TWI378160B - Charge restraining method and apparatus for piezo-electric oxide single crystal - Google Patents

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1378160 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明侧於-種在彈性表面聲波魏器之壓電基板等中所使用的壓 電性氧化物單晶之抑制帶電處理方法及抑制帶電處理裝置。 【先前技術】 魄鐘(UT撕晶，銳酸__單晶作為壓電性氧化物單晶為人 鲁們所共知’被廣泛應用於彈性表面聲波錢器⑽遽波器〉之壓電基板等的 製造中。另外，這兩種單晶作爲非線性光學結晶，也被應用於大容量高速 通信網路_料之細繼、波長變換元件等之光顧製品。這兩種單 晶係俱有焦電⑽數大、阻抗高之概，因此些微的溫錢化即可使其 表面產生電4並且’-旦產生的電荷經積蓄後，如未經過外部除電處理， 帶電狀態將一直持續。 例如，光調制器將光直接傳導至光導波路或單晶之内部。透過向單晶 •施加電場而控制光的調制。此時，即使閉合電場後單晶表面仍殘留錢曰 場，則殘留電場也會導致光發生轉換。此外，溫度之變化也會令其表面產 生電荷，屈折率也隨之發生變化。 同時，在彈性表面聲波m的製造過程中，壓電絲表面形成電極 薄膜，及光刻法之預烘及後烘等工程與壓電基板溫度變化有關。因 # 虽 壓電基板使用到钽酸鐘單晶及鈮酸鋰單晶時，在彈性表面聲波濾波器的製 造過程中將會出現壓電基板產生靜電之問題。 5 1378160 壓電基板帶電後’其内部將產生靜電放電，引起開裂或斷裂，甚至出 财壓電基板表面形成之電極因靜電而短路的可能性。另外，在製絲程 中產生的微細金屬粉末及塵埃等會被靜電則至壓電基板表面可能造成 電極短路，或導致電極處於開放狀態而遭到損壞。 考慮到上述壓電基板之帶電因素，在製造彈性表面聲波渡波器時，可 以有很多解決辦法。例如，設置離子發生除電器等可中和壓電基板表面電 荷之除電設備，錄子魏微鮮可啦麵織粒謂屬設備。 •另外’在彈性表面聲波濾波器的製造過財，可在形成電極薄膜之前於壓 電基板之内側預先增設可去除帶電之導電性膜的形成工程或者在形成電 極薄膜後，增設清洗壓電基板之二次清洗工程。 另外’從抑制組酸鐘單晶及銳酸鐘單晶本身之帶電行爲的觀點出發， 如日本特開平丨卜歸號公告（以下_專利文獻Μ揭示了在還原性氣 體私兄中’對由该單晶所製成晶片進行熱處理之方法。另外，在日本特開 2004-35396號公告(以下簡稱專利文獻2)中，揭示了將金屬擴散至上述晶 Φ 片中之方法。 例如，麵酸鐘單晶的磁氣變態點約為6〇3t：，因此，當組酸鐘單曰曰處 於超過靴高溫狀態時，其«性將會喪失。因此，在考慮顺酸:曰 之屢電性時，不宜對其進行高溫熱處理。而且，在還原性氣體氛圍中，即曰曰 使在棚〜左右比較低的溫度下對组_單晶晶片進行熱處理，也僅 可使其表面得到還原。