TWI392020B - A shower plate and a method for manufacturing the same, and a plasma processing apparatus using the shower plate, a plasma processing method - Google Patents

A shower plate and a method for manufacturing the same, and a plasma processing apparatus using the shower plate, a plasma processing method Download PDF

Info

Publication number
TWI392020B
TWI392020B TW096121388A TW96121388A TWI392020B TW I392020 B TWI392020 B TW I392020B TW 096121388 A TW096121388 A TW 096121388A TW 96121388 A TW96121388 A TW 96121388A TW I392020 B TWI392020 B TW I392020B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
shower plate
gas
plasma
gas flow
hole
Prior art date
Application number
TW096121388A
Other languages
English (en)
Other versions
TW200828434A (en
Inventor
Masahiro Okesaku
Tetsuya Goto
Tadahiro Omi
Kiyotaka Ishibashi
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Univ Tohoku Nat Univ Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd, Univ Tohoku Nat Univ Corp filed Critical Tokyo Electron Ltd
Publication of TW200828434A publication Critical patent/TW200828434A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI392020B publication Critical patent/TWI392020B/zh

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05B—SPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
    • B05B1/00—Nozzles, spray heads or other outlets, with or without auxiliary devices such as valves, heating means
    • B05B1/14—Nozzles, spray heads or other outlets, with or without auxiliary devices such as valves, heating means with multiple outlet openings; with strainers in or outside the outlet opening
    • B05B1/18—Roses; Shower heads
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45563—Gas nozzles
    • C23C16/45565—Shower nozzles
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45563—Gas nozzles
    • C23C16/45568—Porous nozzles
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
    • C23C16/511—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using microwave discharges
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/3244—Gas supply means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/3244—Gas supply means
    • H01J37/32449—Gas control, e.g. control of the gas flow

