TWI344801B - Organic electroluminescent device, method of manufacturing organic electroluminescent device, and electronic apparatus - Google Patents

Description

1344801 Ο) 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明乃有關有機電激發光裝置，有機電激發光裝置 之製造方法及電子機器者。 【先前技術】 使用於攜帶電話機、個人電腦或PDA (個人數位助理 )等之電子機器的顯示裝置，或做爲數位影印機或印表機 等之畫像形成裝置之曝光用光學頭而言，有機電激發光裝 置（以下稱有機EL裝置）等之發光裝置則倍受矚目。如 此種類之發光裝置在構成呈彩色用之時，在於以往則藉由 在於每一畫素使構成發光層之材料加以改變，從各畫素射 出各色之光線地而被加以構成。 又，近年以來，提案有在於有機EL裝置之玻璃基板 上，以犧牲氧化膜形成凹凸，迴避發光會被封鎖，而提升 光取出效率的構成。（例如參照專利文獻1 )又，於頂發 射構造中，提案有下側基板之反射層具有凹凸，經由使凹 凸平坦化之層的折射率較發光層之折射率爲大，可防止發 光光線之散亂、發光層之劣化，以延長元件之壽命的有機 EL裝置（例如參照專利文2 )。 〔專利文獻1〕日本特開200 1 -76864號公報 〔專利文獻2〕日本特開2004-22438號公報 【發明內容】 -4 - (2) (2)Ϊ344801 〔爲解決發明之課題〕 然而’據本發明人所稱，對於有機EL裝置之面板而 言’比較由正面所見之情形，與由廣角（較正面略爲斜方 向）所見之情形，會產生顯示顏色改變，亮度改變等之問 題。 本發明乃有鑑於上述課題而創設者，提供觀察者不論 從正面視之，從廣角視之時，不會產生顏色偏移或亮度變 化之有機EL裝置，及有機EL裝置之製造方法及電子機 器爲目的。 本發明乃矚目於有機EL裝置之發光層的發光有直接 向觀察者側射出之情形，以及以電極反射後射出至觀察側 之情形。然後，如此發光光線乃由於相互干涉，在於使有 機EL裝置之面板從正面視之時，以及由廣角（較正面略 斜之方向）所見之情形下，發現光路長有所不同。由此， 於以往之有機EL裝置中，會有由於觀察者所視之角度， 產生顏色偏移而造成色變化，亮度會有所變化等之問題。 又，本發明人發現如此之色偏移或亮度變化之產生乃 由於在干涉條件之所得尖峰的波長，會向短波長側靠近之 緣故。此現象乃在波長爲短之藍色下特別明顯，當在藍之 波長範圍波長變短之時，視感度會下降之故，亮度變化會 易於被辨出。 更且，做爲發光層之構造，在使用有機材料之時，在 藍色之波長會由於波長分散，折射率會有變高之傾向，因 此藍之視角在於3原色（紅、綠、藍）中，會變得更爲狹 -5- (3) 1 (3) 11344801 窄。因此，顯示品質會明顯下降。 又，在於直視型有機EL裝置之情形下，當僅藍之視 角產生狹窄之現象時，在三色全彩顯示的狀態下’觀察者 從斜側看有機EL裝置之面板時，藍之色度會下降’會變 得偏黃，會使顯示品質下降。 又，較其他顔色而言，視感度爲高之綠色乃由於波長 略爲長之故，雖然不會如藍色問題那麼嚴重，有些微微顏 色差的認知，會與藍色產生同樣之問題，因此從有機EL 裝置之面板之斜側方向視之時，綠色會變色，會成爲藍綠 色。 更且，做爲綠之發光層材料，採用高分子系之時，綠 色偏移問題則變得顯著。綠之材料眾所周知爲聚苯基乙烯 基系之材料，其發光光譜之尖峰略在黃色之範圍。爲此， 將綠（65 Onm前後）之光束成爲向正面取出的構造時，較 該正面從斜側方向觀察有機EL裝置時，經由層構造內之 干涉，干涉尖峰向短波長偏移，干涉尖峰會來到發光強度 弱波長，而導致無法取出550nm前後之光的問題。 就結果而言，綠色之視角會變狹，從廣角觀察時之綠 色則明顯會帶有黃色。尤其，綠色之視感度爲高之故，而 成爲易於辨識之色偏移，使得顯示品質下降。 又，在藍與綠上，有上述問題之時，在於三色全彩之 有機EL裝置中，從斜側所視時之顯示畫像之色溫度會大 幅下降，而損及顯示品質。

A -6 - (4) i (4) i1344801 〔爲解決課題之手段〕 在此’本發明人等乃爲解決上述問題點，思及具有以 下手段之本發明。 即，本發明之有機EL裝置，乃具備在於基板上，具 有挾持於第1電極及第2電極的發光機能層之畫素，和複 數之前述畫素所成單位畫素群的有機電激發光裝置，其特 徵乃在前述單位畫素群中選擇之畫素，設置散亂前述發光 機能層之發光光線的散亂部。 如此之時，形成散亂部之畫素中，當具有種種光路長 之干涉光，入射至基板時，會經由散亂部而散亂。因此， 具有種種光路長之干涉光束，即混合存在各種顏色之干涉 光束，隨機地向空氣界面放射之故，可抑制有機EL裝置 從斜側（廣角）視之時之顏色偏移或亮度的減少。 又，於本發明之有機EL裝置中，於前述單位畫素群 中，前述複數之畫素乃各射出紅色、綠色及藍色之光線者 ，其特徵爲前述散亂部乃形成於綠色畫素或/及藍色畫素 者。 在此，眾所周知於可視光之波長範圍中，紅色之光乃 在長波長範圍具有尖峰’綠色之光乃在中波長範圍具有尖 峰，藍色之光乃在短波長範圍具有尖峰。 因此，根據本發明之時，在於綠色畫素或/及藍色畫 素中，混合存在各種顏色之干涉光束，隨機地向空氣界面 放射之故，可抑制有機EL裝置從斜側（廣角）視之時之 顏色偏移或亮度的減少。 (5) (5)1344801 又，於本發明之有機EL裝置中，前述散亂部乃在於 前述基板與前述發光機能層間，其特徵乃前述基板之表面 乃經由具有可散亂可視光之凹凸部而形成者。 根據如此之時，藉由凹凸部混合存在各種顏色之千涉 光束，該光束則隨機地向空氣界面放射之故，可抑制有機 EL裝置從斜側（廣角）視之時之顏色偏移或亮度的減少 又，在於本發明之有機EL裝置中，其特徵乃接觸前 述散亂部，形成平坦化層。 如此之時，基板之表面乃成爲被平整之狀態，平坦化 層則使表面之凹凸成爲平板，而抑制有機EL裝置之顯示 缺陷。 又，在於本發明之有機EL裝置中，其特徵乃前述平 坦化層之折射率乃與前述基板之折射率不同。 在此，折射率之差乃〇.〇8以上者爲佳。如此之時， 可更適切地散亂光線之故，可實現亮度的提升。 又，在於本發明之有機EL裝置中，其特徵乃前述散 亂部乃形成在前述凹凸部之反射層。 如此之時，反射層乃順著凹凸部之形狀，成爲具有凹 凸狀之表面的層膜。因此，反射會照到反射層之光線的同 時，進而可以加以散亂。 又，於本發明之有機EL裝置中，其特徵乃具有對於 配置於前述基板之對向基板、與黏著前述基板及前述對向 基板之黏著層；前述散亂部乃於前述對向基板與前述發光

