KR20090032993A - 전자 디바이스 및 전자 디바이스의 제조 방법 및 전자 기기 - Google Patents

전자 디바이스 및 전자 디바이스의 제조 방법 및 전자 기기 Download PDF

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KR20090032993A
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야스노부 히로마스
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소니 가부시끼 가이샤
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Abstract

본 발명의 전자 디바이스는, 액티브 매트릭스 영역, 단락선, 정전 보호 소자 및 차광막을 포함한다.

Description

전자 디바이스 및 전자 디바이스의 제조 방법 및 전자 기기{ELECTRONIC DEVICE, MANUFACTURING METHOD OF THE SAME AND ELECTRONIC APPARATUS}
본 발명은 일본특허출원 JP2007-250649(2007.9.27)호의 우선권 주장 출원이다.
본 발명은, 액티브 매트릭스 영역을 구비하는 전자 디바이스 및 전자 디바이스의 제조 방법 및 전자 기기에 관한 것이다.
근래, 플랫 패널 디스플레이의 하나로서, 유기 EL 현상을 이용하여 영상을 표시하는 유기 EL 디스플레이가 주목받고 있다. 이 유기 EL 디스플레이는, 유기 발광 소자 자체의 발광 현상을 이용하고 있기 때문에 시야각이 넓고, 또한 소비 전력이 낮은 점에서 우수하다. 특히, 유기 EL 디스플레이는, 예를 들면, 고정밀도의 고속 비디오 신호에 대해 충분한 응답성을 갖는 것이라고 생각되고 있고, 영상분야 등에서 실용화를 향하여 개발이 진행되고 있다.
액티브 매트릭스형의 유기 EL 디스플레이는, 주로, 유기 발광 소자 및 그 유기 발광 소자를 구동시키기 위한 박막 트랜지스터(TFT ; Thin Film Transistor)가 마련된 구동 패널과 밀봉 패널이 대향 배치되고, 이들의 구동 패널과 밀봉 패널이 유기 발광 소자를 끼우도록 접착층을 통하여 서로 부착된 구성을 갖고 있다.
액티브 매트릭스형 유기 EL 디스플레이에서 이용되는 TFT의 제조 공정에서는, 기판 스테이지로부터 절연성 기판을 떼어낼 때에 박리 대전(帶電)이 생긴다. 또한, 성막 공정, 에칭 공정에서는, 도전성 박막이 차지업되어 대전하는 현상이 생기고, 어느 특정한 주사선이나 신호선에 대해 순간적으로 고전압이 인가되어, 주사선과 신호선이 단락하는, 또는 TFT의 특성 불량을 초래하는 일이 있다.
이 문제의 해결책으로서, 통상 동작에 의거한 전위차 이상(以上)의 고전위차가 생긴 경우에만, 신호선, 또는 주사선과 공통 배선이 접속 상태가 되도록, 스위치 소자를 통하여 신호선이나 주사선을 공통 전극에 접속하는 것이 알려져 있다. 이 구성에 의하면, 공통 배선을 최종 공정에서 잘라버릴 필요가 없고, TFT 공정으로부터 최종 공정에 이를 때까지, 정전기에 의한 불량을 저감하는 것이 가능하다. 그러나, 기기의 동작중에 있어서도 존재 개소가 그대로 되기 때문에, 실제 동작시에 있어서, 스위치 소자를 통하여 신호선이나 주사선과 공통 배선 사이에 생기는 리크 전류에 기인하는 소비 전력의 증대가 문제였다.
이와 같은 문제에 대한 해결 수단이 기재된 문헌으로서, 몇몇 특허 문헌을 들 수 있다. 여기서, 일본 특개평11-72806호 공보에서는, 스위치 소자를 통하여 주사선을 접속시킨 주사선 공통 배선과, 스위치 소자를 통하여 신호선을 접속시킨 신호선 공통 배선이, 스위치 소자를 통하여 접속되어 있고, 실질적으로 주사선 공통 전극이 주사선 전압의 오프 전압으로 조정됨에 의해, 정전기에 의한 제조 불량을 저감함과 함께, 각 주사선으로부터 스위치 소자를 통하여 주사선 공통 배선에의 리 크 전류를 작게 억제함으로써 소비 전력을 저감하는 것을 특징으로 하고 있다.
