TWI386739B - 電子裝置，其製造方法及電子機器 - Google Patents

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Description

電子裝置，其製造方法及電子機器
本發明係關於一種具有一主動矩陣區域之電子裝置，其製造方法及一電子機器。
本發明包含有關於2007年9月27日在日本專利局申請之日本專利申請案第JP 2007-250649號之技術主題，該案之全文係以引用的方式併入本文中。
近年已集中注意於有機EL顯示器，一經設計以利用有機場致發光之現象以顯示一影像之顯示器，作為平面顯示器之一。該有機EL顯示器藉由使用該有機發光元件自身的發光現象提供一寬視角。此外，該有機EL顯示器為低功耗。此等特點使得該顯示器在性能中為上等。特定言之，該有機EL顯示器係被視作提供足夠快的回應至一高清晰度高速視訊信號。因此，進行對於視訊及其他領域中的其等之商業化的發展努力。
一主動矩陣有機EL顯示器首先具有被配置為彼此相對之一驅動面板及密封面板。該驅動面板包含有機發光元件及經調適以驅動該等有機發光元件之薄膜電晶體(TFT)。該驅動面板及該密封面板係經由黏合劑被附接在一起，以便夾於該等有機發光元件之間。
在用於該主動矩陣有機EL顯示器之該TFT製造步驟中，當絕緣基板自該基板台被移除時，發生剝離起電。此外，該導電薄膜係在該等薄膜形成與蝕刻步驟中被充電。因 此，一高電壓係短暫地被施加至一特定掃描線或信號線，導致該掃描線與該信號線之間的一短路。另外，這可導致該等TFT特性之退化。
作為一種對上述問題之解決方案，已知經由若干開關元件連接該掃描線及該信號線至共同導線，以便僅在發生一等於或大於一基於正常操作之電位差的高電位差時，在該掃描線及該信號線與共同導線之間建立連接。此組態消除在最終步驟中切斷該導線之需要，因此使得能夠減少自該TFT步驟至最終步驟之所有步驟中藉由靜電引起的缺陷。然而，即使在該裝置操作期間，該等共同導線保持未被移除。這已導致操作期間藉由該掃描線或信號線與共同導線之間經由該開關元件的洩漏電流而引起的提高的功耗。
有一些專利文件描述對上述問題之解決方案。此處，日本專利公開案第Hei 11-72806號中描述之解決方案之特徵係如下。亦即，用於該等掃描線之該共同導線及用於該等信號線之該共同導線係經由一開關元件連接在一起。該等掃描線係經由若干開關元件連接至用於該等掃描線之該共同導線。該等信號線係經由若干開關元件連接至用於該等信號線之該共同導線。因此，用於該等掃描線之該等共同電極係大體上經調適至該等掃描線之該閉合電壓。這容忍減少的藉由靜電引起的製造缺陷。這亦提供經由該等開關元件自該等掃描線之每者至用於該等掃描線之該共同導線之最小的洩漏電流。
另一方面，在日本專利第3429775號、日本專利第 3111944號及日本專利第2579427號中描述之該等解決方案亦適當地調整用於該掃描線及該信號線之該等共同導線之電位，因此提供減少的藉由靜電引起的製造缺陷，並確保降低的功耗。
與上述該等解決方案共同的特點係使用用於該主動矩陣液晶顯示器之驅動方法。此驅動方法連續地一次選擇一掃描線以施加該開啟電壓，以便打開該等TFT。在其他任何時間，該閉合電壓係被施加至該等掃描線以保持該等TFT為閉合。
同時，JP-T-2004-538512揭示一方法，其配置二個共同導線並分別施加適當的電壓至該二個導線，以便防止對該等開關元件施加一超過Vth之電壓，因此抑制該等開關元件之洩漏電流。
