TWI396910B - 顯示基板、顯示基板製造方法及具有該顯示基板之顯示面板 - Google Patents

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Description

顯示基板、顯示基板製造方法及具有該顯示基板之顯示面板
本發明大體而言係關於一種顯示基板、一種顯示基板製造方法，及一種具有該顯示基板之顯示面板。更特定言之，本發明係關於一種用於液晶顯示器(LCD)之顯示基板。
液晶顯示器(LCD)為最廣泛使用類型之平板顯示器中之一者。LCD包含兩個具備場產生電極之基板及插入於兩者之間的液晶(LC)層。該LCD藉由將電壓施加於場產生電極上以在LC層中提供電場(其決定LC分子在LC層中之取向)以影響通過其中之光之偏振而顯示影像。
通常，一基板包含複數個閘極線、複數個與該等閘極線交叉之資料線，及由該等閘極線與該等資料線界定之像素。每一像素包含一像素電極及一控制施加於該像素電極上之電壓的薄膜電晶體。在製造期間，通常將薄膜電晶體陣列基板暴露於約250℃至約400℃範圍內的高溫。舉例而言，為了藉由電漿化學氣相沈積製程將一習知閘極絕緣層及一習知半導體層沈積於陣列基板上，可將該陣列基板暴露於250℃以上之溫度。
最近，已研發了由有機材料形成之薄膜電晶體陣列基板。該等基板可於低溫下形成且可包含一由有機絕緣材料形成之閘極絕緣層及一由有機半導體形成之通道層。
然而，該閘極絕緣層之表面在一像素電極形成於其上期間可損壞。該表面損壞可導致形成於該閘極絕緣層上之有機半導體中之缺陷，從而導致像素電極之降低的透射率。因此，存在對於降低與現有設計相關聯之閘極絕緣層之潛在表面損壞的有機薄膜電晶體之改良方法的需求。
在一根據本發明之一實施例之例示性顯示基板中，該顯示基板包含一基座、複數個資料線、複數個閘極線、一像素、一有機薄膜電晶體，及一像素電極。該等資料線係位於該基座上且以一第一方向取向。該等閘極線以一與該第一方向交叉之第二方向取向。該像素係由該等資料線及該等閘極線界定。該有機薄膜電晶體包含：一源電極，其電力連接至該等資料線中之一者；一閘電極，其電力連接至該等閘極線中之一者；及一有機半導體層。該像素電極係安置於該像素中且電力連接至該有機薄膜電晶體。該像素電極包括透明氮氧化物。
在一用於製造一根據本發明之另一實施例之顯示基板的例示性方法中，該方法包含：在一基座上形成一資料線，其中該資料線以一第一方向取向；形成一閘極線及一電力連接至該閘極線之閘電極，其中該閘極線係以一與該第一方向交叉之第二方向取向；在該閘極線及該閘電極上形成一第一絕緣層；在該絕緣層上形成一透明導體，其中該透明導體包括氮氧化物；及圖案化該透明導體以形成一電力連接至該資料線之源電極、一像素電極，及一與該像素電極一體式形成之汲電極。
在一根據本發明之另一實施例之例示性顯示面板中，該顯示面板包含一陣列基板、一彩色濾光片基板，及一插入於該陣列面板與該彩色濾光片基板之間的液晶層。該陣列基板包含一像素、一有機薄膜電晶體，及一像素電極。該像素係由複數個資料線及複數個閘極線界定。該等資料線係以一第一方向取向且該等閘極線係以一與該第一方向交叉之第二方向取向。該有機薄膜電晶體係形成於該像素中且包含：一源電極，其電力連接至該等資料線中之一者；一汲電極；及一閘電極，其電力連接至該等閘極線中之一者。該像素電極係電力連接至該汲電極且包括透明氮氧化物。
