TWI382784B - 光罩以及使用其之沉積設備 - Google Patents

Description

光罩以及使用其之沉積設備 【相關申請案之交叉參考】

本申請案主張在2006年10月27日向韓國智慧財產局所提申之韓國專利申請案第2006－0105109號的權利，本文將其揭示內容併入以作為參考。

本發明係關於一種光罩以及使用其之沉積設備；且更明確地說，本發明係關於一種用於在一基板上形成一薄膜的光罩以及使用其之沉積設備。

一般來說，用於平面顯示裝置的有機發光二極體均會包含彼此相向的兩個電極。該二極體還包含一被插設在該等兩個電極之間的有機層。該有機層包含一發光層，以及選配的下列的至少其中一者：一電洞注入層、一電洞傳輸層、一電子傳輸層、以及一電子注入層、...等。該些層均係由有機材料所製成的薄膜。在製造有機發光二極體時，可能會使用一沉積設備，利用一種沉積方法來形成各有機薄膜，例如發光層、電洞注入層、電洞傳輸層、電子傳輸層、或是電子注入層、...等。

本發明的其中一實施例係一種用於在一已部份製作的顯示裝置上沉積一薄膜的光罩。該光罩包括：一第一區域，其包含一由複數個第一開口所組成的陣列，每一個該等第一開口均會在一第一軸線上測得一第一長度，該第一區域係具有一沿著一實質垂直於該第一軸線的第二軸線來延伸的邊緣；以及一鄰接該第一區域之該邊緣的第二區域，第二區域包含一由複數個第二開口所組成的陣列，每一個該等第二開口均會在該第一軸線上測得一第二長度，該第二長度是該第一長度之長度的至少兩倍，其中，該等第二開口實質上會沿著該第一軸線對齊該等第一開口。

每一個該等第一開口均可具有一實質正方形的形狀。每一個該等第二開口均可具有一沿著該第一軸線延伸的長條形狀。該等第一開口可被排列成一矩陣形式。每一個該等第一開口均可在該第二軸線上測得一第一寬度，而每一個該等第二開口均可在該第二軸線上測得一第二寬度。該第一寬度實質上可等於該第二寬度。該等第二開口實質上可沿著該第二軸線彼此相互對齊。

每一個該等第一開口均可具有一第一尺寸，而每一個該等第二開口均可具有一第二尺寸。該第二尺寸可以是該第一尺寸的至少兩倍大。該第一區域之面積與該第二區域之面積的比例可以是約為4：3。

該光罩可進一步包括一位於該第二區域之反向側上，鄰接該第一區域的第三區域，該第三區域包含一由複數個第三開口所組成的陣列，每一個該等第三開口均會在該第一軸線上測得一第三長度，該第三長度是該第一長度之長度的至少兩倍，其中，該等第三開口實質上會沿著該第一軸線對齊該等第一開口。每一個該等第三開口均可具有一長條形狀。

該光罩可進一步包括一位於該第一區域之反向側上，鄰接該第二區域的第三區域，第三區域包含一由複數個第三開口所組成的陣列，每一個該等第三開口均會在該第一軸線上測得一第三長度，該第三長度實質上和該第一長度相同，其中，該等第三開口實質上會沿著該第一軸線對齊該等第二開口。每一個該等第三開口均可具有一實質正方形的形狀。

本發明的另一實施例係一種用於在一已部份製作的顯示裝置上形成一薄膜的沉積設備。該沉積設備包括：一反應室；一位於該反應室內的基板支撐器；面向該基板支撐器的至少兩個沉積源，該等沉積源係彼此隔開，該等沉積源係被配置成用以朝該基板支撐器蒸發一沉積材料；以及一上面所述之光罩，該光罩係被設置在該基板固持器與該等沉積源之間，其中，該等沉積源實質上係沿著該第一軸線彼此相互對齊。

本發明的又一實施例係一種用於製造一顯示裝置的方法。該方法包括：將一已部份製作的顯示裝置放置在上面所述的沉積設備之中，俾使該顯示裝置會受到該基板固持器支撐，同時會被插設在該基板固持器與該光罩之間，該顯示裝置具有一面向該光罩的表面；以及從該等沉積源中蒸發一沉積材料，俾使該沉積材料會通過該光罩，從而選擇性地抵達該顯示裝置中的表面之部份。

