TWI375494B - Selective deposition of embedded transient protection for printed circuit boards - Google Patents

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TWI375494B
TWI375494B TW095105219A TW95105219A TWI375494B TW I375494 B TWI375494 B TW I375494B TW 095105219 A TW095105219 A TW 095105219A TW 95105219 A TW95105219 A TW 95105219A TW I375494 B TWI375494 B TW I375494B
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Description

1375494 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種印刷電路板，特別是，關於一種具 集積的(integrated)瞬態保護之印制電路板。
【先前技術】
印刷電路板、背板(backplanes)、中板(midplanes)、印 刷線路板(printed wiring boards)、撓性電路(flex circuits)、 剛性撓性電路(rigid flex-circuits)、多晶片模組(multi-chip modules ’ MCM)、中介層(interposers)及其同類於文中將總 稱作「印刷電路板(PCBs)」。
一介層(via)結構一般在z軸方向(正交於一印刷電路 板之x-y平面)提供一導電途徑於導電層間。介層孔(via holes)由種種技術形成，包含但不限於雷射鑽孔(laser drilling)、機械鑽孔(mechanical drilling)、以及基於光定義 (photo definition)之技術。介層孔接著部分或全部以一導電 材料填滿或覆蓋(coated)，通常是金屬。這樣的介層結構可 能為遮蔽的(blind)、埋入的(buried)、穿孔的(through-hole)， 且可包含或不包含墊(pads)於導電層上，如熟悉印刷電路 板設計技藝者所習知。 一電路板上的敏感組件可能被靜電放電(electr〇static discharges ’ ESD)的瞬間產生而傷害。舉例而言，一靜電 放電特徵係於數微微秒(picoseconds)中，以萬伏特等級而 ，速上升。具較低峰值電壓等級與較慢上升時間之其他瞬 態現象亦可導致對印刷電路板的傷害。舉例而言，電壓之 -5- 4PC-CA/06004TW/SCI ； 58689-8112.TW01 一突然上升可肇因於一接地不良的烙鐵(soldering iron)，或 一功率切換繼電器(power switching relay)，或連接至印刷 電路板之電信線(telecommunication lines)上的一閃電電 擊。「瞬態(transient)」一詞於文中不只用以包含靜電放電 事件，還有任何歷時短、直接或間接引致電壓與電流進入 —印刷電珞板的現象，且其中這樣的電壓與電流之振幅夠 高，足以導致印刷電路板上電子組件之劣化(degradation；) 或失效。 圖一 A係一示意圖，用以描述由導電性保護環(^^4 rings)104所保護之一印刷電路板1〇2 ^印刷電路板1〇2具 有一長度L與一寬度W。圖一 A中，導電性保護環ι〇4(於 圖一只看得到一個)被加在印刷電路板1〇2之每一外層週 邊，且一或更多分離瞬態保護裝置可附接至印刷電路板 102。