TWI376762B - Liquid processing apparatus - Google Patents
Liquid processing apparatus Download PDFInfo
- Publication number
- TWI376762B TWI376762B TW098126572A TW98126572A TWI376762B TW I376762 B TWI376762 B TW I376762B TW 098126572 A TW098126572 A TW 098126572A TW 98126572 A TW98126572 A TW 98126572A TW I376762 B TWI376762 B TW I376762B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- liquid
- discharge path
- rotating
- cup body
- treatment liquid
- Prior art date
Links
- 239000007788 liquid Substances 0.000 title claims description 118
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims description 48
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 34
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 7
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 6
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 5
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 4
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 3
- 238000013022 venting Methods 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SWXQKHHHCFXQJF-UHFFFAOYSA-N azane;hydrogen peroxide Chemical compound [NH4+].[O-]O SWXQKHHHCFXQJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- 238000002309 gasification Methods 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 239000008267 milk Substances 0.000 description 1
- 210000004080 milk Anatomy 0.000 description 1
- 235000013336 milk Nutrition 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 1
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
- B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S134/00—Cleaning and liquid contact with solids
- Y10S134/902—Semiconductor wafer
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Weting (AREA)
Description
1376762 六、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於對待處理體供給處理液,以處理該待處理體的 液體處理裝置。 【先前技術】 以往已知基板處理裝置(液體處理裝置),其包含:腔室(外容 裔)’形成有用以排出内部之氣體的排氣口;防飛散杯體,配置於 腔室内部’形成有用以排出内部之氣體的排氣口;腔室排氣管,' 連接於腔室的排氣口;防飛散杯體排氣管,連接於防飛散杯體的 排氣口;阻尼器,選擇性地連接腔室排氣管或防飛散杯體排氣督 之其中之一、與排氣機構(參照專利文獻〗)。 【專利文獻1】日本特開2005-86123號公報 【發明内容】 發明所欲解決之課題 體内體S裝ί、,能f _散杯體導引防飛散杯 二J 有效率地往排出機構導引待處 理:i 液環境氣體(由處理液之液滴與氣體化之處 本發明係考慮此點所設計,其目的 可有效率地排出待處理體附近的處理 夜體處理農置, 解決課題之手段 %孔體 中 =發明之液體處理裝置,於處理待處理體的液體處理裝置 外容器 支持部 旋轉驅動广 亥存處理體之周緣外方,可與該支持部 同旋轉; y轉》疋轉排氣杯體’設於該旋轉杯體之上方,與該旋轉杯f—n ’及 排出機構,排出經過該待處理體’且由該旋轉杯fΓ Α 排氣杯體解引的纽賴喊體。 狄轉 依本發明之液體處理裝置中, 較it係5亥紅轉排氣杯體的上方設有覆蓋該旋轉排氣 Μ分頂面的覆蓋部。 -遐之至 依本發明之液體處理裝置中, 該排出機構較佳係包含:内排出路徑,引導著由該 ,引之處理液環境氣體;與外排㈣徑,引導著由該旋^^ 杯體所導引之處理液環境氣體。 卜乳 此種液體處理襄置中, 該排出機構較佳係包含引導著由該旋轉杯體與該旋轉排翁 體所導引之處理液環境氣體的排出管;且 ;·、不 该排出管内設有分隔該排出管的分散板, δ亥么散板所分隔的—個區域構成該内排出路徑, 4刀政板所分隔的另一個區域構成該外排出路經。 ’ 此種液體處理裝置中, 該分散板較佳係可於該排出管内滑動;且 可调整軸排出路徑所排出的處理液環境氣體量,與該 出路徑所排出的處理液環境氣體量之平衡。 上述液體處理裝置中, 巧係於該内排出路徑設有調整在該内排出路徑内受 處理液壤境氣體之流量的内調整機構,
浐产3二卜卜f ,徑設有調整在該外排出路徑内受導引之處理液 兄乱體之流置的外調整機構;且 K 盘締US it過内排出路徑所排出之處理液環境氣體的流量, 效早徑所排出之處理液環境氣體的流量作調整。 依本發明,由於待處理體之周緣外方設 ’且該旋轉杯體之上方設有與旋轉杯體—同:杯 肢’因此可有效率地排出待處理體附近的處理液專排氣杯 【實施方式】 貧施發明之最佳形態 以下參照圖式’說明依本發明之液體處 在此,圖1及圖2顯示本發明的實施形能。置的貫㈣恶。 液以2峨之液體處理㈣待處理體,即晶圓w供給處理 如圖1所示,液體處理裝置句含。 配置於腔室1内,包含支持日 工 谷咨)】;支持板30, 31,從支_ 30枯%士 Γ 支持銷(支持部)30a ;旋轉軸 31二克待板下方延伸;旋轉驅動機構60,藓由八# (後述),對晶圓w供給= 與處f夜供給機構 3個),於圖1僅顯示其中的f個。支朗30a s又有複數個(例如 另外x於與旋轉㈣分別形成中空形狀。 可支持晶圓卜部^内),延伸設置有包含 連結著使上推構件35 ϋ古上推構件35。該上推構件35 又,如圖ΤΙ ί下方向移動的升降構件65。 部41,對晶圓W^=構包含:表面側處理液供給 42,對晶圓W之面)供f處理液,·背面側處理液供給部 給處理液到料/品(面)供給處理)夜;與處理液供給源40,供 42。又,背面^則二,處理液供給部41與背面側處理液供給部 之背面供供給部42除處理液以外,也可對晶圓w 仙,對晶圓w 里液供給部41包含:表面側處理液供給噴嘴 導引從處理液供供給處理液;與表面侧處理液供給管仙, 處理液。又,昔;彺該表面側處理液供給噴嘴41b所供給的 面側處理祕給部42包含:f面側處理液供給口 ^/6762 . 導引從處频;與“側處理賴給管似, 理液。 …原4〇山亥背面側處理液供給口 42b戶斤供給的處 作為化學藥液,可使用例如稀氟▲未^化t藥5或沖洗液。另外, 丙醇)等。另一方面 :^ a過乳化氫水(SCI)、IPA(異 ΪΡΑ(異丙醇)可用作使、^ =用例如純水(DIW)等。又, 又,如岡! “ 使Βθ® %乾燥的乾燥液。 轉軸3!之周緣:機構60包含:帶輪幻,配置於旋 藉由對該驅,掛繞於該帶輪62 ;與馬達61, 1又,旋轉糾之周緣外方配置有 輪62使旋轉軸3Ut轉。 11,以覆蓋設有可旋轉的旋轉杯體 同旋轉的旋轉排氣杯體】.0。又,旋轉轉杯體11 -12,該導引構件,+古舰J疋f f體11之下方設有導引構件 著間隙而配置«日’s_ n、s支持的晶圓W之周緣外方隔 Π與導引構件以,复數個旋轉棑氣杯體10、旋轉杯體 又,士岡, 數個支柱15互相連結(參照圖1)。 杯體10之^^斤頂不^^1排,氣杯體10之上方設有覆蓋旋轉排氣 杯體L所如導圖弓里設聊有排出由旋轉杯㈣ 排出管,出機構,出機構包含: 25的抽吸泵等構成。又,本實施形態中,使用出管 的態樣作說明,但並不限於L 。中使用叹有2個排出管25 w ’ t申請案中,處理液環境氣體意味著:所彳組到曰圓 ^並飛散之處理液的液滴,與所供給到 ^ 到一半)而氣倾的處理_構成者。 (姑4 W供給 板^^圖1所示’排出管25内設有分隔該排出管25的分今 卜,分散板20所分隔的内側區(―個區域)構成引導著月由 1376762 旋轉杯肢11之内周面所導引之處理液環境氣體的内排出路徑 B "刀散板2〇所分隔的外側區(另一個區_構成引導著由旋轉排 氣杯體10之内周面所導引之處理液環境氣體的外排出路徑祝。 又,上述分散板20設於後述排液杯體18之底面,並從該 液杯體18之底面往水平方向延伸後,折彎而往下方延 25 =。因此,可在内排出路徑25a所排出的處理液環境 與外排出路fe 25b所排出的處理液環境氣體量之間取得平衡。 又’ 士口圖1戶斤示’腔室i内之上方部設有經由導入口 &導入 來=體處理系統之風扇職單元(FFU,Fan FUter u 之氣體的㈣導人部2,從上謂㈣㈣給清潔錢^體)。 w的有用以送出送入晶圓 構件3。 3a D又有進仃该出入口 3a之開闔的擋門 又女圖1所示,於旋轉排氣杯體⑺、旋 ====處理液儲存而回收的= :内之處理液賦予抽吸力的排 的處理液叙_理液供給源4()以再彻(參照圖。 可調管!f内以水平方向滑動(參照圖1), 仰%=出路 斤排出的處理液環境氣體量,盘外排出路 役25b =排出的處理液環境氣體量之間的平衡。-外排出路 接f,敘述此種結構所構成之本實施形態的作用。 口 3^參照€腔室1之上方側面⑽門構件3移動,打開出入 插入=室=工=_輸_人(未圖示)經由出入口1 定位^上餘ϋ、?、圖)°此時’以升降構件65將上推構件35 爯ί方置曰日圓輸送機器人傳遞晶圓W的位置)。 圓w,'並以二35,升降銷35a從晶圓輸送機器人承接晶 由出入口 =支持k晶圓W。然後,晶圓輸送機器人經 上至1出來到外面後,由播門構件3關閉出入口 3a〇 接箸,以升降構件65將上推構件35定位於下方位置(參照圖 1)。如此將上推構件35定位於下方位置時,由支持台板3〇的支持 銷30a支持晶圓w之背面。 再來’旋轉驅動機構60藉由旋轉驅動旋轉軸31,以旋轉支持 3〇,其結果’旋轉支持部板3〇之支持銷30a所支持的晶圓 U .¾圖1)。此時,藉由從馬達61經由驅動帶63對帶輪62賦 予驅動力,以旋轉驅動旋轉軸31.。 ^著’以表面側處理液供給部41對支持台板3〇之支持銷3〇a 晶圓W之表面中心部供給處理液(參照。此時,以 =側,液供給部4W支持台板30之支持銷3〇&戶斤支持的晶 W W之月面中心部供給處理液(參照圖ρ。 液供從表,4理液供給部41與背面側處理 认、^二,先供給第1化㈣液,即氨過氧化氫水(SCI),再供 (HF),再沖洗、、夜,二:。上,1 2化學樂液’即稀_ U二:、: ()。然後,對晶圓W之表面, 供給部41供給乾燥液(第3化學_,即IPA ; 十曰曰0 w之月面,從背面側處理液供給部42 的排液管杯體18 π後另處ί液經過旋轉排氣杯㈣與旋轉杯體 Μ對所排出之處理液環境氣體賦予抽2排出。糾’從抽吸部 在此’依本實施形態,於待處理許 ^ 轉被賦予旋轉力的處理液環境· L疋w之旋 旋轉杯體η所導引 乳體,但比起固定的杯體,係由該 有與她1之上方方式,而設 !)。因此,能以旋轉杯^ u之内^轉排軋杯體10(參照圖 之内周面導引液體狀的處理液與處理 1376762 液環境氣體’且可以旋轉排氣杯體10導引無法以旋轉杯體U排 出(位於從晶圓w脫離到上方之位置)的處理液環境氣體。 藉此’依本實施形,態’可有效率地排出腔室〗内,且晶圓w 附近及上方的處理液環境氣體。 再者丄由於所使用的化學藥液環境氣體(化學藥液之液滴與氣 化之化學藥液)殘留到其他步驟(例如其他化學藥液處理步驟、沖洗 步驟、乾燥步驟等),故晶圓w產生微粒;但依本實施形態,如上 ,,由於可有效率地排出腔室丨内,且晶圓w附近的處理液環境 氣體,因此能防止化學藥液環境氣體殘留到其他步驟。從而, 防止此種微粒產生。 ,,本實施形態中,由於旋轉排氣杯體10之上方設有覆蓋旋 轉巧氣杯體丨0之周緣部頂面的覆蓋部14(參照圖、),故可防止經 過旋轉排氣杯體10之關面後的處理液環境氣體往上方側進入: ^此,覆蓋部14,也可防止因旋轉排氣杯體i。旋轉所產生的迴 OIL軋此,可更有效率地排出晶圓%附近的處理液環境氣體。 日”二、,依本實施形態’由於分散板20可於排出管25内滑且動(來 如圖1),故可因應使用之處理液的種類或量等,ϋ 路徑仏與外排出路徑25b之寬方向的大小内文= 25a?排出的處理液_氣體量,與外排出路徑‘所排 出的處理液壞境氣體量之平衡,且可更有效 的處理液環境氣體。 纟出日日H W附近 止述:^ W表面與背面之處理液所為的處理結束時,停 乾燥晶圓W(參照圖1)。 又门迷地紅轉晶圓W,亚 接著,以升降構件65將上推構件35定位於 種上推構件35定位於上綠置時,載 j方位置。將此 3〇a的晶圓W由上推構件35 板3〇之支持銷 移動檀門構件3,以打開出人所支持而上升。此時,
