TWI384937B - 導熱片及其製造方法 - Google Patents

導熱片及其製造方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI384937B
TWI384937B TW097110334A TW97110334A TWI384937B TW I384937 B TWI384937 B TW I384937B TW 097110334 A TW097110334 A TW 097110334A TW 97110334 A TW97110334 A TW 97110334A TW I384937 B TWI384937 B TW I384937B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
layer
thermally conductive
polymer layer
sheet
adhesive layer
Prior art date
Application number
TW097110334A
Other languages
English (en)
Other versions
TW200913864A (en
Inventor
Mitsuru Ohta
Motoki Ozawa
Yoshiaki Okabayashi
Original Assignee
Polymatech Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Polymatech Co Ltd filed Critical Polymatech Co Ltd
Publication of TW200913864A publication Critical patent/TW200913864A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI384937B publication Critical patent/TWI384937B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/373—Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
    • H01L23/3735—Laminates or multilayers, e.g. direct bond copper ceramic substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/373—Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/373—Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
    • H01L23/3733—Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon having a heterogeneous or anisotropic structure, e.g. powder or fibres in a matrix, wire mesh, porous structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/373—Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
    • H01L23/3737—Organic materials with or without a thermoconductive filler
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K7/00—Constructional details common to different types of electric apparatus
    • H05K7/20—Modifications to facilitate cooling, ventilating, or heating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298—Fillers
    • H01L2224/29499—Shape or distribution of the fillers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12044—OLED
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/10—Methods of surface bonding and/or assembly therefor
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
    • Y10T428/24802—Discontinuous or differential coating, impregnation or bond [e.g., artwork, printing, retouched photograph, etc.]
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
    • Y10T428/24802—Discontinuous or differential coating, impregnation or bond [e.g., artwork, printing, retouched photograph, etc.]
    • Y10T428/24826—Spot bonds connect components
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
    • Y10T428/24802—Discontinuous or differential coating, impregnation or bond [e.g., artwork, printing, retouched photograph, etc.]
    • Y10T428/24851—Intermediate layer is discontinuous or differential
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
    • Y10T428/24802—Discontinuous or differential coating, impregnation or bond [e.g., artwork, printing, retouched photograph, etc.]
    • Y10T428/24893—Discontinuous or differential coating, impregnation or bond [e.g., artwork, printing, retouched photograph, etc.] including particulate material
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
    • Y10T428/24942—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.] including components having same physical characteristic in differing degree

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Thermal Sciences (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Electrical Apparatus (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • Surface Heating Bodies (AREA)

