CN110400811B - 阵列基板和显示装置 - Google Patents

阵列基板和显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN110400811B
CN110400811B CN201910817124.1A CN201910817124A CN110400811B CN 110400811 B CN110400811 B CN 110400811B CN 201910817124 A CN201910817124 A CN 201910817124A CN 110400811 B CN110400811 B CN 110400811B
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
substrate
light
insulating layer
interlayer insulating
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201910817124.1A
Other languages
English (en)
Other versions
CN110400811A (zh
Inventor
苏同上
王东方
刘军
王庆贺
汪军
刘宁
李广耀
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
BOE Technology Group Co Ltd
Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd
Original Assignee
BOE Technology Group Co Ltd
Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by BOE Technology Group Co Ltd, Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd filed Critical BOE Technology Group Co Ltd
Priority to CN201910817124.1A priority Critical patent/CN110400811B/zh
Publication of CN110400811A publication Critical patent/CN110400811A/zh
Priority to US16/928,562 priority patent/US11264411B2/en
Application granted granted Critical
Publication of CN110400811B publication Critical patent/CN110400811B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1248—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition or shape of the interlayer dielectric specially adapted to the circuit arrangement
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
    • H01L29/78606—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with supplementary region or layer in the thin film or in the insulated bulk substrate supporting it for controlling or increasing the safety of the device
    • H01L29/78633—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with supplementary region or layer in the thin film or in the insulated bulk substrate supporting it for controlling or increasing the safety of the device with a light shield
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/552—Protection against radiation, e.g. light or electromagnetic waves
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1218—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition or structure of the substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
    • H01L27/1288—Multistep manufacturing methods employing particular masking sequences or specially adapted masks, e.g. half-tone mask

Abstract

本申请提供了一种阵列基板和显示装置。该阵列基板包括：衬底基板、缓冲层、有源层、栅极绝缘层、栅极、层间绝缘层、源漏极导电层、钝化层以及第一遮光层。该第一遮光层设置在钝化层远离层间绝缘层的一侧，第一遮光层在衬底基板上的正投影区域与有源层在衬底基板上的正投影区域至少部分重叠，第一遮光层的材料为光阻材料。通过第一遮光层阻挡光线直接照射到有源层(包含沟道区)，能够抑制沟道区内受光激发的载流子浓度，可以抑制或阻止阈值电压负漂的产生。