또한, 일본 특허 제3429775호 명세서, 일본 특허 제3111944호 명세서, 일본 특허 제2579427호 명세서에서도, 스위치 소자를 통하여 주사선 및 신호선이 접속되는 주사선 공통 배선 및 신호선 공통 배선의 전위를 적절하게 조정함으로써, 정전기에 의한 제조 불량을 저감함과 함께, 소비 전력을 저감시키고 있다.
이들의 방식에 공통되는 특징은, 주사선은 1개씩 순차적으로 선택되어 TFT를 ON 상태로 하기 위한 ON 전압이 인가됨과 함께, 그 이외의 시간은 TFT를 OFF 상태로 유지하기 위한 OFF 전압이 인가된다고 하는, 액티브 매트릭스형 액정 디스플레이의 구동 방식을 이용한 것에 있다.
또한, 일본 특표2004-538512호 공보에서는, 공통 배선을 2개 배치하고, 스위치 소자에 Vth를 초과하는 전압이 인가되는 일이 없도록, 2개의 공통 배선에 각각 적절한 전압을 인가함으로써 스위치 소자의 리크 전류를 억제하는 방법이 개시되어 있다.
또한, 일본 특개평10-189996호 공보, 일본 특개평7-161994호 공보에서는, 보텀 게이트형 저온 폴리실리콘 TFT의 제조 과정에서 이용되는, 붕소 이온 주입 공정에 대신하는 트랜지스터의 임계치 전압 제어 방법으로서 자외선 조사가 제안되어 있다.
그러나, 이들의 방식의 문제점은, 신호선과 공통 배선의 전위차를 항상 스위치 소자의 Vth 미만으로 억제할 수 없어서, 스위치 소자를 통하여 신호선과 공통 배선 사이에 리크 전류가 흐르고, 소비 전력을 최소화할 수 없다는 문제가 있다. 본 발명은 상기 문제점을 감안하여 이루어진 것으로, 그 목적은, 정전기에 의한 제조 수율의 저하를 억제하고, 게다가 저소비 전력의 전자 디바이스를 제공하는 데 있다.
본 발명은, 액티브 매트릭스 영역을 포함하는 전자 디바이스를 제공한다. 액티브 매트릭스 영역은 복수의 주사선, 복수의 신호선 및 기판상에 마련된 화소 트랜지스터를 포함한다. 복수의 주사선 및 복수의 신호선은 서로 교차하도록 마련된다. 화소 트랜지스터는 복수의 주사선 및 복수의 신호선 사이의 교차점 중 하나에 접속된다. 전자 디바이스는 액티브 매트릭스 영역 외측에 배치되는 단락선을 더 포함한다. 전자 디바이스는 단락선과 주사선 및 신호선의 적어도 한쪽과의 사이에 접속되는 정전 보호 소자를 더 포함한다. 전자 디바이스는 액티브 매트릭스 영역의 외측에 마련되는 차광막을 더 구비한다. 차광막은 정전 보호 소자와 대응하는 부분에 개구가 마련되어 있다.
상술한 바와 같이 본 발명의 전자 디바이스는, 주사선 및 신호선중 적어도 한쪽과 단락선 사이에 접속된 정전 보호 소자가 마련된다. 액티브 매트릭스 영역의 외측에 마련되는 차광막에 개구가 마련되어 있다. 상기는, 이 개구를 통하여 정전 보호 소자에 자외선 또는 레이저광을 선택적으로 조사할 수 있고, 그 결과, 정전 보호가 불필요해진 단계에서 정전 보호 소자의 리크 전류를 저감하도록 특성 개질(改質)할 수 있게 된다.
