TWI355554B - Display device and manufacturing method therefor - Google Patents

Description

1355554 九、發i月說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種顯示裝置，並且具體 ^ '、叫§，係關於一 種包括一有機薄膜電晶體（0TFT)之顯 ;翔不裝置及其製造方 法。 【先前技術】 包括液晶顯示器（LCD)及有機發光二極體（lcd)顯示器 之平面顯示裝置採用薄膜電晶體（TFT)來形成—麥像。 係-用於控制且驅動每一像素之運作的切換與：動元件。 - TFT包括__閘電極、—覆蓋該閘電極之該問極絕緣層及一 佈置在該閘極絕緣層上之半導體層 / 、… 版茂牛導體層包括非晶 糸石夕或複晶矽，並且最近使用有機半導體。 一有機半導體（OSC)係在常溫及常態壓力下予以形成並 且可藉由喷墨印刷製程（不需要塗佈、曝光及顯影製程）予以 形成，其方.式係形成-壁以圍繞佈置該有機半導體之處的 區域（即-通道區）。該壁具有—用以曝露該通道區之開 口。接者，將有機半導體溶液噴射穿過該開口至該通道區， 並且:有機半導體溶液移除溶劑，藉此形成該有機半導體。 仁疋’因為TFT係非常小的元件，所以不容易將有機半 導體溶液適當地喷射至該開口。舉例而言，有機半導體溶 液可能未喷射至摘告# $ ^ 0 田位置’而是可能沉積在該壁上。據此， 每-像素上的有機半導體層之厚度可能不同，並同因此有 機半導體層之特性可能不一致。為了解決此問題，該壁之 表面被處理成拒水且拒油乂 M6322.doc

At疋⑯置於有機半導體層下方之閉極絕緣層的特性可 月b因表面虚揮而妙会 及化，並且因此使包含該有機半導體層的 TFT之特性受到不利影響。 【發明内容】 二種顯示裝置·，包括：閉極導體與一閉電極，其係形成 彖基板上，一金屬層，其係藉由在該閘極導體上施 用金屬材料所形成；一在該金屬層上之透明電極層該透 明電極層财利地⑽晶㈣⑽㈣所形成，有利地已使 -J來圖案化該透明電極層，使其被劃分成跨該閘 電極的兩個部分，並且接著將該透明電極層退火以變成複 晶，該金屬層係使用該透明電極層作為一阻撐層予以該圖 =化’以界定一通道區，其被劃分成跨該閘電極的兩個部 刀，及有機半導體層，其形成於該通道區中。資料導體 ㈣成在該絕緣基板上’並且在形成該閘極導體之前，在 D亥資料導體上形成一中間絕緣層。在該中間絕緣層上形成 一第一壁，以具有一曝露該閉電極的第一開口；及在該第 開口中形成一閘極絕緣層，其覆蓋該閘電極。 有利地藉由喷墨法’在該第一開口中形成該閑極絕緣 層。在該透明電極層上形成—第二壁，以提供一曝露該通 道：的第二開口。在退火該金屬層之後且圖案化該金屬層 之則’對該第二壁實行表面處理。有利地藉由喷墨法，在 該第二開口中形成該有機半導體層。 Μ 列中之至 >、項貫行該表面處理：〇2電漿處理製 私、CF4電锻處理製程及自組單分子層（seif_assembied H6322.doc 1355554 monolayer ; SAM)製程。 一鈍化層被形成於該有機半導體層上。 【實施方式】 根據本發明之一TFT組裝件100包括：一絕緣基板11〇;資 料導體121、123 ; —中間絕緣層130 ;閘極導體141、丨43、 145 ; —第一壁150 ; —閘極絕緣層155 ;源電極161、171 ; 及沒電極163、1 73。資料導體12 1、123被形成在絕緣基板 110上，中間絕緣層130被形成在資料導體121、123上，及 閘極導體141、143、145被形成在中間絕緣層130上。壁150 具有一開口 151’以曝露閘極導體141、143與145之至少一 部分。