TWI353987B - Composition containing siloxane compound and pheno - Google Patents

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Description

1353987 , 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明侧於-種組合物，其於具有_HsiR〇(R表示氮 原子备碳數為卜8之烴基、碳數為Η之燒氧基或者苯氧基) 之石夕氧烧化合物中添加特定之齡彳人 人此…… 物作為安定劑。該組 Q物係作為薄膜製造用原料而有用者。 【先前技術】
具有-HSiRO-(R表示氣原子、碳數為mu基m w之烧氧基或者苯氧基)之石夕氧烧化合物，用作氧化石夕系 薄膜之前驅體，該氧化矽系簿膜，老 牙溽膜考慮到其電性特性以及 光學特性，而應用為半導體 ^々干导遛之夕層佈線間之低介電係數絕 緣膜、微透鏡等光學零件。 然而，上述㈣烧化合物於使用_存有目高分子化而造 成之變質之問題。例如’於包含轉凝膠法之濕式塗布法 中，存有由於塗布法之黏度增加歧膠化而無法進行穩定 之薄膜製造之問題，於伴隨氣化之薄膜製造法中，難以使 前驅體固定量穩定地進行氣化，又，存有因高分子化物而 導致之裝置或薄膜之污染以及線路堵塞之問題。 相對於上述問題，於專利文獻丨中揭示有將2,6_二第3 丁基 -4-甲基苯酚等酚化合物與矽氧烷化合物一併使用，於專利 文獻2中，揭示有將4-甲氧基苯酚所代表之酚化合物與矽氧 烧化合物一併使用。 然而，該等先前之酚化合物，穩定化效果並不充分。 專利文獻1:曰本專利特開2003-238578號公報 107796.doc • 6 - 1353987 專利文獻2:國際公開第2004/27110號手冊 發明所欲解決之問題 因此，本發明之目的在於提供一種含有矽氧烷化合物之 組合物’具有良好穩定性，可使用為薄膜製造用原料。 【發明内容】 本發明者經過反覆研究’發現特定之酚化合物相對於石夕 氧烷化合物表現出特異之穩定化效果，而實現本發明。 本發明提供一種組合物，其相對於100質量份具有 -HSiRO-(R表示氫原子、碳數為卜8之烴基、碳數為卜8之烷 氧基或者本氧基）之石夕氧烧化合物，包含0.0001〜1質量份以 下述通式（1)或者（2)所表示之紛化合物之至少1種作為安定 劑成分而成， [化1]
⑵ ⑴ (R-0
I (式中，a以及b表示〇〜4之整數，m表示〇或者i，p 以及q表示1或者2，R丨〜R4表示碳數為i〜4之烷基，χ1 以及X2表示碳數-為1〜4之烷基、碳數為丨〜4之烷氧基或 者鹵素基，Υ表示碳數為1〜4之烷二基，r1〜r4、χ/、 X以及Υ，於分子内存在複數個之情形時既可相同亦 可相異）。 【實施方式】 首先，就本發明相關之矽氧烷化合物加以說明。 本發明相關之矽氧烷化合物，其分子構造中，至少具有i 個-HSiRO-(R表示氫原子、碳數為丨〜8之烴基、碳數為卜8 107796.doc 1353987 之烷氧基或者笨氧基P該矽氧烷化合物，具有直接鍵合於 矽氧烷基之攻原子之氫。再者，由於該部分引起之高分子 化，而於將該矽氧烷化合物用作前驅體之先前薄膜形成用 原料時，產生固形物生成或凝膠化等不良情況。 至於本發明相關之矽氧烷化合物，例如，可列舉以下述 通式（1)所表示之環狀矽氧烷化合物、以下述通式（π)所表示 之直鏈矽氧烷化合物。該環狀矽氧烷化合物以及該直鏈矽