另一方面，日本專利公開案第Hei 10-189996號及日本專利公開案第Hei 7-161994號提出取代在底閘極低溫多晶矽TFT之製造過程中使用的硼離子注入步驟，而利用紫外線之輻射予以控制該電晶體臨限電壓。
然而，上述該等方法之問題係該等信號線與共同導線之間的電位差無法被一直保持在低於該等開關元件之Vth。這導致一經由該等開關元件流動在該等信號線與共同導線之間的洩漏電流，因此使得不能最小化功耗。本發明已根據前述問題被完成。本發明之實施例係提供一防止製造產量之減少且又提供低功耗之電子裝置。
根據本發明之一實施例，提供一電子裝置，其包含一主動矩陣區域。該主動矩陣區域包含複數個掃描線、複數個信號線及若干配置於一基板上的像素電晶體。該複數個掃描線及該複數個信號線係經配置以彼此相交。該等像素電晶體係每者連接至該複數個掃描線與該複數個信號線之間的交叉點之一者。該電子裝置進一步包含一被置於該主動矩陣區域外部的短路線。該電子裝置仍進一步包含若干靜電保護元件，其等每者係連接在該短路線與該等掃描線及信號線之至少一者之間。該電子裝置仍進一步包含一被提供於該主動矩陣區域外部的遮光膜。該遮光膜在與該等靜電保護元件關聯之部分處具有開口。
如上描述，根據本發明之該實施例之該電子裝置具有該等靜電保護元件，其等每者係連接在該等掃描線及信號線之至少一者與短路線之間。被提供於該主動矩陣區域外部之該遮光膜具有開口。這容許一紫外線或雷射束經由該等開口至該等靜電保護元件上的選擇性的輻射。因此，該等靜電保護元件之特性可被改變，而在不再需要靜電保護時減小該等相同元件的該洩漏電流。
根據本發明之另一實施例，提供有一種電子裝置製造方法，其包含一步驟為形成一主動矩陣區域；在該主動矩陣區域之外週邊配置一短路線；並形成靜電保護元件，其等每者係在該短路線與掃描線及信號線之至少一者之間。該主動矩陣區域包含該複數個掃描線、該複數個信號線及配置在一基板上的像素電晶體。該複數個掃描線與該複數個 信號線係經配置為彼此相交。該等像素電晶體係每者連接至該複數個掃描線與該複數個信號線之間的交叉點之一者。該電子裝置製造方法進一步包含一步驟為選擇性地輻射一紫外線或雷射束至該等靜電保護元件上，以便減小該等相同元件的洩漏電流。
根據以上描述之本發明之該實施例，該等靜電保護元件每者係被提供於該等掃描線及信號線之至少一者與該短路線之間。該等靜電保護元件係藉由一紫外線或雷射束選擇性地輻射，因此其等之特點被改變，因此當不再需要靜電保護時，提供該等相同元件的減小的洩漏電流。這確保該電子裝置之降低的功耗。
根據本發明之又一實施例，提供一在一機殼中具有一電子裝置之電子機器。該電子裝置包含一主動矩陣區域。該主動矩陣區域包含複數個掃描線、複數個信號線及若干配置於一基板上的像素電晶體。該複數個掃描線及該複數個信號線係經配置以彼此相交。該等像素電晶體係每者連接至該複數個掃描線與該複數個信號線之間的交叉點之一者。該電子裝置進一步包含一被置於該主動矩陣區域外部的短路線。該電子裝置仍進一步包含若干靜電保護元件，其等每者係連接在該短路線與該等掃描線及信號線之至少一者之間。該電子裝置仍進一步包含一被提供於該主動矩陣區域外部的遮光膜。該遮光膜在與該等靜電保護元件關聯之部分處具有開口。
根據以上描述之本發明之該實施例，該電子機器包含該 電子裝置，其中該等靜電保護元件每者係被提供於該等掃描線及信號線之至少一者與該短路線之間。被提供於該主動矩陣區域外部之該遮光膜具有開口。這容許該等靜電保護元件係藉由一紫外線或雷射束經由該等開口而被選擇性地輻射。因此，該等靜電保護元件之特性可被改變，以致在不再需要靜電保護時減小該等相同元件的該洩漏電流。
因此，根據本發明之該等實施例，若一電壓係由於靜電而被施加至該掃描線或該信號線，則電荷可經由該靜電保護元件在該電壓消散之方向上被消散。這使得能確保減少的在該製造過程中藉由電氣化引起的靜電破壞。此外，當在一隨後的步驟中不需要靜電保護時，該等靜電保護元件之特點被改變。這使得能提供一提供減小的洩漏電流及功耗的電子裝置。
以下將參考該等附屬圖式描述本發明之較佳實施例。應注意一具有若干以一矩陣形式形成的TFT(薄膜電晶體)之TFT陣列將被視作在以下給出的描述中的根據本實施例之該電子裝置之一實例。
<TFT陣列>
圖1係一繪示該TFT陣列之示意圖的等效電路圖。在圖1中，該TFT陣列包含複數個掃描線106、複數個信號線107、在一絕緣透明基板(TFT基板)101上的若干像素TFT 102及顯示器電極(未顯示)。該複數個掃描線106及該複數個信號線107係經配置以彼此相交。該等像素TFT 102係每 者連接至該複數個掃描線106與該複數個信號線107之間的交叉點之一者。該等顯示器電極係連接至該等像素TFT 102。該等顯示器電極係呈一矩陣形式被配置以形成一主動矩陣區域(顯示區域103)。
一周邊短路線104係被提供於該顯示區域103之外部。該周邊短路線104、該等掃描線106及信號線107係經由若干靜電保護元件105連接至彼此。該等靜電保護元件105每者包含二個如圖2中繪示之TFT。組成該靜電保護元件105之該等TFT係藉由與用於該顯示區域103中的該等像素TFT 102相同的步驟予以形成。該等靜電保護元件105係被置於其等在該製造過程中途將不被切斷之處。
應注意該靜電保護元件105可被提供於該周邊短路線104與該掃描線106及該信號線107之至少一者之間。然而，該靜電保護元件105應較佳地係被提供於該周邊短路線104與該掃描線106及該信號線107之兩者之間。
圖3係一繪示圖1中顯示之該像素TFT及圖2中顯示之該靜電保護元件之該TFT之結構的示意性的截面圖。該TFT具有一疊層結構，其中一閘極電極302、絕緣層303、通道層304、源極電極305及汲極電極306係按最接近該絕緣透明基板101起之次序一層堆疊在另一層之頂部上。
該閘極電極302、該源極電極305及該汲極電極306係由一金屬材料形成，例如Al、AlNd、Mo及Ti。該絕緣層303係由一絕緣材料形成，例如SiN及SiO。該通道層304係由一半導體材料形成，例如非晶矽、微晶矽及多晶矽。 在如上描述被組態之該TFT中，該通道層304之導電性隨著該閘極電極302與該源極電極305之間的該電場中的變化而改變。這改變該汲極電極306與該源極電極305之間的電阻。亦即，若一高壓係被施加至一與如圖2中繪示之該靜電保護元件連接之導線，則該通道層係成為導電。因此，電荷係被放電至該周邊短路線中，因而保護該TFT免受靜電破壞。
<遮光膜>
圖4係一描述該遮光膜的示意性的平面圖。一遮光膜202係被提供於根據該實施例之該電子裝置之該主動矩陣區域(顯示區域103)的外部以阻擋不合需要的光。
舉例而言，該遮光膜202係被提供於一相對基板201(例如在一液晶顯示器器件之情況中為具有一共同電極及彩色濾光器之相對基板)上的一適當的位置。該相對基板201係經配置為相對於其上形成該等TFT之該絕緣透明基板101。在該實施例中，該遮光膜202在與該靜電保護元件關聯之位置上具有一開口203。若提供該複數個靜電保護元件，則該遮光膜202在與該等各自的靜電保護元件關聯之該等位置上具有該等開口203。