因此，根據上述專利文獻1所記載的在還原氣體中 進行熱處理之方法，錄相既不觸滅麟晶⑶紐，又能抑制帶 1378160 電之目的。 另外’正如刚述專利文獻2中所示，向單晶中擴散亜錯等金屬時因 其他元素的狀可錢磁氣變態點發生變化，壓電性也隨之發生變化。另 外，由於該金>1堆積於晶>;的表面，故在處理結束後必須去除該金屬堆積 物。而且，當使用反應性激烈的金屬時，將無法控制晶片之還原程度。 【發明内容】 本發明鑑社叙問_，提供—齡無損㈣電性之前提下能夠 抑制组雜單晶及㈣料晶之帶電的處理方法，及便於實施該處理方法 的處理裝置。 ⑴本發明之麵性氧化物單晶的抑制帶電處理方法之特齡，將组酸 鐘單曰曰或者織料晶製成之晶片和含有喊金屬化合物之還原劑一同放入 處理容器後’對該處理容器内部進行減壓，且保持露c以上⑽代以下 的溫度’還原該晶片。 本發月之抑制帶電處理方法係將採用組酸鐘單晶（以下簡稱Μ單 晶”。）或者鈮酸鐘單晶（以下簡稱“_晶”。）製成之晶片和還原劑一 起在減壓的條件下，加熱至指定之溫度並保溫。構成還原劑之减金屬化 合物在-定的胁下蒸發成為具有高還原力的蒸氣。“處於該蒸氣環境 中，即由表關始依次得到翻。而且，透過持續供給還使還原反應 連續進仃，可使“整體得到均城原。另外根據本伽之抑制帶電處 理方法’可以把處科_短_來㈣分之丨以下，從而提高了生產效 率。 7 1378160 經過還原處理’晶片阻抗降低。因此，還原後的晶片，即使溫度發生 變化也很難產生電荷。而且，即使晶片的表面產生電荷也可立即自行中和， 去除電荷。故採用本發明之抑制帶電處理方法，可有效地抑霞單晶或ln 單晶所製成晶片的帶電。 此外，本發明之抑制帶電處理方法採用反應活性比較穩定的域金屬化 合物作為還原劑，因此’還原劑不但易於操作使用，而且安全性亦高。同 時’透過對還原劑的種類、使用量、配置方式'處理容器内的真空度、溫 • 度以及處理時間的適當調整，可以控制晶片的還原程度。 根據本發明之抑制帶電處理方法進行處理後的晶4不易帶電，故易於 操作使用，且安全性高。另外’如使用本發明製成之晶片作為壓電基板，並 使用於彈性表面聲波滤波讀製造時，可無需設置除電設備等，從而大幅 降低成本。同時’因無需增設除電之製造工程，故提高了生產效率。該晶 片製成之壓電基板’在保管及使用中不易發生靜電，故減少了彈性表面聲 波遽波器性能上之不良。另外’將該晶片顧於光調，波長變換元件 鲁等光應用製品時，可以抑制殘存電荷所造成之變化以及電荷的發生所造成 之屈折率變化，從而提高光應用製品的可靠性。 ⑵在本發明之抑制帶電處理方法中，從LT單晶製作晶片日寺，該晶片的還 原溫度應抑制在200°C至600°C之間的範圍内。 如上述所LT單晶在超過的高溫環境下將喪失其壓電性。 所以’在還原由LT單晶製成的晶片的時候，應控制在6〇(rc以内比較低的 溫度下進行處理。由於在本發明之抑制帶電處理方法中使用了高還原性碱 8 1378160 金屬化合物，故即便在60(rc以下的溫度，晶片整體亦可被充分還原。在較 低的溫度下進行還原處理，可達到既不損害壓電性又能抑制LT單晶及ln 單晶的帶電之目的。 ⑶在本發明之抑制帶電處理方法巾，“的還縣控制在133xl(T〜 133x10 7Pa的低壓狀態下進行。透過提高處理容器内的真空度即使在比較 低的溫度，亦可將碱金屬化合物轉換為高還原力的蒸氣。 (4) LT單晶及LN單晶中的氧元素與㈣結合力極強，因此，在還原處理時， ® 氧兀素處於與經結合的狀態，也就是氧化鐘的狀態時很容易被釋放出。其 、’。果以成單晶幢濃度的下降，使槪组⑻的比率發生變化從而出現 壓電性發生變化的可能。 因此，用於還原劑之域金屬化合物最好選用鐘化合物。這樣，還原劑 所供給的_何以與單晶中的氧元素發生反應。因此單晶中雜原子難 以破釋放出’耻㉟⑻的比率不會發生變化，也不會造賴電性降低。 另外’因爲鐘是單晶的結構成分之一，故無需擔心因其他元素的混入而造 • 成汚染。 ⑸在本發明之抑制帶電處理方法中，作為還原劑之域金屬化合物可採用與 日日片刀別配置方式’或將晶片埋入還原劑t的方式來進行晶片的還原。在 述方式t可使用粉末狀或顆粒狀的域金屬還原劑。因爲蛾金屬化合物 的粉末或顆粒等可以原封不動地使用，易於操作。且將晶片埋入還原劑中 時’還原射贿高濃度狀態τ接觸晶片的表面，促進“的還原。 ⑹另外，當還麵侧化合_或者分制溶射的侧化合物 1378160 溶液時，還可採用將還原劑與晶片分別配置，或者將晶片浸漬在還原劑十， 再或者將還原劑塗裝於晶片表面進行晶片還原的方式。 此方式中使用之還補械金屬化合物溶液，將齡屬化合物溶解 或者分散至有機溶劑中後，透過加熱該溶液可產生氣體。由於該有機氣體 甲充滿減金>1化合物的蒸氣，故可提高齡屬與晶片的反應性.。所以晶片 整體將毫無遺漏地得到還原。另外，將晶片浸潰於該溶液令或將該溶液塗 裝於晶片表面時，還原劑處於高濃度狀態接觸晶片表面有利於促進晶片 φ 的還原。 ⑺本發明之舰性氧化物單晶的抑解電處理裝置的概為包括可以收 容组酸鐘單晶或者銳酸鐘單晶製成之晶片和含有减金屬化合物還原劑之處 理容器’及可將該處理容器内部溫度加熱至·。C以上騰C以下之加熱 方式、及降低該處理容器内部壓力之減壓方式。 本毛月之抑制帶電處理裝置係採用加熱方式加熱處理容器内的晶片及 還原劑，採用減壓方式降低處理容器内部的壓力。因此，根據本發明之抑 春制帶電處理裝置可以簡單容易地實施上述本發明之抑制帶電處理方法。同 時，因還原劑使用反應性比較穩定之碱金屬化合物，故本發明之抑制帶電 處理裝置安全性高。另外，本發明之抑制帶電處理裝置的最佳方式係基於 前述本發明之抑制帶電處理方法。 【實施方式】 以下就本發明之抑制帶電處理裝置的實施方式加以說明之。另外，在 説明本發明之_帶電處理裝置實财式㈣時…並説明本發明之抑制 帶電處理方法。 (1)第一種實施方式 先说本實知方式之抑制帶電處理裝置的構成加以說明。圖i顯示了 抑制帶電處峨術，顯㈣繼W綱之示範例。 圖斤丁抑制f電處理裝置i由處理容器2、加熱器3及真空幫浦 構成。 处理合裔2為石央製。處理容器2的-端與配管連接，處理容器2中 ^排乳透過與之相連的配管進行。處理容器2收容了晶片训及氯化鐘粉末

。。曰晶片5〇係由石英製晶片箱5】所支援，晶片50係由4n_X cut的LT 構成曰日片50的直從為4英付(約1〇·伽），厚度為〇. 5麵。晶片閒 以約5mm的間隔配置50枚。 氯化鐘粉末60收容在與晶片5〇不同之其他石英玻璃製容器Μ内，氣 化裡卷末6G為本發明所使用之還原劑，氣化崎末即的收容量為廳&。 加熱器3以覆蓋方式配置在處理容器2的周圍。加熱器3作為加熱方 式包含在本發明之抑Wf處雜獅構成之内。 真空幫浦4透過配管與處理容器2相連接。真空幫浦4用於排泄處理 谷器2内部的氣體，使處理容器2内部處於真空。真空幫浦*作為減壓方 式包含在本發明之抑制帶電處理裝置的構成之内。 其次，以Μ本實财式之抑制帶f處縣置進行抑鮮魏理的一 個例子進行説明。首先，利用真空幫浦4使處理容器2内部處於挪左 1378160 右的真空狀態。之後’利用加熱器3對處理容器2進行加熱，使處理容器2

内部的溫度在3小時内上昇至55(TC。當處理容器2内部的溫度達到挪。C 後，在該狀態下保溫18小時。之後，關閉加熱器3，使處理容器2内部自 然冷卻。 按照本實施方式可以獲得下顺果。即，在本實施方式_，還原劑使 用了氣化链粉末60，可使還原劑所供給的鐘原子與LT單晶㈣氧元素發生 反應，而使得u單晶中驗原子難以被釋放出單晶中紙组比 率不會發生變化，Μ性Μ會降低。糾，由於_ LT單晶之構成成分， 故無需擔他元素的混人而產生汚染。同時，氣化轉末_於處理 操作使用，可以安全地進行抑制帶電處理。 在本實施方式中，使用了 100g氣化鐘粉末6〇。根據預備實驗結果， 按照上述處雜件⑽。C、18小時)所消耗之氣化崎末量約為衡。因此， 按照本實财^ ’可以連續進行縣反應，使晶# 5請體制均自地還原。 從實驗結果可以看到，本方式可以有效地抑制晶片5()的帶電。 在本實施方式下，因為處理容器2内部達到133pa左右的真空狀態 後’氯化贿末60形成了高還原力的統。所以，還原處理碰可在55〇 c進仃’同時還可在不損害壓電性的前提下對晶片5〇整體進行還原。 (2)第二種實施方式 第-種實施方式與第一種實施方式之不同點係改變了還原劑之種類及 置方式此外之構成均與第一種實施方式相同。故在此僅對其不同點進 行說明。 1378160 圖3顯不了在本實施方式中晶片及還原劑的配置狀態之示範。在圖3 中，與圖2相對應的部材採用與圖2相同的記號。如圖3所示晶片如的 兩側表面塗裝了以刚g鈽贿末溶解於聚乙稀醇之碳酸鐘溶液犯，該碳 液62為本發明中使用的還原劑。晶片5〇的塗層工程是將晶片浸 貝至眺鐘溶液62令，在晶片5〇的表面塗裝碳酸鐘溶液m後於室溫及 2〇0 C下進行乾燥完成。在處理容器2内部，僅設置了保持晶片5〇之晶片 相5卜並以與第一種實施方式相同之方式進行抑制帶電處理。 _ 根據本實施方式，除了穫得在第-種實施方式巾制的糊效果外， 還取传如下所不效果。即，在本實施方式中，使用了碳酸鐘溶液62作為還 原劑石反酸鐘溶液62加熱後可以產生有機氣體。因爲該有機氣體中充滿了 石反酸鐘的蒸氣，故促進了晶片50的還原。同時，碳酸鐘溶液62被配置在 接觸到晶片5G表面的位置，進—步促進了晶片5Q的還原。 (3)其他實施方式 以上説明僅對本發明之抑制帶電處理裝置的實施方式作出了閣述。然 鲁而，本㈣之抑卿魏理裝置之實施方式奸只局限於前述之實施方、 式’同業人士可以根據各自的知識，進行各種改變、改良，施行各種實施 方式。 & 例如’上赌财絲針對LT單晶所製叙^進行的抑制帶電處 理。此外，也可用於處㈣單晶所製成之⑼，並且也可明時處理^種 單晶製成之晶另。進—步而言’上述方式也可用於處理添加有鉄等金屬元 素之單S曰或疋LN單晶製成之晶片。上述情況中，通常可添加的金屬有 1378160 . 錄、銅、猛、钥、钻、鎳、亜错、碳、鎂、鈦、鎢、銦、錫及希土類元素 等。另外，上述元素的添加量，如以單晶整體重量為胸t%計算時，其添 力里在〇. 01 wt%至j 〇〇 wt%以内即可。添加有敛等金屬元素的U單晶等 係俱有電荷中和特性，可以自行中和去除表面電荷。透過還原由上述單晶 成之Ba# 了以更有效地抑制晶片之帶電。另外，上述方式對所使用 s曰片之械、研磨狀鮮無制限制。比如可直接使用由單晶直接切割為 任意所需厚度的晶塊，也可使用經鏡面研磨後的晶塊。 • 上述實施方式並不限定構成還原劑之械金屬化合物的麵，譬如，當 使用鐘化合⑽，除可使用前述實施方式所使狀氣健、碳_之外， 也可使用氫氧化鐘等。另外，也可使用鐘化合物以外之域金屬化合物具 體的還原_金射以為碳酸鈉、氫氧化鱗之献合物，還可以使用碳 酸鉀、氫氧化卸、氣化卸等之卸化合物。這些域金屬化合物可各自單獨使 用’也可二種以上並用。