圖1為根據本發明之一實施例之顯示基板的平面圖。顯示基板包含複數個以縱向方向取向之資料線DLm及DLm＋1，及複數個以一與該縱向方向交叉之橫向方向取向之閘極線GLn－1及GLn。資料線DLm及DLm＋1與閘極線GLn－1及GLn界定像素P。每一像素P包含一像素電極155、一有機薄膜電晶體OTFT，及一儲存電容器電極135。
資料線DLm及DLm＋1之末端部分包含用於接收應用之資料信號的資料墊區域。閘極線GLn－1及GLn之末端部分包含用於接收應用之閘極信號的閘極墊區域。舉例而言，於資料線DLm之末端形成一資料墊DPm，且於閘極線GLn之末端形成一閘極墊GPn。
資料線DLm及DLm＋1與閘極線GLn－1及GLn可包含銅(Cu)、銅合金、鋁(Al)、鋁合金、銀(Ag)、銀合金、鉬(Mo)、鉬合金、鉻(Cr)、鉭(Ta)、鈦(Ti)或其他材料。
資料墊DPm包含資料線DLm之一末端部分113及一與末端部分113電力連接之接觸輔助元件157。閘極墊GPn包含閘極線GLn之一末端部分133及一與末端部分133電力連接之接觸輔助元件159。在一個實施例中，像素電極155與接觸輔助元件157及159包含相同導電材料。
有機薄膜電晶體OTFT包含一電力連接至資料線DLm之源電極151、一連同閘極線GLn一起形成之閘電極131，及一連同像素電極155一體式形成之汲電極153。在一個實施例中，源電極151與汲電極153包含與像素電極155相同之導電材料。源電極151經由一第一接觸孔181連接至資料線DLm。有機薄膜電晶體OTFT之通道160包含有機半導體層。在各種實施例中，該有機半導體層可包含幷五苯、聚噻吩，或諸如萘、蒽或幷四苯之直鏈多環芳族烴。一閘極絕緣層形成於閘電極131上。
像素電極155係形成於該閘極絕緣層上且可包含透明導電材料，例如具有銦(In)、錫(Sn)、鋅(Zn)、鋁(Al)，或鎵(Ga)之氮氧化物。該透明導電材料可包含非晶系氮氧化銦錫(a－ITON)或氮氧化銦鋅(IZON)。
在一個實施例中，儲存電容器電極135係與閘極線GLn－1 一體式形成且與其電力連接。因此，儲存電容器電極135可與閘極線GLn－1 共用一共同閘極關閉電壓。在另一實施例中，儲存電容器電極135可與閘極線GLn－1 分開形成且使用獨立施加至儲存線的電壓。
圖2為根據本發明之一實施例之沿圖1之顯示基板的線1－1'截取之顯示面板的橫截面圖。參看圖1及圖2，顯示面板包含一陣列基板100(亦即，顯示基板)、一彩色濾光片基板200，及一插入於兩者之間的液晶層300。陣列基板100包含一第一基座101，於該第一基座101上形成資料線DLm及DLm＋1(包含資料墊DPm之末端部分113在內)。在資料線DLm及DLm＋1以及第一基座101上形成一基礎絕緣層120。基礎絕緣層120可包含無機材料(諸如氮化矽(SiNx)或氧化矽(SiOx))或有機材料。於基礎絕緣層120上形成閘極線GLn－1及GLn、閘電極131，及儲存電容器電極135。
一閘極絕緣層140形成於閘電極131及一部分基礎絕緣層120上。閘極絕緣層140可包含一具有高介電常數之介電材料且可包含諸如聚合物(例如，聚乙烯醇縮丁醛(PVB))、有機－無機混合物(例如，有機矽烷)，或有機金屬材料(例如，有機鈦酸鹽)之引發劑。介電材料可包含諸如BaxSr1－x TiO3 (鈦酸鋇鍶)、Ta2 O5 、Y2 O3 、TiO2 、PbZrx Ti1－x O3 (PZT)、Bi4 Ti3 O12 、BaMgF4 、SrBi2 (Ta1－x NBx )2 O9 、Ba(Zr1－x Tix )O3 (BZT)、BaTiO3 、SrTiO3 、Bi4 Ti3 O12 之鐵電材料或其他材料。
