JP5033632B2 - ホウ酸塩および近赤外線吸収材料 - Google Patents
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Description
本発明は、近赤外線吸収材料用ホウ酸塩、当該ホウ酸塩を含む近赤外線吸収材料、ならびに当該近赤外線吸収材料を用いてなるプラズマディスプレー用及び光半導体素子用フィルターに関する。特に、本発明は、近赤外線吸収色素の耐久性を向上させるホウ酸塩、可視領域の透明性と耐久性に優れる当該ホウ酸塩を含む近赤外線吸収材料、ならびに当該近赤外線吸収材料を用いてなるプラズマディスプレー用及び光半導体素子用フィルターに関する。
近年、薄型で大画面に適用できるPDP(Plasma Display Panel)が注目されている。PDPはプラズマ放電の際に波長が800nm〜1000nmの近赤外線が発生するが、この近赤外線が家電用リモコンの誤作動を誘発することが問題となっている。また、CCDカメラ等に使用される光半導体素子も近赤外線領域の感度が高く、近赤外線を除去する必要がある。そこで、近赤外線の吸収能が高く、可視領域の透明性が高い近赤外線吸収材料が求められている。
で示されるアニオンを有する近赤外線吸収材料用ホウ酸塩によって達成される。
図1は、実施例3−1で得られたジイモニウムTEPB塩の可視−近赤外線吸収スペクトルを示す図である。
以下、本発明を詳細に説明する。
で示されるアニオンを有する近赤外線吸収材料用ホウ酸塩に関するものである。
本発明で使用するアニオンは、上記式(1)で示されるホウ酸アニオンであり、電子吸引性基を有するアリール基をホウ素原子に結合させることで、近赤外線吸収色素の耐久性を向上させることができる。
式(1)のアニオンを含む塩は、上記式(1)のホウ酸アニオンと近赤外線吸収能を有するカチオンとの塩であってもあるいは上記式(1)のホウ酸アニオンと近赤外線吸収能を持たないカチオンとの塩であってもよい。前者の場合は、ホウ酸塩は、近赤外線吸収材料(色素)としても作用でき、かつその耐久性、特に耐熱性及び耐湿熱性を向上できる。また、後者の場合には、それ自体は近赤外吸収能を持たないため、近赤外線吸収色素と混合されることによって、混合された近赤外線材料(色素)の耐久性、特に耐熱性及び耐湿熱性を有意に向上することができる。
本発明のホウ酸塩は、近赤外線吸収材料(色素)の耐久性、特に耐熱性及び耐湿熱性を向上させることができる。したがって、本発明の第二は、本発明のホウ酸塩及び近赤外線吸収色素を含む近赤外線吸収材料に関するものである。上述したように、本発明のホウ酸塩は近赤外線吸収材料(色素)の耐久性、特に耐熱性及び耐湿熱性を向上できるため、本発明の近赤外線吸収材料は、優れた耐久性、特に耐熱性及び耐湿熱性を発揮できる。また、本発明の近赤外線吸収材料は、可視領域での透明性にも優れている。
上記式(X)において、官能基A1〜A16としてのハロゲン原子は、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。置換されていてもよい炭素原子数1〜20個のアルキル基としては、メチル基、エチル基、n−プロピル基、iso−プロピル基、n−ブチル基、iso−ブチル基、sec−ブチル基、t−ブチル基、n−ペンチル基、n−ヘキシル基、シクロヘキシル基、n−ヘプチル基、n−オクチル基、2−エチルヘキシル基、等の直鎖、分岐又は環状のアルキル基が挙げられるが、これらに限定されるものではない。置換されていてもよい炭素原子数1〜20個のアルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、n−プロピルオキシ基、iso−プロピルオキシ基、n−ブチルオキシ基、iso−ブチルオキシ基、sec−ブチルオキシ基、t−ブチルオキシ基、n−ペンチルオキシ基、n−ヘキシルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、n−ヘプチルオキシ基、n−オクチルオキシ基、2−エチルヘキシルオキシ基、等の直鎖、分岐又は環状のアルコキシ基が挙げられるが、これらに限定されるものではない。置換されていてもよい炭素原子数6〜20個のアリール基としては、フェニル基、ナフチル基等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。置換されていてもよい炭素原子数6〜20個のアリールオキシ基としては、フェノキシ基、ナフトキシ基等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。置換されていてもよい炭素原子数7〜20個のアラルキル基としては、ベンジル基、フェネチル基、ジフェニルメチル基等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。置換されていてもよい炭素原子数7〜20個のアラルキルオキシ基としては、ベンジルオキシ基、フェネチルオキシ基、ジフェニルメチルオキシ基等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。置換されていてもよい炭素原子数1〜20個のアルキルチオ基としては、メチルチオ基、エチルチオ基、n−プロピルチオ基、iso−プロピルチオ基、n−ブチルチオ基、iso−ブチルチオ基、sec−ブチルチオ基、t−ブチルチオ基、n−ペンチルチオ基、n−ヘキシルチオ基、シクロヘキシルチオ基、n−ヘプチルチオ基、n−オクチルチオ基、2−エチルヘキシルチオ基等の直鎖、分岐又は環状のアルキルチオ基が挙げられるが、これらに限定されるものではない。置換されていてもよい炭素原子数6〜20個のアリールチオ基としては、フェニルチオ基、ナフチルチオ基等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。置換されていてもよい炭素原子数7〜20個のアラルキルチオ基としては、ベンジルチオ基、フェネチルチオ基、ジフェニルメチルチオ基等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。置換されていてもよい炭素原子数1〜20個のアルキルスルホニル基としては、メチルスルホニル基、エチルスルホニル基、n−プロピルスルホニル基、iso−プロピルスルホニル基、n−ブチルスルホニル基、iso−ブチルスルホニル基、sec−ブチルスルホニル基、t−ブチルスルホニル基、n−ペンチルスルホニル基、n−ヘキシルスルホニル基、シクロヘキシルスルホニル基、n−ヘプチルスルホニル基、n−オクチルスルホニル基、2−エチルヘキシルスルホニル基、等の直鎖、分岐又は環状のアルキルスルホニル基が挙げられるが、これらに限定されるものではない。置換されていても良い炭素原子数6〜20個のアリールスルホニル基としては、フェニルスルホニル基、ナフチルスルホニル基等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。置換されていてもよいアラルキルスルホニル基としては、ベンジルスルホニル基、フェネチルスルホニル基、ジフェニルメチルスルホニル基等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。置換されていてもよい炭素原子数1〜20個のアシル基としてはメチルカルボニル基、エチルカルボニル基、n−プロピルカルボニル基、iso−プロピルカルボニル基、n−ブチルカルボニル基、iso−ブチルカルボニル基、sec−ブチルカルボニル基、t−ブチルカルボニル基、n−ペンチルカルボニル基、n−ヘキシルカルボニル基、シクロヘキシルカルボニル基、n−ヘプチルカルボニル基、n−オクチルカルボニル基、2−エチルヘキシルカルボニル基等の直鎖、分岐又は環状のアルキルカルボニル基、ベンジルカルボニル基、フェニルカルボニル基等のアリールカルボニル基、ベンゾイル基等のアラルキルカルボニル基が挙げられるが、これらに限定されるものではない。置換されていてもよい炭素原子数2〜20個のアルコキシカルボニル基としては、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、n−プロピルオキシカルボニル基、iso−プロピルオキシカルボニル基、n−ブチルオキシカルボニル基、iso−ブチルオキシカルボニル基、sec−ブチルオキシカルボニル基、t−ブチルオキシカルボニル基、n−ペンチルオキシカルボニル基、n−ヘキシルオキシカルボニル基、シクロヘキシルオキシカルボニル基、n−ヘプチルオキシカルボニル基、n−オクチルオキシカルボニル基、2−エチルヘキシルオキシカルボニル基等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。置換されていてもよい炭素原子数7〜20個のアリールオキシカルボニル基としては、フェノキシカルボニル、ナフチルカルボニル基等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。置換されていてもよい炭素原子数8〜20個のアラルキルオキシカルボニル基としては、ベンジルオキシカルボニル基、フェネチルオキシカルボニル基、ジフェニルメチルオキシカルボニル基等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。置換されていてもよい炭素原子数2〜20個のアルキルカルボニルオキシ基としては、アセチルオキシ基、エチルカルボニルオキシ基、n−プロピルカルボニルオキシ基、iso−プロピルカルボニルオキシ基、n−ブチルカルボニルオキシ基、iso−ブチルカルボニルオキシ基、sec−ブチルカルボニルオキシ基、t−ブチルカルボニルオキシ基、n−ペンチルカルボニルオキシ基、n−ヘキシルカルボニルオキシ基、シクロヘキシルカルボニルオキシ基、n−ヘプチルカルボニルオキシ基、3−ヘプチルカルボニルオキシ基、n−オクチルカルボニルオキシ基等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。置換されていてもよい炭素原子数7〜20個のアリールカルボニルオキシ基としては、ベンゾイルオキシ基等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。置換されていてもよい炭素原子数8〜20個のアラルキルカルボニルオキシ基としては、ベンジルカルボニルオキシ基等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。置換されていてもよい炭素原子数2〜20個の複素環基としては、ピロール基、イミダゾール基、ピペリジン基、モルホリン基等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
上記式(X)において、官能基A1〜A16の置換されていてもよいアミノ基、置換されていてもよいアミノスルホニル基、置換されていてもよいアミノカルボニル基への置換基としては、水素原子、メチル基、エチル基、n−プロピル基、n−ブチル基、sec−ブチル基、n−ペンチル基、n−ヘキシル基、2−エチルヘキシル基、シクロヘキシル基、等の直鎖、分岐又は環状のアルキル基、フェニル基、ナフチル基等のアリール基、ベンジル基、フェネチル基等のアラルキル基、アセチル基、エチルカルボニル基、n−プロピルカルボニル基、iso−プロピルカルボニル基、n−ブチルカルボニル基、iso−ブチルカルボニル基、sec−ブチルカルボニル基、t−ブチルカルボニル基、n−ペンチルカルボニル基、n−ヘキシルカルボニル基、シクロヘキシルカルボニル基、n−ヘプチルカルボニル基、3−ヘプチルカルボニル基、n−オクチルカルボニル基等の直鎖、分岐又は環状のアルキルカルボニル基、ベンゾイル基、ナフチルカルボニル基等のアリールカルボニル基、ベンジルカルボニル基等のアラルキルカルボニル基などが挙げられるが、これらに限定されるものではなく、これらの置換基はさらに置換基で置換されていても良い。これらの置換基は0個、1個、2個存在していてもよく、2個存在する場合にはお互いが同種若しくは異種のいずれであってもよく、同種の場合においても同一若しくは異なっていても良い。また、置換基が2個の場合は連結基を介して繋がっていてもよい。
上記式(Y)において、官能基B1〜B24としてのハロゲン原子は、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。置換されていてもよい炭素原子数1〜20個のアルキル基としては、メチル基、エチル基、n−プロピル基、iso−プロピル基、n−ブチル基、iso−ブチル基、sec−ブチル基、t−ブチル基、n−ペンチル基、n−ヘキシル基、シクロヘキシル基、n−ヘプチル基、n−オクチル基、2−エチルヘキシル基、等の直鎖、分岐又は環状のアルキル基が挙げられるが、これらに限定されるものではない。置換されていてもよい炭素原子数1〜20個のアルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、n−プロピルオキシ基、iso−プロピルオキシ基、n−ブチルオキシ基、iso−ブチルオキシ基、sec−ブチルオキシ基、t−ブチルオキシ基、n−ペンチルオキシ基、n−ヘキシルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、n−ヘプチルオキシ基、n−オクチルオキシ基、2−エチルヘキシルオキシ基、等の直鎖、分岐又は環状のアルコキシ基が挙げられるが、これらに限定されるものではない。置換されていてもよい炭素原子数6〜20個のアリール基としては、フェニル基、ナフチル基等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。置換されていてもよい炭素原子数6〜20個のアリールオキシ基としては、フェノキシ基、ナフトキシ基等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。置換されていてもよい炭素原子数7〜20個のアラルキル基としては、ベンジル基、フェネチル基、ジフェニルメチル基等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。置換されていてもよい炭素原子数7〜20個のアラルキルオキシ基としては、ベンジルオキシ基、フェネチルオキシ基、ジフェニルメチルオキシ基等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。置換されていてもよい炭素原子数1〜20個のアルキルチオ基としては、メチルチオ基、エチルチオ基、n−プロピルチオ基、iso−プロピルチオ基、n−ブチルチオ基、iso−ブチルチオ基、sec−ブチルチオ基、t−ブチルチオ基、n−ペンチルチオ基、n−ヘキシルチオ基、シクロヘキシルチオ基、n−ヘプチルチオ基、n−オクチルチオ基、2−エチルヘキシルチオ基等の直鎖、分岐又は環状のアルキルチオ基が挙げられるが、これらに限定されるものではない。置換されていてもよい炭素原子数6〜20個のアリールチオ基としては、フェニルチオ基、ナフチルチオ基等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。置換されていてもよい炭素原子数7〜20個のアラルキルチオ基としては、ベンジルチオ基、フェネチルチオ基、ジフェニルメチルチオ基等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。置換されていてもよい炭素原子数1〜20個のアルキルスルホニル基としては、メチルスルホニル基、エチルスルホニル基、n−プロピルスルホニル基、iso−プロピルスルホニル基、n−ブチルスルホニル基、iso−ブチルスルホニル基、sec−ブチルスルホニル基、t−ブチルスルホニル基、n−ペンチルスルホニル基、n−ヘキシルスルホニル基、シクロヘキシルスルホニル基、n−ヘプチルスルホニル基、n−オクチルスルホニル基、2−エチルヘキシルスルホニル基、等の直鎖、分岐又は環状のアルキルスルホニル基が挙げられるが、これらに限定されるものではない。置換されていても良い炭素原子数6〜20個のアリールスルホニル基としては、フェニルスルホニル基、ナフチルスルホニル基等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。置換されていてもよいアラルキルスルホニル基としては、ベンジルスルホニル基、フェネチルスルホニル基、ジフェニルメチルスルホニル基等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。置換されていてもよい炭素原子数1〜20個のアシル基としてはメチルカルボニル基、エチルカルボニル基、n−プロピルカルボニル基、iso−プロピルカルボニル基、n−ブチルカルボニル基、iso−ブチルカルボニル基、sec−ブチルカルボニル基、t−ブチルカルボニル基、n−ペンチルカルボニル基、n−ヘキシルカルボニル基、シクロヘキシルカルボニル基、n−ヘプチルカルボニル基、n−オクチルカルボニル基、2−エチルヘキシルカルボニル基等の直鎖、分岐又は環状のアルキルカルボニル基、ベンジルカルボニル基、フェニルカルボニル基等のアリールカルボニル基、ベンゾイル基等のアラルキルカルボニル基が挙げられるが、これらに限定されるものではない。置換されていてもよい炭素原子数2〜20個のアルコキシカルボニル基としては、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、n−プロピルオキシカルボニル基、iso−プロピルオキシカルボニル基、n−ブチルオキシカルボニル基、iso−ブチルオキシカルボニル基、sec−ブチルオキシカルボニル基、t−ブチルオキシカルボニル基、n−ペンチルオキシカルボニル基、n−ヘキシルオキシカルボニル基、シクロヘキシルオキシカルボニル基、n−ヘプチルオキシカルボニル基、n−オクチルオキシカルボニル基、2−エチルヘキシルオキシカルボニル基等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。置換されていてもよい炭素原子数7〜20個のアリールオキシカルボニル基としては、フェノキシカルボニル、ナフチルカルボニル基等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。置換されていてもよい炭素原子数8〜20個のアラルキルオキシカルボニル基としては、ベンジルオキシカルボニル基、フェネチルオキシカルボニル基、ジフェニルメチルオキシカルボニル基等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。置換されていてもよい炭素原子数2〜20個のアルキルカルボニルオキシ基としては、アセチルオキシ基、エチルカルボニルオキシ基、n−プロピルカルボニルオキシ基、iso−プロピルカルボニルオキシ基、n−ブチルカルボニルオキシ基、iso−ブチルカルボニルオキシ基、sec−ブチルカルボニルオキシ基、t−ブチルカルボニルオキシ基、n−ペンチルカルボニルオキシ基、n−ヘキシルカルボニルオキシ基、シクロヘキシルカルボニルオキシ基、n−ヘプチルカルボニルオキシ基、3−ヘプチルカルボニルオキシ基、n−オクチルカルボニルオキシ基等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。置換されていてもよい炭素原子数7〜20個のアリールカルボニルオキシ基としては、ベンゾイルオキシ基等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。置換されていてもよい炭素原子数8〜20個のアラルキルカルボニルオキシ基としては、ベンジルカルボニルオキシ基等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。置換されていてもよい炭素原子数2〜20個の複素環基としては、ピロール基、イミダゾール基、ピペリジン基、モルホリン基等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
上記式(Y)において、官能基B1〜B24の置換されていてもよいアミノ基、置換されていてもよいアミノスルホニル基、置換されていてもよいアミノカルボニル基への置換基としては、水素原子、メチル基、エチル基、n−プロピル基、n−ブチル基、sec−ブチル基、n−ペンチル基、n−ヘキシル基、2−エチルヘキシル基、シクロヘキシル基、等の直鎖、分岐又は環状のアルキル基、フェニル基、ナフチル基等のアリール基、ベンジル基、フェネチル基等のアラルキル基、アセチル基、エチルカルボニル基、n−プロピルカルボニル基、iso−プロピルカルボニル基、n−ブチルカルボニル基、iso−ブチルカルボニル基、sec−ブチルカルボニル基、t−ブチルカルボニル基、n−ペンチルカルボニル基、n−ヘキシルカルボニル基、シクロヘキシルカルボニル基、n−ヘプチルカルボニル基、3−ヘプチルカルボニル基、n−オクチルカルボニル基等の直鎖、分岐又は環状のアルキルカルボニル基、ベンゾイル基、ナフチルカルボニル基等のアリールカルボニル基、ベンジルカルボニル基等のアラルキルカルボニル基などが挙げられるが、これらに限定されるものではなく、これらの置換基はさらに置換基で置換されていても良い。これらの置換基は0個、1個、2個存在していてもよく、2個存在する場合にはお互いが同種若しくは異種のいずれであってもよく、同種の場合においても同一若しくは異なっていても良い。また、置換基が2個の場合は連結基を介して繋がっていてもよい。
本発明の近赤外線吸収材料は、さらに樹脂を含むものであってもよい。本発明で使用する樹脂としては、一般に光学材料に使用しうるものであれば特に制限されないが、出来るだけ透明性の高いものが好ましく、より具体的にはポリエチレン、ポリプロピレン、カルボキシル化ポリオレフィン、塩素化ポリオレフィン、シクロオレフィンポリマー等のポリオレフィン系樹脂、ポリスチレン、アクリル酸エステル系ポリマー、メタクリル酸エステル系ポリマー、酢酸ビニル系ポリマー、ハロゲン化ビニル系ポリマー、ポバール等のビニル系ポリマー、ナイロン等のポリアミド系、ポリウレタン系、PET等のポリエステル系、ポリカーボネート系、エポキシ樹脂系、ブチラール樹脂等のポリビニルアセタール系などが挙げられる。
本発明の近赤外線吸収材料には波長380〜780nmの可視域に極大吸収波長を有する色素を添加してもよい。このような色素としては、シアニン系、テトラアザポルフィリン系、アズレニウム系、スクアリリウム系、ジフェニルメタン系、トリフェニルメタン系、オキサジン系、アジン系、チオピリリウム系、ビオローゲン系、アゾ系、アゾ金属錯塩系、ビスアゾ系、アントラキノン系、ペリレン系、インダンスロン系、ニトロソ系、金属チオール錯体系、インジコ系、アゾメチン系、キサンテン系、オキサノール系、インドアニリン系、キノリン系等従来公知の色素を広く使用することができる。例えば、旭電化工業社製、商品名アデカアークルズTW−1367、アデカアークルズSG−1574、アデカアークルズTW1317、アデカアークルズFD−3351、アデカアークルズY944、林原生物化学研究所製、商品名NK−5451、NK−5532、NK−5450等が挙げられる。
本発明の近赤外線吸収材料は、上記式(1)のアニオン塩とその他の化合物が、それぞれ、固体(例えば、粉末、ペレット)の形態で混合されたものであってもよい。溶融可能な樹脂との混合物の場合は融点以上の温度に加熱することで、任意の形状に加工することができる。加工にはプレス機、押し出し成形機等が使用できる。
本発明の第三は、本発明の近赤外線吸収材料を含む近赤外線吸収材である。本発明の近赤外線吸収材は、前記近赤外線吸収材料をフィルム状に成形したものであってもよいし、透明基材上に前記近赤外線吸収材料を含む塗膜を積層したものであってもよい。
本発明の近赤外線吸収材料はプラズマディスプレー用光学フィルターに好適である。したがって、本発明の第四は、本発明の近赤外線吸収材を用いてなる、プラズマディスプレー用光学フィルターである。このような光学フィルターは可視領域の全光線透過率が40%以上、好ましくは50%以上、さらに好ましくは60%以上であり、波長800〜1000nmの近赤外線の透過率が30%以下、好ましくは15%以下、さらに好ましくは5%以下である。
本発明の近赤外線吸収材料を積層した光学フィルターをプラズマディスプレーに搭載すると、長期間にわたり良好な画質が維持される。したがって、本発明の第五は、本発明の近赤外線吸収材料、本発明の近赤外線吸収材、または本発明の光学フィルターを用いてなる、プラズマディスプレーである。表示体に直接、光学フィルターを張り合わせたプラズマディスプレーはより鮮明な画質が得られる。光学フィルターを直接張り合わせる場合は表示体のガラスが強化ガラスを使用するか、衝撃吸収層を設けた光学フィルターを使用するのが好ましい。
次に実施例を挙げて本発明を具体的に説明するが、これらの実施例は何ら本発明を制限するものではない。なお、部は重量部を示す。また、近赤外線吸収能、可視領域の透明性および耐久性の評価は以下に従った。
可視−近赤外スペクトルの測定にはUV−3100(島津製作所製)を使用し、波長1090nmまたは835nmでの透過率を評価した。
全光線透過率の測定にはΣ90システム(日本電色工業製)を使用した。
試験体を100℃のオーブン中に120時間静置し、試験前後での可視−近赤外領域の透過スペクトルと色差(C光源2°視野でのL*a*b*)を測定した。可視−近赤外スペクトルの測定にはUV−3100(島津製作所製)を使用し、波長1090nmまたは835nmでの透過率の変化(ΔT)を評価した。色差の測定にはSE2000(日本電色工業製)を使用し、b*の変化(Δb*)を評価した。
試験体を80℃ 95%RHの恒温恒湿器中に120時間静置し、試験前後での可視−近赤外領域の透過スペクトルと色差(C光源2°視野でのL*a*b*)を測定した。可視−近赤外スペクトルの測定にはUV−3100(島津製作所製)を使用し、波長1090nmまたは835nmでの透過率の変化(ΔT)を評価した。色差の測定にはSE2000(日本電色工業製)を使用し、b*の変化(Δb*)を評価した。
N,N,N’,N’,−テトラキス(p−ジ(n−ブチル)アミノフェニル)−p−フェニレンジイモニウムの六フッ化アンチモン酸塩(以下ジイモニウムSbF6塩と称する)5部をメチルエチルケトン(以下MEKと称する)95部に溶解し、近赤外線吸収色素溶液1を調製した。次に、テトラキス(ペンタフルオロフェニル)ホウ酸ナトリウム(日本触媒製 TEPBNa)5部をMEK95部に溶解し、ホウ酸塩溶液1を調製した。次に、樹脂としてハルスハイブリッドIR−G205(日本触媒製 固形分29%)を使用し、樹脂を69部、近赤外線吸収色素溶液1を4部、ホウ酸塩溶液1を2部、MEKを22部混合し、塗料固形分21%の近赤外線吸収材溶液A1(固形分比:樹脂/色素/ホウ酸塩=100/1/0.5)を得た。
近赤外線吸収材溶液A1をバーコーター(No.34)で易接着処理PETフィルム(東洋紡績製 コスモシャインA4300)上に塗工し150℃の熱風乾燥器中で3分間乾燥させ、近赤外線吸収材A1を得た。近赤外線透過率、全光線透過率及び耐熱性の評価を行い、その結果を表1に示した。この際、近赤外線透過率は、波長1090nmで測定した。
樹脂としてハルスハイブリッドIR−G205(日本触媒製 固形分29%)を使用し、樹脂69部、近赤外線吸収色素溶液1を4部、実施例1−1で得られたホウ酸塩溶液1を8部、MEK17部を混合し、塗料固形分21%の近赤外線吸収材溶液A2(固形分比 樹脂/色素/ホウ酸塩=100/1/2)を得た。
近赤外線吸収材溶液A2を実施例1−2と同様に塗工、乾燥し、近赤外線吸収材A2を得た。これを実施例1−2と同様に評価し、その結果を表1に示した。
バインダーとしてハルスハイブリッドIR−G205(日本触媒製 固形分29%)を使用し、バインダー69部、近赤外線吸収色素溶液1を4部、MEK23部を混合し、塗料固形分21%の近赤外線吸収材溶液B1(固形分比 樹脂/色素/ホウ酸塩=100/1/0)を得た。
近赤外線吸収材溶液B1を実施例1−2と同様に塗工、乾燥し、近赤外線吸収材B1を得た。これを実施例1−2と同様に評価し、その結果を表1に示した。
テトラキス(ペンタフルオロフェニル)ホウ酸ナトリウム(日本触媒製 TEPBNa)1.05部とジイモニウムSbF6塩0.70部とを温度25℃でメチルエチルケトン(MEK)10部に溶解した。引き続き、脱イオン水500部中に得られた溶液全量を一括添加し、25℃で1時間静置させた。析出物をろ過によって回収し、80℃で乾燥させて黒色固体0.83部を得た。
ジイモニウムTEPB塩2部をMEK98部に溶解して近赤外線吸収色素溶液2を調製した。バインダーとしてハルスハイブリッドIR−G205(日本触媒製 固形分29%)を使用し、バインダー69部、近赤外線吸収色素溶液2を17部、MEK11部を混合し、塗料固形分21%の近赤外線吸収材溶液A3(固形分比 樹脂/色素/ホウ酸塩=100/1.7/0.0)を得た。
近赤外線吸収材溶液A3を実施例1−2と同様に塗工、乾燥し、近赤外線吸収材A3を得た。これを実施例1−2と同様に評価し、その結果を表2に示した。
ジイモニウムSbF6塩を使用した。MEK溶液中で測定したジイモニウムSbF6塩の可視−近赤外スペクトルを図3に、KBr法で測定したジイモニウムSbF6塩のIRスペクトルを図4に示した。
ジイモニウムSbF6塩2部をMEK98部に溶解して近赤外線吸収色素溶液3を調製した。バインダーとしてハルスハイブリッドIR−G205(日本触媒製 固形分29%)を使用し、バインダー69部、近赤外線吸収色素溶液3を10部、MEK17部を混合し、塗料固形分21%の近赤外線吸収材溶液B2(固形分比 樹脂/色素/ホウ酸塩=100/1.0/0)を得た。
近赤外線吸収材溶液B2を実施例1−2と同様に塗工、乾燥し、近赤外線吸収材B2を得た。これを実施例1−2と同様に評価し、その結果を表2に示した。
テトラフェニルホウ酸ナトリウム(同仁化学製 Kalibor)0.51部とジイモニウムSbF6塩0.70部とを温度25℃でMEK(MEK)10部に溶解し,静置すると析出物が発生した。この溶液と析出物をMEK5部で洗浄しながら脱イオン水500部中に全量を一括添加し、25℃で1時間静置させた。析出物をろ過によって回収し、これを室温で真空乾燥させて、赤褐色固体0.83部を得た。
ジイモニウムBPh4塩2部をMEK98部に溶解して近赤外線吸収色素溶液4を調製した。バインダーとしてハルスハイブリッドIR−G205(日本触媒製 固形分29%)を使用し、バインダー69部、得られた色素溶液4 11部、MEK16部を混合し、塗料固形分21%の近赤外線吸収材溶液B3(固形分比 樹脂/色素/ホウ酸塩=100/1.1/0)を得た。
近赤外線吸収材溶液B3を実施例1−2と同様に塗工、乾燥し、近赤外線吸収材B3を得た。これを実施例1−2と同様に評価し、その結果を表2に示した。
モノマーとしてメチルメタクリレート407.0部、ノルマルブチルアクリレート93.0部を混合し、モノマー混合物を得た。パーカドックス12−XL25(化薬アクゾ製)6.0部とトルエン100部を混合し、開始剤溶液を得た。このモノマー混合物のうち350部と、トルエン250部を、フラスコに添加し、温度計、攪拌機、窒素ガス導入管、還流冷却機、滴下漏斗をセットした。モノマー混合物のうち150部と開始剤溶液のうち31.8部を混合し、滴下漏斗に添加した。窒素ガスを20ml/分で流通させながら、フラスコ内を加熱して内温を100℃とした。開始剤溶液のうち74.2部をフラスコに添加し、重合反応を開始した。重合開始剤の投入後から20分後に、滴下漏斗のモノマー、開始剤溶液を60分かけて添加した。添加後75部のトルエンで滴下漏斗を洗浄し、フラスコ内に洗浄液を添加した。その後、60分間熟成し、希釈溶剤としてトルエンを150部添加した。さらに60分間熟成し、希釈溶剤としてトルエンを150部添加した。さらに60分間熟成し、希釈溶剤としてトルエンを150部添加した。さらに、60分間熟成し、110℃まで昇温した。昇温してから300分間熟成し、希釈溶剤としてトルエンを100部添加した。室温まで冷却し樹脂Aを得た。固形分は34.4%、重量平均分子量は19.8万、Tgは77℃であった。
N,N,N’,N’,−テトラキス(p−ジ(n−ブチル)アミノフェニル)−p−フェニレンジイモニウムのビス(トリフルオロメタンスルホン)イミド塩6部、イーエクスカラーIR−10A(日本触媒製)5部をMEK89部に溶解し、近赤外線吸収色素溶液5を調製した。次にテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ホウ酸1−メチルイミダゾリウム5部をMEK95部に溶解し、ホウ酸塩溶液2を調製した。次に、樹脂Aを58部、近赤外線吸収色素溶液5を10部、ホウ酸塩溶液2を10部、MEK24部を混合し、塗料固形分21%の近赤外線吸収材溶液A4(固形分比:樹脂/色素/ホウ酸塩=100/5.5/2.5)を得た。
近赤外線吸収材溶液A4をバーコーター(No.34)で易接着処理PETフィルム(東洋紡績製 コスモシャインA4300)上に塗工し150℃の熱風乾燥器中で3分間乾燥させ、近赤外線吸収材A4を得た。近赤外線透過率、全光線透過率及び耐湿熱性の評価を行い、その結果を表3に示した。この際、近赤外線透過率は、波長1090nmで測定した。
テトラキス(ペンタフルオロフェニル)ホウ酸N,N−ジメチルシクロヘキシルアンモニウム5部をMEK95部に溶解し、ホウ酸塩溶液3を調製した。次に、樹脂Aを58部、近赤外線吸収色素溶液5を10部、ホウ酸塩溶液3を10部、MEK24部を混合し、塗料固形分21%の近赤外線吸収材溶液A5(固形分比:樹脂/色素/ホウ酸塩=100/5.5/2.5)を得た。
近赤外線吸収材溶液A5を実施例4−3と同様に塗工、乾燥し、近赤外線吸収材5を得た。これを実施例4−3と同様に評価し、その結果を表3に示した。
樹脂Aを58部、近赤外線吸収色素溶液5を10部、MEKを32部混合し、塗料固形分21%の近赤外線吸収材溶液B4(固形分比:樹脂/色素/ホウ酸塩=100/5.5/0)を得た。
近赤外線吸収材溶液B4を実施例4−3と同様に塗工、乾燥し、近赤外線吸収材B4を得た。これを実施例4−3と同様に評価し、その結果を表3に示した。
モノマーとして2−エチルヘキシルアクリレート(478.2部)、シクロヘキシルメタクリレート(120部)、ヒドロキシエチルアクリレート(1.8部)を秤量し、十分に混合し、モノマー混合物を得た。モノマー混合物(240部)と、酢酸エチル(147部)とを、温度計、攪拌機、不活性ガス導入管、還流冷却器、および滴下ロートを備えたフラスコに添加した。モノマー混合物(360部)、酢酸エチル(16部)、および重合開始剤であるナイパーBMT−K40(0.72部)からなる滴下用モノマー混合物を滴下ロートに入れ、よく混合した。窒素ガスを20ml/分で流通させながら、フラスコの内温を84℃まで上昇させ、重合開始剤であるナイパーBMT−K40(0.96部)をフラスコに投入し、重合反応を開始させた。重合開始剤の投入から10分後に、滴下ロートに入れた滴下用モノマー混合物の滴下を開始した。滴下用モノマー混合物は、90分かけて、均等に滴下した。滴下終了後、酢酸エチル(50部)をフラスコに投入した。その後、反応液を、82℃で4.3時間熟成した。反応終了後、酢酸エチル(44.4部)を添加し、最後に、不揮発分が約45%になるようにトルエンで、反応液を希釈し、アクリル系重合体溶液を得た。これを粘着剤Aとした。該粘着剤Aの計算Tgは−51℃であり、酸価は0であった。
ジイモニウムSbF6塩2.5部、イーエクスカラーIR−10A(日本触媒製)2.5部をMEK95部に溶解し、近赤外線吸収色素溶液6を調製した。樹脂として粘着剤Aを使用し、粘着剤Aを89部、近赤外線吸収色素溶液6を16部、ホウ酸塩溶液1を16部、MEKを18部混合し、塗料固形分30%の近赤外線吸収材溶液A6(固形分比 樹脂/色素/ホウ酸塩=100/2/2)を得た。
近赤外線吸収材溶液A6を、バーコーター(No.50)で易接着処理PETフィルム(東洋紡績製 コスモシャインA4300)上に塗工し、150℃の熱風乾燥器中で3分間乾燥させ、厚みが10μmの塗膜を形成させた。この上にもう一枚の易接着処理PETフィルム(東洋紡績製 コスモシャインA4300)を張りあわせ、近赤外線吸収材A6を得た。この近赤外線吸収材A6の可視−近赤外吸収スペクトルを図7に示す。これを耐熱性試験の試験体とした。近赤外線透過率、全光線透過率及び耐熱性の評価を行い、その結果を表4に示した。この際、近赤外線透過率は、波長1090nmで測定した。
粘着剤Aを89部、近赤外線吸収色素溶液6を16部、MEKを31部混合し、塗料固形分30%の近赤外線吸収材溶液B5(固形分比 樹脂/色素/ホウ酸塩=100/2/0)を得た。
近赤外線吸収材溶液B5を用いて、実施例6−3と同様にして近赤外線吸収材B5を得た。この近赤外線吸収材B5の可視−近赤外吸収スペクトルを図8に示す。これを実施例6−3と同様に評価を行い、その結果を表4に示した。
テトラフェニルホウ酸ナトリウム(同仁化学製カリボール)5部をMEK95部に溶解し、ホウ酸塩溶液4を調製した。粘着剤Aを89部、近赤外線吸収色素溶液6を16部、ホウ酸塩溶液4を16部、MEKを31部混合し、塗料固形分30%の近赤外線吸収材溶液B6(固形分比 樹脂/色素/ホウ酸塩=100/2/2)を得た。
近赤外線吸収材溶液B6を用いて、実施例6−3と同様にして近赤外線吸収材B6を得た。この近赤外線吸収材B6の可視−近赤外吸収スペクトルを図9に示す。これを耐熱性試験の試験体とした。これを実施例6−3と同様に評価を行い、その結果を表4に示した。
撹拌装置、窒素導入管、滴下ロ−ト、温度計、冷却管を備えた4つ口フラスコに、アクリル酸2−エチルヘキシル278部、メタクリル酸シクロヘキシル120部、アクリル酸2−ヒドロキシエチル2部、酢酸エチル258部を加え、窒素雰囲気下で85℃まで昇温した。内温が85℃に達した後、ナイパーBMT−K40(日本油脂社製)0.8部、酢酸エチル8部を投入して重合を開始した。反応開始10分後、アクリル酸2−エチルヘキシル417部、メタクリル酸シクロヘキシル180部、アクリル酸2−ヒドロキシエチル3部、ナイパーBMT−K40を0.6部、酢酸エチル10部を90分かけて滴下した。滴下終了120、150、180、210分後にそれぞれアゾビスイソブチロニトリル1部、酢酸エチル10部を投入し、さらに還流下で2時間反応を行った後、最後に固形分濃度が40%になるように酢酸エチルで希釈し、粘着剤溶液Bを得た。得られた重合体の重量平均分子量は35万、計算Tgは−40℃、酸価は0であった。
ジイモニウムTEPB塩4部、イーエクスカラーIR−10A(日本触媒製)2部をMEK94部に溶解し、近赤外線吸収色素溶液7を調製した。次にテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ホウ酸N,N−ジメチル−4−メチルアニリニウム10部をMEK90部に溶解し、ホウ酸塩溶液5を調製した。次に、粘着剤溶液Bを50部、近赤外線吸収色素溶液7を10部、ホウ酸塩溶液5を10部混合し、塗料固形分31%の近赤外線吸収材溶液A7(固形分比:樹脂/色素/ホウ酸塩=100/3/5)を得た。
近赤外線吸収材溶液A7を用いて、アプリケーターにて、易接着処理PETフィルム(東洋紡績社製、コスモシャインA4300)上に乾燥後の接着層厚みが20ミクロンとなるように塗工し、100℃の熱風乾燥機中で2分間乾燥させた。この感圧接着性フィルムをガラス板に貼り付けて近赤外線吸収材A7を得た。これを耐湿熱性試験の試験体とした。近赤外線透過率、全光線透過率及び耐湿熱性の評価を行い、その結果を表5に示した。この際、近赤外線透過率は、波長1090nmで測定した。
テトラキス(ペンタフルオロフェニル)ホウ酸キノリニウム10部をMEK90部に溶解し、ホウ酸塩溶液6を調製した。次に、粘着剤溶液Bを50部、近赤外線吸収色素溶液7を10部、ホウ酸塩溶液6を10部混合し、塗料固形分31%の近赤外線吸収材溶液A8(固形分比:樹脂/色素/ホウ酸塩=100/3/5)を得た。
近赤外線吸収材溶液A8を用いて、実施例7−3と同様にして近赤外線吸収材A8を得た。これを実施例7−3と同様に評価を行い、その結果を表5に示した。
粘着剤溶液Bを50部、近赤外線吸収色素溶液7を10部、酢酸エチルを10部混合し、塗料固形分29%の近赤外線吸収材溶液A9(固形分比:樹脂/色素/ホウ酸塩=100/3/0)を得た。
近赤外線吸収材溶液A9を用いて、実施例7−3と同様にして近赤外線吸収材A9を得た。これを耐湿熱性試験の試験体とした。これを実施例7−3と同様に評価を行い、その結果を表5に示した。
ジイモニウムSbF6塩4部、イーエクスカラーIR−10A(日本触媒製)2部をMEK94部に溶解し、近赤外線吸収色素溶液8を調製した。粘着剤溶液Bを50部、近赤外線吸収色素溶液8を10部、酢酸エチルを10部混合し、塗料固形分29%の近赤外線吸収材溶液B7(固形分比:樹脂/色素/ホウ酸塩=100/3/0)を得た。
近赤外線吸収材溶液B7を用いて、実施例7−3と同様にして近赤外線吸収材B7を得た。これを耐湿熱性試験の試験体とした。これを実施例7−3と同様に評価を行い、その結果を表5に示した。
1.重合性ポリシロキサン(M−1)の合成
攪拌機、温度計および冷却管を備えた300mlの四つ口フラスコにテトラメトキシシラン144.5部、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン23.6部、水19.0部、メタノール30.0部、アンバーリスト15(商品名、オルガノ社性の陽イオン交換樹脂)5.0部を入れ、65℃で2時間攪拌し、反応させた。反応混合物を室温まで冷却した後、冷却管に代えて蒸留塔、これに接続させた冷却管および流出口を設け、常圧下でフラスコ内温約80℃まで2時間かけて昇温し、メタノールが流出しなくなるまで同温度で保持した。さらに、2.67×10kPaの圧力下90℃の温度で、メタノールが流出しなくなるまで保持し、反応を更に進行させた。再び、室温まで冷却した後、アンバーリスト15を濾過し、数平均分子量が1,700の重合性ポリシロキサン(M−1)を得た。
攪拌機、滴下口、温度計、冷却管およびN2ガス導入口を備えた1リットルのフラスコに、有機溶剤として酢酸n−ブチル260部を入れ、N2ガスを導入し、攪拌しながら、フラスコ内温を110℃まで加熱した。ついで重合性ポリシロキサン(M−1)12部、tert−ブチルメタクリレート19部、ブチルアクリレート94部、2−ヒドロキシエチルメタクリレート67部、パーフルオロトオクチルエチルメタクリレート(ライトエステルFM−108、共栄社化学社製)48部、2,2’−アゾビス−(2−メチルブチロニトリル)2.5部を混合した溶液を滴下口より3時間かけて滴下した。滴下後も同温度で1時間攪拌を続けた後、tert−ブチルパーオキシ−2−エチルヘキサノエート0.1部を30分おきに2回添加し、さらに2時間加熱して共重合を行ない、数平均分子量が12000重量平均分子量が27,000の有機ポリマー(P−1)が酢酸n−ブチルに溶解した溶液を得た。得られた溶液の固形分は48.2%であった。
攪拌機、2つの滴下口(滴下口イと滴下口ロ)、温度計を備えた500mlの四つ口フラスコに、酢酸n−ブチル200部、メタノール500部を入れておき、内温を40℃に調整した。ついでフラスコ内を攪拌しながら、有機ポリマー(P−1)の酢酸n−ブチル溶液10g、テトラメトキシシラン30部、酢酸n−ブチル5部の混合液(原料液A)を滴下口イから、25%アンモニア水5部、脱イオン水10部、メタノール15部の混合液(原料液B)を滴下口ロから、2時間かけて滴下した。滴下後、冷却管に代えて蒸留塔、これに接続させた冷却管および流出口を設け、40kPaの圧力下、フラスコ内温を100℃まで昇温し、アンモニア、メタノール、酢酸n−ブチルを固形分が30%となるまで留去し、有機ポリマー複合無機微粒子中の無機微粒子と有機ポリマーの比率が70/30の有機ポリマー複合無機微粒子が酢酸n−ブチルに分散した分散体(S−1)を得た。得られた有機ポリマー複合無機微粒子の平均粒子径は23.9nmであった。なお、有機ポリマー複合無機微粒子中の無機微粒子と有機ポリマーの比率は、有機ポリマー複合微粒子分散体を1.33×10kPaの圧力下、130℃で24時間乾燥したものについて元素分析を行ない、灰分を有機ポリマー複合無機微粒子含有量として求めた。また、平均粒子径は、有機ポリマー複合無機微粒子分散体(S−1)1部を酢酸n−ブチル99部で希釈した溶液を用いて、透過型電子顕微鏡により粒子を撮影し、任意の100個の粒子の直径を読み取り、その平均を平均粒子径として求めた。
ジぺンタエリスリトールヘキサアクリレート(DPE−6A、共栄社化学社製)8部、ペンタエリスリトールトリアクリレート(PE−3A、共栄社化学社製)2部を混合し、MEK40部に溶解した溶液に、光重合開始剤(イルガキュア907、チバガイギー社製)0.5部をMEK2部に溶解した溶液を加え、ハードコート層塗布液を調製した。
得られた反射防止フィルムの裏面側に、近赤外線吸収材溶液A7を用いて、アプリケーターにて、乾燥後の感圧接着層厚みが20ミクロンとなるように塗工し、100℃の熱風乾燥機中で2分間乾燥させた。この感圧接着性フィルムをガラス板に貼り付けて光学フィルターを作製した。この光学フィルターの全光線透過率、反射率、近赤外線の透過率は良好だった。
式(c)のインドリウムカチオンの六フッ化リン酸塩(FEWケミカルズ製、S0728、以下インドリウムPF6塩と称する)5部をMEK95部に溶解し、近赤外線吸収色素溶液9を調製した。次に、樹脂として樹脂Aを使用し、樹脂を125部、近赤外線吸収色素溶液9を3.3部、ホウ酸塩溶液1を20部、MEKを48部混合し、塗料固形分21%の近赤外線吸収材溶液A11(固形分比:樹脂/色素/ホウ酸塩=100/0.43/2.5)を得た。
近赤外線吸収材溶液A11をバーコーター(No.34)で易接着処理PETフィルム(東洋紡績製 コスモシャインA4300)上に塗工し150℃の熱風乾燥器中で3分間乾燥させ、近赤外線吸収材A11を得た。近赤外線透過率、全光線透過率及び耐熱性の評価を行い、その結果を表6に示した。この際、近赤外線透過率は波長835nmで測定した。
テトラキス(ペンタフルオロフェニル)ホウ酸ナトリウム(日本触媒製、TEPBNa)2.11部とインドリウムPF6塩0.80部とを温度25℃でテトラヒドロフラン(THF)20部に溶解した。次にロータリーエバポレーターを用いて40℃で溶媒を蒸発させ、得られた析出物を800部の脱イオン水に添加し、攪拌しながら分散させた。この分散液をろ過し、80℃で乾燥させて黒色固体を得た。
インドリウムTEPB塩2部をMEK98部に溶解し、近赤外線吸収色素溶液10を調製した。次に、樹脂として樹脂Aを使用し、樹脂を63部、近赤外線吸収色素溶液10を5.5部、MEKを27部混合し、塗料固形分21%の近赤外線吸収材溶液A12(固形分比:樹脂/色素/ホウ酸塩=100/0.55/0)を得た。
近赤外線吸収材溶液A12を実施例11−2と同様に塗工、乾燥し、近赤外線吸収材A12を得た。これを実施例11−2と同様に評価し、その結果を表6に示した。
樹脂として樹脂Aを使用し、樹脂を125部、近赤外線吸収色素溶液9を3.3部、MEKを63部混合し、塗料固形分21%の近赤外線吸収材溶液B8(固形分比:樹脂/色素/ホウ酸塩=100/0.43/0)を得た。
近赤外線吸収材溶液B8を実施例11−2と同様に塗工、乾燥し、近赤外線吸収材B8を得た。これを実施例11−2と同様に評価し、その結果を表6に示した。
Claims (12)
- 下記式(1):
で示されるアニオンと、および下記式(2):
で示されるカチオン、または下記式(a)〜(i):
- 前記式(1)で示されるアニオンがテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレートアニオンである、請求項1に記載の近赤外線吸収材料用ホウ酸塩。
- 下記式(1):
で示されるアニオンと、ナトリウム、アンモニウム、ピリジニウム、アニリニウム、イミダゾリウム、ピロリジニウム及びキノリニウムからなる群より選択される一の構造を有しかつ近赤外線吸収能をもたないカチオンからなるホウ酸塩及び近赤外線吸収色素を含む近赤外線吸収材料。 - 前記式(1)で示されるアニオンがテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレートアニオンである、請求項3に記載の近赤外線吸収材料。
- 前記近赤外線吸収色素は、請求項1または2に記載のホウ酸塩、ジイモニウム系色素、フタロシアニン系色素、シアニン系色素、スクアリリウム系色素、及び金属ジチオール系色素からなる群より選択される少なくとも1種である、請求項3または4に記載の近赤外線吸収材料。
- 炭素数が1〜10の直鎖型、分岐型、脂環式、多環性脂環式アルキル基を有するメタクリル酸エステルを共重合してなる樹脂;ガラス転移温度が65〜85℃である樹脂;分岐構造を有する樹脂;粘着剤および/または接着剤;−80℃以上0℃以下のTg及び30以下の酸価を有する樹脂からなる群より選択される少なくとも1種の樹脂をさらに含む、請求3〜5のいずれか1項に記載の近赤外線吸収材料。
- 請求項3〜6のいずれか1項に記載の近赤外線吸収材料を含む近赤外線吸収材。
- 透明基材に、請求項3〜6のいずれか1項に記載の近赤外線吸収材料を積層した近赤外線吸収材。
- 前記透明基材は、ガラス、PETフィルム、易接着性PETフィルム、TACフィルム、反射防止フィルムまたは電磁波シールドフィルムである、請求項8に記載の近赤外線吸収材。
- 請求項7〜9のいずれか1項に記載の近赤外線吸収材を用いてなる、プラズマディスプレー用光学フィルター。
- 請求項7〜9のいずれか1項に記載の近赤外線吸収材を用いてなる、光半導体素子用光学フィルター。
- 請求項3〜6のいずれか1項に記載の近赤外線吸収材料、請求項7〜9のいずれか1項に記載の近赤外線吸収材、または請求項10に記載の光学フィルターを用いてなる、プラズマディスプレー。
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