因此，若一紫外線或雷射束係經由該遮光膜202之該等開口203輻射，則被提供於該絕緣透明基板101上的該等靜電保護元件可藉由一紫外線或雷射束被選擇性地輻射。
亦即，若該等開口203係被提供在與該等靜電保護元件之該等位置關聯之該遮光膜202之該等部分處，則即使在 配置該遮光膜202之後的一隨後步驟中，該等靜電保護元件可藉由一紫外線或雷射束被選擇性地輻射。這使得當不再需要靜電保護時，能實施減小該等靜電保護元件之該洩漏電流之步驟。
<電子裝置之製造方法> (第一製造方法)
接著將描述一種根據該實施例之該電子裝置之製造方法。亦即，其為根據該實施例之該電子裝置的該TFT陣列係藉由以下描述之方法予以製造。
首先，藉由濺射法在一絕緣透明基板上形成鉬，接著藉由光微影術及蝕刻形成將用作一閘極電極之一閘極金屬。爾後，藉由電漿CVD形成一閘極絕緣層及非晶矽層。該閘極絕緣層係由氮化矽及氧化矽以一層在另一層之頂部上堆疊而組成。
接著，形成一氮化矽膜以用作一蝕刻阻止層。之後，形成源極電極及汲極電極與一鈍化膜以形成蝕刻阻止層式之逆堆疊式電晶體(TFT)。該等靜電保護元件之該等TFT亦與上述該等TFT之形成一起形成。
在以一陣列形式配置之該等TFT之形成之後，該顯示區域103之內部係藉由一如圖5中繪示之光罩406被阻擋免受光照。之後，利用一具有在該光發射光譜中185 nm及254 nm波長之峰值的低壓汞燈，以一紫外線輻射該等靜電保護元件105。這確保僅該等靜電保護元件105係由一紫外線選擇性地輻射，而非該顯示區域103。此紫外線改變該等靜 電保護元件105之特性。此處，與輻射之前比較，該等相同元件105之該洩漏電流係被減小至1/10或更少。
與該輻射之前比較，在經由一紫外線之輻射之後，組成該靜電保護元件之單獨的該TFT之該Id-Vg特性改變，如圖6中繪示。亦即，可明瞭，與藉由一紫外線輻射之前比較，該靜電保護元件之該洩漏電流已因該TFT臨限電壓提高大約5V而被減小。
(第二製造方法)
接著將描述一第二製造方法。首先，藉由與用於該第一製造方法之步驟相同的步驟而將呈一陣列形式之TFT及靜電保護元件形成於一絕緣透明基板上。爾後，舉例而言，藉由一具有一開口為100 μm乘100 μm之狹槽成形一波長為355 nm之雷射束。之後將該成形光束掃描至該等靜電保護元件上，與呈一陣列形式的該等TFT形成在一起，因此該輻射能量密度係1 J/cm2 。因此，該等靜電保護元件105係藉由該雷射束選擇性地輻射，因而改變該等相同元件105之特性。此處，與該輻射之前比較，該等靜電保護元件105之該洩漏電流係被減小至1/10或更少。
與該輻射之前比較，在經由該雷射束之輻射之後，組成該靜電保護元件之單獨的該TFT之該Id-Vg特性改變，如圖7中繪示。亦即，可明瞭，該靜電保護元件之該洩漏電流已因該TFT活動性由於該雷射束之輻射而減小而被減小。
應注意在上述該等製造方法中描述之藉由一紫外線及雷射束之輻射不一定係在完成呈一陣列形式之該等TFT之形 成之後予以實施。若該輻射係在完成用於一液晶顯示器或有機EL顯示器之該相對基板之附接之後而在該單元或模組步驟中實施，則可達到相同的效果。
此處，該術語"單元步驟"係指形成一單元之步驟。一單元(其中在一液晶顯示器器件之情況中，液晶係填充在該等基板之間)包含藉由一密封劑附接在一起的一具有形成於其上的一TFT陣列之基板(TFT基板)及相對基板。相反，該術語"模組步驟"係指形成一模組之步驟。一模組包含在該單元步驟中形成的該單元、連接至該單元之外部電路及一附接至該單元之框(聚光圈)。