再來,將晶圓輸送機器人經由出入口 後’以該晶圓輸送機器人(未圖示)承接上推構件二J 1376762 . 上的晶圓W,從該升降銷35a取下晶圓w。 排屮ίί Μ上述’使用由分散板2G所分隔之内側區構成内 由力散板2G所分隔之外側區構成外排出路徑25b =樣作㈣。然而,並不限於此,如圖 25中,—個排出管25構成引導著由旋 η所導引之處理液環境氣體的内排出路徑2Sa,另一個
Hi著由旋轉排氣杯體1G所導引之處理液環境氣體的外排出 路徑25b。 心此時,較佳係於内排出路徑25a設有調整在該内排出路徑25a 内文導引之處理液環境氣體之流量的内阻尼器(内整) #於外排出路徑攻設有調整在該外排出路徑祝a受導义處&理 液壞境氣體之流量的外阻尼器(外調整機構)2%;且可獨立對經過 内,出路徑25a所排出之處理液環境氣體的流量,與經過外排出 路徑25b所排出之處理液環境氣體的流量作調整(參照圖2)。 依此種態樣’目的為:可更正確地調整内排出路徑25a所排 出的處理液環境氣體量,與外排出路徑25b所排出的處理液環境 氣體量,且可更有效率地排出晶圓w附近的處理液環境氣體。 【圖式簡單說明】 圖ί係顯示依本發明之實施形態的液體處理裝置之結構的概 略圖。 圖2係顯示依本發明之實施形態之變形例的液體處理裝置之 結構的概略圖。 【主要元件符號說明】 1〜腔室(外容器) 2〜氣體導入部 2a〜導入口 3〜擋門構件 3a〜出入口 10^ -旋轉排氣杯 11- -旋轉杯體 12- -導引構件 14, -覆蓋部 15- -支柱 18〜排液杯體 19〜排液管 20〜分散板 25〜排出管 25a〜内排出路徑 25b〜外排出路徑 28〜抽吸部 29a〜内阻尼器(内調整機構) 29b〜外阻尼器(外調整機構) 30〜支持板(支持台板)(支持部板) 30a〜支持銷(支持部) 31〜旋轉轴 32〜轴承 35〜上推構件 3 5 a〜升降銷 40〜處理液供給源 41〜表面侧處理液供給部 41a〜表面侧處理液供給管 41 b〜表面侧處理液供給喷嘴 42〜背面侧處理液供給部 42 a〜背面侧處理液供給管 42b〜背面側處理液供給口 6 0〜旋轉驅動機構(旋轉驅動部) 61〜馬達 62〜帶輪 1376762 . 63〜驅動帶 65〜升降構件 W〜晶圓(待處理體)
Claims (1)
1376762 七、申請專利範 1. 一種液體處. ^ 外容器;U ’用以處理待處理體’其特徵係包含: 支持部,师r 旋轉驅動機if外容器内’用以支持該待處理體; 處理液供給^構^^^所支持的該待處理體旋轉. 旋轉杯體,處理體供給處理液; 同旋轉;_於_處理體之周緣外方,可與該支持部一 旋轉凝杯體,設於該旋轉杯體之上方,與該旋轉杯體—同 理液排出由該旋轉杯體與該旋轉排氣杯體所導引的處 2. 如申晴專利範圍第1 體的上方設有覆蓋該旋轉排氣二二=氣杯 置,其中,該排出機構 液環境氣體。 ^由°遗轉排氣杯體所導?丨之處理 )·如申睛專利範圍第3項之液體處理裂置, 排出管,用以^丨導由中,5玄排出機構包含 夜壤境氣體,· i 旋轉排氣杯體所料之處理 該排出管内設有分隔該排出管的分散板, 該分散板所分隔的一個區域構成該内排出路秤, 该分散板所分隔的另一個區域構成該外排出^徑。 4項之液體處理裝置,其中,該分散板可於該 可調整該内排出路徑所排岀的處理液環境氣體量,與該外排 路秘所排出的處理液環境氣體量之平衡。 6·如申晴專利範圍第3項之液體處理裝置,其中, 产供ί5亥内排出路徑設有調整在該内排出路徑内受導引之處理液 辰兄氧體之流量的内調整機構, 環±1 ί5亥外排出路徑設有調整在該外排出路徑内受導引之處理液 、兄氣體之流量的外調整機構;且 過外經過内棑出路徑所排出之處理液環境氣體的流量,與經 楚。拂出雜卿k處轉料量,可鮮地加以調
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008203401A JP4949338B2 (ja) | 2008-08-06 | 2008-08-06 | 液処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW201013815A TW201013815A (en) | 2010-04-01 |
TWI376762B true TWI376762B (en) | 2012-11-11 |
Family
ID=41651779
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW098126572A TWI376762B (en) | 2008-08-06 | 2009-08-06 | Liquid processing apparatus |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8201568B2 (zh) |
JP (1) | JP4949338B2 (zh) |
KR (2) | KR101274824B1 (zh) |
TW (1) | TWI376762B (zh) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012139660A (ja) * | 2011-01-05 | 2012-07-26 | Disco Corp | スピンナ洗浄装置 |
JP5588418B2 (ja) * | 2011-10-24 | 2014-09-10 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
JP6223839B2 (ja) * | 2013-03-15 | 2017-11-01 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板液処理方法、基板液処理装置および記憶媒体 |
JP6239893B2 (ja) * | 2013-08-07 | 2017-11-29 | 株式会社荏原製作所 | ウェット処理装置及びこれを備えた基板処理装置 |
JP6287750B2 (ja) * | 2013-12-27 | 2018-03-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板液処理装置 |
CN104201140A (zh) * | 2014-09-02 | 2014-12-10 | 上海华力微电子有限公司 | 一种湿法清洗装置 |
JP6341035B2 (ja) | 2014-09-25 | 2018-06-13 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板液処理方法、基板液処理装置、及び記憶媒体 |
CN107768270B (zh) * | 2016-08-16 | 2020-04-07 | 沈阳芯源微电子设备股份有限公司 | 一种防止反溅液体污染晶片的装置 |
JP6983602B2 (ja) * | 2017-09-26 | 2021-12-17 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0451907Y2 (zh) * | 1987-09-18 | 1992-12-07 | ||
JPH09148231A (ja) * | 1995-11-16 | 1997-06-06 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 回転式基板処理装置 |
US6207231B1 (en) * | 1997-05-07 | 2001-03-27 | Tokyo Electron Limited | Coating film forming method and coating apparatus |
TW442336B (en) * | 1997-08-19 | 2001-06-23 | Tokyo Electron Ltd | Film forming method |
JP3559149B2 (ja) * | 1997-09-12 | 2004-08-25 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置 |
KR200205172Y1 (ko) | 1998-08-22 | 2001-01-15 | 김영환 | 반도체 웨이퍼 제조용 코팅장치 |
KR20000015084A (ko) * | 1998-08-27 | 2000-03-15 | 윤종용 | 반도체 스피너설비의 배기장치 |
JP2000097564A (ja) * | 1998-09-21 | 2000-04-04 | Hitachi Ltd | 基板乾燥装置および基板洗浄乾燥装置 |
US6565656B2 (en) * | 1999-12-20 | 2003-05-20 | Toyko Electron Limited | Coating processing apparatus |
JP2005086123A (ja) | 2003-09-11 | 2005-03-31 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
KR100979979B1 (ko) * | 2006-07-26 | 2010-09-03 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 액처리 장치 및 액처리 방법 |
-
2008