Description

阵列基板和显示装置
技术领域
本申请涉及显示技术领域，具体为一种阵列基板和显示装置。
背景技术
随着科学技术的进步，液晶显示器因为其体积小以及重量轻的优点，已经逐渐取代传统的体积较为庞大的阴极射线显示器，已被广泛地应用于显示器、笔记本电脑、平板电视、数码相机等电子产品。
GOA(Gate Driver on Array，阵列基板行驱动)技术是直接将栅极驱动电路制作在阵列基板上，代替由外接硅片制作的驱动芯片。GOA技术的应用可减少生产工艺程序，降低产品工艺成本，提高TFT-LCD(薄膜晶体管-液晶显示)面板的集成度。
但是，在现有的GOA的薄膜晶体管制造技术中，由于不同的GOA上的薄膜晶体管受偏压不一样，且薄膜晶体管中的有源层对光照比较敏感，光照容易引起薄膜晶体管的阈值电压(Vth)的漂移。最终，会造成不同的GOA上的薄膜晶体管的阈值电压不一致，容易导致显示装置中产生亮度的不均匀的问题。
发明内容
有鉴于此，本申请提供一种阵列基板和显示装置，解决现有技术中薄膜晶体管的阈值电压容易受到光照而漂移的技术问题。
为了解决上述问题，本申请实施例主要提供如下技术方案：
在第一方面中，本申请实施例公开了一种阵列基板，包括：
衬底基板；
缓冲层，设置在所述衬底基板上；
有源层、栅极绝缘层和栅极，依次层叠设置在所述缓冲层上，且设置在所述缓冲层远离所述衬底基板的一侧；
层间绝缘层，设置在所述缓冲层、所述有源层、所述栅极绝缘层和所述栅极上，且设置在所述缓冲层、所述有源层、所述栅极绝缘层和所述栅极都远离所述衬底基板的一侧；
源漏极导电层，设置在所述层间绝缘层上，且位于所述层间绝缘层远离所述缓冲层的一侧，且所述源漏极导电层中的源极导电区域、漏极导电区域分别与所述有源层中的源极接触区、漏极接触区电连接；
钝化层，设置在所述层间绝缘层和所述源漏极导电层上，且位于所述层间绝缘层和源漏极导电层都远离所述缓冲层的一侧；
第一遮光层，设置在所述钝化层上，且位于所述钝化层远离所述层间绝缘层的一侧，所述第一遮光层在所述衬底基板上的正投影区域与所述有源层在所述衬底基板上的正投影区域至少部分重叠，所述第一遮光层的材料为光阻材料。
可选地，所述有源层还包括设置在所述源极接触区和所述漏极接触区之间的沟道区。
可选地，所述第一遮光层在所述衬底基板上的正投影区域，覆盖所述沟道区在所述衬底基板上的正投影区域，用于防止光线从第一方向照射到所述沟道区，所述第一方向为所述钝化层、所述层间绝缘层、所述栅极或所述栅极绝缘层指向有源层的方向。
可选地，所述第一遮光层在所述衬底基板上的正投影区域，覆盖所述源极接触区、所述漏极接触区和所述沟道区在所述衬底基板上的正投影区域，用于防止光线从第一方向照射到所述源极接触区、所述漏极接触区和所述沟道区。
可选地，所述光阻材料包括：第一颜色光阻材料、第二颜色光阻材料或者第三颜色光阻材料中的一种。
可选地，所述阵列基板包括多个器件，所述器件包括至少一个反相器，反相器包括多个薄膜晶体管，所述薄膜晶体管处对应的所述第一遮光层为所述第一颜色光阻层，所述第一颜色光阻层的材料为蓝色光阻材料，用于降低所述反相器中薄膜晶体管的阈值电压的正向漂移。
可选地，所述阵列基板包括多个器件，所述器件包括至少一个输出管，薄膜晶体管作为所述输出管，所述薄膜晶体管处对应的所述第一遮光层为所述第二颜色光阻层，所述第二颜色光阻层的材料为红色光阻材料，用于降低所述薄膜晶体管的阈值电压的负向漂移。
可选地，所述阵列基板还包括：
第二遮光层，设置在所述衬底基板与所述缓冲层之间，且所述第二遮光层在所述衬底基板上的正投影区域，覆盖所述有源层在所述衬底基板上的正投影区域。
可选地，所述第二遮光层由金属材料制成，所述金属材料包括：钼、铝钼合金或钼铌合金中的一种。
在第二方面中，本申请实施例公开了一种显示装置，包括：第一方面所述的阵列基板。
借由上述技术方案，本申请实施例提供的技术方案至少具有下列优点：
由于本申请实施例的第一遮光层由光阻材料制成并且设置在钝化层远离层间绝缘层的一侧，该第一遮光层在衬底基板上的正投影区域与有源层在衬底基板上的正投影区域至少部分重叠，通过第一遮光层阻挡光线直接照射到有源层(包含沟道区)，能够抑制沟道区内受光激发的载流子浓度，可以抑制或阻止阈值电压负漂的产生。
上述说明仅是本申请实施例技术方案的概述，为了能够更清楚了解本申请实施例的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本申请实施例的上述和其它目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举本申请实施例的具体实施方式。
附图说明
通过阅读下文可选实施方式的详细描述，各种其他的优点和益处对于本领域普通技术人员将变得清楚明了。附图仅用于示出可选实施方式的目的，而并不认为是对本申请实施例的限制。而且在整个附图中，用相同的参考符号表示相同的部件。在附图中：
图1为本申请阵列基板的结构示意图；
图2为本申请阵列基板的制作流程图；
图3为以包括反相器中薄膜晶体管和作为输出管的薄膜晶体管的阵列基板为例，在衬底基板上制作第二遮光层的结构示意图；
图4为在图3的衬底基板和第二遮光层上制作缓冲层的结构示意图；
图5为在图4的缓冲层上制作有源层的结构示意图；
图6为在图5的缓冲层和有源层上依次制作栅极绝缘层和栅极在刻蚀前的结构示意图；
图7为对图6中的栅极绝缘层和栅极进行刻蚀后的结构示意图；
图8为在图7的结构上制作层间绝缘层并将源极导电区域和漏极导电区域分别与有源层中的源极和漏极电连接后的结构示意图；
图9为在图8的层间绝缘层和源极导电区域和漏极导电区域上制作钝化层的结构示意图；
图10为在图9的钝化层上制作第一遮光层的结构示意图。
附图标记介绍如下：
1-衬底基板；2-缓冲层；
3-有源层；31-源极接触区；32-漏极接触区；33-沟道区；
4-栅极绝缘层；5-栅极；6-层间绝缘层；7-源漏极导电层；8-钝化层；
9-第一遮光层；10-第二遮光层。
具体实施方式
下面将参照附图更详细地描述本公开的示例性实施例。虽然附图中显示了本公开的示例性实施例，然而应当理解，可以以各种形式实现本公开而不应被这里阐述的实施例所限制。相反，提供这些实施例是为了能够更透彻地理解本公开，并且能够将本公开的范围完整的传达给本领域的技术人员。
本技术领域技术人员可以理解，除非特意声明，这里使用的单数形式“一”、“一个”、“所述”和“该”也可包括复数形式。应该进一步理解的是，本申请的说明书中使用的措辞“包括”是指存在所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或组件，但是并不排除存在或添加一个或多个其他特征、整数、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。应该理解，这里使用的措辞“和/或”包括一个或更多个相关联的列出项的全部或任一单元和全部组合。
本技术领域技术人员可以理解，除非另外定义，这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)，具有与本申请所属领域中的普通技术人员的一般理解相同的意义。还应该理解的是，诸如通用字典中定义的那些术语，应该被理解为具有与现有技术的上下文中的意义一致的意义，并且除非像这里一样被特定定义，否则不会用理想化或过于正式的含义来解释。
由于传统薄膜晶体管中未设置有任何遮光层，光线可以直接照射到传统薄膜晶体管的有源层中的沟道区，造成传统薄膜晶体管的有源层中(例如沟道区)的光生载流子增多，载流子的浓度增大，导致传统薄膜晶体管的阈值电压发生负漂。而且，不同的传统薄膜晶体管受到的光照不一致，也会造成不同的传统薄膜晶体管的阈值电压漂移量不一致，容易导致显示装置中产生亮度的不均匀的问题。
为了解决上述技术问题，在第一方面中，如图1所示，本申请实施例公开了一种阵列基板，包括：衬底基板1、缓冲层2、有源层3、栅极绝缘层4、栅极5、层间绝缘层6、源漏极导电层7、钝化层8和第一遮光层9。
缓冲层2设置在衬底基板1上。
有源层3、栅极绝缘层4和栅极5，依次层叠设置在缓冲层2上，且设置在缓冲层2远离衬底基板1的一侧。
层间绝缘层6，设置在缓冲层2、有源层3、栅极绝缘层4和栅极5上，且设置在缓冲层2、有源层3、栅极绝缘层4和栅极5都远离衬底基板1的一侧。
源漏极导电层7，设置在层间绝缘层6上，且位于层间绝缘层6远离缓冲层2的一侧，且源漏极导电层7中的源极导电区域、漏极导电区域分别与有源层3中的源极接触区31、漏极接触区32电连接。
钝化层8，设置在层间绝缘层6和源漏极导电层7上，且位于层间绝缘层6和源漏极导电层7都远离缓冲层2的一侧。