閘極絕緣層15 5被形成於開口 1 5 1中。源電極16卜1 71 與汲電極163、173跨閘電極143彼此分離以界定一通道區c; TFT基板組裝件1〇〇包括：傳導層16ι、163、m、173、 175、177與179; —第二壁18〇;及一有機半導體層19〇。傳 導層161、163、171、173、175、177與179包含複數層。第 二壁180具有一開口 181，以曝露：位於傳導層161、ι63、 171、173、175、177與179上的通道區C ;源電極161、171 之一部分；及汲電極I63、173之一部分。有機半導體層190 被形成於開口 1 8 1中。 絕緣基板110可用玻璃或塑膠製成。如果絕緣基板11〇係 用塑膠製成’則TFT基板組裝件1 〇〇可具撓性’但是可易於 受熱影響。但是’如果第一具體實施例中之有機半導體層 1 90係在常溫及常態壓力下予以形成，則可毫無困難地使用 塑膝基板。塑膠可係聚碳酸酯、聚醯亞胺 116322.doc (ρolyimide)、聚Si風（polyethersulfone;PES)'聚芳酯化合 物（polyarylate ; PAR)、聚萘二甲酸二乙酯（polyethylene naphthalate ; PEN)及聚對苯二曱酸乙二酯（polyethylene terephthalate ; PET)等等。 資料導體121 ' 123被形成在絕緣基板110上❶資料導體 121、123包括：一資料線121，其往一方向延伸；及一資料 襯塾12 3 ’其佈置在資料線12 1之一端部處，用以接收來自 外部的一驅動訊號及一控制訊號。資料襯墊1 23接收驅動訊 號及控制訊號’並將彼等訊號傳輸至資料線丨2 1。資料導體 121、123 包括鋁（A1)、鉻（Cr)、鉬（Mo)、金（Au)、鉑（Pt)、 在巴（Pd)、銅（Cu)及紹鈦（AINd)中之至少一項。另外，資料導 體121、123可具有包括前述材料中之至少一項的一單層或 '一多層。 在本發明中’首先’在絕緣基板丨丨〇上形成資料導體1 2 1、 123’接著形成覆蓋資料導體121、123之中間絕緣層13〇。 資料導體121、123可具有一單層或一多層。 絕緣層130使資料導體121、123電絕緣於閘極導體141、 143與145。絕緣層13〇可係一用具有極佳耐久性之材料製成 之有機層，或係一具有極佳處理效率之無機層。在另一示 範性具體實施例中，中間絕緣層可係一種包括佈置在一有 機層下之無機層的多層，無機層係用具有極佳處理效率之 氮化矽（SiNx)或氧化矽（Si〇x)製成。可取決有機層之處理效 率而省略無機層。 一絕緣層接觸孔13丨及一接觸孔（圖中未繪示）被形成於 116322.doc -9- 1355554 絕緣層130中，以曝露資料線121與資料襯墊123之一部分。 以絕緣層1 30覆盍資料導體！ 2丨、i 23減小有機半導體層i 9〇 劣化可此性，這可起因於用於形成資料導體】2 1、】23之化 4· 〇〇或電水，化學品可餘留且擴散進入介於絕緣層接觸孔 1 3 1、接觸孔1 5 3或開口 1 5 1之間的界面。

閘極導體141、143與〗45被形成在絕緣層13〇上。閘極導 體141、〗43與145包括一閘極線14卜一間極襯墊145及一間 電極143。間極線141絕緣.於且交叉於資料線ΐ2ι以界定一像 素區。閘極襯墊丨45被佈置在閘極線141之一端部處，用以 接收來自外部的一驅動訊號及一控制訊號。閘電極143係自 閘極線141分支且形成為相對應於有機半導體層丨9〇，將於

