TWI391778B - 半色調網點光罩、半色調網點光罩基板及半色調網點光罩製造方法 - Google Patents

半色調網點光罩、半色調網點光罩基板及半色調網點光罩製造方法 Download PDF

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Description

半色調網點光罩、半色調網點光罩基板及半色調網點光罩製造方法
本發明是關於半色調網點光罩、半色調網點光罩基板及半色調網點光罩的製造方法。
為了要達到降低製造成本，大型FPD(Flat Panel Display)的製程中採行可進行二種以上的圖樣加工之灰階光罩(Gray tone Mask)。灰階光罩具有將光予以遮蔽之遮光部、及將光予以透過之透光部、及將光予以半透過之半透光部，根據半透光部的構造，分類成狹縫光罩及半色調網點光罩。
狹縫光罩的半透光部係藉由將解像極限以下的間距所組成之狹縫描畫到與遮光部共同的遮光層來予以具體表現。隨著FPD的大型化而進展為光罩尺寸的大型化，用來描繪狹縫的資料量因而大幅增大，所以狹縫光罩的製程中，描繪狹縫需耗費大量的時間及製造成本。因而，利用細縫光罩之大型FPD的製造技術，會有不容易充分降低大型FPD的製造成本的問題。
半色調網點光罩的半透光部具備有將光予以半透過之半透光層，藉由基板上所形成之半透光層的圖樣化來予以具體表現。半色調網點光罩製造方法，主要列舉有以下的二種方法。其中一種製造方法係先在基板上形成遮光層，將該遮光層予以蝕刻，以形成遮光部。然後，在具有遮光部的基板上積層半透光層，將該半透光層予以蝕刻，以形成半透光部及透光部。另一種製造方法係先在基板上依序積層半透光層及遮光層，接著將遮光層及半透光層依序予以蝕刻，以形成遮光部、半透光部以及透光部。
前者因交互實施成膜步驟及蝕刻步驟而會有導致處理時間的長時間化，不容易充分降低半色調網點光罩的製造成本的問題。另外，後者因不容易獲得半透光層與遮光層之間的蝕刻選擇性，所以會有不容易獲得遮光部或半透光部的加工精度的問題。於是，對於半色調網點光罩的製造技術，過去已有用來解決上述問題的提案。
日本專利文獻1和專利文獻2中係分別在基板上依序積層半透光層及蝕刻阻止層及遮光層，接著依序將遮光層及蝕刻阻止層及半透光層予以蝕刻，以形成遮光部、半透光部及透光部。藉由此方式，因中間隔著蝕刻阻止層實質上提高遮光層與半透光層之間的蝕刻選擇性，所以可以達到提升半色調網點光罩的加工精度。
日本專利文獻1和專利文獻2中係分別使用氧化矽、氮化矽或氮氧化矽，或者使用鋁、鉿或鋯，作為蝕刻阻止層的材料。這些材料均呈現與遮光罩或半透光層之間有很高的蝕刻選擇性，另一方面，進行蝕刻阻止層的蝕刻，需要利用高價的真空裝置之乾式蝕刻技術或者利用氟系蝕刻液之濕式蝕刻技術。該結果，利用乾式蝕刻技術的情況會導致製造成本的大幅增加，利用氟系蝕刻液的情況則會因氟系排放氣體而導致環境污染。進而，利用氟系蝕刻液的情況，蝕刻液的管理或回收導致煩雜，對於蝕刻阻止層的製造技術，會明顯損及泛用性。
專利文獻1：日本專利特開2002-189281號公報
專利文獻2：日本專利特開2006-154122號公報
本發明中，提供一種謀求提高透光部、半透光部以及遮光部的加工精度，並且有關蝕刻阻止層的蝕刻技術提高泛用性之半色調網點光罩、半色調網點光罩基板及半色調網點光罩的製造方法。
本發明的第一要點為含有玻璃基板的半色調網點光罩。該半色調網點光罩具備有利用前述玻璃基板之透光部、及含有被形成在前述玻璃基板上的第一半透光層之第一半透光部、及含有前述第一半透光層和被積層在比前述第一半透光層還要更上方的遮光層和被形成在前述第一半透光層與前述遮光層之間的蝕刻阻止層之遮光部，前述第一半透光層和前述遮光層分別由Cr或者以Cr的氧化物、氮化物、碳化物、氮氧化物、碳氧化物、氮碳化物、氮氧碳化物所組成的群體當中選出的至少任何一種所組成，前述蝕刻阻止層含有：由以Fe、Ni、Co所組成的群體當中選出之至少任何一種的第一元素、及由以Al、Si、Ti、Nb、Ta、Hf、Zr所組成的群體當中選出之至少任何一種的第二元素。
本發明的第二要點為含有玻璃基板的半色調網點光罩基板。該半色調網點光罩基板具備有：玻璃基板、及被形成在前述玻璃基板上之第一半透光層、及被積層在比前述第一半透光層還要更上方之遮光層、及被形成在前述第一半透光層與前述遮光層之間之蝕刻阻止層，前述第一半透光層和前述遮光層分別由Cr或者以Cr的氧化物、氮化物、碳化物、氮氧化物、碳氧化物、氮碳化物、氮氧碳化物所組成的群體當中選出的至少任何一種所組成，前述蝕刻阻止層含有：由以Fe、Ni、Co所組成的群體當中選出之至少任何一種的第一元素、及由以Al、Si、Ti、Nb、Ta、Hf、Zr所組成的群體當中選出之至少任何一種的第二元素。
本發明的第三要點為半色調網點光罩的製造方法。該製造方法具備有以下的步驟：在玻璃基板上積層第一半透光層、在前述第一半透光層上積層第一蝕刻阻止層、在比前述第一蝕刻阻止層還要更上方積層遮光層、在前述遮光層上形成第一光阻層、用前述第一光阻層來作為光罩，依序將前述遮光層及前述第一蝕刻阻止層及前述第一半透光層予以蝕刻，以形成透光部、將前述第一光阻層予以除去、以填滿前述透光部的方式，將第二光阻層形成在前述遮光層上、用前述第二光阻層來作為光罩，依序將前述遮光層及前述第一蝕刻阻止層予以蝕刻，以形成第一半透光部、將前述第二光阻層予以除去，前述第一半透光層和前述遮光層分別由Cr或者以Cr的氧化物、氮化物、碳化物、氮氧化物、碳氧化物、氮碳化物、氮氧碳化物所組成的群體當中選出的至少任何一種所組成，前述第一蝕刻阻止層含有：由以Fe、Ni、Co所組成的群體當中選出之至少任何一種的第一元素、及由以Al、Si、Ti、Nb、Ta、Hf、Zr所組成的群體當中選出之至少任何一種的第二元素。
本發明的第四要點為半色調網點光罩的製造方法，該製造方法具備有以下步驟：在玻璃基板上積層第一半透光層、在前述第一半透光層上積層第一蝕刻阻止層、在比前述第一蝕刻阻止層還要更上方積層遮光層、在前述遮光層上形成光阻層，該光阻層含有貫穿到前述遮光層為止的第一凹部及比前述第一凹部還要更淺的第二凹部、用前述光阻層來作為光罩，依序將前述遮光層及前述第一蝕刻阻止層及第一半透光層，藉由前述第一凹部來予以蝕刻，以形成透光部、將前述光阻層的上面予以除去，以使前述第二凹部貫穿到前述遮光層為止、將前述光阻層的上面予以除去後，使用殘存的光阻層來作為光罩，依序將前述遮光層及前述第一蝕刻阻止層，藉由前述第二凹部來予以蝕刻，以形成第一半透光部、以及將前述殘存的光阻層予以除去，前述第一半透光層和前述遮光層分別由Cr或者以Cr的氧化物、氮化物、碳化物、氮氧化物、碳氧化物、氮碳化物、氮氧碳化物所組成的群體當中選出的至少任何一種所組成，前述第一蝕刻阻止層含有：由以Fe、Ni、Co所組成的群體當中選出之至少任何一種的第一元素、及由以Al、Si、Ti、Nb、Ta、Hf、Zr所組成的群體當中選出之至少任何一種的第二元素。
以下，根據圖面來說明本發明的一種實施形態之半色調網點光罩10。第一圖為顯示半色調網點光罩10的重要部位之剖面圖。
(半色調網點光罩10)
如第一圖所示，在半色調網點光罩10的玻璃基板S上，依序積層半透光層11及蝕刻阻止層12及遮光層13。在半色調網點光罩10的內部，混入透光層(玻璃基板S)、及遮光層13、及與這些透光層和遮光層13不同的半透光層11，用半透光層11的透光率，以獲得多色調的曝光量。半色調網點光罩10的透光部TA由玻璃基板S所組成，半透光部HA具有玻璃基板S上的半透光層11。另外，半色調網點光罩10的遮光部PA具有玻璃基板S上的半透光層11及蝕刻阻止層12及遮光層13。
又，第一圖中，半色調網點光罩10分別僅具有半透光層11及蝕刻阻止層12各一層。並不侷限於此，半色調網點光罩10也可以是具有被積層在比玻璃基板S還要更上方之複數層半透光層11、及複數層蝕刻阻止層12之所謂的多色調網點光罩。多色調網點光罩的情況，在蝕刻阻止層12上還交互形成有至少一層的追加半透光層及至少一層的追加蝕刻阻止層。然後，在最上層的追加蝕刻阻止層上形成有遮光層13。
半透光層11和遮光層13分別以由Cr或者以Cr的氧化物、氮化物、碳化物、氮氧化物、碳氧化物、氮碳化物、氮氧碳化物所組成的群體當中選出的至少任何一種為主成分。
本實施形態中，將半透光層11和遮光層13所適用的蝕刻液稱為第一蝕刻液。第一蝕刻液為硝酸銨鈰(ceric ammonium nitrate)與過氯酸(perchloric acid)的混合液等之含有硝酸鈰(ceric nitrate)的蝕刻液。
半透光層11和遮光層13也可以是可藉由第一蝕刻液來進行蝕刻的合金，即是以由以NiCr、NiV、NiMo、NiMoX(X為Al、Ti、Nb、Ta、或V)所組成的群體當中選出的至少任何一種為主成分。
蝕刻阻止層12具有：由以Fe、Ni、Co所組成的群體當中所選出的至少任何一種(以下，簡稱為第一元素)、及由以Al、Si、Ti、Nb、Ta、Hf、Zr所組成的群體當中選出的至少任何一種(以下，簡稱為第二元素)。
蝕刻阻止層12也可以是加上第一元素和第二元素之外，還具有由以V、Mo、W、Cu、Zn所組成的群體當中選出的至少任何一種(以下，簡稱為第三元素)之構成。又，蝕刻阻止層12也可以是第一元素與第二元素的合金、第一元素與第二元素與第三元素的合金、或者由這些合金的氧化物、氮化物、碳化物、氮氧化物、碳氧化物、氮碳化物、氮氧碳化物所組成的群體當中選出的至少任何一種。
第一元素為蝕刻阻止層12的主成分，具有比第二元素和第三元素還要更高的耐熱性。因而，第一元素可讓用半色調網點光罩10的曝光時間長時間化，所以可以消除有關曝光時間的限制。
第一元素曝露在第一蝕刻液中時，因在本身的表面形成不動態層，所以對於第一蝕刻液呈現耐性。第一蝕刻液不容易侵蝕蝕刻阻止層12，所以對於遮光層13與蝕刻阻止層12之間呈現良好的蝕刻選擇性。
第一元素容易溶解在硝酸中，所以可用含硝酸的蝕刻液來作為蝕刻阻止層12的蝕刻。含有硝酸的蝕刻液實質上不會侵蝕半透光層11，所以對於蝕刻阻止層12與半透光層11之間呈現良好的蝕刻選擇性。又，實質上不會受到侵蝕的狀態是指與不受到侵蝕的狀態做比較，在後續的步驟不會造成製程變動的狀態。
本實施形態中，將蝕刻阻止層12所適用的蝕刻液稱為第二蝕刻液。第二蝕刻液為硝酸或者在硝酸中混合了醋酸、草酸、蟻酸、檸檬酸等的羧酸(carboxylic acid)之蝕刻液。另外，第二蝕刻液也可以是在硝酸中混合了磷酸、硫酸、或過氯酸之蝕刻液。又，在硝酸中混合了草酸、醋酸、蟻酸、檸檬酸等的羧酸的情況，最好是在用低濃度的硝酸時。
又，第二蝕刻液也可以是在硝酸中混合了鹽之蝕刻液。例如，第二蝕刻液也可以是在硝酸中混合了硝酸銀等的硝酸鹽，磷酸銨等的磷酸鹽、醋酸銨等的醋酸鹽、草酸鹽、蟻酸鹽、羧酸鹽、或過氯酸鹽之蝕刻液。又，硝酸中混合氧化性鹽的情況，氧化性鹽為促進上述不動態層的形成，所以最好是依照蝕刻阻止層12相對於第二蝕刻液的蝕刻速度，適當選擇氧化性鹽的含量之構成。
含有鹽酸的蝕刻液會產生含有氯氣的霧氣，所以會讓蝕刻液的管理或回收變繁雜。含有氟酸的蝕刻液具有對於人體有很高的滲透性或對於周邊設備有很高的腐蝕性，除了管理或回收變繁雜之外，還需要專用的蝕刻設備，對於低成本化造成很大的障礙。
一方面，上述第二蝕刻液可以利用與第一蝕刻液共同的蝕刻設備，且基於蝕刻液管理或回收的觀點，也比含有鹽酸的蝕刻液或含有氟的蝕刻液還要更具泛用性。
被添加在蝕刻阻止層12之第二元素，當蝕刻阻止層12曝露在第一蝕刻液時，將以第二元素為主元素的不動態層形成在蝕刻阻止層12的表面。因而，具有第二元素的蝕刻阻止層12比只由第一元素所組成的層還要更可以讓不動態層更穩定化，所以不會對於第一蝕刻液造成實質上的侵蝕，與遮光層13之間可以呈現更加良好的蝕刻選擇性。又，蝕刻阻止層12可以根據第二元素的含量來設定不動態層的厚度，即是可以設定蝕刻阻止層12的蝕刻速度，所以與遮光層13之間可以呈現更加良好的蝕刻選擇性。因此，用蝕刻阻止層12的半色調網點光罩10可以達到提升泛用性及低成本化，且可以提升加工精度。
第二元素的含量最好是1原子%~20原子%，更好的是5原子%~18原子%，再更好的是9原子%~14原子%。第二元素的含量不到1原子%的情況，無法充分獲得對於第一蝕刻液的耐性。又，第二元素的含量超過20原子%的情況，對於第二蝕刻液的耐性變高，蝕刻阻止層12的蝕刻處理會造成困難。
蝕刻阻止層12所添加的第三元素比第一元素和第二元素還要更對於第二蝕刻液具有良好的蝕刻性。因而，添加了第三元素的蝕刻阻止層12則是依照第三元素的含量來使對於第二蝕刻液的蝕刻速度增大。換言之，蝕刻阻止層12可以藉由調整第三元素的含量來設定對於第二蝕刻液的蝕刻速度，甚至於達到蝕刻步驟之步驟時間的縮短或低成本化。
第三元素的含量最好是10原子%以下，更好的是8原子%以下，再更好的是6原子%以下。第三元素的含量超過10原子%的情況，無法充分獲得對於第一蝕刻液的耐性。
蝕刻阻止層12的厚度最好是大於6nm，小於50nm，更好的是8nm~40nm，再更好的是10nm~30nm。蝕刻阻止層12的厚度為6nm以下的情況，會在蝕刻阻止層12發生針孔等的缺陷，所以蝕刻阻止層12的功能上不容易作為阻止層。蝕刻阻止層12的厚度超過50nm的情況，為了要將蝕刻阻止層12予以蝕刻而需要大量的時間，所以會大幅損及半色調網點光罩10的生產性。
(第一製造方法)
其次，根據第二圖至第七圖來說明半色調網點光罩10的製造方法。第二圖至第五圖分別為顯示第一製造方法之步驟圖。第六圖和第七圖則分別為顯示第二製造方法之步驟圖。
如第二圖之(a)所示，先以濺鍍法，依序使半透光層11、及蝕刻阻止層12、遮光層13形成在玻璃基板S上，藉由此方式，獲得半色調網點光罩基板14。半透光層11、蝕刻阻止層12、遮光層13則是以直流濺鍍法、高頻濺鍍法、蒸鍍法、CVD法、或離子束濺鍍法等予以形成。
為了要獲得很高的膜厚均等性，蝕刻阻止層12的成膜方法最好是以濺鍍法的構成。以使用濺鍍法的情況，可以採用Ar來作為濺鍍氣體，又可以採用氮、氧、二氧化碳、一氧化碳、一氧化氮、一氧化二氮、二氧化氮、或甲烷等來作為反應氣體。又，蝕刻阻止層12中的氧化，氧氮化、氮化的程度變大，則會降低蝕刻阻止層12對於第一蝕刻液的耐性。因此，最好是反應氣體相對於濺鍍氣體之量為10%以下的構成，更好的是5%以下。
如第二圖之(b)所示，形成有半色調網點光罩基板14，光阻材料塗佈到遮光層13上，該光阻材料預烘烤，以形成第一光阻層15。如第二圖之(c)所示，對於第一光阻層15施予用雷射曝光裝置等的曝光裝置之曝光處理、及用氫氧化鉀等的鹼溶液之顯影處理，以此方式，形成用來形成透光部TA之開口(以下，簡稱為透光用開口15a)。
如第三圖之(a)所示，對於遮光層13，以第一光阻層15作為光罩，施予用第一蝕刻液的蝕刻處理，並形成與透光用開口15a相對應的第一遮光開口13a。
此時，蝕刻阻止層12的一部分，藉由第一遮光開口13a，曝露在第一蝕刻液中，且不會因第一蝕刻液而實質受到侵蝕。因而，蝕刻阻止層12利用蝕刻阻止層12的表層以使藉由第一蝕刻液之深度方向的蝕刻實質上予以停止。
如第三圖之(b)所示，對於蝕刻阻止層12，藉由第一遮光開口13a，施予用第二蝕刻液的蝕刻處理，並形成與第一遮光開口13a相對應的第一阻止開口12a。
此時，第二蝕刻液是利用與使用第一蝕刻液共同的蝕刻設備來加以使用，且第一和第二蝕刻液的管理或回收也容易，所以該蝕刻阻止層12的蝕刻技術可以提升泛用性。而且，蝕刻阻止層12隨著第二元素的含有率變高而使蝕刻速度降低，又隨著第三元素的含有率變高而使蝕刻速度增加。即是蝕刻阻止層12以依照第二元素的含量或第三元素的含量之所期望的蝕刻速度進行蝕刻。因此，調整第二元素的含量或第三元素的含量，以抑制蝕刻時間的長時間化。另外，遮光層13不會因第二蝕刻液而實質上受到侵蝕，所以藉由第一遮光開口13a所形成之第一阻止開口12a若為很高的精度，則會反映到透光用開口15a的形狀或尺寸。另外，半透光層11不會因第二蝕刻液而受到侵蝕，所以半透光層11利用半透光層11的表層以使藉由第二蝕刻液之深度方向的蝕刻實質上予以停止。
如第三圖之(c)所示，對於半透光層11藉由第一阻止開口12a施予用第一蝕刻液的蝕刻處理，並形成與透光用開口15a相對應的半透光開口11a。藉由此方式，形成透光部TA。此時，蝕刻阻止層12不會藉由第一蝕刻液而受到侵蝕，所以半透光開口11a的形狀或尺寸，若為很高的精度，則會反映到透光用開口15a的形狀或尺寸。換言之，透光部TA的形狀或尺寸，若為很高的精度，則依照透光用開口15a的形狀或尺寸來進行加工。
如第四圖之(a)所示，對於玻璃基板S的全體供應鹼溶液等，從遮光層13上除去第一光阻層15。接著，如第四圖之(b)所示，對於含有透光部TA之遮光層13的全體塗佈光阻材料，該光阻材料預烘烤，以形成第二光阻層16。如第四圖之(c)所示，對於第二光阻層16，施予用雷射曝光裝置等的曝光裝置之曝光處理、及用氫氧化鉀等的鹼溶液之顯影處理，藉由此方式，形成用來形成半透光部HA的開口(以下，稱為半透光用開口16b)。
如第五圖之(a)所示，對於遮光層13，以第二光阻層16作為光罩，施予用第一蝕刻液的蝕刻處理，形成與半透光用開口16b相對應的第二遮光開口13b。
此時，蝕刻阻止層12因與形成第一遮光層開口13a時相同，不會藉由第一蝕刻液而實質上受到侵蝕，所以利用蝕刻阻止層12的表層以使藉由第一蝕刻液之深度方向的蝕刻實質上予以停止。
如第五圖之(b)所示，對於蝕刻阻止層12，藉由第二遮光開口13b，施予用第二蝕刻液的蝕刻處理，形成與第二遮光開口13b相對應的第二阻止開口12b。然後，如第五圖之(c)所示，對於玻璃基板S的全體供應鹼溶液等，從遮光層13上除去第二光阻層16。藉由此方式，形成半透光部HA和遮光部PA。
此時，用第二蝕刻液，所以與形成第一阻止開口12a時相同，有關蝕刻阻止層12的蝕刻技術可以提升泛用性。而且，蝕刻阻止層12以依照第二元素的含量之蝕刻速度或依照第三元素的含量之蝕刻速度進行蝕刻，所以調整第二元素的含量或第三元素的含量，以抑制蝕刻時間的長時間化。
然後，半透光層11不會藉由第二蝕刻液而實質上受到侵蝕，所以第二阻止開口12b的形狀或尺寸，若為很高的精度，則會反映到半透光用開口16b的形狀或尺寸。換言之，半透光部HA的形狀或尺寸，若為很高的精度，則依照半透光用開口16a的形狀或尺寸來進行加工。
又，將半色調網點光罩10作為多色調網點光罩來構成的情況，半透光層11及蝕刻阻止層12交互地反覆積層在玻璃基板S上。然後，遮光層13形成在最上層的蝕刻阻止層12上，以獲得半色調網點光罩基板14。
接著，透光用開口15a形成在遮光層13，遮光層13蝕刻處理之後，交互地反覆進行蝕刻阻止層12的蝕刻處理及半透光層11的蝕刻處理，以形成透光部TA。接著，實施半透光用開口16b的形成、及遮光層13的蝕刻處理之後，特定次數反覆進行蝕刻阻止層12的蝕刻處理、及半透光層11的蝕刻處理，以形成具有複數層半透光層11的半透光部HA。然後，反覆進行半透光用開口16b的形成、及遮光層13的蝕刻處理、及特定層數蝕刻阻止層12的蝕刻處理、及特定層數半透光層11的蝕刻處理，以形成不同層數的半透光層11之複數層半透光部HA。
(第二製造方法)
如第六圖之(a)和第六圖之(b)所示，與第一製造方法相同，半透光層11、及蝕刻阻止層12、及遮光層13依序形成在玻璃基板S上，藉由此方式，獲得半色調網點光罩基板14。接著，光阻材料塗佈在遮光層13上，該光阻材料預烘烤，以形成第三光阻層21。
如第六圖之(c)所示，對於第三光阻層21，施予用雷射曝光裝置等的曝光裝置之曝光處理、及用氫氧化鉀等的鹼溶液之顯影處理。此時，對於用來形成透光部TA的區域及用來形成半透光部HA的區域，分別照射不同曝光量的曝光的光。例如，用來形成透光部TA的區域為橫跨第三光阻層21之深度方向的全體，將光阻材料予以除去。另外，用來形成半透光部HA的區域則為將從第三光阻層21的表層至深度方向的一半為止之光阻材料予以除去。藉由此方式，在第三光阻層21形成用來形成透光部TA的凹部(以下，簡稱為透光用凹部21a)、及用來形成半透光部HA的凹部(以下，簡稱為半透光用凹部21b)。透光用凹部21a為比半透光用凹部21b還要更深的凹部，直到遮光層13的表層為止貫穿第三光阻層21之貫穿孔。
如第六圖之(d)所示，對於遮光層13，以第三光阻層21作為光罩，施予用第一蝕刻液的蝕刻處理，形成與透光用凹部21a相對應的第一遮光開口13a。如第六圖之(e)所示，對於蝕刻阻止層12，與第一製造方法相同，藉由第一遮光開口13a，施予用第二蝕刻液的蝕刻處理，形成與第一遮光開口13a相對應的第一阻止開口12a。如第六圖之(f)所示，對於半透光層11，與第一製造方法相同，藉由第一阻止開口12a，施予用第一蝕刻液的蝕刻處理，形成與透光用開口15a相對應的半透光開口11a。藉由此方式，形成透光部TA。
如第七圖之(a)所示，對於玻璃基板S的全體，施予用來將半透光用凹部21b的底部貫穿至遮光層13為止之灰化處理。接著，如第七圖之(b)所示，對於遮光層13，以第三光阻層21作為光罩，施予用第一蝕刻液的蝕刻處理，形成與半透光用凹部21b相對應的第二遮光開口13b。
此時，蝕刻阻止層12因與形成第一遮光開口13a時相同，不會因第一蝕刻液而實質上受到侵蝕，所以利用蝕刻阻止層12的表層以使第一蝕刻液之深度方向的蝕刻實質上予以停止。
如第七圖之(c)所示，對於蝕刻阻止層12，與第一製造方法相同，藉由第二遮光開口13b，施予用第二蝕刻液的蝕刻處理，形成與第二遮光開口13b相對應的第二阻止開口12b。然後，如第七圖之(d)所示，對於玻璃基板S的全體供應鹼溶液等，從遮光層13上除去第三光阻層21。藉由此方式，形成半透光部HA和遮光部PA。
此時，半透光層11不會因第二蝕刻液而實質上受到侵蝕，所以第二阻止開口12b的形狀或尺寸，若為很高的精度，則會反映到半透光用凹部21b的形狀或尺寸。換言之，半透光部HA的形狀或尺寸，若為很高的精度，則依照半透光用凹部21b的形狀或尺寸來進行加工。
又，將半色調網點光罩10作為多色調網點光罩來構成的情況，半透光層11及蝕刻阻止層12交互地反覆積層在玻璃基板S上。然後，在最上層的蝕刻阻止層12形成遮光層13，以獲得半色調網點光罩基板14。
接著，透光用凹部21a及與透光用凹部21a不同厚度之複數層半透光用凹部21b形成在遮光層13。接著，遮光層13蝕刻處理之後，交互地反覆進行蝕刻阻止層12的蝕刻處理、及半透光層11的蝕刻處理，以形成透光部TA。然後，反覆進行第三光阻層21的局部灰化處理、及遮光層13的蝕刻處理、及特定層數蝕刻阻止層12的蝕刻處理、及特定層數半透光層11的蝕刻處理，以形成具有不同層數的半透光層11之複數層透光部TA。
(實施例1)