第一遮光层9，设置在钝化层8上，且位于钝化层8远离层间绝缘层6的一侧，第一遮光层9在衬底基板1上的正投影区域与有源层3在衬底基板1上的正投影区域至少部分重叠，第一遮光层9的材料为光阻材料。
由于本申请实施例的第一遮光层9由光阻材料制成并且设置在钝化层8远离层间绝缘层6的一侧，该第一遮光层9在衬底基板1上的正投影区域与有源层3在衬底基板1上的正投影区域至少部分重叠，通过第一遮光层9阻挡光线直接照射到有源层3(包括沟道区)，不会使沟道区内的载流子浓度增多，可以抑制或阻止阈值电压负漂的产生。
可选地，在本申请实施例中，有源层3包括源极接触区31、漏极接触区32、以及设置在源极接触区31和漏极接触区32之间的沟道区33。
可选地，为了使第一遮光层9能够遮挡沟道区33，第一遮光层9在衬底基板1上的正投影区域，覆盖沟道区33在衬底基板1上的正投影区域，用于防止光线从第一方向照射到沟道区33，第一方向为钝化层8、层间绝缘层6、栅极5或栅极绝缘层4指向有源层3的方向。
可选地，在另一个实施例中，第一遮光层9在衬底基板1上的正投影区域，覆盖源极接触区31、漏极接触区32和沟道区33在衬底基板1上的正投影区域，用于防止光线从第一方向照射到源极接触区31、漏极接触区32和沟道区33。
可选地，光阻材料包括：第一颜色光阻材料、第二颜色光阻材料或者第三颜色光阻材料中的一种。在一实施例中，第一颜色光阻材料可以为蓝色光阻材料，第二颜色光阻材料为红色光阻材料，第三颜色光阻材料可以为绿色光阻材料。
由于通过不同颜色的光阻材料的光的波长不一样，薄膜晶体管的有源层3中被光激发的载流子随着波长的减小而增多。利用这一特性，针对不同薄膜晶体管的使用环境，本申请的第一遮光层9可以由不同颜色的光阻材料制成，当薄膜晶体管受到较大阈值电压负漂影响时，由于通过红色的光的波长较长，可以使用红色光阻材料制成第一遮光层，将阈值电压的负漂降到最小，根据实际需要，灵活适用于不同颜色的光阻材料，进一步增强市场竞争力。
可选地，在本申请实施例中，阵列基板包含多种多样的器件，器件可以包括反相器、输出管、与非门、或非门、传输门和触发器等，每个器件中包含至少一个薄膜晶体管。
可选地，反相器包括多个薄膜晶体管，对于反相器中的薄膜晶体管而言，薄膜晶体管处对应的第一遮光层9为第一颜色光阻层，第一颜色光阻层的材料为蓝色光阻材料，由于当反相器中的薄膜晶体管长期处于正向偏压和光照的影响时，该薄膜晶体管的阈值电压会产生严重的正向漂移，因此将第一遮光层9的第一颜色光阻层的材料选择为蓝色光阻材料，利用蓝色的光的波长较短的特性，用于降低薄膜晶体管的阈值电压的正向漂移，弱化正向漂移对薄膜晶体管的影响。当然，也可以不在反相器中的薄膜晶体管处的钝化层8上设置第一遮光层9，可以节省在该处制备第一遮光层9的工艺步骤，可以提升效率，降低成本。
可选地，对于作为输出管的薄膜晶体管而言，薄膜晶体管处对应的第一遮光层9为第二颜色光阻层，第二颜色光阻层的材料为红色光阻材料，由于当输出管中的薄膜晶体管长期在正向偏压和负向偏压之间切换、且光照的影响时，该薄膜晶体管的阈值电压会产生严重的负向漂移，因此将第一遮光层9的第一颜色光阻层的材料选择为红色光阻材料，利用红色的光的波长较长的特性，用于降低薄膜晶体管的阈值电压的负向漂移，弱化负向漂移对薄膜晶体管的影响。
可选地，本申请实施例的阵列基板还可以包括：第二遮光层10，设置在衬底基板1与缓冲层2之间，且第二遮光层10在衬底基板1上的正投影区域，覆盖有源层3在衬底基板1上的正投影区域。将第二遮光层设置在衬底基板1与缓冲层2之间，能够阻止沟道区33受到第二方向光照的影响。第二方向为衬底基板1或缓冲层2指向有源层3的方向。
可选地，第二遮光层10可以由金属材料制成，该金属材料包括：钼、铝钼合金或钼铌合金中的一种。
在第二方面中，本申请实施例公开了一种显示装置，包括第一方面的阵列基板。由于第二方面的显示装置包括了第一方面的阵列基板，使得显示装置具有与阵列基板相同的有益技术效果。因此，在此不再重复赘述第三方面的显示装置的有益效果。
在第三方面中，图2示出了本申请实施例的阵列基板的制作方法，该方法包括：
S101：提供一衬底基板，在衬底基板上设置缓冲层。
S102：在缓冲层远离衬底基板的一侧，依次层叠设置有源层、栅极绝缘层和栅极。
S103：在缓冲层、有源层、栅极绝缘层和栅极都远离衬底基板的一侧设置层间绝缘层。
S104：在层间绝缘层远离缓冲层的一侧设置源漏极导电层，且将源漏极导电层中的源极导电区域、漏极导电区域分别与有源层中的源极接触区、漏极接触区电连接。
