TWI382081B - 液晶介質 - Google Patents

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Description

液晶介質
本發明係關於液晶化合物及一液晶介質，並且係關於其用於光電目的之用途，亦係關於包含該介質之顯示器。
液晶主要在顯示裝置中用作介電質，此乃因該等物質之光學特性可藉由一外加電壓加以調整。基於液晶的光電裝置對熟習此項技術者而言皆係非常熟悉並可基於多種效應。該等裝置之實例係具有動態散射的晶元、DAP(配向相位變形)晶元、客/主晶元、具有一扭轉向列型結構的TN晶元、STN(超扭轉向列)晶元、SBE(超雙折射效應)晶元及OMI(光學模式干涉)晶元。最普通的顯示裝置係基於Schadt－Helfrich效應並具有一扭轉向列型結構。
該等液晶材料必須具有良好的化學及熱穩定性及良好的對電場及電磁輻射的穩定性。此外，該等液晶材料應具有低黏度並在晶元中產生短的尋址時間、低臨界電壓及高反差比。
在通常操作溫度下，即，在高於或低於室溫之最廣的可能範圍內其應進一步具有一適合的中間相，例如一上述晶元之向列型或膽固醇型中間相。由於液晶一般係作為複數種組份的混合物使用，故，重要的是該等組份可容易地相互混合。其他的特性，例如導電性、介電各向異性及光學各向異性，端視晶元類型及應用領域必須滿足各種各樣的需要。舉例而言，用於具有一扭轉向列型結構之晶元的材料應具有正介電各向異性及低導電性。
舉例而言，對於具有用於轉換單獨像素的積體非線性元件的矩陣液晶顯示器(MLC顯示器)而言，具有大的正介電各向異性、寬廣的向列相、相對低的雙折射率、極高的比電阻、良好的紫外線及溫度穩定性及相對低的蒸汽壓力之介質係所期望的。
此外，LCoST M 顯示器及基於雙折射效應的顯示器(例如OCB顯示器)引人注意。
OCB顯示器(光學補償彎曲)係基於一雙折射效應並包含一具有所謂的「彎曲」結構的液晶層。「彎曲」晶元，亦稱「pi」晶元，由P.Bos等人首先提出(SID 83 Digest，30(1983))用於一電可控λ/2板，而顯示器的OCB模式係由Y.Yamaguchi、T.Miyashita及T.Uchida闡述於SID 93 Digest(277(1993))中並隨後由T.Miyashita等人以論文形式闡述於(尤其)Proc.Eurodisplay(149(1993))中，J.Appl.Phys.(34,L177(1995))，SID 95 Digest(797(1995))及由C.－L.Kuo等人(SID 94 Digest,927(1994))及M.Suzuki(SID 96 Digest,618(1996))闡述。一OCB晶元含有一具有一「彎曲」配向的液晶晶元及一具有正△ε的液晶介質。另外，該在上述文件中揭示的OCB顯示器包括一或更多個雙折射光阻滯薄膜用於防止在黑暗狀態下由「彎曲」晶元造成的不期望的光透射。OCB顯示器與基於扭轉向列型(TN)晶元之顯示器相比具有數種優勢，例如，更廣的視角及更短的響應時間。
上述文件已經顯示，液晶相必須具有高光學各向異性值△n及一相對高的正介電各向異性值△ε並較佳具有十分低的彈性常數K3 3 /K1 1 間比率及十分低的黏度以可用於基於OCB效應的高資訊顯示元件。OCB效應在光電顯示器中之工業應用需要必須滿足多種要求之LC相。此處尤其重要者係對潮濕、空氣及物理影響(列如，熱、於紅外光、可見光及紫外光區中的輻射及直流及交流電場)的化學抵抗性。此外，要求可在工業中使用的LC相具有一在適宜溫度範圍內的液晶中間相、相對高的雙折射率、正介電各向異性及低黏度。
LCoST M (矽上液晶)顯示器係先前技術中已知者並可自Three－Five Systems公司(Tempe，Arizona，USA)得到。LCoST M 微顯示器係反射式顯示器，其通常於一矽底板與一防護玻璃之間含有一具有一扭轉向列型結構的液晶層。該矽底板係一像素陣列，每一像素皆具有一同時起電導體作用的鏡像表面。每一像素皆包含一藉由一主動液晶層覆蓋的固定鏡，該主動液晶層具有一可藉由施加一電壓而轉換成垂直配向的扭轉向列配向。LCoST M 微顯示器體積小，具有一通常低於1.0"之對角線，但能獲得自1/4 VGA(78千像素)至UXGA＋(超過2百萬像素)之高解析度。
由於像素尺寸小，LCoST M 顯示器亦具有一極小的晶元厚度，其通常係約1微米。因此，與通常需要低△n之LC相的傳統反射型LC顯示器相反，該等顯示器中所用的液晶相必須尤其具有高光學各向異性值△n。
OCB模式及LCoST M 顯示器可作為矩陣顯示器運作。矩陣液晶顯示器(MLC顯示器)為人習已。可用於單獨轉換個別像素的非線性元件實例係主動元件(即電晶體)。於是使用術語「主動矩陣」，並可在以下兩種類型間加以區分：1. MOS(金屬氧化物半導體)或其他位於矽晶圓上的二極體作為基板，2.位於一玻璃板上的薄膜電晶體(TFT)作為基板。
當為類型1時，所用光電效應通常係動態散射或客/主效應。
由於即使是多個部分顯示器之模塊式組裝亦會導致連接處出現問題，故，使用單晶矽作為基板材料可限制顯示器大小。
當為更有希望的較佳類型2時，所用光電效應通常係TN效應。在以下兩種技術間有區別：包含化合物半導體(例如CdSe)的TFT或基於多晶矽或無定形矽的TFT。在世界範圍內，對後一技術作了大量工作。
TFT矩陣係施用於顯示器之一玻璃板內側，同時另一玻璃板在其內側載有透明的反電極。與像素電極之大小相比較，TFT極小並實質上對影像不具有不利作用。該技術亦可擴展至能顯示全彩色的顯示器，其中佈置一紅、綠及藍濾色器之鑲嵌以便一濾色器元件與每一可轉換像素對置。
TFT顯示器通常作為其中交叉偏光板具有透射性的TN晶元運作並係從背面照亮。
