TWI378306B - Liquid crystal display device and fabrication method thereof - Google Patents

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TWI378306B
TWI378306B TW097133489A TW97133489A TWI378306B TW I378306 B TWI378306 B TW I378306B TW 097133489 A TW097133489 A TW 097133489A TW 97133489 A TW97133489 A TW 97133489A TW I378306 B TWI378306 B TW I378306B
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Description

1378306 ‘ 九、發明說明： v 【發明所屬之技術領域】 ' 本發明涉及一種液晶顯示裝置(LCD)及其製造方法，尤其涉及—種能夠 - 形成低電阻資料佈線並實現精細通道的LCD及其製造方法。 【先前技術】 消費者對於資訊顯示裝置的興趣不斷增長並且對於可攜式(行動式)資 訊裝置的需求增加，從而對於輕和薄平面顯示器（「ppD」）的研究和商品 g 化已經增加。 °° 在FPD中’LCD是一種利用液晶的光學各向異性顯示影像的裝置4CD 展現傑出的解析度以及顏色和圖像品質，因此LCD已廣泛地應用於筆記型 . 電腦或桌上型電腦螢幕等裝置中。 所述LCD包括一彩色濾光片基板、一陣列基板和在彩色濾光片基板和 • 陣列基板之間所形成的一液晶層。 LCD的結構將參考第1圖來詳細說明。 第1圖為爆炸透視圖，表示先前技術的LCD。 如第1圖中所表示’所述LCD包括一彩色濾光片基板5、一陣列基板 10和在彩色濾光片基板5和陣列基板10之間所形成的一液晶層30。 • 所述彩色濾光片基板5包括一彩色濾光片（〇，其包括複數個實現紅 色、綠色和藍色的子彩色濾光片7,用於劃分子彩色濾光片7並阻障光發送 穿過液晶層30的一黑色矩陣6’以及用於為液晶層30加入電壓的一透明公 共電極8。 所述陣列基板10包括閘極線16和資料線17，這些線垂直和平行地配 置以界定複數個像素區域(P)、TFT、切換元件，它們形成在閘極線16和資 料線17的各個交又處，以及像素電極18在像素區域(P)上所形成。 所述彩色濾光片基板5和陣列基板10以面對的方式利用形成在一影像 顯示區域的邊緣處的一密封劑(圖中未示)附接，以形成一液晶面板，並且彩 色濾光片基板5和陣列基板1〇的附接利用形成於彩色濾光片基板5或陣列 5 1378306 基板10上的附接鍵來完成。 在製造LCD的過程中，執行複數個遮罩製程(即照相 Μ的陣板，耻在產量方㈣要—種驗降健隸量的括 製造ΪΓ。圖至第π圖為剖面圖，依次表示了第丨，⑽的陣列基板的 如第2A圖中所表示’由傳導材料所製成的一閘钟極21透過在一基 板上使用微影蝕刻製程(第一遮罩製程)而形成。 然後，如第2B圖中所表示，—第—絕緣薄膜以
7+非晶_膜依次在具有閘極電極21在其上形成的基板ι。的整U 膜和n+非㈣薄模利_細製程(第二遮罩製程） =性地圖案化，以在閘極電極21上形成由非晶㈣膜所形成的活性圖案 2個情況下’已與活性圖案24相同的形式圖案化的所述n+非晶石夕薄 臈圖案25形成在活性圖案24上。 其^，如第2C圖中所表示’ 一傳導金屬材料在陣列基板1〇的整個表 細製程(第三次遮罩製程)選擇性地圖案化，以在活 ^ 成一源極電極22和一汲極電極23。在此時，在活 性圖案24上所形成的n+非㈣薄賴案的某部 以細刪24及源之_成:歐姆接觸層 ㈣中所表示，第二絕緣膜说在具有_極 和電極23在其上域的陣列基板1()的整個表面上 並且 娜四賴觸，細—部_ 最後，如第2E圖中所身示，—读日日禮播入„ 個蚀ϋ, 透月傳導金屬材料在陣列基板10的整 個表面上4 ’域郷侧錄(帛五料 形成經接觸孔4G紐連接至祕電極23的—料電極μ ” -欠的=贺，Μ的陣列基板的製造過程中，：須執行總共五 -人的微縣，明案侧極電極、活性_、祕電極和祕電極、 6 1378306 接觸孔以及像素電極。 所述微影侧製程是將職於遮罩上的—_轉移至基板上的製程， 土板上沉積了-薄膜以形成想要的_，微影敍職程包括複數個程 光溶液的程序、曝光程序以及顯影程序等，因此複數個微 影蝕刻製程降低了產量。 ηΐί/為肋形細案所設計的遮罩非常貴，隨著應驗製程的遮 罩數量^加’ LCD的製造成本即成比例地增加。 f此，用於製造陣列基板的技術，係透過使用一狭縫(繞射)遮罩的單一 遮罩製程形成活性圖案及源極電極和沒極雜，以執行四次的遮罩製程。 =，狀具有這種結構的LCD，因細生圖案、源極電極和没極電 ，以及貪料線透過執行兩次银刻製程而圖案化，所以一活性尾端突出地留 存鄰近於源極電極、汲極電極和資料線的下部。 ，述活性尾端由相同於活性圖案的純非純薄朗形成，從而突出的 活性尾端在下背光的光下曝露，產生一光學電流。在此時，非晶石夕薄辭 縣的絲微小_反應，並重複地啟動和停用，這導致光學電流 所述光學電流齡與在補像料極處流_信驗合，以扭曲 ^於像素電極的液晶的移動。結果，產生—波形雜訊，以至c 幕上出現一波紋細線。 Α 【發明内容】 《所欲解決之技術問題》 因說明上述情況’已構思出本文中所述的各種特點。示例性 的-個方面提供了 — LCD及絲造方法，能 程來製造一陣列基板。 i早农 妒今的$個方面疋提供—種LCD及其製造方法，能夠透過形成一 j保遵層形成具有低電阻傳導材料例如銅的資料佈線，以防止銅擴散到 下廢。 佈線日^發:方面提供了一種LCD及其製造方法，當形成低電阻資料 佈線時，也能夠實現精細通道。 7 《解決問題之技術手段》 本發明提供了一種LCD，其包括：一閘極電極和一閘極線形成在— 第一基板上；一第一絕緣層，形成在第一基板上；一活性圖案、」歐姆: 觸層和-擴散防護層，形成在閘極電極上；―資料線，與擴散防護層 形成的源極電極/及極電極以及閘極線相交，以界定一像素區域；—第二会 緣層’形成在第_基板上；-接觸孔，透過去除—部分第二絕緣層並曝= -部分汲極電極^形成；-像素電極’經由接觸孔與沒極電極電性連接广 以及一第二基板，以面對的方式與第一基板附接，其中所述擴散防護層包 括突出於源極電極/汲極電極側面的一金屬尖端。 ^ 本發明也提供一種用於製造LCD的方法，其包括：提供一第—基板； 在第一基板上形成一閘極電極和一閘極線；在第一基板上形成一第一絕緣 層，透過使用乾植刻在祕電極壯娜成_雖圖案…歐姆接觸層 和i散防護層，錢透過賴-濕式侧在擴倾上形成源極電極 和汲極電極；在第一基板上形成一第二絕緣層；透過去除一部分第二絕緣 層並曝露-部分祕電極以形成—接觸孔；經由接觸孔以形成與没極電極 電性連接的-像素電極；以及附接第—基板和第二基板，其中與源極電極 和汲極電極相較，所述擴散防護層透過乾式蝕刻包括一金屬尖端突出。 本發明額外的目的、獅、方面和優點將在隨後本發明的詳細描述中 描述，以及部分内容將從描述中顯而易見，或者可透過實施本發明而瞭解 到。本發明的目的和其他優點將透過特別在指述中所指出的結構和在此的 申請專利範圍以及所附圖式說明來實現和獲得。 【實施方式】 以下參考所附圖式對本發明的實施方式中的LCD及其製造方法做更 細的說明。 第3圖為平面圖，表示依據本發明第一示例性實施例中LCD的一部分 陣列基板，其中，為了解釋而表示出包括一閘極墊部分和一資料墊部分的 單一像素。 1378306 事實上，N條閘極線和Μ條資料線彼此交叉形成，以界定ΜχΝ個像 素’但為了簡化解釋，僅表示出單一像素。 如圖所不，閘極線116和資料線117垂直地和水平地配置形成在陣列 基板no f以界定像素區域。-薄膜電晶體(TFT)、一切換元件形成在閘極