該顯示裝置可以是一有機發光顯示裝置。該沉積材料可以是一有機發光材料。

本發明的另一實施例係一種有機發光顯示裝置，其包括：一基板，其具有一像素區，該像素區具有一第一區域以及一在第一方向上鄰接該第一區域的第二區域；一由形成在該基板之該第一區域上的複數個第一有機層所組成的陣列，每一個該等第一有機層均會在延伸於該第一方向上的該第一軸線上測得一第一長度；以及一由形成在該基板之該第二區域上的複數個第二有機層所組成的陣列，每一個該等第二有機層均會在該第一軸線上測得一第二長度，該第二長度是該第一長度之長度的至少兩倍，其中，該等第二有機層實質上會沿著該第一軸線對齊該等第一有機層。

該等第一有機層與第二有機層可以是由有機發光材料所構成。該基板可進一步包括一位於該第二區域之反向側上，鄰接該第一區域的第三區域，其中，該裝置進一步包括一由複數個第三有機層所組成的陣列，每一個該等第三有機層均會在該第一軸線上測得一第三長度，該第三長度是該第一長度之長度的至少兩倍，且其中，該等第三有機層實質上會沿著該第一軸線對齊該等第一有機層。該基板可進一步包括一位於該第一區域之反向側上，鄰接該第二區域的第三區域，其中，該裝置進一步包括一由複數個第三有機層所組成的陣列，每一個該等第三有機層均會在該第一軸線上測得一第三長度，該第三長度實質上與該第一長度相等，且其中，該等第三有機層實質上會沿著該第一軸線對齊該等第二有機層。

本發明的另一實施例係一種光罩，用以在一基板上沉積一薄膜，該基板包含複數個子像素區域且該等子像素區域係被設置在該基板的前面。該光罩包括一具有複數個該等第一開口的第一區域，該第一區域係對應於複數個該等子像素區域中的每一個區域，以及一具有複數個該等第二開口的第二區域，該第二區域係對應於複數個該等子像素區域中的至少兩個子像素區域並且係被設置在該第一區域中具有複數個該等第一開口的兩個側邊之上。

本發明的又一實施例係一種沉積設備，其包括：一反應室；一用於支撐一含有複數個子像素區域之基板的支撐器，該支撐器係被放置在該反應室之中；至少兩個沉積源，用以供應沉積材料到該基板上；以及一光罩，其包括一具有複數個該等第一開口的第一區域，該第一區域係對應於複數個該等子像素區域中的每一個區域，以及一具有複數個該等第二開口的第二區域，該第二區域係對應於複數個該等子像素區域中的至少兩個子像素區域並且係被設置在該具有複數個該等第一開口的第一區域的兩個側邊之上。

本發明的又一實施例係一種有機發光顯示裝置，其具有複數個該等子像素，該等子像素包括一第一電極、一第二電極、以及一被排列在該第一電極與該第二電極之間的發光層，該有機發光顯示裝置包括：複數個第一圖案，該等第一圖案係分別形成在複數個該等子像素的每一個區域之上；以及複數個第二圖案，該等第二圖案係連續形成在複數個該等子像素的至少兩個二子像素之上並且係被排列在該等第一圖案的兩個側邊之上。

在製造一具有大型尺寸基板的裝置中，可使用一種多重沉積方法，其係使用複數個沉積源來沉積一薄膜以形成一有機材料層。此種方法會在一基板上提供卓越的階梯覆蓋率與均勻性。

圖1所示的係一用於在一基板上形成一薄膜的習知光罩。圖2所示的係一用於在一基板上形成一薄膜的習知沉積設備的立體圖。圖3所示的係使用該習知光罩而被形成在一基板上的薄膜圖案的顯微圖。

現在參考圖1至3，一反應室(圖中並未顯示)包含：一基板100，於其上將會形成一薄膜101；一光罩110，其係被設置在該基板100的前面；以及至少兩個沉積源120，用以提供用於該薄膜101的材料。

為了在基板100之上形成該薄膜101，會藉由加熱含有沉積材料的沉積源來蒸發沉積材料。從沉積源120中被蒸發的該等沉積材料會經由該光罩110中的複數個開口111而被沉積在該基板100之上。該等開口111可以是點狀的。對應於該等點狀開口111的薄膜圖案101會被形成在該基板100之上。

不過，被導向該基板100之周圍的材料之部份可能無法充分抵達該基板100，其可能會在該基板之周圍造成不均勻的厚度。此等部份會與該光罩110形成一小入射角。因此，當朝該基板100前進時，該等部份便可能會遭到該光罩110阻擋，並且可能無法以充分的量抵達該基板100以形成一具有均勻厚度的層。因此，如圖1中所示，該基板100的該等周圍便可能會具有鋸齒形狀的層。