本文術語MLC顯示器涵蓋任一具有積體非線性元件的矩陣顯示器，即，除主動矩陣外，亦涵蓋具有被動元件(例如，變阻器或二極體(MIM＝金屬－絕緣體－金屬))的顯示器。
該類型之MLC顯示器係尤其適合於TV應用(例如袖珍TV)或適用於電腦應用(膝上型電腦)的高資訊顯示器並應用於汽車或航空器製造中。除了涉及反差比之角度依賴性及響應時間的問題外，在MLC顯示器中亦會出現由液晶混合物之不夠高的比電阻造成的困難[TOGASHI,S.,SEKIGUCHI,K.,TANABE,H.,YAMAMOTO,E.,SORIMACHI,K.,TAJIMA,E.,WATANABE,H.,SHIMIZU,H.,Proc.Eurodisplay 84,1984年9月：A 210－288 Matrix LCD Controlled by Double Stage Diode Rings,p.141 ff,Paris；STROMER,M.,Proc.Eurodisplay 84,1984年9月：Design of Thin Film Transistors for Matrix Addressing of Television Liquid Crystal Displays,p.145 ff,Paris]。伴隨電阻下降，一MLC顯示器之反差比會降低，並會出現餘像消除的問題。由於液晶混合物之比電阻通常會因與顯示器之內表面相互作用而隨MLC顯示器之使用時間而降低，故，為獲得可接受的使用壽命，一高(初始)電阻極為重要。尤其當為一低電壓混合物時，迄今仍不可能達到極高的比電阻值。更重要的是，隨溫度升高及在加熱及/或UV暴露後比電阻展示最小可能的增加。得自先前技術之混合物之低溫特性亦係特別不利。要求結晶及/或矩列相即使在低溫下亦不會出現並且黏度之溫度依賴性應盡可能低。因此，先前技術之MLC顯示器無法滿足如今之需要。
除使用背光照明(即，以透射方式及(若期望)以半透反射方式運作)的液晶顯示器外，反射式液晶顯示器亦尤其令人感興趣。該等反射式液晶顯示器可使用周圍光進行資訊展示。其因此可消耗較具有一相應尺寸及解析度的背光照射液晶顯示器顯著減少的能量。由於TN效應之特徵在於反差比極佳，該類型之反射式顯示器甚至在明亮的環境條件下可視性亦極佳。此已知為單反射式TN顯示器，舉例而言，如在手錶或袖珍計算器中所使用者。然而，該原理亦可應用於高品質、更高解析度主動矩陣尋址顯示器，例如TFT顯示器。此處，如已用在常規透射式TFT－TN顯示器中者，為達成低光阻滯(d．△n)必須使用低雙折射(△n)液晶。此低光阻滯通常導致反差比之可接受的低視角依賴性(參見DE 30 22 818)。在反射式顯示器中，低雙折射液晶之使用甚至較在透射式顯示器中更重要，此乃因在反射式顯示器中光所穿過的有效層厚度約為在具有相同層厚度的透射式顯示器中的兩倍。
因此業內仍極其需要用於MLC、OCB、IPS、TN、LCoS或STN顯示器的液晶介質，其應具有高UV穩定性、相對高的△ε值，同時具有一大的工作溫度範圍，甚至在低溫下亦具有短的響應時間以及具有低臨界電壓，並且其不具有該等缺點或僅具有少量缺點。
在TN(Schadt－Helfrich)晶元中，期望使用可在晶元中促進下列優點之介質：－具有擴展的向列相範圍(尤其低至低溫)－甚至在極低溫度下亦具儲存穩定性，－能在極低溫度下轉換(室外使用、汽車、航空電子設備)－抗VU輻射性增強(壽命更長)－由於更薄的晶元厚度(d．△n)而具有更高的光學各向異性，從而可達成更快的反應時間自先前技術中獲得的介質不能在達成該等優勢的同時仍保持其他參數。
當為超扭轉晶元(STN)時，期望使用可促進更大的可多工性及/或一更低臨界電壓及/或更寬向列相範圍(尤其在低溫下)之介質。為此，迫切需要進一步拓寬可利用參數範圍(透明點、矩列型－向列型轉換或熔點、黏度、介電參數、彈性參數)。
本發明係基於提供尤其用於該類型之MLC、OCB、IPS、LCoS、TN或STN顯示器之介質之目標，該介質不具有上述缺點或僅具有少量缺點，並較佳同時具有相對高的透明點、低閥值及相對低的旋轉黏度γ1 。該混合物應進一步具有高UV穩定性之特徵。
當前已發現，若將本發明介質應用於顯示器中，則即可達成此目標。本發明介質之特徵在於其具有高紫外線穩定性。同時，該介質具有很低的臨界電壓及相對低的旋轉黏度γ1 。
因此本發明係關於一種基於極性化合物之混合物的液晶介質，其特徵在於包含一或多種式I化合物 其中R1 表示一具有1至15個C原子的經鹵化的或未經取代的烷基或烷氧基，其中該等基團中的一或多個CH2 亦可各自以一使O原子不直接相互連接的方式相互獨立地由、、－C≡C－、－CH＝CH－、－O－、－CF2 O－、－OCF2 －、－CO－O－或－O－CO－替代，X表示F、Cl、CN、SF5 、SCN、NCS、一經鹵化烷基、一經鹵化烯基、一經鹵化烷氧基或一經鹵化烯氧基，其中該等基團各具有至多6個碳原子，及L1 、L2 及L3 每一皆相互獨立地表示H或F。
令人吃驚地，已發現，包含式I化合物之液晶混合物具有高透明點及相對低的閥值。依照請求項13及14，本發明亦係關於某些式I化合物。尤其較佳者係其中L1 ＝F並且L2 ＝L3 ＝H之化合物。特別尤其較佳者係其中L1 ＝F、L2 ＝L3 ＝H及X＝F、OCF3 或OCHF2 之化合物。X較佳表示CN、F、SF5 、OCHF2 、OC2 F5 、OC3 F7 、NCS、OCHFCF3 、OCF2 CHFCF3 、OCF3 。
氟化的四聯苯係揭示於先前技術中，例如US 6,669,998 B2、US 6,565,933 B2、US 6,596,350 A2、WO 89/02884、WO 90/01056、WO 91/03450、EP 0 439 089 B1、DE 44 45 224、WO 98/235564、EP 1 302 523 A1、EP 1 346 995。然而，其中並未明確地提到本發明化合物。WO 2004/035 710 A1揭示下式化合物
式I化合物具有一廣泛應用。端視取代基之選擇而定，該等化合物可用作係液晶介質主要組成物之基本材料；然而，亦可將式I化合物添加至來自其他類化合物之液晶基本材料中以(例如)改良該類電介質之介電性及/或光學各向異性並且為了最優化其臨界電壓及/或其黏度。令人驚訝地，本發明四環化合物極易溶解。因此，可製備以混合物計包含0.01至30.0重量%之式I化合物的本發明混合物。
在純態中，式I化合物係無色的並在一較佳係定位用於光電應用之溫度範圍內可形成液晶中間相。其具有化學穩定性、熱穩定性及光穩定性。
若式I中的R1 表示一烷基及/或一烷氧基，則R1 可能係直鏈的或具支鏈的。其較佳係直鏈的，具有2、3、4、5、6或7個C原子並因此較佳表示乙基、丙基、丁基、戊基、己基、庚基、乙氧基、丙氧基、丁氧基、戊氧基、己氧基或庚氧基，較佳進一步表示甲基、辛基、壬基、癸基、十一烷基、十二烷基、十三烷基、十四烷基、十五烷基、甲氧基、辛氧基、壬氧基、癸氧基、十一烷氧基、十二烷氧基、十三烷氧基或十四烷氧基。
氧雜烷基較佳表示直鏈的2－氧雜丙基(＝甲氧基甲基)；2－(＝乙氧基甲基)或3－氧雜丁基(＝2－甲氧基乙基)；2－、3－或4－氧雜戊基；2－、3－、4－或5－氧雜己基；2－、3－、4－、5－或6－氧雜庚基；2－、3－、4－、5－、6－或7－氧雜辛基；2－、3－、4－、5－、6－、7－或8－氧雜壬基；2－、3－、4－、5－、6－、7－、8－或9－氧雜癸基。
若R1 表示一其中一CH2 基已由－CH＝CH－替代的烷基，則其可能係直鏈或具支鏈的。其較佳係直鏈的並具有2至10個碳原子。因此、其尤其表示乙烯基；丙－1－或－2－烯基；丁－1－、－2－或－3－烯基；戊－1－、－2－、－3－或－4－烯基；己－1－、－2－、－3－、－4－或－5－烯基；庚－1－、－2－、－3－、－4－、－5－或－6－烯基；辛－1－、－2－、－3－、－4－、－5－、－6－或－7－烯基；壬－1－、－2－、－3－、－4－、－5－、－6－、－7－或－8－烯基；癸－1－、－2－、－3－、－4－、－5－、－6－、－7－、－8－或－9－烯基。
若R1 表示其中一個CH2 基已由－O－替代並且一個CH2 已由－CO－替代的烷基，則其較佳係鄰近的。因此，該等可含有一醯氧基－CO－O－或一氧基羰基－O－CO－。該等較佳表示直鏈並具有2至6個碳原子。因此，其尤其係乙醯氧基、丙醯氧基、丁醯氧基、戊醯氧基、己醯氧基、乙醯氧基甲基、丙醯氧基甲基、丁醯氧基甲基、戊醯氧基甲基、2－乙醯氧基乙基、2－丙醯氧基乙基、2－丁醯氧基乙基、3－乙醯氧基丙基、3－丙醯氧基丙基、4－乙醯氧基丁基、甲氧基羰基、乙氧基羰基、丙氧基羰基、丁氧基羰基、戊氧基羰基、甲氧基羰基甲基、乙氧基羰基甲基、丙氧基羰基甲基、丁氧基羰基甲基、2－(甲氧基羰基)乙基、2－(乙氧基羰基)乙基、2－(丙氧基羰基)乙基、3－(甲氧基羰基)丙基、3－(乙氧基羰基)丙基或4－(甲氧基羰基)丁基。
若R1 表示其中一個CH2 已由未經取代的或經取代的－CH＝CH－替代並且一相鄰的CH2 已由CO或CO－O或O－CO替代，由其可係直鏈的或具支鏈的。其較佳係直鏈的並具有4至12個碳原子。因此，其尤其表示丙烯醯氧基甲基、2－丙烯醯氧基乙基、3－丙烯醯氧基丙基、4－丙烯醯氧基丁基、5－丙烯醯氧基戊基、6－丙烯醯氧基己基、7－丙烯醯氧基庚基、8－丙烯醯氧基辛基、9－丙烯醯氧基壬基、10－丙烯醯氧基癸基、甲基丙烯醯氧基甲基、2－甲基丙烯醯氧基乙基、3－甲基丙烯醯氧基丙基、4－甲基丙烯醯氧基丁基、5－甲基丙烯醯氧基戊基、6－甲基丙烯醯氧基己基、7－甲基丙烯醯氧基庚基、8－甲基丙烯醯氧基辛基、9－甲基丙烯醯氧基壬基。
若R1 表示一藉由CN或CF3 單取代的烷基或烯基，該基團較佳係直鏈的。該藉由CN或CF3 之取代係位於任一期望位置。
若R1 表示一係至少經鹵素單取代的烷基或烯基，該基團較佳係直鏈的，並且鹵原子較佳係F或Cl。當為多取代時，鹵素較佳係F。所得基團亦可包括全氟化基團。當為單取代時，該氟或氯取代基可位於任一期望位置，但較佳係在ω－位上。
包含具支鏈的側翼基團R1 的化合物由於在傳統液晶基本材料中具更佳可溶性而有時具有重要性，但若其具有光學活性，則尤其係作為對掌性摻雜劑。該類型的矩列型化合物適合用作鐵電材料的組份。
該類型的具支鏈基團通常包含不超過一條鏈的支鏈。較佳的具支鏈基團R1 係異丙基、2－丁基(＝1－甲基丙基)、異丁基(＝2－甲基丙基)、2－甲基丁基、異戊基(＝3－甲基丁基)、2－甲基戊基、3－甲基戊基、2－乙基己基、2－丙基戊基、異丙氧基、2－甲基丙氧基、2－甲基丁氧基、3－甲基丁氧基、2－甲基戊氧基、3－甲基戊氧基、2－乙基己氧基、1－甲基己氧基及1－甲基庚氧基。
若R1 表示一其中兩個或多個CH2 已由－O－及/或－CO－O－替代的烷基，則其可係直鏈的或具支鏈的。其較佳具支鏈並具有3至12個C原子。因此，其尤其表示雙羧基甲基、2,2－雙羧基乙基、3,3－雙羧基丙基、4,4－雙羧基丁基、5,5－雙羧基戊基、6,6－雙羧基己基、7,7－雙羧基庚基、8,8－雙羧基辛基、9,9－雙羧基壬基、10,10－雙羧基癸基、雙(甲氧基羰基)甲基、2,2－雙(甲氧基羰基)乙基、3,3－雙(甲氧基羰基)丙基、4,4－雙(甲氧基羰基)丁基、5,5－雙(甲氧基羰基)戊基、6,6－雙(甲氧基羰基)己基、7,7－雙(甲氧基羰基)庚基、8,8－雙(甲氧基羰基)辛基、雙(乙氧基羰基)甲基、2,2－雙(乙氧基羰基)乙基、3,3－雙(乙氧基羰基)丙基、4,4－雙(乙氧基羰基)丁基或5,5－雙(乙氧基羰基)戊基。
該式化合物中的X較佳相互獨立地表示F、Cl、CN、NCS、CF3 、C2 F5 、C3 F7 、SF5 、CF2 H、OCF3 、OCF2 H、OCFHCF3 、OCFHCFH2 、OCFHCF2 H、OCF2 CH3 、OCF2 CFH2 、OCF2 CF2 H、OCF2 CF2 CF2 H、OCF2 CF2 CFH2 、OCFHCF2 CF3 、OCFHCF2 CF2 H、OCFHCFHCF3 、OCH2 CF2 CF3 、OCF2 CF2 CF3 、OCF2 CFHCFH2 、OCF2 CH2 CF2 H、OCFHCF2 CFH2 、OCFHCFHCF2 H、OCFHCH2 CF3 、OCH2 CFHCF3 、OCH2 CF2 CF2 H、OCF2 CFHCH3 、OCF2 CH2 CFH2 、OCFHCF2 CH3 、OCFHCFHCFH2 、OCFHCH2 CF3 、OCH2 CF2 CFH2 、OCH2 CFHCF2 H、OCF2 CH2 CH3 、OCFHCFHCH3 、OCFHCH2 CFH2 、OCH2 CF2 CH3 、OCH2 CFHCFH2 、OCH2 CH2 CF2 H、OCHCH2 CH3 、OCH2 CFHCH3 、OCH2 CH2 CF2 H、OCCIFCF3 、OCCIFCCIF2 、OCCIFCFH2 、OCFHCCl2 F、OCClFCF2 H、OCClFCClF2 、OCF2 CClH2 、OCF2 CCl2 H、OCF2 CCl2 F、OCF2 CClFH、OCF2 CClF2 、OCF2 CF2 CClF2 、OCF2 CF2 CCl2 F、OCClFCF2 CF3 、OCClFCF2 CF2 H、OCClFCF2 CClF2 、OCClFCFHCF3 、OCClFCClFCF3 、OCCl2 CF2 CF3 、OCClHCF2 CF3 、OCClFCF2 CF3 、OCClFCClFCF3 、OCF2 CClFCFH2 、OCF2 CF2 CCl2 F、OCF2 CCl2 CF2 H、OCF2 CH2 CClF2 、OCClFCF2 CFH2 、OCFHCF2 CCl2 F、OCClFCFHCF2 H、OCClFCClFCF2 H、OCFHCFHCClF2 、OCClFCH2 CF3 、OCFHCCl2 CF3 、OCCl2 CFHCF3 、OCH2 CClFCF3 、OCCl2 CF2 CF2 H、OCH2 CF2 CClF2 、OCF2 CClFCH3 、OCF2 CFHCCl2 H、OCF2 CCl2 CFH2 、OCF2 CH2 CCl2 F、OCClFCF2 CH3 、OCFHCF2 CCl2 H、OCClFCClFCFH2 、OCFHCFHCCl2 F、OCClFCH2 CF3 、OCFHCCl2 CF3 、OCCl2 CF2 CFH2 、OCH2 CF2 CCl2 F、OCCl2 CFHCF2 H、OCClHCClFCF2 H、OCF2 CClHCClH2 、OCF2 CH2 CCl2 H、OCClFCFHCH3 、OCF2 CClFCCl2 H、OCClFCH2 CFH2 、OCFHCCl2 CFH2 、OCCl2 CF2 CH3 、OCH2 CF2 CClH2 、OCCl2 CFHCFH2 、OCH2 CClFCFCl2 、OCH2 CH2 CF2 H、OCClHCClHCF2 H、OCH2 CCl2 CF2 H、OCClFCH2 CH3 、OCFHCH2 CCl2 H、OCClHCFHCClH2 、OCH2 CFHCCl2 H、OCCl2 CH2 CF2 H、OCH2 CCl2 CF2 H、CH＝CF2 、CF＝CF2 、OCH＝CF2 、OCF＝CF2 、CH＝CHF、OCH＝CHF、CF＝CHF、OCF＝CHF、尤其表示F、Cl、CN、NCS、CF3 、SF5 、CF2 H、OCF3 、OCF2 H、OCFHCF3 、OCFHCFH2 、OCFHCF2 H、OCF2 CH3 、OCF2 CFH2 、OCF2 CF2 H、OCF2 CF2 CF2 H、OCF2 CF2 CFH2 、OCFHCF2 CF3 、OCFHCF2 CF2 H、OCF2 CF2 CF3 或OCF2 CHFCF3 。
式I化合物係藉由本身已為人所習知的方法製備，如文獻(舉例而言，在該等權威著作中，例如Houben－Weyl,Methoden der organischen Chemie[Methods of Organic Chemistry],Georg－Thieme－Verlag,Stuttgart)中所述，確切而言係在習知並適合於該等反應的反應條件下進行。此處亦可使用多種其本身已為人們習知但未在本文中更詳細提及的方法。式I化合物可(例如)如下製備。
本發明亦係關於光電顯示器，尤其係關於MLC顯示器，進一步係關於STN顯示器，該等顯示器具有兩個與一框架共同形成一晶元的平面平行外部板、位於該等外部板上用於轉換個別像素的積體非線性元件及一具有極高光學各向異性及高比電阻並且位於該含有該類介質之晶元中的向列型液晶混合物，並且係關於該等介質用於光電目的之用途。
本發明混合物尤其適合用於快速交換顯示器、TV/監視器組合裝置及高△n TFT應用，例如，投影電視機組、LCoS及OCB。
本發明液晶混合物能夠顯著增寬可利用參數範圍。透明點、低溫下之黏度、熱穩定性及紫外線穩定性及高光學各向異性之可達成的組合係顯著優於上述得自先前技術之材料。
本發明液晶混合物，在低至－20℃並較佳低至－30℃且尤其較佳低至－40℃保持該向列相時，可使得透明點高於60℃，較佳高於70℃，尤其較佳高於80℃，同時介電各向異性值△ε係4，較佳係5，並且可達成一高比電阻值，使得能夠獲得極佳的STN及MLC顯示器。具體而言，該等混合物之特徵在於低運作電壓。TN臨界電壓係低於2.5 V，較佳低於2.0 V，尤其較佳低於1.8 V。
