KR20070071796A - 액정표시장치 및 그의 리페어 처리 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 패턴 불량에 관계없이 리페어 처리를 할 수 있는 액정표시장치 및 그의 리페어 처리 방법을 제공하기 위한 것으로, 이와 같은 목적을 달성하기 위한 액정표시장치는 종횡으로 배열되어 화소영역을 정의하는 게이트라인 및 데이터라인과; 상기 게이트라인 및 데이터라인의 교차영역에 형성된 박막 트랜지스터와; 상기 게이트라인과 평행한 방향으로 배열된 공통배선과; 상기 화소영역의 상하좌우 4부분의 모서리에 안쪽방향으로 홈이 형성되며, 상기 데이터라인 방향으로 복수개 구비된 공통전극과; 상기 박막 트랜지스터의 드레인전극과 콘택되며 상기 공통전극 사이에 일정 간격을 갖고 형성된 화소전극을 포함하여 구성됨을 특징으로 한다.
리페어, 홈, 공통전극, 레이저 컷팅, 용접, 암점

Description

액정표시장치 및 그의 리페어 처리 방법{LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE AND METHOD FOR REPAIR THE SAME}
도 1은 종래의 액정 표시 장치를 나타낸 분해사시도
도 2는 종래의 액정 표시 장치에 있어서, 블랙 상태에서 관찰시 발생되는 휘점 불량을 나타낸 평면도
도 3은 도 2의 휘점 불량부 및 이의 인접 화소를 나타낸 단면도
도 4는 종래 기술에 따른 액정표시장치의 구조 및 리페어 처리 방법을 나타낸 평면도
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 액정표시장치의 평면 구성도
도 6은 본 발명에 따른 액정표시장치의 리페어 처리 방법을 나타낸 도면
도 7a와 도 7b는 본 발명의 실시예에 따른 액정표시장치의 레이저 리페어 처리 전과 처리후의 이미지 사진
도 8a와 도 8b는 소오스/드레인 패턴 불량 및 이를 본 발명에 따라 리페어 처리한 후의 이미지 사진
도 9a와 도 9b는 액티브 패턴 불량 및 이를 본 발명에 따라 리페어 처리한 후의 이미지 사진
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *
51 : 게이트라인 51a : 게이트전극
51b : 공통배선 51c : 공통전극
53 : 액티브층 55 : 데이터라인
55a : 소오스전극 55b : 드레인전극
56 : 콘택홀 57 : 화소전극
58a : 용접
본 발명은 액정표시장치에 대한 것으로, 특히 패턴 불량에 관계없이 리페어 처리할 수 있는 액정표시장치 및 그의 리페어 처리 방법에 관한 것이다.
정보화 사회가 발전함에 따라 표시 장치에 대한 요구도 다양한 형태로 점증하고 있으며, 이에 부응하여 근래에는 LCD(Liquid Crystal Display Device), PDP(Plasma Display Panel), ELD(Electro Luminescent Display), VFD(Vacuum Fluorescent Display) 등 여러 가지 평판 표시 장치가 연구되어 왔고, 일부는 이미 여러 장비에서 표시 장치로 활용되고 있다.
그 중에, 현재 화질이 우수하고 경량, 박형, 저소비 전력의 특징 및 장점으로 인하여 이동형 화상 표시 장치의 용도로 CRT(Cathode Ray Tube)를 대체하면서 LCD가 가장 많이 사용되고 있으며, 노트북 컴퓨터의 모니터와 같은 이동형의 용도 이외에도 방송 신호를 수신하여 디스플레이하는 텔레비젼 및 컴퓨터의 모니터 등으 로 다양하게 개발되고 있다.
이와 같은 액정 표시 장치가 일반적인 화면 표시 장치로서 다양한 부분에 사용되기 위해서는 경량, 박형, 저 소비 전력의 특징을 유지하면서도 고정세, 고휘도, 대면적 등 고품위 화상을 얼마나 구현할 수 있는가에 관건이 걸려 있다고 할 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 종래의 액정 표시 장치를 설명하면 다음과 같다.
