JP6895146B2 - ポリマー、組成物及び成形品 - Google Patents

Description

本発明は、ポリマー、組成物及び成形品に関する。

半導体製造分野では、半導体の微細化・高集積化の要求が年々高まっており、半導体製造装置用のＯ−リングにも、プロセスエラーを引き起こす異物を含まぬよう要求が強まっている。特に、Ｏ−リングの構成原料の１つであるフィラー（主にシリカ）には、Ｏ−リングの劣化が進んだ際に、それ自体が異物となってプロセスエラーを引き起こす問題が生じてきている。このため、機械的特性の発現と、酸素系プラズマからのベースポリマーの保護の両方の役割を持つフィラーの代替材料が望まれている。

本発明は、上記現状に鑑みてなされたものであり、新規なポリマー、組成物及び成形品を提供することを目的とするものである。

本発明は、下記一般式（１）：

（式中、Ｘ^１１及びＸ^１２は、同一又は異なり、水素原子、フッ素原子を有していてもよいアルキル基、又は、フェニル基を表す。Ｙ^１１は、酸素原子又は硫黄原子を表す。Ｒｆ^１１は、水素原子、又は、フッ素原子を有していてもよいアルキル基を表す。ａは、１〜４の整数を表す。）で表される構造単位を有するポリマーである。

上記ポリマーは、一般式（１）において、ベンゼン環に結合する一方のＳｉに対し、他方のＳｉがパラ位に位置していることが好ましい。

上記ポリマーは、数平均分子量が０．５×１０^３〜１．０×１０^７であることが好ましい。

本発明は、含フッ素ポリマー、及び、上記ポリマーを含むことを特徴とする組成物でもある。

上記含フッ素ポリマーは、含フッ素エラストマーであることが好ましい。

上記含フッ素エラストマーは、ＴＦＥを含むパーフルオロエラストマーであることが好ましい。

上記ＴＦＥを含むパーフルオロエラストマーは、ＴＦＥ／一般式（８）、（１０）又は（１１）で表されるフルオロモノマー共重合体及びＴＦＥ／一般式（８）、（１０）又は（１１）で表されるフルオロモノマー／架橋部位を与えるモノマー共重合体からなる群より選択される少なくとも１種であることが好ましい。
一般式（８）：ＣＦ_２＝ＣＦ−ＯＲｆ^８１
（式中、Ｒｆ^８１は、炭素数１〜８のパーフルオロアルキル基を表す。）で表されるフルオロモノマー、
一般式（１０）：ＣＦ_２＝ＣＦＯＣＦ_２ＯＲｆ^１０１
（式中、Ｒｆ^１０１は炭素数１〜６の直鎖又は分岐状パーフルオロアルキル基、炭素数５〜６の環式パーフルオロアルキル基、１〜３個の酸素原子を含む炭素数２〜６の直鎖又は分岐状パーフルオロオキシアルキル基である）で表されるフルオロモノマー、及び、
一般式（１１）：ＣＦ_２＝ＣＦＯ（ＣＦ_２ＣＦ（Ｙ^１１１）Ｏ）_ｍ（ＣＦ_２）_ｎＦ
（式中、Ｙ^１１１はフッ素原子又はトリフルオロメチル基を表す。ｍは１〜４の整数である。ｎは１〜４の整数である。）

ＴＦＥを含むパーフルオロエラストマーにおけるＴＦＥが全モノマーの４５モル％以上であることが好ましい。

上記含フッ素ポリマーは、シアノ基を有することが好ましい。

上記組成物は、含フッ素ポリマー１００質量部に対して０．５〜１００質量部の上記ポリマーを含むことが好ましい。

上記組成物は、成形材料であることが好ましい。

本発明は、上記組成物から得られる成形品でもある。

上記成形品は、シール材であることが好ましい。

上記成形品は、半導体製造装置のシール材であることも好ましい。

本発明によれば、新規なポリマー、組成物及び成形品を提供することができる。

以下、本発明を具体的に説明する。

本発明は、下記一般式（１）：

（式中、Ｘ^１１及びＸ^１２は、同一又は異なり、水素原子、フッ素原子を有していてもよいアルキル基、又は、フェニル基を表す。Ｙ^１１は、酸素原子又は硫黄原子を表す。Ｒｆ^１１は、水素原子、又は、フッ素原子を有していてもよいアルキル基を表す。ａは、１〜４の整数を表す。）で表される構造単位を有する新規なポリマーである。

本発明のポリマーは、Ｒｆ^１１で表される側鎖を有することにより、含フッ素ポリマーとの親和性が高い。また、Ｓｉ−Ｏ結合を有することにより、耐酸素プラズマ性を有する。本発明のポリマーは、これらの構造をベンゼン環を通して連結させた構造を有するので、含フッ素ポリマー（ベースポリマー）に添加した場合に、当該含フッ素ポリマーとの親和性を損なうことなく機械的特性・耐酸素プラズマ性も発現することができる。

一般式（１）において、Ｘ^１１及びＸ^１２は、同一又は異なり、水素原子、フッ素原子を有していてもよいアルキル基、又は、フェニル基を表す。Ｘ^１１とＸ^１２とは同一であっても互いに異なってもよく、２つのＸ^１１同士、２つのＸ^１２同士も、同一であっても互いに異なってもよい。上記フッ素原子を有していてもよいアルキル基としては、炭素数１〜８のアルキル基及びフルオロアルキル基が挙げられる。上記炭素数は、３以下であることが好ましい。上記フッ素原子を有していてもよいアルキル基としては、より具体的に、−ＣＨ_３、−ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＦ_３等が挙げられる。Ｘ^１１及びＸ^１２は、水素原子、−ＣＨ_３、−ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＦ_３又はフェニル基（−Ｐｈ）であることが好ましい。

一般式（１）において、Ｙ^１１は、酸素原子又は硫黄原子を表す。Ｙ^１１が複数存在する場合、それらは同一であってもよく、互いに異なってもよい。Ｙ^１１は、硫黄原子であることが好ましい。

一般式（１）において、Ｒｆ^１１は、水素原子、又は、フッ素原子を有していてもよいアルキル基を表す。Ｒｆ^１１が複数存在する場合、それらは同一であってもよく、互いに異なってもよい。上記フッ素原子を有していてもよいアルキル基としては、炭素数１〜１２のアルキル基及びフルオロアルキル基が挙げられる。上記炭素数は、４以上であることが好ましく、また、１０以下であることが好ましい。上記フッ素原子を有していてもよいアルキル基としては、より具体的に、−ＣＨ_３、−（ＣＦ_２）_ｎＣＦ_３（ｎは、０以上の整数、好ましくは０〜７の整数を表す。）、−（ＣＨ_２）_２（ＣＦ_２）_ｎＣＦ_３（ｎは、０以上の整数、好ましくは０〜７の整数を表す。）、−ＣＨ_２（ＣＦ_２）_ｎＣＦ_３（ｎは、０以上の整数、好ましくは０〜７の整数を表す。）、−ＣＨ_２（ＣＦ_２）_ｎＨ（ｎは、０以上の整数、好ましくは０〜８の整数を表す。）、−ＣＦ（ＣＦ_３）_２等が挙げられる。Ｒｆ^１１は、−（ＣＦ_２）_ｎＣＦ_３（ｎは、０以上の整数、好ましくは０〜７の整数を表す。）、又は、−（ＣＨ_２）_２（ＣＦ_２）_ｎＣＦ_３（ｎは、０以上の整数、好ましくは０〜７の整数を表す。）であることが好ましく、−（ＣＦ_２）_３ＣＦ_３、−（ＣＦ_２）_５ＣＦ_３、−（ＣＨ_２）_２（ＣＦ_２）_３ＣＦ_３、又は、−（ＣＨ_２）_２（ＣＦ_２）_５ＣＦ_３であることがより好ましい。

一般式（１）において、ａは、１〜４の整数を表す。ａは、１又は２であることが好ましい。

一般式（１）において、ベンゼン環に結合する２つのＳｉの位置は任意であるが、一方のＳｉに対し、他方のＳｉがメタ位又はパラ位に位置することが好ましい。なかでも、パラ位に位置することがより好ましい。

一般式（１）で表される構造単位としては、下記一般式（１−１）及び（１−２）のいずれかで表される構造単位が好ましい。

（式中、Ｘ^１１、Ｘ^１２、Ｙ^１１及びＲｆ^１１は、上記定義と同じ。）

（式中、Ｘ^１１、Ｘ^１２、Ｙ^１１及びＲｆ^１１は、上記定義と同じ。）

本発明のポリマーは、数平均分子量が０．５×１０^３〜１．０×１０^７であることが好ましい。上記数平均分子量は、０．８×１０^３以上がより好ましく、また、１．５×１０^６以下がより好ましく、１．０×１０^６以下が更に好ましい。
上記数平均分子量は、ゲル浸透クロマトグラフィー分析により求めることができる。

本発明のポリマーは、下記一般式（２）：

（式中、Ｘ^１１、Ｘ^１２、Ｙ^１１、Ｒｆ^１１及びａは、上記定義と同じ。）で表される化合物（２）を縮合重合することにより、製造することができる。

上記縮合重合は、触媒の存在下に行うことが好ましい。上記触媒としては、１，１，３，３−テトラメチルグアジニウム−２−エチルヘキサノエート、アミン類（例えば、トリエチルアミン、ピリジン、ＤＭＡＰ、ＤＢＵ、プロトンスポンジ、ＤＡＢＣＯ、キヌクリジン、アニリン、トリブチルアミン、アンモニア）、有機溶媒に可溶な酸（例えば、硫酸、ベンゼンスルホン酸、ｐ−トルエンスルホン酸、トリフルオロメタンスルホン酸）等が挙げられる。

上記縮合重合は、溶媒の存在下に行うことが好ましい。上記溶媒としては、ベンゼン、トルエン、キシレン、メシチレン、クロロベンゼン、アニソール、ジイソプロピルエーテル、ジブチルエーテル、シクロペンチルメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル等が挙げられる。

上記縮合重合は、２０〜１５０℃の温度で行うことができる。

上記縮合重合のその他の条件は、シラノール化合物の脱水縮合反応の公知の条件に基づき適宜設定することができる。

本発明のポリマーは、再沈殿等により分離精製することができる。

本発明のポリマーは、化合物（２）の単独重合体であってもよく、化合物（２）、及び、化合物（２）と縮合重合可能な他の化合物の共重合体であってもよい。上記他の化合物としては、ジシラノール化合物（化合物（２）は除く）、末端シラノール基を有するポリシロキサン化合物等が挙げられる。

上記化合物（２）のうち、Ｒｆ^１１が−（ＣＦ_２）_ｎＣＦ_３（ｎは、０以上の整数を表す。）、又は、−（ＣＨ_２）_２（ＣＦ_２）_ｎＣＦ_３（ｎは、０以上の整数を表す。）であり、かつＹ^１１が硫黄原子であるものは、新規化合物である。

化合物（２）は、下記一般式（３）：

（式中、Ｘ^１１、Ｘ^１２、Ｙ^１１、Ｒｆ^１１及びａは、上記定義と同じ。）で表される化合物（３）を酸化することにより、製造することができる。

上記酸化反応は、触媒の存在下に行うことが好ましい。上記触媒としては、パラジウム／炭素、パラジウム／アルミナ、白金／炭素，白金／アルミナ、ルテニウム／炭素、ルテニウム／アルミナ、ロジウム／炭素、ロジウム／アルミナ等が挙げられる。

上記酸化反応は、溶媒の存在下に行うことが好ましい。上記溶媒としてはテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、２−メチルテトラヒドロフラン、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジブチルエーテル、モノグライム、ジグライム、トリグライム、テトラグライム、１，４−ジオキサン、ジエチレングリコールジメチルエーテル等が挙げられる。

上記酸化反応は、−４０〜１５０℃の温度で行うことができる。

上記酸化反応のその他の条件は、ヒドロシラン化合物の酸化反応の公知の条件に基づき適宜設定することができる。

化合物（２）は、カラムクロマトグラフィー、再結晶等により分離精製することができる。

上記化合物（３）のうち、Ｒｆ^１１が−（ＣＦ_２）_ｎＣＦ_３（ｎは、０以上の整数を表す。）、又は、−（ＣＨ_２）_２（ＣＦ_２）_ｎＣＦ_３（ｎは、０以上の整数を表す。）であり、かつＹ^１１が硫黄原子であるものは、新規化合物である。