如圖3中所示，在基板100之上可能不會形成一對應於該等開口111之形狀的薄膜圖案。該薄膜101可能並不均勻。在圖3中，該膜101的一部份102會比其另一部份101還薄。發生這些問題的原因是因為如上所述地，該等沉積材料被正確地沉積在某些區域上，但是卻未正確地沉積在其它區域上。

雖然有人提出過使用一含有長條狀開口的光罩在一基板之上形成薄膜的方法，以便提供一具有均勻厚度的薄膜；不過，該含有長條狀開口的光罩卻非常容易因為外部的張力及其自身的重量而在其中央區域中向下彎折。所以，便可能無法在一基板上形成一均勻的薄膜，從而會造成所謂的陰影現象，舉例來說，如圖3的部份102處。

於一實施例中，一光罩會具有一中央區域及兩個側邊區域。該光罩包含位於該中央區域中的複數個第一開口以及位於該等側邊區域中的複數個第二開口。該等第二開口的尺寸是該等第一開口的至少兩倍大。

圖4所示的係根據其中一實施例，用於在一基板上沉積一薄膜的光罩的分解立體圖。於一實施例中，可使用該光罩來製造一有機發光顯示裝置。首先會提供一基板(圖中並未顯示)，於其上將會形成一薄膜。該基板可能包含複數個子像素區域。一光罩310可被設置成用以面向該基板的一表面。圖中所示的光罩310包含一第一區域31及兩個第二區域32。該第一區域31包含複數個第一開口311，每一個開口均對應於該等複數個子像素區域中的其中一者。該等第二區域32包含複數個第二開口312，每一個開口均對應於該等複數個子像素區域中的至少其中兩者。該等第二區域32則係被設置在該第一區域31的兩個側邊之上。

在圖中所示的實施例中，該第一區域31包含呈現矩陣形式的複數個點狀第一開口。該等複數個點狀第一開口311係對應於該基板之發光區中的子像素區域(子像素：R、G、B)。

本實施例中所述的該等子像素區域係由該基板上的一像素定義膜所定義。該像素定義膜具有複數個開口。每一個開口均會定義該等子像素區域中的其中一者。

在圖中所示的光罩中，複數個第一紅色開口311R係被排列成用以對應於將被形成在該基板之上的紅色子像素區域。複數個第一綠色開口311G係被排列成用以對應於將被形成在該基板之上的綠色子像素區域。複數個第一藍色開口311B係被排列成用以對應於將被形成在該基板之上的藍色子像素區域。

此外，該等第二開口312則係形成在該第一區域31的兩個側邊之第二區域32上。該等第二開口312係對齊該等第一開口311。該等第二開口312具有長條形狀。該等第二開口312的尺寸是該基板上的一子像素區域之尺寸的至少兩倍大。該等第二開口312可能具有紅色開口312R、綠色開口312G、以及藍色開口312B。每一個該等第二紅色開口312R的尺寸是該基板上的一紅色子像素區域之尺寸的至少兩倍大。每一個該等第二綠色開口312G的尺寸是該基板上的一綠色子像素區域之尺寸的至少兩倍大。每一個該等第二藍色開口312B的尺寸是該基板上的一藍色子像素區域之尺寸的至少兩倍大。

該等第一開口311及該等第二開口312可藉由下面方法來形成，舉例來說，使用光微影術的蝕刻法、使用光微影術與電解的電鑄法、以及雷射削切法。於一實施例中，第一區域31的面積與第二區域32的面積比例約為4：3。

圖5所示的係根據一實施例，一用於在一基板上形成一薄膜的沉積設備的剖面圖。請參考圖5，該沉積設備包含：一反應室(圖中並未顯示)；一支撐器(圖中並未顯示)，用以支撐或固持一基板300；至少兩個沉積源320，用以供應沉積材料到該基板300之上；以及一光罩310。

該等沉積源320係被設置在該反應室的下側處。該等沉積源包含複數種沉積材料及一加熱器。該加熱器係被配置成用以蒸發該等沉積材料，俾使該等材料可被沉積在該基板300之上。該沉積源320可利用被安裝在該反應室之中的一移動裝置(圖中並未顯示)而以水平或垂直地移動。該等圖中所示的沉積源320包含一第一沉積源321與一第二沉積源322。此種組態能夠同時在該基板300的實質整個表面上提供該等沉積材料。應該明白的是，可以使用各種數量的沉積源，端視該基板的尺寸而定。

