TWI361205B - Heat stable aryl polysiloxane compositions - Google Patents

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Description

1361205 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 • 本發明係關於一種可固化（curable)芳基矽氧烷組成 -物 種由該組成物製造熱安定性經固化之芳基聚矽氧烷 組成物的方法，以及該熱安定性經固化之芳基聚石夕氧燒組 成物二與封裝半導體裝置，及一種藉由將該熱安定性經固 化之芳基聚矽氧烷組成物塗覆於半導體裝置的半導體元件 而製造該封裝半導體裝置之方法。 【先前技術】 正發展於工業及居家照明應用之下一代高強度發光二 極體（LED)需要新__類的封裝劑。目前並不存在可持續工 作於長時間（10，_小時至1〇〇,_小時）及高溫（1〇代至 f〇c)操作條件下而不會喪失所欲特性的可用封裝劑。當 剛可用之環氧聚合物封裝劑在使用於高強纟LED的劇列 操f條件下產生不可接受的黃化及降解。此外，較佳地，、 17月b品要任何與現行封裝劑生産方法相容的新型候選封裝 劑。 ' 已發現，相較於環氧聚合物，將一類聚石夕氧烧作爲高 強度照明裝置之封裝劑係具有優勢。經甲基取代的聚石夕氧 烧在暴露於空氣中高溫條件下尤其耐降解與伴隨的顏色變 ^ °然而’經甲基取代的聚石夕氧院之此種屬性被此類聚矽 氧院組成物固有特性之低折射率（RI〜114)所遠遠抵銷。將 偏斤射率之經甲基取代的聚々氧烧固定0 LED光生成堆 $ (LED light geneming 的高折射率發光面⑻ 94094 5 ⑽ 1205 =)’會產生—阻抗自該L£d堆 知外部環境的有效光流之界面。 以生成點至需先 .· 由於降低在led堆轟盥封驻如 -增加光從LED餘心、 副之間的折射率差值會 此與加聚矽的之逸，且因而降低LED的效率，因 此增加1石夕㈣之折射率係所希 之折射率的方法為將芳基附 ：:= 可使聚矽氧烷的折射率提升们“"方基附接至矽 士 X, 外耵手徒升到h5至1.62之範圍内。因 氧产種LED的封錢時，相對於經甲基取代的聚石夕 ①方基取代的聚⑦氧炫係提供了更高的光流效率。 你杜不地’據悉芳基聚石夕氧炫於輕度至中度熱加速老化 :二下會黃化，且於劇烈熱加速老化條件下變爲棕色。此 卞轉致使芳基聚石夕氧燒不適合作爲高強度咖之封裝 =專利公開案W020〇5/〇332〇7A1揭示了 〇」至卿^ =的鈾⑼係足夠催化具有芳基取代基之可固化有機聚 巩烷組成物的矽氫化反應（hydrosilati〇n)。w〇2〇〇5/ 03、3207 A1進-步教示使用賦予超過該範圍上限之翻含量 (亦即，大於5〇〇 ppm鉑金屬）的催化劑來固化彼等芳基有 機聚石夕氧燒可能會在對所得固化產物賦予不同顏色方二造 成問題。儘管在固化芳基有機聚石夕氧烧樣品期間建議的鉑 金屬含量上限大約為500 PPm，但並未發現對於含有5〇〇 PPm或更低含量鉑金屬的樣本，在升溫空氣中之加速老化 有任何有害效應。在固化實驗試樣與測試其光傳導損失的 實例中，彼等試樣於150。(：固化1小時，然後於15〇t：熱老 化10.0小時。固化與老化皆於熱氣流循環爐内進行。當然， 94094 6 L361205 由於沒有在可表示長期高亮度LED使用條件的溫度下之 .加速熱老化反應，因此關於是否所有、完全沒有或者某些 •在0.1至500 ppm範圍内的鉑金屬含量可在高亮度LED使 .用條件下促進芳基有機聚矽氧烷的殘存並未被揭露。 我們驚訝地發現一種可固化芳基矽氧烷組成物於固化 後產生的經固化之芳基聚矽氧烷組成物在200°C空氣中加 速熱老化二週的期間不會變色，該可固化芳基矽氧烷組成 物包括：芳基乙烯基聚石夕氧烧與氫化石夕化合物（hydrido 鲁silicon compound)，上述兩者之至少一者含有一個或多個 芳基；以及石夕氫化反應催化劑（hydrosilation catalyst)，且 以該可固化芳基矽氧烷組成物中矽氧烷之總重量為基準 計，該矽氫化反應催化劑以第VIII族元素當量值（Group VIII element equivalent value)表示時，係以至少 0.005 ppm 至不多於3.0 ppm的量存在。 【發明内容】 φ 本發明之一態樣係針對一種經固化之芳基聚矽氧烷組 成物，其包括： A.經伸烷基橋接之芳基聚矽氧烷，其包括： 至少一個橋接矽的伸烷基部分；及 以該經伸烷基橋接之芳基聚矽氧烧中的經矽鍵結之有 . 機基圑的總莫耳數為基準計，至少10莫耳百分比 (mole percent)至不多於99.9莫耳百分比之經石夕鍵結 之芳基；及 _ 、'B.矽氫化反應催化劑，其中，該矽氫牝反應催化劑係金 7 94094 1361205 屬或金屬化合物，其包括選自鉑、鍺、鈀及其組合之 第VIII族元素；及 以該經固化之芳基聚矽氧烷組成物之重量為基準計， 該矽氫化反應催化劑及其任何衍生物以第VIII族元 素當量值表示時，係以至少〇 〇〇5 ppm至不多於3 〇 ppm之組合量（combinedam〇u叫存在；及 其中，該經固化之芳基聚矽氧烷組成物經由CIE b值 顯示出其在20(TC空氣中熱老化14天的期間不會變 色，該CIE b值係使用CIE 19?6 peb*%〆照明角 度）/1〇(觀測角度）顏色測試方法測定，經由在該熱老化 後測量該經固化之芳基聚矽氧烷組成物之〇6毫米 (millimeter)厚樣品所得的CIE b值係不大於2 〇。 本發明之第二態樣係針對一種製造本發明第一能护之 該經固化之芳基聚石夕氧烷組成物的方法，其包括下列； A.提供： Μ ι) 芳基 烯基聚 梦氧院 ，包括 ： 至少二個經矽鍵結之烯基；及 以該芳基稀基聚石夕氧烧中的經石夕鍵結之有 基團的總莫耳數為基準計，至少10莫耳百八 比至不多於9 9.9莫耳百分比之經石夕鍵^ 基； 方 ii)氫化石夕化合物，包括： 至少二個經矽鍵結之氫原子；及 以該氣化妙化合物中..的㈣鍵結 94094 8 1361205 的總莫耳數為基準計，0莫耳百分比至不多於 99.9莫耳百分比之經矽鍵結之芳基；及 . 1U)矽氫化反應催化劑； -B.，合該芳基烯基聚錢院、該氫切化合物及該石夕 虱化反應催化劑，以產生可固化芳基石夕氧院 物； 、 A.固化該可固化芳基⑪氧院組成物，以形成經固化之芳 基聚碎氧烧組成物；及 1 B·視需要地’藉由-技術純化祕固化之芳基聚砍氧烧 組成物，該技術包括選自下列各者之步驟：將至少一 部分該矽氫化反應催化劑移除；將至少一部分該矽氫 化反應催化劑去活化（deactjve);及其組合， 其中： 該矽氫化反應催化劑係金屬或金屬化合物，其包括選 自鉑、铑、鈀及其组合之第VIII族元素； 以該可固化芳基石夕氧院組成物之重量為基準計，該矽 氫化反應催化劑以第νΐΠ族元素當量值表示時，係以至少 0.005 ppm至不多於3.〇 ppm之量存在；及 該經固化之芳基聚矽氧烷組成物經由CIE b值顯示出 其在200 C空氣中熱老化14天的期間不會變色，該cIE b 值係使用CIE 1976 L*a*b*D65(照明角度）/1〇(觀測角度）顏 色測試方法測定，經由在該熱老化後測量該經固化之芳基 聚矽氧烷組成物之0.6毫米厚樣品所得的CIEb值係不大 於 2,0 s i . 94094 9 1361205 本發明之第三態樣係針對一種封裝半導體裝置，其包 括半導體7G件，其中，一個或多個該半導體元件係經本發 ..明第一態樣的該經固化之芳基聚矽氧烷組成物予以塗覆。 【實施方式】 本说明書之術語包括於此特別提及之詞語，其衍生詞 及具有相似含義之詞語。 於此處所用，以下術語定義如下： 除非另行指明，否則詞語“一，，(“a，，及“an”）用於説明書 中係表示‘‘至少一”。 “範圍”：此處揭示之範圍呈現為下限及上限形式。可 子—個或夕個下限及獨立的一個或多個上限。 選擇一個下限與一個上限所定義。所藝之 Μ義了該特定範圍之界限。由 一下限值可與任—上限值組合以定義-範圍。義為任 經矽鍵結之有機基團，，係鍵結至矽原子之右嬙I ^ 其中，“有機基圍”今人 王/原子之有機基團， 團包含至少一個碳原子， 經矽鍵結之若其旦围飞係為虱原子。 接鍵結至㈣子的二® 鍵結之芳基”)係具有直 基團包括，例如二香環碳的芳基。其他經石夕鍵結之有機 伸烧基’，）；“經㈣=鍵結之伸㈣基團，’(“經秒鍵結之 團，，（“經矽鍵結之俨°風原子t _，“經矽鍵結之烷氧基基 團，，(“經矽鍵結之二土）’ ‘經矽鍵結之芳烷氧基基 團，，(“經石夕鍵結之經^氧基”）；及“經石夕鍵結之經基基 10 < S ) 94094 術語“莫耳百分比，，盥 之石夕化合物(例如石夕氧烧二二王文交替使用。指定 •耳％，，，传在兮石W入 )經石夕鍵結之芳基的莫 斗。係在該矽化合物中所含 -以所有經矽鍵沾之右蘭 。您方基的莫耳數除 物1有8二: 之莫耳數。例如，氫化石夕化合 ^、有8個”鍵結之芳基與2個鍵 ,總數為Π)個”鍵結之有機基團而: 包含=莫耳。趣石夕鍵結之芳基。丰°十該虱化石夕化合物 石夕氧烧，，餘和基^之芳基聚％氧燒，，(“芳基稀基聚 該芳基乙婦基聚碎氧炫中所：：：：系不飽和基團，及以 計，至少】〇 ^说中所有經石夕鍵結之有機基團為基準 基。於以所用不多於".9莫耳％之經石夕鍵結之芳. 稱。如此，可以理=ί 稀糸不飽和基團，，之簡 鄰-CH2-基團基（亦即’其中碳·碳雙鍵直接相 範蜂内。土，肌基團之基團）係包含於術語“烯基，，之 以談^化f化合物”包括至少兩個經％鍵結之氫原子，及 子二4化合物中所有經繼之有機基團(包括氫原 =?至少。莫耳%至不多於99 9莫耳%之,_ 部分S單贿//子貌單元（primary siI°xane她)”係指一 結於一至四個氧^之聚石夕氧坑，其中，該石夕原子直接鍵 鄰初級石夕氧坑單元之^:一個氧原子依次鍵結於另-相 之矽原子。例如，（CH3)3Si-〇-Si(Cii3)3 < S ) 94094 11 1361205 有：=級彻單元之聚嫩。每-個初級梦氧 兀7G八有早矽原子鍵結於三個f基與—個氧， -原子與兩個石夕原子皆鍵結。每兩 乳 •1阳)御姆灿係於下文定義為‘1單元,，。== 級矽氧烷單元是否屬於、:並不作爲用來確定該初 單元屬於係㈣鍵結之有機基團且該初級梦氧燒 燒。聚彻”係具有至少兩個初級彻單元之發氧 中，：：、_單元:係指聚發氧燒之初” 接於單早7夕猎由與-〇-s“部分之氧原子的*:二、 早—、直接相鄰的-Ο-Si-部分。 H鍵而附 相似地，術語“D_單元”、 一，， 指石夕氧貌之初級石夕氧燒 二早凡及‘分單元，，分別係 等-。|部分之氧原子：二其：’彼單元之梦藉由舆彼 接相鄰的-〇也部分。鍵而附接於二、三或四個直 重量份‘重Ρ1Γ思義為“每百萬份之份數，，，進而沪 此，纽成h中給定成八萬伤之份數係以重量為基準計。因 〜物y的重量再成乘之= 百4而计异得到。例如，若. (S ) 94094 12 1361205 0.002克鉑金屬存在於1000克經固化之芳基聚矽氧烷組 物中’則以該經固化之芳基聚梦氧院組成物的總重量為夷 • •準计’該翻金屬為2 ppm。 •- “矽氫化反應催化劑，，包括選自鉑、铑、鈀、釕、銥或 其組合之第VIII族元素，且能夠催化Si_H基團在烯系不 餘和基團的雙鍵上之加成反應。 ' “高RI奈米粒子（high RI nanoparticle)，，係指具有折射 率阳”)至少L8至不多於3.5之粒子。複數高ri奈米粒 子具有至少為1 nm且不多於3 〇 nm之“平均粒徑”。 二第观族元素當量值，，係表達以存在於㈣院組成物 中，第VIII族元素的量而言，存在於該石夕氧院組成物中之 石夕氫化反應催化劑的量。例如，若其本身含有50重量％第 VIII族元素之給定的石夕氫化反應催化劑係以啊的量 存在於石夕氧烧組成物中，則存在於彼組成物中之石夕氣化反 應催化劑的量“以第VI„族元素當量值表示時”，係為5 | ppm。 可固化芳基石夕氧烧組成物，，包括：芳基伸烧基聚石夕氧 烧；氫化石夕化合物；及石夕氫化反應催化劑，該石夕氫化反應 催化劑以該可固化芳基石夕氧烧組成物中石夕氧院的總重量為. 基準計且以第VIII族元素t量值表示時，係以至少 ppm至不多於3.〇 ppm之量存在。該可固化芳基石夕氧院組 成物在固化後產生了於加速熱老化測試期間不會變色的經 固化之芳基聚矽氧烷組成物。 合適之“橋接矽的伸烷基部分”係“,·^Ηι^Ηκ5_χ5•，其 94094 13 :者trs反應由碳·碳不飽和鍵料之二個碳之至少 •芳基聚梦氧二:1)=結於峨基橋接之 畫接㈣… （亦即，R所鍵結之碳）可 .另一 ：、、.1Γ石夕(下標S = 〇)或藉由X(下標H)鍵結於 依此方法' 係選自亞甲基、苯基及經取代之笨基。 ，係形成更大的“Si-CHR4CHR5-Xs-Si部分”。 =:基橋接一—個橋接Ϊ 、，二伸垸基橋接之芳基聚梦氧貌，，係經固化之芳 氧，組成物之成分。“經伸烷基橋接之芳基聚石夕氧燒，，係— 種聚矽乳烷，其包括：至少兩個橋接矽之伸烷基部分 > -個何生自芳基伸烧基聚♦氧燒之單元；及至少—個 生自氫切化合物之單元。至少1G莫耳％至ι⑼莫耳％的 經石夕鍵結之芳基’其係以經㈣基橋接之絲㈣氧 所有㈣鍵結之有機基團為基準計。經伸院基橋接之芳基 聚石夕氧院可包#反應性經#鍵結之有機基團，，，其包括經 石夕鍵結之伸烧基、财鍵結之氫原子、經賴結之燒氧基二 經矽鍵結之芳烷氧基、經矽鍵結之羥基、及其組合。或者， 經伸烧基橋接之芳基聚石夕氧燒可不包含反應性經石夕鍵 有機基團。 ° “封端劑（capping agent)”包括能夠與至少一種反應性 經矽鍵結之有機基團反應的單一“封端部分”。當希望降低 預計的經敎基橋狀芳基㈣氧烧巾該反純經秒鍵結 之有機基團的數目時則將封.端劑加入欲從其中製造該預 94094 14 L361205 什的經伸烧基橋接之芳基聚矽氧烷的相應“可固化芳基矽 氣烧組成物’’。典型地，封端劑係在固化前加入可固化芳基 -石夕氧院組成物。或者’封端劑可於固化期間或固化後加入， 者一部分封端劑可於固化步驟之前、期間及之後的不同 。時間點加入。熟知此技術之人應瞭解在固化開始之後加入 封端劑’’之可行性係取決於下列此等因素：例如生長中或 已完全形成的經伸烷基橋接之芳基聚矽氧烷的交聯程度、 f固化期間與固化之後於可固化芳基石夕氧烧組成物内之封 端=的可溶性與移動性，上述各者皆影響封端劑擴散以使 封端反應均勻之能力。術語“封端，，係指已固化、或固化中 的可固化芳基石夕氧烧組成物的反應性經石夕鍵結之有機基團 與能夠與該反應性基團反應之封端劑進行反應。“封端反 應，，/、型地產生新的非反應性或低反應性（亦即，“經封端 的端基。熟知此技術之人應理解，取決於經伸烧基橋 f之方絲錢烧之敎性質、封端劑、其他反應物種、 ^物質的相對量及該“封端反應，，之其他細節（如時間、溫度 機ίίΓ)，时或者稍少於所有的反輕财鍵結之有 機基團係可被“封端’，。 若美化芳基聚梦氧烧組成物”包括：經伸炫基橋接之 美二：及矽氫化反應催化劑，其以該經固化之芳 氧成物的重量為基準計且以第烟族元素當 2表係以至少0.005 ppm至不多於3 〇 ρ ==固化之芳基聚彻組成物在本 老化測试期間不會變色.。... ”、、 94094 15 1361205 本發明經固化之芳基㈣氧院組成物必須在空氣中於 ⑽。C至mt:或甚至更高的使用溫度中於長時間（數千個 -二時）下係安定的。因此，本發明的特定要求係該經固化之 -芳基聚石夕氧烧組成物經由CIE b值顯示出其在20代空氣 令熱老化14天的期間不會變色，該CIE b值係= ⑽㈣LYb D65(照明角度)/職測角度）顏色測試方法 測定’藉由在該熱老化後測量該經固化之芳基聚矽氧烷紐 成物之0.6毫米厚樣品所得的⑽值係不大於2 〇。此係 本發明之“加速熱老化測試”。 粒子之集合（亦即，複數個粒子）所測得的“平均粒子尺 寸”係“重量平均粒子尺寸”(“dw”），其係藉由毛細管流體動 力學分離技術，使用配傷有HPLC Μ紫外光侦測器㈣⑽ CHDF 2000粒子尺寸分析儀測得。術語“粒子尺寸，，、“粒經” 及“PS”可於此處交替使用。術語“平均粒子尺寸，，、“平均粒 佐、重里平均粒子尺寸，，、“重量平均粒徑，，及“dw”可於此 處交替使用。術語“粒子尺寸分佈”與首字母縮寫“咖，，可 於此處交替使用。“多分散性（p〇lydispersity)”在此技術中 係作為數值分佈廣度的測量方法，該數值於此例中為粒子 之集合所測量的尺寸值。於此處所用之“⑽多分散性”係 ，數個粒子的粒子尺寸分佈的描述^ psD多分散性係由重 =平均粒子尺寸dw及數量平均粒子尺寸dn依據下式所計 算： pSD 多分散性=(dw)/(dn)， 其中 ’ άη=Σ nidi/Σ η; 94094 16 1361205 dw= Σ njdjdi/Σ njdj > ^ 其中，叫係具有粒子尺寸山之粒子的數目。 • 合成聚合物通常幾乎是分子量不同的鏈之混合物，亦 -即，其具有“分子量分佈，，’簡稱“ MWD ”。對於均聚物而言， 分佈性的構成要件（member)因其所含有的單體單元之數目 而不同β此種描述聚合物鏈分佈性之方法亦可延伸至共聚 物。假設已知分子量之分佈，則給定樣本分子量之最完整 特性係整個分子量分佈之確定。該特性係藉由分離該分佈 的構成要件’然後量化每—個構成要件所存在的量而獲 得。一旦得到此分佈性，則可由其生成數種總結統計或動 差（moment)以確定該聚合物分子量之特性。 兩種最常用分佈性的動差為‘‘重量平均分子量，，(“Mw,，） 及“數量平均分子量，，(“Mn，，）。其定義如下： "