Description

簇射板及其製造方法、及使用該簇射板之電漿處理裝置、電漿處理方法
本發明係關於電漿處理裝置，特別是使用於微波電漿處理裝置之簇射板及其製造方法、以及使用該簇射板之電漿處理裝置、電漿處理方法及電子裝置之製造方法。
電漿處理步驟及電漿處理裝置，係對近年來被稱為所謂深次微米元件或深次四分之一微米元件之具有0.1 μm或其以下之閘極長度之超微細化半導體裝置的製造、或包含液晶顯示裝置之高解像度平面顯示裝置的製造為不可或缺的技術。
作為使用於半導體裝置或液晶顯示裝置之製造的電漿處理裝置，以往雖使用各種電漿之激發方式，但特別是平行平板型高頻激發電漿處理裝置或電感耦合型電漿處理裝置為一般所使用。然而，此等習知電漿處理裝置由於電漿形成不均一且電子密度較高之區域受到限制，因此有難以以較高處理速度亦即產量在被處理基板整面進行均一之製程的問題點。該問題特別是在處理大口徑基板時變得嚴重。且該等習知電漿處理裝置中，由於電子溫度較高，因此會對形成於被處理基板上之半導體元件造成損傷，並因處理室壁之濺射導致金屬污染較大等具有幾項本質上的問題。因此，習知電漿處理裝置中，逐漸難以滿足對半導體裝置或液晶顯示裝置之進一步微細化及進一步提升生產性的嚴格要求。
對此，已有提案一種不使用以往之直流磁場而使用藉由微波電場激發之高密度電漿的微波電漿處理裝置。例如，已有提案下述構成之電漿處理裝置(例如參照專利文獻1)，亦即從例如備有配列成能產生均一微波之多數個槽的平面狀天線(徑向線槽天線)將微波放射於處理室內，並利用該微波電場使處理室內之氣體電離以激發電漿。以該種手法激發之微波電漿可實現將高電漿密度擴展至天線正下方之較廣區域，並能以短時間進行均一之電漿處理。而且，以該種手法形成之微波電漿，由於係利用微波激發電漿，因此電子溫度較低，可避免被處理基板之損傷或金屬污染。此外，由於亦容易激發均一之電漿於大面積基板上，因此亦容易對應於使用大口徑半導體基板之半導體裝置的製造步驟或大型液晶顯示裝置的製造。
該等電漿處理裝置中，通常為均一地供應電漿激發用氣體於處理室內而使用具備複數個縱孔之簇射板作為氣體放出路徑。然而，有因使用簇射板而造成形成於簇射板正下方之電漿逆流至簇射板之縱孔的情形。當電漿逆流至縱孔時，會產生異常放電或氣體之堆積，而有發生供激發電漿之微波之傳送效率或良率劣化的問題。
作為供防止該電漿逆流至縱孔之方法，已有提案多種簇射板構造之改良。
例如，於專利文獻2係揭示使縱孔前端之氣體放出孔的孔徑小於形成於簇射板正下方之電漿之層厚的2倍為有效。然而，僅縮小氣體放出孔之孔徑以作為防止電漿逆流之方法尚不足夠。特別是，當為降低損傷並提高處理速度而將電漿密度從以往之1012 cm－3 左右提高至1013 cm－3 時，電漿之逆流即變顯著，無法僅以控制氣體放出孔之孔徑來防止電漿之逆流。又，利用孔加工將微細孔徑之氣體放出孔形成於簇射板本體係困難，亦有加工性的問題。
又，於專利文獻3已有提案使用由通氣性之多孔性陶瓷燒結體構成之簇射板。此係欲利用構成多孔性陶瓷燒結體之多數個氣孔之壁來防止電漿之逆流。
然而，該由以常溫、常壓燒結之一般性多孔性陶瓷燒結體所構成的簇射板，其氣孔徑之大小係從數μm至數十μm左右分布較大，此外由於最大結晶粒徑為20 μm左右較大且組織不均一，因此表面平坦性不佳，且當以多孔性陶瓷燒結體作為與電漿接觸之面時，實效表面積會增加，電漿之電子、離子之再結合會增加，而有電漿激發之電力效率不佳的問題點。此處，於上述專利文獻3亦揭示有將氣體放出用之開口部形成於由氧化鋁構成之簇射板，並將以常溫、常壓燒結之一般性多孔性陶瓷燒結體裝設於該開口部，以透過該多孔性陶瓷燒結體放出氣體的構造，來取代以多孔性陶瓷燒結體構成簇射板整體。然而，該構造中，由於亦使用以常溫、常壓燒結之一般性多孔性陶瓷燒結體，因此還是無法解決因表面平坦性不佳所產生的上述問題。
此外，本案申請人先前於專利文獻4中提案，非從簇射板之構造面而係利用調整氣體放出孔之直徑尺寸來防止電漿逆流的方法。亦即，將氣體放出孔之直徑尺寸設為未滿0.1~0.3mm且將該直徑尺寸公差設為±0.002mm以內之精度，藉此防止電漿之逆流且消除氣體放出量之不均。
然而，以將電漿密度提高至1013 cm－3 之條件下，實際上將該簇射板使用在微波電漿處理裝置時，如圖21所示，發現淡茶色之變色部分，其被視為係因電漿逆流至縱孔603，該縱孔603係與形成於簇射板本體600及蓋板601之間之充填電漿激發用氣體之空間602連通，或係在空間602與縱孔603之部分因電漿激發用氣體著火所造成。
專利文獻1：日本特開平9－63793號公報專利文獻2：日本特開2005－33167號公報專利文獻3：日本特開2004－39972號公報專利文獻4：日本國際公開第06/112392號公報
本發明欲解決之課題，係在於提供可更徹底防止電漿逆流之發生或電漿激發用氣體在縱孔部分著火，並能以高效率激發電漿的簇射板。
本發明係在供電漿處理裝置內產生電漿而放出電漿激發用氣體之簇射板中，於成為電漿激發用氣體之放出路徑的縱孔，裝設具有連通於氣體流通方向之氣孔的多孔性氣體流通體及具有適當之複數個氣體放出孔的陶瓷構件，此外將利用該多孔性氣體流通體連通之氣孔所形成之氣體流通路徑之瓶頸的氣孔徑設為10 μm以下，藉此可防止電漿之逆流，且能將電漿激發用氣體均勻地放出至電漿處理裝置內，以產生均一之電漿。
又，使氣體放出孔之長度較電漿處理裝置內之電子的平均自由徑長，藉此可急劇降低電漿之逆流。
此外又對開設於簇射板之縱孔之氣體導入側的角部施以去角加工，藉此可防止在前述角部因微波之電場集中導致放電甚至電漿激發用氣體之著火現象。
如上述藉由將多孔性氣體流通體之瓶頸的氣孔徑設為10 μm以下，即使將電漿密度提高至1013 cm－3 左右，亦可防止電漿之逆流。亦即，該多孔性氣體流通體中，利用連通之氣孔雖已確保氣體之流通性，但該氣體流通路徑為曲折成鋸齒狀且存在10 μm以下較佳為5 μm以下之瓶頸。相對於此，由於構成電漿之電子或離子具有直進性，因此即使電漿逆流至多孔性氣體流通體，大部分會與氣孔壁碰撞，此外所有電漿會在氣孔之10 μm以下之瓶頸部碰撞，阻止進一步之逆流。
此處，將通氣性多孔性陶瓷燒結體使用於簇射板，作為具有連通於氣體流通方向之氣孔的多孔性氣體流通體，本身係揭示於上述專利文獻3。然而，在專利文獻3所使用之一般性多孔性陶瓷燒結體，係最大結晶粒徑為20 μm以上，由於利用連通之氣孔所形成之氣體流通路徑之瓶頸的氣孔徑輕易超過10 μm，因此在將電漿密度提高至1013 cm－3 左右之條件下，無法徹底防止電漿之逆流。又，如上述般，在結晶粒徑相對較大之一般性多孔性陶瓷燒結體，表面平坦性不佳，且因其實效表面積過大造成電漿之電子、離子再結合增加，而有電漿激發之電力效率不佳的問題點。
相對於此，本發明中，相對於將電漿密度提高至1013 cm－3 時之電漿層厚0.01mm之2倍(20 μm)，如上述般利用將瓶頸之氣孔徑設為10 μm以下，即確實地防止電漿之逆流，且如後述般藉由使用結晶粒徑微細且由高純度之陶瓷燒結體構成之多孔性氣體流通體，可提升表面平坦性並解決因電漿之電子、離子再結合增加所造成之電漿激發之電力效率惡化的問題。
亦即，作為多孔性氣體流通體，由不含使介電損耗增大之雜質的高純度且具有微細結晶組織之瓷燒結體構成之通氣性多孔性瓷燒結體在介電損耗、強度等之點來看優異，可列舉例如調合高純度氧化鋁及微量之粒子成長抑制劑或Y2 O3 及富鋁紅柱石等之氧化鋁系燒結體、AlN燒結體、SiO2 燒結體、富鋁紅柱石燒結體、SiN4 燒結體、以及SiAlON燒結體等。其氣孔徑之大小，較佳係設為小於形成於簇射板正下方之電漿層厚的2倍。又，結晶粒徑為微細且組織均勻且無不均者較佳。特別是，作為多孔性氣體流通體，係使用由氧化鋁系陶瓷構成之多孔性陶瓷燒結體的介電損耗為在1×10－3 以下，更佳為5×10－4 以下，且最大結晶粒徑為15 μm以下，更佳為10 μm以下，且平均結晶粒徑為10 μm以下，更佳為5 μm以下，此外氣孔率為20~75%之範圍，平均氣孔徑為10 μm以下且最大氣孔徑為75 μm以下，氣體流通路徑之瓶頸之氣孔徑為10 μm以下的材料。此外，由於將多孔性陶瓷燒結體之強度(彎曲強度)設為30MPa以上，藉此可將除氣孔部分外之研磨加工面之面粗糙度(Ra)設至1.5 μm以下，因此可消除因以往之多孔性陶瓷燒結體之表面平坦性不佳或實效表面積之增大所造成之弊害。具有上述諸特性之多孔性陶瓷燒結體作為一例係可從99.9%以上之高純度Al2 O3 微粉末比較容易地製造。藉由使用該種多孔性陶瓷燒結體，可更確實地防止電漿之逆流。
該種多孔性氣體流通體係可配置於設在縱孔之氣體放出側之氣體放出孔的氣體導入側，或配置於縱孔之前端部。
此處，將多孔性氣體流通體設置於氣體放出孔之氣體導入側時，由於多孔性氣體流通體不會與電漿直接接觸，且亦不妨礙簇射板下面之平坦度，因此可解決因電漿之電子、離子再結合增加所造成之電漿激發之電力效率惡化的問題。利用在將電漿激發用氣體導入於氣體放出孔前，導入至多孔性氣體流通體，能使各個縱孔之電漿激發用氣體的壓力、流速等諸特性均一化。接著，由於之後從複數個氣體放出孔放出，因此各個氣體放出孔之電漿激發用氣體的流量無不均且為一定，從簇射板寬廣之面以均一狀態放出至電漿處理裝置內。是以，可於簇射板正下方以高效率產生均一之電漿。換言之，將具有使電漿激發用氣體之壓力、流速等諸特性均一化之緩衝效果的多孔性氣體流通體配置於氣體放出孔之氣體導入側，藉此可消除自氣體放出孔放出之氣體之流速及流量的不均，以謀求所產生之電漿的均一化。接著，可一邊具有如上述般可於簇射板正下方以高效率產生均一之電漿的優點，一邊利用由具有配置於氣體放出孔之氣體導入側之微細結晶組織的陶瓷燒結體所構成之多孔性氣體流通體來防止電漿逆流至縱孔之氣體導入側。
將多孔性氣體流通體配置於氣體放出孔之氣體導入側時，於多孔性氣體流通體之氣體導入側，連續設置孔徑較氣體放出孔大的氣體通過孔較佳。該氣體通過孔係成為供從由例如設置於簇射板之橫孔所構成之電漿激發用氣體的導入路徑，將電漿激發用氣體導引至多孔性氣體流通體側的路徑，藉由使該孔徑大於氣體放出孔之孔徑，可使電漿激發用氣體易於導引至多孔性氣體流通體側，而能提升整體的氣體導通率。又，由於降低氣體之流體阻力，因此壓力損失少而可將氣體之供應壓力設成較低並節省能源。