도 1은 종래의 액정 표시 장치를 나타낸 분해사시도이다.
종래의 액정 표시 장치(10)는, 도 1과 같이, 일정 공간을 갖고 합착된 제 1 기판(1) 및 제 2 기판(2)과, 상기 제 1 기판(1)과 제 2 기판(2) 사이에 주입된 액정층(3)으로 구성되어 있다.
보다 구체적으로 설명하면, 상기 제 1 기판(1)에는 화소 영역(P)을 정의하기 위하여 일정한 간격을 갖고 일방향으로 복수개의 게이트 라인(4)과, 상기 게이트 라인(4)에 수직한 방향으로 일정한 간격을 갖고 복수개의 데이터 라인(5)이 배열된다. 그리고, 상기 각 화소 영역(P)에는 화소 전극(6)이 형성되고, 상기 각 게이트 라인(4)과 데이터 라인(5)이 교차하는 부분에 박막 트랜지스터(T)가 형성되어 상기 게이트 라인(4)에 인가되는 신호에 따라 상기 데이터 라인(5)의 데이터 신호를 상기 각 화소 전극(6)에 인가한다.
그리고, 상기 제 2 기판(2)에는 상기 화소 영역(P)을 제외한 부분의 빛을 차단하기 위한 블랙 매트릭스층(7)이 형성되고, 상기 각 화소 영역에 대응되는 부분 에는 색상을 표현하기 위한 R, G, B 컬러 필터층(8)이 형성되고, 상기 컬러 필터층(8)위에는 화상을 구현하기 위한 공통 전극(9)이 형성되어 있다.
상기와 같은 액정 표시 장치는 상기 화소 전극(6)과 공통 전극(9) 사이의 전계에 의해 상기 제 1, 제 2 기판(1, 2) 사이에 형성된 액정층(3)의 액정이 배향되고, 상기 액정층(3)의 배향 정도에 따라 액정층(3)을 투과하는 빛의 양을 조절하여 화상을 표현할 수 있다.
이와 같은 액정 표시 장치를 TN 모드(Twisted Nematic mode) 액정 표시 장치라 하며, 상기 TN 모드 액정 표시 장치 외에 수평 전계를 이용한 횡전계 모드(In-Plane Switching(IPS) mode) 액정 표시 장치가 개발되었다. 상기 횡전계(IPS) 모드 액정 표시 장치는 제 1 기판의 화소 영역에 화소 전극과 공통 전극을 일정한 거리를 갖고 서로 평행하게 형성하여 상기 화소 전극과 공통 전극 사이에 횡 전계(수평 전계)가 발생하도록 하고 상기 횡 전계에 의해 액정층이 배향되도록 한 것이다.
이하에는 종래의 액정 표시 장치에서 휘점이 관찰되는 원인을 살펴본다.
도 2는 종래의 액정 표시 장치에 있어서, 블랙 상태에서 관찰시 발생되는 휘점 불량을 나타낸 평면도이며, 도 3은 도 2의 휘점 불량부 및 이의 인접 화소를 나타낸 단면도이다.
도 2 및 도 3과 같이, TN 모드로 구현되는 액정 표시 장치는 도 1에 대해 설명한 바와 같이, 서로 대향된 제 1, 제 2 기판(1, 2)과, 제 1 기판(1)의 매 화소 영역마다 형성된 화소 전극(6)과, 상기 제 2 기판(2) 전면에 형성된 공통 전극(9)을 포함하여 이루어진다. 또한, 제 2 기판(2) 상의 비화소 영역에 대하여는 블랙 매트릭스층(7)이 대응되며, 화소 영역에 대하여서는 컬러 필터층(8)이 대응되어 형성된다.
그리고, 도시되지는 않았지만, 상기 제 1, 제 2 기판(1, 2)의 서로 대향되는 최상부면 상에는 배향막(미도시)이 형성된다.
이와 같이 형성된 TN 모드의 액정 표시 장치는 상기 박막 트랜지스터의 형성기 소오스/드레인 전극간의 패터닝이 정상적으로 이루어지지 않아, 소오스/드레인 전극간의 분리가 되지 않거나, 혹은 박막 트랜지스터 부위에 전도성 이물이 남아 박막 트랜지스터의 구동 불량 및 단선 등의 영향으로, 블랙 상태(black state)에서, 휘점(15)이 발생할 수 있다.