沈積一透明導體且將其圖案化以形成像素電極155、汲電極153、源電極151，及接觸輔助元件157及159。接觸輔助元件157及159係分別經由一第二接觸孔183及一第三接觸孔185電力連接至資料線DLm及閘極線GLn之末端部分113及133。透明導體可包含透明導電材料，例如藉由將氮添加至含In、Sn、Zn、Al，或Ga之氧化物中而形成之氮氧化物。在一個實施例中，透明導體包含a－ITON或IZON。
若透明導體包含非晶系氧化銦錫(a－ITO)或非晶系氧化銦鋅(a－IZO)，則閘極絕緣層140之表面可在沈積及蝕刻該透明導體期間損壞。就此而言，可在閘極絕緣層140之表面上產生突起，從而導致在形成於該閘極絕緣層140上之有機半導體層161上產生缺陷。此可使有機薄膜電晶體OTFT降級且降低像素電極155之透光度。
根據本發明之各種實施例，可使用氮氧化物形成透明導體以減少該等突起及其相關影響，此將參看本文進一步描述之實例而進行解釋。
相繼將有機半導體層161及擋止層163沈積於汲電極153及源電極151之上方且圖案化以形成通道160。形成一鈍化層170以保護且使有機薄膜電晶體OTFT絕緣。
彩色濾光片基板200包含一第二基座201、光阻圖案210(例如，黑色矩陣)、彩色濾光片220，及一共同電極230。光阻圖案210形成於第二基座201上以防止漏光且劃定對應於像素P之區域。彩色濾光片220形成於部分光阻圖案210及第二基座201上且表示至少一種原色：紅、綠，及/或藍。一保護膜(未圖示)可形成於彩色濾光片220及光阻圖案210上以使第二基座201之上表面平面化。
於彩色濾光片220上形成共同電極230。像素電極155、共同電極230，及兩者之間的液晶層300形成一液晶電容器(CLC)。施加於像素電極155與共同電極230之間的電壓確定液晶層300之液晶分子之取向。
圖3A至圖3E說明用於製造圖1之陣列基板之各種製程步驟。參看圖1及圖3A，將一金屬層沈積於第一基座101上且圖案化以形成資料線DLm及DLm＋1及末端部分113。如所說明，資料線DLm及DLm＋1以縱向方向取向且末端部分113展現相對而言較大之寬度。將基礎絕緣層120形成於資料線DLm及DLm＋1上。
參看圖1及圖3B，將閘極線GLn－1及GLn、閘電極131、閘極線GLn之末端部分133，及儲存電極135形成於基礎絕緣層120上。將閘極絕緣層140形成於閘極線GLn及一部分基礎絕緣層120上。
參看圖1及圖3C，藉由光微影製程將第一接觸孔181、第二接觸孔183，及第三接觸孔185分別形成於閘極絕緣層140上。第一接觸孔181暴露資料線DLm之一部分以將資料線DLm電力連接至源電極151。第二接觸孔183暴露資料線DLm之末端部分113之一部分以形成資料墊DPm。第三接觸孔185暴露閘極線GLn之末端部分133之一部分以形成閘極墊GPn。
將一透明導體150形成於第一接觸孔181、第二接觸孔183，及第三接觸孔185以及閘極絕緣層140上。可藉由濺鍍製程由(例如)a－ITON或IZON形成透明導體150。在一實施例中，可藉由施加3.7 kW於包含氬氣、水蒸氣、氧氣，及/或氮氣之流入氣體中而沈積透明導體150。就此而言，可以每分鐘30標準立方公分(sccm)之流動速率提供氬氣以用於電漿放電。可分別以30 sccm、1.5 sccm，及0 sccm之流動速率添加氮氣、水蒸氣及氧氣。