Description

導熱片及其製造方法
本發明係關於一種導熱片，其係用來釋放由發熱體的半導體裝置及各種不同類型電子組件所產生的熱；及關於製造該導熱片之方法。
具有導熱係數等的導熱片、導熱脂、導熱膠黏、相變構件及其類似物係插在安裝在習知電子電路板上的發熱體與釋熱體之間，以釋放由發熱體所產生的熱。發熱體的特殊範例包括半導體裝置與電子組件。釋熱體的特殊範例包括散熱槽與冷卻風扇。近幾年來，電子組件的功率消耗與發熱量隨著電子設備的功能與性能增加而增加。此外，在例如電路板的配置構件的電子外殼內的空間隨著電子設備的尺寸及厚度減少而逐漸變小。當熱累積在電子組件時，例如，電子組件的處理性能降低，變成使電子組件容易損壞，且較高的溫度會造成電子裝置的使用者不愉快。因此，需要避免發熱體的熱累積，例如在電子組件及其類似物，且發熱體的冷卻作用已變成重要目標。因此，優良的導熱係數對於導熱片及其類似物是需要的。
此外，使用由例如石墨或一金屬材料所形成的熱擴散片，藉以有效擴散由在外殼內的有限空間中的一發熱體所產生的熱。特別係，需要避免局部熱累積在尺寸及厚度較小且發熱密度高的行動裝置內。因此，需要具有優良熱擴散性的熱擴散片。在一熱擴散片直接與一發熱體接觸的情況中，由於形成熱擴散片的石墨或金屬材料 的高剛性，所以熱擴散片不會黏至發熱體的輪廓外形。因此，熱擴散片不能夠有效與發熱體緊密的接觸，因此，不能獲得優良的熱擴散性。
日本早期公開專利第2003-168882號公開案、日本早期公開專利第2005-57088號公開案、與日本早期公開專利第2004-243650號公開案係揭示導熱片，其中一具可撓性導熱聚合物層是在由例如石墨所形成之一熱擴散層的至少一邊上堆積成層，以得到優良的熱擴散性。除了上述之熱擴散性之外，需要用於導熱片的各種不同功能，其係取決於其使用。然而，在上述公報中描述的導熱片係不符合這些需要。
本發明的一目的是提供一種更適合使用在需要從發熱體釋放熱的應用之導熱片。本發明亦係關於一種製造該導熱片之方法。
為了要達成前述及根據本發明之第一態樣，係提供一種導熱片。該導熱片包括：一導熱聚合物層，其係由一導熱聚合物組合物所形成；一膠黏層，其係提供在該導熱聚合物層之外表面上；及一功能層，其係提供在該膠黏層上。該導熱聚合物組合物包含一高分子基材與一導熱填料。該導熱聚合物層的靜摩擦係數是1.0或更低。該膠黏層與該導熱聚合物層之每一個具有一外形，且該膠黏層的外形係小於該導熱聚合物層的外形。
根據本發明之第二態樣，提供一種用於製造導熱片之方法。該方法包括：形成一導熱聚合物組合物製成的一導熱聚合物層，其中前述導熱聚合物組合物包含一高 分子基材與一導熱填料，其中該導熱聚合物層的靜摩擦係數是1.0或更低，且該導熱聚合物層包括一外形，其係在該導熱聚合物層之一外表面上提供一膠黏層，其中該膠黏層的一外形係小於該導熱聚合物層的外形；及其係在該膠黏層上提供一功能層。
 (第一具體實施例)
在下列中，根據本發明的一導熱片之第一具體實施例係參考圖式來描述。如第一A圖至第一C圖所示，根據本具體實施例的導熱片11包含：一導熱聚合物層12，其係由一導熱聚合物組合物形成；一膠黏層13，其係在導熱聚合物層12的外表面12a上形成；及一熱擴散層14，其是在該膠黏層13上形成的一功能層。該等層從下往上的順序為：熱擴散層14、膠黏層13、導熱聚合物層12。在下列描述中，導熱片11係簡稱為片11；導熱聚合物組合物係簡稱為組合物；及導熱聚合物層12係簡稱為聚合物層12。片11係例如插在一發熱體與一釋熱體之間供使用，致使熱從熱的發熱體釋放，而該發熱體會冷卻。
片11具有一冷卻功能且易於處理。冷卻功能是冷卻一熱的發熱體之容易性之指標，且其係基於聚合物層12的導熱係數及熱擴散層14之熱擴散性。換言之，冷卻功能係基於聚合物層12的導熱係數、聚合物層12的熱阻值、在發熱體或釋熱體與聚合物層12之間的黏著性、以及在熱擴散層14與聚合物層12之間的黏著性、 及熱擴散層14之熱擴散性。聚合物層12的導熱係數愈高，聚合物層12的熱阻值愈小；在發熱體或釋熱體與聚合物層12之間、以及在熱擴散層14與聚合物層12之間的黏著性愈強；及熱擴散層14的熱擴散性愈佳，片11的冷卻功能愈佳。
處理的容易性是當片11承載及其類似物時處理容易性之指標，且主要係基於聚合物層12的黏著性。聚合物層12的黏著性愈小，片11承載時的處理便愈容易，因此，處理的容易性係較高。
該組合物包含一高分子基材與一導熱填料。該高分子基材係將該導熱填料保持在聚合物層12。該高分子基材係根據聚合物層12所需的性能來選擇，例如機械強度、硬度、耐久性、抗熱性、及電氣特性。該高分子基材的特殊範例包括矽樹脂。
該導熱填料增加聚合物層12的導熱係數，致使片11的冷卻功能會增加。導熱填料的形式之特殊範例包括纖維、顆粒與板狀。較佳係，導熱填料之至少部分是為纖維狀。在下列中，將描述一纖維狀的導熱填料，換言之，包含纖維狀填料的一片11。纖維狀填料的特殊範例包括碳纖維、與聚對苯撐苯并雙噁唑(poly(p-phenylenebenzobisoxazole))前驅物碳纖維(PBO碳纖維)。具有除了纖維狀之外的一形狀的導熱填料的材料之特殊範例(換言之，非纖維狀的填料)係包括氧化鋁與氫氧化鋁。
對於該組合物中的導熱填料含量較佳係為90質量%或更低。在導熱填料含量超過90質量%的情況，聚合物層12會變成易碎，因為聚合物層12的可撓性會不 足，同時，存在有聚合物層12可能同樣地黏至發熱體與釋熱體的輪廓形狀之風險。除了上述成分之外，該組合物係可包含：一塑化劑，用以調整例如聚合物層12的硬度；及一穩定劑，用以提高耐久性。
聚合物層12是四邊形狀，並加速從發熱體至釋熱體的導熱性，致使熱的發熱體會冷卻。聚合物層12具有一高分子基材15與一導熱填料16。根據本發明具體實施例的導熱填料16係具有一纖維狀的導熱填料16，換言之，纖維狀填料16a與一顆粒狀的導熱填料16，換言之，一顆粒狀填料16b。纖維狀填料16a是在一個方向中取向。在第一B圖和第一C圖所顯示的聚合物層12中，例如，纖維狀填料16a是在聚合物層12的厚度方向中取向。因此，在厚度方向的聚合物層12的導熱性數值係等於在寬度方向的導熱性數值乘上2至數百所獲得的值。纖維狀填料16a的終端部分是在聚合物層12的寬度方向中延伸，且在面對外表面12a成對地暴露。
聚合物層12的黏著性非常小，因此聚合物層12的黏著性係可使用聚合物層12的靜摩擦係數來表示。換言之，在聚合物層12的靜摩擦係數較低的情況下，聚合物層12的黏著性較低，而在聚合物層12的靜摩擦係數較高的情況，聚合物層12的黏著性較高。聚合物層12的靜摩擦係數是1.0或更低，較佳係0.3或更低。在聚合物層12的靜摩擦係數超過1.0的情況，其會變成難以將片11附著至發熱體，例如由於聚合物層12的過高之黏著性。聚合物層12的靜摩擦係數的下限並無特別限制，且例如，聚合物層12的靜摩擦係數愈小，片11附著至發熱體係愈容易。在聚合物層12的靜摩擦係數 是1.0或更低的情況下，當使用手指接觸聚合物層12的外表面12a時，聚合物層12沒有黏性，因此，聚合物層12不能透過其本身的黏著性而附著至熱擴散層14。
聚合物層12的厚度較佳係0.03 mm(毫米)至0.5 mm(毫米)。在聚合物層12的厚度小於0.03 mm(毫米)的情況，聚合物層12的製造會變困難。在聚合物層12的厚度超過0.5 mm(毫米)的情況，需要時間讓熱從發熱體傳導至釋熱體，且存在有片11的冷卻功能有可能惡化之風險。由於材料，所以具有0.5 mm(毫米)或更少厚度的聚合物層12容易變成具可撓性。
如根據日本工業標準(國際標準ISO 7619-1)的類型E的JIS K6253所測量的聚合物層12之硬度例如是5至80。在聚合物層12的硬度係小於5的情況中，聚合物層12係太具可撓性，因此，片11的處理容易性會惡化。因此，片11會變得不易處理。在聚合物層12的硬度超過80的情況中，在聚合物層12與發熱體或釋熱體之間的黏著性會減少，且存在有片11的冷卻功能可能惡化之風險。
膠黏層13的外形係小於聚合物層12的外形，且整個聚合物層12的外表面12a整體是多點狀。膠黏層13係透過膠黏層13來保持聚合物層12與熱擴散層14。
膠黏層13的材料之特殊範例包括丙烯酸基系、矽酮系、胺基甲酸酯系、乙烯基系及合成橡膠系之黏著劑與膠黏劑。膠黏層13係透過施加一用以形成膠黏層13之材料至聚合物層12而形成。此外，膠黏層13係可由一膠黏帶形成，其中上述膠黏係施加於一聚合物薄膜，其係具有相同效果。此外，聚合物層12易黏附至熱擴 散層14，因此，膠黏層13之材料較佳係具有可撓性。
膠黏層13占據的面積與在跟聚合物層12的膠黏層13附著之外表面12a上的外表面12a整體)之比率較佳係30%或更低。相較於聚合物層12的導熱係數、及相較於熱擴散層14之熱擴散性，膠黏層13的導熱係數及膠黏層13之熱擴散性係較差。因此，當膠黏層13占據的面積的比率超過30%時，存在有片11的冷卻功能可能會過度惡化之風險。
膠黏層13的厚度較佳係50 μm(微米)或更低。在膠黏層13的厚度超過50 μm(微米)的情況，由於膠黏層13的厚度，所以在聚合物層12的外表面與膠黏層13的表面之間的差變得較大。因此，存在有於聚合物層12與熱擴散層14之間的黏著性可能會減少之風險，且例如當片11附著至發熱體時，片11的接觸熱阻值可能變高。如上述，相較於聚合物層12的導熱係數，膠黏層13的導熱係數較差。因此，膠黏層13的厚度的下限並無特別限制，且膠黏層13愈薄，在聚合物層12與熱擴散層14之間的黏著性會變得愈高，且在片11的導熱方向中的膠黏層13之比率會變得愈低。因此，片11的接觸熱阻值會變得愈低。
熱擴散層14是四邊形狀，且允許熱從熱的發熱體擴散，因此，避免熱在發熱體及在發熱體附近累積，致使片11的冷卻功能會被改善。熱擴散層14為一石墨片或例如金屬製的一片所形成。一金屬製片的材料之特殊範例包括銅和鋁。由於材料的品質，所以熱擴散層14允許熱在與表面平行之方向中擴散，並將擴散的熱從從熱擴散層14的周邊及表面釋放出。因此，熱擴散層14 較佳係由一石墨片形成。相較於在厚度方向的導熱係數，石墨片通常在與表面平行的方向中具有高的導熱係數。具體地，在與石墨片的表面平行的方向的導熱係數是100 W/m·K至800 W/m·K。石墨片允許熱以在與表面平行的方向可比在厚度方向傳遞更快之方式來擴散。
如第一A圖和第一B圖所示，熱擴散層14的外形係大於聚合物層12的外形，且暴露熱擴散層14的周邊部分14a。熱擴散層14的厚度較佳係10 μm(微米)至150 μm(微米)。在熱擴散層14的厚度小於10 μm(微米)的情況，熱擴散層14是易碎且容易損壞，且熱擴散層14的熱容量會過度小，因此，存在有片11的冷卻功能不能夠被充分改良之風險。在熱擴散層14的厚度超過150 μm(微米)的情況，由於熱擴散層14的過度厚，所以存在有從發熱體至釋熱體的導熱效率可能會減少之風險。
片11係透過下列步驟的順序加以製造：準備一組合物之一準備步驟；定向纖維狀填料16a之一定向步驟；形成一聚合物層12之一形成步驟；暴露纖維狀填料16a之一暴露步驟；及在聚合物層12上，壓膜一膠黏層13與一熱擴散層14之一壓膜步驟。
在準備步驟中，將上述的適當成分混合，致使準備出一組合物。在定向步驟中，將組合物填滿例如一模具，之後，纖維狀的填料16a會被定向。定向纖維狀填料16a的方法，可利用使用一磁場產生裝置在組合物中施加一磁場之方法、及使用一振動裝置在組合物中施加振動之方法，而較佳之方法係磁場與振動都施加至組合物，因為纖維狀填料16a會容易被定向。此時，磁場與 振動可經由組合物被施加至纖維狀填料16a。
在形成步驟中，在維持纖維狀填料16a定向的狀態下，高分子基材15是在模具中硬化或固化，因此，一預定形狀的聚合物層12會形成。如第二圖所示，在形成步驟之後，在聚合物層12中的纖維狀填料16a不會從聚合物層12的外表面12a暴露。在暴露步驟中，例如網格狀片係對著聚合物層12的外表面12a壓下，之後，在外表面12a上滑落，因此，高分子基材15會從外表面12a上移除，致使纖維狀填料16a會從外表面12a暴露。在壓膜步驟中，根據習知的方法，將用於形成一膠黏層13的一材料施加在聚合物層12的外表面12a上的一預定位置，因此，膠黏層13會以多點狀地堆積成層在聚合物層12的外表面12a上。接著，一熱擴散層14會層壓在膠黏層13上。
當片11附著至發熱體與釋熱體時，如第三A圖所示，例如，片11係放置在一基板21上所提供的發熱體22(例如一電子裝置)之頂端。此時，熱擴散層14係面對發熱體22。發熱體22的底部係覆蓋一電絕緣層23，且在基板21上，用以連接發熱體22至一電路(未在圖顯示)的端子24是被提供在基板21與電絕緣層23之間。隨後，釋熱體25係放置在片11的頂端，之後，自釋熱體25施加一負荷至發熱體22，致使片11會與發熱體22及釋熱體25緊密接觸，因此，片11會夾在發熱體22及釋熱體25之間。此時，如第三B圖和第三C圖所示，由於上述負荷，從聚合物層12的外表面暴露的纖維狀填料16a之末端部分會被壓入聚合物層12。此外，由於上述負荷，高分子基材15係從纖維狀的暴露填料16a 之間浸出。因此，上述纖維狀的暴露填料16a係相對的會浸入在聚合物層12的高分子基材15中，致使聚合物層12的黏著性會增加。此外，聚合物層12會與熱擴散層14及釋熱體25緊密接觸，而不會在熱擴散層14與釋熱體25之間產生一間隙。施加至釋熱體25的負荷值是例如4.9N。
上述具體實施例具有下列優點。
根據本發明具體實施例的片11係包含一聚合物層12；及一熱擴散層14，其係經由一膠黏層13而在聚合物層12的頂端堆積成層。因此，片11允許熱透過熱擴散層14而從發熱體22擴散，並透過聚合物層12加速從發熱體22導熱至釋熱體25，因此，可獲得優良冷卻功能。
聚合物層12的靜摩擦係數係設定成1.0或更低，且聚合物層12與熱擴散層14係使用膠黏層13而整個形成。因此，聚合物層12的黏著性會減少，致使片11的處理容易性會增加，且熱擴散層14係可附著至具低黏著性的聚合物層12而不會失敗。
膠黏層13的外形係小於聚合物層12的外形，且根據本發明具體實施例的膠黏層13在整個聚合物層12的外表面12a整體是多點狀。因此，相較於膠黏層13是在聚合物層12的外表面12a的整體上形成，由於膠黏層13，可避免片11的冷卻功能惡化。此外，在聚合物層12的外表面12a上，膠黏層13占據的面積與外表面12a的整體之比率設定成30%或更低，其中提供有膠黏層13，因此，由於膠黏層13，所以可以避免片11的冷卻功能惡化而不會失敗。
在膠黏層13是只在例如聚合物層12的周邊部分的一部分形成的情況，存在有一薄及具可撓性聚合物層12朝向熱擴散層14彎曲、或在膠黏層未形成的部分向外彎曲之風險。在此情況，例如該片附著至發熱體22會變得困難。對照下，根據本發明具體實施例，膠黏層13是在整個聚合物層12的整體上一致形成，因此，可避免薄及具可撓性的聚合物層12彎曲。
當膠黏層13的厚度設定成50 μm(微米)或更少時，片11的接觸熱阻值會減少，致使片11的冷卻功能會增加。
熱擴散層14的周邊部分14a係暴露。因此，熱係可容易地從周邊部分14a擴散。
熱擴散層14的厚度係設定成10 μm(微米)至150 μm(微米)，因此，片11的冷卻功能係可充分增加。
(第二具體實施例)
然後，參考圖式來描述根據本發明之第二具體實施例的一片11。在第二具體實施例中，相同符號係附加至與在第一具體實施例中相同的構件，並省略其描述，並亦省略與第一具體實施例相同的操作效果之描述。
如第四A圖至第四C圖所示，根據本具體實施例的片11包含：一聚合物層12、一膠黏層13；及一傳導層17，其係形成在膠黏層13的頂端的一功能層。該等層從底往上的順序為：傳導層17、膠黏層13、聚合物層12。片11係插在例如一發熱體及一釋熱體之間供使用，並加速從發熱體至釋熱體的導熱性。
片11具有高導熱係數與一高傳導係數，且易處理。 導熱係數是從發熱體22至釋熱體25的導熱容易性之指標，且主要係取決於聚合物層12的導熱係數與熱阻、以及在釋熱體25與聚合物層12之間的黏著性、以及在傳導層17與聚合物層12之間的黏著性。聚合物層12的導熱係數愈高，熱阻值愈小，且在釋熱體25與聚合物層12之間的黏著性、以及在傳導層17與聚合物層12之間的黏著性愈高，片11具有的導熱係數愈高。傳導係數是一電流從發熱體22流至具有高傳導係數的釋熱體25的容易性之指標，且主要係取決於傳導層17的材料。處理的容易性是當片11承載時的處理容易性之指標，且主要係取決於聚合物層12的黏著性。當聚合物層12的黏著性變得較小時，片11在當承載時會變得較易處理。
傳導層17允許電流從發熱體22流至具有高傳導係數的釋熱體25，因此，可避免由於發熱體22充電時所造成的靜電放電(ESD)。傳導層17由具有高傳導係數的一片形成，例如金屬製的一片及一傳導樹脂片或一傳導片。一金屬製片的材料之特殊範例包括銅和鋁。傳導樹脂片具有例如一熱塑性樹脂或一熱固性樹脂與散佈於其中的傳導顆粒。傳導片係例如使用一金屬層，藉由塗佈熱塑性樹脂片而形成。
如第四A圖和第四B圖所示，傳導層17的外形是四邊形板狀，且大於聚合物層12的外形，且暴露出傳導層17的周邊部分17a。傳導層17的厚度較佳係20 μm(微米)或更低，更佳係2 μm(微米)至14 μm(微米)。在傳導層17的厚度超過20 μm(微米)的情況，會由於傳導層17的厚度過厚，而存在有從發熱體22至釋熱體25 的導熱效率可能減少之風險。在傳導層的厚度小於2 μm的情況，傳導層17的強度會較低，因此，當使用片11時(當壓下時)，存在有傳導層17可能破損之風險。
片11係透過下列步驟製造：準備一組合物之準備步驟；定向纖維狀填料16a之定向步驟；形成一聚合物層12之形成步驟；暴露纖維狀填料16a之暴露步驟；及以一膠黏層13與一傳導層17的順序，壓膜在聚合物層12之壓膜步驟。在壓膜步驟中，在膠黏層13在聚合物層12的外表面12a上堆積成層之後，傳導層17再於膠黏層13上堆積成層。
當片11係附著至發熱體22與釋熱體25時，如第五圖所示，例如：片11係安裝在一基板21上所提供的發熱體22(例如一電氣裝置)。此時，傳導層17係面對發熱體22。隨後，具有高傳導係數的釋熱體25係安裝在片11上，之後，從釋熱體25施加一負荷至發熱體22，致使片11係與發熱體22及釋熱體25接觸，因此，片11係夾在發熱體22與釋熱體25之間。此外，傳導層17的周邊部分17a係與釋熱體25接觸。
上述具體實施例具有下列優點。
根據本具體實施例的片11包含：一聚合物層12；及一傳導層17，其係經由膠黏層13而在聚合物層12的頂端上堆積成層。因此，片11可透過聚合物層12加速從發熱體22至釋熱體25的導熱性，因此，可獲得優良的導熱係數，且傳導層17可避免由於ESD(靜電放電)從發熱體22出現問題。