無需多言，借助對本發明混合物各組份之適宜選擇，亦可在較高臨界電壓下達成較高透明點(例如高於110℃)或在較低臨界電壓下達成較低透明點並保持其他有利特性。在相應僅輕微增加之黏度下，同樣可能獲得具有較高△ε及因而低臨界值之混合物。本發明MLC顯示器較佳在該第一Gooch及Tarry透射最小值[C.H.Gooch and H.A.Tarry,Electron.Lett.10,2－4,1974；C.H.Gooch and H.A.Tarry,Appl.Phys.,Vol.8,1575－1584,1975]下操作，其中，除尤其有利的光電特性(例如，特徵線之高陡度及對比之低角度依賴性(德國專利30 22 818))外，於該第二最小值下在與一類似顯示器中相同的臨界電壓下，一更低介電各向異性即足夠。此允許於該第一最小值下使用本發明混合物可達成較包含氰基化合物之混合物顯著更高的比電阻值。借助對該等單獨組份及其重量比例之適當選擇，熟習此項技術者能使用簡單的習知方法設定MLC顯示器之預先規定層厚度所需的雙折射率。
該流動黏度v2 0 在20℃下較佳係<150 mm2 ．s－ 1 ，尤其較佳係<120 mm2 ．s－ 1 並且尤其係<80 mm2 ．s－ 1 。本發明混合物之旋轉黏度γ1 在20℃下較佳係<200 mPa．s，尤其較佳係<180 mPa．s。該向列相範圍較佳係至少90°，尤其係至少100°。該範圍較佳至少自－20°擴展至＋80°。
在液晶顯示器中一短響應時間係人們所期望的。此尤其適用於能夠視頻複製的顯示器。對於該類型之顯示器，需要至多25毫秒之響應時間(總計：to n ＋to f f )。反應時間之上限係藉由圖像再新頻率確定。除旋轉黏度γ1 外，傾角亦可影響反應時間。
電壓保持率(HR)之量測[s.Matsumoto等人，Liquid Crystals5 ,1320(1989)；K.Niwa等人，Proc.SID Conference,San Francisco,1984年6月,p.304(1984)；G.Weber等人，Liquid Crystals5 ,1381(1989)]已顯示，包含式I化合物之本發明混合物與包含式之氰基苯基環己烷或式的酯而非式I化合物的類似混合物相比展示顯著更小的HR隨溫度增加之降低。
本發明混合物之UV穩定性相當佳，即其在暴露於UV下時可展示一顯著更小的HR降低。與得自先前技術的混合物相比較，甚至式I化合物之低濃度(<10重量%)亦可在該等混合物中增加6%或以上的HR。
尤其較佳的式I化合物係式I－1至I－10之化合物：
其中R1 具有式I中指示的含義。R1 較佳表示烷基，進一步表示烯基。
在該等較佳的化合物中，尤其較佳者係式I－1、I－4、I－7及I－10化合物，尤其係式I－1及I－10化合物。
式I及子式I－1至I－10中的R1 較佳表示C2 H5 、n－C3 H7 、n－C5 H1 1 ，進一步表示CH3 、n－C4 H9 、n－C6 H1 3 、n－C7 H1 5 、CH2 ＝CH、CH3 CH＝CH、CH2 ＝CHCH2 CH2 或CH3 CH＝CHCH2 CH2 。R1 特別佳地表示n－C3 H7 。
較佳實施例說明如下：－該介質包含一、二或更多種式I－1至I－10之化合物；－該介質較佳包含至少下列化合物之一 －該介質較佳包含一或多種式I＊ 化合物 其中R1 ＊ 及R2 ＊ 每一皆相互獨立地表示各具有至多9個C原子之烷基、烷氧基、氧雜烷基、氟烷基、烯氧基或烯基，r＊ 表示0或1。
尤其較佳者係式I＊ －1至I＊ －8之化合物
其中烷基及烷基＊ 每一皆相互獨立地表示具有1至6個碳原子的直鏈烷基，及烯基及烯基＊ 每一皆相互獨立地表示具有2至6個碳原子的直鏈烯基。
在化合物I＊ －1至I＊ －8中，尤其較佳者係化合物I＊ －5至I＊ －7。化合物I＊ －5係特別佳者。
－該介質可包含一、二、三或四種式I＊ 化合物。式I＊ 化合物在本發明混合物中的濃度係2至50重量%、較佳係2至40重量%、尤其係5至40重量%。
－該介質可額外包含一或更多種選自由通式II至VI組成之群的化合物：
其中個別基團具有如下含義：R0 烷基、烷氧基、氧雜烷基、氟烷基或烯基、每一皆具有至多9個C原子，X0 氟、氯、具有至多6個C原子之經鹵化烷基、經鹵化烯基、經鹵化氧雜烷基、經鹵化烯氧基或經鹵化烷氧基，Z0 －C2 F4 －、－CF＝CF、－C2 H4 －、－CH＝CH－、－(CH2 )4 －、－OCH2 －、－CH2 O－、－CF2 O－或－OCF2 －，Y1 至Y4 每一皆相互獨立地係H或F，r係0或1。
式IV化合物較佳係
－該介質可額外包含－或多種選自由通式VII至XII組成之群的化合物：
其中R0 、X0 及Y1 － 4 每一皆相互獨立地具有請求項8中所指明含義之－。X0 較佳係F、Cl、CF3 、OCF3 或OCHF2 。R0 較佳表示烷基、烷氧基、氧雜烷基、氟烷基或烯基，每一皆具有至多6個C原子。
該介質可額外包含一或多種式E－a至E－d之化合物
其中R0 具有請求項8中所指明的含義。
－式E－a至E－d化合物之比例較佳係10至30重量%、尤其係15至25重量%。
－式I及I＊ 化合物在該混合物中之合併比例總共係至少5重量%，較佳係10重量%並尤其係15重量%。
－式I化合物在該混合物中之比例總共係0.01至30重量%，尤其較佳係0.5至20重量%。
－式II至VI化合物在該混合物中之比例總共係10至80重量%。
－較佳係,,,或。
－該介質包含式II、III、IV、V及/或VI之化合物。
－在式II至XIX之化合物中之R0 較佳係具有2至7個C原子的直鏈烷基或烯基。