隨著用於形成透明導體150之氮氣之量的增加，閘極絕緣層140之表面缺陷減少，但閘極絕緣層140之電阻增加。在一個實施例中，可以約20 sccm至約40 sccm之範圍內之流動速率提供氮氣以在未顯著增加閘極絕緣層140之電阻的情況下，減少表面缺陷。
參看圖1及圖3D，藉由光微影製程圖案化透明導體150以形成源電極151、汲電極153、像素電極155，及接觸輔助元件157及159。將源電極151經由第一接觸孔181電力連接至資料線DLm。將接觸輔助元件157經由第二接觸孔183電力連接至資料線DLm之末端部分113以形成資料墊DPm。將接觸輔助元件159經由第三接觸孔185電力連接至閘極線GLn之末端部分133以形成閘極墊GPn。
參看圖1及圖3E，相繼將有機半導體層161及擋止層163形成於源電極151、汲電極153，及閘極絕緣層140之上方且使用光微影製程蝕刻以形成通道160。擋止層163將在隨後之處理期間保護有機半導體層161。將一鈍化層170形成於閘極絕緣層140、源電極151、汲電極153，及擋止層163上以保護有機薄膜電晶體OTFT。
圖4A至圖4B說明用於製造根據本發明之另一實施例之陣列基板的各種製程步驟。應瞭解：圖4A至圖4B之陣列基板包含各種類似於先前參看圖3A至圖3E之陣列基板描述之彼等結構的結構。
參看圖1及圖4A，將一金屬層沈積於第一基座401上且圖案化以形成資料線DLm及DLm＋1以及末端部分413。如所說明，資料線DLm及DLm＋1以縱向方向取向且末端部分413展現相對較大之寬度。將一基礎絕緣層420形成於資料線DLm及DLm＋1上。
將閘極線GLn－1及GLn、閘電極431、閘極線GLn之末端部分433，及儲存電極135形成於基礎絕緣層420上。將一閘極絕緣層440形成於閘極線GLn及一部分基礎絕緣層420上。
藉由光微影製程分別將第一接觸孔481、第二接觸孔483，及第三接觸孔485形成於閘極絕緣層440上。第一接觸孔481暴露資料線DLm之一部分以將資料線DLm電力連接至源電極151。第二接觸孔483暴露資料線DLm之末端部分413之一部分以形成資料墊DPm。第三接觸孔485暴露閘極線GLn之末端部分433之一部分以形成閘極墊GPn。
在第一接觸孔481、第二接觸孔483，及第三接觸孔485以及閘極絕緣層440上形成一透明導體450。透明導體450可(例如)藉由濺鍍製程形成。透明導體450包含下部導體450a及上部導體450b。應瞭解，透明導體450與圖3A至圖3E之透明導體150比較而言展現了雙層化結構。
下部導體450a降低了由後繼製程導致之閘極絕緣層440的表面缺陷。上部導體450b增加了透明導體450之透明度，進而改良了像素P之透光度。
在一個實施例中，下部導體450a包括含In、Sn、Zn、Al，或Ga之氮氧化物。若需要，則下部導體450a可包含a－ITON或IZON。舉例而言，可藉由施加3.7 kW輸入功率至包含氬氣、水蒸氣、氧氣，及/或氮氣之流入氣體而沈積下部導體450a。就此而言，可以70 sccm之流動速率提供氬氣以用於電漿放電。可分別以1.5 sccm、0 sccm，及30 sccm之流動速率添加水蒸氣、氧氣，及氮氣。
在一個實施例中，上部導體450b包括含In、Sn、Zn、Al，或Ga之氧化物。若需要，則上部導體450b可包含a－ITO或IZO。舉例而言，可藉由施加3.7 kW輸入功率至包含氬氣、水蒸氣，及/或氧氣之流入氣體中而沈積上部導體450b。就此而言，可以100 sccm之流動速率提供氬氣以用於電漿放電。可分別以1.5 sccm及0.5 sccm之流動速率添加水蒸氣及氧氣。
