JP6493151B2 - ニオブ酸リチウム単結晶基板の製造方法 - Google Patents
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Description
チョコラルスキー法で育成したニオブ酸リチウム単結晶を用いてニオブ酸リチウム単結晶基板を製造する方法において、
単結晶中のFe濃度が50質量ppm以上、2000質量ppm以下でかつインゴット状態のニオブ酸リチウム単結晶を、Al粉末若しくはAlとAl2O3の混合粉末に埋め込み、450℃以上、アルミニウムの融点660℃未満の温度で熱処理して、体積抵抗率が1×108Ω・cm以上、2×1012Ω・cm以下の範囲に制御されたニオブ酸リチウム単結晶基板を製造すると共に、
熱処理されるインゴット状態のニオブ酸リチウム単結晶が、上記単結晶育成後から円筒研削加工後までのニオブ酸リチウム単結晶インゴットであることを特徴とするものである。
第1の発明に記載のニオブ酸リチウム単結晶基板の製造方法において、
上記円筒研削加工後におけるニオブ酸リチウム単結晶インゴットの表面粗さが算術平均Ra値で0.2μm以上、2μm以下であることを特徴とし、
第3の発明は、
第1の発明〜第2の発明のいずれかに記載のニオブ酸リチウム単結晶基板の製造方法において、
上記熱処理を、真空雰囲気若しくは不活性ガスの減圧雰囲気下で行うことを特徴とし、
また、第4の発明は、
第1の発明〜第3の発明のいずれかに記載のニオブ酸リチウム単結晶基板の製造方法において、
上記熱処理を、10時間以上行うことを特徴とするものである。
単結晶中のFe濃度が50質量ppm以上、2000質量ppm以下でかつインゴット状態のニオブ酸リチウム単結晶を、Al粉末若しくはAlとAl2O3の混合粉末に埋め込み、450℃以上、アルミニウムの融点660℃未満の温度で熱処理するため、
還元処理後の体積抵抗率が1×108Ω・cm以上、2×1012Ω・cm以下の範囲に制御され、体積抵抗率の面内分布が少なく、かつ、同一結晶(インゴット)から加工された基板間における体積抵抗率のバラつきも少ないニオブ酸リチウム単結晶基板を安定して製造することが可能となる。
LN単結晶は、結晶内に存在する酸素欠陥濃度によって体積抵抗率と色(光透過率スペクトル)が変化する。つまり、LN単結晶中に酸素欠陥が導入されると、−2価の酸素イオンの欠損によるチャージバランスを補償する必要から一部のNbイオンの価数が5+から4+に変わり、体積抵抗率に変化を生じる。加えて、酸素欠陥に起因したカラーセンターが生成することで光吸収を起こす。
LN基板の焦電性を低減させる特許文献1に記載の方法は、上述したようにLN基板を500℃以上の高い温度に加熱するため、処理時間は短い反面、処理バッチ間において黒化のバラつきが生じ易く、熱処理した基板内に黒化による色ムラ、すなわち抵抗率の面内分布を引き起こし、かつ、スライス工程後におけるウエハの熱処理が推奨されているためLN基板間における抵抗率のバラつきを引き起こす問題を有していた。
「熱処理」の効果であるLN基板に焦電性が見られなくなったか否かを判定する実用的な方法として、LN基板が受ける温度変化を模して行う熱サイクル試験が有用である。すなわち、熱処理(黒化処理)されたインゴットをスライスして求めたLN基板を、80℃に加熱したホットプレート上に乗せ、熱サイクルを与えると、黒化処理が施されていないLN基板ではその表面に10kV以上の高電位が発生し、スパークが観察される。一方、本発明に係る「熱処理」で黒化されたLN基板では、LN基板の表面電位は高々数100Vレベルで、LN基板表面でスパークする現象も全く観察されない。従って、黒化の有無の判定は、焦電性の実用的な判定方法として有用である。
コングルエント組成の原料を用いて、チョコラルスキー法で、直径4インチのFe添加LN単結晶の育成を行った。育成雰囲気は、酸素濃度約20%の窒素−酸素混合ガスである。結晶中のFe添加濃度は50ppmとした。得られた結晶は赤色であった。
LN結晶中のFe添加濃度を2000ppmとした以外は実施例1と略同一の条件で熱処理および熱処理後のスライス加工を行った。
LN結晶インゴットを、Alが10質量%、Al2O3が90質量%の混合粉体中に埋めた以外は実施例1と略同一の条件で熱処理および熱処理後のスライス加工を行った。
LN結晶中のFe添加濃度を2000ppmとし、LN結晶インゴットを、Alが10質量%、Al2O3が90質量%の混合粉体中に埋めた以外は実施例1と略同一の条件で熱処理および熱処理後のスライス加工を行った。
処理温度を450℃、処理時間を80時間とした以外は実施例1と略同一の条件で熱処理および熱処理後のスライス加工を行った。
処理温度を450℃、処理時間を80時間とした以外は実施例2と略同一の条件で熱処理および熱処理後のスライス加工を行った。
雰囲気を窒素ガス中とし、かつ、処理温度を450℃、処理時間を80時間とした以外は実施例3と略同一の条件で熱処理および熱処理後のスライス加工を行った。
処理温度を450℃、処理時間を80時間とした以外は実施例4と略同一の条件で熱処理および熱処理後のスライス加工を行った。
処理温度を650℃、処理時間を10時間とした以外は実施例1と略同一の条件で熱処理および熱処理後のスライス加工を行った。
処理温度を650℃、処理時間を10時間とした以外は実施例2と略同一の条件で熱処理および熱処理後のスライス加工を行った。
処理温度を650℃、処理時間を10時間とした以外は実施例3と略同一の条件で熱処理および熱処理後のスライス加工を行った。
処理温度を650℃、処理時間を10時間とした以外は実施例4と略同一の条件で熱処理および熱処理後のスライス加工を行った。
雰囲気を窒素ガス中とした以外は実施例8と略同一の条件で熱処理を行った。
雰囲気を窒素ガス中とした以外は実施例9と略同一の条件で熱処理を行った。
コングルエント組成の原料を用いて、チョコラルスキー法で、直径4インチのLN単結晶育成を行った。育成雰囲気は、酸素濃度約20%の窒素−酸素混合ガスである。得られた結晶は淡黄色であった。
熱処理後のLN基板は褐色であったが、目視での観察では色ムラが生じていた。
比較例1と同様にして直径4インチで、透明な淡黄色のLN単結晶を育成し、かつ、比較例1と同様にしてLN基板を製造した。
(1)雰囲気を窒素ガス中とした以外は実施例9(真空雰囲気)と略同一の条件で熱処理が施された実施例14に係るLN基板の体積抵抗率(1.5×108Ω・cm)と上記実施例9に係るLN基板の体積抵抗率(1.0×108Ω・cm)との比較から確認されるように、Feを含有するLN基板においては、例えば処理雰囲気が相違してもその体積抵抗率に大きな影響を及ぼしていないことが理解される。
Claims (4)
- チョコラルスキー法で育成したニオブ酸リチウム単結晶を用いてニオブ酸リチウム単結晶基板を製造する方法において、
単結晶中のFe濃度が50質量ppm以上、2000質量ppm以下でかつインゴット状態のニオブ酸リチウム単結晶を、Al粉末若しくはAlとAl2O3の混合粉末に埋め込み、450℃以上、アルミニウムの融点660℃未満の温度で熱処理して、体積抵抗率が1×108Ω・cm以上、2×1012Ω・cm以下の範囲に制御されたニオブ酸リチウム単結晶基板を製造すると共に、
熱処理されるインゴット状態のニオブ酸リチウム単結晶が、上記単結晶育成後から円筒研削加工後までのニオブ酸リチウム単結晶インゴットであることを特徴とするニオブ酸リチウム単結晶基板の製造方法。 - 上記円筒研削加工後におけるニオブ酸リチウム単結晶インゴットの表面粗さが算術平均Ra値で0.2μm以上、2μm以下であることを特徴とする請求項1に記載のニオブ酸リチウム単結晶基板の製造方法。
- 上記熱処理を、真空雰囲気若しくは不活性ガスの減圧雰囲気下で行うことを特徴とする請求項1〜2のいずれかに記載のニオブ酸リチウム単結晶基板の製造方法。
- 上記熱処理を、10時間以上行うことを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載のニオブ酸リチウム単結晶基板の製造方法。
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