化合物（３）は、下記一般式（４）：

（式中、Ｙ^１１、Ｒｆ^１１及びａは、上記定義と同じ。Ｚ^１１は、同一又は異なり、ハロゲン原子を表す。）で表される化合物（４）と、金属マグネシウム又は金属亜鉛と、一般式（５）：Ｚ^１２ＳｉＸ^１１Ｘ^１２Ｈ（式中、Ｚ^１２は、ハロゲン原子を表す。Ｘ^１１及びＸ^１２は、上記定義と同じ。）で表される化合物（５）とを反応させることにより、製造することができる。

一般式（４）において、Ｚ^１１は、同一又は異なり、ハロゲン原子を表す。Ｚ^１１は、塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子であることが好ましく、臭素原子であることがより好ましい。

一般式（５）において、Ｚ^１２は、ハロゲン原子を表す。Ｚ^１２は、塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子であることが好ましく、塩素原子であることがより好ましい。

上記反応においては、金属マグネシウム又は金属亜鉛を使用する。中でも金属マグネシウムを使用することが好ましい。

化合物（４）と金属マグネシウム又は金属亜鉛と化合物（５）との反応は、溶媒の存在下に行うことが好ましい。上記溶媒としては、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、２−メチルテトラヒドロフラン、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジブチルエーテル、モノグライム、ジグライム、トリグライム、テトラグライム、１，４−ジオキサン等が挙げられる。

上記反応は、−２０〜１００℃の温度で行うことができる。

上記反応のその他の条件は、有機金属試薬を発生させて用いる公知の反応条件に基づき適宜設定することができる。

化合物（３）は、カラムクロマトグラフィー、再結晶等により分離精製することができる。

上記化合物（４）のうち、Ｒｆ^１１が−（ＣＦ_２）_ｎＣＦ_３（ｎは、０以上の整数を表す。）、又は、−（ＣＨ_２）_２（ＣＦ_２）_ｎＣＦ_３（ｎは、０以上の整数を表す。）であり、かつＹ^１１が硫黄原子であるものは、新規化合物である。

化合物（４）は、具体的な構造に応じて、公知の反応を組み合わせて製造することができる。以下に、いくつかの例を示す。

（Ｙ^１１が硫黄原子、Ｒｆ^１１がフッ素原子を有していてもよいアルキル基、ａが１である化合物）
下記一般式（Ａ−１）：

（式中、Ｚ^１１は、上記定義と同じ。）で表される化合物（Ａ−１）と、二硫化炭素（ＣＳ_２）等とを反応させることにより、下記一般式（Ａ−２）：

（式中、Ｚ^１１は、上記定義と同じ。）で表される化合物（Ａ−２）を得る工程（Ａ−１）、及び、化合物（Ａ−２）と、一般式（ａ）：Ｚ^１３−Ｒｆ^１１（式中、Ｚ^１３は、ハロゲン原子を表す。Ｒｆ^１１は、フッ素原子を有していてもよいアルキル基を表す。）で表される化合物（ａ）とを塩基性条件下で反応させることにより、下記一般式（Ａ−３）：

（式中、Ｚ^１１は、上記定義と同じ。Ｒｆ^１１は、フッ素原子を有していてもよいアルキル基を表す。）で表される化合物（Ａ−３）を得る工程（Ａ−２）、を含む方法により製造することができる。

一般式（ａ）において、Ｚ^１３は、ハロゲン原子を表す。Ｚ^１３は、塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子であることが好ましく、ヨウ素原子であることがより好ましい。

工程（Ａ−１）の反応は、例えば、特開２０００−７６４９号公報に記載される条件下で行うことができる。

工程（Ａ−２）の反応は、例えば、Ｊ． Ｍａｔｅｒ． Ｃｈｅｍ． ６， ７１１−７１７（１９９６）に記載される条件下で行うことができる。

（Ｙ^１１が硫黄原子、Ｒｆ^１１がフッ素原子を有していてもよいアルキル基、ａが２である化合物）
下記一般式（Ｂ−１）：

（式中、Ｚ^２１は、同一又は異なり、ハロゲン原子を表す。）で表される化合物（Ｂ−１）と、ｉ−ＰｒＳＨ（（ＣＨ_３）_２ＣＨＳＨ）と、金属ナトリウムとを反応させることにより、下記一般式（Ｂ−２）：

で表される化合物（Ｂ−２）を得る工程（Ｂ−１）、化合物（Ｂ−２）と、一般式（ａ）：Ｚ^１３−Ｒｆ^１１（式中、Ｚ^１３は、ハロゲン原子を表す。Ｒｆ^１１は、フッ素原子を有していてもよいアルキル基を表す。）で表される化合物（ａ）とを塩基性条件下で反応させることにより、下記一般式（Ｂ−３）：

（式中、Ｒｆ^１１は、フッ素原子を有していてもよいアルキル基を表す。）で表される化合物（Ｂ−３）を得る工程（Ｂ−２）、及び、化合物（Ｂ−３）と、一般式（ｂ）：Ｚ^１１ _２（式中、Ｚ^１１は、上記定義と同じ。）で表される化合物（ｂ）とを反応させることにより、下記一般式（Ｂ−４）：

（式中、Ｚ^１１は、上記定義と同じ。Ｒｆ^１１は、フッ素原子を有していてもよいアルキル基を表す。）で表される化合物（Ｂ−４）を得る工程（Ｂ−３）、を含む方法により製造することができる。

一般式（Ｂ−１）において、Ｚ^２１は、同一又は異なり、ハロゲン原子を表す。Ｚ^２１は、塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子であることが好ましく、臭素原子であることがより好ましい。

工程（Ｂ−１）の反応は、例えば、Ｅｕｒ． Ｊ． Ｉｎｏｒｇ． Ｃｈｅｍ． ３５， ５３２８−５３３４（２００９）に記載される条件下で行うことができる。

工程（Ｂ−２）の反応は、例えば、Ｊ． Ｍａｔｅｒ． Ｃｈｅｍ． ６， ７１１−７１７（１９９６）に記載される条件下で行うことができる。

工程（Ｂ−３）の反応は、例えば、Ｊ． Ｐｈｙｓ． Ｃｈｅｍ． １１７， ４４４２−４４４８（２０１３）に記載される条件下で行うことができる。

上記化合物（Ｂ−３）のうち、Ｒｆ^１１が−（ＣＦ_２）_ｎ＋１ＣＦ_３（ｎは、０以上の整数を表す。）、又は、−（ＣＨ_２）_２（ＣＦ_２）_ｎＣＦ_３（ｎは、０以上の整数を表す。）であるものは、新規化合物である。

本発明は、含フッ素ポリマー、及び、上述した本発明のポリマーを含む組成物でもある。本発明の組成物は、含フッ素ポリマーと上記ポリマーとの親和性が高く、かつ機械的特性・耐酸素プラズマ性にも優れる。

上記含フッ素ポリマーとしては、シール性、耐薬品性及び耐熱性が優れることから、含フッ素エラストマーが好ましい。
上記含フッ素エラストマーとしては、部分フッ素化エラストマーであってもよいし、パーフルオロエラストマーであってもよいが、耐薬品性、耐熱性が更に優れている点よりパーフルオロエラストマーを用いることが好ましい。

部分フッ素化エラストマーとしては、ビニリデンフルオライド（ＶｄＦ）系フッ素ゴム、テトラフルオロエチレン（ＴＦＥ）／プロピレン（Ｐｒ）系フッ素ゴム、テトラフルオロエチレン（ＴＦＥ）／プロピレン／ビニリデンフルオライド（ＶｄＦ）系フッ素ゴム、エチレン／ヘキサフルオロプロピレン（ＨＦＰ）系フッ素ゴム、エチレン／ヘキサフルオロプロピレン（ＨＦＰ）／ビニリデンフルオライド（ＶｄＦ）系フッ素ゴム、エチレン／ヘキサフルオロプロピレン（ＨＦＰ）／テトラフルオロエチレン（ＴＦＥ）系フッ素ゴム等が挙げられる。なかでも、ビニリデンフルオライド系フッ素ゴム及びテトラフルオロエチレン／プロピレン系フッ素ゴムからなる群より選択される少なくとも１種であることが好ましい。

上記ビニリデンフルオライド系フッ素ゴムは、ビニリデンフルオライド４５〜８５モル％と、ビニリデンフルオライドと共重合可能な少なくとも１種の他のモノマー５５〜１５モル％とからなる共重合体であることが好ましい。好ましくは、ビニリデンフルオライド５０〜８０モル％と、ビニリデンフルオライドと共重合可能な少なくとも１種の他のモノマー５０〜２０モル％とからなる共重合体である。

本明細書において、フルオロポリマーを構成する各モノマーの含有量は、ＮＭＲ、ＦＴ−ＩＲ、元素分析、蛍光Ｘ線分析をモノマーの種類によって適宜組み合わせることで算出できる。

上記ビニリデンフルオライドと共重合可能な少なくとも１種の他のモノマーとしては、テトラフルオロエチレン〔ＴＦＥ〕、へキサフルオロプロピレン〔ＨＦＰ〕、フルオロアルキルビニルエーテル、クロロトリフルオロエチレン〔ＣＴＦＥ〕、トリフルオロエチレン、トリフルオロプロピレン、ペンタフルオロプロピレン、トリフルオロブテン、テトラフルオロイソブテン、ヘキサフルオロイソブテン、フッ化ビニル、一般式（６）：ＣＨ_２＝ＣＦＲｆ^６１（式中、Ｒｆ^６１は炭素数１〜１２の直鎖又は分岐したフルオロアルキル基）で表されるフルオロモノマー、一般式（７）：ＣＨ_２＝ＣＨ−（ＣＦ_２）_ｎ−Ｘ^２（式中、Ｘ^２はＨ又はＦであり、ｎは３〜１０の整数である。）で表されるフルオロモノマー、架橋部位を与えるモノマー等のモノマー；エチレン、プロピレン、アルキルビニルエーテル等の非フッ素化モノマーが挙げられる。これらをそれぞれ単独で、又は、任意に組み合わせて用いることができる。これらのなかでも、ＴＦＥ、ＨＦＰ、フルオロアルキルビニルエーテル及びＣＴＦＥからなる群より選択される少なくとも１種を用いることが好ましい。
フルオロアルキルビニルエーテルとしては、
一般式（８）：ＣＦ_２＝ＣＦ−ＯＲｆ^８１
（式中、Ｒｆ^８１は、炭素数１〜８のパーフルオロアルキル基を表す。）で表されるフルオロモノマー、
一般式（１０）：ＣＦ_２＝ＣＦＯＣＦ_２ＯＲｆ^１０１
（式中、Ｒｆ^１０１は炭素数１〜６の直鎖又は分岐状パーフルオロアルキル基、炭素数５〜６の環式パーフルオロアルキル基、１〜３個の酸素原子を含む炭素数２〜６の直鎖又は分岐状パーフルオロオキシアルキル基である）で表されるフルオロモノマー、及び、
一般式（１１）：ＣＦ_２＝ＣＦＯ（ＣＦ_２ＣＦ（Ｙ^１１１）Ｏ）_ｍ（ＣＦ_２）_ｎＦ
（式中、Ｙ^１１１はフッ素原子又はトリフルオロメチル基を表す。ｍは１〜４の整数である。ｎは１〜４の整数である。）で表されるフルオロモノマー
からなる群より選択される少なくとも１種であることが好ましく、
一般式（８）で表されるフルオロモノマーがより好ましい。

ビニリデンフルオライド系フッ素ゴムの具体例としては、ＶｄＦ／ＨＦＰ系ゴム、ＶｄＦ／ＨＦＰ／ＴＦＥ系ゴム、ＶｄＦ／ＣＴＦＥ系ゴム、ＶｄＦ／ＣＴＦＥ／ＴＦＥ系ゴム、ＶｄＦ／一般式（６）で表されるフルオロモノマー系ゴム、ＶｄＦ／一般式（６）で表されるフルオロモノマー／ＴＦＥ系ゴム、ＶｄＦ／パーフルオロ（メチルビニルエーテル）〔ＰＭＶＥ〕系ゴム、ＶｄＦ／ＰＭＶＥ／ＴＦＥ系ゴム、ＶｄＦ／ＰＭＶＥ／ＴＦＥ／ＨＦＰ系ゴム等が挙げられる。ＶｄＦ／一般式（６）で表されるフルオロモノマー系ゴムとしては、ＶｄＦ／ＣＨ_２＝ＣＦＣＦ_３系ゴムが好ましく、ＶｄＦ／一般式（６）で表されるフルオロモノマー／ＴＦＥ系ゴムとしては、ＶｄＦ／ＴＦＥ／ＣＨ_２＝ＣＦＣＦ_３系ゴムが好ましい。

