TWI413838B - 液晶顯示裝置之陣列基板之修補方法 - Google Patents

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Description

液晶顯示裝置之陣列基板之修補方法
本創作是有關於一種液晶顯示裝置，且特別是有關於一種具有增加開口率及亮度之陣列基板及其製造方法。
一般來說，液晶顯示(liquid crystal display，LCD)裝置係利用液晶分子的光學異向性(optical anisotropy)及偏光性質。液晶分子因其薄且長的形狀而具有特定的校直方向(alignment direction)。液晶分子的校直方向可藉由提供一交錯於液晶分子的電場而得以控制。也就是說，電場的強度或方向可被改變，亦改變了液晶分子的校直。由於液晶分子的光學異向性，使得入射光根據液晶分子的指向性(orientation)而折射，影像可藉由控制光透射率(light transmissivity)而得以顯示。
液晶顯示裝置(LCD device)包括形成有共通電極之一上基板、形成有畫素電極之一下基板、以及夾置於上下基板之間的液晶層。上基板與下基板分別被稱為一彩色濾光片基板與一陣列基板。液晶層藉由感應於共通電極與畫素電極之間的垂直電場而被驅動，液晶顯示裝置的光透射率與開口率(aperture ratio)相當優良。一主動式矩陣液晶顯示裝置(active matrix LCD，AM-LCD)包括有一薄膜電晶體(thin film transistor，TFT)，例如為一開關元件，由於其具有高解析度與顯示移動影像(displaying moving images)的優良特徵，而廣泛的應用於主動式矩陣液晶顯示裝置(AM-LCD)上。
「第1圖」為習用主動矩陣態樣之液晶顯示裝置之分解示意圖。如「第1圖」所示，液晶顯示裝置包括有一陣列基板10、一彩色濾光片基板20、及一液晶層30。陣列基板10與彩色濾光片基板20係相互面對，而液晶層30係設置於二基板10、20之間。陣列基板10包括有一第一基板12，其上形成有一閘極線14、一信號線16、一薄膜電晶體Tr、及一畫素電極18。閘極線14及信號線16係相互交錯設置，以形成一位於閘極線14與信號線16之間的區域，而此一區域定義為畫素區域P。薄膜電晶體Tr係形成於閘極線14與信號線16所構成的交錯部位。畫素電極18係形成於畫素區域P中，並且連接於薄膜電晶體Tr。
彩色濾光片基板20包括有一第二基板22，其上形成有一黑色矩陣(black matrix)25、一彩色濾光層26、及一共通電極28。黑色矩陣25具有格子形狀，以覆蓋第一基板12之未顯示區域，例如閘極線14、信號線16、及薄膜電晶體Tr。彩色濾光層26包括有第一次彩色濾光片26a、第二次彩色濾光片26b、及第三次彩色濾光片26c，各個次彩色濾光片26a、26b、26c分別具有紅色R、綠色G、及藍色B，並對應於各畫素區域P。共通電極28係形成於黑色矩陣25與彩色濾光層26上，並且覆蓋第二基板22的整個表面。
雖然未於圖中表示，為了防止液晶層30產生滲漏，一封裝圖案係沿著第一基板12與第二基板22的邊緣而形成。第一配向膜(alignment layer)與第二配向膜係分別形成於第一基板12與液晶層30之間，以及第二基板22與液晶層30之間。一偏光片(polarizer)係形成於第一基板12與第二基板22的外表面上。液晶顯示裝置亦包括有相對於第一基板12外表面的一背光組件，以提供一光線至液晶層30。當掃描信號提供至閘極線14時，以控制薄膜電晶體Tr。一資料信號藉由信號線提供至畫素電極18時，以使一電場於畫素電極18與共通電極28之間被感應。接著，電場導致液晶開啟，以使液晶顯示裝置使用背光組件的光源而產生影像。
「第2圖」為習用液晶顯示裝置之部分陣列基板的平面示意圖。如「第2圖」所示，複數條閘極線14形成於陣列基板10上，且各閘極線14係相互分離設置。雖然未於圖中表示，用以連接於一外部驅動電路基板的一閘極墊係形成於閘極線14的一端。一信號線16係形成於陣列基板10上，並與閘極線14相交錯，以定義出一畫素區域P。用以連接於一外部驅動電路基板(圖中未示)之一信號墊(圖中未示)係形成於信號線16的一端。一薄膜電晶體Tr包括有一閘極電極15、一半導體層40、一源極電極43、與一汲極電極47，且薄膜電晶體Tr係形成於閘極線14與信號線16之交錯部位(即重疊部位)。於各畫素區域P中形成有一畫素電極18，並且連接於薄膜電晶體Tr。畫素電極18重疊於閘極線14，因而形成儲存電容StgC(storage capacitor)，以維持目前電壓直至下一個信號提供至畫素電極18中。
藉由四道或五道光罩製程以形成陣列基板10。舉例而言，各光罩製程更包括有五個步驟：於一材料層上形成一光阻層(photoresist，PR)層、以一光罩對光阻層進行曝光、對光阻層進行顯影，以形成一光阻圖案、以光阻圖案做為蝕刻罩對材料層進行蝕刻、以及除去光阻圖案。因此，必須經由二十或二十五道步驟方可形成陣列基板10。於上述步驟當中，當金屬顆粒貼附於閘極線14、信號線16、或薄膜電晶體Tr時，將發生電性短路，或者是因靜電或金屬顆粒之電性開啟問題。在這個情況下，電壓係持續的提供至畫素電極18，或是沒有電壓提供至畫素電極18。因此，並無法控制畫素電極18的開啟(ON)狀態或是關閉(OFF)狀態，以使沿著相對應之間極線14或是信號線16的畫素區域P總是具備開啟狀態或是關閉狀態。
液晶顯示裝置具有數萬至數百萬的畫素區域，其係依靠它們的尺寸與解析度。因此，當這些畫素區域之需求具有預設的條件時，不良的成本將因此增加。因此，液晶顯示裝置的部分缺陷畫素可以忍受(或是吸收)。然而，當閘極線14與信號線16之交錯部位產生一電性短路時，在連接於對應之閘極線14與信號線16的全部畫素區域中出現了亮點(bright spot)或暗點(dark spot)問題，因而導致液晶顯示裝置無法被接受。這個問題亦被稱為線缺陷。然而，當這些缺陷僅在一個或是數個畫素中出現，液晶顯示裝置係可使用的，且此一缺陷稱為點缺陷。
近來，為了增加高品質顯示影像，遂提出一修補過程(repair process)，藉以修補具有點缺陷(dot defect)的液晶顯示裝置。特別的是，於一平常亮(normally white，NW)類型的液晶顯示裝置中，當未提供電壓時，係顯示一白色影像(white image)；當提供一最大電壓時，係顯示一黑色影像(black image)。由於一缺陷畫素永遠顯示白色影像，因而引人注意的顯眼。修補製程係用以將缺陷畫素改變為永遠顯示黑色影像的畫素。也就是說，一白色顏色之缺陷畫素係修補並改變為一黑色顏色之缺陷畫素。修補過程的原因是一黑色基礎的白色畫素較其他情況更為顯著。因此，藉由一白色顏色缺陷畫素修補為未修補黑色顏色缺陷畫素的一黑色顏色缺陷畫素，以提供可被接受的液晶顯示裝置。
「第3圖」為習用液晶顯示裝置之陣列基板之修補過程的平面示意圖。如「第3圖」所示，於一平常亮(normally white，NW)類型的液晶顯示裝置中，當其具有一白色缺陷(white-colored defect)位在陣列基板的畫素區域P內時，包括有一閘極電極15、一半導體層23、一源極電極43、及一汲極電極36的薄膜電晶體Tr，係藉由一雷射照射於切割線CL而與畫素電極18電性分離，且畫素電極18之重疊於部份閘極線14的部位係藉由對連接部位CP照射一雷射而與閘極線14電性連接，以使電壓持續提供至位在畫素區域P的畫素電極18。因此，畫素區域P具有黑色顏色缺陷狀態。
另一方面，於一平常黑(normally black)類型的液晶顯示裝置中。當其具有一白色缺陷(white-colored defect)位在陣列基板的畫素區域內時，一薄膜電晶體藉由一雷射照射於未連接畫素電極至閘極線之切割線CL而與畫素電極電性分離，以使電壓未提供至畫素區域內的畫素電極。因此，畫素區域P具有黑色顏色缺陷狀態。然而，上述修補過程僅對點缺陷有效，而無法對線缺陷產生效果。因此，液晶顯示裝置具有不可修補的線缺陷，因而降低製造產量，以及增加不良費用與製造成本。
鑒於以上的問題，本發明提供一種液晶顯示裝置之陣列基板及其製造方法，藉以解決先前技術所存在的問題。
本發明之目的係提供一種具有修補圖案之陣列基板的液晶顯示裝置，用以修補一缺陷。
本發明之另一目的係提供一種具有缺陷的陣列基板之液晶顯示裝置之修補方法。
有關本發明的特徵、實作與功效，茲配合圖示作最佳實施例詳細說明如下。
為了達到本發明之目的及其優點，本發明之液晶顯示裝置包括有相互面對的一第一基板與一第二基板、複數條閘極線與複數條信號線，係設置於第一基板上，且閘極線及信號線相互交錯，以定義出複數個畫素區域、複數個薄膜電晶體，分別設置閘極線與信號線之各交錯部位、一液晶層，設置於第一基板與第二基板之間、及複數個修補圖案，係設置於第一基板上。各修補圖案係分別交錯於相對應的信號線，並且沿著且鄰近於相對應之閘極線，以令具有複數個突出端的修補圖案自相對應之信號線突出，以修補畫素區域的缺陷。
本發明另一實施例之液晶顯示裝置包括有相互面對的一第一基板與一第二基板、複數條閘極線與複數條信號線，設置於第一基板上，且閘極線及信號線係相互交錯，以定義出複數個畫素區域、複數個薄膜電晶體，分別設置閘極線與信號線之各交錯部位、及一液晶層，設置於第一基板與第二基板之間。各閘極線分別包括有一第一閘極線與一第二閘極線，第一閘極線具有直條形狀及連著信號線的交錯部位，且當第二閘極線形成時，於交錯部位產生連著第一閘極線之雙向路徑。
本發明所揭露一實施例之具有缺陷的陣列基板之液晶顯示裝置之修補方法，其步驟包括有：沿著一基板形成一閘極線，以及形成具有條狀形狀之修補圖案於基板上，且修補圖案與閘極線相平行並間隔設置、形成一信號線，並與閘極線及修補圖案相交錯，且藉由閘極線與信號線之交錯以定義出具有矩陣形狀之複數個畫素區域、形成複數個薄膜電晶體於畫素區域內、形成複數個畫素電極於各畫素區域內，並且連接於薄膜電晶體、對環繞於閘極線與信號線之重疊部位的複數個第一部位照射一第一雷射光線，當重疊部位產生電性短路時，重疊部位係與閘極線電性分離、對鄰近於第一部位與修補圖案之複數個第二部位照射一第二雷射光線，以形成複數個第一溝槽及複數個第二溝槽，第一溝槽係暴露出第二部位，第二溝槽係暴露出修補圖案之端部、照射一第三雷射光線，並藉由一化學氣相沉積修補裝置(chemical vapor deposition repair apparatus)而於各第一溝槽形成一第一接觸圖案，及於各第二溝槽形成一第二接觸圖案、以及藉由化學氣相沉積修補裝置以形成一連接圖案，並與第二接觸圖案連接於第一接觸圖案。
本發明所揭露另一實施例之具有缺陷的陣列基板之液晶顯示裝置之修補方法，其步驟包括有：於一基板上形成包括有一第一閘極線與一第二閘極線的一閘極線，其中第二閘極線係自第一閘極線分支，以令閘極線形成一雙向路徑結構、形成一信號線，並與閘極線相交錯而形成一交錯部位，以定義出具有矩陣形狀排列之一第一畫素區域、一第二畫素區域、一第三素區域、與第四畫素區域、形成一薄膜電晶體於第二畫素區域內，並且薄膜電晶體連接於閘極線與信號線、形成一畫素電極於第二畫素區域內，並且畫素電極連接於薄膜電晶體、以及對閘極線與信號線之交錯部位照射一雷射光線，當閘極線與信號線之重疊部位產生電性短路時，以分別使信號線與第一閘極線電性分離，及畫素電極與薄膜電晶體電性分離。
以上的關於本創作內容的說明及以下的實施方式的說明係用以示範與解釋本創作的精神與原理，並且提供本創作的專利申請範圍更進一步的解釋。
為使對本發明的目的、構造、特徵、及其功能有進一步的瞭解，茲配合實施例詳細說明如下。
「第4圖」為本發明第一實施例之液晶顯示裝置之部分陣列基板的平面示意圖。如「第4圖」所示，於陣列基板101上形成複數條閘極線104。於陣列基板101上形成與閘極線104交錯的一信號線140，以定義出一畫素區域P。用以接收自外部驅動電路單元(圖中未示)之信號電壓的一閘極墊(圖中未示)，係形成於閘極線104的一端，且用以接收自外部驅動電路單元(圖中未示)之信號電壓的一信號墊(圖中未示)，係形成於信號線140的一端。
一薄膜電晶體Tr包括有一閘極電極107、具有一主動層(圖中未示)與一歐姆接觸層(圖中未示)之一半導體層130、一源極電極143、及一汲極電極146，其係連接於閘極線104與信號線140。於各畫素區域P形成有薄膜電晶體Tr。閘極電極107係電性連接於閘極線104，且半導體層130係堆疊於閘極電極107上。源極電極143與汲極電極146係設置於歐姆接觸層上，且源極電極143係電性連接於信號線140。於各畫素區域P中形成有一畫素電極160，且畫素電極160係電性連接於薄膜電晶體Tr之汲極電極146。
畫素電極160亦形成一第一儲存電容StgC1(storagecapacitor)，其包括有做為第一儲存電極的部分閘極電極104、做為第二儲存電極的部分畫素電極160、一閘極絕緣層(圖中未示)、及做為介電材料層的一鈍化層(圖中未示)。閘極絕緣層與鈍化層係設置於第一儲存電極與第二儲存電極之間。
一修補圖案120(repair pattern)係沿著並鄰近於閘極線104而形成。修補圖案120延伸於鄰近二畫素區域P上。修補圖案120交錯於信號線140並且位於二鄰近之畫素區域P之間。修補圖案120具有較信號線140更大的寬度，以使修補圖案120的二端突出信號線140外。修補圖案120的二突出端係用以修補一缺陷畫素。因此，於修補過程中決定突出端具有一最小長度(即突出距離)。舉例來說，各突出端具有一沿著閘極線104的突出距離，其距離約為8微米(μm)至15微米(μm)。
修補圖案120係與閘極線104形成於同一層上，且修補圖案120的材質係與閘極線104相同。修補圖案120具有沿著閘極線104之長度方向的條狀形狀。修補圖案120具有由閘極線104最靠近修補圖案120的最小距離d1，其距離係由圖案化設備所決定。舉例而言，位於修補圖案120與閘極線140之間的距離d1約為3微米(μm)至5微米(μm)。修補圖案120具有一最小尺寸的原因，是因為降低了開口率(aperture ratio)，使得修補圖案120可達到最小化。另外，產生於信號線140與修補圖案120之間的寄生電容(parasitic capacitance)亦同樣最小化。一種使用修補圖案120的修補方法於後敘明解釋。
薄膜電晶體Tr具有各種結構，舉例而言，源極電極143的中央部位係為凹陷，以使位於源極電極143與汲極電極146之間的部分主動層暴露於外，並具有”U”型或”□”型形狀，且汲極電極146係插設入源極電極143的凹陷部位。閘極電極107係自閘極線104或是閘極線104的一部位突出。
「第5圖」為本發明第二實施例之液晶顯示裝置之部分陣列基板的平面示意圖。如「第5圖」所示，位在源極電極143與汲極電極146之間的主動層(圖中未示)的一部位具有”□”型形狀。主動層之”□”形部位係做為一通道區域。於「第5圖」中，於一基板上101形成有一閘極線104與一儲存線113。閘極線104與儲存線113係間隔設置，且儲存線113實質上係與閘極線104相平行。一儲存圖案117包括有第一儲存圖案117a與一第二儲存圖案117b，其係形成於畫素區域P內。第一儲存圖案117a係自儲存線113的一端延伸，並與信號線140的左側相平行，第二儲存圖案117b係自儲存線113的另一端延伸，並與信號線140的右側相平行。於本實施例中，儲存線113、第一儲存圖案117a、及第二儲存圖案117b係做為一第三儲存電極。重疊於儲存線113、第一儲存圖案117a、及第二儲存圖案117b之畫素電極160的一部位，係做為一第四儲存電極166，以使具有絕緣層之第二儲存電容StgC2形成於第三儲存電極與第四儲存電極之間。如「第4圖」所示，部分閘極電極104、部分畫素電極160、與介電材料層構成一第一儲存電容StgC1。因此，陣列基板具有一充足的儲存電容量。
本發明第二實施例之陣列基板101中，一修補圖案120同樣穿過二相鄰的畫素區域P。也就是說，修補圖案120延伸於鄰近二畫素區域P上。修補圖案120具有由閘極線104最靠近修補圖案120的第一距離d1，約為3微米(μm)至5微米(μm)。另外，修補圖案120係與第一儲存圖案117a及第二儲存圖案117b間隔設置，而具有約3微米(μm)至5微米(μm)的第二距離d2。修補圖案120係設置於閘極線104與第一儲存圖案117a及第二儲存圖案117b之各端之間。修補圖案120具有實質上與閘極線104、第一儲存圖案117a、及第二儲存圖案117b相同的距離。也就是說，第一距離d1係與第二距離d2相等。另外，若是一圖案化設備，例如為曝光設備，具有一加大的尺寸，其第一距離d1與第二距離d2將小於3微米。
修補圖案120具有一寬度，其係相等或小於位在信號線140二側的第一儲存圖案117a及第二儲存圖案117b之外部線之間的距離。也就是說，修補圖案120的各端係較第一儲存圖案117a或第二儲存圖案117b之外部線更為接近信號線140。以這樣的優選排列，能夠防止開口率的降低。雖然未於圖中表示，彩色濾光片基板、相面對之陣列基板101、與設置於陣列基板101及彩色濾光片基板的液晶層係構成一液晶顯示裝置。於本實施例中，一黑色矩陣係形成於彩色濾光片基板上，並且與形成在薄膜電晶體Tr上之閘極線104、信號線140、及開關區域相對應。根據一校準邊緣(aligning margin)，黑色矩陣具有一大於閘極線104或是信號線140的寬度。黑色矩陣之未被覆蓋的區域係定義為一真實開口區域(real aperture region)。黑色矩陣不只覆蓋信號線104，更覆蓋住儲存圖案117。當修補圖案120具有一寬度，其係大於位在信號線140二側的第一儲存圖案117a及第二儲存圖案117b之外部線之間的一距離，修補圖案120突出於第一儲存圖案117a與第二儲存圖案117b外，且開口率因為修補圖案120之突出部位而降低。因此，修補圖案120具有一寬度，係相等或小於位在信號線140二側的第一儲存圖案117a及第二儲存圖案117b之外部線之間的距離，因而防止開口率的降低。
「第6圖」為沿著「第4圖」之Ⅵ-Ⅵ線之剖面示意圖，以及「第7圖」為沿著「第4圖」之Ⅶ-Ⅶ線之剖面示意圖。如「第6圖」所示，薄膜電晶體Tr形成為一開關區域TrA，並定義在畫素區域P中。如「第7圖」所示，修補圖案120形成為一修補區域RA，以及第一儲存電容StgC1形成為一儲存區域StgA，並且定義在基板101中。請參閱「第4圖」、「第6圖」、及「第7圖」，閘極線104係形成在基板101上。於開關區域TrA中，閘極電極107自閘極線104延伸，或是由形成於基板101上之閘極線104的一部分延伸。條狀之修補圖案120係形成於修補區域RA內，並且鄰近於閘極線104。修補圖案120係與閘極線104及閘極電極107設置於同一層上，且修補圖案120的材質與閘極線104及閘極電極107相同。修補圖案120與閘極線104間具有約3微米至5微米的第一距離d1。修補圖案120具有一島型或條狀島型的形狀。位於儲存區域StgA之閘極線104係用以做為第一儲存電極110。
另一方面，如「第5圖」所示之本發明第二實施例的陣列基板，更形成有儲存線113(如「第5圖」所示)與具有第一儲存圖案117a及第二儲存圖案117b的儲存圖案117。儲存線113沿著閘極線104延伸，且第一儲存圖案117a與第二儲存圖案117b(如「第5圖」所示)係沿著閘極線104自儲存線113延伸。於本實施例中，修補圖案120具有自第一儲存圖案117a與第二儲存圖案117b的第二距離d2(如「第5圖」所示)，其距離約為3微米至5微米。
請再次參閱「第4圖」、「第6圖」、及「第7圖」，一閘極絕緣層125係形成於閘極線104、閘極電極107、與修補圖案120上。如「第5圖」所示，當儲存線113與儲存圖案117形成於基板101上時，閘極絕緣層125亦形成於儲存線113與儲存圖案117上。雖未於圖中表示，電性連接於閘極線104一端的閘極墊，係在形成閘極絕緣層125之前即形成於基板101上。
半導體層130包括有本質非晶矽(intrinsic amorphous silicon)之主動層130a及不純物摻雜非晶矽(impurity-doped amorphous silicon)之歐姆接觸層130b，其係形成於位在開關區域TrA內的閘極絕緣層125上。另外，源極電極143與汲極電極146係形成於歐姆接觸層130b上，並且相互間隔設置。
信號線140係形成於閘極絕緣層125上。信號線140交錯於閘極線104，以定義出畫素區域P，並且信號線140與源極電極143相連接。信號線140亦與修補圖案120相交錯。一信號墊電極(圖中未示)係形成於閘極絕緣層125上，以連接於信號線140的一端。一半導體圖案133包括有一第一圖案133a及一第二圖案133b，其係設置於信號線140下方。根據製造方法，半導體圖案133可能存在於信號線140下方或是不存在於信號線140下方。
一鈍化層150包括有一汲極接觸孔155、一閘極墊接觸孔(圖中未示)、及一信號墊接觸孔(圖中未示)，鈍化層150係形成於源極電極143、汲極電極146、及信號線140上。汲極接觸孔155暴露出汲極電極146的一部位，以及信號墊接觸孔暴露出信號墊電極。閘極墊接觸孔藉由閘極絕緣層125而暴露出閘極墊電極。
透明導電材料之畫素電極160係形成於鈍化層150上。畫素電極160藉由汲極接觸孔155而接觸於汲極電極146，並且延伸進入儲存區域StgA中，因而重疊於部分的閘極線104。位於儲存區域StgA內之畫素電極160的重疊區域係做為第二儲存電極163。也就是說，部分畫素電極160係重疊於先前之部分閘極線104。第一儲存電容StgC1包括有做為第一儲存電極110之閘極線104的重疊部位，以及一介電材料層，例如為閘極絕緣層125及鈍化層150，係位於第一儲存電極110與第二儲存電極163之間。雖然畫素電極160重疊於部分的修補圖案120，畫素電極160仍與修補圖案120間隔設置。
請參閱「第5圖」，畫素電極160亦重疊於儲存線113與儲存圖案117。第二儲存電容StgC2係與儲存線113及儲存圖案117的重疊部位做為第三儲存電極，畫素電極160的重疊部位做為第四儲存電極，且介電材料層，例如為閘極絕緣層125與鈍化層150，係位在第三儲存電極與第四儲存電極之間。
請再次參閱「第4圖」、「第6圖」、及「第7圖」，藉由閘極墊接觸孔而連接於閘極墊電極之一閘極輔助墊電極(圖中未示)，以及藉由信號墊接觸孔而連接於信號墊電極之一信號輔助墊電極(圖中未示)，皆係形成於鈍化層150上。閘極輔助墊電極與信號輔助墊電極係與畫素電極160使用相同的材質。
當線缺陷(line defect)產生時，舉例而言，當閘極線104與信號線140之交錯部位發生一電性短路，閘極線104與信號線140之交錯部位的外部藉由照射一雷射光線而被切割。雷射切割係於相鄰的二畫素區域P執行。同時，於一畫素區域P中包括有連接於對應之閘極線104的修補圖案120、重疊於對應之修補圖案120的畫素電極160、及重疊於對應之畫素電極160的閘極線104，其係沿著修補圖案120的邊緣及一連接圖案(圖中未示)進行切割，其係藉由一使用雷射光線的化學氣相沉積(chemical vapor deposition，CVD)方法所形成。執行上述之重 疊於對應修補圖案120之畫素電極160以及重疊於對應畫素電極160之閘極線104的切割過程，以防止未重疊於修補圖案120之畫素電極160、各修補圖案120、及連接圖案之間的電性連接。
接著，連接圖案(圖中未示)藉由一化學氣相沉積過程而形成於畫素電極160之一部位上。形成有連接圖案之畫素電極160的此一部位係藉由雷射切割而電性隔離。連接圖案係連接於修補圖案120的一端以及閘極線104的一部位。與連接圖案相連接之閘極線104的此一部位係位在閘極線104之切割線的外部。由於連接圖案，位於電性短路產生部位二側的閘極線104係電性連接於修補圖案120，以使位在一畫素區域P內的線缺陷改變為點缺陷(dot defect)。當部分閘極線104被切除時，連接於電性短路產生部位之薄膜電晶體Tr的汲極電極146亦被切除，以使對應的畫素電極160與薄膜電晶體Tr電性分離。因此，對應的畫素區域P具有一黑色顏色狀態(black-colored state)。對汲極電極146的切割過程可被省去。
「第8圖」為本發明第三實施例之液晶顯示裝置之部分陣列基板的平面示意圖。在此，針對與上述第一實施例之陣列基板不同的元件進行描述說明。於本實施例中，陣列基板的主要特徵在於閘極線，以及位具有修補圖案120(如「第4圖」所示)在陣列基板中。
如「第8圖」所示，一閘極線204與一信號線240相交錯，以在陣列基板201中定義出一畫素區域P。於各畫素區域P形成有包含一閘極電極207、一半導體層230、一源極電極243、及一汲極電極246的薄膜電晶體Tr，且薄膜電晶體Tr連接於閘極線204與信號線240。如「第8圖」所示之薄膜電晶體Tr的形狀，其薄膜電晶體Tr具有”U”型或”□”型形狀的通道。於各畫素區域P的畫素電極260係藉由一汲極接觸孔255而連接於薄膜電晶體Tr之汲極電極246，並且重疊於先前的閘極線204。一閘極墊電極(圖中未示)與一信號墊電極(圖中未示)係分別形成於閘極線204與信號線240之一端。閘極線204之一重疊部位與畫素電極260係做為第一儲存電容StgC1。
閘極線204包括有一第一閘極線204a與一第二閘極線204b。第一閘極線204a具有一直條形狀，第二閘極線204b對應於第一閘極線204a與信號線240的交錯部位。第二閘極線204b一端係連接於第一閘極線204a的一部位，且第二閘極線204b的另一端係連接於第一閘極線204a的另一部位。也就是說，第一閘極線204a的一部位與另一部位係對應於第一閘極線204a與信號線240之交錯部位的外側位置，以使閘極線204具有一孔洞206，係對應於閘極線204與信號線240之交錯部位。也就是說，閘極線204具有位在閘極線204與信號線240之交錯部位的一雙向路徑(two-way path)。
「第9圖」為本發明第四實施例之液晶顯示裝置之部分陣列基板的平面示意圖。如「第9圖」所示，於各畫素區域P更形成有一儲存線213與一儲存圖案217，且儲存圖案217包括有一第一儲存圖案217a與一第二儲存圖案217b。儲存線213實質上係平行於閘極線204。畫素電極260重疊於儲存線213與儲存圖案217，因而形成一第二儲存電容StgC2。
請參閱「第8圖」及「第9圖」，當第一閘極線204a與第二閘極線204b之交錯部位發生一電性短路，一雷射切割過程僅對未具有修補圖案形成過程之電性短路發生(electrical-short-occurred)的閘極線204a或204b予以執行。位於第一閘極線204a與信號線240之間的交錯部位，以及位在第二閘極線204b與信號線240之間的交錯部位，皆很少發生電性短路。因此，藉由電性絕緣以一雷射光線使得閘極線204a或204b產生電性短路，以克服線缺陷。
以下將說明解釋本發明第二實施例之陣列基板的製造方法，以及其餘實施例之陣列基板的製造方法。
「第10A圖」至「第10D圖」為「第5圖」之陣列基板之畫素區域的製造過程的剖面示意圖。「第11A圖」至「第11D圖」為沿著「第5圖」之XI-XI線之製造過程的剖面示意圖。「第12A圖」至「第12D圖」為沿著「第5圖」之XII-XII線之製造過程的剖面示意圖。薄膜電晶體Tr形成為一開關區域TrA，並定義在畫素區域P中。另外，修補圖案120形成為一修補區域RA，以及第一儲存電容StgC1與第二儲存電容StgC2形成為一儲存區域StgA，並且定義在基板101中。
如「第10A圖」、「第11A圖」、及「第12A圖」所示，一第一金屬材料係沉積於基板101上，以形成一金屬材料層(圖中未示)。基板101係以一透明材料所製成。第一金屬材料層藉由一光罩製程以圖案化，以形成閘極線104、閘極電極107，設置於開關區域TrA中，並且連接於閘極線104、及閘極墊電極(圖中未示)，連接於閘極線104一端。光罩製程之步驟包括有：於第一金屬材料層上形成一光阻層(photoresist，PR)層、以一光罩對光阻層進行曝光、對光阻層進行顯影，以形成一光阻圖案、以光阻圖案做為蝕刻罩對第一金屬材料層進行蝕刻、以及除去光阻圖案。
同時，修補圖案120、儲存線113、及包括有第一儲存圖案117a與第二儲存圖案117b之儲存圖案117係形成於基板101上，且其材質與閘極線104相同。修補圖案120係平行於閘極線104，並且具有一直條形狀。儲存線113設置於畫素區域P內，並且實質上平行於閘極線104。第一儲存圖案117a與第二儲存圖案117b自儲存線113的端部延伸形成。修補圖案120設置於閘極線104與儲存圖案117一端之間。修補圖案120具有與閘極線104之間的第一距離d1，約為3微米(μm)至5微米(μm)，以及與儲存圖案117一端之間的第二距離d2，約為3微米(μm)至5微米(μm)。修補圖案120具有一寬度，其係相等或小於位在相鄰第一儲存圖案117a及第二儲存圖案117b之外部線之間的距離。鄰近的第一儲存圖案117a及第二儲存圖案117b係設置於之後形成的信號線二側。
第一實施例與第三實施例之陣列基板省去了儲存線與儲存圖案。儲存線與儲存圖案形成於第二實施例與第四實施例之陣列基板。另外，第三實施例與第四實施例之陣列基板省去了修補圖案，代替修補圖案的是，第三實施例與第四實施例之陣列基板的閘極線，其具有位在閘極線與信號線之交錯部位的雙向路徑，以克服線缺陷。
接著，如「第10B圖」、「第11B圖」、及「第12B圖」所示，一無機絕緣材料，例如為氧化矽(SiO2)及氮化矽(SiNx)，係沉積於基板之形成有閘極線、閘極電極、修補圖案120、儲存線113、及儲存圖案117的外表面上，以形成一閘極絕緣層125。
一本質非晶矽層(圖中未示)、一不純物摻雜非晶矽層(圖中未示)、及一第二金屬材料層(圖中未示)係依序形成於閘極絕緣層125上。第二金屬材料層藉由一反射曝光型態或是半色調(half-tone)型態的光罩製程以圖案化，以於閘極絕緣層125上形成本質非晶矽之主動層130a；以及，在開關區域TrA中，於主動層130a上形成一不純物摻雜非晶矽之歐姆接觸層130b，歐姆接觸層130b上形成一源極電極143，及歐姆接觸層130b上形成一汲極電極146。源極電極143與汲極電極146係間隔設置。主動層130a與歐姆接觸層130b被稱為半導體層130。同時，信號線140交錯於閘極線104，以定義出畫素區域P，係形成於閘極絕緣層125上方。信號線140亦交錯於修補圖案120。包括有一第一圖案133a與一第二圖案133b的半導體圖案133係設置於閘極絕緣層125與信號線140之間。然而，半導體圖案133可在製造過程中被省去。也就是說，若是在第二金屬材料層形成於半導體層130上並且圖案化，以形成源極電極143、汲極電極146、與信號線140的步驟之前，半導體層130藉由一光罩製程而形成，信號線140係直接設置於位具有半導體圖案133之閘極絕緣層125上。此外，信號墊電極(圖中未示)同時形成於信線140的一端。
接著，如「第10C圖」、「第11C圖」、及「第12C圖」所示，一無機絕緣材料沉積於基板之形成有信號線140、源極電極143、與汲極電極146的外表面上，因而形成鈍化層150。鈍化層150藉由一光罩製程而圖案化，以形成汲極接觸孔155、閘極墊接觸孔(圖中未示)、及信號墊接觸孔(圖中未示)。汲極接觸孔155暴露出汲極電極146的一部位，以及信號墊接觸孔暴露出信號墊電極。閘極墊接觸孔藉由閘極絕緣層125而暴露出閘極墊電極。要形成閘極墊接觸孔，鈍化層150與閘極絕緣層125皆要藉由光罩製程以圖案化。
接著，如「第10D圖」、「第11D圖」、及「第12D圖」所示，一透明導電材料，例如為氧化銦錫(indium-tin-oxide，ITO)或是一氧化銦鋅(indium-zinc-oxide，IZO)，係沉積於形成有汲極接觸孔155、閘極墊接觸孔(圖中未示)、及信號墊接觸孔的 鈍化層150上，因而形成一透明導電材料層(圖中未示)。透明導電材料層藉由一光罩製程而圖案化，以於各畫素區域P中形成畫素電極160。畫素電極160藉由汲極接觸孔155而與汲極電極146相接觸。畫素電極160重疊於先前的閘極線104、儲存線113、與儲存圖案117。閘極線104的重疊部位與畫素電極160在儲存區域StgA中形成第一儲存電容StgC1。位在儲存線113與畫素電極160之間的重疊部位，及位在儲存圖案117與畫素電極160之間的重疊部位，係在儲存區域StgA中形成第二儲存電容StgC2。在第一儲存電容StgC1中，閘極線104之重疊部位係做為第一儲存電極110，畫素電極160之重疊部位係做為第二儲存電極163，位在第一儲存電極110及第二儲存電極163之間的閘極絕緣層125與鈍化層150係做為介電材料層。在第二儲存電容StgC2中，儲存線113與儲存圖案117之重疊部位係做為第三儲存電極，畫素電極160的重疊部位係做為第四電極，位在第三儲存電極與第四儲存電極166之間的閘極絕緣層125與鈍化層150係做為介電材料層。由於第一實施例及第三實施例的儲存線與儲存圖案並未形成於陣列基版上，因此並無第二儲存電容。
「第13圖」為本發明第五實施例之部分陣列基板於修補過程後的平面示意圖。「第14A圖」至「第14D圖」為「第13圖」之對陣列基板進行修補過程之平面示意圖。「第15A圖」至「第15D圖」為沿著「第13圖」之XV-XV線之修補過程的剖面示意圖。「第16A圖」至「第16D圖」為沿著「第13圖」之XVI-XVI線之修補過程的剖面示意圖。如「第13圖」至「第16D圖」所示，以下將解釋說明本發明之陣列基板的修補過程。
「第13圖」所示為閘極線104與信號線140之交錯部位(重疊部位)產生一電性短路。發生電性短路的重疊部位係定義為一短路產生區域SGR。對閘極線104照射一雷射光線，以於短路產生區域SGR的兩側形成一第一雷射光線照射區域LCA1。位於短路產生區域SGR兩側的閘極線104藉由雷射光線的照射而與短路產生區域SGR電性分離。複數個第一溝槽hm1係形成於閘極線104上，且複數個第二溝槽hm2係形成於修補圖案120上。第一溝槽hm1係設置於第一雷射光線照射區域LCA1的外側。也就是說，第一雷射光線照射區域LCA1係設置於短路產生區域SGR與第一溝槽hm1之間。第二溝槽hm2係設置於修補圖案120的端部。第一溝槽hm1與第二溝槽hm2分別暴露出閘極線104與修補圖案120。
接觸於閘極線104的第一接觸圖案173(如「第16C圖」所示)及接觸於修補圖案120的第二接觸圖案174(如「第16C圖」所示)，係分別形成於第一溝槽hm1與第二溝槽hm2內。也就是說，第一溝槽hm1與第二溝槽hm2填充有第一接觸圖案173與第二接觸圖案174。形成與第一接觸圖案173及第二接觸圖案174相連接的連接圖案175，以使閘極線104藉由連接圖案175而與修補圖案120電性連接。
於上述的陣列基板中，當閘極線104與信號線140之交錯部位(重疊部位)產生電性短路時，閘極線104連接於發生有電性短路的重疊部位而電性分離。接著，位於交錯部位二側之閘極線104的部位發生有電性短路，並藉由連接圖案175而相互電性連接，因而克服因電性短路所造成的線缺陷。連接圖案175係直接形成於畫素電極160上。因此，可藉由連接圖案175防止閘極線104與畫素電極160之間的電性短路。在形成連接圖案175之前，重疊於對應之修補圖案120的畫素電極160，以及重疊於對應之畫素電極160的閘極線104，係使用一雷射光線沿著修補圖案120的邊緣及一連接圖案175切割。由於形成有連接圖案175之畫素電極160的一部位係與畫素電極160的其餘部位電性分離，而未於閘極線104與畫素電極160之間具有電性短路。畫素電極160之雷射光線照射區域係做為第二雷射光線照射區域LCA2。
另外，形成於薄膜電晶體Tr之汲極電極146中的一第三雷射光線照射區域LCA3亦照射一雷射光線，其係連接於閘極線104與信號線140之產生有電性短路的交錯部位。於是，薄膜電晶體Tr與畫素電極160相分離。因此，由相對應之閘極線104與信號線140定義出位在畫素區域P內的畫素電極160，並未接收一影像訊號，以使對應的畫素區域P具有一黑色顏色狀態(black-colored state)。因此，自閘極線104與信號線140之間的電性短路所產生的線缺陷(line defect)因而改變為點缺陷(dot defect)。
更詳細的說，以矩陣型態排列的第四畫素區域P中，當電性短路產生於閘極線104與信號線140的交錯部位，位在第一列與第二行的一第二畫素區域P係處理形成一黑色顏色畫素區域。閘極線104與信號線140係交錯於矩陣形狀。一修補過程係以一修補圖案120設置於位在第二列與第一行之畫素區域及位在第二列與第二行之第四畫素區域上而與以執行。位在第二畫素區域P內的汲極電極146被切割。
如「第14A圖」、「第15A圖」、及「第16A圖」所示，於基板101中，一電性短路產生於位在閘極線104與信號線140之間的短路產生區域(重疊部位)SGR。閘極線104包括有二切割區域，係為設置在閘極線104與信號線140之重疊部位外側的第一雷射照射區域LCA1。使用一雷射光線照射單元對第一雷射照射區域LCA1照射一雷射光線，以切割閘極線104。因此，短路產生區域SGR與閘極線104電性隔離。同時，汲極電極146包括有一切割區域，係為第三雷射光線照射區域LCA3。藉由一雷射光線照射至第三雷射光線照射區域LCA3以切割汲極電極146，以使畫素電極160與薄膜電晶體Tr電性分離。
接著，如「第14B圖」、「第15B圖」、及「第16B圖」所示，藉由一雷射光線對第二雷射光線照射區域LCA2進行照射，以使重疊於對應之修補圖案120的畫素電極160及重疊於對應之畫素電極160的閘極線104沿著修補圖案120的邊緣及連接圖案175進行切割，使得畫素電極160的一部位與畫素電極160的其餘部位電性分離。
接著，如「第14C圖」、「第15C圖」、及「第16C圖」所示，複數個第一溝槽hm1及複數個第二溝槽hm2係藉由照射一雷射光線而分別形成於閘極線104與修補圖案120上。第一溝槽hm1係設置於第一雷射光線照射區域LCA1的外側。也就是說，第一雷射光線照射區域LCA1係設置在短路產生區域SGR與各第一溝槽hm1之間。第二溝槽hm2係設置於修補圖案120的二側。第一溝槽hm1與第二溝槽hm2分別暴露出閘極線104與修補圖案120。雷射光線用以形成第一溝槽hm1與第二溝槽hm2，其係以不同的雷射光線切割閘極線104。根據一個事實，舉例而言，一來源係用以產生雷射光線、波克斯(pocus)、一電力、或是一照射持續時間。藉由控制此一事實，僅有一無機絕緣材料層，或是無機絕緣材料層與無機絕緣層被去除。因此，藉由控制此一事實而形成暴露出閘極線104的第一溝槽hm1，以及暴露出修補圖案120的第二溝槽hm2。
於此之後，藉由一化學氣相沉積修補裝置(圖中未示)而使用一雷射光線，以形成對應於第一溝槽hm1之第一接觸圖案173，以及對應於第二溝槽hm2之第二接觸圖案174。第一溝槽hm1與第二溝槽hm2係分別填充第一接觸圖案173及第二接觸圖案174。
接著，如「第14D圖」、「第15D圖」、及「第16D圖」所示，連接圖案175連接於位在閘極線104的第一接觸圖案173及位在修補圖案120的第二接觸圖案174，係藉由化學氣相沉積修補裝置而形成於畫素電極160上。連接圖案175係接觸於第一接觸圖案173與第二接觸圖案174。在化學氣相沉積修補裝置與基板101之間具有氣體的條件下，化學氣相沉積修補裝置之雷射光線照射至基板101，氣體與雷射光線反應，以使一光學分解產生於氣體中。因此，光學分解氣體沉積於基板1011之雷射光線照射的部位上，以形成連接圖案175、第一接觸圖案173、與第二接觸圖案174。舉例而言，氣體可為六羰鎢(tungsten hexacarbonyl，W(CO)6)，且連接圖案175係以鎢基(tungsten-base)材料所形成。雖然第一接觸圖案173與第二接觸圖案174係以不同的步驟自連接圖案175形成，第一接觸圖案173、第二接觸圖案174、及連接圖案175可以相同的步驟形成。
雷射光線照射過程可藉由化學氣相沉積修補裝置精確的控制，以形成期望的圖案。由於雷射光線的照射持續時間非常短，以化學氣相沉積修補裝置形成的連接圖案175具有相對小的厚度，使得表面條件，特別是步驟的不同，其形成連接圖案175相當重要。若連接圖案175形成於閘極線104或是信號線140上，連接圖案175將中止，因而產生其他的缺陷。因此，位在短路產生區域SGR二側的閘極線104部位藉由修補圖案120之迂迴道(roundabout way)而電性連接，修補圖案120係與閘極線104位在同一層上，且修補圖案120的材料與閘極線104相同。
另一方面，如「第17圖」所示之本發明第六實施例之部分陣列基板於修補過程後的平面示意圖，第一閘極線204a與信號線240之交錯部位產生有電性短路。產生電性短路的部位定義為短路產生區域SGR。如第三實施例與第四實施例的具體描述，閘極線204包括有第一閘極線204a與第二閘極線204b。閘極線204具有位在閘極線204與信號線240之交錯部位的雙向路徑。薄膜電晶體的通道具有”U”型形狀。
於本實施例中，第一閘極線204a與第二閘極線204b交錯於信號線240。因此，為了修補電性短路問題，僅有執行分離過程或是切割過程不需使用雷射光線的化學氣相沉積修補裝置。閘極線204與汲極電極246的分離過程係與「第14A圖」及「第14B圖」所述的過程相同。
於本發明中，當閘極線與信號線的交錯部位產生電性短路時，可藉由上述實施例中的修補過程，以將線缺陷改變為點缺陷，而克服電性短路的問題。因而可提高生產產量。