另一方面，若一彩色濾光器係用作該相對基板，則該電子裝置可如下製造。亦即，開口係被提供在該黑矩陣(遮光膜)之所需位置上。在該TFT基板與彩色濾光器基板(相對基板)附接在一起之後，一紫外線或雷射束經由該等開口自該彩色濾光器基板之側被輻射，以便輻射該等靜電保護元件。此外，此紫外線輻射可在該單元步驟中被實施以亦硬化該密封劑(經調適以將該TFT基板與該彩色濾光器基板附接在一起的該紫外線硬化密封劑之處理)。
因此，該等製造方法容許藉由一紫外線或雷射束僅對該等選擇區域輻射。這改變該等靜電保護元件之該特性(減小的洩漏電流)而不改變該等像素TFT之該特性，因此提供降低的功耗。
<應用實例>
根據該實施例之該電子裝置包含如圖8中揭示之具有一 密封組態之呈一模形式者。此一電子裝置對應於如下形成之一顯示器模組。亦即，該顯示器模組係藉由提供一密封區段2021予以形成，以便封裝一係一像素陣列區段之顯示區域2002a。爾後，該顯示區域2002a係利用該密封區段2021作為一黏合劑而附接至一例如由透明玻璃製成的相對區段(密封基板2006)。
一彩色濾光器、保護膜、遮光膜或其他膜可被提供於該透明相對基板2006上。應注意一撓性印刷基板2023可被提供於一具有形成於其上的該顯示區域2002a並用作該顯示器模組之基板2002上。該撓性印刷基板2023容許信號或其他資訊在外部器件與該顯示區域2002a(像素陣列區段)之間的輸入與輸出。
<各種類型的電子機器>
以上描述之該電子裝置係適用作跨過包含一數位相機、膝上型個人電腦、諸如行動電話之行動終端器件及攝影機之所有領域的電子機器之一顯示器。此等裝置係經設計以顯示饋送至或在該電子機器內產生之一影像或一視訊信號之視訊。以下將描述應用有本發明之實施例之電子機器的實例。
圖9係一繪示一應用根據本發明之該實施例的電視機之透視圖。根據該應用實例之該電視機包含一視訊顯示螢幕區段101，舉例而言，其係由一前面板102、濾光器玻璃103及其他部分組成。該電視機係藉由利用根據本發明之該實施例製成之該電子裝置作為該視訊顯示螢幕區段101 而予以製成。
圖10A及10B係繪示一應用根據本發明之該實施例的數位相機的圖。圖10A係一從前方所見之該數位相機的透視圖，且圖10B係一從其後方所見的透視圖。根據該應用實例之該數位相機包含一閃光區段111、顯示區段112、目錄開關113、快門按鈕114及其他部分。該數位相機係藉由利用根據本發明之該實施例製成之該電子裝置作為該顯示區段112而予以製成。
圖11係一繪示一應用根據本發明之該實施例的膝上型個人電腦之透視圖。根據該應用實例之該膝上型個人電腦包含：在一主體121中，一鍵盤122，其經調適以操作文字或其他資訊之輸入；一顯示區段123，其經調適以顯示一影像；及其他部分。該膝上型個人電腦係藉由利用根據本發明之該實施例製成之該電子裝置作為該顯示區段123而予以製成。
圖12係一繪示一應用根據本發明之該實施例的攝影機之透視圖。根據該應用實例之該攝影機包含一主體區段131；若干透鏡132，其係被提供於該向前側表面以成像該物體；成像啟動/停止開關133；顯示區段134；及其他部分。該攝影機係藉由利用根據本發明之該實施例製成之該電子裝置作為該顯示區段134而予以製成。