傳導層17的厚度係設定成20 μm(微米)或更少，因此，由於傳導層17，所以可避免片11的導熱係數減少， 其中傳導層17的導熱係數係低於聚合物層12的導熱係數。
傳導層17的周邊部分17a會暴露出。因此，當片11附著至發熱體22與釋熱體25時，傳導層17可容易與釋熱體25接觸。
(第三具體實施例)
然後，參考圖式來描述根據本發明之第三具體實施例的一片11。在第三具體實施例中，相同符號係附加至與在第一具體實施例中相同的構件，並省略其描述，且亦省略與第一具體實施例相同的操作效果之描述。
如第六A圖至第六C圖所示，根據本具體實施例的片11係包含：一聚合物層12、一膠黏層13；及一電絕緣薄膜18，其係形成在膠黏層13上的一功能層。該等層由下往上係依下列之順序：電絕緣層18、膠黏層13、聚合物層12。片11係插在例如一發熱體22與一釋熱體25之間供使用，並加速從發熱體22至釋熱體25的導熱性。
片11具有一高導熱係數與高電絕緣性，且易處理。導熱係數是從發熱體22至釋熱體25的導熱容易性之指標，且主要係基於聚合物層12的導熱係數與熱阻；及在釋熱體25與聚合物層12之間的黏著性、以及在電絕緣層18與聚合物層12之間的黏著性。聚合物層12的導熱係數愈高，熱阻值愈小，且在釋熱體25與聚合物層12之間，以及在電絕緣層18與聚合物層12之間的黏著性愈高，片11具有更優良的導熱係數。電絕緣性是阻斷一自發熱體產生的電流之流動的容易性之指 標，且主要係基於電絕緣層18的材料。處理的容易性係當片11承載時，處理容易性之指標，且主要係取決於聚合物層12的黏著性。聚合物層12的黏著性愈低，當片11承載時，其可愈容易處理，因此，片11係易於處理。
電絕緣層18係位在發熱體22與聚合物層12之間，且當片11附著至例如一發熱體22時，阻隔一電流從發熱體22流至聚合物層12。電絕緣層18的材料的特殊範例係包括熱塑性樹脂、熱固性樹脂及其混合物。熱塑性樹脂的特殊範例包括聚乙烯系樹脂、聚丙烯系樹脂、聚丙烯酸酯系樹脂、聚苯乙烯系樹脂、聚酯系樹脂及以聚胺基甲酸酯系樹脂。熱固性樹脂的特殊範例包括矽酮系樹脂、酚系樹脂、環氧系樹脂、三聚氫胺系樹脂及聚胺基甲酸酯系樹脂。
電絕緣層18的外形具有與聚合物層12的外形相同的大小。電絕緣層的厚度較佳係12 μm(微米)或更小，更佳係2 μm(微米)至12 μm(微米)。在電絕緣層18的厚度超過12 μm(微米)的情況，由於電絕緣層18的厚度過厚，存在有從發熱體22至釋熱體25的導熱效率可能會減少之風險。在電絕緣層18的厚度小於2 μm(微米)的情況，電絕緣層18的強度較低，且當使用片11時(當壓下時)，存在有電絕緣層18可能損壞之風險。
片11係透過下列步驟加以製造：準備一組合物之準備步驟；將纖維狀填料16a定向成一個方向之定向步驟；形成一聚合物層12之形成步驟；暴露纖維狀填料16a之暴露步驟；及以一膠黏層13與一電絕緣層18的順序，壓膜在聚合物層12之壓膜步驟。在壓膜步驟中， 一膠黏層13是在聚合物層12的外表面12a的頂端堆積成層，之後，電絕緣層18是在膠黏層13的頂端上堆積成層。
當片11附著至發熱體22與釋熱體25時，片11係放置在例如一提供在基板21上的發熱體22(例如一電子裝置)的頂端。此時，電絕緣層18係面對發熱體22。隨後，釋熱體25係安裝在片11上，之後，係從釋熱體25施加一負荷至發熱體22，致使片11可與發熱體22及釋熱體25緊密接觸，因此，片11係夾在發熱體22與釋熱體25之間。
上述具體實施例具有下列優點。
根據本具體實施例的片11包含：一聚合物層12；及一電絕緣層18，其係經由一膠黏層13而在聚合物層12的頂端堆積成層。因此，片11可透過聚合物層12，加速從發熱體22至釋熱體25的導熱性，因此，可提供優良的傳導係數。
在聚合物層12包含具有導電性的一導熱填料16的情況，當附著至發熱體22的片11沒有一電絕緣層18時，在聚合物層12中，存在有一電流從發熱體22流至導熱填料16之風險，造成短路，此係取決於導熱填料16之成份。對照下，根據本具體實施例，電絕緣層18會阻斷一電流從發熱體22流至聚合物層12，因此，可避免發熱體22短路。
電絕緣層18的厚度係設定成12 μm(微米)或更少，因此，片11的導熱係數可避免由於電絕緣層18而變得較低，其中相較於聚合物層12，導熱係數較低。
(第四具體實施例)
然後，參考圖式來描述根據本發明之第四具體實施例之片11。在第四具體實施例中，相同符號係附加至與第一及第二具體實施例相同之構件，並省略其描述，且省略與第一和第二具體實施例相同的操作效果之描述。
如第七A圖和第七B圖所示，根據本具體實施例的片11係具有：一聚合物層12；一膠黏層13；及一功能層19，其係在膠黏層13上形成。根據本具體實施例的功能層19是由兩層形成，即是，一熱擴散層14，其係在該膠黏層13上形成；及一傳導層17，其係在熱擴散層14上形成。該等層由下往上係依下列順序：傳導層17、熱擴散層14、膠黏層13、聚合物層12。片11係插在例如一發熱體22與一釋熱體25之間供使用，並加速從發熱體22至釋熱體25的導熱性。
片11具有一冷卻功能與導電性，且易處理。冷卻功能是將熱的發熱體22冷卻的容易性之指標，且其係基於聚合物層12的導熱係數及熱擴散層14的熱擴散性。換言之，冷卻功能係基於聚合物層12的導熱係數、聚合物層12的熱阻值、在釋熱體25與聚合物層12之間的黏著性、以及在熱擴散層14與聚合物層12之間的黏著性、及熱擴散層14的熱擴散性。聚合物層12的導熱係數愈高，聚合物層12的熱阻值愈小，在釋熱體25與聚合物層12之間、以及在熱擴散層14與聚合物層12之間的黏著性愈高，且熱擴散層14的熱擴散性越優良，片11具有更優良的冷卻功能。
導電性是一電流從發熱體22流至具有導電性的釋熱體25的容易性之指標，且主要係基於傳導層17的材 料。處理之容易性為當片11承載時，其可被處理的容易性之指標，且主要係基於聚合物層12的黏著性。聚合物層12的黏著性愈低，當片11承載時，其處理愈容易，且片11的處理能力愈高。根據本具體實施例的傳導層17係以帶狀形成，且傳導層17的兩端部分係從熱擴散層14暴露。
片11係透過下列步驟加以製造：準備一組合物之準備步驟；將纖維狀填料16a定向成一個方向之定向步驟；形成聚合物層12之形成步驟；暴露纖維狀填料16a之暴露步驟；及以膠黏層13、熱擴散層14與傳導層17之順序，壓膜在聚合物層12上之壓膜步驟。在壓膜步驟中，膠黏層13是在聚合物層12的外表面12a的頂端堆積成層，之後，以熱擴散層14與傳導層17的順序在膠黏層13上堆積成層。
當片11附著至發熱體22與釋熱體25時，片11係安裝在基板21上所提供的發熱體22上(例如一電子裝置)。此時，傳導層17係面對發熱體22。隨後，具有導電性的釋熱體25係安裝在片11上，之後，從釋熱體25施加一負荷至發熱體22，致使片11與發熱體22及釋熱體25緊密接觸，因此，片11係夾在發熱體22與釋熱體25之間。此外，傳導層17的兩端部分係與釋熱體25接觸。
上述具體實施例具有下列優點。
根據本具體實施例的片11包含：聚合物層12；熱擴散層14，其係經由該膠黏層13的在聚合物層12的頂端堆積成層；及傳導層17。因此，片11允許來自發熱體22的熱能透過熱擴散層14加以擴散，並透過聚合物 層12，加速從發熱體22至釋熱體25的導熱性，因此，可提供一優良的冷卻功能。此外，片11可讓傳導層17避免由於ESD(靜電放電)而隨著發熱體22出現的問題。
傳導層17的兩端部分會暴露出來。因此，當片11附著至發熱體22與釋熱體25時，傳導層17可容易與釋熱體25接觸。
所屬領域具有通常知識者應可明白，本發明可以許多其他特殊形式具體實施，而不致脫離本發明的精神或範疇。特別地係，應可瞭解，本發明能以下列形式具體實施。
在個別具體實施例中，聚合物層12、熱擴散層14、傳導層17與電絕緣層18的形狀並未特別限制，且這些可為除了四邊形板狀之外的形狀，例如碟狀。
在個別具體實施例中，一黏滯層可從形成片11的層之中，在位於外部的一層的外表面上形成，如第八A圖和第八B圖所示，例如，在第一具體實施例中，帶狀的黏滯層26可在不面對膠黏層13(在熱擴散層14的成對外表面之間)的外表面上形成。黏滯層26的材料特殊範例包括上述黏著劑。在此情況，例如當片11附著至發熱體22，當片11定位時，黏滯層26會面對發熱體22。然後，對應至黏滯層26的聚合物層12的部分係使用例如指尖壓向發熱體22。此時，由於其黏度，所以黏滯層26會變成黏至發熱體22，並避免片位置的偏移。因此，片可容易地附著至發熱體22。
在個別具體實施例中，膠黏層13的外形係小於聚合物層12的外形，並只在聚合物層12的一部分上形成，因此，其會為除了多點狀之外之一形式。如第九B 圖和第九C圖所示，例如，四邊形板狀的膠黏層13係可在聚合物層12的四角落形成，或如第九D圖所示，四邊形板狀的膠黏層13可在聚合物層12的中央部分形成。如第九E圖和第九F圖所示，在膠黏層13的各塊之間的間距係可適當的做改變。如第九G圖所示，一碟狀的膠黏層13可在聚合物層12的四角落形成，或如第九H圖所示，帶狀的膠黏層13可在聚合物層12的周邊部分形成。此外，如第九I圖和第九J圖所示，四角環狀的膠黏層13之寬度係可適當地改變。