氧院化〇物，係作為使用於CVD法或MOD法之薄膜製造用 之前驅體而特別有用者。 [化2]
R (式&中，η表示2〜7，R表示氫原子、碳數為卜8之烴 基、兔數為1〜8之烷氧基或者苯氧基，於分子 個存在之R既可相同亦可相異）。 [化3] (D)
R R R (式中，η表示〇〜5，R表示至少1個氫原子，其他表 示碳數為1〜8之烴基、碳數為i〜8之烷氧基或^苯氧 基，於分子内複數個存在之R既可相同亦可相異）。 本發明相關之矽氧烷化合物，至於異尺所表示之碳數為 1〜8之烴基，可列舉甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、第 2 丁基、第3 丁基、異丁基、戊基、異戊基、第3戊基、己基、 107796.doc 1353987 環己基、環己基甲基、2-環己基乙基、庚基、異庚基、第 三庚基、辛基、異辛基、第3辛基、2_乙基己基等烷基；乙 烯基、1-甲基乙烯_1·基、丙烯_丨·基、丙烯_2_基、丙烯_3_ 基、丁烯-1-基、丁烯-2-基、2-甲基丙烯-3-基、1，1-二甲基 乙烯-2-基、ι，ΐ-二甲基丙晞_3_基等烯基；苯基、2甲基苯 基、3-甲基苯基、4-甲基苯基、心乙烯基苯基、2,3_二甲基 笨基、2,4-二甲基苯基、2,5-二甲基苯基、2,6-二甲基苯基、 3,4-二曱基苯基、3,5_二甲基笨等芳基；苯甲基、2_甲基苯 甲基、3·甲基苯甲基、4_甲基苯甲基、苯乙烯基等芳烷基等， 至於R所表示之碳數為i〜8之烷氧基，可列舉甲氧基、乙氧 基、丙氧基、異基氧基、丁氧基、第2 丁氧基、第3丁氧基、 異丁氧基、戊氧基、異戊氧基、第3戊氧基、己氧基、環己 氧基、庚氧基、異庚氧基、第3庚氧基、辛氧基、異辛氧基、 第3辛氧基、2-乙基己氧基等。 至於以上述通式⑴所表示之環狀矽氧烷化合物之具體 例，可列舉2,4,6_三甲基環三石夕氧烧、2,4，M_四甲基環时 氧院、2,4,6,8，10-戊甲基環戊矽氧烷、2,4,6 8，1〇12_己甲基 環己矽氧烷、2,4’6，M〇，12，14-庚曱基環庚矽氧烷、 2’4,6,8，1〇’12，14，16·辛甲基環辛矽氧烷、2 4 6三乙基環三 石夕氧烷、2,4,6,8·四乙基環四石夕氧mM，i(^乙^ 戊石夕氧烷、2’4,6,8，1〇，12·己乙基環己石夕氧烷' 2 4 6三苯基 環三石夕氧烧、2,4,6,8_四笨基環四碎氧烧、2 4 6 8算戊苯 基環戊矽氧烷、2,4,6,8，1〇，12-己苯基環己矽氧烷等。 至於以上述通式（11)所表示之直鏈碎氧燒化合物之具體 107796.doc 1353987 例，可列舉1，3-二曱基二矽氧烷、ι，ι，3-三甲基二矽氧烷、 1，1，3,3-四甲基二矽氧烷、1，1，1，3,3-戊甲基二矽氧烷、1,3-二乙基二矽氧烷' 1，1，3,3-四乙基二矽氧烷、1，1，3-三乙基二 矽氧烷、1，M，3,3-戊乙基二矽氧烷、1，3-二苯基二矽氧烷、 1，1，3,3-四苯基二矽氧烷、1，1，3-三苯基二矽氧烷、1，3-二甲 