線I】6和資料線1Π的交叉處…像素電極m形成在像素區域内與TFT 連接後與彡色縣片基板(圖t未示)的公共電極—起驅紐則圖中未 示）。
所述TFT包括與閘極線116連接的一閘極電極12卜與資料線丨I?連 ，的-源«極122、以及與像素祕118連接的―祕電極⑵。所述τρΓ 逛包括透過在閘極電極121上所提供的間極電麼，用於在祕電極122和 >及極電極123之Μ形成-傳導通道的活侧案(圖中未示）。 -部分源極電極122在-個方向内延伸以形成—部分f料線117，以及 -部分汲極電極123朝向像素區域延伸並經由形成於第二絕緣細中未示) 的接觸孔140電性地連接至像素電極118。 -部分前述的閘極線116與具有第一絕緣層(圖中未示)和兩者之間所插 ^的^二絕緣相-部分像素電極118重疊以形成—儲存電容以。所述儲 子電谷Cst用於料地轉加在液晶電容的賴直到接收到下—個信號。 3基板110的ί素電極118與彩色濾光片基板的公共電極一起形成 t谷且 <而5，直到接收的到下一個信號，加在液晶電容上的電 漏。因此，為了均勻地維持所加入的電壓，儲存電容& 應與液晶電谷連接。 除了維持㈣之外’儲存電容還可具有穩定灰階顯示 減少殘像形成等侧。 明賊應 ^ ’依據播明示罐實施例的LCD中，雜隨和資料佈線(即， ϋ電^和汲極電極以及資料線)透過使用半色調遮罩或 因此陣聽板可_總共财的遮罩程縣製造。 < 轉程而瓜成 r目為資料佈線需要抑制信號延遲或崎作為傳送資料 減的方法，所以資料佈線由低電阻導線如銅所製成。依據本發明示例性 9 工378306 7例的LCD中’為了防止鋼擴散到下層，在f料佈線的下物 一起擴散防護廣。這個將藉由LCD的製造方法進地: =圖至第4D圖為第3圖中的陣列基极沿線肠術、皿攝，和 的剖面圖，依:人表示製造程序，即，依次表示 部的陣列基板_造程序。 像素 圖至第5D圖為平面圖，依次表示第3圖中陣列基板的製造程序。 祕从第4A圖和第5A圖令所表示，閘極電極121和閉極線116在由透明 邑緣材料所製成的陣列基板110的像素部所形成。 在這個情況下，閘極電極121和閘極線116透過在陣列基板110的整 =二3第一傳導膜而形成’並藉由微影敍刻製程(第一遮罩製程)選擇 此處，所述第-傳導膜可由低電阻不透明傳導材料例如銘⑽、銘合 金、鎢(^)、銅(Cu)、鉻(cr)和淘_)等所製成。而且，所述第一傳導膜; 透過堆疊兩個或更多的低電阻傳導材料來形成具有多層的結構。 、 “其次，如第4B ®和第5B圖情表示，一第一絕緣層此、一非晶石夕 缚膜、- n+非晶石夕薄膜、一阻障金屬、以及一第二傳導膜形成在其上:成 f閘極電極121和閘極線116的p車列基板11〇的整個表面上，然後藉由微 影侧製程(-第二遮罩製程)選擇性地去除，以形成由非晶石夕^所^成的
活性圖案124以及位於陣列基板11()的像素部的活性圖案124的源極電極 和及極電極電性連接的源極電極122和汲極電極123。 另外，由第二傳導膜所形成的資料線117透過使用第二 在陣列基板1Κ)的資料_。 罩敦程七成 在此時，由η+非晶石夕薄膜和阻障金屬所製成的一歐姆接觸層125η和一 擴散防護層135形成在活性圖案124的上部。在這個情況下，如果資料佈 線由低電轉導材料例如鋼來«，刺賴散喊層I35可防止鋼擴散 到下層。 、 另外’在資料線117下面，形成有第二非晶矽薄膜圖案120，，、一第三 ^非晶石夕薄膜圖案125”,、以及一第三圖# 13〇，，，，每一個圖案都由非晶石夕 薄獏、η+非晶矽薄臈、和阻障金屬所形成。 朗 1378306 此處，在本發明中，活性圖案124、源極電極122和汲極電極123、以 &資料線117晴使用半色趣罩藉由單—遮罩製程(第二遮罩製程)而形 成。所述第二遮罩製程將參考所附圖式來詳細地描述。 第6A圖至第6H圖為第4B圖中陣列基板的剖面圖，表示依據本發明 第一示例性實施例中的第二遮罩製程。 如第6A圖中所表示，在形成具有閘極電極121和閘極線ιΐ6之陣列基 板no的整個表面上，形成有第一絕緣層115a、非晶石夕薄膜12〇、轉曰:曰 矽薄膜125 '阻障金屬13〇和第二傳導膜15〇。 在這個情況下，在本發明的第一示例性實施例中，第二傳導薄膜由銅 這樣的低電阻傳導材料所製成，以形成資料饰線，即，源極電極、沒極電 極和資料線’並在這個情況下，為了防止鋼擴散至n+非晶矽薄膜125，即 下層，阻障金屬130 # MoTi在第二傳導膜150 τ形成具有一厚度大 100Α 至 500人。 '在下文中，如第6Β圖中所表示，由感光材料如光致抗蝕劑所製成的一 .感光膜170形成在陣列基板11〇的整個表面上，光藉由半色調遮罩180選 擇性地照射在其上。 所述半色調遮罩180包括-第-發送區域①，其允許照射的光從其中 整體地發送’-第二發送區域⑼，其允許僅—些光從其中發送而阻擋^餘 的光，以及一阻擋區域(ΠΙ)，其整體地阻擋照射的光。僅透過半色 • 18〇發送的光可照射到感光膜170上。 ° 後來，當已藉由半色調遮罩180曝露的感光膜17〇顯影時，如第6C圖 中所表示，第一至第四感光膜圖案170a至17〇d殘留在一些區域中，其中 光已藉由阻擋區域(ΙΠ)和第二發送區域(11)整體地阻擋或部分地阻擋，並且 光已整體地藉由位於發送區域(I)發送的感光膜已完全去除，以曝露第二傳 導薄膜150的表面。 ^在此時，形成於阻檔區域(ΙΠ)的第一至第三感光膜圖案i70a至17〇c較 藉由第二發送區域(II)所形成的第四感光膜圖案170d為厚。而且，位於光已 整體地藉由第一發送區域(1)發送的區域的感光膜已完全去除。這是因為已 使用了正向光致抗蝕劑，但並不限制於此，負向光致抗蝕劑也可用於本發 1378306 明中》 隨後’所述了阻障金屬和第二傳導膜透過制作為遮罩的第—四 j膜圖案170a至1·以選雜地去除，以在陣列基板11〇 由阻障金屬和第二傳導膜所形成的第―圖案⑽，和第-傳導膜^ 另外’由阻障金屬和第二傳導膜所形成的一第二圖案23〇，，和 膜圖案250”形成於陣列基板11〇的資料線部。 ^個情況下’所述阻障金屬和第二傳導膜使用浸潰儀刻方法或 由財侧而選擇性地去除。如果執行濕式侧，則所述阻障 二傳導膜等向地齡】，g卩，過度侧，以具有—寬度小於上第一至 四感光膜圖案170a至170d的寬度。 弟 隨後’下非晶石夕薄臈和n+非晶石夕薄媒透過使用作為遮罩的第 =臈圖案ma至170d選擇性地去除，以在如第6D圖中所表示的陣=基 _膜=:;==^:—所形成的第‘ 220,1^由非㈣，細和轉_義所形觸—第二非轉薄膜圖案 220和:第二非晶梦薄膜圖案奶，，形成於陣列基板】㈣資料線部之處。 個情況下’非砂薄膜和n+非㈣薄職過使祕刻氣體藉由乾 式侧而選擇性地絲，邱此，第—非晶㈣麵㈣◦，、第—η稭由^ 第二非晶石夕以及第二奸非晶石夕薄膜‘ 大致上以如第-感麵圖案17Qa、第二感細_丨爲和第四感光膜 圖案170d的同一形式來圖案化。 、 /其後，執行灰化製程以去除部分第一至第四感光麵案隱至md。 如第6E ®中所表示，位於第二發送區域⑼的第四感光膜圖案完全 去除。 円素至第三絲_案分麵餘孩作為第五感光膜 Γϋ Ϊ _隱，，職麵厚度_财與_區域⑽ 對，白勺源極電極區域、汲極電極區域和資料線區域上去除第四感光膜圖案 的厚度而獲得。 · 12 1378306 其後’如第6F圖中所表示，第一圖案230,、第二圖案230”、第一傳導 膜圖案250’和第二傳導膜圖案250”透過使用剩餘下來作為遮罩的第五至第 七感光膜圖案170a至170c’藉由濕式餘刻而選擇性地去除，以在睁列基板 110的像素部之處形成由第二傳導臈所形成的一源極電極222和一沒極電極 223以及由阻障金屬所形成的一擴散防護層235。 另外，由第二傳導膜所形成的一資料線217和由阻障金屬所形成的一 第二圖案230’”形成於陣列基板Π0的資料線部之處。
