TWI359816B - Borate and near-infrared ray absorption material - Google Patents

Description

1359816 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明有關於一種用於一近紅外線吸收材 料的领酸鹽，一種含有硼酸鹽的近紅外線吸收材 料，以及一種用於採用近紅外線吸收材料之一電 漿顯示器與一光學半導體元件的濾波器。特別 是’本發明有關於一種具有近紅外線吸收染料之 改良耐用性的删酸鹽，一種含有在可見光區域中 的透明度與耐久性優良之硼酸鹽的近紅外線吸 收材料，以及一種用於採用近紅外線吸收材料之 一電漿顯示器與一光學半導體元件的濾波器。 【先前技術】 近年來，應用在薄型與大面積螢幕之pDp • (PUsmaPane卜電漿顯示面板）已受到注 思。PDP在電聚放電時產生波長為_随（奈米） 、- 至1000議的近紅外線，且其產生近紅外缘引發 •家用電子設備之遙控器不正常運作的問題。此 - 外’由於用在CCD照相機之光學導體元件，以 - 及類似物對近紅外線區域具有高度敏感性，近紅 外線的去除係為必須的。在此狀態下，呈有古近 紅外線吸收力與在可見光區域之高透明度：近 5 1359816 紅外線吸收材料已屬必需的。 作為近紅外線吸收材料，添加可 線：染料的材料已為廣知。作為這種近紅= 收木科，化青類染料，聚次甲基類染料，方形酸 (Squarylium)類染料，t質類染料，二硫 =合物類染料’肽青類染料，二亞錢類染料 (iimmomum)，與類似物係被習知地採用。在這 些中，一二亞錢類染料因其在波長不少於9 0 〇 2 的高近紅外線吸收力與可見光區域中的透明度 而已經被廣泛運用（例如，見美國專= Β-6,255,031號與美國專利第B_6，S22,463號）。 :為用於一光學半導體元件之近紅線吸：材 '斗^含有一磷酸銅類化合物者亦被採用（例如， 見美國專利第A-5,567,778號）。 再者，由於PDP在主要由被封裝於面板内側 的稀有氣體’特別是I组成的氣體氛圍中產生放 2 ’並通過在放電過程產生的真空紫外線，使得 叹置於面板内側顯示單元中的螢光物質r，G和 β發光。在此發光過程中，對PDp運作為不必要 勺％磁波亦同日寸放出，且因而，電磁波的屏蔽亦 屬必要。此外，為抑制反射光，—抗反射薄膜與 —眩光預防薄臈（抗眩光薄膜）也是必要的。故， 用於電漿顯示器之—光學濾波器通常係經由將 1359816 近紅外線吸收薄膜、一電磁干擾屏蔽薄膜與 反射薄膜層壓在作為支#基材的玻璃上或衝ς 吸收溥板上而備製。此一用於電漿顯示器之光錢 遽波器可藉著設置纟pdp前表側或直接以膠I 劑或壓敏膠合劑黏著係被使用。 α 【發明内容】 然而，以二亞銨類染料為代表之一種近紅 線吸收染料有時可能耐久性不佳，且近紅外線吸 收力的劣化或呈色可能在顯示器或光學半導體 元件應用中帶來嚴重的問題。此種劣化被認為是 由不同口素如熱、潮濕與光照所引起的染料變性 而造成的。因而，近紅外線吸收染料耐久性之改 良方法常被習用地挑戰’但，其效果並不彰顯。 另外0為在#紅外線吸收材料中g高磷酸銅類 化σ物3里有困難，取得一在近紅外線吸收力優 良的薄膜材料實為不易。 因而本發明之一目的，是提供一種酸 鹽’其可有益地被使用在近紅外線吸收材料（染 ^ )中以增進近紅外線吸收染料的耐久性，特別 是，耐熱性與抗潮性。 本發明之另—目的提供一種在可見光區域 之透明度與耐久性優良之近紅外線吸收材料。 7 οσ本發明之再一目的提供一種用於電漿顯示 f之光學濾波器、用於光學半導體元件之濾波 器、電聚顯示器與光學半導體元件。 本案發明人深入地研究增進近紅外線吸收 染料’特別是’用於一光學濾波器之近紅外線吸 收材料的耐久性的方法，發現包括連結至硼原子 之具有吸電子基團的芳基的硼酸鹽能夠辦隹

紅外線吸收染料的耐久性，特別是，耐熱‘與;J /朝性，並且添加該硼酸鹽之近紅外線吸收材料在 y見光區域中之透明度與耐久性係優良的（特別 疋耐熱性與抗潮性）。此外，發明人亦發現通過 使用此種近紅外線吸收材料，在耐久性與可見光 區域之透明度表現優良的用於電漿顯示器之光 學濾波器與用於光學帛導體元件之光學濾波器 可被獲得。根據這些發現，本發明已屬完成。° 也就是說，通過用於近紅外線吸收材料的硼 酸鹽可達成該目的，該硼酸鹽具有一由以下化風 式（1)所示陰離子： 千 [BR mR 4_m]-⑴ 、其中R1代表具有一拉電子基團之芳基r 章巳 代表一有機基團，一齒素基團或一羥基；⑺是 圍為1至4間的整數。 此外，通過具有本發明之硼酸鹽與近紅外線 1359816 吸收染料的近紅外線吸收材料可達成另一目的。 通過使用本發明近紅外線吸收材料之用於 電漿顯*器的光學;慮波器及用☆光學半導體元 件之濾波器’與使用這些濾波器之電漿顯示器及 光學半導體元件，可達到再一目的。 由於本發明之彌酸鹽增進近紅外線吸收染 料之耐久性，特別是，耐熱性與抗潮性且更甚 者，不妨礙可見光區域的透明度，因此其可有優 勢地被使用在含習用地具有耐久性問題的二亞 銨類染料之各種近紅外線吸收材料（染料）中。 另外，藉著應用使用含有本發明硼酸鹽之近 紅外線吸收材料的光學濾波器，用於電漿=示器 或光學半導體元件，由於長時間保持近紅外線吸 收力與可見光區域之透明度，因此顯示器或光學 半導體元件的外觀可被改善。 t發明之以上與其他目的，實施例和其他優 點將藉著隨附較佳實施方式與圖式之說明變得 明白。 【實施方式】 以下將詳細說明本發明。 本1明之第一部分有關於一種用於近紅外 線吸收材料的硼酸鹽’具有以下化學式⑴所示陰 丄乃9816 離子：

Pd]- (1) 其中Ri代表含有一拉電子基團之芳基； 一有機基團，一卤去装+ 、，一甘. 又 ^素基或1基，而功是範圍為 1至4間的—個整數。 (1)化學式（1)之陰離子 用於本發明之一陰離子係由化學 的獨酸根陰離子，並通過鍵結具有—拉電= 不 之芳基至硼原子，近紅外線吸收染料之耐久；： 被改善。 了久性可 化學式（1)中R1代表含有一拉電子基 基，且不特別限定。其較佳 2 =至其之…2個碳原子子 “列來况，含有-拉電子基鍵結至其之苯美，关 =聯苯基。在以上所”基中，含有―‘電； 基鍵結至其（亦即，Ri是呈 子 的本基）的一苯基是在經濟上較佳的。 一 ，然化學式⑴中…的拉電子基並未受到特 別限疋，其尤佳地為選自 ' =),、N〇2，-CNmBr所組成群组 •cf:—取代基，，而其待佳地為選自於·CF3， -F所組成君’組之至少-取代基，且其最 田夕數拉電子基被包含在—芳基 ί〇

趣_電子基可為相同或不同 此，化學式（1)中的 (C6F5)，- -C6F4CF3 >. j签j兩相同或不同。本發明中， 的使用能夠增進而:}熱性與抗潮性。據 的R1較佳地為五氟苯基

6(CF3)5 ’以及其類似物，且五氟苯基係為特佳。 豆本發明中，透過添加具有含一拉電子基引介 至其之一芳基的硼酸根陰離子，近紅外線吸 料的耐熱性與抗潮性可被增進。 〃 風只要其為一有機基，一鹵素原子或一羥基， 化子式（1)中以R2表示之取代基不被特別限定， 1有機基可具有一拉電子基。有機基包括，舉例 ^說，具有1至12個碳原子的芳基（例如，苯基， 萘基與聯笨基）與具有丨至12個碳原子之烷基， 其具有一取代基者，及其類似物，但不特別受其 限定。特別地，一線型，分支或脂環烷基如甲基， 乙基，η-丙基，異丙基，n_ 丁基，異丁基，二級 丁基’二級丁基’ η-戊基，1-曱基丁基，卜乙基 丙基，1，2-雙曱基丁基’ 1，1_雙曱基丙基，第2 丁基，η-己基與環己基可被引用。特別是，當有 機基為一院基，其較佳地具有—拉電子基，且其 内所有或部分氫原子係為氟原子所取代為更 仏具貼而5 ’二氟曱基’ 2,2,2-三氟^乙基，^3 3_ :氟：基，4,4,4_三氟丁基’全I乙基，全氟丙 土王氟丁基，與其類似物可被引用。一鹵素原 子特別地包括，例如，-F，-C卜-Br與，且_F 為較佳的。 ,本發明中，只要是i至4,化學式（1)中之m 並不特疋，然而，其較佳地為4，即，具有以 [B(R )4]表不之一結構者。若本發明中m不小於 2，複數個R1，可含括在一硼酸根陰離子中，且 此情況中，多重Ri中的每一個可相同或不同。 如化學式（1)所示硼酸根陰離子，例如 [B(C6F5)4]_ (四（五氟苯基）硼酸鹽）， [B(C6F4CF3)4]· > [B(C6F5)3(C6H5)]- > [b(c6f5)2(c6h5)2]-，[b(c6f5)(c6h5)3]-， B(C6F5)3F]-，[b(c6f5)2f2]-，[b(c6f5)f3]-， [B(C6F5)3(CF3)]-，[B(C6F5)2(CF3)2]-， [B(C6F5)(CF3)3；r，[B(C6F5)3(C6F4CF3)r， [b(c6f5)2(c6f4cf3)2]-，B(C6F5)(C6F4CF3)3r ’ [b(c6f4cf3)3f]-，[b(c6f4cf3)2f2]-， [B(C6F4CF3)F3r，[B(C6F4CF3)3(CF3)r， [B(C6F4CF3)2(CF3)2r，[B(C6F4CF3)(CF3)3r ’ [B(C6F5)3(C6H13)；r ’ [b(c6f5)2(c6h丨3)2r ’ [B(C6F5)(C6Hl3)3r ’ [B(C6H4CF3)4r ’ [b(c6h3F2)4；T，及其類似物可被引用。本發明中， 1359816 在硼酸根陰離子之例中，[B(C6F5)4]-係更佳的。 本發明中，硼酸根陰離子可單獨或多於兩者之混 合形式被使用。 (2)包含化學式（1)之陰離子的鹽類 含有化學式（1)陰離子之一鹽類可在化學式 (1)的硼酸根陰離子與具有近紅外線吸收力的陽 離子間形成’或者是在化學式（1)的ί朋酸根陰離子 與不具有近紅外線吸收力之陽離子間形成的一 鹽類。前一情形中，一硼酸鹽能夠作為一近紅外 線吸收材料（染料），且亦能展現提升的耐久性， 特別是，耐熱性與抗潮性。在後—情形中，因其 本身無法展現近紅外線吸收力，透過與一近紅外 線吸收染料混合，生成經混合近紅外線吸收材料 (―染料）之耐久性，特別地，耐熱性與抗潮性可顯 著地改善。 後者之一實施方式，即，本發明硼 學式⑴之㈣根陰離子與不具近紅外線吸= 之—陽離子間形成的一鹽類，以下將被說明。 趟+作為含有根據本發明化學式（1)陰離子之一 :類，以下硼酸根陰離子之鹽類可被制：鹼全 如鋰，鋼，鉀，铷與铯的鹽類；驗土金屬如皱， ，吴’鈣，錯與鋇的鹽類；過渡金屬如銀、鋼的趟 !3 1359816 類；銨如銨，η- 丁基銨，二曱基銨，三曱基銨， 三乙基敍，三異丙基敍，三- η-丁基錢，四曱基錢’ 四乙基敍，四-η -丁基錢與Ν，Ν-二曱基環己基錢 的鹽類；苯銨如Ν-曱基苯銨，Ν,Ν-二甲基苯銨， Ν,Ν-二曱基-4-甲基苯銨，Ν，Ν-二乙基苯銨，Ν,Ν-二苯基苯銨與Ν,Ν，Ν-三曱基苯銨的鹽類；吡啶鑌 鹽如°比σ定鏽，Ν-曱基D比β定鑌，Ν- 丁基σ比π定鐵，Ν-甲基-4-甲基咕啶鑌，Ν-苯甲基吼啶鑌，3-甲基-Ν-丁基吡啶鑌，2-曱基吡啶鑌，3-甲基吡啶鑌，4-曱基吼啶鑌，2,3-雙曱基。比啶鑌，2,4-雙曱基吼 啶鏽，2,6-雙曱基吼啶鑌，3,4-雙曱基《比啶鏽， 3,5-雙甲基。比啶鑌，2,4,6-三曱基吼啶鏽，2-氟 吡啶鑌，3-氟吡啶鑌，4-氟吡啶鏽，2,6-二氟吡 啶鑌，2,3,4,5,6-五氟吼啶鑌，2-氯吼啶鑌，3-氯 °比啶鏽，4-氯吼啶銪，2,3-二氯吼啶鏽，2,5-二氯 吼啶鑌，2,6-二氯吡啶鑌，3,5-二氯吼啶鑌，3,5-二氣-2,4,6-三氟吡啶鑌，2-溴吡啶鏽，3-溴吡啶 鑌，4 -漠1^比°定鑌，2,5 -二漠°比σ定鏽，2,6 -二漠°比σ定 鑷，3,5-二溴吼啶鑌，2-氰基吼啶鑌，3-氰基。比 咬鏽，4 -氰基α比π定鑕，2 -經基α比α定錯，3 -經基σ比 啶鏽，4-羥基吼啶鑌，2,3-雙羥基。比啶鏽，2,4-雙羥基吡啶鑌，2-曱基-5-乙基吼啶鐫，2-氣-3-氰基吡啶錯，4-碳醯胺吡啶鏽，4-曱醛吡啶鏽， 1359816 2-苯基=啶鏽，3·苯基吡啶鏽，4·苯基吡啶鑌， 2,6_一苯基吡啶鑌，4-硝基吡啶鑌，4-甲氧基吡 啶鑌，4-乙烯基吡啶鏽，4_硫醇吡啶鏽，4二; 基口比咬鏽，2,6-二+丁基吸⑽，2_笨甲基_ 鏽’ 3-乙醯基吼咬鑌，4_乙基吼。定鑌，2,酸吼 啶鏆’ 4-竣酸。比咬鑌，2_笨甲酿吡咬鎮的雎類. 咪唑鏽鹽如咪唑鏽，U甲基咪唑鏽，丨_乙基^ 曱基咪唑鏘，丨_丙基_3_甲基咪唑鏽，^丁^^ 曱基咪唑鑷，1_己基_3_甲基咪唑鏽，丨_甲基 辛基咪唑鑷，1_甲基_N_笨甲基咪唑鏽，丨_甲某 -3、-(3-苯丙基）β米唑鑌，^丁基_2,3_雙甲基咪= 鏽，1-乙基-2,3-雙曱基咪唑鑌的鹽類；吡咯烷鑌 鹽如1-乙基-1 —曱基吡咯烷鏽與丨_ 丁基甲2 = 咯烷鑌的鹽類；喹啉鑌鹽如喹啉鏽，異喹啉ς = 鹽類;碳鑌鹽如三苯基碳鑌與三I曱氧基笨：鏽 的鹽類；辚陽離子如二甲基苯基鎮，三苯基鱗， 四乙基鱗與四苯基鱗的鹽類；錡如三甲基錡與三 苯基疏的鹽類；蛾鏽鹽如二苯基峨鑌與二_4_甲氧 苯基蛾鑌的鹽類。在該情形中，若一硼酸根陰離 子係以私土金屬鹽形式被使用’依據本發明之— 鹽類係採取一形式其中每一個鹼土金屬鍵結兩 個，酸根陰離子者。 在這些鹽類中，不具有近紅外線吸收力之— 15 較佳陽離子包括一鹼金屬鹽，一銨鹽與一含有氮 的有機陽離子鹽。含有包括鈉，銨，β比啶鏽，笨 鉍，咪唑鑌，吡咯烷鑌，與喹啉鑷任一結構之陽 離子的鹽類係較佳地被使用。特佳地，例如，四 (五氟苯基）硼酸鹽的Ν，Ν-二甲基環己基銨鹽， Ν,Ν-—甲基_4·甲基苯錄鹽，乙基苯錢鹽， ^甲基味唾鏘鹽，與喹啉鑌鹽類可被使用。因為 硼酸鹽不具有近紅外線吸收力，其較佳地連同近 紅外線吸收染料使用。在該情形t，硼酸鹽可單 獨或甚於兩者之混合形式地被使用。 於此關係，本發明中，陽離子能夠單獨作為 朋酉夂根陰離子的相對離子，&者以兩者或更多者 之混合形式作為硼酸根陰離子的相對離子。 隹：、、：本舍明近紅外線吸收材料中以化學式 (υ表示的陰離子鹽數量可被選定，適當的，根據 …用/、幸乂佳地在〇·5至0.8莫耳（m〇ie)範圍中， 且更幺地在1 i 5莫耳，以合併使用！莫耳近红 外線吸收染料為基準。在該情形巾，低於〇·5莫 :的陰離子鹽化學式量將提供鍵結有包括一拉 電子基之芳基的不足量爛原子被添加，其可能益 :提供耐久性有效率的改善者，而超過8莫耳之 里則可能相較於添加無法提供效果且不經濟。 繼而，對前情形中做出說明1，一實施方 式於其中本發明硼酸鹽係為 籬早谕目士/ L ^ 兀予式（1)爛酸根陰 子/、具有近紅外線吸收力之陽離子，特別是， 二=紅：線吸收力的有機陽離子間所形成。此 it形中’由於硼酸鹽本身亦軎 收汍社 ^ j田成—近紅外線吸 收木枓，本發明硼酸鹽本身可合 . 田成一近紅外線吸 收材料，且透過硼酸根陰離子 0. d. ,, ΛΙ 離卞的出現，近紅外線 及收材料具有較理想的耐久性 和抗潮性。 ⑽，特別A，耐熱性 n只要其為在波長範圍700至12〇〇nm間具有