第-種實施方式係將還原劑與晶片進行分別配置，同樣也可將晶片埋 入還原射進行抑制㈣歧。或者，還補也可細含树頓化合物 之氣體。這種纽下，在·"定的條件下將含有减金屬化合物的氣體導入處 理容器後’進行_帶電處轉可。或者，可向處理容H巾連續供給含有 碱金屬化合物之缝，邊魏邊進行抑卿電處理。 第二種實施方式係使用域金屬化合物溶液作為還原劑，這種情況下， 最好使狀_應輕真餘態下私生魏之《。譬如，除前述之聚 乙稀醇外’射㈣爾㈣㈣軸。w，崎屬化合物 1378160 溶液為還原劑時，考慮更進一步促進晶片的還原，應盡量提高反應體系令 碱金屬化合物的濃度《另外，使用碱金屬化合物溶液時，亦可將該溶液收 容在容器内後，與晶月分別配置，或將晶片浸潰於該溶液令。 上述實施方式係在1. 33Pa左右之真空狀態下進行。然而，該方式對處 理壓力並沒有特別限定。壓力低於33Pa，即在更高的真空狀態下進行處 理也同樣適當。此外，該方式對於處理時間也沒有特別限制，可根據處理 溫度等條件做適當決定。故可透過適當地調整還原劑的種類、使用量配 #置方式、處理容器内部的真空度、溫度以及處理時間來控制晶片之還原程 度。 實施例 (1)第一種實施方式之抑制帶電處理

按…、上述第-種實施方式使用該抑制帶電處理裝置，並按照下列表1、 表2所示條件断了各種抑鄉電處理。抑姆電處媽觀上述第一種 實施方式之處理程式進行的。域1所記錄的結果，實施例n〜15係在處 理7為3Wa、處理日小日_紐下，在不同處理溫度下進 行的抑制帶電處理。另外，眚 ^ ' 、17係在壓力相同'處理時間為6小 時的條件下，在不同處理溫度 果，膏掄如91 〇 P制帶電處理。如表2所記錄的結 果，實施例21〜25係處理溫度為 X π未 、處理時間為18小時的條件下，在 。处王坠力下進行的抑制帶理 91〜外及仏。。 乃外，為便於比較’比較例11〜15、 21〜23係按照各自對雜件， 【表丨】 選原劑而進行的抑制帶電處理。 15 1378160 【表2】 過抑制帶電處理後的每個晶片進行了體積阻抗率及透過率的測 定。體積阻抗__使__式會轉“跳聰，，輸 進行，透過率謂定縣_日本分光株式修製„外可躲 光先度儀進行。將晶>{放置於溫度設定為_。€之_板上後測定立表 面電位之時間變化，並測定了其表面電位達到幾乎接近·時所需的時間 (電荷t和時•表3及表4所顯示為經過抑制帶電處理及未經處理晶片 。之實施例及對_測定結果，表3、4中的表面電⑽將晶版置到_ °C的測定板上後之_練。又_ 4賴福驗溫度頻雜抗率與電 荷中和時間之關係（處理時間為18小時，實施_〜⑸。圖5所顯示為 處理溫度和體積阻抗率與電荷中和時間之關係（處理時間為6小時。實施 例16,17)。圖6所顯示為處理壓力和體積阻抗率與電荷中和b寺間之關係(實 施例21〜25)。 【表3】 【表4】 如表3所示，將在相同溫度條件下處理後之實施例晶片與對比例之晶 片進行比較’魏每個實補之晶y均出現體積阻抗率、表面電位下降， 電荷中和時間縮短等現象，而且，其透過率亦確降低。由此可知，還原劑 改善了晶片之還原率，有效地抑制了帶電。另外，如圖4及圖5所示，處 理溫度愈高，則晶片之體積阻抗率就愈低，電荷中和時間也愈短。同樣， 透過率、表面_也有所下降。另外，僅對處理時間進行比較時發現，處 1378160 理時間為18小時時，其抑 〜 电放果歼咼。如此故證明了本發明之抑制帶 電處理確可有效抑制晶片的 电疋事實。此外，也確認了透過調整處理温 度及處理時間可抑制還原民赃 又之事實。另外也可知，在25(rc〜60(rc的溫 度範圍内，處理溫度愈高，還 疋原程度亦愈大，抑制帶電效果亦愈好。 表4所不為在相同壓力條件下處理後的實施例晶片與比較例晶片之比 較結果，發現每個實施例之曰 曰片均出現體積阻抗率、表面電位下降， 中和時間縮短等現象，而且，读 °