該基板支撐器係被配置成用以支撐該基板300。該支撐器係被設置在該反應室的上側處。該支撐器的位置是和位於該反應室下側處的沉積源反向。

該光罩310包含具有複數個該等第一開口311的一第一區域31以及具有複數個該等第二開口312的兩個第二區域32。該第一區域31係被插設在該等兩個第二區域32之間。於一實施例中，該第一區域31以及其中一個第二區域32的面積比例約為4：3。該等第二開口312的尺寸是該等第一開口311的尺寸的至少兩倍大。該等第一開口311與該等第二開口312係共同決定將會形成在該基板300之上的薄膜的圖案。該光罩310係被設置在該基板300與該等沉積源320之間。於特定的實施例中，該光罩310可藉由焊接或藉由黏著劑而被固定在該基板300之上。

該等第一開口311是點狀的並且被排列成一矩陣形式。每一個該等第一開口311的尺寸均會對應於該基板300中之複數個子像素區域(子像素：R、G、B)中的其中一者的尺寸。舉例來說，光罩310可具有對應於該基板300中複數個紅色子像素區域的複數個第一開口311。舉例來說，在該基板300之上可能會形成對應於該等紅色子像素區域(R)的複數層紅色薄膜301。

該等第二開口312係設置在該第一區域31的兩個側邊上。該等第二開口312可具有長條形狀。該等長條形狀的第二開口312的尺寸是一子像素區域(舉例來說，子像素：R)的至少兩倍大。據此，便可在該基板300之上形成尺寸相當於兩個紅色子像素區域(R、R)的連續的薄膜301。

於圖中所示的實施例中，該等大型尺寸的第二開口312係形成在該等第二區域32之中，其會挖開該基板的周圍。所以，即使當從該第一沉積源321或是該第二沉積源322中所蒸發的沉積材料的沉積角度非常小，仍可避免因為該光罩圖案的關係所造成的干擾。因為薄膜可在不會有陰影現象下形成在一基板之上的關係，所以光罩310的組態能夠提供高解析度的顯示裝置。

圖6所示的係根據一實施例的一有機發光顯示裝置的立體圖。圖7所示的係沿著圖6中的直線I－I’所取得之該顯示裝置的剖面圖。圖8所示的係沿著圖6中的直線II－II’所取得之該顯示裝置的剖面圖。圖9所示的係沿著圖6中的直線III－III’所取得之該顯示裝置的剖面圖。

請參考圖6至圖9，一有機發光顯示裝置400具有形成在一基板410之上的複數個子像素。每一個子像素均包含一第一電極層430、一第二電極層450、以及一被插設在該等第一電極層430與第二電極層450之間的發光層440。請參考圖7，該顯示裝置400包含具有第一尺寸的複數個第一圖案441以及具有第二尺寸的複數個第二圖案442。每一個第一圖案441係形成該顯示裝置中的其中一個子像素。該等第二圖案442的尺寸可以是一子像素的尺寸的至少兩倍大。該等第二圖案442係被設置在該等第一圖案441的兩個側邊之上。由一發光層440所構成的複數個紅色子像素、綠色子像素、以及藍色子像素(R子像素、G子像素、以及B子像素)係被設置在該第一電極層430與該第二電極層450之間。

該第一電極層430可以是藉由沉積與圖案化一導電層而形成在該基板之上。該第一電極層可以是一透明電極與一反射電極中的任一者。該透明電極可以是由ITO、IZO、ZnO、或是In₂ O₃ 所構成。該反射電極可以是由Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、或是前述之組合所構成。該反射電極可進一步包含一由ITO、IZO、ZnO、或是In₂ O₃ 所構成的層。一像素定義膜420係被形成在該第一電極層430之上。該像素定義膜420具有複數個開口，用以至少部份露出該第一電極層。

一紅色發光層440R可在紅色子像素區域(R)中具有複數個第一紅色圖案441R及複數個第二紅色圖案442R。一綠色發光層440G可在綠色子像素區域(G)中具有複數個第一綠色圖案441G及複數個第二綠色圖案442G。

該紅色發光層440R可具有會形成紅色子像素的複數個第一紅色圖案441R。該等第二紅色圖案442R則係被排列在該第一紅色圖案441R的兩個側邊之上。該等第二紅色圖案442R的尺寸可以是一紅色子像素區域(R)的尺寸的至少兩倍大。同樣地，該等綠色發光層440G與藍色發光層440B亦可具有綠色圖案與藍色圖案441G、441B、442G、442B，它們會分別形成綠色子像素與藍色子像素。

該第二電極層450係形成在該等紅色發光層440R、綠色發光層440G、以及藍色發光層440B之上。該第二電極層450可以是一透明電極或是一反射電極中的任一者。該透明電極可以是藉由先在該發光層440之上沉積一低功函數金屬(例如Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Ag、Mg、或是前述之組合)並且接著在該金屬之上利用ITO、IZO、ZnO、或是In₂ O₃ 來形成另一層而構成的。該反射電極可以是由Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Ag、Mg、或是前述之組合所構成。

上面所述之實施例能夠在一基板上提供均勻的薄膜。進一步言之，該等均勻的薄膜能夠提供一能夠以高解析度來顯示高品質圖像的顯示裝置。

雖然本文已經顯示且說明過本發明的數個實施例，不過，熟習本技術的人士將會明白，仍可在不脫離本發明的原理與精神下對本實施例進行改變，本發明的範疇係定義在申請專利範圍及它們的等效範圍之中。

100．．．基板

101．．．薄膜

102．．．薄膜

110．．．光罩

111．．．開口

120．．．沉積源

31．．．第一區域

32．．．第二區域

301．．．薄膜

310．．．光罩

311．．．第一開口

311R．．．第一紅色開口

311G．．．第一綠色開口

311B．．．第一藍色開口

312．．．第二開口

312R．．．第二紅色開口

312G．．．第二綠色開口

312B．．．第二藍色開口

320．．．沉積源

321．．．第一沉積源

322．．．第二沉積源

400．．．有機發光顯示裝置

410．．．基板

420．．．像素定義膜

430．．．第一電極層

440．．．發光層

440R．．．紅色發光層

440G．．．綠色發光層

440B．．．藍色發光層

441R．．．第一紅色圖案

441G．．．第一綠色圖案

441B．．．第一藍色圖案

442R．．．第二紅色圖案

442G．．．第二綠色圖案

442B．．．第二藍色圖案

450．．．第二電極層

圖1所示的係一用於在一基板上形成一薄膜的習知沉積設備的立體圖。

圖2所示的係一用於沉積一薄膜的習知光罩。

圖3所示的係經由掃描電子顯微鏡而取得之使用一習知光罩而被形成在一基板上的薄膜圖案的顯微圖。

圖4所示的係根據其中一實施例的光罩的分解立體圖。

圖5所示的係根據另一實施例的一用於在一基板上形成一薄膜的沉積設備的剖面圖。

圖6所示的係根據其中一實施例的一有機發光顯示裝置的立體圖。

圖7所示的係沿著圖6中的直線I－I’所取得之圖6的裝置的剖面圖。

圖8所示的係沿著圖6中的直線II－II’所取得之圖6的裝置的剖面圖。

圖9所示的係沿著圖6中的直線III－III’所取得之圖6的裝置的剖面圖。

31．．．第一區域

32．．．第二區域

310．．．光罩

311．．．第一開口

311R．．．第一紅色開口

311G．．．第一綠色開口

311B．．．第一藍色開口

312．．．第二開口

312R．．．第二紅色開口

312G．．．第二綠色開口

312B．．．第二藍色開口

Claims (20)