일반적으로 높은 그레이(화이트 상태)를 구현하는 경우 빛샘에 의해 일 영역이 어둡게 보이는 것을 암점이라 하고, 낮은 그레이(블랙 상태)를 구현하는 경우 빛샘에 의해 일 영역이 밝게 보이는 것을 휘점이라 한다. 이 때, 사람의 눈은 밝은 상태에서의 암점보다는 상대적으로 어두운 상태에서의 휘점에 민감하게 됨으로써 액정 패널의 양불 판정시 암점보다는 휘점 불량에 더 엄격한 기준을 부여하게 된다. 이에 따라, 휘점 발생에 의한 패널의 불량률을 최소화하기 위한 방안이 요구되고 있다.
종래의 액정 표시 장치의 제 1 기판(1)과 제 2 기판(2)의 각 박막에 불량이 발생하면 리워크(rework) 공정을 진행하여 다시 해당 박막의 증착 공정을 진행하는 등의 리페어하는 공정을 진행한다.
그러나, 상술한 리워크 공정을 진행함에도 상기 도 2 및 도 3과 같이, 상기 제 1 기판(1) 상의 박막 트랜지스터에 이물이 남아 박막 트랜지스터의 정상적인 구동이 이루어지지 않는 경우가 발생하기도 하며, 이와 같이, 이물(21)이 남은 상태로 상기 제 1, 제 2 기판(1, 2)이 합착된 상태에서는 리워크(rework)가 불가하며, 리페어 또한 용이하지 않은 실정이다.
이하, 첨부 도면을 참조하여 종래의 액정표시장치에 대하여 설명하면 다음과 같다.
도 4는 종래 기술에 따른 액정표시장치의 구조 및 리페어 처리 방법을 나타낸 평면도이다.
종래의 액정표시장치는, 도 4에 도시한 바와 같이, 투명한 하부기판(미도시)상에 게이트 라인(41)이 일방향으로 배열되어 있고, 게이트라인(41)을 포함한 하부기판 전면에는 게이트절연막(미도시)이 형성되어 있고, 게이트라인(41)과 교차 배열되어 화소영역을 정의하도록 데이터 라인(45)이 형성되어 있다.
상기에서 게이트라인(41)과 동일층상에 동일물질로 게이트라인(41)과 평행한 방향으로 공통배선(41b)이 형성되어 있고, 상기 화소영역에 데이터라인(45) 방향으로 지그재그로 공통전극(41c)이 형성되어 있다.
그리고 상기 게이트 라인(41)과 데이터 라인(45)이 교차되는 부분에 복수개의 박막 트랜지스터(TFT)가 형성되어 있다.
여기서 상기 박막 트랜지스터(TFT)는 상기 게이트 라인(41)의 일영역에 정의된 게이트전극(41a)과, 게이트라인(41)을 포함한 하부기판 전면에 형성된 게이트 절연막과, 상기 데이터라인(45)과 소오스,드레인전극(45a, 45b)을 따라 형성된 액 티브층(43)과, 상기 데이터 라인(45)으로부터 돌출된 소오스 전극(45a)과, 상기 소오스 전극(45a)과 일정한 간격을 갖는 드레인 전극(45b)으로 구성된다.
그리고 박막 트랜지스터와 데이터라인(43)을 포함한 상부에 드레인전극(45b)에 콘택홀(46)을 갖는 보호막이 더 형성된다.
그리고 화소영역내의 상기 공통배선(41b)과 오버랩되며, 상기 공통전극(41c)들과 일정 간격을 이루도록 상기 공통전극(41c)들 사이에 화소전극(47)이 있다.
이때 화소전극(47)중 TFT에 인접한 부분은 콘택홀(46)을 통해서 상기 드레인전극(45b)과 연결되어 있다.