透過率亦確降低。由此可知，與前述相同， 還原劑改善了晶片的還原率，知制7 μ + 制了帶電。另外，如圖6所示，當處理堡 力低於 133x10 1 〜133xl〇'2pa 時，曰 y 曰曰片之體積阻抗率下降，特別是電荷中 時間明顯縮短，透過率、表面電仿； 軍位也问樣下降。然而，在壓力處於133Xl〇-7Pa 時，體積阻抗率等有若乾上昇。這_ ., 乂樣，在本發明之抑制帶電處理中，透過 調整處理壓力，可控制還原程度。 其結确為，採甩本實施方式時，最佳虎 理壓力為 133χ1(Γ2〜133xl(T6pa。 (2)第二種實施方式之抑制帶電處理 並按照下列表5所示 實施例31〜34係在處 不同處理時間下進行 按照上述第二種實施方式之抑制帶電處理装置 條件進行了抑制帶電處理。即如表5所記錄之結果 理壓力為1Q 5xl(riPa、處理溫度為咖。。的條件下 的抑制帶電處理。 【表5】 對經抑制帶電處理後的各個晶片，按與上述⑴同樣的條件測定了其體 積阻抗率、透過率、表面電位的時間變化及電荷中和時間。表6顯干了實 1378160 施例31〜34中完成各種抑制帶電處理後晶片之測定結果。另外，圖7顯示 了處理時間與體積阻抗率、電荷中和時間之關係。 【表6】 如表6及圖7所示，處理時間愈長，晶片的體積阻抗率、表面電位就 愈低，電荷中和時間亦愈短。另外，透過率也確下降。這樣，在本發明之 抑制帶電處理中，透過調整處理時間就可以控制還原程度。也可得知，在 本實施方式中，處理時間為60分鐘以上時，抑制帶電效果更好。

18 1378160 ·. 【圖式簡單說明】 【圖1】係本發明之第—種實施方式――抑制帶電處理裝置之概要圖。 【圖2】係處理容器中晶片配置狀態之示範圖（第一種實施方式）。 • 【圖3】係處理容器中晶片及還原劑配置狀態之示範圖（第二種實 式)。 ^ 【圖4】係處理溫度與體積阻抗率之關係圖（實施例U〜15)。 φ 【圖5】係處理溫度與體積阻抗率之關係圖（實施例16、π)。 【圖6】係處理壓力與體積阻抗率之關係圖（實施例21〜职。 【圖7】係處简間與體積阻抗率之義圖（實施例31〜34)。 【主要元件符號說明】 1抑制帶電處理裝置 2處理容器 φ 3加熱器（加熱方式） 4真空幫浦（減壓方式） . 50晶片 . 51晶片箱 60氣化鋰粉末(還原劑) 61容器 62碳酸鋰溶液(還原劑） 1378160

【I辦】 處理溫度fc) , 600 贵施例15 比較例13 550 實施例 比較例12 實施例17 比較例]5 450 责施例13 比較例11 實施例16 比較例14 350 賨施例12 250 賨施例Π 處理時間 (小時） 〇〇 〇〇 Ό Ό 還原劑 氯化鋰粉末 蔑 氯化鋰粉末 锞 MbIXooroo:-Rll§il«ii*

It解】 丨處理壓力(Pa) 133χ|0'7 寅施例25 比較例23 133Χ10·6 實施例24 | 比較例22 Π 133 χΙΟ·3 實施例23 ] 比較例21 133 χΙΟ·2 i 實施例22 133x10' 實施例21 還原劑 氯化鋰粉末 揉 价Βψοβι ”酲蜜朝蜮*ροςς :趔萌到ΜΓ 1378160