上記ＶｄＦ／ＣＨ_２＝ＣＦＣＦ_３系ゴムは、ＶｄＦ４０〜９９．５モル％、及び、ＣＨ_２＝ＣＦＣＦ_３０．５〜６０モル％からなる共重合体であることが好ましく、ＶｄＦ５０〜８５モル％、及び、ＣＨ_２＝ＣＦＣＦ_３１５〜５０モル％からなる共重合体であることがより好ましい。

上記テトラフルオロエチレン／プロピレン系フッ素ゴムは、テトラフルオロエチレン４５〜７０モル％、プロピレン５５〜３０モル％、及び、架橋部位を与えるフルオロモノマー０〜５モル％からなる共重合体であることが好ましい。

上記含フッ素エラストマーは、パーフルオロエラストマーであってもよい。上記パーフルオロエラストマーとしては、ＴＦＥを含むパーフルオロエラストマー、例えばＴＦＥ／一般式（８）、（１０）又は（１１）で表されるフルオロモノマー共重合体及びＴＦＥ／一般式（８）、（１０）又は（１１）で表されるフルオロモノマー／架橋部位を与えるモノマー共重合体からなる群より選択される少なくとも１種が好ましい。その組成は、ＴＦＥが全モノマーの４５モル％以上であることが好ましい。上限は９０モル％が好ましい。
また、その組成は、ＴＦＥ／ＰＭＶＥ共重合体の場合、好ましくは、４５〜９０／１０〜５５（モル％）であり、より好ましくは、５５〜８０／２０〜４５であり、更に好ましくは、５５〜７０／３０〜４５である。
ＴＦＥ／ＰＭＶＥ／架橋部位を与えるモノマー共重合体の場合、好ましくは、４５〜８９．９／１０〜５４．９／０．０１〜４（モル％）であり、より好ましくは、５５〜７７．９／２０〜４９．９／０．１〜３．５であり、更に好ましくは、５５〜６９．８／３０〜４４．８／０．２〜３である。
ＴＦＥ／炭素数が４〜１２の一般式（８）、（１０）又は（１１）で表されるフルオロモノマー共重合体の場合、好ましくは、５０〜９０／１０〜５０（モル％）であり、より好ましくは、６０〜８８／１２〜４０であり、更に好ましくは、６５〜８５／１５〜３５である。
ＴＦＥ／炭素数が４〜１２の一般式（８）、（１０）又は（１１）で表されるフルオロモノマー／架橋部位を与えるモノマー共重合体の場合、好ましくは、５０〜８９．９／１０〜４９．９／０．０１〜４（モル％）であり、より好ましくは、６０〜８７．９／１２〜３９．９／０．１〜３．５であり、更に好ましくは、６５〜８４．８／１５〜３４．８／０．２〜３である。
これらの組成の範囲を外れると、ゴム弾性体としての性質が失われ、樹脂に近い性質となる傾向がある。
なお、上記ＴＦＥを含むパーフルオロエラストマーにおいて、架橋部位を与えるモノマーはパーフルオロモノマーでなくてもよい。

上記パーフルオロエラストマーとしては、ＴＦＥ／一般式（１１）で表されるフルオロモノマー／架橋部位を与えるフルオロモノマー共重合体、ＴＦＥ／一般式（１１）で表されるパーフルオロビニルエーテル共重合体、ＴＦＥ／一般式（８）で表されるフルオロモノマー共重合体、及び、ＴＦＥ／一般式（８）で表されるフルオロモノマー／架橋部位を与えるモノマー共重合体からなる群より選択される少なくとも１種であることが好ましい。

上記パーフルオロエラストマーとしては、国際公開第９７／２４３８１号、特公昭６１−５７３２４号公報、特公平４−８１６０８号公報、特公平５−１３９６１号公報等に記載されているパーフルオロエラストマーも挙げることができる。

架橋部位を与えるモノマーとは、架橋剤により架橋を形成するための架橋部位をフルオロポリマーに与える架橋性基を有するモノマー（キュアサイトモノマー）である。

架橋部位を与えるモノマーとしては、
一般式（１２）：ＣＸ^３ _２＝ＣＸ^３−Ｒ_ｆ ^１２１ＣＨＲ^１２１Ｘ^４
（式中、Ｘ^３は、水素原子、フッ素原子又はＣＨ_３、Ｒ_ｆ ^１２１は、フルオロアルキレン基、パーフルオロアルキレン基、フルオロ（ポリ）オキシアルキレン基又はパーフルオロ（ポリ）オキシアルキレン基、Ｒ^１２１は、水素原子又はＣＨ_３、Ｘ^４は、ヨウ素原子又は臭素原子である）で表されるフルオロモノマー、
一般式（１３）：ＣＸ^３ _２＝ＣＸ^３−Ｒ_ｆ ^１３１Ｘ^４
（式中、Ｘ^３は、水素原子、フッ素原子又はＣＨ_３、Ｒ_ｆ ^１３１は、フルオロアルキレン基、パーフルオロアルキレン基、フルオロポリオキシアルキレン基又はパーフルオロポリオキシアルキレン基、Ｘ^４は、ヨウ素原子又は臭素原子である）で表されるフルオロモノマー、
一般式（１４）：ＣＦ_２＝ＣＦＯ（ＣＦ_２ＣＦ（ＣＦ_３）Ｏ）_ｍ（ＣＦ_２）_ｎ−Ｘ^５
（式中、ｍは０〜５の整数、ｎは１〜３の整数、Ｘ^５は、シアノ基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基、ヨウ素原子、臭素原子、又は、−ＣＨ_２Ｉである）で表されるフルオロモノマー、及び、
一般式（１５）：ＣＨ_２＝ＣＦＣＦ_２Ｏ（ＣＦ（ＣＦ_３）ＣＦ_２Ｏ）_ｍ（ＣＦ（ＣＦ_３））_ｎ−Ｘ^６
（式中、ｍは０〜５の整数、ｎは１〜３の整数、Ｘ^６は、シアノ基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基、ヨウ素原子、臭素原子、又は−ＣＨ_２ＯＨである）で表されるフルオロモノマー、及び、
一般式（１６）：ＣＲ^１６２Ｒ^１６３＝ＣＲ^１６４−Ｚ−ＣＲ^１６５＝ＣＲ^１６６Ｒ^１６７
（式中、Ｒ^１６２、Ｒ^１６３、Ｒ^１６４、Ｒ^１６５、Ｒ^１６６及びＲ^１６７、は、同一又は異なって、水素原子又は炭素数１〜５のアルキル基である。Ｚは、直鎖又は分岐状で酸素原子を有していてもよい、炭素数１〜１８のアルキレン基、炭素数３〜１８のシクロアルキレン基、少なくとも部分的にフッ素化している炭素数１〜１０のアルキレン基若しくはオキシアルキレン基、又は、
−（Ｑ）_ｐ−ＣＦ_２Ｏ−（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｍ（ＣＦ_２Ｏ）_ｎ−ＣＦ_２−（Ｑ）_ｐ−
（式中、Ｑはアルキレン基またはオキシアルキレン基である。ｐは０または１である。ｍ／ｎが０．２〜５である。）で表され、分子量が５００〜１００００である（パー）フルオロポリオキシアルキレン基である。）で表されるモノマーからなる群より選択される少なくとも１種であることが好ましい。

Ｘ^３は、フッ素原子であることが好ましい。Ｒｆ^１２１及びＲｆ^１３１は炭素数が１〜５のパーフルオロアルキレン基であることが好ましい。Ｒ^１２１は、水素原子であることが好ましい。Ｘ^５は、シアノ基、アルコキシカルボニル基、ヨウ素原子、臭素原子、又は、−ＣＨ_２Ｉであることが好ましい。Ｘ^６は、シアノ基、アルコキシカルボニル基、ヨウ素原子、臭素原子、又は−ＣＨ_２ＯＨであることが好ましい。

架橋部位を与えるモノマーとしては、ＣＦ_２＝ＣＦＯＣＦ_２ＣＦ（ＣＦ_３）ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＮ、ＣＦ_２＝ＣＦＯＣＦ_２ＣＦ（ＣＦ_３）ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＯＯＨ、ＣＦ_２＝ＣＦＯＣＦ_２ＣＦ（ＣＦ_３）ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＨ_２Ｉ、ＣＦ_２＝ＣＦＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＨ_２Ｉ、ＣＨ_２＝ＣＦＣＦ_２ＯＣＦ（ＣＦ_３）ＣＦ_２ＯＣＦ（ＣＦ_３）ＣＮ、ＣＨ_２＝ＣＦＣＦ_２ＯＣＦ（ＣＦ_３）ＣＦ_２ＯＣＦ（ＣＦ_３）ＣＯＯＨ、ＣＨ_２＝ＣＦＣＦ_２ＯＣＦ（ＣＦ_３）ＣＦ_２ＯＣＦ（ＣＦ_３）ＣＨ_２ＯＨ、ＣＨ_２＝ＣＨＣＦ_２ＣＦ_２Ｉ、ＣＨ_２＝ＣＨ（ＣＦ_２）_２ＣＨ＝ＣＨ_２、ＣＨ_２＝ＣＨ（ＣＦ_２）_６ＣＨ＝ＣＨ_２、及び、ＣＦ_２＝ＣＦＯ（ＣＦ_２）_５ＣＮからなる群より選択される少なくとも１種であることが好ましく、ＣＦ_２＝ＣＦＯＣＦ_２ＣＦ（ＣＦ_３）ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＮがより好ましい。

上記含フッ素ポリマーはシアノ基を有することが好ましい。含フッ素ポリマーがシアノ基を有することによって、上記本発明のポリマーが架橋剤として好適に作用し、更に、耐熱性に優れる成形品を得ることができる。
上記シアノ基は、上述した架橋部位を与えるモノマーによって含フッ素ポリマーに導入することができる。また、他の方法としては、国際公開第００／０５９５９号に記載の方法によって導入することもできる。
上記シアノ基を有する含フッ素ポリマーは、架橋部位を与えるモノマーを全単量体単位に対して０．１〜５．０モル％含むことが好ましく、０．２〜２．０モル％含むことがより好ましい。この場合、架橋部位を与えるモノマーはシアノ基を有する単量体であることが好ましい。

上記含フッ素エラストマーは、高温における圧縮永久歪特性に優れる点から、ガラス転移温度が−７０℃以上であることが好ましく、−６０℃以上であることがより好ましく、−５０℃以上であることが更に好ましい。また、耐寒性が良好であるという点から、５℃以下であることが好ましく、０℃以下であることがより好ましく、−３℃以下であることが更に好ましい。

上記ガラス転移温度は、示差走査熱量計を用い、試料１０ｍｇを１０℃／ｍｉｎで昇温することによりＤＳＣ曲線を得て、ＤＳＣ曲線の二次転移前後のベースラインの延長線と、ＤＳＣ曲線の変曲点における接線との２つの交点の中点を示す温度として求めることができる。

上記含フッ素エラストマーは、耐熱性が良好な点で、１７０℃におけるムーニー粘度ＭＬ（１＋２０）が３０以上であることが好ましく、４０以上であることがより好ましく、５０以上であることが更に好ましい。また、加工性が良好な点で、１５０以下であることが好ましく、１２０以下であることがより好ましく、１１０以下であることが更に好ましい。

上記含フッ素エラストマーは、耐熱性が良好な点で、１４０℃におけるムーニー粘度ＭＬ（１＋２０）が３０以上であることが好ましく、４０以上であることがより好ましく、５０以上であることが更に好ましい。また、加工性が良好な点で、１８０以下であることが好ましく、１５０以下であることがより好ましく、１１０以下であることが更に好ましい。

上記含フッ素エラストマーは、耐熱性が良好な点で、１００℃におけるムーニー粘度ＭＬ（１＋１０）が１０以上であることが好ましく、２０以上であることがより好ましく、３０以上であることが更に好ましい。また、加工性が良好な点で、１２０以下であることが好ましく、１００以下であることがより好ましく、８０以下であることが更に好ましい。

上記ムーニー粘度は、ＡＬＰＨＡ ＴＥＣＨＮＯＬＯＧＩＥＳ社製 ムーニー粘度計ＭＶ２０００Ｅ型を用いて、１７０℃又は１４０℃、１００℃において、ＪＩＳ Ｋ６３００に従い測定することができる。