종래의 도 4는 데이터 라인과 소오스/드레인 전극을 패터닝시 소오스 전극과 드레인 전극간의 분리가 정상적으로 이루어지지 못하고, 일측에서 소오스 전극과 드레인 전극이 연결되었을 때의 리페어 형태를 도시한 것이다.
상기와 같이 소오스 전극과 드레인 전극에 페일이 발생할 경우에는 이에 해당하는 해당 박막 트랜지스터는 정상적인 스위칭 기능을 하지 못하게 되고, 이에 따라, 해당 박막 트랜지스터와 연결된 화소 전극에 정상적인 신호가 인가되지 못해 해당 화소 영역이 이상 구동하게 된다. 이러한 이상 구동은 블랙 상태에서는 휘점으로, 화이트 상태에서는 암점으로 관찰될 수 있다.
종래에는 상기와 같이 소오스, 드레인 전극에 불량이 발생했을 경우에, 리페어 처리를 위해 데이터라인에 레이저 컷팅을 하고, 공통배선(41b)과 화소전극(47)을 레이저 용접하여 암점화 시킴으로써 리페어 처리를 한다.
상기 종래의 액정표시장치를 리페어하는 방법은, 소오스, 드레인전극에 패턴 불량이 발생했을 경우에만 리페어가 용이하며, 그 이외의 화소영역에서의 패턴 불량이 발생하였을 경우에는 리페어 성공률이 낮은 문제점이 있다.
본 발명은 상기와 같은 문제를 해결하기 위하여 안출한 것으로 특히, 패턴 불량에 관계없이 리페어 처리를 할 수 있는 액정표시장치 및 그의 리페어 처리 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 액정표시장치는 종횡으로 배열되어 화소영역을 정의하는 게이트라인 및 데이터라인과; 상기 게이트라인 및 데이터라인의 교차영역에 형성된 박막 트랜지스터와; 상기 게이트라인과 평행한 방향으로 배열된 공통배선과; 상기 화소영역의 상하좌우 4부분의 모서리에 안쪽방향으로 홈이 형성되며, 상기 데이터라인 방향으로 복수개 구비된 공통전극과; 상기 박막 트랜지스터의 드레인전극과 콘택되며 상기 공통전극 사이에 일정 간격을 갖고 형성된 화소전극을 포함하여 구성됨을 특징으로 한다.
상기 공통배선은 상기 게이트라인과 동일층상에 형성됨을 특징으로 한다.
상기 공통전극은 상기 공통배선과 연결되어 지그재그 형상 또는 일방형상으로 형성되어 있음을 특징으로 한다.
상기 공통전극의 홈 형성부분은 불량 발생시 레이저 컷팅되는 부분인 것을 특징으로 한다.
상기와 같은 구성을 갖는 본 발명에 따른 액정표시장치의 리페어 처리 방법 은 종횡으로 배열되어 화소영역을 정의하는 게이트라인 및 데이터라인과; 상기 게이트라인 및 데이터라인의 교차영역에 형성된 박막 트랜지스터와; 상기 게이트라인과 평행한 방향으로 배열된 공통배선과; 상기 화소영역의 상하좌우 4부분의 모서리에 안쪽방향으로 홈이 형성되며, 상기 데이터라인 방향으로 복수개 구비된 공통전극과; 상기 박막 트랜지스터의 드레인전극과 콘택되며 상기 공통전극 사이에 일정 간격을 갖고 형성된 화소전극을 포함하여 구성되는 액정표시장치의 리페어 방법에 있어서, 불량이 발생된 화소에 구성된 공통전극을 플로팅시키는 단계; 상기 공통배선 상부에 오버랩된 상기 화소전극을 연결시키는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
상기 공통전극의 플로팅은 상기 불량이 발생된 화소에 구성된 공통전극 중 화소영역의 상하좌우 모서리에 형성된 홈 부분을 컷팅하여 진행됨을 특징으로 한다.
상기 컷팅은 레이저를 이용하여 이루어진 것을 특징으로 한다.
