TWI384745B - 用於交替驅動一半或全橋的閘極驅動器裝置 - Google Patents

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Description

用於交替驅動一半或全橋的閘極驅動器裝置
以下說明實施例係大致有關驅動金屬氧化半導體閘極功率裝置之積體電路閘極驅動器，且特別有關可避免同時開啟高側及低側隔離閘二極電晶體(IGBT)之驅動器裝置。
具有如金屬氧化半導體場效電晶體(MOSFETs)，隔離閘二極電晶體及金屬氧化半導體控制閘流晶體管(MCTs)之功率切換裝置係被用於許多可在高切換頻率時呈現其優越效能之電子切換應用，如開啟(ON)/關閉(OFF)負載控制，切換放大器，馬達驅動器，切換模式電源供應器(SMPSs)及循環變換器。該裝置係藉由充電閘極電容至有些適當，相當低電壓值來開啟，且藉由放電該閘極電容來關閉。有關功率切換裝置何時被開啟及關閉之資訊係被傳遞至閘極驅動器電路，其被設計對該功率切換裝置之閘極電容快速充電及放電作為開啟及關閉該裝置之方法。
然而，如馬達控制器之使用高側及低側金屬氧化半導體閘極裝置之電路中，因為會產生已知“射穿”情況之直接短路，所以兩金屬氧化半導體閘極裝置不能同時被開啟。普遍應用係涉及使用被串聯堆疊於兩電源供應器軌間之兩金屬氧化半導體功率電晶體當作切換調節器輸出階，傳統上被稱為“半橋”配置。“射穿”情況中，當功率切換裝置被同時開啟時，低電阻路徑係被創造於兩功率軌之間，而大電流將流經兩功率切換裝置。射穿會浪費電源，產生電源供應器電壓變動，及/或產生過熱而損害功率切換裝置。
本發明各實施例現在將被說明。以下說明提供透徹了解及授與權利這些實施例之特定細節。然而，熟練技術人士將了解本發明可不需這些細節即可被實施。另外，某些已知結構或功能可能不會被詳細顯示或說明以避免不必要模糊各實施例相關說明。
即使以下說明所使用之名詞被結合本發明特定實施例詳細說明來使用，其均被預期以最廣泛合理方式來解釋。特定項甚至於下文被強調；然而，被預期以任何受限方式解釋之任何名詞將被明顯地及明確地定義於此詳細說明段落中。
隔離閘驅動器電路實施例係被揭示用於驅動橋式功率變換器拓撲(半及全橋)之高及低側切換裝置。該電路典型應用係包含藉由高壓直流軌供電之冷陰極螢光燈(CCFL)反向器。
因為金屬氧化半導體場效電晶體之閘極及源極為浮動，所以高側切換裝置驅動係為一項挑戰。驅動金屬氧化半導體場效電晶體之一方法係使用高電壓驅動器積體電路；然而，此方法很昂貴。所揭示包含隔離變壓器及n－及p－通道電晶體之閘極驅動電路之實施例，係較節省成本及提供充足空載時間且可操作於廣泛工作循環。
第1圖描繪隔離閘驅動電路之一實施例。此實施例之電路係包含一隔離變壓器，n－及p－通道電晶體及一切換功率裝置(金屬氧化半導體場效電晶體)。此實施例中，脈寬調變(PWM)控制輸入信號係經由隔離變壓器來轉移。在此，電容器Cs係被用來避免變壓器飽和。Tr1係為上拉n通道二極接面電晶體(BJT)，且可提供流經切換裝置之高閘極電流。
閘極電晶體Rg通常被放置於金屬氧化半導體場效電晶體閘極正前方。然而，閘極電晶體被移開且被放置與Tr1串聯。此配置中，金屬氧化半導體場效電晶體閘極放電阻抗會較低。Tr2係為下拉p通道二極接面電晶體，且藉由提供閘極放電路徑被用來達成切換裝置之快速關閉時間。閘極電晶體可決定金屬氧化半導體場效電晶體開啟速度。Tr1及/或Tr2可被金屬氧化半導體場效電晶體取代。驅動Tr1或Tr2之電壓非常低，使得變壓器磁性大小因所需變壓器次極電壓較低而較小。未了開啟金屬氧化半導體場效電晶體(Q)，Tr1被開啟而Tr2被關閉。另一方面，當Tr2被開啟而Tr1被關閉時，Q被關閉。二極體D3係提供低阻抗路徑來開啟Tr2而關閉Tr1。關閉時間期間係藉由電阻器R2與二極體D3串聯來決定。