圖13A至13G係繪示一諸如行動電話之應用根據本發明之該實施例的行動終端器件的圖。圖13A係該行動電話在一開啟位置之前視圖。圖13B係其的一側視圖。圖13C係 該行動電話在一閉合位置之前視圖。圖13D係一左側視圖。圖13E係一右側視圖。圖13F係一頂視圖。圖13G係一底視圖。根據該應用實例之該行動電話包含一上機殼141、下機殼142、連接區段(在此實例中為鉸鏈區段)143、顯示器144、子顯示器145、圖片燈146、相機147及其他部分。該行動電話係藉由利用根據本發明之該實施例製成之該電子裝置作為該顯示器144及子顯示器145而予以製成。
圖14係一繪示一應用根據本發明之該實施例製成的該電子裝置的成像器件之一實例的圖。該成像器件包含一如根據本發明之該實施例之該電子裝置製成之TFT陣列。MIS(金屬絕緣半導體)光感測器係連接至該TFT陣列中的該等TFT。
圖14中繪示之該成像器件包含一TFT驅動器11、信號處理器/放大器12、MIS光感測器驅動器13及MIS光感測器C11至C35。在圖11中，另一方面，參考數字T11至T35係TFT，Vg1至Vg3係TFT驅動導線，Sig1至Sig5係信號導線，且Vs1及Vs2係偏壓導線。
該等MIS光感測器C11至C35接收自該驅動器13施加至該等偏壓導線Vs1及VS2之光學信號。該等光學信號之電荷係儲存於該等MIS光感測器中。該儲存的電荷係藉由該等TFT(T11至T35)經由該信號處理器/放大器從該等信號線Sig1至Sig5被相繼地讀出。另一方面，該等TFT回應一自該TFT驅動器11經由該等TFT驅動導線Vg1至Vg3供應之信號而開啟或閉合。
在本發明之該等實施例中，該周邊短路線104係被提供於其中該等TFT呈一矩陣形式形成之該區域之外。該等靜電保護元件105係被提供在該等TFT驅動導線Vg1至Vg3與周邊短路線104之間及該等信號線Sig1至Sig5與周邊短路線104之間。
熟習此項技術者應瞭解，取決於該等所附專利請求範圍或其等之等效物之範圍內的設計需要及其他因素，可發生各種修飾、組合、子組合及變更。
11‧‧‧TFT驅動器
12‧‧‧信號處理器/放大器
13‧‧‧MIS光感測器驅動器
101‧‧‧絕緣透明基板(TFT基板)
102‧‧‧像素TFT
103‧‧‧顯示區域
104‧‧‧周邊短路線
105‧‧‧靜電保護元件
106‧‧‧掃描線
107‧‧‧信號線
111‧‧‧閃光區段
112‧‧‧顯示區段
113‧‧‧目錄開關
114‧‧‧快門按鈕
121‧‧‧主體
122‧‧‧鍵盤
123‧‧‧顯示區段
131‧‧‧主體區段
132‧‧‧透鏡
133‧‧‧成像啟動/停止開關
134‧‧‧顯示區段
141‧‧‧顯示區段
142‧‧‧下機殼
143‧‧‧連接區段
144‧‧‧顯示器
145‧‧‧子顯示器
146‧‧‧圖片燈
147‧‧‧相機
201‧‧‧相對基板
202‧‧‧遮光膜
203‧‧‧開口
302‧‧‧閘極電極
303‧‧‧絕緣層
304‧‧‧通道層
305‧‧‧源極電極
306‧‧‧汲極電極
406‧‧‧光罩
2002‧‧‧基板
2002a‧‧‧顯示區域
2006‧‧‧密封基板
2021‧‧‧密封區段
2023‧‧‧撓性印刷基板
C11-C35‧‧‧MIS光感測器
Sig1-Sig5‧‧‧信號導線
T11-T35‧‧‧TFT
Vg1-Vg3‧‧‧TFT驅動導線
Vs1-Vs2‧‧‧偏壓導線