또한, 본 발명은, 액티브 매트릭스 영역을 형성하는 단계, 액티브 매트릭스 영역의 외주에 단락선을 배치하는 단계 및 단락선과 주사선 및 신호선의 적어도 한쪽과의 사이에 정전 보호 소자를 형성하는 단계를 포함하는 전자 디바이스 제조 방법을 제공한다. 액티브 매트릭스 영역은 복수의 주사선, 복수의 신호선 및 기판상에 마련된 화소 트랜지스터를 포함한다. 복수의 주사선 및 복수의 신호선은 서로 교차하도록 배치된다. 화소 트랜지스터는 복수의 주사선과 복수의 신호선의 각 교차부에 접속된다. 전자 디바이스 제조 방법은 정전 보호 소자에 자외선 또는 레이저광을 선택적으로 조사하여, 해당 정전 보호 소자의 리크 전류의 저감을 도모하는 공정을 더 구비한다.
이와 같은 본 발명에서는, 주사선 및 신호선중 적어도 한쪽과 단락선 사이에 정전 보호 소자를 마련하고, 이 정전 보호 소자에 자외선 또는 레이저광을 선택적으로 조사함으로써, 정전 보호가 불필요해진 단계에서 정전 보호 소자의 리크 전류가 저감하도록 특성 개질하여, 전자 디바이스의 소비 전력 저감을 도모할 수 있다.
또한, 본 발명은, 몸체에 전자 디바이스가 마련된 전자 기기를 마련한다. 이 전자 디바이스가, 액티브 매트릭스 영역을 포함한다. 액티브 매트릭스 영역은 ㅂ고수의 주사선, 복수의 신호선 및 기판상에 마련된 화소 트랜지스터를 포함한다. 복수의 주사선 및 복수의 신호선은 서로 교차배치된다. 화소 트랜지스터는 복수의 주사선 및 복수의 신호선 사이의 교차점중 하나에 접속된다. 전자 디바이스는 액티브 매트릭스 영역의 외측에 배치된 단락선을 더 포함한다. 전자 디바이스는 단락선과 주사선 및 신호선의 적어도 한쪽과의 사이에 접속되는 정전 보호 소자를 포함한다. 전자 디바이스는, 액티브 매트릭스 영역의 외측에 마련되는 차광막을 더 구비하고 있고, 차광막의 정전 보호 소자와 대응하는 부분에 개구가 마련되어 있는 것이다.
이와 같은 본 발명에서, 전자 기기는 주사선 및 신호선중 적어도 한쪽과 단락선 사이에 정전 보호 소자가 마련된 전자 디바이스를 구비한다. 액티브 매트릭스 영역의 외측에 마련되는 차광막은 개구를 포함한다. 이 개구를 통하여 정전 보호 소자에 자외선 또는 레이저광을 선택적으로 조사할 수 있고, 정전 보호가 불필요해진 단계에서 정전 보호 소자의 리크 전류를 저감하도록 특성 개질할 수 있게 된다.
따라서 본 발명에서는, 정전기에 의해 큰 전압이 주사선 또는 신호선에 인가된 경우에, 정전 보호 소자를 통하여 그 전압을 풀어주는 방향으로 전하를 풀어줄 수 있기 때문에, 제조 공정에서의 대전에 의한 정전기 파괴를 저감할 수 있음과 함께, 그 후의 공정에서 정전 보호가 불필요하게 된 단계에서, 정전 보호 소자의 특성 개질에 의해 리크 전류를 저감하고, 소비 전력을 저감한 전자 디바이스를 제공하는 것이 가능해진다.
이하, 본 발명의 실시의 형태를 도면에 의거하여 설명한다. 또한, 이하의 설명에서는, 본 실시 형태에 관한 전자 디바이스로서, TFT(Thin Film Transistor)가 매트릭스형상으로 형성된 TFT 어레이를 예로 하여 설명을 행한다.
<TFT 어레이>
도 1은, TFT 어레이의 개략을 도시하는 등가 회로도이다. 도 1에서, TFT 어레이는 절연성 투명 기판(TFT 기판)(101)상에, 서로 직행하도록 배치된 복수의 주사선(106)과 신호선(107), 및 이들 복수의 주사선(106)과 복수의 신호선(107)의 각 교차부에, 이들의 배선에 접속되는 화소 TFT(102)와, 이 화소 TFT(102)에 접속된 표시 전극(도시 생략)이 마련되고, 이들의 표시 전극이 매트릭스형상으로 배치되어 액티브 매트릭스 영역(표시 영역(103))이 형성되어 있다.
표시 영역(103)의 외측에는, 주회(周回)형의 단락선인 주회 단락선(104)이 배치되어 있고, 이 주회 단락선(104)과 각 주사선(106), 각 신호선(107)은, 정전 보호 소자(105)를 통하여 접속되어 있다. 정전 보호 소자(105)는, 도 2에 도시하는 바와 같이 2개의 TFT로 이루어진다. 정전 보호 소자(105)를 구성하는 TFT는 표시 영역(103)의 화소 TFT(102)와 동일한 가공 프로세스에 의해 형성되어 있고, 정전 보호 소자(105)는, 제조 도중 공정에서 잘려떨어지지 않는 위치에 배치되어 있다.
또한, 정전 보호 소자(105)는, 주회 단락선(104)과 주사선(106) 및 신호선(107)중 적어도 한쪽과의 사이에 마련되어 있으면 좋지만, 양쪽 사이에 마련되어 있는 것이 바람직하다.
도 3은, 도 1에 도시한 화소 TFT 및 도 2에 도시한 정전 지지 소자의 TFT의 구조를 도시하는 모식 단면도이다. TFT는, 절연성 투명 기판(101)에 가까운 측부터 게이트 전극(302), 절연층(303), 채널층(304), 소스 전극(305) 및 드레인 전극(305)을 적층한 구조를 갖고 있다.
게이트 전극(302), 소스 전극(305), 드레인 전극(306)은, 예를 들면 Al이나 AlNd, Mo, Ti 등의 금속재료에 의해 구성되어 있다. 절연층(303)은 SiN이나 SiO의 절연 재료에 의해 형성되어 있다. 채널층(304)은, 어모퍼스 실리콘이나 미결정 실리콘, 폴리실리콘 등의 반도체 재료에 의해 형성되어 있다.
이와 같은 TFT에서는, 게이트 전극(302)과 소스 전극(305) 사이의 전계에 의해, 채널층(304)의 도전률이 변화하고, 드레인 전극(306)·소스 전극(305) 사이의 저항치가 변화한다. 즉, 도 2에 도시하는 바와 같은 정전 보호 소자가 접속된 배선에 고전압이 인가된 경우는, 채널층이 도통 상태가 되고, 전하를 주회 단락선에 방전함으로써, 정전기에 의한 절연 파괴를 방지하고 있다.
<차광막>
도 4는, 차광막을 설명하는 모식 평면도이다. 본 실시 형태에 관한 전자 디바이스의 액티브 매트릭스 영역(표시 영역(103))의 외측에는, 불필요한 광을 차단하기 위한 차광막(202)이 마련되어 있다.
이 차광막(202)은, 예를 들면 TFT가 형성되는 절연성 투명 기판(101)과 대향하여 배치되는 대향 기판(201)(예를 들면, 액정 표시 장치라면 공통 전극이나 컬러 필터를 구비한 대향 기판)의 대응하는 위치에 마련되어 있는 것이다. 본 실시 형태에서는, 이 차광막(202)에서의 정전 보호 소자와 대응하는 위치에 개구(203)가 마련되어 있다. 복수의 정전 보호 소자가 마련되어 있는 경우에는, 차광막(202)은 각 정전 보호 소자의 위치에 대응하여 개구(203)를 갖는다.
따라서 차광막(202)이 마련된 상태의 전자 디바이스에서, 이 차광막(202)의 개구(203)를 통하여 자외선이나 레이저광을 조사함에 의해, 절연성 투명 기판(101) 에 마련된 정전 보호 소자에 대해 선택적으로 자외선이나 레이저광을 맞히는 것이 가능해진다.
즉, 정전 보호 소자의 위치와 대응하는 차광막(202)의 부분에 개구(203)를 마련하여 둠으로써, 차광막(202)이 마련되는 후의 공정에 있어서도, 정전 보호 소자에 선택적으로 자외선이나 레이저광을 조사할 수 있고, 정전 보호가 불필요하게 된 단계에서 정전 보호 소자의 리크 전류 저감을 도모하는 처리를 시행하는 것이 가능해진다.
<전자 디바이스의 제조 방법>
(제 1의 제조 방법)
다음에, 본 실시 형태에 관한 전자 디바이스의 제조 방법을 설명한다. 즉, 본 실시 형태에 관한 전자 디바이스인 TFT 어레이는, 이하와 같은 프로세스로 제조한다.
우선, 절연성 투명 기판상에 스퍼터링법에 의해 몰리브덴을 성막하고, 포토리소그래피와 에칭으로 게이트 전극이 되는 게이트 메탈을 형성한다. 계속해서, 플라즈마 CVD법에 의해, 질화 실리콘과 산화 실리콘의 적층으로 이루어지는 게이트 절연층, 및 어모퍼스 실리콘층을 형성한다.
다음에, 에칭 스토퍼가 되는 실리콘 질화막을 형성한다. 그 후는, 소스·드레인 전극, 패시베이션막을 형성하고, 에칭 스토퍼 타입의 역스태거형 트랜지스터(TFT)를 형성한다. 이 TFT의 형성과 함께, 정전 보호 소자의 TFT도 형성한다.
어레이형상의 TFT를 형성한 후, 도 5에 도시하는 바와 같이, 표시 영역(103) 내부를 포토 마스크(406)로 차광하고, 파장 185㎚와 254㎚에 발광 스펙트럼의 피크를 갖는 저압 수은 램프를 이용하여, 자외선을 정전 보호 소자(105)에 조사한다. 이로써, 표시 영역(103)에는 자외선이 조사되지 않고, 정전 보호 소자(105)에만 선택적으로 자외선이 조사되고, 이 자외선에 의해 정전 보호 소자(105)의 특성이 변화한다. 여기서는, 정전 보호 소자(105)의 리크 전류가 조사 전의 1/10 이하로 저감된다.
정전 보호 소자를 형성하는 TFT의 단체(單體)의 Id-Vg 특성은 자외선 조사 전후에서 도 6과 같이 변화한다. 즉, 정전 보호 소자의 리크 전류 저감은, TFT의 임계치 전압이 자외선 조사 전과 비교하여 약 5V 증가함에 의한 것을 알 수 있다.
(제 2의 제조 방법)
다음에, 제 2의 제조 방법을 설명한다. 우선, 제 1의 제조 방법과 같은 프로세스에 의해, 절연성 투명 기판상에 어레이형상의 TFT 및 정전 보호 소자를 형성한다. 그 후, 파장 355㎚의 레이저광을 예를 들면 100㎛×100㎛의 개구부를 갖는 슬릿으로 치수 정형하고, 어레이형상의 TFT와 함께 형성한 정전 보호 소자에, 조사 에너지 밀도가 1J/㎠가 되도록 레이저광을 주사한다. 이로써, 정전 보호 소자(105)에 선택적으로 레이저광이 조사되고, 이 레이저광에 의해 정전 보호 소자(105)의 특성이 변화한다. 여기서는, 정전 보호 소자의 리크 전류가 조사 전의 1/10 이하로 저감된다.
정전 보호 소자를 형성하는 TFT의 단체의 Id-Vg 특성은 레이저광 조사 전후에서 도 7과 같이 변화한다. 즉, 정전 보호 소자의 리크 전류 저감은, TFT의 이동 도가 레이저광 조사에 의해 감소함에 의한 것을 알 수 있다.
또한, 상기 각 제조 방법에서 나타낸 자외선 조사 및 레이저광 조사의 공정은, 반드시 어레이형상의 TFT를 완성한 후에 행할 필요는 없고, 액정 디스플레이나 유기 EL 디스플레이에서 사용되는 대향 기판의 접합이 완료된 후에, 셀 공정 또는 모듈 공정에서 행하여도 동등한 효과를 얻을 수 있다.
여기서, "셀 공정"이란, TFT 어레이를 형성한 기판(TFT 기판)에 대향 기판을 실 재에 의해 접합한 셀(액정 표시 장치에서는 기판 사이에 액정을 봉입한 셀)을 구성하는 공정을 말한다. 또한, 모듈 공정이란, 셀 공정에서 구성한 셀에 외부 회로를 접속하고, 테두리(베즐)를 부착한 모듈을 구성하는 공정을 말한다.
또한, 대향 기판으로서 컬러 필터를 이용하는 경우, 소망하는 위치에 블랙 매트릭스(차광막)의 개구를 마련하고, TFT 기판과 컬러 필터 기판(대향 기판)을 접합한 후에, 컬러 필터 기판측으로부터 개구를 통하여 자외선이나 레이저광을 조사하여, 정전 보호 소자에 선택적으로 자외선이나 레이저광을 조사하도록 하여도 좋다. 또한, 이 자외선 조사의 공정을 셀 공정에서의 실 재 경화 처리(TFT 기판과 컬러 필터 기판을 접합하는 자외선 조사 경화형의 실 재를 경화시키는 처리)와 겸하여도 좋다.
이와 같은 제조 방법에 의해, 자외선 또는 레이저를 선택 범위에만 조사할 수 있어서, 화소 TFT의 특성을 변동시키는 일 없고, 정전 보호 소자만 특성을 변화(리크 전류 저감)시켜서, 저소비 전력화를 도모하는 것이 가능해진다.
<적용예>
본 실시 형태에 관한 전자 디바이스는, 도 8에 개시한 바와 같은, 밀봉된 구성의 모듈 형상의 것도 포함한다. 예를 들면, 화소 어레이부인 표시 영역(2002a)을 둘러싸도록 실링부(2021)가 마련되고, 이 실링부(2021)를 접착제로서, 투명한 유리 등의 대향부(봉지 기판(2006))에 부착되어 형성된 표시 모듈이 해당한다.
이 투명한 밀봉 기판(2006)에는, 컬러 필터, 보호막, 차광막 등이 마련되어도 좋다. 또한, 표시 영역(2002a)이 형성된 표시 모듈로서의 기판(2002)에는, 외부로부터 표시 영역(2002a)(화소 어레이부)에의 신호 등을 입출력하기 위한 플렉시블 프린트 기판(2023)이 마련되어 있어도 좋다.
<각종 전자 기기>
이상 설명한 본 발명에 의해 제조된 전자 디바이스는, 표시 장치로서 도 9 내지 도 13에 도시하는 다양한 전자 기기, 예를 들면, 디지털 카메라, 노트형 퍼스널 컴퓨터, 휴대 전화 등의 휴대 단말 장치, 비디오 카메라 등, 전자 기기에 입력된 영상 신호, 또는, 전자 기기 내에서 생성한 영상 신호를, 화상 또는 영상으로서 표시하는 모든 분야의 전자 기기에 적용하는 것이 가능하다. 이하에, 본 발명이 적용되는 전자 기기의 한 예에 관해 설명한다.
도 9는, 본 발명이 적용되는 텔레비전을 도시하는 사시도이다. 본 적용예에 관한 텔레비전은, 프런트 패널(102)이나 필터 유리(103) 등으로 구성되는 영상 표시 화면부(101)를 포함한다. 텔레비전은 그 영상 표시 화면부(101)로서 본 발명으로 제조된 전자 디바이스를 적용한 표시 장치가 이용된다.
도 10의 A 및 B는, 본 발명이 적용되는 디지털 카메라를 도시하는 도면이고, (A)는 표측에서 본 사시도, (B)는 이측에서 본 사시도이다. 본 적용예에 관한 디지털 카메라는, 플래시용의 발광부(111), 표시부(112), 메뉴 스위치(113), 셔터 버튼(114) 등을 포함하고, 그 표시부(112)로서 본 발명으로 제조된 전자 디바이스를 적용한 표시 장치가 이용된다.
도 11은, 본 발명이 적용되는 노트형 퍼스널 컴퓨터를 도시하는 사시도이다. 본 적용예에 관한 노트형 퍼스널 컴퓨터는, 본체(121)에, 문자 등을 입력할 때 조작되는 키보드(122), 화상을 표시하는 표시부(123) 등을 포함하고, 그 표시부(123)로서 본 발명으로 제조된 전자 디바이스를 적용한 표시 장치가 이용된다.
도 12는, 본 발명이 적용되는 비디오 카메라를 도시하는 사시도이다. 본 적용예에 관한 비디오 카메라는, 본체부(131), 전방을 향한 측면에 피사체 촬영용의 렌즈(132), 촬영시의 스타트/스톱 스위치(133), 표시부(134) 등을 포함하고, 그 표시부(134)로서 본 발명으로 제조된 전자 디바이스를 적용한 표시 장치가 이용된다.
도 13의 A 내지 G는, 본 발명이 적용되는 휴대 단말 장치, 예를 들면 휴대 전화기를 도시하는 도면이고, (A)는 열은 상태에서의 정면도, (B)는 그 측면도, (C)는 닫은 상태에서의 정면도, (D)는 좌측면도, (E)는 우측면도, (F)는 상면도, (G)는 하면도이다. 본 적용예에 관한 휴대 전화기는, 상측 몸체(141), 하측 몸체(142), 연결부(여기서는 힌지부)(143), 디스플레이(144), 서브 디스플레이(145), 픽처 라이트(147)), 카메라(147) 등을 포함하고, 그 디스플레이(144)나 서브 디스플레이(145)로서 본 발명으로 제조된 전자 디바이스를 적용한 표시 장치가 이용된다.
도 14는, 본 발명으로 제조된 전자 디바이스가 적용되는 촬상 장치의 예를 도시하는 도면이다. 이 촬상 장치는, 본 발명의 전자 디바이스로서 제조된 TFT 어레이의 TFT에 MIS형 광센서가 접속되는 구성으로 이루어진다.
도 14에 도시하는 촬상 장치는, TFT 구동용 드라이버(11), 신호 처리 증폭기(12), MIS형 광센서의 구동용 드라이버(13), MIS형 광센서(C11 내지 C35)를 구비하고 있다. 또한, 도면중 T11 내지 T35는 TFT, Vg1 내지 Vg3은 TFT 구동 배선, Sig1 내지 Sig5는 신호 배선, Vs1, Vs2는 바이어스 배선이다.
MIS형 광센서(C11 내지 C35)는, 구동용 드라이버(13)로부터 바이어스 배선(Vs1, Vs2)에 인가되는 광신호를 받음으로써, 여기서의 광신호는, MIS형 광센서에, 그 전하가 축적된다. 축적된 전하는, 순차적으로, 신호선(Sig1 내지 Sig5)으로부터 신호 처리 증폭기를 통하여, TFT(T11 내지 T35)에 의해, 판독된다. 또한, TFT는, TFT 구동용 드라이버(11)로부터, TFT 구동 배선(Vg1 내지 Vg3)을 통하여, 부여된 신호로, 순차적으로, 온/오프 한다.
본 발명에서는, 이 매트릭스형상으로 TFT가 형성되는 영역의 외측에 주회 단락선(104)이 마련되어 있고, 주사선인 TFT 구동 배선(Vg1 내지 Vg3)과 주회 단락선(104) 사이, 및 신호선(Sig1 내지 Sig5)과 주회 단락선(104) 사이에 정전 보호 소자(105)가 마련되어 있다.
본 발명은 첨부된 청구항 또는 그와 등가의 범위 내에서 필요에 따라 당업자에 의해 다양한 변형, 수정, 및 대체가 이루어질 수 있다.
도 1은 TFT 어레이의 개략을 도시하는 등가 회로도.
도 2는 정전 보호 소자의 구성을 도시하는 등가 회로도.
도 3은 TFT의 구조를 도시하는 모식 단면도.
도 4는 차광막을 설명하는 모식 평면도.
도 5는 차광 마스크를 이용한 제조 방법을 설명하는 모식 평면도.
도 6은 정전 보호 소자를 형성하는 TFT의 단체의 Id-Vg 특성을 도시하는 도면.
도 7은 정전 보호 소자를 형성하는 TFT의 단체의 Id-Vg 특성을 도시하는 도면.
도 8은 본 발명이 적용되는 밀봉된 구성의 모듈 형상의 표시 장치를 도시하는 구성도.
도 9는 본 발명이 적용되는 텔레비전을 도시하는 사시도.
도 10은 본 발명이 적용되는 디지털 카메라를 도시하는 도면이고, (A)는 표측에서 본 사시도, (B)는 이측에서 본 사시도.
도 11은 본 발명이 적용되는 노트형 퍼스널 컴퓨터를 도시하는 사시도.
도 12는 본 발명이 적용되는 비디오 카메라를 도시하는 사시도.
도 13은 본 발명이 적용되는 휴대 단말 장치, 예를 들면 휴대 전화기를 도시하는 도면이고, (A)는 열은 상태에서의 정면도, (B)는 그 측면도, (C)는 닫은 상태에서의 정면도, (D)는 좌측면도, (E)는 우측면도, (F)는 상면도, (G)는 하면도.
도 14는 본 발명이 적용되는 촬상 장치의 개략을 도시하는 등가 회로도.

Claims (5)

  1. 기판상에 서로 교차하도록 배치된 복수의 주사선과 복수의 신호선, 및 이들 복수의 주사선과 복수의 신호선의 각 교차부에 접속되는 화소 트랜지스터를 구비하는 액티브 매트릭스 영역과,
    상기 액티브 매트릭스 영역의 외측에 배치되는 단락선과,
    상기 주사선 및 상기 신호선의 적어도 한쪽과 상기 단락선 사이에 접속되는 정전 보호 소자와,
    상기 액티브 매트릭스 영역의 외측에 마련되는 차광막을 구비하고 있고,
    상기 차광막의 상기 정전 보호 소자와 대응하는 부분에 개구가 마련되어 있는 것을 특징으로 하는 전자 디바이스.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 기판과 대향하여 배치되는 대향 기판을 구비하고 있고,
    상기 차광막이 상기 대향 기판에 마련되어 있는 것을 특징으로 하는 전자 디바이스.
  3. 기판상에 서로 교차하도록 배치된 복수의 주사선과 복수의 신호선, 및 이들 복수의 주사선과 복수의 신호선의 각 교차부에 접속되는 화소 트랜지스터를 구비하는 액티브 매트릭스 영역을 형성하는 단계;
    상기 액티브 매트릭스 영역의 외주에 단락선을 배치하고, 상기 주사선 및 상기 신호선의 적어도 한쪽과 상기 단락선과의 사이에 정전 보호 소자를 형성하는 단계; 및
    상기 정전 보호 소자에 자외선 또는 레이저광을 선택적으로 조사하여, 상기 정전 보호 소자의 리크 전류의 저감을 도모하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 전자 디바이스의 제조 방법.
  4. 제 3항에 있어서,
    상기 정전 보호 소자에 자외선 또는 레이저광을 선택적으로 조사하는 단계는, 상기 정전 보호 소자가 형성된 기판에 대향 기판을 접합한 후에 행하는 것을 특징으로 하는 전자 디바이스의 제조 방법.
  5. 몸체에 전자 디바이스가 마련된 전자 기기에 있어서,
    상기 전자 디바이스는,
    기판상에 서로 교차하도록 배치된 복수의 주사선과 복수의 신호선, 및 이들 복수의 주사선과 복수의 신호선의 각 교차부에 접속되는 화소 트랜지스터를 구비하는 액티브 매트릭스 영역과,
    상기 액티브 매트릭스 영역의 외측에 배치되는 단락선과,
    상기 주사선 및 상기 신호선의 적어도 한쪽과 상기 단락선과의 사이에 접속되는 정전 보호 소자와,
    상기 액티브 매트릭스 영역의 외측에 마련되는 차광막을 구비하고 있고,
    상기 차광막은 상기 정전 보호 소자와 대응하는 부분에 개구가 마련되어 있는 것을 특징으로 하는 전자 기기.
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