上述した部分フッ素化エラストマー及びパーフルオロエラストマーは、常法により製造することができるが、得られる重合体は分子量分布が狭く、分子量の制御が容易である点、末端にヨウ素原子又は臭素原子を導入することができる点から、連鎖移動剤としてヨウ素化合物又は臭素化合物を使用することもできる。ヨウ素化合物又は臭素化合物を使用して行う重合方法としては、例えば、実質的に無酸素状態で、ヨウ素化合物又は臭素化合物の存在下に、加圧しながら水媒体中で乳化重合を行う方法が挙げられる（ヨウ素移動重合法）。使用するヨウ素化合物又は臭素化合物の代表例としては、例えば、一般式：
Ｒ^１３Ｉ_ｘＢｒ_ｙ
（式中、ｘ及びｙはそれぞれ０〜２の整数であり、かつ１≦ｘ＋ｙ≦２を満たすものであり、Ｒ^１３は炭素数１〜１６の飽和若しくは不飽和のフルオロ炭化水素基又はクロロフルオロ炭化水素基、又は炭素数１〜３の炭化水素基であり、酸素原子を含んでいてもよい）で表される化合物が挙げられる。ヨウ素化合物又は臭素化合物を使用することによって、ヨウ素原子又は臭素原子が重合体に導入され、架橋点としても機能する場合がある。

ヨウ素化合物及び臭素化合物としては、例えば１，３−ジヨードパーフルオロプロパン、２−ヨードパーフルオロプロパン、１，３−ジヨード−２−クロロパーフルオロプロパン、１，４−ジヨードパーフルオロブタン、１，５−ジヨード−２，４−ジクロロパーフルオロペンタン、１，６−ジヨードパーフルオロヘキサン、１，８−ジヨードパーフルオロオクタン、１，１２−ジヨードパーフルオロドデカン、１，１６−ジヨードパーフルオロヘキサデカン、ジヨードメタン、１，２−ジヨードエタン、１，３−ジヨード−ｎ−プロパン、ＣＦ_２Ｂｒ_２、ＢｒＣＦ_２ＣＦ_２Ｂｒ、ＣＦ_３ＣＦＢｒＣＦ_２Ｂｒ、ＣＦＣｌＢｒ_２、ＢｒＣＦ_２ＣＦＣｌＢｒ、ＣＦＢｒＣｌＣＦＣｌＢｒ、ＢｒＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｂｒ、ＢｒＣＦ_２ＣＦＢｒＯＣＦ_３、１−ブロモ−２−ヨードパーフルオロエタン、１−ブロモ−３−ヨードパーフルオロプロパン、１−ブロモ−４−ヨードパーフルオロブタン、２−ブロモ−３−ヨードパーフルオロブタン、３−ブロモ−４−ヨードパーフルオロブテン−１、２−ブロモ−４−ヨードパーフルオロブテン−１、ベンゼンのモノヨードモノブロモ置換体、ジヨードモノブロモ置換体、並びに（２−ヨードエチル）及び（２−ブロモエチル）置換体等が挙げられ、これらの化合物は、単独で使用してもよく、相互に組み合わせて使用することもできる。

これらのなかでも、重合反応性、架橋反応性、入手容易性等の点から、１，４−ジヨードパーフルオロブタン、１，６−ジヨードパーフルオロヘキサン、２−ヨードパーフルオロプロパンを用いるのが好ましい。

上記組成物は、上記含フッ素ポリマー１００質量部に対して０．５〜１００質量部の上記本発明のポリマーを含むことが好ましい。より好ましくは５〜５０質量部であり、更に好ましくは５〜２５質量部である。本発明のポリマーが少なすぎると補強性、耐酸素プラズマ性に乏しく、本発明のポリマーが多すぎると硬くてシール性が低下するおそれがある。

上記組成物は、更に一般的な架橋剤を含んでもよい。上記架橋剤としては、パーオキサイド架橋、ポリオール架橋、ポリアミン架橋、トリアジン架橋、オキサゾール架橋、イミダゾール架橋、及び、チアゾール架橋において用いる架橋剤が挙げられる。

パーオキサイド架橋において用いる架橋剤は、熱や酸化還元系の存在下で容易にパーオキシラジカルを発生し得る有機過酸化物であればよく、具体的には、例えば１，１−ビス（ｔ−ブチルパーオキシ）−３，５，５−トリメチルシクロヘキサン、２，５−ジメチルヘキサン−２，５−ジヒドロパーオキサイド、ジ−ｔ−ブチルパーオキサイド、ｔ−ブチルクミルパーオキサイド、ジクミルパーオキサイド、α，α−ビス（ｔ−ブチルパーオキシ）−ｐ−ジイソプロピルベンゼン、２，５−ジメチル−２，５−ジ（ｔ−ブチルパーオキシ）ヘキサン、２，５−ジメチル−２，５−ジ（ｔ−ブチルパーオキシ）−ヘキシン−３、ベンゾイルパーオキサイド、ｔ−ブチルパーオキシベンゼン、２，５−ジメチル−２，５−ジ（ベンゾイルパーオキシ）ヘキサン、ｔ−ブチルパーオキシマレイン酸、ｔ−ブチルパーオキシイソプロピルカーボネート、１，３−ビス（ｔ−ブチルパーオキシイソプロピル）ベンゼン等を挙げることができる。一般に活性−Ｏ−Ｏ−の量、分解温度等を考慮して有機過酸化物の種類並びに使用量が選ばれる。

また、この場合に用いることのできる架橋助剤としては、パーオキシラジカルとポリマーラジカルに対して反応活性を有する化合物であればよく、例えばＣＨ_２＝ＣＨ−、ＣＨ_２＝ＣＨＣＨ_２−、ＣＦ_２＝ＣＦ−等の官能基を有する多官能性化合物が挙げられる。具体的には、例えばトリアリルシアヌレート、トリアリルイソシアヌレート（ＴＡＩＣ）、トリアクリルホルマール、トリアリルトリメリテート、Ｎ，Ｎ’−ｎ−フェニレンビスマレイミド、ジプロパギルテレフタレート、ジアリルフタレート、テトラアリルテレフタレートアミド、トリアリルホスフェート、ビスマレイミド、フッ素化トリアリルイソシアヌレート（１，３，５−トリス（２，３，３−トリフルオロ−２−プロペニル）−１，３，５−トリアジン２，４，６−トリオン）、トリス（ジアリルアミン）−Ｓ−トリアジン、亜リン酸トリアリル、Ｎ，Ｎ−ジアリルアクリルアミド、１，６−ジビニルドデカフルオロヘキサン等が挙げられる。

ポリオール架橋に用いる架橋剤としては、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＡＦ等の多価アルコール化合物が挙げられる。

ポリアミン架橋に用いる架橋剤としては、ヘキサメチレンジアミンカルバメート、Ｎ，Ｎ’−ジシンナミリデン−１，６−ヘキサンジアミン、４，４’−ビス（アミノシクロヘキシル）メタンカルバメート等の多価アミン化合物が挙げられる。

トリアジン架橋に用いる架橋剤としては、テトラフェニルスズ、トリフェニルスズ等の有機スズ化合物が挙げられる。

オキサゾール架橋、イミダゾール架橋、チアゾール架橋に使用する架橋剤としては、例えば一般式（２０）：

（式中、Ｒ^４は−ＳＯ_２−、−Ｏ−、−ＣＯ−、炭素数１〜６のアルキレン基、炭素数１〜１０のパーフルオロアルキレン基又は単結合手又は、

で示される基であり、Ｒ^５及びＲ^６は一方が−ＮＨ_２であり他方が−ＮＨＲ^７、−ＮＨ_２、−ＯＨ又は−ＳＨであり、Ｒ^７は水素原子、フッ素原子又は一価の有機基であり、好ましくはＲ^５が−ＮＨ_２でありＲ^６が−ＮＨＲ^７である。炭素数１〜６のアルキレン基の好ましい具体例としては、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ペンチレン基、ヘキシレン基等を挙げることができ、炭素数１〜１０のパーフルオロアルキレン基としては、

等が挙げられる。なお、これらの化合物は、特公平２−５９１７７号公報、特開平８−１２０１４６号公報等で、ビスジアミノフェニル化合物の例示として知られているものである）で示されるビスジアミノフェニル系架橋剤、ビスアミノフェノール系架橋剤、ビスアミノチオフェノール系架橋剤、一般式（２１）：

で示されるビスアミドラゾン系架橋剤、一般式（２２）：

（式中、Ｒ_ｆ ^３は炭素数１〜１０のパーフルオロアルキレン基である）、
又は一般式（２３）：

（式中、ｎは１〜１０の整数である）で示されるビスアミドオキシム系架橋剤等が挙げられる。これらのビスアミノフェノール系架橋剤、ビスアミノチオフェノール系架橋剤又はビスジアミノフェニル系架橋剤等は従来シアノ基を架橋点とする架橋系に使用していたものであるが、カルボキシル基及びアルコキシカルボニル基とも反応し、オキサゾール環、チアゾール環、イミダゾール環を形成し、架橋物を与える。

特に好ましい架橋剤としては、複数個の３−アミノ−４−ヒドロキシフェニル基、又は３−アミノ−４−メルカプトフェニル基を有する化合物、若しくは一般式（２４）：

（式中、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６、は前記と同じである）で示される化合物が挙げられ、具体的には、例えば２，２−ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン（一般名：ビス（アミノフェノール）ＡＦ）、２，２−ビス（３−アミノ−４−メルカプトフェニル）ヘキサフルオロプロパン、テトラアミノベンゼン、ビス−３，４−ジアミノフェニルメタン、ビス−３，４−ジアミノフェニルエーテル、２，２−ビス（３，４−ジアミノフェニル）ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス［３−アミノ−４−（Ｎ−フェニルアミノ）フェニル］ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス［３−アミノ−４−（Ｎ−メチルアミノ）フェニル］ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス［３−アミノ−４−（Ｎ−エチルアミノ）フェニル］ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス［３−アミノ−４−（Ｎ−プロピルアミノ）フェニル］ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス［３−アミノ−４−（Ｎ−パーフルオロフェニルアミノ）フェニル］ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス［３−アミノ−４−（Ｎ−ベンジルアミノ）フェニル］ヘキサフルオロプロパン等である。

これらの中でも、架橋剤としては耐熱性、耐スチーム性、耐アミン性、良好な架橋性の点から、２，２−ビス［３−アミノ−４−（Ｎ−フェニルアミノ）フェニル］ヘキサフルオロプロパンが好ましい。

上記一般的な架橋剤は、含フッ素ポリマー１００質量部に対して、０．０５〜１０質量部であることが好ましく、０．５〜５質量部であることがより好ましい。

上記組成物は、一般的な充填剤を含有してもよい。

上記一般的な充填剤としては、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルイミド等のイミド構造を有するイミド系フィラー；ポリアリレート、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、ポリフェニレンスルフィド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルケトン、ポリオキシベンゾエート等のエンジニアリングプラスチック製の有機フィラー（化合物（１）は除く）、酸化アルミニウム、酸化ケイ素、酸化イットリウム等の金属酸化物フィラー、炭化ケイ素、炭化アルミニウム等の金属炭化物、窒化ケイ素、窒化アルミニウム等の金属窒化物フィラー、フッ化アルミニウム、フッ化カーボン等の無機フィラーが挙げられる。

これらの中でも、各種プラズマの遮蔽効果の点から、酸化アルミニウム、酸化イットリウム、酸化ケイ素、ポリイミド、フッ化カーボンが好ましい。

また、上記無機フィラー、有機フィラーを単独で、又は２種以上を組み合わせて配合してもよい。

上記一般的な充填剤の配合量は、含フッ素ポリマー１００質量部に対して、好ましくは０．５〜１００質量部、より好ましくは５〜５０質量部である。ただし、無機フィラーは、半導体製造用途においてプロセスエラーを引き起こす異物となり得ることから、少量であることが好ましい。上記組成物は、無機フィラーを含まないことがより好ましい。

特に高純度かつ非汚染性が要求されない分野では、必要に応じて含フッ素ポリマー組成物に配合される通常の添加物、例えば充填剤、加工助剤、可塑剤、着色剤等を配合することができ、前記のものとは異なる常用の架橋剤や架橋助剤を１種又はそれ以上配合してもよい。

上記組成物は、上記の各成分を、通常のポリマー用加工機械、例えば、オープンロール、バンバリーミキサー、ニーダー等を用いて混合することにより調製することができる。この他、密閉式混合機を用いる方法によっても調製することができる。上記組成物は、成形して成形品を得るための成形材料として好適に使用でき、また、架橋成形して成形品を得るための成形材料としても好適に使用できる。

上記組成物を成形材料として予備成形体を得る方法は通常の方法でよく、金型にて加熱圧縮する方法、加熱された金型に圧入する方法、押出機で押出す方法等公知の方法で行なうことができる。ホースや電線等の押出製品の場合は押出後にスチーム等による加熱架橋を行なうことで、成形品を得ることができる。

上記架橋条件としては、

（標準架橋条件）
混練方法 ：ロール練り
プレス架橋 ：１８０℃で３０分間
オーブン架橋：２９０℃で１８時間
であり、特に断らない限りは、この条件で架橋する。

本発明はまた、上記組成物から得られる成形品でもある。
本発明の成形品は、上述した本発明のポリマーを含むため、機械的特性に優れる。更に、耐酸素プラズマ性にも優れる。
そのため、本発明の成形品は、シール材として好適に使用できる。特に機械的特性・耐酸素プラズマ性が要求される半導体製造装置、特に半導体製造装置のシール材として好適に使用できる。上記シール材としては、Ｏ−リング、角−リング、ガスケット、パッキン、オイルシール、ベアリングシール、リップシール等が挙げられる。
そのほか、半導体製造装置に使用される各種のポリマー製品、例えばダイヤフラム、チューブ、ホース、各種ゴムロール、ベルト等としても使用できる。また、コーティング用材料、ライニング用材料としても使用できる。

なお、本発明でいう半導体製造装置は、特に半導体を製造するための装置に限られるものではなく、広く、液晶パネルやプラズマパネルを製造するための装置等、高度なクリーン度が要求される半導体分野において用いられる製造装置全般を含むものであり、例えば次のようなものを挙げることができる。

（１）エッチング装置
ドライエッチング装置
プラズマエッチング装置
反応性イオンエッチング装置
反応性イオンビームエッチング装置
スパッタエッチング装置
イオンビームエッチング装置
ウェットエッチング装置
アッシング装置
（２）洗浄装置
乾式エッチング洗浄装置
ＵＶ／Ｏ_３洗浄装置
イオンビーム洗浄装置
レーザービーム洗浄装置
プラズマ洗浄装置
ガスエッチング洗浄装置
抽出洗浄装置
ソックスレー抽出洗浄装置
高温高圧抽出洗浄装置
マイクロウェーブ抽出洗浄装置
超臨界抽出洗浄装置
（３）露光装置
ステッパー
コータ・デベロッパー
（４）研磨装置
ＣＭＰ装置
（５）成膜装置
ＣＶＤ装置
スパッタリング装置
（６）拡散・イオン注入装置
酸化拡散装置
イオン注入装置

本発明の成形品は、例えば、ＣＶＤ装置、プラズマエッチング装置、反応性イオンエッチング装置、アッシング装置又はエキシマレーザー露光機のシール材として優れた性能を発揮する。

次に本発明を実施例を挙げて説明するが、本発明はかかる実施例のみに限定されるものではない。

合成例１
不活性ガス雰囲気下、反応容器に水酸化ナトリウム０．３１２ｇ、純水１．００ｍＬ、ＤＭＦ２．５０ｍＬを加え撹拌した。３，５−Ｄｉｂｒｏｍｏｂｅｎｚｅｎｅｔｈｉｏｌ（１）１．３９ｇと蒸留ＤＭＦ７．１０ｍＬの混合溶液をゆっくりと滴下した。滴下終了後、室温下で１時間撹拌した。パーフルオロヘキシルヨージド１．６８ｍＬと蒸留ＤＭＦ２．２０ｍＬの混合溶液を滴下し、室温下で１６時間撹拌した。
反応終了後、ジエチルエーテルで抽出し、純水で洗浄を行った。無水硫酸マグネシウムで脱水を行った後にろ過し、減圧下で溶媒を留去した。各種精製操作により単離し、無色透明液体の３，５−Ｄｉｂｒｏｍｏ−１−ｐｅｒｆｌｕｏｒｏｈｅｘｙｌｓｕｌｆａｎｙｌ ｂｅｎｚｅｎｅ（２ａ）を得た。収量は２．４５ｇ、収率は８０．５％であった。

３，５−Ｄｉｂｒｏｍｏ−１−ｐｅｒｆｌｕｏｒｏｈｅｘｙｌｓｕｌｆａｎｙｌ ｂｅｎｚｅｎｅ（２ａ）の構造確認は^１Ｈ−ＮＭＲ、^１９Ｆ−ＮＭＲ、ＦＴ−ＩＲで行った。
^１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＴＭＳ ｉｎ ＣＤＣｌ_３）：δ７．７６（ｓ，２Ｈ，ｐｈｅｎｙｌ ｐｒｏｔｏｎｓ），７．８２（ｓ，１Ｈ，ｐｈｅｎｙｌ ｐｒｏｔｏｎ）
^１９Ｆ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，Ｂｅｎｚｏｔｒｉｆｌｕｏｒｉｄｅ ｉｎ ＣＤＣｌ_３）：δ−８１．７（ｔ，Ｊ＝２．５０Ｈｚ，３Ｆ，−ＣＦ_３），−８７．０（ｍ，２Ｆ，−Ｓ−ＣＦ_２−），−１２０．０（ｍ，２Ｆ，−ＣＦ_２−），−１２２．３（ｍ，２Ｆ，−ＣＦ_２−），−１２３．７（ｍ，２Ｆ，−ＣＦ_２−），−１２７．０（ｍ，２Ｆ，−ＣＦ_２−）
ＦＴ−ＩＲ：２５５０ｃｍ^−１の−ＳＨによる吸収バンドが消失していることを確認した。

合成例２
不活性ガス雰囲気下、反応容器にマグネシウム０．４５１ｇ（１８．８ｍｍｏｌ）、クロロジメチルシラン１．８１ｇ、ＴＨＦ３．９０ｍＬ、ヨウ素を１粒加え撹拌した。３，５−Ｄｉｂｒｏｍｏ−１−ｐｅｒｆｌｕｏｒｏｈｅｘｙｌｓｕｌｆａｎｙｌ ｂｅｎｚｅｎｅ（２ａ）１．８３ｇとＴＨＦ３．９０ｍＬの混合溶液を滴下し、８０℃で１２時間還流させた。
反応終了後、希塩酸水に注ぎ込み反応を停止させた。各種精製操作により単離し、無色透明液体の３，５−Ｄｉｍｅｔｈｙｌｓｉｌｙｌ−１−ｐｅｒｆｌｕｏｒｏｈｅｘｙｌｓｕｌｆａｎｙｌ ｂｅｎｚｅｎｅ（３ａ）を得た。収量は０．７７９ｇ、収率は４５．８％であった。

３，５−Ｄｉｍｅｔｈｙｌｓｉｌｙｌ−１−ｐｅｒｆｌｕｏｒｏｈｅｘｙｌｓｕｌｆａｎｙｌ ｂｅｎｚｅｎｅ（３ａ）の構造確認は^１Ｈ−ＮＭＲ、^１９Ｆ−ＮＭＲ、ＦＴ−ＩＲで行った。
^１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＴＭＳ ｉｎ ＣＤＣｌ_３）：δ０．３８（ｍ，１２Ｈ，ｄｉｍｅｔｈｙｌ ｓｉｌｙｌ ｐｒｏｔｏｎｓ），４．４５（ｍ，２Ｈ，ｓｉｌｙｌ ｐｒｏｔｏｎｓ），７．７８（ｓ，３Ｈ，ｐｈｅｎｙｌ ｐｒｏｔｏｎｓ）
^１９Ｆ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，Ｂｅｎｚｏｔｒｉｆｌｕｏｒｉｄｅ ｉｎ ＣＤＣｌ_３）：δ−８１．７（ｔ，Ｊ＝２．５０Ｈｚ，３Ｆ，−ＣＦ_３），−８７．５（ｍ，２Ｆ，−Ｓ−ＣＦ_２−），−１２０．２（ｍ，２Ｆ，−ＣＦ_２−），−１２２．３（ｍ，２Ｆ，−ＣＦ_２−），−１２３．７（ｍ，２Ｆ，−ＣＦ_２−），−１２７．１（ｍ，２Ｆ，−ＣＦ_２−）
ＦＴ−ＩＲ：１２５０ｃｍ^−１と２１４０ｃｍ^−１にジメチルシリル基に起因する吸収バンドを確認した。

合成例３
反応容器にＴＨＦ１．１０ｍＬ、Ｈ_２Ｏ０．０７１１ｍＬ、５％Ｐｄ／Ｃ０．０３６０ｇを加え撹拌した。３，５−Ｄｉｍｅｔｈｙｌｓｉｌｙｌ−１−ｐｅｒｆｌｕｏｒｏｈｅｘｙｌｓｕｌｆａｎｙｌ ｂｅｎｚｅｎｅ（３ａ）０．３５９ｇとＴＨＦ１．１０ｍＬの混合溶液を滴下し、室温下で４時間撹拌した。
反応混合物に対して各種精製操作を行い、白色結晶の３，５−Ｄｉｍｅｔｈｙｌｈｙｄｒｏｘｙｓｉｌｙｌ−１−ｐｅｒｆｌｕｏｒｏｈｅｘｙｌｓｕｌｆａｎｙｌ ｂｅｎｚｅｎｅ（Ｍ１ａ）を得た。収量は０．２５４ｇ、収率は６６．９％であった。

３，５−Ｄｉｍｅｔｈｙｌｈｙｄｒｏｘｙｓｉｌｙｌ−１−ｐｅｒｆｌｕｏｒｏｈｅｘｙｌｓｕｌｆａｎｙｌ ｂｅｎｚｅｎｅ（Ｍ１ａ）の構造確認は^１Ｈ−ＮＭＲ、^１９Ｆ−ＮＭＲ、ＦＴ−ＩＲで行った。
^１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＴＭＳ ｉｎ ＣＤＣｌ_３）：δ０．４３（ｓ，１２Ｈ，ｄｉｍｅｔｈｙｌ ｓｉｌｙｌ ｐｒｏｔｏｎｓ），２．２１（ｓ，２Ｈ，ｈｙｄｒｏｘｙｌ ｐｒｏｔｏｎｓ），７．８５（ｓ，２Ｈ，ｐｈｅｎｙｌ ｐｒｏｔｏｎｓ），７．９３（ｓ，１Ｈ，ｐｈｅｎｙｌ ｐｒｏｔｏｎ）
^１９Ｆ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，Ｂｅｎｚｏｔｒｉｆｌｕｏｒｉｄｅ ｉｎ ＣＤＣｌ_３）：δ−８１．７（ｔ，Ｊ＝２．５５Ｈｚ，３Ｆ，−ＣＦ_３），−８７．４（ｍ，２Ｆ，−Ｓ−ＣＦ_２−），−１２０．１（ｍ，２Ｆ，−ＣＦ_２−），−１２２．３（ｍ，２Ｆ，−ＣＦ_２−），−１２３．７（ｍ，２Ｆ，−ＣＦ_２−），−１２７．１（ｍ，２Ｆ，−ＣＦ_２−）
ＦＴ−ＩＲ：２１４０ｃｍ^−１のジメチルシリル基に起因する吸収バンドの消失、及び、３３００ｃｍ^−１の水酸基の吸収バンドを確認した。

合成例４
反応容器に３，５−Ｄｉｍｅｔｈｙｌｈｙｄｒｏｘｙｓｉｌｙｌ−１−ｐｅｒｆｌｕｏｒｏｈｅｘｙｌｓｕｌｆａｎｙｌ ｂｅｎｚｅｎｅ（Ｍ１ａ）２．４０ｇ、ベンゼン８．３０ｍＬを加え撹拌した。１，１，３，３−テトラメチルグアニジニウム−２−エチルヘキサノエート（１，１，３，３−テトラメチルグアニジン：２−エチルヘキサン酸＝１：１ｍｏｌでの混合物）をスパチュラ１杯加え１００℃で２４時間撹拌した。
反応溶液に対し各種精製操作を行い、淡黄色固体のＰｏｌｙ［５−（ｐｅｒｆｌｕｏｒｏｈｅｘｙｌｓｕｌｆａｎｙｌ）ｔｅｔｒａｍｅｔｈｙｌ−１，３−ｓｉｌｐｈｅｎｙｌｅｎｅｓｉｌｏｘａｎｅ］（Ｐ１ａ）を得た。収量は１．３４ｇ、収率は５５．８％であった。

Ｐｏｌｙ［５−（ｐｅｒｆｌｕｏｒｏｈｅｘｙｌｓｕｌｆａｎｙｌ）ｔｅｔｒａｍｅｔｈｙｌ−１，３−ｓｉｌｐｈｅｎｙｌｅｎｅｓｉｌｏｘａｎｅ］（Ｐ１ａ）の構造確認は^１Ｈ−ＮＭＲ、^１９Ｆ−ＮＭＲ、ＦＴ−ＩＲ、ＧＰＣで行った。
^１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＴＭＳ ｉｎ ＣＤＣｌ_３）：δ０．２９（ｓ，１２Ｈ，ｄｉｍｅｔｈｙｌ ｓｉｌｙｌ ｐｒｏｔｏｎｓ），７．７５（ｓ，３Ｈ，ｐｈｅｎｙｌ ｐｒｏｔｏｎｓ）
^１９Ｆ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，Ｂｅｎｚｏｔｒｉｆｌｕｏｒｉｄｅ ｉｎ ＣＤＣｌ_３）：δ−８２．１（ｔ，Ｊ＝２．５５Ｈｚ，３Ｆ，−ＣＦ_３），−８７．７（ｍ，２Ｆ，−Ｓ−ＣＦ_２−），−１２０．４（ｍ，２Ｆ，−ＣＦ_２−），−１２２．６（ｍ，２Ｆ，−ＣＦ_２−），−１２４．０（ｍ，２Ｆ，−ＣＦ_２−），−１２７．４（ｍ，２Ｆ，−ＣＦ_２−）
ＦＴ−ＩＲ：３３００ｃｍ^−１の水酸基に起因する吸収バンドの消失、及び、１０８０ｃｍ^−１のＳｉ−Ｏ−Ｓｉの吸収バンドを確認した。
ＧＰＣ：ＲＩ検出器ではポリマーが検出できなかったため、ＵＶ検出器を使用してＧＰＣによる測定を行った。ポリマーの数平均分子量は、１．１×１０^５であった。

合成例５
反応容器に３，５−Ｄｉｍｅｔｈｙｌｈｙｄｒｏｘｙｓｉｌｙｌ−１−ｐｅｒｆｌｕｏｒｏｂｕｔｙｌｅｔｈｙｌｓｕｌｆａｎｙｌ ｂｅｎｚｅｎｅ（Ｍ１ｂ）２．３６ｇ、ベンゼン９．４０ｍＬを加え撹拌した。スパチュラ１杯の１，１，３，３−テトラメチルグアニジニウム−２−エチルヘキサノエート（１，１，３，３−テトラメチルグアニジン：２−エチルヘキサン酸＝１：１ｍｏｌでの混合物）を加え、１００℃で２４時間撹拌した。
反応溶液に少量のクロロホルムを加え、メタノール中に注ぎ、再沈殿を３回行い、Ｐｏｌｙ（３，５−Ｄｉｍｅｔｈｙｌｈｙｄｒｏｘｙｓｉｌｙｌ−１−ｐｅｒｆｌｕｏｒｏｂｕｔｙｌｅｔｈｙｌｓｕｌｆａｎｙｌ ｂｅｎｚｅｎｅ）（Ｐ１ｂ）を赤褐色粘性液体として得た。収量は０．７６４ｇ、収率は３２．２％であった。

Ｐｏｌｙ（３，５−Ｄｉｍｅｔｈｙｌｈｙｄｒｏｘｙｓｉｌｙｌ−１−ｐｅｒｆｌｕｏｒｏｂｕｔｙｌｅｔｈｙｌｓｕｌｆａｎｙｌ ｂｅｎｚｅｎｅ）（Ｐ１ｂ）の構造確認は^１Ｈ−ＮＭＲ、^１９Ｆ−ＮＭＲ、ＦＴ−ＩＲ、ＧＰＣで行った。
^１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＴＭＳ ｉｎ ＣＤＣｌ_３）：δ０．３０（ｓ，１２Ｈ，ｄｉｍｅｔｈｙｌ ｓｉｌｙｌ ｐｒｏｔｏｎｓ），２．３６（ｍ，２Ｈ，ｅｔｈｙｌ ｐｒｏｔｏｎｓ），３．０７（ｍ，２Ｈ，ｅｔｈｙｌ ｐｒｏｔｏｎｓ），７．５１（ｓ，２Ｈ，ｐｈｅｎｙｌ ｐｒｏｔｏｎｓ），７．５７（ｓ，１Ｈ，ｐｈｅｎｙｌ ｐｒｏｔｏｎ）
^１９Ｆ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，Ｂｅｎｚｏｔｒｉｆｌｕｏｒｉｄｅ ｉｎ ＣＤＣｌ_３）：δ−８２．２（ｔ，Ｊ＝２．９０Ｈｚ，３Ｆ，−ＣＦ_３），−１１５．５（ｍ，２Ｆ，−ＣＦ_２−），−１２５．４（ｍ，２Ｆ，−ＣＦ_２−），−１２７．１（ｍ，２Ｆ，−ＣＨ_２−ＣＦ_２−）
ＦＴ−ＩＲ：３３００ｃｍ^−１の水酸基に起因する吸収バンドの消失、及び、１０８０ｃｍ^−１のＳｉ−Ｏ−Ｓｉの吸収バンドを確認した。
ＧＰＣ：ポリマーの数平均分子量は、８．９×１０^５であった。

合成例６
不活性ガス雰囲気下、反応容器にジメチルアセトアミド６０．０ｍＬと２−プロパンチオール１０．２ｍＬとナトリウム２．５３ｇを入れ撹拌した。１，４−ブロモベンゼン４．８０ｇを加え、１００℃で１６時間撹拌した。その後、ナトリウム４．３７ｇを加え、１００℃で２０時間撹拌した。
反応終了後、純水２５０ｍＬと塩酸２５ｍＬを加え反応停止を行った。反応混合物に対して各種精製操作を行い、淡黄色固体の１，４−Ｂｅｎｚｅｎｅｄｉｔｈｉｏｌ（４）を得た。収量は１．５８ｇ、収率は５５．５％であった。

１，４−Ｂｅｎｚｅｎｅｄｉｔｈｉｏｌ（４）の構造確認は^１Ｈ−ＮＭＲ、^１３Ｃ−ＮＭＲ、ＦＴ−ＩＲで行った。
^１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＴＭＳ ｉｎ ＣＤＣｌ_３）：δ３．４１（ｓ，２Ｈ，ｔｈｉｏｌ ｐｒｏｔｏｎｓ），７．１６（ｓ，４Ｈ，ｐｈｅｎｙｌ ｐｒｏｔｏｎｓ）
^１３Ｃ−ＮＭＲ（１００ＭＨｚ，ＴＭＳ ｉｎ ＣＤＣｌ_３）：δ１２８．１（ｐｈｅｎｙｌ ｃａｒｂｏｎ），１３０．５（ｐｈｅｎｙｌ ｃａｒｂｏｎ）
ＦＴ−ＩＲ：２５５０ｃｍ^−１に−ＳＨによる吸収バンドを確認した。

合成例７
不活性ガス雰囲気下、反応容器に水酸化ナトリウム１．１０ｇ、純水２．００ｍＬ、ＤＭＦ５．２０ｍＬを加え撹拌した。１，４−Ｂｅｎｚｅｎｅｄｉｔｈｉｏｌ（４）１．５７ｇとＤＭＦ１６．０ｍＬの混合溶液をゆっくりと滴下した。滴下終了後、室温下で１時間撹拌した。パーフルオロブチルエチルヨージド５．３０ｍＬとＤＭＦ４．３０ｍＬの混合溶液を滴下し、１６時間撹拌した。
反応終了後、各種精製操作を行って目的物を単離し、１，４−Ｄｉｐｅｒｆｌｕｏｒｏｂｕｔｙｌｅｔｈｙｌｓｕｌｆａｎｙｌ ｂｅｎｚｅｎｅ（５ｂ）を白色結晶として得た。収量は５．３８ｇ、収率は７７．１％であった。

１，４−Ｄｉｐｅｒｆｌｕｏｒｏｂｕｔｙｌｅｔｈｙｌｓｕｌｆａｎｙｌ ｂｅｎｚｅｎｅ（５ｂ）の構造確認は^１Ｈ−ＮＭＲ、^１９Ｆ−ＮＭＲ、ＦＴ−ＩＲで行った。
^１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＴＭＳ ｉｎ ＣＤＣｌ_３）：δ２．３８（ｍ，４Ｈ，ｅｔｈｙｌ ｐｒｏｔｏｎｓ），３．１１（ｍ，４Ｈ，ｅｔｈｙｌ ｐｒｏｔｏｎｓ），７．３２（ｓ，４Ｈ，ｐｈｅｎｙｌ ｐｒｏｔｏｎｓ）
^１９Ｆ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，Ｂｅｎｚｏｔｒｉｆｌｕｏｒｉｄｅ ｉｎ ＣＤＣｌ_３）：δ−８２．０（ｔ，Ｊ＝６．１５Ｈｚ，６Ｆ，−ＣＦ_３），−１１５．４（ｍ，４Ｆ，−ＣＨ_２−ＣＦ_２−），−１２５．３（ｍ，４Ｆ，−ＣＦ_２−），−１２７．０（ｍ，４Ｆ，−ＣＦ_２−）
ＦＴ−ＩＲ：２５５０ｃｍ^−１の−ＳＨによる吸収バンドが消失していることを確認した。

合成例８
不活性ガス雰囲気下、反応容器に１，４−Ｄｉｐｅｒｆｌｕｏｒｏｂｕｔｙｌｅｔｈｙｌｓｕｌｆａｎｙｌ ｂｅｎｚｅｎｅ（５ｂ）３．７９ｇ、ジクロロメタン２２．１ｍＬ、ヨウ素１粒を加え撹拌した。反応容器を遮光し、氷冷下で臭素６．４９ｍＬを滴下した。滴下終了後、室温で７２時間撹拌した。
反応終了後、チオ硫酸ナトリウム水溶液に注ぎ込み反応を停止させた。反応混合物に対して各種精製操作を行って単離し、白色結晶の２，５−Ｄｉｂｒｏｍｏ−１，４−ｂｉｓ−ｐｅｒｆｌｕｏｒｏｂｕｔｙｌｅｔｈｙｌｓｕｌｆａｎｙｌ ｂｅｎｚｅｎｅ（６ｂ）を得た。収量は３．７１ｇ、収率は７８．４％であった。

２，５−Ｄｉｂｒｏｍｏ−１，４−ｂｉｓ−ｐｅｒｆｌｕｏｒｏｂｕｔｙｌｅｔｈｙｌｓｕｌｆａｎｙｌ ｂｅｎｚｅｎｅ（６ｂ）の構造確認は^１Ｈ−ＮＭＲ、^１９Ｆ−ＮＭＲで行った。
^１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＴＭＳ ｉｎ ＣＤＣｌ_３）：δ２．４５（ｍ，４Ｈ，ｅｔｈｙｌ ｐｒｏｔｏｎｓ），３．１５（ｍ，４Ｈ，ｅｔｈｙｌ ｐｒｏｔｏｎｓ），７．４６（ｓ，２Ｈ，ｐｈｅｎｙｌ ｐｒｏｔｏｎｓ）
^１９Ｆ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，Ｂｅｎｚｏｔｒｉｆｌｕｏｒｉｄｅ ｉｎ ＣＤＣｌ_３）：δ−８２．０（ｔ，Ｊ＝３．０５Ｈｚ，６Ｆ，−ＣＦ_３），−１１５．２（ｍ，４Ｆ，−ＣＨ_２−ＣＦ_２−），−１２５．２（ｍ，４Ｆ，−ＣＦ_２−），−１２７．０（ｍ，４Ｆ，−ＣＦ_２−）

合成例９
不活性ガス雰囲気下、反応容器にマグネシウム０．３５５ｇ、クロロジメチルシラン１．４１ｇ、ＴＨＦ３．３０ｍＬ、ヨウ素１粒を加え撹拌した。２，５−Ｄｉｂｒｏｍｏ−１，４−ｂｉｓ−ｐｅｒｆｌｕｏｒｏｂｕｔｙｌｅｔｈｙｌｓｕｌｆａｎｙｌ ｂｅｎｚｅｎｅ（６ｂ）１．９３ｇとＴＨＦ３．１０ｍＬの混合溶液を滴下し１２時間還流させた。
反応終了後、希塩酸水に注ぎ込んだ。反応混合物に対して各種精製操作を行って単離し、白色固体の２，５−Ｄｉｍｅｔｈｙｌｓｉｌｙｌ−１，４−ｂｉｓ−ｐｅｒｆｌｕｏｒｏｂｕｔｙｌｅｔｈｙｌｓｕｌｆａｎｙｌ ｂｅｎｚｅｎｅ（７ｂ）を得た。収量は０．９３８ｇ、収率は５１．２％であった。

２，５−Ｄｉｍｅｔｈｙｌｓｉｌｙｌ−１，４−ｂｉｓ−ｐｅｒｆｌｕｏｒｏｂｕｔｙｌｅｔｈｙｌｓｕｌｆａｎｙｌ ｂｅｎｚｅｎｅ（７ｂ）の構造確認は^１Ｈ−ＮＭＲ、^１９Ｆ−ＮＭＲ、ＦＴ−ＩＲで行った。
^１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３）：δ０．４１（ｓ，１２Ｈ，ｄｉｍｅｔｈｙｌ ｓｉｌｙｌ ｐｒｏｔｏｎｓ），２．３９（ｍ，４Ｈ，ｅｔｈｙｌ ｐｒｏｔｏｎｓ），３．１２（ｍ，４Ｈ，ｅｔｈｙｌ ｐｒｏｔｏｎｓ），４．５４（ｍ，２Ｈ，ｓｉｌｙｌ ｐｒｏｔｏｎｓ），７．５０（ｓ，２Ｈ，ｐｈｅｎｙｌ ｐｒｏｔｏｎｓ）
^１９Ｆ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，Ｂｅｎｚｏｔｒｉｆｌｕｏｒｉｄｅ ｉｎ ＣＤＣｌ_３）：δ−８２．０（ｔ，Ｊ＝３．１０Ｈｚ，６Ｆ，−ＣＦ_３），−１１５．４（ｍ，４Ｆ，−ＣＨ_２−ＣＦ_２−），−１２５．４（ｍ，４Ｆ，−ＣＦ_２−），−１２７．１（ｍ，４Ｆ，−ＣＦ_２−）
ＦＴ−ＩＲ：１２５０ｃｍ^−１と２１４０ｃｍ^−１にジメチルシリル基に起因する吸収バンドを確認した。

合成例１０
反応容器にＴＨＦ１．７０ｍＬ、Ｈ_２Ｏ０．１１０ｍＬ、５％Ｐｄ／Ｃ０．１００ｇを加え撹拌した。２，５−Ｄｉｍｅｔｈｙｌｓｉｌｙｌ−１，４−ｂｉｓ−ｐｅｒｆｌｕｏｒｏｂｕｔｙｌｅｔｈｙｌｓｕｌｆａｎｙｌ ｂｅｎｚｅｎｅ（７ｂ）０．７６７ｇとＴＨＦ１．７０ｍＬの混合溶液を滴下し、室温下で４時間撹拌した。
反応混合物に対して各種精製操作を行い、白色固体の２，５−Ｄｉｍｅｔｈｙｌｈｙｄｒｏｘｙｓｉｌｙｌ−１，４−ｂｉｓ−ｐｅｒｆｌｕｏｒｏｂｕｔｙｌｅｔｈｙｌｓｕｌｆａｎｙｌ ｂｅｎｚｅｎｅ（Ｍ２ｂ）を得た。収量は０．６８４ｇ、収率は８５．７％であった。

２，５−Ｄｉｍｅｔｈｙｌｈｙｄｒｏｘｙｓｉｌｙｌ−１，４−ｂｉｓ−ｐｅｒｆｌｕｏｒｏｂｕｔｙｌｅｔｈｙｌｓｕｌｆａｎｙｌ ｂｅｎｚｅｎｅ（Ｍ２ｂ）の構造確認は^１Ｈ−ＮＭＲ、^１９Ｆ−ＮＭＲ、ＦＴ−ＩＲで行った。
^１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３）：δ０．４８（ｓ，１２Ｈ，ｄｉｍｅｔｈｙｌ ｓｉｌｙｌ ｐｒｏｔｏｎｓ），１．８０（ｓ，２Ｈ，ｈｙｄｒｏｘｙｌ ｐｒｏｔｏｎｓ），２．４１（ｍ，４Ｈ，ｅｔｈｙｌ ｐｒｏｔｏｎｓ），３．１６（ｍ，４Ｈ，ｅｔｈｙｌ ｐｒｏｔｏｎｓ），７．５９（ｓ，２Ｈ，ｐｈｅｎｙｌ ｐｒｏｔｏｎｓ）
^１９Ｆ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，Ｂｅｎｚｏｔｒｉｆｌｕｏｒｉｄｅ ｉｎ ＣＤＣｌ_３）：δ−８２．０（ｔ，Ｊ＝３．１０Ｈｚ，６Ｆ，−ＣＦ_３），−１１５．４（ｍ，４Ｆ，−ＣＨ_２−ＣＦ_２−），−１２５．３（ｍ，４Ｆ，−ＣＦ_２−），−１２７．０（ｍ，４Ｆ，−ＣＦ_２−）
ＦＴ−ＩＲ：２１４０ｃｍ^−１のジメチルシリル基（Ｓｉ−（ＣＨ_３）_２Ｈ）に起因する吸収バンドの消失、及び、３３００ｃｍ^−１の水酸基の吸収バンドを確認した。

合成例１１
反応容器に２，５−Ｄｉｍｅｔｈｙｌｈｙｄｒｏｘｙｓｉｌｙｌ−１，４−ｂｉｓ−ｐｅｒｆｌｕｏｒｏｂｕｔｙｌｅｔｈｙｌｓｕｌｆａｎｙｌ ｂｅｎｚｅｎｅ（Ｍ２ｂ）０．５８９ｇ、ベンゼン２．５０ｍＬを加え撹拌した。１，１，３，３−テトラメチルグアニジニウム−２−エチルヘキサノエート（１，１，３，３−テトラメチルグアニジン：２−エチルヘキサン酸＝１：１ｍｏｌでの混合物）をスパチュラ１杯加え２４時間還流撹拌した。
反応溶液に対し各種精製操作を行い、白色固体のＰｏｌｙ［２，５−（ｐｅｒｆｌｕｏｒｏｂｕｔｙｌｅｔｈｙｌｓｕｌｆａｎｙｌ）ｔｅｔｒａｍｅｔｈｙｌ−１，４−ｓｉｌｐｈｅｎｙｌｅｎｅｓｉｌｏｘａｎｅ］（Ｐ２ｂ）を得た。収量は０．５１０ｇ、収率は８６．６％であった。

Ｐｏｌｙ［２，５−（ｐｅｒｆｌｕｏｒｏｂｕｔｙｌｅｔｈｙｌｓｕｌｆａｎｙｌ）ｔｅｔｒａｍｅｔｈｙｌ−１，４−ｓｉｌｐｈｅｎｙｌｅｎｅｓｉｌｏｘａｎｅ］（Ｐ２ｂ）の構造確認は^１Ｈ−ＮＭＲ、^１９Ｆ−ＮＭＲ、ＦＴ−ＩＲ、ＧＰＣで行った。
^１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３）：δ０．４６（ｓ，１２Ｈ，ｄｉｍｅｔｈｙｌ ｓｉｌｙｌ ｐｒｏｔｏｎｓ），２．２８（ｍ，４Ｈ，ｅｔｈｙｌ ｐｒｏｔｏｎｓ），３．０２（ｍ，４Ｈ，ｅｔｈｙｌ ｐｒｏｔｏｎｓ），７．６６（ｓ，２Ｈ，ｐｈｅｎｙｌ ｐｒｏｔｏｎｓ）
^１９Ｆ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，Ｂｅｎｚｏｔｒｉｆｌｕｏｒｉｄｅ ｉｎ ＣＤＣｌ_３）：δ−８２．８（ｍ，６Ｆ，−ＣＦ_３），−１１６．０（ｍ，４Ｆ，−ＣＦ_２−），−１２５．９（ｍ，４Ｆ，−ＣＦ_２−），−１２７．７（ｍ，４Ｆ，−ＣＨ_２−ＣＦ_２−）
ＦＴ−ＩＲ：３３００ｃｍ^−１の水酸基に起因する吸収バンドの消失、及び、１０８０ｃｍ^−１のＳｉ−Ｏ−Ｓｉの吸収バンドを確認した。
ＧＰＣ：ポリマーの数平均分子量は、２．１×１０^５であった。

合成例１２
二口フラスコに蒸留ＴＨＦ ０．４４ｍＬ、Ｈ_２Ｏ ０．０２８４ｍＬ（１．５８０ｍｍｏｌ）、５％Ｐｄ／Ｃ ０．０２００ｇを加え撹拌した。２，５−Ｄｉｍｅｔｈｙｌｓｉｌｙｌ−１，４−ｂｉｓ−ｐｅｒｆｌｕｏｒｏｈｅｘｙｌｅｔｈｙｌｓｕｌｆａｎｙｌ ｂｅｎｚｅｎｅ （７ｃ）０．２５０ｇ（０．２６３ｍｍｏｌ）と蒸留ＴＨＦ ０．４４ｍＬの混合溶液を滴下し、室温下で４時間撹拌した。
セライトろ過で５％Ｐｄ／Ｃを取り除き、ろ液を減圧下で溶媒を留去した。シリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：酢酸エチル：ヘキサン＝１：５、Ｒｆ値＝０．３８）で単離した。へキサンで再結晶を行い、白色結晶（Ｍ２ｃ）を得た。収量０．２０７ｇ、収率は８０％であった。

２，５−Ｄｉｍｅｔｈｙｌｈｙｄｒｏｘｙｓｉｌｙｌ−１，４−ｂｉｓ−ｐｅｒｆｌｕｏｒｏｈｅｘｙｌｅｔｈｙｌｓｕｌｆａｎｙｌ ｂｅｎｚｅｎｅ （Ｍ２ｃ）の構造確認は^１Ｈ−ＮＭＲ、^１３Ｃ−ＮＭＲ、^１９Ｆ−ＮＭＲ、ＦＴ−ＩＲで行った。
^１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３）：δ０．４８ （ｓ，１２Ｈ，ｄｉｍｅｔｈｙｌ ｓｉｌｙｌ ｐｒｏｔｏｎｓ），２．４１ （ｔｔ，Ｊ＝８．４５ Ｈｚ，２６．１Ｈｚ，４Ｈ，ｅｔｈｙｌ ｐｒｏｔｏｎｓ），３．１６ （ｍ， ４Ｈ， ｅｔｈｙｌ ｐｒｏｔｏｎｓ），７．５９（ｓ，２Ｈ，ｐｈｅｎｙｌ ｐｒｏｔｏｎｓ）
^１３Ｃ−ＮＭＲ（１００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３）：δ１．１１ （ｄｉｍｅｔｈｙｌ ｓｉｌｙｌ ｃａｒｂｏｎｓ）， ２６．４ （ｅｔｈｙｌ ｃａｒｂｏｎｓ）， ３１．５ （ｅｔｈｙｌ ｃａｒｂｏｎｓ）， １３６．９ （ｐｈｅｎｙｌ ｃａｒｂｏｎｓ）， １３８．３ （ｐｈｅｎｙｌ ｃａｒｂｏｎｓ）， １４４．８ （ｐｈｅｎｙｌ ｃａｒｂｏｎｓ）
^１９Ｆ−ＮＭＲ（３７６ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３）：δ−８１．８ （ｔｔ， Ｊ＝ １．１ Ｈｚ，１０．１ Ｈｚ ６Ｆ，−ＣＦ_３），−１１５．２ （ｍ， ４Ｆ， −ＣＨ_２−ＣＦ_２− ），−１２２．９ （ｓ， ４Ｆ， −ＣＦ_２− ），−１２３．９ （ｓ，４Ｆ，−ＣＦ_２−），−１２４．４ （ｄ， Ｊ＝ １２．７ Ｈｚ， ４Ｆ， −ＣＦ_２−），−１２７．２ （ｍ，４Ｆ，−ＣＦ_２−）
ＦＴ−ＩＲ：２１４０ｃｍ^−１のジメチルシリル基（Ｓｉ−（ＣＨ_３）_２Ｈ）に起因する吸収バンドが消失し，３３００ｃｍ^−１に水酸基の吸収バンドを確認した。

合成例１３
ナス型フラスコに合成例１２で得られた（Ｍ２ｃ）を０．７４０ｇ（０．７５３ｍｍｏｌ）、ベンゼン２．５ｍＬを加え撹拌した。１，１，３，３−テトラメチルグアニジニウム−２−エチルヘキサノエート（１，１，３，３−テトラメチルグアニジン：２−エチルヘキサン酸＝１：１ｍｏｌでの混合物）をスパチュラ１杯加え２４時間還流撹拌した。
反応終了後、メタノールによる洗浄を３回行い、Ｐｏｌｙ［２，５−（ｐｅｒｆｌｕｏｒｏｈｅｘｙｌｅｔｈｙｌｓｕｌｆａｎｙｌ）ｔｅｔｒａｍｅｔｈｙｌ−１，４−ｓｉｌｐｈｅｎｙｌｅｎｅｓｉｌｏｘａｎｅ］（Ｐ２ｃ）を回収した。

実施例１
合成例１３で得られたＰｏｌｙ［２，５−（ｐｅｒｆｌｕｏｒｏｈｅｘｙｌｅｔｈｙｌｓｕｌｆａｎｙｌ）ｔｅｔｒａｍｅｔｈｙｌ−１，４−ｓｉｌｐｈｅｎｙｌｅｎｅｓｉｌｏｘａｎｅ］（Ｐ２ｃ）を１００℃、１０分間プレスしてシートを作製し、さらにカッターナイフを用いて一辺５ｍｍの角形サンプルを作製し、ＲＦ電極の中心部に配置した後、以下の条件下でプラズマ照射処理を行い、照射前後の重量を測定して単位面積あたりの重量減少を調べた。結果を表１に示す。

プラズマ照射装置：
サムコ株式会社製高密度プラズマＩＣＰエッチング装置ＭＯＤＥＬ ＲＩＥ−１０１ｉＰＨ

プラズマ照射条件：
ガス：酸素
ガス流量：１６ｓｃｃｍ
ＲＦ出力：４００Ｗ
圧力：２．６６Ｐａ
エッチング時間：６０分間

重量測定：
ザルトリウス（Ｓａｒｔｏｒｉｕｓ）・ＧＭＢＨ（株）製の電子分析天秤ＢＰ２１１Ｄを使用し、０．０１ｍｇまで重量を測定し０．０１ｍｇの桁を四捨五入する。

比較例１
Ｃａｎｃａｒｂ社製カーボンブラックＴｈｅｒｍａｘ Ｎ９９０を錠剤成型器により７ｍｍφの錠剤を作製して被験サンプルとして用いたほかは実施例１と同様にしてプラズマ照射し、照射前後の重量を測定して単位面積あたりの重量減少を調べた。結果を表１に示す。

実施例２
実施例１と同様にしてＰｏｌｙ［２，５−（ｐｅｒｆｌｕｏｒｏｈｅｘｙｌｅｔｈｙｌｓｕｌｆａｎｙｌ）ｔｅｔｒａｍｅｔｈｙｌ−１，４−ｓｉｌｐｈｅｎｙｌｅｎｅｓｉｌｏｘａｎｅ］（Ｐ２ｃ）の一辺５ｍｍの角形サンプルを作製し、ＲＦ電極の中心部に配置した後、以下の条件下でプラズマ照射処理を行い、照射前後の重量を測定して単位面積あたりの重量減少を調べた。結果を表２に示す。

プラズマ照射条件：
ガス：ＣＦ_４
ガス流量：１６ｓｃｃｍ
ＲＦ出力：４００Ｗ
圧力：２．６６Ｐａ
エッチング時間：６０分間

比較例２
日本アエロジル社製シリカＡｅｒｏｓｉｌ ５０を錠剤成型器により７ｍｍφの錠剤を作製して被験サンプルとして用いたほかは実施例２と同様にしてプラズマ照射し、照射前後の重量を測定して単位面積あたりの重量減少を調べた。結果を表２に示す。

実施例３
含フッ素エラストマー（ＴＦＥ／ＰＭＶＥ／シアノ基含有単量体＝５９．４／４０．１／０．５（モル比））１００質量部に対して、合成例１３で得られたＰｏｌｙ［２，５−（ｐｅｒｆｌｕｏｒｏｈｅｘｙｌｅｔｈｙｌｓｕｌｆａｎｙｌ）ｔｅｔｒａｍｅｔｈｙｌ−１，４−ｓｉｌｐｈｅｎｙｌｅｎｅｓｉｌｏｘａｎｅ］（Ｐ２ｃ）１０質量部、架橋剤２，２−ビス［３−アミノ−４−（Ｎ−フェニルアミノ）フェニル］ヘキサフルオロプロパン０．８質量部を１５００質量部の含フッ素溶剤中で予備混合してから、６０℃で含フッ素溶剤を揮発させ、オープンロールにて混練して含フッ素エラストマー組成物を得た。なお、含フッ素溶剤は、Ｒ−３１８（ダイキン工業（株）製、主成分：Ｃ_４Ｆ_８Ｃｌ_２）を用いた。

得られた含フッ素エラストマー組成物を、１８０℃で３０分間プレスして架橋を行ったのち、さらに２９０℃のオーブン中で１８時間かけてオーブン架橋し成形品を得た。
得られた成形品について、後述の耐プラズマ性評価を行った。耐プラズマ性評価の結果を表３に示す。

比較例３
実施例１のＰｏｌｙ［２，５−（ｐｅｒｆｌｕｏｒｏｈｅｘｙｌｅｔｈｙｌｓｕｌｆａｎｙｌ）ｔｅｔｒａｍｅｔｈｙｌ−１，４−ｓｉｌｐｈｅｎｙｌｅｎｅｓｉｌｏｘａｎｅ］（Ｐ２ｃ）を配合しなかった以外は、実施例３と同様にして、含フッ素エラストマー組成物を得た。得られた含フッ素エラストマー組成物から、実施例３と同様にして、成形品を得た。得られた成形品について、後述の耐プラズマ性評価を行った。耐プラズマ性評価の結果を表３に示す。

（耐プラズマ性評価）
実施例３、比較例３で得られた成形品について、一部をカプトン電気絶縁用テープにて被覆し、以下の条件下でプラズマ照射処理を行い、被覆面と暴露面との段差を測定してエッチング量を調べた。結果を表３に示す。

プラズマ照射条件：
ガス：酸素、ＣＦ_４
ガス流量：１６ｓｃｃｍ
ＲＦ出力：４００Ｗ
圧力：２．６６Ｐａ
エッチング時間：３０分間

エッチング量測定：
株式会社キーエンス製 レーザマイクロスコープＶＫ−９７００を使用し、被覆面と暴露面との段差を測定してエッチング量を調べた。

実施例４
含フッ素エラストマー（ＴＦＥ／ＰＭＶＥ＝６０／４０／（モル比））１００質量部に対して、合成例１３で得られたＰｏｌｙ［２，５−（ｐｅｒｆｌｕｏｒｏｈｅｘｙｌｅｔｈｙｌｓｕｌｆａｎｙｌ）ｔｅｔｒａｍｅｔｈｙｌ−１，４−ｓｉｌｐｈｅｎｙｌｅｎｅｓｉｌｏｘａｎｅ］（Ｐ２ｃ） １０質量部を１５００質量部の含フッ素溶剤中で予備混合してから、６０℃で含フッ素溶剤を揮発させ、オープンロールにて混練して含フッ素エラストマー組成物を得た。また、含フッ素溶剤は、Ｒ−３１８（ダイキン工業（株）製、主成分：Ｃ_４Ｆ_８Ｃｌ_２）を用いた。

得られた含フッ素エラストマー組成物を、８５℃で、１０分間かけてプレス成形を行った。得られた成形品について、５０％質量減少温度の測定を行った。測定結果を表４に示す。

比較例４
合成例１３で得られたＰｏｌｙ［２，５−（ｐｅｒｆｌｕｏｒｏｈｅｘｙｌｅｔｈｙｌｓｕｌｆａｎｙｌ）ｔｅｔｒａｍｅｔｈｙｌ−１，４−ｓｉｌｐｈｅｎｙｌｅｎｅｓｉｌｏｘａｎｅ］（Ｐ２ｃ）を配合しなかった以外は、実施例４と同様にして、含フッ素エラストマー組成物を得た。得られた含フッ素エラストマー組成物から、実施例４と同様にして、成形品を得た。得られた成形品について、５０％質量減少温度の測定を行った。測定結果を表４に示す。

５０％質量減少温度
示差熱熱重量同時測定装置（セイコーインスツルメンツ社製 ＴＧ−ＤＴＡ６２００）を用い、空気２００ｍｌ／ｍｉｎ、昇温速度１０℃／ｍｉｎ、温度範囲２０〜６００℃の条件で質量変化を測定し、５０％質量減少時の温度を測定した。結果を表４に示す。

Claims (16)

1. 下記一般式（１）：
   

   

   （式中、Ｘ^１１及びＸ^１２は、同一又は異なり、水素原子、フッ素原子を有していてもよいアルキル基、又は、フェニル基を表す。Ｙ^１１は、酸素原子又は硫黄原子を表す。Ｒｆ^１１は、−（ＣＦ_２）_ｎＣＦ_３（ｎは、０以上の整数を表す。）、又は、−（ＣＨ_２）_２（ＣＦ_２）_ｎＣＦ_３（ｎは、０以上の整数を表す。）を表す。ａは、１〜４の整数を表す。）で表される構造単位を繰り返し単位として有するポリマー。
2. 一般式（１）において、ベンゼン環に結合する一方のＳｉに対し、他方のＳｉがパラ位に位置している請求項１記載のポリマー。
3. 数平均分子量が０．５×１０^３〜１．０×１０^７である請求項１又は２記載のポリマー。
4. テトラフルオロエチレン［ＴＦＥ］に基づく重合単位を有する含フッ素ポリマー、及び、
   下記一般式（１）：
   

   

   （式中、Ｘ^１１及びＸ^１２は、同一又は異なり、水素原子、フッ素原子を有していてもよいアルキル基、又は、フェニル基を表す。Ｙ^１１は、酸素原子又は硫黄原子を表す。Ｒｆ^１１は、−（ＣＦ _２ ） _ｎ ＣＦ _３ （ｎは、０以上の整数を表す。）、又は、−（ＣＨ _２ ） _２ （ＣＦ _２ ） _ｎ ＣＦ _３ （ｎは、０以上の整数を表す。）を表す。ａは、１〜４の整数を表す。）で表される構造単位を繰り返し単位として有するポリマーを含むことを特徴とする組成物。
5. 一般式（１）において、ベンゼン環に結合する一方のＳｉに対し、他方のＳｉがパラ位に位置している請求項４記載の組成物。
6. 前記一般式（１）で表される構造単位を繰り返し単位として有するポリマーは、数平均分子量が０．５×１０^３〜１．０×１０^７である請求項４又は５記載の組成物。
7. 前記含フッ素ポリマーは、ＴＦＥに基づく重合単位を有する含フッ素エラストマーである請求項４、５又は６記載の組成物。
8. 前記含フッ素エラストマーは、ＴＦＥに基づく重合単位を有するパーフルオロエラストマーである請求項７記載の組成物。
9. 前記パーフルオロエラストマーは、ＴＦＥ／一般式（８）、（１０）又は（１１）で表されるフルオロモノマー共重合体及びＴＦＥ／一般式（８）、（１０）又は（１１）で表されるフルオロモノマー／架橋部位を与えるモノマー共重合体からなる群より選択される少なくとも１種である請求項８記載の組成物。
   一般式（８）：ＣＦ_２＝ＣＦ−ＯＲｆ^８１
   （式中、Ｒｆ^８１は、炭素数１〜８のパーフルオロアルキル基を表す。）で表されるフルオロモノマー、
   一般式（１０）：ＣＦ_２＝ＣＦＯＣＦ_２ＯＲｆ^１０１
   （式中、Ｒｆ^１０１は炭素数１〜６の直鎖又は分岐状パーフルオロアルキル基、炭素数５〜６の環式パーフルオロアルキル基、１〜３個の酸素原子を含む炭素数２〜６の直鎖又は分岐状パーフルオロオキシアルキル基である）で表されるフルオロモノマー、及び、
   一般式（１１）：ＣＦ_２＝ＣＦＯ（ＣＦ_２ＣＦ（Ｙ^１１１）Ｏ）_ｍ（ＣＦ_２）_ｎＦ
   （式中、Ｙ^１１１はフッ素原子又はトリフルオロメチル基を表す。ｍは１〜４の整数である。ｎは１〜４の整数である。）で表されるフルオロモノマー。
10. 前記パーフルオロエラストマーにおけるＴＦＥに基づく重合単位が全モノマーに基づく重合単位の４５モル％以上である、請求項８又は９記載の組成物。
11. 前記含フッ素ポリマーは、シアノ基を有する請求項４、５、６、７、８、９又は１０記載の組成物。
12. 前記含フッ素ポリマー１００質量部に対して０．５〜１００質量部の、前記一般式（１）で表される構造単位を繰り返し単位として有するポリマーを含む請求項４、５、６、７、８、９、１０又は１１記載の組成物。
13. 成形材料である請求項４、５、６、７、８、９、１０、１１又は１２記載の組成物。
14. 請求項４、５、６、７、８、９、１０、１１、１２又は１３記載の組成物から得られる成形品。
15. シール材である請求項１４記載の成形品。
16. 半導体製造装置のシール材である請求項１４又は１５記載の成形品。