J -8- (6) (6)1344801 機能層間，形成於前述對向基板之表面之凹凸部者。 根據如此之時，藉由凹凸部混合存在各種顏色之干涉 光束，該光束則隨機地向空氣界面放射之故，可抑制有機 EL裝置從斜側（廣角）視之時之顏色偏移或亮度的減少 〇 又，在於本發明之有機EL裝置中，其特徵乃前述黏 著層之折射率乃與前述對向基板之折射率不同者。 在此，折射率之差乃〇.〇8以上者爲佳。如此之時， 可更適切地散亂光線之故，可實現亮度的提升。 又，於本發明之有機EL裝置中，其特徵乃具有對向 配置於前述基板之彩色濾光片基板，和黏著前述基板及前 述彩色濾光片基板之黏著層；該彩色濾光片基板乃從該彩 色濾光片，朝向前述發光機能層，具有基板本體、和各對 應於前述單位畫素群之前述複數之畫素的複數色的著色層 ;前述散亂部乃於前述基板本體與前述著色層間，形成於 前述基板本體之表面之凹凸部者。 如此之時，可經由著色層著色發光機能層之發光光線 的同時，以形成於基板本體之表面的凹凸部，散亂發光光 線之故，可得與上述同樣之效果。 又，於本發明之有機EL裝置中，其特徵乃具有對向 配置於前述基板之彩色濾光片基板、黏著前述基板及前述 彩色濾光片基板之黏著層；該彩色濾光片基板乃從該彩色 濾光片，朝向前述發光機能層，具有基板本體、和各對應 於前述單位畫素群之前述複數之畫素的複數色的著色層、 -9 - 1344801 ⑺ 和外敷層；前述散亂部乃形成於前述外敷層之表面，或前 述著色層之表面之凹凸部者。 如此之時，可經由著色層著色發光機能層之發光光線 的同時，以形成於外敷層之表面或形成於前述著色層之表 面的凹凸部，散亂發光光線之故，可得與上述同樣之效果 a 又，在於本發明之有機EL裝置中，其特徵乃前述黏 著層乃具有樹脂塡充劑、和做爲前述散亂部之粒子：前述 該粒子之折射率乃與前述樹脂塡充劑之折射率不同者。 在此，折射率之差乃0.08以上者爲佳。如此之時， 可更適切地散亂光線之故，可實現亮度的提升。 即，本發明之有機EL裝置之製造方法，乃具備在於 基板上，具有挾持於第1電極及第2電極的發光機能層之 畫素，和複數之前述畫素所成單位畫素群的有機電激發光 裝置之製造方法，其特徵乃包含於前述單位畫素群中被選 擇之畫素，形成散亂前述發光機能層之發光光線的散亂部 的工程者。 如此之時，形成散亂部之畫素中1當具有種種光路長 之干涉光，入射至基板時，會經由散亂部而散亂。因此1 具有種種光路長之干涉光束，即混合存在各種顏色之干涉 光束，隨機地向空氣界面放射之故 > 可抑制有機EL裝置 從斜側（廣角）視之時之顏色偏移或亮度的減少。 又，於本發明之有機EL裝置之製造方法中，其特徵 乃形成前述散亂部之工程乃經由對於前述基板施以氟酸處 -10- (8) (8)1344801 理，或經由對於前述基板，圖案形成矽氧化物、矽氮化物 、及樹脂層之任一者，於基板形成凹凸部者。 又，本發明之有機電激發光裝置之製造方法中，其特 徵乃形成前述散亂部之工程爲形成樹脂層後，於該樹脂層 施以臭氧電漿處理，於該樹脂層形成凹凸部者。 如此之時，可形成微細之凹凸部。 本發明之電子機器，其特徵乃具備先前所記載之有機 電激發光裝置。 如此之時，則成爲具備高亮度被實現，抑制色偏移的 顯示部之電子機器。 【實施方式】 以下，詳細說明本發明。 然而，此實施形態乃顯示本發明之一部分之形態者， 非限定本發明者，在本發明之技術思想之範圍內，可做任 意之變更。又，在以下所示各圖中，爲使各層或各構件在 圖面上可加以辨識，對於每一各層或各構件採用不同之比 例尺。 (有機EL面板） 首先，說明關於本發明之有機EL裝置之有機EL面 板的實施形態。 圖1乃顯示有機EL面板1之配線構造之模式圖。 本實施形態之有機EL面板1乃做爲開關元件，使用 -11 - (9) (9)1344801 薄膜電晶體（以下稱TFT)之主動矩陣方式者，具有複數 之掃描線101…和對於各掃描線101而言，向交差成直角 之方向延伸之複數之信號線1 02 ...、和並列於各信號線 102而延伸之複數之電源線103...所成配線構成，於掃描 線101 ...與信號線102...之各交點附近，形成畫素X者。 當然，順應本發明之技術思想之時，使用 TFT等主 動矩陣則非爲必需，使用單純陣列之基板，實施本發明， 進行單純矩陣驅動亦可以低成本得完全相同之效果。 於信號線1 02中，連接具備位移暫存器、準位移位器 、視訊線及類比開關之資料線驅動電路1 〇〇。又，於掃描 線101中，連接具備位移暫存器及準位移位器之掃描線驅 動電路8 0。 更且，於各畫素X中，設置藉由掃描線101，供予掃 描信號至閘極電極的開關用TFT (開關元件）1 12、和藉 由此開關用TFT1 12，保持從信號線102被共有之畫素信 號的保持電容113、和經由該保持電容113，保持之畫素 信號被供予閘極電極的驅動用TFT (開關元件）123、和 藉由此驅動用TFT123’電性連接於電源線1〇3時’從該 電源線103流入驅動電流之畫素電極（第1電極）23、和 挾入於該畫素電極23與陰極了第2電極）50間的發光機 能層1 1 0。 接著，將本實施形態之有機EL面板1之具體形態’ 參照圖2及圖3加以說明。在此，圖2乃模式性顯示有機 EL面板1之構成的平面圖。圖3乃模式性顯示構成有機 -12- (10)1344801 EL面板1之有機EL元件之單位畫素群的剖面圖。 首先，參照圖2，說明有機EL面板1之構成。 圖2乃顯示經由形成於基板20上之各種配線、 、畫素電極、各種電路，使發光機能層110發光之 EL面板1圖。 如圖2所示，有機EL面板1乃具備備有電性絕 之基板20、和連接於開關用TFT1 12之畫素電極23 基板上，配置呈矩陣狀之畫素X(參照圖1)、和配 畫素X之周圍的同時，連接於各畫素電極之電源線1 和至少位於畫素X上之平面視之幾交呈矩形之畫素部 圖2中點虛線框內）而構成。 然而，於本實施形態中，畫素部3乃分隔爲中央 之實在顯示範圍4(圖中二點虛線框內）、和配置於 顯示範圍4之周圍的虛擬範圍5 (點虛線及二點虛線 範圍）。 於實在顯示範圍4中，以紅色發光（R)、綠色 (G)及藍色發光（B)各別發光之紅色畫素XR、綠 素XG、及藍色畫素XB則加紙面左右方向，規則性 以配置。又，各個色畫素XR、XG、XB乃在紙面縱 ，以同一色加以排列，構成所謂條紋配置。又，各個 素XR、XG ' XB乃具備伴隨先前TFT1 12、123之動 以RGB之各色發光之發光機能層110的構成。然後 色畫素XR、XG、XB則集中成一個，構成單位畫素君 (後述），該單位畫素群Px乃混色RGB發光，進行 TFT 有機 緣性 ，於 置於 03、 部分 實在 間之 發光 色畫 地加 方向 色畫 作， ，各 ψ Px 全彩 -13- (11) (11)1344801 顯示。因此，在於單位畫素群Ρχ配置呈矩陣狀而構成之 t 實在顯示範圍4中，顯示全彩之畫像。 又，於實在顯示範圍4之圖2中的兩側中’配置掃描 線驅動電路80、80。此掃描線驅動電路80、80乃位於虛 擬範圍5之下層側而設置。 又，於實在顯示範圍4之圖2中上方側’配置有檢查 電路90，此檢査電路90乃配置於虛擬範圍5之下層側而 設置。此檢查電路90乃爲檢查有機EL面板1之動作狀 況之電路，例如具備將檢查結果向外部輸出之檢查資訊輸 出手段（未圖示），可進行製造中途或出貨時之有機EL 面板1之品質、缺陷之檢查而構成者。 掃描線驅動電路80及檢查電路90之驅動電壓乃從特 定之電源部，藉由驅動電壓導通部（未圖示）及藉由驅動 電壓導通部（未圖示）加以施加。又，此等對於掃描線驅 動電路80及檢查電路90之驅動控制信號及驅動電壓乃從 司掌有機EL面板1之動作控制的特定之主驅動器等，藉 由驅動控制導通部（未圖示）及藉由驅動電壓導通部（未 圖示）加以送訊及施加。然而，此時之驅動控制信號乃來 自關連於掃描線驅動電路80及檢查電路90輸出信號時之 控制的主驅動器等的指令信號。 〔有機EL元件之第1實施例形態〕 接著’參照圖3，說明對於構成有機EL面板1之有 機EL·元件之第1實施形態而言，構成有機el元件之單 -14- (12) (12)1344801 位畫素群的構造。 然而，於圖3中’則對於構成有機EL元件之畫素電 極23、發光機能層1 10、及陰極50加以詳述，於畫素電 極23則連接驅動用TFT123者。又，畫素電極23乃形成 於各紅色畫素XR、綠色畫素XG、藍色畫素XB者，如圖 1所示，經由驅動用TFT 123於每一畫素加以發光。 如圖3所示，有機EL元件（有機EL裝置）1A之單 位畫素群Px乃在基板20上，具備挾持於畫素電極23及 陰極50的發光機能層110。又，設置對向配置於基板2〇 之封閉基板（未圖示），各電極23、50及發光機能層 110乃配置於基板20、和封閉基板間。該基板20與封閉 基板間乃塡充氮氣等之非活性氣體之空間，經由非圖示之 乾燥劑或除氣劑，維持於乾燥狀態。 又，發光機能層110乃對於各紅色畫素XR、綠色畫 素XG、藍色畫素XB而言，具有不同發光材料，發光 RGB之各色。又，發光光線L乃透過基板20加以射出。 因此，本實施形態之有機EL元件1A (有機EL面板1 ) 乃構成爲底發射型者。 基板20乃透明性基板，本實施形態中，則使用玻璃 基板。又，玻璃基板材料乃對於具有550nm波長之光線 而言，具有1.54之折射率。 又，於基板20與發光機能層110間，在於該基板20 之表面20a，則在於對應於藍色畫素XB之位置，設置凹 凸部（散亂部）21。即，在於單位畫素群Px中被選擇之 i -15- (13)1344801 畫 範 2 1 板 4 在 用 畫 之 > 2 1 整 板 成 之 對 與 藍色畫素XB中，設置凹凸部21。在此，「對應於藍色 素XB之位置」乃意味對於有機EL元件1A之實際顯示 圍4而言，在從鉛直方向所視之時，位在藍色畫素XB 和凹凸部21重合之位置者。又，換言之，如此凹凸部 乃於基板20與發光機能層110(後述）間，形成於基 20之表面20a的部分。 如此凹部21之形成方法（形成散亂部之工程）乃 於玻璃基板20之表面20a，塗佈及燒成正光阻劑，使 光罩，僅在對應於藍色畫素XB之部分，照射紫外線光 進行曝光處理，更且進行顯像處理。由此，對應於綠色 素XG及紅色畫素XR之部分則呈以光組劑被覆之狀態 對應於藍色畫素XB之部分之表面20a則呈露出之狀態 然後，於氟酸系之藥液中，經由施以曝露玻璃基板20 氟酸處理，僅在相當於藍色畫素XB之部分的表面2 0a 形成具有高0.01〜0.5 μηι之隨機多數之凹凸的凹凸部 。之後，進行光阻劑之剝留部的剝離。 又，於基板20中，在於含凹凸部21之表面20a之 面，形成平坦化層22。換言之，平坦化層22乃設於基 20、和畫素電極23之間。由此，基板20之表面20a乃 爲被平整之狀態，平坦化層22則使基板20之表面20a 凹凸成爲平板，而抑制有機EL裝置1A之顯示缺陷。 如此平坦化層22乃是聚合物樹脂爲材料的層膜， 於具有550nm波長之光線而言，具有1.80之折射率， 玻璃基板20之折射率不同。又，此折射率差乃0.26。 -16- (14) (14)1344801 如此平坦化層之形成方法乃利用旋塗法’經由塗佈形 成聚合物樹脂而進行。又，於塗佈後，經由熱處理或紫外 線照射，硬化聚合物樹脂。 畫素電極23乃ITO (銦錫氧化物）或IZO (銦鋅氧 化物）或氧化錫、氧化銦與氧化鋅的複合氧化物等之透明 導電膜》本實施形態中，採用ITO膜。該ITO膜乃對於 具有550nm波長之光線而言，具有1.82之折射率。 做爲如此畫素電極23之形成方法，經由濺鍍法，於 基板20上之整面，於製膜透明導電膜後，藉由進行介入 存在光阻光罩之濕蝕刻處理，對應於各紅色畫素XR、綠 色畫素XG、及藍色畫素XB，圖案化形成畫素電極23。 發光機能層110乃層積形成於畫素電極23上之正孔 輸送層（發光機能層）70、和形成於該正孔輸送層70上 之有機EL層（發光機能層）60、和形成於該有機EL層 60上之電子輸送層（發光機能層）55而構成者。 正孔輸送層70乃於有機EL層60，具有輸送/注入 正孔之機能的層膜。做爲如此正孔輸送層70之形成材料 ，就高分子材料而言，尤其適用3,4-聚乙烯二氧基噻吩/ 聚苯乙烯磺酸（PEDOT/PSS )之分散液，即於做爲分散液 之聚苯乙烯磺酸，分散3，4-聚乙烯二氧基噻吩，更且將此 分散於水的分散液者可被適切使用。 然而，做爲正孔輸送層70之形成材料，不限於前述 者，可使用許多種類者。例如，可使用將聚苯乙烯、聚吡 咯、聚苯胺、聚乙炔或該衍生物等，分散於適切之分散媒 -17 - (15) 1344801 ，例如前述聚苯乙烯磺酸者等。低分子材料中，可將銅酞 菁、m-MTDATA、TPD、α ·ΝρΕ)等通常之正孔注入材料 - ’以蒸著液加以使用。 做爲爲了形成有機£1^層60之材料，可使用發光螢 光或磷光之公知發光材料。又，藉由在於各個紅色畫素 XR、綠色畫素XG及藍色畫素ΧΒ，設置有機^層6〇R、 6 0G、6 0B，而成爲可顯示全彩之有機El元件。 • 做爲有機EL層60(60R、60G、60B)之形成材料’ 具體而言，做爲高分子材料，可適切使用（聚）芴衍生物 (PF)、(聚）對苯基苯酚衍生物（PPV)、聚苯烯衍生 物（PP)、聚對苯烯衍生物（pPP)、聚乙烯咔唑（ρνκ )、聚噻吩衍生物、聚甲基苯基矽烷（PMPS)等之聚矽 院系等。又’於此等之高分子材料，摻雜茈系色素、香豆 素系色素、若丹明系色素等之高分子系材料，或紅螢烯、 茈、9,10-二苯基蒽、四苯基丁二烯、耐綸紅、香豆素6、 φ 喹吖酮等之低分子材料而加以使用。做爲低分子材料，在 Alq3、DPVBi等主體材料，摻雜耐綸紅、DCM、紅螢烯、 若丹明等’或以主體爲單獨’經由蒸著法而加以使用。 又’做爲紅色之有機EL層60R之形成材料，有例如 . 使用MEHPPV (聚（3 -甲氧基6-(30乙基已基）對苯基 苯酚）之情形，做爲綠色之有機EL層6〇G之形成材料， 有例如使用聚二辛基芴與F8BT (二辛基芴與苯并噻唑之 交互共聚物）之混合溶液之情形，做爲藍色之有機EL層 60B之形成材料，有例如使用聚二辛基芴之情形。 -18 - (16) (16)1344801 電子輸送層55乃於有機EL層60，具有輸送/注入 電子之檮能的層膜。做爲如此電子輸送層55之形成材料 ，例如採用LiF或SrF2等之鹼土類金屬或鹼金屬化合物 〇 陰極5〇乃對向於畫素電極23R、23G、23B之共通電 極。該陰極50乃由設於有機EL層60上之低工作函數之 金屬所成第1陰極、和設於該第1陰極，保護該第1陰極 的第2陰極所成者。做爲形成第1陰極之低工作函數之金 屬’尤以工作函數爲3·0Εν以下之金屬爲佳，具體而言， 可適切使用 Ca (工作函數：2.6 eV) 、Sr (工作函數： 2.1eV) 、Ba (工作函數：2.5eV)。第2陰極乃被覆第1 陰極，爲從氧或水分等保護此等的同時，爲提高陰極50 整體之導電性而設者。本實施形態之有機EL元件1A乃 從基板20側取出發光光線的底發射型之故，陰極50爲非 透明者，做爲反射性金屬則採用鋁等。 然而，於陰極之表面，設置封閉層亦可。做爲該封閉 層，則採用被覆於陰極50形成之氧化氮化矽膜等之鈍化 膜。由此，可抑制發光機能層110之水分或氧的入侵。 然而，具有上述構成之單位畫素群Px中，紅色畫素 XR、綠色畫素XG、及藍色畫素XB之相互之間，形成間 隔壁亦可。 此時，可將商分子材料所成發光機能層，經由液滴吐 出法而形成。又，間隔壁乃經由無機材料所成間隔壁、和 有機材料所成有機間隔壁加以構成者爲佳。又，於無機間 -19· (17)1344801 隔壁之表面’賦予親液性，於有機間隔壁之表面，則附予 排液性者爲佳。由此，經由液滴吐出法，形成發光機能層 1 1 0時，可於間隔壁間留滯液滴。 又，上述發光機能層110乃可由低分子材料所構成。 此時，發光機能層乃使用光罩蒸著法形成之故，無需形成 間隔壁。又，做爲低分子系之發光機能層，包含正孔輸送 層或電子注入緩衝層爲佳。 於如此構成之有機EL元件1A中，於畫素電極23與 陰極50間，流入電流時，有機EL層60(60B、6 0G、 60R)則發光，發光光線L乃直接透過畫素電極23，從基 板20射出，在陰極50反射之後，透過畫素電極23，從 基板20射出。此時，於形成凹凸部21之藍色畫素XB中 ，具有各種光路長之干涉光則在入射至基板20之時，經 由凹凸部21而散亂。 因此，如上所述，具有各種光路長之干涉光束即，混 合存在各種顏色之干涉光束，隨機地向空氣界面放射之故 ，可抑制從斜側看有機EL元件1A時之色偏移或亮度之 減少。 〔表1〕 0° 45。 第1實施形態 100% 63.64% 以往例 100% 25.23% 表1乃顯示對於將藍色畫素XB之發光光線，從正面 •20- (18) (18)1344801 或斜側觀察時之相對亮度，比較本實施形態之有機EL元 件1A與以往有機EL元件之結果。 表1之結果乃僅令藍色畫素XB發光，其他之畫素乃 以非發光而測定者。 於以下之說明中，「正面」乃意味對於有機EL元件 之顯示面，從鉛直方向觀察者’ 「斜側」乃意味對於有機 EL元件之顯示面，從較鉛直方向傾斜45度之方向觀察者 〇 又，「相對亮度」乃意味就對於有機EL元件之顯示 面（實際顯示範圍），從正面（0度）觀察之亮度（100% )而言，從45度斜側觀察時（45度）之亮度比例。 由表1可明白得知，不具有凹凸部21之以往例中， 相對亮度爲2 5.23 %，相較之下本實施形態之相對亮度爲 6 3.64%因此，本實施形態中，可確認抑制藍色畫素XB之 亮度的減少。又，由於抑制亮度的減少，可確認到抑制顏 色偏移。 然而，本實施形態中，雖爲形成凹凸部21，使用氟 酸處理，於玻璃基板20之表面20A，形成多數之凹凸， 但亦可經由Si02 (矽氧化物）或SiN (矽氮化物）、丙烯 酸樹脂（樹脂層）等，僅於相當於藍色畫素XB之部分表 面20A，附加性地形成凸狀部（凹凸部）。 具體而言，採用將Si02或SiN附加性地形成於表面 2 0a時，例如經由利用光罩濺鍍法或光罩蒸著法，僅於相 當於基板20之藍色畫素XB部分之表面20a，圖案化形成 -21 - (19)1344801

Si〇2或SiN之凸狀部之方法。 又，於附加性地形成丙烯酸樹脂時，採用例如將光硬 化性樹脂層，形成於表面20a之整面後，藉由曝光光罩， 照射曝光光線，經由進行顯像處理，僅於相當於基板20 之藍色畫素XB部分之表面20a，圖案化形成丙烯酸樹脂 之凸狀部之方法。 又，於本實施形態中，雖將平坦化層22形成於基板 20之整面，但亦可僅於凹凸部2 1，形成平坦化層22，進 行該凹凸部21之平坦化。此時，於塗佈平坦化層22之前 ，經由進行將基板20以表面保護帶等被覆之遮蔽處理， 可僅於形成凹凸部21之藍色畫素XB，形成平坦化層22 〇 又，於本實施形態中，可將半反射鏡或介電質多層膜 等，適用於設於畫素電極23與平坦化層22間等，具備於 有機EL元件1A內之情形。如此，在具備半反射鏡或介 電質多層膜之情形時，發光光線之干涉更易於產生’色偏 移雖有易於產生之傾向，但如上述經由設置凹凸部21 ’ 可散亂發光光線，抑制色偏移及亮度之減少。 〔表2〕 Δη 0 ±0.01 士 0.03 ±0.05 土 0.07 ±0.08 ±0.09 ±0.1 土 0.3 ±0.5 相對亮度 25.23% 25.88% 26.77% 28.22% 28.96% 59.94% 91.23% 91.99% 63.34% 68.28% 表2乃顯示對於改變本實施形態之平坦化層22與基 板20之折射率差時，令藍色畫素XB之發光’從斜側觀 -22- (20) (20)1344801 察時（45度）之相對亮度。 又，表2中，「Δη」乃意味玻璃基板20與平坦化層 22之折射率之差。又，於表2中，Δη成爲「0」乃意味 顯示以往之有機EL元件，未形成凹凸部之情形。 又，圖4乃根據表2所得之圖表，以橫軸爲「Δη」 ’縱軸爲相對亮度加以繪圖者。 從表2及圖4可明白得知，在於平坦化層22與基板 2〇之折射率差爲0.08以上之時，從45度視角觀察之相對 亮度約爲60%以上。如此，形成凹凸部21的同時，經由 使平坦化層22與基板20之折射率差呈0.08以上，可確 認到抑制藍色畫素ΧΒ之亮度的減少。又，由於抑制亮度 的減少，可確認到抑制顏色偏移。又，△ ηΝ爲不論是正 値、負値時，皆可確認得同樣之效果。 〔第2實施例形態〕 接著，說明有機EL元件之第2實施例形態。 本實施形態與第1實施形態乃在凹凸部21設於對應 於綠色畫素XG之位置的部分有所不同。又，其他構成乃 與第1實施形態相同之故，附上同一符號，省略說明。 本實施形態中，於基板20之表面20a ’在對應於綠 色畫素XG之位置，設置凹凸部21。即，於單位畫素群 Px中被選擇之綠色畫素XG中’設置凹凸部21。在此， 「對應於綠色畫素XG之位置」乃意味對於有機EL元件 1A之實際顯示範圍4而言，在從鉛直方向視之情形下’ -23- (21) (21)1344801 在於綠色畫素XG、和凹凸部重合之位置者如此凹凸部21 之形成方法乃與第1實施形態相同，僅於相當於綠色畫素 XG之部分表面2a，形成具有高0.01〜0.5 μηι之隨機多數 之凹凸的凹凸部21。 又，綠色畫素XG之有機EL層60G乃以聚苯基乙烯 系之高分子材料所形成。如此材料之發光光譜尖峰乃在略 黃色之範圍。爲此，將如綠（5 50nm前後）之光束呈由正 面取出之構造時，從該正面斜側之方向觀察有機EL面板 時，經由層構造內之干涉，干涉尖峰向短波長偏移，在發 光強度弱之波長，會有干涉尖峰，而具有難以取出5 50nm 之光線的特性。 於本實施形態中，有機EL層60 ( 60B、60G、60R ) 發光時，發光光線L乃直接透過畫素電極23，從基板20 射出，在陰極50反射之後，透過畫素電極23，從基板20 射出。此時，於形成凹凸部21之綠色畫素XG中，具有 各種光路長之干涉光則在入射至基板20之時，經由凹凸 部21而散亂。 因此，如上所述，具有各種光路長之干涉光束即，混 合存在各種顏色之干涉光束，隨機地向空氣界面放射之故 ，可抑制從斜側看有機E L元件1 A時之色偏移或亮度之 減少。 由此，即使以高分子材料，構成有機EL層6 0G ,於 從斜側方向觀察之時，亦可取出5 50nm前後之光線。 1 -24- (22) (22)1344801 〔表3〕 0。 45。 色差Διι’ν’ 第2實施形態 (0.405 0.575) (0.422 0.566) 0.010 以往例 (0.403 0.582) (0.454 0.552) 0.033 表3乃顯示對於將綠色畫素XG發光光線，從正面或 斜側觀察時之色座標（X、y)與色差（Δ 11’V’），比較本 實施形態之有機EL元件1A與以往有機EL元件之結果。 表3之結果乃僅令綠色畫素XG發光，其他之畫素乃 以非發光而測定者。 一般而言，色差爲0.02以上之値時，意味顏色之變 化乃可經由觀察者辨識之色變化，色偏移可被明顯觀察者 。另一方面，色差較0.02爲低之値的程度，則意味顏色 變化爲小。 如表3所示，以往例之綠色光之色座標（X、y)乃在 由正面觀察之時（0度），成爲（0·4〇3 0.582)，從斜側 觀察之時（45度），則成爲（0.454 0.552 )，色差乃 0.033 ° 相較之下，本實施形態之綠色光之色座標（X、y)乃 在由正面觀察之時（0度），成爲（0.405 0.575)，從斜 側觀察之時（45度），則成爲（0.422 0.566 )，色差乃 0.010 。 因此，由表3可明白，較不具有凹凸部21之以往例 而言’本實施形態中，可大爲減低從廣角觀察時之色偏移 -25- (23) 1344801 (有機EL元件之第3實施例形態） 接著’說明有機E L元件之第3實施例形態。 本實施形態與第1實施形態乃在凹凸部2 1設 於綠色畫素XG及藍色畫素XB之位置的部分有所 又，其他構成乃與第1實施形態相同之故，附上同 ，省略說明。 本實施形態中，於基板20之表面20a，在對 色畫素XG及藍色畫素XB之位置，設置凹凸部21 於單位畫素群Px中被選擇之綠色畫素XG及藍色畫 中，設置凹凸部21。在此，「對應於綠色畫素XG 畫素XB之位置」乃意味對於有機EL元件1A之實 範圍4而言，在從鉛直方向視之情形下，在於綠 XG及藍色畫素 XB、和凹凸部重合之位置者如此 21之形成方法乃與第1實施形態相同，僅於相當 畫素XG及藍色畫素XB之部分表面2a，形成具有 〜0.5 μιη之隨機多數之凹凸的凹凸部21。 於本實施形態中，有機EL層60 ( 60Β、60G、 發光時，發光光線L乃直接透過畫素電極23，從3 射出，在陰極50反射之後，透過畫素電極23，從； 射出。此時，於形成凹凸部21之綠色畫素XG及 素ΧΒ中，具有各種光路長之干涉光則在入射至_ 之時，經由凹凸部2 1而散亂。 因此，如上所述，具有各種光路長之干涉光束 於對應 不同。 一符號 應於綠 。即， [素ΧΒ 及藍色 際顯示 色畫素 凹凸部 於綠色 局 0.0 1 60R ) S板20 S板20 藍色畫 •板20 即，混

J -26- (24) 1344801 合存在各種顏色之干涉光束，隨機地向空氣界面放射之故 ，可抑制從斜側看有機EL元件1 A時之色偏移或亮度之 減少。 〔表4〕 0° 45。 色差Διι’ν， 第3實施形態 (0.33 0.33) (0.34 0.35) 0.007 以往例 (0.33 0.33) (0.42 0.41) 0.032 表4乃顯示對於將單位畫素群Px全發光之白色光線 ，從正面或斜側觀察時之色座標（X、y)與色差（A u’v’ )而言，比較本實施形態之有機EL元件1A與以往有機 E L元件之結果。 如表4所示，以往例之白色光之色座標（X、y)乃在 由正面觀察之時（〇度），成爲（〇. 3 3 0.3 3 )，從斜側觀 察之時（45度），則成爲（0.42 0.41)，色差乃0.032。 φ 如此之以往例中，由斜側觀察之時，會產生綠色光之色偏 移，減少藍色光之亮度之故，整體會呈有帶紅色之黃色系 之白色光。 相較之下，本實施形態之白色光之色座標（X、y)乃 ， 在由正面觀察之時（〇度），成爲（0.33 0.33)，從斜側 觀察之時（45度），則成爲（0.34 0.35)，色差乃0.007 。在如此本實施形態中，不論從正面或斜側觀察，可確認 幾乎無白色光之變色的產生。 由表4可明白，較不具有凹凸部21之以往例而言， -27- (25) (25)1344801 本實施形態中，可大爲減低從廣角觀察時之色偏移。 (有機E L元件之第4實施例形態） 接著，說明構成有機EL面板1之有機EL元件之第4 實施例形態。 圖5乃模式顯示本實施形態之有機EL元件1 B之單 位畫素群之剖面圖。 本實施形態乃在於透過陰極50，取出發光機能層110 之發光的頂發射構造之部分，與先前實施形態不同。以下 說明中，與先前實施形態同一構成，則附上同一符號，省 略說明。 於本實施形態之有機EL元件（有機EL裝置）1B中 ，於對應於基板20之表面20a之藍色畫素XB的位置， 形成凹凸部21的同時，於含凹凸部21之基板20之表面 2 0a之整面，形成反射層24。即，於單位畫素群Px中被 選擇之藍色畫素XB中，設置凹凸部21。由此，反射層 24乃於藍色畫素XB中，倣效凹凸部21之形狀，而具有 凹凸狀之表面，而做爲本發明之散亂部加以工作。做爲如 此反射層24之材料，採用銀（Ag)或鋁等之光反射性金 屬。 因此，各個紅色畫素XR、綠色畫素XG、及藍色畫素 XB所發光之光線乃不僅透過陰極50，向基板20之相反 側射出，更經由反射層24反射之後，透過陰極50，向基 板20之相反側，做爲發光光線加以射出。然後，於綠色

A -28 ~ (26) (26)1344801 畫素XG及紅色畫素XR中，該發光光線乃對於經由平坦 之反射層24，朝向陰極50加以反射而言’於藍色畫素 XB中，該發光光線乃經由凹凸狀之反射層24，加以散亂 及反射。 如此有機EL元件1B乃頂發射型，從陰極50取出發 光光線之構造之故，做爲陰極50之材料，則採用透過導 電膜之ITO。 又，畫素電極23乃經由形成於紅色畫素XR之畫素 電極23R、形成於綠色畫素XG之畫素電極23G、形成於 藍色畫素XB之畫素電極23B而構成。然後，各畫素電極 23 R、23 G、23 B乃該膜厚各爲互異，該膜厚之大小關係 乃畫素電極2311>畫素電極230畫素電極23B。如此，畫 素電極23R、23G、23B乃膜厚爲互異的同時，具有透明 性之故，可做爲光共振器而工作。即，可令光共振器之光 學長度，依畫素電極23R、23G、23B而有所不同（調整 )。例如，可使進行長波長（例如紅色光）之發光的畫素 之畫素電極23R之膜厚變長，配合該光學長度，可使進行 短波長（例如藍色光）之發光的畫素之畫素電極23BR之 膜厚變短，配合該光學長度。 其他，不使畫素電極23R、23G、23B之膜厚互不相 同，經由使發光層XR、XG、XB之材料互爲不同，形成 畫素亦可。 又，於反射層24之整面，形成平坦化層22。由此， 基板20之表面20a乃成爲平板之狀態，平坦化層22則將 -29- (27) 1344801 反射層24之表面之凹凸平坦化，以抑制有機EL元件1 B 之顯示缺陷。 於本實施形態中，有機EL層60(60B、60G、6 0R) 發光時，發光光線L乃透過陰極50直接射出’以及以反 射層24反射之後，透過畫素電極23與陰極50而射出。 此時，於形成凹凸狀之反射層24之藍色畫素XB中’具 有各種光路長之干涉光則經由反射層24，散亂及反射。 因此，如上所述，具有各種光路長之干涉光束即，混 合存在各種顏色之干涉光束，隨機地放射之故，可抑制從 斜側看有機E L元件1 B時之色偏移或亮度之減少。 〔表 5〕 _ 0。 45。 第4實施形態 100% 65.75% 以往例 100% 28.54% 表5乃顯示對於將藍色畫素XB之發光光線，從正面 或斜側觀察時之相對亮度，比較本實施形態之有機EL元 件1 B與以往有機EL元件之結果。 表5之結果乃僅令藍色畫素XB發光，其他之畫素乃 以非發光而測定者。 由表5可明白得知，不具有凹凸狀之反射層24之以 往例中，相對亮度爲28.54% >相較之下本實施形態之相 對亮度爲6 5.7 5 %因此，本實施形態中，可確認抑制藍色 畫素XB之亮度的減少。又，由於抑制亮度的減少，可確 -30- (28) (28)1344801 認到抑制顏色偏移。 (有機EL元件之第5實施例形態） 接著，說明有機EL元件之第5實施例形態。 本實施形態與第4實施形態乃在綠色畫素XG形成凹 凸狀之反射層24的部分有所不同。又，其他構成乃與第 4實施形態相同之故，附上同一符號，省略說明。 本實施形態中，於基板20之表面2 0a，在對應於綠 色畫素XG之位置，設置凹凸部21。即，於單位畫素群 Px中被選擇之綠色畫素XG中，設置凹凸部21。如此凹 凸部21之形成方法乃與第1實施形態相同，僅於相當於 綠色畫素XG之部分表面2a，形成具有高0.01〜0.5 μιη 之隨機多數之凹凸的凹凸部21。 又，倣效凹凸部21形成反射層24之故，該反射層 24乃散亂及反射綠色畫素XG之發光光線。 於本實施形態中，有機EL層60 ( 60Β、60G、60R ) 發光時，發光光線L乃透過陰極50直接射出，以及以反 射層24反射之後，透過畫素電極23與陰極50而射出。 此時，於形成凹凸狀之反射層24之綠色畫素XG中，具 有各種光路長之干涉光則經由反射層2 4，散亂及反射。 因此，如上所述’具有各種光路長之干涉光束即，混 合存在各種顏色之干涉光束’隨機地放射之故，可抑制從 斜側看有機EL元件1Β時之色偏移或亮度之減少。 由此’即使以高分子材料，構成有機EL層6 0G，於 -31 - (29) (29)1344801 從斜側方向觀察之時，亦可取出550nm前後之光線。 〔表6〕 0。 45。 色差Διι’ν， 第5實施形態 (0.220 0.652) (0,210 0.620) 0.008 以往例 (0.229 0.682) (0.205 0.565) 0.030 表6乃顯不對於將綠色畫素XG發光光線，從正面或 斜側觀察時之色座標（X、y)與色差（△ U’v’），比較本 實施形態之有機EL元件1B與以往有機EL元件之結果。 表6之結果乃僅令綠色畫素XG發光，其他之畫素乃 以非發光而測定者。 如表6所示，以往例之綠色光之色座標（X、y)乃在 由正面觀察之時（〇度），成爲（0.229 0.682)，從斜側 觀察之時（45度），則成爲（0.205 0.565)，色差乃 0.030 ° 相較之下，本實施形態之綠色光之色座標（X、y)乃 在由正面觀察之時（〇度），成爲（0.22 0 0.652)，從斜 側觀察之時（45度）’則成爲（0.210 0.620)，色差乃 0.008。即，於本實施形態中，色差較〇.〇2爲小之故，由 觀察者視之，未辨識到色偏移。 因此，由表6可明白，較不具有凹凸狀之反射層24 之以往例而言，本實施形態中’可大爲減低從廣角觀察時 之色偏移。 -32- (30) 1344801 (有機EL元件之第6實施例形態） 接著，說明有機EL元件之第6實施例形態。 本實施形態與第4實施形態乃在綠色畫素XG 畫素XB形成凹凸狀之反射層24的部分有所不同 其他構成乃與第4實施形態相同之故，附上同一字 略說明。 本實施形態中，於基板20之表面20a，在對 色畫素XG及藍色畫素XB之位置，設置凹凸部21 於單位畫素群PX中被選擇之綠色畫素XG及藍色盞 中，設置凹凸部21。如此凹凸部21之形成方法乃 實施形態相同，僅於相當於綠色畫素XG及藍色畫 之部分表、面2a，形成具有高0.01〜0.5 μιτι之隨機 凹凸的凹凸部21。 又，倣效凹凸部21形成反射層24之故，該 24乃散亂及反射綠色畫素XG及藍色畫素ΧΒ之發 〇 於本實施形態中，有機EL層60 ( 60Β、60G、 發光時，發光光線L乃透過陰極50直接射出，以 射層24反射之後，透過畫素電極23與陰極50而 此時，於形成凹凸狀之反射層24之綠色畫素XG 畫素ΧΒ中，具有各種光路長之干涉光則經由反射f 散亂及反射。 因此，如上所述，具有各種光路長之干涉光束 合存在各種顏色之干涉光束，隨機地放射之故，可 及藍色 。又， 守號，省 應於綠 。即， E素XB 與第1 素XB 多數之 反射層 光光線 60R ) 及以反 射出。 及藍色 匿2 4， 即，混 抑制從 -33- (31)1344801 斜側看有機el元件1B時之色偏移或亮度之減少。 表7〕 0° 45° 色差Διι’ν’ 第6實施形態 (0.33 0.33) (0.337 0.345) 0.009 以往例 (0.33 0.33) (0.38 0.36) 0.032 表7乃顯示對於將單位畫素群Px全發光之白色光線 ，從正面或斜側觀察時之色座標（X、y)與色差（Διι’ν’ )而言，比較本實施形態之有機el元件1B與以往有機 E L元件之結果。 如表7所示，以往例之白色光之色座標（X、y)乃在 由正面觀察之時（〇度），成爲（〇·33 0.33)，從斜側觀 察之時（45度），則成爲（0.38 0.36)，色差乃0.032。 如此之以往例中，由斜側觀察之時，會產生綠色光之色偏 移，減少藍色光之亮度之故，整體會呈有帶紅色之黃色系 之白色光。 相較之下，本實施形態之白色光之色座標（X、y)乃 在由正面觀察之時（〇度），成爲（0.33 0.33)，從斜側 觀察之時（45度），則成爲（0.3 37 0.3 45 )，色差乃 0.009。在如此本實施形態中，不論從正面或斜側觀察， 可確認幾乎無白色光之變色的產生》 由表7可明白，較不具有凹凸狀之反射層24之以往 例而言，本實施形態中，可大爲減低從廣角觀察時之色偏 移。 -34- (32) 1344801 (有機EL元件之第7實施例形態） 接著，說明構成有機EL面板1之有機EL元件;; 實施例形態。 圖6乃模式顯示本實施形態之有機EL元件1C 位畫素群之剖面圖。 本實施形態中，具備對向基板之頂發射構造之窗 與先前實施形態不同。以下說明中，與先前實施形1 構成，則附上同一符號，省略說明。 本實施形態之有機EL元件（有機EL裝置）1C 備對向配置於基板20之對向基板30、和黏著基板 對向基板30之黏著層35。然後，於基板20與對ίέ 30間，形成經由前述畫素電極23及陰極50所挾共 光機能層1 〇。 在此，對向基板30乃構成頂發射型之有機EL 之基板之故，採用玻璃基板等之透明基板。本實施开 ，將具有與基板20同一之折射率（對550nm波長5 而言，1.54之折射率）的玻璃基板，做爲對向基板 加以採用。 又，於對向基板30與發光機能層110間，在g 基板30之表面30a，在對應於藍色畫素Xb之位置， 凹凸部（散亂部）31。即，於單位畫素群Px中被3 藍色畫素XB中，設置凹凸部31。在此，「對應於童 素XB之位置」乃意味對於有機EL元件1C之實際駡 匕第7 之單 5分， !同一 乃具 20及 ]基板 F之發 面板 〖態中 :光線 30被 芝對向 設置 !擇之 ί色畫 !示範 -35- (33) (33)1344801 圍4而言，在從鉛直方向視之情形下，在於藍色畫素xb 、和凹凸部31重合之位置者又，換言之，如此凹凸部31 乃在基板20與發光機能層11〇(後述）間，形成於對向 基板30之表面30a之部位。 又，如此凹部31之形成方法乃與前述凹部21之形成 方法相同，對於對向基板30之表面3a，經由進行氟酸處 理，可形成具有高〇.〇1〜〇.5 μπι之隨機多數之凹部31。 黏著層3 5乃例如由丙烯酸或環氧等之樹脂塡充劑所 成層膜。又，該黏著層35乃被覆基板20之陰極50之表 面地加以塗佈，或被覆對向基板3 0之表面3 0 a地加以塗 佈之後，藉由貼合基板20與對向基板30，塡充於該兩基 板20 、 30間。 又，本實施形態之有機EL元件1C中，於基板20上 ，形成反射膜24，於該反射膜24上，形成畫素電極23 ( 23B、23G、23R)。在此，畫素電極23乃不一定需要經 由透明導電膜所形成，可爲金屬反射膜。如此之時，反射 膜24則不需要，可削減製造工程數。 於本實施形態中，有機EL層60(60B、60G、6 0R) 發光時，發光光線L乃透過陰極50及對向基板30直接射 出，以及以反射層24反射之後，透過陰極50及對向基板 30而射出。此時，於形成凹凸部31之藍色畫素XB中， 具有各種光路長之干涉光則在入射至基板30之時，經由 凹凸部3 1而散亂。 因此，如上所述，具有各種光路長之干涉光束即，混 -36- (34)1344801 合存在各種顏色之干涉光束，隨機地放射之故’可抑制從 斜側（廣角）看有機EL元件1C時之色偏移或亮度之減 少〇 〔表8〕 0° 45。 第7實施形態 100% 60.28% 以往例 100% 28.54% 表8乃顯示對於將藍色畫素XB之發光光線，從正面 或斜側觀察時之相對亮度，比較本實施形態之有機EL元 件1C與以往有機EL元件之結果。 表8之結果乃僅令藍色畫素XB發光’其他之畫素乃 以非發光而測定者。 由表8可明白得知，不具有凹凸部31之以往例中， 相對亮度爲28.54%，相較之下本實施形態之相對亮度爲 φ 60.28%因此，本實施形態中，可確認抑制藍色畫素XB之 亮度的減少。又，由於抑制亮度的減少，可確認到抑制顏 色偏移。 (有機EL元件之第8實施例形態） 接著，說明有機EL元件之第8實施例形態。 本實施形態與第7實施形態乃在凹凸部31設於對應 於綠色畫素XG之位置的部分有所不同。又，其他構成乃 與第7實施形態相同之故，附上同一符號，省略說明。 -37- 1344801 P5) 本實施形態中，於對向基板30之表面30a，在對應 於綠色畫素XG之位置，設置凹凸部31。即，於單位畫素 群Px中被選擇之綠色畫素XG中，設置凹凸部31。如此 凹部31之形成方法乃與前述凹部21之形成方法相同，對 於對向基板30之表面3a，經由進行氟酸處理，可形成具 有高0.01〜0.5 μιη之隨機多數之凹部31。 於本實施形態中，有機EL層60 ( 60Β、60G、60R ) 發光時，發光光線L乃透過陰極50及對向基板30直接射 出，以及以反射層24反射之後，透過陰極50及對向基板 30而射出。此時，於形成凹凸部31之綠色畫素XG中， 具有各種光路長之干涉光則在入射至對向基板30之時， 經由凹凸部3 1而散亂。 因此，如上所述，具有各種光路長之干涉光束即，混 合存在各種顏色之干涉光束，隨機地放射之故，可抑制從 斜側（廣角）看有機EL元件1C時之色偏移或亮度之減 少 〇 由此，即使以高分子材料，構成有機EL層60G，於 從斜側方向觀察之時，亦可取出550nm前後之光線。 表9〕 0。 45。 色差Διι’ν’ 第8實施形態 (0.220 0.652) (0.213 0.618) 0.008 以往例 (0.229 0.682) (0.205 0.565) 0.030 表9乃顯示對於將綠色畫素XG發光光線，從正面或 i -38- 1344801 P6) 斜側觀察時之色座標（X、y)與色差（Διι’ν’），比較本 實施形態之有機EL元件1C與以往有機EL元件之結果。 表9之結果乃僅令綠色畫素XG發光，其他之畫素乃 以非發光而測定者。 如表9所示，以往例之綠色光之色座標（X、y)乃在 由正面觀察之時（〇度），成爲（0.229 0.682)，從斜側 觀察之時（45度），則成爲（0.205 0.565)，色差乃 0.030 ° 相較之下，本實施形態之綠色光之色座標（X、y)乃 在由正面觀察之時（0度），成爲（0.220 0.652)，從斜 側觀察之時（45度），則成爲（0.213 0.618)，色差乃 0.008。即，於本實施形態中，色差較0.02爲小之故，由 觀察者視之，未辨識到色偏移。 因此，由表9可明白，較不具有凹凸狀之反射層24 之以往例而言，本實施形態中，正面之X値會增加，些微 有藍色之感受之外，可大爲減低從廣角觀察時之色偏移。 (有機EL元件之第9實施例形態） 接著，說明有機EL元件之第9實施例形態。 本實施形態與第7實施形態乃在綠色畫素XG及藍色 畫素XB形成凹凸狀之反射層24的部分有所不同。又， 其他構成乃與第7實施形態相同之故，附上同一符號，省 略說明。 本實施形態中，於對向基板30之表面30a，在對應 -39 - (37) 1344801 於綠色畫素XG及藍色畫素XB之位置，設置凹凸部31。 即，於單位畫素群Ρχ中被選擇之綠色畫素XG及藍色畫 素ΧΒ中，設置凹凸部31。如此凹部31之形成方法乃與 前述凹部21之形成方法相同，對於對向基板30之表面 3a，經由進行氟酸處理，可形成具有高0.01〜〇.5 μπι之 隨機多數之凹部3 1。 於本實施形態中，有機EL層60(60B、60G、60R) 發光時，發光光線L乃透過陰極50及對向基板30直接射 出，以及以反射層24反射之後，透過陰極50及對向基板 30而射出。此時，於形成凹凸部31之綠色畫素XG及藍 色畫素ΧΒ中，具有各種光路長之干涉光則在入射至對向 基板30之時，經由凹凸部31而散亂。 因此，如上所述，具有各種光路長之干涉光束即，混 合存在各種顏色之干涉光束，隨機地放射之故，可抑制從 斜側（廣角）看有機EL元件1C時之色偏移或亮度之減 少。 表10〕 0。 45。 色差Διι’ν’ 第9實施形態 (0.33 0.33) (0.348 0.344) 0.012 以往例 (0.33 0.33) (0.38 0.36) 0.032 表10乃顯示對於將單位畫素群Px全發光之白色光線 ，從正面或斜側觀察時之色座標（X、y)與色差（Δυ’ν’ )而言，比較本實施形態之有機EL元件1C與以往有機 -40 - (38) (38)1344801 E L元件之結果。 如表ίο所示，以往例之白色光之色座標（χ、y)乃 在由正面觀察之時（〇度）’成爲（0.33 0.33)，從斜側 觀察之時（45度），則成爲（0.38 0.36) ’色差乃0.032 。如此之以往例中’由斜側觀察之時’會產生綠色光之色 偏移，減少藍色光之亮度之故，整體會呈有帶紅色之黃色 系之白色光。 相較之下，本實施形態之白色光之色座標（x、y)乃 在由正面觀察之時（0度），成爲（〇.33 〇.33) ’從斜側 觀察之時（45度）’則成爲（0.348 0.344 )’色差乃 0.0 1 2。在如此本實施形態中’不論從正面或斜側觀察’ 可確認幾乎無白色光之變色的產生。 由表10可明白，較不具有凹凸狀之反射層24之以往 例而言，本實施形態中’可大爲減低從廣角觀察時之色偏 移。 (有機EL元件之第1 0實施例形態） 接著，說明構成有機EL面板1之有機EL元件之第 1 0實施例形態。 圖7乃模式顯示本實施形態之有機EL元件1D之單 位畫素群之剖面圖。 本實施形態中，具備彩色濾光片基板之頂發射構造之 部分，與先前實施形態不同。以下說明中’與先前實施形 態同一構成，則附上同一符號’省略說明。 -41 - (39) (39)1344801 本實施形態之有機el元件（有機el裝置）ID乃具 備對向配置於基板2〇之彩色濾光片基板40、和黏著基板 20及彩色濾光片基板40之黏著層35。然後，於基板20 與彩色濾光片基板40間，形成經由前述畫素電極23及陰 極50所挾持之發光機能層110» 在此，彩色濾光片基板40乃具備基板本體41、和著 色層 42 ( 42B、42G、42R )。 基板本體41乃構成頂發射型之有機EL面板之基板 之故，採用玻璃基板等之透明基板。本實施形態中，將具 有與基板20同一之折射率（對5 5 0nm波長之光線而言， 1.54之折射率）的玻璃基板，做爲基板本體41被加以採 用。 著色層42乃位於基板本體41與黏著層35間的同時 ，各個著色層42B、42G、42R乃各對應於單位畫素群Px 之複數之畫素 XB、XG、XR而加以設置。即。於藍色發 光之有機EL層60B，則對應有著色層42B，於綠色發光 之有機EL層60G，則對應有著色層42G，於紅色發光之 有機EL層6 0R，則對應有著色層42R。 由此’有機E1層60B、60G、60R之各色發光光線乃 通過同色之首色層之故，從各畫素XB、XG' XR射出之 各色光乃具有色濃度爲高之顏色。又，由於具備如此著色 層42’可進行有機EL層6 08、6 00、6 011之發光的色補 正。

然而’取代有機EL層60B、60G、60R，各畫素XB

A -42- (40) (40)1344801 、XG、XR可具備可白色發光之有機EL層。此時，由於 白色光透過著色層42 B，可從畫素XB得藍色光，由於白 色光透過著色層42G，可從畫素XG得綠色光，由於白色 光透過著色層42R，可從畫素XR得紅色光。 又，於基板本體41與著色層42 (42B、42G、42R) 間，在該基板本體41之表面3 0a，在對應於藍色畫素XB 之位置，設置凹凸部（散亂部）31。即，於單位畫素群 Px中被選擇之藍色畫素XB中，設置凹凸部31。在此， 「對應於藍色畫素XB之位置」乃意味對於有機EL元件 1C之實際顯示範圍4而言，在從鉛直方向視之情形下， 在於藍色畫素XB、和凹凸部31重合之位置者又，換言之 ，如此Μ凸部31乃在基板41與著色層42間，形成於基 板本體41之表面41a之部位。 又，如此凹部31之形成方法乃與前述凹部21之形成 方法相同，對於對向基板30之表面3a，經由進行氟酸處 理，可形成具有高〇.〇1〜0.5 μηι之隨機多數之凹部31。 又，本實施形態之有機EL元件1D中，於基板20上 ，形成反射膜24，於該反射膜24上，形成畫素電極23。 在此，畫素電極23乃不一定需要經由透明導電膜所形成 ，可爲金屬反射膜。如此之時，反射膜24則不需要，可 削減製造工程數。 又，於有機EL元件1D中，將畫素電極23對於各畫 素XB、XG、XR而言以不同之膜厚加以形成，調整光共 振器之光學長度亦可（參照圖5、圖6)。 -43- (41) (41)1344801 於本實施形態中’有機EL層60(60B、60G、6 0R) 發光時，發光光線L乃透過陰極50及彩色濾光片基板40 直接射出，以及以反射層24反射之後，透過陰極50及彩 色濾光片基板40而射出。此時’於形成凹凸部31之藍色 畫素XB中，具有各種光路長之干涉光則在入射至基板本 體41之時，經由凹凸部31而散亂。 對此，未形成凹凸部31之以往之時，光路長變長時 ，會從著色層42之透過範圍脫離，亮度會變暗。又，於 著色層42中，有吸收光譜，即使可緩和色偏移，尖峰波 長向長波長側偏移時，亦會成爲可辨識之色偏移的原因。 相較於此，於本實施形態中，於具有凹凸部31之藍 色畫素XB中，具有各種光路長之干涉光則在入射至基板 本體41之時，經由凹凸部31而散亂。因此，具有各種光 路長之干涉光束，即，各種顏色之干涉光束乃隨機地放射 之故，可抑制從斜側（廣角）看有機EL元件1C時之色 偏移或亮度之減少。 0。 45。 第10實施形態 100% 66.14% 以往例 100% 25.68% 表11乃顯示對於將藍色畫素XB之發光光線，從正 面或斜側觀察時之相對亮度，比較本實施形態之有機EL 元件1D與以往有機EL元件之結果》 -44- (42) 1344801 表11之結果乃僅令藍色畫素XB發光，其他之畫素 乃以非發光而測定者。 由表11可明白得知，不具有凹凸部31之以往例中， 相對亮度爲25.68%，相較之下本實施形態之相對亮度爲 66.14%因此，本實施形態中，可確認抑制藍色畫素xb之 亮度的減少。又，由於抑制亮度的減少，可確認到抑制顏 色偏移。 (有機EL元件之第1 1實施例形態） 接著，說明有機EL元件之第1 1實施例形態。 本實施形態與第1 0實施形態乃在凹凸部3 1設於對應 於綠色畫素XG之位置的部分有所不同。又，其他構成乃 與第10實施形態相同之故，附上同一符號，省略說明。 本實施形態中，於基板本體41之表面41a，在對應 於綠色畫素XG之位置，設置凹凸部31。即，於單位畫素 φ 群Px中被選擇之綠色畫素XG中，設置凹凸部31。如此 凹部31之形成方法乃與前述凹部21之形成方法相同，對 於對向基板30之表面3a，經由進行氟酸處理，可形成具 有高0.01〜0.5 μιη之隨機多數之凹部31。 於本實施形態中，有機EL層60(60B' 60G、60R) 發光時，發光光線L乃透過陰極50及彩色濾光片基板40 直接射出，以及以反射層24反射之後，透過陰極50及彩 色濾光片基板40而射出。此時，於形成凹凸部31之綠色 畫素XG中，具有各種光路長之干涉光則在入射至基板本 -45 - (43) 1344801 體41之時’經由凹凸部31而散亂。 因此’如上所述，具有各種光路長之干涉光束即，混 合存在各種顏色之干涉光束，隨機地放射之故，可抑制從 斜側（廣角）看有機EL元件1C時之色偏移或亮度之減 少〇 又.，本實施形態中，使用綠色之發光量較高分子系爲 少之低分子材料時，可擴展綠色之視角之故，可易於得高 亮度廣視角。 又，即使以高分子材料，構成有機EL層60G，於從 斜側方向觀察之時，亦可取出5 50nm前後之光線。 0。 45。 第11實施形態 100% 50.28% 以往例 100% 44.61% φ 表12乃顯示對於將綠色畫素XG之發光光線，從正 面或斜側觀察時之相對亮度，比較本實施形態之有機EL 元件1D與以往有機EL元件之結果。 表12之結果乃僅令綠色畫素XG發光，其他之畫素 . 乃以非發光而測定者。 由表12可明白得知，不具有凹凸部31之以往例中， 相對亮度爲44.6 1 %，相較之下本實施形態之相對亮度爲 50.2 8 %因此，本實施形態中，可確認抑制綠色畫素XG之 亮度的減少。又，由於抑制亮度的減少，可確認到抑制顏 -46- (44) (44)1344801 色偏移。 (有機EL元件之第丨2實施例形態） 接著’說明有機EL元件之第12實施例形態。 本實施形態與第10實施形態乃在凹凸部31設於對應 於綠色畫素XG及藍色畫素χΒ之位置的部分有所不同。 又’其他構成乃與第10實施形態相同之故，附上同一符 號，省略說明。 本實施形態中，於基板本體41之表面41a，在對應 於綠色畫素XG及藍色畫素XB之位置，設置凹凸部31。 即’於單位畫素群Px中被選擇之綠色畫素XG及藍色畫 素XB中，設置凹凸部31。如此凹部31之形成方法乃與 前述凹部21之形成方法相同，對於對向基板30之表面 3a，經由進行氟酸處理，可形成具有高〇.01~〇.5 μιη之 隨機多數之凹部31。 於本實施形態中，有機EL層60 (60B、60G、60R) 發光時，發光光線L乃透過陰極50及彩色濾光片基板40 直接射出，以及以反射層24反射之後，透過陰極50及彩 色濾光片基板40而射出。此時，於形成凹凸部31之綠色 畫素XG及藍色畫素ΧΒ中，具有各種光路長之干涉光則 在入射至基板本體41之時，經由凹凸部31而散亂。 因此，如上所述，具有各種光路長之干涉光束即，混 合存在各種顏色之干涉光束，隨機地放射之故，可抑制從 斜側看有機EL元件1D時之色偏移或亮度之減少。 -47- (45)1344801 表1 3〕 0。 45。 色差Διι’ν’ 第12實施形態 (0.33 0.33) (0.344 0.344) 0.010 以往例 (0.33 0.33) (0.38 0.36) 0.032 表13乃顯示對於將單位畫素群Px全發光之白色光線 ，從正面或斜側観察時之色座標（X、y)與色差（△ u’v’ )而言，比較本實施形態之有機el元件1D與以往有機 E L元件之結果。 如表13所示，以往例之白色光之色座標（X、y)乃 在由正面觀察之時（〇度），成爲（〇 · 3 3 0.3 3 )，從斜側 觀察之時（45度）’則成爲（0.38 0.36) ’色差乃0.032 。如此之以往例中，由斜側觀察之時，會產生綠色光之色 偏移，減少藍色光之亮度之故，整體會呈有帶紅色之黃色 系之白色光。 相較之下，本實施形態之白色光之色座標（X、y)乃 在由正面觀察之時（0度），成爲（0_3 3 0.3 3 )，從斜側 觀察之時（45度），則成爲（0.344 0.344 )，色差乃 〇 . 0 1 〇。在如此本實施形態中，不論從正面或斜側觀察， 可確認幾乎無白色光之變色的產生。 由表13可明白，較不具有凹凸部31之以往例而言， 本實施形態中，可大爲減低從廣角觀察時之色偏移。 (有機EL元件之第1 3實施例形態） -48- (46) (46)1344801 接著，說明構成有機EL面板1之有機EL元件之第 1 3實施例形態。 圖8(A)乃模式顯示本實施形態之有機EL元件1E 之單位畫素群之剖面圖。 本實施形態乃於頂發射構造中，在於彩色濾光片基板 形成外敷層之部分，與先前實施形態不同。以下說明中， 與先前實施形態同一構成，則附上同一符號，省略說明。 本實施形態之有機EL元件（有機EL裝置）1E乃具 備對向配置於基板20之彩色濾光片基板40、和黏著基板 20及彩色濾光片基板40之黏著層35。然後，於基板20 與彩色濾光片基板4〇間，形成經由前述畫素電極23及陰 極50所挾持之發光機能層11〇。 在此’彩色濾光片基板40乃從基板本體41朝向發光 機能層110，具備和著色層42 (42B、42G、42R)、和外 敷層43。 又’於有機EL元件1E中，將畫素電極23對於各畫 素XB、XG、XR而言以不同之膜厚加以形成，調整光共 振器之光學長度亦可（參照圖5、圖6)。 外敷層43乃經由與著色層42不同之折射率的樹脂材 料所形成之層膜。又’於外敷層43與著色層42之界面， 在對應於藍色畫素XB之著色層42 B之表面，形成凹凸部 (散亂部）45。即，於單位畫素群Px中被選擇之藍色畫 素XB中，設置凹凸部45。又，綠色畫素xG及紅色畫素 XR中’未形成如此凹凸部45，而成爲平坦面。 -49- (47) (47)

1344801 對於如此著色層42及外敷層43之形成方法 首先，於藍色畫素XB中’在於基板本體31 ，形成藍之丙烯酸材料所成著色層42 B’於之後’ 著色層42B而言，進行1〇秒間之臭氧電黎處理。 著色層42B之表面會具有〇.〇1〜0.5 um深度之隨 ，形成凹凸部45。之後，於綠色畫素XG形成著色 、於紅色畫素XR形成著色層42R。之後’將外丨 經由例如旋塗法而形成。經由以上之工程’於基 41上，形成著色層42及外敷層43。 又，於形成外敷層43之後，將彩色濾光片基4 基板20，藉由黏著層35而貼合，形成有機EL元f 於本實施形態中’有機EL層60 ( 60B、60G 發光時，發光光線L乃透過陰極50及彩色濾光片 直接射出，以及以反射層24反射之後’透過陰極 色濾光片基板40而射出。此時’於形成凹凸部45 畫素XB中，具有各種光路長之干涉光則在入射至 43、和著色層42B之界面之時，經由凹凸部45而 因此，具有各種光路長之干涉光束射出方向會改變 可抑制從斜側（廣角）看有機EL元件1 C時之 亮度之減少。 (有機EL元件之第1 3實施例形態之變形例） 接著，說明有機EL元件之第1 3實施例形態 丨以說明 之表面 對於該 由此， :機凹凸 ί 層 42G 数層43 板本體 反40與 戸1 Ε ° 、60R ) 基板40 50及彩 之藍色 外敷層 散亂。 之故， ,偏移或 之變形 -50- (48) (48)

1344801 例。 圖8 ( B )乃模式顯示本變形例之有機EL元件1 F 單位畫素群之剖面圖。本變形例乃於凹凸部45形成於 敷層43之部分，與先前第13之實施形態不同。以下該 中，與先前實施形態同一構成，則附上同一符號，省晚 明。 本變形例之有機EL元件（有機EL裝置）1F中， 敷層43乃經由與著色層42不同之折射率的樹脂材料戶/ 成之層膜。又’於外敷層43與著色層35之界面’在愛 於藍色畫素XB之外敷層43之表面’形成凹凸部（窗 部）45。又，綠色畫素XG及紅色畫素XR中’未形员 此凹凸部45’而成爲平坦面。 對於如此著色層42及外敷層43之形成方法加以話 首先，於藍色畫素XB形成著色層42B、於綠色· XG形成著色層42G、於紅色畫素XR形成著色層42R。 後，對於著色層42B、42G、42R之表面而言，例如經 旋塗法形成外敷層43。之後，僅對於對應於藍色畫素 之外敷層43而言，進行10秒間之臭氧電漿處理。由此 藍色畫素XB之外敷層43之表面會具有0.01〜0.5 um 度之隨機凹凸，形成凹凸部45。經由以上之工程，於 板本體41上，形成著色層42及外敷層43。

又，於形成外敷層43之後，將彩色濾光片基板40 基板20，藉由黏著層35而貼合，形成有機EL元件1 E 之 外 :明 說 外 形 應 亂 如 明 素 之 由 XB 深 基 與 -51 - (49)1344801 0。 45。 第13實施形態 100% 60.02% 以往例 100% 22.23% 於本實施形態中，有機EL層60(60B、60G 發光時，發光光線L乃透過陰極50及彩色濾光片 直接射出，以及以反射層24反射之後，透過陰極 色濾光片基板40而射出。此時，於形成凹凸部45 畫素XB中，具有各種光路長之干涉光則在入射至 35與外敷層43之界面之時，經由凹凸部45而敷 此，具有各種光路長之干涉光束射出方向會改變之 抑制從斜側（廣角）看時之色偏移或亮度之減少》 〔表 14〕 表14乃對於將上述第13實施形態之藍色畫素 發光光線，從正面或斜側觀察時之相對亮度，比彰 形態之有機EL元件1E與以往有機EL元件之結果 表14之結果乃僅令藍色畫素XB發光，其柑 乃以非發光而測定者。 由表14可明白得知，不具有凹凸部45之以妇 相對亮度爲22.23 %，相較之下本實施形態之相對 60.02%因此，本實施形態中，可確認抑制藍色畫 亮度的減少。又，由於抑制亮度的減少，可確認 色偏移。 又，於上述第〗3實施形態之變形例大，可 、60R ) 基板40 50及彩 之藍色 .黏著層 :亂。因 .故，可 XB之 本實施 〇 之畫素 例中， 亮度爲 XB之 抑制顏 同樣之 -52- (50)1344801 結果。 〔表 15〕 Δη 0 士 0.01 土 0·03 ±0.05 ±0.07 士 0.08 ±0.09 土 0.1 ±0.3 ±0.5 相對亮度 22.23% 23.15% 24.11% 24.18% 24.88% 57.23% 59.05% 59.55% 60.02% 61.23% 表1 5乃顯示對於第1 3實施形態及該變形例，著色層 42與外敷層43之折射率差時，或改變外敷層43與黏著 層35之折射率時，令藍色畫素XB之發光，從斜側觀察 時（45度）之相對亮度。 又，表15中，「Δη」乃意味著色層42與外敷層43 之折射率之差，或外敷層43與黏著層35之折射率差。又 ，於表15中，Δη成爲「0」乃意味顯示未形成凹凸部之 情形。 由表15可明白，上述折射率之差爲〇.〇8之時，由45 度視角所觀察之相對亮度乃成爲約5 7 %以上，又，折射率 差較0.08爲大之時’相對亮度則會變得更大。如此，形 成凹凸部45的同時，經由使著色層42與外敷層43之折 射率差，或使外敷層43與黏著層35之折射率呈〇.〇8以 上’可確認到抑制藍色畫素ΧΒ之亮度的減少。又，由於 抑制亮度的減少’可確認到抑制顔色偏移。又，△ η Ν爲 不論是正値、負値時，皆可確認得同樣之效果。 (有機E L元件之第1 4實施例形態） 接者’說明有機EL·元件之第14實施例形態。 -53- (51) (51)1344801 本實施形態與第13實施形態乃在凹凸部45設於對應 於綠色畫素XG之位置的部分有所不同。又，其他構成乃 與第1 3實施形態相同之故，附上同一符號，省略說明。 本實施形態中，於綠色畫素XG之著色層42G，設置 凹凸部45。即，於單位畫素群Px中被選擇之綠色畫素 XG中，設置凹凸部45。如此凹凸部45之形成方法乃與 第13實施形態相同，僅於相當於綠色畫素XG之著色層 42G，形成具有高0.01〜0.5 μιη之隨機多數之凹凸的凹凸 部45。 於本實施形態中，有機EL層60(60B、60G、60R) 發光時，發光光線L乃透過陰極50及彩色濾光片基板40 直接射出，以及以反射層24反射之後，透過陰極50及彩 色濾光片基板40而射出。此時，於形成凹凸部45之藍色 畫素ΧΒ中，具有各種光路長之千涉光則在入射至外敷層 43、和著色層42Β之界面之時，經由凹凸部45而散亂。 因此，具有各種光路長之干涉光束射出方向會改變之故， 可抑制從斜側（廣角）看有機EL元件1 C時之色偏移或 亮度之減少。 0。 45。 第14實施形態 100% 48.66% 以往例 100% 40.22% 表16乃顯示對於將綠色畫素XG之發光光線，從正 -54- (52) (52)1344801 面或斜側觀察時之相對亮度，比較本實施形態之有機EL 元件1E與以往有機EL元件之結果。 表16之結果乃僅令綠色畫素XG發光，其他之畫素 乃以非發光而測定者a 由表1 6可明白得知，不具有凹凸部45之以往例中， 相對亮度爲40.22%，相較之下本實施形態之相對亮度爲 4 8.6 6%因此，本實施形態中，可確認抑制綠色畫素XG之 亮度的減少。又，由於抑制亮度的減少，可確認到抑制顏 色偏移。 (有機EL元件之第1 5實施例形態） 接著，說明有機EL元件之第1 5實施例形態。 本實施形態與第1 3實施形態乃在凹凸部4 5設於對應 於綠色畫素XG及藍色畫素XB之位置的部分有所不同。 又，其他構成乃與第13實施形態相同之故，附上同一符 號，省略說明。 本實施形態中，對於藍色畫素XB之著色層42B與綠 色畫素XG之著色層42 G而設，設置凹凸部45。即，於 單位畫素群Px中被選擇之藍色畫素XB及綠色畫素XG中 ，設置凹凸部45。如此凹凸部45之形成方法乃與第13 實施形態相同，於著色層42B、42G，形成具有高0_01〜 〇·5 μιη之隨機多數之凹凸的凹凸部45。 於本實施形態中，有機EL層60(60B、60G、60R) 發光時，發光光線L乃透過陰極50及彩色濾光片基板40 -55- (53) (53)1344801 直接射出’以及以反射層24反射之後，透過陰極50及彩 色濾光片基板40而射出。此時，於形成凹凸部45之藍色 畫素XB及綠色畫素XG中，具有各種光路長之干涉光則 在入射至外敷層43、和著色層42B、42G之界面之時，經 由凹凸部45而散亂。因此，具有各種光路長之干涉光束 射出方向會改變之故，可抑制從斜側（廣角）看有機EL 元件1C時之色偏移或亮度之減少。 〔表 17〕 0。 45。 色差Au，v， 第15實施形態 (0.33 0.33) (0.332 0.341) 0.007 以往例 (0.33 0.33) (0.371 0.362) 0.027

表17乃顯示對於將單位畫素群Px全發光之白色光線 ，從正面或斜側觀察時之色座標（X、y)與色差（△ u’v’ )而言，比較本實施形態之有機EL元件1E與以往有機 E L元件之結果。 如表17所示，以往例之白色光之色座標（X、y)乃 在由正面觀察之時（〇度），成爲（〇·33 0.33)，從斜側 觀察之時（45度）’則成爲（0.371 0.362) ’色差乃 0.027。如此之以往例中，由斜側觀察之時，會產生綠色 光之色偏移，減少藍色光之亮度之故，整體會呈有帶紅色 之黃色系之白色光。 相較之下，本實施形態之白色光之色座標（X、y)乃 在由正面觀察之時（〇度），成爲（0.3 3 0.3 3 )，從斜側 -56- (54) (54)1344801 觀察之時（45度），則成爲（0.332 0.34 1 )，色差乃 0.007。在如此本實施形態中，不論從正面或斜側觀察， 可確認幾乎無白色光之變色的產生。 由表17可明白，較不具有凹凸部45之以往例而言’ 本實施形態中，可大爲減低從廣角觀察時之色偏移。 〔第1 6實施例形態〕 接著，說明構成有機EL面板1之有機EL元件之第 1 6實施例形態。 圖9乃模式顯示本實施形態之有機E L元件1 G之單 位畫素群之剖面圖。 本實施形態乃於黏著層3 5含樹脂粒子（粒子）之部 分，與先前實施形態不同。以下說明中，與先前實施形態 同一構成，則附上同一符號，省略說明》 本實施形態之有機EL元件（有機EL裝置）1G乃具 備對向配置於基板20之彩色濾光片基板40、和黏著基板 20及彩色濾光片基板40之黏著層35。 黏著層3 5乃例如將丙烯酸或環氧等樹脂塡充劑3 5 A 爲主材料，於對應於藍色畫素XG之位置，含複數之樹脂 粒子（散亂部36)而構成。即，於單位畫素群Px中被選 擇之藍色畫素XB中，設置樹脂粒子36»在此，「對應於 藍色畫素XB之位置」乃意味對於有機EL元件1G之實際 顯示範圍4而言，在從鉛直方向視之情形下，在於藍色畫 素XB、和複數之樹脂粒子36重合之位置者 -57- (55) (55)1344801 在此’樹脂塡充劑35a與樹脂粒子36之折射率乃不 同的。又，樹脂粒子36乃呈粒子狀即可，微觀視之爲樹 脂球體，或樹脂片皆可。又，不限於樹脂材料，可爲折射 率與樹脂塡充劑35a不同之有機材料或無機材料。 又’於有機EL元件1(}中’將畫素電極23對於各畫 素XB、XG、XR而言以不同之膜厚加以形成，調整光共 振器之光學長度亦可（參照圖5、圖6)。 又’做爲將樹脂粒子36，內含於樹脂塡充劑36A之 工程，可列舉將樹脂塡充劑36A，塗佈於彩色濾光片基板 4〇上或基板20上之後’僅相當於藍色畫素χΒ之部分， 分散樹脂粒子36之方法。或可列舉將樹脂粒子36分散於 樹脂塡充劑35a之塗佈材料，經由分配器等，僅向相當於 藍色畫素XB之部分吐出’於綠色畫素xg或紅色畫素XR 中，則僅吐出樹脂塡充劑3 5a之方法。 又’含樹脂粒子36及樹脂塡充劑35a之黏著層35乃 塗佈於彩色濾光片基板40上或基板20上之後，藉由貼合 該基板20、40，形成有機EL元件1G。 於本實施形態中，有機EL層60 ( 60B、60G、60R ) 發光時，發光光線L乃透過陰極50及彩色濾光片基板40 直接射出，以及以反射層24反射之後，透過陰極50及彩 色濾光片基板40而射出。此時，於分散複數之樹脂粒子 36之藍色畫素XB中，具有各種光路長之干涉光則在透過 黏著層35之時，經由樹脂塡充劑35a與樹脂粒子36之折 射率差而散亂。因此，具有各種光路長之干涉光束之行進 -58- (56) 1344801 方向’會經由該折射率差而變化之故，可抑制從斜側（廣 角）看有機EL元件1G時之色偏移或亮度之減少。 〔表 18〕 0。 45。 第16實施形態 100% 65.66% 以往例 100% 23.15% 表18乃顯示對於將藍色畫素XB之發光光線，從正 面或斜側觀察時之相對亮度，比較本實施形態之有機EL 元件1G與以往有機EL元件之結果。 表18之結果乃僅令藍色畫素XB發光，其他之畫素 乃以非發光而測定者。 由表18可明白得知，不具有樹脂粒子36之以往例中 ，相對亮度爲23.1 5%，相較之下本實施形態之相對亮度 爲65.66%因此，本實施形態中，可確認抑制藍色畫素XB 之亮度的減少。又，由於抑制亮度的減少，可確認到抑制 顏色偏移。 〔表 19〕 Δη 0 士 0.01 ±0.03 ±0.05 ±0.07 ±0.08 ±0.09 士 0_1 土 0.3 士 0.5 相對亮度 23.15% 23.42% 23.80% 24.99% 25.23% 60.28% 61.87% 62.59% 65.66% 65.82% 表19乃顯示對於第16實施形態之有機EL元件1G 而言，改變樹脂塡充劑35a與樹脂粒子36之折射率差時 ，令藍色畫素XB之發光，從斜側觀察時（45度）之相對 -59- (57) (57)1344801 亮度。 又’表19中’ 「Δη」乃意味樹脂塡充劑35a與樹脂 粒子36之折射率之差。又，於表19中，Δη成爲「〇」 乃意味顯示樹脂粒子36穴含於黏著層35之情形。 由表19可明白’上述折射率之差爲〇.〇8之時，由45 度視角所觀察之相對亮度乃成爲約6 0 %以上，又，折射率 差較0.08爲大之時，相對亮度則會變得更大。如此，於 黏著劑35含樹脂粒子36之同時，經由使樹脂塡充劑35a 與樹脂粒子3 6之折射率差呈〇 · 〇 8以上，可確認到抑制藍 色畫素XB之亮度的減少。又，由於抑制亮度的減少，可 確認到抑制顏色偏移。又，△ nN爲不論是正値、負値時 ，皆可確認得同樣之效果。 (有機EL元件之第1 7實施例形態） 接著，說明有機EL元件之第1 7實施例形態。 本實施形態與第1 6實施形態乃在複數之樹脂粒子3 6 設於對應於綠色畫素XG之位置的部分有所不同。又，其 他構成乃與第16實施形態相同之故，附上同一符號，省略 說明。 本實施形態中，對應於綠色畫素XG，於黏著層35含 有樹脂粒子36。即，於單位畫素群Px中被選擇之綠色畫 素XG中，設置樹脂粒子36。如此，於黏著層35，分散 樹脂粒子36之方法乃與第16實施形態相同。 於本實施形態中，有機EL層60 ( 60B、60G、60R ) -60 - (58) (58)1344801 發光時，發光光線L乃透過陰極50及彩色濾光片基板40 直接射出’以及以反射層24反射之後，透過陰極50及彩 色濾光片基板40而射出。此時，於分散複數之樹脂粒子 36之綠色畫素XG中，具有各種光路長之干涉光則在透過 黏著層3 5之時，經由樹脂塡充劑3 5 a與樹脂粒子3 6之折 射率差而散亂。因此，具有各種光路長之干涉光束之行進 方向，會經由該折射率差而變化之故，可抑制從斜側（廣 角）看有機EL元件1G時之色偏移或亮度之減少。 又，本實施形態中，使用綠色之發光量較高分子系爲 少之低分子材料時，可擴展綠色之視角之故，可易於得高 亮度廣視角。 又，即使以高分子材料，構成有機EL層60G，於從 斜側方向觀察之時，亦可取出550nm前後之光線。 〔表 20〕 0。 45。 第Π實施形態 100% 49.65% 以往例 100% 40.28% 表20乃顯示對於將綠色畫素XG之發光光線，從正 面或斜側觀察時之相對亮度，比較本實施形態之有機EL 元件1G與以往有機EL元件之結果。 表20之結果乃僅令綠色畫素XG發光，其他之畫素 乃以非發光而測定者。 由表20可明白得知，不具有樹脂粒子36之以往例中 -61 - (59) 1344801 ’相對亮度爲40.28% ’相較之下本實施形態之相對亮度 ' 爲4 9 · 6 5 %因此，本實施形態中，可確認抑制綠色畫素X G • 之亮度的減少。又，由於抑制亮度的減少，可確認到抑制 顔色偏移。 本實施形態中，由於使用分散折射率不同之樹脂片或 樹脂球之黏著層35，而得上述效果，但只要具有散亂機 能之樹脂，可使用其他之材料。 (有機EL元件之第1 8實施例形態） 接著，說明有機EL元件之第1 8實施例形態。 本實施形態與第1 6實施形態乃在複數之樹脂粒子3 6 設於對應於綠色畫素XG及藍色畫素XB之位置的部分有 所不同。又，其他構成乃與第1 6實施形態相同之故，附 上同一符號，省略說明。 本實施形態中，對應於綠色畫素XG及藍色畫素XB % ，於黏著層35含有樹脂粒子36。即，於單位畫素群Px 中被選擇之綠色畫素XG及藍色畫素XB中，設置樹脂粒 子36。如此，於黏著層35，分散樹脂粒子36之方法乃與 第1 6實施形態相同。 . 於本實施形態中，有機EL層60( 60B、60G、6 0R) 發光時，發光光線L乃透過陰極50及彩色濾光片基板40 直接射出，以及以反射層24反射之後，透過陰極50及彩 色濾光片基板40而射出。此時，於分散複數之樹脂粒子 36之綠色畫素XG及藍色畫素XB中，具有各種光路長之 -62- (60) 1344801 干涉光則在透過黏著層3 5之時，經由樹脂塡充劑3 5 a與 樹脂粒子36之折射率差而散亂。因此，具有各種光路長 之干涉光束之行進方向，會經由該折射率差而變化之故， 可抑制從斜側（廣角）看有機EL元件1G時之色偏移或 亮度之減少。 表21〕 0。 45° 色差Δνιν 第18實施形態 (0.33 0.33) (0.348 0.344) 0.012 以往例 (0.33 0.33) (0.38 0.35) 0.032

表21乃顯示對於將單位畫素群Px全發光之白色光線 ，從正面或斜側觀察時之色座標（X、y)與色差（△ u’v’ )而言，比較本實施形態之有機EL元件1G與以往有機 EL元件之結果。 如表21所示，以往例之白色光之色座標（X、y)乃 在由正面觀察之時（0度），成爲（0.33 0.33)，從斜側 觀察之時（45度），則成爲（0.38 0.35)，色差乃0.032 。如此之以往例中，由斜側觀察之時，會產生綠色光之色 偏移，減少藍色光之亮度之故，整體會呈有帶紅色之黃色 系之白色光。 相較之下，本實施形態之白色光之色座標（X、y)乃 在由正面觀察之時（0度），成爲（ 0.33 0.33 )，從斜側 觀察之時（45度），則成爲（0.348 0.344 )，色差乃 0.01 2。在如此本實施形態中，不論從正面或斜側觀察， -63- (61) (61)1344801 可確認幾乎無白色光之變色的產生。 由表21可明白，較不具有凹凸部31之以往例而言， 本實施形態中，可大爲減低從廣角觀察時之色偏移。 〔電子機器〕 接著，對於本發明之電子機器加以說明。 電子機器乃具有上述有機EL面板1做爲顯示部者， 具體而言可列舉圖10所示者。 圖10(a)乃顯示手機之一例的斜視圖。圖1〇(〇 中，行動電話1 000乃具備使用上述有機EL面板】之顯 示部1 0 0 1。 圖10(b)乃顯示手錶型電子機器之一例的斜視圖。 圖10(a)中，手錶1100乃具備使用上述有機EL面板1 之顯示部1 101。 圖10(c)乃顯示文字處理機、個人電腦等攜帶型資 訊處理裝置之一例的斜視圖。圖I〇(c)中，資訊處理裝 置1 200乃具備鍵盤等之輸入部1201、使用上述有機EL 面板1之顯示部12〇2、資訊處理裝置本體（框體）1203 示於圖10(a)〜（c)之各電子機器乃具備擁有上 述有機EL面板（有機EL裝置）1之顯示部1〇〇1、丨.ιοί 、：12 02之故’可實現構成顯示部之有機EL裝置之高亮度 化的同時，可抑制色偏移。 -64 - (62) (62)1344801 【圖式簡單說明】 〔圖1〕顯示關於本發明之有機EL裝置之有機EL面 板之配線構造的模式圖。 〔圖2〕模式性顯示關於本發明之有機EL裝置之有 機EL面板之構造之平面圖。 〔圖3〕模式性顯示關於本發明之第1實施形態之有 機EL元件之構成之剖面圖。 〔圖4〕爲說明關於本發明之第1實施形態之有機 EL元件之相對亮度之圖。 〔圖5〕模式性顯示關於本發明之第4實施形態之有 機EL元件之構成之剖面圖。 〔圖6〕模式性顯示關於本發明之第7實施形態之有 機EL元件之構成之剖面圖。 〔圖7〕模式性顯示關於本發明之第10實施形態之 有機EL元件之構成之剖面圖。 〔圖8〕模式性顯示關於本發明之第1 3實施形態之 有機EL元件之構成之剖面圖。 〔圖9〕模式性顯示關於本發明之第1 6實施形態之 有機EL元件之構成之剖面圖。 〔圖10〕顯示具備本發明之有機EL裝置之電子機器 圖。 【主要元件符號說明】 1:有機EL面板（有機電激發光裝置） -65- (63) (63)1344801 ΙΑ、IB、1C、ID、IE、IF、1G:有機 EL 元件（有 機電激發光裝置） 20 :基板 21、31、45 :凹凸部（散亂部） 22 :平坦化層 23、23B、23G、23R:畫素電極（第1電極） 24 :反射膜 30 :對向基板 35 :黏著層 3 5 a :樹脂塡充劑 3 6 :樹脂粒子（粒子、散亂部） 40 :彩色濾光片基板 4 1 :基板本體 42、23B、42G、42R ：著色層 43 :外敷層 50 :陰極（第2之電極） 55:電子輸送層（發光機能層） 60、60B、60G、60R:有機EL層（發光機能層） 70 :正孔輸送層（發光機能層） 1 1 〇 :發光機能層 1000 、 1100 、 1200 :電子機器 Ρχ :單位畫素群 L :發光光線 XG :綠色畫素（畫素） -66- (64)1344801 XB :藍色畫素（畫素） XR :紅色畫素（畫素）

-67-

Claims (1)

1344801 ' .........；： -V' n 玛修(更)正本 第095132466號專利申請案中文申請專利範圍修正本 民國100年1月13日修正 十、申請專利範圍 1·—種有機電激發光裝置’乃具備在於基板上，具有 挾持於第1電極及第2電極的發光機能層之畫素，和複數 之前述畫素所成單位畫素群的有機電激發光裝置，其特徵 乃

於前述單位畫素群中藍色光或綠色光之畫素，設置散 亂前述發光機能層之發光光線的散亂部者， 其中，於前述單位畫素群中， 前述複數之畫素乃各射出紅色、綠色及藍色之光線者 前述散亂部乃僅形成於綠色畫素或/及藍色畫素者。 2. 如申請專利範圍第1項之有機電激發光裝置，其中 ，前述散亂部乃

於前述基板與前述發光機能層間，前述基板之表面乃 經由具有可散亂可視光之凹凸部而形成者。 3. 如申請專利範圍第1項之有機電激發光裝置，其中 ，接觸於前述散亂部，形成平坦化層者。 4. 如申請專利範圍第3項之有機電激發光裝置，其中 ，前述平坦化層之折射率乃與前述基板之折射率不同者。 5 .如申請專利範圍第2項之有機電激發光裝置，其中 ，前述散亂部乃 形成於前述凹凸部之反射層者 1344801 6. 如申請專利範圍第1項之有機電激發光裝置，其中 ’具有對向配置於前述基板之對向基板、與黏著前述基板 及前述對向基板之黏著層； 前述散亂部乃 於前述對向基板與前述發光機能層間，形成於前述％ 向基板之表面之凹凸部者。

7. 如申請專利範圍第6項之有機電激發光裝置，其Φ ，前述黏著層之折射率乃與前述對向基板之折射率不同者° 8. 如申請專利範圍第1項之有機電激發光裝置’其+ ，具有對向配置於前述基板之彩色濾光片基板、和黏著前 述基板及前述彩色濾光片基板之黏著層； 該彩色濾光片基板乃從該彩色濾光片基板，朝向前述 發光機能層，具有基板本體、和各對應於前述單位畫素群 之前述複數之畫素的複數色的著色層；

前述散亂部乃於前述基板本體與前述著色層間，形成 於前述基板本體之表面之凹凸部者。 9. 如申請專利範圍第1項之有機電激發光裝置’其中 ，具有對向配置於前述基板之彩色濾光片基板、和黏著前 述基板及前述彩色濾光片基板之黏著層； 該彩色濾光片基板乃從該彩色濾光片基板，朝向前述 發光機能層，具有基板本體、和各對應於前述單位畫素群 之前述複數之畫素的複數色的著色層、和外敷層； 前述散亂部乃形成於前述外敷層之表面，或前述著色 層之表面之凹凸部者。 -2-

1344801 1 0.如申請專利範圍第6項之有機電 中’前述黏著層乃具有樹脂塡充劑、和做 粒子； 前述該粒子之折射率乃與前述樹脂塡 同者。 11. 一種有機電激發光裝置之製造方 基板上’具有挾持於第1電極及第2電極 畫素’和複數之前述畫素所成單位畫素群 裝置之製造方法，其特徵乃 包含於前述單位畫素群中藍色光或綠 成散亂前述發光機能層之發光光線的散亂 1 2 .如申請專利車g圍第1 1項之有機電 造方法’其中’形成前述散亂部之工程乃 經由對於前述基板施以氟酸處理， 或 經由對於前述基板，圖案形成矽氧化 及樹脂層之任一者， 於基板形成凹凸部者。 1 3 ·如申請專利範圍第1 1項之有機電 造方法，其中’形成前述散亂部之工程乃 形成樹脂層後，於該樹脂層施以臭氧 樹脂層形成凹凸部者。 14. 一種電子機器，其特徵乃具備如申 項至第1 0項中任一項所記載之有機電激差 激發光裝置，其 爲前述散亂部之 充劑之折射率不 法，乃具備在於 的發光機能層之 的有機電激發光 色光之畫素，形 部的工程者。 激發光裝置之製 物、矽氮化物、 激發光裝置之製 電獎處理，於該 請專利範圍第1 i光裝置。 -3-