絕佳近紅外線吸收力的陽M 承次4又刀扪防離子，與化學式（1)硼酸 根陰離子形成相對離子且包括近紅外線吸收力 之陽離子並不受到特別限制。舉例來說，二亞錢 陽離子與一肽青染料類陽離子可被含括。這些 中，二亞銨陽離子在波長範圍900至12㈧^爪之 近紅外線吸收力較理想、’而月太f染料基陽離子在 波長範圍700至1000 nm2近紅外線吸收力較理 想。 右一與化學式（1)硼酸根陰離子形成相對離 子且包括近紅外線吸收力之陽離子為二亞銨陽 離子，一亞銨陽離子並不受到特定，只要其在波 長900至丨200 nm範圍具備優越的近紅外線吸收 阻斷效率即可，而較佳地為以下化學式（2)之陽離 子。如化學式（2)所示此二亞銨陽離子在可見光區 一、问透明度，且透過使用在電漿顯示器光學元 風中’其能夠改善顯示表現，或透過使用用於光 半導體7G件之光學濾波器中，其能夠增強CCD 相機的敏感度。 R4

牡衣

(2) 亞銨陽離子的化學式（2)中 t所代表的取代基包括氫原子，鹵素原子與具 “至個碳原子之烧基，或具有！至1〇個ς 原子和具有一取代基的烷基。 :做-i素原+，例如’氟原子，氯原子， /臭原子與碘原子可被含括。 如具有1至1〇個碳原子的燒基，舉例來說， 刀支’或峨基如甲基，乙基，η-丙基， ::ίτ 丁基’異丁基’二級丁基，三級丁基， 1，1-二甲基丙基，m η ρ 基丙基’ 被含括。 第-丁一己基與環己基可 1359816 如與可具有取代基的具有1至1〇個碳原子 之烷基可連結的一取代基，其包括，氰基；羥基； 鹵素原子如氟原子，氣原子與溴原子；具有丨至 6個碳原子之烷氧基，如甲氧基，乙氧基，丙 氧基與η-丁氧基；具有2至8個碳原子之烷氧基 烷氧基，如甲氧曱氧基，乙氧基甲氧基，甲氧基 乙氧基，乙氧基乙氧基，甲氧基丙氧基，甲氧基 丁氧基與乙氧基丁氧基；具有31 15個碳原子 之烷氧基烷氧基烷氧基，如甲氧基甲氧基甲氧 基’曱氧基曱氧基乙氧基，曱氧基乙氧基乙氧基 與乙氧基乙氧基乙氧基；烯丙氧基；具有6至a 個奴原子之芳氧基如苯氧基，甲笨氧基，二甲苯 具有2纟7個竣原子之烧氧幾基 :甲氧羰基，乙氧羰基’ n-丙氧羰基，異丙氧羰 :與η-丁氧羰基；具有2至7個碳原子之烷基幾 乳基如甲基幾氧基’乙基羰氧基，η_丙基截氧基 氧基;具有2至7個碳原子之燒氧； :基如甲錢氧基，乙嶋基，η_丙氧幾氧 土 ’ η-丁氧羰氧基與類似物可被含括。特別地， R至^包括S氣甲基，2,2,2_三氟乙基，％ :亂丙基，Μ，4-三氟丁基，全氟乙基，全氟丙 土，全氟丁基，及其類似物。 3 本發明中◦可以是同—或不同者 1359816 脸之；、車又佳地為全部同一。此外，用以作為雙 :之鍵結位置，對應連結至苯二胺骨架之氮原子 .P立就衣造角度來看係較為方便，即使對其 不特加限定。 /、'' 用以製造化學式（1)硼酸根陰離子盥 (2)二亞銨陽離子間的—趟 =/予 ,.ra 鹽；的方法並不特加限 、σ 已知方法或一已知方法之經停 飾Τ法被製造。舉例來說，酸根陰離子與：‘ ㈣離子間的—鹽類可透過一氧化劑如銀 笔解氧化反應的手段在氧化 、-铷 的系統中共存化 本一胺何生物 其可由-類似於㈣_43_2 子例如， 出。 中所述方法被製 具體地’ -1，4-苯二胺衍生物 基（R3至R10)相同者可 、中所有取代 氣-4-硝基苯叫:二遇原由卜苯二胺和1- 得以下化學式（4)表示的一胺 產物，取

20 (4) 1359816 較佳地於50至140°C在水溶性極性溶液中如 DMF(N,N-二甲基曱醯胺），DMI(1，3_二曱基-2-味 口坐炫酮）（l，3-dimethyl-2-imidazolidinone)與 NMP(N-曱基 π比 口各烧酮）（N-methylpyrrolidone)， 令胺化合物與相對所需的R3至R10 (例如 BrCH2CH(CH3)2’ 在所有 R3 至 r1〇 為 的情況下）的鹵化物反應。以上方法中，多種取 代基可經由合併使用多個鹵化物被引入。 接下來，製出的1，4-苯二胺衍生物從而溶解 在水溶性極性溶液中’如DMF，DMI和NMP， 連同化學式（1)硼酸鹽（例如，四（五氟笨基）硼酸 納），並經由添加如銀鹽之氧化劑且令混合物於5 至70 C反應，化學式（1)硼酸根陰離子與化學式（2) 二亞銨陽離子間的一鹽類可被獲得。此外，取代 使用銀鹽，電解氧化反應係可被採納。此例中， 化學式⑴硼酸鹽是以每莫彳苯二胺衍生物 不少於2莫耳之量被使用。 可替換地’具有化學式⑴所示石朋酸根陰離子

之二亞敍染料亦可藉著令—p A 7 巳知二亞録鹽類與 化學式（1)所示硼酸根陰離早 、/' 雕于在有機溶液中反應 被製得。如具有化學式（1)硼醅妒 J项0夂很陰離子之鹽類其 能夠以此方法中所使用者，仆風 ^ 化干八（1)所示硼酸根 fe離子之驗金屬鹽，鹼土全屬 i屬製與過渡金屬鹽類 21 1359816 及其類似物，可被含括。一鹼金屬鹽係較佳地為 鋰鹽，鈉鹽與鉀鹽，舉例來說，四（五氟苯基）硼 . 酸鹽之鋰鹽，鈉鹽與鉀鹽係為更佳的。 ' 除此之外，如一二亞銨染料，含有化學式（2) 二亞銨陽離子之一鹽類與，六氟銻酸根離子 (hexafluoroantimonate ion)，過氣酸根離子（perchlorate ion)，六氣構酸根離子（hexafluorophosphate ion)與四氟i 4 棚酸根離子（tetrafluoroborate ion)的鹽可被採用。 _ 用於硼酸鹽化合物和已知二亞銨染料在有 機溶液中反應之硼酸根陰離子量，硼酸鹽化合物 係以不少於2莫耳之量被使用，較佳地在2至5 的範圍中且更佳地在2至4莫耳，每莫耳二亞銨 鹽。低於2莫耳之量可能會提供低取代比率而高 於5莫耳之量並不經濟。 如反應中所用之有機溶劑，例如，一芳族溶 劑如曱苯、二甲笨；一酮類溶劑如丙酮，曱基乙 籲 基酮，曱基異丁酮；一酯類溶劑如乙酸乙酯與乙 酸丁酯；一睛類溶劑如乙睛（acetonitrile); —醇類 ’ 溶劑如曱醇，乙醇與異丙醇；一 S迷類溶劑如四氫 吱喃（tetrahydrofuran)和二丁 S迷（dibutyl ether); —二醇 · S迷類溶劑如丁基赛路蘇（butylce丨losolve)與丙二醇η- · 丙醚（propylene glycol n-p丨Opylether); — 酸胺類溶劑如 曱醯胺與N，N-二甲基曱醯胺；以及一鹵素類溶劑 22 如二氣曱烷（methylene Ch丨oride)與氯仿可被使用。這 些洛劑可單獨或以多於兩者的混合形式被使 用對爛酸鹽化合物和二亞銨鹽類具有高溶解度 之溶劑係較佳地被使用。 所使用溶劑量較佳地為硼酸鹽化合物和二 亞銨鹽類的總重量的i至1〇〇倍範圍内，更佳地 為2至5 0倍。低於1倍之量可能提供硼酸鹽化 合物和二亞銨鹽類的低溶解度，而超過1〇〇倍之 量可能並不經濟。從抑制二亞銨鹽類分解的觀點 來看’反應溫度較佳地不高於，且更佳地在 10至50°C範圍中。此反應通常自發性地完成。 若使所欲化合物由靜置之反應溶劑分離，其 可由過濾被恢復。若所欲化合物無法經由靜置之 反應溶劑沉澱’所欲化合物能夠藉著添加去離子 水至反應：；谷划内藉以形成一所欲化合物並以過 濾將其恢復而分離。添加去離子水之量係較佳地 為反應浴劑重量的5至1 〇 〇 〇倍，且更佳地為1 〇 至500倍。低於5倍之量可能降低產量，而高於 100倍之量可能因為產生過多浪費水量而不夠經 濟。恢復之產物可以使用去離子水清洗以去除衍 生自原料的非必需離子。 此一實施中的硼酸鹽，特別地，硼酸根陰離 子與二亞銨陽離子間之鹽類的情形中，在波長 1359816 900至1200 nm的範圍具有高近紅外線吸收力， 與在可見光區的高透明度，因而可有利地被當成 近紅外線吸收染料。藉著硼酸鹽的添加，近红外 線吸收染料可被獲得。此外，其亦可作為光學儲 存材料。

同樣在本發明硼酸鹽為化學式（1)之硼酸根 陰離子與花青染料類陽離子間的鹽類情形中，硼 酸鹽具有近紅外線吸收力。在該情形下 類陽離子並不特加限定，只要其於波長7〇〇至 咖請範圍中具有近紅外線吸故力即可。較佳 =’ 一吲哚鑌類陽離子可被使用。特別是，以化 二式（a)至⑴所不之陽離子可被含括，雖然其並不 制這些貫施方式中的删酸鹽在波長7 0 〇至 lOOOnm 節 if)目士 〇 祀㈤具有兩近紅外線吸收力，與可見光

高2度，且可有利地被用為遠紅外線吸 :粍者此硼酸鹽的添加，近紅外線吸收材 ° ^取得。此外，其亦可作為光學儲存材料。

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(3)近紅外線吸 本發明之硼酸鹽可增進近紅外線吸收材料 (染料）的耐久性，特別是耐熱性與抗潮性。因而， 本發明U二部份係關於—種含有本發明蝴酸 鹽與近紅外線吸收的紅外線吸收材料。如上所 述，由於本發明硼酸鹽可 (染料）的财久性，特別是近耐孰泉及收材料 务明之近紅外線吸收材料 本 Λ4.., ’禹足車父佳的耐々 ’特別是对熱性和抗潮性。除此之 近紅外線吸收材料在可見光 Μ明 L <通明度亦軔 本發明中，如第（2)項中所述 。 酸鹽為化學式（丨）之妒抽 右本务明之硼 ()之·“艮陰離子與具.有近紅外 1359816 ； 線吸收力之陽離子間的鹽類，硼酸鹽本身可為近 .. 紅外線吸收染料。故，在該情形中，本發明第二 部份之近紅外線吸收材料可為本發明的硼酸鹽 本身在5亥情形中，近紅外吸收材料可由侧酸鹽 其中一者組成或由兩者或更多硼酸鹽混合物所 組成。即便在此其形中，為促進所欲近紅外線吸 - 收力或在另一近紅外線吸收波長取得吸收，與以 # 下所述的另一近紅外線染料，可合併使用。此 外，可令化學式（1 )硼酸根陰離子與具有近紅外線 吸收力之陽離子間的鹽類和化學式（1)的硼酸根 因離子與不具有近紅外線吸收力之陽力子間的 I &併使用。由此，染料的耐久性，特別是耐熱 性與抗潮性更可被增進。此外，若本發明硼酸鹽 為化，式（1)硼酸根陰離子與不具近紅外線吸收 力之陽離子間的鹽類，如下所述的此種近紅外線 # °及收染料的合併使用，係屬必要。透過石朋酸鹽的 # 存在，近紅外線吸收染料的耐久性，特別是耐熱 、 性和抗潮性可被改善。 . 近紅外線吸收染料其可用於本發明近紅外 '、線吸收材料者並不受到特別限制且，舉例來說， - 除了化干式（1)硼酸根陰離子與具有近紅外線吸 收力之陽離子間的鹽類外，如上所述，—種已知 近紅外線吸收染料可被使用。具體地 1359816 類，一聚次曱基類，一方形酸類，一紫質類，一 二硫酚金屬錯合物類，一肽青類，一二亞銨類近 紅外線吸收染料，及其類似物可被含括。在這些 中，花青類與二亞銨類近紅外線吸收染料係於可 見光區中透明較佳，而肽青類近紅外線吸收染料 係於近紅外線吸收染料之耐久性為較佳而因此 這些染料係較佳地被採用。 本發明中，二亞銨類染料係包含化學式（2) 二亞銨陽離子與一相對陰離子之鹽類。相對陰離 子不特加限制，而氣化物離子，漠化物離子，石典 化物離子，過氯酸離子，端酸離子，苯橫酸根離 子（benzenesulfonate ion)，p -曱苯石黃酸根離子 (p-toluenesulfonate ion)，曱基硫酸根離子（methyl sulfate ion)，乙基硫酸根離子（ethyl sulfate ion)，丙基硫酸根 離子（propyl sulfate ion)，四氟硼酸根離子 (tetrafluoroborate ion)，四苯石朋酸根離子 (tetraphenylborate ion)，四（五笨基）石朋酸根離子 (tetrakis(pentafluorophenyl)borateion)，二（三氟曱烧颯） 臨亞胺離子（bis (trifluoiOmethanesulfone)imide ion)，二 (五 IL 乙烧颯）Si_ 亞胺離子（bis (pentafluoroethanesulfone) imide ion)，五氟乙烧颯三氟曱烧颯酿亞胺離子 (pentafluoiOethanesulfone trifluoromethanesulfoneimide ion)，三氟曱烷砜七氟丙烷砜醯亞胺離子 28 1359816 (trifluoromethanesulfone heptafluoropropanesulfoneimide ion)，壬氟丁烷砜三氟曱烷颯醯亞胺離子 (nonafluorobutanesulfone trifluoromethanesulfoneimide ion) j 1，3-二磺醯基六氟丙烯醯亞銨離子 (1,3-disulfonylhexafluoropropyleneimide ion)，六氣石粦酸根 離子（hexafluorophophate ion)，苯亞硫酸根離子 (benzenesulfinate ion)，乙酸根離子，三氣乙酸根離 子，丙酸根離子，苯曱酸根離子，草酸根離子， 琥珀酸根離子，丙二酸根離子，油酸根離子，硬 脂酸根離子，檸檬酸根離子，二磷酸氫根離子， 磷酸二氫根離子，五氣錫酸根離子，氯磺酸根離 子，氟績酸根離子，三氟曱烧續酸根離子，六氟 砷酸根離子，六氟錄酸根離子，鉬酸根離子，鎢 酸根離子，鈦酸根離子，锆酸根離子，硫酸根離 子，釩酸根離子，硼酸根離子，及其類似物可被 使用。在該情形中，因為二亞銨陽離子為一二價 陽離子，如化學式（2)所示為例，若如氯離子之一 單價陰離子被採用，依照本發明之一二亞銨類染 料具有兩個陰離子連結至每一個二亞銨陽離 子。這些鹽類中，'二亞銨陽離子與六氟錄酸根離 子，過氣酸根離子，六氟磷酸根離子，四氟硼酸 根離子，二（三氟曱烷颯）醯亞胺離子與四（五氟苯 基）硼酸根離子間的鹽類，特佳地，二亞銨陽離 29 1359816 :/、四(五氟苯基)蝴酸根離子間 詩本發Μ。於此，二㈣㈣子 本基)硼酸離子的鹽類為本發明第—部分呈有近 紅外線吸收力之硼酸鹽的一例。 /、 —用於本發明中之—花青類染料並不受到限 2二要其於：見光區之透明度和近紅外線吸收 乂 ，且吲°木起類陽離子及相對陰離子之趟類 可較佳地被使用。如叫丨嗓鑌類陽離子，以化ί式 ⑷至⑴所示陽離子可㈣地被採用，而並不為 其所限定。作為相對陰離子，歹,m二亞錢類染料 中的類似相對陰離子可不受到特定限制地被採 用於此，吲哚鑷類陽離子與四（五氟苯基）硼酸 根陰離子間的鹽類為本發明第一部份中具有近 紅外線吸收力之硼酸鹽的一例。

更特定地’自 American Dye Source Inc.公司 所製為具有如一般式⑷所示陽離子之花青類染 料的商業應用產品如ADS812MI可被使用；由 FEW Chemicals Gmb公司製造為具有如一般式（b) 所不陽離子之花青類染料S0712 ;由FEW Chemicals GmbH公司製造為具有如一般式（c)所 示陽離子之花青類染料S〇726 ;由American Dye Source Inc.公司製造作為具有如一般式所示 陽離子之花青類染料ADS780MT ;由FEW 30 1359816 . Chemicals GmbH公司製造為具有如一般式（e)所 示陽離子之花青類染料 S0006 ;由 FEW — Chemicals GmbH公司所製為具有如一般式（f)所 示陽離子之花青類染料 S0081 ;由 FEW Chemicals GmbH公司所製為具有如一般式（g)所 示陽離子之花青類染料 S0773 ;由 FEW ， Chemicals GmbH公司所製為具有如一般式（h)所

^ 示陽離子之花青類染料 S0772 ;與由 FEW

Chemicals GmbH公司所製為具有如一般式⑴所 示陽離子之花青類染料S0734，及類似物。 苯二甲藍類化合物其被用於本發明中者並 未特別限定，只要它具有絕佳近紅外線吸收力， 且一已知笨二甲藍類化合物可被採用。依由以下 化學式（X)所示化合物或由以下化學式（Y)所示 化合物可較佳地被含括。 • 由化學式（X)所示之一苯二曱藍類化合物：

a12A //a9 (x) 1359816 化學式(X)中，Al至A16代表-官能基且每 一者獨立地代表一個氫原子，齒素原子，羥基， 經礙基’缓基’硫醇基’具有丨至2〇個^子 其可被取代者的烧基’具有1至20個碳原子1 可被取代者的烷氧基，具有6至20個碳原子； 可被取代者的芳基，具有6至2〇 . 被取代者的芳氧基，具有7至⑽碳 被取代者的芳烧基，具有7至個碳原子1可 被取代者的芳烧氧基，具有1至20個碳原子並 可被取代者㈣硫基，具有6至2()個碳原子^ 可被取代者的芳硫基’具有7至2〇個碳原子： 可被取代者的芳烷硫基，具有 八 20個碳原子 “可被取代者的垸颯基，具有6至2〇個碳原子 :::取代者的芳爾基，具有7至2〇個碳原子 2被取代者的芳烧石風基，具有1至2〇個碳原 可被取代者的酿基，具有2至2〇個碳原子 ς可被取代者的烧氡幾基，具有6至1〇個碳原 ^可被取代者的芳氧幾基，具有2至20個碳 原子其可被取代者的芳烷氧羰基，具有2至20 固石反原子其可被取代者的烷羰氧基，具有6至20 原子其可被取代者的芳幾氧基，具有8至20 妷原子其可被取代者的芳燒毅氧基，具有2至 〇個碳原子其可被取代者的雜環基，胺基其可被 32 取代者，胺砜基其可被取 代去。〜U ,饭取代者與胺羰基其可被取 代者。官能基A1至Ai6 ^ ^ π ,5 ± 了為相同或彼此不同， 官处i ώ 把*扪了為相同或不同，而 吕月匕基本身可經由鍵聯基 ._ P丞鍵結在—起。Μ1代表 兩個虱原子，二價金屬原 全jg m f'卜 —彳貝或四價可取代 :屬原子或氧化金屬。在本說明書中，，，醯基，， 曰報股份有限公司出版第三版，，常用 = 17胃中描述般的類似定 «. ^ 彳了生目移除經基之一有機酸的 基團，並以化學式· Rrn ^ t Λ · RC〇-表示（其中R代表一 月^肪基，一脂環基或—芳香基）。 (畜末端為胺基以外之官能基的情形中） η-己 化學式（X)中，作為官能基Ai至八丨6之一鹵 素原子包括氟原子，氯原子，溴原子與碘原子。 作為具有1至20個碳原子其可被取代者的烷 基，—線型，分支或環狀烷基如甲基，乙基，n_ 丙基’異丙基，n-丁基，異丁基，二級丁基，t_ 丁基η-戊基，n_己基，環己基，n_庚基，n_辛 f與2-乙基己基可被含括，然而，並不受其限 疋:作為具有1至20個碳原子其可被取代者的 烷氧基，一線型，分支或環狀烷氧基如甲氧基， ^乳基，n_丙氧基，異丙氧基，n_ 丁氧基，異丁 乳基，二級丁氧基，t-丁氧基，η-戊氧基， 1359816 的方烧基，苯曱基 物可被含括，然而 氧基，環己氧基，η-庚氧基，n_辛氧基與2_乙己 氧基可被含括，但不受其限制。作為具有6至2〇 個碳原子其可被取代者的芳基，苯基，萘基，與 類似物可被含括，然而，不受其所限定。作為具 有6至20個碳原子其可被取代者的芳氧基，笨 氧基，萘氧基，與類似物可被含括，但不受其所 限定。作為具有7至20個碳原子其可被取代'者 苯曱基，苯乙基，m，與類似

.A -/、“、I", - TF 匈丹有 i 至 2〇 個 碳原子其可被取代者的烷硫基，一線型，分支或 環狀烷基如甲基硫基，乙基硫基，n_丙基硫基， 異丙基硫基，η-丁基硫基，異丁基硫基，二級丁 基^基，t- 丁基硫基，η_戊基硫基，己基硫基， 環己基硫基，η-庚基硫基，η_辛基硫基與2_乙基 己基4基可被含括，然而，不受其所限制。作為 具有6至20個碳原子其可被取代者的芳硫基， 本硫基，萘硫基，與類似物可被含括，然而，並 不叉其所限制。作為具有7至20個碳原子其可 j取代者的芳烷硫基，苯f硫基，苯乙硫基，二 苯甲硫基，與類似物可被含括，然而，並不受其 丄乃兆16 -·. 所限制。作為具有1至20個碳原子其可被取代 .· 者的烷砜基，一線型，分支或環狀烷基如曱基砜 基，乙基砜基，η-丙基砜基，異丙基砜基，η_τ 基砜基，異丁基砜基，二級丁基砜基，t_丁基砜 基，η-戊基颯基，心己基颯基，環己基砜基，& 庚基砜基，η-辛基砜基與2_乙基己基颯基可被含 - 括，然而，不受到其所限制。作為具有6至2〇 • 個碳原子其可被取代者的芳砜基，苯砜基，萘砜 基，與類似物可被含括，然而，不受其所限制。 作為芳烷砜基其可被取代者，苯甲基砜基，苯乙 基礙基，一苯甲基硬基，與類似物可被含括，然 而，不受其所限制。作為具有1至20個碳原子 其可被取代者的醯基，一線型，分支或環狀烷羰 基如甲基羰基，乙基羰基，心丙基羰基，異丙基 羰基，η-丁基羰基，異丁基羰基，二級丁基羰基， ·':丁基羰基’ &戊基羰基…己基羰基，環己基 . 极基，11_庚基羰基，η-辛基羰基與5-乙基己基羰 基；一芳羰基如笨曱羰與笨羰基；以及一芳烷羰 基如苯曱醯可被含括，但不受其所限制。作為具 有2至2 0個峡原子其可被取代者的烧氧羰基， - 曱氧羰基，乙氧羰基，η-丙氧羰基，異丙氧羰基， η-丁氧&基’異丁氧羰基，二級丁氧羰基，t_ 丁 氧Μ基，η-戊氧羰基，n_己氧羰基，環己氧羰基， 丄 丄 b Π二氧幾基，η-辛氧幾基，2-乙基己基氧幾基， :其類似物可被含括’然而，不受其所限定。作 i具Ϊ J Ϊ 2〇個碳原子其可被取代者的芳氧羰 土苯氧斂基，奈氧羰基，與類似物可被含括， 然而’不受其所限制。作為具有8至2〇個碳原 子f:被取代者的芳烷氧羰基，苯甲氧羰基，笨 氧羰基一笨f氧羰基，及其類似物可被含 =，然而’不受其所限制。作為具有2至2〇個 ^原子其可被取代者的烷羰氧基，乙醯氧基，乙 羰氧基，η-丙羰氧基，異丙羰氧基，心丁羰氧基， 羰氧基，二級丁羰氧基，t_ 丁羰氧基，n•戊 羰氧f广己羰氧基，環己羰氧基，n-庚羰氧基， 3庚羰氧基，η -辛羰氧基，及類似物可被含括， 然而，不受其限制。作為具有7至2〇個碳原子 其可被取代者的芳幾氧基，苯f醯氧基，與類似 物可被含括，但不受其限制。作為具有8至2〇 個碳原子其可被取代者的芳烧幾氧基，苯甲羰氧 基，及類似物可被含括’然而，不受其限定。作 為具有2至20個碳原子其可被取代者的雜 基，吡咯基，咪唑基，六氫吡啶（piperidine)基， M-氧氮陸圜（morpholine)基，及類似物可被含 括，然而，不受其限定。 此外，如一取代基其可出現者，若必要，在 36 化學式（X)官能基A1至A16中，即，烷基，烷氧 基，芳基，芳氧基，芳烧基，芳炫氧基，烧硫基， 芳硫基，芳烧硫基，烧礙基，芳礙基，芳烧颯基， 醯基，烷氧羰基，芳氧羰基，芳烷氧羰基，烷羰 氧基，芳羰氧基，芳烷羰氧基與雜環基，舉例來 說，鹵素原子，醯基，烷基，苯基，烷氧基，鹵 化炫基，iS化院氧基，确基，胺基，院胺基，烧 羰胺基，芳胺基，芳羰胺基，羰基，烷氧羰基， 烷胺羰基，烷氧砜基，烷硫基，碳陰離子基，芳 氧羰基，氰基與雜環基可被含括，然而，它不受 其所限制。這些取代基可複數出現且當它們以複 數出現，它們可彼此相同或不同，而即使在相同 種類的例t，他們可以相同或不同。這些物質本 身可經由鏈聯基團鍵結在一起。 (當末端為胺基的官能基的情況中） ‘化學式（X)官能基八1至A16中的取代基， 即，一胺基其可被取代者，一胺砜基其可被取代 者與一胺羰基其可被取代者，氫原子；一線型， 分支’或環狀貌基如曱基’乙基’ η -丙基^ η-丁 基’二級丁基’ η -戍基’ η -己基，2 -乙基己基與 環己基；芳基如苯基，萘基；芳炫基如苯甲基， 苯乙基；乙醯基；一線型，分支，或環狀烷羰基 如乙基羰，η-丙基羰，異丙基羰，η- 丁基羰：異 1359816 丁基幾，二級丁基羰，t-丁基羰，η-戊基羰，n_ 己基幾’環己基羰，η-庚基羰，3-庚基羰，n—辛 基幾；芳羰基如苯f醯基，萘羰基；芳烷羰基如 笨甲幾基，與類似物可被含括，然而，不受其所 限定且這些取代基更可以被取代基所取代。這些 取代基可為〇，1或2出現而當兩個取代基出現 時，匕們可以相同或不同，而即便它們相同種 類，他們可以是相同或不同官能基本身可透過鍵 聯基團連結在一起。 作為一取代基其進一步可出現在烷基，芳 基，芳烷基，烷羰基，芳羰基與芳烷羰基，其為 用以取代胺基其可被取代者之取代基，胺基其可 被取代者與胺羰其可被取代者，例如，函素原 子’醯基，烷基，苯基， 化烷氧基，硝基，胺基， 月女基’方幾胺基，幾基， 烷氧砜基，烷硫基，碳陰 與雜環基可被含括，然而 取代基可以多數個出現， 它們可以是相同或不同， 中’它們可以是相同或不 經由鏈聯基團連結在一起 烷氧基，自化烷基，鹵 垸胺基’烷羰胺基，芳 垸氧羰基，烷胺羰基， 離子，芳氧羰基，氰基 不受其所限制。這些 且當它們以複數出現， 且即使為同種類的例 同並且取代基本身可以 除此之外 如作為金屬雙價金屬之例 1359816 銅（Π)，銘（n)’ 鋅（Π)，鐵（Π)，鎳（π)，釕（π)， 錢（Π )，飽（π) ’# ( Π )，猛（Π ) ’ 鎂（π )，鈦（π )， 鈹（II)，飼（II) ’ 鋇（π)，編（π)，汞（π )，錯（π )， 錫（Π )，與類似物可被含括，但，不受其所限。 作為三價取代金屬原子之例，Al-F，A1-C1， A1 _ B r ’ A1 -1 ’ F e - C1 ’ G a - F ’ G a - C1，G a -1，G a - B r， In-F，In-Cl，In-Br，In-I，Tl-F，Tl-Cl，1-Br， Tl-I，Al-C^H，’ A1-C6H4(CH3) ，In-C6H5，

In-C6H4(CH3) ’ In-C6H5，Mn(OH)，

Mn(OC6H5) ，Mn[OSi(CH3)3] ，Ru-C卜與類似 物可被含括，但，不受其所限定。作為四價取代 金屬原子之例，CrCl2，SiF2，SiCl2，SiBr2，Sil2 ,

ZrCl2，GeF2，GeCl2，GeBr2，Gel2，SnF2，SnCl2， SnBr2，TiF2，TiCl2，TiBr2，Ge(OH)2 ’ Mn(OH)2， Si(OH)2，Sn(OH)2，Zr(OH)2，Ci.(Ri)2，Ge(R丨)2，

Si(Ri)2 ’ Sndh ’ Ti(R!)2，{心代表烷基，苯基， 萘基與其衍生物}，Cr(OR2)2，Ge(OR2)2， Si(OR2)2，Sn(OR2)2 ’ Ti(OR2)2 {R2 代表烷基， 苯基’萘基，三烷矽基，二烷基烷氧矽基與其衍 生物}，Sn(SR3)2, Ge(SR3)2.{R3 代表烷基，苯基， 萘基’及其衍生物}，與其類似物可被含括，但 不受其所限制。作為氧化金屬之例，V〇，Mn〇， Τι0，與類似物可被含括，然而，不受到其所限 39 1359816 定。 化學式（γ)所示一肽青類化合物（γ)

B16 BIS 化學式（Υ)中，B1 to Β24代表官能基且每一 者獨立地表示一氫原子，一鹵素原子，經基，經 砜基，羧酸基，硫醇基，具有1至20個碳原子 其可被取代者的烷基，具有1至20個碳原子其 可被取代者的烷氧基，具有6至20個碳原子其 可被取代者的芳基，具有6至20個-碳原子其可 被取代者的芳氧基，具有7至20個碳原子其可 被取代者的芳烷基，具有7至20個碳原子其可 被取代者的芳烷氧基，具有1至20個碳原子其. 可被取代者的烷硫基，具有6至.20個碳原子其 可被取代者的芳硫基，具有7至20個·碳原子其 ΙΟ Ζ::代者的芳烷硫基，具有1至20個碳原子 二被取代者的烷砜基，具有6至20個碳原子 c者的芳礙基，具有7至20個碳原： 代者的芳炫礙基，具有1…碳原 被取代者的烧氧幾基，具有…個：： 被取代者的芳氧幾基，具有2 : ==:::w，具有…。 個碳原子其可者的烷羰氧基，具有6至20 個碳原子其可U者的芳羰氧基，具有8至2〇 20個〇 1 A者的芳㈣氧基，具有2至 取:二=取代者的雜環基’胺基其可被 取代者。官能基？可破,4 =與皮胺_ 且即便是同種類⑽Λ 同或不同， 同且官能基本身4 他們可以是相同或不 Μ2代表兩個上 二取代金屬原子或氧化金屬。 —鉍成四 末二為联基以外官能基者的情形中） 素原子二為:能基…之-- 作為具有1至心虱原 臭原子與峨原子。 基，—線型，八個碳原子其可被取代者的一烷 土 刀支’或環狀烷基如曱基，乙.基， 1359816

η-丙基，異丙基，η-丁基，異丁基，二級丁基， 卜丁基，η-戊基，η-己基，環己基，η_庚基，η· 辛基與2-乙基己基可被含括，但，不受其所限 定^乍為具# U2(M固碳原子其可被取代者的 烷氧基，一線型，分支，或環狀烷氧基如曱氧基， ^氧基，η-丙氧基，異丙氧基，n_ 丁氧基，異丁 虱基，二級丁氧基，卜丁氧基，η-戊氧基，n_己 氧基，環己氧基，η-庚氧基，n_辛氧基與2_乙基 己基氧基可被含括，但，不受其所限制。作為呈 有6至20個碳原子其可被取代者的芳基，苯基， 萘基，與類似物可被含括，但不受其限制m乍為 :有6至2(M固碳原子其可被取代者的芳氧基， 笨氧基，萘氧基，與類似物可被含括，但不受其 限制。作為具有7至20個碳原子其可被取代者 :芳烧基，苯甲基’苯乙基，二笨甲基，與類似 物可被含括，但不受其限制。作為具有7至20 ，碳原子其可被取代者的芳絲基，$甲氧基， 笨乙氧基與一笨甲氡基，與類似物可被含括，但 不受其限制。作為具有U2〇個碳原子其可被 取代者的烷硫基’-線型’分支或環狀烷硫基如 甲基硫基，乙基硫其 # 基n-丙基硫基，異丙基硫基， -丁基硫基，異丁基硫基，二級丁基硫基，卜丁 基硫基，n_戊基硫基，己基硫基，環己基硫基， 42 1359816 η-庚基硫基，n_辛基硫基與乙基己基硫基可被含 括，但不受其所限制。作為具有ό至20個碳原 子其可被取代者的芳硫基，苯硫基，萘硫基，與 類似物可被含括，但不受其所限制。作為具有7 至20個碳原子其可被取代者的芳烷硫基，苯甲 基硫基，苯乙基硫基，二苯甲基硫基，與類似物 可被含括，但不受其所限制。作為具有丨至2〇

個碳原子其可被取代者的的烷砜基，一線型，分 支或環狀烷基如甲基砜基，乙基砜基，〇_丙基石風 基，異丙基颯基，η-丁基砜基，異丁基砜基，二 級丁基颯基，t-丁基砜基，η_戊基砜基，己基 石風基’環己基硬基’ η_庚基礙基，η_辛基石風基與 2-乙基己基砜基可被含括，但不受其所限制。作 為具有6至20個碳原子其可被取代者的芳砜 基，苯砜基，萘砜基，與類似物可被含括，但不 受其限制。作為芳烷砜基其可被取代者，苯甲基 石風基’笨乙基礙基，二笨曱基硬基，與類似物$ 被含括，但不受其所限制。作為具有！至2〇個 碳原子其可被取代者的醯基，一線型，分支，。、 環狀烷羰基如.甲基羰基，乙基羰基，^丙基羰或 基，異丙基羰基，η-丁基羰基，異丁基羰基厌一 級丁基羰基，卜丁基羰基，η_戊基羰基，心己義〜 幾基，環己m n.·庚錢*，n_辛基幾基土與 1359816 2-乙基己基羰基；一芳羰基如苯曱基羰基，苯基 羰基；與一芳烷羰基如苯曱醯羰基可被含括，但 不受其所限制。作為具有2至20個碳原子其可 被取代者的烷氧羰基，曱氧基羰基，乙氧基羰 基，η-丙氧基羰基，異丙氧基羰基，η-丁氧基羰 基，異丁氧基羰基，二級丁氧基羰基，卜丁氧基 羰基，η-戊氧基羰基，η-己氧基羰基，環己氧基 羰基，η-庚氧基羰基，η-辛氧基羰基，2-乙基己 基氧羰基，與類似物可被含括，但不受其所限 制。作為具有7至20個碳原子其可被取代者的 芳氧基羰基，苯氧基羰基，萘氧基羰基，與類似 物可被含括，但不受其所限制。作為具有8至20 個碳原子其可被取代者的芳烷氧基羰基，苯曱氧 基羰基，苯乙氧基羰基，二苯曱氧基羰基，與類 似物可被含括，但不受其所限制。作為具有2至 20個碳原子其可被取代者的烷基羰氧基，乙醯氧 基，乙基羰氧基，η-丙基羰氧基，異丙基羰氧基， η-丁基羰氧基，異丁基羰氧基，二級丁基羰氧 基，t-丁基羰氧基，η-戊基羰氧基，η-己基羰氧 基，環己基羰氧基，η-庚基羰氧基，3-庚基羰氧 基，η-辛基羰氧基，與類似物可被含括，但不受 其限制。作為具有7至20個碳原子其可被取代 者的芳羰氧基，苯曱醯基氧基，與類似物可被含 44

丄J^70丄U 括’但不党其所限制。作為具 子其可被取代者的芳烷羰氧 a 〇個石反原 與類似物可被含括，不二本？基幾氧基’ 1至：::原子其可被取代者的雜環基= 二=’六氣⑽，氧氮陸圓基，及類似 物可被3括，然而，不受其限定。 如-取代基其可出現者，若必要，於化學式 (Y)中的官能基βΙ $ R24 —*… 至B ，亦即烷基，烷氧基， 方土’方礼基，芳炫基，芳炫氧基，烧硫基，芳 硫基，芳院硫基，院石風基，芳石風基，芳烧石風基， 酿基氧Μ基，芳氧幾基，芳烧氧幾，炫幾氧 基，芳叛氧基，芳烷羰氧基與雜環基，舉例來說， 齒素原子’醯基，烷基’苯基，烷氧基，鹵化烷 基，鹵化烷氧基，硝基，胺基，烷胺基，烷羰胺 f ’芳胺基’芳羰胺基，徵基，烧氧幾基，烧胺 叛基，烷氧砜基，烷硫基，碳陰離子，芳氧羰基， 氰基，雜環基，與類似物可被含括，但不受其所 限制。這些取代基可以是複數出現且當它們以多 出見匕們可以是彼此相同或不同，且即使 在同種類之例中’它們可以是相同或不同，且官 能基本身藉由鍵聯基團鍵結在一起。 (當末端為胺基的官能基情形中） 取 作為化學式（Y)中官能基B1至B24之 45 1359816 代基，即，一胺基其可被取代者，一胺砜基其可 被取代者與一胺羰基其可被取代者，氫原子；一 線型，分支，或環狀烷基如甲基，乙基，n_丙基， η-丁基，二級丁基，n_戊基，n己基，2乙基己 基與環己基；一芳基如苯基與萘基；一芳烷基如

苯曱基笨乙基，一線型，分支，或環狀烧幾基 如乙醯基，乙基羰，η_丙基羰，異丙基羰，卜丁 基羰，異丁基羰，二級丁基羰，t-丁基羰，心戊 基羰，η-己基羰，環己基羰，n_庚基羰，弘庚基 羰與η-辛基羰；一芳羰如苯甲醯與苯乙羰；一芳 烷羰基如苯甲醯基羰，與類似物可被含括，但不 叉其所限制且這些取代基更可以取代基加以取 代。這些取代基可以是以〇,丨或2出現，且當 這些取代基出現，它們可以是彼此相同或不同，

而即使在相同種類之例中，它們可以是相同或不 同，而官能基本身係經由鍵聯基團鍵結在一起。 如取代基其可進一步出現於烷基，芳基，芳 烷基，烷羰基，芳羰基，芳烷羰基，與類似者， 其為胺基其可被取代者的取代&，胺石風基其可被 取代者與胺羰基其可被取代者，舉例來說，鹵素 原子’酿基’烧基’笨基，垸氧基，幽化炫基， 鹵化烷氧基，硝基，胺基，烷胺基，&羰胺基， 芳胺基，芳羰.胺基’羰基，烷氧羰基，烷胺羰基， 46 1359816 炫•氧碾基，烷硫基，氨基曱酰基，芳氧羰基，氰 基與雜環基可被含括，但不受其所限制。這些取 代基可以是以〇，1或2出現而當它們以複數個 出現’它們可以彼此同一或不同，且即使在相同 種類之例申，它們可以是相同或不同而官能基本 身經由鍵聯基團鍵結在一起。 此外’作為如金屬M2之二價金屬例，銅 (Π )，鈷（π )，鋅（π )，鐵（Π )，鎳（π )，釕（Π )， 錢（Π )，鈀（π )，I 自（Π )，锰（Π )，鎂（π )，鈦（II)， 鈹（π )，妈（π )，鋇（π )，偏（Π )，汞（π )，錯（Π )， 錫（Π )’與類似物可被含括，但，不受其所限。 作為三價取代金屬原子之例，如A1_F，A1-C1， Al-Br，Al-I，Fe-CM，Ga-F，Ga-C 卜 Ga-I，Ga-Br， In-F，In-CM，In-Br，In-I，Tl-F，Tl-C 卜 Tl-Br， Tl-I，A1-C6H5 ’ A1-C6H4(CH3) ，In-C6H5，

In-C6H4(CH3)，In-C6H5,Mn(OH)，Mn(OC6H5)， Mn[OSi(CH3)3] ，Ru-Cl，與類似物可被含括， 但不受其所限。作為四價取代金屬原子之例， CrCl2，SiF2，SiCl2，SiBr2，Sii2，ZrCI2，GeF2， GeCl2，GeBr2，Gel2，SnF2，SnCI2，SnBr2，TiF2， TiCl2，TiBr2，Ge(〇H)2，Mn(OH)2，Si(OH)2， Sn(OH.)2，Zi，(OH)2，Cr(R 丨）2，Ge(R丨）2，Si(R丨）2， Sn(R,)2，11(11,)2，{ R,代表烷基，苯基，萘基與 47 1359816 其衍生物}，Cr(OR2)2，Ge(OR2)2，Si(OR2)2， Sn(OR2)2 ’ Ti(OR2)2 {r2代表烷基，苯基，萘基， 三烧矽基，二烷基烷氧矽基與其衍生物}， Sn(SH3)2 ’ Ge(SR3)2 {R3代表烷基，苯基，萘基， 及其衍生物}’與其類似物可被含括，但不受到 其所限制。作為氡化金屬之例，V〇，MnO，TiO， 與類似物可被含括，然而，不受到其所限定β 具體地，商標名EXCOLOR IR-10A， EXCOLOR IR-12 與 EXCOLOR IR-14 或 TX-EX-906B ’ TX-EX-910B 與 TX-EX-902K (全 由曰本觸媒股份有限公司所製）可被含括。 本發明近紅外線吸收材料_所表近紅外線 吸收染料數量可被選定，如適宜地，依據使用。 其能夠以樹脂固態含量為基準在〇.丨至1 〇 %重量 範圍中且較佳地為重量1至8 〇/〇。本例中，組成 離子性近紅外線吸收染料之量低於0.丨％重量係 屬過低量而無法構成染料且近紅外線吸收力的 足夠維持性無法達成。相反地，高於1 0 %重量 之里不能提供相對增加的效果並因而不經濟，且 此外可見光區的透明度可能反而喪失。 (4)樹脂 本發明近紅外線吸收材料可進一步包含一 樹脂。此樹脂其可被用於本發明中者並不特加限 48 1359816 定，只要其為通常用於作為光學材料之樹脂即 ”有m可此尚透明度之樹脂為較佳的，且更 ^體地’聚稀烴類樹脂如聚乙烯，聚丙烯，缓化 聚烯烴，氣化聚烯烴與環烯烴；聚笨乙烯，聚丙 烯酸酯類聚合物，聚甲基丙烯酸酯類聚合物；乙 稀類聚合物如聚乙酸乙烯酯，鹵化乙烯聚合物與 聚乙婦醇（poval);聚酰胺類樹脂如尼龍；聚胺甲 酸=酯類樹脂；聚酯類樹脂如PET;聚碳酸酯； 农氧满树月曰，聚乙稀縮酿類樹脂如縮丁齡樹脂， 與類似物可被含括。

這些中，一樹脂其可融化或溶解者可較佳地 被採用。本情形中，若此一樹脂係用於作為可被 融化與具有高T g (轉移溫度）’ 一近紅外線吸收 材料其可被模績者係可獲得。例如，一樹脂其可 被融化且具有不低於80°C之Tg者可藉著在其中 添加一近紅外線吸收染料而提供一可模造材 料。樹脂之適當例包括曱基丙烯酸聚合物如聚甲 基曱基丙烯酸酯’ ot-羥基甲基丙烯酸酯的共聚 物，聚碳酸酯，縮丁醛樹脂，環聚烯烴，ARTON (JSR Corp‘，製造），Zeonor (Zeon Corp.製造）， O-PET (Kanebo，Ltd.製造），Sumipex (Sumitomo Chemical Co.，Ltd.製造），〇pt〇i-ez. (Hitachi Chemical Co.，Ltd.製造）。 49 1359816 一樹脂其能被溶解者可藉著與其溶解—紅 外線吸收材料而提供一塗膜材料。用於塗膜材料 ； 之樹脂適當例包括甲基丙烯酸酯類聚合物， 、 ARTON (JSR Corp.，製造）’ Zeonor (Zeon Corp. 製造）與O-PET (Kanebo, Ltd.製造）。特佳地為共 聚合具有含1-10個碳原子的一線型，分支，多 環族烧基的聚脂環烧基甲基丙烯酸g旨，如甲基丙 烯酸酯’三級丁基曱基丙烯酸酯，曱基丙烯酸環 ' 己酯與曱基丙烯酸龍腦酯。此樹脂可為由僅一種 _ 甲基丙烯酸酯單體所組成或由多種甲基丙烯酸 酯單體組成的共聚物。此外，其可為藉著共聚合 如上所述甲基丙烯酸酯單體外的單體所得之一 聚合物。作為其他單體，一芳香族單體如苯乙烯 與曱基苯乙烯；馬來酸亞單體如 笨基馬來酸醯亞胺與環己基馬來酸醯亞胺；含有 單體之一羧基如曱基丙烯酸與丙烯酸；具有1至 φ 15個碳原子之一丙烯酸酯；具有一羥基如羥乙甲 基丙烯酸酯或羥乙丙烯酸酯之單體，與類似物亦 可被採用。曱基丙烯酸酯單體以外的單體使用數 _ 置係低於重量的5 0 % ’較佳地低於重量的3 0 % ' 且更仏地低於重量的]〇 %。特別地，S u m i p e X (住 ' 友化车股份有限公司製造），〇pt0rez (日立化學 股份有限公司製造）與HALSH YBR丨D 1R (曰本觸 50 1359816 媒股份有限公司製造），以及類似物可被含括。 具有玻璃轉移溫度（Tg)高於85°C者可有效地抑 制因加熱或潮濕引起的染料劣化。 雖然具有高Tg之樹脂含有相當高耐久性， 其具有如易脆之缺失當用於薄膜裝置中。為抑制 樹脂脆裂，重量平均分子量係較佳地，.如折合為 聚苯乙烯，不小於50000且更佳地不小於 100000 。 同樣是使脆裂變得困難，一聚合物結構係較 佳地為一分支結構勝過線型者。透過採用分支結 構，即使當樹脂具有高分子量，其黏度變低且處 理變得簡單。為取得分支聚合物，一巨單體，一 多功能單體，一多功能起始劑與一多功能鏈轉移 劑可被採用。作為一巨單體，AA-6，AA-2，AS-6， AB-6，AK-5(全由Toagosei股份有限公司製造）， 且類似物可被使用。作為多功能單體， LIGHT-ESTER EG，LIGHT-ESTER 1,4BG， LIGHT-ESTER NP，LIGHT-ESTER TMP (全由 Ky oeisha化學股份有限公司製造）可被採用。作 為多功能起始劑，Pertetra A與BTTB-50 (全為 NOF 公司製造），Trigonox 17-40MB 和 PERKAD〇X 1 2-XL25 (全由 Kayaku Akuzo 公司 製造），與類似物可被採用。作為多功能鏈轉移 劑’季戊四醇四（3-硫醇丙酸酯），三經曱基丙烧 二（3-硫醇丙酸酯）’季戊四醇四（硫乙二醇酿）（全 為Sakai化學工業股份有限公司製造），與類似 物可被採用。為獲付具有分支結構的樹脂，一多 功能起始劑可佳地被使用因利於聚合反應。

Pertetra A 與 PERKADOX 12-XL25 其可提供許多 分支且在溫和條件下反應者可較佳地被採用。 本發明之近紅外線吸收材料可提供好的耐 久性即使是Tg不高於85°C。雖然樹脂不特加限 定考慮其種類，一丙烯酸樹脂與一聚酯樹脂可被 採用。為同時達到抗脆性與高耐久性，樹脂的

Tg係較佳地在65至85。〇範圍中，且更佳地為7〇 至 80°C。 此樹脂可為壓敏膠合劑或—膠合劑或其混 合物。因為採用壓敏膠合劑或膠合劑之近紅外線 吸收材料能夠黏附於其他功能性薄膜’本發明之 一光學濾波器可便利地且經濟地被製造出。 適於作為壓敏膠合劑的樹脂包括丙烯酸 基’聚石夕氧類’ SBR類樹脂，與類似物。樹脂特 佳地包括If著採用丙烯酸乙酉旨，丙稀酸丁酿，丙 稀s夂2乙基己g旨，丙稀酸丨[辛_與類似物，作為 主要成刀共聚合所得之一聚合物。尤具體地， Aciyset AS Γ (日本觸媒股份有限公司製造）可 52 1359816 被引用。Tg係較佳地不低m_8〇〇c且不高於。 再者’ 一較有利地被使用的壓敏膠合劑為透過共 聚合具有一脂環烷基如環己基與異龍腦基之（f 基）丙烯酸酯所得的丙烯酸類樹脂。雖然具有一 月曰環烧基用於其共聚合反應中的（甲基）丙烯酸酯 數置係不特加限定，樹脂係較佳地以樹脂Tg不 洛至低於-80。(：且不高於〇〇c範圍中之量被使用。 共聚合具有一酸根如一羧基之（甲基）丙烯酸 =亦屬可行。在該情況中’以提升抗潮性為目 ‘被用於共聚合之一（曱基）丙烯酸酯數量可以 是樹月；;酸償較佳地落在不高於3〇,更佳地不高於 15且最佳地不高於5的範圍中。本說明書中，， 酸價’表示氫氧化鉀之毫克(mg)量，需用在中和ι 克（固體含量）的樹脂。 作為適宜當成一膠合劑的樹脂，常用聚矽氧 類，胺甲酸乙醋基類’丙稀酸類樹脂與聚烯烴類 樹脂，乙烯-乙烯“旨共聚物，羧化聚烯烴，氣 化聚稀fe，與類似物可被含括。 當壓敏膠合劑或膠合劑係作為_樹脂，直較 -鹽類含有笨銨’。比咬鑌與侧陽離 子如含有化學式⑴陰離子之鹽類。作為一 線=染.料，其較佳地採用—具有四（五氟苯基） 石朋陰料作為相對陰離子之：亞敍染料。 1359816 被用在本發明近紅外線吸收材料中之樹脂 量可適宜地被選定，隨應用與染料或溶劑之量而 定。 (5)添加物 本發明近紅外線吸收材料可被加入在可見 光區波長380至780 nm顯示最大吸收波長的染 料。作為此種染料，一種習知染料如花青類，四 氮代紫質類，哑噚來琳azulenium類，方形酸類， 一笨基曱烧類，三笨基曱炫類，α惡嗓（oxazine)

類’偶氮雙酸胺（azine)類，硫d比喃（thiopyrylium) 類，紫原（viologen)類，偶氮類，偶氮-金屬錯合 物類’雙偶氮類，蒽酿（anthraquinone)類，茈 (perylene)類，陰丹士林（indanthrone)類，亞硝 (nitroso)類，金屬-硫醇錯合物類，靛青（indigo) 類，次曱基偶氮（azomethine)類，二苯并。比喃 (xanthene)類，氧醇（oxanol)類，朵苯胺 (1110〇311出116)類，哇琳（911丨11〇1丨116)類染料可被廣泛 地使用。舉例來說，商標名ADEKAARKLES TW-1367，ADEKAARKLES SG-1574，ADEKA ARKLES TW-1317，ADEKAARKLES FD-335 1， ADEKA ARKLES Y944，全由 Asahi Denka Co. Ltd.製造；與商標名NK-545 1, NK-5532與 NK-5450，全為 HAYASHIBARA BIOCHEMICAL 1359816 LAB.，INC.製造，可被含括。 紐成本發明近紅外線吸收材料之染料數量 可適宜地被選定，隨應用而定，且可在重量〇1 至10 %範圍中，較佳地為i至8 %重量，以樹脂 的固體含量為基準。 再者’至本發明近紅外線吸收材料中，一異 氰酸鹽化合物，一硫醇化合物，一環氧化合物， 一胺類化合物’ 一亞胺類化合物，一噁唑啉 (〇xaZ〇line)化合物，一矽烷偶合劑，與一樹脂硬 化劑如紫外線硬化劑可在不妨害其行使之數量 下被使用。然而，不使用硬化劑之近紅外線吸收 材料係更佳地因為提供塗佈溶液較長的可使用 時間且不需要待其成熟。 此外’至本發明近紅外線吸收材料中，已知 用於一薄膜或塗膜劑中的添加劑可被使用，包括 分散劑，勾染劑，除沫劑，黏度修飾劑，消光劑， 增膠合劑，抗靜電劑，抗氧化劑，紫外線吸收劑， 光穩定劑，抑制劑，硬化劑，抗結塊劑，抗滑劑， 與類似物。 (6)近紅外線吸收材料形式 本發明近紅外線吸收材料可以是混合化學 式（〗)之陰離子的鹽類與另一化合物的形式，每一 者為固體（舉例來說，粉末或顆粒形式）的形式。 55 在連同-樹脂其可被融化者之混合物例中，混合 物可被加工成任意形狀藉著在不低☆融化溫度 之溫度加轨。* a …、馮加工，一擠壓機或一擠製成型機 可被採用。 ^透過塗臈法將近紅外線吸收層成型至一基 ^的彳j子中，其較佳地使用一溶劑以溶解，分 散亚懸洋一近紅外線吸收材料以製造一液體狀 先、作為/谷劑其可用於此例中者，舉例來說，一 脂肪族溶劑如環己烷與f基環己烷；一芳香族溶 劑如甲苯和二甲苯；一酮類溶劑如丙酮，子基乙 基酉同與甲基異丙基一醋類溶劑如乙酸乙酉旨與 =酸丁酿；一氰類溶劑如乙氰；一醇類溶劑二甲、 醇’乙醇與異丙醇；-醚類溶劑如四氫呋喃與二 丁基醚；一二醇醚類溶劑如丁基賽珞^ (butyicell0S0lve)，丙烯二醇 n_丙醚，丙烯二= η-丁醚與丙烯二醇單甲基乙酸醋；—胺類溶子 Ζ驢胺與Ν，Ν-二甲基甲酿胺；—齒素類溶劑二二 氣甲烧和氯仿可被使用。它們可單獨或以現人/ 式被使用。為增進染料耐久性，具有沸點不^ = 】00 C之溶劑’如曱基乙基酮與乙酸乙酯 ； ^ Μ 地被使用。此外，’為增進塗膜於塗裝外觀，具 沸點為100至150〇C之一溶劑，如甲笨，甲、有 丁綱與乙酸丁酯可較有利地被採用。為增 2異 曰疋土月莫 56 1359816 的抗脆性’具有沸點為丨5〇至2〇(rc之一溶劑， 土賽路踩，丙稀一醇η -丙驗，丙稀二醇η_ 丁鱗和丙埽二醇單甲基乙酸酯可較佳地被採用。

，本發明近紅外線吸收基材可被當作用於光 j，農業，營造，交通，影像儲存應用的薄膜或 薄片，用於冷凍櫃或冰箱的展示櫃，一太陽能蓄 電池如染料敏感型太陽能蓄電池，使用半導體雷 射光作為光源之光敏性材料，資料儲存材料如用 於一光碟片，眼部疲勞防止材料，光熱轉換材料 如光敏紙與膠合劑。特別是，此一應用係較佳地 作為用於h PDP肖CCD，帛於如光碟片的資料 儲明存材料，光熱轉換材料如光敏紙與壓敏膠合劑 /膠合劑之一光學薄膜或薄板。

(7)近紅外線吸收基材（薄膜與薄型化薄膜形式） 本發明之第三部份有關於一種含有本發明 近紅外線吸收材料的近紅外線吸收基材。本發明 近紅外線吸收基材可經由將近紅外線吸㈣料 ::-溥膜或透過薄型化一具有近紅外線吸收 材料於透明基材上的塗膜被獲得。 透明基材不特加限定 學##日士，， ，、要其可通常用於光 域 透明者即可。作為—特定例，破 =稀煙聚合物如環聚烯煙，無定形環聚稀煙聚 5物；甲基丙稀酸聚合物如聚，基？基丙烯醆 57 1359816 醋；乙烯聚合物如乙稀乙·酉旨 PET ;聚碳酸 匕乙烯，聚酯如 曰，承乙稀縮路如丁搭福+ · _脂，與類似物可被含括。再：=二：芳 透過一習知方法冉者3^月基材可 漿處理，生輝放雪卢 ，火焰處理，電 處理，㈣ 處理 粗糙化處理與化學 面户理，膜一層固定塗膜劑或一初層漆地經表 射：奸4外’基f樹脂可合併一已知添加劑， ……、几老化劑，防滑劑與抗靜電劑。透過採用 2知方法如射出成型，Τ模制，滾 成型或藉著溶解於一有機溶劑中之一制= 法，其可被模造成一薄膜或薄板樣。由此一透明 基材組成的基質可以是無法㈣或可拉伸的，或 者可以連同其他基質被薄型化。 一透明基材藉著塗膜方法被用為取得一近 紅外線吸收薄膜，一 ΡΕΤ薄膜可較佳地被採用， 特別是，一易黏型ΡΕΤ薄膜可有優勢地被採用。 特別是 ’ COSMOSHINE A4300 (Toyobo 公司製 造）’ Lumirror U34 (Toray工業公司製造）與 Melinex 705 (Teijin DUpont 薄膜日本公司製 造），與類似物可被含括。此外，功能性薄膜如 TAC(三乙醯纖維’化^6〖>，^丨上1丨0叫薄膜，抗反 射薄膜，抗眩光薄膜’衝擊吸收薄膜，電磁干擾 屏蔽薄膜與紫外線吸收薄膜，及類似物亦可被含 58 1359816 =_藉由使用這些’用於電漿顯示器或光學半導 肢兀件之光學濾波器可更便利地被 用將為更佳 守 吳些t，玻璃，PET薄臈，易黏型pET薄膜， 丁AC薄膜’抗反射薄膜與電磁干擾屏蔽薄膜適宜 地被當作一透明基材。

在無機基質如玻璃被當作一透明基材之例 中，具低鹼性含量之一基材可較佳地被採用，自 近紅外線吸收染料之耐久性觀點來看。作為近紅 外線吸收材料，當具有高量驗性物質如驗石灰玻 璃之一基材被使用，其較佳地採用具有一陽離子 如苯銨，咯啶鑌與喹啉鏽在含有化學式（1)陰離子 之鹽類中的鹽類。此外，作為一近紅外線吸收染 料，其較佳地使用一含有四（五氟笨基）硼酸根陰 離子作為相對陰離子的二亞錢染料。

本發明近紅外線吸收基材厚度一般為〇. i μ爪 至10mm的大略範圍中。但，其可被決定，倘偌 適宜的，依據目標而定。包含在近紅外線吸收基 材中的近紅外線吸收染料含量也可被選定，適宜 的，依據目標而定。 用以製造本發明近紅外線吸收基材的方法 並不特加限定且’舉例來說，以下方法可被使 用。例如’（a)透過混合本發明近紅外線吸收材料 1359816 至一樹脂令，且繼而加熱並模鑄混合物之用於製 造一樹脂板或薄膜的方法；（b)透過模鑄聚合本發 明之近紅外線吸收材料與一單體或一寡聚合物 以製造出一樹脂板或薄膜的方法，在聚合反應催 化劑存在下；（C)用以模鑄本發明近紅外線吸收材 料至透明基材上的方法；用以模鑄本發明近紅 外線吸收材料至一可分離基材且繼而配置塗膜 於透明基材上的方法，（e)用以模鑄本發明近紅外 線吸收材料至一透明基材上且繼而將塗膜配設 於另一透明基材上並硬化薄型物可被含括。 如製造方法（a )，雖然模鑄溫度與薄膜形成溫 度（树月曰板製造）條件可依照使用樹脂種類而略為 改變，通常此一方法可被含括其含有添加本發明 近紅外線吸收材料至一樹脂的粉末或顆粒，加軌 混合物於150至35(TC以溶解並模造液體而以擠 壓機製出一樹脂板或製出一薄膜（製造—樹脂 板）。 透過本發明近紅外線吸收材料與單體或寡 聚合物在聚合反應催化劑存在下之模鑄人 應的製造方法（b)中，混合物被倒入一模具並接著 經硬化，或混合物可以流入模具並經固化反應直 到/硬質產品被獲得。許多樹脂透過此步驟為可 模造並此一樹脂特定例包括兩烯酸樹脂，二乙烯 1359816 二醇二（烧基碳酸醋）樹脂，環氧樹脂，紛·曱酿樹 脂’聚苯乙烯樹脂’砍氧樹脂，與類似物。這些 中’透過曱基丙烯酸曱酯之整體聚合反應手段的 一模鑄方法係為較佳的，其可提供丙烯酸樹脂薄 板於硬度，耐熱性和抗化學物質較為理想。 作為聚合反應催化劑，一種已知用於自由基 熱聚合反應的起始劑可被應用，例如，一過氧化 物如過氧化苯曱醯，p_氯化過氧化苯甲醯與二異 丙基過氧化碳酸醋，和一偶氮化合物如偶氮二異 丁基氰可被含括。被使用之量_般能夠以混合物 總量為基準在重量0.01至5%的範圍中。熱聚合 反應的加熱溫度一般地在40至200t^々約略範 =且二合：間一般地為30 “18小時的大略 合反應外，經添加光聚合反應起 可被應用。 乃次亦 如製造方法（C)，用以模梦太 收材料至-透明基材上的= 近紅外線吸收材料至微粒上且接著提供二f :分散其令之-塗臈材料至透明基材上政 者可被含括。 ]上且痛似 在塗佈近紅外線吸收材料 況中，一已知塗抹m 基材上的情 土抹杰可被使用。例如， 1359816 如滾筒塗佈器，狹缝模具塗佈器，喷灑塗佈器如 唇塗佈器（lip coater)，吻塗佈器（kiss c〇ater)如微 凹板塗佈為，凹板塗佈器，滾筒塗佈器如反向塗 佈器，流式塗佈器，噴灑塗佈器，塗佈棒盘類似 物可被包含在内。在塗佈之前，一基材可經一已 知方法如電暈放電處理與電漿處理被表面處 理。作為乾燥與硬化方法，已知方法如熱風，紅 外線與紫外線硬化可被採用。乾燥與硬化後，具 有一已知保護膜的薄膜可被傷害。 如製造方法（d)，用以塗佈本發明近紅外線 吸收材料至可脫離基材上且繼而將塗膜設於一 透明基材上的方法，與用以固定本發明近紅外線 吸收材料至微粒上，且接著塗佈具有微粒分散其 中之塗膜材料於可脫離基質上並設置此塗佈基 質在透明基材上的一方法，與類似者可被含括。 在以此方法製造的情形中，其較佳地使用近 紅外線吸收材料連同壓敏膠合劑作為樹脂。若需 要，一增膠合劑與一硬化劑可更被併入近紅外線 吸吸材料中。 作為.可脫離基材’具有矽氧類，烯烴類，油 類與氟類脫糢劑，與類似物塗佈其上之紙類或薄 膜’氟類基材與烯烴基材可被使用。作為透明基 材與金膜’這些以上述及者可類似地被使用。 62 1359816 如製造方法（e)，用於塗佈本發明近紅外線吸 收材料至一透明基材上，繼而將塗膜設於另一透 明基材上且硬化此薄層物的方法，且類似者可被 含括。

在以此方法製造的情形中，其較佳地採用紅 外線吸收材料連同壓敏膠合劑作為一樹脂。若需 要，一硬化劑可被併入近紅外線吸收材料。如透 明基材和塗膜，上述者可近似地被使用。 雖然被加入之本發明近紅外線吸收基材中 =近紅外線吸收染料數量可根據製出樹脂板或 薄膜的厚度，吸收強度，可見光穿透率，與類似 者而改變’在方法⑷至⑷中，本發明近二外線 吸收染料—般地可在重量為0.01至20 %範圍中 被使用，以黏結樹脂重量為基準。

本發明近紅外線吸收材料可被轉換成具有 在可見光區域具有高透明度且極佳遠紅外線吸 收力之理想光學濾波器的組成材料。由於高耐久 ,:特別是，耐熱性與抗潮性，相較 外線吸收材料，外_盥Μ A ' 硯與近紅外線吸收力可維持即 更起k 一储存或使用 或薄膜之簡嫩再者，由於薄板 導體元件係可行的。 貝丁口口戈光干丰 或用於阻斷心二 其可被用於-遽波器 外線的溥膜’例如，-絕熱薄膜， 太陽眼鏡與光學儲存材料，和類似物。 (8)用於電漿顯示器的光學濾波器 本發明之近紅外線吸收材料可有利地作為 用於電漿顯示器的光學濾波器。因此，本發明之 第四部份有關於一種用於電漿顯示器的光學濾 波器’其採用本發明的近紅外線吸收材料。此光 學渡波器具有一在可見光區的全光線穿透率不 低於40%，較佳地不低於5〇%，更佳地不低於 60 /〇，且波長在至nm之近紅外線穿透 率不高於30°/°，較佳地不高於1 5%且更佳地不高 於5%。 除含有近紅外線吸收材料之近紅外線吸收 層外，本發明之光學濾波器可被設置連同電磁干 擾屏蔽層，一抗反射層，一眩光預防（抗眩光）層， 一防刮層，一色彩調校層，與一支撐基材如玻璃。 光學濾波器每層之組成可隨意挑選，然而， 此光學濾波器可較佳地為具有至少兩層由'至少 -層抗反射層與抗眩光層，及一近紅外線吸收層 構成的組成，且具有至少三層進一步合併一電石^ 干擾屏蔽層於其間的光學濾波器係更佳。 :抗反射層或二抗眩光層可為使用者介面 側之最前層且-近纟工外線吸收層與—電磁干擾 屏蔽層的合併使用可隨意被選擇。此外，在3層 64 1359816 間，它層如一防刮層，一色彩調校層，—衝擊吸 收層’一支撐基材與一透明基材可被嵌入。 每一層可以一壓敏膠合劑或一膠合劑黏 著，而一近紅外線吸收層本身可扮演一壓敏膠合 劑或一膠合劑。特別地，因為藉著與具有—Tg 不低於-80°C且不高於0°C之壓敏膠合劑或膠合 劑混合所得本發明近紅外線吸收材料，可對另一 透明基材展現極佳黏著性，用於本發明電滎顯示 器之光學濾波器可簡易地被製出，透過它層黏 附，以及類似物至抗反射層，抗眩光層，衝擊吸 收層與一電磁干擾屏蔽層，經由此近紅外線吸收 材料。每一層黏合上，其經物理處理如電暈處理 與電漿處理，或一已知高極性聚合物如聚乙烯亞 胺，噁唑啉（oxaz〇line)類聚合物，聚酯和纖維素 可作為固定塗膜劑地被使用。 對用於電漿顯示器之光學濾波器來說，設置 一抗反射層或一抗眩光層於使用者介面側位在 最前層係較佳的’以提供易見視野。 一 ^几反射層可在一表面抑制反射且因而防 止外來光線如螢光出現在表面。抗反射層可由一 “、、枝物貝如金屬氧化物’說化物，石夕化物，棚化 物，衩化物，氮化物與硫化物的薄膜，或藉著薄 土化不同奶射率之樹脂，如丙烯酸樹脂與氟碳化 65 1359816 合物樹脂’單層或多層中被製造。在前一情形 中，採用瘵汽沉積或濺鍍法以形成單層或多層抗 反射塗膜在透明基材上的方法可被使用。在後一 情形中，用於提供抗反射層塗膜在透明基材表 面，使用刀塗佈器如如滾筒塗佈器，狹縫模具塗 佈器噴灑塗佈為如唇塗佈器，凹板塗佈器，流 式塗佈器，噴灑塗佈器與塗佈棒可被應用。 —士一抗眩光層藉著令一取自二氧化矽，三聚氰 月女树知，丙烯酸樹脂，與類似物的微粒製成墨 水以智知塗佈方法塗佈樹脂至本發明光學濾 波的任層上，且接著熱硬化或光硬化塗膜。 此外’-薄膜經抗眩光處理後可黏附在濾波器 β列層可透過溶解或分散丙烯酸酯如胺 f甲馱酉曰丙烯酸酯’環氧丙烯酸酯與多功能丙烯 :二與由一種習知塗膜方法使一光聚合反應起 士口別在有機溶劑中所 本發明渡波器任一声上 膜洛液被提供到 八 a上，且繼而乾燥並光硬化。 、“二t抗反射層或抗眩光層之光學濾波器，與 .„ a 層了透過缚型化具有本發明近红 外線吸收基材之—層 、 眢 且方；抗反射層或抗眩光層 月面上.而破取得。如—薄 樣近紅外線吸收姑# , 枣^明潯雀 收材科’與抗反射層4抗眩光層能 66 1359816 夠以壓敏膠合劑彼此黏著，或本發明近紅外線吸 收材料溶液可直接被塗佈至抗反射層或抗眩光 ' 層之背面。當近紅外線吸收層設置在抗反射層或 抗眩光層背面之情況中，其較佳地使用紫外線吸 收薄膜作為透明基材，以抑制染料受紫外線的破 壞。 - 其為較佳地提供一電磁干擾屏蔽層在用於 • 電漿顯示器之光學濾波器，以去除產生自面板的 電磁波。 作為電磁干擾屏蔽層，此一薄膜可被用在藉 者技術手段如以金屬網蝕刻或印刷在薄膜上繪 出圖型而取得，且繼而以樹脂使其光滑，或透過 金屬蒸汽沉積在纖維網且嵌埋在樹脂中。 具有兩層近紅外線吸收層與一電磁干擾屏 蔽層之光學濾波器可透過製出一介於電磁干擾 • f蔽材料與近紅外線吸收材料之組成物而被獲 知。如製出此一組成物的方法，本發明之一薄膜 樣近紅外線吸收材料與電磁干擾屏蔽層可透過 - 皮敏I合劑彼此黏附，或本發明近紅外線吸收材 料之浴液被直接塗佈至電磁干擾屏蔽層的背 -面。此外，近紅外線吸收材料亦可被用作一樹脂 以撫平薄膜上之金屬網。再者，本發明近紅外線 吸收材料也可當成一樹脂以包埋與金屠蒸汽沉 67 1359816 積之纖維。 作為具有近紅外線吸收層，與一抗反射層或 抗眩光層，與一電磁干擾屏蔽層等三層之光學濾 波-器，經由黏著三部份包括本發明近紅外線吸收 材料組成之近紅外線吸收層，與抗反射層或抗眩 光層，以及電磁干擾屏蔽層所得的濾波器可被採 用。若需要，一支撐基材如玻ί离或功能性薄膜如 色彩調校層可被黏附。 為簡化光學濾波器之製造步驟或薄膜組 成，其較佳地使用一具多功能之組成薄膜。例 如，以下光學濾波器可當作一光學濾波器類似採 用壓敏膠合劑經由黏附具有一近紅外線吸收 2，與一抗反射層或一抗眩光層之一組成薄膜至 一電磁干擾屏蔽層的光學濾波器；或藉著使用壓 敏膠合劑黏附含有一近紅外線吸收層，與一電磁 干擾屏蔽層之一組成薄膜至一抗反射層或一抗 眩光層所知光學濾波器；或透過使用壓敏膠合劑 黏附含有一電磁干擾屏蔽層與一抗反射層或一 抗眩光層的組成薄膜，至—近紅外線吸收層所得 $子濾波杰。作為含有—電磁干擾屏蔽層，與一 抗反射層或—抗眩光層的組合薄膜，近紅外線吸 收材料可作為一壓敏膠合劑。 本發明用於電漿顯示器之光學濾波器可自 68 顯不裂置被分離設置或可直接妹 — ^。在當其自顯示裝置被分離裝設之形1 玻;作為支撑基材。在當其直接連結 係置之情形中’未使用玻璃之先學渡波器 (9)電漿顯示器 、透過設置經薄型化之光學濾波器連同本發 明近紅外線吸收材料至電漿顯示器上，優良畫^ 品質可長時間被維持。因此，本發明之第五部分 有關於使用本發明近紅外線吸收材料，本發明近 紅外線吸收基材或本發明之光學濾波器的電漿 顯示器。具有直接連結一顯示裝置之光學濾波器 的電聚顯示器可提供生動的晝面品質。當一光學 滤波器被直接連結’其較佳地使用強化玻璃作為 用於電漿顯示器之玻璃，或連同一衝擊吸收層設 置的一光學濾波器。 如一壓敏膠合劑被用在黏附至顯示裝置，橡 膠如笨乙烯丁二烯橡膠，聚異戊二烯橡膠，聚異 丁烯橡膠，天然橡膠，新平橡膠，氣丁二烯橡膠 與丁基橡膠；一聚丙烯酸烷基酯如聚丙烯酸曱 ®旨’聚丙烯酸乙酯與聚丙烯酸丁酯，及類似物可 被含括’且它們可單獨使用，然而，添加 Piccolight(商標名），p〇lybale(商標名），松酯與類 69 1359816 似物之一者，可被用以作為壓敏膠合劑。此外， 具有衝擊吸收力如jp_A_2〇〇4263〇84中所示之 壓敏勝合劑可被使用，但，不受其限制。μ ，"壓敏膠合劑層的厚度可通常在5至2〇〇〇 _ 範圍中且較佳地為1〇至1〇〇〇 μιη。設置在壓 敏膠合劑層表面之離型膜亦為可允許的，以防止 灰塵沾黏壓敏膠合劑層上，且保護壓敏膠合劑層

直到被叹置在顯不裝置表面。在該情形中，無壓 敏膠合劑層的—部分形成在；t波H周邊部分於 壓敏膠合劑層與離型膜間，或層疊非黏性薄膜形 成非黏著。卩伤，以提供一剝離起始區，對黏著之 可用性可被輕易行使。

衝擊吸收層可保護顯示裴置免於外部衝 擊。其較佳地用在未使用—支撐基材的光學遽波 裔。作為一衝擊吸收基材，-乙烯-乙酸乙烯酯 共聚物，丙烯酸聚合物’聚氯乙π，胺基甲酸醋 大員人石夕氧”貞彳耗’及類似物，如日本專利公開第 004 246365號和日本專利公開第 號中所示’可被採用，但不受其所囿.限。 範例， 現在本發明係特定地參照範例被說明，但 這些範例應完全不限制本發明。如其中所用 70 1359816 、、份"表承、、重量份'近紅外線吸收力，可見 光區透明度與耐久性係根據隨後方法被評定。 ⑴近紅外線°及收力（近紅外線穿透率）的評估 為了可見近紅外線光譜的量測，UV-3 1 00 (Shimadzu公司所製）係被使用且於波長i 〇9〇 nm 或835 nm之穿透率係被測定。 (2) 可見光區穿透率（可見光穿透率）的評估 為了全光線穿透率的量測，Σ9〇系統 (Nippon Denshoku工業公司所製）係被使用。 (3) 耐熱性的評估 一測試樣品係被留置在一烤箱於1〇〇〇c達 120小時以測量測試前後可見光近紅外線區的穿 透光譜與色差（L*a*b在2。視野，c光源）。為了 可見光近紅外線光譜的測量，uv_31〇〇 (Shimadzu 么司‘ie_)係被使用且於波長1090 nm4 835 nm 之穿透率變化（ΔΤ)係被測定。為色差的量測， SE2000 (Nippon Denshoku工業公司製造）係被 採用且b*變化（Δΐ3*)係被測定。 (4) 抗潮性測定 一測毛樣品係被留置在一房室中於8 〇。且相 對溼度（RH) 95 %達1 20小時以在測試前後測 得可見光近紅外線區的穿透光譜與色差（L*a*b 在2°視野’ C光源）。為可見光近红外線光譜的 1359816 測量，UV-3100 (Shimadzu公司製造）係被使用且 於波長1090 nm或835 nm之穿透率變化（at)係 被測定。為色差的量測’ SE2000 (Nippon Oenshoku工業公司製造）係被採用且b*變化（△”） 係被測定。 (範例1-1) 五份队凡:^^’-四^-二⑺-丁基丨胺笨基）·^ 苯二亞銨六氟銻酸（下文中稱為SbF6二亞敍鹽） 係溶解於95份曱基乙基酮（下文中稱MEK)中， 以製備近紅外線吸收染料之溶液1。繼而，5份 四（五氟苯基）硼酸鈉（TEPBNa，曰本觸媒股份有 限公司所製）溶入95份的MEK，以製備硼酸鹽溶 液1。接下來’透過採用HALSHYBRID IR-G205 (曰本觸媒股份有限公司所製：29 %的固體含量） 作為一樹脂，69份樹脂，4份近紅外線吸收染料 溶液1，2份硼酸鹽溶液1與22份MEK係被混 合，以取得近紅外線吸收材料溶液A丨，具有2 ! %的塗膜材料固態含量（固態含量比：樹脂/染料/ 石朋酸鹽=1 00/1/0.5)。 (範例1-2) 近紅外線吸收材料之溶液A丨係使用一塗佈 棒（34號）塗佈至一易黏型pet薄膜 (COSMOSHiNE A4300，Toyobo 公司所製）並接著 72 1359816 在一熱風乾燥機中以15(TC乾燥三分鐘，以彳被得 一近紅外線吸收基材A1。此近紅外線吸收基i材 A1係被評估近紅外線穿透率，全光線穿透率與 耐熱性且結果顯示在表！。此例令，近紅外線穿 透率係在波長1090 nm被測定。 (範例2-1) 使用haLSHYBRIDIR_G205 (日本觸媒股份 有限公司所製：29%的固體含量）作為一樹脂，69 份樹脂，4份近紅外線吸收染料之溶液丨，8份取 自範例1-1的硼酸鹽溶液丨與17份％£尺係被混 合，以取得近紅外線吸收材料之溶液A2，具有 21 %塗膜材料的固體含量（固體含量比：樹脂/ 染料Μ朋酸鹽=1 〇〇/1 /2)。 (範例2-2) 近、，工外線吸收材料之溶液Α2被提供且繼而 類似範例1-2中被乾燥，以取得—近紅外線吸收 基材Α2。近紅外線吸收基# Α2係藉著使用如範 例1 -2中的同一方法被評估近紅外線穿透率，全 光線穿透率與耐熱性，而結果顯示於表丨中。 (比較例1 1 ) 使用HALSHYBRiD IR-G205 (日本觸媒股份 有限a司所製· 29 %的固體含量）作為黏合劑， 69份黏合劑，4份近紅外線吸收染料溶液j與23 1359816 伤MEK係被混合’以獲得近紅外吸收材料溶液 Β 1，具有21 %塗膜材料的固體含量（固體含量 比：樹脂/染料/硼酸鹽=100/1/())。 (比較例1-2) 处、，工汴踝吸收材料溶液B1係被提供且繼击 類似範例I-2尹般被乾燥，以取得一近紅外線效 二此近紅外線吸收基材^係藉著使用

㈣2中同—方法評估近紅外線穿透率，八来 線穿透率與耐熱性，且結果顯示在表卜王

74 1359816 而t熱性Ab*. ON CN Os 耐熱性ΔΤ(%) (N o 全光線穿透率 (〇/〇) 88.7 88.7 88.3 近紅外線穿透率 (%) . . 29.6 32.0 29.3 硼酸鹽 (固體含量比） [_ — … 1—( m N 〇 ·—^ 〇 N <N 难 · 染料 (固體含量比） ^ - — 〇 f—4 >-“ 樹脂 (固體含量比） Ψ^-t X 2 —. 〇 X 2 — 〇 X 2 (N /«—N f Ή 茗 < ArcO W 範例2-2 (A2 ) tb較例1-2 • (Bl)

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綦齧f(f^^T)m(？F 鉍 t?<<迻^^^^^-4B)s(N0->IICmisAHSlvH

IZ ΙΛ IX 1359816

自顯示於表1中的結果注意到當本發明近 紅外線吸收基材A 1與A2，與近紅外線吸收基材 B1於其中本發明之硼酸鹽未被使用者比較，具 有相同近紅外線穿透率與全光線穿透率，在 100°C經120小時後本發明近紅外線吸收基材A 1 .及A2的光學性質（穿透率改變）變化明顯地小於 近紅外線吸收基材B 1，指出本發明近紅外線吸 收材料係難以被破壞。 (範例3 -1) 1.05份四（五氟苯基）硼酸鈉（TEPBNa，由

Nippon Shokubai Co” Ltd.製造）和 〇.7〇 份 SbF6 二亞銨鹽被溶解於1 〇份曱基乙基酮（mek)於 25 C °接下來’生成溶液總量被共同加入5〇〇份 去離子水且靜置於25。〇：1小時。一沉澱物經過濾 被取回並在80°C被烘乾，以獲得〇.83份黑色固 體。 生成黑色固體被溶解在MEK尹並以螢光X 光光譜經基本分柝，發現銻未被測出、此外，透 過溶解於気化二甲基亞硬測出之F-NMR顯示-波峰與TEPB吻合但無衍生自外％之波峰被測 得。另外，經由溶解於MEK中測出之可見光近 斤外，·桌吸收光㉟與作為—原料之二亞敍光譜相 _且因而其證實：亞錄結構係被保留。 1359816 自以上結果，黑色固體係作為原料（下文中 才曰TEPB 一亞銨鹽之二亞銨的四（五氟苯基）石朋 酸鹽乃被證實。TEPB二亞銨鹽類之可見光近紅 外線吸收光譜顯示在第i圖中而由KBr方法測得 TEPB二亞銨鹽之紅外線光譜顯示在第2圖。 (範例3-2)

藉由溶解2份TEPB二亞銨鹽至98份MEK 中，一近紅外線吸收染料溶液2係被備製。採用 IR-G205 (日本觸媒股份有限公司所製：29 %的固 體含量）作為一黏合劑，69份黏合劑，17份近紅 外線吸收染料溶液2，11份MEK係被混合，以 獲得具有21 %塗膜材料固體含量的一近紅外線 吸收材料溶液A3(固體含量比：樹脂/染料/硼酸 鹽=100/1.7/0.0)。 (範例3-3)

近紅外線吸收材料溶液A3係被提供且類似 範例1-2中被乾燥，以取得一近紅外線吸收基材 A3。近紅外線吸收基材A3透過使用如範例i-2 中同—方法被評估’而結果顯示在表2。 (比較例2-1) —SbF6二亞銨鹽係被使用。在MEK溶液中 測得SbF6二亞銨鹽可見光近紅外線吸收光譜顯 不於第3圖且透過KBr方法測得sbF6二亞銨之 77 1359816 紅外線光譜顯示在第4圖。 (比較例2-2) 藉著溶解2份SbF6二亞銨鹽至98份MEK 中’近紅外線吸收染料溶液3係被製備。使用 halshybiud IR_G205 (日本觸媒股份有限公司 所製：29%固體含量）作為黏合劑，69份黏合劑， 10份近紅外線吸收染料溶液3，17份MEK係被 混合’以取得具有21 %塗膜材料固體含量的近 紅外線吸收材料溶液B2(固體含量比：樹脂/染料 /删酸鹽=100/1.0/0.0)。 (比較例2-3) 近紅外線吸收材料溶液B2係被提供且在類 似範例1-2中被乾燥，以獲得近紅外線吸收基材 B2。近紅外線吸收基材透過使用範例卜2中 的同一方法被評估，而結果顯示在表2。 (比較例3 · 1) 0.51份四苯基硼酸鈉（由D〇jind〇實驗室以

KaHb0r為名所製）與〇.7〇份扑以二亞銨.係溶解 至份MEK於25。(：並使其靜置，以產生一沉 澱物。若以”分MEK沖洗溶液與沉澱物，溶液 總量系共同地被加入500份去離子水且靜置h ^ \小。時。.沉澱物由過濾被取回且在真空中於室 '/良乾燥’以取得〇·83份紅棕固體。 78 ’， 1359816

生成紅棕固體係溶解在MEK中並以螢光X 光光碏經基本分析，發現無銻被測出。另外，陰 罐子之貝δ晋顯示衍生自四笨基硼酸的一波峰。除 此之外’若固體溶解在ΜΕΚ中，溶液顏色逐漸 改k:至綠色且可見光近紅外線吸收光譜被發現 相較於作為原料之SbF6二亞銨在可見光區顯示 更大吸收值但在近紅外線區較小。 自以上結果，發現雖然紅棕固體係作為原料 的（指SbF6二亞銨鹽），其不穩定且傾向變成銨 自由基鹽為澄貫的。在MEK溶液中測得四苯基 石朋酸二亞銨鹽之可見光近紅外線吸收光譜顯示 在第5圖中且以KBr方法測出SbF6二亞錢鹽之 紅外線光譜示於第6圖。 (比較例3-2) 透過溶解2份BPh6二亞銨鹽於98份MEK 中，近紅外線吸收染料溶液4係被備製。採用（由 日本觸媒股份有限公司所製：29 %的固體含量） 作為一黏合劑，69份黏合劑，11份取得染料溶 液4，16份MEK係被混合，以取得具有21 %塗 膜材料固體含量的一近紅外線吸收材料溶液 B3(固體含量比：樹脂/染料/硼酸鹽=100/1.1/〇)。 (比較例3-3) 近紅外線吸收材料溶液B3係被提供且類似 79 1359816 ί -V ^ ；-. -：1：；.ν· 4.V-*

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ZjA Eli 範例1 -2中被乾燥，以獲得一近紅外線吸收基材 B3。此近紅外線吸收基材B3透過範例卜2中同 一方法被評估，且結果顯示在表2。 1359816

耐熱性 VO 〇 ro ΓΟ r^i 1 < ^ $ ^ V€ i〇 (N ·/> vd 〇 全光線穿透率 (%) 88.3 88.1 90.1 近红外線穿透率 (%) 27.9 23.7 86.8 硼酸鹽 (固體含量比） 磲， 碟， 魂| 染料 (固體含量比） (N 卜 ^ - Y3 1.0 寸一 樹脂 (固體含量比） ―〇 X 2 X 2 X 2 範例3-3 (A3) 範例2-3 (B2) 比較例3-3 : (B3)

§_一 y l·; 龋盔琴蚪0 場^Λί4-α,-(^ί4甾(^H-u>r-d)0>^bzz:? 盔璜 Ί 乜壤胡^·械-α—(^ί4甾{硪卜丨G )-:r—d )0-、€/^^^:ΓΟΛ H 潜更w^l-?¥狻^·^ 滅-cu-cf^s^Hi )-=*a)s>N\N"^N:CNA (韧§ 杯Sr墙5 B ) SGS-ΉΙ aiAHSlvH : IX 81 1359816 伎r許a ]

丨 λΌ^"·\ V 自顚示於表2中的結果注意到雖然本發明 近紅外線吸收基材A 3 ’與近紅外線吸收基材b 2 於其中使用不具本發明硼酸根陰離子之亞敍類 染料者比較，具有相同近紅外線穿透率與全光線 穿透率，在100°C經120小時後本發明近紅外線 吸收基材A3之光學性質（穿透性改變與色差改 變）變化明顯地小於近紅外線吸收基材B2，暗示 本發明近紅外線吸收材料係難以被破壞。 亦自顯示於表2中的結果注意到雖然本發 明近紅外線吸收基材A 3，與近紅外線吸收基材 B3於其中使用由具有不包括拉電子基之一芳基 的蝴酸根陰離子組成的亞銨基染料者比較，具有 相同全光線穿透率，近紅外線吸收力係在近紅外 線吸收材料A3中明顯較高。此外，亦注意到在 1 〇〇 C經120小時後本發明近紅外線吸收基材A3 之光學性質（穿透率變化與色差變化）變化明顯地 小於近紅外線吸收基材B3，暗示本發明近紅外 '樣吸收材料係難以被破壞。 (範例4-1) 407.0份曱基丙烯酸甲酯，93: 〇份丙烯酸η_ 丁酯作為單體被混合，以獲得一單體混合物。6.〇 份 PERKAOOX 12-XL25(來自 Kayaku Akuzo :CQip.)與1 〇〇份甲苯係被混合，以獲得一芩始溶 82 1359816

液。3 5 0份單，:θ入私 晚H.“/一 , 切早肢此合物和250份曱苯被加入一燒 瓶’且一溫度計，一搜掉器，一氮氣導弓I管，一 ，流冷卻器和一滴液漏斗係被設於其上。15〇份 早體混合物與31.8份起始溶液被混合並加入滴 液漏斗。當以20毫升/分通入氮氣，燒瓶被加熱 以具有内部溫度達靴。74 2份起始溶液被加 二燒瓶中以開始聚合反應。在倒入聚合起始物起 异20分鐘後，滴液漏斗中的單體與起始溶液係 被=入超過60分鐘。加入後，滴液漏斗以75份 甲苯β洗且洗液被加入燒瓶中。繼而，溶液更經 6〇分熟成且150份曱笨被加入作為稀釋劑。溶液 進步热成300分鐘且100份曱本被加入作為稀 釋劑。透過冷卻至室溫，一樹脂Α被獲得。樹脂 Α具有34.4 %的固體含量，重量平均分子量為 198,000 且 Tg 為 77 °C。 (範例4-2) 藉由、/谷解6份N，N，N’，N’ -四（p-二（η_ 丁基）胺 苯）-ρ-苯二亞銨二（三氟甲烧;ε風）醯亞胺鹽與5份 EXCOLOR IR-10A(日本觸媒股份有限公司製造） 於89份ΜΕΚ ’以備製一近紅外線吸收染料溶液 5。接著，5份四（五氟苯基）硼酸鹽1 _曱基咪唑鑷 被溶解在95份ΜΕΚ中’以備製一石朋酸鹽溶液2。 然後’ 5 8份樹脂A，〗0份近紅外線吸收染料溶 83 1359816

液5’ 1 0份硼酸鹽溶液2和24份MEK係被混合， 以獲得具有塗膜材料固體含量為2丨％的一近紅 外線吸收材料溶液A4(固體含量比：樹脂/染料/ 硼酸鹽=100/5.5/2.5)。 (範例4-3) 近紅外線吸收材料溶液A4係利用一塗佈棒 (No. 34)被塗佈至一易黏型pm薄膜 (COSMOSHINE A4300 ’ Toyobo 公司所製）且繼而 在15 0 C熱風乾燥機中乾燥3分鐘，以獲得一近 紅外線吸收基材A4。近紅外線吸收基材A4係被 評估近紅外線穿透率，全光線穿透率和耐熱性且 結果顯示在表3中。本例中，近紅外線穿透率係 在波長1 090 nm被評估。 (範例5 -1) 透過溶解5份四（五氟笨基）硼酸N，N_二曱基 環己録於95份MEK中，一硼酸鹽溶液3係被備 製。接下來，58份樹脂A，1 〇份吸收近紅外線 之染料溶液5，10份硼酸鹽溶液3和24份MEK 係被混合’以獲得具有塗膜材料固體含量為2 1 〇/〇 的一近紅外線吸收材料溶液A5 (固體含量比：樹 脂/染料/硼酸鹽=100/5.5/2.5)。 (範例5-2) 近紅外線吸收材料溶液A5係被提供且類似 1359816

近紅外線吸收基材A5係透過使用範例4 吸收基材5。 有範例4-3中 同—方法被評估，且結果顯示在表3。 (比較例4·1) 58份樹脂A，10近紅外線吸收染料溶液！ 2 32份MEK係被混合，以獲得具有塗膜材料固 體含量為2 1%之近紅外線吸收材料溶液b4。 (比較例4-2) 卜近紅外線吸收材料溶液B4係被提供且類似 例4-3中被乾燥以獲得一近紅外線吸收基材

A 4'3中同一方法被評估 。此近紅外線吸收基材B4係透過採用如範例 且結果顯不在表3 〇 85 1359816 ε< 耐熱性△!?* CO (N On vq » < f-H 耐熱性ΛΤ (%) vq cn <N 全光線穿透率 (%) 65.3 67.8 1 65.9 近紅外線穿透率 (%) 〇 〇〇 1 硼酸鹽 (固體含量比） (N ^ N (N cn N <N 璀· 染料 (固體含量比） in in >〇 »n 樹脂 (固體含量比） CN S X 2 S§ CN ^ X 2 範例4-3 (A4) 1 範例5-2 ; (A5) .比較例4-2 1 (B4)

V 頌rolrf&-M-N^^厚3ί4Ίώ0 : eN 、 ι^φ^ϋ1ί3ϊ4ΊΤ)0:(Νζ ⑷ t ^ Αέ '^^i^^VOI-^scnooxw^^^ftilso^^s-^'HOM^^M^-d-s^^cfb-lou-d)？/^^^^:^ V §筚：<NX 86 1359816

自顯示於表3中的結果注意到雖然本發明 近紅外線吸收基材A 4和A 5 ’與近紅外線吸收基 材B4於其令本發明硼酸根陰離子不被採用者比 較’具有相同近紅外線穿透率與全光線穿透率， 在80 °C與相對溼度95 % 120小時後本發明近紅 外線吸收基材A4和A5的光學性質（穿透率改變 和色差變化）變化明顯地小於近紅外線吸收基材 B4 ’暗示本發明近紅外線吸收材料係難以被破 壞。 (範例6 -1) 丙烯酸2-乙己酯（478.2份），曱基丙烯酸環 己酯（120份）和丙烯酸經乙酯（丨8份）作為單體 地被秤重且完全混合，以獲得一單體混合物。單 體混合物（240份）與乙酸乙酯（147份）被加入配設 有一溫度計，一攪拌器，一惰性氣體導引管，一 回流冷卻器和一滴液漏斗之一燒瓶中。一單體混 合物（360份），乙酸乙酯（16份）與作為聚合反應 起始劑之NYPER BMT_K40(0.72份）之用以滴二 的單體混合物被倒入滴液漏斗中且被均勻混 ^。當以20毫升/分通入氮氣，燒瓶内部溫度提 高到84 °C且作為聚合反應起始物的NYpER BMT-K40 (0.96份）加入燒瓶中而開始聚合反 應。自加入聚合反應起始劑1〇分鐘後，用^滴 87

1359816 加倒入滴液漏斗中的單體混合物開始被一滴滴 地添加。用以滴定之單體混合物被穩定地滴定9 0 分鐘。在滴定完成後，乙酸乙酯（50份）被倒入燒 瓶中。然後，反應溶液在82°C中4.3小時達到熟 成狀態。在反應完全後，乙酸乙酯（44.4份）係被 添加且最後反應溶液以曱苯稀釋以給出約4 5 . 0/〇 的不變性含量’以獲得一丙烯酸聚合物溶液。此 被視為壓敏膠合劑A。壓敏膠合劑A具有經計算 的Tg為-51 °C且酸值為0。 (範例6-2) 透過溶解2.5份SbF6二亞銨鹽與2.5份 EXCOLOR IR-10A (曰本觸媒股份有限公司製造） 於95份MEK中，一近紅外線吸收染料溶液6係 被備製。接著’使用壓敏膠合劑A作為一樹脂， 8 9份堡敏膠合劑a，1 6份近紅外線吸收染料溶 液6，16份硼酸鹽溶液丨與1 8份MEK係被混合 以獲得具有塗膜材料固體含量為3 0 %的一近紅 外線吸收材料溶液A6(固體含量比：樹脂/染料/ 硼酸鹽=1 00/2/2)。 (範例6 - 3) 近紅外線吸收材料溶液A6係利用一塗佈棒 (No. 50)被塗佈至一易黏型 pet 薄膜 (COSMOSHINE A4300 ’ Toyobo 公司所製）且在 S8 1359816 1 Jf^j n\ 15 o c熱風乾紐機中乾燥3分鐘，以形成厚度為 1 〇 μΐΏ的塗膜。此膜上，另一易黏型ΡΕΤ薄膜 (COSMOSHINE Α43 00 ’ Toyobo 公司所製）係被黏 附，以獲得一近紅外線吸收基材A6。此近紅外 線吸收基材A6的可見光近紅外線吸收光譜顯示 在第7圖中。此被用為耐熱性測試的一測試樣 本°近紅外線吸收基材A6係被評估近紅外線穿 透率’全光線穿透率和对熱性且結果顯示在表4 中。本例中’近紅外線穿透率係在波長1 〇9〇 nm 被測定。 (比較例5·1) 藉由混合89份壓敏膠合劑A，16份近紅外 線吸收染料溶液6與3 1份MEK，具有塗膜材料 固體含量為30 %(固體含量比：樹脂/染料/硼酸 鹽.100/2/0)之一近紅外線吸收材料溶液b5係被 取得。 (比較例5-2) 一近紅外線吸收基材B5係類似範例6-3中 被取得當使用一近紅外線吸收材料溶液B 5取 代。此近紅外線吸收基材B5之可見光近紅外線 吸收光譜顯示在第8圖中。此基材係類似範例6_3 中被評估且結果顯示在表4。 (比較例6-1) 89 1359816

丨月

透過溶解5份四苯硼酸鈉（D〇jhldo實驗室以 Kaliboi.為名製造）在95份MEI(中，一硼酸鹽溶 液4被備製。89份壓敏膠合劑A，1 6份近紅外 線吸收染料溶液6，1 6份硼酸鹽溶液4和3 1份 MEK係被混合，以獲得具有塗膜材料固體含量 為30 %(固體含量比：樹脂/染料/硼酸鹽：=1〇〇/2/2) 之一近紅外線吸收材料溶液B6。 (比較例6-2) 近紅外線吸收基材B6 使用一近紅外線吸收材料溶液B6，近紅外 ’泉吸收基材B6係類似範例6_3中般被取得。此 譜顯示在第9圖令。 測試之一測試樣本。 般被評估早結果顯示 B6的可見光近紅外線吸收光 。此基材B6被當做用於耐熱 °基材B6係類似範例6-3中 禾在表4中。 90 1359816 寸< ο 而于熱性ΔΜ 寸 (Ν ο Ο 耐熱性ΔΤ (%) CO —Η CN 10.5 全光線穿透率 (%) VO 卜 69.3 77.1 近紅外線穿透率 (%) 14.9 .1 15.5 77.6 硼酸鹽 (固體含量比） —Ο Ν oi 媸· S3 染料 (固體含量比） νο Ο ^ oi Ό Ο .> <Ν· Υ6 2.0 樹脂 (固體含量比) S§ ^2 Χ§ 範例6-3 (A6) 比較例5-2 (Β5) 比較例6-2 (Β6) 苍谱―.械Θ :寸z 綦谱厚(硇蚪^叫)0:12: 荽^?is^ TifiQ<5^%^^^^4B)VOI-pi:scn〇ox3^^4!«<r^nK^^Mi4-d-(-fi4^(^_L-u)M-d¥>^b^^:9A ν ί#^·^1ζ : ex

91 1359816

减不在表4之结果ψ，！ 士 . 之、·。果中，百先，錯由比較本發 其;J紅外線时基材Α6之結果與近紅外線吸收 :Β5者方、其中依照本發明之一硼酸鹽溶液未 =使用者，發現雖然近紅外線吸收基材Α6具有 專同於近紅外線吸收基材Β5的近紅外線穿透率 和全.光線穿透率’本發明近紅外線吸收基材Μ f I 00 C 20分鐘後光學性質（穿透率改變）變化

係明顯小於近紅外線吸收基材B5，暗示本發明 近紅外線吸收材料係難以被破壞。 Ο 此外，透過比較本發明近紅外線吸收基材 A6的結果與近紅外線吸收基材B6於其中由包括 不具有拉電子基團之芳基的硼酸根陰離子組成 的鹽類者，發現雖然這些吸收基材具有相同全光 線穿透率，本發明近紅外線吸收基材A6的近紅 外線牙透率係明顯小於近紅外線吸收基材B6， 顯示近紅外線吸收基材A6可滿足阻斷近紅外線 的更南效率。再者’藉由比較本發明近紅外線吸 收基材A6和近紅外線吸收基材B 6的耐熱性， 在1 〇〇 C經20小時後本發明近紅外線吸收基材 A6較近紅外線吸收基材b6在光學特性（穿透率 ά化）展現顯著更小的變化，顯示本發明近紅外 '線吸收材料表現較低的被破壞性。 (範例7-1) 92 1359816 » * ,· \ ·,Λ S .二.- ? -T-- i更丄甘.钻只 . G月卞曰 . 278份丙烯酸2-乙基己酯，120份曱基丙稀 . 酸環己酯，2份丙烯酸羥乙酯與258份乙酸乙醋 被加入至設有一攪拌器，一氮氣導引管，一滴液 漏斗’ 一溫度計與一冷卻管之四頸燒瓶中，且混 合物在亂氣環境下被加熱至達8 5。〇。在内部溫度 到達 85°C 後，:0.8 份 NYPER BMT-K40(NOF.Corp. 所製造）與8份乙酸乙酯係被加入，以引發聚合 鲁反應。自反應開始1 〇分鐘後，4丨7份丙烯酸2_ 乙基己酯，180份曱基丙烯酸環己酯，3份丙烯 酸羥乙酯，0.6份NYPERBMT-K40和1〇份乙酸 乙酯被一滴滴地加入90分中。自滴定結束在每 一 120 ’ 150 ’ 180與210分鐘，卫份偶氮二異丁 基氰與10份乙酸乙酯被加入而在回流下繼續反 應2小時，並最後以乙酸乙酯稀釋以給出固體含 里為4〇 %，以獲得一壓敏黏合劑B溶液。所得 聚合物具有一重量平均分子量為35〇,〇〇〇，一計 舁所得Tg為-40 °C和酸價為〇。 (範例7-2) • 藉由溶解4份TEPB二亞銨鹽與2份 XCOLOR ir_i〇a(日本觸媒股份有限公司所製） 到94份MEK中，一近紅外線吸收染料溶液7被 製備。然後，1(M分N，N_二甲基_4_甲基苯錄四（五 鼠本基）硼酸係溶解在90份MEK中，以備製硼 93 π-\- 酸鹽溶液5。然後，50份壓敏膠合劑β溶液，！ ο 份近紅外線吸收染料溶液7和1 〇份硼酸鹽溶液$ 被混合，以取得具有塗膜材料固體含量為3】 %(固體含量比：樹脂/染料/硼酸鹽=1〇〇/3/5)之— 近紅外線吸收材料溶液Α7。 · (範例7-3) 一近紅外線吸收材料溶液Α7被塗佈至一易 黏型 PET 薄膜（COSMOSHINE Α4300, Toyobo 公 司所製），故一層壓敏膠合劑的厚度在乾燥後為 20 μηι ’並在1 〇〇 °C熱風乾燥機中乾燥2分鐘。 透過將此壓敏膠合薄膜黏附於一玻璃板上，一近 、.工外線吸收基材A7係被獲得。此被當作用於抗 潮性測試的一測試樣本。此基材A7係被評估近 ’’工外線牙透率’全光線穿透率和抗潮性且結果顯 不在表5。本例中，近紅外線穿透率係在波長1〇9〇 nm被評估。 (範例8-1) 透過溶解10份四（五氟苯基）侧酸喹啉鑌於 9〇份MEK中，一硼酸鹽溶液6係為備製。繼而， 5〇份壓敏膠合劑B溶液，1〇份吸收近紅外線染 料溶液7與1 0份硼酸鹽溶液6係被混合，以取 得具有塗膜材料固體含量為31 %(固體含量比： 树脂/染料/硼酸鹽=1〇〇/3/5)之一近紅外線吸收材 1359816

.^c〇 (f 料溶液A8。 (範例8-2) 當使用近紅外線吸收材料溶液A8取代，一 近紅外線吸收基材A8係類似範例7_3被獲得。 此基材A8係類似於範例7_3中被評估且結果顯 示在表5中。 (範例9 -1)

藉由混合50份壓敏膠合劑b溶液，1 〇份近 紅外線吸收染料溶液7與份乙酸乙酯，具有 塗膜材料固體含量為29 %(固體含量比：樹脂/ 柒料/侧酸鹽=100/3/0)之一近紅外線吸收材料溶 液A9係被獲得。 (範例9-2) 當使用一近紅外線吸收材料溶液A9取代，

近紅外線吸收基材A9係類似範例7-3中被獲 知·。此為用於抗潮性測驗的一測試樣本。此基材 A9係類似範例7_3中般被評估且結果顯示在表 5。 .、.. (比較例7-1) 透過溶解4份SbF6二亞銨鹽與2份 EXCOLOR lR-l〇A(由曰本觸媒股份有限公司所 製）在94份MEK中，一近紅外線吸收染料溶液8 被備製。繼而，50份壓敏膠合劑B溶液，丨〇份 95·. 1359816 近紅外線吸收染料溶液8與1 o份乙酸 狀 -混合’以獲得具有塗膜材料固體含量為29 (固 體含量比：樹脂/染料/硼酸鹽=100/3/0)之—近名 外線吸收材料溶液Β7。 (比較例7-2) 當採用一近紅外線吸收材料溶液Β7取代.， 一近紅外線吸收基材Β7係類似範例7_3被取 得。此基材Β7被用作抗潮性測試的測試樣本。 此基材Β7係類似於範例7-3被評估且結果顯示 在表5。 96 1359816

ς< 耐熱性ΔΙί* r-； ~^Γ 28.7 耐熱性ΔΤ (%) v〇 〇〇 ο 38.6 32.4 1 1 全光線穿透率 (%) 52.8 .. 1- 55.8 49.8 ! ' 1 58.2 ! 近紅外線穿透率 (%) (N 00 CS v〇 42.8 硼酸鹽 (固體含量比） Ώ - N 瑞· 磲 · 染料 (固體含量比） 卜 〇 ^ .0〇 卜 Ο 卜 cn 卜 Ο c〇 OO O > rn 樹脂 (固體含量比） X4 100 S § 茶§ δ § 範例7-3 (A7) 範例8-2 (A8) -範例9-2 i (A9) 比較例7-2 (B7)[同上] ^ 镣举劊盔琴^: 9Z U 狻^硪&--寸-硪&--^-^^盔厚〇1鉍^^)0:52 •Ti t?<<^-te^^辕嫛-403) νοΙ-ΉΞΟΊ〇υχ3 球龋齧璜 Ί 权竣^4i4-d-(f^^(^h-u )-r-d )0:^k^^:ooA 荽^畦运(嘲鵷w<<^ ^φ^^^·4Β)νοΙ-ΉΙΉ〇Ί〇υχ3ί#^^^(^ί4Ί·ϊ)0^^-τί4-α,-(^ί4^(^_Ι.-ιΙ)-:Γ-α)0>^/^ζ^:/,Λ s+lmw :寸χ 97 1359816 . * w Λ ： 顯示在表5的結果中，首先，透過比較\近紅. 料吸收基材A 9的結果與近紅外線吸收基材巴7 者於其中本發明之硼酸根陰離子係未被採用者， 發現雖然近紅外線吸收基材A9具有等同於近紅 外線吸收基材B7的全光線穿透率，本發明近紅 外線吸收基材A9之近紅外線穿透率係顯著較小， 顯示本發明近紅外線吸收基材A9可較近紅外線 吸收基材B7執行遮斷近紅外線明顯較高的效率。 除此之外’近紅外線吸收基材A7與A8於 其中具有本發明硼酸根陰離子之二亞銨染料 者，與本發明之一硼酸鹽係被使用，且本發明之 近紅外線吸收基材A9，亦在8(TC相對溼度95 % 經120小時後較近紅外線吸收基材A6於光學特 性（穿透率變化）含有較小的改變，顯示本發明之 近紅外線吸收材料係難以被破壞，即便壓敏膠合 劑被用在一玻璃基材上。 (範例10) _ 可聚合聚矽氧（M-1)的製造 144_5份四曱氧矽烷，23.6份曱基丙烯醯 氧基丙基三甲氧石夕烧’ 19.0份水，3 0.0份甲醇與 5.0份Amber丨yst 15(商標，由〇rgano公司所製陽 離子交換樹脂）被加入設有一攪拌器，一溫度計 與一‘冷卻，管之300毫升四頸燒瓶中，且生成混合 98 1359816 ==授掉2小時以反應。將反應遇微 P至，皿後，一蒸餾塔，與冷卻管和一連接至i 之放流出口係被設置，取代、人& — 連接至八 ..^ 取代冷部官，且燒瓶内部 -度在正吊壓力被提高到約8(KC2小時内 ;溫度被維持直到甲醇不流出。再者，混合物在 屋力2.67X 1〇千帕被維持於90 t；直到甲醇不再 流出，以額外地執行反應。再—次，混合物被冷

部到室溫，且然後Amberlystl5被渡出，以取得 數量平均分子量1700之可聚合聚矽氧烷則。 2.有機聚合物（ρ_ι)的製造 ,2 6 0。份乙酸n · 丁醋作為有機溶劑被倒入設有 一攪拌器，一滴液口，一溫度計與一冷卻管之一 L型燒瓶，且氮氣被導引並當攪拌時燒瓶内部溫 度被提高到11〇。(：。接著12份可聚合聚矽氧 (Μ-1)’ 1 9伤甲基丙烯酸三級丁 g旨，94份丙烯酸 丁酷’ 67份曱基丙烯酸2_羥乙酯，48份過氟辛 基乙基甲基丙烯酸酯（LIGHT-ESTER FM-108， KYOEISHA化學股份有限公司所製）和2 5份 2，2 ’ -偶氮二-(2-甲基丁基氰）之經混合溶液自滴 液口被加入3小時内。在同樣溫度持續攪拌丨小 日τΓ後即使滴便已完成後’ 0.1份三級-丁基過氧_ 2 _ 乙基己酸酯係被加入兩次以3 0分鐘間隔，而混 合物被加熱另外2個小時而被共聚合，以獲得__ 99 1359816 vv 具有數董平均分子量為1 2000且重量平均分子量 為27000之有機聚合物（ρ_ι)的乙酸n 丁酯溶 液。生成溶液具有48.2 %的固體含量。 3.有機聚合物連同無機微粒之組合物的分散體 (S-1)製造 200份乙酸n_丁酯與5〇〇份曱醇被預先倒入 一 500毫升且設有一攪拌器，2個滴液口（滴液口 A和滴液口 B)與一溫度計的四頸燒瓶中，且内部 溫度被調整到401。繼而，當燒瓶内攪拌，由 10克乙酸】1_ 丁酯（P·1)中有機聚合物溶液，30份 四曱氧矽烷與5份乙酸n_ 丁酯組成之一混合物溶 液（原料溶液A)由滴液口 A被滴入，且由5份25〇/〇 氨水溶液，10份去離子水和15份甲醇組成的一 混合溶液（原料溶液B)係自滴液口 B被滴入在2 小％内。於滴入已完成後，一蒸餾塔與一冷卻管 =一回流出口連接至其者係被設置，取代冷卻 官，且燒瓶内部溫度於4〇kPa壓力被提高到 loot ’而後錢，甲醇和乙酸n_丁醋被移除以給 出30 %的固體含量，以取得具有分散在由具有 無機微粒之有機聚合物比有機聚合物為70/30植 成之乙酸η-丁酿中的一分散體㈣。生成組合物 之平均粒徑為23.9_。有機聚合物中無機微粒 與有機聚合物組合物連同無機微粒的比例係在 100 1359816 :機=物組，物連同無機微粒之分散=If 後 f⑽力】.33 x 10kPa下乾燥24小時 该情形中’灰分被視為有機聚合物組合物 微粒的内含物。此外，平均粒徑係透過 ，有機聚合物組合物連同無機微粒的分散 4-1)溶液以99.份乙酸n•丁 §旨稀釋而測定 Μ) ，液中顆粒經-穿透式電子顯微鏡拍攝，測量任 1⑻個顆粒粒徑，以取得平均粒徑 4.反射膜 十句值。

精由混合8份六丙烯酸二季戊四醇酯 (DPE-6A，由KY0EISHA化學股份有限公司所 製）與2份三丙烯酸季戊四醇酯（pE_3A，由 KY〇EISHA化學股份有限公司所製）且溶解混 合物在40份MEK中，0.5份光聚合反應起始劑 (Irgacure 907,日本汽巴嘉基股份有限公司製造） 溶液在2份MEK中係被添加，以備製用於—硬 敷層之塗裝液。 透過混合9份無機聚合物組合物連同無機 微粒之分散體（S-1)，0.3 份 Desmodule (Tradename ’ 一異氰酸酯固化劑，由住有拜耳 烏拉坦股份有限公司所製出）與〇 份二_n_丁 錫二月桂冠酸和Π0份曱基異丁基酮，用於一低 折射率層的一塗裝液係備製。 101 1359816

用於一硬敷層之塗裝液透過採用塗佈棒以 188 μηι厚度被塗設至一 pet膜（cosmOSHINE A4300，Toyobo公司所製）上且，在i〇〇 〇c乾燥 1 5分鐘後’塗裝層藉由使用高壓水銀燈照射2〇〇 m J/cm2紫外線而硬化’以形成厚度5 μιη之一硬 敷層。繼而，.塗裝層在硬敫層上硬化，以形成具 有5 μηι厚度的一硬敷層。接下來，透過利用塗 佈棒將用於低折射率層之塗裝溶液塗設至硬敷 層上’ 一抗反射層係備製在ΡΕτ膜上。 以鋼棉使該膜抗反射層側之反側的一表面 粗糙化，且一黑墨被塗佈以自鏡面測量反射光 d ’以抗反射薄膜側之表面入射角為5 〇，採用紫 外光-可見分光儀（UV-3100，Shimadzu股份有限 公司所製），且抗反射最小值係於波長其反射率 變為最低者被決定。所得抗反射薄膜之反射率在 波長 550nm 為 0.45 %。 5.光學濾波器 所仔抗反射薄膜之背面側’近紅外線吸收材 料之溶液7係由一喷嘴被塗佈，以給出經乾燥後 一厚度為20μηι之壓敏膠合層，且在1〇〇 π熱風 乾燥機中乾燥2分鐘。透過此壓敏膠合膜黏附至 一玻璃板上，一光學濾波器被備製。光學濾波器 之全光線穿透率，近紅外線反射率與穿透率為 102

佳。 L^iii (範例11-1)

由化子式（c) (S0728，FEW CHEMICALS

GmbH公司所制 ^ 一 衣，在下文中指"PF6吲哚鑌鹽"） 斤丁 5如引°木鎢陽離子之六氟磷酸鹽係溶解95 份MEK中，以供制 ., 備衣一近紅外線吸收染料之溶液 9/，而，藉由使用樹脂A作為一樹脂，125份 树月曰3·3如近紅外線吸收染料溶液9，2〇份硼 酉义unw合液.1與48份ΜΕΚ係被混合，以獲得一近 、工外’泉吸收材料溶液η，具有塗裝材料固體含量 為21 /〇(固體含量比：樹脂/染料/硼酸鹽 = 100/0.43/2.5)。 (範例11-2) 一近紅外線吸收材料之溶液All透過使用 塗裝棒被塗佈至一易黏型pE丁薄膜 (fOSMOSHINE A4300 ’ Toyobo 公 g 所製）上，且 繼而在1 5〇ΐ熱風乾燥機中乾燥3分鐘，以取得 近紅外線吸收基材A 11。近紅外線吸收基材 ΑΠ係被評估近紅外線穿透率，全光線穿透率與 耐熱性，且結果顯示在表6。本例中，近紅外線 穿透率係在波長8 3 5 n m被決定。 (範例12-1) 2.11份四（五氟苯基）石朋酸鈉（丁EpBNa，曰本 103 觸媒股份有限公司所製）與0.80份PF6 »引D朵鹽係 方；25C’各解在20份四鼠0夫喃（THF)中。接著， 生成溶液之溶劑由一旋轉蒸發器於40。〇蒸發。 一析出物被復原並被加到8〇〇份去離子水且以授 拌分散其中。一沉澱物係透過過濾生成分散物備 付元並在80eC乾燥，以取得一黑色固體。 由溶解生成黑色固體於MEK中測得之可見 光近紅外線吸收光譜係與作為原料之一，n朵錯 染料光譜相符。此外，TEPB陰離子特有波峰係 在紅外線光譜與生成黑色固體之質譜申被偵測 到。自以上結果，確認黑色固體為化學式（c)(在 下文中指"PF6吲哚鏽鹽”）所示之吲哚鏽陽離 子的四（五氟苯基）硼酸鹽。由溶解於MEK中測 得PF6吲哚銪鹽的可見光近紅外線吸收光譜顯 示在第10圖中。亦，由溶解於MEK中測得之 TEPBNa可見光近紅外線吸收光譜顯示在第^ 2 圖而透過KBr方法測得之TEPBNa紅外線光譜顯 示在第〗3圖中；且藉著溶解於MEK中測得之 PF6吲哚鑌鹽可見光近紅外線吸收光譜顯示在第 14圖而透過KBr方法測得PF6吲哚鏽鹽之紅外 線光譜顯示在第〗5圖中。 (範例12-2)

藉者〉谷％ 2份ΤΕΡΒ σ引f朵錯鹽至98份MEK 104 中，一近紅外線吸收染料之溶液1 o係為備製。 使用樹脂Α作為一樹脂，63份樹脂，5.5份近紅 外線吸收染料溶液1 〇，和27份MEK係被混合， 以取得具有塗裝材料固體含量為2 1 %(固體含量 比：樹脂/染料/硼酸鹽=100/0 55/0)之一近紅外線 吸收材料溶液A12。 * . · (範例12-3) 一近紅外線吸收材料之溶液A12係被塗佈 且繼而類似於範例11-2般被乾燥，以獲得一近 紅外線吸收基材A1 2。近紅外線吸收基材a 1 2透 過使用相同於範例11 -2之方法被評估，且結果 顯示在表6中。 (比較例8-1) 採用樹脂A作為一樹脂，丨25份樹脂，3.3 ，近紅外線吸收染料溶液9，與63份mek係被 混合，以獲得具有塗裝材料固體含量為21 %(固 體含量比··樹脂/染料/硼酸鹽=100/0.43/0)之一近 紅外線吸收材料溶液Β 8。 (比較例8-2) '奸—近紅外線吸收材料之溶液Β8被塗佈且類 '範例11 -2中般被乾燥’以取得一近紅外線吸 ，基材Β8。近紅外線吸收基材Β8透過使用範例 -2中同-方法被評估，且結果顯示在表6。 105 由”員示在表6結果注意到雖然本發明紅外 線吸收基# All ’ A12，相較於近紅外線吸收基 材B8於其中無本發明之簡鹽被使用者，具有 才同王光、·泉穿透率，本發明近紅外線吸收基材 A11’八12在丨0〇經120小時候之近紅外線穿 透率與光學特性變化明顯小於近紅外線吸收基 材B8,表示本發明之近紅外線吸收材料難以被 破壞。 產業利用性： 由於本發明之近紅外線吸收材料具有高近 紅外線吸收力與可見光區穿透率且在耐熱性和 抗潮性較為理想，作為用於電漿顯示 波器與用於-光學半導體元件之光學遽= 有用的。其亦可用於光學資訊儲存材料。 於2005年2月4曰提申之曰本專利申請號 第2005-029504號，2005年5月1〇日提申第儿 2005-137530號’與2005年5月1〇日提申第 2005-13 7561號的全部揭露含括說明書，申請專 利範圍，圖式與摘要係被完整參照包含在此中。 106 1359816 9< 耐熱性Δ” 〇〇 —4 Ο -1.5' 耐熱性ΔΤ (%) 20.6 1 _ .23.0 35.7 全光線穿透率 (%) 85.8 1 I 85.8 86.2 近紅外線穿透率 (%) 〇\ σ< 10.2 16.7 硼酸鹽 (固體含量比） Ν <ν' 碟· 磡· 染料 (固體含量比） Υ9 0.43 ·· ΥΙΟ 0.55 -1 Y9 0.43 樹脂 (固體含量比） fN g X 2 S § S § 範例1卜2 (All) 範例12-3 (A12) 比較例8-2 (B8)

綦潜荸(_ί4Ίΐ)0 : IZϋ^^οι^ι-ϊϊ^^^^ιι^^^^ο^^ΊίδΙΟΙΛ V 迴率：<NX 1359816

;··;免、.，、I nj 【圖式簡單說明】 第1圖是範例3-1所得TEPB二亞銨鹽的— 可見光近紅外線吸收光譜。 第2圖是範例3-]所得ΤΕΡΒ二亞銨鹽的一 紅外線（IR)光譜。 第3圖是比較例2-1中所用sbF6二亞銨鹽 的〜可見光近紅外線吸收光譜。 第4圖是比較例2-1中所用sbF6二亞銨鹽 的一紅外線光譜。 第5圖是比較例3-1中所用BPh4二亞銨鹽 的—可見光近紅外線吸收光譜。 第6圖是比較例3-1中所用BPh4二亞銨鹽 的一紅外線光譜。 、第7圖是範例6-3中所備製近紅外線吸收材 料Αό的一可見光近紅外線吸收光譜。 第8圖是比較例5_2中所備製近紅外線吸收 材料Β5的一可見光近紅外線吸收光譜。 第9圖是比較例6_2中所備製近紅外線吸收 材料Β5的一可見光近紅外線吸收光譜。 苐1 0圖是範例1 2 -1中所備製TEpB D引哚鑌 的一可見光近紅外線吸收光譜。 第U .圖是範例1 2-1中所備製TEPB吲哚鑌 •鹽的一紅外線光譜。 108 1359816 第12圖是範例12·1中所用TEPBNa的一可 見光近紅外線吸收光譜。 第13圖是範例12-1中所用TEPBNa的一紅 外線光譜。 第14圖是範例12-1中所用PF6吲哚鑌鹽的 一可見.光近红外線吸收光譜。 第15圖是範例12-1中所用pF6吲哚鑌鹽的 一紅外線光譜。 圖式中元件名稱與符號對照】 109

Claims (1)

1. 口，/-产丨 十、申請專利範圍： •一種用於近紅外線吸收材料之硼酸鹽，具有 四（五氟苯基）石朋酸根[tetrakis (pentafluorophenyl) borate]陰離子與一陽離子，其 中陽離子係為至少一二亞銨陽離子，—花青 染料類陽離子或一吲哚類陽離子。 .一種用於近紅外線吸收材料之硼酸鹽，其含 有一四（五氟苯基）石朋酸根[tetrakis (pentafluorophenyl) borate]之陰離子與具有 選自於銨’吡啶鏆，笨胺，咪唑鏘 (imidazolium)"比。各。定鑌（pyrr〇Hdinium)， 納與喹啉所組成群組令之一結構的一陽離 子0 3 · —種近紅外線吸收材料，其包含前述申請專 利範圍第1項或第2項的硼酸鹽與一近紅外 線吸收染料。 4 ·如申請專利範圍第3項之近紅外線吸收材 料’其中近紅外線吸收染料係選自於由前述 申請專利範圍第1項硼酸鹽之至少一者，一 一亞敍類染料，一肽青類染料，一花青類染 料，一斯夸琳類染料與一金屬二硫醇類染料 所組成。 5 ·如申請專利範圍第3或4項之近紅外線吸收 丄妁9816 材料，其包含前述申請專利範圍第2項之蝴 酸鹽，以及至少一種前述申請專利範圍第】 項中的任何一種硼酸鹽作為該近紅外線吸 收染料的硼酸鹽。 6·如申請專利範圍第3項或第4項之近紅外線 吸收材料’其進一步包含至少一選自於由透 過共聚合-線型，分支，脂環或多環脂環烧 基且具有1 i UM固碳原子的甲基丙烯酸酯 所得樹脂；具有一玻璃轉移溫度為65至85 °〇之樹脂；具有一分支結構的樹脂；壓敏膠 合劑和/或一膠合劑；具有Tg不低於_8〇 t 且不高於0 °c且酸價不高於3〇之樹脂所組 成的群組的樹脂。 7. —種近紅外線吸收基材，其包含前述申請專 利範圍第3項、第4項、第5項或第6項之 近紅外線吸收材料者。 8 · —種具有前述申請專利範圍第3項、第4 項、第5項或第6項之近紅外線吸收材料而 設置於一透明基材上者的近紅外線吸收基 材’其中透明基材為一玻璃基材，一聚對苯 一甲酸乙一酉旨（poly ethylene terephthalate， PET)薄膜，一易黏型聚對苯二甲酸乙二酯 (poly ethylene terephtha late，PET)薄膜， 111 一二乙酿纖維（triacetylcellulose，TAC)薄 膜，一抗反射薄膜或一電磁干擾屏蔽薄膜。 .一種用於電漿顯示器之光學濾波器，其係採 用前述申請專利範圍第7項或第8項之近紅 外線吸收基材者。 1〇·:種用於光學半導體元件之光學濾波器，其 係採用前述申請專利範圍第7項或第8項之 近紅外線吸收基材者。 11 · 一種電漿顯示器，其採用前述申請專利範圍 第3員第4項、第5項或第6項之近紅外 線吸收材料’前述申請專利範圍第7項或第 員之近紅外線吸收基材或前述專利範圍第 9項之光學濾波器者。 申胃專利範圍第5項之近紅外線吸收材 其進-步包含至少一選自於由透過共聚 :、泉型，分支，脂環或多環脂環烷基且具 1至10個碳原子的f基丙烯㈣所得樹 月曰，具有一玻璃轉移溫度為65 樹脂；具有一八士从_ L之 刀支'·，口構的樹脂；壓敏膠合劑. :或一膠合劑，·具有Tg不低於_80。。且不 二:酸價不高於30之樹脂所組成的