圖1係一繪示一TFT陣列之示意圖的等效電路圖；圖2係一繪示一靜電保護元件之組態的等效電路圖；圖3係一繪示一TFT之結構的示意性的截面圖；圖4係一描述一遮光膜的示意性的平面圖；圖5係一描述一利用一遮光膜之製造方法的示意性的平面圖；圖6係一繪示組成該靜電保護元件之單獨的該TFT之Id-Vg特性之特性圖1；圖7係一繪示組成該靜電保護元件之單獨的該TFT之Id-Vg特性之特性圖2；圖8係一繪示在一具有一密封組態之模形式中的顯示器器件之組態圖，其應用一根據本發明之實施例；圖9係一繪示一電視機之透視圖，其應用一根據本發明之實施例；圖10A及10B係繪示一數位相機之透視圖，其應用一根 據本發明之實施例，且圖10A係一從前方所見之透視圖，且圖10B係一從後方所見之透視圖；圖11係一繪示一膝上型個人電腦之透視圖，其應用一根據本發明之實施例；圖12係一繪示一攝影機之透視圖，其應用一根據本發明之實施例；圖13A至13G係繪示一諸如行動電話之行動終端器件的圖，其應用一根據本發明之實施例，且圖13A係該行動電話在一開啟位置之前視圖，圖13B係其的一側視圖，圖13C係其在一閉合位置之前視圖，圖13D係其之一左側視圖，圖13E係其之一右側視圖，圖13F係其的一頂視圖，且圖13G係其的一底視圖；及圖14係一繪示一成像器件之示意圖的等效電路圖，其應用一根據本發明之實施例。
101‧‧‧絕緣透明基板(TFT基板)
103‧‧‧顯示區域
201‧‧‧相對基板
202‧‧‧遮光膜
203‧‧‧開口

Claims (4)

  1. 一種電子裝置，其包括：主動矩陣區域，其具有複數個掃描線、位於基板上的複數個信號線及數個像素電晶體，該複數個掃描線及該複數個信號線係經配置以彼此相交，且該等像素電晶體之各個係連接至該複數個掃描線與該複數個信號線之間的上述相交處之一者；於該主動矩陣區域外部的周邊短路線；於該主動矩陣區域外部的數個靜電保護元件；及於該主動矩陣區域外部的遮光膜；其中該遮光膜在與該等靜電保護元件對應之部分處具有開口，以使得紫外線或雷射束可輻射至該等靜電保護元件；且上述周邊短路線係經由該等該等靜電保護元件而連接至該等掃描線及該等信號線。
  2. 如請求項1之電子裝置，其包括：一相對基板，其係經配置為相對於該基板，其中該遮光膜係位於該相對基板上。
  3. 一種電子裝置製造方法，其包括以下步驟：形成一主動矩陣區域，其具有複數個掃描線、位於基板上的複數個信號線、及數個像素電晶體，該複數個掃描線及該複數個信號線係經配置以彼此相交，且該等像素電晶體之各個係連接至該複數個掃描線與該複數個信號線之間的上述相交處之一者； 在該主動矩陣區域之外部週邊配置周邊短路線並在該主動矩陣區域之外部週邊形成靜電保護元件；於形成有上述靜電保護元件之基板上貼附相對基板；及選擇性地輻射紫外線或雷射束至該等靜電保護元件上，以便減小該等靜電保護元件的洩漏電流；其中一遮光膜位於上述相對基板上，且在與該等靜電保護元件對應之部分處具有開口，以使得紫外線或雷射束可輻射至該等靜電保護元件；且上述周邊短路線係經由該等該等靜電保護元件而連接至該等掃描線及該等信號線。
  4. 一種在機殼中具有電子裝置之電子機器，該電子裝置包括：主動矩陣區域，其具有複數個掃描線、位於基板上的複數個信號線、及數個像素電晶體，該複數個掃描線及該複數個信號線係經配置以彼此相交，且該等像素電晶體之各個係連接至該複數個掃描線與該複數個信號線之間的上述相交處之一者；於該主動矩陣區域外部的周邊短路線；於該主動矩陣區域外部的數個靜電保護元件；及於該主動矩陣區域外部的遮光膜；其中該遮光膜在與該等靜電保護元件對應之部分處具有開口，以使得紫外線或雷射束可輻射至該等靜電保護元件；且 上述周邊短路線係經由該等該等靜電保護元件而連接至該等掃描線及該等信號線。
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