基-1,3-二苯基二石夕氧坑、1，3-二乙基- i，3-二苯基二石夕氧院、 1，1，3,3,5,5,5-庚甲基三矽氧烷、1，1，1，3,5,5,5_庚甲基三矽氧 烷、1，1，1，5,5,5-己甲基-3-乙基三矽氧烷、•己甲 基三石夕氧烧、1，1，3,3,5,5 -己甲基三矽氧院、込^^^己甲 基三矽氧烷、1，1，3,5,5-戊甲基三矽氧烷、3 5戊曱基 三石夕氧炫、1，1，1，3,5·戊甲基三矽氧烷、113,3四甲基三矽 11,3,5-四曱基三矽氧烷、 四甲基-3_苯基三矽氧烷、 氧烷、1，1，1，3-四甲基三矽氧烷、n 1，3,5-三甲基三石夕氧燒、1，1，5,5-四甲 3 -甲基-1，1，1，5,5,5 -己苯基三石夕氧貌、 四碎氧烧、1，1，3,3,5,5,7,7-辛甲基四石夕氧院等。 本發明相關之矽氧烷化合物中 以R所表示之院基為甲基
以說明。 107796.doc 1353987 本發明相關之以上述通式（1)或者（2)所表示之酚化合 物’其係相對於具有-HSiRO-(R表示氫原子、碳數為1〜8之 烴基、碳數為1〜8之烷氧基或者苯氧基）之本發明相關之石夕 氧烧化合物的高分子量化而作為安定劑發揮功能者。 於上述通式（1)以及（2)中，至於以R丨〜R4所表示之碳數為 1〜4之烷基’可列舉甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、第 2丁基、第3丁基β又，至於以Χι以及X2所表示之碳數為卜4
之烷基，可列舉作為上述Ri〜R4之例示之基，至於碳數為 之烷氧基，可列舉甲氧基、乙氧基、丙氧基、異丙氧基、 丁氧基、第2 丁氧基、第3 丁氧基，至於齒素基，可列舉氟、 氣、溴、碘。又，至於以Y所表示之碳數為之烷二基，
可列舉甲烷二基、乙烷-1，2-二基'乙烷·Μ_二基 '丙烷十％ 二基、丙烷-1，2-二基、丙烷·1，ι·二基、丁烷_14二基丁 烷-1，3-二基、丁烷_1，2-二基、丁烷]，；!·二基、2·甲基丙烷 二基、2-甲基丙烷-U2-二基、2_甲基丙烷_u·二基等二 至於本發明相關之酚化合物之具體例，可列舉下述所二 之化合物No.l〜No.36。又，化合物N〇卜2〇為以上述通式（T 所表示之盼化合物’化合物No.21〜36為以上述通式（2^所 示之酚化合物。 11 107796.doc
1353987 [化4] 化合物No. 1
化合物No. 2 化合物'(fa· 3〜(X。， 化合物No. S 化含物No. 7
化合物No.
化合物Mo. 10 化合物N〇. U
XC
化合物No. 12 [化5] 化合物N(U3
化合物No.丨4 化合物Να 1S"A〆
化合物Ν〇_ 16
化含物Kte_20 化合物Κβ. 18 化合物《β. 19
[化6] 化合物《o.2t 化合物Να 22 化合物（fa. 23
化合物《β_24 QC、 >p OH ~r 化合物Na2S
—Si- 107796.doc •12· 1353987
[化7] 化合物紅29 化含物No. 33
-Si-0
化合物如34
化合物No. 31 化含物Κ〇·32
上述本發明相關之酚化合物中，於酚之鄰位上，具有取代 基[-Y-0-R1]或者[_(〇)m-SiR2R4-R3]者，即以下述通式（3)或 者（4)所表示之化合物，因相對於具有_HSiR〇-(R表示氫原 子、碳數為1〜8之烴基、碳數為1〜8之烷氧基或者苯氧基） 之本發明相關之矽氧烷化合物表示尤其良好之穩定化效果 故而較好。 [化8]
⑶
(4) R (式中、a以及b表示〇〜4之整數， 以及卞*〇或者i，r1〜r4表示^數不^ 者自素I f表干為之；數為1〜4之烧氧基或 χ；;.Vί；ί；；；χ1' 可相異）。 Μ形時既可相同亦 107796.doc •13- 、本發明之組合物係含有安定劑成分之組合物該安定劑 成刀包含於分子構造中至少具有i個_HsiR0(R表示氮原 子碳數為1〜8之煙基、碳數為1〜8之院氧基或者苯氧基） 之上切氧減合物、以及以上述通式（1)或者⑺所表示之 °物之至7帛°作為安^劑成分之該齡化合物之含 量’相對於_f量份該錢烧化合物，若少於請〇ι質量 伤則無法獲得必要之效果，若超過i質量份則無法提高使用 效果，且存在影響所製造之薄膜特性之情形，故而為 〇._1〜1質量份，較好的是〇〇〇1〜〇1質量份，更好的是 0.002〜〇.〇5 〇 繼而，就本發明之組合物之用途加以說明。 本發明之組合物’作為含有矽原子之薄膜製造用原料而 有用，尤其是作為包含ALD法之化學氣相沈積（cvd)法等伴 隨氣化工序之氧化矽系薄膜製造用原料而有用。又，本發 明之組合物’除CVD法之外，亦可用作使用濕式塗布法等 之薄膜製造用原料。 包含本發明之組合物之薄膜形成用原料為化學氣相沈積 (CVD)用原料之情形時，其形態可藉由所使用之法的輸 送供給方法等手法進行適宜選擇。 至於上述輸送供給方法，存在將CVD用原料於原料容器 中藉由加熱以及/或者減壓而使之氣化，並與根據需要所使 用之氬、氮、氦等載氣一併導入堆積反應部之氣體輸送法， 將CVD用原、料以液體或者溶液之狀態下輸送至氣化室，於 氣化室中藉由加熱以及/或者減壓而使之氣化，並導入堆積 107796.doc 14 1353987 反應部之液體輸送法。氣體輸送法之情形時，將包含上述 矽氧院化合物以&盼化合物之本發明之組合物直接作為 ㈣用原料，於液體輸送法之情形時將包含上述石夕氧貌 . A合物以及盼化合物之本發明之組合物、或者將上述石夕= 烧化合物以及驗化合物溶解於有機溶劑中之溶液即本發明 之組合物作為CVD用原料。 又，至於製造多成分系薄膜之情形時之多成分系cvd法 φ 中的輸送供給方法，進而存在將CVD用原料以各成分獨立 進行氣化而供給之方法（以下亦存在揭示為單源法之情 形），以及將以所期望之組成混合多成分原料而成之混合原 料進行氣化而供給之方法（以下亦存在揭示為混合調製法 • 之情形）。 . 至於本發明之組合物中所使用之上述有機溶劑，並無特 别限制，可使用眾所周知之一般有機溶劑。至於該有機溶 劑，例如可列舉醋酸乙酯、醋酸丁酯、醋酸甲氧基乙酯等 • 醋酸酯類；四氫呋喃 '四氫吡喃、嗎啉、乙二醇二甲醚、 一乙二醇二甲醚、三乙二醇二甲醚、二丁醚、二惡烷等醚 類’曱丁酮、甲基異丁酮、乙丁酮、二丙酮、二異丁酮、 甲戊嗣、環己酮、甲基環己酮等酮類；己烷、環己烷、甲 基核己燒、二甲基環己烷、乙基環己烷、庚烷、辛烷、甲 苯、二甲笨等碳氫化合物類；丨_氰基丙烷、丨·氰基丁烷、 氛基己貌、氰基環己烷、氰基苯、丨，3_二氰基丙烷、丨，4_二 氛基丁烷、1,6-二氰基己烷、1，4-二氰基環己烷、1，4-二氰 基苯等具有氰基之碳氫化合物類；吡啶、二甲基吡啶，該 107796.doc 1353987 等由於溶質之滋艇料 .. ^ 使用溫度與沸點以及引火點之關係 等了，獨使用或者作為兩種以上之混合溶劑而使用。於 使用料有機溶劑之情形時，該有機溶财之石夕氧院化合 物成为以及後述之根據必要而使用之其他前驅體之合計量 為〇·01〜2·0莫耳/升，尤其好的是0.054.0莫耳/升。 又二吏用本發明之組合物作為使用單源法或者混合調製 :成分系的⑽用原料之情形時，至於本發明之組合 1返本發明相關之石夕氧院化合物一併使用之其他前 驅體’並無待別限制， j J便用CVD用原料所使用之眾所周 知之一般前驅體。 之Si述其他前驅體，可列舉揮發性金屬或者無機元素 :化。物。至於該等前驅體之元素種類，可列舉經、納、 鉀、铷、鉋等1族元素，鈹、鎂 ^ 娱_、録、、鋇等2族元素， :、紀，系元素㈣、錯、敍、麵、彭m =，、兹、镱、錄)、㈣元素等3族元素，欽、锆、 姶之4族元素，釩、鈮、钽之5族元 去& 瓦鉻、鉬、鎢之6族元 :二錄、銖之7族元素，鐵、針、餓之8族元素，鈷、 銀之9族元素’錄、纪、鉑之1〇 ± 斯几素，銅、銀、金之 11私兀素，鋅、鎘、汞之12族元素， ^ 硼、鋁、鎵、銦、鉈 族元素，錄、錫、錯之14族元素，碟、碎、録、祕之 15族元素，硒、碲、釙之16族元素。 又，本發明之組合物中，根據必 之石夕氧炫化合物以及根據必要而使用^賦予本發明相關 性，亦可含㈣化合物以外之親㈣^其他前驅體以穩定 幻。至於該親核試劑’ l〇7796.d〇( -16 · 1353987 可列舉乙二醇二甲醚、二乙二醇二 丫鳟、二乙二醇二甲 四乙二醇二甲醚等乙二醇醚類，18 、 .。 怼·6、二環己基-18-¾ _6、24-冠-8、二環己基_24-冠_8、- 艰 7 ^ 一本-24-冠-8等冠醚類， 乙一胺、Ν，Ν，-四甲基乙二胺、二伸 基一胺、三伸f发 胺、四伸乙基戊胺、五伸乙基六胺、 一 土四 乙基二胺、1，1，4,7，10，1〇·己甲基= 中 甲乙基四胺、三乙 三乙胺等聚胺類，四氮雜環十四焓 „ 一乳基 么_ '-/况、四氮雜環二
狀聚胺類’吡啶、吡疼垸、旅咬、 兔 XT m 馬琳、N_甲基吡咯烷、 甲基娘咬、N-甲基嗎琳、四氫咳，、四氫》比喃、14 — 惡貌H㈣、氧雜硫雜環己燒等雜環化合物類^ 乙酸曱ga、乙醯乙酸乙酯、乙醯乙酸_2_曱氧基乙酯 ㈣員或者乙酿丙酮’2,4-己烧二_、2,4_庚统二酮、35· 庚H二特戊醯甲院等卩_二_等，作為安定劑之該 等親核試劑之使用量，相對於！莫耳前驅體較好的是^ 耳〜10莫耳，尤其好的是1〜4莫耳。 、
本發明之組合物中’儘量不含有構成其之成分以外的雜 質金屬元素成分、雜質氣等雜質齒素成分以及雜質有機成 分。雜質金屬元素成分於每元素中較好的是1〇〇ppb以下， 更好的是lOppb以下，於總量中較好的是} ppm以下，更好 的是1〇〇 PPb以下。雜質i素成分較好的是1〇〇 ppm以下， 更好的是10 ppm以下，特別好的是lppm以下。雜質有機成 分於總量中較好的是500 ppm以下，更好的是5〇ppm以下， 特別好的是10 ppm以下。又，因水分成為薄膜製造用原料 中產生微粒或使用CVD法時產生微粒之原因，故而前驅 107796.doc 17 1353987 體有機溶劑以及親核試劑，為分別減少其水分，較好的 疋使用時預先儘量除去水分。前驅體、有機溶劑以及親核 試劑分別之水分量較好的是10 ppm以下。 又，本發明之組合物，為減少或防止所製造之薄膜之微 粒污木，使用液相中之光散射式液中粒子檢測器進行微粒 , 疋較好的疋大於0.3 pm之粒子數於1 mi液相中為100個 更好的疋大於0.2 μιη之粒子數於1 mi液相中為1〇〇〇 個以下，特別好的是大於〇·2 μιη之粒子數於1 mi液相中為 100個以下。
本發明之組合物，於薄膜形成用原料中，尤其適用於CVD
用原料，藉由使用本發明之組合物作為CVD用原料之cVD . 法1^進行之薄膜製&，原料之冑送供給方&、堆積方法、 ' 製把條件、製造裝置等，並無特別限制，可使用眾所周知 之一般條件、方法等。 ，藉由使用本發明之組合物作為CVD用原料之cvd法而進 籲卩之薄膜製造中，使本發明相關之石夕氧烧化合物以及根據 必要而使用之其他前驅體進行分解以及/或者反應時，根據 2要可併用反應性氣體。至於根據必要而使用之該反應性 氣體，例如’氧化性者可列舉氧、臭氧、二氧化氮、-氧 化氮水洛亂、過氧化氫、蟻酸、醋酸、無水醋酸等，至 於還原性者可列舉氫，又，至於製造氣化物者可列舉有單 燒基胺、二烧基胺、三炫基胺、伸烧基二胺等有機胺化合 物、肼、胺、氮等。 又’至於上述輸送供給方法，可列舉上述氣體輸送法、 107796.doc ⑧ •18- 1353987 液體輸送法、單源法、混合調製法等。 又’至於上述堆積方法’可列舉使原料氣體、或者原料 氣體以及反應性氣體僅藉由熱進行反應而使薄膜進行堆積 之熱CVD，使用熱以及電漿之電漿CVD，使用熱以及光之 光CVD’使帛熱、光以及電紫之光電聚CVD，將cvd之沈 積反應分為基本步驟、藉由分子位準而進行階段堆積之原 子層沈積 ALD(Atomic Layer Deposition)。 又，至於上述製造條件，可列舉反應溫度（基板溫度）、 反應壓力、堆積速度等。反應溫度即本發明相關之上述矽 氧烷化合物充分反應之溫度，較好的是16〇τ：以上，更好的 疋250 800C。又，反應壓力較好的是大氣壓〜1〇〇pa。又， 堆積速度可根據原料之供給條件（氣化溫度、氣化壓力）、反 應溫度 '反應壓力而進行控制。堆積速度若較大則存有所 得之薄膜特性惡化之情形，錄小則存有產生生產性問題 之Jt形，故而較好的是〇 5〜5〇〇〇nm/分尤其好的是丨〜1〇⑽ nm/分。又’於ALD之情形時’膜厚以獲得期望之膜厚之方 式藉由循環次數而進行控制。 又，薄膜之製造方法中，薄膜堆積後，為獲得更好之電 !·生特性，亦可於惰性氣體環境下、氧化性氣體環境下或者 還原性氣體環境下進行退火處理，於必須階差埋人之情形 時亦可δχ置回流工序。該情形時之溫度，通常為 400〜1200 C，較好的是5〇〇〜8〇〇。〇。 至於藉由包含本發明之組合物之薄膜製造用原料所製造 的薄臈之用途，可列舉使用銅佈線之情形時銅擴散防止用 107796.doc •19· 1353987 . 障壁絕緣膜、高積體化之LSI之層間絕緣膜等。又，藉由本 發明之薄膜形成用原料而形成之薄膜之厚度，根據薄膜之 用途而進行適宜選擇，較好的是自中進行選擇。 又，本發明之組合物，除用於薄膜製造用原料之外，亦 可使用於樹脂用改質劑、玻璃用改質劑、陶瓷用改質劑等 用途。 實施例 以下，使用實施例以及比較例對本發明進行更加詳細之 說明。然而，本發明並非限定於以下實施例者。 [實施例1〜6以及比較例1〜3 ] 於100 ml乾燥氬取代之燒瓶中，裝入20 g2,4,6,8_四甲基 環四矽氧烷（以下亦存在揭示為TMCTS之情形）以及4 mg表 1所揭示之酚化合物。再者’關於添加酚化合物之前之 2.4.6.8- 四甲基環四矽氧烷，藉由具備FId檢測器之氣相層 析儀（管柱：007-1-25W-5.0F; QUADREX公司製）進行分析。 繼而，將裝有2,4,6,8_四甲基環四矽氧烷以及酚化合物之 燒瓶保溫於120°C，一面將氧氣以流量丨.2〇升/小時吹入一面 進行攪拌，24小時後’藉由具備FID檢測器之氣相層析儀（管 柱：007-卜25W-5.0F ; QUADREX公司製）進行分析。 藉由該等分析而檢出之峰值，系2,4,6,8-四甲基環四矽氧 院、以及複數個2,4,6,8-四曱基環四矽氧烷經過高分子化之 高分子化合物。於表1表示將2,4,6,8-四曱基環四矽氧烷與 上述高分子化合物之峰值面積和設為1 〇〇之情形時的 2.4.6.8- 四甲基環四矽氧烷之峰值比。 107796.doc -20-

Claims (1)

  1. 十、申請專利範圍：1. 一種組合物，其相
    對於100質量份具有-HSiR0_(R表示氫 原子碳數為1〜8之煙基、碳數為卜8之烧氧基或者苯氧二）之夕氧院化合物’含有〇 _Η質量份以下述通式⑴ 或者（）所表7F之盼化合物之至少i種作為安定劑成分而 成， (X)(RL。-γ^ζΧ (1) R—Si (χ\ ⑵ 2. 以:’二及134示0〜4之整數，m表示。或者丨，ρ 以及X2矣不-\ ί 2，Rl〜R4表示咬數為1〜+之烷基，χ1 或者鹵素1〜4之烷基、碳數為卜4之&氧基 》‘ Υ表示碳數為1〜4之烷二基，RI〜R、 相同於分子内存在複數個之情形時既可 種，且。物，其相對於100質量份具有_HsiR0_(R表示氫 原子★數為1〜8之烴基、碳數為^之院氧基或者苯氧 基）之碎氧貌化合物’含有G·刚1〜1質量份以下述通式（3) 或者（4)所表示之盼化合物之至少1種作為安定劑成分而 成，
    ⑶ (式中
    ⑷ 107796.doc 1353987 以及ΑΛί〜㈣基，乂丨 J㈣基，γ表示碳數為“之院ίί Ί’ί氧》或 ΐ:ί)γ:於分子内複數個存在之情形時既可相同亦 ;·如請求項1或2之組合物’其中上述砂氣院化合物，係以 下述通式（I)所表示之環狀矽氧烷化合物， Η
    4. 5. 6.
    .⑴ R 一、，“表示2〜7，R表示氫原子、墟齡& Ϊί/ί數為1〜8之烧氧基或者苯氧基，於分;Ϊ 複數個存在之R既可相同亦可相異）。 為 如請求項1或2之組合物，其中上述矽氧烷化合物， 2,4,6,8-四曱基環四矽氧烷。 如請求項1或2之組合物，其係作為薄膜製造用原料者 如凊求項3之組合物，其係作為薄臈製造用原料者。 如請求項4之組合物，其係作為薄膜製造用原料者。 107796.doc
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