雖然膠黏層13係可在聚合物層12的中央部分形成，但是較佳係在聚合物層12的周邊部分形成，且更佳係在聚合物層12的整個周邊部分以環狀形成。從發熱體22的中央部分所發出的熱量通常係大於從發熱體22的周邊部分所發出的熱量，因此，相較於周邊部分，發熱體22的中央部分溫度會較高。在膠黏層13是在聚合物層12的周邊部分形成的情況中，相較於在聚合物層12的中央部分之接觸熱阻值，附著至發熱體22的聚合物層12的周邊部分的接觸熱阻值會變得較高。因此，相較於周邊部分，接觸熱阻值較低的聚合物層12的中央部分係對應至發熱體22的中央部分，其相較於周邊部分，溫度是較高，因此，相較於在膠黏層13是在聚合物層12的中央部分形成的情況，片11的導熱係數會增加。此外，膠黏層13在聚合物層12的整個周邊部分係以環狀形成，因此，當在膠黏層13係以多點狀形成的情況，其係可避免薄及具可撓性的聚合物層12彎曲。
聚合物層12的周邊部分是在聚合物層12的周邊與從聚合物層12至中心的距離之3/5之間的一區域。例 如，在各邊具有40 mm(毫米)的四邊形板狀之聚合物層12中，聚合物層12的周邊部分係具有24 mm(毫米)寬度之四邊形環狀。此外，在具有20 mm(毫米)半徑的碟狀聚合物層12中，聚合物層12的周邊部分是具有12 mm(毫米)寬度的環狀。
在個別具體實施例中，纖維狀填料16a的末端部分不會從聚合物層12的外表面12a暴露。此外，纖維狀填料16a不會定向成一個方向中。
在個別具體實施例中，片11係可進一步包含另一具體實施例的功能層。換言之，形成片11的功能層係可具有許多具有不同的工作效果之層。在此情況中，形成功能層的許多層係可只在聚合物層12的該等成對外表面12a之一外表面12a上形成，或膠黏層13係可在聚合物層12的每一外表面12a上形成，致使膠黏層係獨立地在聚合物層12的個別外表面12a上形成。在功能層是由許多層形成的情況，對於每一層而言較佳係薄的，以避免由於功能層的厚度造成片的接觸熱阻值變得較高。
在個別具體實施例中，釋熱體25可省略。在此情況，傳導層17的周邊部分17a係連接至在第二具體實施例中具有導電性之一構件，例如外殼。在此組態中，熱亦可從聚合物層12的表面釋放。
在第一具體實施例中，熱擴散層14的外形係可與聚合物層12的外形相同，或小於聚合物層12的外形。
在第一具體實施例中，例如當片11附著至發熱體22時，以聚合物層12面對發熱體22之方式，將片11放置在發熱體22上。
在第二具體實施例中，釋熱體25可能沒有導電性。 在此情況，傳導層17的周邊部分17a係連接至具有導電性的一構件，例如外殼。
上述具體實施例係經由下面的範例與比較範例來做更明確的描述。
第一具體實施例的範例 範例1-a
在範例1-a中，在準備步驟中，纖維狀填料16a的碳纖維與顆粒狀填料16b的球狀礬土(氧化鋁)係混合成額外類型液態矽酮(以下稱為液態矽酮凝膠)，其係為高分子基材15，致使準備出一組合物。在硬化後，液態矽酮凝膠係凝固成一凝膠狀。表1顯示混入其中的每一成份之量。每一成份之混合量的單位是質量份。液態矽酮凝膠在25℃的黏度是400 mPa·s，且液態矽酮凝膠的比重為1.0。碳纖維的平均纖維直徑是10 μm(微米)，且碳纖維的平均纖維長度是160 μm(微米)。球狀的礬土之平均顆粒直徑是3.2 μm(微米)。接著，組合物係被攪伴，直到碳纖維與球狀的礬土均勻分佈，之後，氣泡會從組合物中被移除。
隨後，在定向步驟中，組合物在25℃的黏度係使用一旋轉黏度計來測量，之後，將組合物填入模具內。表1顯示黏度的測量結果。其次，利用一超導磁鐵施加具有100,000高斯磁通密度的一磁場至組合物，且同時，壓縮的空氣係用來將具一3.0 Hz頻率與10 mm(毫米)振幅的振動經由一模具而施加至組合物，因此，使碳纖維係可固定在聚合物層的厚度方向。
接著，在形成步驟中，將組合物在120℃加熱90分鐘，致使會得到硬化的液態矽酮凝膠及聚合物層12。然後，在暴露步驟中，一旋轉切割機係用來將具有5 μm(微米)厚度的硬化後矽酮從聚合物層12的成對之外表面12a予以移除，因此，會暴露出碳纖維。在暴露步驟之後，聚合物層12的厚度是0.3 mm(毫米)。在暴露步驟之後，當聚合物層12的外表面12a透過一電子顯微鏡觀察時，確認碳纖維暴露。因此，將獲得的聚合物層12切成四邊形板狀(各邊具有40 mm(毫米)長度)。
隨後，在壓膜步驟中，如第九A圖所示，一矽酮系之膠黏係以多點狀施加在聚合物層12的外表面12a的整體上，因此，會形成多點狀的膠黏層13(厚度：30 μm，每一點的直徑：1.5 mm，每點間的間距：7 mm)。其次，以一石墨片(厚度：130 μm，其係由GrafTech International Ltd.公司所製造的)製成的熱擴散層14是經由膠黏層13而在聚合物層12頂端上堆積成層，致使可獲得片11。
範例1-b
如表2所示，除了膠黏層13的厚度改變成50 μm之外，片11係以如範例1-a所示的相同方式獲得。
範例1-c
如表2所示，除了膠黏層13的厚度係改變成60 μm之外，片11係以如範例1-a所示的相同方式獲得。
範例1-d
如第九B圖與表2所示，除了一膠黏層13(厚度： 30 μm，邊長：10 mm)是在聚合物層12的四角落形成之外，片11係以如範例1-a所示的相同方式獲得。
範例1-e
如第九C圖與表2所示，除了膠黏層13(厚度：30 μm，邊長：12 mm)是在聚合物層12的四角落形成之外，片11係以如範例1-a所示的相同方式獲得。
範例1-f
如第九D圖與表2所示，除了膠黏層13(厚度：30 μm，邊長：5 mm)是在聚合物層12的四角落形成之外，片11係以如範例1-a所示的相同方式獲得。
範例2-a至2-f
在範例2-a至2-f中，PBO碳纖維係當作纖維狀填料使用，同時，混合的每一成份量係如表1所示來改變，此外，藉由使用金屬製的網格，透過拋光，在暴露步驟中將矽酮移除。對於其餘部分，聚合物層12係以範例1-a至1-f所示的相同方式獲得。在暴露步驟之後，當聚合物層12的外表面12a透過一電子顯微鏡觀察時，可確認暴露出PBO碳纖維。如此獲得的聚合物層12會切成四邊形板形(邊長：40 mm)。然後，如表3所示，在如範例1-a至1-f的相同方式中，膠黏層13係成形，且熱擴散層14是層壓於其頂端上，因此，可獲得片11。
在範例2-a至2-f中的字母係表示對應至範例1-a至1-f的各點。例如：在範例2-a中，膠黏層13係以如範例1-a的相同方式形成，而在範例2-b中，膠黏層13係 以如範例1-b的相同方式形成。
範例3-a至3-d
在範例3-a中，如表4所示，片11係以如範例1-a所示的相同方式獲得。在範例3-b中，如表4所示，除了熱擴散層14的厚度改變成80 μm之外，片11係以如範例3-a所示的相同方式獲得。在範例3-c中，除了熱擴散層14的厚度係改變成250 μm之外，片11係以如範例3-a所示的相同方式獲得。在範例3-d中，除了熱擴散層14的厚度係改變成375 μm之外，片11係以如範例3-a所示的相同方式獲得。
比較範例1-a至2-b
在比較範例1-a中，除了沒有膠黏層13與熱擴散層14之外，一片係以如範例1-a所示的相同方式獲得。在比較範例1-b中，除了膠黏層13是在整個聚合物層12的外表面12a整體上形成之外，一片係以如範例1-a所示的相同方式獲得。在比較範例2-a中，除了沒有膠黏層13與熱擴散層14之外，一片係以如範例2-a所示的相同方式獲得。在比較範例2-b中，除了膠黏層13是整個在聚合物層12的外表面12a的整體上形成以外，一片係以如範例2-a所示的相同方式獲得。
然後，在每一範例中，聚合物層12與片係從下列項目之每一者的觀點來測量及評價。其結果顯示在表1至表4。在表2至表4中的欄「比率(%)(相對於外表面)」中的數值係表示膠黏層13占據的面積與附著了膠黏層13之聚合物層12的一外表面12a整體的面積之比率。
處理的容易性
在每一範例中，處理的容易性係基於聚合物層12的黏著性來評價。在表1中的欄「處理的容易性」中，「o」係表示聚合物層12的黏著性係適當低，且聚合物層12係易處理。
導熱係數
在每一範例中，從聚合物層12獲得碟片狀試驗件(直徑：10 mm，厚度：0.3 mm)，之後，根據一雷射閃光測定法來測量試驗件的導熱係數。
熱阻值
如第十圖所示，在每一範例或比較範例中的片製成的試驗件27與金屬製的釋熱體25是依此順序安裝在一形成於基板21上的發熱體22的頂端，且一10 kg(公斤)的重物28是放置在釋熱體25上，致使一6.1x104 Pa的負荷會施加至試驗件27。然後，在發熱體22發熱的狀態中保持10分鐘，之後，在發熱體22側的外表面溫度T1 、與在試驗件27的釋熱體25側的外表面溫度T2 係使用測量機器28a來測量。然後，試驗件27的熱阻值使用下列公式(1)來計算。發熱體22通常是一電子零件，例如一CPU、與發熱量為100 W(瓦)的加熱器在本試驗中是當作發熱體22使用，以簡化並加快片的性能的評估。當片附著至一電子零件時，上述負荷值係表示通常施加於片的負荷大小。
熱阻值(℃/W)=(T1 (℃)-T2 (℃))/發熱量(W)…(1)
靜摩擦係數
如第十一圖所示，在每一範例中，依序將聚合物層製成的試驗件30放置在水平桌29上，之後，將滑動件31與120 g(克)的重物28(柱狀，具28 mm直徑與25 mm高度)放置在此試驗件30上。然後，用於拉動的此帶32的一端係黏至重物28，且帶32的另一端係固定至拉壓力計33(CPU計M-9500，其係由Aikoh Engineering Co., Ltd.製造)。隨後，如在第十一圖中箭頭所示，拉壓力計33係以100 mm/min的速度，以平行於試驗件30的外表面之方向來拉動。接著，當拉動拉壓力計33時，可測量在試驗件與滑動件31之間的靜態摩擦力Fs(N)。