S105：在层间绝缘层和源漏极导电层都远离缓冲层的一侧设置钝化层。
S106：在钝化层远离层间绝缘层的一侧设置第一遮光层，使得第一遮光层在衬底基板上的正投影区域与有源层在衬底基板上的正投影区域至少部分重叠，第一遮光层的材料为光阻材料。
由于本申请实施例在钝化层远离层间绝缘层的一侧设置第一遮光层，该第一遮光层在衬底基板上的正投影区域与有源层在衬底基板上的正投影区域至少部分重叠，通过第一遮光层阻挡光线直接照射到有源层(例如，沟道区)，不会使沟道区内的载流子浓度增多，阻止阈值电压负漂的产生。
可选地，上述步骤S106中，在钝化层远离层间绝缘层的一侧设置第一遮光层，使得第一遮光层在衬底基板上的正投影区域与有源层在衬底基板上的正投影区域至少部分重叠，包括：
在钝化层远离层间绝缘层的一侧，通过构图工艺，设置第一遮光层，使得第一遮光层在衬底基板上的正投影区域，覆盖沟道区在衬底基板上的正投影区域；或者，第一遮光层在衬底基板上的正投影区域，覆盖源极接触区、漏极接触区和沟道区在衬底基板上的正投影区域。
可选地，通过构图工艺，设置第一遮光层，包括：
在钝化层远离层间绝缘层的一侧，设置覆盖钝化层的第一颜色初始光阻层；通过构图工艺，保留第一颜色初始光阻层中的一部分并去除其它部分，得到第一颜色光阻层，作为阵列基板中反相器中的薄膜晶体管处的第一遮光层；
设置覆盖第一颜色光阻层和钝化层的第二颜色初始光阻层；通过构图工艺，保留第二颜色初始光阻层中的一部分并去除其它部分，得到第二颜色光阻层，作为阵列基板中输出管的薄膜晶体管处的第一遮光层。
可选地，在上述S101中的在衬底基板上设置缓冲层之前，还包括：
通过构图工艺，在衬底基板上制作第二遮光层，且使得第二遮光层在衬底基板上的正投影区域，覆盖预设的、待制备的有源层在衬底基板上的正投影区域；
以及，在衬底基板上设置缓冲层，包括：
在设置有第二遮光层的衬底基板上沉淀缓冲层。
以下通过图3-图10来详细说明制作包含反相器和输出管中的薄膜晶体管的阵列基板的制作过程：
如图3所示，提供一衬底基板1，在衬底基板1上设置第二遮光层10。
如图4所示，在第二遮光层10和衬底基板1上制作缓冲层2。
如图5所示，在缓冲层2上制作有源层3。
如图6所示，在缓冲层2和有源层3上依次涂覆栅极绝缘层4和栅极5。
如图7所示，通过湿法刻蚀工艺对栅极绝缘层4进行刻蚀，通过干法刻蚀工艺对栅极5进行刻蚀。对有源层3进行掺杂工艺，制备成源极接触区31和漏极接触区32，同时得到源极接触区31和漏极接触区32之间的沟道区33。
如图8所示，在设置有有源层3、栅极绝缘层4和栅极5的缓冲层2上沉淀层间绝缘层6。通过构图工艺，制作贯穿层间绝缘层6的多个过孔，在各过孔填充导电材料，使得第一部分过孔中的导电材料与源极接触区31电连接、以及第二部分过孔中的导电材料与漏极接触区32电连接。在各过孔都填充有导电材料的层间绝缘层远离缓冲层的一侧，通过构图工艺设置源漏极导电层7，使得源漏极导电层7中的源极导电区域、漏极导电区域分别与第一部分、第二部分过孔中的导电材料电连接。
如图9所示，在设置有源极导电区域、漏极导电区域的层间绝缘层6制作钝化层8。
如图10所示，在图9中的钝化层8上制作第一遮光层9，其中，在反相器中所使用的第一遮光层9可以为蓝色光阻层；同时，在输出管中所使用的第一遮光层9可以为红色光阻层。
应用本申请实施例所获得的有益效果包括：
1、由于本申请实施例的第一遮光层由光阻材料制成并且设置在钝化层远离层间绝缘层的一侧，该第一遮光层在衬底基板上的正投影区域与有源层在衬底基板上的正投影区域至少部分重叠，通过第一遮光层阻挡光线直接照射到有源层(包含沟道区)，能够抑制沟道区内受光激发的载流子浓度，可以抑制或阻止阈值电压负漂的产生。
2、由于通过不同颜色的光阻材料的光的波长不一样，光激发的载流子随着波长的减小而增多。利用这一特性，针对不同薄膜晶体管的使用环境，本申请的第一遮光层可以由不同颜色的光阻材料制成，当薄膜晶体管受到较大阈值电压负漂影响时，由于通过红色的光的波长较长，可以使用红色光阻材料制成第一遮光层，将阈值电压的负漂降到最小，根据实际需要，灵活适用于不同颜色的光阻材料，进一步增强市场竞争力。
以上所述仅是本申请的部分实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本申请的保护范围。