保護環1〇4附接至輸入/輸出連接器1〇6裝在印刷電 路板102之處的機架(chassis)接地。一般而言，當一個人 撿起一印刷電路板，此人會先接觸到印刷電路板之週邊。 藉由沿印刷電路板102之週邊安置保護環104,保護環1〇4 將所不希望得到的瞬態電流重新導向至機架而接地。因 此’有害的電流不容許流至印刷電路板1〇2上的瞬態敏感 組件。然而’保護環無法保護印刷電路板102之内部表面 112。另一形式的瞬態保護是使用分離保護裝置。 分離瞬態保護裝置(像是分離瞬態保護裝置108)可在 “號及/或電源線進入印刷電路板1〇2之處(像是連接器 =6)，附接至印刷電路板1〇2。然而，分離瞬態保護裝置 ’耗印刷電路板上的可貴面積。舉例而言，美國專利號 4PC-CA/06004TW/SCI ； 58689-8U2.TW01 -6 - 6,657,532揭露分離過電壓保護組件，其係由位於一接地平 面與一電導器間之平滑介電聚合物或玻璃之一薄層所製 作。美國專利號6,657,532亦揭露具多層不同電壓材料之 ^離過電1保護組件。分離瞬態保護裝置之另—非限制性 範例係一可重置（resettable)聚合物正溫度係數 polymeric-positive-temperature coefficient，PPTC)裝置 〇 就 像保險絲，聚合物正溫度係數裝置(ppTC)幫助保護電路免 於過電流(overcurrent)傷害。然而，分離的ppTC耗費印 電路板上的可貴面積。 其他形式的瞬態保護包含晶片上瞬態保護裝置n〇, 舉例而5 ’像是齊納二極體(zener diodes)。然而，這樣的 晶片上瞬態保護裝置沒有足夠能力有效地消除大的瞬態 事=。分離以及晶片上的瞬態保護裝置兩者都常有超量的 ^質電容(intrinsic capacitance)，使這樣的裝置不適合用於 高，應用中。分離以及晶片上的瞬態保護裝置兩者的主要 保護機制是透過將所不希望得到的瞬態能量轉換為熱。因 此’大的瞬態量及/或重複暴露於大的瞬態量下，可能導致 過熱，而使這樣的裝置性能劣化。 圖 B係圖一 A之印刷電路板1〇2的一剖面15〇。剖 面150顯示印刷電路板包含材料多層160。剖面150亦& 示保護環104、晶片上瞬態保護裝置11〇、連接器1〇6以 及分離保護裝置1〇8。 一根據此發明某些實施例，一電壓可切換介電材料可用 作瞬態保護材料。過去，電壓可切換介電材料係用來製作 4PC-CA/06004TW/SCI ； 58689-8U2.TW01 可變成導電性的一絕緣基板。當 介電材，可接受電化學處理，像是供製作導電線=可1換 ίϊ直it的一方法揭露於美國專6,797，145的 ==，145建議使帽可“介電二 因此’鑑於前述，需要瞬態保護之一有效形式。 【發明内容】 ^些範例實施例中，具集積的瞬態保護之—印刷電路 板包3 —瞬態保護材料選擇性地沉積於選自一信號 面、-電源、平面及—接地平面或其任意組合之-或ϋ 面之部分Jl。選雜沉積的瞬祕騎触任何一或更多 平面中的導電材料接觸，並橋接印刷電路板内的導電元 件0 Λ A某些實施例中，透過非限制性的例子，選擇性沉積的 瞬態保護材料之不同的沉積具有可變的特性，其係取決於 有巧印刷電路板上瞬態敏感組件中的沉積位置，以及取決 於瞬態敏感組件所需的保護位準。 使用這樣選擇性沉積的瞬態保護材料以將過量電流 f向一接地、信號或電源分散平面的一優點是，這樣一分 政平面係作為一散熱座(heat sink)’而因此改善印刷電路板 上敏感電子組件的劣化。 4PC-CA/06004TW/SCI ； 58689-8112.TW01 在閱讀以下說明及研究幾個圖式後，熟此技藝者將會 明白文中揭露的這些與其他實施例及其他特徵。 【實施方式】 根據某些實施例，瞬態保護可藉選擇性地沉積瞬態保 護材料於印刷電物板堆疊來設立。這樣的選擇性沉積^態 材料於文中稱作瞬態保護材料。