第2圖顯示第1圖所示當作工作循環函數之隔離變壓器次級線圈電壓。第2圖中之區域A必須與區域B相同。針對接近50%之工作循環，次級電壓係為對稱，因此Tr1及Tr2之驅動電壓足夠高。但與非常低或高工作循環連結之次級電壓，例如低於20%或高於80%之工作循環並不足以開啟Tr1或Tr2。
因此，直流置換係為添加附加組件C1，C2，D1及D2所需。變壓器中央抽頭係被連接至二極體D1及D2。電容器C1係於關閉期間充電並協助開啟Tr1，而電容器C2係於開啟期間充電並協助開啟Tr2。結果，工作循環廣範圍上，正峰值電壓Vae(跨越點“a”及“e”之電壓)係類似負峰值電壓Vae。
第4至7圖顯示類似第1圖閘極驅動電路之閘極驅動電路替代實施例。第1，及第4至7圖所示閘極驅動電路可被使用兩隔離變壓器次級線圈之半及全橋拓撲。
第8圖顯示半橋拓撲隔離閘驅動器(如被串聯堆疊於兩電源供應器軌之間當作切換調節器輸出階之兩功率電晶體)之實施例。除了第1圖之單閘極驅動電路之外，此實施例之隔離變壓器係具有含中央接頭之一單初級及兩次級線圈。此實施例中，自意(bootstrap)電路係被添加給上切換裝置Q1，而該半橋係具有兩串聯金屬氧化半導體場效電晶體。
兩功率切換裝置係以互補或同步模式操作，使單脈寬調變控制信號可被用於操作兩切換裝置。當Q1被開啟時，正I負載電流係從Cdc經由Q1流至負載。當Q2被開啟時，負I負載電流係從負載流經Q2。自舉電路包含電容器Cboot及二極體Dboot。無論Q2何時被開啟，電容器Cboot均被充電且於Q1開啟狀態期間被放電。藉由添加二極體Dboot，Q1不需附加電源供應器。第8A圖之電路係較佳具有互補信號，而第8B圖之電路係較佳具有同步信號。除了第8A及第8B圖所示之具有2次級線圈之整合變壓器之外，上部及下部金屬氧化半導體場效電晶體之兩獨立隔離變壓器亦可被使用。
第9圖顯示具有互補脈寬調變模式之Q1及Q2閘極信號瞬變波型。有了橋式配置，空載時間係對“射穿”或流經腳之跨導電流很重要。因此，關閉時間必須很短而需要開啟延遲。空載時間(Tdead)係被調整低電阻R2及相對高電阻R1。
第10圖顯示上部及下部金屬氧化半導體場效電晶體之同步閘極信號。兩功率開關係為互補或同步，使單隔離變壓器可被用於半及全橋拓撲。Vdf係為跨越變壓器次級線圈之電壓。
第11圖顯示全橋拓撲之具單隔離變壓器之全橋閘極驅動電路。自舉電路係以相同於第8圖電路之方式被添加。G1至G4中之閘極驅動電路被揭示如上且被顯示於第1及4至7圖之任何驅動電路。例如，第4圖所描繪之電路可被用於G1及G3，而第5圖所描繪之電路可被用於G2及G4。所揭示電路係提供充足空載時間，操作於廣泛工作循環上，且需單電源供應器(Vcc)。
第12圖顯示變壓器次級線圈電壓。負峰值電壓不足以低工作循環開啟p通道金屬氧化半導體場效電晶體。
第13圖顯示具互補閘極信號之電晶體驅動電壓。如第13圖，即使於低工作循環，負峰值電壓仍足以開啟p通道二極接面電晶體及關閉n通道二極接面電晶體。
第14圖顯示第4圖所示具有互補閘極信號之切換金屬氧化半導體場效電晶體隔離閘電壓。
第15圖描繪具同步閘極信號之金屬氧化半導體場效電晶體閘極電壓。
應注意二極接面電晶體可被場效電晶體取代，而電阻器，電容器及二極體可分別被其他電阻性，電容性及單方向性電流元件。
結論
除非上下文明白地需要，否則貫穿全文之“包含”，“包括”及類似文字將被以排除或耗盡涵義相對之包含涵義；也就是說，以“包含，但不限於”涵義來建構。如在此被使用者，“被連接”，“被耦合”或任何其變異名詞，意指兩個或更多元件之間直接或間接之任何連接或耦合；元件間之連接耦合可為實體，邏輯或其組合。