Claims (5)

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：
衬底基板（1）；
缓冲层（2），设置在所述衬底基板（1）上；
有源层（3）、栅极绝缘层（4）和栅极（5），依次层叠设置在所述缓冲层（2）上，且设置在所述缓冲层（2）远离所述衬底基板（1）的一侧；
层间绝缘层（6），设置在所述缓冲层（2）、所述有源层（3）、所述栅极绝缘层（4）和所述栅极（5）上，且设置在所述缓冲层（2）、所述有源层（3）、所述栅极绝缘层（4）和所述栅极（5）都远离所述衬底基板（1）的一侧；
源漏极导电层（7），设置在所述层间绝缘层（6）上，且位于所述层间绝缘层（6）远离所述缓冲层（2）的一侧，且所述源漏极导电层（7）中的源极导电区域、漏极导电区域分别与所述有源层（3）中的源极接触区（31）、漏极接触区（32）电连接，所述有源层（3）还包括设置在所述源极接触区（31）和所述漏极接触区（32）之间的沟道区（33）；
钝化层（8），设置在所述层间绝缘层（6）和所述源漏极导电层（7）上，且位于所述层间绝缘层（6）和源漏极导电层（7）都远离所述缓冲层（2）的一侧；
第一遮光层（9），设置在所述钝化层（8）上，且位于所述钝化层（8）远离所述层间绝缘层（6）的一侧，所述第一遮光层（9）在所述衬底基板（1）上的正投影区域，覆盖所述有源层（3）在所述衬底基板（1）上的正投影区域，用于防止光线从第一方向照射到所述沟道区（33），所述第一方向为所述钝化层（8）、所述层间绝缘层（6）、所述栅极（5）或所述栅极绝缘层（4）指向有源层（3）的方向；
所述第一遮光层（9）的材料为光阻材料，所述光阻材料包括第一颜色光阻材料、第二颜色光阻材料或者第三颜色光阻材料中的一种；
所述阵列基板包括多个器件，所述器件包括至少一个反相器和至少一个输出管，所述反相器包括多个薄膜晶体管，所述反相器中的所述薄膜晶体管处对应的所述第一遮光层（9）的材料为所述第一颜色光阻材料，所述第一颜色光阻材料为蓝色光阻材料，用于降低所述反相器中薄膜晶体管的阈值电压的正向漂移；所述输出管为薄膜晶体管，用作所述输出管的所述薄膜晶体管处对应的所述第一遮光层（9）的材料为所述第二颜色光阻材料，所述第二颜色光阻材料为红色光阻材料，用于降低所述薄膜晶体管的阈值电压的负向漂移。
2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一遮光层（9）在所述衬底基板（1）上的正投影区域，覆盖所述源极接触区（31）、所述漏极接触区（32）和所述沟道区（33）在所述衬底基板（1）上的正投影区域，用于防止光线从第一方向照射到所述源极接触区（31）、所述漏极接触区（32）和所述沟道区（33）。
3.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括：
第二遮光层（10），设置在所述衬底基板（1）与所述缓冲层（2）之间，且所述第二遮光层（10）在所述衬底基板（1）上的正投影区域，覆盖所述有源层（3）在所述衬底基板（1）上的正投影区域。
4.如权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述第二遮光层（10）由金属材料制成，所述金属材料包括：钼、铝钼合金或钼铌合金中的一种。
5.一种显示装置，其特征在于，包括：如权利要求1-4中任一项所述的阵列基板。
CN201910817124.1A 2019-08-30 2019-08-30 阵列基板和显示装置 Active CN110400811B (zh)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910817124.1A CN110400811B (zh) 2019-08-30 2019-08-30 阵列基板和显示装置
US16/928,562 US11264411B2 (en) 2019-08-30 2020-07-14 Array substrate and display device including light shielding layers