然後，靜摩擦係數係使用下列公式(2)來計算。在此，對每一範例與比較範例的聚合物層12之靜摩擦力Fs的測量與靜摩擦係數的計算係重複五次，且靜摩擦係數的這些值的平均值係視為聚合物層12的靜摩擦係數。此外，使用兩類型的滑動件31：一PET薄膜(Lumirror S10，其係由Toray Industries Inc.製造，厚度：75 μm)與一鋁箔帶(Scotch Brand Tape 433 HD，其係由Sumitomo 3M Limited公司製造)。從鋁箔帶觀點，鋁箔帶係放置在試驗件30上，致使鋁箔帶的鋁箔表面係面對試驗件30。
靜摩擦係數=Fs(N)/Fp(N)…(2)
在上述公式(2)中，Fp表示由滑動件31的重量(質量)所引起的垂直反作用，且Fp值能以0.12 kg(重物28的質 量)x9.8 m/s2 (重力加速度)=0.1176 N。
黏著性
在每一範例與比較範例中的聚合物層12之黏著性係根據JIS Z 0237來測量。具體地，如第十二圖所示，薄膜34係固定至水平桌29的表面，之後，在每一範例及比較範例中的試驗件30係放置在此頂端。然後，試驗件30的一端係固定至拉伸試驗機器的負荷元35。然後，測量當試驗件30以300 mm/min速度沿著與水平桌29垂直的一線來拉動及剝除時之負荷。在此，在每一範例及比較範例中，試驗件的負荷測量係重複五次，且這些測量值的平均值係視為聚合物層12的黏著性。作為薄膜34，係使用兩類型薄膜：一PET薄膜(Lumirror S10，其係由Toray Industries Inc.製造，厚度：75 μm)、與一鋁箔帶(Scotch Brand Tape 433 HD，其係由Sumitomo 3M Limited公司製造)。從鋁的觀點，鋁箔帶係固定至水平桌29，致使鋁箔帶的鋁箔表面係面對試驗件30。在表1中的欄「黏著性(鋁)(N/25 mm)」係表示在使用鋁箔帶的情況中黏著性測量結果，而欄「黏著性(PET)(N/25 mm)」係表示在使用PET薄膜情況中黏著性測量結果。在這些欄中，「-」係表示黏著性太小，無法根據上述方法來測量。
熱擴散性
在每一範例及比較範例中，片製成的試驗件27係放置在具有10 mm邊的一陶瓷加熱器(熱源)的中心，致使聚合物層12係與陶瓷加熱器接觸，之後，試驗件27 的溫度係使用一熱像圖儀來測量。施加於陶瓷加熱器的電壓係設定成10 V(伏特)。結果顯示於表2至表4。在表2至表4中的欄「熱擴散性」中，「o」係表示來自熱源的熱擴散遍及約試驗件27整體，且「x」表示來自熱源的熱是集中在試驗件27的一部分。第十三A圖顯示在範例1-a中的試驗件27的溫度測量結果，而第十三B圖顯示在比較範例1-a中的試驗件27的溫度測量結果。
如表1所示，對於每一範例中的聚合物層12的每一項目均能獲得優良評價結果。因此，在每一範例中的聚合物層12具有優良的導熱性且易處理。如表2至表4所示，對於每一範例中的片11之每一項目均能獲得優良評價結果。因此，未觀察到在膠黏層13的每一範例中的片11之接觸熱阻有明顯增加，且在一石墨片製成的熱擴散層14的基礎上，片11具有優良的熱擴散性。如第十三A圖所示，在範例1-a中，熱擴散在整個片11的整體上，且在中央部分的溫度是81.7℃。此外，在每一範例中的片11在聚合物層12上具有一低黏著性，因此，易於處理。
如表2和表3所示，根據範例1-a和2-a的片11的每一個的熱阻值係低於根據範例1-c和2-c的片11的熱 阻值。換言之，在範例1-c和2-c中的膠黏層13的厚度是60 μm，因此，接觸熱阻值係高於在範例1-a和2-a中的片11。
此外，在範例1-d和2-d的片11的熱阻值之每一者係低於在範例1-f和2-f的片11的熱阻值。分別相較於範例1-f和2-f，於範例1-d和2-d中的膠黏層13所占據的聚合物層12的面積與一外表面12a整體的面積(其中附著膠黏層13)之比率較高。如上述，甚至在膠黏層13占據的面積與聚合物層12的外表面12a整體的面積之比率較大的情況中，膠黏層13係形成於聚合物層12的周邊部分，因此，相較於一膠黏層13是在聚合物層12的中央部分形成的情況，發現片11的接觸熱阻值會減少。
此外，分別相較於範例1-d和2-d，在範例1-e和2-e中的上述面積的比率都比較高，且超過30%。因此，發現片的接觸熱阻值可藉由將上述面積的比率設定成30%或更低而減少。
同時，在比較範例1-a和2-a中，其沒有熱擴散層14，因此，熱擴散性得到了一低評價。在比較範例1-b和2-b中，膠黏層13是在整個聚合物層12的整體上形成，因此，片的接觸熱阻值會變高。此外，如第十三B圖所示，在比較範例1-a中熱不會擴散，且在中央部分的溫度是200℃或更高。
第二具體實施例的範例 範例4-a至4-d
在範例4-a中，如表5所示，除了熱擴散層14係改變成一鋁箔製成的傳導層17(厚度：12 μm)之外，片11 係以如範例3-a所示的相同方式獲得。在範例4-b中，如表5所示，除了鋁箔係改變成一銅箔(厚度：8 μm)之外，片11係以如範例4-a所示的相同方式獲得。在範例4-c中，如表5所示，除了鋁箔改變成一銅箔(厚度：12 μm)之外，片11係以如範例4-a所示的相同方式獲得。在範例4-d中，如表5所示，除了鋁箔改變成一銅箔(厚度：18 μm)之外，片11係以如範例4-a所示的相同方式獲得。
然後，對於每一範例中的片11的熱阻值與下列項目進行測量。結果示於表5。
導電性
在片11中的傳導層17的體積電阻率(Ω·cm)係使用根據JIS K 7194的電阻計(MCP-T500，其係由Dia Instruments Co., Ltd.製造)來測量。
如表5所示，對於每一範例中的片11之每一項目均獲得優良結果。因此，在每一範例中的片11係具有優良的導熱係數與導電性。此外，在每一範例中的片11在聚合物層12上具有一低黏著性，因此，非常易於處理。
第三具體實施例之範例與比較範例 範例5-a至5-c
在範例5-a，如表6所示，除了熱擴散層14改變成由一PET薄膜(厚度：5 μm(微米))製成的電絕緣層18之外，片11係以如範例3-a所示的相同方式獲得。在範例5-b中，如表6所示，除了PET薄膜改變成一聚烯烴薄膜(厚度：12 μm)之外，片11是以如範例3-a所示的相同方式獲得。在範例5-c中，如表6所示，除了PET薄膜改變成一PVC薄膜(厚度：5 μm)之外，片11是以如範例3-a所示的相同方式獲得。
比較範例5-a
在比較範例5-a中，如表6所示，除了膠黏層13(厚度：10 μm)在整個聚合物層12的外表面整體上形成之外，一片係以如範例5-a所示的相同方式獲得。
然後，對在每一範例與比較範例中的片之熱阻值及下列項目進行測量。其結果示於表6中。
介質崩潰電壓
片的介質崩潰電壓(kV)係根據JIS C 2110(IEC 243，其是國際標準)使用一抵電壓試驗機(TOS8650，其是由Kikusui Electronics Corporation製造)來測量。介質崩潰電壓表示當樣本夾在兩電極之間，電流流經一電絕緣樣本後，電壓逐漸增加至此電流明顯增加的點，且樣本的一部分係融化及碳化，或者，建立起一電洞時的電壓。
如表6所示，對於每一範例中的片11之每一項目均獲得優良的結果。因此，在每一範例中的片11具有優良的導熱係數與電絕緣特性。此外，在每一範例中的片11對於聚合物層12具有一低黏著性，因此非常易於處理。同時，在比較範例5-a中，膠黏層13是在整個聚合物層12的整體上形成，因此，熱阻值會變高。
因此，本範例與具體實施例只視為說明而不是限 制，且本發明並未限於在此提供的細節，而是可在後附申請專利範圍之範疇與等效物內修改。
11‧‧‧導熱片
12‧‧‧導熱聚合物層
12a‧‧‧外表面
13‧‧‧膠黏層
14‧‧‧熱擴散層
14a‧‧‧周邊部分
15‧‧‧高分子基材
16‧‧‧導熱填料
17‧‧‧傳導層
19‧‧‧功能層
23‧‧‧電絕緣層
26‧‧‧黏滯層
第一A圖為顯示根據本發明的導熱片之第一具體實施例之平面圖。
第一B圖為係沿著第一A圖的線1B-1B之截面圖。
第一C圖為顯示聚合物層之放大截面圖。
第二圖為顯示製造導熱片的步驟之截面圖。
第三A圖為圖顯示導熱片附著至發熱體之截面圖。
第三B圖為顯示導熱聚合物層與釋熱體之放大截面圖。
第三C圖為顯示導熱聚合物層與熱擴散層之放大截面圖。
第四A圖為顯示根據第二具體實施例的導熱片之截面圖。
第四B圖為沿著第四A圖的線4B-4B之截面圖。
第四C圖為顯示聚合物層之放大截面圖。
第五圖為顯示導熱片附著至發熱體之截面圖。
第六A圖為顯示根據第三具體實施例的導熱片之截面圖。
第六B圖為沿著第六A圖的線6B-6B之截面圖。
第六C圖為顯示聚合物層之放大截面圖。
第七A圖為顯示根據第四具體實施例的導熱片之平面圖。
第七B圖為沿著第七A圖的線7B-7B之截面圖。
第八A圖為顯示導熱片的另一實施例之平面圖。
第八B圖為沿著第八A圖的線8B-8B之截面圖。
第九A圖至第九J圖為顯示根據本發明之範例的膠黏層及其他範例之平面圖。
第十圖為說明用於測量聚合物層的熱阻值的方法之示意圖。
第十一圖為說明用於測量聚合物層的靜摩擦係數的方法之示意圖。
第十二圖為說明用於測量聚合物層的黏著性的方法之示意圖。
第十三A圖為顯示根據範例1-a的試件溫度分佈之照片。
第十三B圖為顯示根據比較範例1-a的試件溫度分佈之照片。
11‧‧‧導熱片
12‧‧‧導熱聚合物層
13‧‧‧膠黏層
14‧‧‧熱擴散層