瞬態保護材料為包含基g 樹脂的電壓可切換介電材料(voltage switchable dieleetrie material ’ VSDM)，基礎樹脂包含矽橡膠(silic〇n mbber)、 環氧樹脂(epoxy)、聚酿亞胺(polyimide)、鐵氟龍(teflon)、 及其他在穩定狀態下為電介電質但在以特定位準的電壓 或電流激發時會變為電導性之聚合物。瞬態保護材料可為 任何對保護PCB上組件有利的形狀，且可沉積於一或更 夕層材料於PCB堆疊中，不論在堆疊的外表面或堆疊的 内，。再者，在一給定的PCB堆疊中之選擇性沉積瞬態 材料可具不同的特性，其係取決於瞬態材料所沉積於堆疊 上的位置。 ，二係一示意圖，用以說明需要保護免於瞬態之一電 的-^觸區域A與C間的-聚合物區域(瞬態保護區 诞」圖二中’符號B #選擇性沉積之嵌入式瞬態保護材 桿螬:it。圖二中，區域A與區域C示意地代表瞬態 :ή :二附加於需要保護免於過電流(over currents)及/ ^電壓之電路的兩個接觸區域。區域A、B與C係-給 電路板堆疊中的測定體積的(V〇1_triC)區域，而非 4PC-CA/06004TW/SC! ： 58689-8112.TW01 根據某些實施例，選擇性沉積瞬態保護材料為一雔向 (bi-directional)形式，如此材料有棚正與負瞬態兩者ς能 贿由選擇航積_㈣材料所提供的電 1制之圖式:提供雙向保護的選擇性沉積瞬態保護材料 之電阻’以圖三A所示的方式改變，以回應所施加電壓。 圖f A中，電阻由曲線302之斜率代表。一陡峭斜率 對應一高電阻。類似地，一淺斜率對應一低電阻。在正 運作^間，賴、保護區域所賴的電壓為低，而對應的電 =為，。然而，當瞬態保護區域遭遇一高瞬態電壓事 時，瞬態保濩聚合物材料之電阻減少，而因此容許更 ^流經瞬祕域。義保域之餘的減少係 籍制瞬態f壓至_安全辦’來限綱態電壓的峰值偏離 ifrursion) ’而同時重新導向㈣irecting)與此瞬態電 堡相關的電流至-鄰近的恤抗(impedanee)參考平面區 域。如熟此技藝者所知，低阻抗參考面區域在大多數的情 二兄下為一底板(chassis)接地平面，但也可為一配電bower ^stnbUtlon)平面、一信號平面、v•接地平面、一類比接地 平面、一數位接地平面、或一低電壓配電平面。 圖三B係一示意圖，根據特定實施例而說明用以限制 =位準之瞬祕護材料的配置。圖三B顯示瞬態保護材 ；8 #並聯於導電材料304與低阻抗參考面3〇6之間。 ^四A為描述由選擇性沉積瞬態保護材料所提供之 電k柑制。在圖四A中，電阻由曲線4〇2之斜率代表。一 4PC-CA/06004TW/SCI ； 58689-8112.TW0! -10- 阻:-淺斜率對應-低電 而對應的電阻為高：妙m區域所經歷的電壓為低， 電流時，瞬態保護繁二物姑：瞬態保護區域遭遇-高瞬態 減少限制電辨值至—安全辦。^保故域之电阻的 雷、ί=f、圖，根雜定實施例而說姻以限制 ㈣顯示瞬態保護材 c 瞬態保雜料4〇8係串聯於導電材料與低阻抗參考面 414之間。圖四(：也顯示了瞬態保護材料412係並聯 電材料410與低阻抗參考面414之間。 當瞬態保護材料係選擇性地沉積遍佈印刷電路板 時’許多保護點可納入印刷電路板中。圖五Α係一示意 圖’用以說明藉使用選擇性沉積瞬態保護材料去接觸電路 線的一部分，來保護一電路線免於瞬態。圖五A顯示印刷 電路板區域500、受害電路504、受害電路參考5〇6、以及 欲入式保護區域508。為解釋之目的，假設一瞬態電壓5〇2 於受害電珞504進入印刷電路板區域5〇〇。瞬態保護區域 508被納入互連(interconnect)的中間。當瞬態保護區域5〇8 遭遇瞬態502時’瞬態保護區域508將運作以箝制峰值電 壓至一安全位準。任何源自瞬態電壓502之過高位準的電 4PC-CA/06004TW/SCI ； 58689-8112.TWO 1 -11- ^皮分流(shunted)至受害電路參考 =平面等等。換言之，過電流被重新丄 ㈣式，用以說明未受選擇性沉積瞬態保言* 材巧保紅區域的不安全電壓位準，以二 積瞬態保護材料所保護之區域的受、/儿 顯示-圖，其中電壓沿垂直軸二制電二準。圖五Β :二瞬態辑像是瞬^^以 象是瞬態保護區域5,電:= 瞬態:======擇性沉積 Ϊ 選位置不會有瞬態注入點。如圖六所 路，附⑽護外部電 據特定實施例’選擇性沉積瞬態保護材 ϋίϊ交Ϊ特性，其係取決於有關印刷電路板堆疊上 =或電流_、敏感組件之瞬態保護材料的位置。在非限 中’選擇性沉積瞬態保護材料鄰近驅動器及接 特性：相較其他沒有鄰近任何印刷電路板 隹豐上敏感、，且件之面積，將限制電壓至一較低的位準。 圖七係-示意圖，用以說明導電線之差分信號對及選 4PC-CA/06004TW/SCI ； 58689-8112.TW01 •12· 擇性沉積瞬態保護材料於一印刷電路板之接地平面上。圖 七顯示瞬態保護材料702可置於導電路徑長度上的分^ 點。 圖八係一示意圖，用以說明選擇性沉積瞬態保護材料 802於鄰近一連結器(connector)804之接地平面上。 圖九係一示意圖，用以說明選擇性沉積瞬態保護材料 902於接地平面906及電源平面904之間。 ’ 在印刷電路板中使用瞬態保護材料牽涉兩個主要面 向。第一，瞬態保護材料需要最佳化定位於印刷電路板堆 疊中。第二，必須增加導電線與介層圖案，用以連接 積之VSDM至電路。 根據某些實施例，瞬態保護材料可選擇性地沉積於層 與核心之表面上。瞬態保護材料的選擇性沉積可例如透^ 網版印刷(SCreen-printed)、油印(stenciling)、注射分配(職此 dispensing)、或喷墨印刷(inkjet rinti )來 會沉積指定的體積與形狀之瞬態保護材料，；將 用適當的硬財法硬化。可變德行聚合無攸積可沉 於PCB内的同一層或不同層。因為沉積為選擇性 ;本。圖十及圖十一所描述之結構的 衣适孜w肿I1 通貫做而變。 -13- 4PC-CA/06004TW/SCI ； 58689-8U2.TW01 護材料選雜地沉積於分散平Φ之導電部紅間 Γΐ之其覆蓋於PCB之相同層上。圖十顯示在選擇 1 >儿積瞬態保護材料1004上之一導電材料層1〇〇2。圖十 也顯示了一預浸潰體(pre_preg)材料層丨〇〇6。 圖十一係一方塊圖，用以說明瞬態保護材料選擇性地 沉積於導電部分之間，以及―介層純蓋於PCB之相同 層上。圖十一顯示瞬態保護材料1104在一導電平面上， 選擇性地沉積於一導電部分1102(像是銅材料)與一介層墊 1106之間。圖十一及圖十二可以各種方法堆疊使得^擇 性/儿積瞬態保護材料可在PCB堆疊的表面上或在堆疊之 内層内。 圖十二係一方塊圖，用以說明瞬態保護材料在導電平 面上選擇性地沉積於導電部分(像是銅材料的二個部分)之 間。特別是，圖十二顯示包含選擇性地沉積於導電層12〇4 上之瞬態巧護聚合物1202之瞬態保護區域的剖面圖。圖 十一也顯示了 一介電材料層1206。圖十二之结構可提供綠 態保護料種電路拓樸，其中兩辦電區域彼此鄰U 由一非導電性區域分開。這些區域可由PCB製程中的習 ，製程(光學微影成像及化學韻刻)來形成，但也可由像是 雷射指向成像(laser direct imaging)或雷射建造(iaser tuctunng)等其他方法來形成。範例包含但不限於傳輸線 結構’其嵌入於一分散層。其他非限制性範例包含槽線(sl〇t es)共平面波導、邊緣麵合差分對(edge-coupled differential pair)傳輸線 '以及非導電面積槽溝(m〇ats)，分 隔分散面中不同接地與電源區域。 4PC-CA/06004TW/SCI ； 58689-8112.TW01 -14· •圖十三係一方塊圖’用以說明在有一介層墊(viapad) 選擇性地沉積而橫跨一介層反墊(via anti_pad)之一瞬 態保護區域。反塾及介層墊形成一環狀物於一接地平面内 (但不限於此接地平面内）’其中瞬態保護材料係選擇性地 沉積於此接地平面内。這樣的圖案係藉由使用與PCB製 程共同的印刷及蝕刻製程而產生於銅覆蓋層化核心 (copper dad laminate core)上。銅覆蓋層化核心可為以樹脂 注入而強化的玻璃、隨機玻璃或纖維複合物，像是杜邦公 司生產的“Dupont Thermount” ，或可為薄臈材料，像是 杜邦公司生產的聚銑亞胺(DupontKapton)”。介層塾及 反塾面積可覆蓋貴重金屬或其他沉積，以減少銅與Vsdm 材料介面之間的接觸電阻。圖十三顯示在一介層墊13〇8 存在下，一瞬態保護區域1302橋接一介層結構 1306之反墊區域1304之剖面。圖十三亦顯示接觸區域a 與c ’其令瞬態保護材料分別接觸介層墊13〇8以及導電 材料1312。這樣一結構可用來提供瞬態保護給多種電路拓 撲’其中#保護之電路導電部分係安排於印刷電路板堆疊 之内層上，或其中待保護之電路導電部分係在pcB堆疊 中f瞬態保護區域的一不同層上。每個核心可接著使用此 技藝中所習知的傳統技術而層化至一印刷電路板，因此而 嵌入瞬態保護材料。貫穿孔(thr〇ugh h〇les)可接著被鑽孔及 鍵銅，且將墊連接至敏感組件之所製造的外部電路將接著 封裝至嵌入式瞬態保護元件。 圖十四係一方塊圖，用以說明一瞬態保護區域選擇性 地沉積而橫跨一介層反墊，而無一介層墊。圖十四顯示一 4PC-CA/06004TW/SCi ； 58689-8112.TW01 -15- 瞬態保護區域1402橋接一介層結構14〇6之_ 剛」而無介層墊的一剖面。稿一結構可用來提： 態保護給沒有非功能性塾的電路。 ’、 ㈣以月之實施例已參照許多具體細節 s尤月而廷些具體細郎會隨實作而改變。因此，說明奎4 圖式係視為例示性而非限制性。 σ 【圖式簡單說明】 之-Γ意圖’肋描述_性保護環所保護 圖一 B係圖一 A之印刷電路板102於1B的一叫面· 一意圖，用以說日卜電路之二接觸區^間的 一聚口，區域，此區域需要保護以免於瞬態； 箝制係描述由嵌人式賴保護材料所提供的電壓 雷厭係圖’根據特定實施例而說明用以限制 電壓俊準之瞬祕紐_配置 制 電流^ A為描述由選擇性沉積瞬態保護材料所提供之 電流實細峨娜以限制 電壓ίΐϋ示意圖’根據特定實施例而說明用以限制 準兩者之瞬態保護材料的配置； ㈣示4圖，用以綱#使用選擇性沉積瞬態 能、；才枓去接觸魏線的一部分，來保護一電路線免於瞬 4PC-CA/06004TW/SCI ； 58689-8112.TW01 •16- 圖五B係-圖式’用以說明未受選擇性沉積瞬態保護 材料所保護之區域的不安全電壓位準，以及由」性 積瞬態保護材料所保護之區域的受箝制電壓位準.' 圖六係-示意圖’用以說明單端信號線及選擇性沉積 瞬態保護材料於-印刷電路板之接地平面或電源平面上;、 圖七係-綠圖，用峨明導魏之差分信號對及 擇性沉積瞬態保護材料於一印刷電路板之接地平面或電 源平面上； 圖八係-示意圖’用以說明選擇性沉積瞬 802於鄰近一連結器之接地平面上； Μ71 圖九係-示意®，用以綱鱗性沉麟態保護材料 於接地平面及電源平面之間； 圖十係-方塊圖，用以說明瞬態保護材料選擇性地沉 積於分散平©之導電部分之間、或分散平面之間， 於PCB之相同層上； /、復孟 圖十一係一方塊圖，用以說明瞬態保護材料選擇性地 沉積於導電部分之間’以及—介層紐蓋於pCB 層上； 圖十二係一方塊圖，用以說明瞬態保護材料在導電平 面上選擇性地沉積於導電部分(像是銅材料的二個部分)之 間， 圖十三係一方塊圖，用以說明在有一介層墊時，選擇 性地沉積而橫跨一介層反墊之一瞬態保護區域；以及 圖十四係一方塊圖，用以說明一瞬態保護區域 地沉積而橫跨一介層反墊，而無一介層墊。 、 【主要元件符號說明】 4PC-CA/06004TW/SCI :58689-81I2.TW01 •17- 1375494 102、印刷電路板 104、導電性保護環 106、輸入/輸出連接器 108、分離瞬態保護裝置 110、晶片上瞬態保護裝置 112、内部表面 150、剖面 160、材料多層
302、402、曲線 304、410、導電材料 306、低阻抗參考面 3〇8、404、408、412、602、604、瞬態保護材料 405、信號平面 414、低阻抗參考面 500、印刷電路板區域 502、瞬態電壓 504、受害電路 506、受害電路參考
508、嵌入式保護區域 509a、垂直轴 509b、水平轴 510、不安全位準 512、安全位準 606、702、802、902、1004、1104、1302、瞬態保護材料 804、連結器 904、電源平面 906、接地平面 4PC-CA/06004TW/SCI ； 58689-8112.TW01 -18 - 1375494 # 、導電材料層 、預浸潰體材料層 、導電部分 、1308介層塾 、瞬態保護聚合物 、導電層 、介電材料層 、1404反墊區域 、1406介層結構 、導電材料 、瞬態保護區域 4PC-CA/06004TW/SCI ； 58689-8112.TW01 -19-

Claims (1)

  1. 案號：95105219 98年2月丨3曰修正_替換頁 P年工月β日修正皆換I 十、申請專利範園： 1·種具集積的瞬態保護之印刷電路板’該印刷電路板包含: 一導電介層管(via barrel);以及 電源平面(power plane)及一接地平面(gr〇und plane) 一瞬態(transient)保護材料，選擇性地沉積於選自 =一平面之部分之上或之中，且其中該所選擇性地沉積之瞬 L保濩材料接觸並橋接(bridges)在該平面中之一導電材料與 選自該導電介層管之-介層結構及連接至該導電介層管之 層墊之_ —區域’其中該_保護材料形成自該介層 釔構延伸之一瞬態保護放電路徑的部分。 2.如請求項丨所述之具集積的瞬態保護之印刷電路板其中 該瞬態保護材料係沉積於-獅外型(annular· shape)、^合 曲線(closed curve)及多邊形之一或多個中。 3·如言^項1所述之具集積的瞬態保護之印刷電路板，其中 該瞬態保歸料包含具有敎過電雜過電流(___叫
    4· 1 一一
    係於§玄平面之上或之中。 4PC-CA/06004TW/SCI ： 58689-81I2.TW0! •20* 索號：95105219 98年2月13曰修正-替換頁 保護之印刷電路板，其中 6·如請求項1所述之具集積的瞬態 該介層結構包含該導電介層管。 7, 8· 項1所述之具集積的瞬態保護之印刷電路板，其中 護材料擁有可變特性，該可變特性係取決於鄰近 孩印刷電路板上之敏感組件的程度。 9· -種供製作具集積的瞬態保護之印刷電路板的方法該方 法包含： =刷及蝕刻一銅覆蓋層化核心(copper clad core)材料，該 銅覆蓋核心材料包含以下任一：樹脂注入之纖維玻璃布料 (resin impregnated fiber glass cloth)、隨機纖維(ran(i〇m fiber) 及薄膜材料； 、，選擇性地沉積一瞬態保護材料於選自一訊號平面、一電 源平面及一接地平面之一平面之部分之上或之中，且其中該 選擇性沉積之瞬態保護材料接觸並橋接在該平面中之一導 電材料與選自一介層墊及一導電介層管之一介層結構之間 的一區域，其中該瞬態保護材料形成自該介層結構延伸之一 瞬態保護放電路徑的部分；以及 層化(laminating)該核心至一多層印刷電路板結構以及 完成該印刷電路板之一製造程序，其係藉由鑽孔(drilling holes)、>儿積導電晶種(seed)、成像(imaging)、鑛(plating)、以 4PC-CA/06004TW/SCI ： 58689-8II2.TW0I 21 案號：95105219 98年2月13曰修正-替換頁 及蝕刻外層銅，以形成連接至選擇性沉積之瞬態保護材料之 元件的纟且件裝置塾(component mounting pads)。 10·如請求項9所述之方法，其中該瞬態保護材料係沉積於一 或多個之一環狀外型、閉合曲線及多邊形中。 11·如凊求項9所述之方法，其中該瞬態保護材料包含以下任 一：可重置(resettable)非線性聚合物及具有避免過電壓及 電流之特㈣可婦介電㈣。 ^ ^ 求項9所述之方法’其中該瞬祕護材料以一雙向方 式作用，供箝制電流或電壓之正與負之瞬態。 13·ϋ^9所述之方法’其巾該介層結構包含該介層塾， 且具中該導電材料與該介層墊係於該平面之上或之中。 »月求項9所述之方法，其中該介層結構包含該導電介層 電材料包含銅，且其中 面積係覆蓋有一貴重金 15·如清求項9所述之方法，其中該導 ^該瞬態保護材料接觸該銅處的一 屬，以減少或控制該接觸電阻。 16· 集積的瞬態保護之系統，該系統包含·· 複數度與一剖面面積之一多層印刷電路板; 電子組件’於該多層印刷電路板之—或多層上， ，、‘層印刷電路板包含至少—錢區域、至少—電源區 4PC-CA/06004TW/SCI ： 58689-8112.TW0I -22· 98年2月13曰修正-替換頁 域、以及至少一接地區域；以及 -^保護材料，選擇性地沉積於該—或多層或區域之 ，之中’財該選擇性沉積瞬祕護材 一或多層或區域中之-導電材料與橫跨^;二 之:介層之—介層結構之間，該介層結構係選自一介 導，其中該瞬態保護材料形成自該介層結 構i伸之一瞬態保護放電路徑的部分。 ϋίίί?賴顧之平面分舰容結構，該平面分散 一次混合結構，包含多層及沉積橫跨該多層之一介層， 構包含瞬態保護材料，該_保護材料^觸 並叹置在該；1層之一介層結構與該次混合結構之至少一導 電^'料層之間，其中該介層結構係選自-介層墊及一導電介 層管，其中該瞬態保護材料形成自該介層結構延伸之一 保護放電路徑的部分。 啤^ 18. 士請求項17所述之平面分散電容結構，更包含厚度在(U 密耳至4密耳之至少一介電材料層。 19. ，請求項η所述之平面分散電容結構，其中該瞬態保護材 係選擇性地沉積在該次混合結構之部分中且與該至一 導電材料層接觸。 20·-種具有集輯態保護之系統，該系統包含： 具一長度、一寬度與一剖面面積之一多層平面分散電容 結構；以及 4PC-CA/06004TW/SCI ： 58689-8112.TWOI 案號：95105219 98年2月13曰修正*替換頁 複數個電子組件，於該多層平面分散電容結構之一或多 層上， 其中該多層平面分散電容結構包含至少一次混合結 構，其中該次混合結構包含瞬態保護材料，該瞬態保護材& 係接觸並設置在一介層結構與一導電材料層之一區域之 間，該介層結構係選自一介層墊及一導電介層管，該瞬態保 濩材料形成自該介層結構延伸之一瞬態保護放電路徑的部 分，該次混合結構具有每平方英吋至少1〇微微法拉 (picofarads)之一電容。 21·如請求項2〇所述之系統，其中該多層平面分散電容結構更 包含厚度在0.1密耳至4密耳之至少一介電材料層。 4PC-CA/06004TW/SCI ： 58689-8112.TW0I -24- 1375494 年r月/|曰修(\)正替換頁
    圖一 B(習知技術)
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