本發明中，亦可將多孔性氣體流通體裝設於縱孔之至少前端部。如此，將多孔性氣體流通體裝設於縱孔之至少前端部時，由於電漿激發用氣體會從多孔性氣體流通體之整面放出，因此會使所放出之電漿激發用氣體的壓力、流速等諸特性均一化。藉此，電漿激發用氣體可均一地放出，並於簇射板正下方產生無亂流現象之均一電漿。
又，此時多孔性氣體流通體之形狀，其上面及下面為向電漿處理裝置內平形平面亦可，較佳係設為均彎曲成凸曲面狀或凹曲面狀之形狀，換言之凸狀球殼或凹狀球殼之形狀。如此藉由設成彎曲之形狀，可利用變形(彈性)來吸收因使用時之熱膨脹、收縮的應力，並能防止多孔性氣體流通體及裝設該多孔性氣體流通體之簇射板的破裂等。又，於設為向電漿處理裝置內凸曲面狀時，由於可將電漿激發用氣體放出至更廣範圍，因此能產生更均一之電漿。
此外，亦能以細密陶瓷層形成多孔性氣體流通體之除上面及下面以外的外周。多孔性氣體流通體係裝設於簇射板之縱孔時，由於有其外周會崩塌且粒子會脫落之顧慮因此必須注意，藉由將其外周設為細密陶瓷層，可使外周不易崩塌以提升作業性且能防止因粒子脫落所造成之污染。
該種多孔性氣體流通體，可藉由嵌合或燒結結合裝設於簇射板之縱孔的前端部。於使多孔性氣體流通體及簇射板一起以燒結體之狀態嵌合時，多孔性氣體流通體之外部尺寸係以相對於簇射板之縱孔的內部尺寸為0~－0.002 mm之尺寸，利用熱嵌合、冷嵌合、或壓入來嵌合。
或者，亦可將外周面塗部有耐熱性陶瓷用接著劑之多孔性氣體流通體裝入於已燒結之簇射板的縱孔內之後，藉由以400℃以上之溫度燒成，在堅固接著之狀態下裝設。
又，亦可在將多孔性氣體流通體及簇射板一起燒結前之階段裝設，並在之後同時燒結。亦即，多孔性氣體流通體係在使多孔性氣體流通體之原料粉末成型並加工成既定形狀之粉末成形體、其脫脂體、暫燒結體或燒結體的階段，簇射板係在使簇射板之原料粉末成型並將縱孔加工成形之未處理體、其脫脂體或暫燒結體的階段，將多孔性氣體流通體裝設於簇射板之縱孔，並在之後同時燒結。此時，將成型條件或其後之脫脂、暫燒結條件調整成同時燒結時各構件之收縮率為大致相同，且至少鎖緊力會作用於多孔性氣體流通體。如此，藉由在燒結前之階段裝設，並於其後同時燒結，即可將多孔性氣體流通體確實地固定於簇射板之縱孔。
此外，本發明中，亦可設為將開設有複數個氣體放出孔之陶瓷構件裝設在開設於簇射板之縱孔的構成。亦即，將氣體放出孔形成於與簇射板不同之另一陶瓷構件，並將該陶瓷構件裝設在開設於簇射板之縱孔。藉由設成該種構成，相較於利用對簇射板進行孔加工以形成氣體放出孔，可容易形成既微細又長的氣體放出孔。此外，開設有氣體放出孔之陶瓷構件，可藉由射出成型、擠製成型或特殊鑄入成型等形成。氣體放出孔之尺寸，較佳係將其孔徑設為形成於簇射板正下方之電漿層厚的2倍以下，且將其長度設為較處理室之電子的平均自由徑長。以此方式設置既微細又長的氣體放出孔，可與設於該氣體導入側之多孔性氣體流通體的效果相輔相成以更確實地防止電漿之逆流。
將設有上述氣體放出孔之構件裝設於各縱孔的具體形態，係以前述構件佔用各縱孔之氣體放出側較佳。此時，使縱孔之氣體放出側窄於氣體導入側，並使前述構件設於該較窄部分且亦延伸於氣體導入側較佳。又，於縱孔之氣體導入側，亦可將多孔性氣體流通體配置成接觸於前述構件之氣體放出孔。該種構成中，較佳係使氣體放出孔之長度較電漿處理裝置內之電子的平均自由徑長，將其孔徑設為形成於簇射板正下方之電漿層厚的2倍以下，並將多孔性流通體之氣孔的孔徑設為形成於簇射板正下方之電漿的層厚以下。
又，此外於成為電漿激發用氣體之氣體流路部分之簇射板的縱孔部分，由於微波之電場會集中於氣體導入側之角部，因此可藉由對前述角部施以去角加工以防止電場集中，並可防止電漿之自我發生亦即電漿激發用氣體之著火現象。
接著，可使用上述本發明之簇射板，將電漿激發用氣體供應於電漿處理裝置內，將所供應之電漿激發用氣體以微波激發以產生電漿，使用該電漿對基板施以氧化、氮化、氮氧化、CVD、蝕刻、以及電漿照射處理。
根據本發明，由於可防止電漿逆流至成為簇射板之電漿激發用氣體之放出路徑的縱孔，並可抑制在簇射板內部之異常放電或氣體堆積的發生，因此能防止供激發電漿之微波傳送效率或良率的劣化。
又，由於不會妨礙與電漿接觸之面的平坦度且能均一地放出電漿激發用氣體，因此能均一且高效率激發電漿。
以下，根據實施例說明本發明之實施形態。
實施例1
圖1係表示本發明之第一實施例。參照圖1，表示微波電漿處理裝置。圖示之微波電漿處理裝置具有透過複數個排氣口101排氣之處理室102，於處理室102中配置有保持被處理基板103之保持台104。為使處理室102排氣均勻，處理室102係於保持台104之周圍界定有環狀空間，複數個排氣口101以等間隔亦即相對於被處理基板103配列成軸對稱，俾連通於空間。藉由該排氣口101之配列，可使處理室102更均一地從排氣口101排氣。
於處理室102之上部，在與保持台104上之被處理基板103對應之位置，透過密封用O型環106安裝有直徑為408mm，由介質常數為9.8且低微波介電損耗(介電損耗在1×10－3 以下5×10－4 以下更佳)之介電體之氧化鋁所構成的簇射板105，作為處理室102之外壁的一部分。又，在構成處理室102之壁面107，於與簇射板105之側面對應之位置，設有由2條密封用O型環108與簇射板105之側面所圍成之環狀空間109。環狀空間109係與導入電漿激發用氣體之氣體導入口110連通。
另一方面，在簇射板105之側面，向簇射板105之中心方向開設有朝橫方向直徑1mm之多數個橫孔111。同時，開設有多數個縱孔112連通至處理室102以與該橫孔111連通。
圖2係表示從簇射板105之上面觀看之橫孔111與縱孔112的配置。圖3係表示橫孔111與縱孔112之配置的立體示意圖。又，圖4係表示縱孔112的詳細。縱孔112係由設於處理室102側之直徑10mm、深度10mm的第一縱孔112a與設於其更前端(氣體導入側)之直徑1mm的第二縱孔112b所構成，並連通於橫孔111。此外，於第一縱孔112a從處理室102側觀看，依序裝設有由氧化鋁擠製成型品構成且開設有複數個直徑50 μm之氣體放出孔113a之高度5mm的陶瓷構件113、及直徑10mm高度5mm之圓柱形之具有連通於氣體流通方向之氣孔的多孔性陶瓷燒結體114。
此處，多孔性陶瓷燒結體114之氣體導入側的第二縱孔112b，係與本案之申請專利範圍第5項所稱「氣體通過孔」對應。
參照圖1表示將電漿激發用氣體導入於處理室的方法。自氣體導入口110導入之電漿激發用氣體係導入於環狀空間109，進一步透過橫孔111、縱孔112，最後從設於縱孔112之前端部分的氣體放出孔113a，導入至處理室102。
於簇射板105之上面，設置有供放射微波而開設多數個槽之徑向線槽天線的槽板115、供使微波朝徑向傳播的慢波板116、以及供將微波導入於天線的同軸導波管117。又，慢波板116係藉由槽板115與金屬板118夾入。於金屬板118設有冷卻用流路119。
此種構成中，利用從槽板115放射之微波，使來自簇射板105所供應之電漿激發用氣體電離，藉此在簇射板105正下方數厘米之區域產生高密度電漿。所產生之電漿利用擴散到達被處理基板103。除電漿激發用氣體外，亦可從簇射板105導入氧氣或氨氣，作為積極產生徑向之氣體。
在圖示之電漿處理裝置，處理室102中，於簇射板105與被處理基板103之間，配置有由鋁或不銹鋼等導體構成之下段簇射板120。該下段簇射板120具備供將來自製程氣體供給口121所供應之製程氣體導入至處理室102內之被處理基板103的複數個氣體流路120a，製程氣體係藉由形成於與氣體流路120a之被處理基板103對應之面的多數個噴嘴120b，放出至下段簇射板120與被處理基板103間之空間。此處，作為製程氣體，於Plasma－Enhanced Chemical Vapor Deposition(PECVD)製程時，進行矽系之薄膜形成時係導入矽烷氣體或二矽烷氣體、形成低介質常數膜時係導入C5 F8 氣體。又，亦可導入有機金屬氣體之CVD作為製程氣體。又，Reactive Ion Etching(RIE)製程時，矽氧化膜蝕刻時係導入C5 F8 氣體與氧氣、金屬膜或矽之蝕刻時導入氯氣或HBr氣體。蝕刻時須要離子能量時，以透過電容器將RF電源122連接於設置在前述保持台104內部之電極並施加RF電力，藉此於被處理基板103上產生自偏壓。所送之製程氣體的氣體種類，不限於上述，依照製程設定所送之氣體、壓力。
於下段簇射板120，在相鄰之氣體流路120a彼此間，形成有開口部120c，其大小為在下段簇射板120之上部使利用微波激發之電漿藉由擴散以高效率通過被處理基板103與下段簇射板120間之空間。
又，暴露於高密度電漿並流入於簇射板105之熱流係透過槽板115、慢波板116、以及金屬板118，藉由流入冷卻用流路119之水等冷媒來排熱。
參照圖4，開設於本實施例之由氧化鋁材料構成之圓柱形陶瓷構件113的複數個氣體放出孔113a，係設為直徑50 μm。該數值雖小於1012 cm－3 之高密度電漿之層厚之40 μm的2倍，但大於1013 cm－3 之高密度電漿之層厚之10 μm的2倍。
此處，陶瓷構件113係以由99.95%以上之高純度Al2 O3 構成之介電損耗為1×10－3 以下的材料所形成。
此外，形成於與電漿接觸之物體表面之層厚度d係由下式決定。
此處，V0 為電漿與物體之電位差(單位為V)、Te 為電子溫度(單位為eV)、λD 為下式所定之德拜長度。
此處，ε0 為真空導磁率、k為波次曼常數、ne 為電漿之電子密度。
如表1所示，由於當電漿之電子密度上升時德拜長度會減少，因此從防止電漿逆流之觀點來看，可說氣體放出孔113a最好更小。
此外，藉由使氣體放出孔113a之長度較電子至散亂為止之平均距離的平均自由徑長，可急劇降低電漿之逆流。表2表示電子之平均自由徑。平均自由徑係與壓力成反比，0.1Torr時為4mm。實際上，由於氣體放出孔113a之氣體導入側壓力較高，因此平均自由徑雖較4mm短，但本實施例中，將50 μm直徑之氣體放出孔113a的長度設為5mm，係設為較平均自由徑長之值。
然而，由於平均自由徑只是平均距離，因此從統計上來看有行進更長距離而不散亂的電子。因此，本發明之形態中，於氣體放出孔113a之氣體導入側，設置具有連通於氣體流通方向之氣孔的多孔性陶瓷燒結體114。
氣孔徑之大小由於係供抑制電漿於氣孔中逆流並在第二縱孔112b之異常放電，因此為形成於簇射板105正下方之高密度電漿之層厚的2倍以下，最好為層厚以下較佳。本實施例之多孔性陶瓷燒結體114之氣孔亦即氣體流通路徑之瓶頸為10 μm以下，與1013 cm－3 之高密度電漿之層厚之10 μm為同程度以下。藉由此方式，對1013 cm－3 之高密度電漿亦可使用本簇射板。
藉由具有以上構成之簇射板105，由於可防止電漿逆流至縱孔112之氣體導入側，並可抑制在簇射板105內部之異常放電或氣體堆積的發生，因此能防止供激發電漿之微波傳送效率或良率的劣化。又，不會妨礙與電漿接觸之面的平坦度，能以高效率激發電漿。加上，氣體放出孔113係利用擠製成型法等形成於與簇射板105另外之陶瓷構件113，因此相較於利用孔加工將氣體放出孔形成於簇射板之情形，可易於形成直徑為0.1mm以下之微細且長的氣體放出孔。
又，對被處理基板103均一地進行電漿激發用氣體供應，並進一步從下段簇射板120透過噴嘴120b將製程氣體放出至被處理基板103之結果，從設於下段簇射板120之噴嘴120b向被處理基板103之製程氣體的流動即均勻地形成，製程氣體流回簇射板105上部之成分減少。其結果，減少因暴露於高密度電漿而過度解離所造成之製程氣體分子的分解，且即使製程氣體為堆積性氣體，由於亦不易引起因堆積於簇射板105而導致微波導入效率劣化等，因此可縮短清潔時間、提高製程穩定性與再現性以提升生產性，且可進行高品質之基板處理。
此外，第一縱孔112a及第二縱孔112b之個數、直徑、以及長度，開設於陶瓷構件113之氣體放出孔113a之個數、直徑、以及長度等，並不限於本實施例之數值。
實施例2
圖5表示本發明之第二實施例。參照圖5，表示微波電漿處理裝置。與第一實施例重複之部分賦予同一符號並省略說明。
本實施例中，於處理室102之上部，在與保持台104上之被處理基板103對應之位置，透過密封用O型環106安裝有由介質常數為9.8且低微波介電損耗(介電損耗在1×10－4 以下)之介電體之氧化鋁所構成，並形成有多數個(230個)開口部亦即形成有縱孔200的板狀簇射板201，作為處理室102之外壁的一部分。此外，於處理室102，在簇射板201之上面側亦即相對於簇射板201與保持台104之相反側，透過別的密封用O型環203安裝有由氧化鋁所構成之蓋板202。
圖6係表示簇射板201與蓋板202之配置的立體示意圖。參照圖5及圖6，於簇射板201上面與蓋板202之間，形成有充填從電漿激發用氣體供給口110透過開設於簇射板201內連通之氣體供給孔204所供應之電漿激發用氣體的空間205。換言之，蓋板202中，於蓋板202之簇射板201側之面之與縱孔200及氣體供給孔204對應的位置，設有槽以使其分別連接之槽，並於簇射板201與蓋板202之間形成空間205。亦即，縱孔200係配置成與空間205連通。
圖7表示縱孔200之詳細。圖7中(a)為截面圖、(b)為底面圖。縱孔200係由來自處理室102側直徑5mm、高度度2mm的第一縱孔200a與直徑10至20mm、高度度8至20mm的第二縱孔200b構成，於第一縱孔200a與第二縱孔200b之一部分，裝設有圓柱形陶瓷構件206，該圓柱形陶瓷構件形成有由氧化鋁構成之6支直徑50 μm、長度8mm之氣體放出孔206a。又，於縱孔200b之氣體導入側的角部，為防止微波之電場集中而引起放電，電漿自我發生電漿激發用氣體著火，實施有去角加工208。該去角加工係實施斜角，更佳為圓角加工，亦可於斜角後對該角部施以圓角加工。
藉由具有以上構成之簇射板201，可防止電漿逆流至縱孔200之氣體導入側，且亦消除在縱孔200之氣體導入側角部之電漿激發用氣體著火的現象。
圖8表示陶瓷構件206之較佳理想構造。該圖(a)係截面圖，(b)係底面圖。如該圖所示，形成於陶瓷構件206之氣體放出孔206a的孔徑為2~5 μm左右，其間隔為10~20 μm左右較佳。
此外，為確實防止電漿之逆流，如圖9所示，在與圖7相同尺寸之示陶瓷構件206的氣體導入側，亦可將具有連通於氣體流通方向之氣孔的多孔性陶瓷燒結體207配置成設在陶瓷構件206的氣體放出孔206a與接觸。此處，多孔性陶瓷燒結體207之氣體導入側之第二縱孔200b的空間部分，係與本案之申請專利範圍第5項所稱之「氣體通過孔」對應。
此外，本實施例之如圖9所示的多孔性陶瓷燒結體207，係使用99.95%以上之Al2 O3 材料、平均結晶粒徑為1 μm、彎曲強度為100MPa、且平均氣孔徑為3 μm、氣孔率為45%、厚度為4mm之材料。
在本實施例亦可獲得與第一實施例相同之效果。
此外，第一縱孔200a及第二縱孔200b之個數、直徑、以及長度，開設於陶瓷構件206之氣體放出孔206a之個數、直徑、以及長度等，並不限於本實施例之數值。
實施例3
圖10係表示本發明之第三實施例。參照圖式，表示微波電漿處理裝置。與第一及第二實施例重複之部分係賦予同一符號並省略說明。本實施例之簇射板301的縱孔係呈如圖11所示之構造。亦即，於激發電漿之處理室102側，開設有直徑0.05mm、長度0.5mm之氣體放出孔300a，氣體放出孔300a之氣體導入側係連接於直徑1mm之孔300b。又，於孔300b之氣體導入側的角部，為避免微波之電場集中，施以去角加工303。接著，於直徑1mm之孔300b之底部，裝設有高度5mm之圓柱形之具有連通於氣體流通方向之氣孔的多孔性陶瓷燒結體302。本實施例中，氣體放出孔300a，由於係直接開設於由氧化鋁構成之簇射板，長度難以大於1mm以上且較電子之平均自由徑短，因此電子會逆流，其結果有造成在空間205及縱孔300電漿著火且著火現象會持續保持的情形。為防止此種情形，於氣體放出孔300a之氣體導入側，設有與使用於第二實施例之相同材料特性的多孔性陶瓷燒結體302。
在本實施例亦可獲得與第一實施例相同之效果。
此外，縱孔300、氣體放出孔300a、以及孔300b之個數、直徑、以及長度等，並不限於本實施例之數值。
實施例4
圖12係表示本發明之第四實施例。參照圖12，表示微波電漿處理裝置。與第一至第三實施例重複之部分係賦予同一符號並省略說明。
於簇射板400之側面，向簇射板400之中心方向開設有橫方向直徑1mm之多數個橫孔401。同時，多數個(230個)縱孔402開設成與該橫孔401連通，以連通至處理室102。
圖13係表示從簇射板400之上面觀看之橫孔401與縱孔402的配置。圖14係表示橫孔401與縱孔402之配置的立體示意圖。又，圖15係表示縱孔402的詳細。縱孔402之長度為8~21mm左右、直徑為3mm以下較佳(更加為1mm以下)，於其前端部裝設有高度2~6mm左右之圓柱形且具有連通於氣體流通方向之氣孔的多孔性陶瓷燒結體403。多孔性陶瓷燒結體係由氧化鋁材料構成，並使用藉由連通之氣孔所形成之氣體流通路徑之瓶頸的氣孔徑為10 μm以下，介電損耗為1×10－3 以下，平均結晶粒徑為10 μm以下，氣孔率為20~75%，平均氣孔徑為10 μm以下，最大氣孔徑為75 μm以下，彎曲強度為30MPa以上者。
以下表示裝設有該多孔性陶瓷燒結體403之簇射板400的製造例。
(製造例1)將噴霧造粒粉體擠壓成型後，該噴霧造粒粉體係平均粒徑為70 μm，由將3重量%之蠟調合於平均粉末粒子徑為0.6 μm且純度為99.95%之Al2 O3 粉末而製得；並對將外徑、厚度、橫孔以及縱孔等加工成形為既定尺寸的未處理體進行燒結；而製得相對密度為98%之簇射板用燒結原材料。
另一方面，多孔性陶瓷燒結體係在以粉體狀態將前述噴霧造粒粉體於800℃燒成以製得暫燒結粉體後，利用對將前述簇射板用Al2 O3 粉末添加混合3重量%並擠壓成型而製得之未處理體進行燒結，而製得藉由連通之氣孔所形成之氣體流通路徑之瓶頸的氣孔徑為2 μm以下，介電損耗為2×10－4 ，平均結晶粒徑為1.5 μm，最大結晶粒徑為3 μm，氣孔率為40%，平均氣孔徑為3 μm，最大氣孔徑為5 μm，彎曲強度為300MPa的多孔性陶瓷燒結體用材料。
將前述簇射板用燒結原材料之縱孔的內徑精細加工成3.0±0.001mm，並將前述多孔性陶瓷燒結體用材料之厚度加工成6mm且將外徑尺寸精細加工成3.0~3.0－0.003mm後，進行超音波洗淨，如圖15所示，利用將多孔性陶瓷燒結體403壓入縱孔402而嵌合。當嵌合長度過小而壓入困難時，預先將簇射板加熱至50~100℃左右即容易壓入。
(製造例2)將與以前述製造例1製得之相同噴霧造粒粉體以78~147MPa之各種壓力擠壓成型後，準備將外徑、厚度、橫孔以及縱孔等加工成形為既定尺寸的簇射板用未處理體。
另一方面，作為多孔性陶瓷燒結體用材料，係準備將製得與前述製造例1相同之未處理體並將其加工成既定形狀的粉末成形體、將該粉末成形體以450℃燒成之脫脂體、進一步以450℃燒成之暫燒結體。
此外，前述簇射板用未處理體，依擠壓成型壓力燒結收縮率會不同，亦即78MPa時燒結收縮率為19%，147MPa時燒結收縮率為16.2%。又，由於多孔性陶瓷燒結體用材料在每次變更氣孔率或氣孔徑之設定時，燒結收縮率會改變，且依擠壓成型壓力燒結收縮率亦會改變，因此每次設定多孔性陶瓷燒結體特性時，預先要調查燒結收縮率。
將具有與上述簇射板用未處理體之燒結收縮率同等至略小之燒結收縮率之多孔性陶瓷燒結體的粉末成形體、脫脂體、或暫燒結體，裝設於縱孔後，同時燒結。藉此，由於彼此間會產生燒結結合力因此可確保堅固之裝設固定。
(製造例3)以450℃將與前述製造例1及製造例2相同之簇射板用未處理體燒成而製得脫脂體。此外，該脫脂體之燒結收縮率係與未處理體之燒結收縮率相同。
又，以600℃將簇射板用未處理體燒成(暫燒結)而製得暫燒結體。暫燒結體由於在暫燒結階段會產生若干之燒結收縮，因此在將暫燒結體正式燒結時之殘餘收縮率係暫燒結溫度愈高則愈小。
另一方面，以與前述製造例1及製造例2相同製法製得之多孔性陶瓷燒結體用材料，由於係使用將噴霧造粒粉體暫燒結之粉體，燒結收縮率較簇射板用未處理體略小，燒結收縮率與簇射板用未處理體之暫燒結體近似，因此正適合選定燒結收縮率為同等之簇射板用材料與多孔性陶瓷燒結體用材料。
此製造例亦與前述製造例2同樣地，藉由將簇射板用材料與裝設於其縱孔之多孔性陶瓷燒結體用材料同時燒結，由於彼此間會產生燒結結合力因此可確保堅固之裝設固定。
又，此外預先從在製造例2準備之簇射板用未處理體之燒結收縮率算出縱孔燒結後之尺寸，將多孔性陶瓷燒結體用材料之未處理體、脫脂體、暫燒結體之燒結後的尺寸及燒結體之尺寸略(1~50 μm左右)大於前述縱孔燒結後之算出尺寸的多孔性陶瓷材料，設置於前述未處理體之縱孔並同時燒結，藉此彼此間會產生燒結結合力，以達成具有連續結晶組織之堅固裝設固定。