Mw = Σ (WjMj)/ Σ Wi= Σ (NiMi2)/ Σ NiMj Μη = Σ Wj/ Σ (Wi/Mi)= Σ (NiMj)/ Σ Nj • 其中： 為第i個分佈成分之莫耳質量， 為第i個分佈成分之重量， Ni為第i個成分的鏈數， 攻e j!、在括所有分佈中的成分。Mw與Mn典型地由以凝月 :、，二析（見貫驗部分）測得的MWD來計算。“多$ 散性”等於/ Mn。 式直仙、彳聚α物疋否可與其他成分（如另一聚合物、或溶劑 5，、小分子）混溶可根據於D. W, Van Krevelen， 94094 17 1361205
Properties of Polymers, 3- Edition, Elsevier, pp. 189-225 1 _敍述之習知方法進行。例如，^ 定義物質 -總溶解度參數（(5t)為： 、 - ^ t = ^ d2 + d p2 + j h2 , 其中，5 d’（^與心分別係溶解度參數之分散成分、極性 成分及氫鍵結成分。許多溶劑、聚合物及聚合物鍵段之占 d與值已被確定’且可使用VanKreveien的基團貢 獻法如卿contdbmion method)_。例如，為預測具有 •給定組成之聚合物是否可與特定溶劑或其他小分子（如具 有大約500或更小的分子量）混溶，則計算聚合物的占$ 2 及溶劑的心2。典型地，若兩者的差值△ V大於Μ (亦 即，△ 5 t > 5)，則該聚合物與溶劑不可混溶。 若改為希望測定兩種不同組成之聚合物是否可混溶， 則可進行相同的計算，但混溶性的預計△上限將隨著 該所考慮聚合物的-者或兩者之分子量增加而降低。此降 #低被認為係對應於當欲混合成分的分子量增加時所發生的 混合燜（entropy)之降低。例如，各具有聚合度為ι〇〇的兩 種聚合物很可能為不可混溶，即使其混合物之△ 的值 為9,或甚至4(亦即，或甚至2)。更高分子量的 聚合物於甚至更低的△ &值可能為不可混溶。本發明之芳 基烯基聚石夕氧烧與氫化石夕化合物、以及石夕氣化反應催化劑 可混溶於本發明之可固化芳基石夕氧烧組成物係所希望的。 進-步希望的是可固化芳基石夕氧烧組成物中的任何封端劑 可混溶於該可固化芳基石夕氧烧組成物。在不期望受到任何 18 94094 ^61205 特定理論束縛的情況下， b、— 化芳基矽氧烷钍成鈿士、 &、成刀為不谷者’可固 的nw/ 成分的可混溶性被認為將致使更均勾 .=呈Γ到更均勾的經固化之芳基聚彻組成物。 ‘盥且：/、有給定組成的本發明之芳基烯基聚矽氧烷是否可 二二另—種組成的本發明特定氫化矽化合物混溶，則可 计异各者的512。應理解的是，此等計算為熟知此技術之 人f供^的指導方針，大大降低了為達到所欲結果所需 的貫驗量。然而，應進—步瞭解此等計算之結果係為預測， 除了彼等計算以外，仍可能需要-些實驗以確定本發明之 :固化芳基矽氧烷組成物之特別有利的組成。應進一步理 解的疋，當可固化芳基矽氧烷組成物中的兩種成分顯現臨 界可混溶性或甚至不可混溶性時，則選擇第三種可各自與 該兩種成分混溶的成分將可有效地產生一種其中此三種成 分皆可混溶之溶液。 本發明之矽氫化反應催化劑包括來自元素週期表第 νιπ族之元素，其係呈現為金屬（亦即，呈零價元素形式） 或金屬化合物（亦即，呈正價狀態且與一個或多個相對離子 (counter i〇n)結合之金屬；或呈有機金屬錯合物之金屬）， 其中’該元素係選自：鉑、铑、鈀、釕、銥及其組合；鉑、 錢、把及其組合；飽、鉑及其組合；或鉑。鉑化合物的非 詳盡列表包括：始黑；鹵化翻’如氯化链（II)、Ptci4、H2ptei4. 6H20、Na2PtCl4.4H20、H2PtCl4.6H20 與環己烷之反應產 物、及氯銘（IV)酸與單元醇（monohydric alcohol)之反應產 物（如Lamoreaux催化劑）；鉑-烯烴錯合物（如Karstedt，s >催 94094 19 1361205 基環乙婦基？基石夕氧院錯合物、及料乙稀基 土石夕氧燒錯合物，·叙-醇錯合物. 土 • 2?“勿，㈣錯合物;鈾-酮錯合物，如雙乙酿乙酸餘. 錯合物、四氯翻與㈣及胺之反應產物；乙雄 土矽乳燒錯合物，如翻〇二乙稀基_u，3,3_四甲其 ?烷錯合物，·雙七_甲基吡啶)_二氯化鉑；三亞甲2:吡 咬-二氯化叙；二環戊二婦_二氯化翻；環辛二烯·二氯化 叙.，環戊二烯-二氯化始；雙（炔基）雙（三苯基膦）_翻錯合 物，雙（炔基）(環辛二稀）_始錯合物；二甲基亞颯基伸乙美 =11德化物；及其組合。以可固化芳切氧烧組成物㈣ 篁為基準計，該矽氫化反應催化劑以第VIII族元素當量值 表示時，係以至少0.005、至少0.01、或至少〇 lppm;及 不多於3.0、不多於2、少於1、少於〇 6 ppm或不多於〇 5 ppm的量存在於可固化芳基矽氧烷組成物中。類似地，以 經固化之芳基聚矽氧烷組成物的總重量為基準計，該矽氫 化催化劑及其任何衍生物以第VIII族元素當量值表示 時，係以至少0.005、至少0.01、或至少〇」ppm ;及不多 於3.0、不多於2、少於1、少於0.6 ppm或不多於0 5 ppm 的組合量存在於經固化之芳基聚石夕氧烧組成物中。再者， 該石夕氫化反應催化劑及其衍生物的量合適的上限以第νπΐ 族元素當量表示時’可甚至為0.45 ppm。熟知此技術之人 將理解在固化期間或固化之後，部分或所有矽氫化反應催 化劑可轉化成其衍生物，包括其他催化性物種及非活性降 解產物·。因此，矽氫化反應催化劑及其衍生物的量皆.以第 20 94094 1-361205 VIII族元素當量值表示。 "適合本發明之矽氫化反應催化劑包括在可固化芳基矽 氧烧"且成物與經固化之芳基聚石夕氧炫組成物中的獨特分子 -(亦即小刀子或獨特聚合物鏈）。其他合適的石夕氫化反廡 推化劑包括第vm族金屬奈米粒子，其具有至少lnm、^ J 2 nm或至少5 nm ;且不大於30 nm、不大於20 nm、 或不大於1 〇 nm之平均粒徑。適合之矽氫化反應催化劑可 _進一步以微封裝形式使用，其中，微囊（miCrocapsule)包括 熱塑性樹脂的超細微粒子，例如含有矽氫化反應催化劑的 聚酯樹脂或聚矽氧樹脂（silicone resin)。矽氫化反應催化劑 亦可以b日籠化合物（clatllrate c〇mp〇und)(如環糊精）的形式 使用。 本發明之“經矽鍵結之芳基，，包括任何含有至少一個芳 香裱之基團，其中，該芳香環可經取代或未經取代，但限 制條件為該芳基係在固化期間對矽氫化反應的條件呈惰性 籲且對熱老化測試期間的條件呈惰性，或者，若該芳基為反 應性，則其不會造成經固化之芳基聚矽氧烷組成物喪失所 耑陡貝，包含顯色（c〇l〇r development)之性質。經梦鍵結之 芳基的非詳盡列表包括：苯基；鹵苯基，如鄰氯苯基、間 氯苯基、對氯苯基及二氯苯基；具有Cl_Ci2烷基之烷基苯 基’如曱苯基、二甲苯基及經乙基取代之苯基；苯氧基苯 基，如鄰苯氧基苯基、間苯氧基苯基及對苯氧基苯基；具 有鍵結至苯基環的雜芳基取代基作為單價取代基或作為與 ’ 5衣稠合的變體（ring-fmsed variant)之雜芳基，笨基，如芳基酸 94094 21 1361205 = 基’如苯甲基或苯乙基;稠環芳基， 不基’及八，.且δ。s適的經矽鍵結之芳基可 -苯氧基苯基、萘基或其組合。進一 、本基 基可為苯基。 ^ ^適的經石夕鍵結之芳 本發明之芳基稀基聚石夕氧院包括至少兩個經石夕鍵 以芳基縣聚”燒中所有”鍵結之有機基團。為 基率计，經石夕鍵結之稀基係以至少〇 ι、至少】、或 料％;且不多於6G、不多於I或不多於H)莫耳％的 1存在於芳基縣聚魏燒中。以芳基稀基^氧院 有經補結之㈣錢為鱗計，”鍵結之？基係以至 少10、至少30、或至少40莫耳％;且不多於99 9、不多 =氧不::。8°、或不多於MM的量存在於芳基缚 經石夕鍵結之稀基包括：乙烯基；單婦系不餘和c3_c 直鏈、分支鏈或環狀煙，如婦丙基、丙_ 18 烯小基、及己-5-稀小基；經乙烯基取代之芳基1如對^ ^基苯基，及其組合。適合㈣销結之職可選自 基或㈣’及其組合。合適的經矽鍵結之烯基可 為乙基。 _在本發明之經固化之芳基聚石夕氧燒組成物中，合適的 經伸烧基橋接之芳基聚石夕氧院係以平均組成式^表示、 (R^i〇^n,2)a(〇(4.p.r)/2R2pSiZrSiR3q〇(4^ ^ 就每一個（RinSiCVw/2)單元而言： 94094 22 1361205 下標η獨立地等於〇、1、2或 就每一個（〇(4·㈣/2R2pSiZrSiR3q〇 下標P等於0、1、2或3; 下標q等於0、1、2或3; p+q=0 至[8-(2r+l)]; 下標r=l、2或3 ; Z 係選自-CHR4CHR5-XS-、伸
师方基、經取代 之伸芳基、及其組合，其中： -CHR4CHR5-XS-係橋接石夕 X係獨立地選自亞甲基、 苯基、及其組合； 下標s=0或1 ;及 R4與R5係獨立地選自氫原子與烷基； V、R2及R3係選自稀基、氫原子、芳基、院基、 經基、烧氧基、芳氧基、其他煙基、及其組合；
(4H)/2)單元而言： 之伸烷基部分； 笨基、經取代之 下標a與b係經選擇以分別與(RlnSi〇(“),2)單元 及（0(4-P-r)/2R2pSlZrSlR3q〇(4_q_r)/2；)單元之莫耳分率 一致； 〇<a<l 0<b<l ;及 a+b=l 。 :標“a”與“b”表示莫耳分率。例如’具有懷匕⑽⑷―) 早凡與6個（〇(4-㈣/2R2psiZrSiR3q〇(4-q-r)/2)單元的經伸燒基 橋接之芳基聚碎氧燒係具有分別為G 4與G 6之式^“a，， 與“b”值。 94094 23 1361205 式I之合適的經伸烷基橋接之芳基聚矽氧烷中，以經 伸烧基橋接之芳基聚石夕氧院中的經石夕鍵結之有機基團之總 ，·莫耳數為基準計，式IV之經㈣基橋接之芳基聚石夕氧烧 • t组合的R基團—R]、尺2及r3(其選自乙烯基、氣原子、 甲基、苯基、奈基及苯氧基苯基）之莫耳百分比係至少7〇、 至夕90或至少95莫耳百分比；及1〇〇、不多於％、或 不多於97莫耳百分比。 一 本發明之橋接矽之伸烷基部分係藉由經矽鍵結之烯基 與經石夕鍵結之氫原子㈣氫化反應而形成（亦即，藉由石夕氮 化反應）。由於經矽鍵結之烯基包括：乙烯基；單烯系不飽 和C3-Cls直鏈、分支鏈或環狀烴，以及經乙烯基取代之芳 基，因此包含在經矽橋接之伸烷基部分之chr4chr5單元 内的$碳原子數典型為.2至18個碳原子。就此而言，在r4 與5的碳原子組合數係介於〇至16的範圍之情況下，R4 與R5可各自包含〇至16個碳原子。事實上，儘管典型有 > 2至18個碳原子在CHR4CHR5單元内，但在CHR4Chr5 單元中的碳原子總數並無特別限定。 假定經伸烷基橋接之芳基聚矽氧烷可為具有不確定高 子里的單父取卩为子，或者為複合交聯分子（muitipie crosslinked molecule)，則本發明之經伸院基橋接之芳基聚 矽氧烷之]^係至少為234、至少為5〇〇克/莫耳（g/mole)、 或至少為1，000克/莫耳且無特定上限。於此處，術語“交 '恥思為兩個具有互補反應活性（亦即，與另一者反應之能 力）並以經矽鍵結之有機基團形式存在於芳基伸烷基聚矽 94094 24 减、虱切化合物及封端社任—相反應性财鍵結 之有機基團進行反應以形成交聯物（如伸燒基橋接係藉由 .•經石夕鍵結之氫原子與㈣鍵結之乙蝉基反應而形成）。合適 •之經伸烷基橋接之芳基聚矽氧燒的％可至少為234、至少 為500克/莫耳、或者至少為1，議克/莫耳，·且不多於 3〇〇,〇〇〇、不多於·，_、不多於5〇，_、不多於1〇，_ 克/莫耳，及MWD多分散性（Mw/Mn)可為至少1〇〇、至少 1.01至夕1.1、或至少！ 2;且不多於5〇、不多於別、不 夕於10或不多於3。熟習該項技藝者將進—步瞭解，該經 伸燒基橋接之芳基聚石夕氧炫可包括一種或多種非常大交聯 分子（亦即，具有200,000、3〇0,0〇〇、_〇,〇〇〇的I或無 法測定的高MJ與較小經伸院基橋接之芳基聚石夕氧燒分子 的混合物，使得MWD呈雙峰值（bim〇dal)或多峰值 (multimodal) 〇 本發明合適之可固化芳基石夕氧烧組成物中，芳基稀基 _聚矽氧烷係以平均組成式π表示： (R63si〇1/2)c(R72si〇2/2)d(R8Si〇3/2)e(Si〇4/2)f (II), 其中： R 3Sl01/2、R72Si〇2/2、R8si〇w 與 si〇4/2 係分別為 Μ-單元、D-單元、τ-單元及Q-單元，其皆為初級矽 氧烧單元； 下標c、d、e及f係經選擇以分別與R63Si〇i/2、 R 2si〇2/2、：R8Si〇3/2及 si〇4/2 的莫耳分率一致； 0.001 ^ 1 ; 0.999 ； 0.S0 ； < S ) 25 94094 0.10 ; c+d+e+f=i ； • 、^芳基烯基聚矽氧烷中的經矽鍵結之有機基團 • 之㈣莫耳數為基準計’該經々鍵結之烯基係以至少 〇.1莫耳百分比至不多於6〇莫耳百分比的量存在於 該芳基烯基聚矽氧烷中； 乂該芳基烯基聚石夕氧烧中的經石夕鍵結之有機基團 籲 之總莫耳數為基準計，該經石夕鍵結之芳基係以至少 為10莫耳百分比至不多於99 9莫耳百分比的量存 在於該芳基烯基聚矽氧烷中；及 R f R8係選自烯基、氫原子、芳基、烷基、羥基、 烷氧基、芳氧基、其他烴基、及其組合。 芳基烯基聚石夕氧烧的非詳盡列表包括’例如：經乙稀 基二甲基石夕炫基封端之聚（苯基甲基石夕氧燒）、經乙稀基二 甲基矽烷基封端之聚（苯基甲基矽氧烷_共_二苯基矽氧 籲、元）”二乙~基甲基本基石夕炫基封端之聚（苯基甲基石夕氧 烷）、經乙婦基甲基#基石夕院基封端之聚（苯基甲基石夕氧院_ 共·二苯基矽氧烷）、經乙烯基二甲基矽烷基封端之聚（苯基 甲基矽氧烷-共-乙烯基甲基矽氧烷）、經乙稀基二甲基矽烷 基封端之聚（苯基甲基矽氧烷-共-二苯基矽氧烷·共_乙烯基 甲基矽氧烷）、經乙烯基甲基苯基矽烷基封端之聚（苯基甲 基矽氧烷-共-乙烯基甲基矽氧烷）、經乙烯基甲基苯基矽烷 基封端之聚（苯基甲基矽氧烷-共-二苯基矽氧烷_共_乙烯基 甲基矽氧燒）；二乙婦基二苯基二甲基二矽氧焼、】，5-二乙