另外，當被用於本申請案時，“在此”，“以上”，“以下”及類似意思文字整體說來應涉及本申請案而不涉及本申請案任何特定部分。上下文允許處，使用單或負數之以上詳細說明中之文字亦可分別包含複數或單數。參考一列或兩個或更多術語，文字“或”係涵蓋所有下列文字解釋：該列中任何術語，該列中所有術語，及該列中任何術語組合。
以上本發明實施例詳細說明並不被預期耗盡或限制本發明為以上揭示之精確型式。雖然本發明特定實施例及案例為了例證而被說明如上，但熟練相關技術人士將明瞭本發明範圍內之各種相等修改均為可行。
在此被提供之本發明傳授可被施加於其他系統，而不必上述系統。各種上述實施例之元件及動作可被組合來提供進一步實施例。
鑒於以上詳細說明而可改變本發明。雖然以上說明敘述本發明特定實施例及設想之最佳模式，但無論以上正文呈現的有多詳細，本發明均可以許多方式來實施。上述補償系統細節可改變頗多其實施細節，而仍可被在此揭示之本發明包含。
如上述，說明本發明特定特性或特徵時，所使用特定名詞不應被採用來隱喻在此被再定義之該名詞被限制為與該名詞相關之本發明任何特定特性，特色或特徵。通常，除非以上詳細說明段落明確地定義該術語，否則被用於以下申請專利範圍中之術語不應被建構來限制本發明為說明書中所揭示之特定實施例。於是，本發明實際範圍不僅包含所揭示實施例，而亦包含實施或執行申請專利範圍下之本發明所有同等方法。
雖然本發明特定特徵被以特定申請專利範圍型式呈現如下，但發明人可以任何數量申請專利範圍型式來設想本發明各項特徵。於是，發明人可保留滿足申請案之後添加附加申請專利範圍來追求本發明其他特徵之該附加申請專利範圍型式權利。
C1、C2、Cboot、Cs．．．電容器
D1~3、Dboot．．．二極體
MOSFET．．．金屬氧化半導體場效電晶體
PWM．．．脈寬調變
Q．．．金屬氧化半導體場效電晶體
R1、R2．．．電阻
Rg．．．閘極電晶體
Tdead．．．空載時間
Tr1．．．上拉n通道二極接面電晶體
Tr2．．．下拉p通道二極接面電晶體
Vcc．．．電源供應器
Vdf．．．跨越變壓器次級線圈之電壓
第1圖描繪依據本發明之隔離閘驅動電路。
第2圖顯示第1圖所示當作工作循環函數之隔離變壓器次級線圈電壓。
第3圖顯示第1圖之閘極驅動電路之操作波型細節。
第4至7圖顯示類似第1圖電路之閘極驅動電路。
第8圖顯示半橋拓撲隔離閘驅動器。
第9圖顯示閘極信號瞬變波型。
第10圖顯示兩金屬氧化半導體場效電晶體之同步閘極驅動器。
第11圖顯示全橋拓撲之具單隔離變壓器之全橋閘極驅動電路。
第12圖顯示變壓器次級線圈電壓。
第13圖顯示具互補閘極信號之金屬氧化半導體場效電晶體驅動電壓。
第14圖顯示切換金屬氧化半導體場效電晶體隔離閘電壓。
第15圖描繪具同步閘極信號之金屬氧化半導體場效電晶體閘極電壓。
C1、C2、Cs．．．電容器
D1~3．．．二極體
MOSFET．．．金屬氧化半導體場效電晶體
PWM．．．脈寬調變
Q．．．金屬氧化半導體場效電晶體
R1、R2．．．電阻
Rg．．．閘極電晶體
Tr1．．．上拉n通道二極接面電晶體
Tr2．．．下拉p通道二極接面電晶體
Vcc．．．電源供應器

Claims (10)

  1. 一種閘極驅動器裝置，用於對一功率切換裝置的一電容性閘極控制輸入進行充電及放電，該功率切換裝置是用於以一廣範圍工作循環操作之半及全橋電路配置，該裝置包含：一變壓器，包含一初級線圈及一次級線圈；一直流偏置產生電路，連接至該變壓器之該次級線圈，其中該直流偏置產生電路可使一切換電晶體快速開啟及關閉；一上拉下拉電路，使用低驅動電壓連接至該直流偏置產生電路；一回授電路，將該上拉下拉電路的一回授埠連接至該直流偏置產生電路之一回授埠，其中該回授電路係加速關閉該第一電晶體及開啟該第二電晶體；及一配置，其中該上拉下拉電路可控制該功率切換裝置之該閘極；該直流偏置產生電路包含：一第一電荷儲存元件，從該儲存元件的一第一側連接至該次級線圈的一第一端；一第一單方向性電流元件，連接於該次級線圈之一中央抽頭及該第一電荷儲存元件第二側之間，其中電流係從該中央抽頭經由該第一單方向性電流元件流向該第一電荷儲存元件；一第二電荷儲存元件，從該儲存元件的一第一側連接 至該次級線圈的一第二端；及一第二單方向性電流元件，連接於該次級線圈之該中央抽頭及該第二電荷儲存元件第二側之間，其中電流係從該中央抽頭經由該第二單方向性電流元件流向該第二電荷儲存元件；該上拉下拉電路包含：一第一及一第二互補電晶體，自一第一側串聯一起，其中：該第一電晶體係從該電晶體的一第二側連接至一第一電阻元件的一第一端；該第一電阻元件之一第二端係連接至一電源供應器電壓；該第二電晶體係從該電晶體的一第二側而接地；一第三電荷儲存元件係連接於該第一電阻元件第二側及該第二電晶體第二側之間；該回授電路包含：一第二電阻元件及一第三單方向性電流元件，從該第一及該第二電晶體之閘極串聯連接至該次級線圈第一端，其中電流係流向該次級線圈第一端；及一配置，其中：該功率切換裝置之閘極係連接至該第一及該第二電晶體之該連接點及連接至該第二電荷儲存元件第二側；及一第三電阻元件，從該電阻元件的一第一側連接至該 第一電荷儲存元件之第二側，及從該電阻元件的一第二側連接至該第一及該第二電晶體之閘極。
  2. 一種閘極驅動器裝置，用於對一功率切換裝置的一電容性閘極控制輸入進行充電及放電，該功率切換裝置是用於以一廣範圍工作循環操作之半及全橋電路配置，該裝置包含：一變壓器，包含一初級線圈及一次級線圈；一直流偏置產生電路，連接至該變壓器之該次級線圈，其中該直流偏置產生電路可使一切換電晶體快速開啟及關閉；一上拉下拉電路，使用低驅動電壓連接至該直流偏置產生電路；一回授電路，將該上拉下拉電路的一回授埠連接至該直流偏置產生電路之一回授埠，其中該回授電路係加速關閉該第一電晶體及開啟該第二電晶體；及一配置，其中該上拉下拉電路可控制該功率切換裝置之該閘極；該直流偏置產生電路包含：一第一電荷儲存元件，從該儲存元件的一第一側連接至該次級線圈的一第二端；及一第一單方向性電流元件，連接於該次級線圈之一中央抽頭及該第一電荷儲存元件第二側之間，其中電流係從該中央抽頭經由該第一單方向性電流元件流向該第一電荷儲存元件； 該上拉下拉電路包含：一第一及一第二互補電晶體，自一第一側而串聯一起，其中：該第一電晶體係從該電晶體的一第二側被連接至一第一電阻元件的一第一端；該第一電阻元件之一第二端係連接至一電源供應器電壓；該第二電晶體係從該電晶體的一第二側而接地；及一第三電荷儲存元件係連接於該第一電阻元件第二側及該第二電晶體第二側；該回授電路包含：一第二電阻元件及一第三單方向性電流元件，從該第一及該第二電晶體之閘極串聯連接至該次級線圈第一端，其中電流係流向該次級線圈第一端；及一配置，其中：該功率切換裝置之該閘極係連接至該第一及該第二電晶體之該連接點及至該第一電荷儲存元件第二側；及一第三電阻元件，從該電阻元件的一第一側連接至該次級線圈的一第一端，及從該電阻元件的一第二側連接至該第一及該第二電晶體之該閘極。