상기 리페어는 상기 소오스, 드레인전극의 패턴 불량에 의해 휘점 불량이 발생할 경우뿐만 아니라, 게이트패턴과 상기 화소영역과 상기 공통전극과 액티브영역에 패턴 불량에 의해 휘점 불량이 발생하여도 상기 공통전극을 플로팅시킨 후 상기 화소전극을 상기 공통배선과 용접으로 연결시켜 상기 화소영역을 암점화하여 리페어 처리하는 것을 특징으로 한다.
첨부 도면을 참조하여 본 발명에 따른 액정표시장치 및 그의 리페어 처리 방법에 대하여 설명하면 다음과 같다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 액정표시장치의 평면 구성도이고, 도 6은 본 발명에 따른 액정표시장치의 리페어 처리 방법을 나타낸 도면이다.
그리고 도 7a와 도 7b는 본 발명의 실시예에 따른 액정표시장치의 레이저 리페어 처리 전과 처리후의 이미지 사진이고, 도 8a와 도 8b는 소오스/드레인 패턴 불량 및 이를 본 발명에 따라 리페어 처리한 후의 이미지 사진이며, 도 9a와 도 9b는 액티브 패턴 불량 및 이를 본 발명에 따라 리페어 처리한 후의 이미지 사진이다.
본 발명에 따른 액정표시장치는, 도 5에 도시한 바와 같이, 투명한 하부기판(미도시)상에 게이트 라인(51)이 일방향으로 배열되어 있고, 게이트라인(51)을 포함한 하부기판 전면에는 게이트절연막(미도시)이 형성되어 있고, 게이트라인(51)과 교차 배열되어 화소영역을 정의하도록 데이터 라인(55)이 형성되어 있다.
상기에서 게이트라인(51)과 동일층상에 동일물질로 게이트라인(51)과 평행한 방향으로 공통배선(51b)이 형성되어 있고, 상기 공통배선(51b)과 연결되어 화소영역에 데이터라인(55) 방향으로 지그재그 형상으로 공통전극(51c)이 형성되어 있다. 여기서는 지그재그 형상을 예시하여 도시하였으나, 일자형도 가능하며, 공통전극(51c)은 복수개 형성될 수 있다.
상기 공통전극(51c)은 화소영역의 상하좌우 4부분의 모서리에 안쪽방향으로 홈이 형성되어서, 그 부분에서의 공통전극(51c)의 폭(L2)이 종래 보다 좁도록 형성되어 있다. 이 홈은 차후에 리페어 처리시 레이저 컷팅을 용이하게 하기 위해서 형성된 것이다.
그리고 상기 게이트 라인(51)과 데이터 라인(55)이 교차되는 부분에 박막 트랜지스터(TFT)가 형성되어 있다.
여기서 상기 박막 트랜지스터(TFT)는 상기 게이트 라인(51)의 일영역에 정의된 게이트전극(51a)과, 게이트라인(51)을 포함한 하부기판 전면에 형성된 게이트 절연막과, 상기 데이터라인(55)과 소오스, 드레인전극(55a, 55b)을 따라 형성된 액티브층(53)과, 상기 데이터 라인(55)으로부터 돌출된 소오스 전극(55a)과, 상기 소오스 전극(55a)과 일정한 간격을 갖는 드레인 전극(55b)으로 구성된다.
이때 박막 트랜지스터(TFT)의 게이트전극은 도면에는 도시되지 않았지만, 일방향을 갖는 게이트 라인의 일측에서 돌출 형성될 수도 있다.
그리고 소오스전극(55a)은 채널영역을 많이 확보하기 위해 'U'자형으로 형성할 수도 있고, 일자형으로 형성할 수 있으며, 그 형상에 제한을 받지 않는다.
그리고 박막 트랜지스터와 데이터라인(55)을 포함한 하부기판의 상부에 드레인전극(55b)에 콘택홀(56)을 갖는 보호막(미도시)이 더 형성된다.
그리고 화소영역내의 상기 공통배선(51b)과 오버랩되며, 상기 공통전극(51c)들과 일정 간격을 이루도록 상기 공통전극(51c)들 사이에 화소전극(57)이 있다.
이때 화소전극(57)중 TFT에 인접한 부분은 콘택홀(56)을 통해서 상기 드레인전극(55b)과 연결되어 있다.