C 94094 26 1361205 烯基-1，5-二f基-四苯基三矽氧烷、〗，5_二乙烯基-六苯基三 矽氧烷、及其组合。 土 — •. 以氫化矽化合物中所有經矽鍵結之有機基團為基準 •計，經矽鍵結之氫原子係以至少、至少！、或至少5莫 耳％;且不多於60、不多於30、或不多於1〇莫耳％的量 存在於本發明之氫化矽化合物中。以氫化矽化合物中所有 經矽鍵結之有機基團為基準計，經矽鍵結之芳基係以至少 10、至少30、或至少40莫耳％;且不多於99 9、不多於 90、不多於80、或不多於7〇莫耳％的量存在於氫化矽化 合物中。 本發明合適之可固化芳基矽氧烷組成物中，該氫化矽 化合物包括選自下列各者之氫化矽化合物： i)具有平均組成式III之氫化矽化合物： (R 3Si〇i/2)g(R102SiO2/2)h(R11Si〇3/2)j(si〇4/2)k (in), 其中： • R93Si〇1/2、、RUSiOw 與 Si〇4/2 係分別 為M-單元、D·單元、丁·單元及Q_單元，其皆為初 級石夕氧院單元； 下標g、h、j及k係經選擇以分別與R93Si〇i/2、 R 2Si02/2、RnSi03/2 及 Si〇4/2 的莫耳分率一致； O.OOl^g^l , 0^h^ 0.999 ； 0^j^0.50 ； 0.10 ; g+h+j+k=l ; 以該氫化矽化合物中的.經矽鍵結之有機基團之總 94094 27 莫耳數為基準計，該經矽鍵結之氫原子係以至少 . 0·1莫耳百分比至不多於00莫耳百分比的量存在 • 於該氫化矽化合物中； • 以該氫化矽化合物中的經矽鍵結之有機基團之總 莫耳數為基準計，該經矽鍵結之芳基係以至少10 莫耳百分比至不多於99.9莫耳百分比的量存在於 該氫化矽化合物中； 、 鲁 R9f Rl1係選自烯基、氫原子、芳基、烷基、羥基、 烧氧基务氧基、其他烴基、及其組合；及 U)具有式IV之氫化矽化合物： ^ mSiH(4.m) (IV) 其中： m=l或2 ;及 R係選自烯基、芳基、烷基、羥基、烷氧基、芳 氧基、其他烴基、及其組合； • 及 其组合。 本發明芳基烯基聚矽氧烷或氫化矽化合物之任一者之 Mw或MWD多分散性（Mw / Mn)皆無特定限制。再者， 該芳基烯基聚矽氧烷或該氫化矽化合物之任一者可為具有 單—分子量之經明確界定<單一化合物’《其可為具^不 同鏈長分佈性且因此具有分子量分佈性的聚合鏈集合。典 型地，該芳基烯基聚矽氧烷或該氫化矽化合物之任一者^ Mn值係-至少刚、至少5〇〇克/莫耳；且不多於咒，⑻〇、不 94094 28 1361205 多於30，_、不多於10，_或不多於2，_克/莫耳。μ 地’該芳基烯基聚錢烧或錢切化合物之任一 • MWD多分散性(Mw/Mn)係至少1〇〇、至少1〇卜至少！ .或至少1.2;且不多於20、不多於1〇、或不多於3。 氫化石夕化合物之非詳盡列表包括，例如：經氯化物封 端之聚（苯基-(二曱基氫石夕烧氧基）石夕氧院、經氣化物封端之 聚（甲基氫石夕氧烧-共-苯基甲基石夕氧院）、苯基參（二甲基石夕 烷氧基）矽烷、笨基矽烷、二笨基矽烷、u_二苯基 肆（一甲基石夕烧氧基）二石夕氧院、及其組合。 式II之R6至R8之任一者可包括經矽鍵結之烯基，及 組合之R至R8必須包括至少兩個經矽鍵結之烯基。式HI 之]^9至1^1之任一者可包括經矽鍵結之氫原子，及組合之 R9至R11結合必須包括至少兩個經矽鍵結之氫原子。弋Η 之V至R8、式m之R9至rh及式IV之Rls可進一^包 括選自下列各者之經矽鍵結之基團：芳基；烷基；羥基； 烧氧基；芳氧基；其他烴基；及其組合。更進—步地:孰 習此項技藝者將瞭解本發明之芳㈣基㈣組或氯切 化合物可包括經矽鍵結之烯基與經矽鍵結之氫原子兩者， 使得式II之R6至R8之任一者可視需要地包括一個或多個 經矽鍵結之氫原子（“氫化基團（hydrid〇訂⑽的，，）；及式瓜 之R9至f之任—者與式IV2Rl2可視需要地包括^個 或多個經矽鍵結之烯基。烷基之非詳盡列表包括：甲基、 C2-CI2烧基（其中烧基部分可為直鏈、&支鏈或環狀广如 乙基、丙基_.、異丙基、環己基、丁基及異丁基；經鹵基取 94094 29 L361205 代之烧基’如3,3,3-三氟丙基；及經烷氧基取代之烷基， 如甲氧基曱基。合適的烷基可選自曱基或乙基，及其組合。 -合適的烷基可為甲基。烯基包括，例如：乙烯基、丨_己稀 _基、5-己烯基、烯丙基、2-己烯基、及乙烯基苯基（亦即， 苯乙烯類基團藉由共價鍵以苯基環上的碳鍵結至矽）。合適 的烯基可選自乙烯基或烯丙基，及其組合。合適的烯基可 為乙烯基。合適的烯基可包括至少一個乙烯基苯基。由於 乙烯基苯基係同時為烯基及芳基，所以在測定莫耳百分比 時其可被考慮為烯基及芳基。爲了識別 下規定則附於此：當經石夕鍵結之基團係同時= 時，.則該經矽鍵結之基團將被視爲烯基。例如，若芳基烯 基聚矽氧烷包括兩個經矽鍵結之乙烯基、一個經矽鍵二之 對乙烯基苯基、五個經石夕鍵結之苯基、及二個經石夕鍵結之 甲基’則由該規定計算得到的經石夕鍵結之稀基之莫耳百分 比以經石夕鍵結之有機基團的總莫耳數為基準計係為如莫 耳百分比’及由該規定計算得到的經石 夕鍵結之芳基之莫耳 百^比以㈣鍵結之有機基團的總莫耳數為基準計侍為 50莫耳百分比。燒氧基包括，例如：某: 基其都八&士 氧土 C2C12燒氧 丞(其中烷基部分為直鏈、分支 氧基、異丙氧基、丁氧基及第丁 /f)如乙氧基、丙
選自甲氧基或乙氧基，及苴組人 "J 其。—— j ’、 〇。5適之院氧基可為甲氧 基。方氧基包括，例如：苯氧基. Τ ^ ^ L ，具有一個或多個烷氧基、 2基或齒基取代基附接於苯基環 _瞭解.，.以上所列類型 ：土“此項技 令疋基團之外的其他.烴基可 94094 30 1361205 、峨基橋接之芳型:化碎化合物、及 存在大於1〇莫耳％的.其他以，作莫耳领量存在。甚至可 老化之後的有二件為於固化與熱 最小的或不:熱老化測試進行測定時，係 類、（甲基）丙稀酸酉旨類、酿胺類、酿盡歹^包括：腈 在適合作爲式之非及其組合。 基團中，熟習此項技藝者將瞭解，經石夕鍵結之 絲聚嫩中，某些該等基團相較於其他基=!:: : = 條:係更—在適合= 將瞭&讀人本發明之氫切化合物中，某些該等 巧相：：其他編言對於加速熱老化測試條件係更為 =4 ’以方基伸烧基聚碎氧烧中的經梦鍵結之有機 基團的總莫耳數為基準計，合適的式J之芳基伸絲聚石夕 减之組合的R基團⑻至R8)之莫耳百分比可為至少70' 至^ 90或至少95莫耳百分比；.及1〇〇、不大於99、或 不大於97莫耳百分比，其中，該組合的r基團(r6至尺8) 係選自乙稀基、氫原子、甲基、苯基、萘基及苯氧基苯基。 相似地’以氫化石夕化合物中的經石夕鍵結之有機基團的總莫 耳數為基準計，合適的式m之氫化.魏合物之組合的及 基SKR至R11)之莫耳百分比可為至少7〇、至少卯、或至
< S 94094 31 1361205 少95莫耳百分比；及1〇〇、不大於％、或不大於π莫耳 百分比，其中，該組合的R基團（119至Rn)係選自乙烯基、 •氫原子、甲基、苯基、萘基及苯氧基笨基。 土 .在本發明之可固化芳基石夕氧烧組成物中，氯化石夕化合 物中㈣鍵結之氫原子對芳基婦基聚石夕氧院中經石夕鍵結^ 烯基的莫耳比率（m〇le rati0)為至少0.5、至少0.8、或至少 1,0 ;且不多於3.0、不多於2.0、或不多於】5。 熟習此項技藝者將進一步瞭解其他化合物可併入芳基 烯基聚石夕氧烧、氫化石夕化合物，或直接併入本發明之經二 烷f橋接之芳基聚石夕氧烧。例如，具有以伸芳基（如二心 伸本基、1，4’·聯伸苯基或經取代之伸芳基）作為間隔基 ⑽叫而連接的兩個㈣子之梦化合物可併人經伸烧基 橋接β之聚@氧燒。例如’可併人㈣苯基㈤Phenylene)單 體單元，l,4-H〇SiMe2-Ph-SiMe2〇H，最終引入 -O-SiMerPh-SiMeyO-單元至經伸烧基橋接之基 烷之結構中。 ^ 本發明之封端劑（capping agent)包括選自下列各者之 封端劑^‘縣封端劑”；“氫化物封端劑”；1氧基封端 劑，方烧氧基，，或“經基封端劑，，。烯基封端劑包括“烯基 封端部分”，該部分為能夠與經石夕鍵結之乙稀基反應之部 刀典型地，埽基封端部分係“氫化石夕鍵結，，（亦艮尸，幻-H鍵 結烯基封端劑之例示性實例包括：三甲基料、三苯基 甲基本基石夕院、及五苯基二石夕氧院。氫化物封端劑 ^飞化物封&部分，’’該部分為能夠與經梦键結之.氫化… 94094 32 L361205 物基團（hydride group)反應之部分。典型地，氫化物封端 部分係烯基。氫化物封端劑之例示性實例包括：三曱基乙 烯基矽烷、三苯基乙烯基矽烷以及五苯基乙烯基二矽氧 •院烧氧基封端劑包括烧氧基封端部分，該部分為能夠與 經矽鍵結之烷氧基反應之部分。典型地，烷氧基封端部分 係選自燒氧基、纟、或經基、及其組合。院氧基封端劑之 例示性實例包括：三甲基甲氧烷矽烷、三苯基甲氧基矽烷、 三苯。基乙氧基矽烷及五苯基曱氧基二矽氧烷。羥基封端劑 包括“羥基封端部分”，該部分為能與經矽鍵結之羥基反應 之部分。典型地，羥基封端部分係選自烷氧基或羥基、^ 其組合。羥基封端劑之例示性實例包括：三甲基甲氧基矽 烷、三苯基甲氧基矽烷、三笨基乙氧基矽烷、及五苯基甲 虱基二矽氧烷。熟習此項技藝者將進一步瞭解本發明之封 端劑可包括彼等在上文明確指出者以外之封端部分，但限 制條件為彼等其他封端劑包括會與經矽鍵結之烯基、氫化 φ物、烷氧基、芳烷氧基、或羥基反應之封端部分， 不利地影響固化反應或經固化之芳基聚石夕氧院組成物。a 本發明經固化之芳基聚矽氧烷組成物可進一步包括添 加劑。—種或多種添加劑可包含於經固化之聚石夕氧 : 件為，在加速熱老化測試期間，添加劑或二劑 、，，曰的存在不會降低不黃化的必要性質。添加劑之者 列表包括：奈米粒子或微粒子（micr〇partic⑷尺: 劑，，氧化錦、氧化鈦、氧化石夕、氧化錯、氧化給:、 94094 33 1361205 加劑，殺真菌劑；阻燃劑；對比增強劑；uv•安定劑；光 安定劑；界面活性劑；黏合改良劑，如含烷氧基之矽烷、 .3烧氧基之t石夕氧、及環乳聚石夕氧（epoxy silicone);鱗光 -體（phosphor);吸收染料；螢光染料；導電性或導熱性添加 劑，如碳奈米管或奈米粒子；螯合或鉗合劑；酸清除劑 scavenger);鹼清除劑（base scavenger);及金屬鈍化劑與增 強A如螢光粉、奈米管、奈米球、奈米粒子、微球、色 素、液晶、及黏土。添加劑可包含於經固化之芳基聚矽氧 烷組成物中，只要於2〇(rc熱處理後仍保持不黃化之必 性質。 高RI奈米粒子或其他添加劑可加入組成物中以提高 複5物之折射率。此等提高折射率之添加劑包括，例如： 氧化鈽、氧化鈦、氡化錯、氧化銓、氧化釩、氧化鑭、氧 ，鋅、鎢酸鹽、鉬酸鹽、氧化鈮、氧化銦、氧化銦錫、六 苯基一矽氧烷、四苯基鉛、及四苯基矽烷。本發明之複數 籲高RI奈米粒子具有至少lnm、至少2nm或至少5nm ; 且不大於30 nm、不大於20 nm或不大於1〇 nm之平均粒 徑。當應用經固化之芳基聚矽氧烷組成物需要高透光度 時’則將進一步要求該複數高RI奈米粒子不會顯著地減小 樣品透光度至低於90%的值。複數高幻奈米粒子的pSD 多分散性沒有特定的限制，然而，複數高RI奈米粒子的 PSD多分散性典型係至少〗〇〇、至少} 〇1、至少1 1、或 至^ I.2 ;且不大於2〇、不大於10、或不大於3。該PSD 可呈單峰值(unimodal)或多峰·值（muhim〇daI)。 94094 34 ^361205 :外，固化抑制劑 '辅助催化劑、黏合促進劑、表面 ’別、及用於可移動離子物種之鈍化劑可含於太恭 •可固化芳基魏院组成物及經固化之芳基氧二: 必要性質。固化抑制劑包括，例如 Η alc〇h〇ls)，如3_ 甲美 3 丁比？jr 〇 G 块知（acetylene 35·_?α 基I 丁块-2·醇、2-甲基小戊炔-3-醇、 ^，6·二醇、2,4,7,9_四甲基〜錢# 二 Γ基·6-协"块·3_醇(“去氫芳樟醇，，，來自 美 1夕减，一烧基曱醒胺；燒基硫脲；甲 :丁;1:單；有:三鍵與合適的_之有她合^ 合物.产化入:’、m稀丙醋與醋酸乙婦醋之混 金屬氧^ °，及磷化合物。輔助催化劑包括，例如： 屬氧化物可進—步的氧化物。這些相同的金 防止與水之交互作用，鈍化劑包括= a '(3,3 5 ^ 三“似四氫 氯辛基）二甲基氣錢/(十三氟-1，1，2,2-四 矽烷。 及3,5-又（二鼠甲基）苯基二甲基氯 溶劑以形成耐高溫聚分氧塗層 σ 合4之非詳盡列表包括：.甲苯、二罗苯、 35 (S ) 94094 系溶劑（醇鍵（dowan♦乙二甘二甲__)、 点1 :士 &自化岭劑。可與本發明之可固化芳基錢院組 .3 |明&固化之芳基聚梦氧現組成物患溶之所有溶 ^可含於彼等組成物中，限制條件為在加速熱老化測試 j間仍保持不黃化之必要性質。 本發明經固化之芳基聚矽氧烷組成物的製造方法包括 下列步驟.組合芳基烯基聚石夕氧院與氫化石夕化合物、石夕氮 化反應催化劑及視需要的封端劑以產生可固化芳基石夕氧烧 ’且成：’以及固化該可固化芳基矽氧烷組成物以形成經固 之芳基聚石夕氧烧組成物。熟習該項技藝者將瞭解可改變 固溫度與時間，以調節特定可固化芳基石夕氧院組成物與 矽風化反應催化劑的含量。典型地，係選擇固化溫度以使 經固化之芳基聚矽氧烷組成物在數分鐘至數小時内形成， 且該固化溫度可為至少100、至少120、或於14〇。〇;且不 尚於220、不高於200、或不高於18〇〇c。製造經固化之芳 籲基聚矽氧烷組成物的合適方法可進一步包括高於以及低於 前述極值的固化溫度。低於1〇(rc之固化溫度可適用於特 疋反應性系統或敏感電子裝置，而高於22〇°c之固化溫度 則可適用於其在固化期間與固化後尤其亦對高溫安定之特 定非反應性系統。當然，在選擇固化條件時，必須考慮各 個可固化芳基矽氧烷組成物的特性（如成分之揮發性）。進 一步應瞭解的是，固化溫度可於固化期間變化。例如，固 化溫度最初可設為1301，但設計成於2小時的期間提升 至150°C，.接著於18(TC·最後固化8小時的時間。典型地，. 94094 36 1361205 將芳基稀基聚矽氧院與；g夕氫化反應催化劑於加入氫化石夕化 合物之前先予以組合，以確保矽氫化反應催化劑在其與經 -矽鍵結之氫原子進行交互作用之前的均勻分佈。在易受影 • B的芳基婦基聚矽氧烧不存在下，此交互作用可導致交互 作用產物的/儿澱，使隨後加入芳基烯基聚石夕氧烧之後難以 或不能形成均勻且完全的可固化之反應混合物。進一步 也可將^有芳基婦基聚石夕氧院與氫化石夕化合物的混合物 與石夕氫化反應催化劑進行組合。
當然，經固化之芳基聚矽氧烷組成物可在任何裝置不 存在下利用本發明之固化方法，藉由例如：膜形成及固化； 各種形狀物件之擠壓成型或參出成型；射出模製；及其他 各種形狀物件（如鏡片，或具有圖案化表面的膜，如光提取 膜（light extraction film))之模成型（m0ld based f〇rmat㈣
，成型。當固化期間有裝置（如半導體裝置）存在時，則選 擇不會損壞該裝置之固化溫度係有必要的。於此情況下， 藉由在固化步驟之前或固化步驟期間將可固化芳基伸烷基 =矽氧烷組成物塗覆於半導體元件，可使該半導體裝置ς 一個咸多個半導體元件被封裝以形成封裝半導體裝置。或 者該，.呈固化之芳基聚石夕氧烧組成物可經成型為例如獨立 式膜並接著施用於裝置。 —本卷明之熱女疋性經固化之芳基聚矽氧烷組成物具有 許多用途，包括用於電氣或電子產品（包含半導體）之底層 填料、保護塗料、灌封劑（potting agent)、或黏合劑。可被 、裝之半V to的類型無特別限定。例如，發光二極體（LED) 94094 37 L361205 裝置可以本發明經固化之芳基聚矽氧烷封裝。該芳基聚矽 氧烷組成物的高透光度使其尤其適合作爲用於光學應用之 .半導體元件中的底層填料、保護塗料、灌封劑或黏合劑。 . 本發明裝置之特徵在於其半導體元件係以經固化之芳 '基聚矽氧烷組成物塗覆，或以可固化芳基矽氧烷組成物塗 覆，並接著予以適當固化。此等半導體元件可列舉為二極 體、電晶體、閘流體、固態攝像元件、單晶積體電路及混 合積體電路中之半導體元件。此外，此等半導體裝置可列 籲舉為二極體、發光二極體（LED)、電晶體、閘流體、光電 耦合器（photocoupler)、電荷耦合裝置（CCD)、單晶積·體電 路、混合積體電路、大規模與極大規模積體電路（LSI與 VLSI)。 實驗。本發明之某些具體實例將於以下實施例中詳細 敍述。 使用凝膠滲透層析（GPC)之分子量測定。凝膠滲透層 φ析，或稱爲尺寸排除層析，實際上係根據分佈組分於溶液 中的流體動力尺寸而並非其莫耳質量來將其分離。接著將 系統藉由已知分子量與組成的標準物校準，以使洗提時間 與分子量相關聯。GPC技術於五 Chromatography, W. W. Yau, J. J Kirkland, D. D. Bly; Wiley-Interscience, 1979，及 d Guide to Materials Characterization and Chemical Analysis, J. P. Sibilia; VCH, 1988，p.81_84中詳細描述。 *· 例如，低分子量樣本（如10,000)之分子量資訊·可測定 38 94094 1361205 如下：將樣本（含有低分子量粒子之水性乳劑）以大約每體 積THF係0.1重量％樣本的濃度溶解於THF，搖動6小時， -隨後藉由0.45 μιη PTFE (聚四氟乙烯）膜濾紙過滤。藉由注 入100 μΐ上述溶液至3個管柱，依序連接並維持於40°C而 進行分析。該三個管柱分別為：PL GEL 5 100、PL GEL 5 1,000 及 PL GEL 5 10,000 > 其皆可購自 Polymer Lab, Amherst，Massachusetts。所使用之流動相係以1 ml/min (毫 升/分鐘）流動之THF。經由有差異之折射率進行偵測。系 籲統係以具窄分子量的聚苯乙烯標準物校準。樣本之聚苯乙 稀當量分子量係經由Mark-Houwink修正式使用聚苯乙稀 標準物K=14.1xl0·3 ml/g及a=0.70而計算得到。 用於測定經矽鍵結之乙烯基對經矽鍵結之氫原子之 比率的磁核共振（NMR)法。使用Bruker ADVANCE™ 500 NMR光譜儀之NMR分析提供了用於調配的經矽鍵結之氫 原子與乙烯基成分的克當量。將含矽化合物的乙烯基質子 $或氫化物質子之整合質子NMR信號與藉由質子NMR得到 之已知量曱苯標準物的整合信號相比較。乙烯基質子或氫 化物質子的量於是可以重量為基準而計算得到。例如，在 測定乙烯基的情況中，係將來自三個乙烯基質子的組合質 子信號與曱苯之曱基的三個質子相比較。將計算量（重量） 之芳基乙烯基聚矽氧烷從給定的芳基乙烯基聚矽氧烷儲備 溶液中移出並與石夕氫化反應催化劑組合。將計算量之氫化 矽化合物以體積計（具已知的密度時）或以重量計進行添 口 .0. V — 39 94094 1361205 用於測定梦氫化反應催化劑儲備溶液中銘濃度之 線螢，瓣)法。石夕氫化反應催化劑儲備溶液係二溶解 ‘已知罝石夕氫化反應催化劑於已知量溶劑（子 製備。鉑濃度係藉由對於甲苯或- r 一 τ +劣一 f本的矽氫化反應催化 劑儲備溶液進行X射線螢光（XRF)光譜分析而計算^ 服lips PW2404連續波長色散辦_咖測量方法 已知的始標準物進行校準。計算量（例如，使用微量吸量^ 之微升（細。㈣财氫化催化劑儲備溶液首先 與方基乙烯基聚矽氧烷組合，隨後與氫化矽化合物… 以形成可固化芳基石夕氧院組成物。將石夕氫化反應催化難 備溶液製備成多種濃度。 經固化之芳基聚W成物之熱老化。使用Fisher IsoTemp Fu眶e，於·。c空氣中在不同時間進行加速 熱老化測試。選擇加速熱老化測試之嚴苛條件，以提供 於不同經固化之芳基㈣氧―成物所預期㈣中行爲的 指不，該等組成物必需在較低溫（如15()至18代）長期使用 中仍保持清澈及無色。並非所有的配方皆良好地老化—一 些配方破裂、.收縮、顯現缝表面、或自玻璃片或微 杯中剝離。並非所有的配方皆具有最佳的機械性質，但該 等配方仍被計人，以顯示本發明於防止顏色形成上之能力< 老化後經固化之芳基聚矽氧烷組成物之ϋν可見光 (UV-vis)光譜分析。具有厚度約為G 6酿㈣老化膜係使 用Hewlett-Packard Model 8453光譜儀分析其顏色盥光學 94094 40 1361205 /月晰度。藉由從數據中減去一直線基線（straight baseHne) 而對樣本間差異修正UV可見光數據，該直線基線係藉由 -在第〇天對每一樣本之測量而測定。 老化後經固化之务基聚梦氧烧組成物之Cie (國際照 明委員會（Commission Internationale de I，EcIairage))分 析。將具有大約0.6mm厚度之膜使用X_Rite 2〇〇系列光密 度計分析顏色與清晰度。CIE測量方法中未對膜的厚度進 行修正，但對於給定的配方系列，所有樣本就厚度而言皆 在彼此之20〇/。之範圍内。CIE測量空間係CIE 1976 I^as(：b* 空間，使用DWIO設定（亦即，65度照明角度；1〇度觀測 者角度）’且顏色測量係藉由放置樣本於經校準之白點而進 行於2〇〇 C空氣中熱老化14天之樣品使用CIE 1976 L*a*b*空間d65(照明角度）/1〇(觀測角度）顏色測試方法觀 察時’若CIE b值等於或小於2.0，則該樣品通過“加速熱 老化測試”。 ’' 材料。大多數矽氧烷單體和聚合物係購自制⑽，—。. 溶劑與其他化學品係購自Aldrich或。化 學品於收到時即使用。將石英片或晶片用於石夕氧院樣本之 UV-可見光分析，此等石英片或晶片係購自gm A_i伽 -。链催化劑係購自Gelest。至於催化劑 (Kamedt’s Catalyst)(鉑-二乙烯基四甲基二矽氧烷錯合物 於二曱，，得自Gelest的低色版本為所有實驗所使用。鉑 濃度係藉由對叙儲備溶液進行χ射線螢光光譜分析計算得 到。實施例中-，乙稀基聚合物#2(表中.的乙婦基#2)係講自 94094 41 1361205
Aldrich(482048)。乙烯基聚合物#3(PMV_9925)與氫化物 #l(HPM-502)、#2(SIP6826)、#4(H-11)、#5(SIP6736.5)及 .#6(SID4582)係購自Gelest。聚合物分子量係藉由使用聚苯 •乙細標準物的凝膠滲透層析測定，及由此測定相對分子量。 實施例1.乙烯基#1之合成。具有附接至矽的苯基與 甲基之經三甲基矽封端的芳基乙烯基聚矽氧烷之製借。將 乙稀基二甲氧基碎燒（76.24克）、370.96g二曱基二曱氧基 石夕烧、11.6g 0.02N HC1及136.92g水加入3頸燒瓶内。瓶 溫度係自67°C驟升至130°C，並在4小時的時程内移除蒸 餾物。反應混合物冷卻至室溫，並加入12〇_91g三甲基甲 氧基石夕烧與額外的11.6g 〇.〇2N HC1。反應於60。(：擾拌3 小時，隨後並移除蒸餾物至85t:。為使聚合物被完全封 端，加入72.86g乾燥三乙胺，隨後緩慢加入78 22g三甲 基氯石夕烧。以300 mL己烧稀釋反應，並以jjci洗滌 直至有機相pH值下降至低於7。隨後將有機（己烷）相以水 洗;&直至pH為5至6。隨後該有機相於真空在之溫 度脫除。產物係190克液態芳基乙烯基聚矽氧烷。 實施例2·乙烯基#4之合成。具有附接至矽的苯基與 甲基且包括經聚合之矽伸苯基單體單元之經二苯基甲基 矽封端的芳基乙烯基聚矽氧烷之製備。使14_雙（羥基二甲 基石夕烧基）苯（4.08克）、2.73g苯基曱基二甲氧基石夕烧、2.38g 曱基乙稀基二甲氧基料、2 l8g二苯基甲基乙氧基石夕烧、 4.32g水及28 mg氫氧化鉀於圓底燒瓶内組合。反應混合 物知暫地回流’並在1 ·5小時的時程内於瓶溫100至110 94094 42 pun：油㈤將f醇移除。甲醇與—些水移除之後，使反 應混合物冷卻並以甲苯稀釋m液以氯憾溶液萃取 .兩人及以去離子水萃取一次，使pH值達到中性。過渡有 •，機相，、藉由硫酸鎂脫水並於旋轉蒸發器上濃縮。產物為 8.〇9g液態芳基乙烯基聚矽氧烷。 實施例3.〔烯基#5之合成。具有附接至梦的苯基與 甲基之經三曱基乙氧基矽封端的芳基乙烯基聚矽氧烷之 製備。使一苯基二曱氧基矽烧（8.〇6克）、6.地苯基甲基二 甲氧基矽烷、2.37g乙稀基三曱氧基矽烷、189g三曱基乙 氧院發院、9g水及105 mg氮氧化卸於圓底燒瓶内組合。 反應於75C攪拌16小時。隨後於瓶溫1〇〇至11〇〇c(12〇 °c油浴）將曱醇移徐。甲醇與一些水移除之後，加入3 8〇g —曱基乙氧烷矽烷以確保封端，並將混合物於8〇。〇攪拌 刀鐘。使反應冷卻並以甲苯稀釋。以氯化銨溶液萃取兩次 及以去離子水萃取一次，使pH值達到中性。過濾有機相， 鲁藉由硫酸鎂脫水並於旋轉蒸發器上濃縮。產物為9.98g液 態芳基乙烯基聚矽氧烷。 實施例4.氫化物#3之合成。具有附接至矽的苯基與 甲基之氫化矽化合物之製備。將二苯基二曱氧基矽烷 (19_55克）、6.01g五甲基環五矽氧烷、2g硫酸及4g水加 入燒瓶内並在室溫攪拌過夜。藉由加入15〇 mL甲苯來激 發反應。以飽和水性碳酸氩鈉（每次3〇〇 mL)萃取有機相二 次’並以水（每次300 mL)萃取兩次。有機相於旋轉蒸發器 上脫除’產生18g具黏性之清澈聚合物-。- 43 94094 1361205 實施例5.可固化芳基矽氧烷組成物之製備與固化。 將一定量溶於Τ苯或二曱苯之矽氫化反應催化劑（鉑催化 -劑）加至芳基乙烯基聚矽氧烷，且該等成分於滾筒混合器内 .徹底混合。對於具黏性的乙烯基聚矽氧而言，係使用己烷 作爲稀釋劑，以輔助稱量並使聚合物與翻催化劑混合。於 此等情況中，在加入氫化石夕化合物之前，己烧係藉由在加 熱板上蒸發而移除。將氫化矽化合物加入並於滾筒混合器 徹底混合。該配方隨後倒於石英片（用於UV-可見光測量之 _樣品）或玻璃片（用於CIE測量之樣品），或倒入玻璃微量燒 杯（用於可見測量之樣品）。NMR分析提供了用於調配的氫 化物與乙烯基成分的克當量。初始固化溫度與時間係.分別 ..於100至130°C與1至4小時的範圍，.對於具有較慢固化 特性的可固化芳基矽氧烷組成物則選擇較高的溫度與較長 的時間。將具有大於0.2 ppm翻含量之樣本於100至130 °C的恆溫加熱板上歷經高達2小時的時間固化。某些低催 鲁化劑含量之配方（翻含量低於〇·2 ppm)需要在160至180°C 之上升溫度初始固化0.5至4小時。所有經初始固化之樣 本隨後於130°C進行最終固化步驟歷經8小時。 表A.用於實施例配方中的反應物與催化劑之量。 樣本 乙烯基聚矽氧烷 氫化矽化合物 Si-H 當量c 矽氫化反 應催化劑 所添加的 IXPt溶液 wd Pt (ppm) IDa Wt.b (g) IDa Wt.D ω C1 乙烯基1 0.5 氫化物4 0.611 1.05 HSC-1 0.478 9.91 C2 乙烯基1 0.5 氫化物4 0.611 1.05 HSC-1 0.245 5.07 C3 乙烯基1 0.5 氛化物4 0.611 1.05 HSC-1 0.050 1.04 C4 乙烯基1 0.5 氫化物4 0.611 1.05 HSC-1 0.022 0.46 C5 乙烯基2 0.5 氫化物2 0.026 2 HSC-1 0.226 9.91 C6 乙烯基2 ‘ 0.5 氫化物2 0.026 2 HSC-1 0.116 5.07- 44 94094 1361205