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910817124.1A CN110400811B (zh) 2019-08-30 2019-08-30 阵列基板和显示装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN110400811A CN110400811A (zh) 2019-11-01
CN110400811B true CN110400811B (zh) 2021-12-17

Family

ID=68329593

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201910817124.1A Active CN110400811B (zh) 2019-08-30 2019-08-30 阵列基板和显示装置

Country Status (2)

Country Link
US (1) US11264411B2 (zh)
CN (1) CN110400811B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11900863B2 (en) 2022-06-29 2024-02-13 Wuhan Tianma Microelectronics Co., Ltd. Shanghai Branch Display panel and display device

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111208687A (zh) * 2020-01-13 2020-05-29 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及显示装置
CN111463267A (zh) * 2020-04-08 2020-07-28 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板及显示装置
CN111613654B (zh) * 2020-05-27 2023-11-28 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及显示面板制作方法
CN111640706A (zh) * 2020-06-28 2020-09-08 武汉华星光电技术有限公司 阵列基板制备方法和阵列基板
CN111933677B (zh) * 2020-08-19 2023-05-12 云谷（固安）科技有限公司 阵列基板、显示面板及其装置
CN111916463B (zh) * 2020-08-20 2023-03-24 武汉华星光电技术有限公司 阵列基板、其制备方法及显示面板
CN112289813B (zh) * 2020-10-29 2022-10-14 湖北长江新型显示产业创新中心有限公司 阵列基板、显示面板及显示装置
CN112289841A (zh) * 2020-10-30 2021-01-29 湖北长江新型显示产业创新中心有限公司 显示面板及显示装置
CN112768497B (zh) * 2021-01-07 2022-08-23 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种阵列基板及其制备方法、显示面板
CN117177620A (zh) * 2021-05-12 2023-12-05 厦门天马微电子有限公司 显示面板及显示装置
CN113644096B (zh) * 2021-07-22 2023-12-19 武汉天马微电子有限公司 显示面板及显示装置
CN114864605A (zh) * 2022-05-18 2022-08-05 武汉华星光电技术有限公司 阵列基板及其制备方法、显示面板