- 2008-08-06 JP JP2008203401A patent/JP4949338B2/ja active Active
-
2009
- 2009-07-24 KR KR1020090067720A patent/KR101274824B1/ko active IP Right Grant
- 2009-07-31 US US12/533,743 patent/US8201568B2/en active Active
- 2009-08-06 TW TW098126572A patent/TWI376762B/zh active
-
2013
- 2013-02-08 KR KR1020130014512A patent/KR101376631B1/ko active IP Right Grant
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20100031980A1 (en) | 2010-02-11 |
KR101376631B1 (ko) | 2014-03-19 |
KR101274824B1 (ko) | 2013-06-13 |
US8201568B2 (en) | 2012-06-19 |
TW201013815A (en) | 2010-04-01 |
KR20100018456A (ko) | 2010-02-17 |
KR20130023320A (ko) | 2013-03-07 |
JP2010040863A (ja) | 2010-02-18 |
JP4949338B2 (ja) | 2012-06-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI376762B (en) | Liquid processing apparatus | |
TWI578427B (zh) | 基板處理裝置 | |
TWI334171B (en) | Substrate processing apparatus | |
US8043440B2 (en) | Cleaning apparatus and method and computer readable medium | |
JP5832397B2 (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法 | |
JP5031671B2 (ja) | 液処理装置、液処理方法および記憶媒体 | |
KR101934661B1 (ko) | 기판 처리 장치 | |
TW201026401A (en) | Liquid treatment apparatus, liquid treatment method and storage medium | |
TW201113096A (en) | Liquid treatment apparatus | |
CN107424941A (zh) | 基板握持装置 | |
TWI631640B (zh) | 基板處理方法及基板處理裝置 | |
TWI518767B (zh) | 板狀物件之濕式處理方法及裝置 | |
TW201041664A (en) | Dispensing device of electronic parts | |
CN105088190B (zh) | 成膜装置 | |
JP6494417B2 (ja) | プラズマエッチング装置 | |
JP2023001147A (ja) | 基板処理装置 | |
JP4606348B2 (ja) | 基板処理装置及び基板搬送方法並びに記憶媒体 | |
JP7396370B2 (ja) | 直動機構及びパーティクルの飛散抑制方法 | |
JP4830995B2 (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法並びに記憶媒体 | |
JP4020741B2 (ja) | 液処理装置における気液分離回収装置 | |
JP6009858B2 (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法 | |
TW202407793A (zh) | 基板處理裝置 | |
US10535548B2 (en) | Substrate holding apparatus and substrate processing apparatus | |
JP2012084801A (ja) | 液処理装置 | |
EP2782128A2 (en) | Substrate processing device and substrate processing method |