  3. 一種閘極驅動器裝置，用於對一功率切換裝置的一電容性閘極控制輸入進行充電及放電，該功率切換裝置是用於以一廣範圍工作循環操作之半及全橋電路配置，該裝置包含： 一變壓器，包含一初級線圈及一次級線圈；一直流偏置產生電路，連接至該變壓器之該次級線圈，其中該直流偏置產生電路可使一切換電晶體快速開啟及關閉；一上拉下拉電路，使用低驅動電壓連接至該直流偏置產生電路；一回授電路，將該上拉下拉電路的一回授埠連接至該直流偏置產生電路之一回授埠，其中該回授電路係加速關閉該第一電晶體及開啟該第二電晶體；及一配置，其中該上拉下拉電路可控制該功率切換裝置之該閘極；該直流偏置產生電路包含：一第一電荷儲存元件，從該儲存元件的一第一側連接至該次級線圈的一第一端；及一第一單方向性電流元件，連接於該次級線圈的一第二端及該第一電荷儲存元件第二側之間，其中電流係從該次級線圈的一第二端經由該第一單方向性電流元件流至該第一電荷儲存元件；該上拉下拉電路包含：一第一及一第二互補電晶體，自一第一側而串聯一起，其中：該第一電晶體係從該電晶體的一第二側連接至一第一電阻元件的一第一端；該第一電阻元件之一第二端係連接至一電源供應 器電壓；該第二電晶體係從該電晶體的一第二側被接地；及一第三電荷儲存元件係連接於該第一電阻元件第二側及該第二電晶體第二側之間；該回授電路包含：一第二電阻元件及一第三單方向性電流元件，從該第一及該第二電晶體之閘極而串聯至該次級線圈第一端，其中電流係流向該次級線圈第一端；及一配置，其中：該功率切換裝置之該閘極係連接至該第一及該第二電晶體之該連接點及至該次級線圈第二端；及一第三電阻元件，從該電阻元件的一第一側連接至該第一電荷儲存元件之第二側，及從該電阻元件的一第二側連接至該第一及該第二電晶體之閘極。
  4. 一種閘極驅動器裝置，用於對一功率切換裝置的一電容性閘極控制輸入進行充電及放電，該功率切換裝置是用於以一廣範圍工作循環操作之半及全橋電路配置，該裝置包含：一變壓器，包含一初級線圈及一次級線圈；一直流偏置產生電路，連接至該變壓器之該次級線圈，其中該直流偏置產生電路可使一切換電晶體快速開啟及關閉；一上拉下拉電路，使用低驅動電壓連接至該直流偏置產生電路； 一回授電路，將該上拉下拉電路的一回授埠連接至該直流偏置產生電路之一回授埠，其中該回授電路係加速關閉該第一電晶體及開啟該第二電晶體；及一配置，其中該上拉下拉電路可控制該功率切換裝置之該閘極；該直流偏置產生電路包含：一第一電荷儲存元件，從該儲存元件的一第一側連接至該次級線圈的一第一端；及一第二電荷儲存元件，從該儲存元件的一第一側連接至該次級線圈的一第二端；及一第二單方向性電流元件，連接於該次級線圈之中央抽頭及該第二電荷儲存元件第二側之間，其中電流係從該中央抽頭經由該第二單方向性電流元件而流向該第二電荷儲存元件；該上拉下拉電路包含：一第一及一第二互補電晶體，自一第一側而一起串聯連接，其中：該第一電晶體係從該電晶體的一第二側連接至一第一電阻元件的一第一端；該第一電阻元件之一第二端係連接至一電源供應器電壓；該第二電晶體係從該電晶體的一第二側被接地；一第三電荷儲存元件係連接於該第一電阻元件第二側及該第二電晶體第二側之間； 該回授電路包含：一第二電阻元件及一第三單方向性電流元件，從該第一及該第二電晶體之閘極而串聯至該次級線圈第一端，其中電流係流向該次級線圈第一端；及一配置，其中：該功率切換裝置之閘極係連接至該第一及該第二電晶體之該連接點及連接至該第二電荷儲存元件第二側；及一第三電阻元件，從該電阻元件的一第一側連接至該第一電荷儲存元件之第二側，及從該電阻元件的一第二側連接至該第一及該第二電晶體之閘極。