此外，裝設於簇射板之縱孔的陶瓷構件(113,206,404)，亦藉由與上述製造例1~3所說明之相同方法，與簇射板同時燒結並裝設於既定位置。
如上述般，由於當電漿之電子密度上升時德拜長度會減少，因此從防止電漿逆流之觀點來看，可說多孔性陶瓷燒結體403之孔徑最好更小。具體而言，平均氣孔徑之大小係電漿層厚的2倍以下，較佳為層厚以下。又，多孔性陶瓷燒結體403之氣孔亦即氣體流通路徑之瓶頸為10 μm以下，係與1013 cm－3 之高密度電漿之層厚之10 μm為相同程度以下。藉此，對1013 cm－3 之高密度電漿亦可使用本簇射板。
藉由使用具有以上構成之簇射板400，由於可防止電漿逆流至其縱孔402之氣體導入側，並可抑制在簇射板400內部之異常放電或氣體堆積的發生，因此能防止供激發電漿之微波傳送效率或良率的劣化。
此處，為使至少從裝設於單一縱孔之多孔性氣體流通體所放出之電漿激發用氣體，無局部不均並儘可能從整面呈均一之流速、流量，而使用氣孔徑及通氣率為較小範圍內之多孔性氣體流通體時，為確保放出之電漿激發用氣體的流量，有使多孔性氣體流通體之厚度薄至2~3mm的情形。使用該種較薄多孔性氣體流通體時或平均氣孔徑與瓶頸之氣孔徑為較大之多孔性氣體流通體時，為更確實防止電漿之逆流，如圖16(a)所示，亦可將開設有複數個氣體流通孔404a之陶瓷構件404，設置成與多孔性陶瓷燒結體403之氣體導入側接觸。陶瓷構件404，係99.95%以上之高純度氧化鋁(介電損耗為1×10－3 以下)之擠製成型品，並將氣體流通孔404a之孔徑設為直徑50 μm。該數值雖小於1012 cm－3 之高密度電漿之層厚之40 μm的2倍，但大於1013 cm－3 之高密度電漿之層厚之10 μm的2倍。又，將氣體流通孔404a之長度設為5mm。該氣體流通孔404a之長度，最好較電子散亂為止之平均距離的平均自由徑長。如上述般，平均自由徑係與壓力成反比，
0.1Torr時為4mm。實際上，由於氣體流通孔404a之氣體導入側壓力較高，因此平均自由徑雖較4mm短，但本實施例中，將氣體放出孔404a的長度設為5mm，係設為較平均自由徑長之值。
又，如圖16(b)所示，亦可藉由將別的多孔性陶瓷燒結體403a設置於多孔性陶瓷燒結體403之氣體導入側，以取代前述陶瓷構件404，來更確實防止電漿之逆流。此時，為降低電漿激發用氣體之壓損，係使用氣孔率及氣孔徑較氣體放出側之多孔性陶瓷燒結體403大者(例如平均氣孔徑：10~30 μm、氣孔率：50~75%)，作為氣體導入側之多孔性陶瓷燒結體403a。
圖17係表示多孔性陶瓷燒結體403之其他裝設例。圖17(a)之例，係將大徑之第二縱孔402b設置於第一縱孔402a之前端，並將第二縱孔402b作為多孔性陶瓷燒結體403之裝設部，以將多孔性陶瓷燒結體403裝設於該裝設部。又，圖17(a)之例中，於多孔性陶瓷燒結體403之氣體導入側，設置有陶瓷構件404，該陶瓷構件404開設有與於圖16(a)所說明之相同之複數個氣體流通孔404a。
藉此，亦可更確實防止電漿之逆流。此外，與圖16(a)之例同樣地，亦可將別的多孔性陶瓷燒結體設置於多孔性陶瓷燒結體403之氣體導入側，以取代陶瓷構件404。
圖17(b)之例，係將裝設於第二縱孔402b之多孔性陶瓷燒結體403的形狀，設成其上面及下面為均向處理室102彎曲成凹曲面狀。又，圖17(c)之例中，係將裝設於設在第一縱孔402a前端之大徑之第二縱孔402b之多孔性陶瓷燒結體403的形狀，設成其上面及下面為均向處理室102彎曲成凸曲面狀。此處，多孔性陶瓷燒結體403係裝設成其下端為自簇射板400之下面突出。如圖17(b)及圖17(c)所示，由於使用彎曲形狀之多孔性陶瓷燒結體403，因此可利用變形(彈性)以吸收簇射板400使用時因熱膨脹、收縮所產生之應力，以防止多孔性氣體流通體403及裝設該多孔性氣體流通體403之簇射板400的破裂等。又，如圖17(c)所示，向處理室2設成凸曲面狀時，由於可將電漿激發用氣體放出至更廣範圍，因此能產生更均一之電漿。此外，圖17(b)及圖17(c)之例中，亦可將開設有複數個氣體流通孔之陶瓷構件或別的多孔性陶瓷燒結體設置於多孔性氣體流通體403之氣體導入側。
以上之實施例中，縱孔112a之個數、直徑、以及長度，並不限於本實施例之數值。
實施例5
圖18係表示本發明之第五實施例。參照圖18，表示微波電漿處理裝置。與第一至第四實施例重複之部分係賦予同一符號並省略說明。
本實施例中，於處理室102之上部，在與保持台104上之被處理基板103對應之位置，透過密封用O型環106安裝有由介質常數為9.8且低微波介電損耗(介電損耗在1×10－4 以下)之介電體之氧化鋁所構成，並形成有多數個(230個)開口部亦即形成有縱孔500的板狀簇射板501，作為處理室102之外壁的一部分。此外，於處理室102，在簇射板201之上面側亦即相對於簇射板501與保持台104之相反側，透過別的密封用O型環203安裝有由氧化鋁所構成之蓋板202。
圖19係表示簇射板501與蓋板202之配置的立體示意圖。參照圖18及圖19，於簇射板501上面與蓋板202之間，形成有充填從電漿激發用氣體供給口110透過開設於簇射板501內連通之氣體供給孔204所供應之電漿激發用氣體的空間205。換言之，蓋板202中，於蓋板202之簇射板501側之面之與縱孔500及氣體供給孔204對應的位置，設有槽以使其分別連接，並於簇射板501與蓋板202之間形成空間205。亦即，縱孔500係配置成與空間205連通。
圖20表示縱孔500之詳細。縱孔500係由來自處理室102側直徑8mm、高度3mm的第一縱孔500a與直徑10mm、高度度7 mm的第二縱孔500b構成，並藉由嵌合將具有連通於氣體流通方向之氣孔的多孔性陶瓷燒結體502，裝設於第一縱孔500a與第二縱孔500b之整體。多孔性陶瓷燒結體502，係除其上面及下面以外之外周為以細密陶瓷層502a所形成，且內部為多孔性部502b。多孔性部502b之構成，係與第四實施例之多孔性陶瓷燒結體403相同。細密陶瓷層502a，係具有與簇射板501同等特性值，具體而言，係以介電損耗為1×10－3 以下，Al2 O3 純度為99.95%以上且相對密度為98%以上之材料形成。該種於外周具有細密陶瓷層502a之多孔性陶瓷燒結體502，例如可利用以下方法製造。
亦即，將調整為多孔性氣體流通體用之粉末充填於圓形筒狀橡膠模具並以冷等壓壓製(CIP)成型後，將外周經加工之圓柱形成形體，設置於尺寸較前述橡膠模具大之圓形筒狀橡膠模具的中心，將細密陶瓷用調整粉末充填於其外側，並將再度進行CIP成型而製得之成形體以既定溫度燒結，藉此可製得雙重構造之多孔性氣體流通體。此外，重要的是要將各CIP成型條件設定成中心部之多孔性材料部與外周之細密性材料部的燒結收縮為相同。
於本實施例亦可獲得與第四實施例相同之效果。
此外，第一縱孔500a及第二縱孔500b之個數、直徑、以及長度，並不限於本實施例之數值。
本發明之簇射板，除微波電漿處理裝置外，亦可利用於平行平板型高頻激發電漿處理裝置、電感耦合型電漿處理裝置等各種電漿處理裝置。
101．．．排氣口
102．．．處理室
103．．．被處理基板
104．．．保持台
105．．．簇射板
106．．．密封用O型環
107．．．壁面
108．．．密封用O型環
109．．．環狀空間
110．．．氣體導入口
111．．．橫孔
112．．．縱孔
112a．．．第一縱孔
112b．．．第二縱孔
113．．．陶瓷構件
113a．．．氣體放出孔
114．．．多孔性陶瓷燒結體(多孔性氣體流通體)
115．．．槽板
116．．．慢波板
117．．．同軸導波管
118．．．金屬板
119．．．冷卻用流路
120．．．下段簇射板
120a．．．氣體流路
120b．．．噴嘴
120c．．．開口部
121．．．製程氣體供給口
122．．．RF電源
200．．．縱孔
200a．．．第一縱孔
200b．．．第二縱孔
201．．．簇射板
202．．．蓋板
203．．．密封用O型環
204．．．氣體供給孔
205．．．空間
206．．．陶瓷構件
206a．．．氣體放出孔
207．．．多孔性陶瓷燒結體(多孔性氣體流通體)
208．．．去角加工
300．．．縱孔
300a．．．氣體放出孔
300b．．．孔
301．．．簇射板
302．．．多孔性陶瓷燒結體(多孔性氣體流通體)
303．．．去角加工
400．．．簇射板
401．．．橫孔
402．．．縱孔
402a．．．第一縱孔
402b．．．第二縱孔
403．．．多孔性陶瓷燒結體(多孔性氣體流通體)
404．．．陶瓷構件
404a．．．氣體流通孔
500．．．縱孔
501．．．簇射板
502．．．多孔性陶瓷燒結體(多孔性氣體流通體)
502a．．．細密性陶瓷層
502b．．．多孔性部
〔圖1〕係表示本發明之第一實施例。
〔圖2〕係表示從圖1所示之簇射板之上面觀看之橫孔與縱孔的配置。
〔圖3〕係表示圖1所示之簇射板之橫孔與縱孔的配置。
〔圖4〕係表示圖1所示之簇射板之縱孔的詳細。
〔圖5〕係表示本發明之第二實施例。
〔圖6〕係表示圖5所示之簇射板與蓋板的配置。
〔圖7〕係表示圖5所示之簇射板之縱孔的詳細。
〔圖8〕係表示裝設於圖5所示之簇射板之縱孔之陶瓷構件的較佳理想構造。
〔圖9〕係表示將多孔性陶瓷燒結體設於圖7所示之縱孔的例。
〔圖10〕係表示本發明之第三實施例。
〔圖11〕係表示圖10所示之簇射板之縱孔的詳細。
〔圖12〕係表示本發明之第四實施例。
〔圖13〕係表示從圖12所示之簇射板之上面觀看之橫孔與縱孔的配置。
〔圖14〕係表示圖12所示之簇射板之橫孔與縱孔的配置。
〔圖15〕係表示圖12所示之簇射板之縱孔的詳細。
〔圖16〕係表示在裝設於簇射板之縱孔前端部之多孔性陶瓷燒結體的氣體導入側，設置具有氣體流通孔之陶瓷構件或其他多孔性陶瓷燒結體的例。
〔圖17〕係表示多孔性陶瓷燒結體之其他裝設例。
〔圖18〕係表示本發明之第五實施例。
〔圖19〕係表示圖18所示之簇射板與蓋板的配置。
〔圖20〕係表示圖18所示之簇射板之縱孔的詳細。
〔圖21〕係表示習知簇射板。
102．．．處理室
105．．．簇射板
111．．．橫孔
112．．．縱孔
112a．．．第一縱孔
112b．．．第二縱孔
113．．．陶瓷構件
113a．．．氣體放出孔
114．．．多孔性陶瓷燒結體(多孔性氣體流通體)

Claims (21)

  1. 一種簇射板，係配置於電漿處理裝置，供於前述電漿處理裝置內產生電漿而放出電漿激發用氣體，其特徵為：於成為電漿激發用氣體之放出路徑的縱孔，裝設具有連通於氣體流通方向之氣孔的多孔性氣體流通體，藉由前述多孔性氣體流通體連通之氣孔所形成之氣體流通路徑之瓶頸的氣孔徑為10μm以下；於前述縱孔之氣體放出側設有氣體放出孔，前述多孔性氣體流通體係配置於前述氣體放出孔之氣體導入側；前述氣體放出孔之孔徑為形成於簇射板正下方之電漿層厚的2倍以下。
  2. 如申請專利範圍第1項所記載之簇射板，其中，前述多孔性氣體流通體係由氧化鋁系材料構成，介電損耗為1×10-3 以下，平均結晶粒徑為10μm以下，氣孔率為20~75%之範圍，平均氣孔徑為10μm以下，最大氣孔徑為75μm以下，彎曲強度為30MPa以上。
  3. 如申請專利範圍第1項所記載之簇射板，其中，於前述多孔性氣體流通體之氣體導入側，連續設有孔徑較前述氣體放出孔大的氣體通過孔。
  4. 如申請專利範圍第1項所記載之簇射板，其係由將開設有複數個氣體放出孔之陶瓷構件裝設於開設在簇射板 之縱孔所構成。
  5. 如申請專利範圍第1或2項所記載之簇射板，其中，前述多孔性氣體流通體係於前述縱孔之至少前端部，藉由嵌合或燒結結合所裝設。
  6. 如申請專利範圍第5項所記載之簇射板，其中，多孔性氣體流通體之上面及下面係均向前述電漿處理裝置內彎曲成凸曲面狀或凹曲面狀。
  7. 如申請專利範圍第5項所記載之簇射板，其中，多孔性氣體流通體除上面及下面以外之外周係以細密陶瓷層所形成。
  8. 如申請專利範圍第5項所記載之簇射板，其中，於多孔性氣體流通體之氣體導入側的縱孔，裝設氣孔率較開設有氣體流通孔之陶瓷構件或前述多孔性氣體流通體大的其他多孔性氣體流通體。
  9. 一種簇射板，係配置於電漿處理裝置，並具備供於前述電漿處理裝置內產生電漿而放出電漿激發用氣體的複數個氣體放出孔，其特徵為：氣體放出孔之長度係較前述電漿處理裝置內之電子的平均自由徑長；氣體放出孔係設於開設在簇射板之縱孔的氣體放出側，並對前述縱孔之氣體導入側的角部施以去角加工。
  10. 一種簇射板，係電漿處理裝置用，其特徵為：具備複數個縱孔，各縱孔之氣體放出側為設有複數個氣體放出孔之構件所佔用，各氣體放出孔之長度較前述電 漿處理裝置內之電子的平均自由徑長；前述縱孔之前述氣體放出側係較氣體導入側窄，前述構件係設於該較窄部分且亦延伸於氣體導入側。
  11. 如申請專利範圍第10項所記載之簇射板，其中，前述構件係陶瓷之擠製成型品。
  12. 如申請專利範圍第10項所記載之簇射板，其中，於前述縱孔之氣體導入側，將具有連通於氣體流通方向之氣孔的多孔性氣體流通體配置成接觸於前述複數個氣體放出孔。
  13. 如申請專利範圍第10項所記載之簇射板，其中，前述氣體放出孔之孔徑為形成於簇射板正下方之電漿層厚的2倍以下。
  14. 如申請專利範圍第12項所記載之簇射板，其中，前述多孔性氣體流通體之氣孔的孔徑為形成於簇射板正下方之電漿層厚以下。
  15. 一種簇射板製造方法，係製造如申請專利範圍第1項所記載之簇射板，其特徵為：藉由嵌合以裝設相對於簇射板之縱孔的內徑尺寸較小0~0.002mm之外徑尺寸的多孔性氣體流通體。
  16. 一種簇射板製造方法，係製造如申請專利範圍第1項所記載之簇射板，其特徵為：將使多孔性氣體流通體之原料粉末成型並加工成既定形狀的粉末成形體、其脫脂體、或暫燒結體，裝設於使簇射板之原料粉末成型並加工形成縱孔之未處理體的縱孔後 ，與該未處理體同時燒結。
  17. 一種簇射板製造方法，係製造如申請專利範圍第1項所記載之簇射板，其特徵為：將使多孔性氣體流通體之原料粉末成型並加工成既定形狀的粉末成形體、其脫脂體、或暫燒結體，裝設於使簇射板之原料粉末成型並加工形成縱孔之未處理體之脫脂體的縱孔後，與該未處理體之脫脂體同時燒結。
  18. 一種簇射板製造方法，係製造如申請專利範圍第1項所記載之簇射板，其特徵為：將使多孔性氣體流通體之原料粉末成型並加工成既定形狀的粉末成形體、其脫脂體、或暫燒結體，裝設於使簇射板之原料粉末成型並加工形成縱孔之未處理體之暫燒結體的縱孔後，與該未處理體之暫燒結體同時燒結。
  19. 一種簇射板製造方法，其特徵為：於使原料粉末成型並加工形成縱孔之簇射板之未處理體、脫脂體、或暫燒結體的前述縱孔，裝入具有複數個氣體放出孔或氣體流通孔之陶瓷構件的未處理體、脫脂體、暫燒結體、或燒結體後，同時燒結。
  20. 一種電漿處理裝置，其特徵為：配置有如申請專利範圍第1至14項中任一項所記載之簇射板。
  21. 一種電漿處理方法，其特徵為：使用如申請專利範圍第1至14項中任一項所記載之簇射板，將電漿激發用氣體供應於電漿處理裝置內，將所 供應之電漿激發用氣體以微波激發以產生電漿，使用該電漿對基板施以氧化、氮化、氮氧化、CVD、蝕刻、或電漿照射。
TW096121388A 2006-06-13 2007-06-13 A shower plate and a method for manufacturing the same, and a plasma processing apparatus using the shower plate, a plasma processing method TWI392020B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006163357 2006-06-13
JP2006198754 2006-07-20
JP2007153563A JP2008047869A (ja) 2006-06-13 2007-06-11 シャワープレート及びその製造方法、並びにそのシャワープレートを用いたプラズマ処理装置、プラズマ処理方法及び電子装置の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW200828434A TW200828434A (en) 2008-07-01
TWI392020B true TWI392020B (zh) 2013-04-01