參看圖1及圖4B，使用光微影製程圖案化透明導體450以形成源電極451、汲電極453、像素電極455，及接觸輔助元件457及459。源電極451係經由第一接觸孔481電力連接至資料線DLm。汲電極453與像素電極455係一體式形成。接觸輔助元件457係經由第二接觸孔483電力連接至資料線DLm之末端部分413以形成資料墊DPm。接觸輔助元件459係經由第三接觸孔485電力連接至閘極線GLn之末端部分433以形成閘極墊GPn。
相繼將有機半導體層461及擋止層463形成於源電極451、汲電極453，及閘極絕緣層440上。在一個實施例中，有機半導體層461包含幷五苯、聚噻吩，或諸如萘、蒽或幷四苯之直鏈多環芳族烴。擋止層463將在後繼處理期間保護有機半導體層461。將一鈍化層470形成於閘極絕緣層440、源電極451、汲電極453，及擋止層463上以保護且使有機薄膜電晶體OTFT絕緣。
以下實例識別根據本發明之各種實施例在透明導體中包含氮氧化物之影響。表1展示實例1至實例6，其中於不同測試條件下使用磁控DC濺鍍將a－ITO沈積於閘極絕緣層上。圖5A至圖5F為分別於對應於實例1至實例6之測試條件下之有機絕緣層的圖片。圖6為說明對應於圖5A至圖5F之量測的圖表。
在表1之實例中，氬氣用於電漿放電且使用如表1中所示之不同量的應用功率、水蒸氣及氧氣沈積a－ITO。繼藉由濕式蝕刻移除沈積之a－ITO之後，將對閘極絕緣層之表面進行分析。
在實例1中，使用3.7 kw輸入功率、4次磁場掃描、1.5 sccm之水蒸氣，及0.5 sccm之氧氣以形成a－ITO。此條件為正常地標準使用條件。參看圖5A及圖6，實例1之閘極絕緣層之表面展現高度在約1.9 nm至約2.7 nm之範圍內的突起a1。
在實例2中，使用1.85 kw輸入功率、8次磁場掃描、1.5 sccm之水蒸氣及0.5 sccm之氧氣以形成a－ITO。應瞭解，實例2之輸入功率小於實例1之輸入功率。參看圖5B及圖6，實例2之閘極絕緣層之表面展現高度在約1.6 nm至約1.7 nm之範圍內的突起a2。就此而言，應瞭解，隨著輸入功率自3.7 kw降低至1.85 kw，突起a1在閘極絕緣層之表面上的高度降低。
在實例3至實例5中，調整氧氣之流動速率。具體言之，在實例3、實例4及實例5中分別使用0 sccm、1.5 sccm及2.5 sccm之氧氣流動速率沈積a－ITO。參看圖5C至圖5E及圖6，應瞭解，突起a3至突起a5在閘極絕緣層之表面上的高度隨著氧氣流動速率增加而增加。就此而言，實例5之突起a5(其使用實例3至實例5之最多氧氣)展現在約3.4 nm至約3.5 nm之範圍內的最大高度。
在實例6中，使用3.7 kw輸入功率、4次磁場掃描、3 sccm之水蒸氣，及0.5 sccm之氧氣沈積a－ITO。就此而言，應瞭解，實例6較實例1而言使用了更大量的水蒸氣。參看圖5F及圖6，實例6之閘極絕緣層之表面展現高度在約1.65 nm至約1.75 nm之範圍內的突起a6。因此，應瞭解，隨著水蒸氣之量自1.5 sccm增加至3 sccm，突起之高度降低。
根據上文之結果，閘極絕緣層之表面之粗糙度(亦即，形成於表面上之突起的高度)隨著輸入功率降低或隨著水蒸氣之量的增加而降低。然而，控制在製造顯示基板期間添加之輸入功率及水蒸氣之量可將額外複雜性引入製造過程中。
表2展示實例7至實例12，其中在不同測試條件下使用磁控DC濺鍍將a－ITON沈積於有機絕緣層上。圖7A至圖7F為分別在對應於實例7至實例12之測試條件下之閘極絕緣層的圖片。圖8為說明對應於圖7A至圖7F之量測的圖表。
在表2之實例中，使用氬氣用於電漿放電且使用如表2中所示之不同量的應用功率及氮氣沈積a－ITON。繼藉由濕式蝕刻移除沈積之a－ITON之後，將分析閘極絕緣層之表面。
在實例7至實例9中，調整了氮氣之量。在實例7中，使用3.7 kw輸入功率、4次磁場掃描、1.5 sccm之水蒸氣、0 sccm之氧氣、90 sccm之氬氣及10 sccm之氮氣沈積a－ITON。參看圖7A及圖8，實例7之閘極絕緣層之表面展現高度在約1.5 nm至約2.5 nm之範圍內的突起b1。應瞭解，突起b1之高度小於實例1中之突起a1之高度。
在實例8及實例9中，分別將氮氣之量更改為20 sccm及30 sccm。參看圖7B、7C及圖8，實例8之突起b2處於自約1.5 nm至約1.8 nm之範圍內的高度，且實例9之突起b3展現小於約1 nm之高度。因此，自實例7至實例9應瞭解，閘極絕緣層之表面的粗糙度(亦即，形成於表面上之突起的高度)隨著氮氣之量增加而降低。
在實例10中，使用1.8 kw輸入功率、8次磁場掃描、1.5 sccm之水蒸氣、0 sccm之氧氣、90 sccm之氬氣及10 sccm之氮氣沈積a－ITON。輸入功率自用於實例7之3.7 kw降低至1.8 kw。參看圖7D及圖8，實例10之突起b4展現約2 nm之高度。
在實例11中，使用1.85 kw輸入功率、8次磁場掃描、1.5 sccm之水蒸氣、0 sccm之氧氣、80 sccm之氬氣，及20 sccm之氮氣沈積a－ITON。參看圖7E及圖8，實例11之突起b5展現約1.5 nm之高度。
鑒於上述實例，應瞭解，實例10中之輸入功率(亦即，1.85 kw)低於實例7中輸入功率(亦即，3.7kw)。然而，實例7及實例10之突起b1及b4展現類似高度。亦應瞭解，實例11中之輸入功率(亦即，1.85 kw)低於實例8中之輸入功率(亦即，3.7 kw)。然而，實例8及實例11之突起b2及b5展現類似高度。
因此，應瞭解，閘極絕緣層之表面之粗糙度(亦即，形成於表面上之突起的高度)隨著氮氣之量的增加而降低且不依賴於輸入功率。詳言之，當如在實例9中使用30 sccm之氮氣時，閘極絕緣層之粗糙程度將顯著得以改良。
在實例12中，使用1.85 kw輸入功率、8次磁場掃描、3 sccm之水蒸氣、0 sccm之氧氣、0 sccm之氮氣及100 sccm之氬氣沈積a－ITON。就此而言，應瞭解，實例12中所使用之水蒸氣的量大於實例7至實例11中之水蒸氣之的量但未將氮氣添加於實例12中。參看圖7F及圖8，實例12之突起b6展現一處於約1.5 nm至約2 nm之範圍內的高度。因此，應瞭解，當在未添加氮氣之情況下增加水蒸氣之量時，閘極絕緣層之表面粗糙度並未較實例9(其使用30 sccm之氮氣)而言得以改良。然而，如上述實例中所說明，閘極絕緣層之表面的粗糙度將隨氮氣之量的增加而改良。
根據本文所述之本發明之各種實施例，包含氮氧化物之透明導體可減少閘極絕緣層上之表面缺陷且因此減少形成於閘極絕緣層上之有機半導體層中之缺陷。結果，可改良有關有機薄膜電晶體之操作。另外，藉由降低閘極絕緣層之表面的粗糙度，可改良形成於該閘極絕緣層上之透明導體的透射率。
正如熟習此項技術者應瞭解，可對本發明之材料、裝置、組態及方法作出許多修改、替換及變更而不背離本發明之精神及範疇。據此，本發明之範疇不應限於本文所說明及描述之特定實施例的範疇(因為該等實施例本質上僅為例示性的)，而應與以下附加之申請專利範圍之範疇完全相應。
100．．．陣列基板
101．．．第一基座
113．．．末端部分
120．．．基礎絕緣層
131．．．閘電極
133．．．末端部分
135．．．儲存電容器電極
140．．．閘極絕緣層
150．．．透明導體
151．．．源電極
153．．．汲電極
155．．．像素電極
157．．．接觸輔助元件
159．．．接觸輔助元件
160．．．通道
161．．．有機半導體層
163．．．擋止層
170．．．鈍化層
181．．．第一接觸孔
183．．．第二接觸孔
185．．．第三接觸孔
200．．．彩色濾光片基板
201．．．第二基座
210．．．光阻圖案
220．．．彩色濾光片
230．．．共同電極
300．．．液晶層
401．．．第一基座
413．．．末端部分
420．．．基座絕緣層
431．．．閘電極
433．．．末端部分
440．．．閘極絕緣層
450．．．透明導體
450a．．．下部導體
450b．．．上部導體
451．．．源電極
453．．．汲電極
455．．．像素電極
457．．．接觸輔助元件
459．．．接觸輔助元件
461．．．有機半導體層
463．．．擋止層
470．．．鈍化層
481．．．第一接觸孔
483．．．第二接觸孔
485．．．第三接觸孔
a1－a6．．．突起
b1－b6．．．突起
DLm．．．資料線
DLm＋1．．．資料線
DPm．．．資料墊
GLn．．．閘極線
GLn－1．．．閘極線
GPn．．．閘極墊
OTFT．．．有機薄膜電晶體
P．．．像素
圖1為根據本發明之一實施例之顯示基板的平面圖；圖2為根據本發明之一實施例之顯示面板的橫截面圖(沿圖1之顯示基板之線1－1'截取)；圖3A至圖3E為展示用於製造根據本發明之一實施例之圖1之顯示基板的各種製程步驟的橫截面圖；圖4A至圖4B為展示用於製造根據本發明之另一實施例之顯示基板的各種製程步驟的橫截面圖；圖5A至圖5F為根據本發明之實施例之於複數個測試條件下的顯示基板之有機絕緣層的圖片；圖6為說明根據本發明之實施例之對應於圖5A至圖5F之量測的圖表；圖7A至圖7F為根據本發明之實施例之針對其他複數個測試條件的顯示基板之有機絕緣層的圖片；及圖8為說明根據本發明之實施例之對應於圖7A至圖7F之量測的圖表；在不同圖式中使用相同參考符號指示類似或等同項。
113．．．末端部分
131．．．閘電極
133．．．末端部分
135．．．儲存電容器電極
151．．．源電極
153．．．汲電極
155．．．像素電極
157．．．接觸輔助元件
159．．．接觸輔助元件
160．．．通道
181．．．第一接觸孔
183．．．第二接觸孔
185．．．第三接觸孔
DLm．．．資料線
DLm＋1．．．資料線
DPm．．．資料墊
GLn．．．閘極線
GLn－1．．．閘極線
GPn．．．閘極墊
OTFT．．．有機薄膜電晶體
P．．．像素

Claims (17)

  1. 一種顯示基板，其包括：一基座；複數個於該基座上之資料線，其中該等資料線以一第一方向取向；複數個閘極線，該複數個閘極線以一與該第一方向交叉之第二方向取向；一像素，該像素由該等資料線及該等閘極線界定；一有機薄膜電晶體，其包含：一源電極，該源電極電力連接至該等資料線中之一者，一閘電極，該閘電極電力連接至該等閘極線中之一者，及一有機半導體層；一像素電極，該像素電極安置於該像素中且電力連接至該有機薄膜電晶體之該有機半導體層，其中該像素電極包括透明氮氧化物；及一絕緣層，該絕緣層位於該像素電極之下方，其中該像素電極包括：一下部導體，該下部導體位於該絕緣層上且包含該透明氮氧化物；及一上部導體，該上部導體位於該下部導體上且包含一透明氧化物。