所述擴散防濩層235用於防止構成源極電極222和沒極電極223的銅 擴散到下Π+非晶矽薄膜内，並且源極電極222和汲極電極223、擴散防護 層235、資料線217和第三圖案230，，，經過度蝕刻具有一寬度小於上第五至 第七感光膜圖案170a’至170c’，因為執行了濕式餘刻。 其後，下第-非晶㈣麵案的上表面以及第-和^n+非晶石夕薄膜 圖案透過使用作為遮罩的第五至第七感光麵案施，至隱，選擇性地去 =’以，第6G圖和帛6H圖中所表示的陣列基板n〇的像素部之處形成由 非晶矽薄膜所形成的活性圖案224。 在此時’由n+非aB石夕薄臈所形成的一歐姆接觸層225n形成於活性圖案 μ上指允許活性圖案224的源極區域和沒極區域以及源極電極222和 沒極電極223彼此歐姆接觸。 列其起ηή 非晶碎薄膜所形成的—第三奸非晶料膜225，，，形成於肖 列基板110的賢料線部之處。 乾式第—n+非㈣薄膜圖案和第二n+非晶#薄膜圖難 案225，，=^^除’並因此’歐姆接觸層2祝和第三n+非晶石夕薄膜廣 化。 ’、第五至第七感光膜圖案驗，至170c，相同的形式來圖葬 第；：實施例中，用於資料佈線的第二傳導膜和阻障金 ^猎由誠糊來伽卜在這個情況下，縣在銅和麻之間有相當大 各體濕式蝕刻製程 Ϊ 小 10 倍，ήί· LV a 加濕式姓刻偏差’使其很難」
MoTi具有一蝕刿屮盘鉍加, 一叫取你-入双的逋暹長度叫。即， 加濕式倫·斗二」、.1〇倍，所以由於MoTi延長侧製程時間而增 ’精細通道。 現· 13 1378306 藉由執行兩次濕式姓刻製程，活性圖案224或第二奸非 220’的側面與源極電極222和沒極電極奶或資料線217的寬度相較^ 令了2 TW，而形成產生波狀雜訊的活性尾端。另外，在通道^式钱ί 後，藉由乾式蝕刻對η+非晶矽薄膜蝕刻，因而與源極 223相較，產生了突出的η+尾端，使通道長離)的界定變得模^及極電極 金屬實施例中’具有較_濕式_比率為低的阻障 尖==:\因此縮短刪程時間並且可藉由形成金屬 奴。本發_第二實補㈣二遮補轉參考所附
第-第/H至第7Η圖為第4Β圖中陣列基板的剖面圖’表示依據本發明 第二群製程’其中，執行依據本發明第一實施例 的第一遮罩製程大致上相_製程，除了阻障金屬賴刻製程。 如第7A圖中所表示，在其上形成有閘極· 121和閘極線ιι6的陣列 基板no的整個表面上形成一第一絕緣層115a '一非晶石夕薄膜12〇、一肝 非晶矽薄膜125、一阻障金屬13〇和一第二傳導膜15〇。 在本發明第二示例性實施例中，第二傳導膜由鋼這樣的低電阻傳導材 ;斗所製成’以形成資料佈線，即，源極電極 '汲極電極和資料線，並在這 個情況下’為了防止鋼擴散到n+非晶石夕薄膜125，也就是下層，在第二傳 下面_輔__。71喊具有—厚度调祕至 其後，如第7B圖中所表示，由感光材料如光致抗敍劑所製成的一感光 臈170形成在陣列基板110的整個表面上，光藉由半色調遮罩18〇在盆上 選擇性地照射。 〃 隨後，當已藉由半色調遮罩180曝露的感光膜17〇顯影時，如第7C圖 中所表示’第-至第四感光臈圖案隐至i观保留在一些區域，其中光 已藉由阻擋區域⑽和第二發送區域⑼整體地阻擋或部分地阻擋，^且光 已透過位於發送區域(I)全部發送的感光膜已完全去除，轉露第二傳導膜 150的表面。 