1. 一種用於在一已部份製作的顯示裝置上沉積一薄膜的光罩，該光罩係包括：一第一區域，其包含一由複數個第一開口所組成的陣列，每一個該等第一開口均在一第一軸線上測得一第一長度，該第一區域係具有一沿著一實質垂直於該第一軸線的第二軸線來延伸的邊緣；以及一鄰接該第一區域之該邊緣的第二區域，第二區域包含一由複數個第二開口所組成的陣列，每一個該等第二開口均在該第一軸線上測得一第二長度，該第二長度是該第一長度之長度的至少兩倍，其中，該等第二開口實質上係沿著該第一軸線對齊該等第一開口。
2. 如申請專利範圍第1項之光罩，其中，每一個該等第一開口均具有一實質正方形的形狀。
3. 如申請專利範圍第1項之光罩，其中，每一個該等第二開口均具有一沿著該第一軸線延伸的長條形狀。
4. 如申請專利範圍第1項之光罩，其中，該等第一開口係以一矩陣形式被排列。
5. 如申請專利範圍第1項之光罩，其中，每一個該等第一開口均在該第二軸線上測得一第一寬度，而每一個該等第二開口均在該第二軸線上測得一第二寬度，且其中，該第一寬度實質上等於該第二寬度。
6. 如申請專利範圍第5項之光罩，其中，該等第二開口實質上係沿著該第二軸線彼此相互對齊。
7. 如申請專利範圍第1項之光罩，其中，每一個該等第一開口均具有一第一尺寸，其中，每一個該等第二開口均具有一第二尺寸，且其中，該第二尺寸係該第一尺寸的至少兩倍大。
8. 如申請專利範圍第1項之光罩，其中，該第一區域之面積與該第二區域之面積的比例約為4：3。
9. 如申請專利範圍第1項之光罩，其進一步包括一位於該第二區域之反向側上且鄰接該第一區域的第三區域，第三區域包含一由複數個第三開口所組成的陣列，每一個該等第三開口均在該第一軸線上測得一第三長度，該第三長度是該第一長度之長度的至少兩倍，其中，該等第三開口實質上係沿著該第一軸線對齊該等第一開口。
10. 如申請專利範圍第9項之光罩，其中，每一個該等第三開口均具有一長條形狀。
11. 如申請專利範圍第1項之光罩，其進一步包括一位於該第一區域之反向側上且鄰接該第二區域的第三區域，第三區域包含一由複數個第三開口所組成的陣列，每一個該等第三開口均在該第一軸線上測得一第三長度，該第三長度實質上和該第一長度相同，其中，該等第三開口實質上係沿著該第一軸線對齊該等第二開口。
12. 如申請專利範圍第11項之光罩，其中，每一個該等第三開口均具有一實質正方形的形狀。
13. 一種用於在一已部份製作的顯示裝置上形成一薄膜的沉積設備，其係包括：一反應室；一位於該反應室內的基板支撐器；至少兩個面向該基板支撐器的沉積源，該等沉積源係彼此隔開，該等沉積源係被配置成用以朝該基板支撐器蒸發一沉積材料；以及一如申請專利範圍第1項之光罩，該光罩係被設置在該基板固持器與該等沉積源之間，其中，該等沉積源實質上係沿著該第一軸線彼此相互對齊。
14. 一種用於製造一顯示裝置的方法，該方法係包括：將一已部份製作的顯示裝置設置在如申請專利範圍第13項之沉積設備之中，俾使該顯示裝置受到該基板固持器支撐，同時會被插設在該基板固持器與該光罩之間，該顯示裝置具有一面向該光罩的表面；以及從該等沉積源中蒸發一沉積材料，俾使該沉積材料通過該光罩，從而選擇性地抵達該顯示裝置中的表面之部份。
15. 如申請專利範圍第14項之方法，其中，該顯示裝置係一有機發光顯示裝置。
16. 如申請專利範圍第15項之方法，其中，該沉積材料係一有機發光材料。
17. 一種有機發光顯示裝置，其係包括：一基板，其具有一像素區，該像素區具有一第一區域以及一在第一方向上鄰接該第一區域的第二區域；一由形成在該基板之該第一區域上的複數個第一有機層所組成的陣列，每一個該等第一有機層均在延伸於該第一方向上的該第一軸線上測得一第一長度；以及一由形成在該基板之該第二區域上的複數個第二有機層所組成的陣列，每一個該等第二有機層均在該第一軸線上測得一第二長度，該第二長度是該第一長度之長度的至少兩倍，其中，該等第二有機層實質上係沿著該第一軸線對齊該等第一有機層。
18. 如申請專利範圍第17項之裝置，其中，該等第一有機層與第二有機層係由有機發光材料所構成。
19. 如申請專利範圍第17項之裝置，其中，該基板進一步包括一位於該第二區域之反向側上且鄰接該第一區域的第三區域，其中，該裝置進一步包括一由複數個第三有機層所組成的陣列，每一個該等第三有機層均在該第一軸線上測得一第三長度，該第三長度是該第一長度之長度的至少兩倍，且其中，該等第三有機層實質上係沿著該第一軸線對齊該等第一有機層。
20. 如申請專利範圍第17項之裝置，其中，該基板進一步包括一位於該第一區域之反向側上且鄰接該第二區域的第三區域，其中，該裝置進一步包括一由複數個第三有機層所組成的陣列，每一個該等第三有機層均在該第一軸線上測得一第三長度，該第三長度實質上與該第一長度相等，且其中，該等第三有機層實質上係沿著該第一軸線對齊該等第二有機層。