Family

ID=38831743

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW096121388A TWI392020B (zh) 2006-06-13 2007-06-13 A shower plate and a method for manufacturing the same, and a plasma processing apparatus using the shower plate, a plasma processing method

Country Status (6)

Country Link
US (2) US8372200B2 (zh)
JP (1) JP2008047869A (zh)
KR (1) KR101130111B1 (zh)
CN (1) CN103044063A (zh)
TW (1) TWI392020B (zh)
WO (1) WO2007145229A1 (zh)

Families Citing this family (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080254220A1 (en) * 2006-01-20 2008-10-16 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus
JP2008047869A (ja) * 2006-06-13 2008-02-28 Hokuriku Seikei Kogyo Kk シャワープレート及びその製造方法、並びにそのシャワープレートを用いたプラズマ処理装置、プラズマ処理方法及び電子装置の製造方法
JP5004271B2 (ja) * 2006-09-29 2012-08-22 東京エレクトロン株式会社 マイクロ波プラズマ処理装置、誘電体窓の製造方法およびマイクロ波プラズマ処理方法
JP5010234B2 (ja) 2006-10-23 2012-08-29 北陸成型工業株式会社 ガス放出孔部材を一体焼結したシャワープレートおよびその製造方法
US9157152B2 (en) * 2007-03-29 2015-10-13 Tokyo Electron Limited Vapor deposition system
US8673080B2 (en) 2007-10-16 2014-03-18 Novellus Systems, Inc. Temperature controlled showerhead
JP4590597B2 (ja) * 2008-03-12 2010-12-01 国立大学法人東北大学 シャワープレートの製造方法
DE102008024486B4 (de) * 2008-05-21 2011-12-15 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Plasmastempel, Plasmabehandlungsvorrichtung, Verfahren zur Plasmabehandlung und Herstellungsverfahren für einen Plasmastempel
CN102177274B (zh) * 2008-10-08 2014-08-06 Abcd技术有限公司 汽相沉积系统
DE112010000724T8 (de) * 2009-01-09 2013-04-18 Ulvac, Inc. Plasmaverarbeitungsvorrichtung und Plasma-CVD-Filmbildungsverfahren
JP5674328B2 (ja) * 2010-03-16 2015-02-25 東京エレクトロン株式会社 電極及びプラズマ処理装置
US8223592B2 (en) * 2010-06-11 2012-07-17 Graber Curtis E Omni-directional acoustic radiator with radial waveguides for submersible multi-transducer array
US10658161B2 (en) * 2010-10-15 2020-05-19 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for reducing particle defects in plasma etch chambers
CN103492064A (zh) * 2010-11-09 2014-01-01 三星电子株式会社 等离子体发生器及等离子体产生方法
WO2012122054A2 (en) 2011-03-04 2012-09-13 Novellus Systems, Inc. Hybrid ceramic showerhead
US9111731B2 (en) * 2011-11-29 2015-08-18 Lam Research Corporation Gas feed insert in a plasma processing chamber and methods therefor
TWI497589B (zh) * 2012-12-17 2015-08-21 Global Material Science Co Ltd 乾蝕刻反應室腔體之上電極及其製造方法
US9536710B2 (en) * 2013-02-25 2017-01-03 Applied Materials, Inc. Tunable gas delivery assembly with internal diffuser and angular injection
JP2015211099A (ja) * 2014-04-25 2015-11-24 京セラ株式会社 真空チャック部材および真空チャック部材の製造方法。
US10741365B2 (en) * 2014-05-05 2020-08-11 Lam Research Corporation Low volume showerhead with porous baffle
US10378107B2 (en) 2015-05-22 2019-08-13 Lam Research Corporation Low volume showerhead with faceplate holes for improved flow uniformity
US10023959B2 (en) 2015-05-26 2018-07-17 Lam Research Corporation Anti-transient showerhead
WO2017062087A1 (en) * 2015-10-08 2017-04-13 Applied Materials, Inc. Showerhead with reduced backside plasma ignition
US11694911B2 (en) * 2016-12-20 2023-07-04 Lam Research Corporation Systems and methods for metastable activated radical selective strip and etch using dual plenum showerhead
US10755900B2 (en) * 2017-05-10 2020-08-25 Applied Materials, Inc. Multi-layer plasma erosion protection for chamber components
WO2019160898A1 (en) * 2018-02-13 2019-08-22 Tan Yung Chieh Liquid saving device
CN110307539A (zh) * 2018-03-20 2019-10-08 河南神玖复合材料有限公司 防气体涡流燃烧装置
US10903096B2 (en) * 2018-04-06 2021-01-26 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. System and apparatus for process chamber window cooling
US11189502B2 (en) * 2018-04-08 2021-11-30 Applied Materials, Inc. Showerhead with interlaced gas feed and removal and methods of use
JP7224175B2 (ja) * 2018-12-26 2023-02-17 東京エレクトロン株式会社 成膜装置及び方法
CN109939618A (zh) * 2019-03-26 2019-06-28 沈阳拓荆科技有限公司 喷淋结构及化学源供给系统
US11881384B2 (en) * 2019-09-27 2024-01-23 Applied Materials, Inc. Monolithic modular microwave source with integrated process gas distribution
KR20210041354A (ko) 2019-10-07 2021-04-15 삼성전자주식회사 가스 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
WO2024064319A1 (en) * 2022-09-23 2024-03-28 Lam Research Corporation Gas distribution port insert and apparatus including the same

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020002948A1 (en) * 2000-03-24 2002-01-10 Toshiaki Hongo Plasma processing apparatus having an evacuating arrangement to evacuate gas from a gas-introducing part of a process chamber
JP2002343788A (ja) * 2001-05-21 2002-11-29 Toshiba Ceramics Co Ltd プラズマ処理装置のガスインレット部材
JP2003045809A (ja) * 2001-07-31 2003-02-14 Toshiba Ceramics Co Ltd シャワープレート
JP2003338492A (ja) * 2002-05-21 2003-11-28 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置
JP2004083362A (ja) * 2002-08-28 2004-03-18 Toshiba Ceramics Co Ltd フッ化物セラミックス焼結体及びその製造方法
TW200408316A (en) * 2002-05-10 2004-05-16 Tokyo Electron Ltd Method and device for plasma treatment
US20040094094A1 (en) * 2001-03-28 2004-05-20 Tadahiro Ohmi Plasma processing device
JP2004228426A (ja) * 2003-01-24 2004-08-12 Mitsubishi Materials Corp プラズマ処理装置用シャワープレートおよびその製造方法
EP1521297A1 (en) * 2002-07-05 2005-04-06 Tadahiro Ohmi Plasma processing equipment
WO2005067022A1 (ja) * 2003-12-26 2005-07-21 Tadahiro Ohmi シャワープレート、プラズマ処理装置、及び製品の製造方法

Family Cites Families (52)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3594011A (en) * 1968-08-04 1971-07-20 Federal Mogul Corp Composite wear-resistant articles such as face seals
JPS5671575A (en) * 1979-11-13 1981-06-15 Toyoda Mach Works Ltd Production of side plate
CH640571A5 (fr) * 1981-03-06 1984-01-13 Battelle Memorial Institute Procede et dispositif pour deposer sur un substrat une couche de matiere minerale.
SU954106A1 (ru) * 1981-04-21 1982-08-30 Московский Ордена Ленина Авиационный Институт Им.С.Орджоникидзе Пневматическа форсунка
DE69105761T2 (de) * 1990-01-26 1995-08-03 Isuzu Motors Ltd Gusswerkstück mit keramischer Verstärkungseinlage und Verfahren zu dessen Herstellung.
US5962085A (en) * 1991-02-25 1999-10-05 Symetrix Corporation Misted precursor deposition apparatus and method with improved mist and mist flow
US5439524A (en) * 1993-04-05 1995-08-08 Vlsi Technology, Inc. Plasma processing apparatus
WO1996004409A1 (en) * 1994-08-01 1996-02-15 Franz Hehmann Selected processing for non-equilibrium light alloys and products
JPH0963793A (ja) 1995-08-25 1997-03-07 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置
US5595602A (en) * 1995-08-14 1997-01-21 Motorola, Inc. Diffuser for uniform gas distribution in semiconductor processing and method for using the same
US6391690B2 (en) * 1995-12-14 2002-05-21 Seiko Epson Corporation Thin film semiconductor device and method for producing the same
US6108189A (en) * 1996-04-26 2000-08-22 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck having improved gas conduits
US5996528A (en) * 1996-07-02 1999-12-07 Novellus Systems, Inc. Method and apparatus for flowing gases into a manifold at high potential
US20020011215A1 (en) * 1997-12-12 2002-01-31 Goushu Tei Plasma treatment apparatus and method of manufacturing optical parts using the same
JPH11274087A (ja) * 1998-03-25 1999-10-08 Toshiba Corp シャワープレート
US6182603B1 (en) * 1998-07-13 2001-02-06 Applied Komatsu Technology, Inc. Surface-treated shower head for use in a substrate processing chamber
JP3595853B2 (ja) * 1999-03-18 2004-12-02 日本エー・エス・エム株式会社 プラズマｃｖｄ成膜装置
EP1115147A4 (en) * 1999-05-26 2007-05-02 Tadahiro Ohmi DEVICE FOR PLASMA TREATMENT
US6500299B1 (en) * 1999-07-22 2002-12-31 Applied Materials Inc. Chamber having improved gas feed-through and method
GB9917510D0 (en) * 1999-07-27 1999-09-29 Federal Mogul Sintered Prod Sintered steel material
US6502530B1 (en) * 2000-04-26 2003-01-07 Unaxis Balzers Aktiengesellschaft Design of gas injection for the electrode in a capacitively coupled RF plasma reactor
US6890861B1 (en) * 2000-06-30 2005-05-10 Lam Research Corporation Semiconductor processing equipment having improved particle performance
TW200733203A (en) * 2000-09-08 2007-09-01 Tokyo Electron Ltd Shower head structure and cleaning method thereof
US6797639B2 (en) * 2000-11-01 2004-09-28 Applied Materials Inc. Dielectric etch chamber with expanded process window
WO2002049984A1 (fr) * 2000-12-20 2002-06-27 Murata Manufacturing Co.,Ltd. Ceramique transparente, procede de production de celle-ci et element optique
US6581275B2 (en) * 2001-01-22 2003-06-24 Applied Materials Inc. Fabricating an electrostatic chuck having plasma resistant gas conduits
JP3904886B2 (ja) * 2001-10-26 2007-04-11 京セラ株式会社 シャワープレート
US6793733B2 (en) * 2002-01-25 2004-09-21 Applied Materials Inc. Gas distribution showerhead
US7431965B2 (en) * 2002-11-01 2008-10-07 Honda Motor Co., Ltd. Continuous growth of single-wall carbon nanotubes using chemical vapor deposition
US20040261712A1 (en) * 2003-04-25 2004-12-30 Daisuke Hayashi Plasma processing apparatus
JP4280555B2 (ja) * 2003-05-30 2009-06-17 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
WO2004109761A2 (en) * 2003-05-30 2004-12-16 Aviza Technology Inc. Gas distribution system
JP4502639B2 (ja) * 2003-06-19 2010-07-14 財団法人国際科学振興財団 シャワープレート、プラズマ処理装置、及び、製品の製造方法
US8074599B2 (en) * 2004-05-12 2011-12-13 Applied Materials, Inc. Plasma uniformity control by gas diffuser curvature
JP2006186306A (ja) * 2004-09-30 2006-07-13 Toshiba Ceramics Co Ltd ガス拡散プレートおよびその製造方法
US20090000742A1 (en) * 2005-04-18 2009-01-01 National University Corporation Tohoku University Shower Plate and Method for Manufacturing the Same
US7718030B2 (en) * 2005-09-23 2010-05-18 Tokyo Electron Limited Method and system for controlling radical distribution
US7638003B2 (en) * 2006-01-12 2009-12-29 Asm Japan K.K. Semiconductor processing apparatus with lift pin structure
JP5068458B2 (ja) * 2006-01-18 2012-11-07 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
US20080254220A1 (en) * 2006-01-20 2008-10-16 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus
JP4915985B2 (ja) * 2006-02-06 2012-04-11 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
JP2008047869A (ja) * 2006-06-13 2008-02-28 Hokuriku Seikei Kogyo Kk シャワープレート及びその製造方法、並びにそのシャワープレートを用いたプラズマ処理装置、プラズマ処理方法及び電子装置の製造方法
JP5069427B2 (ja) * 2006-06-13 2012-11-07 北陸成型工業株式会社 シャワープレート、並びにそれを用いたプラズマ処理装置、プラズマ処理方法及び電子装置の製造方法
JP5463536B2 (ja) * 2006-07-20 2014-04-09 北陸成型工業株式会社 シャワープレート及びその製造方法、並びにそのシャワープレートを用いたプラズマ処理装置、プラズマ処理方法及び電子装置の製造方法
US20070062223A1 (en) * 2006-10-16 2007-03-22 Sterlite Optical Technologies Ltd Optical fiber having reduced polarization mode dispersion (PMD) and method for producing the same
JP5010234B2 (ja) * 2006-10-23 2012-08-29 北陸成型工業株式会社 ガス放出孔部材を一体焼結したシャワープレートおよびその製造方法
JP5252613B2 (ja) * 2006-12-25 2013-07-31 国立大学法人東北大学 イオン注入装置およびイオン注入方法
US20080202814A1 (en) * 2007-02-23 2008-08-28 Lyons Nicholas J Earth-boring tools and cutter assemblies having a cutting element co-sintered with a cone structure, methods of using the same
JP5058727B2 (ja) * 2007-09-06 2012-10-24 東京エレクトロン株式会社 天板構造及びこれを用いたプラズマ処理装置
US20090226614A1 (en) * 2008-03-04 2009-09-10 Tokyo Electron Limited Porous gas heating device for a vapor deposition system
JP4590597B2 (ja) * 2008-03-12 2010-12-01 国立大学法人東北大学 シャワープレートの製造方法
JP5396745B2 (ja) * 2008-05-23 2014-01-22 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020002948A1 (en) * 2000-03-24 2002-01-10 Toshiaki Hongo Plasma processing apparatus having an evacuating arrangement to evacuate gas from a gas-introducing part of a process chamber
US20040094094A1 (en) * 2001-03-28 2004-05-20 Tadahiro Ohmi Plasma processing device
JP2002343788A (ja) * 2001-05-21 2002-11-29 Toshiba Ceramics Co Ltd プラズマ処理装置のガスインレット部材
JP2003045809A (ja) * 2001-07-31 2003-02-14 Toshiba Ceramics Co Ltd シャワープレート
TW200408316A (en) * 2002-05-10 2004-05-16 Tokyo Electron Ltd Method and device for plasma treatment
JP2003338492A (ja) * 2002-05-21 2003-11-28 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置
EP1521297A1 (en) * 2002-07-05 2005-04-06 Tadahiro Ohmi Plasma processing equipment
JP2004083362A (ja) * 2002-08-28 2004-03-18 Toshiba Ceramics Co Ltd フッ化物セラミックス焼結体及びその製造方法
JP2004228426A (ja) * 2003-01-24 2004-08-12 Mitsubishi Materials Corp プラズマ処理装置用シャワープレートおよびその製造方法
WO2005067022A1 (ja) * 2003-12-26 2005-07-21 Tadahiro Ohmi シャワープレート、プラズマ処理装置、及び製品の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20130112337A1 (en) 2013-05-09
US8372200B2 (en) 2013-02-12
US20100230387A1 (en) 2010-09-16
JP2008047869A (ja) 2008-02-28
KR101130111B1 (ko) 2012-07-05
CN103044063A (zh) 2013-04-17
KR20080111138A (ko) 2008-12-22
TW200828434A (en) 2008-07-01
WO2007145229A1 (ja) 2007-12-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI392020B (zh) A shower plate and a method for manufacturing the same, and a plasma processing apparatus using the shower plate, a plasma processing method
TWI411360B (zh) A shower plate and a method of manufacturing the same, and a plasma processing apparatus using the shower plate, a plasma processing method, and a manufacturing method of the electronic device
TWI392021B (zh) And a gas release hole, and a method for manufacturing the same
TWI353630B (zh)
KR101162131B1 (ko) 샤워 플레이트 및 그것을 구비한 플라즈마 처리장치
CN100483620C (zh) 等离子体处理装置
US6344420B1 (en) Plasma processing method and plasma processing apparatus
US20090229755A1 (en) Plasma processing apparatus
JP5604622B2 (ja) シャワープレートの製造方法
US20080318431A1 (en) Shower Plate and Plasma Treatment Apparatus Using Shower Plate
KR102224586B1 (ko) 처리 챔버들을 위한 코팅 재료
CN101467498A (zh) 喷淋板及其制造方法、和使用了它的等离子体处理装置、处理方法及电子装置的制造方法

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees