JP2019179106A - 位相シフトマスクブランク、及び位相シフトマスクの製造方法 - Google Patents
位相シフトマスクブランク、及び位相シフトマスクの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2019179106A JP2019179106A JP2018067472A JP2018067472A JP2019179106A JP 2019179106 A JP2019179106 A JP 2019179106A JP 2018067472 A JP2018067472 A JP 2018067472A JP 2018067472 A JP2018067472 A JP 2018067472A JP 2019179106 A JP2019179106 A JP 2019179106A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- phase shift
- hard mask
- mask layer
- pattern
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 title claims abstract description 95
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 20
- 238000000034 method Methods 0.000 title description 16
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 23
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 20
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 10
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 37
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 claims description 19
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 claims description 18
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims description 16
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 16
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 13
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 13
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 12
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims description 12
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 6
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000009835 boiling Methods 0.000 abstract description 12
- FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisilazane Chemical compound C[Si](C)(C)N[Si](C)(C)C FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 11
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 abstract description 5
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 abstract description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 83
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 42
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 7
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 7
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 6
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 6
- NGNBDVOYPDDBFK-UHFFFAOYSA-N 2-[2,4-di(pentan-2-yl)phenoxy]acetyl chloride Chemical compound CCCC(C)C1=CC=C(OCC(Cl)=O)C(C(C)CCC)=C1 NGNBDVOYPDDBFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000011161 development Methods 0.000 description 3
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 239000000047 product Substances 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 3
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 2
- 150000001805 chlorine compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 230000008719 thickening Effects 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N Chlorine Chemical compound ClCl KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N Trioxochromium Chemical compound O=[Cr](=O)=O WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 239000005354 aluminosilicate glass Substances 0.000 description 1
- SJKRCWUQJZIWQB-UHFFFAOYSA-N azane;chromium Chemical compound N.[Cr] SJKRCWUQJZIWQB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 229910000423 chromium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 150000002222 fluorine compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000007429 general method Methods 0.000 description 1
- 125000004836 hexamethylene group Chemical group [H]C([H])([*:2])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[*:1] 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- GALOTNBSUVEISR-UHFFFAOYSA-N molybdenum;silicon Chemical compound [Mo]#[Si] GALOTNBSUVEISR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- -1 oxide Chemical compound 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
Description
露光波長に対して透過性を有する基板と、位相シフト膜と、遮光膜と、ハードマスク層と、をこの順に有し、
前記ハードマスク層は、前記遮光膜に近い側から第1ハードマスク層、第2ハードマスク層を有し、
前記第2ハードマスク層は、金属元素を含み、フッ素系ガスによるドライエッチングよりも塩素系ガスによるドライエッチングの方がエッチングされやすい材料により形成されている位相シフトマスクブランクとしたものである。
記載の位相シフトマスクブランクを用いる位相シフトマスクの製造方法であって、
前記第2ハードマスク層上に形成されたレジストパターンをマスクとして、塩素系ガスを用いるドライエッチングにより、前記第2ハードマスク層のパターンを形成する工程と、前記第2ハードマスク層のパターンをマスクとして、フッ素系ガスを用いるドライエッチングにより、前記第1ハードマスク層のパターンを形成する工程と、
前記第1ハードマスク層のパターンをマスクとして、塩素系ガスを用いるドライエッチングにより、前記遮光膜のパターンを形成する工程を含む位相シフトマスクの製造方法としたものである。
図1に、本発明の位相シフトマスクブランクの実施形態に係る模式断面図を示す。ここではレジスト層7を備えているが、既述のように、レジスト層7を備えない(塗布前の)形態であってもよい。
尚、フッ化物、酸化物、酸塩化物の形態(化学式)は一種類とは限らないが、少なくとも一種類の塩化物または酸塩化物の沸点がフッ化物の沸点の2分の1以下であればよい。
マスク層4−2を剥離する工程を不要とすることができる。つまり、プロセスの効率性を上げることが可能になる。第2ハードマスク層4−2がクロム系の材料である場合、膜厚は2nm〜10nmとすることができ、解像性に拘らない仕様であればさらに厚くすることも可能である。また、2nmにした場合、レジスト膜厚は40〜60nm前後で十分であり、レジストの解像性をさらに向上することができる。
露光波長に対して透明性を有する透明性基板1の材料は特に限定されないが、石英ガラスやアルミノシリケートガラスなどを使用することができる。
位相シフト膜2の材料はシリコンもしくはモリブデンの酸化物、窒化物、酸窒化物、あるいはそれらを複合させたものが望ましく、含有量の比率と膜厚を調整することによって、露光波長に対する所望の透過率と位相差を得ることができる。透過率の値は、最終的なフォトマスク製品の仕様に合わせ2%以上40%以下とすることが望ましい。下限値である2%を下回ると、既存のバイナリマスクと実質同一といえ効果を奏し得ない。上限値である40%を上回ると、マスクの効果が低下するためやはり好ましくない。本実施形態では、6%前後が好適値として設定される。位相差の値は170度以上190度以下とすることが望ましい。膜厚は、透過率にも寄与することになるため30nm以上80nm以下に設定される。また、フッ素系ガスによるエッチングが可能であり、酸素含有の塩素系ガスによるエッチング耐性を有している必要がある。何故なら、位相シフト膜2の上層である遮光膜3を酸素含有の塩素系ガスによってエッチングする際に、下層である位相シフト膜が過度に削られてしまうことを防ぐためである。
遮光膜3の材料はクロムの酸化物、窒化物、酸窒化物のいずれかを含むものが望ましい。遮光膜3により形成する遮光枠は、マスクパターン転写時に露光光が露光領域外に漏れてウエハを露光する現象を防ぐために、位相シフト膜と合わせて光学濃度が2以上、好ましくは3以上になるように膜厚を設定する必要がある。また、酸素含有の塩素系ガスによるエッチングが可能である必要があり、同時にフッ素系ガスによるエッチング耐性を有している必要がある。これは前述した位相シフト膜2と同様の理由であり、上層である第1ハードマスク層4−1をフッ素系ガスによってエッチングする際に、下層である遮光膜3が過度に削られてしまうことを防ぐためである。
図3は、本発明の実施形態の位相シフトマスクブランクを用いた位相シフトマスクの作製工程のうち、レジスト塗布後から第2ハードマスクパターン形成までを示す模式断面図である。図3(a)は、本発明の位相シフトマスクブランクを準備し、第2ハードマスク層4−2の表面に電子線(またはレーザ。以下、電子線で代表する)に反応する化学増幅型あるいは非化学増幅型のレジスト(ネガ型と仮定する)を塗布した形態である。その後、所望の回路パターンを形成するように電子線を照射し、電子線を照射しない部分のレジストをアルカリ現像液などで除去することにより、図3(b)に示すようなレジストパターン7aを形成する。尚、ポジ型レジストを使用した場合は、電子線を照射した部分のレジストを現像により除去する。
d))。
2・・・位相シフト膜
2a・・・位相シフト膜パターン
3・・・遮光膜
3a・・・遮光膜パターン
3b・・・遮光枠
4−1・・・第1ハードマスク層
4−1a・・・第1ハードマスクパターン
4−2・・・第2ハードマスク層
4−2a・・・第2ハードマスクパターン
5・・・ハードマスク層
6・・・疎水化処理層
7・・・レジスト層
7a・・・レジストパターン
8・・・第2のレジスト層
8a・・・第2のレジストパターン
10・・・位相シフトマスクブランク(本発明)
50・・・位相シフトマスクブランク(従来)
100・・・位相シフトマスク
Claims (4)
- 露光波長に対して透過性を有する基板と、
位相シフト膜と、
遮光膜と、
ハードマスク層と、をこの順に有し、
前記ハードマスク層は、前記遮光膜に近い側から第1ハードマスク層、第2ハードマスク層を有し、
前記第2ハードマスク層は、金属元素を含み、フッ素系ガスによるドライエッチングよりも塩素系ガスによるドライエッチングの方がエッチングされやすい材料により形成されている位相シフトマスクブランク。 - 前記第2ハードマスク層は、クロム、アルミニウム、ジルコニウム、ハフニウム、スズからなる群より選択される少なくとも一種の金属元素を含む請求項1に記載の位相シフトマスクブランク。
- 前記第2ハードマスク層は、さらに酸素、窒素、炭素から選択される少なくとも一種を含む請求項1または2に記載の位相シフトマスクブランク。
- 請求項1〜3のいずれか一項に記載の位相シフトマスクブランクを用いる位相シフトマスクの製造方法であって、
前記第2ハードマスク層上に形成されたレジストパターンをマスクとして、塩素系ガスを用いるドライエッチングにより、前記第2ハードマスク層のパターンを形成する工程と、
前記第2ハードマスク層のパターンをマスクとして、フッ素系ガスを用いるドライエッチングにより、前記第1ハードマスク層のパターンを形成する工程と、
前記第1ハードマスク層のパターンをマスクとして、塩素系ガスを用いるドライエッチングにより、前記遮光膜のパターンを形成する工程を含む位相シフトマスクの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018067472A JP7219010B2 (ja) | 2018-03-30 | 2018-03-30 | 位相シフトマスクブランク |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018067472A JP7219010B2 (ja) | 2018-03-30 | 2018-03-30 | 位相シフトマスクブランク |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019179106A true JP2019179106A (ja) | 2019-10-17 |
JP7219010B2 JP7219010B2 (ja) | 2023-02-07 |
Family
ID=68278621
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018067472A Active JP7219010B2 (ja) | 2018-03-30 | 2018-03-30 | 位相シフトマスクブランク |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7219010B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2021148826A (ja) * | 2020-03-16 | 2021-09-27 | アルバック成膜株式会社 | マスクブランクス、位相シフトマスク、製造方法 |
WO2021192734A1 (ja) * | 2020-03-23 | 2021-09-30 | Hoya株式会社 | マスクブランク及び転写用マスクの製造方法 |
WO2023113047A1 (ja) * | 2021-12-15 | 2023-06-22 | 株式会社トッパンフォトマスク | フォトマスクブランク、フォトマスク及びフォトマスクの製造方法 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009063638A (ja) * | 2007-09-04 | 2009-03-26 | Fujitsu Microelectronics Ltd | フォトマスクの製造方法及び半導体装置の製造方法 |
JP2009244793A (ja) * | 2008-03-31 | 2009-10-22 | Hoya Corp | フォトマスクブランク、フォトマスク及びその製造方法 |
WO2010113474A1 (ja) * | 2009-03-31 | 2010-10-07 | Hoya株式会社 | マスクブランクおよび転写用マスク |
WO2015152123A1 (ja) * | 2014-03-30 | 2015-10-08 | Hoya株式会社 | マスクブランク、転写用マスクの製造方法及び半導体装置の製造方法 |
JP2018010081A (ja) * | 2016-07-12 | 2018-01-18 | 凸版印刷株式会社 | 位相シフトマスクブランク及びそれを用いた位相シフトマスクの製造方法、位相シフトマスク |
JP2018151453A (ja) * | 2017-03-10 | 2018-09-27 | 信越化学工業株式会社 | ハーフトーン位相シフト型フォトマスクブランク |
-
2018
- 2018-03-30 JP JP2018067472A patent/JP7219010B2/ja active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009063638A (ja) * | 2007-09-04 | 2009-03-26 | Fujitsu Microelectronics Ltd | フォトマスクの製造方法及び半導体装置の製造方法 |
JP2009244793A (ja) * | 2008-03-31 | 2009-10-22 | Hoya Corp | フォトマスクブランク、フォトマスク及びその製造方法 |
WO2010113474A1 (ja) * | 2009-03-31 | 2010-10-07 | Hoya株式会社 | マスクブランクおよび転写用マスク |
WO2015152123A1 (ja) * | 2014-03-30 | 2015-10-08 | Hoya株式会社 | マスクブランク、転写用マスクの製造方法及び半導体装置の製造方法 |
JP2018010081A (ja) * | 2016-07-12 | 2018-01-18 | 凸版印刷株式会社 | 位相シフトマスクブランク及びそれを用いた位相シフトマスクの製造方法、位相シフトマスク |
JP2018151453A (ja) * | 2017-03-10 | 2018-09-27 | 信越化学工業株式会社 | ハーフトーン位相シフト型フォトマスクブランク |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2021148826A (ja) * | 2020-03-16 | 2021-09-27 | アルバック成膜株式会社 | マスクブランクス、位相シフトマスク、製造方法 |
JP7381374B2 (ja) | 2020-03-16 | 2023-11-15 | アルバック成膜株式会社 | マスクブランクス、位相シフトマスク、製造方法 |
WO2021192734A1 (ja) * | 2020-03-23 | 2021-09-30 | Hoya株式会社 | マスクブランク及び転写用マスクの製造方法 |
JP7350682B2 (ja) | 2020-03-23 | 2023-09-26 | Hoya株式会社 | マスクブランク及び転写用マスクの製造方法 |
WO2023113047A1 (ja) * | 2021-12-15 | 2023-06-22 | 株式会社トッパンフォトマスク | フォトマスクブランク、フォトマスク及びフォトマスクの製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP7219010B2 (ja) | 2023-02-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5704754B2 (ja) | マスクブランク及び転写用マスクの製造方法 | |
JP6053836B2 (ja) | マスクブランク及び位相シフトマスクの製造方法 | |
JP6601245B2 (ja) | フォトマスクブランク、フォトマスクの製造方法及びマスクパターン形成方法 | |
US20200150524A1 (en) | Mask blank, transfer mask, method for manufacturing transfer mask, and method for manufacturing semiconductor device | |
KR20150037796A (ko) | 포토마스크 블랭크, 포토마스크 및 그 제조 방법 | |
JP2006078825A (ja) | フォトマスクブランクおよびフォトマスクならびにこれらの製造方法 | |
KR20080080047A (ko) | 마스크 블랭크, 노광 마스크 제조방법 및 임프린트템플레이트 제조방법 | |
KR102553992B1 (ko) | 위상 시프트 마스크 블랭크, 위상 시프트 마스크 및 위상 시프트 마스크의 제조 방법 | |
JP7219010B2 (ja) | 位相シフトマスクブランク | |
WO2011074430A1 (ja) | フォトマスクブランク及びフォトマスクの製造方法 | |
TWI557497B (zh) | 半色調光罩、半色調空白光罩及半色調光罩之製造方法 | |
JP2011228743A (ja) | 反射型フォトマスクブランク、反射型フォトマスク、ならびにこれを用いたパターン転写方法 | |
JP2018151451A (ja) | フォトマスクブランク | |
TW201635008A (zh) | 光罩基底、相移光罩、相移光罩之製造方法及半導體裝置之製造方法 | |
JP2018091889A (ja) | マスクブランク、転写用マスクの製造方法及び半導体デバイスの製造方法 | |
JP2017227824A (ja) | マスクブランク、転写用マスクの製造方法および半導体デバイスの製造方法 | |
JPH06308713A (ja) | 位相シフトフォトマスク及び位相シフトフォトマスク用ブランクス | |
WO2016140044A1 (ja) | フォトマスクブランク、フォトマスクの製造方法及びマスクパターン形成方法 | |
JP7184558B2 (ja) | 位相シフトマスクブランク、位相シフトマスク及び位相シフトマスクの製造方法 | |
JP2012212013A (ja) | マスクブランク及び位相シフトマスクの製造方法 | |
JP2018010080A (ja) | 位相シフト型フォトマスクブランク | |
JP5219201B2 (ja) | フォトマスク、フォトマスク用ブランク、フォトマスクの製造方法、及びパターン転写方法 | |
JP2018205400A (ja) | マスクブランク、転写用マスクの製造方法及び半導体デバイスの製造方法 | |
JP2002268201A (ja) | 位相シフトフォトマスク及び位相シフトフォトマスク用ブランクスの製造方法 | |
JP2017194588A (ja) | 表面処理方法、マスクブランクの製造方法、および転写用マスクの製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20210217 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20211220 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20220104 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20220302 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20220527 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20220726 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20220921 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20230110 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20230126 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7219010 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |