TWI362372B - System and method for controlling the environment around one or more vessels in a glass manufacturing system - Google Patents

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TWI362372B
TWI362372B TW095114795A TW95114795A TWI362372B TW I362372 B TWI362372 B TW I362372B TW 095114795 A TW095114795 A TW 095114795A TW 95114795 A TW95114795 A TW 95114795A TW I362372 B TWI362372 B TW I362372B
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Description

九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於在玻璃製造祕巾_在—個 器週圍之環境(例如氧氣，氫氣，濕度，溫度，氣體 方法及系統。 【先前技術】 平坦顯示狀置麵㈣顯对(LCD)制平坦玻璃 片。在融合處理過程，玻璃片藉由使用容器製造出，其由耐 火性/μ金屬，例如翻或鉑合金所構成。貴金屬與大部份玻 璃關係通ΐ視為惰性的，及應該不會在玻璃中產生任何雜 質。 ” 不過，此並非必然為有效的。在容器内側金屬/玻璃界 面處會發，反應作用，該容器導致在玻璃熔融物以及玻璃 片中產生氣體雜質。在金屬/玻璃界面處發生多個一般氧 化作用之一為帶負電氧離子轉變為分子氧氣，其藉由水及 玻璃熔融物中氫氧基種類之熱分解所產生。發生該現象， 因為在提高玻璃熔融及傳送提高溫度下，在玻璃熔融物中 存在低的氫氣分壓。當氫氣與含有玻璃溶融物之耐火/貴 金屬容器接觸，氳氣快速地滲透出容器，耗盡金屬/玻璃界 面之氫氣。依據化學平衡，對於每一莫耳離開容器之氫氣， 1/2莫耳氧氣遺留於玻璃/金屬界面處。因而，當氫氣離開 容器時，在金屬/玻璃界面處氧氣分壓或氧氣量將增加，其 導致在玻璃熔融物中產生氣泡或氣態雜質。除此,存在其 他反應作用，其包含觸媒作用或在玻璃熔融物其他族屬例 如鹵素(Cl，F，Br)之氧化，其會導致氣體雜質形成。除此， 在金屬/玻璃界面處能夠發生由於電化學反應作用所導致 之氧化反應作用。這些電化學反應與熱電池，直流電池， 高交流或直流電流應用以及接地情況相關。 目前,存在數種方法，其能夠使用來解決這些問題性氧 化反應作用，其促使氣體雜質在玻璃片中形成。一項使用 來協助使玻璃片中氣態雜質形成減為最低之已知方法包含 在融合處理過程内使用砷作為澄清劑。砰為已知最高溫澄 清劑，以及當加入至炼融玻璃浴中，其會在炼融高溫下由玻 璃溶融物釋出(例如在l45(rc下）。該高溫α釋出在玻璃製 造熔融及澄清階段過程中將有助於去除&氣泡，其導致玻 璃片實質上不含氣體雜質。除此，任何殘餘氧氣氣泡藉由 澄清，再吸附，此由於冷卻由還原轉變為氧化狀態。不過， 祕環境觀點，並不需要使用砷，因為其被視為有害物質。 片存在數種其他已知的方法，其並不需要碎澄清劑以緩 和氧化還原反應作用，其在導致氣態雜質在玻璃片中形成 二一種該方法已說明於美國第5785726號專利中，該專利揭 示出控制/晨度外设，其圍繞著一個或多個含始容器以及使 用來控制谷器外側氫氣分壓以減小氣態雜質形成於玻璃片 中二該控制濕^之外殼更詳細地說明於底下。雖然在上述 所提及專利揭示出之方法成功地減Λΐ、玻璃片中氣態雜質之 形，，需要提供方法猶止祕肺臟於玻璃片中 。该需求及其他需求藉由本發明之系統及方法將令人感到 滿意。 【發明内容】 本發明包含一種系統及方法以控制玻璃製造系統中一 四週之環境(例如氧氣，氮氣，濕度，溫度，氣 體$量）。在優先實施例中，系統包含閉合迴路控制系統以 予”’其使帛來控制容器外部(非玻璃测表面)四週 氣量以抑制玻璃片中氣態雜質及表面氣泡之形成。除 此^能夠使用閉合迴雜制系統以及箱狀物以有助於冷卻 =融玻璃二同時炫融玻璃在玻璃製造系統中由一個容器移 f至另二容器。除此，能夠閉合迴路控制系統及箱狀物以 保持大氣在容器四週氧氣為最小以減箱狀物上貴金屬之氧 1362372 化。 【實施方式】. .... 參考圖1’其顯示出依據本發明使舰合處理過程來製 造玻璃片137之範例性玻璃製造系統1〇〇示意圖。玻璃製造 系統1〇〇包含溶融容器110,其中加4料如箭頭112所示以 114。炫融容器11〇通常由耐 火材料製造出。玻璃製造系統100更進一步包含一些组件 其通常由鉑或含鉑金屬例如Ρ_，pt士及其組合&製造 出。含麵組件包含預先熔融至澄清器之連接管件(p娜 113,澄清容器115(例如澄清器管件115)，混合容器12〇(例 如攪拌槽120)，澄清器至攪拌槽^連接管件122，傳送容器 125(例如碗錄125)，勝槽至碗狀物“接料127 ^ J管件130及入口 132。入口 132輕合至形成玻璃片137之 成谷器135(例如融合管件135)。通常形成容器135由耐火 材料所構成。 依據本發明-項實施例，包含容器115,12〇, 125以及 件⑵，127及130之熔融/傳送系統141包封於箱狀物14〇内 。濩套體積142定義為箱狀物14〇内部壁板與熔融/傳送 統141中組件115,120,122,125,127及13〇之間。箱狀物、14〇 優先地為相當防滲漏，材使用作為保持護套體積142些微 正值壓力之低氧氣，糖大氣，其大於棚條件。如圖所一示 ，箱狀物140 _製造為包圍整個長度之炫融/傳送系統⑷ =個區域。可加以變化，能夠使用多個箱狀物14〇為多個 區域，其中各別箱狀物140包圍著一個或多個容 地控制熔融/傳送系統141特別區域中大氣之能力。 _ ίΐΐΐϊ含閉合迴雜制系統144,其控^箱狀物 件取讽既瓜⑵及130内金屬m、、 第 頁
再次地有問題氧化反應作用導致在玻璃片137中氣態雜質 匕’與声全屬爷器及管件}問題性氧化作用 會 f 致在組件 115,120,122,125,127 及 130 上^·(或 ^貴-金屬[壞。 特別地閉合迴路控制系統144藉由促使氫氣遷移至玻 璃/金屬界ίι控制箱狀物14〇内側之大氣以抑制在金屬/玻 璃界_之不想要氧化反應作用。控制氣氣渗透進从璃 金屬界面之數量減小不想要種類例如分子氧及鹵素形成， 其因而避免不想要氣態雜質形成於j容融玻璃114中。氫氣 入玻璃/金屬界面藉由供應相對玻璃/金屬界面為較 尚氫氣分壓至混合/傳送系統141中外部表面(非玻璃接觸 表面)而達成。為了達成該情況》箱狀物140内側保持潮濕 低氧氣大氣，其導致在鉑系統非玻璃接觸表面處控制氫氣 含量，其在1650°C優先地為大於12ppm。人們了解箱狀物 140内侧大氣中氫氣含量具有不可感測數量之氫氣。不過， 當溶融玻璃114相關之水在高溫下分解時會產生氫氣。能 夠使用產生該大氣之氣體系統為水蒸氣，氧氣及氮氣(或另 一惰性氣體類似氬氣或氦氣)之混合物。使用該氣體系統 以在箱狀物140内側產生該大氣之範例性閉合迴路控制系 統144將說明於底下。 範例性閉合迴路控制系統144包含控制器150,其得到 位於箱狀物140内及外侧一個或多個感測器讀數。如圖所 示，控制器150能夠得到來自箱狀物供應感測器152,箱狀物 感測器及箱狀物出口感測器156及156’之感測器讀數。在 該範例中，箱狀物供應感測器152包含流量感測器152a，露 點/濕度感測器152b，溫度感測器152c，氧感測器152d，及壓 力感測器152e。箱狀物感測器154包含流量感測器154a，露 點/濕度感測器154b，溫度感測器154c，氧氣感測器154d，及 壓力感測器154e。以及箱狀物出口感測器156及156,均包 1362372
們實質輯加大氣中氫氣含量。人們了解在優献體混合 物中存在氮氧(或惰性氣體)並不會直接地參與水份分解反 ，作用。相反地^依據理想氣體定律惰性氣體之分壓影響 ，氣分壓。氧氣分壓之變化影響由於水分解所導致之开)成 平衡氣體。 四表1顯示出在各種溫度下在傳統外殼以及箱狀物140包 圍環境中水份及氧氣含量對氫氣含量之影響。 表2 傳統外殼
露點溫度 (°F) "Η分比 氧氣 1250 °C (ppm H2) 1450 °C
(ppm H2) 1650 °C 1 %氧氣 0.01%氧氣 箱狀物140 80空_ (21)0.2 2 11 80 0. 9 52 800.01 9 88 524 140 0.5 8 77 463 (ppm H2) _ 失傳統外殼為房間尺寸之外殼，其依據先前所提及美國 第5785726號專利一項實施例製造出。在熔融/傳送系統 ^中傳統外殼破保組件115,120,122,125,127及130外側 氫氣分壓含量足以防止氧氣氣泡形成於相鄰容器/玻璃界 面之破璃中。雖鋪統外殼成功地減小氣態雜質形成於玻 璃片中’其仍然、具有缺點。第-，傳統外殼太大，其難以在 炼融/傳送系統141中組件115,12〇, 122,125,127及130週圍 保持均勻的環境。第二，傳統外殼太大以及環境溫度太高 以及濕度將使進入外殼之人員感到不舒服。 第10 頁 1362372 本發明之箱狀物140以及閉合迴路控制系統144解決一 些缺點以及傳統外殼相關之其他缺點。在優先實施例中，—_ . 箱狀物140為相當小外殼，其產生小的護套空間m2,其使得 大氣較為良好之控制變為容易。此由於在箱狀物14〇内側 條件之探測讀數(例如相對濕度或露點溫度)更能代表玻璃 處理設備外侧金屬表面處之條件，因為在箱狀物14〇中體積 小於傳統外殼中體積。除此，假如存在熔融玻璃水份含量 變化或處理過程不穩定，其導致氫氣渗透氣泡增加，則使用 傳統外殼通常無法反應該問題，由於其能夠在最大露點下 操作。箱狀物140以及閉合迴路控制系統144具有較佳機會 解決該問題。 如圖所示，本發明箱狀物140以及閉合迴路控制系統 144實質上為傳統外殼之加強形式。再次地^傳統外殼使用 濕度化空氣大氣於炫融/傳送系統141金屬部份四週。箱狀 物140以及閉合迴路控制系統114創造低氧氣濕氣大氣，其 能夠使氫氣含量大於傳統外殼高露點空氣溫度所使用可能 巧況之1至2個數量等級,。產生該低氧潮濕大氣亦擴展玻璃 範圍，其受到保護避免氫氣滲透氣泡。 參考圖2,其為顯示出氣泡產生數量(在鉑玻璃接觸表 ，上氣泡覆蓋面積)與鉑裝置外部(非玻璃接觸表面)上大 氣中氫氣數量之關係曲線圖。如人們所看到，在傳統外殼 中潮濕空氣大氣相關之低氳氣數量在寬廣溫度範圍具有無 法接，之氣泡。與箱狀物140以及閉合迴路控制系統144相 關之尚氫氣大氣對抑制玻璃中氣泡為非常有效。再次地， 傳統外殼運作良好，但是本發明箱狀物140以及閉合迴路控 制系統144在寬廣溫度及玻璃範圍在作氣泡抑制時更能良 好地運作。 f考表1及圖2,人們可看到傳統外殼在165〇。(：下難以 在大氣中保持氫氣為12ppm。此由於利用傳統外殼不可能 第11頁 ㊣ 1362372 產生低氧氣大氣，因為人們會時常進入及離開外圍空間。 圖3為曲線圖，-其顯示出其差異以及在像統外殼及箱狀物 140内不同的操作條件相關細氫氣與溫度相關之其他差異 。通常’上述曲線302上方面積為箱狀物14〇能夠操作但是 難以操作傳統外殼之面積。在曲線3〇2底下區域中箱狀物 140以及傳統外殼能夠有效地操作。 • 參相3,人繼夠相射改善傳統外殼在箱狀物 140中大氣中氫氣數量應該大於或等於在下列使用平衡關 係公式_所計算氫氣數量： pHzCppm) =78000x ⑴ 其中G，R及T先前已定義。該公式及圖3所顯示曲線圖中依 據傳統外殼ρΗ2〇及ρ〇2條件，其上部外侧露點為8〇卞。除此 ，該公式能夠再改寫為下列形式： pIKppm) = 78000x e[(_589咖·ιυ/α9871ιτ)]⑵ 其中溫度為觀式溫度。 濕度，低氡氣大氣對玻璃之影響顯示於圖4中。在圖4 相片中顯示在相同的鉑容器中在145(rc熔融兩片厚度為 0· 005玻，試樣歷時1〇分鐘。在右侧玻璃使用已知的技術 在露于2〇 C空氣中溶融，同b夺在左側玻璃依據本發明在露 • 點20°C含有0. 01%氧氣之空氣中熔融。為了特別顯示出在 鉑-玻璃界面處產生氣泡，在測試後，鉑由玻璃剝除以及模 擬f 5人，區域。清舰示暴露於減小氧氣具有較高 含量氫氣大氣之玻璃顯然地具有較少氣泡小於在空氣中被 測試玻璃之情況。 如上述所說明，閉合迴路控制系統144控制箱狀物14〇 内潮濕低氧氣以抑制玻璃片137中氣體雜質產生。在優先 實施例中，帛合迴雜制祕144藉纟測氣齡統達成該 目標，其在箱狀物140内具有水蒸汽，氧氣及氮氣之混合物 。氧氣一般數值為〇. 01%至1%，水蒸汽為2至20%，其餘氣體 第12 頁 0 1362372 ，125,127及130,甚至於不使用第二加強物。特別地^能夠 使用本發明來協助冷卻由適合熔融之高溫情況移出的炫融 玻璃114為適合形成較低溫度之情況。通常，玻璃114需要 冷卻至棚。C。為了協助冷卻熔融玻璃144,箱狀物14〇及閉 合迴路控制系統144使用強迫對流，其與組件115,122, 125,127及130外側氣體流動相關。因為箱狀物14〇相當j’、 以及在已知的位置具有開孔，該開孔使用來連接管件166， 166a’ 166b及166c，能夠小心地控制熱量轉移以及冷卻性能 由一個裝置至下一個裝置加以複製。除此，亦能夠使用關 於上述所說明之第一加強物片流以協助較佳地控制埶量轉 移。 、 加以對比，傳統外殼難以控制熱量轉移，因為氣流無法 控制以及決定於不同的局部溫度以及圍蔽空間内氣流。因 而，在傳統外殼中對混合/傳送系統之局部冷卻率能夠只藉 由提高或降低局部區域電加熱裝置加以控制。不過，局部9 冷卻率能夠在箱狀物140内藉由加熱器功率及氣流流量加 以調整。此能夠使對玻璃流作較大範圍之冷卻控制如 所示。 ，仏ώ 表2
玻璃流動 箱狀物140 傳統外殼 標稱 X X 最小 0.75X 0.85X 最大 1.35X . - 1.2X 如表2所示，當加熱器功率達到其最大值，傳統外殼具 有〇. 85χ最小玻璃流動邊界。當一些電路被關閉使加熱器 功率相當程絲低時，傳統外雜有丨· 2χ最大玻璃流動^ 界。假如電路被關閉，則喪失有效控制冷卻。當空氣冷卻 可變化時，箱狀物140能夠促使這些邊界延伸至o.n 3放 第Η 頁 丄北2372 (例如）。除此關於箱狀物14〇相關之流動邊界由冷卻容量 而非壓力頭損失或其他考慮因素支配。因而箱狀物140能 夠使人們藉由強迫對流控制冷卻。在傳統外殼中該形式控 制並不可能，因為外圍之空間太大以及人員能夠進入及離 開外圍之空間。 參考圖5,其為流程圖，顯示出依據本發明製造玻璃片 137方法5〇〇之主要步驟。在開始步驟5〇2中，形成溶融玻璃 ^14及在炫融容器110,澄清容器115,混合容器120,傳送容 器125,及形成容器135内處理。在步驟5〇4中使用箱狀物 140»來包圍一個或多個這些容器u〇, 115,12〇, 125及135以 及=件113,122,127及130。在優先實施例中，箱狀物140包 圍著容器110,115,120及125以及與熔融/傳送系統141相關 炼融/傳送系統14K參閱圖1)。在步驟506中，使用閉合迴 f控，系統141以形成，監測及控制箱狀物14〇内潮濕低氧 氣大氣。在優先實施例中，使用閉合迴路控制系統144以控 ，玻璃混合物内之氫氣數量使將在165(rc下至少12ppm氫 氣(例如參閱表1，及圖2-3)存在於外圍容器11〇, 115,120， 及125外部四週以減少來自熔融玻璃114之氫氣滲透以及有 效地抑制熔融玻璃114内不想要氣態雜質形成。除此，能夠 使用閉合迴路控制系統144以控制存在於遮蔽容器11〇, 115 ’ 120及125外部四週氧氣數量以減少圍蔽容器11〇, 115,12〇 及125及管件122,127及130上貴金屬氧化。除此，當玻璃由 一個容器（澄清容器115)移動至另一容器(混合容器120)時 月b夠使用閉合迴路控制系統144以控制熔融玻璃114之冷卻。 底下列出本發明一些優點，特性及用途： •本發明能夠為任何玻璃製造商使用,在熔融，傳送或形成 玻璃系統中，其中玻璃與貴金屬裝置接觸，該裝置一個表面 與玻璃接觸及另一表面不與玻璃表面接觸。該貴金屬裝置 並不需要為容器，但是能夠為一些其他裝置類似熱偶護套， 第丨5 頁 1362372 擾拌器或碗狀物櫬墊(例如）。除此，本發明有益於製造表 面多孔容器管件及片狀物。除此，本發明有益於製造任 形式玻璃產物。 一 •本發明減小含鉑組件外部表面之硬化。電流技術依靠塗 膜，例如Rokide(鋁氧化物)，其放置於含麵組件外部表面上 ，限制空氣(氧氣)與貴金屬接觸。本發明提供一種降低氧 氣數量，其為鉑不想要氧化反應作用中關鍵驅動力量。使 '用惰性氣體或還原氣體以防止鉑氧化作用存在許多優點。 第一，氧化之去除/還原使氧化率降低數個等級。最佳塗膜 ，常減小氧化約2至4倍。第二，氧氣去除/還料除使用容 器中始較厚區段之需求以停止由於氧化作用所導致之失敗 。因而，容器價格小於利用較厚區段以改善使用壽命之設 十系統。第二，在相狀物140内使用惰性或還原氣體使其有 可能保護所有貴金屬系統面積，甚至於難以塗覆錯综複^ 形狀的面積。 " 丄本發明能夠使用於任何玻璃或熔融系統中，其中玻璃與 貴金屬例如金，麵，錢，銀，錮，把，銖^组，鈦，鎢及其合金。 該接觸能夠為產物之炫融，傳送或形成相。 •本發明消除添加多價族屬(澄清劑)例如砷及録氧化物於 玻璃中以緩充在鉑玻璃界面處氧化反應作用之需求。假如 需要多彳貝族屬作為澄清劑，其濃度可減為最低。除此，需要 情況下能夠使用較不有效而不視為有害之多價族屬之澄清 劑材料。此會增加可能玻璃組成份之數目以及亦能 出環境完全友善之玻璃。 •本發明並不需要内部插入至玻璃熔融/傳送系統141内， 以及能夠由外部表面施力口於系統上任何位置。 •箱狀物140能夠為試樣容器或障壁物，其能夠保持正值壓 力^低氧環境。例如，箱狀物14〇能夠儘可能簡單為塑膠或 橡膠袋或更為永久性例如圖1所示之圍蔽體。
第丨6 頁 1362372 •人們了解箱狀物14〇亦能夠包圍混合/傳送系統141以及 組件-115vl.2(U25及管件122,127及13〇中其他組件。例如， 相狀物140亦能夠包圍著組件us及I%。 •人們了解箱狀物14〇能夠具有_丨所顯示更多或更少之 入口及出口。 •本^明使用者並不必需關切在；縣/傳送系统⑷四週具 有太高數值之氫氣，其對貴金屬容器完整性會有影響。因 為，假^不可能使A氣數量達到玻璃成份(例如Fe，Sn，As，
Sb)被還原妓度，本發明使用氮氣，水份，氧氣環境難以促 使系統之金屬受到侵蝕及破壞。 •先刖所提及融合處理過程能夠參考美國第3338696及368 2609號專利。該兩個專利内雜此加人料參考之用。 雖然本發明一個實施例已列舉於附圖中以及在先前已 詳細加以制，人們了解本拥並不受祕所揭示實施例 但是能夠作再排列，改變及替代而並不會脫離下列專 利範圍所揭示及界定之本發明精神。 【圖式簡單說明】 第-圖為模組圖，其顯示出依據本發明玻璃製造 之玻璃組件。
第二圖為曲線圖，其顯示出在鉑玻璃處理容器外部表 ，上氣泡產生數量(以量測氣泡覆蓋面積)與大氣°中氫氣含 量關係’該谷器能夠使用於圖1所顯示之範例性玻璃製造系 統。 ’、 #第三圖為曲線圖，其使帛來協助說明已知技術及本發 明氫氣ppm與溫度相關之不同的操作條件。 第四圖為相片圖，其顯示出兩個玻璃試樣，盆^相 =玻璃處理容器中歷時10分鐘，一)固‘知 技術處理，另一試樣依據本發明處理。 第五圖為流程圖，其顯示出依據本發明製造玻璃片方

Claims (1)

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十、申請專利範圍：一一 1. 一種製造破璃產物之方法，該方法包含下列步驟： 形成及/或處理熔融玻璃於至少一個熔融澄清傳送及形 成容器内； 提供箱狀物以包圍至少一個容器；以及 提供大氣於箱狀物内側壁板之間以及至少一個容器非 玻璃接觸表面四週，其中提供監測/控制步驟更進一步包含. 控制大氣中氣體混合物内氫氣數量，使得在至少一個容琴 非玻璃接觸表面四週分廳持為或大於一個數值，該數值由 下列關係界定出:pH2=78000xe[(_13· 以抑制不押要 氣體雜質形成於熔融玻璃内，其中τ為至少一個容器非玻 璃接觸表面之凱氏溫度，地單位為大氣塵。 2. 依據中請專利細第1項之方法，其中提供大氣之步驟 更進一步包含在至少一齡器非玻璃接觸表面四週氣體混 合内控制氧級量域少至少—個絲上貴金屬之氧化。 3. 依據申請專利細第i項之方法，其中提供大氣之步驟 更進一步包含控制熔融玻璃之冷卻步驟，同時溶融 至少-個容II之-移動到至少—個容器之另一容琴。 4. 依據申請專利範圍第i項之方法，其中氣體混麵在至少 -個容狄非玻赚喊在17(rci^轉達難〇 ppm氫氣。 5. 依據申請專利範圍第丨項之方法其中 200°F或更低露點溫度下。 心 6. 依據申請專利範圍第1項之方法立 . ，/、中氣體混合物之氧氣 第19 頁 .09511^4795 1003410.755-0 數量為小於21%體積比。 7·依據申請專利範圍第}項之 含量為0.01%至1%體積比以；^氣體混合物之氧氣 ，其餘為惰性氣體。 二心量為2%至20%體積比 8.依據申請專利範圍第！項之 解氨氣。 ，/、中軋體混合物包含裂 ^依射請專利範圍第！項之方法其 螭接觸表面包含金屬兮令属士 a /個合„非玻 柄及其合:：出屬由金，—，咖 H請專利範_1項之方法，其中更進一步包含放 =壓縮板於至少-姆H—_破猶面四週其將 減乂氣航合驗黻容批及赴鐘齡物片流流 動於箱狀物内。 Π·依據申請專利範圍第i項之方法其中控制大氣中氣體 混合物内餘數量包含使_合迴職繼賊監測及控 制大氣内之組成份。 12.依據申請專利麵第u項之方法其中閉合迴雜制 糸統包含： 控制器； 一組多個感測器； 濕度供應系統； 加熱/冷卻控制系統； 空氣處理器；以及 氧氣/氨》氣構成系統。 0.951.14795 第20 頁 1003410755-0 1362372 13·依據申請專利麵第12項之方法其中濕度供應系統加 熱/冷卻控制系統，空氣處理器，以及氧氣/氮氣構成系統連接 至與箱狀物連接之管件網路。 14. 依據申請專利範圍第13項之方法其中管件網路包含主 要Ί*件連接至箱狀物之第一端部以及管件網路更進一步包含 出口管件連接至箱狀物之相對端部。 15. 依據申請專利範圍第14項之方法其中管件網路更進一 步包含另-管件，其-端連接至主要管件以及另一端連接至 使用來連接-對至少-個容器之管件的人口其中氣體混合 物流動於管件四週，該管件具有出口，經由該出口氣體混合物 被導引回到箱狀物中大氣内。 16. 依據申凊專利範圍第12項之方法其中控制器處理多個 感測器之感測量測值以及控制濕度供應系统加熱/冷卻控 制系統，空氣處理器，以及氧氣/氮氣構成系統。 17. 依據申請專利細第12項之方法，其中控制器由多個感 測器得到感測器讀數，該感測器包含箱狀物供應感測器，箱 狀物感測器以及箱狀物出口感測器。 ’ 18. 依據申請專利範圍第17項之方法，其中箱狀物供應感測 器包含流動感測器，露點/濕度感測器，溫度感測器，氧氣感 測器，以及壓力感測器。 19. 依據申請專利範圍第17項之方法，其中箱狀物感測器 包含流動感測器，露點/濕度感測器，溫度感測器，氧氣咸 測器，以及壓力感測器。 20. 依據申請專利範圍第17項之方法，其中箱狀物出口感測 0951147 95 第21 頁 1003410755-0 1362372 ·. · κ 器包含流動感測器，露點/濕度感測 測器，以及壓力感測器。 2L依據申請專利範圍第3項之方法，其中控制溶融玻璃冷 狀步驟更進-步包含使用強制對流以冷卻熔融破璃同 時炫融玻璃由至少-個容器之一容器運行到至少一個容 器之另一容器。
22. 依據申請專利範圍第丨項之方法其中由箱狀物所包圍 之谷器在其麵作溫度下可渗透氫氣。 23. 依據中請專利範圍第i項之方法其中提供大氣之步驟 包含控制大氣中氧氣分壓至低於0.21大氣壓。 24·依據中請專利範圍第！項之方法其中提供大氣之步驟 包含在容器操作過程巾提供具有實質上固定組成份以及溫 度分佈之大氣。 25. 依據申請專利範圍帛！項之方法其中箱狀物以及由箱 狀物包圍谷器之非玻璃接觸表面界定出一個空間，在箱狀 物JL常操作過程中並不需要該出入口。
ϋ，溫度感測器,氧氣感 26. —種玻璃製造系統，其包含： 熔融，澄清，傳送及形成容器，每一容器包含接觸熔融玻 璃之内側壁板； 相狀物，其圍繞著至少·一個容器； 閉合迴路控制系統，其監測及控制箱狀物内以及至少一 個谷器非玻璃接觸表面四週之環境;以及 其中閉合迴路控制系統控制環境中氣體混合物内氫氣含 量，使得其分壓保持為或大於^=7800(^(^11聊，987*15^ 0951.14795 第22 頁 1G03 410.755-0 1362372 定出之數值於至少-個容器之非玻璃接觸表面四週以有效 _制熔融玻_不想要之氣體雜質其中pHz單位為大氣壓。 27. 依據申請專利範圍第26項々^璃製造系統，其中閉合迴 紐制系統更進-步控制至少—個容器之非玻璃接觸表面 四週環境中氣體混合物内氡氣含量以減少至少一個容器上 貴金屬之氧化。 28. 依據申請專利細第26項之玻璃製造系統其中閉合迴 路控制系統更進一步包含控制熔融玻璃之冷卻同^ 璃由至少-個容器之-移動到至少一個容器之另一容器。玻 · 29. 依據申請專利細第26項之玻璃製造系統其中氣體昆 合物在至少-個容器之非玻璃接觸表面處產生高達3麵 ppn氫氣。 ％ . 30·依據申請專利範圍㈣項之玻璃製造系統，其中氣體混 合物保持在200°F或更低露點溫度下。 / 31.依據申請專利麵第26項之玻璃製造系統，其中氣體混 合物之氧氣數量為小於21%體積比。 此 32·依據申請專利麵第26項^璃製造系統，其中氣體混 · 合物之氧齡量狀· 1%齡以财魏含量為： 至20%體積比，其餘為惰性氣體。 览依據申請專利範圍第26項找璃製造桃其中氣體混 合物包含裂解氨氣或燃燒產物。 此 34.依據申請專利麵第26項之玻璃製造系統其中至少一 個容器非玻璃接觸表面包含金屬，該金屬由金,鉑姥銀 鉬，鈀，銖》乾鈦，鎢及其合金選取出。 ，， 0951W95 第23 頁 1003410755-0 1362372 > 35·種在玻璃製造系統中至少一個容器四週控制環境之 系統，該系統包含： 箱狀物，其包圍著至少一個容器； 閉合迴路控制系統，其控制位於箱狀物内氣體混合物中 氫氣數量，使得分屡保持為或大於Ρ压=78〇〇〇xe[W8_a_,98T*D] 界定出之數值於至少一個容器之非玻璃接觸表面四週以有 效地抑制至少一個容器内熔融玻璃中不想要之氣體雜質，其中 pH2單位為大氣屋。 36. 依據申請專利範圍第35項之系統其中閉合迴路控制系 統更進一步控制至少一個容器之非玻璃接觸表面四週環境 中氣體混合物内氧氣含量以減少至少一個容器上貴金屬之 氧化。 37. 依據申請專利範圍第35項之系統，其中閉合迴路控制系 統更進一步包含控制熔融玻璃之冷卻，同時熔融玻璃由至 少一個容器之一移動到至少一個容器之另一容器。 38. 依據申請專利範圍第35項之系統，其中更進一步包含壓 縮板位於至少一個容器之一非玻璃接觸表面四週，其將減 )氣體混合物氣流流過容器以及促使在箱狀物内氣體混合 物產生片流。 39·依據申請專利範圍第35項之系統，其中閉合迴路控制系 統包含： 控制器； 一組多個感測器； 濕度供應系統； 095114795 第24 頁 1003410755-0 1362372 加熱/冷卻控制系統； 空氣處理器；以及 氧氣/氮氣構成系統。
第25 頁 095114:795 1003410755-0
七 、指定代表圖： (一）本案指定代表圖為：第（一）圖。 ，璃製造系統100;熔融容器110;箭頭112. 連接管件113;熔融玻璃114;澄清容器115;混‘ 容器120;連接管件122;傳送容器125;連接管^ 127;向下管件130;入口 132;形成容器135;玻璃 片137;炼融/傳送系統141;箱狀物140;炼融/傳 送系統141;護套體積142;閉合迴路控制系統 144;控制器 15〇;感測器 152,152a，152b，152c， 152d，152e，154,154a，154b，154c，154d，154e;感測 器 156,156,，156a，156a，，156b，156b’，156c，156c’ ，156d，156d，，156e，156e，；濕度供應系統 158;加 熱/冷卻控制系統160;空氣處理器162; 〇2/%構成 系統 164;管件 166,166a，166b，166c;端部 168， 168a，168b;入口 170;出口 172;壓縮板 174。 八、本案若有化學式時，請揭示最能顯示發明特徵的化學式：
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