1 乙焊基2 0.5 氫化物2 0.026 2 HSC-1 0.024 1.04 2 乙烯基2 0.5 氫化物2 0.026 2 HSC-1 0.011 0.46 C7 乙烯基3 0.5 氫化物2 0.045 2 HSC-1 0.234 9.91 C8 乙烯基3 0.5 氫化物2 0.045 2 HSC-1 0.120 5.07 3 乙烯基3 0.5 氫化物2 0.045 2 HSC-1 0.060 2.54 4 乙烯基3 0.5 氫化物2 0.045 2 HSC-1 0,025 1,04 5 乙烯基3 0.5 氫化物2 0.045 2 HSC-1 0.011 0.46 6 乙烯基3 0.5 氫化物2 0.045 2 HSC-1 0.0054 0.23 7 乙烯基3 0.5 氫化物2 0.045 2 HSC-1 0.0027 0.12 8 乙烯基3 0.5 氫化物2 0.045 2 HSC-1 0.0011 0.05 C9 乙烯基3 0.5 氫化物1 0.079 2 HSC-1 0.249 9.91 CIO 乙烯基3 0.5 氫化物1 0.079 2 HSC-1 0.127 5.07 9 乙烯基3 0.5 氫化物1 0.079 2 HSC-1 0.064 2.54 10 乙烯基3 0.5 氫化物1 0.079 2 HSC-1 0.026 1.04 11 乙烯基3 0.5 氫化物1 0.079 2 HSC-1 0.012 0.46 12 乙烯基3 0.5 氫化物1 0.079 2 HSC-1 0.0058 0.23 Cll 乙烯基3 0.5 氫化物5 0.062 2 HSC-1 0.242 9.91 C12 乙烯基3 0.5 氫化物5 0.062 2 HSC-1 0.124 5.07 13 乙烯基3 0.5 氫化物5 0.062 2 HSC-1 0.062 2.54 14 乙烯基3 0.5 氫化物5 0.062 2 HSC-1 0.025 1.04 15 乙烯基3 0.5 氫化物5 0.062 2 HSC-1 0.011 0.46 16 乙烯基3 0.5 氫化物5 0.062 2 HSC-1 0.0056 0.23 C13 乙豨基3 0.5 氫化物2 0.045 2 HSC-2 0.234 8.50 C14 乙烯基3 0.5 氫化物2 0.045 2 HSC-2 0.120 4.35 17 乙烯基3 0.5 氫化物2 0.045 2 HSC-2 0Ό60 2.20 18 乙烯基3 0.5 氫化物2 0.045 2 HSC-2 0,025 0.89 19 乙烯基3 0.5 氫化物2 0.045 2 HSC-2 0.011 0.40 C15 乙烯基3 0.5 氫化物2 0.045 2 HSC-3 0.234 8.30 C16 己嫜基3 0.5 氫化物2 0.045 2 HSC-3 0.120 4.25 20 乙烯基3 0.5 氫化物2 0.045 2 HSC-3 0.060 2.12 21 乙烯基3 0.5 氫化物2 0.045 2 HSC-3 0.025 0.87 22 乙烯基3 0.5 氫化物2 0.045 2 HSC-3 0.011 0.39 23 乙烯基3 0.5 氫化物2 0.022 1 HSC-1 0.011 0.46 24 乙烯基3 0.5 氫化物2 0.034 1.5 HSC4 0.011 0.46 25 乙烯基3 0.5 氫化物2 0.045 2 HSC-1 0.011 0.46 26 乙烯基3 0.5 氫化物.2 0.056 2.5 HSC-1 0.011 0.46 27 乙烯基3 0.5 氫化物2 0.067 3 HSC-1 0.011 0.46 28 乙烯基3 0.5 氫化物2 0.022 1 HSC-1 0.042 1.84 29 乙烯基3 0.5 氫化物2 0.034 1.5 HSC-1 0.043 1.84 30 乙烯基3 0.5 氫化物2 0.045 2 HSC-1 0.044 1.84 31 乙烯基3 0.5 氫化物2 0.056 2.5 HSC-1 0.045 1.84 32 乙烯基3 0.5 氫化物2 0.067 3 HSC-1 0.045 1.84 C17 乙烯基3 0.7 氫化物3 0.132 2 HSC-1 0.361 10.00 C18 乙烯基3 0.7 氫化物3 0.132 2 HSC-1 0.180 5.00 33 乙烤基3 0.7 氫化物3 0.132 2 HSC-1 0.036 1.00 34 乙烯基3 0.7 氫化物3 0.132 2 HSC-1 0.018 0.50 35 乙烯基3 0.7 氫化物3 0.132 2 HSC-1 0.0089 0.25 36 乙烯基3 0.7 氫化物3 0.132 2 HSC-1 0.0037 0.10 37 乙烯基3 0,7 氫化物3 0.132 2 HSC-1 0.0019 0.05 38 乙烯基3 0.7 氫化物3 0.132 2 HSC-1 0.0004 0.01 39 乙烯基3 0.7 氫化物3 0.132 2 HSC-1 0.0002 0.005 C21 乙烯基.4 0.32 氫化物2 0.080 1.2 HSC-1 · 0.35 20.2 .40 乙’烯基4 0.331 IL化物2 0.069 1 HSC-1 0.080 4:6 45 94094 1361205 C22 乙烯基5 0.4 氫化物6 0.100 1.7 HSC-1 0.40 18.4 41 己烯基5 0.34 氫化物6 0.060 1.2 HSC-1 0.32 18.4 42 乙烯基5 0.34 氫化物6 0.060 1.2 HSC-1 0.32 18.4 43 6烯基5 0.34 氫化物6 0.060 1.2 HSC-1 0.32 18.4 44 乙烯基5 0.34 氫化物6 0.060 1.2 HSC-1 0.32 18.4 .(a) IDe識別號。（b) WtE重量。（c)對每當量Si-乙烯基之 Si-H當量。 (d) IX係指未經稀釋溶液，而1/10X、1/100X及1/1000X 係分別指將IX溶液稀釋10倍、100倍及1000倍。HSC-1 : 1又溶液中鉑（卩〇濃度=23,050 ??111;1^(：-2:1又溶液中鉑 •濃度=19,777ppm ;及HSC-3: IX溶液中鉑濃度=19,300 ppm。鉑催化劑係藉由微量吸量管由IX、1/10X、1/100X 及1/1000X儲備溶液添加。
46 94094 1361205 表ι·用於實驗例之乙烯基聚矽氧烷及氫化矽化合物。
乙烯基聚矽氧烷 IDa RIb Mn 笨基e 甲基e 乙烯基e 莫耳 % Wt% 莫耳 % Wt% 莫耳 % Wt% 聚(二甲基矽氧炫-共-乙烯基矽氧烷），三甲 基矽烷基封端 乙稀 基1 1.41 3,621 0 0 93 86 7 14 聚(二曱基矽氧烧-共-二笨基矽氧烷），乙烯 基二曱基矽烷基封端 乙烯 基2 1.46 9,300 16 34 84 66 <1 <1 聚(苯基甲基矽氧 烷），乙烯基二甲基矽 烷基封端 乙稀 基3 1.53 3,360 45 72 52 26 3 2 聚(苯基甲基矽氧院-共-乙烯基甲基矽氧 烧-共-1,4-(雙二甲基 矽烷基)苯碳矽氧 烷），二苯基甲基矽烷 基封端 乙稀 基4 1.55 1,260 28 62 10 聚(二苯基矽氧院-共-乙烯基矽氧烷-共-苯 基甲基矽氧烷），三甲 基矽烷基封端 乙烯 基5 1.56 1,470 50 42 8 氫化矽化合物 IDa RIb Mn 苯基e 甲基e 氫£ 莫耳 % Wt% 莫耳 % Wt% 莫耳 % Wt% 聚(甲基氫矽氧坑-共-笨基甲基矽氧烷），氫 二甲基碎烧基封端 氫化 物1 1.50 3,480 26 52 50 37 24 11 苯基參(二甲基矽烷 氧基)矽烷 氫化 物2 1.44 330d 10 39 60 49 30 12 聚(甲基氫矽氧烧-共-二苯基矽氧烧） 氫化 物3 1.56 6,200 44 72 28 17 28 11 聚(二甲基矽氧烷)，氫 二甲基矽烷基封端 氫化 物4 1.40 2,080 0 0 97 99 3 1 笨基氫環矽氧烷 氫化 物5 1.56 367- 611d 50 0 50 1，3-二苯基-1，1，3,3-肆 (二曱基矽烷氧基)二 矽氧烷 氫化 物6 1.44 527d 14 57 29 (a) ID三識別號。對乙烯基聚矽氧烷與氫化矽化合物命名 及編號。乙烯基1不含有芳基；乙烯基2至5係芳基乙烯 基聚矽氧烷。氫化物4不含有芳基；氫化物1至3、5與6 係芳基氫化矽化合物。（b) RI三由Abbe折射儀測得之折射 47 94094 1^61205 率1(0。給定笨基、甲基、乙烯基、及氫基團的莫耳百分 .:夕耳')，其係以給定化合物中所有鍵結至石夕的有機基團 '’、、、1〇〇莫耳％為基準而計算。（d)化合物係經明確界定之 .單一小分子’或經明確界定小分子之混合物。 氫化反應催化劑 合物（osi^r^ 用於實驗例之矽氫化反應催化劑。 /L r- .... T_____________ (a) IDs識別號。HSC係指矽氫化反應催化劑
94094 48 1361205 ' 表3.具有零或低含量苯基之經熱老化固化的聚矽氧烷組 成物之CIE分析。 CIE顔色，2週於 200 °C •a rs m 9\ o os V) ο 1 1 17.80 1 fS m Ο d s o Λ 2 1 s 1 I -0.98 1 I -0.47 I 00 1 〇〇 vq 1 ο 1 o 1 I 76.99 | I 77.21 I 177.47 1 1 64.13 I 1 82.35 I 1 85.54 I I 83.39 丨 86.44 CIE顏色，67小時於 200 °C Δ «s m 9\ ri rn cs § I 14.47 | rn «5 s o ed v〇 is 1 Os cs CN 1 1-0.62 I in cs CN o 1 to 1 I 79.82 | | 81.25 | I 82.83 | | 63.18 | | 83.85 | I 76.99 | 1 87.88 i | 86.92 CIE顏色e，固化後 •ΰ -0.72 | s o 1 00 i〇 o g o s o ee s J ΓΟ q 1 g t -0.71 1 o 1 〇\ 1 q ••H 1 so q 83.07 | I 83.04 | I 83.85 | I 68.55 | I 87.77 | I 81.80 | I 84.09 | 1 87.36 I Pt (ppm) Q\ 〇\ wS q d 〇\ u-i q v〇 d | HSC-1 | I HSC-1 | 1 HSC-1 | 1 HSC-1 | I HSC-1 | 1 HSC-1 | I HSC-1 | | HSC-1 i Λ φΐ κ 4田 s s S s CS cs CN cs 氫化矽 4匕合私 | 氫化物4 | 氫化物4 氫化物4 | I 氫化物4 | I 氫化物2 | 丨 氫化物2 | | 氫化物2」 | 氫化物2 乙烯基聚 矽氧烷 i 乙烯基ii 乙烯基1 1 乙烯基1 1 1 乙烯基ll 1 乙烯基2| 1 乙烯基2| 1 乙烯基U | 6烯基2 1 樣本a *—4 ΰ G δ δ ΓΊ ο 。*«*鲽《90.0-/+€'+<埤砘.«,屮5铒1:一«單-^(3 。(一μ351 q+JBd)^^®iiismln 9.0菝埤0*審噠^^^^^Ν^ΒΒ.坊®FliBS·# 揉二JK癍丨蚌wog球雄«;街 3o(u) "«w#8〒TSW^^o-is¥^#fe(q) 。硪蚪¥如牮埤-f-ζ^ϊ , 93'2吞噠滅^rf^^wqi-® 刼(q)。4蚪杯伞 ±K}t«lI3 若嘀鹿^«i^^wqf-s^CB)
49 94094 1361205 4 表4.經熱老化固化之聚矽氧烷組成物之CIE分析：氫化 石夕化合物與翻含量變量。 • · CNI U 羝 D >£ • β rf c T-> )9 C νΐ c -> T" rr IT Tt oc r- oc VC 二 卜 卜 Ο O' c IT 卜 e g 1 V 69 对 O' t s〇 m CN m 1 Γ· ^- t α> — r— i rr • o 1 00 m — 1 对 o rv 〇\ n 1 <N *· 1 « — 1 VO rn » ON Γ< 一 I v〇 00 o cs o o ρ o o 00 o — Ο CN 1 VD VC 5； Os 〇> OO VD OO s 'O OO VO r* v〇 OO g \έ 00 C^4 s iri OO VO s P 〇\ r*S OO m 00 vr； OO u-i OO OO OO s § in Os Os v〇 fO OO 〇\ JT Is οό 00 〇\ vd 00 哲 ②〇 <fi3® 傻 C3 客 1/3 — 〇 00 s CO o p s o d rs o r·» 〇 so rs o m so r4 m 00 if) VC 〇 tn go o o vi rH 〇\ ve 妄 ο 宕 d ca ο ρ I s 1 1 * g 1 r- I ON 1 00 •H 1 ° 1 m 1 I CN 1 fn ro v-> cs 1 so CN »-H 1 1 8 1 1 Os 1 s CS CS ύ CS vd OO <N1 VD OO VO OO vd OO o OO s vS OO 〇\ 00 OO s s *r> o〇 S i〇 >〇 OO OO VO OO iri OO 00 8 ES Ό »〇 00 ο s v〇 卜 靼 aD λ ΙΛ ri n NP ri P5 o On 〇 s d 〇 d d 2 卜 rn iH 忾 in o V) e ΓΛ fn o 〇 oe d 〇\ S CO o ?5 o 3 ο s d 画 ma a 〇〇 q 1 — 1 〇 ( g 1 δ i 00 p 1 Cs 〇\ 〇 g 2 p—4 V m Ox o o f VO q » g — 1 rn 1 〇s 00 d » σ\ d 1 \D d 1 g ***H t 1 s t 够 Eti m 〇o VO VO 00 OO vd OO JO vd OO VD OO JO OO § tr； 00 1 Os cs VO OO ES rn 00 CN *n OO 00 cn s CN uS 00 OO ON s ON 〇\ VO JO s Ή 00 νο OO s £ I Ο) σ\ *·Μ »〇 »〇 CN 〇 菩 o m o d s o os 〇\ W-) cs p Ό 对 d ΓΠ C^J d Os cK «*«h iri «〇 CN o »-H v〇 寸 ο ΓΟ 〇 κ ό 00 X 1-M ό CO a ό CO a ό υ〇 « U 00 a rH 6 CO ffi ύ 00 ffi ό CO a r—< a » ύ 臣 ό CO a ύ &0 a ύ CO ffi ύ LO K ύ in K ό C/5 ό S r-4 ό CO X κ^Η Κ 乂Bff iS CN cs CN CM tN N CN CM cs (M ΟΊ CM CM CS CN CN CN ；〇 <N 若 CN CS 茗 AJl CS ；u CN 吞 Jj CS 若 CN »-4 蓉 Δ3 •H 矣 Jj 11^ 蓉 X) »n jD vn 矣 tn 審 «Ο •D »〇 審 X) 喊 V)。 蓉i tO馋 m ο m O m O ro 0 m i0 m O cn 硪 t 0 m *0 m 4 t i0 ΓΟ i0 m tO m 〇 m 地 SI o m 0 cn Ο ΓΟ Ο m η »0 m 0 m ο CO扭 发K· Ό .： c/· li|S 4 D 00 U Γ^ϊ 寸 un 〇 卜 〇〇 On 。 〇 U σ\ 〇 Ή rJ r—η CN — m JO vo ii 一 $ s. 。^回^聆*电啭*趄琪吨$拓*七^-93。002食4琏〇>) 9.0贫埤砘若噠逋^^备鉍4^回一?玆頊铒碎璀筇二_«癍丨蚌405。想珐«释313(5 50 94094 1361205 表5. CIE顏色分析：b座標值呈現爲鉑含量與經固化之芳 基聚矽氧烷組成物於200°C熱老化期間的時間之函數。
h< CO SD S P〇 so 寸 ο d o 〇 H< x>t ΓΟ O P ON Os m s 寸l 〇 Ο d Λ H< Ό s oo o VO \〇 寸 筚 X) CN CN 〇 d c5 ω H< m in oo Os oo 卜 d \〇 c5 CN 〇 CS c5 V < *〇 m Ό Pi 〇\ s 〇 ri <N O o d d s| 〇\ 〇\ 1··^ <n CN q o d cs o JD 赞5 *-H 1 U 00 a 0 CO K K u CO W U XA a ό ζΛ a Λ S qH CN cs CN iN cs (N 给荽 <N CN # <S 荽 CS # JJ AD AJ Δ3 ；D m ro cn m m m ίπ 势isk 爱 爱 i 0 0 Ο Ο 0 Ο 4 00 U CO 寸 »〇 ν〇 ςΰΧι 〇 Sw^S—/ 6 €a»k者。 trrj r -5¾ ^ 回g趔？ €4< 。雄 ΦΙ埝农〒茛葙 *t\ I <!r 辦蛛¥ 衆 Ο 〇〇 φ4 乂t®叙CJ) 碱1释, 51 94094 1-361205 表6.經熱老化固化之聚矽氧烷組成物之CIE分析：不同 的矽氫化反應催化劑類型。
S CIE顏色，2週於 200 °C a ! 12.10 I 3.43 I i 1.06 1 I 0.72 1 1 0.65 1 1 5.89 1 1 2·97 1 丨 1.06 1 1 0.76 1 1 0.41 1 CQ L -2-37 I 1-1-71 I Os 1 CM cn I ro cs < 1-1.82 1 丨-1.58 1 L^1：31 1 丨一-1.25」 -1.24 1 ί 84.34 I Ι 87.34 1 I 88.15 1 Ι 84.45 1 1 86.62 1 1 84.44 1 1 86.82 1 1 87.25 1 1 87.22 ! 86.66 cie顏色，67小時於 200 °C Λ 13.55 1 1 3.81 1 1 0.15 1 1 0.46 1 1 0.22 1 1 6.81 ι 1 3.41 1 1 0.94 1 1 0.49 0.25 Λ -1.56 1 1 -1-52 1 1 -1-201 Oj 1 1 -1-22 1 丨-1.71 1 1-1.51 ! VO cs t 1 -1.26 ] 1 -1_18 1 83.27 1 1 86.48 1 I 87.06 1 1 85.51 1 1 86.27 1 1 86.76 1 1 86.80 1 1 86.85 1 1 87.40 1 1 86.60 1 CIE顏色b，固化後 Δ 1 2.38 1 1 0.88 1 1 0.011 1 0.09 1 1 0.07 1 ί 0.78 1 1 0.29 ι 0.07 [0.02 1 0.05 ee 0 1 1-0.98 1 1 -1-07 1 1 -0.98 1 1 -1-04 1 1 -0.96 ] 1 -0.94 1 1 -1-0.1.! 丨「0.98 ! 1 -0.96 ! h4 1 84.88 1 1 85.79 1 1 84.95 1 1 85.25 1 1 85.64 ] 1 85.60 ] 1 85.84 1 1 85.84 1 1 85.92 1 1 85.37 1 Pt (ppm) 〇\ 〇\ wS p 1 0.46 1 On 〇\ — in oi q 0.46 λ jj Sp 53J 1 HSC-2 1 1 HSC-2 1 1 HSC-2 1 1 HSC-2 1 1 HSC-2 1 1 HSC-3 1 1 HSC-3 1 丨 HSC-3 1 1 HSC-3 HSC-3 ! Si-H 當量· <N cs CN CN cs cs (N CN 氫化矽 化合私 i氫化物2 | 1氫化物u 1氪化物2 | 1氫化物2」 1氫化物2| 1氫化物2| 1 氫化物2 1 1氫化物2 | 1 氫化物2 ί 氫化物2 乙烯基聚 矽氧烷 1乙烯基3| 1乙烯基3| 1乙烯基3| 1乙烯基3 ι 1乙烯基3ι 丨乙烯基3 | 1已烯基3 ] 1乙烯基3| 丨乙烯基3! 乙烯基3 ； 樣本 1_C13 1 1_C14I oo σ\ 1_C15J 1_ci6j cs 。qj-回(χηΒΪΙΒ1)#<ί«®δ·ψ/迪命頌B/钽逛 zzlioz^9o, SI3 審噠逋^^^«wqj·回敦 qJ-E(05lsso)«^s^«f^^B-^发*0链蝴敏眾Ewr#6Il»liI«iH3,23碁噠滅鉍t^^wqf·® 劲(q) 。¥IMTisw 蝴«:to.ls«w駟#SC(B) 52 94094 1-361205 表7.經熱老化固化之聚矽氧烷組成物之CIE分析：乙 基/氫化物比率與始含量變量。 严 sd to s s «Λ 00 <s QC ©\ vc 色，2週於 200 °C ·〇 r· d d d d Λ rH o 00 〇 对· 1 1 二 «H 1 〇0 1 1 -1.39 CN rn 1 Ο 1 s •H 1 (£} P so 〇\ (N CN m (N VO m 00 «〇 £ VO 00 ε VO oo «〇 oo v〇 00 S5 v〇 oo 色，67小時於 200 X η Φ fO \e o so o in o s o 〇 〇 2 s »n n σ\ 00 ο a — ?： 1 CN CS 1 1 1 1 O — »n ΓΠ 1 ·< * 锻 m 〇〇 m P； 00 OO 艺 g »〇 m g TO C vd 00 VO 00 芝 ΓΟ 00 ss VO 00 v〇 00 v〇 00 Μ in Ο s so m r) Ki <s 5? n ΙΛ d fS K) 9 Λ d o d o o o 〇 ο 囫 VO ρ I *—4 1 OO 〇〇 ON o o ON ON B s ΰ umf 锻 ee — o 1 1 — o 叫 一 fO «Ο m 〇〇 〇 00 00 \〇 荔 00 On \〇 寸 V) οο rn 00 v〇 OQ m 00 s iri 00 寸 00 IO oo 0\ ΓΟ 00 妄 ο 妄 妄 妄 so 兮 o DO 00 oo 00 00 d o d -Ο ^Tjg) ΰ ύ — U ό ό τΉ ΰ »~i ύ ό — ΰ *〇 樂 s s S s to W 坌 Η »〇 cs »〇 cn ΙΛ cs »〇 m 甲Φ4 r4 r4 CS cs CN cs CN CN cs cs Οί cs 者 # 若 者 者 吞 者 審 吞 ^<0 jU jO •13 Δ3 喊 A3 Ώ JD A3 Λ3 碱 issl ΓΟ ΓΛ CO cn rn cn cn 蝴 « 费 γ|ρ *iwi Γ Ο O O O Ο 0 kJ 0 0 、 4 m (S »〇 cs v£> CS 00 cs 〇\ (N cn m «lUti Ο €
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Ottg 上球 mz $Γ〇 co-ο 53 94094 1361205 表8.經熱老化固化之聚矽氧烷組成物之CIE分析：鉑含 量變量。
CIE顏色，192小時於 i 200 °C •Δ \ 8.64 | I 2.63 | 1 0.57 1 1 0.09 1 I 0.30 | I 0.05 | | 0.27 | I 0.16 | a -1-30 1 CN «Η 1 L^〇9j 1 -1-03 1 1 -1.04 1 g t 1-1.02 | -1.03 ί | 83.69 | 1 84.97 1 1 85.35 1 1 84.31 1 1 86.10 1 1 85.79 1 | 86.76 | I 86.26 | :cie顏色，96小時於 200 °C 1 5.97 | 1 2.09 1 1 0.61 1 1 0.01 I 1 o.oo 1 [0.17 | 0.04 0.10 < Μ 1 -L〇9 丨 ! -1.04 1 丨-0-95 1 [-0.96 1 1-0.93 | | -0.98 -0.99 I 84.87 | | 86.84 | 1 87.24 1 1 86.69 1 1 87.37 1 | 87.60 | | 85.67 | | 86.77 | CIE顏色*>，固化後 Λ I 0.49 | I 0.27 | 1 0.061 1 0.02 1 1 0.06 1 丨 0.17 | 0.18 ! 0,23 ee 1-0.97 | | -1.00 | Γ -0.96 1 1 -0.97 1 1 -0.95 1 1 -0.93 1 1-0.91 -1.00 1 | 86.19 | | 86.08 | 1 85.60 1 1 87.52 1 1 87.40 1 1 87.60 1 | 87.41 I 86.66 ' Pi ：(ppm) 1 〇 in ο 1 0.25 1 o | 0.05 ! 0.01 i jd S? I HSC-1 I 1 HSC-1 1 1 HSC-1 1 1 HSC-1 1 I HSC-1 1 I HSC-1 I I HSC-1 | HSC-1 Si-H 當量* CS η CS ΓΊ CN ΓΊ ΓΊ CS 氫化矽 化合如 1 氫化物3 I 氫化物3 1 氮化物31 氫化物3 1 氫化物31 | 氫化物3 I | 氫化物3 1 氫化物3 乙烯基聚 矽氧烷 1 | 乙烯基3 I 乙烯基3 1 乙烯基3I 乙烯基3 1 乙烯基3| | 乙烯基3| 1 己烯基3 1 乙烯基3 1 樣本 | C17 I 1 C18 1 m \〇 tn ro 〇〇 CO -i 9.0€杯<若噠滅鉍^龟鉍4^回敦铤頰锖。0〇怒择二«癍丨蚌：^吨璀逛被街30(q) •¥-i-〒TSW4s:0-is¥48^ii.(B)
54 94094 1361205 4 表9·經熱老化固化之聚梦氧院組成物之CIE分析：CIE b 值呈現爲链含量變量之函數。
55 94094 L361205 表10.經熱老化固化之聚矽氧烷組成物之CIE分析：CIE b與UV可見光值呈現為鉑含量變量之函數。 is % X)赞 i| I1!' 192小時 ^•4 m m m m 1 299 1 Iss | 192小時| 1 8.62 1 [2.63 1 1 0.57 1 丨0小時| 1 0.49 1 [0.27 | 1 0.06 1 Pt (ppm) ο »n 矽氫化 反應 催化劑 1 HSC-1 1 I HSC-1 | | HSC-1 I Si-H 當量* fN CM fS 氮化砂 化合知 | 氫化物3」 | 氫化物3 I 1 氫化物3 I 乙烯基聚 矽氧烷 1 乙烯基3 1 | 乙烯基3 ! | 乙烯基3 : 樣本 1 C17 I 1 C18 1 s -^(^!2!ΐίί9ΕΕ9.0®^·ν«^^^βί^·*β^ΒΙ^@®ί1ί>>?^®Ι.β^ιΐ^Β·«·#^ιϊ3132) *«·§-〒 iswt«lo-IStw^^4#(vs
56 94094 1361205 4 表11.經熱老化固化之聚矽氧烷組成物之目視檢測：鉑含 量變量。 樣 本 乙烯基聚 矽氧烷 氫化矽 化合物 Si-H 當量0 矽氫化反 應催化劑 Pt (ppm) 固化後 外觀 目視檢測 路徑長 度，mm 於 200t 熱老化的 時間*小時 熱老化後 之外觀一 1.8cm路徑 長度b C21 乙稀基4 氫化物2 1.2 HSC-1 20 清澈 〜2 4 棕色 40 乙烯基4 氫化物2 1 HSC-1 4.6 清澈 10 24 極少量的 棕色 (a) 對每當量Si-乙烯基之Si-H當量。 (b) 樣本於直徑為1.8 cm的玻璃微量燒杯中固化。 鲁表12·熱老化之後，經後處理之聚矽氧烷組成物之目視檢 測0 樣本 乙烯基 聚矽氧 炫 氫化矽 化合物 Si-H 當量a 矽氫化 反應催 化劑 Pt (ppm) 固化後 外觀 於200 °c熱老 化的時 間，小 時 後處理策略 熱老化之顏 色—1.8cm路 徑長度 C22 乙稀基 5 氫化物 6 1.7 HSC-1 18 清澈 24 無固化後 處理 標色 41 乙晞基 5 氫化物 6 1.2 HSC-1 18 清澈 88 於室溫以己 烷及曱苯萃 取兩小時 淡標色/黃色 42 乙烯基 5 氫化物 6 1.2 HSC-1 18 清澈 88 於室溫以己 烷、曱苯及一 滴十二硫醇 萃取兩小時 淡標色/黃色 43 乙烯基 5 氫化物 6 1.2 HSC-1 18 清澈 88 於室温以曱 笨及氫氧化 銨處理2小 時，隨後萃取 .溶劑 淡挥色/黃色 44 乙稀基 5 氫化物 6 1.2 HSC-1 18 清澈 88 —於100°C以苯 基矽烷及甲 笨處理1.5小 時，煮沸除去 甲苯與苯基 矽烷 淡栋色/黃色 (a) 對每當量Si-乙烯基之Si-H當量。 (b) 樣本於直徑為1,8 cm的玻瑜微量燒杯中固化。 57 94094 1361205 表13.於近UV區域（3 00至380 nm)之積分吸收（integrated absorption)呈現爲翻含量與經固化之芳基聚石夕氧烧組成物 -於200°C熱老化期間的時間之函數。
無 1 〇〇 CO w4 g CO Μ Os 〇6 r^» CN ΓΛ Os 〇〇 cs 〇0 •-η d ¥ 00 <S uS CO ro 〇i cs 〇\ cs 00 ON r4 卜 00 Μ fS CN 0〇 m id Ό 〇 〇\ Ό — ¥ *〇 ^4 «4 〇 00 〇\ 〇\ tri 卜’ ri ri 卜 ON 00 w-> CTs cn 00 — Vi VD 〇s d •fi vK o ot cs tn Os 〇 Ox d vo 6 -s Os ON 口 to <s p 妄 d cs d u CO K ΰ C/3 K ό U) ffi ό CO K ύ 00 ffi 叫 6 CO ffi Κ κ輕 cs cs CN cs 審 械 cs 審 CN 審 ；〇 cs 赛 Jj CS Oi 吞 J3 5 cn Ο m 敢 0 m »0 m Ο cn ο 硪 0 •4 u.l^ δ cn 寸 »〇 vo 。啻έΙΙΙ^ΖΑ9 'ss , 9CQGO, 89I€Y^0食弯*iK!<fert<^^8z ,ϊζ , Η , 2, , 0 (q) 。啉舾 费o-isl^#$i(ce) 58 94094 1361205 表格之解释。表A列屮田狄办 物之乙稀基聚砍氧炫，氧炫組成 •的類型與含量。表1列出乙稀基 -締基#1至乙稀基#5)之名稱、 5_(亦即，乙 有機基團苯基、曱基及乙_ n '心㈣結之 化石夕化合物】至6(亦即'tltr進—步列出氣 仏6 虱化物#1至氫化物牦）之名稱、 及經發鍵結之有機基團笨基、甲基 反應催化劑1至3(亦即，_ t :二二10列出於不同時間間隔在· 尸rL，、π之月ϋ與之後，對各種經固化之芳基聚石夕氧 =且成物所進行之CIE分析測量的結果。CIE“b” 一庄心^以粗體顯示以強調“b，，座標之重要性。一般而 门；2.〇之b值可於這些配方中目視觀測到呈棕色。 現的實施例中皆為如此。表1G進—步列出與c肌 目又=UV可見光光譜測量的結果。表n至12列出熱 化之别與之後’經固化之芳基聚石夕氧烧組成物之目視檢 相結果。表13列出集中於近uv區域（near_uv region) 之UV可見光光譜測量的結果。 測試結果。除非另行指明，否則樣本係在200t空氣 中於爐内老化（參見上述熱老化方法）。並非所有的配方皆 老化 些配方破裂、收縮、顯現糟皺表面、或自 破璃片或微量燒杯中剝離。並非所有的配方皆具有最佳的 機械!·生貝，但該等g&方仍被計人，因為其顯㈣根據本發 94094 59 1361205 明的樣本經得起防止變色之檢驗的廣度。 經熱老化固化之芳基聚矽氧烷組成物之cie分 ，品：2’C老化，定期取得以⑽LW(i976)測試方： .測定之CIE Lab，則始催化劑含量對樣本顏色之兴 響。表3顯示CIEb座標㈣）在綱^氣中隨時間之: 化。不含經石夕鍵結之苯基之經固化之聚石夕氧院組成物在: 星期後具有略高於2.0的K，而經固化之芳基聚石夕氧燒 在正好67小時後對51 ppm的鉑含量顯示高（不理相的 值（參見樣本C5與C6)。低麵含量1.〇以下顯示出對於含 有經石夕鍵結之芳基的樣品而言非常低之仏。表4顯示對 於由乙婦基#3與各氫化物#2、#1及#5，使用在所有三種情 ^中相應銘含量範圍自9.9下降到低至G.23Ppm及在一種 月况中低至〇.〇5 ppm的石夕氫化反應催化劑所製得之經固 =芳基聚石夕氧燒組成物，在67小時與2週的熱老化期間
值之趨勢。對於等於或低於25 ppm的始含量，CIE 值始〜低於2.0。表5顯示對於比較樣本C7與，極高 庙值在200 C空氣中熱老化的三天内發生。重要的是， 對：比較樣本。與以’其降低的b值不是由於顏 ::斤這成而疋由於樣本的損傷導致難以使用ciE方 里顏色所造成。含有具2.5 ppm以下金屬當量值之矽 :=應催化劑含量的經固化之芳基聚石夕氧院組成物，甚 3^5中天戶後顯現出等於或小於1之CIE4。表6顯示表 斤建立的於低石夕氫化反應催化劑含量下，對敎老 化的相同無缶立a …、 " 疋性藉由使用其他矽氫化反應催化劑得 94094 60 J.361205 4 到。此外，一致的不良的顏色安定性於兩種矽氫化反應催 化劑的5.1與9.9 PPm的鉑含量下皆被觀測到。表7揭示 .了對於經矽鍵結之氫原子對經矽鍵結之乙烯基之比率範 •圍’ 67小時與2週極佳的顏色安定性。表8再一次顯示在 另絰固化之芳基聚矽氧烷組成物中，對於〇.〇 1至丨的鉑 含量的熱老化期間極佳的顏色安定性，該等組成物此次係 使用乙烯基#3與氫化物#3製備。表9延續表8之觀測至 龜額外的鉑含量（亦即，0.005 ppm)與更長的時間（亦即，329 J ¥與93 0小時）。對於5 ppm以上之翻含量於小時（亦 P稍夕於5.5週）的b值非常高，然而^ ppm以下之鉑含 量保持了極佳的顏色安定性（亦即，所有6值甚至於55週 仍皆低於1 ；)。 經熱老化固化之芳基聚矽氧烷組成物之ϋν可見光光 譜^析:UV可見光光譜分析係對於20代空氣中熱老化之 樣-進行。表10顯示上升的CIEb值與υν可見光光譜截 #止波長朝向更長波長移動的關聯性，其中，截止波長係近 uv區域的波長，在該波長下吸收值第一次降低至ο:單位 ^基線值。換§之，隨著υν光的波長增加，截止點係為 在該波長下吸收值降至〇.5的值之第一個波長。表ι〇之關 聯性指明輸出近旧區域之光的裝置（亦即，具有近UV能 ^ V LED裝置）亦叉益於由本發明經固化之芳基聚矽 虱烷所進行的封裝。表13亦表明對於低鉑含量，於近uv i匕為300至380咖）的uv吸收值降低。表13之數據點 '、曰由進行線性基線修正後（亦即對每一鉑含量設定第0 94094 61 1-361205 天380 nm的數攄點AljL、 為令吸收），將300至3S〇nm之問哚讲 曲線下的面料行積分而得到。此 =騎 •間的差異（例如，稍厚的石英片）。 / 了不间樣扣之 經熱老化固化之芳基聚矽氧烷組成 =個樣本以目測比較且結果係顯示於表„。= 時。對呈^吏厘用細卿始製備並僅於戰熱老化4小 呈現f色；Λ度僅約2 _之樣品進行目視檢測並發現其 王現標色。相較之下，樣本4〇係使用4.6 ppm翻製備並於 =〇c熱老化24小時。對具有厚度ι〇麵（比較樣品之五 。。子又）之樣品進行目視檢查並發現其具有極微量的棕 ° 2所列的結果表明經固化之聚梦氧烧組成物的後 -處理能降低加速熱老化期間經固化之聚石夕氧燒组成物變色 之趨勢。樣本C22與41至44顯示在2〇〇。〇產生的顏色量 可藉由從交聯的凝膠内萃取出翻催化劑而降低。對於樣本 而口所有經萃取或經處理的樣本相較於對照樣 本C22而言，皆顯現出較低顏色升成。在〇至g中了所 ❹特&類型之萃取或催化劑去活化方法（藉由目測）並不 會造成可見的顏色量的變化，而事實上僅進行萃取過程。 例如，氫氧化銨處理在降低顏色形成上似乎並不優於甲苯 萃取。所有的處理皆會破壞凝膠物質，但其有助於驗證鉑 催化劑濃度在200t對顏色形成所起作用之原理。 94094 62

Claims (1)

1361205 第96136702號專利申請案 100年10月13日修正替換頁 幻年^月//日移儿本 、申請專利範圍： 種經固化之芳基聚碎氧院組成物，包括： A.經伸烷基橋接之芳基聚矽氧烷，包括： 至少二個橋接矽的伸烷基部分；及 以該經伸烧基橋接之芳基聚石夕氧烧中的經石夕鍵 結之有機基團的總莫耳數為基準計，至少1 〇莫耳百 分比至不多於99.9莫耳百分比之經石夕鍵結之芳基；及 B.石夕氫化反應催化劑， 其中， 該石夕氫化反應催化劑係金屬或金屬化合物，其包 括選自鉑、铑、鈀及其組合之第VIII族元素；及 以該經固化之芳基聚矽氧烷組成物之重量為基 準計’該矽氫化反應催化劑及其任何衍生物以第νιπ 族元素當量值表示時’係以至少〇 〇〇5 ppm至少於 l.Oppm之組合量存在；及 其中，該經固化之芳基聚矽氧烷組成物經由CIE b值顯示出其在2〇〇。(：空氣中熱老化14天的期間不會 變色，該CIE b值係使用CIE 1976 L*a*b*D65(照明角 度）/1 〇(觀測角度）顏色測試方法測定，經由在該熱老 化後測量該經固化之芳基聚矽氧烷組成物之〇 6毫米 厚樣品所得的CIE b值係不大於2.0， 其中： 該經伸烷基橋接之芳基聚矽氧烷係以平均組成式Γ 表示： 94094修正版 63 1361205 __ 第96136702號專利申請案 • L 1〇0年10月丨3日修正替換頁 (R1nSiO(4.n)/2)a(〇(4-p-r)/2R2pSiZrSiR3q〇(4.q.r)/2)b (工）， 其中： 就每一個（R^sicVnw)單元而言： •. 下標η係獨立地等於〇、1、2或3 ; 就每一個（0(4_p-r)/2R2pSiZrSiR3q〇(4 q r)/2)單元而言： 下標P等於0、1、2或3; 下標q等於0、1、2或3; p+q=0 至[8-(2r+l)]; • 下標r=l、2或3 ; Ζ係選自-CHR4CHR5-XS_、伸芳基、經取代之伸芳 基、及其組合，其中： -CHR4CHR5-XS-係橋接矽之伸烷基部分； X係獨立地選自亞甲基、苯基、經取代之苯基、及 其組合； 下標s=0或1 ;及 • R4與R5係獨立地選自氫原子與烷基； R1、R2及R3係選自烯基、氫原子、芳基、烧基、 羥基、烷氧基、芳氧基、其他烴基、及其組合； 下標a與b係經選擇以分別與(RlnSi〇⑷…)單元及 (〇(4-P-r)/2R2PSiZrSiR3q〇⑷q r)/2)單元之莫耳分率一致； 0<a<l ; 0<b<l ;及 a+b=l ° 2.如申請專利範圍第”項之經固化之芳基聚矽氧烷組成 物’其中’至少70莫耳百分比至1〇〇莫耳百分比之組 94094修正版 64 1361205 第96136702號專利申請案 人，L ”1. 100年10月13日修正替換頁 二及R3係選自乙稀基、氣原 秦基、本氧基苯基及其組合。 3. 一種製造如申請專利笳圍筮！ TS 月寻扪粑固弟1項之經固化之芳基聚矽氧 烷組成物之方法，包括下列步驟： A.提供： i) 芳基烯基聚矽氧烷，包括： 至少二個經矽鍵結之烯基；及 φ 卩鮮基隸”歓巾的經賴結之有機基團 的總莫耳數為基準計，至少1G莫耳百分比至不多 於99·9莫耳百分比之經矽鍵結之芳基； ii) 氩化石夕化合物，包括： 至少二個經矽鍵結之氫原子；及 以該氫化矽化合物中的經矽鍵結之有機基團的總 莫耳數為基準計，〇莫耳百分比至不多於99 9莫耳 百分比之經矽鍵結之芳基；及 # iii)矽氫化反應催化劑； B. 組合該芳基烯基聚矽氧烷、該氫化矽化合物及該矽 氫化反應催化劑，以產生可固化芳基矽氧烷組成物； C. 固化3亥可固化方基石夕氧烧組成物，以形成經固化之 芳基聚矽氧烧組成物；及 D. 視需要地，藉由一技術純化該經固化之芳基聚石夕氧 烷組成物’該技術包括選自下列各者之步驟：將至 .....少一部分該矽氫化反應催化劑移除；將至少一部分 該矽氫化反應催化劑去活化；及其組合， 94094修正版 65 1361205 第96136702號專利申請案 • 100年10月13曰修正替換頁 其中： 該石夕氫化反應催化劑係金屬或金屬化合物，其包括 - 選自始、錢、鈀及其組合之第VIII族元素； • 以該可固化芳基矽氧烷組成物之重量為基準計，該 石夕氫化反應催化劑以第VIII族元素當量值表示時，係 以至少0.005 ppm至少於1 .〇 ppm之量存在；及 δ玄經固化之方基聚碎氧娱•組成物經由CIE b值顯示 鲁 出其在200 C空氣中熱老化14天的期間不會變色，該 CIEb值係使用CIE 1976 L*a*b*E>65(照明角度）/1〇(觀測 角度）顏色測試方法測定’經由在該熱老化後測量該經 固化之芳基聚珍氧烷組成物之0.6毫米厚樣品所得的 CIE b值係不大於2.0。 4. 如申請專利範圍第3項之方法，復包括下列步驟：. E. 提供包括半導體元件之半導體裝置；及 F. 藉由一技術而於至少一個該半導體元件之至少一表 • 面上形成塗層，該技術包括選自下列各者之步驟： 在固化步驟之前或固化步驟期間將該可固化芳 基石夕氧烧組成物施用於該表面； 將該經固化之芳基聚矽氧烧組成物施用於該表 面；及 其組合。 5. 如申請專利範圍第3項之方法，其中，該芳基烯基聚石夕 氧院係以平均組成式II表示： (R63Si01/2)c(R72Si02/2)d(R8Si〇3/2)e(Si04/2)f (II)， 94094修正版 66 丄:361205 . 第96136702號專利申請案 100年10月13日修正替換¥ 其中： ~~—' R63Sl〇1/2、R72Si〇2/2、R8Si〇3/2 與 Si〇4/2 係分別為 / Μ—單元、D-單元、Τ-單元及Q_單元，其皆為初級 • 矽氧烷單元； 下標c、d、e及f係經選擇以分別與R63Si〇i/2、 R72Si02/2、R8Si03/2 及 Si04/2 的莫耳分率一致； O.OOl^c^l , 0.999 ； 〇^e^〇.50； $ 0.10 ； ~ c+d+e+f=l ; 以该芳基烯基聚矽氧烷中的經矽鍵結之有機基團 的總莫耳數為基準計，該經矽鍵結之烯基係以至 夕0.1莫耳百分比至不多於6〇莫耳百分比的量存 在於該芳基烯基聚矽氧燒中； 以該芳基烯基聚石夕氧烧中的經石夕鍵結之有機基團 的總莫耳數為基準計，該經矽鍵結之芳基係以至 /為10莫耳百分比至不多於99 9莫耳百分比的 量存在於該芳基烯基聚矽氧烷中；及 R6至R8係選自烯基、氫原子、芳基、烧基、羥 基燒氧基、芳氧基、其他烴基、及其組合。 申請專利範圍第3項之方法，其中，該氫化石夕化合物 包括選自下列各者之氫化矽化合物： i)具有平均組成式m之氫化矽化合物： (R93Sl〇1/2)g(Rl〇2Si〇2/2>^RllSi〇3/2)j(Si〇4/2)k (III), 其中： 94094修正版 67 第96136702號專利申請案 100年10月13日修正替換頁 R93Si01/2、R102Si〇2/2、RUSi03/2 與 Si04/2 係分別 為Μ-單元、D-單元、T-單元及Q-單元，其皆為 初級矽氧烷單元； 下標g、h、j及k係經選擇以分別與R93Si〇i/2、 R1〇2Si〇2/2、RuSi〇3/2 及 Si04/2 的莫耳分率一致； 0.001 ^ 1 ； 0.999 ； j ^0.50 ； 0.10 ; g+h+j+k=l ； 以該氫化矽化合物中的經矽鍵結之有機基團的總 莫耳數為基準計’該經梦鍵結之氫原子係以至少 0.1莫耳百分比至不多於60莫耳百分比的量存在 於該氫化矽化合物中； 以該氫化矽化合物中的經矽鍵結之有機基團的總 莫耳數為基準計，該經矽鍵結之芳基係以至少10 莫耳百分比至不多於99.9莫耳百分比的量存在 於該氫化石夕化合物中； R至R11係選自烯基、氫原子、芳基、烷基、羥 基、烧氧基、芳氧基、其他烴基、及其組合；及 u)具有式IV之氫化矽化合物： R12mSiH(4.m) (IV) 其中： 或2 ;及 二係選自稀基、芳基、烷基、羥基.、烷氧基、 芳氧基、其他烴基、及其組合； 94094修正版 68 1361205 _ - 第96136702號專利申請案 100年10月13日修正替換頁 9 *—丨 丨· '— 及 其組合。 ' 7. —種封裝半導體裝置，包括半導體元件，其中，一個或 \ 多個該半導體元件係經如申請專利範圍第1項之經固化 之芳基聚矽氧烷組成物塗覆。
69 94094修正版
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Families Citing this family (46)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8029904B2 (en) * 2006-12-01 2011-10-04 Rohm And Haas Company Aryl (thio)ether aryl polysiloxane composition and methods for making and using same
US8399592B2 (en) 2007-04-17 2013-03-19 Kaneka Corporation Polyhedral polysiloxane modified product and composition using the modified product
US8637627B2 (en) * 2007-12-06 2014-01-28 Rohm And Haas Company Phenoxyphenyl polysiloxane composition and method for making and using same
US8134684B2 (en) * 2008-02-22 2012-03-13 Sematech, Inc. Immersion lithography using hafnium-based nanoparticles
JP5414337B2 (ja) * 2009-04-17 2014-02-12 信越化学工業株式会社 光半導体装置の封止方法
EP2427333A2 (en) * 2009-05-06 2012-03-14 Dow Corning Corporation Vinylhydrogenpolysiloxane adhesive composition
KR101030019B1 (ko) 2009-12-31 2011-04-20 제일모직주식회사 봉지재용 투광성 수지 및 이를 포함하는 전자 소자
KR101074506B1 (ko) 2010-01-25 2011-10-17 주식회사 엘지화학 광전지 모듈
EP2530731B1 (en) 2010-01-25 2016-03-30 LG Chem, Ltd. Sheet for photovoltaic cells
EP2530741B1 (en) * 2010-01-25 2018-07-25 LG Chem, Ltd. Photovoltaic module
EP2530732B1 (en) * 2010-01-25 2019-04-17 LG Chem, Ltd. Sheet for photovoltaic cells
US20120126282A1 (en) * 2010-03-31 2012-05-24 Mitsuru Tanikawa Sealant for optical semiconductors and optical semiconductor device
JP5505991B2 (ja) * 2010-04-30 2014-05-28 信越化学工業株式会社 高接着性シリコーン樹脂組成物及び当該組成物を使用した光半導体装置
KR20110125156A (ko) * 2010-05-12 2011-11-18 제일모직주식회사 투광성 수지 조성물, 상기 투광성 수지 조성물을 사용하여 형성된 봉지재 및 상기 봉지재를 포함하는 전자 소자
US8643200B2 (en) 2010-05-12 2014-02-04 Cheil Indistries, Inc. Resin composition and transparent encapsulant formed using the same, and electronic device including the encapsulant
JP2012007136A (ja) * 2010-05-21 2012-01-12 Sekisui Chem Co Ltd 光半導体装置用封止剤及びそれを用いた光半導体装置
KR101774306B1 (ko) 2010-05-28 2017-09-04 가부시키가이샤 가네카 폴리실록산계 조성물, 경화물, 및, 광학 디바이스
EP2586832B1 (en) * 2010-06-24 2014-10-29 Sekisui Chemical Co., Ltd. Encapsulant for optical semiconductor device and optical semiconductor device using same
EP2620441B1 (en) * 2010-09-22 2018-10-31 Kaneka Corporation Modified product of polyhedral structure polysiloxane, polyhedral structure polysiloxane composition, cured product, and optical semiconductor device
US20130256742A1 (en) * 2010-12-08 2013-10-03 Dow Corning Corporation Siloxane-Compositions Including Metal-Oxide Nanoparticles Suitable For Forming Encapsulants
US20140008697A1 (en) * 2010-12-08 2014-01-09 Brian R. Harkness Siloxane Compositions Including Titanium Dioxide Nanoparticles Suitable For Forming Encapsulants
CN103370360A (zh) * 2010-12-08 2013-10-23 道康宁公司 适合形成封装物的硅氧烷组合物
JP6020937B2 (ja) * 2011-06-17 2016-11-02 エルジー・ケム・リミテッド 光電池用シート
WO2012173459A2 (ko) * 2011-06-17 2012-12-20 주식회사 엘지화학 고굴절 조성물
JP5472241B2 (ja) * 2011-09-16 2014-04-16 信越化学工業株式会社 光硬化型シリコーン樹脂組成物を用いる硬化薄膜の製造方法
JP6087499B2 (ja) * 2011-10-18 2017-03-01 信越化学工業株式会社 熱伝導性シリコーン組成物
JP5575820B2 (ja) * 2012-01-31 2014-08-20 信越化学工業株式会社 硬化性オルガノポリシロキサン組成物、光学素子封止材および光学素子
US9346954B2 (en) 2012-09-14 2016-05-24 The Yokohama Rubber Co., Ltd. Curable resin composition
JP2014062198A (ja) * 2012-09-21 2014-04-10 Dow Corning Toray Co Ltd 硬化性シリコーン組成物、それを用いてなる半導体封止材および光半導体装置
JP2014077115A (ja) * 2012-09-21 2014-05-01 Dow Corning Toray Co Ltd 光学材料用表面処理剤および光学材料
WO2014157682A1 (ja) * 2013-03-29 2014-10-02 出光興産株式会社 ポリオルガノシロキサン及びポリカーボネート－ポリオルガノシロキサン共重合体
US9493634B2 (en) 2013-09-03 2016-11-15 Dow Corning Corporation Additive for a silicone encapsulant
JP2015070156A (ja) * 2013-09-30 2015-04-13 サンケン電気株式会社 発光装置
WO2015088932A1 (en) * 2013-12-09 2015-06-18 3M Innovative Properties Company Curable silsesquioxane polymers, compositions, articles, and methods
WO2016048736A1 (en) 2014-09-22 2016-03-31 3M Innovative Properties Company Curable polymers comprising silsesquioxane polymer core silsesquioxane polymer outer layer, and reactive groups
US9957416B2 (en) * 2014-09-22 2018-05-01 3M Innovative Properties Company Curable end-capped silsesquioxane polymer comprising reactive groups
US10316148B2 (en) * 2015-03-20 2019-06-11 Dow Toray Co., Ltd. Organopolysiloxane, production method thereof, and curable silicone composition
JP6707369B2 (ja) * 2015-03-30 2020-06-10 ダウ・東レ株式会社 シリコーン材料、硬化性シリコーン組成物、および光デバイス
JP6561573B2 (ja) * 2015-05-14 2019-08-21 大日本印刷株式会社 反射防止積層体およびその製造方法
US10711157B2 (en) 2015-08-25 2020-07-14 Samsung Sdi Co., Ltd. Composition for window film, flexible window film formed therefrom, and flexible display device comprising same
TWI738743B (zh) 2016-03-23 2021-09-11 美商道康寧公司 金屬-聚有機矽氧烷
JP6895146B2 (ja) * 2016-12-09 2021-06-30 ダイキン工業株式会社 ポリマー、組成物及び成形品
EP3635033B1 (en) * 2017-05-05 2021-02-24 Dow Silicones Corporation Hydrosilylation curable silicone resin
US10186424B2 (en) * 2017-06-14 2019-01-22 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Silicon-based hardmask
KR102062107B1 (ko) 2017-08-10 2020-01-03 서울시립대학교 산학협력단 내열성 기지에 발생되는 크랙의 치유 및 방염이 가능한 도포제 및 상기 도포제를 이용한 도포방법
JP7128162B2 (ja) * 2019-08-29 2022-08-30 信越化学工業株式会社 付加硬化型シリコーン組成物及び光学素子

Family Cites Families (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2915497A (en) * 1956-11-29 1959-12-01 Dow Corning Solventless siloxane resins
US3020260A (en) * 1960-08-18 1962-02-06 Dow Corning Organosiloxane potting compound
US3697473A (en) 1971-01-04 1972-10-10 Dow Corning Composition curable through si-h and si-ch equals ch2 with improved properties
US3957713A (en) * 1973-04-13 1976-05-18 General Electric Company High strength organopolysiloxane compositions
JPS59152955A (ja) 1983-02-21 1984-08-31 Toshiba Silicone Co Ltd 硬化性シリコーンゴム組成物
US4537943A (en) * 1983-07-21 1985-08-27 Innovative Surgical Products, Inc. Correction of defects in the eye and compositions therefor
US4719275A (en) 1986-07-02 1988-01-12 Dow Corning Corporation Heat stable fluorinated polyorganosiloxane compositions
DE4034428C2 (de) 1989-10-30 1997-04-24 Shinetsu Chemical Co Masse zur Herstellung von Kernen von optischen Fasern und damit hergestellte optische Fasern
JPH07268219A (ja) 1994-03-31 1995-10-17 Toray Dow Corning Silicone Co Ltd 光学充填用シリコーンゲル組成物
JP3179000B2 (ja) * 1995-09-08 2001-06-25 信越化学工業株式会社 光プラスチックファイバコア材用オルガノポリシロキサン組成物
US6432137B1 (en) 1999-09-08 2002-08-13 Medennium, Inc. High refractive index silicone for use in intraocular lenses
JP4009067B2 (ja) 2001-03-06 2007-11-14 信越化学工業株式会社 付加硬化型シリコーン樹脂組成物
JP4040858B2 (ja) * 2001-10-19 2008-01-30 東レ・ダウコーニング株式会社 硬化性オルガノポリシロキサン組成物および半導体装置
GB0224044D0 (en) 2002-10-16 2002-11-27 Dow Corning Silicone resins
JP4409160B2 (ja) * 2002-10-28 2010-02-03 東レ・ダウコーニング株式会社 硬化性オルガノポリシロキサン組成物および半導体装置
US7595113B2 (en) 2002-11-29 2009-09-29 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. LED devices and silicone resin composition therefor
JP2004186168A (ja) * 2002-11-29 2004-07-02 Shin Etsu Chem Co Ltd 発光ダイオード素子用シリコーン樹脂組成物
TW200427111A (en) 2003-03-12 2004-12-01 Shinetsu Chemical Co Material for coating/protecting light-emitting semiconductor and the light-emitting semiconductor device
JP2004359756A (ja) 2003-06-03 2004-12-24 Wacker Asahikasei Silicone Co Ltd Ｌｅｄ用封止剤組成物
JP4908736B2 (ja) * 2003-10-01 2012-04-04 東レ・ダウコーニング株式会社 硬化性オルガノポリシロキサン組成物および半導体装置
DE10359705A1 (de) 2003-12-18 2005-07-14 Wacker-Chemie Gmbh Additionsvernetzende Siliconharzzusammensetzungen
JP5101788B2 (ja) * 2003-12-22 2012-12-19 東レ・ダウコーニング株式会社 半導体装置の製造方法および半導体装置
US20060134440A1 (en) * 2004-10-27 2006-06-22 Crivello James V Silicone encapsulants for light emitting diodes
US7469059B1 (en) * 2004-12-17 2008-12-23 Google Inc. Reorganization of raw image data for processing
EP1749861B1 (en) * 2005-08-03 2014-08-20 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Addition curable silicone resin composition for light emitting diode
TW200732382A (en) * 2005-12-22 2007-09-01 Rohm & Haas Siloxane encapsulants
US7960192B2 (en) * 2007-09-14 2011-06-14 3M Innovative Properties Company Light emitting device having silicon-containing composition and method of making same

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