【€龄】 比較例丨3 2.6χΙΟη m CS 比較例12 2.3xlOli 芩 比較例11 3.3xl014 — 8 貴施例15 3.9x10" o' iT\ Ο 未処理 I 2.3^1015 | m 8 實施例14 5.2^1011 另 o Ο 比較例15 8.9χ1013 ID σ> m 8 實施例13 7.3x10" CN \T\ 〇 οο \ό 比較例14 1 6.1X1014 — 8 實施例12 4.9xl012 cs ο 寅施例17 6.9x10" Ο 〇 〇 vn 實施例11 3.8M013 00 m OJ 實施例16 1 9.8X1011 i 〇\ 〇 寸 00 體積阻抗率 (Ω · cm) > IS ft=l 齡 密 體積阻抗率1 (Ω · cm) 鞞9 1M ^ 齡 電荷中和時 間(秒） 1378160

【1擀】 比較例23 丨 2.6M014 1 1 1 1 « 1 比較例22 ；2.3X1013 [________^_____ 卜 ON 比較例21 3.3χ10η <s 貴施例25 3.5x10*' 1 卜 ο 卜 ob 實施例24 5.2ΜΟ】1 〇· o 實施例23 3.3x10" r—« o' as 〇 實施例22 4.5x10" o 實施例21 3.8χ]〇14 8 體積阻抗率 (Ω · cm) 表面電位 (kV) d 靼酲 φιω 【S琳】 處理時間(分） 120 寅施例34 實施例33 實施例32 〇 實施例31 還原劑 碳酸鋰溶液 Μ,.οιχςΌι^^ϋιτροςςΜ頦刮鹤 * 19s 質施例34 8.2><109 <0.01 Μ* Ο V 實施例33 1.3χ1010 1 <0.02 1 <0.1 實施例32 4.5x10'° 0.04 卜 Ο 實施例31 1.8x10" 1 0.06 體積阻抗率 (Ω · cm) 表面電位 (kV) 電荷中和時間 (秒）

Claims (1)

1378160 十、申請專利範圍： 1. 種壓電性氧化物單晶之抑制帶電處理方法，其特徵為：將鈕酸鋰單 晶或者銳_單晶所製成之晶片，與含有喊金屬化合物的還職-同置於 處理合器内，降低該容器内之壓力及保持該容器内部之溫度為2赃以 上，1000°c以下之條件，進行晶片還原處理者。 2. 如申請專利範圍第i項所述之壓電性氧化物單晶之抑制帶電處理方法， 其中，前述晶片係由组酸經單晶製成，該晶片的還原處理係在溫度為· C以上，60(Tc以下之條件下進行者。 3. 如申請專·_丨賴述之壓紐氧化物單晶之抑鄉電處理方法， 其中，前述晶片之_處理係在133χ1(Γΐ〜133χ1()、之減壓條件下進行 者。 4·如申請專纖_丨顿述之壓紐氧化物單晶之抑制帶電處理方法， 其中，前述碱金屬化合物係鋰化合物者。 5.如申請專利細第丨項之所賴氧化物單晶之抑卿電處理方法 其中，前述還_係由碱金屬化合物構成，將該還_與前述晶片分別放 置，或者將該晶埋入該還原射，行晶片還原處理者。 20 1378160 6·如申請專利範圍第1項所述之壓電性氧化物單晶之抑制帶電處理方法， 其中前述還原娜前賴_金屬化合物在容劑巾雜，或者分散後形成· 之喊金屬化合物溶液構成，該還賴與前述晶片分職置，或者將該晶片 ，在該還原财，或者將該還原劑塗裝於該晶片之表面，進行晶片還原 處理者。 7.-種壓電性氧化物單晶之抑制f電處理裝置，係她酸鐘單晶，或者銳 .酸鋰單晶製狀晶片，及含有麵屬化合物之還糊，及 理容器，及可麟處縣_部的溫度昇溫至默社⑽心下之=' 熱方式，以及骑傾處理容_部_力之《方柄構成者。

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