隨後’下第二傳導膜透過使用作為遮罩的第—至第四感光膜圖案隱 1378306 至17〇dii擇性地去除’以在陣列基板110的像素部之處形成由第二傳導膜 =的一第一傳導膜圖案150，’以及在陣列基板110的資料線部之處形 成由第一傳導膜所形成的一第二傳導膜圖案150”。 在此時，所述第二傳導膜經等向刻，，過度敍刻，以具有一寬度 小於上第一至第四感光膜圖案170a至170d。 又 ，後’下非晶石夕薄膜、n+非晶石夕薄膜、以及阻障金屬透過使用作為遮 罩的第-至第四感光膜圖案17如至】選擇性地去除，以在如第7〇圖令 所表不的陣職板110的像素部之處形成由非晶妙薄膜、n+非晶石夕薄膜以
金屬所形成的-第一非晶梦薄膜圖案12〇,、一第一 n+非晶石夕薄膜圖 案125、和一第一圖案130,》 另外，由非晶矽薄膜、n+非晶矽薄膜和阻障金屬所形成的一第二 =薄:案U0”、-第二非晶石夕薄膜圖案125,，、和—第二圖案清，^成二 陣列基板110的資料線部之處。 雜i j情;兄τ ’非晶赠膜、n+非砂薄膜和_金屬藉由乾式敍刻 ，擇性地去除，並因此，第-非晶石夕薄膜圖案120,、第一肝非晶石夕薄膜圖 =55，’，=圖案130、第二非晶石夕薄膜圖案120，，'第二_晶_ =二圖案130，，大致上以與第一感光膜圖案170a、第二感光膜圖 案170b、和第四感光膜圖案17〇d的同一形式來圖案化。 /其後’執行灰化製程以去除部分第一至第四感光顚案隱至⑽。 =，如第7E κ中所表示，位於第二發送區域⑼的第四感光膜 地去除。 在這個it况τ m感細圖案分卿餘作為第五感光膜圖案 170a，至第域光關案隱，，具有—厚度透難在與_輯㈣對應的 源極區域、雜電極區域和資料線區耻去除第四絲麵案而獲得。 •、其後’如第7F圖情表示，第-傳導膜圖案15〇，和第二傳導膜圖案15〇” 透過使用作為遮罩的剩餘的第五至第七感光膜圖案施，至衝藉由渴式 侧而選擇性地嫌，以在陣列基板11G的像素部之處形成由第二傳導膜 所形成的-祕電極m和-職電極123，以及在_級11G的資料線 部之處形成由第二傳導膜所形成的一資料線117。 15

Claims (1)

  1. 十、申請專利範圍： 置的方法’其包括： 1. -種用於製造一液晶顯示裝 提供一第一基板； 一問極線； 在所述第-基板上形成-[絕緣層； 透式綱麵述閘極電極的上娜成-活賴案、一歐姆接觸 ㈣搞散m並_使用-濕式侧在所频散防護層上形 成/原極電極和沒極電極； 在所述第—基板上戦-第二絕緣層； 透過去除-部分所述第二絕緣層並曝露—部分所述汲極電極，來形成一 接觸孔； 形成經由所述接觸孔與所述沒極電極電性連接的一像素電極；以及 附接所述第一基板和第二基板， 其中’與所述祕電極和赌電極她，所賴肋護層透過一乾式触 刻包括一金屬尖端突出。 2·依據㈣專利第1項所述的方法，其中，在所述第-基板上所述活 性圖案、所述源極電極和汲極電極、以及所述擴散防護層的形成包括： 在所述第一基板上形成一第一絕緣層、一非晶矽薄膜、一 n+非晶矽薄 膜、一阻障金屬、和一傳導膜； 透過使用一半色調遮罩在所述第一基板上形成具有第一和第二厚度的一 第一感光膜； 透過使用作為一遮罩的所述第一感光膜圖案藉由濕式蝕刻來選擇性地去 除所述傳導膜，以在所述閘極電極的一上部形成一第一傳導膜圖案； 透過使用作為一遮罩的所述第一感光膜圖案藉由乾式蝕刻來選擇性地去 除所述非晶矽薄膜、所述n+非晶矽薄膜、和所述阻障金屬，以在所述 第一傳導膜圖案的一下部形成由所述非晶矽薄膜、所述n+非晶矽薄 膜、和所述阻障金屬所形成的一第一非晶矽薄膜圖案、一第一 n+非晶 矽薄獏圖案、和一第一圖案； 藉由一灰化製程以去除一部分所述感光膜圖案，以形成具有一第三厚度 22
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