將玻璃基板S搬入濺鍍裝置，將Cr化合物(CrOx 、CrOx Ny 、或者CrNx )形成在玻璃基板S，以形成半透光層11。接著，將Ni88 Ti12 形成在半透光層11，以形成蝕刻阻止層12。進而，將Cr化合物(CrOx 、CrOx Ny 、或者CrNx )形成在蝕刻阻止層12，以形成遮光層13，獲得半色調網點光罩基板14。
在半色調網點光罩基板14的遮光層13上塗佈光阻劑AZP1500(日本AZ公司製造)，在100℃的加熱下僅經過三十分鐘烘烤，以形成第一光阻層15。接著，對於第一光阻層15施予曝光處理及用氫氧化鉀顯影液的顯影處理，以形成透光用開口15a。然後，用硝酸銨鈰(ceric ammonium nitrate)液來將遮光層13予以蝕刻。接著，用硝酸23mol%的水溶液來將蝕刻阻止層12予以蝕刻，再度用硝酸銨鈰液來將半透光層11予以蝕刻，以形成透光部TA。
形成透光部TA之後，橫跨玻璃基板S的全體供應氫氧化鈉3重量%的水溶液，以除去第一光阻層15。接著，再度在含有透光部TA的遮光層13上塗佈光阻劑AZP1500，在100℃的加熱下僅經過三十分鐘烘烤，以形成第二光阻層16。接著，對於第二光阻層16施予曝光處理及用氫氧化鉀顯影液的顯影處理，以形成半透光用開口16b。然後，用硝酸銨鈰液來將遮光層13予以蝕刻，用硝酸23mol%的水溶液來將蝕刻阻止層12予以蝕刻，以形成半透光部HA和遮光部PA。
形成半透光部HA和遮光部PA之後，橫跨玻璃基板S的全體供應氫氧化鈉3重量%的水溶液，以除去第二光阻層16，藉由此方式，獲得實施例1的半色調網點光罩10。
(實施例2)
將蝕刻阻止層12變更成Ni90 Al10 ，且將第二蝕刻液變更成硝酸與硫酸的混合液(硝酸：20mol%，硫酸：5mol%)，其他條件則與實施例1相同，以獲得實施例2的半色調網點光罩10。
(實施例3)
將蝕刻阻止層12變更成Ni92 Fe3 Nb5 ，且將第二蝕刻液變更成硝酸與硫酸的混合液(硝酸：20mol%，硫酸：5mol%)，其他條件則與實施例1相同，以獲得實施例3的半色調網點光罩10。
(實施例4)
將蝕刻阻止層12變更成Ni83 V5 Si2 Ti10 ，且將第二蝕刻液變更成硝酸與磷酸的混合液(硝酸：20mol%，磷酸：5mol%)，其他條件則與實施例1相同，以獲得實施例4的半色調網點光罩10。
(實施例5)
將蝕刻阻止層12變更成Ni92 Mo3 Zr5 ，且將第二蝕刻液變更成硝酸與磷酸與醋酸的混合液(硝酸：20mol%，磷酸：5mol%，醋酸：5mol%)，其他條件則與實施例1相同，以獲得實施例5的半色調網點光罩10。
(實施例6)
將蝕刻阻止層12變更成Ni84 Cu3 Ti13 ，且將第二蝕刻液變更成硝酸與硝酸銀的混合液(硝酸：20mol%，硝酸銀：5mol%)，其他條件則與實施例1相同，以獲得實施例6的半色調網點光罩10。
(實施例7)
將蝕刻阻止層12變更成Ni89 Cu3 Ta8 ，且將第二蝕刻液變更成硝酸與磷酸與磷酸銨的混合液(硝酸：20mol%，磷酸：5mol%，磷酸銨：5mol)，其他條件則與實施例1相同，以獲得實施例7的半色調網點光罩10。
(實施例8)
將蝕刻阻止層12變更成Co56 Ni30 V2 Ti12 ，且將第二蝕刻液變更成硝酸與硫酸與硫酸銨的混合液(硝酸：20mol%，硫酸：5mol%，硫酸銨：5mol)，其他條件則與實施例1相同，以獲得實施例8的半色調網點光罩10。
(實施例9)
將蝕刻阻止層12變更成Ni85 W2 Mo2 Ti11 ，且將第二蝕刻液變更成硝酸與過氯酸的混合液(硝酸：20mol%，過氯酸：5mol%)，其他條件則與實施例1相同，以獲得實施例9的半色調網點光罩10。
(實施例10)
將蝕刻阻止層12變更成Ni86 Zn1 Cu2 Ti11 ，且將第二蝕刻液變更成硝酸與硝酸銨的混合液(硝酸：20mol%，硝酸銨：5mol%)，其他條件則與實施例1相同，以獲得實施例10的半色調網點光罩10。
(實施例11)
將蝕刻阻止層12變更成Ni91 Mo2 Hf7 ，其他條件則與實施例1相同，以獲得實施例11的半色調網點光罩10。
(比較例1)
將蝕刻阻止層12變更成Ni70 Zr30 ，其他條件則與實施例1相同，以獲得比較例1。
(比較例2)
將蝕刻阻止層12變更成Ni90 Cu10 ，其他條件則與實施例1相同，以獲得比較例2。
表1中顯示針對實施例1~11和比較例1、2分別進行蝕刻阻止層12的蝕刻時之評估結果。表1中○顯示可進行蝕刻阻止層12的蝕刻，且對於半透光層11或者遮光層13獲得充分的選擇性。另外，表1中×顯示無法進行蝕刻阻止層12的蝕刻，或對於半透光層11或者遮光層13無法獲得充分的選擇性。
如表1所示，實施例1~11中分別能夠進行蝕刻阻止層12的蝕刻，且對於半透光層11或者遮光層13獲得充分的選擇性。一方面，比較例1為將第二蝕刻液持續三十分鐘供應給蝕刻阻止層12，不過無法進行蝕刻阻止層12的蝕刻。比較例2則為蝕刻阻止層12和半透光層11與遮光層13蝕刻一起受到蝕刻，無法在各層間獲得充分的蝕刻選擇性。
(實施例12)
將蝕刻阻止層12變更成Ni90 Al10 、Ni92 Fe3 Nb5 、Ni83 V5 Ti12 、Ni92 Mo3 Zr5 ，其他條件則與實施例1相同，以獲得實施例12的各半色調網點光罩10。實施例12分別均能夠進行蝕刻阻止層12的蝕刻，且對於半透光層11或者遮光層13，獲得十分高的蝕刻選擇性。
(實施例13)
將玻璃基板S搬入濺鍍裝置，將Cr化合物(CrOx 、CrOx Ny 、或者CrNx )形成在玻璃基板S，以形成半透光層11。接著，將Ni88 Ti12 形成在半透光層11，以形成蝕刻阻止層12。進而，將Cr化合物(CrOx 、CrOx Ny 、或者CrNx )形成在蝕刻阻止層12，以形成遮光層13，獲得半色調網點光罩基板14。
在半色調網點光罩基板14的遮光層13上塗佈光阻劑AZP1500(日本AZ公司製造)，在100℃的加熱下僅經過三十分鐘烘烤，以獲得第三光阻層21。接著，以曝光量100%來將與透光部TA相對應之第三光阻層21的區域予以曝光，以曝光量50%來將與半透光部HA相對應之第三光阻層21的區域予以曝光。然後，對於第三光阻層21施予用氫氧化鉀顯影液的顯影處理，以形成透光用凹部21a和半透光用凹部21b。
形成透光用凹部21a和半透光用凹部21b之後，用硝酸銨鈰液來將遮光層13予以蝕刻。接著，用硝酸23mol%的水溶液來將蝕刻阻止層12予以蝕刻，再度用硝酸銨鈰液來將半透光層11予以蝕刻，以形成透光部TA。
形成透光部TA之後，直到半透光用凹部21b的底部貫穿至遮光層13為止，對於玻璃基板S的全體施予O2 的灰化處理。接著，以第三光阻層21作為光罩，對於遮光層13施予硝酸銨鈰液的蝕刻處理，接著對於蝕刻阻止層12施予用硝酸23mol%的水溶液之蝕刻處理。藉由此方式，形成半透光部HA和遮光部PA。
形成半透光部HA和遮光部PA之後，橫跨玻璃基板S的全體供應氫氧化鈉3重量%的水溶液，以除去第二光阻層16，藉由此方式，獲得實施例13的半色調網點光罩10。實施例13也能夠進行蝕刻阻止層12的蝕刻，且對於半透光層11或者遮光層13，獲得十分高的蝕刻選擇性。
(實施例14)
將玻璃基板S搬入濺鍍裝置，將Cr化合物(CrOx 、CrOx Ny 、或者CrNx )形成在玻璃基板S，以形成半透光層11(第一半透光層)。接著，將Ni88 Ti12 形成在第一半透光層11，以形成第一蝕刻阻止層12。之後，交互地僅一次形成第二半透光層11及第二蝕刻阻止層12，將Cr化合物(CrOx 、CrOx Ny 、或者CrNx )形成在最上層的第二蝕刻阻止層12。藉由此方式，獲得具有二層的半透光層11及二層的蝕刻阻止層12及遮光層13之半色調網點光罩基板14。
在半色調網點光罩基板14的遮光層13上塗佈光阻劑AZP1500(日本AZ公司製造)，在100℃的加熱下僅經過三十分鐘烘烤，以獲得第一光阻層15。接著，對於第一光阻層15施予曝光處理及用氫氧化鉀顯影液的顯影處理，以形成透光用開口15a。然後，用硝酸銨鈰液來將遮光層13予以蝕刻。進而，用硝酸23mol%的水溶液來將第二蝕刻阻止層12予以蝕刻之後，用硝酸銨鈰液來將第二半透光層11予以蝕刻。接著，再度依序將第一蝕刻阻止層12及第一半透光層11予以蝕刻，以形成透光部TA。
形成透光部TA之後，橫跨玻璃基板S的全體供應氫氧化鈉3重量%的水溶液，以除去第一光阻層15。接著，再度在含有透光部TA的遮光層13上塗佈光阻劑AZP1500，在100℃的加熱下僅經過三十分鐘烘烤，以形成第二光阻層16。接著，對於第二光阻層16施予曝光處理及用氫氧化鉀顯影液的顯影處理，以形成半透光用開口16b。然後，用硝酸銨鈰液來將遮光層13予以蝕刻，之後，用硝酸23mol%的水溶液來將第二蝕刻阻止層12予以蝕刻。藉由此方式，獲得由二層的半透光層11及一層的蝕刻阻止層12所組成的第一半透光層HA。
形成該半透光層HA之後，橫跨玻璃基板S的全體供應氫氧化鈉3重量%的水溶液，以除去第二光阻層16。接著，再度在含有透光部TA的遮光層13上塗佈光阻劑AZP1500，在100℃的加熱下僅經過三十分鐘烘烤，以形成用來形成不同半透光部HA的第二光阻層16。接著，對於第二光阻層16施予曝光處理及用氫氧化鉀顯影液的顯影處理，以在與第一半透光部HA的形成位置不同的位置形成半透光用開口16b。然後，用硝酸銨鈰液來將遮光層13予以蝕刻。接著，用硝酸23mol%的水溶液來將第二蝕刻阻止層12予以蝕刻之後，用硝酸銨鈰液來將第二半透光層11予以蝕刻。進而，用硝酸23mol%的水溶液來將第一蝕刻阻止層12予以蝕刻。藉由此方式，形成由一層的半透光層11所組成之第二半透光部HA。
實施形態中，半色調網點光罩10具有以下的優點：
(1)蝕刻阻止層12具有由以Fe、Ni、Co所組成的群體當中選出之至少任何一種的第一元素、及由以Al、Si、Ti、Nb、Ta、Hf、Zr所組成的群體當中選出之至少任何一種的第二元素。
因此，蝕刻阻止層12當曝露在第一蝕刻液時，可以將以第二元素為主成分的不動態層，形成在蝕刻阻止層12的表面，所以在與遮光層13之間可以呈現良好的蝕刻選擇性。另外，第一元素容易溶解在硝酸中，所以蝕刻阻止層12與半透光層11之間可以呈現良好的蝕刻選擇性。又，蝕刻阻止層12的第一和第二蝕刻液也容易管理和回收，故比含有鹽酸或氟酸的蝕刻液還要更大幅提升蝕刻阻止層12的泛用性。該結果，半色調網點光罩10達到提升透光部TA、半透光部HA、遮光部PA的加工精度，並且關於蝕刻阻止層12的蝕刻技術可以提升泛用性。
(2)蝕刻阻止層12具有由以V、Mo、W、Cu、Zn所組成的群體當中選出之至少任何一種的第三元素。因此，半色調網點光罩10可以藉由調整第三元素的含有率來調整蝕刻阻止層12的蝕刻速度。該半色調網點光罩10因而可以利用蝕刻阻止層12的蝕刻步驟來達到步驟時間的縮短或低成本化。
HA．．．半透光部
PA．．．遮光部
TA．．．透光部
10．．．半色調網點光罩
11．．．半透光層
12．．．蝕刻阻止層
13．．．遮光層
14．．．半色調網點光罩基板
15．．．構造光阻圖樣之光阻層
S．．．玻璃基板
15a．．．透光用開口
13a．．．第一遮光開口
13b．．．第二遮光開口
12a．．．第一阻止開口
12b．．．第二阻止開口
11a．．．半透光開口
16．．．第二光阻層
16b．．．半透光用開口
21．．．第三光阻層
21a．．．透光用凹部
21b．．．半透光用凹部
第一圖為顯示半色調網點光罩之側面剖面圖。