  2. 如請求項1之顯示基板，其中該透明氮氧化物包含選自 一由銦(In)、錫(Sn)、鋅(Zn)、鋁(Al)，及鎵(Ga)組成之群組中的至少一者。
  3. 如請求項1之顯示基板，其中該透明氧化物包含選自一由銦(In)、錫(Sn)、鋅(Zn)、鋁(Al)，及鎵(Ga)組成之群組中的至少一者。
  4. 如請求項1之顯示基板，其中該源電極經由一接觸孔電力連接至該等資料線中之該一者，且其中該源電極及該像素電極係自該透明氮氧化物之一層而形成。
  5. 如請求項4之顯示基板，其中該汲電極係與該像素電極一體式形成。
  6. 如請求項1之顯示基板，其進一步包括一位於該有機半導體層上之擋止層。
  7. 一種用於製造一顯示基板之方法，其包括：在一基座上形成一資料線，其中該資料線係以一第一方向取向；形成一閘極線及一電力連接至該閘極線之閘電極，其中該閘極線係以一與該第一方向交叉之第二方向取向；在該閘極線及該閘電極上形成一第一絕緣層；在該絕緣層上形成一透明導體，其中該透明導體包括氮氧化物；及圖案化該透明導體以形成一電力連接至該資料線之源電極、一像素電極，及一與該像素電極一體式形成之汲電極，其中形成該透明導體包括： 藉由在該第一絕緣層上沈積透明氮氧化物而形成一下部導體；及藉由在該下部導體上沈積透明氧化物而形成一上部導體。
  8. 如請求項7之方法，其進一步包括在該資料線及該基座上形成一第二絕緣層。
  9. 如請求項7之方法，其中形成該第一絕緣層包括形成一接觸孔以暴露該資料線之一部分。
  10. 如請求項7之方法，其進一步包括在該源電極及該汲電極上，及在該閘電極之上方形成一有機半導體層。
  11. 如請求項7之方法，其進一步包括在一有機半導體層、該源電極，及該汲電極上形成一鈍化層。
  12. 如請求項7之方法，其中該形成該透明導體之步驟包括以一在一每分鐘約20標準立方公分(sccm)至約40 sccm之範圍內的流動速率將氮氣提供至該第一絕緣層。
  13. 如請求項7之方法，其中該氮氧化物包含選自一由銦(In)、錫(Sn)、鋅(Zn)、鋁(Al)，及鎵(Ga)組成之群組中的至少一者。
  14. 如請求項7之方法，其中該透明氧化物包含選自一由銦(In)、錫(Sn)、鋅(Zn)、鋁(Al)，及鎵(Ga)組成之群組中的至少一者。
  15. 一種顯示面板，其包括：一陣列基板，該陣列基板包括：一像素，該像素由複數個資料線及複數個閘極線界 定，其中該等資料線以一第一方向取向且該等閘極線以一與該第一方向交叉之第二方向取向；一有機薄膜電晶體，該有機薄膜電晶體形成於該像素中，其中該有機薄膜電晶體包括：一源電極，該源電極電力連接至該等資料線中之一者，一汲電極，及一閘電極，該閘電極電力連接至該等閘極線中之一者；一像素電極，該像素電極電力連接至該汲電極，其中該像素電極包括透明氮氧化物；一彩色濾光片基板，該彩色濾光片基板位於該陣列基板之上方；及，一液晶層，該液晶層插入於該陣列基板與該彩色濾光片基板之間，其中該像素電極包含一下部導體及一上部導體，該下部導體包含該透明氮氧化物，而該上部導體包含一透明氧化物。
  16. 如請求項15之顯示面板，其中該透明氮氧化物包含選自一由In、Sn、Zn、Al，及Ga組成之群組中之至少一者。
  17. 如請求項15之顯示面板，其中該源電極及該汲電極包括該透明氮氧化物。
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