CN103135297B - 一种薄膜晶体管液晶显示装置及其断线数据线修复方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种薄膜晶体管液晶显示装置，包括：基板、栅极线、共通线、栅极绝缘层、数据线、源极、漏极和像素电极，所述共通线包括沿第一方向设置的第一共通线和沿第二方向设置的第二共通线；所述第一共通线上设置有切断标记，所述切断标记位于所述第二共通线两侧且邻近所述第二共通线；所述像素电极在与所述切断标记对应的位置设置有切断区缺口，在所述切断标记处切断所述第一共通线的过程中，不会触碰到所述像素电极。在修复断线数据线的过程中，可以精确地判断需切割的位置，并且由于在所述像素电极上设置有切断区缺口，所以切断第一共通线时，可以根据切断标记避开像素电极，避免将像素电极和第一共通线焊接到一起，进而提高修复成功率。

Description

一种薄膜晶体管液晶显示装置及其断线数据线修复方法

技术领域

本发明属于液晶显示领域，尤其涉及一种薄膜晶体管液晶显示装置及其断线数据线修复方法。

背景技术

在制作薄膜晶体管液晶显示装置(TFT-LCD，ThinFilmTransistor-LiquidCrystalDisplay)的工艺过程中，由于成膜质量的好坏、环境的洁净度、划伤、设备影响等问题都不可避免的产生线路断路，具体包括与薄膜晶体管栅极连接的扫描线断路和给像素电极提供电压的数据线断路。无论是在显示区域内还是显示区域外线断路引起的线缺陷，都会导致液晶显示装置的显示品质大大降低。

为了修复薄膜晶体管液晶显示装置在显示区域内的数据线断路引起的线缺陷，通常会在显示区域内设置一根、两根或三根修复环的方式来修复显示区域内断线数据线导致的线缺陷，但受于空间限制，修复环只能修复数量有限的显示区域内断线数据线。另外一种修复薄膜晶体管液晶显示装置在显示区域内的数据线断路引起的线缺陷的方法，即为通过共通线来修复断线数据线，具体的，如图1所示，两根栅极线G1、G2和两根数据线D1、D2确定了一个像素，像素电极P对应着每个像素设置，共通线对应着每个像素，包括沿第一方向设置的第一共通线C1和沿第二方向设置的第二共通线C2，所述第一共通线C1和第二共通线C2为一整体结构，数据线在断路位置1处发生断路，修复方法为：在切断位置601处把断路数据线D1所在像素的第一共通线C1切断，使第二共通线C2与所述第一共通线断路，再在第一焊接位置602处用激光将数据线D1和第二共通线C2焊接在一起，同时，在第二焊接位置603处，将与断线数据线D1对应像素的漏极和栅极焊接到一起。

但是，在实际修复时，由于需要在TFT(ThinFilmTransistor)基板的玻璃背侧进行切割和焊接，所以，切断第一共通线的过程中，无法回避第一共通线和像素电极重叠的位置，致使激光切割时将第一共通线和像素电极焊接到一起，导致修复失败。虽然可以通过激光能量调节，选择在切割位置的激光能量，但是，由于执行修复工作的都是生产线的一线员工，对设备的调整能力有限，无法及时进行调节，修复成功率较低。

发明内容

有鉴于此，本发明的目的在于提供一种薄膜晶体管液晶显示装置及其断线数据线的修复方法，以解决现有的薄膜晶体管液晶显示装置在修复断线数据线的时候，修复成功率较低的问题。

该薄膜晶体管液晶显示装置，包括：

基板、栅极线、共通线、栅极绝缘层、数据线、源极、漏极和像素电极；

所述共通线包括沿第一方向设置的第一共通线和沿第二方向设置的第二共通线，所述第一共通线和第二共通线为一整体结构；

所述第一共通线上设置有切断标记，所述切断标记位于所述第二共通线两侧且邻近所述第二共通线；

所述像素电极在与所述切断标记对应的位置设置有切断区缺口，在所述切断标记处切断所述第一共通线的过程中，不会触碰到所述像素电极。

优选的，所述切断标记具有沿所述第一共通线且凹进所述第一共通线的图形。

优选的，所述图形为圆弧形。

优选的，所述图形为矩形。

优选的，所述图形为三角形。

优选的，所述切断标记具有在所述第一共通线内且贯通所述第一共通线的图形。

优选的，所述图形为圆形。

优选的，所述图形为矩形。

优选的，所述图形为三角形。

一种上述薄膜晶体管液晶显示装置断线数据线的修复方法，包括：

确定断线数据线及其所对应的像素；

在所述断线数据线对应的切断标记处切断第一共通线，使与所述断线数据线对应的第二共通线与第一共通线断路；

焊接所述断线数据线和与其对应的第二共通线，使所述第二共通线导通所述断线数据线；

焊接与所述断线数据线对应的栅极和漏极，使所述栅极和漏极导通。

由于本发明所提供的薄膜晶体管液晶显示装置的共通线包括沿第一方向设置的第一共通线和沿第二方向设置的第二共通线，所述第一共通线和第二共通线为一整体结构；所述第一共通线上设置有切断标记，所述切断标记位于所述第二共通线两侧且邻近所述第二共通线；所述像素电极在与所述切断标记对应的位置设置有切断区缺口；在所述切断标记处切断所述第一共通线的过程中，不会触碰到所述像素电极。

可见，在修复断线数据线的过程中，切断第一共通线时，可以精确地判断需切割的位置，并且由于在所述像素电极上设置有切断区缺口，在切断标记处切断所述第一共通线的过程中，不会触碰到所述像素电极，所以切断第一共通线时，可以根据切断标记避开像素电极，避免将像素电极和第一共通线焊接到一起，进而提高修复成功率。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是现有的薄膜晶体管液晶显示装置结构示意图；

图2是本发明所提供的一种薄膜晶体管液晶显示装置结构示意图；

图3是本发明所提供的另一种薄膜晶体管液晶显示装置结构示意图；

图4是本发明所提供的一种修复薄膜晶体管液晶显示装置数据线断线的示意图；

图5是本发明所提供的一种生产薄膜晶体管液晶显示装置的流程图。

具体实施方式

为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

正如背景技术所述，在实际修复数据线断线的薄膜晶体管液晶显示装置时，由于需要在TFT基板的玻璃背侧进行切割和焊接，所以，切断第一共通线的过程中，无法回避第一共通线和像素电极重叠的位置，致使激光切割时将第一共通线和像素电极焊接到一起，导致修复失败。虽然可以通过激光能量调节，选择在切割位置的激光能量，但是，由于执行修复工作的都是生产线的一线员工，对设备的调整能力有限，无法及时进行调节，修复成功率较低。

发明人经研究发现，可以在第一共通线上做出标记，以在修复数据线断线的薄膜晶体管液晶显示装置时，确定第一共通线切断的具体位置，并相应的设置像素电极，以在修复数据线断线的薄膜晶体管液晶显示装置时，避开像素电极，避免第一共通线和像素电极短路，提高修复成功率。

本发明公开了一种薄膜晶体管液晶显示装置，包括：

基板、栅极线、共通线、栅极绝缘层、数据线、源极、漏极和像素电极，并且，所述共通线包括沿第一方向设置的第一共通线和沿第二方向设置的第二共通线，所述第一共通线和第二共通线为一整体结构；所述第一共通线上设置有切断标记，所述切断标记位于所述第二共通线两侧且邻近所述第二共通线；所述像素电极在与所述切断标记对应的位置设置有切断区缺口，在所述切断标记处切断所述第一共通线的过程中，不会触碰到所述像素电极。

由上述方案可以看出，在修复断线数据线的过程中，切断第一共通线时，可以精确地判断需切割的位置，并且由于在所述像素电极上设置有切断区缺口，在切断标记处切断所述第一共通线的过程中，不会触碰到所述像素电极，所以切断第一共通线时，可以根据切断标记避开像素电极，避免将像素电极和第一共通线焊接到一起，进而提高修复成功率。

以上是本申请的核心思想，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明，但是本发明还可以采用其他不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似推广，因此本发明不受下面公开的具体实施例的限制。

实施例一：

本实施例公开了一种薄膜晶体管液晶显示装置，包括：

基板、栅极线、共通线、栅极绝缘层、数据线、源极、漏极和像素电极，并且，所述共通线包括沿第一方向设置的第一共通线和沿第二方向设置的第二共通线，所述第一共通线和第二共通线为一整体结构；所述第一共通线上设置有切断标记，所述切断标记位于所述第二共通线两侧且邻近所述第二共通线；所述像素电极在与所述切断标记对应的位置设置有切断区缺口，在所述切断标记处切断所述第一共通线的过程中，不会触碰到所述像素电极。

具体设置如图2所示：

基板(图中未示出)，所述基板为玻璃基板或是其他材料的基板。

栅极线G11、G12和共通线，所述栅极线G11、G12和共通线设置在第一金属层，所述第一金属层设置在基板表面上。

具体的，所述共通线对应着每个像素，包括沿第一方向设置的第一共通线C11和沿第二方向设置的第二共通线C12，所述第一共通线C11和第二共通线C12为一整体结构，且所述第一共通线C11在第一方向上导通，第二共通线C12为第一共通线C11在第二方向的延展，所述第一共通线C11和第二共通线C12在其对应的每个像素内呈U形结构，在所述第一共通线C11上设置有切断标记X，所述切断标记X位于所述第二共通线C12两侧且邻近所述第二共通线C12。

更具体的，所述切断标记X具有沿所述第一共通线C11且凹进所述第一共通线C11的图形，且所述图形为圆弧形，所述图形还可以为矩形、三角形或其他可以起到标示作用的图形，需要说明的是，所述切断标记X的规格需适中，不能太小使得操作人员不易辨认，更不能太大而影响液晶显示装置整体的显示效果。

另外，所述栅极线上设置有栅极。

栅极绝缘层(图中未示出)，所述栅极绝缘层设置在第一金属层表面上，在位于所述栅极线的栅极上方的栅极绝缘层表面上设置有硅岛(图中未示出)。

第二金属层，所述第二金属层设置在栅极绝缘层表面上，且所述第二金属层内设置有数据线D11和D12，在所述数据线上设置有源极和漏极，所述漏极的部分和源极均设置在硅岛表面上，且所述硅岛与栅极、源极、漏极一起构成了TFT，多条数据线和多条栅极线确定多个像素区。

钝化层(图中未示出)，所述钝化层设置在第二金属层表面上，且所述钝化层内设置有接触孔。

第三金属层，所述第三金属层设置在钝化层表面上，为透明的氧化铟锡层，且在所述第三金属层内设置有像素电极P11，所述像素电极P11在与所述切断标记X对应的位置设置有切断区缺口X-1，在所述切断标记X处切断所述第一共通线C11的过程中，不会触碰到所述像素电极P11，另外，所述像素电极P11通过接触孔与漏极电连接。

需要说明的是，所述切断区缺口X-1为矩形，另外所述切断区缺口X-1还可以为三角形、半圆形等其他形状，需要说明的是，所述切断区缺口X-1的规格需适中，不能太小使得切断第一共通线C11的时候碰触到像素电极P11，更不能太大而影响液晶显示装置整体的显示效果。

由于本发明所提供的薄膜晶体管液晶显示装置的第一共通线C11上设置有切断标记X，所述切断标记X位于所述第二共通线C12两侧且邻近所述第二共通线C12；所述像素电极P11在与所述切断标记X对应的位置设置有切断区缺口X-1；在所述切断标记X处切断所述第一共通线C11的过程中，不会触碰到所述像素电极P11。

可见，若数据线D11发生断路，在修复断线数据线D11的过程中，切断第一共通线C11时，可以精确地判断需切割的位置，并且由于在所述像素电极P11上设置有切断区缺口X-1，在切断标记X处切断所述第一共通线C11的过程中，不会触碰到所述像素电极P11，所以切断第一共通线C11时，可以根据切断标记X避开像素电极P11，避免将像素电极P11和第一共通线C11焊接到一起，进而提高修复成功率。

此外，本实施例所述切断标记X还可以具有沿所述第一共通线C11且凸出所述第一共通线C11的图形，但是所述切断标记X的目的在于确定切割第一共通线C11的具体位置，若所述切断标记X还可以具有沿所述第一共通线C11且凸出所述第一共通线C11的图形，则会增大切割面积，不利于切割第一共通线C11，并且相应的会影响到像素电极P11，不利于薄膜晶体管液晶显示装置的显示。

实施例二：

本实施例与实施例一不同之处在于，如图3所示，在所述第一共通线C21上设置有切断标记X1，且所述切断标记X1具有在所述第一共通线C21内且贯通所述第一共通线C21的图形，且所述图形为圆形，另外，所述图形还可以为矩形、三角形或其他可以起到标示作用的切断标记图形，需要说明的是，所述切断标记X1的规格需适中，不能太小使得操作人员不易辨认，更不能太大而影响液晶显示装置整体的显示效果。

在修复断线数据线的过程中，切断第一共通线C21时，可以根据切断标记X1精确地判断需切割的位置，并且由于在所述像素电极上设置有切断区缺口，在切断标记处切断所述第一共通线C21的过程中，不会触碰到所述像素电极，所以切断第一共通线C21时，可以根据切断标记X1避开像素电极P21，避免将像素电极P21和第一共通线C21焊接到一起，进而提高修复成功率。

实施例三：

本实施例公开了一种实施例一所公开的液晶显示装置断线数据线的修复方法，该方法包括：

对液晶显示装置加电测试，确定断线数据线及其所对应的像素，如图4所示，确定断线数据线D11-1，激光切割所述切断标记X’所标示出的切断位置101，将所述第一共通线C11-1切断，使得第二共通线C12-1与第一共通线C11-1断路，再在第一焊接位置102处用激光将数据线D11-1和第二共通线C12-1焊接在一起，同时，在第二焊接位置103处，将与断线数据线D11-1对应像素的漏极和栅极焊接到一起。

至此，放弃了一段共通线，并且将断线数据线所对应的像素打成了暗点，修复成功。

由于在修复断线数据线的过程中，首先确定了第一共通线需要切断的具体位置，可以精确地判断需切割的位置，并且由于在所述像素电极上设置有切断区缺口，在切断标记处切断所述第一共通线的过程中，不会触碰到所述像素电极，所以切断第一共通线时，可以根据切断标记避开像素电极，避免将像素电极和第一共通线焊接到一起，进而提高修复成功率。

实施例四：

本实施例公开了一种上述实施例所提供的薄膜晶体管液晶显示器阵列基板的制作方法，如图5所示，该制作方法包括：

步骤S1、提供基板，在所述基板表面上形成第一金属层，并对第一金属层进行刻蚀，形成栅极线和共通线。

具体的，所述基板为玻璃基板或是其他材料的基板。

在所述基板表面上形成栅极线和共通线具体包括：

在所述基板表面上采用等离子溅射方式形成第一金属层，即首先将所述基板放入反应腔中，高能粒子撞击具有高纯度的靶材料固体平板，按物理过程撞出原子，这些被撞出的原子穿过真空，最后淀积在基板表面，得到第一金属层。但是第一金属层的形成并不仅限于等离子溅射方式，还可以利用其他的物理气相淀积方式形成，在此不做详细描述。然后再对第一金属层进行光刻，即在所述第一金属层上旋涂光刻胶，形成光刻胶层，利用具有栅极线和共通线图案的掩模版进行曝光，在光刻胶层上形成栅极线和共通线图案，经显影后，在光刻胶层上形成栅极线和共通线图形，以具有栅极线和共通线图形的光刻胶层为掩膜，经干法刻蚀或湿法腐蚀等工艺得到栅极线和共通线，所述共通线的第一共通线上设置有切断标记，所述切断标记位于所述共通线的第二共通线两侧且邻近所述第二共通线，所述栅极线设置有栅极。

需要说明的是，本实施例中所述“栅极线和共通线图案”为在光刻胶层表面上的二维的栅极线和共通线图案，图案区域只限于光刻胶层表面而不向表面下延伸，不具有立体形状；所述“栅极线和共通线图形”为具有立体形状的三维图形，该图形的厚度为光刻胶层的厚度。

步骤S2、在栅极线、共通线和基板表面上形成栅极绝缘层，并在栅极绝缘层表面上形成非晶硅层，对所述非晶硅层进行刻蚀，形成硅岛。

具体的，在所述栅极线、共通线和基板表面上采用化学气相淀积方式形成栅极绝缘层，即首先将表面设置有栅极线和共通线的基板放入反应腔中，气体先驱物传输到基板表面进行吸附作用和反应，然后将反应的副产物移除，得到栅极绝缘层。但是栅极绝缘层的形成并不仅限于化学气相淀积方式，还可以利用其他的物理气相淀积等方式形成，在此不做详细描述。所述栅极绝缘层为SiN_x层，并通过相同的工艺在栅极绝缘层表面上形成非晶硅层，对所述非晶硅层进行光刻，在与栅极相对应的位置形成硅岛。

步骤S3、在硅岛和栅极绝缘层表面上形成第二金属层，并对第二金属层进行刻蚀，形成数据线、源极和漏极。

具体的，采用物理气相淀积工艺在所述硅岛和栅极绝缘层表面上形成第二金属层，之后，采用光刻工艺在所述第二金属层内形成数据线、源极和漏极，所述数据线和源极为一整体结构。

步骤S4、在所述数据线、源极、漏极和栅极绝缘层表面上形成钝化层，对所述钝化层进行刻蚀，形成接触孔。

具体的，采用化学气相淀积工艺在所述数据线、共通线和栅极绝缘层表面上形成钝化层，之后，采用光刻工艺在所述钝化层内形成接触孔，所述接触孔位于漏极上方的钝化层内。

步骤S5、在所述钝化层表面上形成第三金属层，对所述第三金属层进行刻蚀，形成像素电极。

所述像素电极在与所述切断标记对应的位置设置有切断区缺口，在所述切断标记处切断所述第一共通线的过程中，不会触碰到所述像素电极。

具体的，采用物理气相淀积工艺在所述钝化层表面上形成第三金属层，所述第三金属层为透明金属层，制作材料优选为氧化铟锡，之后，采用光刻工艺在第三金属层上形成像素电极，所述像素电极通过接触孔和漏极电连接。

需要说明的是，若生产的是实施例一所公开的薄膜晶体管液晶显示装置，则所述切断标记具有沿所述第一共通线且凹进所述第一共通线的图形；若生产的是实施例二所公开的薄膜晶体管液晶显示装置，则所述切断标记具有在所述第一共通线内且贯通所述第一共通线的图形。

可见，任一实施例所公开的薄膜晶体管液晶显示装置的生产不会增加任何额外步骤，即不会增加生产成本，而且在修复断线数据线时，首先确定了第一共通线需要切断的具体位置，可以精确地判断需切割的位置，并且由于在所述像素电极上设置有切断区缺口，在切断标记处切断所述第一共通线的过程中，不会触碰到所述像素电极，所以切断第一共通线时，可以根据切断标记避开像素电极，避免将像素电极和第一共通线焊接到一起，进而提高修复成功率。

本说明书中各个部分采用递进的方式描述，每个部分重点说明的都是与其他部分的不同之处，各个部分之间相同相似部分互相参见即可。

对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本发明将不会被限制于本文所示的实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。

Claims (6)

1.一种薄膜晶体管液晶显示装置，包括：基板、栅极线、共通线、栅极绝缘层、数据线、源极、漏极和像素电极，其特征在于：

所述共通线包括沿第一方向设置的第一共通线和沿第二方向设置的第二共通线，所述第一共通线和第二共通线为一整体结构；

所述第一共通线上设置有切断标记，所述切断标记位于所述第二共通线两侧且邻近所述第二共通线；

所述像素电极在与所述切断标记对应的位置设置有切断区缺口；

其中，所述切断标记具有沿所述第一共通线且凹进所述第一共通线的图形；

或者，所述切断标记具有在所述第一共通线内且贯通所述第一共通线的图形。

2.根据权利要求1所述薄膜晶体管液晶显示装置，其特征在于，凹进所述第一共通线的图形为圆弧形。

3.根据权利要求1所述薄膜晶体管液晶显示装置，其特征在于，所述图形为矩形。

4.根据权利要求1所述薄膜晶体管液晶显示装置，其特征在于，所述图形为三角形。

5.根据权利要求1所述薄膜晶体管液晶显示装置，其特征在于，贯通所述第一共通线的图形为圆形。

6.一种权利要求1-5任一项所述薄膜晶体管液晶显示装置断线数据线的修复方法，其特征在于，包括：

确定断线数据线及其所对应的像素；

在所述断线数据线对应的切断标记处切断第一共通线，使与所述断线数据线对应的第二共通线与第一共通线断路；

焊接所述断线数据线和与其对应的第二共通线，使所述第二共通线导通所述断线数据线；

焊接与所述断线数据线对应的栅极和漏极，使所述栅极和漏极导通。