第二圖之(a)至第二圖之(c)為顯示半色調網點光罩的製造方法之步驟圖。
第三圖之(a)至第三圖之(c)為顯示半色調網點光罩的製造方法之步驟圖。
第四圖之(a)至第四圖之(c)為顯示半色調網點光罩的製造方法之步驟圖。
第五圖之(a)至第五圖之(c)為顯示半色調網點光罩的製造方法之步驟圖。
第六圖之(a)至第六圖之(f)為顯示半色調網點光罩的製造方法之步驟圖。
第七圖之(a)至第七圖之(d)為顯示半色調網點光罩的製造方法之步驟圖。
11．．．半透光層
12．．．蝕刻阻止層
12b．．．第二阻止開口
13．．．遮光層
13b．．．第二遮光開口
16．．．第二光阻層
16b．．．半透光用開口
S．．．玻璃基板
PA．．．遮光部
TA．．．透光部
HA．．．半透光部

Claims (34)

  1. 一種半色調網點光罩，是含有玻璃基板之半色調網點光罩，其特徵為：具備有：利用前述玻璃基板之透光部；及第一半透光部，含有被形成在前述玻璃基板上的第一半透光層；及遮光部，含有前述第一半透光層和被積層在比前述第一半透光層還要更上方的遮光層和被形成在前述第一半透光層與前述遮光層之間的蝕刻阻止層，前述第一半透光層和前述遮光層分別由Cr或者以Cr的氧化物、氮化物、碳化物、氮氧化物、碳氧化物、氮碳化物、氮氧碳化物所組成的群體當中選出的至少任何一種所組成，前述蝕刻阻止層含有：由以Fe、Ni、Co所組成的群體當中選出之至少任何一種的第一元素、及由以Al、Si、Ti、Nb、Ta、Hf、Zr所組成的群體當中選出之至少任何一種的第二元素。
  2. 如申請專利範圍第1項之半色調網點光罩，其中，前述第二元素的含有率為1原子%~20原子%。
  3. 如申請專利範圍第1項之半色調網點光罩，其中，前述蝕刻阻止層還含有由以V、Mo、W、Cu、Zn所組成的群體當中選出之至少任何一種的第三元素。
  4. 如申請專利範圍第2項之半色調網點光罩，其中，前述蝕刻阻止層還含有由以V、Mo、W、Cu、Zn所組成的群體當中選出之至少任何一種的第三元素。
  5. 如申請專利範圍第3項之半色調網點光罩，其中，前述第二元素的含有率為1原子%~20原子%，前述第三元素的含有率為10原子%以下。
  6. 如申請專利範圍第4項之半色調網點光罩，其中，前述第二元素的含有率為1原子%~20原子%，前述第三元素的含有率為10原子%以下。
  7. 如申請專利範圍第1至6項中任一項之半色調網點光罩，其中，前述蝕刻阻止層至少還含有前述第一元素與前述第二元素的合金或者以前述合金的氧化物、氮化物、碳化物、氮氧化物、碳氧化物、氮碳化物、氮氧碳化物所組成的群體當中選出的至少任何一種。
  8. 如申請專利範圍第1至6項中任一項之半色調網點光罩，其中，還具備有第二半透光部，該第二半透光部含有前述第一半透光層、被積層在比前述第一半透光層還要更上方的第二半透光層、以及被配置在前述第一半透光層與前述第二半透光層之間的前述蝕刻阻止層，前述第二半透光層由Cr或者以Cr的氧化物、氮化物、碳化物、氮氧化物、碳氧化物、氮碳化物、氮氧碳化物所組成的群體當中選出的至少任何一種所組成。
  9. 如申請專利範圍第7項之半色調網點光罩，其中，還具備有：含有前述第一半透光層、被積層在比前述第一半透光層還要更上方的第二半透光層、以及被配置在前述第一半透光層與前述第二半透光層之間的前述蝕刻阻止層之第二半透光部，前述第二半透光層由Cr或者以Cr的氧化物、氮化物、碳化物、氮氧化物、碳氧化物、氮碳化物、氮氧碳化物所組成的群體當中選出的至少任何一種所組成。
  10. 一種半色調網點光罩基板，其特徵為：具備有：玻璃基板；及第一半透光層，被形成在前述玻璃基板上；及遮光層，被積層在比前述第一半透光層還要更上方；及蝕刻阻止層，被形成在前述第一半透光層與前述遮光層之間，前述第一半透光層和前述遮光層分別由Cr或者以Cr的氧化物、氮化物、碳化物、氮氧化物、碳氧化物、氮碳化物、氮氧碳化物所組成的群體當中選出的至少任何一種所組成，前述蝕刻阻止層含有：由以Fe、Ni、Co所組成的群體當中選出之至少任何一種的第一元素、及由以Al、Si、Ti、Nb、Ta、Hf、Zr所組成的群體當中選出之至少任何一種的第二元素。
  11. 如申請專利範圍第10項之半色調網點光罩基板，其中，前述第二元素的含有率為1原子%~20原子%。
  12. 如申請專利範圍第10項之半色調網點光罩基板，其中，前述蝕刻阻止層還含有由以V、Mo、W、Cu、Zn所組成的群體當中選出之至少任何一種的第三元素。
  13. 如申請專利範圍第11項之半色調網點光罩基板，其中，前述蝕刻阻止層還含有由以V、Mo、W、Cu、Zn所組成的群體當中選出之至少任何一種的第三元素。
  14. 如申請專利範圍第12項之半色調網點光罩基板，其中，前述第二元素的含有率為1原子%~20原子%，前述第三元素的含有率為10原子%以下。
  15. 如申請專利範圍第13項之半色調網點光罩基板，其中，前述第二元素的含有率為1原子%~20原子%，前述第三元素的含有率為10原子%以下。
  16. 如申請專利範圍第10至15項中任一項之半色調網點光罩基板，其中，前述蝕刻阻止層至少含有前述第一元素與前述第二元素的合金或者以前述合金的氧化物、氮化物、碳化物、氮氧化物、碳氧化物、氮碳化物、氮氧碳化物所組成的群體當中選出的至少任何一種。
  17. 如申請專利範圍第10至15項中任一項之半色調網點光罩基板，其中，還具備有：被形成在前述蝕刻阻止層與前述遮光層之間之第二半透光層，前述第二半透光層由Cr或者以Cr的氧化物、氮化物、碳化物、氮氧化物、碳氧化物、氮碳化物、氮氧碳化物所組成的群體當中選出的至少任何一種所組成。
  18. 如申請專利範圍第16項之半色調網點光罩基板，其中，還具備有：被形成在前述蝕刻阻止層與前述遮光層之間之第二半透光層，前述第二半透光層由Cr或者以Cr的氧化物、氮化物、碳化物、氮氧化物、碳氧化物、氮碳化物、氮氧碳化物所組成的群體當中選出的至少任何一種所組成。
  19. 一種半色調網點光罩的製造方法，其特徵為：具備有以下的步驟：在玻璃基板上積層第一半透光層；在前述第一半透光層上積層第一蝕刻阻止層；在比前述第一蝕刻阻止層還要更上方積層遮光層；在前述遮光層上形成第一光阻層；用前述第一光阻層來作為光罩，依序將前述遮光層及前述第一蝕刻阻止層及前述第一半透光層予以蝕刻，以形成透光部；將前述第一光阻層予以除去；以填滿前述透光部的方式，將第二光阻層形成在前述遮光層上；用前述第二光阻層來作為光罩，依序將前述遮光層及前述第一蝕刻阻止層予以蝕刻，以形成第一半透光部；以及將前述第二光阻層予以除去；前述第一半透光層和前述遮光層分別由Cr或者以Cr的氧化物、氮化物、碳化物、氮氧化物、碳氧化物、氮碳化物、氮氧碳化物所組成的群體當中選出的至少任何一種所組成，前述第一蝕刻阻止層含有：由以Fe、Ni、Co所組成的群體當中選出之至少任何一種的第一元素、及由以Al、Si、Ti、Nb、Ta、Hf、Zr所組成的群體當中選出之至少任何一種的第二元素。
  20. 一種半色調網點光罩的製造方法，其特徵為，具備有以下的步驟：在玻璃基板上積層第一半透光層；在前述第一半透光層上積層第一蝕刻阻止層；在比前述第一蝕刻阻止層還要更上方積層遮光層；在前述遮光層上形成光阻層，該光阻層含有貫穿到前述遮光層為止的第一凹部及比前述第一凹部還要更淺的第二凹部；用前述光阻層來作為光罩，依序將前述遮光層及前述第一蝕刻阻止層及第一半透光層，藉由前述第一凹部來予以蝕刻，以形成透光部；將前述光阻層的上面予以除去，以使前述第二凹部貫穿到前述遮光層為止；將前述光阻層的上面予以除去後，用殘存的光阻層來作為光罩，依序將前述遮光層及前述第一蝕刻阻止層，藉由前述第二凹部來予以蝕刻，以形成第一半透光部；以及將前述殘存的光阻層予以除去；前述第一半透光層和前述遮光層分別由Cr或者以Cr的氧化物、氮化物、碳化物、氮氧化物、碳氧化物、氮碳化物、氮氧碳化物所組成的群體當中選出的至少任何一種所組成，前述第一蝕刻阻止層含有：由以Fe、Ni、Co所組成的群體當中選出之至少任何一種的第一元素、及由以Al、Si、Ti、Nb、Ta、Hf、Zr所組成的群體當中選出之至少任何一種的第二元素。
  21. 如申請專利範圍第19項之半色調網點光罩的製造方法，其中，前述第二元素的含有率為1原子%~20原子%。
  22. 如申請專利範圍第20項之半色調網點光罩的製造方法，其中，前述第二元素的含有率為1原子%~20原子%。
  23. 如申請專利範圍第19項之半色調網點光罩的製造方法，其中，前述第一蝕刻阻止層還含有由以V、MO、W、Cu、Zn所組成的群體當中選出之至少任何一種的第三元素。
  24. 如申請專利範圍第20項之半色調網點光罩的製造方法，其中，前述第一蝕刻阻止層還含有由以V、MO、W、Cu、Zn所組成的群體當中選出之至少任何一種的第三元素。
  25. 如申請專利範圍第21項之半色調網點光罩的製造方法，其中，前述第一蝕刻阻止層還含有由以V、Mo、W、Cu、Zn所組成的群體當中選出之至少任何一種的第三元素。
  26. 如申請專利範圍第22項之半色調網點光罩的製造方法，其中，前述第一蝕刻阻止層還含有由以V、Mo、W、Cu、Zn所組成的群體當中選出之至少任何一種的第三元素。
  27. 如申請專利範圍第23項之半色調網點光罩的製造方法，其中，前述第二元素的含有率為1原子%~20原子%，前述第三元素的含有率為10原子%以下。
  28. 如申請專利範圍第24項之半色調網點光罩的製造方法，其中，前述第二元素的含有率為1原子%~20原子%，前述第三元素的含有率為10原子%以下。
  29. 如申請專利範圍第25項之半色調網點光罩的製造方法，其中，前述第二元素的含有率為1原子%~20原子%，前述第三元素的含有率為10原子%以下。
  30. 如申請專利範圍第26項之半色調網點光罩的製造方法，其中，前述第二元素的含有率為1原子%~20原子%，前述第三元素的含有率為10原子%以下。
  31. 如申請專利範圍第19至30項中任一項之半色調網點光罩的製造方法，其中，前述第一蝕刻阻止層至少含有前述第一元素與前述第二元素的合金或者以前述合金的氧化物、氮化物、碳化物、氮氧化物、碳氧化物、氮碳化物、氮氧碳化物所組成的群體當中選出的至少任何一種。
  32. 如申請專利範圍第19至30項中任一項之半色調網點光罩的製造方法，其中，用含有硝酸的蝕刻液來蝕刻前述第一蝕刻阻止層。
  33. 如申請專利範圍第31項之半色調網點光罩的製造方法，其中，用含有硝酸的蝕刻液來蝕刻前述第一蝕刻阻止層。
  34. 如申請專利範圍第19項之半色調網點光罩的製造方法，其中，還具備有如下的步驟：在積層前述遮光層之前，在前述第一蝕刻阻止層上形成第二半透光層，再在前述第二半透光層上積層第二蝕刻阻止層，前述遮光層積層在前述第二蝕刻阻止層上，前述透光部係用前述第一光阻層來作為光罩，依序將前述遮光層及前述第二蝕刻阻止層及前述第二半透光層及前述第一蝕刻阻止層及前述第一半透光層予以蝕刻而形成，前述第一半透光部係使用前述第二光阻層來作為光罩，依序將前述遮光層及前述第二蝕刻阻止層及前述第二半透光層及前述第一蝕刻阻止層予以蝕刻而形成，該製造方法還具備有如下步驟：在除去前述第二光阻層之後，用另外的第二光阻層來作為光罩，依序將前述遮光層及前述第二蝕刻阻止層予以蝕刻，以在與前述第一半透光部不同的位置形成第二半透光部。
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