－該介質基本上由式I、I＊ 及XIII至XIX之化合物組成，其中基本上指50重量%。
－該介質可包含較佳選自由通式XIII至XIX組成的下列組群之其他化合物：
其中R0 及X0 具有上文指明的含義。X0 較佳表示F或Cl。式XIII至XIX化合物之濃度較佳係0.05至30重量%，尤其係1至25重量%。
－該介質較佳包含5至35重量%之化合物IVa。
－該介質較佳包含－、二或三種其中X0 表示F或OCF3 的式IVa化合物。
－該介質較佳包含一或更多種式IIa至IIg之化合物
其中R0 具有上文指明的含義。在式IIa至IIg之化合物中，R0 較佳表示甲基、乙基、正－丙基、正－丁基及正－戊基。
－重量比I或I＋I＊ ：(II＋III＋IV＋V＋VI)較佳係1：10至10：1。
－該介質基本上由選自由通式I至XIX組成之群的化合物組成。
－其中X0 表示氟並且R0 表示CH3 、C2 H5 、n－C3 H7 、n－C4 H9 或n－C5 H1 1 的式IVb、IVc及/或IVd之化合物在該混合物中的比例總共係2至25重量%，尤其係2至20重量%。
－該介質較佳可包含一、二或多種且較佳一、二或多種式D－1至D－4之二氧雜環己烷化合物
其中R0 具有上文指明的含義。
二氧雜環己烷化合物D－1至D－4在本發明混合物中的比例較佳係0至30重量%，尤其係5至25重量%，並非常尤其較佳係8至20重量%。
－該介質可額外包含一、二或多種式Z－1至Z－8之雙環化合物
其中R1 a 及R2 a 每一皆相互獨立地表示H、CH3 、C2 H5 或n－C3 H7 。烷基及烷基＊ 每一皆相互獨立地表示具有1至7個碳原子的直鏈的或具支鏈的烷基鏈。R0 具有上文指明的含義。在化合物Z－6及Z－7中，R0 較佳表示直鏈烷基或烯基。
在該等雙環化合物中，尤其較佳者係式Z－1、Z－2、Z－5、Z－6及Z－8之化合物。
－該介質可額外包含一、二或多種具有式AN1至AN11之稠環的化合物：
其中R0 具有上文指明的含義。
－本發明混合物之特徵尤其在於以下事實：其具有>75℃之透明點及<2.0 V之臨界值。
已經發現，即使一相對較小比例的式I及I＊ 化合物與傳統液晶材料(但尤其係與式II、III、IV、V、VI、XIII、XIV、XV、XVI、XVII、XVIII及/或XIX之化合物)混合亦可導致臨界電壓顯著降低，同時觀察到具有低矩列型－向列型轉換溫度的寬向列相，並提高儲存穩定性。同時，該等混合物在暴露於UV下時可展示極佳的VHR值。
術語「烷基」或「烷基＊ 」涵蓋具有1至7個碳原子的直鏈及具支鏈的烷基，尤其涵蓋直鏈基團甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基及庚基。具有1至6個碳原子的基團通常較佳。
術語「烯基」涵蓋具有2至7個碳原子的直鏈及具支鏈的烯基，尤其涵蓋該等直鏈基團。較佳烯基係C2 －C7 －1E－烯基、C4 －C7 －3E－烯基、C5 －C7 －4－烯基、C6 －C7 －5－烯基及C7 －6－烯基，尤以係C2 －C7 －1E－烯基、C4 －C7 －3E－烯基及C5 －C7 －4－烯基。尤其較佳的烯基實例係乙烯基、1E－丙烯基、1E－丁烯基、1E－戊烯基、1E－己烯基、1E－庚烯基、3－丁烯基、3E－戊烯基、3E－己烯基、3E－庚烯基、4－戊烯基、4Z－己烯基、4E－己烯基、4Z－庚烯基、5－己烯基及6－庚烯基及諸如此類。含有至多5個碳原子之基團通常較佳。
術語「氟烷基」較佳涵蓋具有一末端氟的直鏈基團，即氟甲基、2－氟乙基、3－氟丙基、4－氟丁基、5－氟戊基、6－氟己基及7－氟庚基。然而，氟之其他位點並未排除在外。
術語「氧雜烷基」或「烷氧基」較佳涵蓋式Cn H2 n ＋ 1 －O－(CH2 )m 之直鏈基團，其中n及m每一皆相互獨立地表示1至6。m亦可表示0。較佳地，n＝1及m＝1至6或m＝0及n＝1至3。
借助於R0 及X0 之含義的適宜選擇，尋址時間、臨界電壓、透射特徵線之陡度等可以期望方式加以調整。舉例而言，1E－烯基、3E－烯基、2E－烯氧基及諸如此類與烷基及烷氧基相比較通常可導致更短的尋址時間、改良的向列趨向性及一更高的彈性常數k3 3 (彎曲)與k1 1 (張開)之比率。4－烯基、3－烯基及諸如此類與烷基及烷氧基相比較通常可提供更低的臨界電壓及更低的k3 3 /k1 1 值。
－CH2 CH2 －與一單共價鍵相比較通常可導致更高的k3 3 /k1 1 值。更高的k3 3 /k1 1 值舉例而言在具有一90°扭轉的TN晶元內可促進更平坦的透射特徵線(以達成各種灰色梯度)，在STN、SBE及OMI晶元中可促進更陡的透射特徵線(更高的可多工性)，反之亦然。更高的K1 值可促使響應時間更快。
式I及II＋III＋IV＋V＋VI之化合物的最佳混合比率可實質上取決於所期望特性，取決於式I、II、III、IV、V及/或VI組份之選擇，及取決於可含有的任一其他組份之選擇。
涵蓋於上述範圍內的適合的混合比率可根據具體情況容易地確定。
式I＊ 及I至XIX之化合物在本發明混合物中的總量並非極其重要。因此，出於最佳化多種特性之目的，該等混合物可包含一或多種其他組份。然而，式I＊ 及I至XIX之化合物的總濃度越高，觀察到的對尋址時間及臨界電壓的影響通常係越大。
在尤其較佳的實施例中，本發明介質包含其中X0 表示F、OCF3 、OCHF2 、OCH＝CF2 、OCF＝CF2 或OCF2 －CF2 H之式II至VI(較佳係II、III及/或IV，尤其係IVa)之化合物。一與式I化合物之有利的協同作用可導致特別有益的特性。具體而言，包含式I、I＊ 及IVa之化合物的混合物以其低臨界電壓為特徵。
可用於本發明介質中的式I、I＊ 及II至XIX及其子式之個別化合物係已知者或可以類似於該等已知化合物之方法製備。
本發明MLC顯示器自偏光板、電極基板及表面處理電極之製造對應於該類型顯示器之一般結構。術語一般結構在本文中具有廣泛含義且亦涵蓋MLC顯示器之所有衍生產品及改良產品，尤其涵蓋基於多－Si TFT或MIM之矩陣顯示元件。
然而，本發明顯示器與迄今基於扭轉向列型晶元之傳統顯示器的顯著差別在於液晶層之液晶參數的選擇。
依照本發明可使用的液晶混合物係以本身已為吾人習知之方式製備。一般而言，將用量比所需量少之組份溶解於構成主要成份之組份中，該溶解在升高的溫度下實施較為有利。亦可在一有機溶劑中混合該等組份之溶液，例如在丙醇、氯仿或甲醇中，且在徹底混合後再藉由例如蒸餾法來移除溶劑。
該等介電質亦可包含其他熟習此項技術者習知並於文獻中有闡述的添加劑，例如，UV穩定劑(例如得自Ciba的Tinuvin)、抗氧化劑、自由基捕捉劑等。舉例而言，可添加0至15%的多色染料或掌性摻雜劑。在下表C及D中提及了適合的穩定劑及摻雜劑。
C表示一晶相，S表示一矩列型相，Sc 表示一矩列型C相，N表示一向列型相及I表示該各向同性相。
V1 0 表示10%轉換(視角垂直於板表面)之電壓。to n 表示在對應於2.0倍的V1 0 值之操作電壓下的啟動時間，而to f f 表示在該電壓下的關停時間。△n表示光學各向異性。△ε表示介電各向異性(△ε＝ε∥ －ε⊥ ，其中ε∥ 表示平行於縱向分子軸之介電常數且ε⊥ 表示與之垂直之介電常數)。除非另有明確說明，否則光電資料係在20℃下以該第一最小值(即，以一0.5微米之d．△n值)在一TN晶元中量測。除非另有明確說明，否則光學資料係在20℃下量測。
在本申請案及下述實例中，液晶化合物之結構係以縮寫的方式列出，根據下表A及表B轉變成化學式。所有基團Cn H2 n ＋ 1 及Cm H2 m ＋ 1 係分別具有n及m個C原子的直鏈烷基；n及m係整數並較佳表示0、1、2、3、4、5、6、7、8、9、10、11或12。表B中之代碼無需解釋。在表A中，僅指明了母結構之縮寫。在個別情況下，該母結構之縮寫後面緊跟(由一破折號分開)取代基R1 ＊ 、R2 ＊ 、L1 ＊ 及L2 ＊ 之代碼：
較佳混合物組份係於表A及B中列出。
尤其較佳者係除式I化合物外亦包含至少一、二、三、四或多種表B之化合物的液晶混合物。
表C 表C展示通常添加至本發明混合物中的可能摻雜劑。
該等混合物較佳包含0至10重量%、尤其係0.01至5重量%並尤其較佳係0.01至3重量%之摻雜劑。
表D 舉例而言，可以0至10重量%添加至本發明混合物中的穩定劑於下文列示。
以下實例係欲闡釋本發明而非對其加以限制。上文及下文中的百分比表示重量百分比。所有溫度係以攝氏度表示。m.p.表示熔點，cl.p.表示透明點。此外，C＝晶相、N＝向列相、S＝矩列相及I＝各向同性相。該等符號之間的資料代表轉變溫度。△n表示光學各向異性(589奈米，20℃)。流動黏度v2 0 (平方毫米/秒)及旋轉黏度γ1 (mPa．s)每一皆係在20℃下測得。
「常規處理」指：若期望可添加水，用二氯甲烷、二乙基醚或甲苯萃取該混合物，分離各相，乾燥並蒸發有機相，並藉由在減壓下蒸餾或結晶及/或層析純化該產物。
實例1
向一262毫莫耳B 溶於767毫升CH2 Cl2 之冷溶液(5℃)中先添加51毫升三乙基胺及650毫克4－二甲胺基吡啶，再添加262毫莫耳三氟甲烷磺酸酐。然後使反應混合物升溫至室溫並攪拌過夜。添加800毫升正庚烷後，藉由管柱層析法純化產物C 。
將58毫莫耳C 、58毫莫耳D 、87毫莫耳偏硼酸鈉八水合物、1.1毫莫耳雙(三苯基膦)PdCl2 及1.7毫莫耳氫氧化肼溶解於34毫升水及66毫升THF中並在70℃下攪拌過夜。將100毫升水添加至冷卻的反應溶液中。用甲基第三丁基醚萃取後，分離出合併的有機相，用水洗滌並經一常規處理。
將113毫莫耳E 、113毫莫耳F 及275毫莫耳偏硼酸鈉八水合物、2.2毫莫耳雙(三苯基膦)PdCl2 及3.4毫莫耳氫氧化肼溶解於67毫升水及130毫升THF中並在70℃下加熱過夜。將200毫升水添加至冷卻的反應溶液中。用甲基第三丁基醚萃取後，合併的有機相用水洗滌並經一常規處理。
將113毫莫耳I 、10.8毫莫耳H 、152毫莫耳氟化銫及0.49毫莫耳雙(三環己基膦)PdCl2 溶解於30毫升1,4－二氧雜環己烷中並在100℃下加熱過夜。將50毫升水添加至冷卻的反應溶液中。用甲基第三丁基醚萃取後，合併的有機相用水洗滌並經一常規純化。
C 83 SE 112 SA 215 N 237.3 I；△n＝0.3060；△ε＝17.6以類似方法製備式
實例2
將141毫莫耳K 、4.2毫莫耳PdCl2 －dppf(dppf＝二苯基膦基二茂鐵)、423毫莫耳乙酸鉀及155毫莫耳雙戊醯二硼溶解於244毫升1,4－二氧雜環己烷中，並在100℃下攪拌16小時。將水添加至該反應混合物中，用甲基第三丁基醚萃取之。合併的有機相用水洗滌，經硫酸鈉乾燥、過濾並在一旋轉蒸發器中蒸發之。殘餘物在2升矽膠上用庚烷/甲基第三丁基醚(3：1)洗提。
於一氮氣氛中在100℃下將71毫莫耳G 、78毫莫耳L 、141毫莫耳氟化銫、3.55毫莫耳雙(三環己基膦)PdCl2 及396毫升1,4－二氧雜環己烷攪拌過夜。使該反應混合物冷卻，添加水，並用二氯甲烷萃取該混合物。合併的有機相用水洗滌，經硫酸鈉乾燥、過濾並在一旋轉蒸發器中蒸發之。殘餘物於1.5升矽膠上用熱甲苯洗提。
在0℃下將47.4毫莫耳氫化二異丙基鋁(DiBALH溶於甲苯之溶液)添加至溶於240毫升甲苯的23.7毫莫耳M 中，並在室溫下攪拌該混合物過夜。將該反應混合物倒至冰上並用攪拌使其升溫至室溫。在升溫期間，添加稀鹽酸(2N)。用甲基第三丁基醚萃取後，合併的有機相用水洗滌，經硫酸鈉乾燥、過濾並在一旋轉蒸發器中蒸發之。粗產物在500毫升矽膠上洗提。最後，用二氯甲烷/甲基第三丁基醚(1：1)層析該產物。
首先加入溶於2.8毫升脫礦質水中的1412微莫耳KBr，再添加14毫莫耳溶於26毫升二氯甲烷中的N 。在添中141微莫耳TEMPO(2,2,6,6－四甲基六氫吡啶－1－氧基)後，將反應混合物冷卻至0℃。在此溫度下，添加用碳酸氫鈉溶液預先調整至約pH＝8.5的17.7毫莫耳次氯酸鈉溶液(6至14%的活性氯)。攪拌0.5小時後，再次添加次氯酸鈉溶液直至在反應溶液中不再存有起始材料。反應混合物用水稀釋，並用二氯甲烷萃取。合併的有機相用水洗滌，經硫酸鈉乾燥、過濾並在一旋轉蒸發器中蒸發之。
在0℃下將溶於13毫升THF中的6.3毫莫耳第三丁醇鉀添加至溶於12毫升THF中的5.3毫莫耳O 、6.3毫莫耳溴化甲基三苯基鏻中。在室溫下攪拌該混合物過夜。使該混合物酸化並用二氯甲烷萃取之。合併的有機相用水洗滌，經硫酸鈉乾燥、過濾並在一旋轉蒸發器中蒸發之。隨後對該產物實施常規處理。
C 106 SE 124 SC 152 SA 176 N 251.6 I用類似方法製備下式之化合物：
混合物實例 實例M1
PGP－2－3 15.00% 透明點[℃]： 88.0 PGP－2－4 15.00% △n[589 nm,20℃]： 0.2023 PGP－3－2 9.00% △ε[1 kHz,20℃]： 5.0 PCH－301 19.00% K1 [pN,20℃]： 13.0 GGP－2－F 9.00% γ1 [mPa．s,20℃]： 154 GGP－3－F 11.00% V0 [V]： 1.70 CGG－3－F 16.00% PPGU－3－F 6.00%
實例M2
PGP－2－3 14.00% PGP－2－4 14.00% PGP－3－2 10.00% PCH－301 21.00% GGP－2－F 9.00% GGP－3－F 9.00% CGG－3－F 15.00% PPGU－3－F 4.00% PPGU－5－F 4.00%

Claims (13)

  1. 一種基於極性化合物之混合物的液晶介質，該液晶介質之特徵在於其包含(A)一或多種式I化合物 其中R1 表示一具有1至15個C原子的經鹵化的或未經取代的烷基或烷氧基，其中該等基團中的一或多個CH2 亦可各自以一使O原子不直接相互連接的方式由、、-C≡C-、-CH=CH-、-O-、-CF2 O-、-OCF2 -、-CO-O-或-O-CO-替代，X 表示F、Cl、CN、SF5 、SCN、NCS、一經鹵化烷基、一經鹵化烯基、一經鹵化烷氧基或一經鹵化烯氧基，其中該等基團各具有至多6個碳原子，L1 表示F，及L2 及L3 表示H，及(B)一或多種式I*化合物 其中R1 *及R2 *每一皆相互獨立地表示各具有至多9個C原 子之烷基、烷氧基、氧雜烷基、氟烷基、烯氧基或烯基，及r*表示0或1。
  2. 如請求項1之液晶介質，其特徵在於其包含一、二或多種式I-1至I-10之化合物 其中R1 具有請求項1中所指明的含義。
  3. 如請求項1或2之液晶介質，其特徵在於R1 表示烷基或烯基。
  4. 如請求項1或2之液晶介質，其特徵在於其包含一或多種式I*-1至I*-8之化合物 其中烷基及烷基*每一皆相互獨立地表示具有1至6個碳原子的直鏈烷基，及烯基及烯基* 每一皆相互獨立地表示具有2至6個碳原子的直鏈烯基。
  5. 如請求項1或2之液晶介質，其特徵在於其另外包含一或多種選自由通式XIII至XIX組成之群的化合物 其中R0 表示各具有至多9個C原子之烷基、烷氧基、氧雜烷基、氟烷基或烯基及X0 表示F、CN、經鹵化烷基、經鹵化烯基、經鹵化氧雜烷基、經鹵化烯氧基或經鹵化烷氧基，其中該等基團各具有至多6個C原子，表示視情況由Cl、CN或F單或多取代。
  6. 如請求項5之液晶介質，其特徵在於該等式XIII至XIX化合 物一起在該混合物中的比例總共係至少0.05至30重量%。
  7. 如請求項1或2之液晶介質，其特徵在於其另外包含一或多種選自由通式II至VI組成之群的化合物 其中R0 表示各具有至多9個C原子之烷基、烷氧基、氧雜烷基、氟烷基或烯基，X0 表示F、Cl、經鹵化烷基、經鹵化烯基、經鹵化氧雜烷基、經鹵化烯氧基或經鹵化烷氧基，其中該等基團各具有至多6個C原子， Z0 表示-C2 F4 -、-CF=CF、-CH=CH-、-C2 H4 -、-(CH2 )4 -、-OCH2 -、-CH2 O-、-CF2 O-或-OCF2 -，Y1 至Y4 每一皆相互獨立地表示H或F，r 表示0或1。
  8. 如請求項1或2之液晶介質，其特徵在於該等式I化合物在該混合物中的比例總共係0.01至30.0重量%。
  9. 如請求項1或2之液晶介質，其特徵在於該等式I及I*化合物在該混合物中的比例總共係至少5重量%。
  10. 一種如請求項1至9中之至少一項之液晶介質用於光電目的之用途。
  11. 一種光電液晶顯示器，其包含一如請求項1至9中之至少一項之液晶介質。
  12. 一種式I化合物， 其中R1 表示一具有1至15個C原子的經鹵化的或未經取代的烷基或烷氧基，其中該等基團中的一或更多個CH2 亦可各以使一O原子不直接相互連接的方式相互獨立地由-C≡C-、-CH=CH-、-O-、-CF2 O-、-OCF2 -、-CO-O-或-O-CO-替代，X 表示F、Cl、CN、SF5 、SCN、NCS、一經鹵化烷基、一經鹵化烯基、一經鹵化烷氧基或一經鹵化烯氧基， 其中該等基團各具有至多6個碳原子，L1 表示F，及L2 及L3 表示H。
  13. 一種式I-1至I-10之化合物， 其中R1 具有請求項12中指明的含義。
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