  5. 一種閘極驅動器裝置，用於對一功率切換裝置的一電容性閘極控制輸入進行充電及放電，該功率切換裝置是用於以一廣範圍工作循環操作之半及全橋電路配置，該裝置包含：一變壓器，包含一初級線圈及一次級線圈；一直流偏置產生電路，連接至該變壓器之該次級線圈，其中該直流偏置產生電路可使一切換電晶體快速開啟及關閉；一上拉下拉電路，使用低驅動電壓連接至該直流偏置產生電路；一回授電路，將該上拉下拉電路的一回授埠連接至該直流偏置產生電路之一回授埠，其中該回授電路係加速關閉該第一電晶體及開啟該第二電晶體；及 一配置，其中該上拉下拉電路可控制該功率切換裝置之該閘極；該直流偏置產生電路包含：一第一電荷儲存元件，從該儲存元件的一第一側連接至該次級線圈的一第一端；該上拉下拉電路包含：一第一及一第二互補電晶體，自一第一側而一起串聯連接，其中：該第一電晶體係從該電晶體的一第二側連接至一第一電阻元件的一第一端；該第一電阻元件之一第二端係連接至一電源供應器電壓；該第二電晶體係從該電晶體的一第二側被接地；一第三電荷儲存元件係連接於該第一電阻元件第二側及該第二電晶體第二側；該回授電路包含：一第二電阻元件及一第三單方向性電流元件，從該第一及該第二電晶體之閘極串聯至該次級線圈第一端，其中電流係流向該次級線圈第一端；及一配置，其中：該功率切換裝置之閘極係連接至該第一及該第二電晶體之該連接點及連接至該次級線圈的一第二端；及一第三電阻元件，從該電阻元件的一第一側連接至該第一電荷儲存元件之第二側，及從該電阻元件的一第二 側連接至該第一及該第二電晶體之閘極。
  6. 如申請專利範圍第1項之閘極驅動器裝置，其中：該變壓器之該次級線圈具有一中央抽頭；該第一電晶體為一n通道二極接面電晶體，而該第二電晶體為一p通道二極接面電晶體，而該第一電晶體之射極係連接至該第二電晶體之射極；至少一該電荷儲存元件為一電容器；至少一該電阻元件為一電阻器；至少一該單方向性電流元件為二極體；該變壓器為一隔離變壓器，及至該變壓器初級線圈之信號為脈寬調變互補、同步或兩者。
  7. 如申請專利範圍第2項之閘極驅動器裝置，其中：該變壓器之該次級線圈具有一中央抽頭；該第一電晶體為一n通道二極接面電晶體，而該第二電晶體為一p通道二極接面電晶體，而該第一電晶體之射極係連接至該第二電晶體之射極；至少一該電荷儲存元件為一電容器；至少一該電阻元件為一電阻器；至少一該單方向性電流元件為二極體；該變壓器為一隔離變壓器，及至該變壓器初級線圈之信號為脈寬調變互補、同步或兩者。
  8. 如申請專利範圍第3項之閘極驅動器裝置，其中： 該變壓器之該次級線圈具有一中央抽頭；該第一電晶體為一n通道二極接面電晶體，而該第二電晶體為一p通道二極接面電晶體，而該第一電晶體之射極係連接至該第二電晶體之射極；至少一該電荷儲存元件為一電容器；至少一該電阻元件為一電阻器；至少一該單方向性電流元件為二極體；該變壓器為一隔離變壓器，及至該變壓器初級線圈之信號為脈寬調變互補、同步或兩者。
  9. 如申請專利範圍第4項之閘極驅動器裝置，其中：該變壓器之該次級線圈係具有一中央抽頭；該第一電晶體係為一n通道二極接面電晶體，而該第二電晶體係為一p通道二極接面電晶體，而該第一電晶體之射極係被連接至該第二電晶體之射極；至少一該電荷儲存元件為一電容器；至少一該電阻元件為一電阻器；至少一該單方向性電流元件為二極體；該變壓器為一隔離變壓器，及至該變壓器初級線圈之信號為脈寬調變互補、同步或兩者。
  10. 如申請專利範圍第5項之閘極驅動器裝置，其中：該變壓器之該次級線圈具有一中央抽頭；該第一電晶體為一n通道二極接面電晶體，而該第二電 晶體為一p通道二極接面電晶體，而該第一電晶體之射極係連接至該第二電晶體之射極；至少一該電荷儲存元件為一電容器；至少一該電阻元件為一電阻器；至少一該單方向性電流元件為二極體；該變壓器係為一隔離變壓器，及至該變壓器初級線圈之信號為脈寬調變互補、同步或兩者。
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