雖然本發明以前述之較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何熟習相像技藝者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作些許之更動與潤飾，因此本發明之專利保護範圍須視本說明書所附之申請專利範圍所界定者為準。
10．．．陣列基板
12．．．第一基板
14．．．閘極線
15．．．閘極電極
16．．．信號線
18．．．畫素電極
20．．．彩色濾光片基板
22．．．第二基板
23．．．半導體層
25．．．黑色矩陣
26．．．彩色濾光層
26a．．．第一次彩色濾光片
26b．．．第二次彩色濾光片
26c．．．第三次彩色濾光片
28．．．共通電極
30．．．液晶層
36．．．汲極電極
40．．．半導體層
43．．．源極電極
47．．．汲極電極
101．．．陣列基板
104．．．閘極線
107．．．閘極電極
110．．．第一儲存電極
113．．．儲存線
117．．．儲存圖案
117a．．．第一儲存圖案
117b．．．第二儲存圖案
120．．．修補圖案
125．．．閘極絕緣層
130．．．半導體層
130a．．．主動層
130b．．．歐姆接觸層
133．．．半導體圖案
133a．．．第一圖案
133b．．．第二圖案
140．．．信號線
143．．．源極電極
146．．．汲極電極
150．．．鈍化層
155．．．汲極接觸孔
160．．．畫素電極
163．．．第二儲存電極
166．．．第四儲存電極
173．．．第一接觸圖案
174．．．第二接觸圖案
175．．．連接圖案
201．．．陣列基板
204．．．閘極線
204a．．．第一閘極線
204b．．．第二閘極線
206．．．孔洞
207．．．閘極電極
213．．．儲存線
217．．．儲存圖案
217a．．．第一儲存圖案
217b．．．第二儲存圖案
230．．．半導體層
240．．．信號線
243．．．源極電極
246．．．汲極電極
255．．．汲極接觸孔
260．．．畫素電極
CL．．．切割線
CP．．．連接部位
d1．．．第一距離
d2．．．第二距離
hm1．．．第一溝槽
hm2．．．第二溝槽
LCA1．．．第一雷射光線照射區域
LCA2．．．第二雷射光線照射區域
LCA3．．．第三雷射光線照射區域
P．．．畫素區域
Tr．．．薄膜電晶體
TrA‧‧‧開關區域
StgA‧‧‧儲存區域
StgC‧‧‧儲存電容
StgC1‧‧‧第一儲存電容
StgC2‧‧‧第二儲存電容
SGR‧‧‧短路產生區域
RA‧‧‧修補區域
第1圖為習知技術之液晶顯示裝置之分解示意圖；
第2圖為習知技術之液晶顯示裝置之部分陣列基板之平面示意圖；
第3圖為習知技術之液晶顯示裝置之陣列基板之修補過程的平面示意圖；
第4圖為本發明第一實施例之液晶顯示裝置之部分陣列基板之平面示意圖；
第5圖為本發明第二實施例之液晶顯示裝置之部分陣列基板之平面示意圖；
第6圖為沿著第4圖之Ⅵ-Ⅵ線之剖面示意圖；
第7圖為沿著第4圖之Ⅶ-Ⅶ線之剖面示意圖；
第8圖為本發明第三實施例之液晶顯示裝置之部分陣列基板之平面示意圖；
第9圖為本發明第四實施例之液晶顯示裝置之部分陣列基板之平面示意圖；
第10A圖至第10D圖為第5圖之陣列基板之畫素區域的製造過程的剖面示意圖；
第11A圖至第11D圖為沿著第5圖之XI-XI線之製造過程的剖面示意圖；
第12A圖至第12D圖為沿著第5圖之XII-XII線之製造過程的剖面示意圖；
第13圖為本發明第五實施例之部分陣列基板於修補過程後之平面示意圖；
第14A圖至第14D圖為第13圖之對陣列基板進行修補過程之平面示意圖；
第15A圖至第15D圖為沿著第13圖之XV-XV線之修補過程的剖面示意圖；
第16A圖至第16D圖為沿著第13圖之XVI-XVI線之修補過程的剖面示意圖；以及
第17圖為本發明第六實施例之部分陣列基板於修補過程後之平面示意圖。
101．．．陣列基板
104．．．閘極線
107．．．閘極電極
120．．．修補圖案
130．．．半導體層
140．．．信號線
143．．．源極電極
146．．．汲極電極
155．．．汲極接觸孔
160．．．畫素電極
d1．．．第一距離
P．．．畫素區域
Tr．．．薄膜電晶體
StgC1．．．第一儲存電容

Claims (3)

  1. 一種液晶顯示裝置之具有缺陷的陣列基板之修補方法，包括以下步驟：沿著一基板形成一閘極線及具有條狀形狀之一修補圖案於該基板上，且該修補圖案與該閘極線相平行並間隔設置；形成一信號線交錯於該閘極線及該修補圖案，且藉由該閘極線與該信號線之交錯以定義出具有矩陣形狀之複數個畫素區域；形成複數個薄膜電晶體於該畫素區域內；形成複數個畫素電極於各該畫素區域內，並與該等薄膜電晶體相連接；對環繞於該閘極線與該信號線之一重疊部位的複數個第一部位照射一第一雷射光線，當該重疊部位產生一電性短路時，該重疊部位與該閘極線電性分離；對鄰近於該等第一部位與該修補圖案之複數個第二部位照射一第二雷射光線，以形成複數個第一溝槽及複數個第二溝槽，該等第一溝槽僅僅暴露該等第二部位，該等第二溝槽僅僅暴露該修補圖案之端部；照射一第三雷射光線，並藉由一化學氣相沉積修補裝置而於各該第一溝槽形成一第一接觸圖案，及於各該第二溝槽形成一第二接觸圖案；以及照射該第三雷射光線之步驟以後，藉由該化學氣相沉積修 補裝置以形成一連接圖案，且該連接圖案係與該第二接觸圖案連接於該第一接觸圖案，其中該畫素電極與該修補圖案之一部分重疊，該畫素電極與該閘極線之一部分重疊，以及其中該第一與第二接觸圖案各自具有一點狀，該連接圖案具有一條狀。
  2. 如請求項1所述之液晶顯示裝置之具有缺陷的陣列基板之修補方法，更包括有對該薄膜電晶體的一部位照射該第一雷射光線，以使該畫素電極與該薄膜電晶體電性分離。
  3. 如請求項1所述之液晶顯示裝置之具有缺陷的陣列基板之修補方法，更包括有對位在沿著該連接圖案之一邊緣之各該畫素區域內的該畫素電極照射該第一雷射光線，以使該畫素電極之一部位與該畫素電極之其餘部位電性分離。
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