Claims (16)

  1. 一種導熱片，其特徵為：一導熱聚合物層，係由一導熱聚合物組合物形成，前述導熱聚合物組合物包含一高分子基材與一纖維狀的導熱填料，其中該纖維狀的導熱填料係在該導熱聚合物層的厚度方向中取向，且該導熱填料的終端部分係突出並暴露於該導熱聚合物層的外表面；一膠黏層，其係提供在該導熱聚合物層之一外表面上；及一功能層，其係提供在該膠黏層上，其中該導熱聚合物層的靜摩擦係數是0.3或更低；及其中該膠黏層與該導熱聚合物層之每一者具有一外形，且該膠黏層的外形係小於該導熱聚合物層的外形。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之導熱片，其特徵在於該導熱聚合物層之厚度是0.03 mm至0.5 mm。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之導熱片，其特徵在於該膠黏層之厚度是50μm或更少。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之導熱片，其特徵在於該膠黏層占據的面積與提供該膠黏層之該導熱聚合物層的外表面整體面積之比率是30%或更少。
  5. 如申請專利範圍第1至4項中任何一項所述之導熱片，其特徵在於該膠黏層係以在該導熱聚合物層的一外表面的整體上的許多多點狀塊加以提供。
  6. 如申請專利範圍第1至4項中任何一項所述之導熱片，其特徵在於該膠黏層是提供在整個該導熱聚合物層的周邊部分的整體上。
  7. 如申請專利範圍第1至4項中任何一項所述之導熱片，其特徵在於該功能層是由一熱擴散層、一導電層及一電絕緣層中之至少其中之一形成。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之導熱片，其特徵在於該功能層係由一熱擴散層形成，且其係由一石墨片形成。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之導熱片，其特徵在於該熱擴散層之厚度是10μm至150μm。
  10. 如申請專利範圍第7項所述之導熱片，其特徵在於該功能層係由一導電層形成，且該導電層之厚度是20μm或更少。
  11. 如申請專利範圍第10項所述之導熱片，其特徵在於該導電層之厚度是2μm至14μm。
  12. 如申請專利範圍第7項所述之導熱片，其特徵在於該功能層係由一電絕緣層形成，且該電絕緣層之厚度是12μm或更少。
  13. 如申請專利範圍第12項所述之導熱片，其特徵在於該電絕緣層之厚度是2μm至12μm。
  14. 如申請專利範圍第7項所述之導熱片，其中該功能層係由一熱擴散層及一提供在該熱擴散層上之導電層所形成。
  15. 如申請專利範圍第1至4項中任何一項所述之導熱片，其特徵在於一黏滯層是提供在該功能層之一外表面上。
  16. 一種用於製造一導熱片之方法，該方法的特徵為：形成由一導熱聚合物組合物構成的一導熱聚合物層，其中前述導熱聚合物組合物含有一高分子基材 與一纖維狀的導熱填料，其中該導熱聚合物層的外表面的靜摩擦係數是0.3或更低，且該導熱聚合物層包括一外形，其中該纖維狀的導熱填料係在該導熱聚合物層的厚度方向中取向，且該導熱填料的終端部分係突出並暴露於該導熱聚合物層的外表面；提供一膠黏層在該導熱聚合物層的該外表面上，其中該膠黏層的一外形係小於該導熱聚合物層的外形；及提供一功能層在該膠黏層上。
TW097110334A 2007-03-29 2008-03-24 導熱片及其製造方法 TWI384937B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007089859A JP5140302B2 (ja) 2007-03-29 2007-03-29 熱伝導性シート

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW200913864A TW200913864A (en) 2009-03-16
TWI384937B true TWI384937B (zh) 2013-02-01

Family

ID=39540773

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW097110334A TWI384937B (zh) 2007-03-29 2008-03-24 導熱片及其製造方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US8691368B2 (zh)
EP (1) EP1976005B1 (zh)
JP (1) JP5140302B2 (zh)
KR (1) KR100990693B1 (zh)
CN (1) CN101309576B (zh)
TW (1) TWI384937B (zh)

Families Citing this family (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20100031501A1 (en) * 2008-08-08 2010-02-11 Napra Co., Ltd. Method for filling through hole or non-through hole formed on board with filler
JP5239768B2 (ja) * 2008-11-14 2013-07-17 富士通株式会社 放熱材料並びに電子機器及びその製造方法
CN101989583B (zh) * 2009-08-05 2013-04-24 清华大学 散热结构及使用该散热结构的散热系统
KR101130087B1 (ko) * 2010-01-18 2012-03-28 수퍼나노텍(주) 열전도패드 및 그 제조방법
JP5088396B2 (ja) * 2010-05-20 2012-12-05 株式会社村田製作所 Ｅｓｄ保護デバイス及びその製造方法
JP2012023335A (ja) * 2010-06-17 2012-02-02 Sony Chemical & Information Device Corp 熱伝導性シート及びその製造方法
TWI610407B (zh) * 2010-06-17 2018-01-01 Dexerials Corp 導熱片及其製造方法
JP2012046723A (ja) * 2010-07-30 2012-03-08 Nitto Denko Corp アプリケーションテープ
DE112011103795B4 (de) * 2010-11-17 2018-03-22 Lg Hausys, Ltd. Wärmeabführungsfilm sowie Batterieanordnung, Batteriemodul und Außengehäuse mit Wärmeabführungs- und Wärmeabstrahlungsfunktionen
JP5788760B2 (ja) * 2011-10-19 2015-10-07 日東電工株式会社 熱伝導性シート、ｌｅｄ実装用基板およびｌｅｄモジュール
JP2013115083A (ja) * 2011-11-25 2013-06-10 Fujitsu Semiconductor Ltd 半導体装置及びその製造方法
CN102651961B (zh) * 2012-05-29 2016-02-03 安顿雷纳(上海)纤维材料科技有限公司 一种导热散热界面材料及其制造方法
TWI464250B (zh) * 2012-12-22 2014-12-11 Ind Tech Res Inst 具熱擴散片之電子裝置
KR101473708B1 (ko) * 2013-02-21 2014-12-19 엠케이전자 주식회사 두께 방향으로 우수한 열전도 특성을 갖는 방열판의 제조방법과 이 방법에 의해 제조된 방열판
JP6186933B2 (ja) * 2013-06-21 2017-08-30 富士通株式会社 接合シート及びその製造方法、並びに放熱機構及びその製造方法
US9353245B2 (en) 2014-08-18 2016-05-31 3M Innovative Properties Company Thermally conductive clay
KR20160070243A (ko) * 2014-12-09 2016-06-20 (주)엘지하우시스 방열시트
ES2914973T3 (es) 2015-03-05 2022-06-20 Henkel Ag & Co Kgaa Adhesivo termoconductor
CN106158666A (zh) * 2015-04-02 2016-11-23 明安国际企业股份有限公司 高导热组件的制作方法
TW201704008A (zh) * 2015-05-29 2017-02-01 漢高智慧財產控股公司 用於熱管理之系統及其使用方法
CN107851623B (zh) * 2015-06-25 2021-04-16 积水保力马科技株式会社 导热片
JP6501075B2 (ja) 2016-02-24 2019-04-17 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 樹脂構造体とその構造体を用いた電子部品及び電子機器
CN106584965B (zh) * 2016-12-23 2018-08-31 北京航空航天大学 一种高导热碳纤维复合材料及其制备方法和应用
US10834854B2 (en) 2017-02-28 2020-11-10 Northeastern University Methods for the manufacture of thermal interfaces, thermal interfaces, and articles comprising the same
ES2956260T3 (es) 2018-06-22 2023-12-18 Sekisui Polymatech Co Ltd Lámina térmicamente conductora
CN112715059B (zh) * 2018-09-26 2024-09-06 积水保力马科技株式会社 导热片
JP6862601B1 (ja) * 2019-12-27 2021-04-21 デクセリアルズ株式会社 熱伝導性シート及びその製造方法、熱伝導性シートの実装方法
JP6817408B1 (ja) * 2019-12-27 2021-01-20 デクセリアルズ株式会社 熱伝導性シート及びその製造方法、熱伝導性シートの実装方法
KR20220030259A (ko) * 2020-05-15 2022-03-10 데쿠세리아루즈 가부시키가이샤 열전도성 시트 및 열전도성 시트의 제조 방법
CN114007370A (zh) * 2020-07-27 2022-02-01 杜邦电子公司 用于电子设备的散热器

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0453764A1 (en) * 1990-04-27 1991-10-30 International Business Machines Corporation Thermal joint
TW345667B (en) * 1996-09-09 1998-11-21 Tokiin Corp High thermal conductivity composite magnetic substance
TW200508283A (en) * 2003-08-01 2005-03-01 Byeong-Yeon Choi Heat discharging system using silicone rubber
KR20050019232A (ko) * 2003-08-18 2005-03-03 자화전자 주식회사 방열시트 및 그 제조방법
TW200520674A (en) * 2003-11-12 2005-06-16 Polymatech Co Ltd Thermally conductive body and method of manufacturing the same
KR100650092B1 (ko) * 1999-11-16 2006-11-27 제이에스알 가부시끼가이샤 열전도성 시이트 제조용 경화성 조성물, 열전도성 시이트, 이들의 제조 및 방열 구조물
KR20070003626A (ko) * 2005-06-30 2007-01-05 폴리마테크 컴퍼니 리미티드 방열 부재 및 이의 제조 방법

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001110965A (ja) * 1999-10-07 2001-04-20 Fujikura Ltd 高熱伝導性粘着シート
US6311769B1 (en) * 1999-11-08 2001-11-06 Space Systems/Loral, Inc. Thermal interface materials using thermally conductive fiber and polymer matrix materials
US20030207128A1 (en) * 2000-04-10 2003-11-06 Tomoaki Uchiya Thermally conductive sheet
JP2001294676A (ja) * 2000-04-13 2001-10-23 Jsr Corp 熱伝導性シート、熱伝導性シートの製造方法および熱伝導性シートを用いた放熱構造
JP4459470B2 (ja) * 2001-04-06 2010-04-28 信越化学工業株式会社 電子部品の放熱構造体及びそれに用いる放熱シート
JP2003168882A (ja) 2001-11-30 2003-06-13 Sony Corp 熱伝導性シート
JP4268778B2 (ja) * 2001-12-27 2009-05-27 ポリマテック株式会社 発熱電子部品の冷却方法及びそれに用いる熱伝導性シート
JP4068983B2 (ja) 2003-02-13 2008-03-26 株式会社タイカ 熱伝導性シート
JP2005057088A (ja) 2003-08-05 2005-03-03 Agilent Technol Inc 多層構造の熱伝導部材、および、それを用いた電子機器
JP2005060594A (ja) * 2003-08-18 2005-03-10 Polymatech Co Ltd 粘着層付熱伝導性シート
JP4225945B2 (ja) * 2004-05-17 2009-02-18 富士高分子工業株式会社 熱伝導性シート

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0453764A1 (en) * 1990-04-27 1991-10-30 International Business Machines Corporation Thermal joint
TW345667B (en) * 1996-09-09 1998-11-21 Tokiin Corp High thermal conductivity composite magnetic substance
KR100650092B1 (ko) * 1999-11-16 2006-11-27 제이에스알 가부시끼가이샤 열전도성 시이트 제조용 경화성 조성물, 열전도성 시이트, 이들의 제조 및 방열 구조물
TW200508283A (en) * 2003-08-01 2005-03-01 Byeong-Yeon Choi Heat discharging system using silicone rubber
KR20050019232A (ko) * 2003-08-18 2005-03-03 자화전자 주식회사 방열시트 및 그 제조방법
TW200520674A (en) * 2003-11-12 2005-06-16 Polymatech Co Ltd Thermally conductive body and method of manufacturing the same
KR20070003626A (ko) * 2005-06-30 2007-01-05 폴리마테크 컴퍼니 리미티드 방열 부재 및 이의 제조 방법

Also Published As

Publication number Publication date
US8691368B2 (en) 2014-04-08
EP1976005A2 (en) 2008-10-01
TW200913864A (en) 2009-03-16
US20080241488A1 (en) 2008-10-02
CN101309576B (zh) 2013-04-03
JP2008251747A (ja) 2008-10-16
JP5140302B2 (ja) 2013-02-06
EP1976005B1 (en) 2011-06-15
CN101309576A (zh) 2008-11-19
KR20080088531A (ko) 2008-10-02
EP1976005A3 (en) 2009-10-28
KR100990693B1 (ko) 2010-10-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI384937B (zh) 導熱片及其製造方法
CN106796926B (zh) 导热片、导热片的制造方法、放热部件和半导体装置
JP6064898B2 (ja) 絶縁熱伝導シートの製造方法
JP6519085B2 (ja) 熱伝導性接着シート、その製造方法及びそれを用いた電子デバイス
JP5183947B2 (ja) 熱伝導性シート積層体
CN110198820B (zh) 三维成型的导热模制体及其制造方法
WO2014203955A1 (ja) 絶縁熱伝導シート
WO2018078436A1 (ja) 三次元形状熱伝導性成形体、及びその製造方法
JP2017092345A (ja) 熱伝導シート、及びその製造方法、並びに半導体装置
ES2956260T3 (es) Lámina térmicamente conductora
KR102075360B1 (ko) 열확산 시트 및 그 제조방법
KR102068493B1 (ko) 열확산 시트 및 그 제조방법
KR20190016417A (ko) 열전도 시트 및 그 제조방법
KR102068492B1 (ko) 열확산 시트 및 그 제조방법
JP2000191812A (ja) 熱伝導性シ―ト
US12115737B2 (en) Thermally conductive articles including entangled or aligned fibers, methods of making same, and battery modules
JP2023138590A (ja) ヒートシンク