可以应用于使用仅有一个切削刀具的切削部切削晶片W的情况下。而且,虽然本实施方式从第1吸盘工作台20a侧起进行切削工序等,但也可以从第2吸盘工作台20b侧起进行切削工序等。

Claims (2)

1.一种晶片加工方法,该晶片加工方法使用切削装置,
该切削装置具有:保持晶片的吸盘工作台;安装有切削刀具的切削部,该切削刀具对保持于该吸盘工作台上的晶片进行切削;使上述吸盘工作台在X轴方向上进行加工进给的加工进给部;使上述切削部在与X轴方向正交的Y轴方向上进行分度进给的分度进给部;载置有容纳有多个晶片的盒的盒台;从上述盒中取出晶片的取出部;暂时放置所取出的晶片的暂时放置台;将暂时放置在该暂时放置台上的晶片输送到上述吸盘工作台的输送部;以及对保持于上述吸盘工作台上的晶片进行摄像来检测应切削的区域的对准部,
上述吸盘工作台由彼此相邻配设的第1吸盘工作台和第2吸盘工作台构成,上述加工进给部由下列部分构成:使上述第1吸盘工作台进行加工进给的第1加工进给部;以及使上述第2吸盘工作台进行加工进给的第2加工进给部,
上述对准部由下列部分构成:与上述第一吸盘工作台对应地配置的第1对准部;以及与上述第2吸盘工作台对应地配置的第2对准部,
该晶片的工方法的特征在于,其具有如下工序,
晶片保持工序:通过上述输送部,将从上述盒取出到上述暂时放置台上的晶片,输送到上述第1吸盘工作台和上述第2吸盘工作台上进行保持;
对准工序:将保持在上述第1吸盘工作台和上述第2吸盘工作台上的晶片,定位在上述第1对准部和上述第2对准部的正下方,检测应切削的区域;
第1切削工序:使上述切削部的上述切削刀具定位在保持于上述第1吸盘工作台或者上述第2吸盘工作台且上述对准工序已执行完的晶片上,对晶片进行切削;
第2切削工序:当该第1切削工序结束之后,将上述切削部的上述切削刀具定位在保持于上述第1吸盘工作台或者上述第2吸盘工作台且上述对准工序已执行完但没有被切削的晶片上,对晶片进行切削;以及
检查工序:当上述第1切削工序结束之后,在上述第2切削工序进行之中,将在上述第1切削工序中切削完并保持于上述第1吸盘工作台或者上述第2吸盘工作台上的晶片定位在上述第1对准部或者上述第2对准部的正下方来检查切削状态,
在上述第1切削工序中,使用上述第1对准部或者上述第2对准部对保持在上述第1吸盘工作台或者上述第2吸盘工作台上的晶片的切口进行检查,
在上述第2切削工序中,使用上述第1对准部或者上述第2对准部对保持在上述第1吸盘工作台或者上述第2吸盘工作台上的晶片的切口进行检查。
2.根据权利要求1所述的晶片加工方法,其特征在于,在上述第2切削工序进行之中,对上述检查工序结束了的上述第1吸盘工作台或者上述第2吸盘工作台执行接下来的上述晶片保持工序和上述对准工序。
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Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5420226B2 (ja) * 2008-11-07 2014-02-19 アピックヤマダ株式会社 切断装置
JP5495832B2 (ja) * 2009-04-24 2014-05-21 株式会社東京精密 ダイシング装置、ダイシング装置ユニット及びダイシング方法
KR101567908B1 (ko) 2009-04-24 2015-11-10 가부시키가이샤 토쿄 세이미쯔 다이싱 장치, 다이싱 장치 유닛 및 다이싱 방법
JP2011228331A (ja) * 2010-04-15 2011-11-10 Disco Abrasive Syst Ltd 切削加工装置
JP5686545B2 (ja) * 2010-07-26 2015-03-18 株式会社ディスコ 切削方法
JP6214901B2 (ja) * 2013-04-04 2017-10-18 株式会社ディスコ 切削装置
JP6218511B2 (ja) * 2013-09-02 2017-10-25 Towa株式会社 切断装置及び切断方法
JP6184855B2 (ja) * 2013-12-16 2017-08-23 株式会社ディスコ パッケージ基板の分割方法
JP6459524B2 (ja) * 2015-01-08 2019-01-30 株式会社ジェイテクト 複合研削盤および研削方法
JP6521687B2 (ja) * 2015-03-23 2019-05-29 株式会社ディスコ 切削ブレードの検査方法
JP6562670B2 (ja) * 2015-03-23 2019-08-21 株式会社ディスコ 被加工物の切削方法
CN106078461A (zh) * 2016-07-29 2016-11-09 天津市环欧半导体材料技术有限公司 一种新型半导体硅片割圆技术设备
JP2018129372A (ja) * 2017-02-07 2018-08-16 株式会社ディスコ ダイシング装置及びダイシング方法
JP6910217B2 (ja) * 2017-06-23 2021-07-28 東京エレクトロン株式会社 ダイシング装置およびダイシング方法
US20190033832A1 (en) * 2017-07-25 2019-01-31 Inovatech Engineering Corp. Usability enhancements for cnc tools
JP6979296B2 (ja) * 2017-07-28 2021-12-08 株式会社ディスコ 切削方法
JP7122822B2 (ja) * 2017-12-19 2022-08-22 東京エレクトロン株式会社 レーザー加工装置
JP7218494B2 (ja) * 2018-02-27 2023-02-07 株式会社東京精密 レーザダイシング装置
JP7184620B2 (ja) * 2018-12-11 2022-12-06 株式会社ディスコ 切削装置
US11173631B2 (en) * 2019-06-17 2021-11-16 Disco Corporation Cutting apparatus
KR102148100B1 (ko) * 2019-08-26 2020-08-25 (주)네온테크 하이브리드 다이싱 장치 및 이를 사용한 커팅 방법
KR102148117B1 (ko) * 2020-03-26 2020-08-26 (주)네온테크 멀티 라우터 스핀들을 구비한 장치 및 이를 사용한 가공 방법

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4746256A (en) * 1986-03-13 1988-05-24 Roboptek, Inc. Apparatus for handling sensitive material such as semiconductor wafers
US4880348A (en) * 1987-05-15 1989-11-14 Roboptek, Inc. Wafer centration device
US4895486A (en) * 1987-05-15 1990-01-23 Roboptek, Inc. Wafer monitoring device
CN1420529A (zh) * 2001-11-21 2003-05-28 株式会社迪思科 切削机
CN1841702A (zh) * 2005-03-30 2006-10-04 株式会社迪思科 晶片的切削方法及切削装置

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6253804A (ja) * 1984-12-27 1987-03-09 株式会社 デイスコ 半導体ウエ−ハダイシング装置
JP3765265B2 (ja) * 2001-11-28 2006-04-12 株式会社東京精密 ダイシング装置
JP4571851B2 (ja) * 2004-11-30 2010-10-27 株式会社ディスコ 切削装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4746256A (en) * 1986-03-13 1988-05-24 Roboptek, Inc. Apparatus for handling sensitive material such as semiconductor wafers
US4880348A (en) * 1987-05-15 1989-11-14 Roboptek, Inc. Wafer centration device
US4895486A (en) * 1987-05-15 1990-01-23 Roboptek, Inc. Wafer monitoring device
CN1420529A (zh) * 2001-11-21 2003-05-28 株式会社迪思科 切削机
CN1841702A (zh) * 2005-03-30 2006-10-04 株式会社迪思科 晶片的切削方法及切削装置

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