下文述$極襯塾！ 45接收來，外部的驅動訊號及控制訊 號以開啟/關閉TFT，且透過閘極線141將彼等訊號傳輸至間 電極143。閘極導體141、143與145及資料導體ΐ2ι、⑴包 括A卜Cr、Mo、Au、Pt、pd、〇11及Amd中之至少一項。壁 15〇被形成在中間ι緣層13〇上，壁15〇包括壁接觸孔i53及 開口 151 ’以曝露閘極導體⑷、⑷與⑷之至少一部分。 。平。之，壁150包括：開口 15i，其曝露閘電極丨以；壁接觸 孔53其被形成為相對應於，絕緣層接觸孔131，並且曝露 貢料線121之—部分；《觸'孔152與B4,每-接觸孔曝露 資料襯墊資料襯墊123與閘極襯墊145。壁15〇被提供以藉由 噴墨法來形成閑極絕緣層155且可包括—光阻有機層。一較 大開口⑸係較佳地，以維持閘電極！ 4 3上的開極絕緣層⑸ 之平坦化表面。將閘極絕緣層材料喷射穿過開σ 15卜自材 Ι 16322.doc • ΙΟ 1355554 料中移除溶劑以形成閉極絕緣層155。在移除溶劑製程^ 間’使閘極絕緣層155乾燥且變成板形形』 丨 周遺區中 為厚的’且中間區中為薄且平坦。這稱為咖啡潰現象。當 因為咖啡漬現象而使閘極絕緣層155具有取決於其在閘田 極i 4 3上之位置的不同厚度時，可使τ F 丁之特性劣化'。因甲此電 開口 m被形成為較大，使得厚的周邊區將以最小程度重遇 閘電極143。據此，將使TFT特性受到最小影響。 且 閉極絕緣層155被形成於開口 151中。閉極絕曰緣層155 體⑵、123絕緣於間極導體141、⑷與145，並且防止雜質 擴散進入易受化學品及電製影響的有機半導體層19〇。開極 絕緣層155可能係厚層，其包括具有低介電常數之丙㈣ ⑽yiicm脂、聚苯乙稀（polystyrene)樹脂及苯並環丁稀 (benzoeyel<)butene)中之至少—項。較佳方式為，根據本發 明，閘極絕緣層155包括耐久性極佳且具有低介電常數之材 料’以最小化介於源電極171與閉電極143之間及介於汲電 極m與閉電極⑷之間的電容Cgs及Cgd，藉此改良有機 TFT之特性。較佳方式為，閘極絕緣層155具有介於1與3之 間的相對介電常數。 〃 傳導層161、163、171、173、175、177與179被形成在壁 150與間極絕緣層155上。傳導層16卜163、17卜173、175、 177與179係多層’其中金屬層】61與163被佈置在下部，並 且透明電極層171、173、175、m與179被佈置在上部。金 屬層丨6丨與〗63及透明電極‘層】71、】73、175、177與179係電 互連。金屬層161與163包括A卜Cr、Mo、Au、Pt、pd、Cu M6322.doc 1355554 及AINd中之至少一項；及透明電極層ι7ι ' m、I”、I” 與179包括一透明電導材料，諸如氧化銦錫（ITO)或氧化銦 鋅（ιζο)。舉例而言，金屬層161與163可包括鉻（cr)及钥 (Mo)，或鋁（A1)。透明電極層171、173、175、^了與}”可 包括非晶系ITO。 傳導層161、163、171、173、175、177與179係透過絕緣 層接觸孔131及壁接觸孔丨53而連接至資料線121。傳導層 161、163、171、173、175、177與 179包括：源電極 161、 171其接觸於有機半導體層190之至少一部分；；：及電極 1 63、1 73 ’其係跨閘電極丨43而與源電極16 1、1 7 1相分離； 及像素電極175 ’其連接至汲電極163、ι73 ^再者，進一步 包括傳導層161、163、171、173、175、177與179進一步包 括·負料襯墊接觸構件177’其連接至資料襯塾123;及閘 極襯墊接觸構件179，其連接至閘極襯墊145。源電極171 係透過絕緣層接觸孔131及壁接觸孔153而實體上電連接至 資料線12 1 ’用以接收一影像訊號。汲電極！ 63、1 73與源電 極161、171跨閘電極143而相分離以界定一通道區c。汲電 極1 63、1 73與源電極1 6 1、1 7 1形成一用以控制每一像素電 極175之運作的TFT切換與驅動元件。 壁180被形成在源電極161、171與汲電極163、173上。壁 180圍繞通道區C，並且包括開口 18卜以曝露出源電極16卜 171之一部分與汲電極163、173之一部分。壁180係當作一 用以形成有機半導體層190的模具。 有機半導體層190被形成於開口 181中。有機半導體層190 116322.doc 12 1355554 覆蓋通道區C，並且接觸於源電極161、171之一部分與沒電 極163、173之一部分》有機半導體層19〇包括下列其中一 項.包含四本（tetracene)或五苯（pentacene)之取代基的衍生 物；連接至噻吩環（thiopene ring)之2、5位置的4〜8寡噻吩 (oligothiopene) ’ 伸花四曱酸二酐（peryienetetracarb〇Xjiic dianhidride)或其硫亞氨（imide)衍生物；伸萘四甲酸二軒 (naphthalenetetracarboxilic dhnhydride)或其衍生物；金屬 化酞菁（pthalocyanine)或其鹵化衍生物，或對二嵌苯 (perylene)、蔻（coroene)或包含其取代基之衍生物；伸噻吩 基（thienylene)與伸乙烯基（vinylene)的共寡聚物 (co-oligomer)或共聚物（co-p〇lymer);噻吩；對二嵌苯、蔻 或包‘其取代基之衍生物；及包含丨〜％個碳至前述材料之 芳香（aromatic)或雜芳基環（heter〇aromatic ring)的一或多個 碳氫化合物鏈的衍生物。替代做法為，有機半導體層i 9〇 可包括任何熟知之有機半導體材料。 • 在另一示範性具體實施例中，可藉由蒸鍍法或塗佈法來 形成有機半導體層。在此情況中，不需要形成壁18〇。 一純化層195被形成在有機半導體層19〇上。鈍化層195 . 係一單層（如圖所示），但是可能係一種雙層。鈍化層195防 止有機半導體層190之特性劣化’並且包括氣化聚合物 (fluoric polymer)、聚乙烯醇（p〇lyWnyl alc〇h〇n pvA)或類 似物。鈍化層195係一種雙層時，其可包含在下部層的氟化 聚合物及在上部層的ΙΤΌ輿IZ0之一。 .， 下文將參考圖3A至圖3.L來說明根據本發明第—具體實 H6322.doc 13 1355554 施例之顯示裝置製造方法。 請參閱圓3A，絕緣基板11〇包括絕緣材料，諸如玻璃石 英、陶究或塑勝。較佳方式為，使用-塑勝基板以用於製 造一挽性顯示裝置。資料導體材料係藉由_法或類似方 法而沉積在絕緣基板no上，並且藉由微影法予以姓刻，以 形成貧料線1 2 i及資料襯墊丨2 3 (請參閱圖丨）。 請參閱圖3B，中間絕緣材料（其包括無機材料，諸如氮化 石夕（SiNx)或氧化石夕（Si〇x))被沉積在絕緣基板！】〇及資料導 體⑵、123上’以形成中間絕緣層⑽。在另—示範性且體 實施例中，-中間絕緣層可能係_有機層。在此情況中， 藉由旋塗法、絲網印刷法或類似方法，將中間絕緣層咖 形成在絕緣基板11()上。中間絕緣層13。可包括一有機層及 一無機層。使用-光阻有機層作為一壁，藉由姓刻製程來 形成絕緣層接觸孔131，以曝露資料線121之部份。 請參閱圖3C，閘極導體材料（其包括A1、.Cr、M。、心、 ^^(^及細中之至少，一項）係藉由_法或類似方法 而沉積在中間絕緣層13G上，並且藉由微影法予以蚀刻，以 形成閘極線14〗（請參閱圖1}、閘電極143及閘極襯墊145 (請 參閱圖1) * 請參閱圊3D’壁150被形成以具有：開口 151，其曝露閘 電極143;壁接觸孔153’其曝露資料線121之部分並且相^ 應於絕緣層接觸孔131。壁150可包括一光阻有機層。以如 下方式形成壁150:藉由旋塗法或絲網印刷法，在中間絕緣 層咖上形成-具有㈣決定厚度之有機層；使有機層對準 ll6322.doc 於-經圖案化之光罩且予以曝光；及使有機層顯影以形成 開口 151及壁接觸孔153。 月多閱圖3E，—噴嘴200噴射閘極絕緣材料156至開口 閘極，’邑緣材料i 56包括具有低介電常數之丙烯酸樹 脂、聚苯乙稀樹脂及苯並環丁稀中之至少一項。較佳方式 為閘極，·巴'表材料156具有介於丄與]之間的相對介電常數。 k疋為了減小介於源電極161、171與閘電極M3之間及介於 /及電極163、173與閘電極143之間的電容Cgs及Cgd，藉此改 良有機TFT之特性。接著，自閘極絕緣材料⑼移除溶劑， 藉此形成閘極絕緣層155，如圖3F所示。較佳方式為，開口 151被形成為足夠大’以最小化將對TFT特性造成不利影響 的咖啡潰效應。 請參閱圖3F，金屬材料(其包括八卜M〇、— pt、 Pd、cu及A1Nd中之至少一項）被沉積在壁i5〇及開極絕緣層 155上，以形成一金屬材料層16〇。藉由濺鍍法形成金屬材 料層金屬材料層16〇係透過壁接觸孔〗53及絕緣層接觸 孔13!而連接至資料線121。此處，較佳方式為，16〇包括鋁， 原因係鋁不與蝕刻劑發生反應。因此，可使用蝕刻劑的選 擇性，毫無困難地圖案化金屬材料層16〇。 請參閱圖3G’ 一透明電極材料層17〇被形成在金屬材料層 160上。透明電極材料層17〇可能係汀〇或12〇。較佳方式 為’透明電極材料層i 70係非晶系IT〇。這是為了較易於使 用用於圖案化金屬材料層丨6〇與透明電極材料層1 的蝕刻 劑之選擇性，來圖案化金屬材料層1 60。 116322.doc !5 1355554 光阻層（圖中未繪示）被形成在透明電極材料層1 7 〇 上’以形成透明電極層171、173、175、177與179,如圖3Η 所示。光阻層被劃分成相對於閘電極丨43的兩個部分並且當 作一阻擋層，以形成透明電極層171、173、175、177與179。 此處，圖中未繪示資料襯墊接觸構件177及閘極襯墊接觸構 件丨79。可藉由鉻蝕刻劑來圖案化透明電極材料層17〇,以 形成透明電極層丨7卜173、175、177與179。佈置於透明電

極材料層170下方的金屬材料層16〇亦可藉由鉻蝕刻劑予以 移除。因此，需要監視選擇性移除透明電極材料層丨7〇 (其 包含非晶系ΙΤΟ)且不移除金屬材料層i 6〇的姓刻率。同時， 希望透明電極材料層17〇包含紹。銘不與鉻飯刻劑發生反 應’並且因此不需要監視蝕刻率。此意謂著可過度蝕刻透 明電極材料層170。 請參閱圖3卜實行退火製程。在退火製程中，材料被充 分加熱且緩慢地冷卻，以達成敎狀態。透過退火製程， 透明電極層m、173、175、177與179從非晶㈣〇變更成 穩定的複晶ιτο〇 。月參閱圖3J，壁1 8〇被形成以圍繞通道區，並且具有開口 ⑻，以曝露出源電極171之—部分與汲電極173之一部分。 壁180係當作一用以形成有機半導體層⑽的模具。壁18〇 可月匕h光阻層。以如下方式形成壁刚：藉由旋塗法或絲 網印刷法，在源電極1 7丨、、1 '、 1 /及電極173及鈍化層195之若干部 分上形成一具有預弈呔今后 ° '、疋尽度之有機層；使有機層對準於 一在其上的遮罩且子U , 予以曝先，及使有機層顯影以形成在壁 I I6322.doc •16· ^Sil· 1 80中形成開口 181，如圖3J所示。 處理壁180之表面，用於使喷射在壁18〇之表面上的有機 半導體溶液193 (請參閱圖3L)自發地流入開口 ΐ8ι中。但 是，在習知顯示裝置中’電聚表面處理係在曝露通道區c 時予以實行’因此不利地影響閘極絕緣層155且使有機薄膜 電晶體之品質劣化。具體而言，閘極絕緣層155的表面處理 提供抗有機半導體溶液193的拒水性與拒油性，並且因此有 機半導體溶液193未均勾散佈，而是聚集在源電極16卜⑺ 與汲電極163、173四周。因此，未形成介於閘極絕緣層155 與有機半導體層190的良好界面，並且有機半導體層19〇不 具有均勻厚度，因而不利地影響有機薄膜電晶體之特性。 因此’在本發日月中，請參閱圖3J，處理壁18〇之表面以具 有拒水性與拒油性’同時金屬材料層⑽覆蓋通道區c。即， 由於金屬材料層16〇覆蓋通道區c ,所以電衆及化學材料益 法擴散進人閘極絕緣層155，藉此改良有機薄膜電晶體之特 性。 #曰由下列中之至少一項實行表面處理：〇2電漿處理製 程、CF4電毁處理製程及自組單分子層製程。此處，電喂 處理製程及CF4電聚處理製程係用於處理壁18〇之表面，二 獲得拒水性與拒油性。另一方面，使用自組單分子層製程，

以藉由減小介於喷射至彳首P 了主通道之有機半導體層190與源電 極1 7 1和汲電極1 73之間的姑 、— ； <間的接觸電阻，而使電荷易於移動’ 並且藉此增強有機薄膜電晶體之特性。 請參閱圖3K，金屬材料層16〇被圖案化以形成金屬層… 116322.doc 1355554 與163，其被劃分成跨閉電極143的兩個部分。可藉由鉻姓 刻劑來圖案化金屬材料層丨6〇。尤其，透明電極層1 7卜1 73、 175、177與179 (其包含藉由退火製程而變成複晶的ΙΤ〇)未 被絡㈣制移除，並且因此其係#作—圖案化金屬材料 層1 60的屏蔽。 當金屬材料層160包含銘時，較佳藉由㈣刻劑予以圖案 化。透明電極層171、173、175、177與179(其包含藉由退

火製程而變成複晶的ΙΤ0)不與㈣刻劑發生反應，並且因 此藉由浸泡或洗縣可容易地圖案化金屬材料層⑽，以形成 源電極1 6 1與;:及電極1 6 3。

在另—具體實施例中1於形成壁之光阻層或驗性元素 二：'留在通道區C中’並且鹼性元素可使有機薄膜電晶體之 仆八=化。但是，在本發明中’使用弱酸性敍刻劑來圖案 :屬材料層刚，並且因此餘留在通道區c中的驗性元素 ^生且移除。據此，改良電荷持續電流（。㈣職叫及移 動性，猎此增強有機薄膜電晶體之特性。 = ，透過喷嘴200將有機半導體溶液M3喷射至 通k £ C中。取決於溶劑， 或油性。自有機液193可能係水性 導粗層19〇(請參閱圖2)。由於 千 微影法)來圖案化有機半導體層19。，：=需要使用 免受於微影法中使用彳興 /、又到保護以 在另—…用之化學材料而使其特性漸漸劣化。 不軏性具體實施例中，可 形成有機半導## ^ ， 羔鍍法或塗佈法來 導肢層。在此情況中，不需要壁180。 H6322.doc .18· T藉由噴射鈍化溶液.，在有機半導體層190上形 純化層（圖中未繪示）。取決於溶劑，純化溶液可能係水性 或油性。自鈍化溶液中移除溶劑，藉此形成鈍化層195。純 化層19 5的表面係平坦。 :文將參考圖4來說明根據本發明之第二具體實施例的 顯不裝置及其製造方法。在以下說明内容中，將提出根據 第二具體實施例之顯示裝置及其製造方法的特點。 士圖4所不’根據第二具體實施例之顯示裝置包括源電極 261 271與及電極263、273。源電極26卜π〗與汲電極、 各L括複數層。根據第一具體實施例之源電極2 6丨、2 7 j 與/及電極263、273的製造製程相同於根據第二具體實施例 之製造製程，藉此改良有機薄膜電晶體之特性，如上文所 述。在第二具體實施例中，資料導體265被形成在相同於金 屬層261與263之層上。即，一金屬材料層（圖中未繪示）被形 成且圖案化以形成資料導體265。接著，如上文所述，在其 上形成透明電極材料層，且予以圖案化以形成透明電極 271、273、275、277與279。接著’形成壁28〇且處理其表 面。藉由使用透明電極層271、273、275、277與279作為阻 擔層來形成金屬層261與263。金屬層161與1 63被劃分成相 對於閘電極2 4 3的兩個部分。據此，與第一具體實施例相 比’在第二具體實施例中’可省略了圖案化資料導體之製 程、形成中間絕緣層之製程及形成絕緣層接觸孔之製程。 另外’由於處理壁1 8 0之表面以具有拒水性與拒油性，同時 金屬材料層（圖中未繪示）覆蓋通道區C，所以用於表面處理 M6322.doc 19 丄奶：)54 之電聚及化學材料無法擴散進入閘極絕緣層255,藉此改良 有機薄膜電晶體之特性。 根據本發.明之壁滴用於肪-壯l. 土週用於顯不裝置’諸如液晶顯示器 (LCD) ' 有機發光二極體.. 隨（ULED)、電冰指示顯示器或類似 項。 _係一種使用有機材料的自發光裝置，其接收電訊號 而發光。在OLED中疊層一陰極層(像素電極)、一電洞注入 層、-電洞傳送層、-發光層、一電子傳送層、一電子注 入層及-陽極層（反電極卜根據本發明之咖基板上的汲電 極被電連接至陰極，以施加資料訊號。 電泳指示顯示器係—種用於電子書的平面顯示器。電泳 指示顯示器包括：-第—基板，在此處形成一第一電極及 TFT，第—基板，在此處形成_第二電極；流體，其佈置 在彼兩個基板之間；及帶電粒子’其散佈於流體中。帶電 粒子係帶正電或帶負電粒子，並且係黑粒子或白粒子。如 果以電壓施加至彼此面對的彼兩個基板，以在彼兩個基板 之間形成一電位差，則帶電趣早 '电粒子上下移動至具有相反極性 的電極。據此’觀察者察覺到自外部入射於帶電粒子中的 反射光。電泳指示顯示器使用觀察者對帶電粒子上下移動 時的帶電粒子色彩的強與弱感知的原理。 熟悉此項技術者應明白’可進行各種修改及變化，是 不脫離本發明的精神及範_。 【圖式簡單說明】 當配合附圖閱讀[實施方式]時，將可更明白本發明的上 116322.doc -20- IS：} 1355554 述及其他目的、特徵及優點，附圖中： 圖1顯示根據本發明第一具體實施例之TFT基板的配置 圖。 圖2繪示以沿圖1中Π - Π線為例的剖面圖。 圖3 A至圖3L繪示根據本發明第一具體實施例之顯示裝 置製造方法。 圖4繪示根據本發明第二具體實施例之顯示裝置的剖視 圖。 【主要元件符號說明】 100 TFT基板組裝件 110 絕緣基板 121 資料線（資料導體） 123 資料襯墊（資料導體） 130 中間絕緣層 13 1 絕緣層接觸孔 141 閘極線（閘極導體） 143 閘電極（閘極導體） 145 閘極襯墊（閘極導體） 150 第一壁 15 1 開口 152， 154 接觸孔 153 壁接觸孔 155 閘極絕緣層 156 閘極絕緣材料 I16322.doc 21 1355554 160 金屬材料層 161, 171 源電極（傳導層，金屬層） 163, 173 汲電極（傳導層，金屬層） 170 透明電極材料層 175 像素電極（傳導層） 177 資料襯墊接觸構件（傳導層） 179 閘極襯墊接觸構件（傳導層） 180 第二壁 181 開口 190 有機半導體層 193 有機半導體溶液 195 純化層 200 喷嘴 243 閘電極 255 閘極絕緣層 261, 271 源電極（金屬層） 263, 273 汲電極（金屬層） 271, 273, 275, 277, 279 透明電極層 C 通道區 116322.doc ·22·

Claims (1)

1355554 - 第095143618號專利申請案 ‘ .十文申請專利範圍替換本(1〇〇年6月） __ 十、申請專衬Ιί® r ι· 一種顯示裝置，包括： 一資料導體’其形成於一絕緣基板上； 一中間絕緣層’其覆蓋該資料導體； ’ —包括一閘電極之閘極導體’其係形成在該中間絕緣 層上； 一第一壁，其形成於該中間絕緣層上且具有一第一開 口以曝露該閘電極； ® 一閘極絕緣層，其形成於該閘電極上且佈置於該第一 開口中； 一包括複數層之傳導層，其包括一源電極及一汲電 極’其形成在該閘極絕緣層上且跨該閘電極彼此分離， 以界定一通道區；及 一有機半導體層，其形成於該通道區令。 2.如請求項1之顯示裝置，其中該傳導層包括一金屬層及一 ^ 透明電極層。 3·如請求項2之顯示裝置，其中該透明電極層係形成在該金 屬層上。 4. 如請求項2之顯示裝置，其中該金屬層包括鋁（Α1)、鉻 (Cr)、銷（Μ〇)、金（au)、鉑（pt)、把（pd)、銅（Cu)及鋁鈥（AINd) 中·之至少一項。 5. 如請求項4之顯示裝置，其中該透明電極層包括氧化銦錫 (ιτο)與氧化銦鋅（IZ0)之一。 6. 如％求項5之顯示裝置，其中該金屬層及該透明電極層彼 116322-1000621.doc 此電連接。 7. 如請求項5之顯示裝置，其中該透明電極層係複晶。 8. 如月/托項1之顯示裝置，進-步包括：一第二壁，其具有 >成於該傳導層上之第：開口以曝露該通道區、該 源：極之一部分與該汲電極之一部分。 Ί 8之顯$裝置’其中該有機半導體層被佈置於該 第二開口中。 10.如請求項9之顯+轱里 ^ ” X置，其中一純化層被形成於該有機半 導體層上。 11_ 一種顯示裝置製造方法，包括： 在一絕緣基板上施用一資料導體材料來形成-資料導 體； 在該資料導體上施用中間絕緣材料來形成一中間絕緣 層 在。玄中間絕緣層上形成一包括-閘電極之閘極導體； •在該中間絕緣層上形成一第一壁，以具有一曝露該閑 電極的第一開口； 在》亥第開口中形成一閘極絕緣層，以覆蓋該問電極； 藉由在該閘極導體上施用金屬材料來形成一金屬層； 藉由在該金屬層上施用透明電極材料來形成一透明電 極層； 圖案化該透明電極層，使其被劃分成跨該閉電極的兩 個部分； 退火該透明電極層； 116322-100062 ] .doc 12. 圖案化該金屬層以具有二诵…一〜〜 電極的兩個部分；及、 <品’-被劃分成跨該閉 於該通道區中形成一有機半導體層。 如請求項11之顯示裝置製造方法，:中 包括ITO與IZ0之—。 /、"透月電極材料 13. 14. 15. 16. 17. 18, 19. 20. 如請求項12之顯示裝置製造方法 電極層係用錢刻劑予以實行。I中相案化錢明 Π求項12之顯示裝置製造方法，其中藉由該退火使令 透明電極層變成複晶。 x =項14之顯示裝置製造方法，其中該金屬材料包括 )、鉻㈣、鉬（M。）、金（Au)、始（pt) 及鋁钕（AINd)中之至少一項。 （） :請求項15之顯示裝置製造方法，其中該圖案化該金屬 層係用該透明電極層作為一阻擋層予以實行。 如請求们6之顯示裝置製造方法，其巾該圖案化該金屬 層係用鉻蝕刻劑予以實行。 如請求们6之顯示裝置製造方法，其中該金屬層包括 鋁，並且該圖案化該金屬層係用鋁蝕刻劑予以實行。 如請求項11之顯示裝置製造方法，其中藉由噴墨法，在 該第一開口中形成該閘極絕緣層。 .如請求項11之顯示裝置製造方法，進一步包括：在該透 明電極層上形成一第二壁，以具有一曝露該通道區的第 二開口；及在該退火該金屬層之後且該圖案化該金屬層 之前’對該第二壁之一表面實行表面處理。 116322-1000621.doc 1355554 21. 如請求項20之顯示裝置製造方法，其中藉由噴墨法，在 該第二開口中形成該有機半導體層。 22. 如請求項20之顯示裝置製造方法，其中藉由下列中之至 少一項實行該表面處理：〇2電漿處理製程、CF4電漿處理 製程及自組單分子層製程。 23. 如請求項11之顯示裝置製造方法，進一步包括：於該有 機半導體層上形成一鈍化層。 116322-1000621.doc