CN1971967A - 显示装置及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种显示装置及其制造方法。所述显示装置包括：绝缘基底；在绝缘基底上且相互分开以界定沟道区的源电极和漏电极；具有一或多个开口以暴露所述沟道区、至少一部分源电极和至少一部分漏电极的壁；和在所述一或多个开口内形成的有机半导体层，所述一或多个开口包括暴露所述沟道区的沟道部分和从所述沟道部分向外延伸的墨引导部分。所述显示装置的喷墨印刷工艺具有改善了的工艺裕量。
Description
技术领域
本发明涉及一种显示装置及其制造方法，更具体地，涉及一种包括有机半导体层的显示装置及其制造方法。
背景技术
可以得到几种类型的平板显示装置，例如液晶显示器LCD，有机发光二极管显示器OLED等。
LCD包括LCD面板，LCD面板具有提供TFT的薄膜晶体管TFT的基底，提供滤色器的滤色器基底，和在所述两个基底之间布置的液晶层。
TFT基底包括多个TFT，这些TFT作为开关和驱动元件以控制和驱动相关像素。各个TFT包括通常采用非晶硅或多晶硅的半导体层。近来，有机半导体材料已经被用作所述半导体层。
有机半导体(OSC)材料可以在通常的温度和压力下形成，所以其处理成本可以比引入非晶硅或多晶半导体层的显示器的成本低。由于可以在相对低的温度下形成，OSC材料可以用于容易受热影响的塑料基底。
有机半导体层可以通过喷墨印刷工艺形成，而不需要涂布，曝光和显影工艺。形成壁以包围要布置有机半导体的区域。有机半导体溶液被喷射到由所述壁限定的封闭的区域。随后从有机半导体溶液中去除溶剂，由此形成有机半导体。
但是，由于所述区域非常小，所以难于恰当地控制所使用的喷嘴以将有机半导体溶液喷射到TFT的封闭区域内。因而，有机半导体层可以被构图为希望的形状，或其厚度可以对不同像素是不同的，从而有机半导体的性能是不一致的。
发明内容
因而，本发明的一个方面是提供一种显示装置，其中改善了喷墨印刷工艺的工艺裕量。
本发明的另一方面是提供一种改善了喷墨印刷工艺的工艺裕量的显示装置的制造方法。
本发明的前述和/或其它方面还可以通过提供一种显示装置而实现，所述显示装置包括：绝缘基底；在绝缘基底上形成并且相互分离以界定沟道区的源电极和漏电极；具有一或多个开口以暴露沟道区、至少一部分源电极、和至少一部分漏电极的壁；和在一或多个开口内形成的有机半导体层，一或多个开口包括暴露沟道区的沟道部分和从沟道部分向外延伸的墨引导部分。
根据本发明的实施例，源电极和漏电极包括从由ITO、IZO、Al、Cr、Mo、Au、Pt、Pd、Cu和AlNd的组中所选择的一或多种材料。
根据本发明的实施例，所述有机半导体层包括从由并四苯或并五苯替代物的衍生物、具有彼此通过噻吩环的2和5位置连接的4到8噻吩环的寡居噻吩、二萘嵌苯四羧酸双酐或其酰亚胺衍生物、萘四羧酸双酐或其酰亚胺衍生物、或金属化的酞菁染料或其卤化衍生物、二萘嵌苯或六苯并苯之一和包括其替换的衍生物、噻吩烯和乙烯之一的共低聚物或共聚物、噻吩、噻吩烯或六苯并苯包含其替代物的衍生材料、以及在衍生材料的芳香环或杂环中包括至少一个具有1到30个碳的烃链的衍生物构成的组中选择的至少一种材料。
根据本发明的实施例，有机半导体层使用喷墨工艺形成。
根据本发明的实施例，显示装置还包括在绝缘基底上的栅极布线和数据布线，其中所述栅极布线和数据布线相互交叉以界定像素，并且其中像素包括配置为产生图像部分的有源区和配置为不产生图像部分的无源区，并且其中壁包括形成于像素的有源区上的部分和像素的无源区上的部分。
根据本发明的实施例，一或多个开口的沟道部分至少与像素的有源区和像素的无源区至少之一部分重叠。
根据本发明的实施例，一或多个开口的墨引导部分至少与像素的有源区和像素的无源区至少之一部分重叠。
根据本发明的实施例，壁的一部分位于至少与栅极布线和数据布线的至少之一部分重叠的重叠区。
根据本发明的实施例，至少一部分墨引导部分与栅极布线和数据布线至少之一部分地重叠。
根据本发明的实施例，至少一部分壁布置在栅极布线和数据布线的交叉点。
根据本发明的实施例，墨引导部分包括放射状地从沟道部分延伸的多个子引导部分，并且其中至少一个子引导部分延伸至重叠区。
根据本发明的实施例，墨引导部分包括从沟道部分延伸的第一子引导部分和与第一子引导部分交叉的第二子引导部分，并且其中第一子引导部分和第二子引导部分至少之一延伸至重叠区。
根据本发明的实施例，显示装置还包括布置在绝缘基底和源电极之间和绝缘基底和漏电极之间的数据布线；覆盖数据布线的缓冲层；布置在缓冲层上并且对应于有机半导体层定位的栅极布线，栅极布线包括栅极线；和覆盖栅极布线的栅极绝缘层。
根据本发明的实施例，显示装置还包括覆盖有机半导体层的钝化层。
根据本发明的实施例，栅极绝缘层包括下层和上层，下层是无机层，并且上层是有机层。
本发明的前述和/或其它方面还可以通过提供一种显示装置的制造方法而实现，所述方法包括：提供绝缘基底；在绝缘基底上形成源电极和漏电极，源电极和漏电极相互分离以界定沟道区；形成具有一或多个开口的壁以暴露沟道区、至少一部分源电极、和至少一部分漏电极；通过在一或多个开口内喷射有机半导体溶液而形成有机半导体层，其中一或多个开口包括暴露沟道区的沟道部分和从沟道区向外延伸的墨引导部分。
根据本发明的实施例，显示装置的制造方法还包括：在形成源电极和漏电极之前，在绝缘基底上形成栅极布线和数据布线，其中栅极布线和数据布线相互交叉以界定像素并且相互绝缘，其中像素包括配置为产生图像部分的有源区和配置为不产生图像部分的无源区，其中壁包括在像素的有源区上形成的部分和在像素的无源区上形成的部分。
根据本发明的实施例，有机半导体溶液被喷射到像素的无源区。
根据本发明的实施例，墨引导部分至少与像素的有源区和像素的无源区的至少之一部分地重叠。
根据本发明的实施例，有机半导体溶液被喷射到墨引导部分并且至少部分流入沟道部分。
附图说明
结合附图，通过对下述典型实施例的描述，本发明的上述和/或其它方面和优点将变得更为显见和更容易理解，其中：
图1是根据本发明第一实施例的TFT基底的布置图；
图2是沿图1中II-II线所取的截面图；
图3示出了根据本发明第一实施例的壁；
图4示出了根据本发明第二实施例的壁；
图5示出了根据本发明第三实施例的壁；
图6示出了根据本发明第四实施例的壁；而且
图7A和7B是示出根据本发明的显示装置的制造方法的平面图。
具体实施方式
现将详细参考本发明的典型实施例，在附图中示出了典型实施例的实例，其中通篇相似的参考标号指示相似的元件。在附图中，为了清楚起见夸大了层、膜、和区的厚度。参照附图描述下述实施例是为了解释本发明，但是，典型实施例和附图仅是示出本发明，并不旨在限制本发明的范围。
在下列描述中，如果称层形成于另一层“上”，那么一或多个中间层可以布置在所述两个层之间，或者所述两个层可以相互直接接触。换而言之，应当理解当诸如层、膜、区或基底的元件被称为在另一个元件“上”时，可以直接在另一元件上或者也可以存在中间元件。如果元件被称为“直接上”，则不存在中间元件。
图1是根据本发明第一实施例的TFT基底的布局图，图2是沿图1的II-II线所取的截面图，并且图3示出了根据本发明第一实施例的壁。
如在图1至3中所示，根据本发明实施例的TFT基底100包括绝缘基底110、形成在绝缘基底110上的数据布线(包括元件121、122和123)，在数据布线(121、122和123)上形成的缓冲层130，在缓冲层130上形成的栅极布线(包括元件141、142和143)，在栅极布线(141、142和143)上形成的栅极绝缘层150，在栅极绝缘层150上形成的透明电极层(包括元件161、163和165)，包括开口171和172以暴露在源电极161和漏电极163之间形成的沟道区C的壁170，在开口171和172内形成的有机半导体层180，和在有机半导体层180上形成的钝化层191。
绝缘基底110包括玻璃或塑料。如果绝缘基底由塑料制成，则TFT基底100可以具有良好的柔韧性，但是绝缘基底110容易受到热的影响。由于有机半导体层180在通常温度和压力下形成，所以实施在此公开的有机半导体层180允许在绝缘基底110中容易地使用塑料材料。塑料材料可以包括聚碳酸酯、聚酰亚胺、PES(聚醚砜)、聚丙烯酸酯(PAR)、聚萘二酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)或其它合适的塑料材料。
数据布线(121、122和123)形成于绝缘基底110上，数据布线(121、122和123)包括在绝缘基底110上在一个方向上延伸的数据线121，提供于数据线121一端以接收来自外部的驱动或控制信号的数据焊盘122，和在对应于栅电极142位置上形成以覆盖有机半导体层180的光屏蔽层123。在一些实施例中，栅电极142起光屏蔽层的作用，使得光屏蔽层123可以被省略。数据焊盘122接收来自TFT外部的驱动和控制信号以将其施加到数据线121。在一些实施例中，数据布线(121、122和123)包括廉价的导电材料，例如铝(Al)、铬(Cr)、钼(Mo)、钕(Nd)、金(Au)、铂(Pt)和钯(Pd)的至少一种。数据布线(121、122和123)可以具有包括至少一种上述材料的单层结构或多层结构。
在本发明的一些实施例中，首先形成数据布线(121、122和123)，然后在其上形成缓冲层130以便保护第一和第二栅极绝缘层150和155以及有机半导体层180免受在形成数据布线(121、122和123)时使用的化学材料的影响。缓冲层130可以避免可能由化学材料引起的有机半导体层180的性能恶化。
缓冲层130布置在绝缘基底110上并且覆盖数据布线(121、122和123)。缓冲层130使数据布线121、122和123与栅极布线141、142和143相互绝缘。缓冲层130包括无机层，无机层包括无机材料，例如氮化硅(SiNx)和氧化硅(SiOx)，或包括有机材料的有机层。用于缓冲层130的有机材料可以包括丙烯酸树脂、聚乙烯醇、苯并环丁烯(benzocyclobutene)，聚乙烯苯酚(polyvinylphenol)树脂，氟化聚合物和聚苯乙烯树脂的至少一种。作为替代，缓冲层130可以具有包括无机层和有机层的双层结构。缓冲层130包括通过其暴露数据线121和数据焊盘122的缓冲层接触孔131和132。
缓冲层130可以最小化有机半导体层180的性能恶化。有机半导体层180容易受到用于数据布线(121、122和123的)化学材料或等离子体的影响，这些材料残留或流入缓冲层接触孔131和132和绝缘接触孔151、152和153之间的间隙或界面内。此外，缓冲层130避免光屏蔽层123起浮置电极的作用。
栅极布线(141、142和143)形成于缓冲层130上。栅极布线(141、142和143)包括与数据线121交叉且绝缘以界定像素的栅极线141，提供于栅极线141的端部以从外部接收驱动或控制信号的栅极焊盘143，和从栅极线141分支并且形成于对应于有机半导体层180位置的栅电极142。栅极焊盘143从外部TFT基底100接收开关TFT的驱动和控制信号并且将其通过栅极线141传递到栅电极142。栅极布线(141、142和143)，同数据布线121、122和123一样，由Al、Cr、Mo、Nd、Au、Pt和Pd至少之一构成，并且具有单层结构或多层结构。
栅极绝缘层150形成于栅极布线(141、142和143)上。栅极绝缘层150使数据布线(121，122和123)与栅极布线(141、142和143)相互绝缘并且避免杂质流入有机半导体层180。栅极绝缘层150由具有优良耐久性的SiOx和SiNx至少之一构成。此外，栅极绝缘层150可以包括有机层或可以具有由无机层和有机层构成的双层结构。
栅极绝缘层150包括暴露栅极焊盘143的绝缘接触孔153和分别暴露数据线121和数据焊盘122的绝缘接触孔151和152。
透明电极层(包括元件161、163、165、167和169)形成于栅极绝缘层150上。透明电极层(161、163、165、167和169)通过绝缘层接触孔151与数据线121连接并且包括至少与有机半导体层180部分地交叉的源电极161，漏电极163与源电极161分离，有机半导体层180布置在其间，并且像素电极165连接到在像素区中形成的漏电极。此外，透明电极层还包括覆盖通过绝缘层接触孔152暴露的数据焊盘122的数据焊盘接触构件167和覆盖通过绝缘层接触孔153暴露的栅极焊盘143的栅极焊盘接触构件169。透明电极层(161、163、165、167和169)包括透明导电材料，例如氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)。作为替代，源电极161和漏电极163可以包括具有高功函数的Al、Cr、Mo、Au、Pt、Pd、Cu和AlNd至少之一。源电极161通过绝缘层接触孔151物理和电连接到数据线121以接收图像信号。TFT包括漏电极和相互分离的相关的源电极161，栅电极143被布置在其间并且离沟道区最近。TFT起控制和驱动各个像素电极165操作的开关和驱动元件的作用。
如在图3中所示，壁170包括暴露沟道区C、至少一部分源电极161和至少一部分漏电极163的开口171和172。这里，像素包括形成图像的有源区和不形成图像的无源区。根据本发明示出的实施例的壁170包括在有源区和无源区上方的部分。在一些实施例中，至少一部分壁170可以被布置以与数据布线(121、122和123)和栅极布线(141、142和143)的至少之一重叠。具体地，一部分壁170可以被布置得接近数据布线(121、122和123)和栅极布线(141、142和143)的交叉点。壁170作为有机半导体溶液流向基底其它部分的屏障。因而，使用壁170，使用喷墨或类似工艺提供的有机半导体溶液被布置在开口171和172内以形成有机TFT。从喷射到开口171和172中的有机半导体溶液去除溶剂以形成有机半导体。
但是，壁170的开口171和172非常小，并且因而难于控制所使用的喷嘴喷射有机半导体溶液而使得其位置适当地对应于开口171和172。换而言之，喷墨印刷工艺的工艺裕量低，使得喷射的有机半导体溶液可以不仅喷射到开口71和172中，而且可以布置在壁170或像素上。因而，有机半导体层180可能不被构图为希望的形状，或其厚度可以对不同像素而不同，使得有机TFT(OTFT)的特性不一致。
为了减小这个问题，可以表面处理壁170使得喷射到壁170上的有机半导体溶液可以容易地流入开口171和172内，使得有机半导体被自构图(self-patterned)。即壁170的表面被处理，例如采用等离子体处理，以增强其对于所喷射的有机半导体溶液的斥水性和斥油性。结果，喷射到壁170上的半导体溶液流入开口171和172。在一些实施例中，等离子体处理包括CF4/O2等离子体处理。
壁170可以包括具有抗热和抗溶解特性的光刻胶，例如丙烯酸树脂，聚酰亚胺树脂等；无机材料，例如SiO2和TiO2；或具有有机层和无机层的双层结构。在一些实施例中，壁170可以包括氟聚合物。在这种情形，由于材料的特性，壁170排斥水和油。
因而，在其中壁170具有增强的水和/或油排斥性的实施例中，喷射到至少部分延伸到开口171和172的壁170上的有机半导体溶液流入开口171和172，使得有机半导体溶液在被干燥的同时自构图。但是，未延伸到开口171和172上的有机半导体溶液不可以流入开口171和172。
由于如果至少部分延伸到开口171和172上，即如果至少部分喷射的溶液体延伸到一或两个开口171和172上，则有机半导体溶液容易被自构图，所以形成开口(墨引导部分)172以从暴露在本公开中的沟道区C的开口(沟道部分)171向外延伸。如在图3中所示出的，根据本公开的壁170包括开口171，开口171是暴露沟道区C的沟道部分，以及开口172，开口172是从沟道部分171向外延伸的墨引导部分。
沟道部分171和墨引导部分172可以至少与有源区和无源区至少之一部分地重叠。具体地，在本实施例中所示出的沟道部分171主要在有源区内形成，并且墨引导部分172主要在无源区内形成。为了改善喷墨印刷工艺的工艺裕量，增加了壁170的尺寸以具有至少具有数据布线(121、122和123)和栅极布线(141、142和143)至少之一的重叠区，并且墨引导部分172延伸到所述重叠区。
根据本发明第一实施例的墨引导区172包括从沟道区171向外延伸的第一子引导部分172a和与第一子引导部分172a交叉的第二子引导部分172b。第一和第二子引导部分172a和172b与数据布线(121、122和123)和栅极布线(141、142和143)至少之一重叠。由于壁170的尺寸增加，所以改善了喷墨工艺的工艺裕量。壁170的尺寸增加，并且壁170与栅极布线(121、122和123)和栅极布线(141、142和143)重叠。这种配置避免了由于壁170的尺寸增加而引起的开口率的减小。此外，壁170尺寸的增加和实施墨引导部分172允许有机半导体溶液更精确地喷射到开口171和172上。结果，有机半导体溶液更容易被自构图，并且改善了喷墨印刷工艺的裕量。
有机半导体层180在开口171和172内形成。有机半导体层180覆盖沟道区C，至少部分与源电极161和漏电极163重叠。在一些实施例中，有机半导体层是并四苯或并五苯替代物的衍生物、具有彼此通过噻吩环的2和5位置连接的4到8噻吩环的寡居噻吩、二萘嵌苯四羧酸双酐或其酰亚胺衍生物、萘四羧酸双酐或其酰亚胺衍生物、或金属化的酞菁染料或其卤化衍生物、二萘嵌苯或六苯并苯之一和包括其替换的衍生物、噻吩烯和乙烯之一的共低聚物或共聚物、噻吩、噻吩烯或六苯并苯包含其替代物的衍生材料、以及在衍生材料的芳香环或杂环中包括至少一个具有1到30个碳的烃链的衍生物的一种材料。此外，半导体层180可以包括已知的有机半导体材料。有机半导体层180通过在开口171和172内喷射有机半导体溶液并且从溶液中去除溶剂而形成。
在有机半导体层180上形成钝化层191。钝化层191具有单层结构，但是，与附图不同，也可以具有多层(例如双层)结构。在一些实施例中，钝化层是诸如氟聚合物或聚乙烯醇(PVA)这样具有减少或避免有机半导体层性能恶化的材料。
此后，将参照图4至6描述根据本发明的第二至第四实施例。应当注意到下列描述强调了与第一实施例所不同的特征，可以略去对类似特征的讨论。
图4示意示出了根据本发明第二实施例的壁270。如在图4中所示出的，根据本发明第二实施例的壁270包括开口，所述开口包括暴露沟道区、至少一部分源电极和至少一部分漏电极的沟道部分271，从沟道部分271放射状地延伸的墨引导部分272、273、274和275。墨引导部分272、273、274和275包括第一子引导部分272、第二子引导部分273、第三子引导部分274和第四子引导部分275。至少一个第一，第二，第三和第四子引导部分272、273、274和275延伸至壁270和栅极布线和数据布线的重叠区。
图5示意示出了根据本发明第三实施例的壁。如在图5中所示出的，壁370包括开口，所述开口具有暴露沟道区、至少部分源电极和至少部分漏电极的沟道部分371，和从沟道部分371向外延伸的墨引导部分372。
图6示意示出了根据本发明第四实施例的壁。如在图6中所示出的，壁470包括开口，所述开口具有位于壁470一个角部区域的沟道部分471和位于壁470的另一角部区域472和473的墨引导部分472和473。墨引导部分472和473包括连接到沟道部分471的第一子引导部分472和与第一子引导部分472交叉的第二子引导部分473。
前述第一至第四实施例不限于上述描述，而可以随不同的配置而变化。例如，可以使用更多或更少的子引导部分，并且其通常的形状和位置可以与所示出的不同。
根据本发明的壁可以应用于诸如液晶显示器(LCD)，有机发光二极管(OLED)显示器，和电泳指示显示器的显示装置的制造中。
OLED显示器是使用有机材料的自发光装置，它响应接收的电信号发光。OLED显示器通常包括一些层，包括阴极层(像素电极)，空穴注入层，空穴迁移层，发光层，电子迁移层，电子注入层，和阳极层(相对电极)。在(例如在图2中所示出的)TFT基底上的漏电极电连接到阴极层以施加数据信号。
电泳指示显示器是通常在e书(电子书)应用中所使用的平板显示器。电泳指示显示器包括形成有第一电极和TFT的第一基底，形成有第二电极的第二基底，布置在第一基底和第二基底之间的流体，以及散布在流体中的带电粒子。带电粒子为正或为负，并且为黑或白。如果电压施加到第一和第二电极(这些电极相互面对定位)，由于势差在其间产生电场。带电粒子向具有与粒子的电荷相反极性的电极上下移动。因而，观察者观察到从外部入射并且在带电粒子中反射的光线。如果带电粒子向上移动接近观察者，他/她则更强地观察到所述带电粒子的颜色。如果带电粒子向下移动，观察者较弱地观察到所述带电粒子的颜色。从而电泳指示显示器显示图像。
此后，将参照附图7A和7B简要描述根据本发明的显示装置的制造方法。在以下的描述中，将更全面地讨论本发明的区别特征，而可以不讨论其它特征，因为这些特征对本领域的普通技术人员通常是已知的并且在现有技术中描述了其它特征的实例。
与现有技术一样，数据布线和栅极布线形成于绝缘基底上。数据布线和栅极布线相互绝缘和交叉以界定像素。像素包括形成图像的有源区和不形成图像的无源区。在数据布线和栅极布线之间插入了缓冲层。
栅极绝缘层形成于栅极布线之上，并且形成源电极和漏电极。源电极和漏电极相互分离以在栅极绝缘层上界定沟道区。然后形成壁570。壁570包括开口571、572和573，所述开口暴露沟道区、部分源电极和部分漏电极。壁570在有源区和无源区上延伸。开口571、572和573包括暴露沟道区的沟道部分571和从沟道部分571向外延伸的墨引导部分572和573。开口571、572和573可以使用掩膜以及曝光和显影工艺形成。开口可以具有各种形状，例如在图3至图6中所示出的。此后，壁570用O2/CF4等离子体处理，使得其表面对有机半导体溶液具有斥水性和斥油性。有机半导体溶液560用喷嘴喷射到开口571、572和573内。有机半导体溶液560被喷射到在无源区的开口571、572和573内，以减少对有源区的溅射。
优选有机半导体溶液560被喷射到形成沟道的沟道部分571。但是，如在图7A中所示出的，由于难于控制喷嘴的位置，并且还因为沟道部分571具有小的区域，有机半导体溶液560也可以被喷射到壁570上。但是，壁570包括墨引导部分572和573，使得当喷射到沟道部分571之外的区域时，有机半导体溶液560可以在开口的墨引导部分572和573上延伸。根据本发明的实施例，壁570的尺寸增加了，并且在重叠区内与部分栅极布线和部分数据布线重叠。开口的墨引导部分572和573延伸至重叠区，从而增加了有机半导体溶液被喷射到开口的沟道部分571和墨引导部分572和573中的几率。如在图7中所示出的，由于壁570的表面具有斥水性和斥油性，喷射到延伸在开口的墨引导部分572和573上的有机半导体溶液560容易被自构图以沿墨引导部分572和573流入沟道部分571。随后从有机半导体溶液560中去除溶剂，由此完成有机半导体层。从而所述显示装置的制造方法可以改善喷墨印刷工艺的裕量。
如上所述，本公开提供了一种具有改善了的喷墨印刷工艺的工艺裕量的显示装置。
此外，本公开提供了一种改善喷墨印刷工艺的工艺裕量的显示装置的制造方法。
尽管示出了几个本发明的实施例，但是本领域的技术人员应当理解在不偏离在所附权利要求及其等效物中所界定的本发明的原理和精神的范围内可以进行各种变化。
Claims (20)
1.一种显示装置，包括：
绝缘基底；
在所述绝缘基底上形成并且相互分离以界定沟道区的源电极和漏电极；
具有一或多个开口以暴露所述沟道区、至少一部分所述源电极、和至少一部分所述漏电极的壁；和
在所述一或多个开口中形成的有机半导体层，
其中所述一或多个开口包括暴露所述沟道区的沟道部分和从所述沟道部分向外延伸的墨引导部分。
2.根据权利要求1的显示装置，其中所述源电极和漏电极暴露从由ITO、IZO、Al、Cr、Mo、Au、Pt、Pd、Cu和AlNd构成的组中选择的至少一种材料。
3.根据权利要求1的显示装置，其中所述有机半导体层包括从由并四苯或并五苯替代物的衍生物、具有彼此通过噻吩环的2和5位置连接的4到8噻吩环的寡居噻吩、二萘嵌苯四羧酸双酐或其酰亚胺衍生物、萘四羧酸双酐或其酰亚胺衍生物、或金属化的酞菁染料或其卤化衍生物、二萘嵌苯或六苯并苯之一和包括其替换的衍生物、噻吩烯和乙烯之一的共低聚物或共聚物、噻吩、噻吩烯或六苯并苯包含其替代物的衍生材料、以及在衍生材料的芳香环或杂环中包括至少一个具有1到30个碳的烃链的衍生物构成的组中选择的至少一种材料。
4.根据权利要求3的显示装置，其中所述有机半导体层使用喷墨工艺形成。
5.根据权利要求1的显示装置，还包括在绝缘基底上的栅极布线和数据布线，其中所述栅极布线和数据布线相互交叉以界定像素，并且其中所述像素包括配置为产生图像部分的有源区和配置为不产生图像的无源区，并且
其中所述壁包括在所述像素的有源区上形成的部分和在所述像素的无源区上形成的部分。
6.根据权利要求5的显示装置，其中所述一或多个开口的沟道部分至少与像素的有源区和像素的无源区至少之一部分地重叠。
7.根据权利要求5的显示装置，其中所述一或多个开口的墨引导部分至少与像素的有源区和像素的无源区至少之一部分地重叠。
8.根据权利要求5的显示装置，其中一部分壁位于至少与所述栅极布线和数据布线的至少之一部分地重叠的重叠区。
9.根据权利要求5的显示装置，其中至少一部分墨引导部分与至少一部分栅极布线和数据布线重叠。
10.根据权利要求5的显示装置，其中至少壁的一部分布置在所述栅极布线和数据布线的交叉点。
11.根据权利要求8的显示装置，其中所述墨引导部分包括多个从所述沟道部分放射状地延伸的多个子引导部分，并且其中至少一个所述子引导部分延伸至所述重叠区。
12.根据权利要求8的显示装置，其中所述墨引导部分包括从所述沟道部分延伸的第一子引导部分和与所述第一子引导部分交叉的第二子引导部分，并且其中所述第一子引导部分和第二子引导部分至少之一延伸至重叠区。
13.根据权利要求1的显示装置，还包括，
布置在所述绝缘基底和源电极之间以及在所述绝缘基底和漏电极之间的数据布线；
覆盖所述数据布线的缓冲层；
布置在所述缓冲层上并且对应于所述有机半导体层而定位的栅极布线，所述栅极布线包括栅极线；和
覆盖所述栅极布线的栅极绝缘层。
14.根据权利要求13的显示装置，还包括覆盖所述有机半导体层的钝化层。
15.根据权利要求13的显示装置，其中所述栅极绝缘层包括下层和上层，并且其中所述下层是无机层，并且所述上层是有机层。
16.一种制造显示装置的方法，包括：
提供绝缘基底；
在所述绝缘基底上形成源电极和漏电极，所述源电极和漏电极相互隔离以界定沟道区；
形成具有一或多个开口的壁以暴露所述沟道区、至少一部分所述源电极、和至少一部分所述漏电极；并且
通过在所述一或多个开口中喷射有机半导体溶液而形成有机半导体层，
其中所述一或多个开口包括暴露所述沟道区的沟道部分和从所述沟道部分向外延伸的墨引导部分。
17.根据权利要求16的显示装置的制造方法，还包括，在形成所述源电极和漏电极之前，在所述绝缘基底上形成栅极布线和数据布线，其中所述栅极布线和数据布线相互交叉以界定像素并且相互绝缘，其中所述像素包括配置为产生图像部分的有源区和配置为不产生图像部分的无源区，并且
其中所述壁包括在所述像素的有源区上形成的部分和在所述像素的无源区上形成的部分。
18.根据权利要求17的显示装置的制造方法，其中所述有机半导体溶液被喷射到所述像素的无源区。
19.根据权利要求17的显示装置的制造方法，其中所述墨引导部分至少与所述像素的有源区或像素的无源区的至少之一部分地重叠。
20.根据权利要求19的显示装置的制造方法，其中所述有机半导体溶液被喷射到所述墨引导部分并且至少部分流入所述沟道部分。
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