상기 화소전극(57)은 인듐주석산화물(Indium Tin Oxide : ITO), 주석산화물(Tin Oxide : TO), 인듐아연산화물(Indium Zinc Oxide : IZO) 또는 인듐주석아연산화물(Indium Tin Zinc Oxide:ITZO)과 같은 투명 도전 금속으로 형성되어 있다.
또한 도면에는 도시되어 있지 않지만, 상기와 같이 구성된 하부기판에 대응되는 상부기판에는 색상을 구현하기 위해 화소영역에 대응되는 부분에 칼라필터층이 형성되어 있고, 박막 트랜지스터와 게이트라인에 대응되는 부분에 광차단 역할을 하기 위해 블랙 매트릭스층이 형성되어 있다.
상기와 같이 구성된 액정표시장치의 임의의 어떤 부분에 패턴 불량 문제가 발생할 경우, 이에 해당하는 화소영역이 이상 구동하게 된다. 이러한 이상 구동은 블랙 상태에서는 휘점으로, 화이트 상태에서는 암점으로 관찰될 수 있다.
본 발명은 이와 같은 불량 발생을 리페어하기 위해서, 도 6에 도시한 바와 같이, 공통전극(51c) 중 화소영역의 상하좌우 모서리가 파인 홈 부분을 레이저 컷팅한 후, 공통배선(51b) 상부에 오버랩된 화소전극(57)을 용접(58a)하여 공통배선(51b)과 연결시킨다. 상기에서 레이저 컷팅을 위한 공통전극(51c)의 화소영역내의 상하좌우 모서리는 홈에 의해서 그 폭이 좁아져 있으므로 레이저 컷팅을 용이하게 실시할 수 있다.
이에 의해서, 화소영역의 좌우측에 있는 공통전극(51c)이 플로팅되고, 화소전극(57)과 나머지 공통전극(51c)들은 횡전계로써의 역할을 하지 못하고 등전위가 되어 화소영역이 전체적으로 암점화된다.
상기와 같은 리페어 처리 방법은 소오스, 드레인전극(55a, 55b)에 패턴 불량이 발생했을 경우에도 적용가능하고, 기타 다른 영역에 패턴 불량이 발생할 경우에도 모두 리페어 처리가 가능하다.
좀 더 자세하게는, 본 발명에 따른 리페어 처리 방법은 소오스, 드레인전극 의 패턴 불량에 의해 휘점 불량이 발생할 경우뿐만 아니라, 게이트전극과 화소영역과 공통전극과 액티브영역에 패턴 불량에 의해 휘점 불량이 발생하여도 공통전극을 플로팅시킨후 화소전극을 공통배선과 용접으로 연결시켜 화소영역을 암점화하여 리페어 처리할 수 있다.
예를 들어서, 도 7a와 도 7b는 본 발명의 실시예에 따른 액정표시장치의 레이저 리페어 처리 전과 처리후의 이미지 사진으로, 리페어 처리후 화소영역이 암점화 된 것을 알 수 있다.
그리고 도 8a와 도 8b는 소오스/드레인 패턴 불량이 발생하였을 경우 및 이를 본 발명에 따라 리페어 처리한 후의 이미지 사진으로, 리페어 처리후 암점화에 성공하였고 이때, 라인 디팩트(Line Defect)는 발생하지 않았으며, 에이징(Aging) 처리를 실시한 결과 이물에 의한 약휘점도 발생하지 않았다.
그리고 도 9a와 도 9b는 액티브 패턴 불량이 발생하였을 경우 및 이를 본 발명에 따라 리페어 처리한 후의 이미지 사진으로, 이때도 리페어 처리후 암점화에 성공하였고, 라인 디팩트 및 휘점이 발생하지 않았으며, 에이징(Aging) 처리를 실시한 결과 이물에 의한 약휘점도 발생하지 않았다.
상기 도 8a 내지 도 9b과 같이 리페어 실험을 실시한 후에, 신뢰성 평가를 실제 양산 조건 예를 들어 50℃ 고온에서 72시간 동안 검증한 결과, 레이저 리페어에 따른 특이한 문제 발생 및 딤(dim)은 발생되지 않았다.
이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술 사상을 이탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다.
따라서, 본 발명의 기술 범위는 상기 실시예에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라, 특허 청구의 범위에 의하여 정해져야 한다.
상기와 같은 본 발명에 따른 액정표시장치 및 그의 리페어 처리 방법은 다음과 같은 효과가 있다.
소오스, 드레인전극의 패턴 불량에 의해 휘점 불량이 발생할 경우뿐만 아니라, 게이트전극과 화소영역과 공통전극과 액티브영역에 패턴 불량에 의해 휘점 불량이 발생하여도, 즉, 휘점 불량 유형과 관계없이 공통전극을 플로팅시킨후 화소전극을 공통배선과 용접으로 연결시켜 화소영역을 암점화하여 리페어 처리할 수 있다.
이에 따라서, 리페어 성공률이 증가하여 수율을 향상시킬 수 있다.

Claims (8)

  1. 종횡으로 배열되어 화소영역을 정의하는 게이트라인 및 데이터라인과;
    상기 게이트라인 및 데이터라인의 교차영역에 형성된 박막 트랜지스터와;
    상기 게이트라인과 평행한 방향으로 배열된 공통배선과;
    상기 화소영역의 상하좌우 4부분의 모서리에 안쪽방향으로 홈이 형성되며, 상기 데이터라인 방향으로 복수개 구비된 공통전극과;
    상기 박막 트랜지스터의 드레인전극과 콘택되며 상기 공통전극 사이에 일정 간격을 갖고 형성된 화소전극을 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 액정표시장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 공통배선은 상기 게이트라인과 동일층상에 형성됨을 특징으로 하는 액정표시장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 공통전극은 상기 공통배선과 연결되어 지그재그 형상 또는 일방형상으로 형성되어 있음을 특징으로 하는 액정표시장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 공통전극의 홈 형성부분은 불량 발생시 레이저 컷팅되는 부분인 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
  5. 종횡으로 배열되어 화소영역을 정의하는 게이트라인 및 데이터라인과;
    상기 게이트라인 및 데이터라인의 교차영역에 형성된 박막 트랜지스터와;
    상기 게이트라인과 평행한 방향으로 배열된 공통배선과;
    상기 화소영역의 상하좌우 4부분의 모서리에 안쪽방향으로 홈이 형성되며, 상기 데이터라인 방향으로 복수개 구비된 공통전극과;
    상기 박막 트랜지스터의 드레인전극과 콘택되며 상기 공통전극 사이에 일정 간격을 갖고 형성된 화소전극을 포함하여 구성되는 액정표시장치의 리페어 방법에 있어서,
    불량이 발생된 화소에 구성된 공통전극을 플로팅시키는 단계;
    상기 공통배선 상부에 오버랩된 상기 화소전극을 연결시키는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 리페어 방법.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 공통전극의 플로팅은 상기 불량이 발생된 화소에 구성된 공통전극 중 화소영역의 상하좌우 모서리에 형성된 홈 부분을 컷팅하여 진행됨을 특징으로 하는 액정표시장치의 리페어 방법.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 컷팅은 레이저를 이용하여 이루어진 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치의 리페어 방법.
  8. 제 5 항에 있어서,
    상기 리페어는 상기 소오스, 드레인전극의 패턴 불량에 의해 휘점 불량이 발생할 경우뿐만 아니라, 게이트패턴과 상기 화소영역과 상기 공통전극과 액티브영역에 패턴 불량에 의해 휘점 불량이 발생하여도 상기 공통전극을 플로팅시킨 후 상기 화소전극을 상기 공통배선과 용접으로 연결시켜 상기 화소영역을 암점화하여 리페어 처리하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 리페어 방법.
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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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US9570481B2 (en) 2014-02-10 2017-02-14 Samsung Display Co., Ltd. Display substrate and method of manufacturing the same

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103135297A (zh) * 2011-11-30 2013-06-05 上海中航光电子有限公司 一种薄膜晶体管液晶显示装置及其断线数据线修复方法
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