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3002099B2 (ja) * 1994-10-13 2000-01-24 株式会社フロンテック 薄膜トランジスタおよびそれを用いた液晶表示装置
TWI576736B (zh) * 2015-06-18 2017-04-01 群創光電股份有限公司 觸控裝置
CN105552027B (zh) * 2016-02-14 2018-08-14 武汉华星光电技术有限公司 阵列基板的制作方法及阵列基板
CN205789970U (zh) * 2016-05-03 2016-12-07 厦门天马微电子有限公司 一种阵列基板、显示面板及显示装置
CN106684103B (zh) * 2017-02-28 2020-04-03 厦门天马微电子有限公司 阵列基板、显示面板及显示装置
CN106816410B (zh) * 2017-03-22 2019-05-31 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 阵列基板及其制作方法
CN107093611B (zh) * 2017-06-16 2020-07-03 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及其制作方法、显示装置
CN107731789A (zh) * 2017-10-13 2018-02-23 青岛海信电器股份有限公司 基于coa面板的tft及coa面板
CN109564916B (zh) * 2018-10-12 2022-06-28 京东方科技集团股份有限公司 用于电子器件的基板、显示装置、制造用于电子器件的基板的方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11900863B2 (en) 2022-06-29 2024-02-13 Wuhan Tianma Microelectronics Co., Ltd. Shanghai Branch Display panel and display device

Also Published As

Publication number Publication date
CN110400811A (zh) 2019-11-01
US11264411B2 (en) 2022-03-01
US20210066353A1 (en) 2021-03-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN110400811B (zh) 阵列基板和显示装置
US10312268B2 (en) Display device
JP5367338B2 (ja) 表示装置の作製方法
US9818813B2 (en) Method for producing array substrate and array substrate
KR101987218B1 (ko) 어레이 기판, 그것의 제조 방법, 및 디스플레이 장치
CN101022085B (zh) 半导体元件及其制作方法
US8928044B2 (en) Display device, switching circuit and field effect transistor
EP3200230A1 (en) Thin film transistor component, array substrate and manufacturing method therefor, and display device
US7973466B2 (en) Organic electroluminescent display device with light-shielding means and method of fabricating the same
US7612378B2 (en) Semiconductor device with multiple impurity regions and image display apparatus
CN101339960A (zh) 发光装置
US7396707B2 (en) Fabrication method of a semiconductor device
US7262433B2 (en) Semiconductor device
CN107170756B (zh) 阵列基板、显示装置以及制备阵列基板的方法
US9651839B2 (en) Array substrate and manufacturing method thereof, display panel and display device
TWI386739B (zh) 電子裝置，其製造方法及電子機器
TWI246624B (en) Manufacturing method of optoelectronic substrate, manufacturing method of optoelectronic apparatus, and the optoelectronic apparatus
CN107123687B (zh) 薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板、显示装置
CN110148607B (zh) 一种led显示面板、其制备方法及显示装置
CN109801952B (zh) 显示面板及其制作方法
US11101387B2 (en) Low temperature polysilicon layer, thin film transistor, and method for manufacturing same
CN101150093B (zh) 像素结构的制作方法
US11387308B2 (en) Array substrate, display apparatus, and method of fabricating array substrate
CN102024757B (zh) 像素结构及其制造方法
CN110190069B (zh) 阵列基板及其制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant